Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP4173781B2 - 高圧処理方法 - Google Patents

高圧処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4173781B2
JP4173781B2 JP2003292924A JP2003292924A JP4173781B2 JP 4173781 B2 JP4173781 B2 JP 4173781B2 JP 2003292924 A JP2003292924 A JP 2003292924A JP 2003292924 A JP2003292924 A JP 2003292924A JP 4173781 B2 JP4173781 B2 JP 4173781B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
chamber
temperature
fluid
heated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003292924A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005064269A (ja
Inventor
由彦 坂下
孝彦 石井
昌弘 山形
哲也 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP2003292924A priority Critical patent/JP4173781B2/ja
Priority to US10/915,320 priority patent/US7520938B2/en
Publication of JP2005064269A publication Critical patent/JP2005064269A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4173781B2 publication Critical patent/JP4173781B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0021Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、例えば半導体基板の如く表面に微細な凹凸(微細構造表面)を有する被処理体を洗浄等する際に適用される高圧処理方法に関し、殊に、高圧処理後の減圧工程を最適化する高圧処理方法に関するものである。
半導体製造プロセスの中でレジストを用いてパターン形成する場合、パターン形成後に不要となったレジストや、エッチングの時に生成して基板上に残存するエッチングポリマー等の不要物や汚染物質を基板から除去するための洗浄工程や基板表面に付着した水分を除去する乾燥工程などを含む高圧処理が必要となる。
また、半導体製造プロセスは通常、クリーンルーム内で行われるため、高圧処理もクリーンルーム内において行なうことが望ましい。しかし、クリーンルームはその建設はもとより、維持管理においてもかなり経費がかかるため、高圧処理装置も、設置面積が小さく、機能性に優れていることが求められ、半導体の微細化に伴ってその要求は益々高まっている。
そこで最近では、半導体製造プロセスの高圧処理において超臨界流体を使用する高圧処理方法が検討されている。
例えば高圧処理の洗浄工程において、洗浄効率を高めるためには、被処理体を高圧処理チャンバー内へ装入し、或いは取出すときの減圧・昇圧操作を速やかに行なう必要がある。
本発明者等は、こうした要望に対処すべく、先に高圧処理チャンバー内の減圧や昇圧を速やかに行なうことのできる高圧処理方法及び装置を提案している(特許文献1)。
特開2002−367943号
ところで、高圧処理方法では、減圧時の断熱膨張によって、温度が気液二相共存領域、或いは固体析出領域まで降下してしまうために、液相に起因してパーティクルが発生し、半導体ウェハの歩留まり率を低下するという懸念があった。この様な懸念を払拭するためには、減圧に時間をかけて圧力の降下スピードを遅くすることも有効であるが処理時間が長くなるという問題が生じている。
本発明者らが既に提案している上記技術では、減圧処理の前工程で高圧流体の温度を高めておき、気相を経由して減圧することによって、液相に起因するパーティクルの問題を克服している。しかしこの技術では、昇温に要する時間・コストが生産性向上の阻害要因となっていた。また処理温度以上に被処理体を加熱することが望ましくない場合には、該技術を改良する必要があった。
そこで本発明は、減圧による温度降下に伴う上記諸問題を解決することを目的とし、具体的には減圧に伴って温度が気液二相共存領域、或いは固体析出領域まで降下する問題を解決することのできる技術を提供することである。
また本発明の他の目的は、処理工程をすみやかに効率よく遂行できる技術を提供することである。
本発明は高圧処理チャンバー内で、被処理体に、加圧下で少なくとも高圧流体を接触させて、被処理体を高圧処理した後、大気圧まで減圧する高圧処理方法において、前記高圧処理チャンバー内の温度を断熱膨張によって降下する温度よりも高く維持する様に制御しながら減圧することに要旨を有する高圧処理方法である。
上記制御は、前記減圧時の断熱膨張に伴う前記高圧処理チャンバー内の温度降下を抑制、或いは断熱膨張によって降下した温度を回復させる方向に制御することが推奨される。
上記本発明法を実施するにあたっては、前記高圧処理チャンバー内へ加熱加圧流体を導入する区間を設け、前記温度降下の抑制、或いは降下した温度を回復させることが望ましい。
また本発明法においては、前記高圧処理チャンバー内の圧力を減圧しながら、或いは気液共存状態を生じない圧力まで減圧した後、前記加熱加圧流体を該高圧処理チャンバーへ導入することも好ましい方法として推奨される。
更に前記加熱加圧流体を導入する区間は、前記高圧処理チャンバー内の圧力が略一定に保たれる様に前記加熱加圧流体の供給量と該高圧処理チャンバー内からの排出量を制御することが好ましい。
また前記加熱加圧流体を導入する区間は、前記高圧処理チャンバー内の圧力を上昇させない様に加熱加圧流体の供給量と排出量を制御することも好ましい実施態様である。
本発明の高圧処理方法では、減圧工程においてチャンバー内の温度を断熱膨張によって降下する温度よりも高く維持する様に制御するので、減圧工程で問題となる液の発生や気液二層領域の通過を防ぎながら大気圧まで減圧できる。それによって液相に起因するパーティクルの問題も抑制し、製品の歩留まりの向上を果たすことができる。
本発明の高圧処理方法における高圧処理とは、例えばレジストが付着した半導体基板のように汚染物質が付着している被処理体から、汚染物質を剥離・除去する洗浄処理が代表例としてあげられる。
しかし、被処理体としては半導体基板に限定されず、金属、プラスチック、セラミックス等の各種基材の上に、異種物質の非連続または連続層が形成もしくは残留しているようなものが含まれる。また、本発明は、洗浄処理に限られず、少なくとも高圧流体を用いて(好ましくは該高圧流体と高圧流体以外の薬液を用いて)、被処理体の表面から不要物質を除去する処理、例えば基板表面に付着した水分を除去する乾燥処理や、基板表面に存在する不要物質を除去する加熱処理や、所謂、現像処理等も、全て本発明の高圧処理方法の対象とする。
本発明の高圧処理方法を実施する際に用いられる高圧流体としては、安全性、価格、超臨界状態にすることの容易性、といった点で、二酸化炭素が好適であるが、この他、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が大きく、溶解した汚染物質を媒体内にすみやかに分散できるためである。超臨界流体は、気体と液体の中間の性質を有するものであり、微細なパターン部分に対しても浸透し易く、高密度であるため、気体に比べて遙かに大量の添加剤(薬液)を含むことができる。
本発明で用いる高圧流体としては、1MPa以上の圧力の流体が好ましく、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散性を示す流体であり、特に好ましいのは超臨界状態または亜臨界状態の流体である。例えば二酸化炭素は31℃、7.4MPa以上とすることで超臨界状態となる。また洗浄、並びに洗浄後にリンス工程や置換工程、更には乾燥(加熱)・現像を行う場合等は、5〜30MPaの亜臨界(高圧流体)または超臨界流体として用いることが好ましく、7.4〜20MPa下でこれらの処理を行うことがより好ましい。
以下、本発明に係る高圧処理方法の応用例として、洗浄処理を代表例として説明するが、前記した様に高圧処理は洗浄処理のみには限られない。
本発明の高圧処理方法においては、半導体基板に付着したレジストやエッチングポリマー等の高分子汚染物質を除去することもあり得るので、二酸化炭素等の高圧流体だけでは洗浄力が不充分である点を考慮して、薬液を添加して洗浄処理を行なうことが望ましい。薬液としては、洗浄成分として塩基性化合物を用いることが好ましい。レジストに多用される高分子物質を加水分解する作用があり、洗浄効果が高いためである。塩基性化合物の具体例としては、第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモニウムフッ化物、アルキルアミン、モノエタノールアミン等のアルカノールアミン、ヒドロキシルアミン(NH2OH)およびフッ化アンモニウム(NH4F)等が挙げられる。洗浄成分は、高圧流体に対し、0.01〜8質量%含まれていることが好ましい。
上記塩基性化合物等の洗浄成分は、通常、高圧流体に溶けにくいので、これらの洗浄成分を二酸化炭素に溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶化剤を第2の薬液として用いることが好ましい。
また洗浄工程終了後、後記する様なリンス工程を行なう場合、この相溶化剤は、リンス工程で不要物質の高圧流体への溶解を促進し、不要物質(汚れ)が被処理体に再付着するのを防止する作用も発揮する。
相溶化剤としては、洗浄成分や不要物質を高圧流体に相溶化させ得るものであれば特に限定されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類や、ジメチルスルホキシド等のアルキルスルホキシドが好ましいものとして挙げられる。相溶化剤の量は、洗浄工程やリンス工程では、高圧流体の0.01〜50質量%の範囲で適宜選択すればよい。
以下、本発明の高圧処理方法を図面を参照しながら説明する。図1及び図2には、本発明法を実施する際における、高圧処理チャンバー内の温度と圧力の変化を各工程毎に説明するための図である。尚、図示例の説明で高圧処理とは、洗浄工程以外にもリンス工程や置換工程など高圧流体を使用する工程を含む意味である。
本発明法の場合、被処理体を高圧処理チャンバーへ装入するときは、チャンバーは開放状態であるため、圧力は大気圧と同じである。被処理体をチャンバー内へ装入してから密封し、所定温度・圧力の高圧流体をチャンバーへ導入することにより、チャンバー内の圧力を所定圧力まで上昇させ(昇圧工程)、チャンバー内温度も所定温度まで上昇させる。尚、昇圧工程は数段階に分けて所定の圧力まで昇圧する様な昇圧法を採用してもよい。
高圧処理工程では、上記所定の圧力・温度で高圧処理を行なう。洗浄処理の場合は、基板からのレジストやエッチングポリマーを剥離するため、前記洗浄成分や相溶化剤と高圧流体とが混合された混合流体を使用する。このとき高圧流体として二酸化炭素を使用する場合の好ましい圧力は5〜30MPa(より好ましくは7.4〜20MPa)、温度は25〜80℃が好ましい。高圧処理工程には、チャンバーは密封状態とし、チャンバーへの流体の導入およびチャンバーからの流体の導出を行わないバッチ処理や、チャンバーへの流体の導入およびチャンバーからの流体の導出を行なう流通処理がある。
続いてリンス工程を行なう。リンス工程は、任意の工程であるが、高圧処理工程で用いられた薬液(洗浄成分)や被処理体から剥がれた不要物質を高圧処理チャンバー外へ移すために有用な工程である。このとき、薬液や不要物質が高圧流体に溶解しにくい化合物である場合には、洗浄処理後に、いきなり高圧流体のみをチャンバー内へ導入すると、相溶化剤の相溶化作用が低下して、これらの物質が析出してくる恐れがある。従って、高圧流体と相溶化剤との混合流体、すなわち、高圧処理に用いた高圧流体と洗浄成分と相溶化剤とからなる混合流体とは組成の異なる混合流体を用いて、リンス工程を行なうことが好ましい。相溶化剤が含まれている混合流体は、薬液や不要物質を高圧流体側へ溶かし込んで、高圧流体と共にチャンバー外へ排出するため、これらの除去が確実になる。特に、被処理体が複雑形状の場合、チャンバー内の高圧流体の流れに対し、背面側に相当する部分に存在する不純物はなかなか排出されないが、リンス工程で相溶化剤を使用すると、このような不純物も効率的に排出できるため、リンス工程の実施が推奨される。
リンス工程は、具体的には、高圧流体と相溶化剤との混合流体を高圧処理後のチャンバー内に導入しながら、洗浄処理後の不純な混合流体をチャンバー外へと導出することにより行われる。このときの圧力および温度は高圧処理と同じでよい。従って、チャンバーへの導入量とチャンバーからの導出量は同量とする。
リンス工程後、或いはリンス工程を行なわない場合は洗浄工程後に、置換工程を行なう。置換工程は任意の工程であるが、置換工程は高圧流体以外の薬液や不要物質が置換工程後の減圧工程でチャンバー内に残存しないようにするために有用である。これらの薬液や不要物質が減圧工程で残存していると、減圧によってこれらの薬液や不要物質が析出し、被処理体の表面に付着残存する恐れがある。リンス工程を行なわない場合は、洗浄方法によっては洗浄成分、相溶化剤、不要物質が全てチャンバー内に残存していることがあり、リンス工程を行なう場合には、洗浄成分や高圧処理で被処理体から剥離した不要物質は既にチャンバー外へ導出されているが、リンス工程で用いた相溶化剤(第2の薬液)がチャンバー内に残存していることもあり得る。その様な場合は、置換工程で、高圧流体以外の不要物質および/または薬液を含まない高圧流体をチャンバー内へ導入し、洗浄工程で用いた混合流体(リンス工程を行わない場合)またはリンス工程で用いた混合流体とをチャンバー外へ排出すれば、チャンバー内を高圧流体のみで置換された状態にすることができる。この置換工程は、高圧処理工程と同程度の温度、圧力で行なってもよい。
続いて、減圧工程を行なう。この減圧工程をチャンバー内外の熱量の授受がなく、単にチャンバー内の流体を排出することのみで行なえば、圧力の降下に伴う断熱膨張によって、チャンバー内の温度は降下する。特に該温度が気液二相共存領域、或いは固体析出領域まで降下すると、液相の出現に起因してパーティクルが発生し、被処理体の歩留まりが低下するという問題が生じる。更に、チャンバー内の温度を急激に降下させると、固体(「ドライアイス」)化が生ずるため好ましくない。勿論、長時間に渡ってゆっくりと減圧することによって気液二層共存領域を通過させずに減圧させることも可能であるが、処理時間が長くなり、所謂、スループットに問題を生じる。
そこで、本発明ではチャンバー内の温度を、断熱膨張によって降下する温度よりも高く維持する様に制御しながら減圧することによって、上記問題を解決している。具体的には断熱膨張に伴うチャンバー内の温度降下を抑制し、或いは断熱膨張によって降下した温度を回復させる方向に制御する等の温度制御を行なうことが好ましい。この温度の回復や温度降下の抑制は抜熱量、供給熱量、供給熱温度などを適宜制御すればよい。尚、減圧開始から大気圧まで減圧するまでの全過程において、「断熱膨張によって降下する温度よりも高く維持」していなくてもよい。例えば減圧過程において断熱膨張によって降下する理論上の温度に従ってチャンバー内の温度が降下する過程が一部含まれていてもよい。
降下した温度を回復させる方向に制御するとは、一旦断熱膨張によって降下した温度を改めて上昇させることをいい、好ましくは減圧開始前の温度まで上昇させるのがよい。例えばチャンバー内の流体を単に排出し、ほぼ理論上の断熱膨張による減圧並びに温度降下をさせた後、チャンバー内の減圧速度を減少し、或いは減圧を一時的に停止することによっても上記効果を得ることができる。即ち、温度の回復は、チャンバーからの入熱や加熱加圧流体の導入などによる温度上昇速度よりも減圧に伴う温度降下速度が遅くなる様に制御することによって達成できる。減圧を停止するにはチャンバー内の流体の排出を停止するか、或いはチャンバー内の流体の排出量とチャンバーへ供給する加熱加圧流体の供給量を制御し、実質的に減圧がゼロとなる様にすればよい。チャンバー内の流体の排出を停止すれば、減圧に伴う温度降下が生じないため、チャンバーからの入熱でチャンバー内の温度を回復することができる。チャンバーからの入熱によって温度の回復が図れるのは、減圧によってチャンバー内の温度は降下するものの、チャンバー自体の温度は、減圧によってもチャンバーの熱容量が大きいため殆ど低下しないため、チャンバー自体はチャンバー内の温度(ガス温度)よりも高温となっているからである。
また例えばチャンバーからの流体の排出を一時停止して減圧を止めるか、或いは減圧によって降下したチャンバー内の温度以上に温度を高めた加熱加圧流体をチャンバーへ導入することによって、降下した温度をより効率的に上昇させることができる。好ましくは高圧処理に用いた高圧流体より高い温度に加熱した加熱加圧流体を導入して、チャンバー内温度を減圧前の温度に回復することが推奨される。また減圧しながら加熱加圧流体を導入して降下した温度を回復させる方向に制御するには、減圧に伴う温度降下を加味して加熱加圧流体の温度を決定するのがよい。特に減圧しながら減圧開始前の温度に回復させるには、加熱加圧流体の温度を少なくとも減圧開始前のチャンバー内温度よりも高温にする必要がある。尚、上記した様にチャンバーからの入熱もあるので、加熱加圧流体の温度が減圧に伴う温度降下よりも低くてもチャンバー内の温度をある程度まで回復することは可能である。
温度降下の抑制とは、断熱膨張によって温度が降下する理論速度よりも、温度降下速度が遅くなることをいい、抑制には温度が降下しない場合(均衡)も含む。温度降下の抑制の場合、上記温度上昇速度が、断熱膨張に伴って生じる温度降下速度よりも遅い場合である。尚、通常の減圧においてもチャンバーからの入熱が生じているため、上記温度降下の理論速度とは、断熱膨張による温度降下とチャンバーからの入熱による温度上昇を考慮した値である。したがって、温度降下の抑制は、チャンバーを加熱したり、チャンバーへ加熱加圧流体を導入する等の積極的に熱源を供給することによって得られる効果である。温度降下を抑制することによって、本来は断熱膨張によって気液二相共存領域まで温度が降下するのを防ぎながら減圧することが可能となる。したがって、気液二相共存状態が生じない様に温度降下を抑制することが推奨される。具体的には、チャンバーに加熱手段を付設し該加熱手段によってチャンバーを加熱してチャンバーからの入熱量を増大させ、或いは温度を上昇させるに至らない程度に加熱された加熱加圧流体をチャンバー内へ導入する、また或いは上記の様にチャンバーから流体を抜出しつつ、チャンバーへ加熱加圧流体を供給し、抜出し量と供給量のバランスを制御するなどの方法によって温度降下を抑制できる。この様な温度制御を行なう手段は上記方法に限定されず、各種方法が採用可能である。
本発明では、チャンバー内へ加熱加圧流体を導入する区間を設け、前記温度降下の抑制、或いは降下した温度を回復させる方向に制御することが望ましい。減圧期間中、加熱加圧流体を供給しつづけると、取出し時のチャンバー内の圧力を大気圧近傍にするまでに時間を要する。加熱加圧流体を導入する区間を設ける場合、少なくとも圧力が降下して気液二相共存状態を生じる前に加熱加圧流体を導入することが望ましい。勿論、減圧開始当初から加熱加圧流体を導入してもよい。加熱加圧流体を導入する場合、チャンバー内が所望の温度に達した時点で加熱加圧流体の導入を停止すればよいが、好ましくは降下した温度が減圧開始前温度に回復した後、或いは圧力が気液二相共存状態を通過せずに気相を通過して所望の圧力まで降下した後に加熱加圧流体の導入を停止することが望ましい。
本発明では、チャンバーに加熱加圧流体を導入して温度の回復、或いは温度降下を抑制することが望ましいが、加熱加圧流体の流量が多過ぎるとチャンバー内の圧力が上昇してしまい、減圧効率が降下することから、加熱加圧流体を導入する場合はチャンバー内から流体を排出して圧力が上昇しない様に制御することが望ましい。この際のチャンバーからの排出量は特に限定されず、チャンバー内の圧力が一定となる様に供給量と排出量を調節してもよいし(図1)、或いは排出量を多くして減圧をおこなってもよい(図2)。加熱加圧流体を供給しながら減圧を行なう場合、減圧効率を高める観点から、少ない供給量で高い温度回復効果が得られる様にすることが好ましく、具体的には加熱加圧流体の供給量を少なくすると共に、チャンバー内の温度を維持或いは回復方向に制御できる様に加熱することが望ましい。
図1の様に第1減圧に伴ってチャンバー内温度を降下させる場合、好ましくは図示する様にチャンバー内の圧力が略一定となる様な圧力保持区間を設けて、該区間において加熱加圧流体を導入し、チャンバー内の温度を所定の温度に回復させた後、再び減圧をすれば、気液二相共存状態や温度降下といった問題を解決できる。
また図2の様に減圧開始当初から減圧に伴う温度降下を防止し、減圧開始前の温度を維持しつつ減圧を行なうには、減圧開始前の温度以上の温度に加熱した加熱加圧流体を導入しながら減圧すればよい。この際、減圧による温度降下を考慮して供給する加熱加圧流体の温度を制御することが望ましい。または、気液二相共存域を通らない程度の温度低下であるならば、高圧処理時の温度で加熱された加熱加圧流体を流してもよい。
また減圧工程では、段階的な減圧方法も採用できる。段階的な減圧とは、ある地点の前後で減圧速度が異なることをいい、図1及び図2では2段階の減圧(第1減圧、第2減圧)を採用している。勿論、一定速度で減圧してもよい。
チャンバー内の圧力は圧力探知手段(例えば図3中の圧力計31)を付設して検知(ゲージ圧)すると共に、チャンバー内の温度は温度計測手段(例えば図3中の34)を付設して測定すればよい。
図1の場合、第1減圧では第1減圧終了後の圧力が気液二相共存領域を通過しない程度に減圧し、続く圧力保持区間で上記の様に加熱加圧流体の供給量と減圧速度を制御してチャンバー内の圧力を略一定に維持している。圧力保持区間では、減圧開始前の温度よりも高い温度に加熱した加熱加圧流体を導入すると共に、チャンバー内の圧力が一定となる様にチャンバーからの流体の排出量を制御し、第1減圧によって降下した温度を減圧前温度まで回復している。温度回復後、加熱加圧流体の供給を停止し、再び減圧(第2減圧)して大気圧まで減圧している。第2減圧では加熱加圧流体を供給せずに減圧している。第2減圧開始時の圧力は既に減圧開始前の圧力よりも低圧であるため、該圧力から大気圧まで減圧する際に温度が降下したとしても、本発明の様に温度制御を行なわない従来の減圧方法と比べて、減圧工程終了時の温度は高いので、従来法と比べて昇温に要する時間・コストの点で優位である。
図2の場合、第1減圧ではチャンバーへ加熱加圧流体を供給、及び減圧を行ないつつ、減圧開始前の温度を維持している。圧力が所定の値まで降下した後、加熱加圧流体の供給を停止して引き続き第二減圧を行っている。
以下、図3に例示する高圧処理装置を用いて、本発明の好ましい実施態様を説明する。図3において1は高圧流体供給手段であり、必須構成要素である高圧流体用媒体貯槽10(以下、単に貯槽10ということがある)、昇圧手段12、圧力計50、圧力計50で得られる値に基づいて高圧流体の供給量を調節するための制御弁36を備える他、任意の構成要素である過冷却器11と加熱器13を備えている。貯槽10は具体的には高圧流体用ボンベ、コールドコンバーターなどが用いられる。
高圧流体として二酸化炭素を用いる場合、貯槽10には、通常、液化二酸化炭素が貯留されており、過冷却器11で予め流体を冷却して、昇圧手段12内のガス化を防止することがよく、昇圧手段12で流体を加圧すれば高圧二酸化炭素を得ることができる。昇圧手段12としては加圧ポンプが挙げられる。
加熱器13は、二酸化炭素を所定の高圧処理温度に達するよう加熱するためのものであるが、処理温度以下に加熱しておき、または加熱せずに、高圧処理チャンバー30そのもの、またはその近傍に加熱手段14を付設し、高圧チャンバー30内で行われる各工程に適した温度にそれぞれ加熱する構成としてもよい。
本装置では、高圧処理チャンバー30(以下、単にチャンバー30ということがある)が1個配設されている例を示したが、複数のチャンバーを設けてもよい。このとき、高圧流体供給手段1を、複数の高圧処理チャンバーで共用すると、昇圧手段12の稼働率を上げ、装置全体の設置面積を小さくすることができる。チャンバー30としては、開閉自在の蓋を有し、高圧が維持できる容器であれば特に限定されない。チャンバー30の前後には開度調節可能な制御弁32と、単純な開閉制御可能な制御弁35が設置され、流体の圧力、流量を制御する。圧力制御はチャンバー30に付設した圧力計31で計測して行なう。また温度測定は、チャンバー30に付設した温度計測手段34により計測する。
26は第1薬液(洗浄成分)供給手段、27は第2薬液(相溶化剤)供給手段である。第1薬液供給手段26は、第1薬液貯槽20と圧送ポンプ21と薬液供給制御手段22から構成されており、第2薬液供給手段27も同様に、第2薬液貯槽23と圧送ポンプ24と薬液供給制御手段25とから構成されている。薬液供給手段26、27は、各圧送ポンプ21および24とで前記洗浄成分と相溶化剤を所定の圧力とし、チャンバー30へ供給する。リンス工程や置換工程を行なう場合、洗浄処理工程とはチャンバー30へ供給する流体組成を変えることが望ましいので、圧送ポンプ21、24による各液の流量は適宜変更できることが望ましい。各薬液供給制御手段22、25は、開閉機構を有していればよく、具体的には高圧弁が挙げられる。各薬液供給制御手段22、25と、制御弁36の開閉操作によって、チャンバー30内の処理用流体の組成を、高圧流体と第1薬液と第2薬液の混合物としたり、高圧流体と第2薬液の混合物としたり、あるいは高圧流体のみとすることが可能である。チャンバー30と上記薬液供給制御手段22、25との間には、高圧流体と薬液の流れ方向を規制して両者を合流させる管路撹拌装置、いわゆるスタティックミキサー等を配設してもよい。
本発明法の実施に際しては、まず、チャンバー30へ被処理体を図示しない出入手段を用いて装入する。出入手段としては、ロボット等のハンドリング装置や搬送機構が利用可能である。
次いで、貯槽10に蓄えられている流体を、必要により過冷却器11で冷却して完全な液体状態とし、昇圧手段12としての加圧ポンプで昇圧し、加熱器13により加熱して、超臨界流体として、チャンバー30へ圧送する。勿論、超臨界状態ではなく、亜臨界状態や高圧液体状態としてもよい。
昇圧工程では、高圧流体をチャンバー30へ供給して、チャンバー内を所定の圧力とする。なお、昇圧工程は分割昇圧工程を採用することもできる。そして、第1薬液供給制御手段22および第2薬液供給制御手段25を供給モード(開)とし、第1薬液貯槽20から圧送ポンプ21で第1薬液を圧送すると共に、第2薬液貯槽23から圧送ポンプ24で第2薬液を圧送し、所定の圧力に調整する。
チャンバー30への高圧流体と薬液の供給が終了したら、各供給制御手段22,25,制御弁35を供給停止モード(閉)とし、高圧処理(洗浄)工程を始める。洗浄工程中は、チャンバー30の下流側の制御弁32は閉じられている。洗浄工程時間は、通常、30〜60秒程度で充分である。
洗浄工程によって、例えば被処理体に付着していた不要物質(汚染物質)は、チャンバー内の高圧流体と洗浄成分、および必要により添加される相溶化剤との混合流体に溶解することとなる。従って、チャンバー30から、これら汚染物質が溶解している混合流体を排出する必要がある。汚染物質は、洗浄成分および相溶化剤の働きにより高圧流体に溶解しているので、チャンバー30に、高圧流体のみを流通させると、溶解していた汚染物質が析出することが考えられるため、洗浄を行った後は、高圧流体と相溶化剤によるリンス工程を行った後、高圧流体のみによる置換工程を行なうことが望ましい。
リンス工程は、第1薬液(洗浄成分)供給制御手段22を供給停止モードとし、第2薬液(相溶化剤)供給制御手段25を供給モードとし、チャンバー30の下流の制御弁32により圧力をコントロールしながら高圧流体供給手段1により高圧流体を、また、第2薬液供給手段25を供給モードとして相溶化剤を、それぞれチャンバー30へと連続供給することにより行う。チャンバー内の圧力は高圧処理(洗浄)工程と同一とすることが好ましいので、供給速度と排出速度を同一にすることが好ましいが、変えてもよい。高圧流体と相溶化剤を断続的に供給し、供給した分だけ排出するセミバッチ式で行ってもよい。チャンバー30から排出される高圧流体は、ガス化手段4へと送られる。また、リンス工程を行なう場合は、高圧処理工程と同温度で行なえばよく、特に限定されない。
リンス工程を行なう場合、高圧流体と相溶化剤との混合流体の流通により、チャンバー30内の汚染物質および洗浄成分は次第に少なくなるので、第2薬液供給制御手段25を制御して、相溶化剤の供給量を徐々に減らしてもよい。高圧流体と相溶化剤との流通によるリンス工程では、チャンバー30から洗浄成分と不要物質が全て排出されて、最終的には、チャンバー30内は高圧流体と相溶化剤とに満たされることとなる。そこで、続いて高圧流体のみを用いた置換工程を行なうことが望ましい。尚、リンス工程に要する時間は、通常、30秒程度である。
置換工程を行なう場合、高圧流体のみを用いることが望ましく、第2薬液(相溶化剤)供給制御手段25を供給停止モードとし、高圧流体のみをチャンバー30へ流通させることで、チャンバー30の中身を、高圧流体と相溶化剤の混合流体から高圧流体のみへと置換する。これにより、置換工程が終了する。尚、置換工程に要する時間は、通常、30秒〜120秒である。また、置換工程は、高圧処理工程と同温度で行なえばよく、特に限定されない。
高圧処理工程、リンス工程、置換工程の各工程で、チャンバー30から排出された高圧流体と各薬液および/または不要物質との混合物は、それぞれ、制御弁32を経て、ガス化手段4へと送られる。
ガス化手段4は、気液分離装置41と、液体(または固体)成分用高圧弁42、ガス用高圧弁43、44を構成要素とする。必要に応じて、図示しない精留塔、吸着塔等の精製手段を設けてもよい。図示例では流体を循環使用する構成を採用していないが、ガス化手段4と高圧流体供給手段1(具体的には、貯槽10)とを、連結管等で連結すると共に、ガス化手段4と貯槽10との間に凝縮器などの液化手段を配設し、流体を循環使用できるように構成してもよい。
分離装置41では、流体をガスとし、汚染物質と、薬液(洗浄成分や相溶化剤)の混合物を液体成分として気液分離する。汚染物質は固体として析出し、薬液の中に混入して分離されることもある。分離装置41としては、単蒸留、蒸留(精留)、フラッシュ分離等の気液分離が行なえる種々の装置や、遠心分離機等を使用することができる。気液分離装置41で分離されたガス成分は、ガス用高圧弁43および必要により設けられる精製手段(図示せず)を介して、凝縮器などの液化手段(図示せず)へと移送され、所望の処理を行なう。分離装置41では大気圧まで減圧してもよいし、4〜7MPa程度に減圧してもよい。
減圧された二酸化炭素等の流体は、温度と圧力との関係で、気体状流体(二酸化炭素ガス)と液体状流体(液化二酸化炭素)との混合物となることがあるので、分離装置41での分離効率増大の観点からは、分離装置41の前の加熱器45によって、流体を全てガス化しておくことが望ましい。尚、分離装置41内のガスはガス用高圧弁44を介して大気に放出してもよいし、他の工程に移送して使用することもできる。
汚染物質を含む洗浄成分や相溶化剤からなる液体(または固体)成分は、分離装置41の底部から液体(または固体)成分用高圧弁42を介して排出され、必要に応じて後処理される。
次に、本発明法の減圧工程およびその実施態様について説明する。高圧処理工程、リンス工程、置換工程の各工程では、5〜30MPaの高圧(より好ましくは7.4〜20MPa)で行われているので、置換工程終了時には、チャンバー30内には、高圧流体と被処理体が封入されている。高圧処理を受けた被処理体を取出し、別の被処理体を入れて新たな高圧処理を始めるためには、この高圧流体を取り除き、大気圧下まで減圧しなければならない。
減圧しつつ、チャンバー内の温度降下を防ぐためには、上記の様に段階的な減圧を行なうことが望ましい。段階的に減圧を行なうことによって、減圧に伴って降下した温度を回復させることが容易になる。例えば第1減圧工程で、断熱膨張しても気液二相領域を通過しない様な圧力まで減圧する。二酸化炭素の場合、処理温度60℃では、第1減圧工程の終了圧力は、10MPa以下とすることが好ましく、より好ましくは5〜8MPaである。第1減圧と共に、或いは第1減圧後に温度降下抑制や温度回復を行なうには、高圧流体供給手段1の加圧ポンプ12の設定流量による加熱加圧流体供給量と、チャンバーからの流体排出量を夫々制御弁32、35で調節すると共に、加熱手段13で加熱加圧流体の温度を調節すればよい。例えば置換工程終了後、高圧弁32を開放し、第1減圧は所定の終了圧力になるまでチャンバー30内の流体を排出させ、チャンバー30内が所定の終了圧力になったときに、制御弁32を閉止、或いは制御弁35、32の開度を調節して、加熱加圧流体の供給量と、排出量を調節してチャンバー30内の温度や減圧速度等を制御することが望ましい。また或いは第1減圧は制御弁35と32の開度を調整して加熱加圧流体を供給しながら、チャンバー内の流体を排出してもよい。具体的には、圧力計31によりチャンバー30内圧力(ゲージ圧)を検知し、制御弁32の開閉度を調整することによってチャンバー30内の圧力を制御できる。このときの流量は処理温度、圧力などによるが、被処理体の温度、直接的には被処理体の温度を測定することができないために、高圧処理チャンバー30内の温度計測手段34が保持圧力における温度で気液2相共存領域を通らない様な温度に所定の時間で達成する様な流量とする。供給する加熱加圧流体は加熱器13等で予め加熱してから供給すればよく、特に限定されない。
続く第2減圧工程で大気圧まで減圧する。第2減圧は、制御弁35を閉止する一方で、制御弁32の開度を調節してチャンバー内の圧力が大気圧になるまでチャンバー30内の流体をガス化手段4へ移送する。第2減圧では、チャンバー30内は既にかなり減圧されていると共に、チャンバー30内の温度が減圧開始時近傍の温度を維持していれば、第2減圧によって温度が降下しても液発生を防ぐことができる。
各減圧工程は、具体的には、高圧処理チャンバーからの排出物を、制御弁32を用いて、排出量を調整しながら行なう。本発明では第1減圧と、第2減圧共に、同一の回路で処理しているが、図示しないが制御弁32に並列して、圧力弁と減圧容器を備えた減圧手段を設け、該減圧容器を利用して減圧してもよく、また減圧手段は複数並列的に配置して減圧してもよい。
第2減圧後、チャンバー30の内部は大気圧となっているため、チャンバー30の蓋を開け、出入手段によって、被処理体を取出す。被処理体上の二酸化炭素は、大気圧までの減圧によって蒸発するので、半導体基板等の被処理体は、その表面にシミ等が生じることもなく、また、微細パターンが破壊されることもなく、乾いた状態で取り出せる。
チャンバー30から、処理後の被処理体を取出したら、再び、別の被処理体の高圧処理を行なう。このためには、チャンバー30に被処理体を入れて蓋を閉め、密封した後、チャンバー30内を高圧流体で満たせばよい。
本発明の高圧処理装置は、半導体製造工程等での半導体の洗浄や現像等を行うのに有用であるが、少なくとも高圧処理チャンバーはクリーンルーム内に配設するのがよく、その他の手段はクリーンルームの広さに応じて適宜配置すればよい。
図4は本発明を説明するためのモリエル線図(圧力−エンタルピー線図)であり、二酸化炭素の温度をパラメーターとしてプロットしたものである。図中気液平衡曲線の内側(低圧側)は二液共存領域である。したがって本発明では該二液共存領域に入らない条件で運転することが必要である。
例えば60℃、15MPaで運転した場合、該60℃、15MPaは図4中、A点で示される。該A点から急激に減圧すると、a線を辿ることになり、気液平衡曲線の内側領域を通過するため液相が出現する。そこで、該気液平衡曲線の内側に入らない様に減圧するには、まず図1で示す様な二段階減圧を採用することが望ましい。例えば8MPaまでを減圧(第1減圧)すると、断熱膨張で温度はB点(二酸化炭素の臨界温度以上の温度)まで低下(図4中、b線をたどる)するが、気液平衡曲線の外側であるため、液相が出現しない。そして加熱加圧流体をチャンバー内に導入して温度を60℃に回復させれば(C点)、該C点から急激に減圧(第2減圧)しても気液平衡曲線の内側に入らないので、液相の出現を避けることができる。このように二段階で減圧する場合、第1減圧によって気液平衡曲線の内側に入らないように適宜圧力を設定すると共に、第2減圧によっても気液平衡曲線の内側に入らないように加熱加圧流体を供給して温度を回復させれば、減圧による液相の出現を避けることができる。
また図2に示す様に加熱加圧流体を導入しながら8MPaまで減圧する場合、ほぼ等温で減圧(第1減圧)しながら(図4中、c線をたどる)、C点に達する。そしてC点から8MPa以下の速度で減圧(第2減圧)することによって気液平衡曲線の内側に入らないので、液相の出現を避けることができる。尚、第2減圧を9MPaで行なうと図示しないが減圧過程で気液平衡曲線の内側に入ってしまい、液相が出現する。したがって、減圧時の圧力と加熱加圧流体の供給量を適宜調節して気液平衡曲線の内側に入らないようにすれば、減圧による液相の出現を避けることができる。
本発明の実施態様における温度と圧力の変化を示すグラフ 本発明の他の実施態様における温度と圧力の変化を示すグラフ 本発明の方法の実施態様を説明するための概略図 本発明の方法を説明するためのモリエル線図
符号の説明
1 高圧流体供給手段
4 ガス化手段
10 高圧流体用媒体貯槽
11 過冷却器
12 昇圧手段
13 加熱器
14 加熱手段
20、23 薬液貯槽
21、24 圧送ポンプ
22、25 薬液供給制御手段
26 第1薬液供給手段
27 第2薬液供給手段
30 高圧処理チャンバー
31 圧力計
32、35、36 制御弁
34 温度計測手段
41 気液分離装置
42、43、44 高圧弁
45 加熱器
50 圧力計

Claims (4)

  1. 高圧処理チャンバー内で、被処理体に加圧下で超臨界状態または亜臨界状態の高圧流体を接触させて、被処理体を高圧処理した後、前記高圧処理チャンバー内の高圧流体を排出して、大気圧まで減圧する高圧処理方法において、第1減圧と第2減圧の二段階減圧を採用し、前記第1減圧によってモリエル線図の気液平衡曲線の内側に入らないように減圧した後、前記高圧処理チャンバー内の降下した温度を、減圧処理開始前の温度を超えない範囲で、かつ、後に行う第2減圧によっても気液平衡曲線の内側に入らない温度まで回復させ、その後、前記第2減圧をすることを特徴とする高圧処理方法。
  2. 前記高圧処理チャンバー内へ加熱加圧流体を導入する区間を設け、前記降下した温度を回復させる方向に制御する請求項に記載の高圧処理方法。
  3. 前記加熱加圧流体を導入する区間は、前記高圧処理チャンバー内の圧力が略一定を保持する様に前記加熱加圧流体の供給量と該高圧処理チャンバーからの排出量を制御する請求項に記載の高圧処理方法。
  4. 前記加熱加圧流体を導入する区間は、前記高圧処理チャンバー内の圧力を上昇させない様に加熱加圧流体の供給量と排出量を制御する請求項2または3に記載の高圧処理方法。
JP2003292924A 2003-08-13 2003-08-13 高圧処理方法 Expired - Fee Related JP4173781B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003292924A JP4173781B2 (ja) 2003-08-13 2003-08-13 高圧処理方法
US10/915,320 US7520938B2 (en) 2003-08-13 2004-08-11 Method for high-pressure processing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003292924A JP4173781B2 (ja) 2003-08-13 2003-08-13 高圧処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005064269A JP2005064269A (ja) 2005-03-10
JP4173781B2 true JP4173781B2 (ja) 2008-10-29

Family

ID=34225052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003292924A Expired - Fee Related JP4173781B2 (ja) 2003-08-13 2003-08-13 高圧処理方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7520938B2 (ja)
JP (1) JP4173781B2 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007058286A1 (ja) * 2005-11-18 2009-05-07 三菱瓦斯化学株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP4939846B2 (ja) * 2006-06-12 2012-05-30 ダイダン株式会社 洗浄システムおよび流体密度制御方法
JP4939845B2 (ja) * 2006-06-12 2012-05-30 ダイダン株式会社 洗浄システムおよび流体密度制御方法
JP2009194092A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Japan Organo Co Ltd 高圧二酸化炭素による被処理体の処理方法及び処理装置
DE102009042088A1 (de) * 2009-09-18 2010-12-02 Multivac Sepp Haggenmüller Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur Hochdruckbehandlung von Produkten
JP5647845B2 (ja) * 2010-09-29 2015-01-07 株式会社Screenホールディングス 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP5459185B2 (ja) * 2010-11-29 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US9217119B2 (en) * 2011-11-28 2015-12-22 Southwest Research Institute Extraction of lipids from living cells utilizing liquid CO2
JP5859888B2 (ja) * 2012-03-26 2016-02-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2014081120A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Orion Mach Co Ltd 精密温度調整装置
US20150155188A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
DE102014118876A1 (de) * 2014-12-17 2016-06-23 Thyssenkrupp Ag Verfahren zur Hochdruckbehandlung eines Produkts
US10834945B1 (en) 2015-01-30 2020-11-17 Daniel Leon Cook Methods of high pressure processing and products produced therewith
KR102603528B1 (ko) 2016-12-29 2023-11-17 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
JP6836939B2 (ja) * 2017-03-14 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10576493B2 (en) * 2017-03-14 2020-03-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20180323063A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for using supercritical fluids in semiconductor applications
US10847360B2 (en) 2017-05-25 2020-11-24 Applied Materials, Inc. High pressure treatment of silicon nitride film
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
JP7190450B2 (ja) 2017-06-02 2022-12-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 炭化ホウ素ハードマスクのドライストリッピング
US10269571B2 (en) 2017-07-12 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating nanowire for semiconductor applications
US10179941B1 (en) * 2017-07-14 2019-01-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for high pressure processing chamber
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
CN111095513B (zh) 2017-08-18 2023-10-31 应用材料公司 高压高温退火腔室
WO2019055415A1 (en) 2017-09-12 2019-03-21 Applied Materials, Inc. APPARATUS AND METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING A PROTECTIVE BARRIER LAYER
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
KR102396319B1 (ko) 2017-11-11 2022-05-09 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템
KR102622303B1 (ko) 2017-11-16 2024-01-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 스팀 어닐링 프로세싱 장치
CN111432920A (zh) 2017-11-17 2020-07-17 应用材料公司 用于高压处理系统的冷凝器系统
KR102649241B1 (ko) 2018-01-24 2024-03-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 어닐링을 사용한 심 힐링
SG11202008256WA (en) 2018-03-09 2020-09-29 Applied Materials Inc High pressure annealing process for metal containing materials
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US10566188B2 (en) 2018-05-17 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Method to improve film stability
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
KR102311732B1 (ko) * 2018-07-23 2021-10-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
JP7179172B6 (ja) 2018-10-30 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体用途の構造体をエッチングするための方法
JP2022507390A (ja) 2018-11-16 2022-01-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 強化拡散プロセスを使用する膜の堆積
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film
KR102581895B1 (ko) * 2020-12-29 2023-09-22 세메스 주식회사 챔버 내 압력을 제어하기 위한 압력 조절 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN119053439A (zh) * 2022-04-27 2024-11-29 昆特斯技术公司 在压制设备中执行的方法、压制设备和相关计算机程序

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077756B2 (ja) 1989-07-26 1995-01-30 株式会社日立製作所 超臨界ガス装置からの試料取り出し方法
US6500605B1 (en) * 1997-05-27 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
US6358673B1 (en) * 1998-09-09 2002-03-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Pattern formation method and apparatus
JP2000308862A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Itec Co Ltd 超臨界又は亜臨界流体を用いた洗浄方法及びその装置
JP3553856B2 (ja) 2000-05-08 2004-08-11 日本電信電話株式会社 超臨界乾燥方法
JP2002324778A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Sony Corp 表面処理方法
JP2002367943A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Kobe Steel Ltd 高圧処理方法および高圧処理装置
US6997197B2 (en) * 2002-12-13 2006-02-14 International Business Machines Corporation Apparatus and method for rapid thermal control of a workpiece in liquid or dense phase fluid

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005064269A (ja) 2005-03-10
US20050051194A1 (en) 2005-03-10
US7520938B2 (en) 2009-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4173781B2 (ja) 高圧処理方法
JP5450494B2 (ja) 半導体基板の超臨界乾燥方法
JP5843638B2 (ja) 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法
JP5843277B2 (ja) 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置
US20110289793A1 (en) Supercritical drying method
US9570286B2 (en) Supercritical drying method for semiconductor substrate
JP6326041B2 (ja) 二酸化炭素の精製された多相のプロセスツールへのデリバリーシステム
US20120048304A1 (en) Supercritical drying method and supercritical drying system
JP2008066495A (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
US10825698B2 (en) Substrate drying apparatus, facility of manufacturing semiconductor device, and method of drying substrate
US20130061492A1 (en) Supercritical drying method and supercritical drying apparatus for semiconductor substrate
JP2007175559A (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
KR20190002060A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2008078322A (ja) 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置
JP6563351B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2002313764A (ja) 高圧処理装置
JP2005142301A (ja) 高圧処理方法、及び高圧処理装置
JP3658117B2 (ja) 超臨界流体排気方法及び超臨界流体洗浄装置
KR100598914B1 (ko) 약액 재생 시스템 및 약액 재생 방법, 그리고 상기시스템을 가지는 기판 처리 설비
JP2002367943A (ja) 高圧処理方法および高圧処理装置
JP3818751B2 (ja) 超臨界流体洗浄装置
JP2003117510A (ja) 洗浄装置
JP2003347261A (ja) 洗浄装置、および洗浄方法
JP5843639B2 (ja) 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法
JP2006210420A (ja) 洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050922

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080513

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080812

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080814

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees