Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP4117117B2 - Positive photosensitive composition - Google Patents

Positive photosensitive composition Download PDF

Info

Publication number
JP4117117B2
JP4117117B2 JP2001157367A JP2001157367A JP4117117B2 JP 4117117 B2 JP4117117 B2 JP 4117117B2 JP 2001157367 A JP2001157367 A JP 2001157367A JP 2001157367 A JP2001157367 A JP 2001157367A JP 4117117 B2 JP4117117 B2 JP 4117117B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
embedded image
alkyl group
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001157367A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002323758A5 (en
JP2002323758A (en
Inventor
邦彦 児玉
健一郎 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2001157367A priority Critical patent/JP4117117B2/en
Priority to KR1020020009638A priority patent/KR100795109B1/en
Priority to US10/079,414 priority patent/US6858370B2/en
Publication of JP2002323758A publication Critical patent/JP2002323758A/en
Publication of JP2002323758A5 publication Critical patent/JP2002323758A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4117117B2 publication Critical patent/JP4117117B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物に関するものである。さらに詳しくは250nm以下の遠紫外線等を露光光源とする場合に好適なポジ型感光性組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
【0003】
KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。
【0004】
しかしながら、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。また、193nm波長領域に吸収の小さいポリマーとして、ポリ(メタ)アクリレートの利用がJ.Vac.Sci.Technol.,B9,3357(1991). に記載されているが、このポリマーは一般に半導体製造工程で行われるドライエッチングに対する耐性が、芳香族基を有する従来のフェノール樹脂に比べ低いという問題があった。
【0005】
特開2000−292917号公報には特定のスルホニウム塩(アニオンの炭素数1〜15)とトリアリールスルホニウム塩との混合酸発生剤、特開2000−275845号公報には炭素数4〜8のパーフロロアルカンスルホン酸のトリフェニルスルホニウム塩と2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートとの組合せ、EP1041442A号には特定のスルホニウム塩(アニオンの炭素数1〜8)と炭素数4〜8のパーフロロアルカンスルホン酸のトリフェニルスルホニウム塩又はヨードニウム塩との混合酸発生剤が記載されている。
【0006】
また、更なるパターンの微細化に対応するために、変形照明法や位相シフトマスクを用いるのが一般的であり、ラインアンドスペースパターンには輪帯照明、コンタクトホールにはハーフトーン位相シフトマスクが多く使用されている。
輪帯照明を用いた際の高解像力であり、デフォーカスラチチュードが広いことが望まれていた。デフォーカスラティチュードが広いとは、焦点ずれに伴うラインの幅の変動が小さいことを言う。
ハーフトーン位相シフトマスクを用いた場合、僅かな透過光によりパターン部が溶解してしまうサイドローブの問題があり、この解決が望まれていた。
また、KrFエキシマレーザーレジストで用いられるP−ヒドロキシスチレン系樹脂は、酸発生剤、特にオニウム塩のようなイオン性化合物と相互作用し、酸発生剤の溶解性を向上させるが、脂環炭化水素構造を有する樹脂は、疎水性が非常に高いためにオニウム塩のようなイオン性化合物との相互作用が起こり難いために酸発生剤の溶解性が低くなり、レジスト溶液を経時保存すると、パーティクルが発生し易いという問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組成物、また、加えて経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記構成のポジ型感光性組成物であり、これにより本発明の上記目的が達成される。
【0009】
(1)(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、
(B)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
(C)塩基性化合物、及び
(D)フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤
を含有し、且つ(A)酸発生剤が、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物を少なくとも1種及び芳香環を有さないスルホニウム塩を少なくとも1種含有する混合物であることを特徴とするポジ型感光性組成物。
(2) (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、
(B)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
(C)塩基性化合物、及び
(D)フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤
を含有し、且つ(A)酸発生剤が、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物を少 なくとも1種及び芳香環を有さないスルホニウム塩を少なくとも1種含有する混合物(但し、下記一般式(I)で表されるスルホニウム塩化合物と下記一般式(II)で表されるスルホニウム塩化合物を含有する混合物を除く)であることを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化3】

Figure 0004117117
式(I)中、R 1 、R 2 は、それぞれ独立に、直鎖状、分枝状、単環式、または橋かけ環式のアルキル基、あるいは、飽和炭素骨格を有して互いにつながり環を形成した基、または互いにつながり環を形成したオキソアルキレン基を表し、R 3 、R 4 、R 5 、およびR 6 は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、またはアルコキシ基を表し、Xは―CH 2 ―、−C 2 4 −、または−OCH 2 −を表し、Y - は対イオン表す。
【化4】
Figure 0004117117
式(II)中、R 7 はアルキレン基または2−オキソアルキレン基を表し、R 8 はオキソ基を有する直鎖状、分枝状、単環式、多環式あるいは橋かけ環式のアルキル基、または直鎖状、分枝状、単環式、多環式あるいは橋かけ環式のアルキル基を表し、R 7 、R 8 の少なくとも一方は、オキソ基を有するものとし、Y - 、は対イオン表す。
(3)(E)構造中に水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を含有する上記(1)または(2)に記載のポジ型感光性組成物。
(4)(C)塩基性化合物が、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造及びオニウムカルボキシレート構造、アニリン構造から選ばれる構造を有する化合物を少なくとも1種含有する上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
(5)更に(F)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、分子量3000以下の溶解阻止低分子化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
【0010】
【発明の実施の形態】
≪(A)酸発生剤≫
本発明に用いられる酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物を少なくとも1種及び芳香環を有さないスルホニム塩を少なくとも1種を含有する混合物(以下、(A)成分又は酸発生剤ともいう)である。
【0011】
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物とは、例えば、以下の一般式(III)で表される化合物を挙げることができる。
【0012】
【化1】
Figure 0004117117
【0013】
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、又はビニル基を表す。
1c〜R7c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
-は、スルホン酸、カルボン酸、又はスルホニルイミドのアニオンを表す。
【0014】
1c〜R5cとしてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)、炭素数3〜8の環状アルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
好ましくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖、分岐、環状アルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
【0015】
6c及びR7cとしてアルキル基については、R1c〜R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。アリール基としては、例えば、炭素数6〜14のアリール基(例えば、フェニル基)を挙げることができる。
Rx及びRyとしてのアルキル基は、R1c〜R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。
2−オキソアルキル基は、R1c〜R5cとしてのアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
Rx及びRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
【0016】
式(III)の化合物は、環を形成することにより立体構造が固定され、光分解能が向上する。R1c〜R7c中のいずれか2つが結合して環構造を形成する場合については、R1c〜R5cのいずれか1つとR6c及びR7cのいずれか1つが結合して単結合または連結基となり、環を形成する場合が好ましく、特にR5cとR6c又はR7cが結合して単結合または連結基となり環を形成する場合が好ましい。
連結基としては、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、−O−、−S−、−CO−、−CONR−(Rは水素原子、アルキル基、アシル基である)、及びこれらを2つ以上組み合わせてなる基を挙げることができ、更に、置換基を有していてもよい、アルキレン基、酸素原子を含むアルキレン基、硫黄原子を含むアルキレン基が好ましい。置換基としては、アルキル基(好ましくは炭素数1〜5)、アリール基(好ましくは炭素数6〜10、例えばフェニル基)、アシル基(例えば、炭素数2〜11)などを挙げることができる。
また、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、−CH2−O−、−CH2−S−のように5〜7員環を形成する連結基が好ましく、エチレン基、−CH2−O−、−CH2−S−などのように6員環を形成する連結基が特に好ましい。6員環を形成することによりカルボニル平面とC−S+シグマ結合がより垂直に近くなり、軌道相互作用により光分解能が向上する。
また、R1c〜R7c及びRxとRyのいずれかの位置で、単結合または連結基を介して結合し、式(III)の構造を2つ以上有する化合物であってもよい。
【0017】
-は、好ましくはスルホン酸アニオンであり、より好ましくは1位がフッ素原子によって置換されたアルカンスルホン酸アニオン、又は電子吸引性基で置換されたベンゼンスルホン酸である。アルカンスルホン酸アニオンのアルカン部分は、アルコキシ基(例えば炭素数1〜8)、パーフルオロアルコキシ基(例えば炭素数1〜8)等の置換基で置換されていてもよい。また、電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アシロキシ基、アシル基等を挙げることができる。
-は、さらに好ましくは炭素数1〜8のパーフロロアルカンスルホン酸アニオンであり、特に好ましくはパーフロロオクタンスルホン酸アニオン、最も好ましくはパーフロロブタンスルホン酸アニオン、トリフロロメタンスルホン酸アニオンである。これら用いることにより酸分解性基の分解速度が向上し、感度が優れ、また発生酸の拡散性が制御され解像力が向上する。
以下に、本発明で使用できるフェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0018】
【化2】
Figure 0004117117
【0019】
【化3】
Figure 0004117117
【0020】
【化4】
Figure 0004117117
【0021】
【化5】
Figure 0004117117
【0022】
【化6】
Figure 0004117117
【0023】
【化7】
Figure 0004117117
【0024】
芳香環を有さないスルホニウム塩とは、次式(II)で表されるスルホニウムをカチオンとする塩である。
【0025】
【化8】
Figure 0004117117
【0026】
式中、R1b〜R3bは、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
1b〜R3bとしての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
1b〜R3bは、各々独立に、好ましくはアルキル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、最も好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
1b〜R3bとしてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10の環状アルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基)を挙げることができる。
1b〜R3bとしての2−オキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
1b〜R3bとしてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
1b〜R3bは、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
1b〜R3bのうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R1b〜R3bの内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
光反応性の観点から、R1b〜R3bのうちいずれか1つが炭素−炭素2重結合、あるいは炭素−酸素2重結合を有する基が好ましい。
芳香環を有さないスルホニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオンであり、好ましくは1位がフッ素原子によって置換されたアルカンスルホン酸アニオン、電子吸引性基で置換されたベンゼンスルホン酸であり、さらに好ましくは炭素数1〜8のパーフロロアルカンスルホン酸アニオンであり、最も好ましくはパーフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオンである。これら用いることにより酸分解性基の分解速度が向上し、感度が優れ、また発生酸の拡散性が制御され解像力が向上する。
尚、電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アシロキシ基、アシル基等を挙げることができる。
一般式(II)で表される化合物のR1b〜R3bの少なくともひとつが、一般式(II)で表される他の化合物のR1b〜R3bの少なくともひとつと結合する構造をとってもよい。
以下に、本発明で使用できる芳香環を有さないスルホニウム塩の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0027】
【化9】
Figure 0004117117
【0028】
【化10】
Figure 0004117117
【0029】
本発明の組成物は、上記の芳香環を有さないスルホニウム塩とフェナシルスルホニウム塩を含有するが、以下の条件を満足することが好ましい。
(1)芳香環を有さないスルホニウム塩を組成物中の全固形分に対して2重量%以上、好ましくは2.5〜15重量%、更に好ましくは3〜12重量%含有するか、
(2)フェナシルスルホニウム塩を組成物中の全固形分に対して1重量%以上、好ましくは2〜12重量%、更に好ましくは3〜8重量%含有するか、または、(3)2種の酸発生剤の総添加量が組成物中の全固形分に対して3重量%以上、好ましくは4.5〜20重量%、更に好ましくは6〜15重量%含有する。
(1)から(3)の条件を1つ以上満たしていることが好ましく、更に好ましくは(1)から(3)の条件を2つ以上、最も好ましくは(1)から(3)の条件全て満たしていることが好ましい。これらの条件のいずれも満たしていないと酸発生量が少なくなってしまい感度が低下する傾向にある。
【0030】
(A)成分以外の併用しうる酸発生化合物
本発明においては、混合物としての成分(A)以外に、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を併用してもよい。
本発明の成分(A)と併用しうる光酸発生剤の使用量は、モル比(成分(a)/その他の酸発生剤)で、通常100/0〜20/80、好ましくは100/0〜40/60、更に好ましくは100/0〜50/50である。
そのような併用可能な光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【0031】
たとえば、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができる。
【0032】
また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができる。
【0033】
さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【0034】
上記併用可能な活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられるものについて以下に説明する。
(1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG2)で表されるS−トリアジン誘導体。
【0035】
【化11】
Figure 0004117117
【0036】
式中、R201は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、R202は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3をしめす。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。
具体的には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【0037】
【化12】
Figure 0004117117
【0038】
【化13】
Figure 0004117117
【0039】
(2)下記の一般式(PAG3)で表されるヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表されるスルホニウム塩。
【0040】
【化14】
Figure 0004117117
【0041】
ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカプト基及びハロゲン原子が挙げられる。
【0042】
203、R204、R205は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。
好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
【0043】
-は対アニオンを示し、例えばBF4 -、AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -、CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナフタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【0044】
またR203、R204、R205のうちの2つ及びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して結合してもよい。
【0045】
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0046】
【化15】
Figure 0004117117
【0047】
【化16】
Figure 0004117117
【0048】
【化17】
Figure 0004117117
【0049】
【化18】
Figure 0004117117
【0050】
【化19】
Figure 0004117117
【0051】
【化20】
Figure 0004117117
【0052】
【化21】
Figure 0004117117
【0053】
【化22】
Figure 0004117117
【0054】
【化23】
Figure 0004117117
【0055】
【化24】
Figure 0004117117
【0056】
【化25】
Figure 0004117117
【0057】
一般式(PAG3)、(PAG4)で示される上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第2,807,648 号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の方法により合成することができる。
【0058】
(3)下記一般式(PAG5)で表されるジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイミノスルホネート誘導体。
【0059】
【化26】
Figure 0004117117
【0060】
式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
206は置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0061】
【化27】
Figure 0004117117
【0062】
【化28】
Figure 0004117117
【0063】
【化29】
Figure 0004117117
【0064】
【化30】
Figure 0004117117
【0065】
【化31】
Figure 0004117117
【0066】
(4)下記一般式(PAG7)で表されるジアゾジスルホン誘導体。
【0067】
【化32】
Figure 0004117117
【0068】
ここでRは、直鎖状、分岐状又は環状アルキル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0069】
【化33】
Figure 0004117117
【0070】
本発明における、特に好ましい併用酸発生剤としては、次のものを挙げることができる。
【0071】
【化34】
Figure 0004117117
【0072】
≪(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂(「酸分解性樹脂」ともいう)≫
【0073】
本発明の(B)酸分解性樹脂としては、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂であれば、何れでもよいが、一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び一般式(II-AB)で示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を含有する樹脂であることが好ましい。
【0074】
【化35】
Figure 0004117117
【0075】
(式中、R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
【0076】
【化36】
Figure 0004117117
【0077】
式(II-AB)中:
11',R12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
【0078】
また、上記一般式(II-AB)は、下記一般式(II−A)又は一般式(II−B)であることが更に好ましい。
【0079】
【化37】
Figure 0004117117
【0080】
式(II−A)、(II−B)中:
13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、又は置換基を有していてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。
ここで、R5は、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状炭化水素基又は下記の−Y基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は単結合又は2価の連結基を表す。
また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−NH−R6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を表す。
6は、置換基を有していてもよい、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。−Y基;
【0081】
【化38】
Figure 0004117117
【0082】
(−Y基中、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。a,bは1又は2を表す。)
【0083】
一般式(pI)〜(pVI)において、R12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは非置換のいずれであってもよい、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。
また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
【0084】
11〜R25における脂環式炭化水素基あるいはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基としては、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。
以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部分の構造例を示す。
【0085】
【化39】
Figure 0004117117
【0086】
【化40】
Figure 0004117117
【0087】
【化41】
Figure 0004117117
【0088】
本発明においては、上記脂環式部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基である。
【0089】
これらの脂環式炭化水素基の置換基としては、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
【0090】
上記樹脂における一般式(pI)〜(pVI)で示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。
具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオール基などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スルホン酸基である。
上記樹脂における一般式(pI)〜(pVI)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性基としては、好ましくは下記一般式(pVII)〜(pXI)で表される基が挙げられる。
【0091】
【化42】
Figure 0004117117
【0092】
ここで、R11〜R25ならびにZは、それぞれ前記定義に同じである。
上記樹脂において、一般式(pI)〜(pVI)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(pA)で示される繰り返し単位が好ましい。
【0093】
【化43】
Figure 0004117117
【0094】
ここで、Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。
Aは、単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。
Raは、上記式(pI)〜(pVI)のいずれかの基を表す。
【0095】
以下、一般式(pA)で示される繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を示す。
【0096】
【化44】
Figure 0004117117
【0097】
【化45】
Figure 0004117117
【0098】
【化46】
Figure 0004117117
【0099】
【化47】
Figure 0004117117
【0100】
【化48】
Figure 0004117117
【0101】
【化49】
Figure 0004117117
【0102】
上記一般式(II-AB)において、R11'、R12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
【0103】
上記R11'、R12'におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。
上記R11'、R12'、R21'〜R30'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基である。
【0104】
上記のアルキル基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができ、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げることができる。
【0105】
上記Z'の脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。
形成される脂環式炭化水素の骨格としては、下記構造で示すもの等が挙げられる。
【0106】
【化50】
Figure 0004117117
【0107】
【化51】
Figure 0004117117
【0108】
好ましい有橋式の脂環式炭化水素の骨格としては、上記構造のうち、(5)、(6)、(7)、(9)、(10)、(13)、(14)、(15)、(23)、(28)、(36)、(37)、(42)、(47)が挙げられる。
【0109】
上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、上記一般式(II−A)あるいは(II−B)中のR13'〜R16'を挙げることができる。
上記有橋式の脂環式炭化水素を有する繰り返し単位の中でも、上記一般式(II−A)あるいは(II−B)で表される繰り返し単位が更に好ましい。
【0110】
上記一般式(II−A)あるいは(II−B)において、R13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5 、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、又は置換基を有していてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。
5は、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状炭化水素基又は前記の−Y基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は、単結合または2価の連結基を表す。
また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
17'は、−COOH、−COOR5 、−CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−NH−R6 、−CO−NH−SO2 −R6又は下記の−Y基を表す。
6は、置換基を有していてもよい、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。
前記−Y基において、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、a、bは1又は2を表す。
【0111】
本発明に係わる樹脂において、酸分解性基は、上記−C(=O)−X−A'−R17'に含まれてもよいし、一般式(II-AB)のZ'の置換基として含まれてもよい。
酸分解性基の構造としては、−C(=O)−X1−R0 で表される。
式中、R0 としては、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマンチル基、メバロニックラクトン残基等を挙げることができる。X1は、上記Xと同義である。
【0112】
上記R13'〜R16'におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。
【0113】
上記R5、R6、R13'〜R16'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基である。
【0114】
上記R5、R6、R13'〜R16'における環状炭化水素基としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水素であり、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2−メチル−2−アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることができる。
上記R13'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して形成する環としては、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の炭素数5〜12の環が挙げられる。
【0115】
上記R17'におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
【0116】
上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコキシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基、アルキル基、環状炭化水素基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものが挙げることができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げることができる。
また、アルキル基、環状炭化水素基は、上記で挙げたものが挙げられる。
【0117】
上記A'の2価の連結基としては、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせが挙げられる。
上記A'におけるアルキレン基、置換アルキレン基としては、下記式で表される基を挙げることができる。
−〔C(Ra )(Rb )〕r
式中、Ra 、Rb は、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。rは1〜10の整数を表す。
【0118】
本発明に係る樹脂においては、酸の作用により分解する基は、前記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位に含有することができる。
【0119】
上記一般式(II−A)あるいは一般式(II−B)におけるR13'〜R16'の各種置換基は、上記一般式(II-AB)における脂環式構造を形成するための原子団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換基ともなるものである。
【0120】
上記一般式(II−A)あるいは一般式(II−B)で表される繰り返し単位の具体例として次の[II−1]〜[II−175]が挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【0121】
【化52】
Figure 0004117117
【0122】
【化53】
Figure 0004117117
【0123】
【化54】
Figure 0004117117
【0124】
【化55】
Figure 0004117117
【0125】
【化56】
Figure 0004117117
【0126】
【化57】
Figure 0004117117
【0127】
【化58】
Figure 0004117117
【0128】
【化59】
Figure 0004117117
【0129】
【化60】
Figure 0004117117
【0130】
【化61】
Figure 0004117117
【0131】
【化62】
Figure 0004117117
【0132】
【化63】
Figure 0004117117
【0133】
【化64】
Figure 0004117117
【0134】
【化65】
Figure 0004117117
【0135】
【化66】
Figure 0004117117
【0136】
【化67】
Figure 0004117117
【0137】
【化68】
Figure 0004117117
【0138】
【化69】
Figure 0004117117
【0139】
【化70】
Figure 0004117117
【0140】
本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式(IV)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することができる。
【0141】
【化71】
Figure 0004117117
【0142】
一般式(IV)中、R1aは、水素原子又はメチル基を表す。
1は、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。
Ra1,Rb1,Rc1,Rd1,Re1は各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+nは、2以上6以下である。
【0143】
Ra1〜Re1の炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
【0144】
一般式(IV)において、W1のアルキレン基としては、下記式で表される基を挙げることができる。
−〔C(Rf)(Rg)〕r1
上記式中、Rf、Rgは、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。r1は1〜10の整数である。
【0145】
上記アルキル基における更なる置換基としては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、アルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。
ここでアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を挙げることができる。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。アシルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。
【0146】
以下、一般式(IV)で示される繰り返し構造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【0147】
【化72】
Figure 0004117117
【0148】
【化73】
Figure 0004117117
【0149】
【化74】
Figure 0004117117
【0150】
上記一般式(IV)の具体例において、露光マージンがより良好になるという点から(IV−17)〜(IV−36)が好ましい。
更に一般式(IV)の構造としては、エッジラフネスが良好になるという点からアクリレート構造を有するものが好ましい。
【0151】
また、下記一般式(V−1)〜(V−4)のいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有しても良い。
【0152】
【化75】
Figure 0004117117
【0153】
一般式(V−1)〜(V−4)において、R1b〜R5bは、各々独立に水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形成してもよい。
【0154】
一般式(V−1)〜(V−4)において、R1b〜R5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよい。
直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数1〜12個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基である。
1b〜R5bにおけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数3〜8個のものが好ましい。
1b〜R5bにおけるアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜6個のものが好ましい。
また、R1b〜R5bの内の2つが結合して形成する環としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環等の3〜8員環が挙げられる。
なお、一般式(V−1)〜(V−4)におけるR1b〜R5bは、環状骨格を構成している炭素原子のいずれに連結していてもよい。
【0155】
また、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素数2〜5のアシル基、炭素数2〜5のアシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数2〜5のアルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
【0156】
一般式(V−1)〜(V−4)で表される基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般式(V−1)〜(V−4)で表される基を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(V−1)〜(V−4)で表される基を表す)、又は下記一般式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。
【0157】
【化76】
Figure 0004117117
【0158】
一般式(AI)中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4の置換もしくは非置換のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、前記一般式(V−1)〜(V−4)におけるR1bとしてのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げられる。
b0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は水素原子が好ましい。
A’は、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。
2は、一般式(V−1)〜(V−4)のうちのいずれかで示される基を表す。A’において、該組み合わせた2価の基としては、例えば下記式のものが挙げられる。
【0159】
【化77】
Figure 0004117117
【0160】
上記式において、Rab、Rbbは、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルコキシ基を挙げることができる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。r1は1〜10の整数、好ましくは1〜4の整数を表す。mは1〜3の整数、好ましくは1又は2を表す。
【0161】
以下に、一般式(AI)で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明の内容がこれらに限定されるものではない。
【0162】
【化78】
Figure 0004117117
【0163】
【化79】
Figure 0004117117
【0164】
【化80】
Figure 0004117117
【0165】
【化81】
Figure 0004117117
【0166】
【化82】
Figure 0004117117
【0167】
【化83】
Figure 0004117117
【0168】
【化84】
Figure 0004117117
【0169】
また、本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式(VI)で表される繰り返し単位を含有することができる。
【0170】
【化85】
Figure 0004117117
【0171】
一般式(VI)において、A6は単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。
6aは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。
【0172】
一般式(VI)において、A6のアルキレン基としては、下記式で表される基を挙げることができる。
−〔C(Rnf)(Rng)〕r−
上記式中、Rnf、Rngは、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。rは1〜10の整数である。
一般式(VI)において、A6のシクロアルキレン基としては、炭素数3から10個のものが挙げられ、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【0173】
6を含む有橋式脂環式環は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数1〜5)、アシル基(例えば、ホルミル基、ベンゾイル基)、アシロキシ基(例えば、プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基)、アルキル基(好ましくは炭素数1〜4)、カルボキシル基、水酸基、アルキルスルホニルスルファモイル基(-CONHSO2CH3等)が挙げられる。尚、置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等で置換されていてもよい。
【0174】
一般式(VI)において、A6に結合しているエステル基の酸素原子は、Z6を含む有橋式脂環式環構造を構成する炭素原子のいずれの位置で結合してもよい。
【0175】
以下に、一般式(VI)で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【0176】
【化86】
Figure 0004117117
【0177】
【化87】
Figure 0004117117
【0178】
更に、下記一般式(VII)で表される基を有する繰り返し単位を含有してもよい。
【0179】
【化88】
Figure 0004117117
【0180】
一般式(VII)中、R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは水酸基を表す。
【0181】
一般式(VII)で表される基は、好ましくはジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ましくはジヒドロキシ体である。
【0182】
一般式(VII)で表される基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般式(VII)で表される基を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(V−1)〜(V−4)で表される基を表す)、又は下記一般式(AII)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。
【0183】
【化89】
Figure 0004117117
【0184】
一般式(AII)中、R1cは、水素原子又はメチル基を表す。
2c〜R4cは、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは水酸基を表す。
【0185】
以下に、一般式(AII)で表される構造を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【0186】
【化90】
Figure 0004117117
【0187】
更に、下記一般式(VIII)で表される基を有する繰り返し単位を含有してもよい。
【0188】
【化91】
Figure 0004117117
【0189】
一般式(VIII)中:
2は、−O−又は−N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
【0190】
上記一般式(VIII)に於いて、Z2は、−O−又は−N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
【0191】
上記R41及びR42におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基である。
上記R41及びR42 におけるハロアルキル基としてはトリフルオロメチル基、ナノフルオロブチル基、ペンタデカフルオロオクチル基、トリクロロメチル基等を挙げることができる。上記R42 におけるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。
【0192】
41及びR42としてのアルキル基及びハロアルキル基、R42としてのシクロアルキル基又は樟脳残基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッソ素原子、沃素原子)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、アシル基(好ましくは炭素数2〜5、例えば、ホルミル基、アセチル基等)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜5、例えばアセトキシ基)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14、例えばフェニル基)等を挙げることができる。
【0193】
上記一般式(VIII)で表される繰り返し単位の具体例として次の[I'−1]〜[I'−7]が挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【0194】
【化92】
Figure 0004117117
【0195】
【化93】
Figure 0004117117
【0196】
(B)成分である酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる。
【0197】
このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
これにより、酸分解性樹脂に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。
【0198】
具体的には、以下の単量体を挙げることができる。
アクリル酸エステル類(好ましくはアルキル基の炭素数が1〜10のアルキルアクリレート):
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート2,2−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等。
【0199】
メタクリル酸エステル類(好ましくはアルキル基の炭素数が1〜10のアルキルメタアクリレート):
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート等。
【0200】
アクリルアミド類:
アクリルアミド、N−アルキルアクリルアミド(アルキル基としては炭素数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等がある。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキル基としては炭素数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミドエチル−N−アセチルアクリルアミド等。
【0201】
メタクリルアミド類:
メタクリルアミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基としては炭素数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基等がある)、N,N−ジアルキルメタクリルアミド(アルキル基としてはエチル基、プロピル基、ブチル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメタクリルアミド等。
【0202】
アリル化合物:
アリルエステル類(例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル等)、アリルオキシエタノール等。
【0203】
ビニルエーテル類:
アルキルビニルエーテル(例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル等。
【0204】
ビニルエステル類:
ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレート等。
【0205】
イタコン酸ジアルキル類:
イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等。
フマール酸のジアルキルエステル類又はモノアルキルエステル類;ジブチルフマレート等。
【0206】
その他クロトン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル等。
【0207】
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
【0208】
酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。
【0209】
本発明の酸分解性樹脂の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。
(1) 上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有するもの(側鎖型)
(2) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位を含有するもの(主鎖型)
但し、(2)においては例えば、更に以下のものが挙げられる。
(3) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体及び(メタ)アクリレート構造を有するもの(ハイブリッド型)
【0210】
酸分解性樹脂中、一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中30〜70モル%が好ましく、より好ましくは35〜65モル%、更に好ましくは40〜60モル%である。
酸分解性樹脂中、一般式(II-AB)で表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは15〜55モル%、更に好ましくは20〜50モル%である。
【0211】
また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般的に、上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上記一般式(II-AB)で表される繰り返し単位の合計した総モル数に対して99モル%以下が好ましく、より好ましくは90モル%以下、さらに好ましくは80モル%以下である。
本発明の組成物がArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。
【0212】
本発明に用いる酸分解性樹脂は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括であるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのような本発明の組成物を溶解する溶媒に溶解させ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は20重量%以上であり、好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは40重量%以上である。反応温度は10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは50〜100℃である。
【0213】
本発明に係る樹脂の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000〜200,000である。重量平均分子量が1,000未満では耐熱性やドライエッチング耐性の劣化が見られるため余り好ましくなく、200,000を越えると現像性が劣化したり、粘度が極めて高くなるため製膜性が劣化するなど余り好ましくない結果を生じる。
【0214】
本発明の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物において、本発明に係わる全ての樹脂の組成物全体中の配合量は、全レジスト固形分中40〜99.99重量%が好ましく、より好ましくは50〜99.97重量%である。
【0215】
≪(C)塩基性化合物≫
本発明のポジ型感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、(C)塩基性化合物を含有することが好ましい。
好ましい構造として、下記式(A)〜(E)で示される構造を挙げることができる。
【0216】
【化94】
Figure 0004117117
【0217】
ここでR250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6アミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。
【0218】
【化95】
Figure 0004117117
【0219】
(式中、R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基を示す)。
好ましい具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げられ、モノ、ジ、トリアルキルアミン、置換もしくは未置換のアニリン、置換もしくは未置換のピペリジン、モノあるいはジエタノールアミン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【0220】
好ましい化合物としては、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モルフォリン、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、トリ(n−ブチル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン、N−フェニルジエタノールアミン、N−ヒドロキシエチルピペリジン、2,6−ジイソプロピルアニリン、N−シクロヘキシル−N’−モルホリノエチルチオ尿素等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【0221】
更に好ましい化合物として、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルホリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン、置換もしくは未置換のピペリジンを挙げることができる。更に、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造を有する化合物、アニリン化合物を挙げることができる。
【0222】
イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等があげられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナー5−エン、1、8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7−エンなどがあげられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはトリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としてはトリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミンなどの無置換アルキルアミン、トリエタノールアミン、N−ヒドロキシエチルピペリジンなど水酸基の置換したアルキルアミンを挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン等を挙げることができる。いずれも例示の具体例に限定されるものではない。
【0223】
これらの(C)塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。(C)塩基性化合物の使用量は、感光性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10重量%、好ましくは0.01〜5重量%である。0.001重量%未満では上記塩基性化合物の添加の効果が得られない。一方、10重量%を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向がある。
【0224】
≪(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤≫
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッソ原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
本発明のポジ型感光性組成物が上記(D)界面活性剤とを含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。
これらの(D)界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号、特開昭61- 226746号、特開昭61-226745号、特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-230165号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-5988号、米国特許5405720号、同5360692号、同5529881号、同5296330号、同5436098号、同5576143号、同 5294511号、同5824451号記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
【0225】
界面活性剤の使用量は、ポジ型感光性組成物全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.0001〜2重量%、より好ましくは0.001〜1重量%である。
【0226】
≪(E)有機溶剤≫
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
使用し得る有機溶剤としては、例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。
【0227】
本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用することが好ましい。これによりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減することができる。
水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。
水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノンが最も好ましい。
水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比(重量)は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50重量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
【0228】
≪(F)酸分解性溶解阻止化合物≫
本発明のポジ型感光性組成物は、(F)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、分子量3000以下の溶解阻止低分子化合物(以下、「(F)酸分解性溶解阻止化合物」ともいう)を含有することが好ましい。
特に220nm以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が(F)酸分解性溶解阻止化合物として好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、上記酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
(F)酸分解性溶解阻止化合物の添加量は、ポジ型感光性組成物の全組成物の固形分に対し、好ましくは3〜50重量%であり、より好ましくは5〜40重量%である。
以下に(F)酸分解性溶解阻止化合物の具体例を示すが、これらに限定されない。
【0229】
【化96】
Figure 0004117117
【0230】
≪(G)アルカリ可溶性樹脂≫
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、酸分解性基を含有していない、(D)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有することができ、これにより感度が向上する。
本発明においては、分子量1000〜20000程度のノボラック樹脂類、分子量3000〜50000程度のポリヒドロキシスチレン誘導体をこのような樹脂として用いることができるが、これらは250nm以下の光に対して吸収が大きいため、一部水素添加して用いるか、又は全樹脂量の30重量%以下の量で使用するのが好ましい。
また、カルボキシル基をアルカリ可溶性基として含有する樹脂も用いることができる。カルボキシル基を含有する樹脂中にはドライエッチング耐性向上のために単環、又は多環の脂環炭化水素基を有していることが好ましい。具体的には酸分解性を示さない脂環式炭化水素構造を有するメタクリル酸エステルと(メタ)アクリル酸の共重合体あるいは末端にカルボキシル基を有する脂環炭化水素基の(メタ)アクリル酸エステルの樹脂などを挙げることができる。
【0231】
≪その他の添加剤≫
本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記(D)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカルボキシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は上記と同じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂に対して2〜50重量%であり、さらに好ましくは5〜30重量%である。50重量%を越えた添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形するという新たな欠点が発生して好ましくない。
【0232】
このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平2−28531、米国特許第4916210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。
カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【0233】
本発明においては、上記(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
【0234】
≪使用方法≫
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
すなわち、上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布する。
塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現像する。このようにすると、良好なレジストパターンを得ることができる。ここで露光光としては、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外線である。具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、電子ビーム等が挙げられる。
【0235】
現像工程では、現像液を次のように用いる。感光性組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
【0236】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲は実施例によっていささかも制限されない。
【0237】
<酸発生剤の合成例>
合成例(1):フェナシルテトラヒドロチオフェニウムパーフロロブタンスルホネート(III−1)の合成
テトラヒドロチオフェン53.2gをアセトニトリル400mlに溶解させ、この溶液にフェナシルブロミド100gをアセトニトリル300mlに溶解させたものをゆっくり加えた。室温で3時間撹拌すると粉体が析出した。反応液を酢酸エチル1500mlに注ぎ、粉体をろ取乾燥するとフェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミド137gが得られた。
パーフロロブタンスルホン酸カリウム60gを水200ml、メタノール200mlの混合溶剤に溶解させ、これにフェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミド49.5gを水300mlに溶解させたものを加えた。この水溶液をクロロホルム200mlで2回抽出し、有機相を水洗、濃縮すると粗生成物が得られた。これに蒸留水300mlを加え、100℃で30分加熱した後冷却すると固体が析出した。固体をろ取、ジイソプロピルエーテルでリスラリーするとフェナシルテトラヒドロチオフェニウムパーフロロブタンスルホネート77gが得られた。
【0238】
合成例(2):フェナシルテトラヒドロチオフェニウムパーフロロオクタンスルホネート(III−3)の合成
フェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミドを上記と同様の操作を行ってパーフロロオクタンスルホン酸と塩交換することによって合成した。
合成例(3):フェナシルテトラヒドロチオフェニウムトリフロロメタンスルホネート(III−2)の合成
フェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミドを上記と同様の操作を行ってトリフロロメタンスルホン酸と塩交換することによって合成した。
他の化合物についても対応するフェナシルハロゲニドとスルフィド化合物を反応させてフェナシルスルホニウムハロゲニドを合成した後、スルホン酸(塩)と塩交換することによって合成した。
【0239】
合成例(4):酸発生剤(II−11)の合成
テトラヒドロチオフェン11.8gをアセトニトリル100mlに溶解させ、この溶液に1−ブロモ−3,3−ジメチル−2−ブタノン20gをゆっくり加えた。室温で2日間撹拌すると粉体が析出した。反応液に酢酸エチル100mlを加えた後、粉体をろ取し、酢酸エチルで洗浄、乾燥すると2−オキソ−3,3−ジメチルブチルテトラヒドロチオフェニウムブロミド24gが得られた。
パーフロロブタンスルホン酸カリウム10gを水500ml、メタノール100mlの混合溶剤に溶解させ、これに2−オキソ−3,3−ジメチルブチルテトラヒドロチオフェニウムブロミド7.75gをメタノール50mlに溶解させたものを加えた。この水溶液をクロロホルム100mlで2回抽出し、有機相を水洗、濃縮すると油状物が得られた。これに酢酸エチルを加えて再濃縮すると固体状物が得られ、これををろ取、ジイソプロピルエーテルでリスラリーすると2−オキソ−3,3−ジメチルブチルテトラヒドロチオフェニウムパーフロロブタンスルホネート9gが得られた。
【0240】
2−オキソシクロヘキシルメチル(2−ノルボルニル)スルホニウムトリフロロメタンスルホネート(II−4)は、特開平8−27102号公報、合成例1の方法を用いて合成した。
他の芳香環を有さないスルホニウム塩系酸発生剤は、対応するスルフィド化合物とハロゲン化アルキルを反応させてスルホニウムハロゲニドを合成した後、スルホン酸(塩)と塩交換することによって合成した。
【0241】
<樹脂の合成例>
合成例(1) 樹脂(1)の合成(側鎖型)
2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート、ブチロラクトンメタクリレートを55/45の割合で仕込みメチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=5/5に溶解し、固形分濃度20%の溶液100mLを調製した。この溶液に和光純薬製V−65を2mol%加え、これを窒素雰囲気下、4時間かけて60℃に加熱したメチルエチルケトン10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を4時間加熱、再度V−65を1mol%添加し、4時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、蒸留水/ISOプロピルアルコール=1/1の混合溶媒3Lに晶析、析出した白色粉体である樹脂(1)を回収した。
13NMRから求めたポリマー組成比は46/54であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は10700であった。
【0242】
上記合成例(1)と同様の操作で樹脂(2)〜(15)を合成した。
以下に上記樹脂(2)〜(15)の組成比、分子量を示す。(繰り返し単位1、2、3、4は構造式の左からの順番である。)
【0243】
【表1】
Figure 0004117117
【0244】
また、以下に上記樹脂(1)〜(15)の構造を示す。
【0245】
【化97】
Figure 0004117117
【0246】
【化98】
Figure 0004117117
【0247】
【化99】
Figure 0004117117
【0248】
【化100】
Figure 0004117117
【0249】
合成例(2) 樹脂(16)の合成(主鎖型)
ノルボルネンカルボン酸tブチルエステル、ノルボルネンカルボン酸ブチロラクトンエステルと無水マレイン酸(モル比40/10/50)およびTHF(反応温度60重量%)をセパラブルフラスコに仕込み、窒素気流下60℃で加熱した。反応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤V−601を2mol%加え反応を開始させた。12時間加熱した。得られた反応混合物をテトラヒドロフランで2倍に稀釈した後、ヘキサン/イソプロピルアルコール=1/1の混合溶液に投入し白色粉体を析出させた。析出した粉体を濾過取り出しし、乾燥、目的物である樹脂(16)を得た。
得られた樹脂(16)のGPCによる分子量分析を試みたところ、ポリスチレン換算で8300(重量平均)であった。また、NMRスペクトルより樹脂(1)のノルボルネンカルボン酸tブチルエステル/ノルボルネンカルボン酸ブチロラクトンエステル/無水マレイン酸繰り返し単位のモル比は42/8/50であることを確認した。
【0250】
合成例(2)と同様の方法で以下、樹脂(17)〜(27)を合成した。
以下に上記樹脂(17)〜(27)の組成比、分子量を示す。(脂環オレフィン単位1、2、3は構造式の左からの順番である。)
【0251】
【表2】
Figure 0004117117
【0252】
また、以下に上記樹脂(16)〜(27)の構造を示す。
【0253】
【化101】
Figure 0004117117
【0254】
【化102】
Figure 0004117117
【0255】
合成例(3) 樹脂(28)の合成(ハイブリッド型)
ノルボルネン、無水マレイン酸、tブチルアクリレート、2−メチルシクロヘキシル−2−プロピルアクリレートをモル比で35/35/20/10で反応容器に仕込み、テトラヒドロフランに溶解し、固形分60%の溶液を調製した。これを窒素気流下65℃で加熱した。反応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤V−601を1mol%加え反応を開始させた。8時間加熱した後、反応混合物をテトラヒドロフランで2倍に稀釈した後、反応混合液の5倍容量のヘキサンに投入し白色粉体を析出させた。析出した粉体を濾過取り出しし、これをメチルエチルケトンに溶解し、5倍容量のヘキサン/t−ブチルメチルエーテル=1/1混合溶媒に再沈し、析出した白色粉体を濾取、乾燥、目的物である樹脂(28)を得た。
得られた樹脂(28)のGPCによる分子量分析を試みたところ、ポリスチレン換算で12100(重量平均)であった。また、NMRスペクトルより樹脂(1)の組成は本発明のノルボルネン/無水マレイン酸/tブチルアクリレート/2−メチルシクロヘキシル−2−プロピルアクリレートをモル比で32/39/19/10であった。
【0256】
合成例(3)と同様の方法で以下、樹脂(29)〜(41)を合成した。
以下に上記樹脂(29)〜(41)の組成比、分子量を示す。
【0257】
【表3】
Figure 0004117117
【0258】
また、以下に上記樹脂(28)〜(41)の構造を示す。
【0259】
【化103】
Figure 0004117117
【0260】
【化104】
Figure 0004117117
【0261】
【化105】
Figure 0004117117
【0262】
【化106】
Figure 0004117117
【0263】
合成例(4) 樹脂(42)の合成(ハイブリッド型)
ノルボルネンカルボン酸tブチルエステル、無水マレイン酸、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、ノルボルネンラクトンアクリレートをモル比で20/20/35/25で反応容器に仕込み、メチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=1/1溶媒に溶解し、固形分60%の溶液を調製した。これを窒素気流下65℃で加熱した。反応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤V−601を3mol%加え反応を開始させた。12時間加熱した後、反応混合物を5倍量のヘキサンに投入し白色粉体を析出させた。析出した粉体を再度メチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=1/1溶媒に溶解させ5倍量のヘキサン/メチルtBuエ−テルに投入し白色粉体を析出させ、濾過取り出した。この作業を再度繰り返し、乾燥、目的物である樹脂(42)を得た。
得られた樹脂(42)のGPCによる分子量分析(RI分析)を試みたところ、ポリスチレン換算で11600(重量平均)、残留モノマーの量は0.4%であった。また、NMRスペクトルより樹脂(1)の組成は本発明のノルボルネン/無水マレイン酸/2−メチル−2−アダマンチルアクリレート/ノルボルネンラクトンアクリレートをモル比で18/23/34/25であった。
【0264】
合成例(4)と同様の方法で以下、樹脂(43)〜(66)を合成した。
以下に上記樹脂(43)〜(66)の組成比、分子量を示す。
【0265】
【表4】
Figure 0004117117
【0266】
また、以下に上記樹脂(42)〜(66)の構造を示す。
【0267】
【化107】
Figure 0004117117
【0268】
【化108】
Figure 0004117117
【0269】
【化109】
Figure 0004117117
【0270】
【化110】
Figure 0004117117
【0271】
【化111】
Figure 0004117117
【0272】
<レジスト調整>
〔実施例1〜66及び比較例1〜4〕
表5〜8に示す素材を溶解させ固形分濃度12重量%の溶液を調整し、これを0.1μmのテフロンフィルターでろ過して感光性組成物を調製した。調製した組成物を下記方法で評価を行い、結果を表9〜12に示した。
【0273】
【表5】
Figure 0004117117
【0274】
【表6】
Figure 0004117117
【0275】
【表7】
Figure 0004117117
【0276】
【表8】
Figure 0004117117
【0277】
表5〜8における略号は以下のとおりである。
LCB;リトコール酸t−ブチル
TPST;トリフェニルスルフォニウムパーフロロブタンスルホネート
DBN;1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン
TPI;2,4,5−トリフェニルイミダゾール
TPSA;トリフェニルスルホニウムアセテート
HEP;N−ヒドロキシエチルピペリジン
DIA;2,6−ジイソプロピルアニリン
DCMA;ジシクロヘキシルメチルアミン
【0278】
界面活性剤についての略号は以下のとおりである。
W−1;メガファックF176(大日本インキ(株)製)(フッ素系)
W−2;メガファックR08(大日本インキ(株)製)
(フッ素及びシリコン系)
W−3;ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)
(シリコン系)
W‐4;トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
【0279】
溶剤についての略号は以下のとおりである。また、表5〜7における溶剤複数使用時の比は重量比である。
A1;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
A2;2−ヘプタノン
A3;エチルエトキシプロピオネート
A4;γ−ブチロラクトン
A5;シクロヘキサノン
A6;酢酸ブチル
B1;プロピレングリコールメチルエーテル
B2;乳酸エチル
【0280】
<画像評価法>
(1)DOF(デフォーカスラチチュード)評価
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜ARC25を600オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、各感光性組成物をスピンコーターで塗布し130℃で90秒乾燥を行い0.40μmのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(ISI社製NA=0.6(σ=0.75、2/3輪帯照明))で露光し、露光後直ぐに130℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、レジストラインパターンを得た。0.13μmのラインアンドスペース(1/1)を再現する露光量における0.13μmのデフォーカスラチチュードを観察した。
【0281】
(2)サイドローブマージン評価
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜ARC25を600オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、各感光性組成物をスピンコーターで塗布し130℃で90秒乾燥を行い0.40μmのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、透過率6%のハーフトーン位相シフトマスクを用いてArFエキシマレーザーステッパー(ISI社製 NA=0.6)で露光し、露光後直ぐに130℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、コンタクトホールパターンを得た。
Duty比1:2のマスクサイズ0.20μmの寸法が0.18μmのコンタクトホールを開口する露光量を最適露光量Eopとし、最適露光量よりオーバー露光した際にサイドローブが発生する露光量Esとの関係を以下の式で算出し、サイソローブマージンとした。値が大きいほどサイドローブ耐性が高いことを示す。
サイドローブマージン(%)=[(Es−Eop)/Eop]×100
【0282】
(3)パーティクル評価
調製した感光性組成物を4℃で1週間放置した後、リオン社製パーティクルカウンターにてその溶液中に存在する粒経0.2μm以上のパーティクル数をカウントした。
【0283】
【表9】
Figure 0004117117
【0284】
【表10】
Figure 0004117117
【0285】
【表11】
Figure 0004117117
【0286】
【表12】
Figure 0004117117
【0287】
表9〜12に示される結果より以下のことが明らかである。
実施例1〜80の組成物は、デフォーカスラチチュードが広く、サイドローブ耐性に優れ、パーティクルも発生し難い。
一方、比較例1〜4の組成物の場合は、デフォーカスラチチュード、サイドローブ耐性、パーティクルの発生において、実施例の組成物と比較して劣る。
【0288】
【発明の効果】
本発明に係わるポジ型感光性組成物は、輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難く、且つ経時保存時にパーティクルが発生し難い。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a positive photosensitive composition suitable for using far ultraviolet rays of 250 nm or less as an exposure light source.
[0002]
[Prior art]
The chemically amplified positive resist composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and dissolves in the developing solution of the active radiation irradiated area and the non-irradiated area by a reaction using this acid as a catalyst. It is a pattern forming material that changes the properties and forms the pattern on the substrate.
[0003]
When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption mainly in the 248 nm region is used as a main component. A pattern is formed, which is a better system than the conventional naphthoquinone diazide / novolak resin system.
[0004]
However, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the compound having an aromatic group exhibits a large absorption in the 193 nm region. It wasn't. In addition, the use of poly (meth) acrylate as a polymer having low absorption in the 193 nm wavelength region is described in J. Org. Vac. Sci. Technol. B9, 3357 (1991). However, this polymer has a problem that its resistance to dry etching generally performed in a semiconductor manufacturing process is lower than that of a conventional phenol resin having an aromatic group.
[0005]
JP 2000-292917 discloses a mixed acid generator of a specific sulfonium salt (an anion having 1 to 15 carbon atoms) and a triarylsulfonium salt, and JP 2000-275845 discloses a par 4 having 4 to 8 carbon atoms. A combination of a triphenylsulfonium salt of fluoroalkanesulfonic acid and 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate, EP 1041442A discloses a specific sulfonium salt (an anion having 1 to 8 carbon atoms) and a carbon atom having 4 to 8 carbon atoms. A mixed acid generator with a triphenylsulfonium salt or an iodonium salt of fluoroalkanesulfonic acid is described.
[0006]
Moreover, in order to cope with further pattern miniaturization, it is common to use a modified illumination method or a phase shift mask. An annular illumination is used for the line and space pattern, and a halftone phase shift mask is used for the contact hole. Many are used.
A high resolving power when using annular illumination and a wide defocus latitude have been desired. A wide defocus latitude means that the fluctuation of the line width due to the defocus is small.
When a halftone phase shift mask is used, there is a problem of side lobe in which the pattern portion is dissolved by a small amount of transmitted light, and this solution has been desired.
P-hydroxystyrene resins used in KrF excimer laser resists interact with acid generators, particularly ionic compounds such as onium salts, to improve the solubility of acid generators. Since the resin having a structure is very hydrophobic, it is difficult to interact with an ionic compound such as an onium salt, so the solubility of the acid generator is low. There was a problem that it was likely to occur.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition that has a wide defocus latitude when using annular illumination, and is less likely to generate side lobes when patterned using a halftone phase shift mask. In addition, it is an object of the present invention to provide a positive photosensitive composition that is less likely to generate particles during storage over time.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is a positive photosensitive composition having the following constitution, whereby the above-mentioned object of the present invention is achieved.
[0009]
(1) (A) an acid generator that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation,
(B) a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkali developer,
(C) a basic compound, and
(D) Fluorine and / or silicon surfactant
And (A) the acid generator is a mixture containing at least one compound having a phenacylsulfonium salt structure and at least one sulfonium salt having no aromatic ring. Type photosensitive composition.
(2) (A) an acid generator that generates acid upon irradiation with actinic rays or radiation;
(B) a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkali developer,
(C) a basic compound, and
(D) Fluorine and / or silicon surfactant
And (A) the acid generator contains a small amount of a compound having a phenacylsulfonium salt structure. A mixture containing at least one kind and a sulfonium salt having no aromatic ring (however, a sulfonium salt compound represented by the following general formula (I) and a sulfonium salt compound represented by the following general formula (II) And a positive photosensitive composition characterized by the above-mentioned.
[Chemical Formula 3]
Figure 0004117117
  In formula (I), R 1 , R 2 Are each independently a linear, branched, monocyclic, or bridged cyclic alkyl group, a group having a saturated carbon skeleton and linked to each other, or linked to each other to form a ring. Represents an oxoalkylene group, R Three , R Four , R Five And R 6 Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alkoxy group, and X represents —CH 2 -, -C 2 H Four -, Or -OCH 2 -Represents Y - Represents a counter ion.
[Formula 4]
Figure 0004117117
In formula (II), R 7 Represents an alkylene group or a 2-oxoalkylene group, R 8 Is a linear, branched, monocyclic, polycyclic or bridged cyclic alkyl group having an oxo group, or a linear, branched, monocyclic, polycyclic or bridged cyclic group Represents an alkyl group of R 7 , R 8 At least one of them has an oxo group, and Y - , Represents a counter ion.
(3)(E) The above (1) containing a mixed solvent in which a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group are mixed in the structureOr (2)The positive photosensitive composition described in 1.
(4)(C) The above (1), wherein the basic compound contains at least one compound having a structure selected from an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, and an aniline structure.~ (3)The positive photosensitive composition according to any one of the above.
(5)(F) further comprising a dissolution inhibiting low molecular weight compound having a group that decomposes by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer and has a molecular weight of 3000 or less.~ (4)The positive photosensitive composition according to any one of the above.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
≪ (A) Acid generator≫
The acid generator used in the present invention contains at least one compound having a phenacylsulfonium salt structure and at least one sulfonium salt having no aromatic ring, which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation. (Hereinafter also referred to as component (A) or acid generator).
[0011]
Examples of the compound having a phenacylsulfonium salt structure that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation include compounds represented by the following general formula (III).
[0012]
[Chemical 1]
Figure 0004117117
[0013]
R1c~ R5cEach independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
R6cAnd R7cEach independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
Rx and Ry each independently represents an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group.
R1c~ R7cAny two or more of them and Rx and Ry may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond or an amide bond.
X-Represents an anion of sulfonic acid, carboxylic acid or sulfonylimide.
[0014]
R1c~ R5cThe alkyl group may be linear, branched or cyclic, for example, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (for example, a methyl group). , An ethyl group, a linear or branched propyl group, a linear or branched butyl group, a linear or branched pentyl group) and a cyclic alkyl group having 3 to 8 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group).
R1c~ R5cThe alkoxy group may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (for example, a methoxy group). Ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), cyclic alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group). it can.
Preferably R1c~ R5cIs a linear, branched, or cyclic alkyl group, or a linear, branched, or cyclic alkoxy group, and more preferably R1cTo R5cThe sum of the number of carbon atoms is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.
[0015]
R6cAnd R7cAs for the alkyl group, R1c~ R5cThe same alkyl group as can be mentioned. As an aryl group, a C6-C14 aryl group (for example, phenyl group) can be mentioned, for example.
The alkyl group as Rx and Ry is R1c~ R5cThe same alkyl group as can be mentioned.
2-oxoalkyl group is R1c~ R5cAnd a group having> C = O at the 2-position of the alkyl group.
For the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group, R1c~ R5cThe same thing as the alkoxy group as can be mentioned.
Examples of the group formed by combining Rx and Ry include a butylene group and a pentylene group.
[0016]
In the compound of formula (III), the three-dimensional structure is fixed by forming a ring, and the optical resolution is improved. R1c~ R7cIn the case where any two of them combine to form a ring structure, R1c~ R5cAny one and R6cAnd R7cAre preferably bonded to form a single bond or a linking group to form a ring, particularly R5cAnd R6cOr R7cAre preferably a single bond or a linking group to form a ring.
As the linking group, an alkylene group which may have a substituent, an alkenylene group which may have a substituent, -O-, -S-, -CO-, -CONR- (R is a hydrogen atom, An alkyl group, an acyl group), and a group formed by combining two or more of these, and further, an alkylene group, an alkylene group containing an oxygen atom, or a sulfur atom which may have a substituent. Preferred is an alkylene group. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an aryl group (preferably having 6 to 10 carbon atoms, for example, a phenyl group), an acyl group (for example, having 2 to 11 carbon atoms), and the like. .
In addition, methylene group, ethylene group, propylene group, -CH2-O-, -CH2A linking group that forms a 5- to 7-membered ring like -S- is preferable, an ethylene group, -CH2-O-, -CH2A linking group forming a 6-membered ring such as -S- is particularly preferable. By forming a 6-membered ring, the carbonyl plane and the C—S + sigma bond become closer to perpendicular, and the optical resolution is improved by orbital interaction.
R1c~ R7cAnd a compound having two or more structures of the formula (III) bonded through a single bond or a linking group at any position of Rx and Ry.
[0017]
X-Is preferably a sulfonate anion, more preferably an alkanesulfonate anion substituted at the 1-position with a fluorine atom, or a benzenesulfonic acid substituted with an electron-withdrawing group. The alkane portion of the alkanesulfonate anion may be substituted with a substituent such as an alkoxy group (for example, having 1 to 8 carbon atoms) or a perfluoroalkoxy group (for example, having 1 to 8 carbon atoms). Examples of the electron withdrawing group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a nitro group, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an acyloxy group, and an acyl group.
X-Is more preferably a C1-C8 perfluoroalkanesulfonic acid anion, particularly preferably a perfluorooctanesulfonic acid anion, most preferably a perfluorobutanesulfonic acid anion or a trifluoromethanesulfonic acid anion. By using these, the decomposition rate of the acid-decomposable group is improved, the sensitivity is excellent, the diffusibility of the generated acid is controlled, and the resolution is improved.
Specific examples of the compound having a phenacylsulfonium salt structure that can be used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0018]
[Chemical 2]
Figure 0004117117
[0019]
[Chemical Formula 3]
Figure 0004117117
[0020]
[Formula 4]
Figure 0004117117
[0021]
[Chemical formula 5]
Figure 0004117117
[0022]
[Chemical 6]
Figure 0004117117
[0023]
[Chemical 7]
Figure 0004117117
[0024]
The sulfonium salt having no aromatic ring is a salt having a sulfonium represented by the following formula (II) as a cation.
[0025]
[Chemical 8]
Figure 0004117117
[0026]
Where R1b~ R3bEach independently represents an organic group containing no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.
R1b~ R3bThe organic group that does not contain an aromatic ring generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
R1b~ R3bAre each independently preferably an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear, branched, cyclic 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, Most preferred is a linear or branched 2-oxoalkyl group.
R1b~ R3bThe alkyl group as may be linear, branched or cyclic, and is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, Pentyl group) and cyclic alkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).
R1b~ R3bThe 2-oxoalkyl group may be linear, branched or cyclic, and preferably includes a group having> C = O at the 2-position of the alkyl group.
R1b~ R3bPreferred examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group).
R1b~ R3bMay be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, or a nitro group.
R1b~ R3bTwo of them may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. R1b~ R3bExamples of the group formed by combining two of these include an alkylene group (for example, a butylene group and a pentylene group).
From the viewpoint of photoreactivity, R1b~ R3bA group in which any one of them has a carbon-carbon double bond or a carbon-oxygen double bond is preferable.
The anion of the sulfonium salt having no aromatic ring is a sulfonate anion, preferably an alkanesulfonate anion substituted at the 1-position by a fluorine atom, a benzenesulfonic acid substituted with an electron-withdrawing group, Preferred are perfluoroalkanesulfonic acid anions having 1 to 8 carbon atoms, and most preferred are perfluorobutanesulfonic acid anions and perfluorooctanesulfonic acid anions. By using these, the decomposition rate of the acid-decomposable group is improved, the sensitivity is excellent, the diffusibility of the generated acid is controlled, and the resolution is improved.
Examples of the electron withdrawing group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a nitro group, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an acyloxy group, and an acyl group.
R of the compound represented by the general formula (II)1b~ R3bAt least one of R of other compounds represented by the general formula (II)1b~ R3bA structure that couples with at least one of the above may be adopted.
Although the specific example of the sulfonium salt which does not have an aromatic ring which can be used by this invention is shown below, this invention is not limited to these.
[0027]
[Chemical 9]
Figure 0004117117
[0028]
Embedded image
Figure 0004117117
[0029]
The composition of the present invention contains a sulfonium salt having no aromatic ring and a phenacylsulfonium salt, but preferably satisfies the following conditions.
(1) 2% by weight or more, preferably 2.5 to 15% by weight, more preferably 3 to 12% by weight, based on the total solid content in the composition, of a sulfonium salt having no aromatic ring,
(2) The phenacylsulfonium salt is contained in an amount of 1% by weight or more, preferably 2 to 12% by weight, more preferably 3 to 8% by weight based on the total solid content in the composition, or (3) The total amount of the acid generator is 3% by weight or more, preferably 4.5 to 20% by weight, more preferably 6 to 15% by weight based on the total solid content in the composition.
It is preferable that at least one of the conditions (1) to (3) is satisfied, more preferably two or more conditions (1) to (3), and most preferably all the conditions (1) to (3) It is preferable to satisfy. If none of these conditions is satisfied, the amount of acid generated tends to decrease and the sensitivity tends to decrease.
[0030]
(A) Acid generating compound that can be used in combination other than component
In the present invention, in addition to the component (A) as a mixture, a compound that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid may be used in combination.
The amount of the photoacid generator that can be used in combination with the component (A) of the present invention is usually 100/0 to 20/80, preferably 100/0, in molar ratio (component (a) / other acid generator). -40/60, more preferably 100 / 0-50 / 50.
As such a photoacid generator that can be used in combination, it is used for photoinitiators of photocationic polymerization, photoinitiators of radical photopolymerization, photodecolorants of dyes, photochromic agents, or microresists. Known compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and mixtures thereof can be appropriately selected and used.
[0031]
For example, diazonium salts, ammonium salts, phosphonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, selenonium salts, onium salts such as arsonium salts, organic halogen compounds, organic metal / organic halides, photoacid generators having o-nitrobenzyl type protecting groups Examples thereof include disulfone compounds and compounds that generate photosulfonic acid by photolysis, such as agents and iminosulfonates.
[0032]
Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407, JP 63-26653, JP 55-164824, JP 62-69263, JP 63-146038, JP 63-163452, JP 62-153853, JP 63- The compounds described in No. 146029 and the like can be used.
[0033]
Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like can also be used.
[0034]
Of the compounds that can be decomposed by irradiation with actinic rays or radiation that can be used in combination, those compounds that are particularly effective are described below.
(1) An oxazole derivative represented by the following general formula (PAG1) substituted with a trihalomethyl group or an S-triazine derivative represented by the general formula (PAG2).
[0035]
Embedded image
Figure 0004117117
[0036]
Where R201Is a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, R202Is a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, alkyl group, -C (Y)ThreeShow. Y represents a chlorine atom or a bromine atom.
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.
[0037]
Embedded image
Figure 0004117117
[0038]
Embedded image
Figure 0004117117
[0039]
(2) An iodonium salt represented by the following general formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the general formula (PAG4).
[0040]
Embedded image
Figure 0004117117
[0041]
Where the formula Ar1, Ar2Each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group. Preferable substituents include an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxy group, a mercapto group, and a halogen atom.
[0042]
R203, R204, R205Each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Preferred are aryl groups having 6 to 14 carbon atoms, alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, and substituted derivatives thereof.
Preferred substituents are an aryl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group, a carboxyl group, a hydroxy group, and a halogen atom. An alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group;
[0043]
Z-Represents a counter anion, for example BFFour -, AsF6 -, PF6 -, SbF6 -, SiF6 2-, ClOFour -, CFThreeSOThree -Examples thereof include perfluoroalkanesulfonate anions such as pentafluorobenzenesulfonate anion, condensed polynuclear aromatic sulfonate anions such as naphthalene-1-sulfonate anion, anthraquinonesulfonate anion, and sulfonate group-containing dyes. It is not limited to these.
[0044]
Also R203, R204, R205Two of them and Ar1, Ar2May be bonded via a single bond or a substituent.
[0045]
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.
[0046]
Embedded image
Figure 0004117117
[0047]
Embedded image
Figure 0004117117
[0048]
Embedded image
Figure 0004117117
[0049]
Embedded image
Figure 0004117117
[0050]
Embedded image
Figure 0004117117
[0051]
Embedded image
Figure 0004117117
[0052]
Embedded image
Figure 0004117117
[0053]
Embedded image
Figure 0004117117
[0054]
Embedded image
Figure 0004117117
[0055]
Embedded image
Figure 0004117117
[0056]
Embedded image
Figure 0004117117
[0057]
The above onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known and can be synthesized by the methods described in, for example, U.S. Pat. Nos. 2,807,648 and 4,247,473, and JP-A-53-101,331.
[0058]
(3) A disulfone derivative represented by the following general formula (PAG5) or an iminosulfonate derivative represented by the general formula (PAG6).
[0059]
Embedded image
Figure 0004117117
[0060]
Where ArThree, ArFourEach independently represents a substituted or unsubstituted aryl group.
R206Represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, or arylene group.
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.
[0061]
Embedded image
Figure 0004117117
[0062]
Embedded image
Figure 0004117117
[0063]
Embedded image
Figure 0004117117
[0064]
Embedded image
Figure 0004117117
[0065]
Embedded image
Figure 0004117117
[0066]
(4) A diazodisulfone derivative represented by the following general formula (PAG7).
[0067]
Embedded image
Figure 0004117117
[0068]
Here, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group, or an aryl group which may be substituted.
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.
[0069]
Embedded image
Figure 0004117117
[0070]
As the particularly preferred combined acid generator in the present invention, the following may be mentioned.
[0071]
Embedded image
Figure 0004117117
[0072]
≪ (B) Resin whose dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of acid (also referred to as “acid-decomposable resin”) ≫
[0073]
The acid-decomposable resin (B) of the present invention may be any resin as long as it has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure and the dissolution rate in an alkali developer increases by the action of an acid. , At least one selected from the group consisting of repeating units having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by general formula (pI) to general formula (pVI) and repeating units represented by general formula (II-AB) It is preferable that it is resin containing.
[0074]
Embedded image
Figure 0004117117
[0075]
(Wherein R11Represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group, and Z is necessary to form an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents an atomic group.
R12~ R16Each independently represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that R represents12~ R14At least one of R or R15, R16Any of represents an alicyclic hydrocarbon group.
R17~ Rtwenty oneEach independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that R represents17~ Rtwenty oneAt least one of these represents an alicyclic hydrocarbon group. R19, Rtwenty oneAny of these represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
Rtwenty two~ Rtwenty fiveEach independently represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that R representstwenty two~ Rtwenty fiveAt least one of these represents an alicyclic hydrocarbon group. Rtwenty threeAnd Rtwenty fourMay be bonded to each other to form a ring. )
[0076]
Embedded image
Figure 0004117117
[0077]
In formula (II-AB):
R11', R12Each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an optionally substituted alkyl group.
Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure which contains two bonded carbon atoms (C—C) and may have a substituent.
[0078]
The general formula (II-AB) is more preferably the following general formula (II-A) or general formula (II-B).
[0079]
Embedded image
Figure 0004117117
[0080]
In formulas (II-A) and (II-B):
R13'~ R16Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, -COOH, -COORFive, A group decomposable by the action of an acid, -C (= O) -XA'-R17'Represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent.
Where RFiveRepresents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or the following -Y group which may have a substituent.
X is an oxygen atom, a sulfur atom, -NH-, -NHSO2-Or -NHSO2NH- is represented.
A ′ represents a single bond or a divalent linking group.
Rl3'~ R16At least two of 'may be bonded to form a ring. n represents 0 or 1.
R17'Is -COOH, -COORFive, -CN, a hydroxyl group, an optionally substituted alkoxy group, -CO-NH-R6, -CO-NH-SO2-R6Or the following -Y group is represented.
R6Represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. The -Y group;
[0081]
Embedded image
Figure 0004117117
[0082]
(In the -Y group, Rtwenty one'~ R30Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. a and b represent 1 or 2; )
[0083]
In the general formulas (pI) to (pVI), R12~ Rtwenty fiveThe alkyl group in represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may be substituted or unsubstituted. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.
Further, the further substituent of the alkyl group includes an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), an acyl group, an acyloxy group, a cyano group, a hydroxyl group, A carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group, etc. can be mentioned.
[0084]
R11~ Rtwenty fiveThe alicyclic hydrocarbon group or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. The carbon number is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25. These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent.
Below, the structural example of an alicyclic part is shown among alicyclic hydrocarbon groups.
[0085]
Embedded image
Figure 0004117117
[0086]
Embedded image
Figure 0004117117
[0087]
Embedded image
Figure 0004117117
[0088]
In the present invention, preferred examples of the alicyclic moiety include adamantyl group, noradamantyl group, decalin residue, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl. Group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group and cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group.
[0089]
Examples of the substituent for these alicyclic hydrocarbon groups include an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a substituent selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. To express. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
[0090]
The structures represented by the general formulas (pI) to (pVI) in the resin can be used for protecting alkali-soluble groups. Examples of the alkali-soluble group include various groups known in this technical field.
Specific examples include a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phenol group, and a thiol group, and a carboxylic acid group and a sulfonic acid group are preferable.
Preferred examples of the alkali-soluble group protected by the structure represented by the general formulas (pI) to (pVI) in the resin include groups represented by the following general formulas (pVII) to (pXI).
[0091]
Embedded image
Figure 0004117117
[0092]
Where R11~ Rtwenty fiveAnd Z are the same as defined above.
In the resin, the repeating unit having an alkali-soluble group protected by the structure represented by the general formulas (pI) to (pVI) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (pA).
[0093]
Embedded image
Figure 0004117117
[0094]
Here, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. A plurality of R may be the same or different.
A is a single bond, an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, or a urea group. Represents a combination of groups.
Ra represents any group of the above formulas (pI) to (pVI).
[0095]
Specific examples of the monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (pA) are shown below.
[0096]
Embedded image
Figure 0004117117
[0097]
Embedded image
Figure 0004117117
[0098]
Embedded image
Figure 0004117117
[0099]
Embedded image
Figure 0004117117
[0100]
Embedded image
Figure 0004117117
[0101]
Embedded image
Figure 0004117117
[0102]
In the general formula (II-AB), R11', R12Each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an optionally substituted alkyl group.
Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure which contains two bonded carbon atoms (C—C) and may have a substituent.
[0103]
R above11', R12Examples of the halogen atom in 'include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.
R above11', R12', Rtwenty one'~ R30The alkyl group in 'is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, still more preferably methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and t-butyl group.
[0104]
Examples of the further substituent in the above alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, and an acyloxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group, and examples of the acyloxy group include an acetoxy group.
[0105]
The atomic group for forming the alicyclic structure of Z ′ is an atomic group that forms a repeating unit of an alicyclic hydrocarbon which may have a substituent in a resin, and in particular, a bridged type fat An atomic group for forming a bridged alicyclic structure that forms a cyclic hydrocarbon repeating unit is preferred.
Examples of the skeleton of the alicyclic hydrocarbon formed include those represented by the following structures.
[0106]
Embedded image
Figure 0004117117
[0107]
Embedded image
Figure 0004117117
[0108]
Among the above structures, preferred bridged alicyclic hydrocarbon skeletons include (5), (6), (7), (9), (10), (13), (14), (15 ), (23), (28), (36), (37), (42), (47).
[0109]
The alicyclic hydrocarbon skeleton may have a substituent. Examples of such a substituent include R in the general formula (II-A) or (II-B).13'~ R16'I can mention.
Among the repeating units having the bridged alicyclic hydrocarbon, the repeating unit represented by the general formula (II-A) or (II-B) is more preferable.
[0110]
In the general formula (II-A) or (II-B), R13'~ R16Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, -COOH, -COORFive, A group decomposable by the action of an acid, -C (= O) -XA'-R17'Represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent.
RFiveRepresents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group, or the aforementioned -Y group, which may have a substituent.
X is an oxygen atom, a sulfur atom, -NH-, -NHSO2-Or -NHSO2NH- is represented.
A ′ represents a single bond or a divalent linking group.
Rl3'~ R16At least two of 'may be bonded to form a ring. n represents 0 or 1.
R17'Is -COOH, -COORFive, -CN, a hydroxyl group, an optionally substituted alkoxy group, -CO-NH-R6, -CO-NH-SO2-R6Or the following -Y group is represented.
R6Represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent.
In the -Y group, Rtwenty one'~ R30'Each independently represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, and a and b represent 1 or 2.
[0111]
In the resin according to the present invention, the acid-decomposable group is the above -C (= O) -XA'-R.17It may be contained in 'or may be contained as a substituent for Z' in formula (II-AB).
As the structure of the acid-decomposable group, —C (═O) —X1-R0It is represented by
Where R0As a tertiary alkyl group such as t-butyl group and t-amyl group, 1 such as isobornyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, etc. -Alkoxymethyl group such as alkoxyethyl group, 1-methoxymethyl group, 1-ethoxymethyl group, 3-oxoalkyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, trialkylsilyl ester group, 3-oxocyclohexyl ester group, A 2-methyl-2-adamantyl group, a mevalonic lactone residue and the like can be mentioned. X1Is synonymous with X above.
[0112]
R above13'~ R16Examples of the halogen atom in 'include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.
[0113]
R aboveFive, R6, R13'~ R16The alkyl group in 'is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, still more preferably methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and t-butyl group.
[0114]
R aboveFive, R6, R13'~ R16Examples of the cyclic hydrocarbon group in 'include a cyclic alkyl group and a bridged hydrocarbon group, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a 2-methyl-2-adamantyl group, a norbornyl group, a boronyl group, An isobornyl group, a tricyclodecanyl group, a dicyclopentenyl group, a nobornane epoxy group, a menthyl group, an isomenthyl group, a neomenthyl group, a tetracyclododecanyl group, and the like can be given.
R above13'~ R16Examples of the ring formed by combining at least two of 'include rings having 5 to 12 carbon atoms such as cyclopentene, cyclohexene, cycloheptane, and cyclooctane.
[0115]
R above17Examples of the alkoxy group in ′ include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
[0116]
Examples of further substituents in the alkyl group, cyclic hydrocarbon group, and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group, an alkyl group, and a cyclic hydrocarbon group. Can do. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Examples thereof include an acetoxy group.
Examples of the alkyl group and cyclic hydrocarbon group include those listed above.
[0117]
The divalent linking group of A ′ is selected from the group consisting of an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group. Single or a combination of two or more groups may be mentioned.
Examples of the alkylene group and substituted alkylene group in A ′ include groups represented by the following formulas.
-[C (Ra) (Rb)]r
Where Ra, RbRepresents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group or an alkoxy group, which may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r represents an integer of 1 to 10.
[0118]
In the resin according to the present invention, the group decomposed by the action of an acid is a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formula (pI) to the general formula (pVI), the general formula (II -AB) and at least one repeating unit among the repeating units of the copolymerization component described below.
[0119]
R in the above general formula (II-A) or general formula (II-B)13'~ R16The various substituents of 'also serve as substituents of the atomic group Z for forming the alicyclic structure or the bridged alicyclic structure in the above general formula (II-AB). is there.
[0120]
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (II-A) or the general formula (II-B) include the following [II-1] to [II-175]. It is not limited to examples.
[0121]
Embedded image
Figure 0004117117
[0122]
Embedded image
Figure 0004117117
[0123]
Embedded image
Figure 0004117117
[0124]
Embedded image
Figure 0004117117
[0125]
Embedded image
Figure 0004117117
[0126]
Embedded image
Figure 0004117117
[0127]
Embedded image
Figure 0004117117
[0128]
Embedded image
Figure 0004117117
[0129]
Embedded image
Figure 0004117117
[0130]
Embedded image
Figure 0004117117
[0131]
Embedded image
Figure 0004117117
[0132]
Embedded image
Figure 0004117117
[0133]
Embedded image
Figure 0004117117
[0134]
Embedded image
Figure 0004117117
[0135]
Embedded image
Figure 0004117117
[0136]
Embedded image
Figure 0004117117
[0137]
Embedded image
Figure 0004117117
[0138]
Embedded image
Figure 0004117117
[0139]
Embedded image
Figure 0004117117
[0140]
The acid-decomposable resin of the present invention can further contain a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (IV).
[0141]
Embedded image
Figure 0004117117
[0142]
In general formula (IV), R1a represents a hydrogen atom or a methyl group.
W1Represents a single bond, an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, or a combination of two or more groups selected from the group consisting of ester groups.
Ra1, Rb1, Rc1, Rd1, Re1Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m and n each independently represents an integer of 0 to 3, and m + n is 2 or more and 6 or less.
[0143]
Ra1~ Re1Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.
[0144]
In general formula (IV), W1As the alkylene group, a group represented by the following formula can be exemplified.
-[C (Rf) (Rg)] r1
In the above formula, Rf and Rg represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, and both may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r1Is an integer from 1 to 10.
[0145]
Examples of further substituents in the alkyl group include a carboxyl group, an acyloxy group, a cyano group, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a substituted alkoxy group, an acetylamide group, an alkoxycarbonyl group, and an acyl group. Can be mentioned.
Examples of the alkyl group include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclopentyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group. Examples of the substituent of the substituted alkoxy group include an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyloxy group include an acetoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.
[0146]
Specific examples of the monomer corresponding to the repeating structural unit represented by the general formula (IV) are shown below, but are not limited thereto.
[0147]
Embedded image
Figure 0004117117
[0148]
Embedded image
Figure 0004117117
[0149]
Embedded image
Figure 0004117117
[0150]
In the specific example of the general formula (IV), (IV-17) to (IV-36) are preferable because the exposure margin becomes better.
Further, as the structure of the general formula (IV), those having an acrylate structure are preferable from the viewpoint of good edge roughness.
[0151]
Moreover, you may contain the repeating unit which has group represented by either of the following general formula (V-1)-(V-4).
[0152]
Embedded image
Figure 0004117117
[0153]
In the general formulas (V-1) to (V-4), R1b~ R5bEach independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. R1b~ R5bTwo of these may combine to form a ring.
[0154]
In the general formulas (V-1) to (V-4), R1b~ R5bExamples of the alkyl group include a linear or branched alkyl group, and may have a substituent.
The linear or branched alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. More preferably, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl It is a group.
R1b~ R5bAs the cycloalkyl group, a group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group is preferable.
R1b~ R5bAs the alkenyl group, a group having 2 to 6 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group, a butenyl group, and a hexenyl group is preferable.
R1b~ R5bExamples of the ring formed by combining two of these include 3- to 8-membered rings such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a cyclooctane ring.
R in general formulas (V-1) to (V-4)1b~ R5bMay be connected to any carbon atom constituting the cyclic skeleton.
[0155]
Moreover, as a preferable substituent which the said alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkenyl group may have, a C1-C4 alkoxy group, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), Examples thereof include an acyl group having 2 to 5 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 5 carbon atoms, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms, and a nitro group.
[0156]
As the repeating unit having a group represented by the general formulas (V-1) to (V-4), R in the general formula (II-A) or (II-B)13'~ R16Wherein at least one of 'has a group represented by the general formulas (V-1) to (V-4) (for example, -COORFiveRFiveRepresents a group represented by general formulas (V-1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following general formula (AI).
[0157]
Embedded image
Figure 0004117117
[0158]
In general formula (AI), Rb0Represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Rb0Preferred substituents that the alkyl group may have are R in the general formulas (V-1) to (V-4).1bAs the preferred substituents that the alkyl group as may have, those exemplified above may be mentioned.
Rb0Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Rb0Is preferably a hydrogen atom.
A ′ represents a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, an alkylene group, or a divalent group obtained by combining these.
B2Represents a group represented by any one of the general formulas (V-1) to (V-4). In A ′, examples of the combined divalent group include those represented by the following formulae.
[0159]
Embedded image
Figure 0004117117
[0160]
In the above formula, Rab and Rbb represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group and an alkoxy group, and both may be the same or different.
The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r1 represents an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 4. m represents an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2.
[0161]
Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (AI) is given to the following, the content of this invention is not limited to these.
[0162]
Embedded image
Figure 0004117117
[0163]
Embedded image
Figure 0004117117
[0164]
Embedded image
Figure 0004117117
[0165]
Embedded image
Figure 0004117117
[0166]
Embedded image
Figure 0004117117
[0167]
Embedded image
Figure 0004117117
[0168]
Embedded image
Figure 0004117117
[0169]
Moreover, the acid-decomposable resin of the present invention can further contain a repeating unit represented by the following general formula (VI).
[0170]
Embedded image
Figure 0004117117
[0171]
In general formula (VI), A6Represents a single bond, an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, or a combination of two or more groups selected from the group consisting of ester groups.
R6aRepresents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group, or a halogen atom.
[0172]
In general formula (VI), A6As the alkylene group, a group represented by the following formula can be exemplified.
-[C (Rnf) (Rng)] r-
In the above formula, Rnf and Rng represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group, and both may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r is an integer of 1-10.
In general formula (VI), A6Examples of the cycloalkylene group include those having 3 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, and a cyclooctylene group.
[0173]
Z6The bridged alicyclic ring containing may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an acyl group (for example, a formyl group and a benzoyl group), an acyloxy group ( For example, propylcarbonyloxy group, benzoyloxy group), alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), carboxyl group, hydroxyl group, alkylsulfonylsulfamoyl group (—CONHSO)2CHThreeEtc.). In addition, the alkyl group as a substituent may be further substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), or the like.
[0174]
In general formula (VI), A6The oxygen atom of the ester group bonded to is Z6You may couple | bond at any position of the carbon atom which comprises a bridged alicyclic ring structure containing.
[0175]
Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (VI) below is given, it is not limited to these.
[0176]
[Chemical Formula 86]
Figure 0004117117
[0177]
Embedded image
Figure 0004117117
[0178]
Furthermore, you may contain the repeating unit which has group represented by the following general formula (VII).
[0179]
Embedded image
Figure 0004117117
[0180]
In general formula (VII), R2c ~ RFourc represents a hydrogen atom or a hydroxyl group each independently. However, R2c ~ RFourAt least one of c represents a hydroxyl group.
[0181]
The group represented by the general formula (VII) is preferably a dihydroxy form or a monohydroxy form, and more preferably a dihydroxy form.
[0182]
Examples of the repeating unit having a group represented by the general formula (VII) include R in the general formula (II-A) or (II-B).13'~ R16Wherein at least one of the groups has a group represented by the above general formula (VII) (for example, -COORFiveRFiveRepresents a group represented by general formulas (V-1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following general formula (AII).
[0183]
Embedded image
Figure 0004117117
[0184]
In general formula (AII), R1c represents a hydrogen atom or a methyl group.
R2c ~ RFourc represents a hydrogen atom or a hydroxyl group each independently. However, R2c ~ RFourAt least one of c represents a hydroxyl group.
[0185]
Although the specific example of the repeating unit which has a structure represented by general formula (AII) below is given, it is not limited to these.
[0186]
Embedded image
Figure 0004117117
[0187]
Furthermore, you may contain the repeating unit which has group represented by the following general formula (VIII).
[0188]
Embedded image
Figure 0004117117
[0189]
In general formula (VIII):
Z2Is —O— or —N (R41)-. Where R41Is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or -OSO2-R42Represents. R42Represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.
[0190]
In the above general formula (VIII), Z2Is —O— or —N (R41)-. Where R41Is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or -OSO2-R42Represents. R42Represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.
[0191]
R above41And R42The alkyl group in is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably a methyl group. Ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and t-butyl group.
R above41And R42 Examples of the haloalkyl group include trifluoromethyl group, nanofluorobutyl group, pentadecafluorooctyl group, and trichloromethyl group. R above42Examples of the cycloalkyl group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
[0192]
R41And R42As alkyl and haloalkyl groups, R42The cycloalkyl group or camphor residue as may have a substituent. Examples of such a substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a halogen atom (for example, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, an iodine atom), an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms, for example, methoxy Group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), acyl group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, such as formyl group, acetyl group, etc.), acyloxy group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, such as acetoxy group), An aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms, for example, a phenyl group) and the like can be mentioned.
[0193]
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (VIII) include the following [I′-1] to [I′-7], but the present invention is not limited to these specific examples. .
[0194]
Embedded image
Figure 0004117117
[0195]
Embedded image
Figure 0004117117
[0196]
In addition to the above repeating structural units, the acid-decomposable resin as component (B) is dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general required properties of resist, resolving power and heat resistance. Various repeating structural units can be contained for the purpose of adjusting properties, sensitivity, and the like.
[0197]
Examples of such a repeating structural unit include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.
Thereby, the performance required for the acid-decomposable resin, in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.
As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.
[0198]
Specifically, the following monomers can be mentioned.
Acrylic acid esters (preferably alkyl acrylates having an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms):
Methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethyl hexyl acrylate, octyl acrylate, tert-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2-dimethylhydroxy Propyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, and the like.
[0199]
Methacrylic acid esters (preferably alkyl methacrylate having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group):
Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2 , 2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate and the like.
[0200]
Acrylamides:
Acrylamide, N-alkylacrylamide (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, t-butyl group, heptyl group, octyl group, cyclohexyl group, hydroxyethyl group, etc. N, N-dialkylacrylamide (alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, butyl, isobutyl, ethylhexyl, cyclohexyl, etc.), N-hydroxy Ethyl-N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide and the like.
[0201]
Methacrylamide:
Methacrylamide, N-alkylmethacrylamide (alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, t-butyl, ethylhexyl, hydroxyethyl, cyclohexyl, etc.), N, N -Dialkyl methacrylamide (the alkyl group includes ethyl, propyl, butyl, etc.), N-hydroxyethyl-N-methyl methacrylamide and the like.
[0202]
Allyl compounds:
Allyl esters (for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate, etc.), allyloxyethanol and the like.
[0203]
Vinyl ethers:
Alkyl vinyl ethers (eg hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethyl hexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, Diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether and the like.
[0204]
Vinyl esters:
Vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl -Β-phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate and the like.
[0205]
Dialkyl itaconates:
Dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate, etc.
Dialkyl esters or monoalkyl esters of fumaric acid; dibutyl fumarate and the like.
[0206]
Others include crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilonitrile and the like.
[0207]
In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.
[0208]
In acid-decomposable resins, the molar ratio of each repeating structural unit is the resist dry etch resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general resist performance required for resolving power, heat resistance, and sensitivity. It is set appropriately in order to adjust etc.
[0209]
The following are mentioned as a preferable aspect of the acid-decomposable resin of the present invention.
(1) Containing a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the general formulas (pI) to (pVI) (side chain type)
(2) Containing repeating units represented by general formula (II-AB) (main chain type)
However, in (2), for example, the following can be further mentioned.
(3) A repeating unit represented by the general formula (II-AB), a maleic anhydride derivative and a (meth) acrylate structure (hybrid type)
[0210]
In the acid-decomposable resin, the content of the repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by general formulas (pI) to (pVI) is preferably 30 to 70 mol% in all repeating structural units, More preferably, it is 35-65 mol%, More preferably, it is 40-60 mol%.
In the acid-decomposable resin, the content of the repeating unit represented by the general formula (II-AB) is preferably 10 to 60 mol%, more preferably 15 to 55 mol%, still more preferably 20 in all repeating structural units. ˜50 mol%.
[0211]
In addition, the content of the repeating structural unit based on the monomer of the further copolymer component in the resin can also be appropriately set according to the performance of the desired resist. 99 mol% with respect to the total number of moles of the repeating structural unit having a partial structure containing the alicyclic hydrocarbon represented by (pVI) and the repeating unit represented by the above general formula (II-AB) The following is preferable, More preferably, it is 90 mol% or less, More preferably, it is 80 mol% or less.
When the composition of the present invention is for ArF exposure, the resin preferably has no aromatic group from the viewpoint of transparency to ArF light.
[0212]
The acid-decomposable resin used in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, monomer species are charged into a reaction vessel in a batch or in the course of reaction, and if necessary, a reaction solvent such as ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, methyl ethyl ketone, A ketone such as methyl isobutyl ketone, an ester solvent such as ethyl acetate, and the composition of the present invention such as propylene glycol monomethyl ether acetate described below are dissolved in a solvent that dissolves uniformly and then nitrogen, argon, etc. Polymerization is started using a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) as necessary under an inert gas atmosphere. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 20% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more. The reaction temperature is 10 ° C to 150 ° C, preferably 30 ° C to 120 ° C, more preferably 50-100 ° C.
[0213]
The weight average molecular weight of the resin according to the present invention is preferably 1,000 to 200,000 as a polystyrene conversion value by the GPC method. When the weight average molecular weight is less than 1,000, heat resistance and dry etching resistance are deteriorated, which is not preferable. When the weight average molecular weight exceeds 200,000, developability is deteriorated, and the viscosity is extremely high, so that the film forming property is deteriorated. Produces less favorable results.
[0214]
In the positive photoresist composition for deep ultraviolet exposure of the present invention, the blending amount of all the resins according to the present invention in the entire composition is preferably 40 to 99.99% by weight in the total resist solid content, more preferably 50 to 99.97% by weight.
[0215]
≪ (C) Basic compound≫
The positive photosensitive composition of the present invention preferably contains (C) a basic compound in order to reduce the change in performance over time from exposure to heating.
Preferable structures include structures represented by the following formulas (A) to (E).
[0216]
Embedded image
Figure 0004117117
[0217]
Where R250, R251And R252Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Where R250And R251May combine with each other to form a ring.
[0218]
Embedded image
Figure 0004117117
[0219]
(Wherein R253, R254, R255And R256Each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).
Preferred examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazole, substituted or unsubstituted Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted amino Examples include morpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine, and mono, di, trialkylamine, substituted or unsubstituted aniline, substituted or unsubstituted piperidine, mono, or diethanolamine. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, cyano group It is.
[0220]
Preferred compounds include guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4- Dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6- Methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2, 6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, -(2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3. 0] non-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 2,4,5-triphenylimidazole, tri (n-butyl) amine, tri (n-octyl) Amine, N-phenyldiethanolamine, N-hydroxyethylpiperidine, 2,6-diisopropylaniline, N-cyclohexyl- '- morpholinoethyl but ethyl thiourea, and the like, but is not limited thereto.
[0221]
Further preferred compounds include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted aminomorpholine, substituted Alternatively, unsubstituted aminoalkylmorpholine and substituted or unsubstituted piperidine can be mentioned. Furthermore, compounds having an imidazole structure, diazabicyclo structure, onium hydroxide structure, onium carboxylate structure, trialkylamine structure, and aniline compounds can be exemplified.
[0222]
Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and the like. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] noner-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0]. Undecar 7-ene. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically triphenylsulfonium hydroxide, tris (t-butylphenyl) sulfonium. Examples thereof include hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, and 2-oxopropylthiophenium hydroxide. The compound having an onium carboxylate structure is a compound having an onium hydroxide structure in which the anion moiety is converted to a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate. Examples of the compound having a trialkylamine structure include unsubstituted alkylamines such as triethylamine, tributylamine, trioctylamine, and dicyclohexylmethylamine, and alkylamines substituted with a hydroxyl group such as triethanolamine and N-hydroxyethylpiperidine. Examples of aniline compounds include 2,6-diisopropylaniline and N, N-dimethylaniline. Neither is limited to the illustrated specific examples.
[0223]
These (C) basic compounds are used alone or in combination of two or more. (C) The usage-amount of a basic compound is 0.001 to 10 weight% normally based on solid content of the photosensitive resin composition, Preferably it is 0.01 to 5 weight%. If it is less than 0.001% by weight, the effect of adding the basic compound cannot be obtained. On the other hand, when it exceeds 10% by weight, there is a tendency for the sensitivity to deteriorate and the developability of the non-exposed area to deteriorate.
[0224]
<< (D) Fluorine-based and / or silicon-based surfactant >>
The positive photosensitive resin composition of the present invention is a fluorine-based and / or silicon-based surfactant (fluorine-based surfactant and silicon-based surfactant, a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom). It is preferable to contain any one or two or more.
When the positive photosensitive composition of the present invention contains the surfactant (D), adhesion and development defects can be obtained with good sensitivity and resolution when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less. A small resist pattern can be provided.
As these (D) surfactants, for example, JP-A-62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745, JP-A-62-170950, JP-A-63-34540 JP-A-7-230165, JP-A-8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-5988, U.S. Pat.Nos. 5405720, 5360692, 5529881, 5296330, 5436098, Surfactants described in JP-A-5576143, JP-A-5294511 and JP-A-5842451 can be exemplified, and the following commercially available surfactants can also be used as they are.
Commercially available surfactants that can be used include, for example, F-top EF301, EF303 (made by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430, 431 (made by Sumitomo 3M Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, R08 (Dainippon Ink Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.) A surfactant or a silicon-based surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon surfactant.
[0225]
The amount of the surfactant used is preferably 0.0001 to 2% by weight, more preferably 0.001 to 1% by weight, based on the total amount of the positive photosensitive composition (excluding the solvent).
[0226]
≪ (E) Organic solvent≫
The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent.
Examples of the organic solvent that can be used include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl. Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N -Dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc.
[0227]
In the present invention, it is preferable to use a mixed solvent in which a solvent containing a hydroxyl group in the structure and a solvent not containing a hydroxyl group are mixed as the organic solvent. Thereby, the generation of particles during storage of the resist solution can be reduced.
Examples of the solvent containing a hydroxyl group include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, and the like. Particularly preferred are propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate.
Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, and butyl acetate are particularly preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate. 2-heptanone is most preferred.
The mixing ratio (weight) of the solvent containing a hydroxyl group and the solvent not containing a hydroxyl group is 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10, more preferably 20/80 to 60/40. . A mixed solvent containing 50% by weight or more of a solvent not containing a hydroxyl group is particularly preferred from the viewpoint of coating uniformity.
[0228]
≪ (F) Acid-decomposable dissolution inhibiting compound≫
The positive photosensitive composition of the present invention has (F) a group that decomposes by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer, and has a molecular weight of 3000 or less and a dissolution inhibiting low molecular weight compound (hereinafter referred to as “ (F) also referred to as “acid-decomposable dissolution inhibiting compound”).
In particular, an alicyclic group containing an acid-decomposable group, such as a cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996), in order not to lower the permeability of 220 nm or less Aliphatic compounds are preferred as (F) acid-decomposable dissolution inhibiting compounds. Examples of the acid-decomposable group and alicyclic structure are the same as those described for the acid-decomposable resin.
(F) The addition amount of the acid-decomposable dissolution inhibiting compound is preferably 3 to 50% by weight, more preferably 5 to 40% by weight, based on the solid content of the total composition of the positive photosensitive composition. .
Specific examples of the (F) acid-decomposable dissolution inhibiting compound are shown below, but are not limited thereto.
[0229]
Embedded image
Figure 0004117117
[0230]
≪ (G) Alkali-soluble resin≫
The positive photoresist composition of the present invention can contain (D) a resin that does not contain an acid-decomposable group, is insoluble in water, and is soluble in an alkaline developer, thereby improving sensitivity.
In the present invention, a novolak resin having a molecular weight of about 1000 to 20000 and a polyhydroxystyrene derivative having a molecular weight of about 3000 to 50000 can be used as such a resin, since these have a large absorption with respect to light of 250 nm or less. It is preferable to use a partially hydrogenated amount or 30 wt% or less of the total resin amount.
A resin containing a carboxyl group as an alkali-soluble group can also be used. The resin containing a carboxyl group preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group for improving dry etching resistance. Specifically, a methacrylic acid ester and (meth) acrylic acid copolymer having an alicyclic hydrocarbon structure that does not exhibit acid decomposability, or a (meth) acrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon group having a carboxyl group at the terminal And the like.
[0231]
≪Other additives≫
In the positive photosensitive composition of the present invention, if necessary, a dye, a plasticizer, a surfactant other than the component (D), a photosensitizer, a compound that promotes solubility in a developer, and the like. It can be included.
The dissolution accelerating compound for the developer that can be used in the present invention is a low molecular weight compound having a molecular weight of 1,000 or less and having two or more phenolic OH groups or one or more carboxy groups. When it has a carboxy group, an alicyclic or aliphatic compound is preferable for the same reason as described above.
A preferable addition amount of these dissolution promoting compounds is 2 to 50% by weight, more preferably 5 to 30% by weight with respect to the resin (B) which decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer. %. When the amount exceeds 50% by weight, the development residue is deteriorated, and a new defect that the pattern is deformed during development is not preferable.
[0232]
Such a phenol compound having a molecular weight of 1000 or less can be easily synthesized by those skilled in the art with reference to the methods described in, for example, JP-A-4-1222938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, European Patent 219294, and the like. can do.
Specific examples of alicyclic or aliphatic compounds having a carboxyl group include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, lithocholic acid, adamantane carboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, cyclohexane carboxylic acid, cyclohexane Examples thereof include, but are not limited to, dicarboxylic acids.
[0233]
In the present invention, a surfactant other than the above (D) fluorine-based and / or silicon-based surfactant may be added. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, polyoxyethylene nonylphenol ether, etc. Sorbitans such as polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate Fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopal Te - DOO, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, may be mentioned polyoxyethylene sorbitan tristearate nonionic surfactants of polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as such.
These surfactants may be added alone or in some combination.
[0234]
≪How to use≫
The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent, preferably the mixed solvent, and applying the solution on a predetermined support as follows.
That is, the photosensitive composition is coated on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for manufacturing a precision integrated circuit element by an appropriate coating method such as a spinner or a coater.
After coating, exposure is performed through a predetermined mask, baking and development are performed. In this way, a good resist pattern can be obtained. Here, the exposure light is preferably far ultraviolet rays having a wavelength of 250 nm or less, more preferably 220 nm or less. Specifically, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F2Excimer laser (157 nm), X-ray, electron beam and the like can be mentioned.
[0235]
In the development process, a developer is used as follows. As the developer of the photosensitive composition, inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like Alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts, cyclic amines such as pyrrole and pihelidine can be used.
Furthermore, alcohols and surfactants can be added in appropriate amounts to the alkaline aqueous solution.
[0236]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, the scope of the present invention is not restrict | limited at all by an Example.
[0237]
<Synthesis example of acid generator>
Synthesis Example (1): Synthesis of phenacyltetrahydrothiophenium perfluorobutanesulfonate (III-1)
Tetrahydrothiophene (53.2 g) was dissolved in acetonitrile (400 ml), and phenacyl bromide (100 g) dissolved in acetonitrile (300 ml) was slowly added to this solution. After stirring for 3 hours at room temperature, powder precipitated. The reaction solution was poured into 1500 ml of ethyl acetate, and the powder was collected by filtration and dried to obtain 137 g of phenacyltetrahydrothiophenium bromide.
60 g of potassium perfluorobutane sulfonate was dissolved in a mixed solvent of 200 ml of water and 200 ml of methanol, and 49.5 g of phenacyltetrahydrothiophenium bromide dissolved in 300 ml of water was added thereto. This aqueous solution was extracted twice with 200 ml of chloroform, and the organic phase was washed with water and concentrated to obtain a crude product. To this was added 300 ml of distilled water, heated at 100 ° C. for 30 minutes, and then cooled to deposit a solid. The solid was collected by filtration and reslurried with diisopropyl ether to obtain 77 g of phenacyltetrahydrothiophenium perfluorobutane sulfonate.
[0238]
Synthesis Example (2): Synthesis of phenacyltetrahydrothiophenium perfluorooctane sulfonate (III-3)
Phenacyltetrahydrothiophenium bromide was synthesized by performing the same operation as described above and salt-exchanged with perfluorooctanesulfonic acid.
Synthesis Example (3): Synthesis of phenacyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate (III-2)
Phenacyltetrahydrothiophenium bromide was synthesized by salt exchange with trifluoromethanesulfonic acid in the same manner as above.
Other compounds were also synthesized by reacting the corresponding phenacyl halide with a sulfide compound to synthesize phenacylsulfonium halide and then salt-exchange with sulfonic acid (salt).
[0239]
Synthesis Example (4): Synthesis of acid generator (II-11)
11.8 g of tetrahydrothiophene was dissolved in 100 ml of acetonitrile, and 20 g of 1-bromo-3,3-dimethyl-2-butanone was slowly added to this solution. When stirred at room temperature for 2 days, a powder precipitated. After adding 100 ml of ethyl acetate to the reaction solution, the powder was collected by filtration, washed with ethyl acetate and dried to obtain 24 g of 2-oxo-3,3-dimethylbutyltetrahydrothiophenium bromide.
10 g of potassium perfluorobutanesulfonate was dissolved in a mixed solvent of 500 ml of water and 100 ml of methanol, and a solution obtained by dissolving 7.75 g of 2-oxo-3,3-dimethylbutyltetrahydrothiophenium bromide in 50 ml of methanol was added thereto. It was. This aqueous solution was extracted twice with 100 ml of chloroform, and the organic phase was washed with water and concentrated to obtain an oily substance. When ethyl acetate was added thereto and re-concentrated, a solid substance was obtained, which was collected by filtration and reslurried with diisopropyl ether to obtain 9 g of 2-oxo-3,3-dimethylbutyltetrahydrothiophenium perfluorobutane sulfonate. It was.
[0240]
2-Oxocyclohexylmethyl (2-norbornyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate (II-4) was synthesized using the method of JP-A-8-27102 and Synthesis Example 1.
A sulfonium salt acid generator having no other aromatic ring was synthesized by reacting a corresponding sulfide compound with an alkyl halide to synthesize a sulfonium halide, and then salt-exchanged with the sulfonic acid (salt).
[0241]
<Example of resin synthesis>
Synthesis example (1) Synthesis of resin (1) (side chain type)
2-Ethyl-2-adamantyl methacrylate and butyrolactone methacrylate were charged at a ratio of 55/45 and dissolved in methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 5/5 to prepare 100 mL of a 20% solid content solution. To this solution, 2 mol% of V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added dropwise to 10 mL of methyl ethyl ketone heated to 60 ° C. over 4 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated for 4 hours, 1 mol% of V-65 was added again, and the mixture was stirred for 4 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and the resin (1) which was a white powder crystallized and precipitated in 3 L of a mixed solvent of distilled water / ISO propyl alcohol = 1/1 was recovered.
C13The polymer composition ratio determined from NMR was 46/54. Moreover, the weight average molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 10700.
[0242]
Resins (2) to (15) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (1).
The composition ratios and molecular weights of the resins (2) to (15) are shown below. (Repeating units 1, 2, 3, and 4 are the order from the left of the structural formula.)
[0243]
[Table 1]
Figure 0004117117
[0244]
The structures of the resins (1) to (15) are shown below.
[0245]
Embedded image
Figure 0004117117
[0246]
Embedded image
Figure 0004117117
[0247]
Embedded image
Figure 0004117117
[0248]
Embedded image
Figure 0004117117
[0249]
Synthesis Example (2) Synthesis of Resin (16) (Main Chain Type)
Norbornenecarboxylic acid tbutyl ester, norbornenecarboxylic acid butyrolactone ester, maleic anhydride (molar ratio 40/10/50) and THF (reaction temperature 60 wt%) were charged into a separable flask and heated at 60 ° C. in a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 2 mol% of a radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to initiate the reaction. Heated for 12 hours. The resulting reaction mixture was diluted twice with tetrahydrofuran and then poured into a mixed solution of hexane / isopropyl alcohol = 1/1 to precipitate a white powder. The precipitated powder was filtered out and dried to obtain the desired resin (16).
When the molecular weight analysis by GPC of the obtained resin (16) was tried, it was 8300 (weight average) in terms of polystyrene. Further, from the NMR spectrum, it was confirmed that the molar ratio of the norbornenecarboxylic acid tbutyl ester / norbornenecarboxylic acid butyrolactone ester / maleic anhydride repeating unit of the resin (1) was 42/8/50.
[0250]
Resins (17) to (27) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (2).
The composition ratios and molecular weights of the resins (17) to (27) are shown below. (The alicyclic olefin units 1, 2, and 3 are the order from the left of the structural formula.)
[0251]
[Table 2]
Figure 0004117117
[0252]
Moreover, the structure of the said resin (16)-(27) is shown below.
[0253]
Embedded image
Figure 0004117117
[0254]
Embedded image
Figure 0004117117
[0255]
Synthesis Example (3) Synthesis of Resin (28) (Hybrid Type)
Norbornene, maleic anhydride, t-butyl acrylate and 2-methylcyclohexyl-2-propyl acrylate were charged into a reaction vessel at a molar ratio of 35/35/20/10 and dissolved in tetrahydrofuran to prepare a solution having a solid content of 60%. . This was heated at 65 ° C. under a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 1 mol% of radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to initiate the reaction. After heating for 8 hours, the reaction mixture was diluted 2 times with tetrahydrofuran and then poured into hexane having a volume 5 times that of the reaction mixture to precipitate a white powder. The precipitated powder was filtered out, dissolved in methyl ethyl ketone, reprecipitated in a 5-fold volume of hexane / t-butyl methyl ether = 1/1 mixed solvent, and the precipitated white powder was collected by filtration, dried and dried. A resin (28) was obtained.
When the molecular weight analysis by GPC of the obtained resin (28) was tried, it was 12100 (weight average) in terms of polystyrene. From the NMR spectrum, the composition of the resin (1) was norbornene / maleic anhydride / tbutyl acrylate / 2-methylcyclohexyl-2-propyl acrylate according to the present invention in a molar ratio of 32/39/19/10.
[0256]
Resins (29) to (41) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (3).
The composition ratios and molecular weights of the resins (29) to (41) are shown below.
[0257]
[Table 3]
Figure 0004117117
[0258]
The structures of the resins (28) to (41) are shown below.
[0259]
Embedded image
Figure 0004117117
[0260]
Embedded image
Figure 0004117117
[0261]
Embedded image
Figure 0004117117
[0262]
Embedded image
Figure 0004117117
[0263]
Synthesis Example (4) Synthesis of Resin (42) (Hybrid Type)
Norbornene carboxylic acid t-butyl ester, maleic anhydride, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, norbornene lactone acrylate is charged in a reaction vessel at a molar ratio of 20/20/35/25 and dissolved in methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 1/1 solvent. And a 60% solids solution was prepared. This was heated at 65 ° C. under a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 3 mol% of radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to initiate the reaction. After heating for 12 hours, the reaction mixture was poured into 5 times the amount of hexane to precipitate a white powder. The precipitated powder was again dissolved in methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 1/1 solvent and charged into 5 volumes of hexane / methyl tBu ether to precipitate a white powder, which was taken out by filtration. This operation was repeated again to obtain a desired resin (42) by drying.
When the molecular weight analysis (RI analysis) by GPC of the obtained resin (42) was tried, it was 11600 (weight average) in terms of polystyrene, and the amount of residual monomer was 0.4%. From the NMR spectrum, the composition of the resin (1) was 18/23/34/25 in terms of the molar ratio of norbornene / maleic anhydride / 2-methyl-2-adamantyl acrylate / norbornene lactone acrylate of the present invention.
[0264]
Resins (43) to (66) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (4).
The composition ratios and molecular weights of the resins (43) to (66) are shown below.
[0265]
[Table 4]
Figure 0004117117
[0266]
The structures of the resins (42) to (66) are shown below.
[0267]
Embedded image
Figure 0004117117
[0268]
Embedded image
Figure 0004117117
[0269]
Embedded image
Figure 0004117117
[0270]
Embedded image
Figure 0004117117
[0271]
Embedded image
Figure 0004117117
[0272]
<Registration adjustment>
[Examples 1 to 66 and Comparative Examples 1 to 4]
Materials shown in Tables 5 to 8 were dissolved to prepare a solution having a solid content concentration of 12% by weight, and this was filtered through a 0.1 μm Teflon filter to prepare a photosensitive composition. The prepared composition was evaluated by the following method, and the results are shown in Tables 9-12.
[0273]
[Table 5]
Figure 0004117117
[0274]
[Table 6]
Figure 0004117117
[0275]
[Table 7]
Figure 0004117117
[0276]
[Table 8]
Figure 0004117117
[0277]
Abbreviations in Tables 5 to 8 are as follows.
LCB; t-butyl lithocholic acid
TPST; Triphenylsulfonium perfluorobutane sulfonate
DBN; 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene
TPI; 2,4,5-triphenylimidazole
TPSA; triphenylsulfonium acetate
HEP; N-hydroxyethylpiperidine
DIA; 2,6-diisopropylaniline
DCMA; dicyclohexylmethylamine
[0278]
Abbreviations for the surfactants are as follows.
W-1; Megafuck F176 (Dainippon Ink Co., Ltd.) (fluorine-based)
W-2; Megafuck R08 (Dainippon Ink Co., Ltd.)
(Fluorine and silicon)
W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
(Silicon)
W-4; Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)
[0279]
Abbreviations for the solvents are as follows. Moreover, the ratio at the time of multiple use of the solvent in Tables 5-7 is a weight ratio.
A1: propylene glycol methyl ether acetate
A2; 2-heptanone
A3; ethyl ethoxypropionate
A4; γ-butyrolactone
A5: Cyclohexanone
A6: Butyl acetate
B1; propylene glycol methyl ether
B2; ethyl lactate
[0280]
<Image evaluation method>
(1) DOF (defocus latitude) evaluation
An antireflection film ARC25 manufactured by Brewer Science Co., Ltd. is uniformly applied to a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment with a spin coater, dried at 100 ° C. for 90 seconds on a hot plate, and then at 190 ° C. for 240 seconds. Heat drying was performed. Thereafter, each photosensitive composition was applied by a spin coater and dried at 130 ° C. for 90 seconds to form a 0.40 μm resist film. This resist film is exposed with an ArF excimer laser stepper (NA = 0.6 (σ = 0.75, 2/3 annular illumination) manufactured by ISI) through a mask, and a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds immediately after exposure. Heated above. Further, development was performed with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to obtain a resist line pattern. A defocus latitude of 0.13 μm at an exposure amount that reproduces a line and space (1/1) of 0.13 μm was observed.
[0281]
(2) Sidelobe margin evaluation
An antireflection film ARC25 manufactured by Brewer Science Co., Ltd. is uniformly applied to a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment with a spin coater, dried at 100 ° C. for 90 seconds on a hot plate, and then at 190 ° C. for 240 seconds. Heat drying was performed. Thereafter, each photosensitive composition was applied by a spin coater and dried at 130 ° C. for 90 seconds to form a 0.40 μm resist film. This resist film is exposed with an ArF excimer laser stepper (NA = 0.6 manufactured by ISI) using a halftone phase shift mask with a transmittance of 6%, and immediately after exposure, heated on a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds. did. Further, the resist film was developed with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to obtain a contact hole pattern.
An exposure amount that opens a contact hole having a mask size of 0.20 μm with a duty ratio of 1: 2 and a size of 0.18 μm is defined as an optimal exposure amount Eop. This relationship was calculated by the following formula and used as the suicide lobe margin. A larger value indicates higher sidelobe resistance.
Sidelobe margin (%) = [(Es−Eop) / Eop] × 100
[0282]
(3) Particle evaluation
The prepared photosensitive composition was allowed to stand at 4 ° C. for 1 week, and then the number of particles having a particle size of 0.2 μm or more present in the solution was counted with a particle counter manufactured by Rion.
[0283]
[Table 9]
Figure 0004117117
[0284]
[Table 10]
Figure 0004117117
[0285]
[Table 11]
Figure 0004117117
[0286]
[Table 12]
Figure 0004117117
[0287]
The following are clear from the results shown in Tables 9-12.
The compositions of Examples 1 to 80 have wide defocus latitude, excellent sidelobe resistance, and hardly generate particles.
On the other hand, the compositions of Comparative Examples 1 to 4 are inferior to the compositions of the examples in defocus latitude, side lobe resistance, and generation of particles.
[0288]
【The invention's effect】
The positive photosensitive composition according to the present invention has a wide defocus latitude when using annular illumination, and side lobes are not easily generated when a pattern is formed using a halftone phase shift mask. Particles are hard to be generated.

Claims (6)

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、
(B)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
(C)塩基性化合物、及び
(D)フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤
を含有し、且つ(A)酸発生剤が、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物を少なくとも1種及び芳香環を有さないスルホニウム塩を少なくとも1種含有する混合物であることを特徴とするポジ型感光性組成物。
(A) an acid generator that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation,
(B) a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkali developer,
(C) a basic compound, and (D) a fluorine and / or silicon surfactant, and (A) an acid generator has at least one compound having a phenacylsulfonium salt structure and an aromatic ring. A positive photosensitive composition, which is a mixture containing at least one sulfonium salt which does not have.
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、
(B)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
(C)塩基性化合物、及び
(D)フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤
を含有し、且つ(A)酸発生剤が、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物を少なくとも1種及び芳香環を有さないスルホニウム塩を少なくとも1種含有する混合物(但し、下記一般式(I)で表されるスルホニウム塩化合物と下記一般式(II)で表されるスルホニウム塩化合物を含有する混合物を除く)であることを特徴とするポジ型感光性組成物。
Figure 0004117117
式(I)中、R 1 、R 2 は、それぞれ独立に、直鎖状、分枝状、単環式、または橋かけ環 式のアルキル基、あるいは、飽和炭素骨格を有して互いにつながり環を形成した基、または互いにつながり環を形成したオキソアルキレン基を表し、R 3 、R 4 、R 5 、およびR 6 は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、またはアルコキシ基を表し、Xは―CH 2 ―、−C 2 4 −、または−OCH 2 −を表し、Y - は対イオン表す。
Figure 0004117117
式(II)中、R 7 はアルキレン基または2−オキソアルキレン基を表し、R 8 はオキソ基を有する直鎖状、分枝状、単環式、多環式あるいは橋かけ環式のアルキル基、または直鎖状、分枝状、単環式、多環式あるいは橋かけ環式のアルキル基を表し、R 7 、R 8 の少なくとも一方は、オキソ基を有するものとし、Y - は対イオン表す。
(A) an acid generator that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation,
(B) a resin having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, decomposed by the action of an acid, and increased in solubility in an alkali developer,
(C) a basic compound, and (D) a fluorine and / or silicon surfactant, and (A) an acid generator has at least one compound having a phenacylsulfonium salt structure and an aromatic ring. A mixture containing at least one sulfonium salt that does not have (excluding a mixture containing a sulfonium salt compound represented by the following general formula (I) and a sulfonium salt compound represented by the following general formula (II)) There is a positive photosensitive composition.
Figure 0004117117
In formula (I), R 1 and R 2 are each independently a linear, branched, monocyclic, or bridged cyclic alkyl group, or a ring connected to each other having a saturated carbon skeleton. Or an oxoalkylene group linked to each other to form a ring, and R 3 , R 4 , R 5 , and R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Or an alkoxy group, X represents —CH 2 —, —C 2 H 4 —, or —OCH 2 —, and Y represents a counter ion.
Figure 0004117117
Wherein (II), R 7 represents an alkylene group or 2-oxo alkylene group, R 8 is a straight-chain having an oxo group, branched, monocyclic, polycyclic or bridged cyclic alkyl group Or a linear, branched, monocyclic, polycyclic or bridged alkyl group , wherein at least one of R 7 and R 8 has an oxo group, and Y represents a counter ion. To express.
(E)構造中に水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤とを
混合した混合溶剤を含有する請求項1または2に記載のポジ型感光性組成物。
(E) The positive photosensitive composition of Claim 1 or 2 containing the mixed solvent which mixed the solvent containing a hydroxyl group in the structure, and the solvent which does not contain a hydroxyl group.
(C)塩基性化合物が、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造及びオニウムカルボキシレート構造、アニリン構造から選ばれる構造を有する化合物を少なくとも1種含有する請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。(C) a basic compound, an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure and an onium carboxylate structure, according to claim 1 to 3 which contains at least one compound having a structure selected from aniline structure according to any one Positive photosensitive composition. 更に(F)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、分子量3000以下の溶解阻止低分子化合物を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。Furthermore (F) is decomposed by the action of an acid having a group which increases the solubility in an alkali developer, claims 1-4 in which characterized by having a molecular weight of 3,000 or less of the dissolution inhibiting low molecular weight compound The positive photosensitive composition in any one. 請求項1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。Pattern forming method according film is formed by positive photosensitive composition according to any one of claim 1-5, exposing the film, characterized by development.
JP2001157367A 2001-02-23 2001-05-25 Positive photosensitive composition Expired - Fee Related JP4117117B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001157367A JP4117117B2 (en) 2001-02-23 2001-05-25 Positive photosensitive composition
KR1020020009638A KR100795109B1 (en) 2001-02-23 2002-02-22 Positive Photosensitive Composition
US10/079,414 US6858370B2 (en) 2001-02-23 2002-02-22 Positive photosensitive composition

