Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP4001818B2 - 直交低ノイズ増幅器を備えるフロントエンド及び高周波受信器 - Google Patents

直交低ノイズ増幅器を備えるフロントエンド及び高周波受信器 Download PDF

Info

Publication number
JP4001818B2
JP4001818B2 JP2002560293A JP2002560293A JP4001818B2 JP 4001818 B2 JP4001818 B2 JP 4001818B2 JP 2002560293 A JP2002560293 A JP 2002560293A JP 2002560293 A JP2002560293 A JP 2002560293A JP 4001818 B2 JP4001818 B2 JP 4001818B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency receiver
noise amplifier
quadrature
low noise
mixer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002560293A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004518366A (ja
Inventor
エイセ シー ダイクマンス
ドミニカス エム ダブリュ リーナエルツ
ペトルス ジー エム バルトゥス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2004518366A publication Critical patent/JP2004518366A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4001818B2 publication Critical patent/JP4001818B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H03F3/45188—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/38—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers
    • H03F3/387—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/393—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45237—Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in series
    • H03F3/45242—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/331—Sigma delta modulation being used in an amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/336—A I/Q, i.e. phase quadrature, modulator or demodulator being used in an amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低ノイズ増幅器を有する、高周波受信器のためのフロントエンドに関する。
【０００２】
本発明は、低ノイズ増幅器を有するこのようなフロントエンドが設けられ、前記低ノイズ増幅器に結合される直交ミキサーが設けられるような、高周波受信器にも関し、前記高周波受信器のアプリケーションのための直交低ノイズ増幅器にも関する。
【０００３】
本発明は、このような高周波受信器が設けられる、例えば無線受信器、トランシーバ又は移動電話若しくはコードレス電話等の通信装置にも関する。
【０００４】
【従来の技術】
このような受信器は、1997年12月のIEEE Journal of Solid-State Cicuitsのvol. 32, No. 12の、2071-2088ページの、J.C. Rudell他による‘A 1.9-GHz Wide-Band IF Double Conversion CMOS Receiver for Cordless Telephone Applications’の文献から既知である。幾つかの可能な受信器構成がこの文献に開示されており、ここでは受信器の高無線周波(RF)フロントエンドが逐次的にアンテナ、RFフィルタ、低ノイズ増幅器を有し、この低ノイズ増幅器に更に中間周波数(IF)及びミキサー段が続く。1つ以上のローカルオシレータ(LO)がRF信号をゼロに近いか又はゼロである周波数信号であってもよいIF周波数にミックスするのに用いられる。種々のミキサーの出力における、望ましくない、変化さえするDCオフセットにつながるという、ミキサー入力、中程度のLO絶縁及びセルフミキシングへのローカルオシレータ信号の漏れの問題が知られている。次にDCオフセットは受信器のダイナミックレンジの低減を引き起こし、これは、限定されたチップ面積に集積することが困難であると共にコスト及び電力消費を上昇させる、追加の技術的手段を必要とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、低減されたコストに対して制限されたチップ面積に完全に集積され得ると共に低減されたDCオフセットを引き起こす、RFフロントエンド及びRF受信器を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によるフロントエンド及び高周波受信器は低ノイズ増幅器(LNA)回路が直交LNA回路であることを特徴とする。
【０００７】
直交ミキサーの前に直交LNA回路を導入することにより、ミキサーの入力は直交LNAにより絶縁されるということが、発明者が気付いた本発明によるフロントエンド及びHF受信器の利点である。結果として直交ローカルオシレータ信号のミキサー入力への漏れは効果的に防止され、これはミキサーの出力におけるDCオフセットを低減する。加えて本発明によればこの低減は高周波受信器のダイナミックレンジを増加させる。更に、直交LNAは特定のアプリケーションに対しては更に単純な直交インピーダンス変圧器が生じるように1前後又は1より小さいという中程度の増幅係数を持つということが発見されている。これは、これらLNA変圧器の電力消費を低減させ、これらが占有するICチップ面積を減少させる。
【０００８】
本発明による高周波受信器の1つの実施例は、直交低ノイズ増幅器の直交経路が差動的に実施されることを特徴とする。この結果、低減された2次歪み効果が有利に生じる。加えて、基板揺れに対する感度が低下し、これはまた信号歪みが最小に保たれることを意味する。
【０００９】
本発明による高周波受信器の他の実施例は、差動的直交低ノイズ増幅器がAB級動作回路として構築されることを特徴とする。
【００１０】
このような実施例は高い線形性を持ち、これは相互変調歪みを低減させるが、このようなAB級動作回路に結合される他の回路を駆動するために十分な出力電圧を提供するという能力もある。
【００１１】
本発明による実施が容易であり高周波受信器を実現するための低減された数の部品を有する更に他の実施例は、直交低ノイズ増幅器が半導体のカスコード構成を有することを特徴とする。
【００１２】
適切な好適な半導体はNMOST若しくはPMOST等のMOST型又はMESFET等のFET型等である。
【００１３】
本発明による高周波受信器の他の実施例は半導体のカスコード構成の間にキャパシタが接続されていることを特徴とする。
【００１４】
有利にはこのキャパシタは半導体のカスコード構成のためのローカルなバッテリーとして働き、3次高調波歪みを約10dB低減させる役割も果たす。
【００１５】
本発明による高周波受信器の1つの実施例は直交LNA間のゲイン不整合を解消することにより線形性を向上させるということから望ましく、この実施例は当該高周波受信器が直交低ノイズ増幅器のそれぞれの出力と直交ミキサーのそれぞれの入力との間に結合される2つの直交チョッパーを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明による高周波受信器の更に他の実施例において、直交チョッパー及び直交ミキサーが受動的な直交チョッパー/ミキサーに組み合わせられることを当該受信器が特徴とするのであれば、それによりまた更なる電力消費の低下が実現されることが可能であり、これもワンチップ受信器に向けた開発に関連して非常に重要である。
【００１７】
高周波受信器が設けられる、例えば無線受信器、トランシーバ又は移動電話若しくはコードレス電話等の通信装置について同様な利点及び有利な結果が言える。
【００１８】
ここで本発明による高周波受信器は、添付の図面を参照しつつ追加の利点と共に更に説明され、ここで同様な部品は同一の参照番号により参照される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は高周波受信器1、特にこの受信器のいわゆるフロントエンドのブロック図を示す。フロントエンドにおいてこのような受信器1は直交低ノイズ増幅器2-1及び2-2の形の低ノイズ増幅器2(以後LNA2)を有し、これらは「入力」と表示される端末、及び、通常バンドパスフィルタ及び/又はアンテナスイッチ(両者共に示されない)を通じて、アンテナ(これも示されない)に結合される。受信器1はIミキサー3-1及びQミキサー3-2も有し、これらは1つの実施例ではILNA2-1及びQLNA2-2の出力4及び5にそれぞれ直接結合されてよい。直交ミキサー3は一般的に1つのローカルオシレータ6の直交出力IO及びQOと結合され、ミキサーIFの出力7及び8は、例えばシグマ-デルタ復調器又はあらゆる他の適切な復調器を含んでよい直交復調器(Demod)9に結合される。示されるようなI経路及びQ経路を持つこのような受信器方式は、例えばゼロIF又はほぼゼロIF受信器等の、多段であり得るIF受信器において用いられることが可能である。特に、このような高周波受信器1が設けられる、例えば無線受信器、トランシーバ又は移動電話若しくはコードレス電話等の通信装置である。直交LNA2を受信器1に組み込むことにより、オシレータ6からのローカルオシレータ出力信号I0及びQ0は、DCオフセットが差動ミキサー出力7及び8において起こるようになるクロスミキシング又はセルフミキシングが防止される。これは改良されたダイナミックレンジを有する受信器1となる。
【００２０】
受信器1は他の実施例では直交チョッパー10-1及び10-2を有してよい。図２は、高周波受信器1のアプリケーションのための受動的であり得る直交チョッパー10の1つの実施例を示す。チョッパー10は、LNA2-1と2-2との間の可能なゲインミスマッチをキャンセルすることにより、受信器1の直交経路I及びQのI信号及びQ信号をスイッチして線形性を向上させる。チョッパー10の実施例は、これが組み合わせられたチョッパーミキサー構造であって、更に受動的であることが、低減された電力消費を示すという点で好ましい。受動的なチョッパーミキサー10は非常に控えめなチップ面積だけでチップ上に実装することが容易な構造を有する。これは、並列結合された半導体11-1及び11-2並びに交差結合された半導体12-1及び12-2により構成され、これらは差動入力13及び14を接続させる。半導体11及び12は、ローカルオシレータ信号LO又はアッパースコアを伴う逆LOによりそれぞれのゲートにおいて適切に制御され時間調整されれば、同種の受動的低電力消費構造によって同時ミキシング及びチョッパー動作を達成する。
【００２１】
高線形性及び高絶縁性の視点からのI又はQLNA2の好ましい実施例が図３に示される。これは、このような直交低ノイズ増幅器を実装する半導体15-1から15-8の受動的低電力消費差動カスコード構成を示す。この場合は差動入力である入力16は、それぞれが4つの半導体15を有する2つの支線に結合される。前の入力4及び5に対応する出力17もこの場合は差動出力であり、半導体15-2、15-3、15-6及び15-7をそれぞれ絶縁することにより、この出力17は入力により制御される半導体15-1、15-4、15-5及び15-8から絶縁される。これは入力16と出力17との間の高い絶縁値を生じさせ、これでミキサー3又はチョッパー10に結合されている出力17は、出力17において存在するかもしれないローカルオシレータ信号によるセルフミキシングを低減させるために入力16から非常によく絶縁されることになる。
【００２２】
図３のLNA2は、それぞれ電圧Vdd及びアースを提供するために結合される回路インピーダンスZ1及びZs以外に、カスコードされた半導体15の間に示されるように結合されたキャパシタCを更に有する。このキャパシタCはカスコード構成に対するバッテリー又は電圧源として働き、LNAの3次歪みを低減させ、改善された線形性をこの構成に提供する。半導体15の構成は、実効出力電流が差動出力17により該差動出力17に結合された他の回路に供給され得るようにAB級回路である。一般的に半導体15はNMOST又はPMOST等のMOST型であるか又はMESFET等のFET型等である。
【００２３】
以上は基本的に好ましい実施例及び最良の可能な形態を参照して説明されたが、添付の請求項の範囲に入る種々の変形例、特徴及び特徴の組み合わせは当業者の手の届く範囲にあるため、これらの実施例は決して関係する装置の限定的な例として解釈されるべきでないことが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による高周波受信器の簡略化されたブロック図。
【図２】 図１の高周波受信器のアプリケーションのための受動的直交チョッパーの可能な実施例。
【図３】 直交低ノイズ増幅器の1つを実装した半導体の差動カスコード構成の受動的実施例。

Claims (9)

  1. 低ノイズ増幅器と該低ノイズ増幅器に結合された直交ミキサーとを備えた高周波受信器であって、前記直交低ノイズ増幅器のそれぞれの出力と前記直交ミキサーのそれぞれの入力との間に結合された2つの直交チョッパーをさらに備えたことを特徴とする高周波受信器。
  2. 前記直交低ノイズ増幅器の直交経路が差動的に実施されることを特徴とする請求項１に記載の高周波受信器。
  3. 前記差動的直交低ノイズ増幅器がAB級動作回路として構築されることを特徴とする請求項２に記載の高周波受信器。
  4. 前記直交低ノイズ増幅器が半導体のカスコード構成を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1項に記載の高周波受信器。
  5. 前記半導体がNMOST若しくはPMOST等のMOST型又はMESFET等のFET型等であることを特徴とする請求項４に記載の高周波受信器。
  6. 前記半導体のカスコード構成の間にキャパシタが接続されることを特徴とする請求項４又は５に記載の高周波受信器。
  7. 前記直交チョッパー及び直交ミキサーが受動的直交チョッパー/ミキサーに組み合わせられることを特徴とする請求項１に記載の高周波受信器。
  8. 請求項１乃至７のいずれか1項に記載の高周波受信器を具備する、例えば無線受信器、トランシーバ又は移動電話若しくはコードレス電話等の通信装置。
  9. 請求項１乃至７のいずれか1項に記載の高周波受信器のアプリケーションのための直交低ノイズ増幅器。
JP2002560293A 2001-01-24 2001-12-19 直交低ノイズ増幅器を備えるフロントエンド及び高周波受信器 Expired - Fee Related JP4001818B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01200238 2001-01-24
PCT/IB2001/002683 WO2002060077A1 (en) 2001-01-24 2001-12-19 Front end and high frequency receiver having quadrature low noise amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004518366A JP2004518366A (ja) 2004-06-17
JP4001818B2 true JP4001818B2 (ja) 2007-10-31

Family

ID=8179792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002560293A Expired - Fee Related JP4001818B2 (ja) 2001-01-24 2001-12-19 直交低ノイズ増幅器を備えるフロントエンド及び高周波受信器

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7787847B2 (ja)
EP (1) EP1256179B1 (ja)
JP (1) JP4001818B2 (ja)
KR (1) KR100868817B1 (ja)
CN (1) CN1211938C (ja)
AT (1) ATE388527T1 (ja)
DE (1) DE60133088T2 (ja)
WO (1) WO2002060077A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE388527T1 (de) * 2001-01-24 2008-03-15 Nxp Bv Eingangsstufe und hochfrequenzempfänger mit rauscharmem quadraturverstärker
WO2005029696A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. High performance low noise amplifier
WO2005060089A2 (en) * 2003-12-10 2005-06-30 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Mixer arrangement
US8059758B2 (en) * 2006-02-10 2011-11-15 Qualcomm, Incorporated Conversion of multiple analog signals in an analog to digital converter
US8099072B2 (en) * 2006-11-21 2012-01-17 Qualcomm Incorporated Frequency changer circuits
US20090082055A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Cct Telecom (Hk) Limited Cordless telephone system
DE102008000473B4 (de) 2008-02-29 2016-04-28 Maxim Integrated Gmbh Front-End für RF-Sende-Empfangsanlagen mit implizierter Richtungs-Steuerung und Zeitmultiplex-Verfahren in Submikron-Technologie
US7656230B2 (en) * 2008-03-21 2010-02-02 Qualcomm, Incorporated Quadrature output low noise transconductance amplifier having differential input
US8571510B2 (en) 2008-08-18 2013-10-29 Qualcomm Incorporated High linearity low noise receiver with load switching
US8929848B2 (en) * 2008-12-31 2015-01-06 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Interference-robust receiver for a wireless communication system
US20100279641A1 (en) * 2008-12-31 2010-11-04 Siu-Chuang Ivan Lu Receiver for wireless communication system
CN101902242B (zh) * 2010-07-14 2013-10-16 复旦大学 应用于超宽带系统的单端输入差分输出的射频前端电路
TWI509981B (zh) 2012-10-31 2015-11-21 Shenzhen South Silicon Valley Microelectronics Co Ltd 接收機射頻前端電路及低雜訊放大器
KR102481724B1 (ko) * 2015-09-25 2022-12-29 삼성전자주식회사 무선 전력 송신기
US10014845B2 (en) * 2016-08-09 2018-07-03 Qualcomm Incorporated Systems and methods providing an intermodulation distortion sink
CN106425216B (zh) * 2016-10-17 2018-02-02 北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所） 一种正交场放大器慢波线的焊接模具
CN112702022B (zh) * 2020-12-28 2021-11-23 北京力通通信有限公司 低噪声大带宽信号处理装置
US11855815B1 (en) * 2022-08-24 2023-12-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Real time phase error detection in quadrature demodulators

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2730699A (en) * 1952-02-01 1956-01-10 Gen Dynamics Corp Telemetering system
US3514542A (en) * 1968-04-18 1970-05-26 Bell Telephone Labor Inc Signal to noise measuring in frequency multiplex system
FR2488093A1 (fr) * 1980-01-04 1982-02-05 Vandeputte Fils & Cie Demodulateur synchrone transformant un signal television fourni par un emetteur en un signal video
FR2472971A1 (fr) 1980-01-04 1981-07-10 Centre Nat Etd Spatiales Procede de realisation d'une enveloppe en particulier pour ballons spatiaux, enveloppe realisee, et utilisation de celle-ci dans le domaine aerospatial
JPS5773974A (en) * 1980-10-27 1982-05-08 Toshiba Corp Manufacture of most type semiconductor device
US5140703A (en) * 1988-10-14 1992-08-18 Payne Christopher P Modulation distortion analyzer
US5033110A (en) * 1990-05-18 1991-07-16 Northern Telecom Limited Frequency converter for a radio communications system
JP2671595B2 (ja) * 1990-10-25 1997-10-29 日本電気株式会社 復調装置
US5546048A (en) * 1992-09-04 1996-08-13 Hitachi, Ltd. Amplifier and display apparatus employing the same
US5507036A (en) * 1994-09-30 1996-04-09 Rockwell International Apparatus with distortion cancelling feed forward signal
ES2173245T3 (es) 1996-01-22 2002-10-16 Ericsson Telefon Ab L M Un dispositivo semiconductor integrado equilibrado,que funciona con uncircuito resonador en paralelo.
GB2326038A (en) * 1997-06-06 1998-12-09 Nokia Mobile Phones Ltd Signal level balancing in quadrature receiver
JPH11127085A (ja) * 1997-10-20 1999-05-11 Fujitsu Ltd ２モード復調装置
JP3286907B2 (ja) * 1997-10-30 2002-05-27 三菱電機株式会社 タイミング位相同期検出回路及び復調器
GB2341502B (en) * 1998-09-08 2003-01-22 Mitel Semiconductor Ltd Image reject mixer circuit arrangements
CA2296824A1 (en) * 1999-03-11 2000-09-11 Intersil Corporation Successive approximation correction of dc offset in filter-buffer baseband path of data radio
US6546237B1 (en) * 1999-08-31 2003-04-08 Lucent Technologies Inc. Differential FM detector for radio receivers
US6535037B2 (en) * 2000-02-04 2003-03-18 James Maligeorgos Injection locked frequency multiplier
US6535720B1 (en) * 2000-06-28 2003-03-18 Trw Inc. Digital power control system for a multi-carrier transmitter
DE10037247A1 (de) * 2000-07-31 2002-02-21 Infineon Technologies Ag Mischerschaltungsanordnung
US6593876B2 (en) * 2000-08-11 2003-07-15 The Seti League Inc. Adaptive microwave antenna array
US6509799B1 (en) * 2000-11-09 2003-01-21 Intel Corporation Electrically tuned integrated amplifier for wireless communications
US7158574B2 (en) * 2001-01-12 2007-01-02 Silicon Laboratories Inc. Digital interface in radio-frequency apparatus and associated methods
JP3979485B2 (ja) 2001-01-12 2007-09-19 株式会社ルネサステクノロジ 信号処理用半導体集積回路および無線通信システム
ATE388527T1 (de) * 2001-01-24 2008-03-15 Nxp Bv Eingangsstufe und hochfrequenzempfänger mit rauscharmem quadraturverstärker
US6904538B2 (en) * 2001-11-20 2005-06-07 Agere Systems Inc. System and method for differential data detection
US6816718B2 (en) * 2002-02-07 2004-11-09 Rf Micro Devices, Inc. DC offset correction using dummy amplifier
US7173980B2 (en) * 2002-09-20 2007-02-06 Ditrans Ip, Inc. Complex-IF digital receiver
US7403758B2 (en) * 2005-10-04 2008-07-22 Freescale Semicondutor, Inc. Linearized and balanced mixer apparatus and signal mixing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20100240336A1 (en) 2010-09-23
US20020098820A1 (en) 2002-07-25
KR100868817B1 (ko) 2008-11-14
US8145176B2 (en) 2012-03-27
CN1419744A (zh) 2003-05-21
WO2002060077A1 (en) 2002-08-01
US7787847B2 (en) 2010-08-31
DE60133088D1 (de) 2008-04-17
DE60133088T2 (de) 2009-03-19
KR20030011800A (ko) 2003-02-11
EP1256179A1 (en) 2002-11-13
CN1211938C (zh) 2005-07-20
JP2004518366A (ja) 2004-06-17
ATE388527T1 (de) 2008-03-15
EP1256179B1 (en) 2008-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8145176B2 (en) Front end and high frequency receiver having quadrature low noise amplifier
US6057714A (en) Double balance differential active ring mixer with current shared active input balun
KR20070114229A (ko) 저잡음 증폭기 기반의 차동 인덕터
EP1615336B1 (en) Radio receiver front-end and a method for suppressing out-of-band interference
Kim et al. A Switchless, $ Q $-Band Bidirectional Transceiver in 0.12-$\mu $ m SiGe BiCMOS Technology
KR20190116939A (ko) 멀티-대역 밀리미터-파 5g 통신을 위한 브로드밴드 이미지-리젝트 수신기
KR100574470B1 (ko) 전류증폭결합기를 포함하는 선형 혼합기회로
Aneja et al. Multiband LNAs for software-defined radios: recent advances in the design of multiband reconfigurable LNAs for SDRs in CMOS, microwave integrated circuits technology
US6667649B1 (en) Method and system for utilizing a high-performance mixer as a complete receiver
Wang et al. 28.7 A wideband blocker-tolerant receiver with high-Q RF-input selectivity and<-80dBm LO leakage
US12119791B2 (en) Low noise amplifier
CN111384984B (zh) 接收器和低噪声放大器
Duan et al. High linearity wide band passive mixer for Ku-band applications in a 180nm CMOS technology
Chang et al. A direct conversion merged LNA-I/Q-mixer with noise reduction using dual cross coupling for WiMAX/WiBro applications
Rajashekharaiah et al. A new gain controllable on-chip active balun for 5 GHz direct conversion receiver
Poobuapheun et al. An inductorless high dynamic range 0.3− 2.6 GHz receiver CMOS front-end
Sheinman et al. A double balanced 81–86GHz EBAND active down conversion mixer in SiGe technology
CN111903054B (zh) 单端转差分放大器和射频接收机
Liu et al. A 15-27 GHz low conversion loss and high isolation resistive ring mixer for direct conversion receiver
Rajashekharaiah et al. A new 0.25 um CMOS on-chip active balun with gain controllability for 5GHz DCR [direct conversion receiver]
EP4264836B1 (en) Dual mode notch filter
KR100345456B1 (ko) 마이크로웨이브모노리식집적회로용주파수혼합기
Gupta et al. A Novel Down Conversion Mixer with Low/High Band Re-configurable Transconductance Amplifier in 65nm CMOS Process
Weng et al. A 1.5 V low noise figure mixer for 3.5 GHz WiMAX systems
KR100298207B1 (ko) 단일밸런스능동혼합기

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20041021

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070327

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070717

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070815

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees