JP4095376B2 - Exposure apparatus and method, and device manufacturing method - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、露光装置に関し、特に、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などの被処理体を露光するのに使用される露光装置に関する。本発明は、真空紫外域から遠紫外光までの短波長範囲の光を光源に用いる露光装置に好適である。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化及び薄型化の要請から電子機器に搭載される半導体素子の微細化への要求は益々高くなっており、かかる要求を満足するために露光解像度を高める提案が様々なされている。
【０００３】
露光光源の波長を短くすることは、解像度の向上に有効な一手段であるため、近年では、露光光源は、ｇ線（波長約４３６ｎｍ）、ｉ線（波長約３６５ｎｍ）、Ｋｒ−Ｆエキシマレーザー光（波長約２４８ｎｍ）、Ａｒ−Ｆエキシマレーザー光（波長約１９３ｎｍ）と進み、今後は、Ｆ２レーザー光（波長約１５７ｎｍ）の使用が有望視されている。
【０００４】
ｉ線までの波長域では、光学系に従来の光学素子を使用することが可能であったが、Ｋｒ−Ｆ、Ａｒ−Ｆ各エキシマレーザー光、Ｆ２レーザー光の波長域では、透過率が低く、従来の光学ガラスを使用することは不可能である。このため、エキシマレーザーを光源とする露光装置の光学系には、短波長光の透過率が高い石英ガラス（ＳｉＯ２）又はフッ化カルシウム（ＣａＦ２）を材料とした光学素子を使用することが一般的となっており、特に、Ｆ２レーザーを光源とする露光装置においては、フッ化カルシウムを材料とした光学素子を使用することが必須とされている。
【０００５】
フッ化カルシウム単結晶は、従来から、（「ブリッジマン法」としても知られる）坩堝降下法によって製造されている。かかる方法は、化学合成された高純度原料を坩堝に入れ育成装置内で熔融した後、坩堝を除々に引き下げ、坩堝の下部から結晶化させる。この育成過程の熱履歴によりフッ化カルシウム結晶内には応力が残留する。フッ化カルシウムは応力に対して複屈折性を示し、残留応力があると光学特性が悪化するので、結晶育成後、熱処理を施し応力を除去する。
【０００６】
しかし、フッ化カルシウムは、理想的な内部応力がない結晶であっても、結晶構造に起因する複屈折、いわゆる真性複屈折（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）が無視できない量だけ発生する。
【０００７】
フッ化カルシウムの結晶軸は、図１２に示す通りである。結晶軸としての［１０ ０］軸、［０ １ ０］軸及び［０ ０ １］軸は互いに入れ替えて考えることが可能であり、結晶としては立方晶系に属する。そのため真性複屈折の影響を無視すれば、光学的な特性は等方的、即ち、結晶中を光束が進む向きによって光学的な影響が変化することはないことが知られている。
【０００８】
フッ化カルシウムの真性複屈折は、図１３及び図１４によって説明される。まず、図 は、結晶中の光線方向に応じた複屈折の大きさを表す。図１３を参照するに、［１ １ １］軸、［１ ０ ０］軸、［０ １ ０］軸及び［０ ０ １］軸方向に進行する光束に対しては複屈折量がゼロとなる。しかし、［１ ０１］軸、［１ １ ０］軸及び［０ １ １］軸方向に進行する光束に対しては複屈折量が最大となり、その大きさが、例えば、Ｆ２レーザーの波長１５７ｎｍ（以下、「Ｆ２波長」と言うこともある。）では１２ｎｍ／ｃｍに達する。図１４は、光線方向に応じた複屈折の進相軸分布を表すものである。そのような結晶で光学系を構成した場合、図１５に示すように、像の形成に寄与する波面が入射光の偏光方向によって変化し、近似的には２つに分かれた波面が二重の像を形成する。そのため真性複屈折によって、光学系としての結像性能が大きく劣化するという結果になる。ここで、図１５は、偏光特性による波面収差と結像特性の関係を示す図である。
【０００９】
上述したように、真性複屈折の影響は結晶内部の光束の進行方向によって変化するが、同時に複数の結晶を組み合わせることにより真性複屈折の影響を補正することが可能となる。第１の結晶に対して進相軸方向に偏光して入射した光束に対して、第２の結晶では遅相軸方向に入射するように結晶軸の向きを調整すれば、２つの結晶を透過した後の光束は、波面の進みと遅れがキャンセルされることになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、真性屈折の大きさは波長の２乗に反比例し、例えば、Ａｒ−Ｆエキシマレーザーの波長１９３ｎｍでは３．４ｎｍ／ｃｍ、Ｆ２波長では１２ｎｍ／ｃｍにも達することが明らかになっており、露光波長が短くなると上述した調整では十分な補正を行うことができず、所望の結像性能を実現することができない。
【００１１】
そこで、本発明は、複屈折による結像性能の低下を抑え、焼き付けパターンの方向によらず優れた解像性能を得ることができる露光装置及び方法を提供することを例示的目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクを照明する照明装置と、前記マスクのパターンを被処理体に投影する投影光学系と、を備える露光装置において、前記照明装置は、光源からの光を所定の偏光方向の直線偏光に変換する偏光方向決定手段と、前記投影光学系に入射する直線偏光の偏光方向を切り替える切り替え手段と、を有し、前記投影光学系は、前記投影光学系に入射する直線偏光の偏光方向を前記切り替え手段で切り替えることによって変わる前記投影光学系の波面収差を補正する補正手段を有することを特徴とする。かかる露光装置によれば、複屈折に起因する非点収差及び／又は傾き成分を補正することが可能となり、解像度を向上させることが可能となる。
【００１５】
本発明の別の側面としての露光方法は、マスクを照明し、投影光学系で前記マスクのパターンを被処理体に投影する露光方法において、前記投影光学系に直線偏光を入射させて、その直線偏光で前記被処理体を露光する第１露光ステップと、前記投影光学系に偏光方向を切り替えた直線偏光を入射させて、その直線偏光で前記被処理体を露光する第２露光ステップと、を有し、前記第２露光ステップは、偏光方向を切り替えたことによって変わる前記投影光学系の波面収差を補正するステップを含むことを特徴とする。かかる露光方法によれば、最適な露光条件で露光を行うことができる。
【００１８】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置で被処理体を露光するステップと、その露光された被処理体を現像するステップと、を有することを特徴とする。上述の露光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、例えば、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００１９】
本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の例示的な露光装置について説明する。なお、各図において同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の一側面としての露光装置１の例示的一形態を示す概略構成図である。
【００２１】
露光装置１は、図１に示されるように、照明装置１００と、レチクル又はマスク（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する）２００と、投影光学系３００と、プレート４００と、偏光方向決定手段５００とを有する。
【００２２】
露光装置１は、例えば、ステップ・アンド・リピート方式やステップ・アンド・スキャン方式でレチクル２００に形成された回路パターンをプレート４００に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」は、レチクルに対してプレートを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをプレートに露光すると共に、１ショットの露光終了後プレートをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、プレートのショットの一括露光ごとにプレートをステップ移動して次の露光領域に移動する露光方法である。
【００２３】
照明装置１００は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２００を照明し、光源部１１０と、照明光学系１２０とを有する。
【００２４】
光源部１１０は、光源としてのレーザー１１２と、ビーム整形系１１４とを含む。
【００２５】
レーザー１１２は、波長約１９３ｎｍのＡｒ−Ｆエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒ−Ｆエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーなどを使用することができる。但し、レーザーの種類は限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定されない。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用すれば固体レーザー相互間のコヒーレンスはなく、コヒーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。更にスペック利を低減するために光学系を直線的又は回転的に揺動させてもよい。また、光源部１１０に使用可能な光源はレーザー１１２に限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００２６】
ビーム整形系１１４は、例えば、複数のシリンドリカルレンズを備えるビームエクスパンダ等を使用することができ、レーザー１１２からの平行光の断面形状の寸法の縦横比率を所望の値に変換する（例えば、断面形状を長方形から正方形にするなど）ことによりビーム形状を所望のものに形成する。ビーム整形系１１４は、後述するオプティカルインテグレーター１２２を照明するのに必要な大きさと発散角をもつ光束を形成する。
【００２７】
また、図１には示されていないが、光源部１１０は、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。
【００２８】
照明光学系１２０は、レチクル２００を照明する光学系であり、本実施形態では、オプティカルインテグレーター１２２と、σ絞り１２４と、コンデンサーレンズ１２６とを有する。レーザー１１２とオプティカルインテグレーター１２２の入射面とレチクル２００とプレート４００とが光学的に共役な関係に維持されている。また、σ絞り１２４と投影光学系３００の瞳面とが光学的に共役な関係に維持されている。
【００２９】
オプティカルインテグレーター１２２は、レチクル２００に照明される照明光を均一化し、本実施形態では、例えば、入射光の角度分布を位置分布に変換して射出するハエの目レンズとして構成される。ハエの目レンズは、その入射面と射出面とが光学的に物体面と瞳面（又は瞳面と像面）の関係になる。ハエの目レンズは、互いの焦点位置がそれと異なる一方の面にあるレンズ（レンズ素子）を複数個並べたものである。また、ハエの目レンズを構成する各レンズ素子の断面形状は、各レンズ素子のレンズ面が球面である場合、照明装置１００の照明領域と略相似である方が照明光の利用効率が高い。これは、ハエの目レンズと照明領域が瞳と像の関係であるからである。
【００３０】
本発明で適用可能なオプティカルインテグレーター１２２は、ハエの目レンズに限定されず、例えば、２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成してもよい。なお、シリンドリカルレンズアレイ板の組数が２に限定されないことはいうまでもない。
【００３１】
オプティカルインテグレーター１２２は、光学ロッドに置換される場合もある。光学ロッドは、入射面で不均一であった照度分布を射出面で均一にし、ロッド軸と垂直な断面形状が照明領域とほぼ同一な縦横比を有する矩形断面を有する。なお、光学ロッドは、ロッド軸と垂直な断面形状にパワーがあると射出面での照度が均一にならないので、そのロッド軸に垂直な断面形状は直線のみで形成される多角形である。その他、オプティカルインテグレーター１２２は、拡散作用をもった回折光学素子に置換されてもよい。
【００３２】
σ絞り１２４は、オプティカルインテグレーター１２２の射出面近傍に配置され、形状及び径が固定された開口（例えば、円形の開口）によって被照明面（即ち、レチクル２００面）の照明範囲を画定する。なお、σ絞り１２４は、図示しない絞り駆動手段を構成し、開口の形状及び径を可変としてもよい。
【００３３】
コンデンサーレンズ１２６は、オプティカルインテグレーター１２４から射出した光をできるだけ多く集めて主光線が平行、すなわちテレセントリックになるようにレチクル２００を照明する。
【００３４】
レチクル２００は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないレチクルステージに支持及び駆動される。レチクル２００から発せられた回折光は、投影光学系３００を通りプレート４００上に投影される。レチクル２００とプレート４００は、光学的に共役の関係にある。本実施形態の露光装置１はスキャナーであるため、レチクル２００とプレート４００を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりレチクル２００のパターンをプレート４００上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる）の場合は、レチクル２００とプレート４００を静止させた状態で露光が行われる。
【００３５】
投影光学系３００は、レチクル２００（物体面）からの光束をプレート４００（像面）に結像する。投影光学系３００は、複数の光学素子３１０ａ乃至３１０ｄ（なお、以下の説明において、光学素子３１０は、光学素子３１０ａ乃至３１０ｄを総括するものとする）で構成される。なお、実際の投影光学系３００には、２０枚を超える光学素子３１０が使用されるが、ここでは説明を簡略化するため図１の投影光学系３００で一般の投影光学系を代表させる。
【００３６】
投影光学系３００は、例えば、全てレンズ素子の光学素子３１０からなる光学系、複数のレンズ素子の光学素子３１０ａ乃至３１０ｃと少なくとも一枚の凹面鏡の光学素子３１０ｄとを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子の光学素子３１０ａ乃至３１０ｃと少なくとも一枚のキノフォームなどの回折素子の光学素子３１０ｄとを有する光学系、全てミラーの光学素子３１０からなる光学系等を使用することができる。色収差の補正の必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なる光学素子３１０を使用したり、回折素子の光学素子３１０ｄをレンズ素子の光学素子３１０ａ乃至３１０ｃと逆の分散が生じるように構成したりする。
【００３７】
光学素子３１０は、反射、屈折及び回折等を利用して光束を結像させる。光学素子３１０は、エキシマレーザーに使用可能なフッ化カルシウムからなり、複屈折を示す。光学素子３１０は、光軸まわりに回転可能、且つ、光軸方向に移動可能に保持されている。従って、複屈折の影響を小さくするために光軸まわりの角度を調整することができる。
【００３８】
プレート４００は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体（被露光体）を広く含む。プレート４００にはフォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布工程と、フォトレジスト塗布工程と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布工程は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークはベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００３９】
プレートステージ４５０は、プレート４００を支持する。プレートステージ４５０は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、プレートステージ４５０は、リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレート４００を移動することができる。レチクル２００とプレート４００は、例えば、同期走査され、プレートステージ４５０と図示しないレチクルステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。プレートステージ４５０は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、レチクルステージ及び投影光学系３００は、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００４０】
偏光方向決定手段５００は、プレート４００を露光する露光光（即ち、レーザー１１２から射出される光）が直線偏光となるように、かかる露光光の偏光方向を決定する。換言すれば、偏光方向決定手段５００は、レーザー１１２から射出されるランダム偏光の露光光を直線偏光の露光光に変換する。
【００４１】
偏光方向決定手段５００は、本実施形態では、光の振動の一方向の成分のみを通過させる（例えば、振動方向が入射光と法線方向を含む平面内に存在するＰ偏光又は振動方向が入射光と法線方向を含む平面内に垂直な平面内に存在するＳ偏光のみを通過させる）性質を有する偏光板で構成されている。但し、偏光方向決定手段５００は、偏光板に限定されず、光の振動を一定の方向に制限する機能を有するもので構成することを妨げるものではない。
【００４２】
偏光方向決定手段５００は、本実施形態では、レチクル２００の直前に配置されているが、照明装置１００が光の偏光を回転させるような光学系を備えている場合を除き、プレート４００までのどの位置に配置してもよい。即ち、プレート４００に到達する回路パターンを反映する光（プレート４００を露光する光）が直線偏光であればよい。
【００４３】
上述したように、光学素子３１０が示す複屈折により投影光学系３００の結像性能が低下する大きな要因は、直交する２つの偏光方向を含む（例えば、Ｐ偏光とＳ偏光）露光光によって、露光に寄与する、異なった２つの波面（絶対値が等しく符号が反対）を形成するためである。従って、偏光方向決定手段５００によって、図２に示すように、露光光として入射する光束の偏光方向を一方向に固定した直線偏光に限定することにより、露光に寄与する波面が１つとなり、結像性能の低下を防ぐことができる。なお、光学素子３１０の示す複屈折があまりに大きいと、直線偏光であっても異常光線と呼ばれる偏光の回転した成分の強度が大きくなるため、光学素子３１０の複屈折量はできる限り小さく抑えることが好ましい。ここで、図２は、偏光特性による波面収差と結像特性の関係を示す図である。
【００４４】
露光において、光源部１１０から発せられた光束は、照明光学系１２０によりレチクル２００を照明する。このとき、照明光学系１２０とレチクル２００の間に配置された偏光方向決定手段５００により光束は直線偏光となっている。レチクル２００を通過してマスクパターンを反映する直線偏光の光は、投影光学系３００によりプレート４００に結像される。露光装置１は、露光光に偏光方向が一定の直線偏光を用いることにより、光学素子３１０の複屈折の影響を抑えて、良好な解像度を得ることができる。
【００４５】
以下、図３を参照して、露光装置１の変形例である露光装置２を説明する。ここで、図３は、露光装置１の変形例である露光装置２の例示的一形態を示す概略構成図である。
【００４６】
露光装置２は、露光装置１と同様であるが、図１に示されるように、切り替え手段５５０と、検出部６００と、制御部７００と、補正手段８００とを更に有する。露光装置２は、通常のランダム偏光の露光光を用いた場合に比べて、直線偏光の偏光方向に垂直なパターンの解像性能は低下し、直線偏光の偏光方向に平行なパターンの解像性能は向上するという特性を積極的に利用して、露光を行う。
【００４７】
レチクル２００は、本実施形態では、所望の回路パターンを形成方向毎に分離した（例えば、縦方向と横方向）複数のレチクル２００ａ及び２００ｂから構成される。レチクル２００ａ及び２００ｂは、図示しない駆動手段によってレチクルステージに設置され、レチクル２００ａ及び２００ｂ毎に露光を行うことで、所望の回路パターンがプレート４００に露光される。
【００４８】
切り替え手段５５０は、偏光方向決定手段５００が決定する直線偏光を他の直線偏光に切り替える。換言すれば、切り替え手段５５０は、直線偏光の偏光方向を切り替える。切り替え手段５５０は、偏光方向決定手段５００と共同して、プレート４００を露光する露光光（即ち、レーザー１１２から射出される光）を直線偏光にすると共に、かかる直線偏光の偏光方向を任意の方向に向けることができる。切り替え手段５５０は、後述する制御部７００に制御され、直線偏光の偏光方向を設定する。
【００４９】
切り替え手段５５０は、本実施形態では、露光光の偏光方向を一方向に固定する偏光板で構成された偏光方向決定手段５００を回転させることが可能な回転機構で構成されている。従って、露光光の偏光方向を偏光板の回転角度によって任意に設定することができる。また、切り替え手段５５０は、ターレット状になっていて、その回転中心の周囲に複数の偏光方向決定手段５００（偏光板）を配置し、任意の偏光方向決定手段５００を選択することで、露光光の偏光方向を切り替えてもよい。
【００５０】
検出部６００は、レチクルステージに設置されたレチクル２００に形成された回路パターンの形成方向を検出する。検出部６００は、例えば、レチクル２００に設けられた回路パターンの形成方向を含む情報（バーコード等）を読み取ることで、レチクル２００上の回路パターンの形成方向を検出する。更に、検出部６００は、検出したレチクル２００上の回路パターンの形成方向を制御部７００に送信する。
【００５１】
制御部７００は、検出部６００が検出したレチクル２００上の回路パターンの形成方向に対して平行な直線偏光となるように、切り替え手段５５０を制御する。制御部７００は、本実施形態では、切り替え手段５５０を回転させることにより、偏光方向決定手段５００（偏光板）が決定する偏光方向を変更し、レチクル２００上の回路パターンの形成方向に対して平行な直線偏光とする。従って、制御部７００は、変更方向決定手段５００、切り替え手段５５０及び検出部６００と共同して、露光光の偏光方向を、常に、レチクル２００上の回路パターンの形成方向に対して平行な直線偏光とすることで、解像性能の向上を可能としている。
【００５２】
補正手段８００は、投影光学系３００の波面収差を補正する。補正手段８００は、直線偏光の偏光方向を変更することで波面収差が変わるために、かかる波面収差を補正するために設けられている。補正手段８００は、非点収差を補正する第１の補正手段８１０と、傾き成分の収差（即ち、パターンの位置ずれ）を補正する第２の補正手段８２０から構成される。なお、本実施形態では、補正手段８００は、複屈折によって発生しやすい波面収差である非点収差及び傾き成分を補正しているが、その他の波面収差を補正する機能を含めてもよい。また、投影光学系３００の波面収差は、補正手段８００で補正可能な単純な形状に追い込んでおくことが好ましく、傾き成分の波面収差のみに調整しておくことが更に好ましい。これは、波面収差が傾き成分のみであれば、投影光学系３００の光学素子３１０を駆動する必要がなくなるからである。
【００５３】
第１の補正手段８１０は、投影光学系３００の非点収差を測定する測定部８１２と、投影光学系３００の光学素子３１０を光軸まわり及び光軸方向に駆動する駆動部８１４とを有する。なお、駆動部８１４は、投影光学系３００の光学素子３１０全てを駆動してもよいし、波面収差に最も関係する光学素子３００のみを駆動してもよい。第１の補正手段８１０は、測定部８１２が測定した非点収差が低減するように、駆動部８１４によって光学素子３１０を駆動して、投影光学系３００の非点収差を補正する。
【００５４】
第２の補正手段８２０は、露光光とプレート４００との角度を計測する計測部８２２と、プレート４００を駆動する駆動部８２４とを有する。駆動部８２４は、プレートステージ４５０と接続しており、プレートステージ４５０を介してプレート４００を駆動する。第２の補正手段８２０は、計測部８２２が計測した露光光とプレート４００との角度が垂直となるように、駆動部８２４によってプレートステージ４５０に支持されたプレート４００を駆動して、投影光学系３００の波面収差の傾き成分を補正する。
【００５５】
ここで、図４を参照して、露光装置２を利用した露光方法１０００について説明する。ここで、図４は、本発明の例示的な露光方法１０００を説明するためのフローチャートである。本実施形態では、所望の回路パターンが異なる２つの形成方向からなり、回路パターンの形成方向毎にレチクル２００ａ及び２００ｂが用意されている。
【００５６】
まず、レチクルステージにレチクル２００ａが設置されると、検出部６００がレチクル２００ａに形成されたパターンの形成方向を検出する（ステップ１００２）。検出したパターンの形成方向は制御部７００に送信され、制御部７００は、かかるパターンの形成方向に基づいて切り替え手段５５０（及び偏光方向決定手段５００）を制御して、露光光の偏光方向をレチクル２００ａ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光にする（ステップ１００４）。そして、レチクル２００ａ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光を用いてレチクル２００ａ上のパターンをプレート４００に露光する（ステップ１００６）。この際、レチクル２００ａ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光を用いることで発生する複屈折に起因する投影光学系３００の波面収差（例えば、非点収差、傾き成分など）を補正手段８００によって補正する（ステップ１００８）。
【００５７】
次に、レチクルステージからレチクル２００ａを取り外してレチクル２００ｂを設置すると、検出部６００がレチクル２００ｂに形成されたパターンの形成方向を検出する（ステップ１０１０）。検出したパターンの形成方向は制御部７００に送信され、制御部７００は、かかるパターンの形成方向に基づいて切り替え手段５５０（及び偏光方向決定手段５００）を制御して、露光光の偏光方向をレチクル２００ｂ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光にする（ステップ１０１２）。そして、所望のパターンが形成されるように、レチクル２００ｂ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光を用いてレチクル２００ｂ上のパターンをレチクル２００ａのパターンが露光されたプレート４００に露光する（ステップ１０１４）。この際、レチクル２００ｂ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光を用いることで発生する複屈折に起因する投影光学系３００の波面収差（例えば、非点収差、傾き成分など）を補正手段８００によって補正する（ステップ１０１６）。以上のようなステップを経て所望のパターンがプレート４００上に露光される。露光方法１０００によれば、所望の回路パターンを形成方向によって分割したレチクル２００を用いて、パターンの形成方向に対して常に平行な直線偏光を用いることで解像度を向上させた露光を行うことができる。なお、本実施形態では、２回の露光を行うことで所望のパターンをプレートに露光しているが、所望のパターンの形成方向が２方向以上ある場合は、パターンの形成方向の数だけレチクルを用意して、かかる数だけ露光を行えばよい。
【００５８】
以下、図５乃至図７を参照して、別の露光装置３を説明する。図５は、本発明の別の露光装置３の例示的一形態を示す概略構成図である。露光装置３は、露光装置２と同様であるが、図５に示されるように、σ絞り１２４の代わりに有効光源形成手段９００を有する。
【００５９】
有効光源形成手段９００は、レチクル２００に形成された回路パターンに応じた有効光源を形成する。有効光源形成手段９００は、所望の回路パターンを形成方向毎に分離した（例えば、縦方向と横方向）複数のレチクル２００ａ及び２００ｂを用いる場合は、図６に示すような有効光源形成手段９１０を用い、所望の回路パターンが形成された一枚のレチクル２００を用いる場合は、図７に示すような有効光源形成手段９２０を用いる。なお、有効光源形成手段９００は、本実施形態では、アパーチャーとして実現されているが、後述する有効光源を形成することが可能であるならば、プリズムなどを用いてもよい。ここで、図６は、有効光源形成手段９１０の一例を示す概略平面図である。図７は、有効光源形成手段９２０の一例を示す概略平面図である。
【００６０】
有効光源形成手段９１０は、レチクル２００ａ及び２００ｂの形成方向に対して垂直な方向に有効光源を形成する。有効光源形成手段９１０は、例えば、図６に示すように、従来からよく知られている光軸を中心とした二重極状の発光部（開口部）Ａを有する有効光源分布（即ち、光量分布）を形成し、最適な露光条件を提供する。なお、有効光源形成手段９１０は、本実施形態では、回転可能に配置されており、任意の方向に有効光源を形成することが可能となっている。有効光源形成手段９１０が形成した有効光源と、偏光方向決定手段５００及び切り替え手段６００により偏光方向がレチクル２００ａ又は２００ｂ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光となった露光光とを組み合わせることにより、更に解像度を向上させることができる。なお、有効光源形成手段９１０が形成する有効光源分布は二重極状に限らず、例えば、図６に示す発光部Ａが片方だけのものや光軸を中心とした四重極状の発光部を有する有効光源分布を形成するものを用いてもよい。
【００６１】
一方、有効光源形状９２０は、偏光方向決定手段５００及び切り替え手段６００により決定した直線偏光の偏光方向（即ち、レチクル２００上の所望のパターンのうち、ある一方向の形成方向に対して平行な偏光方向）と、かかる直線偏光の偏光方向に対して垂直な方向において、異なる形状の有効光源を形成する。有効光源形成手段９２０は、例えば、図７に示すように、光軸を中心とした四重極状の発光部（開口部）Ｂ１乃至Ｂ４を有し、偏光方向に平行な方向である開口部Ｂ１及びＢ４と開口部Ｂ２及びＢ３の間隔ｄ１と偏光方向に垂直な方向である開口部Ｂ１及びＢ２と開口部Ｂ４及びＢ３の間隔ｄ２が以下の数式１に示す関係を満足する。
【００６２】
【数１】
【００６３】
従って、直線偏光の偏光方向と、かかる直線偏光の偏光方向に対して垂直な方向において、異なる有効光源分布（即ち、光量分布）を形成し、最適な露光条件を提供する。即ち、有効光源形成手段９２０が形成した有効光源と、レチクル２００上の所望のパターンのうち、ある一方向の形成方向に対して平行な偏光方向を有する直線偏光となった露光光とを組み合わせることにより、レチクル２００上のパターンの形成方向によらず１回の露光で均一な解像度を得ることができる。
【００６４】
ここで、図８を参照して、露光装置３を利用した露光方法２０００について説明する。ここで、図８は、所望の回路パターンを形成方向毎に分離した（本実施例では、縦方向と横方向の２方向とする）複数のレチクル２００ａ及び２００ｂを用いる場合の露光方法２０００を説明するためのフローチャートである。
【００６５】
まず、レチクルステージにレチクル２００ａが設置されると、検出部６００がレチクル２００ａに形成されたパターンの形成方向を検出する（ステップ２００２）。検出したパターンの形成方向は制御部７００に送信され、制御部７００は、かかるパターンの形成方向に基づいて切り替え手段５５０（及び偏光方向決定手段５００）を制御して、露光光の偏光方向をレチクル２００ａ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光にする（ステップ２００４）。また、有効光源形成手段９１０によって、検出したレチクル２００ａの形成方向に対して垂直な方向に有効光源を形成する（ステップ２００６）。そして、レチクル２００ａ上のパターンの形成方向に対して垂直な方向に形成された有効光源、且つ、レチクル２００ａ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光を用いてレチクル２００ａ上のパターンをプレート４００に露光する（ステップ２００８）。
【００６６】
次に、レチクルステージからレチクル２００ａを取り外してレチクル２００ｂを設置すると、検出部６００がレチクル２００ｂに形成されたパターンの形成方向を検出する（ステップ２０１０）。検出したパターンの形成方向は制御部７００に送信され、制御部７００は、かかるパターンの形成方向に基づいて切り替え手段５５０（及び偏光方向決定手段５００）を制御して、露光光の偏光方向をレチクル２００ｂ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光にする（ステップ２０１２）。また、有効光源形成手段９１０を回転させて、形成される有効光源を検出したレチクル２００ａの形成方向に対して垂直な方向に変更する（ステップ２０１４）。そして、レチクル２００ｂ上のパターンの形成方向に対して垂直な方向に形成された有効光源、且つ、レチクル２００ｂ上のパターンの形成方向に対して平行な直線偏光を用いてレチクル２００ｂ上のパターンをプレート４００に露光する（ステップ２０１６）。以上のようなステップを経て所望のパターンがプレート４００上に露光される。露光方法２０００によれば、所望の回路パターンを形成方向によって分割したレチクル２００ａ及び２００ｂを用いて、パターンの形成方向に対して常に平行な直線偏光の露光光を用いると共に、有効光源形成手段９１０によってパターンの形成方向に対して垂直な有効光源を形成することで解像度を向上させた露光を行うことができる。
【００６７】
一方、図９を参照して、露光装置３において、所望の回路パターンが形成された一枚のレチクル２００を用いる場合の露光方法３０００を説明する。ここで、図９は、所望の回路パターンが形成された一枚のレチクル２００を用いる場合の露光方法３０００を説明するためのフローチャートである。
【００６８】
まず、レチクルステージにレチクル２００が設置されると、検出部６００がレチクルに形成されたパターンの形成方向を検出する（ステップ３００２）。検出したパターンの形成方向は制御部７００に送信され、制御部７００は、切り替え手段５５０（及び偏光方向決定手段５００）を制御して、露光光を、かかるパターンの形成方向のうち任意の一方向に平行な直線偏光にする（ステップ３００４）。また、有効光源形成手段９２０によって、直線偏光の偏光方向と直線偏光の偏光方向に対して垂直な方向において、異なる形状の有効光源を形成する（ステップ３００６）。そして、レチクル２００上のパターンの形成方向のうち任意の位置後方に平行な直線偏光の露光光、且つ、かかる直線偏光の偏光方向と直線偏光の偏光方向に対して垂直な方向において異なる形状の有効光源を用いてレチクル２００上の所望のパターンをプレート４００に露光する（ステップ３００８）。露光方法３０００によれば、パターンの形成方向によらず、均等な解像度を得ることができると共に、１回で所望のパターンを露光することができる。なお、露光方法２０００及び３０００において、上述したように、複屈折に起因する投影光学系３００の波面収差（例えば、非点収差、傾き成分など）を補正手段８００によって補正すると更に効果的であることは言うまでもない。
【００６９】
次に、図１０及び図１１を参照して、上述の露光装置１乃至３を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図１０は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。
【００７０】
ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００７１】
図１１は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１乃至３によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００７２】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。例えば、本発明は、複屈折を示す光学素子を使用しない投影光学系においても解像度を向上させることができる。
【００７３】
【発明の効果】
本発明の露光装置及び方法によれば、複屈折による結像性能の低下を抑え、焼き付けパターンの方向によらず優れた解像性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一側面としての露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。
【図２】 偏光特性による波面収差と結像特性の関係を示す図である。
【図３】 図１に示す露光装置の変形例である露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。
【図４】 本発明の例示的な露光方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】 本発明の別の露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。
【図６】 図５に示す有効光源形成手段の一例を示す概略平面図である。
【図７】 図５に示す有効光源形成手段の一例を示す概略平面図である。
【図８】 所望の回路パターンを形成方向毎に分離した複数のレチクルを用いる場合の露光方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】 所望の回路パターンが形成された一枚のレチクルを用いる場合の露光方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】 デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１１】 図１０に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図１２】 フッ化カルシウム結晶の結晶軸を説明するための図である。
【図１３】 フッ化カルシウムにおける真性複屈折量の分布を示す図である。
【図１４】 フッ化カルシウムにおける真性複屈折進相軸の分布を示す図である。
【図１５】 偏光特性による波面収差と結像特性の関係を示す図である。
【符号の説明】
１乃至３ 露光装置
１００ 照明装置
１１０ 光源部
１１２ レーザー
１１４ ビーム整形系
１２０ 照明光学系
１２２ オプティカルインテグレーター
１２４ σ絞り
１２６ コンデンサーレンズ
２００、２００ａ、２００ｂ レチクル
３００ 投影光学系
３１０ 光学素子
４００ プレート
４５０ プレートステージ
５００ 偏光方向決定手段
５５０ 切り替え手段
６００ 検出部
７００ 制御部
８００ 補正手段
８１０ 第１の補正手段
８１２ 測定部
８１４ 駆動部
８２０ 第２の補正手段
８２２ 計測部
８２４ 駆動部
９００、９１０、９２０ 有効光源形成手段[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention generally relates to an exposure apparatus, and more particularly, to an exposure apparatus used to expose an object to be processed such as a single crystal substrate for a semiconductor wafer and a glass substrate for a liquid crystal display (LCD). The present invention is suitable for an exposure apparatus that uses, as a light source, light in a short wavelength range from a vacuum ultraviolet region to far ultraviolet light.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the demand for miniaturization of semiconductor elements mounted on electronic devices has been increasing due to the demand for smaller and thinner electronic devices, and various proposals have been made to increase the exposure resolution in order to satisfy such requirements. Yes.
[0003]
Since shortening the wavelength of the exposure light source is an effective means for improving the resolution, in recent years, the exposure light source is g-line (wavelength: about 436 nm), i-line (wavelength: about 365 nm), Kr-F excimer laser. Light (wavelength: about 248 nm) and Ar-F excimer laser light (wavelength: about 193 nm).2The use of laser light (wavelength of about 157 nm) is promising.
[0004]
In the wavelength range up to i-line, it was possible to use a conventional optical element in the optical system, but Kr-F and Ar-F excimer laser beams, F2In the wavelength region of laser light, the transmittance is low, and it is impossible to use conventional optical glass. For this reason, an optical system of an exposure apparatus using an excimer laser as a light source has quartz glass (SiO 2) having a high transmittance of short wavelength light.2) Or calcium fluoride (CaF)2) Is generally used, and in particular, F2In an exposure apparatus using a laser as a light source, it is essential to use an optical element made of calcium fluoride as a material.
[0005]
Calcium fluoride single crystals are conventionally produced by the crucible descent method (also known as the “Bridgeman method”). In such a method, a chemically synthesized high-purity raw material is put in a crucible and melted in a growth apparatus, and then the crucible is gradually pulled down and crystallized from the lower part of the crucible. Due to the thermal history of this growth process, stress remains in the calcium fluoride crystal. Calcium fluoride exhibits birefringence with respect to stress, and optical characteristics deteriorate when residual stress is present. Therefore, after crystal growth, heat treatment is performed to remove the stress.
[0006]
However, calcium fluoride generates a non-negligible amount of birefringence due to the crystal structure, so-called intrinsic birefringence, even if the crystal has no ideal internal stress.
[0007]
The crystal axis of calcium fluoride is as shown in FIG. The [10 0] axis, the [0 1 0] axis, and the [0 0 1] axis as crystal axes can be considered interchangeably, and the crystal belongs to a cubic system. Therefore, if the influence of intrinsic birefringence is ignored, it is known that the optical characteristics are isotropic, that is, the optical influence does not change depending on the direction in which the light beam travels in the crystal.
[0008]
The intrinsic birefringence of calcium fluoride is illustrated by FIGS. First, the figure shows the magnitude of birefringence according to the direction of light rays in the crystal. Referring to FIG. 13, the amount of birefringence is zero for a light beam traveling in the [1 1 1] axis, [1 0 0] axis, [0 1 0] axis, and [0 0 1] axis direction. . However, the amount of birefringence is maximized for a light beam traveling in the [1 01] axis, [1 1 0] axis, and [0 1 1] axis direction, and the magnitude thereof is, for example, F2Laser wavelength 157 nm (hereinafter referred to as “F2Sometimes called “wavelength”. ) Reaches 12 nm / cm. FIG. 14 shows the fast axis distribution of birefringence according to the light beam direction. When an optical system is configured with such a crystal, as shown in FIG. 15, the wavefront that contributes to image formation changes depending on the polarization direction of incident light, and the wavefront divided into two is approximately double. Form an image. For this reason, intrinsic birefringence results in a significant deterioration in the imaging performance of the optical system. Here, FIG. 15 is a diagram showing a relationship between wavefront aberration due to polarization characteristics and imaging characteristics.
[0009]
As described above, the influence of intrinsic birefringence changes depending on the traveling direction of the light beam inside the crystal, but it is possible to correct the influence of intrinsic birefringence by combining a plurality of crystals at the same time. If the direction of the crystal axis is adjusted so that the incident light is polarized in the fast axis direction and incident on the first crystal in the slow axis direction, the second crystal is transmitted through the two crystals. As for the light flux after this, the advance and delay of the wave front are cancelled.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, the magnitude of intrinsic refraction is inversely proportional to the square of the wavelength. For example, at a wavelength of 193 nm of an Ar—F excimer laser, 3.4 nm / cm, F2It has been clarified that the wavelength reaches 12 nm / cm. When the exposure wavelength is shortened, the above-described adjustment cannot perform sufficient correction, and the desired imaging performance cannot be realized.
[0011]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and method capable of suppressing deterioration in imaging performance due to birefringence and obtaining excellent resolution performance regardless of the direction of printing pattern.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention provides:An illumination device for illuminating the mask; andmaskofA projection optical system for projecting a pattern onto a workpiece;In the exposure apparatus, the illumination device includes: a polarization direction determining unit that converts light from a light source into linearly polarized light having a predetermined polarization direction; and a switching unit that switches a polarization direction of linearly polarized light incident on the projection optical system; And the projection optical system corrects the wavefront aberration of the projection optical system that is changed by switching the polarization direction of linearly polarized light incident on the projection optical system with the switching unit.It is characterized by having. According to such an exposure apparatus, DoubleAstigmatism and / or tilt components due to refraction can be corrected.It becomes possible to improve the resolution.
[0015]
The present inventionAnotherThe exposure method as an aspect ofIn an exposure method of illuminating a mask and projecting a pattern of the mask onto a target object with a projection optical system, first exposure is performed by causing linearly polarized light to enter the projection optical system and exposing the target object with the linearly polarized light. And a second exposure step in which linearly polarized light whose polarization direction is switched is incident on the projection optical system, and the workpiece is exposed with the linearly polarized light. The second exposure step includes a polarization direction. A step of correcting wavefront aberration of the projection optical system that changes due to switching betweenIt is characterized by. According to such an exposure methodThe mostExposure can be performed under appropriate exposure conditions.
[0018]
A device manufacturing method as still another aspect of the present invention is the above-described exposure apparatus.soExposing a workpiece; andThatExposedDevelop the workpieceStep and,It is characterized by having. The claim of the device manufacturing method that exhibits the same operation as that of the above-described exposure apparatus extends to the intermediate and final device itself. Such devices include, for example, semiconductor chips such as LSI and VLSI, CCDs, LCDs, magnetic sensors, thin film magnetic heads, and the like.
[0019]
Other objects and further features of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an exemplary exposure apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the same reference number is attached | subjected about the same member in each figure, and the overlapping description is abbreviate | omitted. Here, FIG. 1 is a schematic block diagram showing an exemplary embodiment of an exposure apparatus 1 as one aspect of the present invention.
[0021]
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 1 includes an illumination apparatus 100, a reticle or mask (the terms are used interchangeably in the present application) 200, a projection optical system 300, a plate 400, a polarization direction, and the like. Determination means 500.
[0022]
The exposure apparatus 1 is a projection exposure apparatus that exposes a plate 400 with a circuit pattern formed on a reticle 200 by, for example, a step-and-repeat method or a step-and-scan method. Such an exposure apparatus is suitable for a lithography process of submicron or quarter micron or less, and in the present embodiment, a step-and-scan exposure apparatus (also referred to as a “scanner”) will be described as an example. Here, in the “step and scan method”, the plate is continuously scanned (scanned) with respect to the reticle to expose the mask pattern onto the plate, and after the exposure of one shot is completed, the plate is moved step by step. This is an exposure method for moving to the next exposure region. The “step-and-repeat method” is an exposure method in which the plate is moved stepwise and moved to the next exposure area for each batch exposure of a shot of the plate.
[0023]
The illumination device 100 illuminates a reticle 200 on which a transfer circuit pattern is formed, and includes a light source unit 110 and an illumination optical system 120.
[0024]
The light source unit 110 includes a laser 112 as a light source and a beam shaping system 114.
[0025]
The laser 112 includes an Ar-F excimer laser having a wavelength of about 193 nm, a Kr-F excimer laser having a wavelength of about 248 nm, and an F-type having a wavelength of about 157 nm.2A laser or the like can be used. However, the type of laser is not limited. For example, a YAG laser may be used, and the number of lasers is not limited. For example, if two solid-state lasers that operate independently are used, there is no coherence between the solid-state lasers, and speckle due to the coherence is considerably reduced. Further, the optical system may be swung linearly or rotationally in order to reduce specs. Further, the light source usable in the light source unit 110 is not limited to the laser 112, and one or a plurality of lamps such as a mercury lamp and a xenon lamp can be used.
[0026]
For example, a beam expander including a plurality of cylindrical lenses can be used as the beam shaping system 114, and the aspect ratio of the dimension of the cross-sectional shape of the parallel light from the laser 112 is converted into a desired value (for example, the cross-section By changing the shape from a rectangle to a square, etc., the beam shape is formed as desired. The beam shaping system 114 forms a light beam having a size and a divergence angle necessary for illuminating an optical integrator 122 described later.
[0027]
Although not shown in FIG. 1, it is preferable that the light source unit 110 uses an incoherent optical system that makes a coherent laser beam incoherent.
[0028]
The illumination optical system 120 is an optical system that illuminates the reticle 200. In the present embodiment, the illumination optical system 120 includes an optical integrator 122, a σ stop 124, and a condenser lens 126. The incident surfaces of the laser 112 and the optical integrator 122, the reticle 200, and the plate 400 are maintained in an optically conjugate relationship. Further, the σ stop 124 and the pupil plane of the projection optical system 300 are maintained in an optically conjugate relationship.
[0029]
The optical integrator 122 makes the illumination light illuminating the reticle 200 uniform. In this embodiment, the optical integrator 122 is configured, for example, as a fly-eye lens that converts the angle distribution of incident light into a position distribution and emits it. In the fly-eye lens, the incident surface and the exit surface are optically related to each other between the object plane and the pupil plane (or the pupil plane and the image plane). The fly-eye lens is a lens in which a plurality of lenses (lens elements) are arranged on one surface whose focal positions are different from each other. Moreover, when the lens surface of each lens element is a spherical surface, the use efficiency of illumination light is higher when the lens surface of each lens element is substantially similar to the illumination area of the illumination device 100. This is because the fly-eye lens and the illumination area have a relationship between the pupil and the image.
[0030]
The optical integrator 122 applicable in the present invention is not limited to a fly-eye lens, and may be configured, for example, by stacking two sets of cylindrical lens array (or lenticular lens) plates. Needless to say, the number of sets of cylindrical lens array plates is not limited to two.
[0031]
The optical integrator 122 may be replaced with an optical rod. The optical rod has a rectangular cross section in which the illuminance distribution that is non-uniform on the entrance surface is made uniform on the exit surface, and the cross-sectional shape perpendicular to the rod axis has the same aspect ratio as the illumination area. In addition, since the illuminance at the exit surface is not uniform when the optical rod has power in a cross-sectional shape perpendicular to the rod axis, the cross-sectional shape perpendicular to the rod axis is a polygon formed only by straight lines. In addition, the optical integrator 122 may be replaced with a diffractive optical element having a diffusing action.
[0032]
The σ stop 124 is disposed in the vicinity of the exit surface of the optical integrator 122, and defines an illumination range of the illumination target surface (that is, the reticle 200 surface) by an opening (for example, a circular opening) having a fixed shape and diameter. The σ diaphragm 124 may constitute diaphragm driving means (not shown), and the shape and diameter of the opening may be variable.
[0033]
The condenser lens 126 collects as much light as possible from the optical integrator 124 and illuminates the reticle 200 so that the principal rays are parallel, that is, telecentric.
[0034]
The reticle 200 is made of, for example, quartz, on which a circuit pattern (or image) to be transferred is formed, and is supported and driven by a reticle stage (not shown). Diffracted light emitted from the reticle 200 passes through the projection optical system 300 and is projected onto the plate 400. The reticle 200 and the plate 400 are optically conjugate. Since the exposure apparatus 1 of the present embodiment is a scanner, the pattern of the reticle 200 is transferred onto the plate 400 by scanning the reticle 200 and the plate 400 at the speed ratio of the reduction magnification ratio. In the case of a step-and-repeat type exposure apparatus (also referred to as a “stepper”), exposure is performed with the reticle 200 and the plate 400 stationary.
[0035]
The projection optical system 300 forms an image of the light beam from the reticle 200 (object plane) on the plate 400 (image plane). The projection optical system 300 includes a plurality of optical elements 310a to 310d (in the following description, the optical element 310 is a general term for the optical elements 310a to 310d). The actual projection optical system 300 uses more than 20 optical elements 310, but here, in order to simplify the description, the projection optical system 300 in FIG. 1 represents a general projection optical system.
[0036]
The projection optical system 300 includes, for example, an optical system (catadioptric optics) that includes an optical system composed entirely of lens elements optical elements 310, a plurality of lens element optical elements 310a to 310c, and at least one concave mirror optical element 310d. System), an optical system including a plurality of optical elements 310a to 310c of lens elements and an optical element 310d of a diffraction element such as at least one kinoform, an optical system including all optical elements 310 of a mirror, or the like. it can. When it is necessary to correct chromatic aberration, optical elements 310 having different dispersion values (Abbe values) are used, or the optical element 310d of the diffractive element has a dispersion opposite to that of the optical elements 310a to 310c of the lens elements. Or configure.
[0037]
The optical element 310 forms an image of a light beam using reflection, refraction, diffraction, and the like. The optical element 310 is made of calcium fluoride usable for an excimer laser and exhibits birefringence. The optical element 310 is held so as to be rotatable around the optical axis and movable in the optical axis direction. Therefore, the angle around the optical axis can be adjusted in order to reduce the influence of birefringence.
[0038]
The plate 400 is a wafer in this embodiment, but widely includes a liquid crystal substrate and other objects to be processed (objects to be exposed). Photoresist is applied to the plate 400. The photoresist coating process includes a pretreatment, an adhesion improver coating process, a photoresist coating process, and a pre-baking process. Pretreatment includes washing, drying and the like. The adhesion improver coating process is a surface modification process (ie, hydrophobization by applying a surfactant) to improve the adhesion between the photoresist and the base, and an organic film such as HMDS (Hexamethyl-disilazane) is applied. Coat or steam. Pre-baking is a baking (firing) step, but is softer than that after development, and removes the solvent.
[0039]
The plate stage 450 supports the plate 400. Since any configuration known in the art can be applied to the plate stage 450, a detailed description of the structure and operation is omitted here. For example, the plate stage 450 can move the plate 400 in the XY directions using a linear motor. The reticle 200 and the plate 400 are synchronously scanned, for example, and the positions of the plate stage 450 and the reticle stage (not shown) are monitored by, for example, a laser interferometer, and both are driven at a constant speed ratio. The plate stage 450 is provided on a stage surface plate supported on a floor or the like via a damper, for example, and the reticle stage and the projection optical system 300 are provided with a damper or the like on a base frame placed on the floor or the like. It is provided on a lens barrel surface plate (not shown) that is supported via the cable.
[0040]
The polarization direction determining means 500 determines the polarization direction of the exposure light so that the exposure light that exposes the plate 400 (that is, the light emitted from the laser 112) becomes linearly polarized light. In other words, the polarization direction determining unit 500 converts the randomly polarized exposure light emitted from the laser 112 into linearly polarized exposure light.
[0041]
In this embodiment, the polarization direction determining means 500 allows only one direction component of light vibration to pass (for example, P-polarized light or vibration direction in which the vibration direction is in a plane including the incident light and the normal direction is incident). It is composed of a polarizing plate having a property of allowing only S-polarized light existing in a plane perpendicular to the plane including light and the normal direction to pass. However, the polarization direction determination unit 500 is not limited to the polarizing plate, and does not prevent the polarization direction determination unit 500 from being configured with a function of limiting light vibration to a certain direction.
[0042]
In the present embodiment, the polarization direction determining means 500 is disposed immediately before the reticle 200. However, except for the case where the illumination device 100 includes an optical system that rotates the polarization of light, the polarization direction determining means 500 is fixed to any one of the plates 400. You may arrange in a position. That is, the light reflecting the circuit pattern reaching the plate 400 (light for exposing the plate 400) may be linearly polarized light.
[0043]
As described above, the major factor that the imaging performance of the projection optical system 300 is deteriorated due to the birefringence exhibited by the optical element 310 includes exposure light that includes two orthogonal polarization directions (for example, P-polarized light and S-polarized light). This is to form two different wave fronts (having the same absolute value and opposite signs) that contribute to. Therefore, as shown in FIG. 2, the polarization direction determining means 500 limits the polarization direction of the light beam incident as the exposure light to linearly polarized light that is fixed in one direction. A decrease in image performance can be prevented. Note that if the birefringence exhibited by the optical element 310 is too large, the intensity of the rotated component of polarized light called extraordinary rays is increased even for linearly polarized light, so that the amount of birefringence of the optical element 310 is kept as small as possible. preferable. Here, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between wavefront aberration due to polarization characteristics and imaging characteristics.
[0044]
In the exposure, the light beam emitted from the light source unit 110 illuminates the reticle 200 by the illumination optical system 120. At this time, the light beam is linearly polarized by the polarization direction determining means 500 disposed between the illumination optical system 120 and the reticle 200. The linearly polarized light that passes through the reticle 200 and reflects the mask pattern is imaged on the plate 400 by the projection optical system 300. The exposure apparatus 1 can obtain a good resolution by suppressing the influence of birefringence of the optical element 310 by using linearly polarized light having a fixed polarization direction as exposure light.
[0045]
Hereinafter, an exposure apparatus 2 that is a modification of the exposure apparatus 1 will be described with reference to FIG. Here, FIG. 3 is a schematic block diagram showing an exemplary form of an exposure apparatus 2 which is a modification of the exposure apparatus 1.
[0046]
The exposure apparatus 2 is the same as the exposure apparatus 1, but further includes a switching unit 550, a detection unit 600, a control unit 700, and a correction unit 800, as shown in FIG. The exposure apparatus 2 has a lower resolution performance of the pattern perpendicular to the polarization direction of the linearly polarized light and a resolution performance of the pattern parallel to the polarization direction of the linearly polarized light as compared with the case of using normal random polarized exposure light. The exposure is performed by positively utilizing the property of improving.
[0047]
In this embodiment, the reticle 200 is composed of a plurality of reticles 200a and 200b in which a desired circuit pattern is separated in each forming direction (for example, the vertical direction and the horizontal direction). The reticles 200a and 200b are placed on the reticle stage by a driving unit (not shown), and exposure is performed for each of the reticles 200a and 200b, so that a desired circuit pattern is exposed on the plate 400.
[0048]
The switching unit 550 switches the linearly polarized light determined by the polarization direction determining unit 500 to another linearly polarized light. In other words, the switching unit 550 switches the polarization direction of linearly polarized light. The switching unit 550 cooperates with the polarization direction determining unit 500 to change the exposure light for exposing the plate 400 (that is, the light emitted from the laser 112) to linearly polarized light, and to change the polarization direction of the linearly polarized light to an arbitrary direction. Can be directed to. The switching unit 550 is controlled by the control unit 700 described later and sets the polarization direction of linearly polarized light.
[0049]
In the present embodiment, the switching unit 550 is configured by a rotation mechanism that can rotate the polarization direction determining unit 500 configured by a polarizing plate that fixes the polarization direction of the exposure light in one direction. Therefore, the polarization direction of the exposure light can be arbitrarily set according to the rotation angle of the polarizing plate. Further, the switching means 550 has a turret shape, and a plurality of polarization direction determining means 500 (polarizing plates) are arranged around the rotation center, and an arbitrary polarization direction determining means 500 is selected, thereby exposing light. The polarization direction may be switched.
[0050]
The detection unit 600 detects the formation direction of the circuit pattern formed on the reticle 200 installed on the reticle stage. The detection unit 600 detects the circuit pattern formation direction on the reticle 200 by, for example, reading information (bar code or the like) including the circuit pattern formation direction provided on the reticle 200. Furthermore, the detection unit 600 transmits the detected circuit pattern formation direction on the reticle 200 to the control unit 700.
[0051]
The control unit 700 controls the switching unit 550 so that the linearly polarized light is parallel to the circuit pattern formation direction on the reticle 200 detected by the detection unit 600. In the present embodiment, the control unit 700 rotates the switching unit 550 to change the polarization direction determined by the polarization direction determining unit 500 (polarizing plate), and is parallel to the circuit pattern forming direction on the reticle 200. Linear polarization. Therefore, the control unit 700 cooperates with the change direction determination unit 500, the switching unit 550, and the detection unit 600 to always change the polarization direction of the exposure light to linearly polarized light that is parallel to the circuit pattern formation direction on the reticle 200. By doing so, the resolution performance can be improved.
[0052]
The correction unit 800 corrects the wavefront aberration of the projection optical system 300. The correction means 800 is provided to correct the wavefront aberration because the wavefront aberration is changed by changing the polarization direction of the linearly polarized light. The correction unit 800 includes a first correction unit 810 that corrects astigmatism, and a second correction unit 820 that corrects an inclination component aberration (that is, positional deviation of the pattern). In the present embodiment, the correction unit 800 corrects astigmatism and tilt components, which are wavefront aberrations that are likely to occur due to birefringence, but may include a function of correcting other wavefront aberrations. The wavefront aberration of the projection optical system 300 is preferably driven into a simple shape that can be corrected by the correction unit 800, and more preferably adjusted only to the wavefront aberration of the tilt component. This is because it is not necessary to drive the optical element 310 of the projection optical system 300 if the wavefront aberration is only the tilt component.
[0053]
The first correction unit 810 includes a measuring unit 812 that measures astigmatism of the projection optical system 300 and a drive unit 814 that drives the optical element 310 of the projection optical system 300 around and in the optical axis direction. Note that the drive unit 814 may drive all of the optical elements 310 of the projection optical system 300, or may drive only the optical element 300 most related to the wavefront aberration. The first correction unit 810 corrects the astigmatism of the projection optical system 300 by driving the optical element 310 by the drive unit 814 so that the astigmatism measured by the measurement unit 812 is reduced.
[0054]
The second correction unit 820 includes a measurement unit 822 that measures the angle between the exposure light and the plate 400, and a drive unit 824 that drives the plate 400. The drive unit 824 is connected to the plate stage 450 and drives the plate 400 via the plate stage 450. The second correcting unit 820 drives the plate 400 supported by the plate stage 450 by the driving unit 824 so that the angle between the exposure light measured by the measuring unit 822 and the plate 400 is vertical, and the projection optical system. The inclination component of 300 wavefront aberration is corrected.
[0055]
Here, an exposure method 1000 using the exposure apparatus 2 will be described with reference to FIG. Here, FIG. 4 is a flowchart for explaining an exemplary exposure method 1000 of the present invention. In the present embodiment, the desired circuit pattern has two different forming directions, and reticles 200a and 200b are prepared for each circuit pattern forming direction.
[0056]
First, when the reticle 200a is set on the reticle stage, the detection unit 600 detects the pattern formation direction formed on the reticle 200a (step 1002). The detected pattern formation direction is transmitted to the control unit 700, and the control unit 700 controls the switching unit 550 (and the polarization direction determination unit 500) based on the pattern formation direction to change the polarization direction of the exposure light to the reticle. The linearly polarized light is parallel to the pattern forming direction on 200a (step 1004). Then, the pattern on the reticle 200a is exposed on the plate 400 using linearly polarized light parallel to the pattern formation direction on the reticle 200a (step 1006). At this time, the wavefront aberration (for example, astigmatism, tilt component, etc.) of the projection optical system 300 caused by birefringence generated by using linearly polarized light parallel to the pattern formation direction on the reticle 200a is corrected. It is corrected by 800 (step 1008).
[0057]
Next, when the reticle 200a is removed from the reticle stage and the reticle 200b is installed, the detection unit 600 detects the pattern formation direction formed on the reticle 200b (step 1010). The detected pattern formation direction is transmitted to the control unit 700, and the control unit 700 controls the switching unit 550 (and the polarization direction determination unit 500) based on the pattern formation direction to change the polarization direction of the exposure light to the reticle. The linearly polarized light is parallel to the pattern formation direction on 200b (step 1012). Then, the pattern on the reticle 200b is exposed to the plate 400 on which the pattern of the reticle 200a is exposed using linearly polarized light parallel to the pattern formation direction on the reticle 200b so that a desired pattern is formed ( Step 1014). At this time, the wavefront aberration (for example, astigmatism, tilt component, etc.) of the projection optical system 300 caused by birefringence generated by using linearly polarized light parallel to the pattern formation direction on the reticle 200b is corrected. It is corrected by 800 (step 1016). A desired pattern is exposed on the plate 400 through the above steps. According to the exposure method 1000, it is possible to perform exposure with improved resolution by using linearly polarized light that is always parallel to the pattern formation direction, using the reticle 200 obtained by dividing a desired circuit pattern according to the formation direction. . In this embodiment, the plate is exposed to a desired pattern by performing exposure twice, but when there are two or more desired pattern formation directions, the number of reticles is equal to the number of pattern formation directions. It is only necessary to prepare and perform such exposure.
[0058]
Hereinafter, another exposure apparatus 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a schematic block diagram showing an exemplary form of another exposure apparatus 3 of the present invention. The exposure apparatus 3 is the same as the exposure apparatus 2, but includes an effective light source forming unit 900 instead of the σ stop 124 as shown in FIG.
[0059]
The effective light source forming unit 900 forms an effective light source according to the circuit pattern formed on the reticle 200. The effective light source forming unit 900 uses an effective light source forming unit 910 as shown in FIG. 6 when using a plurality of reticles 200a and 200b in which a desired circuit pattern is separated in each forming direction (for example, the vertical direction and the horizontal direction). In the case of using a single reticle 200 on which a desired circuit pattern is formed, effective light source forming means 920 as shown in FIG. 7 is used. In the present embodiment, the effective light source forming unit 900 is realized as an aperture. However, a prism or the like may be used as long as an effective light source described later can be formed. Here, FIG. 6 is a schematic plan view showing an example of the effective light source forming means 910. FIG. 7 is a schematic plan view showing an example of the effective light source forming unit 920.
[0060]
The effective light source forming unit 910 forms an effective light source in a direction perpendicular to the formation direction of the reticles 200a and 200b. For example, as shown in FIG. 6, the effective light source forming unit 910 has an effective light source distribution (that is, a light amount) having a dipolar light emitting portion (opening) A centered on an optical axis that has been well known conventionally. Distribution) and provide optimum exposure conditions. In the present embodiment, the effective light source forming unit 910 is rotatably arranged and can form an effective light source in an arbitrary direction. The effective light source formed by the effective light source forming unit 910 is combined with the exposure light whose polarization direction is linearly polarized parallel to the pattern formation direction on the reticle 200a or 200b by the polarization direction determining unit 500 and the switching unit 600. As a result, the resolution can be further improved. Note that the effective light source distribution formed by the effective light source forming unit 910 is not limited to a dipole shape. For example, the light emitting portion A shown in FIG. 6 is only one or a quadrupole light emitting portion centered on the optical axis. A light source that forms an effective light source distribution may be used.
[0061]
On the other hand, the effective light source shape 920 is a polarization direction of linearly polarized light determined by the polarization direction determining unit 500 and the switching unit 600 (that is, polarized light parallel to a certain formation direction of a desired pattern on the reticle 200). Direction) and in a direction perpendicular to the polarization direction of the linearly polarized light, effective light sources having different shapes are formed. For example, as shown in FIG. 7, the effective light source forming unit 920 includes quadrupole light emitting portions (openings) B1 to B4 with the optical axis as the center, and an opening that is parallel to the polarization direction. The distance d1 between B1 and B4 and the openings B2 and B3 and the distance d2 between the openings B1 and B2 and the openings B4 and B3, which are perpendicular to the polarization direction, satisfy the relationship shown in the following Equation 1.
[0062]
[Expression 1]
[0063]
Therefore, different effective light source distributions (that is, light amount distributions) are formed in the polarization direction of the linearly polarized light and the direction perpendicular to the polarization direction of the linearly polarized light, thereby providing optimum exposure conditions. That is, the effective light source formed by the effective light source forming unit 920 is combined with the exposure light that is linearly polarized light having a polarization direction parallel to the formation direction in one direction among the desired patterns on the reticle 200. Thus, a uniform resolution can be obtained by a single exposure regardless of the pattern formation direction on the reticle 200.
[0064]
Here, an exposure method 2000 using the exposure apparatus 3 will be described with reference to FIG. Here, FIG. 8 illustrates an exposure method 2000 in the case of using a plurality of reticles 200a and 200b in which a desired circuit pattern is separated in each forming direction (in this embodiment, the vertical direction and the horizontal direction are two directions). It is a flowchart for doing.
[0065]
First, when the reticle 200a is set on the reticle stage, the detection unit 600 detects the pattern formation direction formed on the reticle 200a (step 2002). The detected pattern formation direction is transmitted to the control unit 700, and the control unit 700 controls the switching unit 550 (and the polarization direction determination unit 500) based on the pattern formation direction to change the polarization direction of the exposure light to the reticle. The linearly polarized light is parallel to the pattern formation direction on 200a (step 2004). The effective light source forming unit 910 forms an effective light source in a direction perpendicular to the detected formation direction of the reticle 200a (step 2006). Then, the effective light source formed in a direction perpendicular to the pattern formation direction on the reticle 200a and the linearly polarized light parallel to the pattern formation direction on the reticle 200a are used to plate the pattern on the reticle 200a. 400 is exposed (step 2008).
[0066]
Next, when the reticle 200a is removed from the reticle stage and the reticle 200b is installed, the detection unit 600 detects the pattern formation direction formed on the reticle 200b (step 2010). The detected pattern formation direction is transmitted to the control unit 700, and the control unit 700 controls the switching unit 550 (and the polarization direction determination unit 500) based on the pattern formation direction to change the polarization direction of the exposure light to the reticle. The linearly polarized light is parallel to the pattern formation direction on 200b (step 2012). Further, the effective light source forming unit 910 is rotated to change the direction to a direction perpendicular to the formation direction of the reticle 200a in which the effective light source to be formed is detected (step 2014). Then, the effective light source formed in a direction perpendicular to the pattern forming direction on the reticle 200b and the linearly polarized light parallel to the pattern forming direction on the reticle 200b are used to plate the pattern on the reticle 200b. 400 is exposed (step 2016). A desired pattern is exposed on the plate 400 through the above steps. According to the exposure method 2000, using the reticles 200a and 200b obtained by dividing a desired circuit pattern according to the formation direction, linearly polarized exposure light that is always parallel to the pattern formation direction is used, and the effective light source formation unit 910 By forming an effective light source perpendicular to the pattern formation direction, exposure with improved resolution can be performed.
[0067]
On the other hand, with reference to FIG. 9, an exposure method 3000 when the exposure apparatus 3 uses a single reticle 200 on which a desired circuit pattern is formed will be described. Here, FIG. 9 is a flowchart for explaining an exposure method 3000 when using a single reticle 200 on which a desired circuit pattern is formed.
[0068]
First, when the reticle 200 is installed on the reticle stage, the detection unit 600 detects the pattern formation direction formed on the reticle (step 3002). The detected pattern formation direction is transmitted to the control unit 700, and the control unit 700 controls the switching unit 550 (and the polarization direction determination unit 500) to change the exposure light to any one of the pattern formation directions. (Step 3004). Further, the effective light source forming unit 920 forms effective light sources having different shapes in the polarization direction of the linearly polarized light and the direction perpendicular to the polarization direction of the linearly polarized light (step 3006). Then, the linearly polarized exposure light parallel to the rear of an arbitrary position in the pattern formation direction on the reticle 200, and the effective shape having different shapes in the linearly polarized light and the direction perpendicular to the linearly polarized light. A desired pattern on the reticle 200 is exposed on the plate 400 using a light source (step 3008). According to the exposure method 3000, uniform resolution can be obtained regardless of the pattern formation direction, and a desired pattern can be exposed at one time. In the exposure methods 2000 and 3000, as described above, it is more effective to correct the wavefront aberration (for example, astigmatism, tilt component, etc.) of the projection optical system 300 caused by birefringence by the correction means 800. Needless to say.
[0069]
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatuses 1 to 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like). Here, the manufacture of a semiconductor chip will be described as an example.
[0070]
In step 1 (circuit design), a device circuit is designed. In step 2 (mask production), a mask on which the designed circuit pattern is formed is produced. In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the mask and the wafer. Step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer created in step 4. The assembly process (dicing, bonding), packaging process (chip encapsulation), and the like are performed. Including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device created in step 5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
[0071]
FIG. 11 is a detailed flowchart of the wafer process in Step 4. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition or the like. Step 14 (ion implantation) implants ions into the wafer. In step 15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the exposure apparatuses 1 to 3 to expose a circuit pattern on the mask onto the wafer. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. According to the device manufacturing method of the present embodiment, it is possible to manufacture a higher quality device than before.
[0072]
Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist thereof. For example, the present invention can improve the resolution even in a projection optical system that does not use an optical element exhibiting birefringence.
[0073]
【The invention's effect】
According to the exposure apparatus and method of the present invention, it is possible to suppress degradation in imaging performance due to birefringence and obtain excellent resolution performance regardless of the direction of the printing pattern.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic block diagram showing an exemplary embodiment of an exposure apparatus according to one aspect of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a relationship between wavefront aberration due to polarization characteristics and imaging characteristics.
3 is a schematic block diagram that shows an exemplary form of an exposure apparatus that is a modification of the exposure apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 4 is a flowchart for explaining an exemplary exposure method of the present invention.
FIG. 5 is a schematic block diagram showing an exemplary embodiment of another exposure apparatus of the present invention.
6 is a schematic plan view showing an example of an effective light source forming unit shown in FIG.
7 is a schematic plan view showing an example of an effective light source forming unit shown in FIG.
FIG. 8 is a flowchart for explaining an exposure method in the case of using a plurality of reticles in which a desired circuit pattern is separated for each forming direction.
FIG. 9 is a flowchart for explaining an exposure method when a single reticle on which a desired circuit pattern is formed is used.
FIG. 10 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like).
FIG. 11 is a detailed flowchart of the wafer process in Step 4 shown in FIG. 10;
FIG. 12 is a diagram for explaining a crystal axis of a calcium fluoride crystal.
FIG. 13 is a graph showing the distribution of intrinsic birefringence in calcium fluoride.
FIG. 14 is a graph showing a distribution of intrinsic birefringence fast axes in calcium fluoride.
FIG. 15 is a diagram illustrating a relationship between wavefront aberration due to polarization characteristics and imaging characteristics.
[Explanation of symbols]
1 to 3 exposure apparatus
100 lighting equipment
110 Light source
112 laser
114 Beam shaping system
120 Illumination optical system
122 Optical Integrator
124 σ aperture
126 condenser lens
200, 200a, 200b reticle
300 Projection optical system
310 Optical elements
400 plates
450 plate stage
500 Polarization direction determining means
550 switching means
600 detector
700 Control unit
800 Correction means
810 First correction means
812 Measuring unit
814 Drive unit
820 Second correction means
822 Measuring unit
824 Drive unit
900, 910, 920 Effective light source forming means
Claims (9)
前記照明装置は、光源からの光を所定の偏光方向の直線偏光に変換する偏光方向決定手段と、前記投影光学系に入射する直線偏光の偏光方向を切り替える切り替え手段と、を有し、
前記投影光学系は、前記投影光学系に入射する直線偏光の偏光方向を前記切り替え手段で切り替えることによって変わる前記投影光学系の波面収差を補正する補正手段を有することを特徴とする露光装置。 An illumination apparatus for illuminating a mask, the exposure apparatus comprising a projection optical system for projecting a pattern of the mask onto the object,
The illumination device includes a polarization direction determining unit that converts light from a light source into linearly polarized light having a predetermined polarization direction, and a switching unit that switches a polarization direction of linearly polarized light incident on the projection optical system,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the projection optical system includes a correction unit that corrects a wavefront aberration of the projection optical system that is changed by switching a polarization direction of linearly polarized light incident on the projection optical system by the switching unit.
前記投影光学系に入射する直線偏光の偏光方向が、前記検出部が検出した前記パターンの形成方向に対して平行となるように前記切り替え手段を制御する制御部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。A detection unit for detecting a forming direction of the pattern;
The polarization direction of linearly polarized light entering the projection optical system, wherein Rukoto and a control unit for the detector to control said switching means so as to be flat rows for forming direction of the pattern detected an apparatus according to claim 1,.
前記切り替え手段は、前記偏光板を回転させる回転機構を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1, wherein the switching unit includes a rotation mechanism that rotates the polarizing plate.
前記切り替え手段は、ターレットを含み、The switching means includes a turret,
前記複数の偏光板は、前記ターレットの回転中心の周囲に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the plurality of polarizing plates are arranged around a rotation center of the turret. 5.
前記投影光学系に直線偏光を入射させて、その直線偏光で前記被処理体を露光する第１露光ステップと、A first exposure step of causing linearly polarized light to enter the projection optical system and exposing the object to be processed with the linearly polarized light;
前記投影光学系に偏光方向を切り替えた直線偏光を入射させて、その直線偏光で前記被処理体を露光する第２露光ステップと、を有し、A second exposure step in which linearly polarized light whose polarization direction is switched is incident on the projection optical system, and the workpiece is exposed with the linearly polarized light, and
前記第２露光ステップは、偏光方向を切り替えたことによって変わる前記投影光学系の波面収差を補正するステップを含むことを特徴とする露光方法。The second exposure step includes a step of correcting a wavefront aberration of the projection optical system that changes due to switching of the polarization direction.
その露光された被処理体を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。And exposing the workpiece in the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7,
Device manufacturing method and a step of developing the exposed object to be processed, a.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002249711A JP4095376B2 (en) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002249711A JP4095376B2 (en) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004087987A JP2004087987A (en) | 2004-03-18 |
| JP4095376B2 true JP4095376B2 (en) | 2008-06-04 |
Family
ID=32056748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002249711A Expired - Fee Related JP4095376B2 (en) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4095376B2 (en) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101532824B1 (en) | 2003-04-09 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| TWI474132B (en) | 2003-10-28 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | Optical illumination device, projection exposure device, exposure method and device manufacturing method |
| TW201809801A (en) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | Optical illuminating apparatus, exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
| TWI379344B (en) | 2004-02-06 | 2012-12-11 | Nikon Corp | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
| JP4776891B2 (en) * | 2004-04-23 | 2011-09-21 | キヤノン株式会社 | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP5159027B2 (en) * | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | Illumination optical system and exposure apparatus |
| JP2006173305A (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Canon Inc | Aligner and its method, and device manufacturing method |
| TWI453795B (en) * | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | Illumination optical device, exposure device, exposure method, and fabricating method of device |
| JP4692745B2 (en) * | 2005-02-25 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | Mask substrate, photomask, exposure method, exposure apparatus management method, and device manufacturing method |
| WO2006121009A1 (en) | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus and exposure method |
| JP4752695B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | Mask pattern correction method, mask pattern correction apparatus and program thereof |
| JP2008070730A (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Sony Corp | Mask blanks selection method, calculation method for birefringence index, lithographic method, mask blanks selecting device, birefringence index calculation device and program therefor |
| JP5267029B2 (en) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2009065175A (en) * | 2008-10-02 | 2009-03-26 | Canon Inc | Lighting optical system |
| JP5688672B2 (en) * | 2009-02-17 | 2015-03-25 | 株式会社ニコン | Optical transmission apparatus, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2002
- 2002-08-28 JP JP2002249711A patent/JP4095376B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004087987A (en) | 2004-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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