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-48783 2001-02-23
JP2001048783 2001-02-23
JP2001157367A JP4117117B2 (en) 2001-02-23 2001-05-25 Positive photosensitive composition

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002323758A JP2002323758A (en) 2002-11-08
JP2002323758A5 JP2002323758A5 (en) 2006-01-26
JP4117117B2 true JP4117117B2 (en) 2008-07-16

Family

ID=26610015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001157367A Expired - Fee Related JP4117117B2 (en) 2001-02-23 2001-05-25 Positive photosensitive composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4117117B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004519520A (en) * 2001-04-05 2004-07-02 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド Perfluoroalkylsulfonic acid compounds for photoresists
JP4121388B2 (en) * 2003-01-30 2008-07-23 富士フイルム株式会社 Positive resist composition and compound that generates acid upon irradiation with actinic rays
JP4443898B2 (en) * 2003-11-13 2010-03-31 富士フイルム株式会社 Photosensitive composition and pattern forming method using the same
JP6136491B2 (en) * 2012-04-24 2017-05-31 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002323758A (en) 2002-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3912767B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4226803B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4150509B2 (en) Positive photosensitive composition
KR100933915B1 (en) Positive photosensitive compositions and pattern forming method using the same
JP4102032B2 (en) Positive resist composition
JP3827290B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4145075B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2003149812A (en) Positive photosensitive composition
JP4742156B2 (en) Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP2003330202A (en) Method for manufacturing positive resist composition
JP4025039B2 (en) Positive photosensitive composition
JP2003131383A (en) Positive photosensitive composition
JP3907164B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4025062B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4149141B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4025076B2 (en) Positive photosensitive composition
JP2003122011A (en) Positive photosensitive composition
JP4262422B2 (en) Positive photoresist composition and pattern forming method using the same
JP4117117B2 (en) Positive photosensitive composition
JP2003066626A (en) Positive photosensitive composition and method for forming thermal flow pattern
JP4313965B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4208422B2 (en) Positive resist composition
JP2003330194A (en) Positive photosensitive composition
JP4025075B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4231635B2 (en) Positive photosensitive composition

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051129

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051129

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060324

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071108

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080109

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080307

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080421

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4117117

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140425

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees