JP4083777B2 - 低アーク性端子を含む端子対 - Google Patents
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Description
従来のように裸の端子間で一旦アークが発生すると、タブから次々と金属蒸気が供給されるため、さらにアークが強くなるのに対して、端子(図では雄タブ1a)が絶縁層で被覆されていると、タブ母体からの金属蒸気が遮断される。従って、金属蒸気の供給源はタブ母体に比べて厚みの小さな導電層だけに限られ、金属蒸気の供給がすぐにストップしてアークが小さくなる。
裸の端子間で一旦アークが発生すると、アークによってタブが溶融して変形するのに対して、端子が絶縁層及び導電層で被覆されていると、アークが発生しても損傷は表面の導電層にとどめられ、絶縁層より内側のタブ母体の形状は保持されるため、良好な嵌合性能を維持できる。
好ましくは最終接触部1eから距離3mm以内の領域
さらに好ましくは最終接触部1eから5mm以内の領域
前記領域を絶縁層1cで被覆することにより、アークが絶縁層1cを超えて直接端子1に走るのを確実に防止できる。
絶縁層1c:樹脂系絶縁層(エナメル層など)
導電層1d:導電性樹脂層
[中間層を介在させる組合わせ]
絶縁層1c:黒色処理層、クロメート処理層、樹脂系絶縁層(エナメル層など)など
導電層1d:導電性金属のめっき層(電解めっき層など)
前記中間層としては、無電解めっき層(例えば、Ni、Sn、Alなどの無電解めっき層)が挙げられる。
図1〜4の雄コネクタ及び雌コネクタを形成した。ただし、絶縁層としてポリイミド層(厚み=10μm、電気抵抗=1×1016Ω以上)を、中間層(図示せず)として無電解めっきしたNi層を、導電層として電解めっきしたSn層(厚み=10μm)を形成した。
導電層、中間層及び絶縁層を形成しない以外は、実施例1と同様にした。
1c 絶縁層
1d 導電層
1e,2e 最終接触部
1f 先端部
11,13 端子先端部
12,14 端子本体部
14c ばね接触片(ばね接触部)
14d 係止爪(係止部)
15 筒体
16 セラミック粉末
2 雌端子
21 突条(電気接触部)
22a 接点用突起(電気接触部)
24 固定接触片(アーク放電用接触部)
26 ばね接触片(アーク放電用接触部)
3,4 ハウジング
Claims (2)
- 雌端子と、この雌端子と嵌合することによって当該雌端子と通電可能な雄端子とからなる端子対であって、
前記雄端子は、全体が導体で構成された端子本体部分と、この雄端子のうち前記雌端子から離脱するときに最後に離れる部位である最終接触部を含む領域の少なくとも外側部分を構成する絶縁体と、この絶縁体の表面を覆い、かつ前記端子本体部分と電気的につながる導電層とを有していて、この導電層が前記最終接触部で前記雌端子と最後に離れるように構成されている低アーク性端子であり、
前記雌端子は、前記雄端子と完全に嵌合した状態で、前記導電層が設けられていない前記端子本体部分に直接接触する電気接触部と、この電気接触部よりも先端側の位置で前記雄端子と接触し、かつ、両端子が離脱する際に前記電気接触部よりも後に前記雄端子の最終接触部で前記導電層から離れるアーク放電用接触部とを有することを特徴とする低アーク性端子を含む端子対。 - 請求項1記載の低アーク性端子を含む端子対において、前記雌端子の前端部に、前端が撓み変形可能なアーク放電用ばね接触片が形成され、このばね接触片の前端が撓み変形した状態で前記雄端子の導電層に接触するように構成されていることを特徴とする低アーク性端子を含む端子対。
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