JP4005609B2 - 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、被処理基板、例えば半導体ウエハまたは液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等の処理される基板に対して処理、例えば処理液による処理、例えばレジスト液等の有機溶剤或いはＳＯＧ等の無機剤を塗布する処理または露光後の現像液による処理、または洗浄液を供給して処理等の処理を施す処理または被処理基板に対して加熱処理を施す処理等を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。

被処理基板、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板或いは半導体ウエハ等の基板の製造を行う主たる工程においては、初段の工程として例えば基板に対して、洗浄液、例えば薬液または純水等を供給しつつブラシ等の洗浄処理部材を基板に接触させて洗浄する工程（洗浄工程）をし、基板を移動、例えば回転移動させて一旦振り切り乾燥し、所定の温度にて加熱処理を施し脱水工程（乾燥工程）を行い、この後、基板に対して、疎水化を行うため等に所定のガス処理、例えばＨＭＤＳ処理を所定の温度にて施したり基板に対して紫外線照射（ＵＶ照射）等の処理を施したりする工程（疎水化工程）、その後に疎水化された基板に基板を所定の雰囲気下で回転移動等の移動運動をさせて所定の膜、例えばフォトレジスト膜を塗布し（塗布工程）、所定の温度にて基板に塗布されたフォトレジスト膜に対して所定のエネルギー、例えば所定の温度に加熱エネルギーまたは／及びＥＢ照射等のエネルギー等のエネルギーを作用させることにより所定の硬度まで硬化せしめ（硬化工程）、所定の回路パターンに対応してフォトレジスト膜を露光し（露光工程）、この後に基板に対して現像液を供給し現像処理する（現像工程）という、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成するという手法にて基板の製造が行われている。

従来、このような基板の製造を行うシステムとしては、例えば特開平２−１４４３３３号公報にて開示しているように、共通の直線状の搬送路に備えられた搬送機構により、直線状の搬送路の両側に基板処理を行う処理ユニットを複数配置し、それら複数の処理ユニットに対して直線状の搬送路に備えられた搬送機構により基板が搬送されるよう構成した処理システムにより行われている。
特開平２−１４４３３３号公報

しかしながら、近年の産業の発達においては、被処理基板、例えば半導体ウエハにおいては３００ｍｍと大型の基板が今後の主流となりつつあり将来において大型化の一途をたどっている。また、ＬＣＤ基板においては大型ディスプレーのニーズが加速しており、益々大型化の方向で進んでいる。このようなＬＣＤ基板は現在では、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、それらの基板を処理する処理システムも当然大型化の一途をたどりつつある。このような処理システムの大型化は、処理システムを配置しているクリーンルーム等の施設への投資に深刻な影響を与える。すなわち、処理システムのフットプリントが極めて大きなものとなってしまうことに起因する。

また、処理システムの大型化は、その処理システム内において被処理基板を搬送する搬送機構が破損等の問題等から所定の搬送速度以上に上げられないことから処理部間等の搬送時間の低下を招き、基板の処理のスループットに重大な影響を与えてしまう。さらに、処理部間等の搬送時間の低下或いは所定時間以上かかってしまうことから、所定の処理部で処理した後、次工程の処理を行う処理部までを所定の時間で搬送する必要がある場合、その時間が達成できずに処理プロセスが目標のスペックを達成できなくなったり歩留まりの低下を促進してしまうという問題点が発生してしまうこととなる。

また、被処理基板を処理する処理部を一つのユニットとし、そのユニットを複数組み合わせてシステムを構成するのは、ある程度の基板の大きさまでは自由度がありフレキシブルにシステムを構築することが出来たが、基板の大きさが所定値以上となると一つの処理部ユニット間の物質的な距離も増大することから処理部間等の搬送時間の低下を招き、基板の処理のスループットに重大な影響を与えてしまう。

このような処理システムの大型化に対する解決策の一つとしては、例えば、フットプリントを小さくするために複数の処理ユニットを上下方向に積層することが考えられる。しかしながら、被処理基板の大型化は処理システムのフットプリントの増大にととまらず、被処理基板の処理の均一性を達成するためには高さ方向の大きさをも増大させてしまう。処理システムを配置しているクリーンルーム等の施設においては、例えばダウンフローの雰囲気を形成するようしており施設の高さには制約があり、複数の処理ユニットを上下方向に積層するとしても限界があることから、数においても従来ほど複数の処理ユニットを上下方向に積層することが極めて困難である。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板の処理おける歩留まり率の向上、基板の処理のスループットの向上或いは現状のスループットの低下の抑制、かつ最小単位の装置の構成化を図ることにより装置の配置構成に自由度を向上させ、装置構成上の問題を伴うことなく装置全体の小型化が向上し装置全体のフットプリントを小さくすることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明の基板処理装置は、被処理基板をローラ搬送で搬送するローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板をローラにて搬送しつつ前記被処理基板に対して洗浄処理を施す洗浄処理部と、被処理基板を搬送する第一の搬送機構を内部に備えるとともに前記第一の搬送機構にて搬送される被処理基板に対してレジストを塗布する処理を施すレジスト塗布処理部と、前記洗浄処理部及び前記レジスト塗布処理部の外部であって前記洗浄処理部と前記レジスト塗布処理部との間に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第二の搬送機構と、前記洗浄処理部または／及び前記レジスト塗布処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第一の熱処理部と、被処理基板をローラ搬送で搬送するローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板をローラにて搬送される前記被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、この現像処理部の外部に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第三の搬送機構と、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第二の熱処理部と、を具備し、前記第二の搬送機構は、前記第一の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であり、前記第三の搬送機構は、前記第二の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする。

本発明の基板処理装置は、被処理基板をローラ搬送で搬送するローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板をローラにて搬送される前記被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、この現像処理部の外部に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である搬送機構と、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる熱処理部と、を具備し、前記搬送機構は、前記熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする。

本発明の基板処理装置においては、前記搬送機構は、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置された熱処理部とは別の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることが好ましい。

本発明の基板処理装置においては、前記現像処理部は、前記被処理基板に紫外線を照射して処理を施す紫外線処理室を有することが好ましい。

本発明の基板処理装置においては、前記熱処理部は、高い位置の処理部ほど高い温度で処理を行うことが好ましい。

本発明の基板処理装置は、被処理基板をローラ搬送で搬送する第一のローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を第一のローラ搬送機構のローラにて搬送しつつ前記被処理基板に対して洗浄処理を施す洗浄処理部と、被処理基板を搬送する第一の搬送機構を内部に備えるとともに前記第一の搬送機構にて搬送される被処理基板に対してレジストを塗布する処理を施すレジスト塗布処理部と、前記洗浄処理部及び前記レジスト塗布処理部の外部であって前記洗浄処理部と前記レジスト塗布処理部との間に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第二の搬送機構と、前記洗浄処理部または／及び前記レジスト塗布処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第一の熱処理部と、被処理基板をローラ搬送で搬送する第二のローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を第二のローラ搬送機構のローラにて搬送される前記被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、この現像処理部の外部に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第三の搬送機構と、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第二の熱処理部と、を具備し、前記第二の搬送機構は、前記第一の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であり、前記第三の搬送機構は、前記第二の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であり、前記第一の熱処理部及び前記第二の熱処理部とは別の熱処理部を有し、前記第三の搬送機構が前記別の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする。

本発明の基板処理装置においては、前記現像処理部は、前記被処理基板に紫外線を照射して処理を施す紫外線処理室を有することが好ましい。

本発明の基板処理装置においては、前記第一の熱処理部、前記第二の熱処理部または／及び前記別の熱処理部は、高い位置の処理部ほど高い温度で処理を行うことが好ましい。

本発明の基板処理装置においては、被処理基板を複数収納自在に構成されたカセットを複数配置するとともに、前記カセットに対して被処理基板を搬入出自在に構成され所定方向に自走自在である第四の搬送機構を配置するカセット配置部を有することが好ましい。

本発明の基板処理装置においては、前記第四の搬送機構が自走する前記所定方向とほぼ直交する方向に自走自在であり、前記被処理基板を支持して搬送する別の搬送機構を有することが好ましい。

本発明の基板処理装置においては、前記第四の搬送機構と前記別の搬送機構とは前記被処理基板を受け渡し自在に構成されていることが好ましい。

本発明の基板処理装置においては、前記第四の搬送機構と前記第三の搬送機構とは、前記第二の熱処理部又は前記別の熱処理部を介して受け渡し自在に構成されていることが好ましい。

本発明の基板処理方法は、上記基板処理装置を使用して、被処理基板を順次処理することを特徴とする。

本発明の基板の製造方法は、上記基板処理装置を使用して、被処理基板を製造することを特徴とする。

本発明によれば、基板の処理おける歩留まり率の向上、基板の処理のスループットの向上或いは現状のスループットの低下の抑制、かつ最小単位の装置のブロック構成化を図ることにより装置の配置構成に自由度を向上させ、装置構成上の問題を伴うことなく装置全体の小型化が向上し装置全体のフットプリントを小さくすることができる。したがって、基板の搬送距離の低減或いは搬送の工程の削減等により基板の処理のスループット等を向上することができ、最小単位の装置のブロック構成化等を図ることで基板の雰囲気管理もより基板に対する影響を抑制することができ、基板の処理の歩留りを向上することができる。もって産業の発達に寄与することができる。

以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置、例えばＬＣＤ用のガラス基板に対してレジスト処理を施すレジスト塗布現像処理装置を示す平面図、図２、図３及び図６は各々その装置内の要部の内部を示す側面図、図４はその装置内の要部を示す平面図、図５は各々その装置内の要部を示す側面図である。

このレジスト塗布現像処理装置１は、被処理基板、例えばＬＣＤ用のガラス基板Ｇを複数枚収容自在に構成された基板収納体、例えばカセットＣを少なくとも一つ載置すると共に複数の場合は所定の一方向に沿って載置自在に構成されたカセット配置部２と、このカセット配置部２のカセットＣに対してガラス基板Ｇを搬入或いは搬出すると共に複数のカセットＣの載置方向と平行する所定方向Ｙ１を自走自在に構成された搬送機構１１を配置する搬送機構配置部５と、で少なくとも構成されたカセットステーション部９０と、ガラス基板Ｇに所定の処理、例えばガラス基板Ｇに対して洗浄処理を施す洗浄処理部２１、ガラス基板Ｇに対して所定の処理液、例えばレジスト液を塗布して処理を施すレジスト塗布処理部２２、レジスト膜が形成されたガラス基板Ｇに対して所定の処理液、例えば現像液を供給して処理を施す現像処理部２３、等の少なくとも一つの処理配置部とおよび、それぞれの処理部の間に各々配置されガラス基板Ｇを搬送自在に構成され、かつ自走不可に構成された搬送機構１２，１３，１４と、これら搬送機構１２，１３，１４の内の少なくとも一つの搬送機構或いはカセットステーション部９０の搬送機構１１からガラス基板Ｇを受渡し自在に構成されカセットステーション部９０の搬送機構１１の自走方向Ｙ１とほぼ直交する所定方向Ｙ２を自走自在に構成された搬送機構としての基板搬送機構１６を配置する搬送機構配置部６と、で構成された処理ステーション部９１と、この処理ステーション部９１の搬送機構１３と直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受渡し自在に構成され処理ステーション部９１の搬送機構１５の自走方向Ｙ２とほぼ直交する所定方向Ｙ３を自走自在に構成された搬送機構１５を配置すると共にガラス基板Ｇを搬送機構１５から直接或いは間接的に他の装置、例えばガラス基板Ｇに形成されたレジスト膜に対して所定の回路パターンを露光する露光装置１０と受渡し自在に構成された搬送機構配置部７としてのインターフェイスステーション部９２とでその主要部が構成されている。

