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JP4107150B2 - Induction heating device - Google Patents

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JP4107150B2
JP4107150B2 JP2003124042A JP2003124042A JP4107150B2 JP 4107150 B2 JP4107150 B2 JP 4107150B2 JP 2003124042 A JP2003124042 A JP 2003124042A JP 2003124042 A JP2003124042 A JP 2003124042A JP 4107150 B2 JP4107150 B2 JP 4107150B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波磁界による誘導加熱を利用して被加熱物の加熱を行う電磁調理器などの誘導加熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の誘導加熱装置(例えば、特許文献1参照)について図面を用いて説明する。図16は、従来の誘導加熱装置である。電源1と直列に配置された加熱コイル5と第1の半導体スイッチ6の直列回路と、加熱コイル5と並列に接続される第3のコンデンサ10と第3のコンデンサ10と並列に接続される第2のコンデンサ4と第2の半導体スイッチ7の直列回路と、第1の半導体スイッチ6に並列に接続される第1の逆導通素子26と、第2の半導体スイッチ7に並列に接続される第2の半導体スイッチ27で構成されている。
【0003】
図17は図16の動作波形を示す図である。I6は第1の半導体スイッチ6及び第1の逆導通素子26を流れる電流を、V6はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、I6は第2の半導体スイッチ7及び第2の逆導通素子27を流れる電流を、V7はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、I5は加熱コイル5を流れる電流を示している。
【0004】
続いて、図16及び図17を用いて従来の誘導加熱装置の動作を説明する。まず、制御手段9は第1の半導体スイッチ6を導通状態にすることで直流電源1から加熱コイル5に電力を供給する。この際図17のI6に示すようにほぼ直線上に電流が流れることになる。
【0005】
次に制御手段9は所定の時間で第1の半導体スイッチ6を非導通状態にする。すると加熱コイル5に貯えられたエネルギーはまず第3のコンデンサ10を充電し、図17のV6に示すように第1の半導体スイッチ6のコレクタ電位は緩やかに上昇させていく。そして第1の半導体スイッチ6のコレクタの電位が第2のコンデンサ4の電位と等しなった時に第2の逆導通素子27が導通状態になり、加熱コイル5のエネルギーは第2のコンデンサ4に蓄えられる。第2の逆導通素子27が導通状態の時に第2の半導体スイッチ7を導通状態にしておくことで、今度は図17のI7に示すように第2のコンデンサ4を電源として加熱コイル5に電力を供給することになる。制御手段9は所定の時間が経過したところで、第2の半導体スイッチ7を非導通状態にする。すると加熱コイル5に蓄えられたエネルギー及び第3のコンデンサ10に蓄えられたエネルギーは第1の逆導通素子26を通して直流電源1に回生される。この回生期間に第1の半導体スイッチ6を導通状態にすることで、再び電源1から加熱コイル5に電力が供給されることになる。この動作を20〜50kHz程度で行うことで、I5に示すような電流を加熱コイル5に流すことで高周波磁界が負荷8に供給され、負荷8の表面に渦電流が生じ負荷8が加熱されることになる。
【0006】
このように簡単な部品構成で誘導加熱が行え、かつ第2のコンデンサ4の容量を第3のコンデンサ10よりも大きくしておくことで、第1の半導体スイッチ6及び第2の半導体スイッチ7の耐圧を抑えられ安価な半導体スイッチが使えるなどの特徴がある。更に、第2のコンデンサ4の容量が第1及び第2のスイッチング素子6、7の駆動周波数よりも加熱コイル5と第2のコンデンサ4で形成される共振回路の共振周波数よりも充分低く設定されるため、制御手段9は入力電力や負荷の種類によらず周波数一定の条件で第1の半導体スイッチ6及び第2の半導体スイッチ7の導通時間を無理なく制御することができる。このことにより、隣接して2種類の負荷を加熱した場合においても、負荷同士の駆動周波数の差による干渉音が発生しない特徴がある。
【0007】
また、従来の誘導加熱装置の別な回路構成(例えば、特許文献2参照)の実施例について図面を用いて説明する。図18は従来の誘導加熱装置である。電源1と並列に第1の半導体スイッチ6と第2の半導体スイッチ7の直列体が接続され、第1の半導体スイッチ6には加熱コイル5と第1のコンデンサ3の直列接続、第3のコンデンサ10及び第1の逆導通素子26が接続され、第2の半導体スイッチ7には第2の逆導通素子27が接続され、更に負荷8は加熱コイル5と磁気的に結合する様に配置される。
【0008】
続いて本従来例の動作を説明する。第2の半導体スイッチ7が導通すると加熱コイル5に電源1と第1のコンデンサ3の電圧の差で決まる電流が供給される。次に第2の半導体スイッチ7をオフ状態にすると、第3のコンデンサ10に蓄えられた電荷が加熱コイル5を通して第1のコンデンサ3に移動し、第3のコンデンサ10の電荷がなくなった後は第1の逆導通素子26が導通することで、加熱コイル5から第1のコンデンサ3に電流が流れることになる。この第1の逆導通素子26が導通しているタイミングで、第1の半導体スイッチ6を導通状態としておくことで、加熱コイル5の電力が第1のコンデンサ3に遷移した後第1のコンデンサ3を電源として加熱コイル5に電力を供給することになる。
【0009】
さらに、所定時間が経過した後第1の半導体スイッチ6を非導通状態にすると、第3のコンデンサに電荷を蓄えた後、第2の逆導通素子27を通して加熱コイル5に蓄えられた電力を電源1に回生することになる。この回生期間に、再び第2の半導体スイッチ7を導通状態にすることで最初の動作に戻ることになる。
【0010】
ここで、第3のコンデンサは第1の半導体スイッチ6及び第2の半導体スイッチ7が非導通状態になる際に電圧を緩やかに増加させることで半導体スイッチのターンオフ時の損失を減少させる役割を担っている。また、本実施例の誘導加熱素は第1のコンデンサの容量を加熱コイル5と形成される共振回路の共振周波数の近傍に設定しなければ必要な電力が確保されず、一方負荷8の種類によって共振周波数は大きく異なるため、制御手段9が駆動周波数を共振周波数の近くに併せる制御つまり駆動周波数を変化させて制御を行っている。
【0011】
【特許文献1】
特開平8−262666号公報
【特許文献2】
特開平5−114474号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の誘導加熱装置においては(図16)、加熱コイル5に流れる電流は直流成分を中心として高周波成分が重畳した形となるため、例えば直流電源1が商用電源を整流した場合などでは、負荷8加熱する際に必要な高周波成分以外に商用電源の2倍成分が加熱コイル5に供給されることになる。この商用電源成分は負荷8に吸収されないため加熱コイル5から外部に放射されることになる。このような不要な電磁界の放射は周囲に雑音などを発生させる原因となる課題を有することになる。
【0013】
また、加熱コイル5に直流成分が流れ込まない従来例においては(図18)、負荷8の種類が変わった場合に駆動周波数を変化させることで、入力電力を確保する必要が生じる。これは、第1のコンデンサ3と加熱コイル5によって形成される共振回路の共振周波数に入力電力が大きく依存するため、入力電力を安定に確保するためには負荷8に応じて第1のスイッチング素子6と第2のスイッチング素子7の駆動周波数を変える必要があるためである。このため、誘導加熱装置が複数のバーナを持つ場合には互いの駆動周波数の差の周波数の干渉音が発生する課題を有することになる。
【0014】
本発明は上記の課題を解決するもので、商用周波数成分の電磁界を加熱コイルから放射を減少させることがで不要な雑音を減少させることができ、かつ入力電力あるいは負荷が異なる場合でも加熱コイルに流れる電流の周波数を一定に保つことで負荷の干渉音が発生しない誘導加熱装置を提供することを目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、第1の半導体スイッチと前記第1の半導体スイッチに並列に接続された逆導通素子と、第1の半導体スイッチの導通期間に入力電圧を限流する限流手段と、前記第1の半導体スイッチと直列に接続された第2の半導体スイッチと、前記第2の半導体スイッチに並列に接続された第2の逆導通素子と、負荷(被加熱物)を誘導加熱する加熱コイルと、前記第1の半導体スイッチまたは前記第2の半導体スイッチの導通期間に前記加熱コイルと直列共振回路を形成する第1のコンデンサ及び第2のコンデンサと、前記第1の半導体スイッチ及び前記第2の半導体スイッチの非導通時に前記加熱コイルと共振回路を形成する第3のコンデンサと、前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチの導通期間を一定周波数で互いに排他的に制御する制御回路を備え、前記第1のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第2のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第3のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定するとともに、前記限流手段を通じて電源からの電力供給を前記第1及び第2のコンデンサに行った後、前記第1及び第2のコンデンサから前記加熱コイルへ電力供給を行うとともに、前記限流手段が電源と加熱コイルが前記第1半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを介して短絡することを防止する作用を有することを特徴とする誘導加熱装置としている。
【0016】
これにより、電源からの電力供給が限流手段を通じて第1及び第2のコンデンサに行われた後、第1及び第2のコンデンサから加熱コイルへ電力供給が行われるため、電源と加熱コイルが半導体スイッチを介して短絡されることがなく、そのため電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルをほとんど通過せず、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能であり、かつ第1及び第2のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を制御回路の駆動周波数よりも大きくとることで、負荷が変化することにより共振周波数が変化しても、駆動周波数変えることなく一定周波数で制御することができ、かつ第3のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より低く設定することで、入力電力が小さい場合においても第3のコンデンサの充放電が素早く行われるため、入力電力が変化させる場合においても駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができるため隣接するバーナ間の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
請求項1〜7に係わる本発明は、第1の半導体スイッチと前記第1の半導体スイッチに並列に接続された逆導通素子と、第1の半導体スイッチの導通期間に入力電圧を限流する限流手段と、前記第1の半導体スイッチと直列に接続された第2の半導体スイッチと、前記第2の半導体スイッチに並列に接続された第2の逆導通素子と、加熱コイルと、前記第1の半導体スイッチまたは前記第2の半導体スイッチの導通期間に前記加熱コイルと直列共振回路を形成する第1のコンデンサ及び第2のコンデンサと、前記第1の半導体スイッチ及び前記第2の半導体スイッチの非導通時に前記加熱コイルと共振回路を形成する第3のコンデンサと、前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチの導通期間を一定周波数で互いに排他的に制御する制御回路を備え、前記第1のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第2のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第3のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定するとともに、前記限流手段を通じて電源からの電力供給を前記第1及び第2のコンデンサに行った後、前記第1及び第2のコンデンサから前記加熱コイルへ電力供給を行うとともに、前記限流手段が電源と加熱コイルが前記第1半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを介して短絡することを防止する作用を有することを特徴とする誘導加熱装置としている。
【0018】
これにより、電源からの電力供給が限流手段を通じて第1及び第2のコンデンサに行われた後、第1及び第2のコンデンサから加熱コイルへ電流供給が行われる。そして、限流手段が、電源と加熱コイルが半導体スイッチを介して短絡されることを防止し、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルをほとんど通過せず、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能となる。また、第1及び第2のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を制御回路の駆動周波数よりも低く設定することで、被加熱物の電気的特性が変り、加熱コイルの電気的特性、たとえばL成分などが変わって、回路の共振周波数が変化しても、駆動周波数への影響は吸収でき、駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができ、同様に第3のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より高く設定することで、入力電力が小さい場合においても第3のコンデンサの充放電が素早く行わるため、回路の共振周波数が変化しても、駆動周波数への影響は吸収でき、入力電力を変化させる場合においても駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができる。その結果、隣接するバーナ相互が同一の周波数で駆動でき、バーナー間の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【0019】
請求項2に係わる発明は上記に加え、第1の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第1のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなるものとしている。
【0020】
請求項3に係わる発明は上記に加え、第2の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第2のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなるものとしている。
【0021】
請求項4に係わる発明は上記に加え、第1のコンデンサの容量は第2のコンデンサの容量と同等もしくは大きくしたものとしている。
【0022】
請求項5に係わる発明は上記に加え、加熱コイルと並列に第3のコンデンサを接続してなるものとしている。
【0023】
これらも、同様に加熱コイルを流れる電流は常にコンデンサを通過することになり、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルに印可されることが減少するため、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを減少させることが可能であり、かつ加熱コイルに流れる電流の周波数を入力電力や負荷の種類によらず一定に保つことが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【0024】
請求項6に係わる発明は、直流電源に並列に接続される限流手段と第1の半導体スイッチの直列体と、前記第1の半導体スイッチと並列に接続される第1の逆導通素子と、負荷を誘導加熱するべく前記第1の半導体スイッチに接続される加熱コイルと第1のコンデンサの直列体と、前記加熱コイルに並列に接続される第2の半導体スイッチと第2のコンデンサの直列接続体と、前記第2の半導体スイッチに並列接続される第2の逆導通素子と、前記加熱コイルに並列接続される第3のコンデンサとを備え、前記第1のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第2のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第3のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定するとともに、前記限流手段を通じて電源からの電力供給を前記第1及び第2のコンデンサに行った後、前記第1及び第2のコンデンサから前記加熱コイルへ電力供給を行うとともに、前記限流手段が電源と加熱コイルが前記第1半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを介して短絡することを防止する作用を有する誘導加熱装置としている。
【0025】
これにより、加熱コイルを流れる電流は常にコンデンサを通過することになり、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルに印可されることが減少するため、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを減少させることが可能であり、かつ加熱コイルに流れる電流の周波数を入力電力や負荷の種類によらず一定に保つことが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【0026】
請求項8に係わる本発明は、上記に加え、限流手段と直列に第3の逆導通素子を接続する誘導加熱装置としている。
【0027】
これにより、上記に加え、第2のコンデンサから第2の半導体スイッチ及び限流手段を通して電源に電力が回生することを防止することができ、不要な電流の往来を防止することができ効率の低下を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【0028】
請求項9に関わる本発明は、商用電源と商用電源を整流する整流手段を備え、前記限流手段に電力を供給する第4のコンデンサを前記商用電源と前記整流手段の間に配する誘導加熱装置としている。
【0029】
これにより、上記に加え、特に逆導通素子を接続することなく不要な電源への電力の回生を防止することが可能になり、安価な誘導加熱装置を実現できるものである。
【0030】
請求項10に関わる本発明は、前記第3のコンデンサに直列にスイッチ手段を設け、入力電力の状態によりスイッチ手段を制御する誘導加熱装置としている。
【0031】
これにより、上記に加え、入力電力が少ない場合に生じる第3のコンデンサに電荷が残留した状態での第1または第2の半導体スイッチの導通により生じる損失増加を防止することが可能になり、損失が増加することなく入力電力を小さくすることが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【0032】
請求項11〜12に関わる本発明は、前記第1の半導体スイッチと前記第2の半導体スイッチを駆動する際に一定の非導通時間を設ける誘導加熱装置としている。
【0033】
これにより、上記に加え、確実に第1の半導体スイッチと第2の半導体スイッチが同時に導通することによる故障を防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0034】
請求項13に関わる本発明は、制御手段9が商用電源1の電流を検出する入力電流検出手段21の出力と入力電力指令値を比較し、その比較値により第1の半導体スイッチ6の導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【0035】
これにより、上記に加え、入力電力指令値に対して応答が早く制御性の良い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0036】
請求項14〜15に関わる本発明は、前記加熱コイルの電流を検出するコイル電流検出手段を設け、前記コイル電流検出手段が所定値になるように第1の半導体スイッチの導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【0037】
これにより、上記に加え、加熱コイルを流れる電流を制御することが可能になり、負荷の種類により加熱コイル電流が必要以上に流れることを防止することが可能になり、信頼性に優れた誘導加熱装置を実現できるものである。
【0038】
請求項16〜17に関わる本発明は、前記第1の半導体スイッチの電圧を検出する第1の電圧検出手段を設け、前記第1の電圧検出手段が所定値になるように第1の半導体スイッチの導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【0039】
これにより、上記に加え、負荷の種類により第1の半導体スイッチの電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0040】
請求項18〜19に関わる本発明は、前記第2の半導体スイッチの電圧を検出する第2の電圧検出手段を設け、前記第1の電圧検出手段が所定値になるように第1の半導体スイッチの導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【0041】
これにより、上記に加え、負荷の種類により第2の半導体スイッチの電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0042】
【実施例】
(実施例1)
本発明の第1の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0043】
図1は本実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図である。直流電源1は限流手段2を通して第1の半導体スイッチ6と接続され、第1の半導体スイッチ6には並列に第1の逆導通素子26が接続さている。また、第1の半導体スイッチ6は、加熱コイル5と第1のコンデンサ3の直列回路が接続されており、加熱コイル5には鍋などの負荷8が磁気的に結合するべく構成し加熱コイル5に流れる高周波電流で負荷8が電磁誘導加熱される。
【0044】
更に、加熱コイル5には第2の半導体スイッチ7と第2のコンデンサ4の直列回路が接続され、第2の半導体スイッチ7には第2の逆導通素子27が接続さている。そして制御手段9は第1の半導体スイッチ6と第2の半導体スイッチ7を交互に導通状態とすることで加熱コイル5を通して直流電源1の電力を負荷8に供給する構成としている。この際、制御手段9は第1の半導体スイッチ6と第2の半導体スイッチ7の駆動周波数を一定にすることで、隣接するバーナで加熱動作を行っても鍋間の干渉音が生じないようにしている。また、本実施例では第1及び第2の半導体スイッチ6、7は順方向に導通するIGBTとこれに逆並列に接続したダイオードで記載しているが、MOSFETのように素子内部にダイオードを構成した素子を用いても問題ない。
【0045】
次に本実施例に動作に関して説明する。図2はインバータ回路の各区間における電流経路を示した図であり、図3は図2に対応した波形図である。図3のI6は第1の半導体スイッチ6を流れる電流を、I26は第1の逆導通素子26を流れる電流を、V6はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、I6は第2の半導体スイッチ7を流れる電流を、I27は第2の逆導導通素子27を流れる電流を、V7はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、I5は加熱コイル5を流れる電流を、I2は限流手段2を流れる電流を示している。
【0046】
図2(a)の状態から説明する。制御手段9は電力指令値に応じて第1の半導体スイッチ6を導通状態とする。すると、直流電源1からは第1のスイッチング素子6の導通時間に応じ、限流手段にエネルギーが蓄えられる。一方、第1のコンデンサ3は第1のコンデンサ3を電源として加熱コイル5を通して負荷8に電力を供給する。これは図3のI6に示さるような波形となる。
【0047】
次に、制御手段9が第1の半導体スイッチ7を非導通状態とすると図2(b)の状態になり、加熱コイル5及び限流手段2の電流が第3のコンデンサ10を充電する動作となり、その結果第1の半導体スイッチ6の電圧は緩やかに上昇する。やがて、第2コンデンサ4と第3のコンデンサ10の電位が等しくなった時点で第2の逆導導通素子27が導通し、図2(c)の状態に遷移する。(c)では限流手段2に蓄えられた電力が第2の逆導通素子27を通して第1及び第2のコンデンサにエネルギーを蓄えられるとともに、加熱コイル5に蓄えられたエネルギーも第2のコンデンサ4に蓄えられる。このため図3のI7に見られるは大きな逆導通電流が第2の逆導導通素子27に流れることになる。制御手段9はこの第2の逆導通電流27に電流が流れている区間で第2の半導体スイッチ7を導通状態としておくことで、加熱コイル5から第2のコンデンサ4へのエネルギーの蓄積が終了した時点で図2(d)の状態になる。この(d)の状態では、第2のコンデンサ4を電源として加熱コイル5を通して負荷8に電力を供給することになる。
【0048】
また、限流手段2に蓄えられたエネルギーは加熱コイル5を通して第1のコンデンサ3に電力を蓄えることになる。そして、制御手段9が所定の時間で第2の半導体スイッチ7をオフ状態にすると、図2(e)の状態に遷移して第3のコンデンサ10から電荷を引き抜きながら、緩やかに第2の半導体スイッチ7の電圧が上昇していく。その後、第3のコンデンサの電位がゼロになった時点で、第1の逆導導通素子26が導通状態となり、加熱コイル5に蓄えられた電力は第1の逆導通素子26を通して第1のコンデンサ3にエネルギーを蓄えることになる。この第1の逆導通素子26が導通している区間で第1の半導体スイッチ6を導通状態にすることで図2(a)の状態に戻り、以下この動作を繰り返すことになる。この動作を20〜50kHz程度の周波数で連続的に繰り返すことで、図3のI5に示すように加熱コイルに高周波電流が流れ、この高周波電流により生じる高周波磁界が負荷8に吸収され、負荷8自身がもつ高周波抵抗と高周波磁界により生じる渦電流により負荷8自身が発熱することになる。
【0049】
このような構成をとることで、電源1からの電力供給が限流手段2を通じて第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4に行われた後、第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4から加熱コイル5へ電力供給が行われるため、電源1と加熱コイル5が第1の半導体スイッチ6または第2の半導体スイッチ7を介して短絡されることがなく、そのため電源1が変動する(脈流など)際にその周波数成分を持った電流が加熱コイル5をほとんど通過せず、加熱コイル5から電源1の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能となる。また、第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4と加熱コイル5で形成される共振回路の共振周波数を制御回路9の駆動周波数よりも大きくとることで、負荷8が変化することにより共振周波数が変化しても、制御手段9は駆動周波数変えることなく一定周波数で制御することができる。つまり、第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4と加熱コイル5の共振周波数を駆動周波数よりも充分低く設定することで、負荷8の変化により第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4と加熱コイル5の共振周波数が変化しても、駆動周波数を共振周波数に追従しなくとも入力電力を確保することが可能である。
【0050】
また、第3のコンデンサ10と加熱コイル5で形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より高く設定することで、入力電力が小さい場合においても第3のコンデンサ10の充放電が素早く行われるため、入力電力が変化させる場合においても制御手段9は駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができる。その結果、例えば隣接するバーナ間のように近くで誘導加熱装置を動作させる際に誘導加熱装置の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することができる。
【0051】
また、限流手段2は図3I2に示すように限流手段2の電流が常にゼロ以下にならないような容量を選択した方が望ましく、また第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4の容量は加熱コイル5へ高周波電力を供給できる容量があれば十分であるため、数μF〜数十μFで十分であり、両者の容量も同じかやや第1のコンデンサ3の容量が大きい方が望ましい。ここで、限流手段2としてはセンダストや薄型珪素鋼板などの磁性体をコアとしたチョークコイルが使用される。
【0052】
なお、第3のコンデンサは、図4に示すように第1の半導体スイッチ6と並列に配置する場合、図5に示すように第2の半導体スイッチ7と並列に配置する場合、図6に示すように双方に配置する場合においても加熱コイル5に並列に入れる場合と同様の効果が得られ、第1の半導体スイッチ6及び第2の半導体スイッチ7のターンオフ時の損失を大幅に減少させる役割を持つことになる。
【0053】
以上のように本実施例によれば、電源1からの電力供給が限流手段2を通じて第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4に行われた後、第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4から加熱コイル5へ電力供給が行われるため、電源1と加熱コイル5が第1の半導体スイッチ6または第2の半導体スイッチ7を介して短絡されることがなく、そのため電源1が変動する(脈流など)際にその周波数成分を持った電流が加熱コイル5をほとんど通過せず、加熱コイル5から電源1の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能であり、かつ第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4と加熱コイル5で形成される共振回路の共振周波数を制御回路9の駆動周波数よりも低く設定することで、負荷8が変化することにより共振周波数が変化しても、制御手段9は駆動周波数変えることなく一定周波数で制御することができ、かつ第3のコンデンサ10と加熱コイル5で形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より高く設定することで、入力電力が小さい場合においても第3のコンデンサ10の充放電が素早く行われるため、入力電力が変化させる場合においても制御手段9は駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができるため隣接するバーナ間の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【0054】
(実施例2)
本発明の第2の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0055】
本実施例の構成を図7に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、限流手段2と直列に第3の逆導通素子13が接続されている点である。
【0056】
上記構成における動作について説明する。図8に本実施例での動作についての動作図を示す。第3の逆導通素子13がない場合には、限流手段2の容量が小さいと、第2の半導体スイッチ7が導通状態の時に第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4を電源として、第1のコンデンサ3→第2のコンデンサ4→第2の半導体スイッチ7→限流手段2→直流電源1の経路でコンデンサに蓄えられた電力が直流電源1に回生されることになる。この際、必要な電力を負荷8に供給しようとすると、大きなリップル電流が限流手段2に必要となり、限流手段2の損失が大きくなることになる。ここで第3の逆導通素子13を限流手段2に接続することで図8のI2に示すように直流電源1に電力が回生することを防止することが可能になる。
【0057】
以上の様に本実施例によれば、限流手段2に第3の逆導通素子13を直列に接続することで、第2のコンデンサ4から第2の半導体スイッチ7及び逆導通素子2を通して直流電源1に電力が回生することを防止することができ、不要な電流の往来を防止することができ効率の低下を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【0058】
(実施例3)
本発明の第3の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0059】
本実施例の構成を図9に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、直流電源1を商用電源16、第4のコンデンサ17、整流ブリッジ18で構成しており、限流手段2に電力を供給する第4のコンデンサ17を商用電源16と整流ブリッジ18の間に配置している点である。
【0060】
本実施例の動作について説明する。限流手段2に電力を供給する第4のコンデンサ17が整流ブリッジ18の出力側に配された場合には、限流手段2の容量が小さいと、第2の半導体スイッチ7が導通状態の時に第1のコンデンサ3及び第2のコンデンサ4を電源として、第1のコンデンサ3→第2のコンデンサ4→第2の半導体スイッチ7→限流手段2→第4のコンデンサ17の経路でコンデンサに蓄えられた電力が第4のコンデンサ17に回生されることになる。この際、必要な電力を負荷8に供給しようとすると、大きなリップル電流が限流手段2に必要となり、限流手段2の損失が大きくなることになる。ここで限流手段17を整流ブリッジ18の入力側に配することで第4のコンデンサ17に電力が回生することを防止することが可能になる。
【0061】
以上の様に本実施例によれば、第4のコンデンサ17を整流ブリッジ18の入力側に配することで、第2のコンデンサ4から第2の半導体スイッチ7及び限流手段2を通して第4のコンデンサ17に電力が回生することを防止することができ、不要な電流の往来を防止することができ効率の低下を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【0062】
(実施例4)
本発明の第4の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0063】
本実施例の構成を図10に示す。本実施例が実施例2と異なるのは、第3のコンデンサ10と直列にスイッチ手段20が接続されており、入力電力の状態に応じて制御手段9がスイッチ手段20の入り切りを行う点である。
【0064】
本実施例の動作について説明する。入力電力が大きい場合には第3のコンデンサ10の電荷がゼロになるすなわち第1の逆導通素子26及び第2の逆導通素子27が導通している状態で各々のスイッチを導通状態にすることで導通する瞬間の損失(ターンオン損失)をほぼ零にして動作させることができる。
【0065】
しかし、入力電力が小さい場合には、第3のコンデンサ10の電荷がなくなる前に第1及び第2の半導体スイッチ6,7を導通状態にする場合が生じ、第3のコンデンサの効果によるターンオフ損失の低減以上にターンオン損失が大きくなる場合が生じることになる。このような傾向は入力電力が小さくなるほど大きくなるため、制御手段9は入力電力の状態によりスイッチ手段20を用いて第3のコンデンサを切り離すことで、入力電力をより小さいところまで絞ることが可能になる。なお、スイッチ手段20はリレースイッチや半導体スイッチなど特に限定するものではない。
【0066】
以上の様に本実施例では、前記第3のコンデンサと直列にスイッチ手段20を設けることにより、入力電力が少ない場合に生じる第3のコンデンサに電荷が残留した状態での第1または第2の半導体スイッチ6,7の導通により生じる損失増加を防止することが可能になり、損失が増加することなく入力電力を小さくすることが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【0067】
(実施例5)
本発明の第5の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0068】
本実施例の構成は図1と同構成となるため省略する。
【0069】
本実施例の動作について説明する。図11は、本実施例での入力電力制御を行う際の各部波形を示している。図11(a)は入力電力が大きい場合の各波形であり、図11(b)は入力電力が小さい場合の各スイッチング素子の電圧、電流波形である。ここでVg6、Vg7はそれぞれの第1のスイッチング素子6及び第2のスイッチング素子7に加えられる駆動信号を示している。制御手段9は周波数一定で、第1の半導体スイッチ6の導通時間と第2の半導体スイッチ7の導通時間を同時に変える、つまり導通比を変えることで入力電力制御を行っている。ここで、第1の半導体スイッチ6及び第2の半導体スイッチ7の導通状態の変化中、一定の非導通時間(td1及びtd2)を持たせている。
【0070】
更に、本実施例では第1の半導体スイッチ6の導通状態から第2の半導体スイッチ7の導通状 態に遷移する際の非導通時間(td2)方が、第2の半導体スイッチ7の導通状態から第1の 半導体スイッチ6の導通状態への遷移する際の非導通時間(td1)を長く設定することがで きる。これは、第1及び第2の半導体スイッチ6,7を導通状態するタイミングとして各々の 逆導通素子が導通状態にあるときが望ましく、その逆導通素子の導通時間が異なるためである。このように、非導通時間を一定値に設定することで第1の半導体スイッチ6と第2の半導体 スイッチ7が同時に導通状態になることを防止することが可能になる。更に非導通時間(td 1、td2)を一定とすることで、制御手段9を簡略化することができる信頼性の高い誘導加 熱装置とすることができる。
【0071】
以上の様に本実施例によれば、第1の半導体スイッチ6と第2の半導体スイッチ7を駆動する際に一定の非導通時間を設けることにより、確実に第1の半導体スイッチ6と第2の半導体スイッチ7が同時に導通することによる故障を防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0072】
(実施例6)
本発明の第6の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0073】
本実施例の構成を図12に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、直流電源1を商用電源16を整流ブリッジ18で整流した後、第4のコンデンサ17で作っている点と、入力電流検出手段21を整流ブリッジ18の入力側に設けている点である。
【0074】
本実施例の動作について説明する。図12に示すように、制御手段9は入力電流検出手段21で検出された電流値と制御手段9の内部にある指令値を比較し、指令値通りの電力値になるように第1の半導体スイッチ6の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、指令値の対する追従性が良くなり制御性に優れた誘導加熱装置を実現できるものである。また、加熱コイルに流れる電流を周波数一定で動作させるため、第1の半導体スイッチ6の導通時間が決まると一意に第2の半導体スイッチ7の導通時間も決まることになる。
【0075】
以上の様に本実施例によれば、制御手段9は商用電源1の電流を検出する入力電流検出手段21の出力と入力電力指令値を比較し、その比較値により第1の半導体スイッチ6の導通時間を制御することにより、入力電力指令値に対して応答が早く制御性の良い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0076】
(実施例7)
本発明の第7の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0077】
本実施例の構成を図13に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、直流電源1を商用電源16を整流ブリッジ18で整流した後、第4のコンデンサ17で作っている点と、コイル電流検出手段22を加熱コイル5と直列に設けている点である。
【0078】
本実施例の動作について説明する。図13に示すように、制御手段9はコイル電流検出手段22で検出されたコイル電流値と制御手段9の内部にある指令値を比較し、指令値通りのコイル電流になるように第1の半導体スイッチ6の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、負荷8を流れる電流を制御することが可能になり、負荷8が変動したことを瞬時に検出し変動に応じた制御をすることが可能になる。
【0079】
また、コイル電流が所定値以上にならないように制限することで、負荷8に非磁性なべなどの高周波抵抗が低い負荷などを使用する場合には、、コイル電流が流れすぎることで部品の発熱等が増加することを防止することが可能になる。
【0080】
以上のように本実施例によれば、コイル電流検出手段22により、加熱コイル5を流れる電流を制御することで、負荷8の種類により加熱コイル5の電流が必要以上に流れることを防止することが可能になり、信頼性に優れた誘導加熱装置を実現できるものである。
【0081】
(実施例8)
本発明の第8の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0082】
本実施例の構成を図14に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、直流電源1を商用電源16を整流ブリッジ18で整流した後、第4のコンデンサ17で作っている点と、第1の半導体スイッチ6のコレクタ−エミッタ間電圧を検出する第1の電圧検出手段23を備えている点である。
【0083】
本実施例の動作について説明する。図14に示すように、制御手段9は第1の電圧検出手段23で検出された第1の半導体スイッチ6のコレクタ−エミッタ間電圧と制御手段9の内部にある指令値を比較し、指令値通りのコレクタ−エミッタ間電圧になるように第1の半導体スイッチ6の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、第1の半導体スイッチ6の電圧を制御することが可能になり、負荷8が変動したことを瞬時に検出し変動に応じた制御をすることが可能になる。
【0084】
また、コレクタ−エミッタ間電圧が所定値以上にならないように制限することで、コレクタ−エミッタ間の電圧を所定値以内に納めることが可能になり、耐圧による部品破壊等を防止することが可能になる。
【0085】
以上のように本実施例によれば、第1の半導体スイッチ6の電圧を検出する第1の電圧検出手段23を設け、第1の電圧検出手段23が所定値になるように第1の半導体スイッチ6の導通時間を制御することで、負荷の種類により第1の半導体スイッチ6の電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0086】
(実施例9)
本発明の第11の実施例について図面を参照しながら説明する。
【0087】
本実施例の構成を図15に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、直流電源1を商用電源16を整流ブリッジ18で整流した後、第4のコンデンサ17で作っている点と、第2の半導体スイッチ7のコレクタ−エミッタ間電圧を検出する第2の電圧検出手段24を備えている点である。
【0088】
本実施例の動作について説明する。図15に示すように、制御手段9は第2の電圧検出手段24で検出された第2の半導体スイッチ7のコレクタ−エミッタ間電圧と制御手段9の内部にある指令値を比較し、指令値通りのコレクタ−エミッタ間電圧になるように第1の半導体スイッチ6の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、第2の半導体スイッチ7の電圧を制御することが可能になり、負荷8が変動したことを瞬時に検出し変動に応じた制御をすることが可能になる。また、コレクタ−エミッタ間電圧が所定値以上にならないように制限することで、コレクタ−エミッタ間の電圧を所定値以内に納めることが可能になり、耐圧による部品破壊等を防止することが可能になる。
【0089】
以上のように本実施例によれば、第2の半導体スイッチ7の電圧を検出する第2の電圧検出手段24を設け、第2の電圧検出手段24が所定値になるように第2の半導体スイッチ7の導通時間を制御することで、負荷の種類により第2の半導体スイッチ7の電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【0090】
【発明の効果】
これにより、加熱コイル5を流れる電流は常にコンデンサを通過することになり、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルに印可されることが減少するため、加熱コイル5から電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを減少させることが可能であり、かつ加熱コイル5に流れる電流の周波数を入力電力や負荷の種類によらず一定に保つことができ、隣接バーナで加熱を行う際に負荷干渉音が生じない誘導加熱装置を実現するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図2】 (a)本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の第1の半導体スイッチ6を導通状態とする動作モードを示す図
(b)本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の第1の半導体スイッチ6を非導通状態とする動作モードを示す図
(c)本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の第1の半導体スイッチ6を非導通状態とし、第2の逆導通素子27が導通状態とする動作モードを示す図
(d)本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の第2の半導体スイッチ7が導通状態とする動作モードを示す図
(e)本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の第2の半導体スイッチ7をオフ状態にする動作モードを示す図
(f)本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の第2の半導体スイッチ7を非導通状態とし、第1の逆導通素子26が導通状態とする動作モードを示す図
【図3】 本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の動作波形を示す図
【図4】 本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の異なる回路構成を示す図
【図5】 本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の異なる回路構成を示す図
【図6】 本発明の第1の実施例の誘導加熱装置の異なる回路構成を示す図
【図7】 本発明の第2の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図8】 本発明の第2の実施例の誘導加熱装置の動作波形を示す図
【図9】 本発明の第3の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図10】 本発明の第4の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図11】 (a)本発明の第5の実施例の誘導加熱装置の入力電力大時の動作波形を示す図
(b)本発明の第5の実施例の誘導加熱装置の入力電力小時の動作波形を示す図
【図12】 本発明の第6の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図13】 本発明の第7の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図14】 本発明の第8の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図15】 本発明の第9の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図16】 従来の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図17】 従来の誘導加熱装置の波形を示す図
【図18】 従来の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【符号の説明】
1 直流電源
2 限流手段
3 第1のコンデンサ
4 第2のコンデンサ
5 加熱コイル
6 第1の半導体スイッチ
7 第2の半導体スイッチ
8 負荷
9 制御手段
10 第3のコンデンサ
13 第3の逆導通素子
16 商用電源
17 第4のコンデンサ
18 整流ブリッジ
20 スイッチ手段
21 入力電流検出手段
22 コイル電流検出手段
23 第1の電圧検出手段
24 第2の電圧検出手段
26 第1の逆導通素子
27 第2の逆導通素子
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an induction heating device such as an electromagnetic cooker that heats an object to be heated by using induction heating by a high frequency magnetic field.
[0002]
[Prior art]
A conventional induction heating apparatus (see, for example, Patent Document 1) will be described with reference to the drawings. FIG. 16 shows a conventional induction heating apparatus. A series circuit of a heating coil 5 and a first semiconductor switch 6 arranged in series with the power source 1, a third capacitor 10 connected in parallel with the heating coil 5, and a third capacitor 10 connected in parallel with the third capacitor 10. A series circuit of two capacitors 4 and a second semiconductor switch 7, a first reverse conducting element 26 connected in parallel to the first semiconductor switch 6, and a first circuit connected in parallel to the second semiconductor switch 7. 2 semiconductor switches 27.
[0003]
FIG. 17 is a diagram showing operation waveforms of FIG. I6 is the current flowing through the first semiconductor switch 6 and the first reverse conducting element 26, V6 is the collector-emitter voltage, and I6 is the current flowing through the second semiconductor switch 7 and the second reverse conducting element 27. V7 represents the collector-emitter voltage, and I5 represents the current flowing through the heating coil 5.
[0004]
Then, operation | movement of the conventional induction heating apparatus is demonstrated using FIG.16 and FIG.17. First, the control means 9 supplies electric power from the DC power supply 1 to the heating coil 5 by bringing the first semiconductor switch 6 into a conductive state. At this time, a current flows substantially on a straight line as indicated by I6 in FIG.
[0005]
Next, the control means 9 brings the first semiconductor switch 6 into a non-conductive state for a predetermined time. Then, the energy stored in the heating coil 5 first charges the third capacitor 10, and the collector potential of the first semiconductor switch 6 gradually rises as indicated by V6 in FIG. When the collector potential of the first semiconductor switch 6 becomes equal to the potential of the second capacitor 4, the second reverse conducting element 27 becomes conductive, and the energy of the heating coil 5 is transferred to the second capacitor 4. Stored. By keeping the second semiconductor switch 7 in a conductive state when the second reverse conducting element 27 is in a conductive state, this time, as shown by I7 in FIG. Will be supplied. The control means 9 makes the second semiconductor switch 7 non-conductive when a predetermined time has elapsed. Then, the energy stored in the heating coil 5 and the energy stored in the third capacitor 10 are regenerated to the DC power source 1 through the first reverse conducting element 26. By making the first semiconductor switch 6 conductive during this regeneration period, power is again supplied from the power source 1 to the heating coil 5. By performing this operation at about 20 to 50 kHz, a high frequency magnetic field is supplied to the load 8 by passing a current as shown in I5 through the heating coil 5, and an eddy current is generated on the surface of the load 8 to heat the load 8. It will be.
[0006]
In this way, induction heating can be performed with a simple component configuration, and the capacitance of the second capacitor 4 is made larger than that of the third capacitor 10, so that the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7 It has features such as the use of inexpensive semiconductor switches with reduced withstand voltage. Further, the capacitance of the second capacitor 4 is set sufficiently lower than the resonance frequency of the resonance circuit formed by the heating coil 5 and the second capacitor 4 than the drive frequency of the first and second switching elements 6 and 7. Therefore, the control means 9 can reasonably control the conduction time of the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7 under a constant frequency condition regardless of the input power and the type of load. Thus, even when two types of loads are heated adjacent to each other, there is a feature that no interference sound is generated due to a difference in driving frequency between the loads.
[0007]
In addition, an example of another circuit configuration of the conventional induction heating device (for example, see Patent Document 2) will be described with reference to the drawings. FIG. 18 shows a conventional induction heating apparatus. A series body of a first semiconductor switch 6 and a second semiconductor switch 7 is connected in parallel with the power source 1, and a series connection of a heating coil 5 and a first capacitor 3 is connected to the first semiconductor switch 6, a third capacitor. 10 and the first reverse conducting element 26 are connected, a second reverse conducting element 27 is connected to the second semiconductor switch 7, and the load 8 is arranged to be magnetically coupled to the heating coil 5. .
[0008]
Next, the operation of this conventional example will be described. When the second semiconductor switch 7 is turned on, a current determined by the voltage difference between the power source 1 and the first capacitor 3 is supplied to the heating coil 5. Next, when the second semiconductor switch 7 is turned off, the charge stored in the third capacitor 10 moves to the first capacitor 3 through the heating coil 5, and after the charge of the third capacitor 10 is lost. When the first reverse conducting element 26 is conducted, a current flows from the heating coil 5 to the first capacitor 3. The first capacitor 3 is turned on after the power of the heating coil 5 is changed to the first capacitor 3 by setting the first semiconductor switch 6 to the conductive state at the timing when the first reverse conducting element 26 is conducted. As a power source, power is supplied to the heating coil 5.
[0009]
Further, when the first semiconductor switch 6 is turned off after a predetermined time has elapsed, the electric charge stored in the heating coil 5 is supplied to the power source through the second reverse conducting element 27 after the electric charge is stored in the third capacitor. It will regenerate to 1. In this regeneration period, the second semiconductor switch 7 is turned on again to return to the initial operation.
[0010]
Here, the third capacitor plays a role of reducing the loss at the time of turn-off of the semiconductor switch by gradually increasing the voltage when the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7 become non-conductive. ing. In addition, the induction heating element of this embodiment cannot secure necessary power unless the capacity of the first capacitor is set in the vicinity of the resonance frequency of the resonance circuit formed with the heating coil 5. Since the resonance frequency is greatly different, the control means 9 performs control by combining the drive frequency close to the resonance frequency, that is, by changing the drive frequency.
[0011]
[Patent Document 1]
JP-A-8-262666
[Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 5-114474
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a conventional induction heating device (FIG. 16), since the current flowing through the heating coil 5 has a high frequency component superimposed on the DC component, for example, when the DC power source 1 rectifies the commercial power source For example, in addition to the high-frequency component necessary for heating the load 8, a component twice the commercial power source is supplied to the heating coil 5. Since this commercial power supply component is not absorbed by the load 8, it is radiated from the heating coil 5 to the outside. Such unnecessary electromagnetic field radiation has a problem that causes noise and the like in the surroundings.
[0013]
In the conventional example in which a direct current component does not flow into the heating coil 5 (FIG. 18), it is necessary to secure input power by changing the drive frequency when the type of the load 8 changes. This is because the input power greatly depends on the resonance frequency of the resonance circuit formed by the first capacitor 3 and the heating coil 5, so that the first switching element according to the load 8 is required to ensure stable input power. This is because it is necessary to change the driving frequency of 6 and the second switching element 7. For this reason, when an induction heating apparatus has a some burner, it has the subject that the interference sound of the frequency of the difference of a mutual drive frequency generate | occur | produces.
[0014]
The present invention solves the above-described problems, and can reduce unnecessary noise by reducing the radiation of the electromagnetic field of the commercial frequency component from the heating coil, and even when the input power or the load is different, the heating coil An object of the present invention is to provide an induction heating device that does not generate a load interference sound by keeping the frequency of the current flowing through the coil constant.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, the present invention provides a first semiconductor switch, a reverse conducting element connected in parallel to the first semiconductor switch, and a limit for limiting an input voltage during a conduction period of the first semiconductor switch. A flow means, a second semiconductor switch connected in series with the first semiconductor switch, a second reverse conducting element connected in parallel to the second semiconductor switch, and a load (object to be heated) A heating coil for induction heating, a first capacitor and a second capacitor that form a series resonance circuit with the heating coil during conduction of the first semiconductor switch or the second semiconductor switch, and the first semiconductor A third capacitor that forms a resonance circuit with the heating coil when the switch and the second semiconductor switch are non-conductive, and a conductive period of the first semiconductor switch and the second semiconductor switch A control circuit that exclusively controls each other at a constant frequency, the resonance frequency of the resonance circuit formed by the first capacitor and the heating coil, and the resonance frequency of the resonance circuit formed by the second capacitor and the heating coil, Set lower than the drive frequency of the control circuit, and set the resonance frequency of the resonance circuit formed by the third capacitor and the heating coil to be higher than the drive frequency of the control circuit. In addition, after supplying power from the power source to the first and second capacitors through the current limiting means, power is supplied from the first and second capacitors to the heating coil, and the current limiting means includes The power supply and the heating coil have an action of preventing a short circuit through the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. It is set as the induction heating apparatus characterized by this.
[0016]
As a result, after the power supply from the power supply is performed to the first and second capacitors through the current limiting means, the power supply is performed from the first and second capacitors to the heating coil. It is not short-circuited via the switch, so that the current with the frequency component of the power supply hardly passes through the heating coil, and the magnetic field with the frequency component of the power supply is radiated from the heating coil to the outside. The resonance frequency of the resonance circuit formed by the first and second capacitors and the heating coil can be made larger than the drive frequency of the control circuit, so that the resonance frequency can be reduced by changing the load. Even if it changes, it can be controlled at a constant frequency without changing the driving frequency, and the resonance frequency of the resonance circuit formed by the third capacitor and the heating coil can be controlled. By setting the frequency lower than the dynamic frequency, the third capacitor can be charged and discharged quickly even when the input power is small. Therefore, even when the input power is changed, control can be performed at a constant frequency without changing the drive frequency. Therefore, it is possible to realize an induction heating device capable of preventing the interference sound of the load caused by the difference in driving frequency between adjacent burners.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention according to claims 1 to 7 includes a first semiconductor switch, a reverse conducting element connected in parallel to the first semiconductor switch, and a limit for limiting the input voltage during the conducting period of the first semiconductor switch. Current means, a second semiconductor switch connected in series with the first semiconductor switch, a second reverse conducting element connected in parallel with the second semiconductor switch, a heating coil, and the first A first capacitor and a second capacitor that form a series resonant circuit with the heating coil during a conduction period of the semiconductor switch or the second semiconductor switch, and non-connection of the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. The conduction period of the third capacitor forming a resonance circuit with the heating coil and the first semiconductor switch and the second semiconductor switch when conducting is controlled mutually exclusively at a constant frequency. A resonance circuit formed by the first capacitor and the heating coil, and a resonance frequency of the resonance circuit formed by the second capacitor and the heating coil is set lower than a drive frequency of the control circuit. And setting the resonance frequency of the resonance circuit formed by the third capacitor and the heating coil to be higher than the drive frequency of the control circuit. In addition, after supplying power from the power source to the first and second capacitors through the current limiting means, power is supplied from the first and second capacitors to the heating coil, and the current limiting means includes The power supply and the heating coil have an action of preventing a short circuit through the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. It is set as the induction heating apparatus characterized by this.
[0018]
As a result, power is supplied from the power source to the first and second capacitors through the current limiting means, and then current is supplied from the first and second capacitors to the heating coil. The current limiting means prevents the power source and the heating coil from being short-circuited via the semiconductor switch, and the current having the frequency component of the power source hardly passes through the heating coil. It is possible to greatly reduce the radiated magnetic field to the outside. In addition, by setting the resonance frequency of the resonance circuit formed by the first and second capacitors and the heating coil to be lower than the drive frequency of the control circuit, the electrical characteristics of the object to be heated change, and the heating coil electrical Even if the characteristic, for example, the L component changes, and the resonance frequency of the circuit changes, the influence on the driving frequency can be absorbed and can be controlled at a constant frequency without changing the driving frequency. By setting the resonance frequency of the resonance circuit formed by the heating coil higher than the drive frequency, the third capacitor can be charged and discharged quickly even when the input power is small. However, the influence on the drive frequency can be absorbed, and even when the input power is changed, control can be performed at a constant frequency without changing the drive frequency. As a result, it is possible to realize an induction heating apparatus that can drive adjacent burners at the same frequency and prevent the interference noise of the load caused by the difference in drive frequency between the burners.
[0019]
In addition to the above, the first semiconductor switch is configured such that the first capacitor and the heating coil form a resonance circuit when conducting in the forward direction.
[0020]
In addition to the above, the second semiconductor switch is configured such that the second capacitor and the heating coil form a resonance circuit when conducting in the forward direction.
[0021]
In the invention according to claim 4, in addition to the above, the capacity of the first capacitor is equal to or larger than the capacity of the second capacitor.
[0022]
In the invention according to claim 5, in addition to the above, a third capacitor is connected in parallel with the heating coil.
[0023]
Similarly, since the current flowing through the heating coil always passes through the capacitor, and the current having the frequency component of the power source is reduced from being applied to the heating coil, the frequency component of the power source from the heating coil is reduced. It is possible to reduce the amount of magnetic field radiated to the outside, and to realize an induction heating device that can keep the frequency of the current flowing in the heating coil constant regardless of the type of input power or load It is.
[0024]
The invention according to claim 6 is a series body of current limiting means and a first semiconductor switch connected in parallel to a DC power source, a first reverse conducting element connected in parallel with the first semiconductor switch, A series body of a heating coil and a first capacitor connected to the first semiconductor switch for induction heating of a load, and a series connection of a second semiconductor switch and a second capacitor connected in parallel to the heating coil Body, a second reverse conducting element connected in parallel to the second semiconductor switch, and a third capacitor connected in parallel to the heating coil, and formed by the first capacitor and the heating coil. The resonance frequency of the resonance circuit formed by the resonance circuit and the second capacitor and the heating coil is set lower than the drive frequency of the control circuit, and the third capacitor and the heating Set higher also than the driving frequency of the control circuit the resonance frequency of the resonant circuit formed by yl In addition, after supplying power from the power source to the first and second capacitors through the current limiting means, power is supplied from the first and second capacitors to the heating coil, and the current limiting means includes The power supply and the heating coil have an action of preventing a short circuit through the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. It is an induction heating device.
[0025]
As a result, the current flowing through the heating coil always passes through the capacitor, and the current having the frequency component of the power supply is reduced from being applied to the heating coil. Therefore, the magnetic field having the frequency component of the power supply from the heating coil is reduced. It is possible to reduce the amount of radiation radiated to the outside and realize an induction heating device that can keep the frequency of the current flowing through the heating coil constant regardless of the type of input power or load. .
[0026]
In addition to the above, the present invention according to claim 8 is an induction heating apparatus in which a third reverse conducting element is connected in series with the current limiting means.
[0027]
As a result, in addition to the above, it is possible to prevent power from being regenerated from the second capacitor to the power source through the second semiconductor switch and the current limiting means, and it is possible to prevent unnecessary current from flowing and decrease efficiency. It is possible to realize an induction heating apparatus capable of preventing the above.
[0028]
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an induction heating system comprising a commercial power supply and a rectifying means for rectifying the commercial power supply, and a fourth capacitor for supplying power to the current limiting means is disposed between the commercial power supply and the rectifying means. It is a device.
[0029]
Thereby, in addition to the above, it becomes possible to prevent regeneration of electric power to an unnecessary power source without connecting a reverse conducting element in particular, and an inexpensive induction heating apparatus can be realized.
[0030]
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided an induction heating apparatus in which switching means is provided in series with the third capacitor and the switching means is controlled according to the state of input power.
[0031]
As a result, in addition to the above, it becomes possible to prevent an increase in loss caused by the conduction of the first or second semiconductor switch in a state where electric charge remains in the third capacitor that occurs when the input power is low. It is possible to realize an induction heating device capable of reducing the input power without increasing the current.
[0032]
The present invention according to claims 11 to 12 is an induction heating apparatus that provides a certain non-conduction time when driving the first semiconductor switch and the second semiconductor switch.
[0033]
As a result, in addition to the above, it is possible to reliably prevent a failure due to the first semiconductor switch and the second semiconductor switch being simultaneously conducted simultaneously, thereby realizing a highly reliable induction heating apparatus.
[0034]
According to the thirteenth aspect of the present invention, the control means 9 compares the output of the input current detection means 21 for detecting the current of the commercial power supply 1 with the input power command value, and the conduction time of the first semiconductor switch 6 is determined by the comparison value. Induction heating device for controlling
[0035]
Thereby, in addition to the above, it is possible to realize an induction heating device that has a quick response to the input power command value and good controllability.
[0036]
The present invention according to claims 14 to 15 is provided with coil current detection means for detecting the current of the heating coil, and induction for controlling the conduction time of the first semiconductor switch so that the coil current detection means becomes a predetermined value. It is a heating device.
[0037]
As a result, in addition to the above, it is possible to control the current flowing through the heating coil, and it is possible to prevent the heating coil current from flowing more than necessary depending on the type of load, and induction heating with excellent reliability. A device can be realized.
[0038]
According to the sixteenth to seventeenth aspects of the present invention, there is provided first voltage detection means for detecting the voltage of the first semiconductor switch, and the first semiconductor switch is set so that the first voltage detection means has a predetermined value. The induction heating device controls the conduction time.
[0039]
As a result, in addition to the above, it is possible to prevent the voltage of the first semiconductor switch from rising more than necessary depending on the type of load, and a highly reliable induction heating apparatus can be realized.
[0040]
The present invention according to claims 18 to 19 includes second voltage detection means for detecting the voltage of the second semiconductor switch, and the first semiconductor switch is set so that the first voltage detection means has a predetermined value. The induction heating device controls the conduction time.
[0041]
As a result, in addition to the above, it is possible to prevent the voltage of the second semiconductor switch from rising more than necessary depending on the type of load, and a highly reliable induction heating apparatus can be realized.
[0042]
【Example】
(Example 1)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0043]
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of the induction heating apparatus of this embodiment. The direct current power source 1 is connected to the first semiconductor switch 6 through the current limiting means 2, and the first reverse conducting element 26 is connected to the first semiconductor switch 6 in parallel. The first semiconductor switch 6 is connected to a series circuit of the heating coil 5 and the first capacitor 3. The heating coil 5 is configured so that a load 8 such as a pan is magnetically coupled to the heating coil 5. The load 8 is heated by electromagnetic induction by the high-frequency current flowing through.
[0044]
Further, a series circuit of a second semiconductor switch 7 and a second capacitor 4 is connected to the heating coil 5, and a second reverse conducting element 27 is connected to the second semiconductor switch 7. And the control means 9 is set as the structure which supplies the electric power of the DC power supply 1 to the load 8 through the heating coil 5 by making the 1st semiconductor switch 6 and the 2nd semiconductor switch 7 into a conduction | electrical_connection state alternately. At this time, the control means 9 keeps the driving frequency of the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7 constant so that no interference sound between the pans is generated even if the heating operation is performed with the adjacent burner. ing. In this embodiment, the first and second semiconductor switches 6 and 7 are described as IGBTs conducting in the forward direction and diodes connected in reverse parallel thereto, but the diodes are configured inside the elements like MOSFETs. There is no problem even if the device is used.
[0045]
Next, the operation of this embodiment will be described. FIG. 2 is a diagram showing a current path in each section of the inverter circuit, and FIG. 3 is a waveform diagram corresponding to FIG. In FIG. 3, I6 indicates a current flowing through the first semiconductor switch 6, I26 indicates a current flowing through the first reverse conducting element 26, V6 indicates a collector-emitter voltage thereof, and I6 flows through the second semiconductor switch 7. I27 is the current flowing through the second reverse conducting element 27, V7 is the collector-emitter voltage, I5 is the current flowing through the heating coil 5, and I2 is the current flowing through the current limiting means 2. Yes.
[0046]
A description will be given from the state of FIG. The control means 9 makes the first semiconductor switch 6 conductive according to the power command value. Then, energy is stored in the current limiting means from the DC power source 1 according to the conduction time of the first switching element 6. On the other hand, the first capacitor 3 supplies power to the load 8 through the heating coil 5 using the first capacitor 3 as a power source. This is a waveform as shown by I6 in FIG.
[0047]
Next, when the control means 9 brings the first semiconductor switch 7 into a non-conducting state, the state shown in FIG. 2B is obtained, and the current of the heating coil 5 and the current limiting means 2 charges the third capacitor 10. As a result, the voltage of the first semiconductor switch 6 gradually increases. Eventually, when the potentials of the second capacitor 4 and the third capacitor 10 become equal, the second reverse conducting element 27 becomes conductive, and the state transitions to the state of FIG. In (c), the electric power stored in the current limiting means 2 can store energy in the first and second capacitors through the second reverse conducting element 27, and the energy stored in the heating coil 5 can also be stored in the second capacitor 4. Stored in For this reason, as shown in I7 of FIG. 3, a large reverse conduction current flows to the second reverse conduction element 27. The control means 9 keeps the second semiconductor switch 7 in a conducting state during the period in which the current flows through the second reverse conducting current 27, thereby completing the accumulation of energy from the heating coil 5 to the second capacitor 4. At this point, the state shown in FIG. In the state (d), power is supplied to the load 8 through the heating coil 5 using the second capacitor 4 as a power source.
[0048]
Further, the energy stored in the current limiting means 2 stores electric power in the first capacitor 3 through the heating coil 5. Then, when the control means 9 turns off the second semiconductor switch 7 for a predetermined time, the state of the second semiconductor switch 7 is gradually lowered while the state transitions to the state of FIG. The voltage of the switch 7 increases. Thereafter, when the potential of the third capacitor becomes zero, the first reverse conducting element 26 becomes conductive, and the electric power stored in the heating coil 5 passes through the first reverse conducting element 26 to the first capacitor. 3 will store energy. By bringing the first semiconductor switch 6 into a conducting state while the first reverse conducting element 26 is conducting, the state returns to the state of FIG. 2A, and this operation is repeated thereafter. By repeating this operation continuously at a frequency of about 20 to 50 kHz, a high-frequency current flows through the heating coil as indicated by I5 in FIG. 3, and a high-frequency magnetic field generated by this high-frequency current is absorbed by the load 8, and the load 8 itself The load 8 itself generates heat due to the eddy current generated by the high-frequency resistance and the high-frequency magnetic field.
[0049]
With such a configuration, after the power supply from the power source 1 is supplied to the first capacitor 3 and the second capacitor 4 through the current limiting means 2, the first capacitor 3 and the second capacitor 4 Since power is supplied to the heating coil 5, the power source 1 and the heating coil 5 are not short-circuited via the first semiconductor switch 6 or the second semiconductor switch 7, and therefore the power source 1 fluctuates (pulsating flow). It is possible to greatly reduce the fact that the current having the frequency component hardly passes through the heating coil 5 and the magnetic field having the frequency component of the power source 1 is radiated from the heating coil 5 to the outside. Become. Further, by setting the resonance frequency of the resonance circuit formed by the first capacitor 3 and the second capacitor 4 and the heating coil 5 to be higher than the drive frequency of the control circuit 9, the resonance frequency is changed by changing the load 8. Even if it changes, the control means 9 can control at a constant frequency without changing the driving frequency. That is, by setting the resonance frequency of the first capacitor 3 and the second capacitor 4 and the heating coil 5 sufficiently lower than the driving frequency, the first capacitor 3 and the second capacitor 4 are heated by the change of the load 8. Even if the resonance frequency of the coil 5 changes, the input power can be secured without following the drive frequency to the resonance frequency.
[0050]
In addition, since the resonance frequency of the resonance circuit formed by the third capacitor 10 and the heating coil 5 is set higher than the drive frequency, the third capacitor 10 can be charged and discharged quickly even when the input power is small. Even when the input power is changed, the control means 9 can control at a constant frequency without changing the driving frequency. As a result, for example, when the induction heating apparatus is operated as close as between adjacent burners, it is possible to prevent the interference noise of the load caused by the difference in the driving frequency of the induction heating apparatus.
[0051]
Further, as shown in FIG. 3I2, it is desirable that the current limiting means 2 has a capacity such that the current of the current limiting means 2 is not always less than or equal to zero, and the capacity of the first capacitor 3 and the second capacitor 4 is Since it is sufficient if there is a capacity capable of supplying high-frequency power to the heating coil 5, several μF to several tens μF are sufficient, and it is desirable that the capacity of both is the same or the capacity of the first capacitor 3 is large. Here, a choke coil having a core made of a magnetic material such as sendust or a thin silicon steel plate is used as the current limiting means 2.
[0052]
In addition, when arrange | positioning in parallel with the 1st semiconductor switch 6 as shown in FIG. 4, when arrange | positioning in parallel with the 2nd semiconductor switch 7 as shown in FIG. 5, a 3rd capacitor | condenser is shown in FIG. Thus, when both are arranged, the same effect as that obtained when the heating coil 5 is placed in parallel is obtained, and the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7 have a role of greatly reducing the loss at the time of turn-off. Will have.
[0053]
As described above, according to this embodiment, after the power supply 1 is supplied to the first capacitor 3 and the second capacitor 4 through the current limiting means 2, the first capacitor 3 and the second capacitor are supplied. Since power is supplied from 4 to the heating coil 5, the power source 1 and the heating coil 5 are not short-circuited via the first semiconductor switch 6 or the second semiconductor switch 7, and therefore the power source 1 fluctuates ( In this case, the current having the frequency component hardly passes through the heating coil 5 and the magnetic field having the frequency component of the power source 1 is radiated from the heating coil 5 to the outside. The load 8 is changed by setting the resonance frequency of the resonance circuit formed by the first capacitor 3 and the second capacitor 4 and the heating coil 5 to be lower than the drive frequency of the control circuit 9. Even if the resonance frequency changes, the control means 9 can control at a constant frequency without changing the drive frequency, and the resonance frequency of the resonance circuit formed by the third capacitor 10 and the heating coil 5 can be set to the drive frequency. By setting a higher value, the third capacitor 10 is quickly charged / discharged even when the input power is small. Therefore, even when the input power is changed, the control means 9 controls at a constant frequency without changing the drive frequency. Therefore, it is possible to realize an induction heating device capable of preventing the interference sound of the load caused by the difference in driving frequency between adjacent burners.
[0054]
(Example 2)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0055]
The configuration of this embodiment is shown in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that a third reverse conducting element 13 is connected in series with the current limiting means 2.
[0056]
The operation in the above configuration will be described. FIG. 8 shows an operation diagram for the operation in this embodiment. In the case where the third reverse conducting element 13 is not provided, if the capacity of the current limiting means 2 is small, the first capacitor 3 and the second capacitor 4 are used as a power source when the second semiconductor switch 7 is in a conducting state. The power stored in the capacitor is regenerated to the DC power supply 1 through the path of 1 capacitor 3 → second capacitor 4 → second semiconductor switch 7 → current limiting means 2 → DC power supply 1. At this time, if the necessary power is supplied to the load 8, a large ripple current is required for the current limiting means 2, and the loss of the current limiting means 2 becomes large. Here, by connecting the third reverse conducting element 13 to the current limiting means 2, it becomes possible to prevent the power from being regenerated in the DC power source 1 as indicated by I2 in FIG.
[0057]
As described above, according to the present embodiment, the third reverse conducting element 13 is connected in series to the current limiting means 2, thereby allowing direct current from the second capacitor 4 through the second semiconductor switch 7 and the reverse conducting element 2. It is possible to realize an induction heating device that can prevent power from being regenerated in the power source 1, can prevent unnecessary current from coming and going, and can prevent a decrease in efficiency.
[0058]
(Example 3)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0059]
The configuration of this example is shown in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that the DC power source 1 is composed of a commercial power source 16, a fourth capacitor 17, and a rectifier bridge 18, and a fourth capacitor 17 for supplying power to the current limiting means 2 is provided. The point is that it is disposed between the commercial power supply 16 and the rectifying bridge 18.
[0060]
The operation of this embodiment will be described. In the case where the fourth capacitor 17 for supplying power to the current limiting means 2 is arranged on the output side of the rectifier bridge 18, if the capacity of the current limiting means 2 is small, the second semiconductor switch 7 is in the conductive state. Using the first capacitor 3 and the second capacitor 4 as a power source, the first capacitor 3 → the second capacitor 4 → the second semiconductor switch 7 → the current limiting means 2 → the fourth capacitor 17 is stored in the capacitor. The generated electric power is regenerated in the fourth capacitor 17. At this time, if the necessary power is supplied to the load 8, a large ripple current is required for the current limiting means 2, and the loss of the current limiting means 2 becomes large. Here, by arranging the current limiting means 17 on the input side of the rectifying bridge 18, it is possible to prevent power from being regenerated in the fourth capacitor 17.
[0061]
As described above, according to the present embodiment, the fourth capacitor 17 is arranged on the input side of the rectifier bridge 18, whereby the fourth capacitor 17 is passed through the second semiconductor switch 7 and the current limiting means 2. It is possible to realize an induction heating device that can prevent the regeneration of electric power in the capacitor 17 and can prevent unnecessary current from passing and can prevent a decrease in efficiency.
[0062]
Example 4
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0063]
The configuration of this embodiment is shown in FIG. This embodiment is different from the second embodiment in that the switch means 20 is connected in series with the third capacitor 10 and the control means 9 turns the switch means 20 on and off according to the state of the input power. .
[0064]
The operation of this embodiment will be described. When the input power is large, the charge of the third capacitor 10 becomes zero, that is, each switch is turned on in a state where the first reverse conducting element 26 and the second reverse conducting element 27 are conducting. It is possible to operate with the loss (turn-on loss) at the moment of conduction at approximately zero.
[0065]
However, when the input power is small, there is a case where the first and second semiconductor switches 6 and 7 are turned on before the charge of the third capacitor 10 runs out, and the turn-off loss due to the effect of the third capacitor. In some cases, the turn-on loss becomes larger than the reduction of the above. Since such a tendency becomes larger as the input power becomes smaller, the control means 9 can reduce the input power to a smaller value by separating the third capacitor using the switch means 20 according to the state of the input power. Become. The switch means 20 is not particularly limited, such as a relay switch or a semiconductor switch.
[0066]
As described above, in this embodiment, by providing the switch means 20 in series with the third capacitor, the first or second in a state where electric charge remains in the third capacitor generated when the input power is small. An increase in loss caused by conduction of the semiconductor switches 6 and 7 can be prevented, and an induction heating apparatus that can reduce the input power without increasing the loss can be realized.
[0067]
(Example 5)
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0068]
Since the configuration of this embodiment is the same as that shown in FIG.
[0069]
The operation of this embodiment will be described. FIG. 11 shows each part waveform when performing input power control in this embodiment. FIG. 11A shows waveforms when the input power is large, and FIG. 11B shows voltage and current waveforms of the switching elements when the input power is small. Here, Vg6 and Vg7 indicate drive signals applied to the first switching element 6 and the second switching element 7, respectively. The control means 9 controls the input power by changing the conduction time of the first semiconductor switch 6 and the conduction time of the second semiconductor switch 7 simultaneously, that is, by changing the conduction ratio, with a constant frequency. Here, during the change of the conduction state of the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7, a certain non-conduction time (td1 and td2) is given.
[0070]
Furthermore, in this embodiment, the non-conducting time (td2) when transitioning from the conducting state of the first semiconductor switch 6 to the conducting state of the second semiconductor switch 7 is different from the conducting state of the second semiconductor switch 7. The non-conducting time (td1) when the first semiconductor switch 6 transitions to the conducting state can be set long. This is because it is desirable that each reverse conducting element is in a conducting state as the timing for conducting the first and second semiconductor switches 6 and 7, and the conducting times of the reverse conducting elements are different. In this way, it is possible to prevent the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7 from being simultaneously turned on by setting the non-conduction time to a constant value. Further, by making the non-conduction time (td 1, td 2) constant, it is possible to provide a highly reliable induction heating apparatus that can simplify the control means 9.
[0071]
As described above, according to this embodiment, when the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 7 are driven, the first semiconductor switch 6 and the second semiconductor switch 6 are surely provided by providing a certain non-conduction time. Therefore, it is possible to prevent a failure due to simultaneous conduction of the semiconductor switches 7 and to realize a highly reliable induction heating apparatus.
[0072]
(Example 6)
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0073]
The configuration of this embodiment is shown in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that the DC power source 1 is rectified from the commercial power source 16 by the rectifier bridge 18 and then made by the fourth capacitor 17, and the input current detection means 21 is connected to the rectifier bridge 18. This is a point provided on the input side.
[0074]
The operation of this embodiment will be described. As shown in FIG. 12, the control means 9 compares the current value detected by the input current detection means 21 with the command value inside the control means 9, and the first semiconductor has a power value according to the command value. The conduction time of the switch 6 is controlled. By performing such control, the followability to the command value is improved, and an induction heating apparatus having excellent controllability can be realized. Further, since the current flowing through the heating coil is operated at a constant frequency, when the conduction time of the first semiconductor switch 6 is determined, the conduction time of the second semiconductor switch 7 is also uniquely determined.
[0075]
As described above, according to the present embodiment, the control means 9 compares the output of the input current detection means 21 for detecting the current of the commercial power supply 1 with the input power command value, and the first semiconductor switch 6 is compared with the comparison value. By controlling the conduction time, it is possible to realize an induction heating device having a quick response to the input power command value and good controllability.
[0076]
(Example 7)
A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0077]
The configuration of this example is shown in FIG. The present embodiment is different from the first embodiment in that the DC power source 1 is made of the fourth capacitor 17 after the commercial power source 16 is rectified by the rectifier bridge 18, and the coil current detecting means 22 is connected to the heating coil 5. It is a point provided in series.
[0078]
The operation of this embodiment will be described. As shown in FIG. 13, the control means 9 compares the coil current value detected by the coil current detection means 22 with the command value inside the control means 9, and the first current is obtained so that the coil current becomes the command value. The conduction time of the semiconductor switch 6 is controlled. By performing such control, it is possible to control the current flowing through the load 8, and it is possible to instantaneously detect that the load 8 fluctuates and perform control according to the fluctuation.
[0079]
Further, by limiting the coil current so as not to exceed a predetermined value, when using a load having a low high-frequency resistance such as a non-magnetic pan as the load 8, heat generation of parts due to excessive coil current flow, etc. Can be prevented from increasing.
[0080]
As described above, according to the present embodiment, the current flowing through the heating coil 5 is controlled by the coil current detecting means 22, thereby preventing the current in the heating coil 5 from flowing more than necessary depending on the type of the load 8. Therefore, an induction heating apparatus with excellent reliability can be realized.
[0081]
(Example 8)
An eighth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0082]
The configuration of this embodiment is shown in FIG. The present embodiment is different from the first embodiment in that the DC power source 1 is made of the fourth capacitor 17 after the commercial power source 16 is rectified by the rectifier bridge 18 and the collector-emitter of the first semiconductor switch 6. It is the point provided with the 1st voltage detection means 23 which detects a voltage between.
[0083]
The operation of this embodiment will be described. As shown in FIG. 14, the control means 9 compares the collector-emitter voltage of the first semiconductor switch 6 detected by the first voltage detection means 23 with the command value inside the control means 9, and determines the command value. The conduction time of the first semiconductor switch 6 is controlled so as to obtain the same collector-emitter voltage. By performing such control, the voltage of the first semiconductor switch 6 can be controlled, and it is possible to instantaneously detect that the load 8 has changed and to perform control according to the change.
[0084]
In addition, by limiting the collector-emitter voltage so that it does not exceed a predetermined value, it becomes possible to keep the collector-emitter voltage within a predetermined value, and it is possible to prevent component breakdown due to breakdown voltage. Become.
[0085]
As described above, according to the present embodiment, the first voltage detecting means 23 for detecting the voltage of the first semiconductor switch 6 is provided, and the first semiconductor is set so that the first voltage detecting means 23 becomes a predetermined value. By controlling the conduction time of the switch 6, it becomes possible to prevent the voltage of the first semiconductor switch 6 from rising more than necessary depending on the type of load, and a highly reliable induction heating device can be realized. It is.
[0086]
Example 9
An eleventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0087]
The configuration of this embodiment is shown in FIG. The present embodiment is different from the first embodiment in that the DC power source 1 is made of the fourth capacitor 17 after the commercial power source 16 is rectified by the rectifier bridge 18 and the collector-emitter of the second semiconductor switch 7. The second voltage detecting means 24 for detecting the inter-voltage is provided.
[0088]
The operation of this embodiment will be described. As shown in FIG. 15, the control means 9 compares the collector-emitter voltage of the second semiconductor switch 7 detected by the second voltage detection means 24 with the command value inside the control means 9 and determines the command value. The conduction time of the first semiconductor switch 6 is controlled so as to obtain the same collector-emitter voltage. By performing such control, the voltage of the second semiconductor switch 7 can be controlled, and it is possible to instantaneously detect that the load 8 has changed and to perform control according to the change. In addition, by limiting the collector-emitter voltage so that it does not exceed a predetermined value, it becomes possible to keep the collector-emitter voltage within a predetermined value, and it is possible to prevent component breakdown due to breakdown voltage. Become.
[0089]
As described above, according to the present embodiment, the second voltage detecting means 24 for detecting the voltage of the second semiconductor switch 7 is provided, and the second semiconductor is set so that the second voltage detecting means 24 becomes a predetermined value. By controlling the conduction time of the switch 7, it becomes possible to prevent the voltage of the second semiconductor switch 7 from rising more than necessary depending on the type of load, and a highly reliable induction heating device can be realized. It is.
[0090]
【The invention's effect】
As a result, the current flowing through the heating coil 5 always passes through the capacitor, and the current having the frequency component of the power supply is reduced from being applied to the heating coil. It is possible to reduce the radiated magnetic field to the outside, and the frequency of the current flowing through the heating coil 5 can be kept constant regardless of the type of input power or load, and heating is performed by an adjacent burner. In this case, an induction heating apparatus that does not generate load interference sound is realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2A is a diagram showing an operation mode in which the first semiconductor switch 6 of the induction heating apparatus according to the first embodiment of the present invention is in a conductive state.
(B) The figure which shows the operation mode which makes the 1st semiconductor switch 6 of the induction heating apparatus of the 1st Example of this invention a non-conduction state.
(C) The figure which shows the operation mode which makes the 1st semiconductor switch 6 of the induction heating apparatus of the 1st Example of this invention the non-conduction state, and makes the 2nd reverse conduction element 27 a conduction state.
(D) The figure which shows the operation mode which the 2nd semiconductor switch 7 of the induction heating apparatus of the 1st Example of this invention makes into a conduction | electrical_connection state.
(E) The figure which shows the operation mode which turns off the 2nd semiconductor switch 7 of the induction heating apparatus of the 1st Example of this invention.
(F) The figure which shows the operation mode which makes the 2nd semiconductor switch 7 of the induction heating apparatus of the 1st Example of this invention a non-conduction state, and makes the 1st reverse conduction element 26 a conduction state.
FIG. 3 is a diagram showing operation waveforms of the induction heating apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing different circuit configurations of the induction heating apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a different circuit configuration of the induction heating apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing different circuit configurations of the induction heating apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing operation waveforms of the induction heating apparatus according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 11A is a diagram showing operation waveforms when the input power is large in the induction heating apparatus of the fifth embodiment of the present invention.
(B) The figure which shows the operation | movement waveform at the time of the input power small of the induction heating apparatus of the 5th Example of this invention.
FIG. 12 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a diagram showing a circuit configuration of an induction heating apparatus according to a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional induction heating apparatus.
FIG. 17 shows a waveform of a conventional induction heating device
FIG. 18 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional induction heating device.
[Explanation of symbols]
1 DC power supply
2 Current limiting means
3 First capacitor
4 Second capacitor
5 Heating coil
6 First semiconductor switch
7 Second semiconductor switch
8 Load
9 Control means
10 Third capacitor
13 Third reverse conducting element
16 Commercial power supply
17 Fourth capacitor
18 Rectifier bridge
20 Switch means
21 Input current detection means
22 Coil current detection means
23 First voltage detecting means
24 Second voltage detection means
26 First reverse conducting element
27 Second reverse conducting element

Claims (19)

第1の半導体スイッチと、前記第1の半導体スイッチに並列に接続された逆導通素子と、第1の半導体スイッチの導通期間に入力電圧を限流する限流手段と、前記第1の半導体スイッチと直列に接続された第2の半導体スイッチと、前記第2の半導体スイッチに並列に接続された第2の逆導通素子と、被加熱物を誘導加熱する加熱コイルと、前記第1の半導体スイッチまたは前記第2の半導体スイッチの導通期間に前記加熱コイルと直列共振回路を形成する第1のコンデンサ及び第2のコンデンサと、前記第1の半導体スイッチ及び前記第2の半導体スイッチの非導通時に前記加熱コイルと共振回路を形成する第3のコンデンサと、前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチの導通期間を一定駆動周波数で互いに排他的に制御する制御回路とを備え、前記第1のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第2のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第3のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定するとともに、前記限流手段を通じて電源からの電力供給を前記第1及び第2のコンデンサに行った後、前記第1及び第2のコンデンサから前記加熱コイルへ電力供給を行うとともに、前記限流手段が電源と加熱コイルが前記第1半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを介して短絡することを防止する作用を有することを特徴とする誘導加熱装置。A first semiconductor switch; a reverse conducting element connected in parallel to the first semiconductor switch; current limiting means for limiting an input voltage during a conduction period of the first semiconductor switch; and the first semiconductor switch. A second semiconductor switch connected in series with the second semiconductor switch, a second reverse conducting element connected in parallel to the second semiconductor switch, a heating coil for inductively heating an object to be heated, and the first semiconductor switch Alternatively, the first capacitor and the second capacitor that form a series resonance circuit with the heating coil during the conduction period of the second semiconductor switch, and the first semiconductor switch and the second semiconductor switch when the second semiconductor switch is non-conductive. The conduction period of the third capacitor that forms the resonance circuit with the heating coil and the first semiconductor switch and the second semiconductor switch are mutually controlled exclusively at a constant drive frequency. A resonance circuit formed by the first capacitor and the heating coil, and a resonance frequency of the resonance circuit formed by the second capacitor and the heating coil is lower than a drive frequency of the control circuit. And setting the resonance frequency of the resonance circuit formed by the third capacitor and the heating coil to be higher than the drive frequency of the control circuit, and supplying power from the power source through the current limiting means to the first And supplying power to the heating coil from the first and second capacitors, and the current limiting means includes a power source and a heating coil serving as the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. An induction heating apparatus characterized by having an effect of preventing a short circuit through a wire. 第1の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第1のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなる請求項1に記載の誘導加熱装置。  The induction heating device according to claim 1, wherein the first semiconductor switch has a resonance circuit formed by the first capacitor and the heating coil when conducting in the forward direction. 第2の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第2のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなる請求項1または2に記載の誘導加熱装置。  The induction heating apparatus according to claim 1 or 2, wherein the second semiconductor switch is formed by a second circuit and a heating coil forming a resonance circuit when conducting in the forward direction. 第1のコンデンサの容量は第2のコンデンサの容量と同等もしくは大きくした請求項1〜3のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The induction heating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the capacity of the first capacitor is equal to or larger than the capacity of the second capacitor. 加熱コイルと並列に第3のコンデンサを接続してなる請求項1〜4のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The induction heating apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a third capacitor is connected in parallel with the heating coil. 直流電源に並列に接続される限流手段と第1の半導体スイッチの直列体と、前記第1の半導体スイッチと並列に接続される第1の逆導通素子と、負荷を誘導加熱するべく前記第1の半導体スイッチに接続される加熱コイルと第1のコンデンサの直列体と、前記加熱コイルに並列に接続される第2の半導体スイッチと第2のコンデンサの直列接続体と、前記第2の半導体スイッチに並列接続される第2の逆導通素子と、前記加熱コイルに並列接続される第3のコンデンサとを備え、前記第1のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第2のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第3のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定するとともに、前記限流手段を通じて電源からの電力供給を前記第1及び第2のコンデンサに行った後、前記第1及び第2のコンデンサから前記加熱コイルへ電力供給を行うとともに、前記限流手段が電源と加熱コイルが前記第1半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを介して短絡することを防止する作用を有する誘導加熱装置。A current limiting means connected in parallel to a DC power source and a series body of first semiconductor switches; a first reverse conducting element connected in parallel to the first semiconductor switch; and the first current conducting means for inductively heating a load. A series connection body of a heating coil and a first capacitor connected to one semiconductor switch, a second connection body of a second semiconductor switch and a second capacitor connected in parallel to the heating coil, and the second semiconductor A second reverse conducting element connected in parallel to the switch; and a third capacitor connected in parallel to the heating coil; a resonance circuit formed by the first capacitor and the heating coil; and the second capacitor The resonance frequency of the resonance circuit formed by the capacitor and the heating coil is set lower than the drive frequency of the control circuit, and the resonance circuit formed by the third capacitor and the heating coil is set. As well as higher than the driving frequency of the resonant frequency and the control circuit, after the power supply from the power source was performed in the first and second capacitors through said current limiting means, from said first and second capacitors An induction heating apparatus that supplies power to the heating coil and has a function of preventing a short circuit between the power source and the heating coil via the first semiconductor switch and the second semiconductor switch while the current limiting means . 第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチの一方または両方に第3のコンデンサを接続してなる請求項1〜4、および6のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The induction heating apparatus according to claim 1, wherein a third capacitor is connected to one or both of the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. 限流手段と直列に第3の逆導通素子を接続する請求項1〜7のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The induction heating apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein a third reverse conducting element is connected in series with the current limiting means. 商用電源と前記商用電源を整流する整流手段を備え、前記限流手段に電力を供給する第4のコンデンサを前記商用電源と前記整流手段の間に配する請求項1〜7のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The rectifier that rectifies the commercial power source and the commercial power source, and a fourth capacitor that supplies power to the current limiting unit is disposed between the commercial power source and the rectifier unit. The induction heating device described in 1. 第3のコンデンサは、直列にスイッチ手段を備え、入力電力の状態によりスイッチ手段を制御する請求項1〜9のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The induction heating device according to any one of claims 1 to 9, wherein the third capacitor includes switch means in series and controls the switch means according to a state of input power. 第1の半導体スイッチと前記第2の半導体スイッチを駆動する際に一定の非導通時間を設ける請求項1〜10のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The induction heating device according to claim 1, wherein a certain non-conduction time is provided when driving the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. 非導通時間は、第1の半導体スイッチから前記第2の半導体スイッチに動作が切り替わる際の非導通時間より、前記第2の半導体スイッチから第1の半導体スイッチに動作が切り替わる際の非導通時間を短く設定する請求項11に記載の誘導加熱装置。  The non-conducting time is the non-conducting time when the operation is switched from the second semiconductor switch to the first semiconductor switch than the non-conducting time when the operation is switched from the first semiconductor switch to the second semiconductor switch. The induction heating device according to claim 11, wherein the induction heating device is set short. 電源の電流を検出する入力電流検出手段を設け、前記入力電流検出手段が所定値になるように第1の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項1〜12のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  13. The induction according to claim 1, further comprising an input current detection unit configured to detect a current of a power source, and controlling a conduction time of the first semiconductor switch so that the input current detection unit has a predetermined value. Heating device. 加熱コイルの電流を検出するコイル電流検出手段を設け、前記コイル電流検出手段が所定値になるように第1の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項1〜12のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The coil current detection means for detecting the current of the heating coil is provided, and the conduction time of the first semiconductor switch is controlled so that the coil current detection means becomes a predetermined value. Induction heating device. コイル電流検出手段が所定値以上にならないように第1のスイッチング素子の導通時間を制限する請求項14に記載の誘導加熱装置。  The induction heating device according to claim 14, wherein the conduction time of the first switching element is limited so that the coil current detection means does not exceed a predetermined value. 第1の半導体スイッチの電圧を検出する第1の電圧検出手段を設け、前記第1の電圧検出手段が所定値になるように第1の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項1〜12のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The first voltage detection means for detecting the voltage of the first semiconductor switch is provided, and the conduction time of the first semiconductor switch is controlled so that the first voltage detection means becomes a predetermined value. The induction heating apparatus according to any one of the above. 第1の電圧検出手段の電圧が所定値以上にならないように第1のスイッチング素子の導通時間を制限する請求項16に記載の誘導加熱装置。  The induction heating device according to claim 16, wherein the conduction time of the first switching element is limited so that the voltage of the first voltage detection means does not exceed a predetermined value. 第2の半導体スイッチの電圧を検出する第2の電圧検出手段を設け、前記第1の電圧検出手段が所定値になるように第1の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項1〜12のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。  The second voltage detecting means for detecting the voltage of the second semiconductor switch is provided, and the conduction time of the first semiconductor switch is controlled so that the first voltage detecting means becomes a predetermined value. The induction heating apparatus according to any one of the above. 第2の電圧検出手段の電圧が所定値以上にならないように第1のスイッチング素子の導通時間を制限する請求項18に記載の誘導加熱装置。  The induction heating device according to claim 18, wherein the conduction time of the first switching element is limited so that the voltage of the second voltage detection means does not exceed a predetermined value.
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