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JP4054216B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents

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JP4054216B2
JP4054216B2 JP2002136761A JP2002136761A JP4054216B2 JP 4054216 B2 JP4054216 B2 JP 4054216B2 JP 2002136761 A JP2002136761 A JP 2002136761A JP 2002136761 A JP2002136761 A JP 2002136761A JP 4054216 B2 JP4054216 B2 JP 4054216B2
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coupling agent
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chip
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fixing resin
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NGK Spark Plug Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップを有する配線基板の製造方法に関し、特に、基板本体に設けられた収容部内にＩＣチップが内蔵された配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、配線基板の高密度化及び高性能化の要請に伴って、基板本体内にＩＣチップを内蔵した配線基板が提案されている。
例えば、図１１に簡略化した断面図を示す配線基板９０１は、その中心にコア基板（基板本体）９０５を有し、その基板主面９０５ａ側及び基板裏面９０５ｂ側には、複数の配線層９０７，９０９，９１１，９１３，９１５，９１７と絶縁層９２１，９２３，９２５，９２７，９２９，９３１からなるビルドアップ層が積層されている。そして、配線基板９０１の主面９０１ａ上及び裏面９０１ｂ上には、複数のチップコンデンサＣＣ１がそれぞれ実装されている。また、コア基板９０５には、その基板主面９０５ａと基板裏面９０５ｂとの間を貫通する貫通孔からなる収容部９４１が形成されている。そして、その中には、ＩＣチップＩＣ１が配置され、固定用樹脂９４７により固定されている。ＩＣチップＩＣ１のＩＣ端子ＩＣ１ｔは、基板裏面９０５ｂに形成された配線層９１３に接続している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような配線基板９０１では、固定用樹脂９４７は、収容部９４１に直に固着し、また、ＩＣチップＩＣ１も固定用樹脂９４７に直に固着している。
このように固定用樹脂９４７が収容部９４１に直に固着していると、例えば、配線基板９０１の製造過程においてコア基板９０５にしみ込んだ水分が、コア基板９０５を通じて固定用樹脂９４７に浸透する場合がある。そうすると、固定用樹脂９４７は加水分解などを生じてそれ自体が変質し、固定用樹脂９４７の露出面を研磨する際に、強度不足により固定用樹脂９４７の一部が剥離したり、あるいは、ビルドアップ層を形成した後、熱サイクル試験などの信頼性試験を受けた際に、固定用樹脂９４７にクラックを生じることがある。その結果、ＩＣチップＩＣ１の気密性が低下すると共に、ビルドアップ層等に悪影響を及ぼすことがある。また、固定用樹脂９４７を収容部９４１に直に固着すると、これらの間で密着不良が生じやすく、熱サイクル試験などの信頼性試験を受けた際に固定用樹脂９４７にクラックを生じることにより、上記と同様の問題が生じ得る。
また、ＩＣチップＩＣ１を固定用樹脂９４７に直に固着する場合も、これらの間で密着不良を生じやすく、熱サイクル試験などの信頼性試験を受けた際に固定用樹脂９４７にクラックを生じることにより、上記と同様の問題が生じ得る。例えば、ＩＣチップＩＣ１のＩＣ端子ＩＣ１ｔと配線層９１３との間で接続不良や断線などの不具合を招くことがある。
【０００４】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、ＩＣチップを内蔵する配線基板において、固定用樹脂にクラック等の不具合が生じるのを抑制し、また、固定用樹脂の密着性を向上させるなど、信頼性の高い配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
なお、配線基板として、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板であって、上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤により形成された被膜を有し、上記固定用樹脂が上記被膜を介して上記収容部に固着している配線基板が挙げられる。
【０００６】
この配線基板によれば、基板本体における少なくとも収容部の内面に、カップリング剤により形成された被膜を有する。そして、ＩＣチップを内蔵、固定するための固定用樹脂がこの被膜を介して収容部に固着している。
このような被膜が介在すれば、基板本体から固定用樹脂に水分が浸透しにくくなるため、固定用樹脂は変質しにくく、固定用樹脂に剥離やクラックが生じにくくなる。また、被膜を介することにより固定用樹脂と収容部との密着性が向上し、固定用樹脂にクラックが生じにくくなる。このため、ＩＣチップを収容部に気密性をもって内蔵できると共に、基板本体上に設けるビルドアップ層の形成にも支障を来さなくなる。従って、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板とすることができる。
【０００７】
なお、上記被膜は、厚さ約０．５μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。厚さを０．５μｍ以下としたのは、これよりも厚くなると、この被膜の表面にゼリー状の固まりが生じ、当該被膜による防水作用や密着性が低下するためである。さらには、上記被膜は、厚さ約０．２μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。これにより、被膜の表面にゼリー状の固まりがより生じにくくなり、より一層の密着性が得られるためである。
また、上記被膜は、収容部の内面だけでなく、基板本体の基板主面や基板裏面に形成されていてもよい。なお、収容部の内面とは、収容部が貫通孔の場合はその側面を、収容部が凹部の場合はその側面と底面を指す。
基板本体には、単層の絶縁層からなる形態の他、複数の絶縁層とその層間に配置された導体層とからなる多層基板とした形態なども含まれる。
【０００８】
さらに、上記の配線基板であって、前記カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる配線基板とすると良い。
【０００９】
この配線基板によれば、カップリング剤は、チタン系（チタネート系）カップリング剤、アルミニウム系（アルミネート系）カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる。このようなカップリング剤により形成した被膜が介在すれば、収容部と固定用樹脂との界面における水分不透過性及び両者の結合を、一層確実にすることができる。
【００１０】
チタン系カップリング剤には、γ−アミノプロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミノプロピルジメトキシメチルチタン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシチタン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシチタン、γ−グリシドキシプロピルジメトキシメチルチタンなどが含まれるが、これらに限るものではない。
また、アルミニウム系カップリング剤には、γ−アミノプロピルトリメトキシアルミニウム、γ−アミノプロピルトリエトキシアルミニウム、γ−アミノプロピルジメトキシメチルアルミニウム、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシアルミニウム、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシアルミニウム、γ−グリシドキシプロピルジメトキシメチルアルミニウムなどが含まれるが、これらに限るものではない。
さらに、シラン系カップリング剤には、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジメトキシメチルシラン、γ−メルカブトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカブトプロピルジメトキシメチルシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ一β−アミノエチル−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、γ−クロロプロピロルトリメトキシシラン、へキシルトリメトキシシランなどが含まれるが、これらに限るものではない。
【００１１】
また、配線基板の製造方法として、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板の製造方法であって、上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチップを配置する工程と、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備える配線基板の製造方法が挙げられる。
【００１２】
この製造方法によれば、基板本体における少なくとも収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、この被膜が形成された収容部内に、ＩＣチップを配置する工程と、ＩＣチップが配置された収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させる工程とを備える。
従って、配線基板の基板本体における少なくとも収容部の内面には、被膜が形成され、固定用樹脂がこの被膜を介して収容部に固着する。このため、基板本体（収容部）と固定用樹脂との間において、前述したように、水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップを収容部内に気密性をもって内蔵できると共に、基板本体上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００１３】
なお、カップリング剤には、予め加水分解処理や、更に進んで縮合反応をしておくのが望ましい。これらの処理により、上記被膜をより短時間に形成することができる。その上、固定用樹脂との密着力を一層向上させることができ、また、上記被膜が高分子量化あるいは３次元化するため、密着力の向上効果が長時間にわたって得られる。
また、カップリング剤を分散させるための分散媒には、一般に、水、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類を単独または混合して用いる。また、カップリング剤は、そのカップリング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましくは１〜５wt％の濃度とすることが良い。
【００１４】
さらに、上記の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法の製造方法とすると良い。
【００１５】
この製造方法によれば、前記のカップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、基板本体（収容部）と固定用樹脂との界面における両者の結合を一層強固に成さしめ、かつ、水分不透過性を確実に与えることが可能となる。
なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤については、前述した通りである。
【００１６】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００１７】
本発明によれば、カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、水分が基板本体から固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂の変質や、それに起因する固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
なお、有機官能基に親水性を与える親水基には、例えば、ヒドロキシル基、エポキシ基、カルボキシル基、無水カルボン酸、アミノ基、スルホン基が挙げられる。このような親水基を含む有機官能基を有するカップリング剤が上記のように５wt％を越えると、水分が基板本体から固定用樹脂へ浸透する可能性があるため、かかる範囲を除外したものである。
【００１８】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００１９】
本発明によれば、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、水分が基板本体から固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂の変質や、それに起因する固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
なお、疎水性の有機官能基としては、例えば、上述の親水基を含まないアルキル基、ハロゲン化アルキル基などが挙げられる。このような疎水性の有機官能基を有するカップリング剤が上記のように２０wt％未満になると、やはり水分が基板本体から固定用樹脂へ浸透可能となり始めるため、かかる範囲を除外したものである。
【００２０】
また、配線基板として、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板であって、上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤により形成された被膜を有し、上記ＩＣチップが上記被膜を介して上記固定用樹脂に固着している配線基板が挙げられる。
【００２１】
この配線基板によれば、ＩＣチップの表面に、カップリング剤により形成された被膜を有する。そして、ＩＣチップがこの被膜を介して固定用樹脂に固着している。
このような被膜が介在すれば、ＩＣチップと固定用樹脂とは、ＩＣチップの表面の被膜と固定用樹脂とのカップリング作用により、無機物であるＩＣチップの表面とこれを埋設する有機物である固定用樹脂との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップを気密性を確保できると共に、ＩＣチップと配線層との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板とすることができる。
【００２２】
なお、上記被膜は、厚さ約０．５μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。厚さを０．５μｍ以下としたのは、これよりも厚くなると、この被膜の表面にゼリー状の固まりが生じ、当該被膜による密着性などが低下するためである。さらには、上記被膜は、厚さ約０．２μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望ましい。これにより、被膜の表面にゼリー状の固まりが生じにくくなり、より一層の密着性が得られるためである。
また、基板本体には、前述したように、単層の絶縁層からなるものの他、多層基板とした形態も含まれる。
【００２３】
さらに、上記の配線基板であって、前記カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる配線基板とすると良い。
【００２４】
この配線基板によれば、カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなる。このようなカップリング剤により形成した被膜が介在すれば、ＩＣチップと固定用樹脂が一層確実に密着する。
なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤については、前述した通りである。
【００２５】
また、配線基板の製造方法としては、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板の製造方法であって、上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、上記被膜が形成された上記ＩＣチップを、上記基板本体の収容部内に配置する工程と、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備える配線基板の製造方法が挙げられる。
【００２６】
この製造方法によれば、ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、この被膜が形成されたＩＣチップを、基板本体の収容部内に配置する工程と、ＩＣチップが配置された収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させる工程とを備える。
従って、固定用樹脂で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップの表面とこれを埋設する固定用樹脂との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップと内部の配線層との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
【００２７】
なお、カップリング剤には、前述したように、予め加水分解処理や、更に進んで縮合反応をしておくのが望ましい。
また、カップリング剤は、前述したように、分散媒により希釈して使用するのが好ましい。
【００２８】
さらに、上記の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００２９】
この製造方法によれば、前記のカップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、前記カップリング作用を一層確実に生じさせ、ＩＣチップと固定用樹脂を一層確実に密着させることができる。
なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤については、前述した通りである。
【００３０】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００３１】
本発明によれば、前記のカップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、被膜にはポリイミドのような吸湿性の成分が少ないため、被膜を介して水分が固定用樹脂に一層浸透しにくくなる。このため、かかる固定用樹脂自体が加水分解してカルボン酸などに変質したり、これに起因する固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。しかも、被膜の吸水性が低い（防水性が高い）ため、ＩＣチップのＩＣ端子の溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子間における短絡を防ぐこともできる。
なお、親水基については、前述した通りである。
【００３２】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製造方法とすると良い。
【００３３】
本発明によれば、前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる。このようなカップリング剤を使用すれば、被膜を介して水分が固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂の変質や、これによる固定用樹脂の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。その上、ＩＣチップのＩＣ端子の溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子間における短絡を防ぐこともできる。
なお、疎水性の有機官能基については、前述した通りである。
【００３４】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態１の配線基板１０１の簡略化した断面図を図１に示す。この配線基板１０１は、コア基板（基板本体）１０５と、その基板主面１０５ａ側及び基板裏面１０５ｂ側に形成された配線層１０７，１０９，１１１，１１３，１１５，１１７及び絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１からなるビルドアップ層とを有する多層配線基板である。
【００３５】
コア基板１０５は、平面視略矩形（平面視略正方形）で厚さ約０．８ｍｍのビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂からなり、その中央部をパンチングすることにより、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通し平面視略矩形（平面視略正方形）で一辺が約１２ｍｍの貫通孔からなる収容部１４１が穿孔されている。
この収容部１４１の内面１４１ｓ（４つの側面）には、厚さ約０．１μｍのカップリング剤により形成された被膜１４２が被覆されている。このカップリング剤には、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるものが用いられる。また、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤が用いられる。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとへキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％で、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。このようなカップリング剤により形成された被膜１４２があると、収容部１４１と後述する固定用樹脂１４７との密着性が高められ、かつ、収容部１４１と固定用樹脂１４７との間の防水性も高められる。
【００３６】
被膜１４２が被覆された収容部１４１には、ＩＣチップＩＣ２が内蔵され、シリカフィラーなどの無機フィラーを含むエポキシ系の樹脂エポキシ樹脂等からなる固定用樹脂１４７により固定されている。即ち、固定用樹脂１４７は、収容部１４１の内面１４１ｓの被膜１４２を介して収容部１４１に固着している。