次に、処理ステーション部９１内の処理配置部の一つである洗浄処理部２１の構成について図２を参照して説明を行う。洗浄処理部２１は、所定の処理、例えば液系の処理を施す処理部を含む複数の処理部によって構成されている。すなわち、その処理部の一つは、ガラス基板Ｇに対して所定の液処理としてガラス基板Ｇに対して洗浄液を供給する洗浄液供給機構としての洗浄液ノズル３１から洗浄液をガラス基板Ｇに対して供給すると共にガラス基板Ｇに対して回転自在に構成された洗浄ブラシ３２を接触させることによりガラス基板Ｇに付着した不要物としてのゴミ等を除去するよう構成された洗浄部３０と、他の処理部の一つとして、ガラス基板Ｇを真空吸着して保持すると共に回転動且つ上下動自在に構成された保持機構としてのチャック３６にて回転の遠心力でガラス基板Ｇの表面に付着した洗浄液を振切り乾燥自在に構成され、さらにチャック３６上のガラス基板Ｇに対して乾燥気体を複数の穴から供給し乾燥を促進するための気体供給機構としてのシャワーヘッド３７とでその主要部が構成された乾燥促進部３５と、この乾燥促進部３５と洗浄部３０との間でガラス基板Ｇを搬送自在（一方向、つまり洗浄部３０から次処理工程を行う乾燥促進部３５方向で、搬送機構１５の自走方向Ｙ２とほぼ平行な方向に略水平に搬送）に構成されると共にカセットステーション部９０の搬送機構１１及び搬送機構１２から般入出口３９を介してガラス基板Ｇを直接若しくは間接的に受渡し自在に構成されると共にガラス基板Ｇを点或いは面接触にて搬送自在に構成された搬送機構としてのローラ搬送機構３８と、でその主要部が構成されている。

なお、保持機構としてのチャック３６についてガラス基板Ｇを真空吸着して保持するものを述べたが、ガラス基板Ｇの裏面または側面等を支持するメカチャックを用いてもよい。また、ローラ搬送機構３８に対して搬送機構１１及び搬送機構１２から直接受渡ししてもよいが間接的に受渡しを行う一つの方法として、一旦ローラ搬送機構３８の上方位置にてガラス基板Ｇの裏面または側面等を支持する支持機構（図示せず）として複数の支持ピンによって支持した後、それら複数のピンを同時に下降させてガラス基板Ｇをローラ搬送機構３８のローラ部に移し替える方法等が考えられる。なぜならば、例えばローラ搬送機構３８の複数のローラ部が独立して回転されるのではない場合、洗浄処理部２１内に複数のガラス基板Ｇが存在していると複数のローラ部が回転して際に同時に処理の途中でも移動したり、そのような移動中に搬送機構１１及び搬送機構１２から直接受渡しする際に搬送ミスを起こす可能性があったり、また、複数のローラ部の回転が停止するのを待っていると搬送時間が処理のスループットに影響する恐れがあるためである。したがって、支持機構はガラス基板Ｇを一旦待機させる待機機構として存在させても良く，ローラ搬送機構３８の途中の区間において存在させてもよい。ローラ搬送機構３８の複数のローラ部が独立して回転される場合は、特に上述の問題は大きな影響となる可能性は低い。

次に、カセットステーション部９０の搬送機構１１の構成について説明すると搬送機構１１は、前述にも説明したようにその基台４０自体が複数のカセットＣの載置方向と平行する所定方向Ｙ１を自走自在に構成されており、搬送機構１１には、ガラス基板Ｇを保持或いは支持する保持機構としてのアーム４１を積層して複数備えている。これらのアーム４１は各々独立して伸縮（Ｘ１方向）自在に構成されており、また、これらのアーム４１の基台４０は複数のアーム４１を一括して上下方向（Ｚ１方向）及び回転方向（θ１方向）に移動自在に構成されている。

次に、洗浄処理部２１の上方、つまり上部の一方側には、ガラス基板Ｇの表面に付着した不要物、例えば有機物を除去するために紫外線、例えばエキシマＵＶ等を照射して処理する紫外線処理部２４が配置されており、洗浄処理部２１の上方の他方側には、ガラス基板Ｇに対して所定の熱にて処理する第１の熱系の処理部２５が配置されている。熱系の処理部２５は、ガラス基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット２６、ガラス基板Ｇに対して脱水ベークを行う脱水ベークユニット２７等で構成される加熱処理部２８と、この加熱処理部２８の所定の処理ユニットで処理されたガラス基板Ｇを次工程の処理における処理時の温度に略設定するための温調処理部２９が積層して配置されている。

なお、熱系の処理部２５において洗浄処理部２１に最も近い部分に温調処理部２９を配置しその上方に加熱処理部２８を配置したが、通常、温調処理部２９にて設定するガラス基板Ｇを次工程の処理における処理時の温度は、加熱処理部２８における処理ユニットでの温度より低い温度のため、例えば略室温のため加熱処理部２８の熱が洗浄処理部２１に影響を及ぼさないように温調処理部２９は熱影響を抑制するバッファ的機能としてもその配置位置が配慮されている。さらに、洗浄処理部２１への熱影響を抑制するために加熱処理部２８においてもより高い温度での処理を行う処理ユニットほど高い位置、つまり洗浄処理部２１から遠い位置に配置するようにしたほうが好ましい。また、本実施例において温調処理部２９は一つ設けてあるが複数有った方がより洗浄処理部２１への熱影響が抑制されることになる。

次に，洗浄処理部２１の前述したカセットステーション部９０の搬送機構１１と対向する側には、搬送機構１２が配置されている。この搬送機構１２は、前述にも説明した搬送機構１１と同様にガラス基板Ｇを保持或いは支持する保持機構としてのアーム４１を積層して複数備えている。これらのアーム４１は各々独立して伸縮（Ｘ１方向）自在に構成されており、また、これらのアーム４１の基台４０は複数のアーム４１を一括して上下方向（Ｚ１方向）及び回転方向（θ１方向）に移動自在に構成され、洗浄処理部２１，アドヒージョン処理ユニット２６及び脱水ベークユニット２７の加熱処理部２８，温調処理部２９の各々の般入出口３９を介してそれぞれの処理部に対してガラス基板Ｇを搬入出自在に構成されている。

次に、処理ステーション部９１内の処理配置部の他の一つであるレジスト塗布処理部２２の構成について図３を参照して説明を行う。レジスト塗布処理部２２は、所定の処理、例えば液系の処理を施す処理部を含む複数の処理部によって構成されている。それらの処理部は、例えばガラス基板Ｇに対して所定の液処理としてガラス基板Ｇに対してレジスト液を供給するレジスト液供給機構としてのレジスト液供給ノズル６１からレジスト液をガラス基板Ｇに対して供給すると共にガラス基板Ｇを保持し回転自在に構成された回転機構６２の回転による遠心力にてガラス基板Ｇ上のレジスト液をガラス基板Ｇの処理面の全面にわたってレジスト膜を形成するように構成されており、このレジスト膜形成工程時には図示しない機構により上カップ６３と下カップ６４のいずれか一方が移動し他方に接触しカップ内をある程度の気密状態を維持するよう構成されたレジスト塗布部５１と、図示しない機構により上カップ６５と下カップ６６のいずれか一方が移動し他方に接触し上カップ６５と下カップ６６により構成されたカップ内を排気機構、例えば真空ポンプ６７により、ある程度の減圧状態に設定するよう構成され、レジスト塗布部５１により処理されたガラス基板Ｇ上のレジスト液の形成膜に対してある程度まで減圧状態で乾燥させる減圧乾燥部５２と、この減圧乾燥部５２で処理されたガラス基板Ｇの周縁部のレジスト膜に対して溶剤液、例えばシンナー等を溶剤供給機構としての溶剤液供給ノズル６８から供給し、ガラス基板Ｇの周縁部のレジスト膜を除去する不要レジスト膜除去部５３と、でその主要部が構成されている。

さらに、ガラス基板Ｇを順にレジスト塗布部５１、減圧乾燥部５２、不要レジスト膜除去部５３の処理部に（一方向、つまり次処理工程を行う方向で、搬送機構１５の自走方向Ｙ２とほぼ平行な方向に略水平に搬送（Ｙ５方向））搬送自在に構成された搬送機構７９としては図４を参照して説明を行う。この搬送機構７９は、ガラス基板Ｇの裏面または側面等を支持或いは保持する保持機構としてのアーム６９，７０をガラス基板Ｇに対して対向する位置に配置しており、これらのアーム６９，７０は互いに近接離間移動（図中Ｙ５方向）するよう構成されると共に上下動して各処理部及び搬送機構１２とガラス基板Ｇを受渡し自在に構成されアーム６９，７０にてガラス基板Ｇを保持したまま略水平移動自在に構成されている。

次に、図３に示すようにレジスト塗布処理部２２の上方、つまり上部の一方側には、ガラス基板Ｇに対して所定の熱にて処理する第２の熱系の処理部７１が配置されている。この熱系の処理部７１は、前述した第１の熱系の処理部２５にても配置されたガラス基板Ｇに対して脱水ベークを行う脱水ベークユニット２７で構成される加熱処理部２８と、この加熱処理部２８の所定の処理ユニットで処理されたガラス基板Ｇを次工程の処理であるレジスト塗布処理部２２内の処理における処理時の温度に略設定するための温調処理部２９が積層して配置されている。つまり、レジスト塗布処理部２２における処理の前段処理を第１の熱系の処理部２５及び第２の熱系の処理部７１にてガラス基板Ｇに対して処理を施すものである。

なお、第１の熱系の処理部２５及び第２の熱系の処理部７１のユニット構成は同様な構成でも良いが、さらに好ましいのは洗浄処理部２１に比べてレジスト塗布処理部２２の方が処理の性質から熱の影響が受けやすいために、第１の熱系の処理部２５にて配置する各処理ユニットでの処理の熱量の合計熱量より第２の熱系の処理部７１のユニットでの処理の熱量の合計熱量が低くなるように構成したり、第１の熱系の処理部２５にて配置する温調処理部２９の数より第２の熱系の処理部７１にて配置する温調処理部２９の数が多くなるように構成したり、洗浄処理部２１と加熱処理部２８との間に介在する温調処理部２９の数よりレジスト塗布処理部２２と加熱処理部２８との間に介在する温調処理部２９の数がより多くなるように構成したり、第２の熱系の処理部７１のユニット構成は温調処理部２９のみにて構成するようにしてもよい。

さらに、レジスト塗布処理部２２の上方の他方側には、レジスト塗布処理部２２にて処理されたガラス基板Ｇに形成されたレジスト膜に対して所定の温度を処理してレジスト膜を硬化させる複数の加熱処理ユニット７５等で構成される加熱処理部７６と、この加熱処理部７６の所定の処理ユニット７５で処理されたガラス基板Ｇを次工程の処理における処理時の温度または装置内温度に略設定するための温調処理部７７が積層して配置され第３の熱系の処理部７２が構成されている。なお、レジスト塗布処理部２２と加熱処理部７６との間に温調処理部７７を介在させるのは前述と同様な理由である。

次に，前述した搬送機構１２は、レジスト塗布処理部２２内にレジスト塗布処理部２２の第一の般入出口３９からガラス基板Ｇを搬入及び加熱処理部２８と温調処理部２９に対してそれぞれ設けられている般入出口３９からガラス基板Ｇを搬入出自在に構成されている。なお、搬送機構１２の動作については基本的に前述に記したとおりである。

次に、レジスト塗布処理部２２内で処理されたガラス基板Ｇをレジスト塗布処理部２２の搬入出口３９から搬出または加熱処理部７６の加熱処理ユニット７５或いは温調処理部７７の各々に対してそれぞれの搬入出口３９を介してガラス基板Ｇを般入出させる搬送機構１３を図５を参照しながら説明する。なお、レジスト塗布処理部２２内で処理されたガラス基板Ｇをレジスト塗布処理部２２の搬入出口３９または加熱処理部７６の加熱処理ユニット７５或いは温調処理部７７の各々の搬入出口３９は、レジスト塗布部５１、減圧乾燥部５２、不要レジスト膜除去部５３の処理部の配置方向に、つまりレジスト塗布処理部２２内の搬送機構の自走方向Ｙ４とほぼ直交する方向に位置するよう構成されている。

したがって、搬送機構１３は、レジスト塗布処理部２２内の搬送機構の自走方向Ｙ４とほぼ直交する方向に位置するよう配置されており、搬送機構１３は、前述にも説明した搬送機構１２と同様にガラス基板Ｇを保持或いは支持する保持機構としてのアーム４１を積層して複数備えている。これらのアーム４１は各々独立して伸縮（Ｘ２方向）自在に構成されており、また、これらのアーム４１の基台４０は複数のアーム４１を一括して上下方向（Ｚ２方向）及び回転方向（θ２方向）に移動自在に構成されている。

さらに、搬送機構１３は、現像処理部２３内に現像処理部２３の第一の般入出口３９からガラス基板Ｇを搬入自在に構成されており，さらに現像処理部２３の上方、つまり上部の一方側に配置され、ガラス基板Ｇに対して所定の熱にて処理する第４の熱系の処理部７３として、後述する露光装置１０にて処理されたガラス基板Ｇを所定の温度で加熱処理する加熱処理部７５と、この加熱処理部７５と現像処理部２３との間には加熱処理部７５の熱が現像処理部２３に影響を与えないよう加熱処理部７５で処理されたガラス基板Ｇを現像処理部２３での処理温度と略同温、例えば室温に設定する温調処理部７７の各々の般入出口３９を介してガラス基板Ｇを搬入出自在に構成されている。

なお、第４の熱系の処理部７３と加熱処理部７５，７７の処理ユニット群は互いに搬入出口３９が対抗する方向に配置され、さらに現像処理部２３とレジスト塗布処理部２２の搬入出口３９も対抗するよう配置されている。

次に、現像処理部２３の構成について図６を参照して説明を行う。現像処理部２３は、所定の処理、例えば液系の処理を施す処理部を含む複数の処理部によって構成されている。すなわち、その処理部の一つは、ガラス基板Ｇの露光装置１０により所定の回路パターンが形成されたレジスト膜に対して所定の液処理としてガラス基板Ｇに対して現像液を供給する現像液供給機構としての現像液ノズル８１から現像液をガラス基板Ｇに対して供給する現像液供給部８０と、他の処理部の一つとして、現像液供給部８０でガラス基板Ｇ上に盛られた現像液の現像反応を進行させると共に現像反応が終了した後にガラス基板Ｇに対して純水等のリンス液をリンス液供給ノズル８３から供給しガラス基板Ｇ上の現像液を除去（現像液からリンス液に置換）すると共にガラス基板Ｇの乾燥を例えば乾燥エアー等の乾燥促進機構（図示せず）により乾燥を促進させるリンス液供給部８２とを備えている。

また、現像処理部２３内には、現像液供給部８０とリンス液供給部８２との間でガラス基板Ｇを搬送自在（一方向、つまり現像液供給部８０側から次処理工程を行うリンス液供給部８２方向で、搬送機構１５の自走方向Ｙ２とほぼ平行な方向に略水平に搬送）に構成され、搬送機構１３及び後述する搬送機構１４からそれぞれ般入出口３９を介してガラス基板Ｇを直接若しくは間接的に受渡し自在に構成されると共にガラス基板Ｇを点或いは面接触にて搬送自在に構成された搬送機構としてのローラによる搬送機構８５とを備えている。

なお、現像処理部２３内の搬送機構８５または洗浄処理部２３内の搬送機構３８においてローラによる搬送を記したがこれに限定されず例えばレジスト塗布処理部２２内の搬送機構７９のようなアーム６９，７０にて搬送機構を構成しても良いしレジスト塗布処理部２２内の搬送機構７９においてもローラによる搬送機構に置き換えても良く、基板を上述のように搬送可能であればその機構の種類を限定するものではない。

次に、図６に示すように現像処理部２３の上方、つまり上部の第４の熱系の処理部７３配置側ではない方の一方端側には、第５の熱系の処理部７４として現像処理部２３にて処理されたガラス基板Ｇに対して所定の温度で処理を施しガラス基板Ｇ上のレジスト膜を乾燥硬化させる加熱処理部１００、この加熱処理部１００で処理されたガラス基板Ｇを次工程の処理における処理時の温度または装置内温度に略設定するための温調処理部１０１が積層して配置され、温調処理部１０１の下部にはガラス基板Ｇに対して現像の脱色処理を行うための紫外線処理部としてｉ線の紫外線を照射する紫外線照射ユニット１０２（例えば半導体ウエハの処理の場合においては電磁エネルギー処理部、例えばエレクトロンビームを照射するＥＢ処理部等）が設けられ、紫外線照射ユニット１０２の下部にはガラス基板Ｇ上に形成されたレジスト膜の検査を行う検査処理部１０３が設けられている。

次に、搬送機構１４は、前述にも説明した搬送機構１３と同様にガラス基板Ｇを保持或いは支持する保持機構としてのアーム４１を積層して複数備えている。これらのアーム４１は各々独立して伸縮（Ｘ３方向）自在に構成されており、また、これらのアーム４１の基台４０は複数のアーム４１を一括して上下方向（Ｚ３方向）及び回転方向（θ３方向）に移動自在に構成され、現像処理部２３内で処理されたガラス基板Ｇを現像処理部２３の搬入出口３９から搬出または加熱処理部１００或いは温調処理部１０１或いは紫外線照射ユニット１０２或いは検査処理部１０３の各々に対してそれぞれの搬入出口３９を介してガラス基板Ｇを般入出自在に構成されている。

次に、図１に示した基板搬送機構１６について図７，図８，図９の斜視図及び図１０の要部断面図を参照して説明する。この基板搬送機構１６は、図１に示すように処理ステーション部９１内の複数の搬送機構１２，１３，１４とそれぞれガラス基板Ｇを受け渡す受渡し位置（図中Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）にてガラス基板Ｇを受け渡し自在（ＴＰ）に構成され、またカセットステーション部９０の搬送機構１１ともガラス基板Ｇを受け渡し自在（ＴＰ）に構成されている。

図７に示すように基板搬送機構１６は、ガラス基板Ｇの側方或いは周縁部を保持する周縁部保持部材１２０と裏面側を保持する裏面部保持部材１２１とを備えた搬送機構１１，１２，１３または１４のアーム４１がＸ方向に移動し基板搬送機構１６上に位置した後に、図８に示すようにガラス基板Ｇの側方或いは周縁部を保持すると共にアーム４１と干渉しないように上昇する上下動自在に構成された周縁部保持部材１２５と、アーム４１と干渉しないようにアームのスリット部１２２から突出してガラス基板Ｇの裏面側を保持すると共に上下動自在に構成された裏面部保持部材１２６とでアーム４１上のガラス基板Ｇを受け取り自在構成されている。

さらに、基板搬送機構１６は、搬送機構１１，１２，１３または１４のアーム４１がＸ方向に移動し基板搬送機構１６上から退避した後に、図９に示すように周縁部保持部材１２５及び裏面部保持部材１２６が降下した際にガラス基板Ｇの側方或いは周縁部を保持すると周縁部保持部材１２８と、ガラス基板Ｇの裏面側を保持する裏面部保持部材１２９とを備えている。

さらに、基板搬送機構１６の周縁部保持部材１２８は、図１０に示すように、ガラス基板Ｇの位置決め機構として複数の角度（θ１，θ２）を有した落とし込み部１３０を備えており、基板搬送機構１６の移動中においてもガラス基板Ｇの位置がずれるのを抑制している。このような位置決め機構は、搬送機構１１，１２，１３または１４のアーム４１との受渡しの際にも位置がずれるのを抑制する効果を有している。また、搬送機構１１，１２，１３または１４のアーム４１の周縁部保持部材１２０もこのような機構を備えておりガラス基板Ｇの搬送中或いは受渡し時の動作をより確実に行うよう構成されている。なお、基板搬送機構１６には、図示しない温調機構が備えられガラス基板Ｇを所定の温度、例えば搬送に適した所定温度または前述の温調処理部の処理温度と略同温に設定自在に構成されている。

次に、インターフェイスステーション部９２について図１を参照しながら説明を行う。インターフェイスステーション部９２は、前述にも説明した搬送機構１１と同様にガラス基板Ｇを保持或いは支持する保持機構としてのアーム４１を積層して複数備え、これらのアーム４１は各々独立して伸縮自在に構成されており、また、これらのアーム４１の基台は複数のアーム４１を一括して上下方向（Ｚ方向）及び回転方向（θ方向）に移動自在に構成され基台は搬送機構１１のＹ１方向と平行するＹ３方向に移動自在に構成された搬送機構１５を備えている。

さらに、搬送機構１５は、処理ステーション部９１の搬送機構１３及び露光装置１０との間で直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受渡し自在に構成されている。

次に、図２における洗浄処理部２１，図３におけるレジスト塗布処理部２２及び図６における現像処理部２３の図中に示すそれぞれの処理部内部の処理部間に示された点線部について図１１及び図１２を参照して説明する。それぞれの処理部２１，２２，２３内部の処理部間には例えばそれぞれの処理部との雰囲気干渉を抑制するために雰囲気遮断機構として例えば図１１または図１２で示すような機構を備えている。（ここではガラス基板Ｇをローラ搬送する例で説明する。）

すなわち、図１１に示す雰囲気遮断機構１５０における開閉機構として上シャッタ１５２と下シャッタ１５３が設けられ、いずれか一方の側、例えば下シャッタ１５３の上シャッタ１５２との当接面にはシール部材としてシリコンゴム１５４等が配置されている。また、上シャッタ１５２と下シャッタ１５３とは相対的に近接離間（図中Ｚ５）するよう構成されており上シャッタ１５２と下シャッタ１５３とが接触した際には処理部間の雰囲気を遮断自在に構成している。

また、図１２に示す雰囲気遮断機構１５０においては、遮断媒体、例えば、気体、例えばクリーエアー等または液体、例えば純水等を供給する遮断媒体供給機構１５６から開閉機構、例えばバルブ１５７を介してノズル１５８からカーテン状に吐出されるよう構成されている。また、ノズル１５８の下方位置には、ノズル１５８から吐出された遮断媒体を回収するための遮断媒体受け部１５９が設けられ、この遮断媒体受け部１５９の遮断媒体は開閉機構、例えばバルブ１６０を介して遮断媒体回収機構１６１により回収されるよう構成されている。さらに、遮断媒体回収機構１６１は回収した遮断媒体の少なくとも一部をコストダウン等のメリットから遮断媒体供給機構１５６に対して循環経路１６２を介して戻し、循環利用自在に構成している。

このような雰囲気遮断機構１５０の動作については、ガラス基板Ｇが搬送機構３８，７９，８５により雰囲気遮断機構１５０を通過する際は、例えばシャッタ１５２，１５３を使用する場合は開閉或いは遮断媒体おいて例えば液体を使用する場合はその吐出を停止するよう構成する必要がある。しかしながら、遮断媒体おいて例えば気体を使用する場合は稼動の停止を必要としない場合が多い。つまり、例えば洗浄処理部２１内において洗浄部３０と乾燥促進部３５との間に雰囲気遮断機構１５０を配置した場合、遮断媒体おいて例えば気体を使用していると洗浄部３０で処理されてきたガラス基板Ｇ上の洗浄液を吹き飛ばすことになり後段の処理の乾燥促進部３５の処理時間が短縮できるという二次的な効果を発生させることができる。この場合特に注意する点として遮断媒体によりガラス基板Ｇ上の洗浄液が吹き飛んでミストになった際、このミストが乾燥促進部３５で処理するまたは処理後のガラス基板Ｇ上に付着しないよう対策を行う必要がある。このような対策の一つとしてガラス基板Ｇの搬送方向に複数の雰囲気遮断機構１５０を配置してもよい。以上のことから、雰囲気遮断機構１５０は配置環境或いは前後の処理環境に応じて適宜選択するようにすることが必要である。

次に、各処理部に設けられた搬入出口３９について図１３及び図１４を参照して説明する。各処理部に設けられた搬入出口３９は、各処理部の内部方向から外方向に見た図１３に示すように各処理部内の内壁部１６５には搬入出口３９の周囲にシール部材、例えばＯリング１６６が備えられており、図１４に示す開閉機構、例えばシャッタ機構１６７が待機位置から所定の動作、例えば図中のＺ０方向に移動しさらにＸ０方向に移動しＯリング１６６と当接し搬入出口３９を開閉自在に構成されている。

さらに、各処理部の開閉自在な開閉機構を備えた搬入出口３９は、装置内には通常、クリーンルームからのエアーをフィルター等を介してダウンフローを形成するように構成されており，各処理部の雰囲気の干渉を防止することがその主たる目的の一つである。例えば、加熱処理部７５の熱を帯びた雰囲気がレジスト塗布処理部２２内に流れ込むとレジスト塗布工程は熱の影響で塗布膜の厚みが変動しやすい性質のためガラス基板Ｇの処理の歩留まりが発生してしまう。また、例えば洗浄処理部２１からの洗浄液等のミストが洗浄処理部２１外に飛散し、このミストが搬送中等のガラス基板Ｇ上に付着しないよう対策を行う必要がある。このような問題を解消するためにも、このような問題が発生する場合は搬入出口３９の開閉機構は有効である。

また、例えばレジスト塗布処理部２２内部の雰囲気圧力をレジスト塗布処理部２２外部の雰囲気圧力に対して、実質的に高い圧力に設定してレジスト塗布処理部２２外部の雰囲気がレジスト塗布処理部２２内部に進入するようにし、それによる他の処理部が特段の影響を及ぼさない場合はレジスト塗布処理部２２の搬入出口３９の開閉機構は特段備えていなくてもよい。

以上のように構成されたレジスト塗布現像処理装置１におけるガラス基板Ｇの処理工程の手順の一例を以下に説明する。始めに、カセットステーション部９０のカセット配置部２に人的搬送或いは機械的搬送、例えばＡＧＶロボットにより少なくとも一つのカセットＣが搬送され、このカセット配置部２に配置された未処理のガラス基板Ｇを複数枚収納するカセットＣからガラス基板Ｇを一枚毎搬送装置１１に搬出し、その搬出したガラス基板Ｇを紫外線処理部２４に直接搬入し、紫外線処理部２４にて洗浄前処理が施される。

次いで、紫外線処理部２４にて処理されたガラス基板Ｇは搬送装置１１により紫外線処理部２４の下方に位置する洗浄処理部２１に般入出口３９を介して搬送され（般入出口３９の開閉機構については特に述べない。以下同様）洗浄処理部２１内のローラによる搬送機構３８に直接或いは間接的に受け渡され、次いで、搬送機構３８のローラの回転駆動によりガラス基板Ｇは洗浄部３０の処理位置に略水平に搬送され、洗浄処理が施される。

次いで、洗浄処理が施されたガラス基板Ｇは搬送機構３８のローラの回転駆動により乾燥促進部３５の処理位置に略水平に搬送（搬送路の途中に配置する雰囲気遮断機構については前述したので特に述べない。以下同様）され、乾燥処理が施される。乾燥処理が施されたガラス基板Ｇは搬送機構３８のローラの回転駆動により搬送機構１２と直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受け渡す受渡位置にガラス基板Ｇを略水平に搬送し、その後、搬送機構１２により洗浄処理部２１の般入出口３９を介して洗浄処理部２１外に搬送し、次いで搬送機構１２はガラス基板Ｇを洗浄処理部２１の上方に配置する加熱処理部２８の脱水ベークユニット２７またはレジスト塗布処理部２２の上方の温調処理部２９に般入出口３９を介して搬送し、ガラス基板Ｇは脱水ベークユニット２７内にて脱水処理が施される。

次いで、脱水ベークユニット２７内にて脱水処理が施されたガラス基板Ｇは、搬送機構１２により脱水ベークユニット２７内より搬出され搬送機構１２により脱水ベークユニット２７の下方位置の温調処理部２９に搬送され温調処理部２９内にて所定の温度まで冷却され所定の温度に維持する処理が施される。

次いで、温調処理部２９内にて所定の温度に維持されたガラス基板Ｇは、搬送機構１２により温調処理部２９内より搬出され搬送機構１２により温調処理部２９の上方位置のアドヒージョン処理ユニット２６に搬送されアドヒージョン処理ユニット２６内にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。

次いで、アドヒージョン処理ユニット２６内にて処理されたガラス基板Ｇは、搬送機構１２によりアドヒージョン処理ユニット２６の下方位置に配置される温調処理部２９またはレジスト塗布処理部２２の上方に位置する温調処理部２９のいずれかの温調処理部２９に選択搬送されその選択された温調処理部２９内にて所定の温度、例えば次工程の処理を施すレジスト塗布処理部２２内での処理における温度とほぼ同温またはその近傍の温度まで冷却され所定の温度、例えば、ほぼ室温に設定する処理が施される。

次いで、温調処理部２９内にて所定の温度に維持されたガラス基板Ｇは、搬送機構１２により温調処理部２９内より搬出され搬送機構１２により温調処理部２９の下方に位置するレジスト塗布処理部２２に般入出口３９を介して搬送されレジスト塗布処理部２２内の搬送機構７９に直接或いは間接的に受け渡され、次いで、搬送機構７９によりガラス基板Ｇはレジスト塗布部５１の処理位置に略水平に搬送され、レジスト液の塗布処理が施される。

次いで、レジスト塗布部５１にてレジスト液の塗布処理が施されたガラス基板Ｇは搬送機構７９により減圧乾燥部５２の処理位置に略水平に搬送され、減圧することにより乾燥させる処理が施される。減圧処理が施されたガラス基板Ｇは搬送機構７９により不要レジスト膜除去部５３の処理位置に略水平に搬送され、ガラス基板Ｇの周縁部に形成された不要部分のレジスト膜を除去する処理が施される。不要部分のレジスト膜が除去処理されたガラス基板Ｇは搬送機構７９により搬送機構１３と直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受け渡す受渡位置にガラス基板Ｇを略水平に搬送し、その後、搬送機構１３によりレジスト塗布処理部２２の般入出口３９を介してレジスト塗布処理部２２外に搬送する。

次いで、搬送機構１３はガラス基板Ｇをレジスト塗布処理部２２の上方に配置する加熱処理部７６の内の選択された加熱処理ユニット７５に搬送し、ガラス基板Ｇは加熱処理ユニット７５内にて加熱処理が施される。

次いで、加熱処理ユニット７５内にて加熱処理されたガラス基板Ｇは、搬送機構１３により加熱処理ユニット７５の下方位置に配置される温調処理部７７内にて所定の温度、例えば搬送に適した温度として搬送機構配置部６内の雰囲気温度とほぼ同温またはその近傍の温度まで冷却され所定の温度に維持する処理が施される。

次いで、温調処理部７７内にて処理されたガラス基板Ｇは、搬送機構１３により温調処理部７７外に搬出された後に、インターフェイスステーション部９２の搬送機構１５に対して直接或いは間接的にガラス基板Ｇを引き渡す。さらに、搬送機構１５は露光装置１０に対して直接或いは間接的にガラス基板Ｇを引き渡し、露光装置１０内にてガラス基板Ｇのレジスト膜に所定の回路パターンが露光処理される。

次いで、露光装置１０内で露光処理されたガラス基板Ｇは、露光装置１０からインターフェイスステーション部９２の搬送機構１５に対して直接或いは間接的に引き渡され、さらに、搬送機構１５は搬送機構１３に対してガラス基板Ｇを直接或いは間接的に引き渡す。

次いで、ガラス基板Ｇは搬送機構１３により現像処理部２３の上方に位置する加熱処理ユニット７５に搬送され露光後の加熱処理が施される。加熱処理ユニット７５内にて処理されたガラス基板Ｇは搬送機構１３により加熱処理ユニット７５の下方位置に配置される温調処理部７７またはレジスト塗布処理部２２の上方に位置する温調処理部７７のいずれかの温調処理部７７に選択搬送されその選択された温調処理部７７内にて所定の温度、例えば次工程の処理を施す現像処理部２３内での処理における温度とほぼ同温またはその近傍の温度まで冷却され所定の温度、例えば、ほぼ室温に設定する処理が施される。

次いで、温調処理部７７内にて所定の温度に設定されたガラス基板Ｇは、搬送機構１３により温調処理部７７内より搬出され搬送機構１３により温調処理部７７の下方に位置する現像処理部２３に般入出口３９を介して搬送され現像処理部２３内の搬送機構８５に直接或いは間接的に受け渡され、次いで、搬送機構８５によりガラス基板Ｇは現像液供給部８０の処理位置に略水平に搬送され、現像液をガラス基板Ｇに供給することによりガラス基板Ｇ上に現像液の液盛り処理が施される。

次いで、現像液供給部８０にて現像液の液盛り処理が施されたガラス基板Ｇは搬送機構８５によりリンス液供給部８２の処理位置に現像液の液盛りされたガラス基板Ｇは現像液がガラス基板Ｇ上から零れ落ちないよう略水平に搬送され、現像液によるレジスト膜との化学反応が終了した後にリンス液と供給し置換させ、その後、図示しないエアー供給による乾燥或いは振切り乾燥等の乾燥処理が施される。リンス液による処理が施されたガラス基板Ｇは搬送機構８５により搬送機構１４と直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受け渡す受渡位置にガラス基板Ｇを略水平に搬送し、その後、搬送機構１４によりガラス基板Ｇは現像処理部２３の般入出口３９を介して現像処理部２３外に搬出される。

次いで、搬送機構１４はガラス基板Ｇを現像処理部２３の上方に配置する紫外線処理部１０２に搬送し、ガラス基板Ｇは紫外線処理部１０２内にて脱色処理が施される。その後、ガラス基板Ｇは搬送機構１４により加熱処理部１００に搬送され加熱処理された後、ガラス基板Ｇは搬送機構１４により温調処理部１０１に搬送され冷却処理される。

次いで、搬送機構１４はガラス基板Ｇを検査処理部１０３に搬送し、ガラス基板Ｇのレジスト膜の状態を検査する処理が施される。その後、ガラス基板Ｇは搬送機構１４によりＰ１（図１中）位置に配置する基板搬送機構１６を介して間接的に或いは直接、カセットステーション部９０の搬送機構１１にガラス基板Ｇを受け渡す。

次いで、搬送機構１１はガラス基板Ｇをカセット配置部２に配置する処理済のガラス基板Ｇを収納するカセットＣに対して搬入し、一連の処理が終了する。

なお、基板搬送機構１６の動作或いは役割としては、上記に述べた他に次のような動作或いは役割を行う。ガラス基板Ｇの処理が上述した一連の処理ではなく、基板搬送機構１６の動作として、例えば洗浄処理までの処理のみを施したい場合においては、洗浄処理部２１で終了したＰ２（図１中）位置に配置しガラス基板Ｇを搬送機構１２を介して間接的に或いは直接受け取り、Ｐ１（図１中）位置に移動しカセットステーション部９０の搬送機構１１にガラス基板Ｇを受け渡す。また、例えばレジスト塗布処理までの処理のみを施したい場合或いは露光処理までの処理のみを施したい場合或いは露光処理終了後熱系の処理までの処理のみを施したい場合においては、Ｐ３（図１中）位置に配置しガラス基板Ｇを搬送機構１３を介して間接的に或いは直接受け取り、Ｐ１（図１中）位置に移動しカセットステーション部９０の搬送機構１１にガラス基板Ｇを受け渡す。

このように、装置１内の所定の処理を選択する場合或いは装置１の故障或いは停止等のガラス基板Ｇの処理がそれ以上実行不可となった際の装置１内からのガラス基板Ｇの払出を行う場合において各搬送機構とアクセスするよう動作する。

以上のように本実施形態によれば、ガラス基板Ｇに対して所定の処理を施す処理部として洗浄処理部２１においては処理の前後の工程を実施する処理部として洗浄部３０と乾燥促進部３５が一方向に配置され、また、レジスト塗布処理部２２においては処理の前後の工程を実施する処理部としてレジスト塗布部５１と減圧乾燥部５２と不要レジスト膜除去部５３が一方向に配置され、また、現像処理部２３においては処理の前後の工程を実施する処理部として現像液供給部８０とリンス液供給部８２が一方向に配置され、さらに洗浄処理部２１内及びレジスト塗布処理部２２内及び現像液供給部８０内には一方向にガラス基板Ｇを搬送自在の搬送機構３８，７９，８５がそれぞれ備えられ、さらに洗浄処理部２１及びレジスト塗布処理部２２及び現像液供給部８０にはそれぞれの部で処理されたガラス基板Ｇを搬送する搬送機構１２，１３，１４がそれぞれ設けられている。

すなわち、所定の前後の処理を行う処理部を一体化し、さらに、その一体化された処理システムの内部及び外部にそれぞれ基板を搬送する搬送機構を備えブロック化（例えば、洗浄処理部２１と搬送機構１２またはレジスト塗布処理部２２と搬送機構１３または現像処理部２３と搬送機構１４）したことで、従来の別個に処理部を配置し構成したシステムに比べ例えば、処理部を構成する処理室の隣り合う側方部の処理壁の厚みが削減できるので、その分、スペースを削除できるために装置の小型化が図れることとなり、その結果、装置のフットプリントを小さくすることが可能となる。また、同様の雰囲気に設定される複数の処理部においては、各々処理部に雰囲気を設定するための機構が必要となるが、一体化することで、それらの雰囲気を設定するための機構を削減することができ、装置の小型化が図れることとなり、その結果、装置のフットプリントを小さくすることが可能となる。また、装置の価格を低減することができ産業の発展にさらに寄与することができる。

さらに、所定の前後の処理を行う処理部を一体化したことにより、処理部間の搬送の時間を一定にすると共に従来の別個に処理部を配置し構成したシステムに比べ複数の基板の処理条件が一定にすることが可能となり、したがって基板毎の処理のバラツキを抑えることができ、もって歩留まりの低減を図ることが可能となる。

さらに、所定の前後の処理を行う処理部を一体化し、さらにその処理部に一つの搬送機構を備えシステムを構成し、そのシステムを少なくとも一つ或いは複数組み合わせてシステム全体を構成したことにより、従来の別個に処理部を配置し構成したシステムに比べ例えば、処理部を構成する処理室の隣り合う側方部の処理壁の厚みが削減できるので、その分、スペースを削除できるために装置の小型化が図れることとなり、その結果、装置のフットプリントを小さくすることが可能となる。また、所定の前後の処理を行う処理部（処理部配置部）の上方に処理部配置部で処理された基板に対して所定の処理を施す処理部、例えば加熱処理部を配置したことにより、その分、さらにスペースを削除できるために装置の小型化が図れる。さらに、処理部配置部毎に備えた搬送機構により処理部配置部および加熱処理部にアクセス可能であるため、余分な搬送機構を持つ必要が無くさらにスペースを削除できるために装置の小型化が図れる。

さらに、所定の前後の処理を行う処理部（処理部配置部）の上方に処理部配置部で処理された基板に対して所定の処理を施す処理部、例えば加熱処理部を配置したことにより、加熱処理部を処理部配置部、例えば非加熱処理部の上方側に設けたことにより加熱処理部の熱が下方にいくのを抑制でき、処理部配置部に熱の影響を与えるのを抑制し、もって、歩留まりの低減を図ることが可能となる。

さらに、所定の前後の処理を行う処理部（処理部配置部）毎に専用の搬送機構を備え、それを一体に構成し、それぞれの搬送機構から基板を受渡し自在に構成された少なくとも一つの基板搬送機構を有しているので、メンテナンス、基板の払出等においてシステムの使い勝手の自由度が拡大し、また基板搬送機構の配置エリア、例えば直線状の領域に人が入りメンテナンスエリアとして使用することができる。

さらに、一つの処理部配置部に付属する処理部配置部内の基板の搬送方向に対して同方向に配置される搬送機構と、他の一つの処理部配置部に付属する処理部配置部内の基板の搬送方向に対して垂直方向に配置される搬送機構との少なくとも二つのシステムを有してそれらを組み合わせてシステム全体を構成したことにより、従来の別個に処理部を配置し構成したシステムに比べ例えば、処理部を構成する処理室の隣り合う側方部の処理壁の厚みが削減できるので、その分、スペースを削除できるために装置の小型化が図れることとなり、その結果、装置のフットプリントを小さくすることが可能となる。

さらに、液処理部（処理部配置部）の上方に加熱処理部を配置、（つまり処理部配置部の般入出口より上方または処理部配置部内の基板の搬送高さよりも上方に配置）したことにより、加熱処理部を液処理部の上方側に設けたことにより加熱処理部の熱が下方にいくのを抑制でき、液処理部に熱の影響を与えるのを抑制し、もって、歩留まりの低減を図ることが可能となる。

さらに、液処理部（処理部配置部）の内部に雰囲気遮断機構を配置したことにより、処理部配置部内の処理部間の雰囲気の干渉を抑制でき、各液処理部間の影響を抑制し、もって、歩留まりの低減を図ることが可能となる。

次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図１５は本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。図１６は図１５の要部を示す断面図である。なお、第１の実施形態における記号と同一のものについては、その説明を省略するものとする。

図１５にも示すようにレジスト塗布現像処理装置１０９に備えられた、処理部配置部、例えば現像処理部２３で処理されたガラス基板Ｇは、搬送機構１４により現像処理部２３の上部に配置された第５の熱系の処理部７４にて第１の実施形態のように処理を施されるよう構成されている。さらに、搬送機構１４は、図１６にも示すように他の搬送機構、例えば搬送機構１１の搬送領域１０８上に配置されガラス基板Ｇに対して熱系の処理を施す熱系処理部１１０に対してもガラス基板Ｇを搬送自在に構成されている。さらに、搬送機構１４は、図１５にも示すように他の搬送機構、例えば基板搬送機構１６の搬送領域上に配置されガラス基板Ｇに対して熱系の処理を施す熱系処理部１１０に対してもガラス基板Ｇを搬送自在に構成されている。

熱系処理部１１０は、図１６に示すように、ガラス基板Ｇに対して所定の熱にて処理する加熱処理ユニット１１４が複数積層して配置されて構成された加熱処理部１１５と、この加熱処理部１１５の下方かつ搬送機構１１或いは基板搬送機構１６の搬送領域１０８の上方には加熱処理部１１５で処理された１１５ガラス基板Ｇに対して搬送或いは次の工程における処理時の温度に略設定するための温調処理ユニット１１６が複数積層して配置されて構成された温調処理部１１７とで構成されている。

このように第１の実施形態より多くの熱系処理部１１０を備えて構成したことで、例えば、現像処理部２３（処理部配置部）で処理されるガラス基板Ｇの処理時間が第５の熱系の処理部７４にて処理されるガラス基板Ｇの処理時間より短い場合等の処理時間のずれが生じる場合、第１の実施形態より待機時間による処理のスループットの低下を防止することが可能となる。また、第５の熱系の処理部７４にて高さ方向に制限がある場合等にはそこに配置する処理部の数に限界があるので、分散することによりさらに装置内のスペースの有効活用が図れ、装置の小型化が図れる。

また、熱系処理部１１０にて、加熱処理部１１５と搬送機構１１或いは基板搬送機構１６の搬送領域１０８の間に温調処理ユニット１１６を配置したので搬送機構１１或いは基板搬送機構１６にて保持するガラス基板Ｇへの熱の伝達を抑制でき、もって、歩留まりの低減を図ることが可能となる。さらに熱の影響から考慮するに、例えば他の搬送機構１１の上方の熱系処理部１１０には加熱処理ユニット１１４のみで構成された熱系処理部１１０と現像処理部２３（処理部配置部）の上方には温調処理ユニット１１６のみで構成された熱系の処理部７４で構成して現像処理部２３（処理部配置部）に対して、よりガラス基板Ｇへの熱の伝達を抑制することもできる。

さらに、このような構成は図１５にも示すように、例えば搬送機構１４は他の搬送機構、例えば搬送機構１６の搬送領域上に配置されガラス基板Ｇに対して熱系の処理を施す熱系処理部１１１に対しガラス基板Ｇを搬送自在に構成され、搬送機構１３は複数の他の搬送機構、例えば搬送機構１６の搬送領域上に配置されガラス基板Ｇに対して熱系の処理を施す熱系処理部１１２に対し、または、他の搬送機構、例えば搬送機構１５の搬送領域上に配置されガラス基板Ｇに対して熱系の処理を施す熱系処理部１１２に対しガラス基板Ｇを搬送自在に構成され、前述のような効果と同様な効果を生み出すよう構成されている。

次に、本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像処理装置について説明する。図１７は本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。図１８は図１７の要部を示す断面図である。図１９は図１７の要部を示す斜視図である。なお、第１の実施形態における記号と同一のものについては、その説明を省略するものとする。

図１７にも示すようにレジスト塗布現像処理装置１７０には、第１の実施形態の基板搬送機構が配置されている直線状の搬送配置部１７１がガラス基板Ｇを一時待機させるための待機部１７２により複数分割されており、その分割された複数の領域１７３にはそれぞれ基板搬送機構１６ａ，１６ｂが配置されている。さらに、基板搬送機構１６ａと基板搬送機構１６ｂとは待機部１７２を介してガラス基板Ｇを受渡し自在に構成され、基板搬送機構１６ｂと搬送機構１３とは直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受渡し自在に構成されている。なお、基板搬送機構１６ａ，１６ｂは自走式で図中Ｙ２方向に自走自在に構成されている。

さらに、基板搬送機構１６ａと基板搬送機構１６ｂは、図１８にも示すようにアーム４１には、ガラス基板Ｇを保持或いは支持する保持機構としての保持部材１７５を複数備えられ、またスリット部１７６を備えている。さらに、アーム４１の下方位置にはアーム４１のスリット部１７６から突出自在のガラス基板Ｇを保持或いは支持する保持機構としての保持部材１７７を複数備えた保持部材の基台１７８と、この基台１７８を一括して昇降移動させる昇降機構、例えばエアーシリンダ１７９にて構成されるガラス基板Ｇを一時待機する機構を備えている。

さらに、基板搬送機構１６ａと基板搬送機構１６ｂの動作として、搬送機構１３と基板搬送機構１６ｂとのガラス基板Ｇの受渡しとしては、例えば始めに基板搬送機構１６ｂのエアーシリンダ１７９にて基台１７８を上昇させ保持部材１７７を基板搬送機構１６ｂのアーム４１より突出させておき、搬送機構１３のアーム４１によりガラス基板Ｇを保持部材１７７に渡す、この後エアーシリンダ１７９にて基台１７８を下降させ保持部材１７７のガラス基板Ｇを基板搬送機構１６ｂのアーム４１の保持部材１７５に渡す。したがって基板搬送機構１６ａと基板搬送機構１６ｂには基板を一時待機させる機能も有している。

さらに、基板搬送機構１６ａと基板搬送機構１６ｂは、それぞれアーム４１を有していることから、処理部配置部、例えば、現像処理部２３の長手方向、つまり現像処理部２３内の搬送機構３８によるガラス基板Ｇの搬送方向と略直交する方向に備えられた搬入出口３９からガラス基板Ｇを搬入出自在に構成し、搬送機構３８に対してガラス基板Ｇを直接或いは間接的に受渡し自在に構成されている。

このような構成においては、処理部配置部のメンテナンス、基板の払出等においてシステムの使い勝手の自由度が拡大し、またガラス基板Ｇの搬送時間も搬送機構が増したことから搬送におけるスループットも、さらに向上させることができる。また、待機部１７２を有していることから、基板搬送機構１６ａと基板搬送機構１６ｂが待機部１７２にガラス基板Ｇに一時待機させることもできるので基板搬送機構１６ａ或いは基板搬送機構１６ｂの搬送における搬送遅延を抑制することができ、もってガラス基板Ｇの搬送或いは処理におけるスループットも、さらに向上させることができる。

次に、本発明の第４の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像処理装置について説明する。図２０は本発明の第４の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。なお、第３の実施形態における記号と同一のものについては、その説明を省略するものとする。

図２０にも示すようにレジスト塗布現像処理装置１８０は、第３の実施形態の説明で用いた図１７と比べて解かるように、基板搬送機構１６ｂの機能を搬送機構１３で補って構成したものである。すなわち、搬送機構１３は、搬送機構１３を自走式にし、図中Ｙ２方向に移動可能として構成され、基板搬送機構１６ｂのガラス基板Ｇを一時待機する機構等を付加して構成されている。

このように構成したことで、搬送機構の数を減らすことができ装置価格を抑えることができると共に、搬送機構による装置内雰囲気の乱れをさらに少なくすることができ、ミスト等の付着も抑制することができるので処理の歩留りを向上することができる。さらに、搬送機構の用力等のスペースを削除できるために装置の小型化が図れることとなり、その結果、装置のフットプリントを小さくすることが可能となる。

次に、本発明の第５の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像処理装置について説明する。図２１は、本発明の第５の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。図２２は図２１の要部を示す斜視図である。なお、前述した実施形態における記号と同一のものについては、その説明を省略するものとする。

図２１にも示すようにレジスト塗布現像処理装置１８１の直線状の搬送配置部１７１には、ガラス基板Ｇを搬送する基板搬送機構１６ａが配置され、さらにカセットステーション９０側に熱系の処理部１８５が配置されている。この熱系の処理部１８５は、図２２にも示すように、ガラス基板Ｇを加熱処理する複数の加熱処理ユニット１８６を有する加熱処理部１８７と、加熱処理部１８７の下方位置に設けられガラス基板Ｇを搬送等に適した所定温度に設定する温調処理ユニット１８８を有する温調処理部１８９と、温調処理部１８９の下方位置に設けられガラス基板Ｇをカセットステーション部９０と処理ステーション部９１との間で受け渡す受渡し部１９０と、を有している。なお、受渡し部１９０には、ガラス基板Ｇを搬送等に適した所定温度に設定する温調機構を備えていてもよい。

さらに、図２２にも示すように加熱処理ユニット１８６の加熱処理部１８７は、現像処理部２３の搬入出口３９の高さ位置Ｚａよりも高い位置Ｚｂに配置するよう構成され、加熱処理部１８７の熱の影響を抑制するよう構成されている。さらに、温調処理ユニット１８８及び受渡し部１９０には、搬送機構１４及び基板搬送機構１６ａから（ＸＡ方向（処理部配置部内のガラス基板Ｇの搬送方向或いは基板搬送装置の自走方向と略直交する方向或いは搬送機構１１の自走方向と平行する略同方向）及びＸＢ方向（処理部配置部内のガラス基板Ｇの搬送方向或いは基板搬送装置の自走方向と略同方向或いは搬送機構１１の自走方向と略直交方向）から）アクセス可能にＸＡ及びＸＢ方向にガラス基板Ｇを搬入出自在にそれぞれ搬入出口３９が備えられ、さらに受渡し部１９０には、搬送機構１５からアクセス可能にＸＣ方向（処理部配置部内のガラス基板Ｇの搬送方向或いは基板搬送装置の自走方向と略同方向或いは搬送機構１１の自走方向と略直交方向）にガラス基板Ｇを搬入出自在に搬入出口３９が備えられている。また、加熱処理部１８７の加熱処理ユニット１８６には、搬送機構１４から（ＸＡ方向から）のみアクセス可能にＸＡ方向にガラス基板Ｇを搬入出自在に搬入出口３９が備えられている。

このように構成されたシステムにおけるガラス基板Ｇの処理搬送手順の一例としては、搬送機構１４によりガラス基板Ｇは現像処理部２３から搬出され、搬送機構１４によりガラス基板Ｇは選択された加熱処理ユニット１８６に搬送され処理される。この後、搬送機構１４によりガラス基板Ｇは選択された加熱処理ユニット１８６から搬出され搬送機構１４により選択された温調処理ユニット１８８に搬送され処理される。この後、搬送機構１６ａにより選択された温調処理ユニット１８８からガラス基板Ｇは搬出され、さらに搬送機構１６ａにより受渡し部１９０に搬入される。受渡し部１９０のＸＣ方向の搬入出口３９を開閉機構で開口した後、カセットステーション部９０の搬送機構１１により搬入出口３９からガラス基板Ｇを取りだし，実質的に処理ステーション部９１から搬出する。

このように構成したことで、例えば、カセットステーション部９０からの雰囲気が処理ステーション部９１側に流れ込まない必要性がある場合、受渡し部１９０のＸＣ方向の搬入出口３９のみなのでカセットステーション部９０側のミスト等の影響を抑制することができる。また、例えば処理ステーション部９１をカセットステーション部９０側より圧力調整機構等により陽圧に設定する場合、圧力調整機構等の風力等の用力、例えば電力がより小さなものですむ為に装置価格を抑えることができると共に、ステーション間の雰囲気の干渉をさらに少なくすることができ、ミスト等の付着も抑制することができるので処理の歩留りを向上することができる。さらに、圧力調整機構等の用力等のスペースを低減できるために装置の小型化が図れることとなり、その結果、装置のフットプリントを小さくすることが可能となる。

また、温調処理ユニット１８８を受渡し部１９０として活用する場合は、温調処理ユニット１８８のＸＣ方向側にさらに搬入出口３９を備え、基板搬送機構１６ａによる温調処理ユニット１８８から受渡し部１９０へのガラス基板Ｇの搬送の工程を削除することが可能となり、ガラス基板Ｇの搬送時間のスループットを向上することもできる。また、検査機構を装置内に備えずに他の装置として接続する場合等、搬送機構１４からアクセスできるように熱系の処理部１８５と対向する側に接続して、装置の接続性を上げてもよい。

次に、本発明の第６の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板のレジスト塗布現像装置の他の実施の形態として処理液塗布処理装置について説明する。図２３は本発明の第６の実施形態に係るＬＣＤ用のガラス基板の処理液塗布処理装置を示す平面図である。図２４は図２３の処理部配置部の要部を示す平面図、図２５は図２３の処理部配置部の要部を示す斜視図、図２６は処理の説明をする図、図２７は図２４の処理部配置部の他の実施の形態としての処理部配置部の要部を示す平面図である。なお、前述した実施形態における記号と同一のものについては、その説明を省略するものとする。

図２３にも示すように処理液塗布処理装置１９４は、例えばカラー溶剤等（半導体ウエハの場合は、このような塗布液としては、例えばＳＯＤまたはＳＯＧ膜を形成するための有機或いは無機の溶剤が考えられる。）の処理液を塗布するための処理部配置部、例えば前述のようなレジスト塗布処理部２２と同様の構成の塗布処理部２２ａと、処理部配置部、例えば洗浄処理部２１と、前述の熱系の処理部１８５と同様の構成であってその構成の中に加熱処理部１８７を含んでいない熱系の処理部１８５ａと、搬送機構１２，１６ａと、塗布処理部２２ａと洗浄処理部２１との上部に各々一つまたは複数配置された他の処理部配置部としての熱系の処理部２００と、で構成された第１の処理ステーション部１９５と、カセットステーション部９０と、搬送機構１５ａとこの搬送機構１５ａを挟んで対象に複数、例えば二つ配置された熱系の処理部２００を備えた熱系の第２の処理ステーション部１９６と、でその主要部が構成されている。なお、熱系の処理部２００は少なくとも１つ、複数の場合は積層して配置されている。

さらに、熱系の処理部２００は、図２４に示すように、熱系の処理部２００には、ガラス基板Ｇを搬入或いは搬出するための搬入出口３９が少なくとも１つ、例えば複数、例えば３つ備えられており、さらに熱系の処理部２００内部には、熱系の処理部２００外部に配置された搬送機構１６ａまたは搬送機構１５ａと直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受け渡す温調機構を備えると共に図中ＸＰ方向（処理部配置部の長手方向）に移動する移動処理部としての移動機構を備えたアーム状の温調処理部２０５と、ガラス基板Ｇを所定の温度にて加熱処理する加熱処理部２０６と、前述したような雰囲気遮断機構１５０と、でその主要部が構成されている。

さらに、温調処理部２０５は、温調処理部２０５の下方から突出自在に構成され、ガラス基板Ｇを保持或いは支持するための保持部材、例えば保持ピン２０７と接触しないようにスリット部２０８を複数備え、さらに、温調処理部２０５はガラス基板Ｇを保持或いは支持するための保持部材、例えば保持ピン２０９を備えている。この温調処理部２０５の待機位置としては、図のように熱系の処理部２００外部に配置された搬送機構１６ａまたは搬送機構１５ａと直接或いは間接的にガラス基板Ｇを受け渡す位置の温調領域２１０である。

次に、加熱処理部２０６は加熱処理領域に固定されて配置されており、図２５にも示すように蓋部２１９と基台２１２とで少なくともいずれか一方が近接することにより処理室を形成するよう構成されている。基台２１２には、ガラス基板Ｇを所定の温度にて設定するための加熱体としての熱板２１３と、この熱板２１３の周囲に配置され蓋部２１９の底部と接触し処理室内を密閉空間にするためのシール部材としてのＯリング２１４と、Ｏリング２１４と熱板２１３との間には処理室内を排気する複数の排気口２１５とを備えており、複数の排気口２１５は排気機構、例えば真空ポンプ２１６に開閉機構、例えばバルブ２１７を介して接続されている。また、熱板２１３には複数のガラス基板Ｇを保持或いは支持するための保持部材、例えば保持ピン（図示しない）が突出自在に構成された穴部２１８が設けられ、さらに熱板２１３には穴部２１８に対して突出自在に構成された保持ピンから受け渡されるガラス基板Ｇを熱板２１３上に位置決めすると共に保持或いは支持するための保持部材、例えば保持ピン２２０が設けられている。

また、蓋部２１９には、基台２１２と処理室を構成した際にその処理空間内に所定の処理ガス或いは不活性ガス、例えば窒素等の所定のガスを気体供給部２２３から開閉機構、例えばバルブ２２４を介して供給する気体供給機構２２１と、基台２１２と処理室を構成した際にその処理空間内を開閉機構、例えばバルブ２２５を介して排気部、例えば真空ポンプ２２６にて排気する排気機構２２２とが備えられている。

このように構成されたシステムにおける、ガラス基板Ｇの処理の手順の一例を下記に説明する。まず始めに、搬送機構１１によりカセットＣから搬出されたガラス基板Ｇは、第１の雰囲気下に配置されている搬送機構１１により、いずれかの洗浄処理部２１に搬入され洗浄処理が施される。さらに、洗浄処理部２１にて処理されたガラス基板Ｇは、搬送機構１２により洗浄処理部２１から搬出され、塗布処理部２２ａまたは洗浄処理部２１のいずれかの上方の熱系の処理部２００に選択搬送される。

搬送機構１２と熱系の処理部２００との受渡し手順の一例としては、熱系の処理部２００の搬入出口３９の図示しない開閉機構が開口した後、搬送機構１２のガラス基板Ｇを保持したアーム４１が搬入出口３９を介して熱系の処理部２００内の温調処理部２０５の上方に位置する。この後、温調処理部２０５の下方から突出してくる保持ピン２０７上にガラス基板Ｇが移し替えられた後に、搬送機構１２のアーム４１は熱系の処理部２００外に退避する。（この後、搬入出口３９の図示しない開閉機構が閉じられる）保持ピン２０７は、ガラス基板Ｇを保持したまま下降し温調処理部２０５の保持ピン２０９にガラス基板Ｇを受け渡す（この時、温調処理部２０５は静止状態となっており、温調処理部２０５の保持ピン２０９に保持されたガラス基板Ｇは温調処理部２０５の温調機構により所定の温度、例えば略室温２３℃に温調処理が開始される（加熱処理前温調処理工程））。

次に、温調処理部２０５は保持ピン２０９にガラス基板Ｇを保持した状態で温調領域２１０（第２の雰囲気）から加熱処理領域２１１（第３の雰囲気）に、つまり加熱処理部２０６方向（ＸＰ方向）に雰囲気遮断機構１５０を介し加熱処理部２０６の熱板２１３の上方位置に水平移動する。穴部２１８から保持ピンを突出させこの保持ピンの上昇により温調処理部２０５のガラス基板Ｇを保持し受け渡す（この後、温調処理部２０５は温調領域２１０に移動し待機する。）。

次に、気体供給機構２２１から所定の気体を加熱処理領域２１１内に供給しガラス基板Ｇの周囲雰囲気をほぼ所定の気体に設定（加熱処理前雰囲気設定工程）した後にガラス基板Ｇを保持する保持ピンが下降し穴部２１８内に収納され、ガラス基板Ｇは熱板２１３の保持ピン２２０に受け渡される。この後蓋部２１９が下降し蓋部２１９の底部と基台２１２のＯリング２１４が接触し処理室を形成する。さらに、気体供給機構２２１から所定の気体を処理室内に導入しつつ排気口２１５または排気機構２２２により処理室内を排気してガラス基板Ｇは加熱処理、例えば加熱温度として２００℃以上の温度にて加熱処理される（加熱処理工程）。

次に、処理室内にてガラス基板Ｇを加熱処理した後に、蓋部２１９を上昇させ基台２１２と離間することにより処理室の形成を解除する。穴部２１８から保持ピンを突出させこの保持ピンの上昇により熱板２１３よりガラス基板Ｇを離間し保持する（この時までは気体供給機構２２１から所定の気体をガラス基板Ｇに供給している（加熱処理後雰囲気設定工程））。ガラス基板Ｇが所定の温度まで低下した後、温調処理部２０５は温調領域２１０（第２の雰囲気）から移動し熱板２１３と穴部２１８から突出した保持ピンで保持されているガラス基板Ｇとの間の所定位置に位置する。

次に、穴部２１８から突出した保持ピンは穴部２１８内に収納されるよう下降し、ガラス基板Ｇは温調処理部２０５の保持ピン２０９に受け渡される。（受け渡されたガラス基板Ｇは温調処理部２０５の温調機構により所定の温度に設定するよう冷却され始める。）この後、温調処理部２０５は保持ピン２０９にガラス基板Ｇを保持した状態で加熱処理領域２１１（第３の雰囲気）から温調領域２１０（第２の雰囲気）に、つまり温調処理部２０５の待機方向（ＸＰ方向）に雰囲気遮断機構１５０を介し温調処理部２０５の待機位置まで移動し静止状態で温調処理部２０５の温調機構により所定の温度にガラス基板Ｇを温調処理する。（加熱処理後温調処理工程）（なお、移動途中或いは温調処理部２０５の待機位置にて温調処理部２０５の保持ピン２０９に保持されたガラス基板Ｇに対して温調処理部２０５の温調機構の設定温度とほぼ同温のガスを図示しない気体供給機構（温調促進機構）から供給するようにしてガラス基板Ｇの温調処理のスループットを高めるようにしてもよい。また、雰囲気遮断機構１５０を前述のように気体にて構成した場合は、その気体を温調処理部２０５の温調機構の設定温度とほぼ同温にすることで同様の効果を得ることができる。）この後、熱系の処理部２００の搬入出口３９の図示しない開閉機構が開口した後、搬送機構１２にて温調処理部２０５の下方から突出してくる保持ピン２０７を介してガラス基板Ｇを受け取り、熱系の処理部２００外に搬入出口３９を介してガラス基板Ｇを搬出する。

このような、処理を施す例として、被処理基板、例えば半導体ウエハにおけるＳＯＤ膜、例えばＬｏｗ−Ｋ膜（低誘電率膜）等の加熱処理について図２６を参照して具体的に述べる。この図２６は、加熱処理前雰囲気設定工程或いは加熱処理後雰囲気設定工程における工程が基板の処理に対する影響を指し示すための表である。Ｌｏｗ−Ｋ膜の加熱処理においては、基板と基板に形成されたＬｏｗ−Ｋ膜とが同温だと仮定すると、基板の温度が所定の温度、例えば約２００℃の温度或いはそれ以上の温度において、基板の周囲の雰囲気の酸素濃度が所定の濃度以上、例えば約３０〜１００ｐｐｍ、好ましくは３０ｐｐｍ以上だとＬｏｗ−Ｋ膜が酸化等の不具合を起こしてしまうということを本発明者は発見するに至った。

したがって、加熱処理前雰囲気設定工程において、気体供給機構２２１により基板の周囲雰囲気を設定する所定の気体としては例えば、不活性ガスとして窒素を使用し、熱板２１３上方に、熱板２１３の穴部２１８から突出する保持ピンにより保持される基板の条件は、所定の温度以下、例えば約２００℃の温度以下に維持された状態で、所定の酸素濃度以下、例えば約３０〜１００ｐｐｍ、好ましくは３０ｐｐｍ以下に設定した後、基板を熱板２１３に近接し加熱、例えば２００℃以上の温度、例えば４５０℃の温度で加熱処理する。また、加熱処理後雰囲気設定工程においてはの基板の条件は、所定の温度以下、例えば約２００℃の温度以下に基板温度が低下した状態で、所定の酸素濃度以上、例えば約３０〜１００ｐｐｍ、好ましくは３０ｐｐｍ以上、に基板の周囲の酸素濃度を大気の酸素濃度に解除する必要がある。

また、基板に所定のエネルギーを加えるものとして熱板２１３を開示しているが、例えば熱板等の加熱体と置き換えてまたは併用して所定の電磁エネルギー、例えばＥＢ装置によりエレクトロンビーム等を照射してもよい。この際においても、上述したように基板の温度と基板の周囲の酸素濃度の関係は略同様に設定する必要がある。

また、温調領域２１０（第２の雰囲気）或いは加熱処理領域２１１（第３の雰囲気）の雰囲気を常に所定の酸素濃度以下に、例えば窒素等で常に供給しつづけて熱系の処理部２００内を充満しておくのも有効な手段ではあるが窒素の消費が激しくなりランニングコストが多大なものとなってしまうため、次のような一解決策が考えられる。

すなわち、熱系の処理部２００内を気体供給機構２２１或いは温調促進機構から酸素濃度、例えば３０ｐｐｍ以下の含有する気体、窒素等を供給し、陽圧に維持するために熱系の処理部２００の搬入出口３９を図示しない開閉機構によって閉じてある程度の気密状態に維持させる。さらに、雰囲気遮断機構１５０を前述のようなシャッタ機構とし、温調領域２１０（第２の雰囲気）と加熱処理領域２１１（第３の雰囲気）の雰囲気を遮断可能に構成する。

さらに、熱系の処理部２００外に配置する搬送機構１２の配置雰囲気は装置内雰囲気（第１の雰囲気）とすると、搬送機構１２が熱系の処理部２００に対してアクセスする際、熱系の処理部２００の搬入出口３９は開閉機構によって開口するために第１の雰囲気が第２の雰囲気にアーム４１の進入により流れ込む恐れがある。しかしながら、その際には雰囲気遮断機構１５０の閉動作により温調領域２１０と加熱処理領域２１１とは隔離しておけば加熱処理領域２１１には影響を及ぼさない。また、雰囲気遮断機構１５０が開動作の際には加熱処理領域２１１と温調領域２１０との雰囲気干渉の問題があるので圧力は実質的に、第１の雰囲気の圧力＜第２の雰囲気の圧力または／及び第２の雰囲気の圧力＜第３の雰囲気の圧力または／及び酸素濃度は実質的に、第１の雰囲気の酸素濃度＞第２の雰囲気の酸素濃度または／及び第２の雰囲気の酸素濃度＞第３の雰囲気の酸素濃度となるように設定しておくと雰囲気干渉の問題が無く基板の処理に不具合が生ずるのを抑制することが可能となる。

また、温度は実質的に、第１の雰囲気の温度＜第２の雰囲気の温度または／及び第２の雰囲気の温度＜第３の雰囲気の温度とし、第３の雰囲気の温度については、例えば所定の温度以下、例えば約２００℃以下で第２の雰囲気の温度の温調処理部２０５の温調に影響を与えない温度とすると加熱処理前にある程度暖められるので基板の処理のスループット等が向上する。

さらに、上記のような酸素濃度の影響は雰囲気中の湿度にも関係が有るため、湿度は実質的に、第１の雰囲気の湿度＞第２の雰囲気の湿度または／及び第２の雰囲気の湿度＞第３の雰囲気の湿度に設定されている方が好ましい。

次に、図２３に示すガラス基板Ｇの処理手順に戻ると、搬送機構１２にて熱系の処理部２００外に搬入出口３９を介してガラス基板Ｇを搬出した後、搬送機構１２によりガラス基板Ｇは、塗布処理部２２ａにて所定の塗布処理が施され、この後、ガラス基板Ｇは、搬送機構１６ａにて塗布処理部２２ａの上部の熱系の処理部２００若しくは搬送機構１６ａにてガラス基板Ｇは搬送機構１５ａに直接或いは間接的に渡され（第１の処理ステーション部１９５側から熱系の第２の処理ステーション部１９６側に）搬送機構１５ａにより第２の処理ステーション部１９６側に配置される複数の熱系の処理部２００の内の選択された熱系の処理部２００に直接或いは間接的に搬送され、前述のように熱系の処理が施される。

次に、塗布処理部２２ａの上部の熱系の処理部２００に対しては搬送機構１６ａにて或いは第２の処理ステーション部１９６側に配置される複数の熱系の処理部２００の内の選択された熱系の処理部２００で処理されたガラス基板Ｇは一旦搬送機構１５ａを介して直接或いは間接的に搬送機構１６ａに受け渡される。さらに、ガラス基板Ｇは搬送機構１６ａにより処理部１８５ａに引き渡され処理部１８５ａから搬送機構１１により搬出されカセットＣに搬入され一連の処理が終了する。

このように構成したことで、処理部配置部としての熱系の処理部２００においては、熱系の処理部２００内に複数の処理部として温調領域２１０と加熱処理領域２１１とにそれぞれ設けられた加熱処理部２０６と温調処理部２０５とにより、すなわち、所定の前後の処理を行う処理部を一体化し、さらに、その一体化された処理システムの内部において基板を搬送する搬送機能をいずれかの少なくとも１つの処理部、ここでは温調処理部２０５にもたせ、備えブロック化したことで、従来の別個に処理部を配置し構成したシステムに比べ例えば、処理部を構成する処理室の隣り合う側方部の処理壁の厚みが削減できるので、その分、スペースを削除できるために装置の小型化が図れることとなり、その結果、装置のフットプリントを小さくすることが可能となる。また、雰囲気遮断機構１５０を複数の処理部間、例えば加熱処理部２０６と温調処理部２０５との間に備えたことにより処理部の配置領域の雰囲気の干渉を抑制することができる。さらに、熱系の処理部を一体化することで、熱系の処理部配置部外への熱を持った雰囲気が、一旦温調処理部２０５を介して基板の搬送が行われることから直接、加熱処理部２０６からの熱が流出するのが抑制でき、他の処理部配置部として例えば液系の処理部配置部に対して熱の影響を抑制することができ、もって基板の処理の歩留りを低減する事が可能となる。

さらに、熱系の処理部２００を複数積層してブロック化し、このブロックを少なくとも１つ以上、例えば２つのブロックを配置（例えば図２３のように液処理等を行う処理ステーション部１９５の方向に低加熱処理としての温調処理部２０５が配置されるように（加熱処理部を処理ステーション部１９５よりできるだけ離間することにより熱の影響を押さえるよう配置）搬送機構１５ａを挟んで対抗するように配置）し、搬送機構１５ａにより複数のブロックの熱系の処理部２００に対し基板を搬入あるいは搬送自在に構成されている熱系の処理ステーション部１９６を設けたことにより、熱系の処理ステーション１９６部と処理ステーション部１９５との雰囲気を個々に管理することが可能となり、熱系の処理部２００の熱の影響が液処理等を行う処理ステーション部１９５により作用しないために基板の処理の歩留りを低減する事が可能となる。さらに熱系の処理ステーション部１９６を一体化したことにより装置システムを構築する際、自由度が向上する。

また、熱系の処理部２００の他の実施の形態として、図２７を参照して説明する。図２７の熱系の処理部２００においての基板の搬入出口は、温調処理部２０５側の搬入出口３９ｂと、加熱処理部２０６の搬入出口３９ａとで構成され、図２３に示す搬送機構１５ａは図中Ｙｔ方向（処理ステーション部１９５内の搬送機構１６ａの自走方向（Ｙ２）の延長線上或いはその延長線上とほぼ平行する線上方向或いは熱系の処理部２００の温調処理部２０５の移動方向（ＸＰ）と平行する線上）に自走自在に構成されている。（前述の実施の形態では自走に構成されていないで固定されていた。）このような搬送機構１５ａにより搬入出口３９ｂを介して温調処理部２０５に、及び搬入出口３９ａを介して加熱処理部２０６に対して基板を搬送自在に構成されている。

このように構成されるシステムでの作用としては、まず、搬送機構１５ａにより熱系の処理部２００の加熱処理部２０６に対して基板を直接或いは間接的に搬入する。加熱処理部２０６にて基板の処理が終了した後、温調処理部２０５が加熱処理部２０６方向に移動した後、加熱処理部２０６の基板は温調処理部２０５に引き渡され、基板は温調処理部２０５にて温調処理される。

このように構成したことで、例えば加熱処理前に温調工程が必要ではない場合、加熱処理部側に搬入出口３９ａが配置されていても特段問題とならない、例えば加熱温度が低いとか処理部配置部内の雰囲気を特に設定する必要がない場合等の場合、加熱処理部側に搬入出口３９ａが配置されていても熱系の処理ステーション部１９６内にて所定の対策が施され、処理ステーション部１９５側への熱影響を抑制している場合等においては、熱系の処理部２００内に基板を搬入する際に一旦温調処理部２０５を介在させることが無いので処理のスループットを向上させることができる。

なお、以上に述べた熱系の処理部２００については、他の実施の形態で配置されている加熱処理部或いは温調処理部と置き換えてよいということはいうまでもないが、それぞれ個別の加熱処理部或いは温調処理部と熱系の処理部２００とを併用して配置しても良い。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形、或いは各実施の形態に要部或いは全体を複数組み合わせて構成される変形、例えば、装置のレイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではないし、また、処理に関しても上記のようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置、例えば、所定の処理液を基板に対して塗布するだけの装置或いは所定の処理液を基板に対して洗浄するだけの装置或いは所定の温度にて基板を温度処理するだけの装置或いはそれらの構成を組み合わせた装置等にも適用することも可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板や半導体ウエハを用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター・コンパクトディスク・ＭＤ等の他の被処理基板の処理にも適用可能であることはいうまでもない。

本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部の内部を示す側面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部の内部を示す側面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部の内部を示す平面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す側面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部の内部を示す側面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す断面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す断面図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す断面図。 本発明の第２の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。 本発明の第２の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す断面図。 本発明の第３の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。 本発明の第３の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す断面図。 本発明の第３の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第４の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。 本発明の第５の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。 本発明の第５の実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第６の実施形態に係る処理液塗布処理装置を示す平面図。 本発明の第６の実施形態に係る処理液塗布処理装置の要部を示す平面図。 本発明の第６の実施形態に係る処理液塗布処理装置の要部を示す斜視図。 本発明の第６の実施形態に係る処理の説明をする図。 図２４の他の実施の形態を示す平面図。

符号の説明

１，１７０，１８０，１８１……レジスト塗布現像処理装置
５，６，７……搬送機構配置部
１１，１２，１３，１４，１５，１５ａ……搬送機構
１６，１６ａ，１６ｂ……搬送機構（基板搬送機構）
２１……洗浄処理部（処理部配置部）
２２……レジスト塗布処理部（処理部配置部）
２３……現像処理部（処理部配置部）
２５，７１，７２，７３，７４……熱系の処理部
３８，７９，８５……搬送機構
９０……カセットステーション部
９１，１９５，１９６……処理ステーション部
９２……インターフェイスステーション部
１５０……雰囲気遮断機構１９４……処理液塗布装置
２００……熱系の処理部（処理部配置部）
２０５……温調処理部
２０６……加熱処理部Ｇ……ＬＣＤガラス基板

Claims (14)

1. 被処理基板をローラ搬送で搬送するローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板をローラにて搬送しつつ前記被処理基板に対して洗浄処理を施す洗浄処理部と、被処理基板を搬送する第一の搬送機構を内部に備えるとともに前記第一の搬送機構にて搬送される被処理基板に対してレジストを塗布する処理を施すレジスト塗布処理部と、前記洗浄処理部及び前記レジスト塗布処理部の外部であって前記洗浄処理部と前記レジスト塗布処理部との間に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第二の搬送機構と、前記洗浄処理部または／及び前記レジスト塗布処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第一の熱処理部と、被処理基板をローラ搬送で搬送するローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板をローラにて搬送される前記被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、この現像処理部の外部に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第三の搬送機構と、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第二の熱処理部と、を具備し、前記第二の搬送機構は、前記第一の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であり、前記第三の搬送機構は、前記第二の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置。
2. 被処理基板をローラ搬送で搬送するローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板をローラにて搬送される前記被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、この現像処理部の外部に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である搬送機構と、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる熱処理部と、を具備し、前記搬送機構は、前記熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置。
3. 前記搬送機構は、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置された熱処理部とは別の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記現像処理部は、前記被処理基板に紫外線を照射して処理を施す紫外線処理室を有することを特徴とする請求項２又は請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記熱処理部は、高い位置の処理部ほど高い温度で処理を行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 被処理基板をローラ搬送で搬送する第一のローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を第一のローラ搬送機構のローラにて搬送しつつ前記被処理基板に対して洗浄処理を施す洗浄処理部と、被処理基板を搬送する第一の搬送機構を内部に備えるとともに前記第一の搬送機構にて搬送される被処理基板に対してレジストを塗布する処理を施すレジスト塗布処理部と、前記洗浄処理部及び前記レジスト塗布処理部の外部であって前記洗浄処理部と前記レジスト塗布処理部との間に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第二の搬送機構と、前記洗浄処理部または／及び前記レジスト塗布処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第一の熱処理部と、被処理基板をローラ搬送で搬送する第二のローラ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を第二のローラ搬送機構のローラにて搬送される前記被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、この現像処理部の外部に配置され前記被処理基板を搬送する自走不可である第三の搬送機構と、前記現像処理部に対する前記被処理基板の搬入または／及び搬出される位置の上方に配置され前記被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第二の熱処理部と、を具備し、前記第二の搬送機構は、前記第一の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であり、前記第三の搬送機構は、前記第二の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であり、前記第一の熱処理部及び前記第二の熱処理部とは別の熱処理部を有し、前記第三の搬送機構が前記別の熱処理部に対して前記被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置。
7. 前記現像処理部は、前記被処理基板に紫外線を照射して処理を施す紫外線処理室を有することを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記第一の熱処理部、前記第二の熱処理部または／及び前記別の熱処理部は、高い位置の処理部ほど高い温度で処理を行うことを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
9. 被処理基板を複数収納自在に構成されたカセットを複数配置するとともに、前記カセットに対して被処理基板を搬入出自在に構成され所定方向に自走自在である第四の搬送機構を配置するカセット配置部を有することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記第四の搬送機構が自走する前記所定方向とほぼ直交する方向に自走自在であり、前記被処理基板を支持して搬送する別の搬送機構を有することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記第四の搬送機構と前記別の搬送機構とは前記被処理基板を受け渡し自在に構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記第四の搬送機構と前記第三の搬送機構とは、前記第二の熱処理部又は前記別の熱処理部を介して受け渡し自在に構成されていることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置。
13. 請求項１から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置を使用して、被処理基板を順次処理することを特徴とする基板処理方法。
14. 請求項１から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置を使用して、被処理基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。

Images