ＩＣチップＩＣ２は、ＩＣ端子ＩＣ２ｔが配置された端子面ＩＣ２ｍを基板裏面１０５ｂ側に向けてコア基板１０５内に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、厚さ約０．１μｍのカップリング剤により形成された被膜１４６が被覆されている。従って、ＩＣチップＩＣ２は、この被膜１４６を介して固定用樹脂１４７に固着している。このカップリング剤も、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるものが用いられる。また、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤が用いられる。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、上記と同様に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとへキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％で、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。このようなカップリング剤により形成された被膜１４６があると、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との密着性が高められ、かつ、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間の防水性も高められる。
【００３７】
また、収容部１４１の周囲には、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通するスルーホール１４３が多数形成され、各スルーホール１４３には、Ｃｕメッキからなるスルーホール導体１４４及びエポキシ樹脂等からなる充填用樹脂１４５が形成されている。なお、この充填樹脂１４５に替えて、多量の金属粉末を含んだ導電性樹脂や、微量の金属粉末を含んだ非導電性樹脂などを用いてもよい。
【００３８】
コア基板１０５の基板主面１０５ａ上には、Ｃｕメッキからなり、スルーホール導体１４４と接続する配線層１０７と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２１とが形成されている。この絶縁層１２１の所定の位置には、配線層１０７に接続するフィルドビア導体１５１が多数形成されている。同様にして、絶縁層１２１上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５１と接続する配線層１０９と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２３とが形成されている。この絶縁層１２３の所定の位置にも、配線層１０９に接続するフィルドビア導体１５３が多数形成されている。さらに、絶縁層１２３上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５３と接続する配線層１１１と、エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層（絶縁層）１２５とが形成されている。そして、この配線層１１１上には、ソルダーレジスト層１２５を貫通し配線基板１０１の主面１０１ａよりも高く突出するハンダバンプ（図示しない）が複数形成されている。これらのハンダバンプは、追って主面１０１ａ上に搭載されるチップコンデンサ（電子部品）（図示しない）の端子と個別に接続される。
【００３９】
一方、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂ上にも、Ｃｕメッキからなり、スルーホール導体１４４やＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔと接続する配線層１１３と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２７とが形成されている。この絶縁層１２７の所定の位置には、配線層１１３に接続するフィルドビア導体１５７が多数形成されている。同様にして、絶縁層１２７上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５７と接続する配線層１１５と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２９とが形成されている。この絶縁層１２９の所定の位置にも、配線層１１５に接続するフィルドビア導体１５９が多数形成されている。さらに、絶縁層１２９上には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５９と接続する配線層１１７と、エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層（絶縁層）１３１とが形成されている。そして、この配線層１１７上には、ソルダーレジスト層１３１を貫通し配線基板１０１の裏面１０１ｂよりも高く突出するハンダバンプ１６１が複数形成されている。これらのハンダバンプ１６１は、追って裏面１０１ｂ上に搭載されるチップコンデンサ（電子部品）ＣＣの端子と個別に接続される。また、この配線層１１７上には、ハンダにより複数のピン（図示しない）が立設されている。これらのピンは、この配線基板１０１自体を搭載するプリント基板などのマザーボード（図示しない）との接続端子になる。
【００４０】
尚、上述した配線層１０７，１０９，１１１，１１３，１１５，１１７、絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５１，１５３，１５７，１５９は、公知のビルドアップ技術(セミアディテイブ法、フルアディテイブ法、サブトラクティブ法、フォトリソグラフイ技術、レーザ加工によるビアホールの穿孔等)により形成される。
【００４１】
このような配線基板１０１は、収容部１４１の内面１４１ｓにカップリング剤により形成された被膜１４２により、収容部１４１と固定用樹脂１４７との間において、水分不透過性及び高い密着性が得られる。特に、カップリング剤に、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、さらに、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるものが用いられるので、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、スルーホール導体１４４や配線層１０７，１１３等を形成する際におけるＣｕメッキ時のメッキ液中の水分や、収容部１４１の内面１４１ｓのデスミア処理（例えば、過マンガン酸カリウム溶液による）時の処理液中の水分がコア基板１０５に浸透しても、この水分は、被膜１４２が介在することにより、固定用樹脂１４７には浸透しない。
【００４２】
この結果、固定用樹脂１４７の変質を防止し、ＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板１０５上に設けるビルドアップ層を支障を来すことなく確実かつ強固に形成できる。このため、配線基板１０１を高温高湿度環境下に置く不飽和型超加速寿命試験（温度１３１℃、相対湿度８５％、気圧２１３ｋＰａ＝２．１ａｔｍ、印加電圧１．８Ｖの高温高湿度高気圧中での負荷試験、試験時間：１００時間、以下ＨＡＳＴテストと称する）を行っても、固定用樹脂１４７中のクラックや絶縁層間に隙間ができるデラミネーションの発生を確実に防止できる。従って、この配線基板１０１は、ＨＡＳＴテストを受けても信頼性が高く、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えられる。
【００４３】
また、この配線基板１０１は、ＩＣチップＩＣ２の表面にカップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得られる。特に、カップリング剤に、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、さらに、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるものが用いられるので、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔと配線層１１３との接続部分が断線しにくく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
【００４４】
次いで、上記配線基板１０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、図２に示すように、基板主面１０５ａ及び基板裏面１０５ｂを有する厚さ０．８ｍｍのＢＴ樹脂からなるコア基板１０５を用意し、これにパンチングを施す。その結果、図３に示すように、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通し平面視略矩形状（平面視略正方形状）で一辺が約１２ｍｍの貫通孔からなる収容部１４１が穿孔される。
【００４５】
次に、図４に示すように、収容部１４１の内面１４１ｓ（４つの側面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４２を形成する。具体的には、カップリング剤をエタノールに溶解したカップリング処理液中に、収容部１４１が形成されたコア基板１０５を浸漬し、浸漬後に１００℃で約１時間にわたり加熱して乾燥することにより溶媒を除去する。その後、エタノールによって洗浄し、所望の厚みの被膜を得る。さらに、１２０℃で約１時間にわたり加熱することにより、カップリング剤を硬化させる。
なお、図４中に二点鎖線で示すように、コア基板１０５の基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂにも同時にカップリング剤による被膜を形成しても良い。
【００４６】
ここで、カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、親水性の有機官能基を有するカップリング剤が５wt％以下で、かつ、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤が２０wt％以上になるように予め設定されている。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、γ一グリシドキシプロピルトリメトキシシランとヘキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％となり、疎水基の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。
なお、カップリング剤を分散させるための分散媒には、例えば、水、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類を単独または混合して用いる。また、カップリング剤は、カップリング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましくは１〜５wt％の濃度とすることがよい。
【００４７】
次に、図５に示すように、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂ側に、コア基板１０５を含むパネル(多数個取りの基板)における多数のコア基板１０５に跨って、テープＴを貼り付ける。このテープＴの粘着面は、収容部１４１側に向いている。その後、収容部１４１内にＩＣチップＩＣ２を図示しないチップマウンタにより挿入し、かつ、ＩＣチップＩＣ２の端子面ＩＣ２ｍ側を上記テープＴの粘着面に接着させる。
【００４８】
配置するＩＣチップＩＣ２の表面には、予めカップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成しておく。具体的には、上述したように、カップリング剤をエタノールに溶解したカップリング処理液中に、ＩＣチップＩＣ２を浸漬し、浸漬後に１００℃で約１時間にわたり加熱して乾燥することにより溶媒を除去する。その後、エタノールによって洗浄し、所望の厚みの被膜を得る。さらに、１２０℃で約１時間にわたり加熱することにより、カップリング剤を硬化させる。
【００４９】
カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、親水性の有機官能基を有するカップリング剤が５wt％以下で、かつ、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤が２０wt％以上になるように予め設定されている。シラン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、上記と同様に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとヘキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％となり、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。
なお、カップリング剤を分散させための分散媒についても、上記と同様に、例えば、水やアルコール類を単独または混合して用いる。また、カップリング剤は、カップリング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましくは１〜５wt％の濃度とすることがよい。
【００５０】
次に、図６に示すように、基板主面１０５ａ側から収容部１４１内に、液状エポキシ樹脂からなる固定用樹脂１４７を図示しないディスペンサを用いて充填する。この固定用樹脂１４７には、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂が用いられ、必要に応じてシリカフィラーなどの無機フィラーや液状硬化剤が添加される。固定用樹脂１４７を収容部１４１内に充填した後、このコア基板１０５を１１０〜１８０℃に加熱することにより、エポキシ樹脂は硬化した樹脂となる。
かかる固定用樹脂１４７は、カップリング剤により形成された被膜１４２を介して、コア基板１０５（収容部１４１）に強固に固着する。しかも、この被膜１４２により、固定用樹脂１４７とコア基板１０５との間で水分不透過性を付与される。また、ＩＣチップＩＣ２は、カップリング剤により形成された被膜１４６を介して、固定用樹脂１４７に強固に固着する。しかも、この被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間で水分不透過性を付与される。
【００５１】
その後、固定用樹脂１４７の盛り上がった露出面に対し、ベルトサンダによる研磨及びラップ研磨による仕上げ研磨を施して平坦に整面する。この結果、図７に示すように、基板主面１０５ａ側が平坦面となる。この際、カップリング剤により形成された被膜１４２によってコア基板１０５に含まれる水分が固定用樹脂１４７に入り込むことはなく、かかる固定用樹脂１４７は変質していないため、研磨圧力を受けても固定用樹脂１４７の一部が剥離することは殆ど生じない。なお、上記テープＴを剥離し、基板裏面１０５ｂ側の固定用樹脂１４７の露出面についても、同様に、研磨して整面し平坦面としておくのが好ましい。
【００５２】
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、コア基板１０５にスルーホール導体１４４を形成すると共に、基板主面１０５ａ及び基板裏面１０５ｂに配線層１０７，１１３を形成する。そしてさらに、絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１、配線層１０９，１１１，１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５１，１５３，１５７，１５９を公知のビルドアップ技術により形成する。
これにより、上述した配線基板１０１を得ることができる。
【００５３】
以上のような製造方法によれば、コア基板１０５の収容部１４１の内面１４１ｓには、被膜１４２が形成され、固定用樹脂１４７がこの被膜１４２を介して収容部１４１に固着する。このため、コア基板１０５（収容部１４１）と固定用樹脂１４７との間において、水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板１０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００５４】
特に、カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いるので、コア基板１０５（収容部１４１）と固定用樹脂１４７との界面における両者の結合を一層強固に成さしめ、かつ、水分不透過性を確実に与えることが可能となる。
また、カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いるので、水分がコア基板１０５から固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、それに起因する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
また、カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いるので、水分がコア基板１０５から固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、それに起因する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。
【００５５】
また、上記の製造方法によれば、固定用樹脂１４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂１４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２と内部の配線層１１３との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
【００５６】
さらに、カップリング剤として、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用いるので、カップリング作用を一層確実に生じさせ、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７を一層確実に密着させることができる。
また、カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いるので、被膜１４６にはポリイミドのような吸湿性の成分が少ないため、水分が固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなる。このため、かかる樹脂自体が加水分解してカルボン酸などに変質したり、これに起因する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。しかも、被膜１４６の吸水性が低い（防水性が高い）ため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間における短絡を防ぐこともできる。
また、カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いるので、水分が固定用樹脂１４７に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、これによる固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防することができる。その上、ＩＣチップＩＣのＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間における短絡を防ぐこともできる。
【００５７】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２の配線基板２０１の簡略化した縦断面図を図８に示す。この配線基板２０１のコア基板（基板本体）２０５には、その基板裏面２０５ｂ側に開口し平面視略矩形状（平面視略正方形状）で一辺が約１２ｍｍの凹部からなる収容部２４１が、ルータ加工により形成されている。かかる収容部２４１の内面２４１ｓ（各側面及び底面）には、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜２４２が形成されている。
【００５８】
そして、収容部２４１内には、前記同様のＩＣチップＩＣ２が端子面ＩＣ２ｍを基板裏面２０５ｂ側に向けて配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂２４７中に埋設されることにより、コア基板２０５に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６が形成されている。収容部２４１の周囲には、前記と同様、スルーホール１４３にスルーホール導体１４４及び充填用樹脂１４５が形成されている。
【００５９】
コア基板２０５の基板主面２０５ａ上には、前記と同様に、配線層１０７，１０９，１１１、絶縁層１２１，１２３，１２５、及び、フィルドビア導体１５１，１５３などが形成されている。また、コア基板２０５の基板裏面２０５ｂ上にも、前記と同様に、配線層１１３，１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５７，１５９などが形成されている。
【００６０】
このような配線基板２０１も、カップリング剤により形成された被膜２４２により、コア基板２０５と収容部２４１に充填された固定用樹脂２４７との間において、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、配線基板２０１の製造時に水分がコア基板２０５に浸透しても、この被膜２４２により収容部２４１内の固定用樹脂２４７には浸透しない。
その結果、ＩＣチップＩＣ２を収容部２４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板２０５の基板主面２０５ａや基板裏面２０５ｂにビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成される。このため、配線基板２０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹脂２４７などのクラックや絶縁層間のデラミネーションが生じにくくなり、信頼性の高い配線基板とすることができる。従って、この配線基板２０１は、信頼性が高いと共に、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えることが可能となる。
【００６１】
また、カップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間においても、高い密着性及び高い水分不透過性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔと配線層１１３との接続部分が断線しにく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
その他、上記実施形態１と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００６２】
次いで、上記配線基板２０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、コア基板２０５を用意し、ルータ加工により基板裏面２０５ｂ側に開口する凹部からなる収容部２４１を形成する。
次に、前記と同様にして、収容部２４１の内面２４１ｓ（４つの側面と底面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜２４２を形成する。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２の表面に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成する。
【００６３】
次に、収容部２４１内にＩＣチップＩＣ２を配置して、前記と同様の固定用樹脂２４７を充填し固化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂２４７の露出面を平坦に整面する。
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、スルーホール導体１４４及び配線層１０７，１１３を形成し、さらに、絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１、配線層１０９，１１１，１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５１，１５３，１５７，１５９を形成する。
これにより、上述した配線基板２０１を得ることができる。
【００６４】
このような製造方法においても、前記と同様に、コア基板２０５の収容部２４１の内面２４１ｓには、被膜２４２が形成され、固定用樹脂２４７がこの被膜２４２を介して収容部２４１に固着する。このため、収容部２４１と固定用樹脂２４７との間において、高い水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部２４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板２０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００６５】
また、上記の製造方法によれば、前記と同様に、固定用樹脂２４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂２４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２と内部の配線層１１３との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
その他、上記実施形態１と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００６６】
（実施形態３）
次いで、第３の実施の形態について説明する。なお、上記各実施形態１，２のいずれかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３の配線基板３０１の簡略化した縦断面図を図９に示す。この配線基板３０１のコア基板（基板本体）３０５には、その基板主面３０５ａ側に開口し平面視略矩形状（平面視略正方形状）で一辺が約１２ｍｍの凹部からなる収容部３４１が、ルータ加工により形成されている。かかる収容部３４１の内面３１ｓ（各側面及び底面）には、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤から形成された被膜３４２が被覆されている。
【００６７】
そして、この収容部３４１内には、前記同様のＩＣチップＩＣ２が端子面ＩＣ２ｍを基板裏面３０５ｂ側に向けて配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂３４７中に埋設されることにより、コア基板３０５に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６が形成されている。
【００６８】
また、コア基板３０５のうち、収容部３４１の底部には、収容部３４１の底面３４１ｔと基板裏面３０５ｂとの間を貫通するスルーホール３４３が多数形成され、各スルーホール３４３には、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとそれぞれ接続するスルーホール導体３４４が形成され、さらにその内部には、充填用樹脂３４５が形成されている。
また、この配線基板３０１は、コア基板３０５の基板主面３０５ａ上にはビルドアップ層が形成されていない。一方、コア基板３０５の基板裏面３０５ｂ上には、前記と同様に、配線層１１３，１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５７，１５９などのビルドアップ層が形成されている。
【００６９】
このような配線基板３０１も、カップリング剤により形成された被膜３４２により、コア基板３０５と収容部３４１に充填された固定用樹脂３４７との間において、高い水分不透過性及び高い密着性が得られる。このため、配線基板３０１の製造時に水分がコア基板３０５に浸透しても、この被膜３４２により収容部３４１内の固定用樹脂３４７には浸透しない。
その結果、ＩＣチップＩＣ２を収容部３４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板３０５の基板裏面３０５ｂにビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成される。このため、配線基板３０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹脂３４７のクラックや絶縁層間のデラミネーションが生じにくくなり、信頼性の高い配線基板とすることができる。従って、この配線基板３０１は、信頼性が高いと共に、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えることが可能となる。
【００７０】
さらに、カップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂３４７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとスルーホール導体３４４との接続部分が断線しにく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００７１】
次いで、上記配線基板３０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、コア基板３０５を用意し、ルータ加工により基板主面３０５ａ側に開口する凹部からなる収容部３４１を形成する。その後、収容部３４１の底部に公知の手法によりスルーホール導体３４４等を形成する。
次に、前記と同様にして、収容部３４１の内面３４１ｓ（４つの側面と底面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜３４２を形成する。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２の表面にも、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成する。
【００７２】
次に、収容部３４１内にＩＣチップＩＣ２を配置して、前記と同様の固定用樹脂３４７を充填し固化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂３４７の露出面を平坦に整面する。
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、絶縁層１２７，１２９，１３１、配線層１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５７，１５９を形成する。
これにより、上述した配線基板３０１を得ることができる。
【００７３】
このような製造方法においても、前記と同様に、コア基板３０５の収容部３４１の内面３４１ｓには、被膜３４２が形成され、固定用樹脂３４７がこの被膜３４２を介して収容部３４１に固着する。このため、収容部３４１と固定用樹脂３４７との間において、高い水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部３４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板３０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００７４】
また、上記の製造方法によれば、前記と同様に、固定用樹脂３４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂３４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２とスルーホール導体３４４との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００７５】
（実施形態４）
次いで、第４の実施形態について説明する。なお、上記各実施形態１〜３のいずれかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態４の配線基板４０１の簡略化した縦断面図を図１０に示す。この配線基板４０１のコア基板（基板本体）４０５は、前記同様の材質からなり厚みが約２５０μｍで比較的薄肉の第１絶縁基板４０５ｅと、厚みが約５００μｍで比較的厚肉の第２絶縁基板４０５ｆとが積層された多層基板である。
【００７６】
コア基板４０５の第２絶縁基板４０５ｆには、基板主面４０５ａ側に開口する前記同様の凹部からなる収容部４４１が穿設されている。この収容部４４１は、第２絶縁基板４０５ｆに予め穿孔した同じ寸法の貫通孔を活用することによって形成したり、第１絶縁基板４０５ｅと接着した後でルータ加工または切り欠き加工により形成することができる。かかる収容部４４１の内面４４１ｓ（各側面及び底面）にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜４４２が形成されている。
【００７７】
収容部４４１内には、前記同様のＩＣチップＩＣ２が配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂４４７中に埋設されることにより、コア基板４０５に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６が形成されている。
コア基板４０５のうち、収容部４４１の底部には、収容部４４１の底面４４１ｔと基板裏面４０５ｂとの間を貫通する（第１絶縁基板４０５ｅを貫通する）スルーホール３４３が多数形成され、各スルーホール３４３には、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとそれぞれ接続するスルーホール導体３４４が形成され、さらにその内部には、充填用樹脂３４５が形成されている。
【００７８】
また、この配線基板４０１は、コア基板４０５の基板主面４０５ａ上にはビルドアップ層が形成されていない。一方、コア基板４０５の基板裏面４０５ｂ上には、前記と同様に、配線層１１３，１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア導体１５７，１５９などのビルドアップ層が形成されている。
【００７９】
このような配線基板４０１においても、カップリング剤により形成された被膜４４２により、コア基板４０５と収容部４４１に充填された固定用樹脂４４７との間において、高い水分不透過性及び密着性が得られる。このため、水分などがコア基板４０５に浸透しても、この被膜４４２により収容部４４１内の固定用樹脂４４７には浸透しない。
その結果、ＩＣチップＩＣ２を収容部４４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板４０５の基板裏面４０５ｂにビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成される。このため、配線基板４０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹脂４４７のクラックや絶縁層間のデラミネーションが生じにくくなり、信頼性の高い配線基板とすることができる。従って、この配線基板４０１は、信頼性が高いと共に、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えることが可能となる。
【００８０】
さらに、カップリング剤により形成された被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂４４７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとスルーホール導体３４４との接続部分が断線しにく、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止することもできる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００８１】
次いで、上記配線基板４０１の製造方法における主要な工程について説明する。
まず、第１絶縁基板４０５ｅと第２絶縁基板４０５ｆを用意し、第２絶縁基板４０５ｆに収容部４４１に相当する貫通孔を形成する。そして、第１絶縁基板４０５ｅと第２絶縁基板４０５ｆを張り合わせてコア基板４０５とする。その後、収容部４４１の底部に公知の手法によりスルーホール導体３４４等を形成する。
次に、前記と同様にして、収容部４４１の内面４４１ｓ（４つの側面と底面）に、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜４４２を形成する。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２の表面にも、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成する。
【００８２】
次に、収容部４４１内にＩＣチップＩＣ２を配置して、前記と同様の固定用樹脂４４７を充填し固化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂４４７の露出面を平坦に整面する。
この後は、公知のフォトリソグラフィー技術等を利用して、絶縁層１２７，１２９，１３１、配線層１１５，１１７、及び、フィルドビア導体１５７，１５９を形成する。
これにより、上述した配線基板４０１を得ることができる。
【００８３】
このような製造方法においても、前記と同様に、コア基板４０５の収容部４４１の内面４４１ｓには、被膜４４２が形成され、固定用樹脂４４７がこの被膜４４２を介して収容部４４１に固着する。このため、収容部４４１と固定用樹脂４４７との間において、高い水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従って、ＩＣチップＩＣ２を収容部４４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コア基板４０５上にビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板を提供することが可能となる。
【００８４】
また、上記の製造方法によれば、前記と同様に、固定用樹脂４４７で固着した際、カップリング作用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂４４７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２とスルーホール導体３４４との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供することができる。
その他、上記実施形態１等と同様な部分は、同様な効果を奏する。
【００８５】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、実施形態１では、コア基板１０５のうち、基板主面１０５ａに絶縁層１２１，１２３，１２５を積層し、基板裏面１０５ｂに絶縁層１２７，１２９，１３１を積層した両面積層タイプの配線基板１０１について、ＩＣチップＩＣ２を内蔵させた例を示した。しかし、絶縁層をコア基板の片面にのみ積層した配線基板、例えば、絶縁層１２１等を形成することなく、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂにのみ絶縁層１２７，１２９，１３１を積層する片面積層タイプの配線基板に、ＩＣチップＩＣ２内蔵させても良い。
【００８６】
また、上記各実施形態では、電子部品としてチップコンデンサＣＣを搭載するものを示したが、実装する電子部品には、インダクタ、抵抗、フィルタ等の受動部品や、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)等の能動部品も含まれ、あるいはＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイブレクサなどが含まれる。しかも、互いに異種の電子部品同士を搭載することも可能である。
【００８７】
また、コア基板などの材質は、前記ＢＴ樹脂やガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、同様の耐熱性、機械強度、加工容易性などを有するガラス織布や、グラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維樹脂系の材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目横造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた複合材料などを用いることも可能である。
【００８８】
また、絶縁層の材質は、エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフツ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた複合材料などを用いることもできる。なお、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラーの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
【００８９】
また、前記配線層などの材質は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕなどにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ膜を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
また、前記ビア導体などは、ビアホール内を埋め尽くす形態のフィルドビアに限らず、ビアホールの断面形状に放った円錐形状の形態としても良い。また、ビア導体同士の接続は、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態１に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図２】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、コア基板を示す説明図である。
【図３】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、コア基板に収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図４】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、収容部の内面に被膜を形成した様子を示す説明図である。
【図５】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、収容部内にＩＣチップを配置した様子を示す説明図である。
【図６】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、収容部内に固定用樹脂を充填し硬化させた様子を示す説明図である。
【図７】 実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、固定用樹脂の露出面等を平坦化した様子を示す説明図である。
【図８】 実施形態２に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図９】 実施形態３に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図１０】 実施形態４に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図１１】 従来技術に係る配線基板の簡略化した縦断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１，４０１ 配線基板
１０５，２０５，３０５，４０５ コア基板（基板本体）
１０５ａ，２０５ａ，３０５ａ，４０５ａ 基板主面
１０５ｂ，２０５ｂ，３０５ｂ，４０５ｂ 基板裏面
１４１，２４１，３４１，４４１ 収容部
１４１ｓ，２４１ｓ，３４１ｓ，４４１ｓ （収容部の）内面
１４２，２４２，３４２，４４２ （収容部の内面に被覆された）被膜
１４６ （ＩＣチップの表面に被覆された）被膜
１４７，２４７，３４７，４４７ 固定用樹脂
ＩＣ２ ＩＣチップ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board having an IC chip, and more particularly to a method of manufacturing a wiring board in which an IC chip is incorporated in a housing portion provided in a substrate body.
[0002]
[Prior art]
  2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher density and higher performance of a wiring board, a wiring board having an IC chip built in the board body has been proposed.
  For example, a wiring substrate 901 having a simplified cross-sectional view shown in FIG. 11 has a core substrate (substrate body) 905 at the center, and a plurality of wiring layers 907 are provided on the substrate main surface 905a side and the substrate back surface 905b side. , 909, 911, 913, 915, 917 and build-up layers made of insulating layers 921, 923, 925, 927, 929, 931 are laminated. A plurality of chip capacitors CC1 are mounted on the main surface 901a and the back surface 901b of the wiring board 901, respectively. In addition, the core substrate 905 is formed with an accommodating portion 941 including a through hole that passes between the substrate main surface 905a and the substrate back surface 905b. And in that, IC chip IC1 is arrange | positioned and it is fixed with the resin 947 for fixing. The IC terminal IC1t of the IC chip IC1 is connected to a wiring layer 913 formed on the substrate back surface 905b.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
  However, in such a wiring substrate 901, the fixing resin 947 is directly fixed to the housing portion 941, and the IC chip IC1 is also directly fixed to the fixing resin 947.
  When the fixing resin 947 is directly fixed to the housing portion 941 in this way, for example, moisture that has soaked into the core substrate 905 during the manufacturing process of the wiring substrate 901 penetrates the fixing resin 947 through the core substrate 905. There is. As a result, the fixing resin 947 is hydrolyzed and deteriorates itself, and when the exposed surface of the fixing resin 947 is polished, a part of the fixing resin 947 is peeled off due to insufficient strength, or a build is performed. After forming the up layer, cracks may occur in the fixing resin 947 when subjected to a reliability test such as a thermal cycle test. As a result, the airtightness of the IC chip IC1 is lowered and the buildup layer and the like may be adversely affected. Further, when the fixing resin 947 is directly fixed to the housing portion 941, adhesion failure is likely to occur between them, and when the reliability resin 947 is subjected to a reliability test, a crack is generated in the fixing resin 947. Problems similar to the above may occur.
  Further, even when the IC chip IC1 is directly fixed to the fixing resin 947, adhesion failure is likely to occur between them, and cracks are generated in the fixing resin 947 when subjected to a reliability test such as a thermal cycle test. Therefore, the same problem as described above may occur. For example, problems such as poor connection or disconnection may occur between the IC terminal IC1t of the IC chip IC1 and the wiring layer 913.
[0004]
  The present invention has been made in view of the present situation, and in a wiring board incorporating an IC chip, it is possible to suppress the occurrence of defects such as cracks in the fixing resin, and to improve the adhesion of the fixing resin. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a highly reliable wiring board.
[0005]
[Means, actions and effects for solving the problems]
  As a wiring board,A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface, a housing portion including a through-hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface, or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface, and in the housing portion A wiring board comprising a built-in IC chip and a fixing resin for fixing the IC chip in the housing part, and a coating formed by a coupling agent on at least an inner surface of the housing part in the substrate body And the fixing resin is fixed to the housing portion through the coating film.Is mentioned.
[0006]
  According to this wiring boardA coating formed by a coupling agent is provided on at least the inner surface of the housing portion of the substrate body. Then, a fixing resin for incorporating and fixing the IC chip is fixed to the accommodating portion through this film.
  If such a coating is present, moisture does not easily penetrate from the substrate body into the fixing resin, so that the fixing resin is unlikely to change in quality, and peeling and cracking are less likely to occur in the fixing resin. Further, the adhesiveness between the fixing resin and the accommodating portion is improved by interposing the coating, and cracks are hardly generated in the fixing resin. For this reason, the IC chip can be incorporated in the accommodating portion with airtightness, and the formation of the build-up layer provided on the substrate body is not hindered. Therefore, it is possible to provide a wiring board that has high reliability even when subjected to a thermal cycle test or the like and can sufficiently meet the demand for higher performance.
[0007]
  In addition, it is desirable that the coating film has a thickness of about 0.5 μm or less (however, 0 is not included). The reason why the thickness is set to 0.5 μm or less is that when the thickness is larger than this, a jelly-like lump is formed on the surface of the coating, and the waterproof action and adhesion due to the coating are reduced. Furthermore, it is desirable that the film has a thickness of about 0.2 μm or less (however, 0 is not included). This is because a jelly-like lump is less likely to be generated on the surface of the coating, and further adhesion can be obtained.
  Moreover, the said film may be formed not only on the inner surface of the accommodating part but also on the substrate main surface and the substrate back surface of the substrate body. The inner surface of the housing portion refers to the side surface when the housing portion is a through hole, and the side surface and the bottom surface when the housing portion is a recess.
  The substrate body includes not only a single layer insulating layer but also a multilayer substrate including a plurality of insulating layers and a conductor layer disposed between the insulating layers.
[0008]
  Further, in the above wiring board, the coupling agent may be a wiring board made of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent.
[0009]
  According to this wiring boardThe coupling agent comprises at least one of a titanium (titanate) coupling agent, an aluminum (aluminate) coupling agent, and a silane coupling agent. If a film formed of such a coupling agent is present, moisture impermeability at the interface between the housing portion and the fixing resin and the bonding between the two can be further ensured.
[0010]
  Titanium coupling agents include γ-aminopropyltrimethoxytitanium, γ-aminopropyltriethoxytitanium, γ-aminopropyldimethoxymethyltitanium, γ-glycidoxypropyltrimethoxytitanium, γ-glycidoxypropyltriethoxy Titanium, γ-glycidoxypropyl dimethoxymethyl titanium, and the like are included, but are not limited thereto.
  Aluminum coupling agents include γ-aminopropyltrimethoxyaluminum, γ-aminopropyltriethoxyaluminum, γ-aminopropyldimethoxymethylaluminum, γ-glycidoxypropyltrimethoxyaluminum, and γ-glycidoxypropyl. Examples include, but are not limited to, triethoxyaluminum and γ-glycidoxypropyldimethoxymethylaluminum.
  Further, silane coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyldimethoxymethylsilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ -Mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyldimethoxymethylsilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyldimethoxysilane, γ-ureidopropyltrimethoxysilane, γ-ureido Propyltriethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-aminopropyltriethoxysilane, Examples include, but are not limited to, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, and the like.
[0011]
  Also,As a method of manufacturing a wiring board,A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface, a housing portion including a through-hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface, or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface, and in the housing portion A method of manufacturing a wiring board comprising an embedded IC chip and a fixing resin for fixing the IC chip in the housing portion, wherein a coupling agent is used on at least the inner surface of the housing portion in the substrate body. Forming a coating film, placing the IC chip in the housing part in which the coating film is formed, and filling and curing the fixing resin in the housing part in which the IC chip is placed. And a method of manufacturing a wiring board comprising:Is mentioned.
[0012]
  According to this manufacturing method,A step of forming a coating film using a coupling agent on at least an inner surface of the housing portion in the substrate body, a step of placing an IC chip in the housing portion where the coating film is formed, and a housing portion in which the IC chip is placed And a step of filling and curing the fixing resin.
  Therefore, a coating is formed on at least the inner surface of the housing portion of the circuit board body of the wiring board, and the fixing resin adheres to the housing portion via the coating. For this reason, between the board | substrate main body (accommodating part) and fixing resin, as above-mentioned, it becomes water-impermeable and high adhesiveness is acquired. Therefore, the IC chip can be embedded in the housing portion with airtightness, and the buildup layer can be reliably and firmly formed on the substrate body without causing any trouble. Therefore, it is possible to provide a wiring board that is highly reliable even after undergoing a thermal cycle test and that sufficiently meets the demand for higher wiring density and higher performance.
[0013]
  In addition, it is desirable that the coupling agent is subjected to a hydrolysis treatment or a further condensation reaction in advance. By these treatments, the coating film can be formed in a shorter time. In addition, the adhesion with the fixing resin can be further improved, and the coating film has a high molecular weight or a three-dimensional structure, so that the effect of improving the adhesion can be obtained for a long time.
  In addition, as a dispersion medium for dispersing the coupling agent, alcohols such as water, ethanol, methanol and isopropyl alcohol are generally used alone or in combination. In addition, the coupling agent may have a concentration of 0.5 to 10 wt%, preferably 1 to 5 wt% in the coupling treatment liquid.
[0014]
  Furthermore, in the method for manufacturing a wiring board as described above, a wiring board using a coupling agent comprising at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent as the coupling agent. A manufacturing method is preferable.
[0015]
  According to this manufacturing method,As the coupling agent, a coupling agent comprising at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent is used. If such a coupling agent is used, it is possible to further firmly bond the two at the interface between the substrate body (accommodating portion) and the fixing resin, and to reliably provide moisture impermeability. Become.
  The titanium coupling agent, aluminum coupling agent and silane coupling agent are as described above.
[0016]
  Furthermore, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the above, a wiring using a coupling agent having a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in a molecule at 5 wt% or less as the coupling agent A substrate manufacturing method is preferable.
[0017]
  According to the present invention, a coupling agent having a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule at 5 wt% or less is used as the coupling agent. If such a coupling agent is used, it is more difficult for moisture to penetrate into the fixing resin from the substrate body, thereby reliably preventing alteration of the fixing resin, and peeling and cracking of the fixing resin resulting therefrom. can do.
  Examples of the hydrophilic group that imparts hydrophilicity to the organic functional group include a hydroxyl group, an epoxy group, a carboxyl group, a carboxylic anhydride, an amino group, and a sulfone group. If the coupling agent having an organic functional group containing a hydrophilic group exceeds 5 wt% as described above, moisture may permeate from the substrate body to the fixing resin. is there.
[0018]
  Furthermore, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the above, a wiring using a coupling agent having a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in a molecule as 20 wt% or more as the coupling agent A substrate manufacturing method is preferable.
[0019]
  According to the present invention, as the coupling agent, a coupling agent having a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule at 20 wt% or more is used. If such a coupling agent is used, it is more difficult for moisture to penetrate into the fixing resin from the substrate body, thereby reliably preventing alteration of the fixing resin, and peeling and cracking of the fixing resin resulting therefrom. can do.
  In addition, as a hydrophobic organic functional group, the alkyl group which does not contain the above-mentioned hydrophilic group, a halogenated alkyl group, etc. are mentioned, for example. When the coupling agent having such a hydrophobic organic functional group is less than 20 wt% as described above, moisture begins to be able to penetrate from the substrate body into the fixing resin, so this range is excluded.
[0020]
  Also,As a wiring boardA substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface, a housing portion including a through-hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface, or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface, and in the housing portion A wiring board comprising a built-in IC chip and a fixing resin for fixing the IC chip in the housing portion, and having a coating formed on the surface of the IC chip with a coupling agent, A wiring board in which an IC chip is fixed to the fixing resin via the coating filmIs mentioned.
[0021]
  According to this wiring boardThe IC chip has a coating formed on the surface of the coupling agent. The IC chip is fixed to the fixing resin through this film.
  If such a coating is present, the IC chip and the fixing resin are organic substances that embed the surface of the IC chip, which is an inorganic substance, by the coupling action between the coating on the surface of the IC chip and the fixing resin. Adhesion with the fixing resin is improved. As a result, even when subjected to a heat cycle test or the like, the airtightness of the IC chip can be secured, and connection failure between the IC chip and the wiring layer hardly occurs, and stable conduction is obtained. Therefore, it is possible to provide a wiring substrate that has high reliability and can sufficiently meet the demand for higher performance.
[0022]
  In addition, it is desirable that the coating film has a thickness of about 0.5 μm or less (however, 0 is not included). The reason why the thickness is set to 0.5 μm or less is that if the thickness is larger than this, a jelly-like lump is formed on the surface of the coating, and adhesion due to the coating is reduced. Furthermore, it is desirable that the film has a thickness of about 0.2 μm or less (however, 0 is not included). This is because a jelly-like lump is less likely to occur on the surface of the coating, and further adhesion can be obtained.
  Further, as described above, the substrate body includes a single-layer insulating layer and a multilayer substrate.
[0023]
  Further, in the above wiring board, the coupling agent may be a wiring board made of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent.
[0024]
  According to this wiring boardThe coupling agent includes at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent. If a film formed of such a coupling agent is interposed, the IC chip and the fixing resin are more securely adhered.
  The titanium coupling agent, aluminum coupling agent and silane coupling agent are as described above.
[0025]
  Also,As a method of manufacturing a wiring board,A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface, a housing portion including a through-hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface, or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface, and in the housing portion A method for manufacturing a wiring board comprising an embedded IC chip and a fixing resin for fixing the IC chip in the housing portion, wherein a coating is formed on the surface of the IC chip using a coupling agent A step, a step of placing the IC chip on which the coating film is formed in a housing portion of the substrate body, a step of filling and curing the fixing resin in the housing portion in which the IC chip is disposed, For manufacturing a wiring board comprising:Is mentioned.
[0026]
  According to this manufacturing method,A step of forming a film using a coupling agent on the surface of the IC chip, a step of placing the IC chip on which the film is formed in the housing part of the substrate body, and a housing part in which the IC chip is placed, Filling and fixing the fixing resin.
  Therefore, when fixed with the fixing resin, a coupling action works to improve the adhesion between the surface of the IC chip and the fixing resin in which it is embedded. As a result, even when subjected to a thermal cycle test or the like, poor connection is unlikely to occur between the IC chip and the internal wiring layer, and stable conduction is obtained. Therefore, it is possible to provide a wiring board that has high reliability and can sufficiently meet the demand for higher performance.
[0027]
  In addition, as described above, it is desirable that the coupling agent is subjected to a hydrolysis treatment or a further advanced condensation reaction.
  Further, as described above, the coupling agent is preferably used after being diluted with a dispersion medium.
[0028]
  Furthermore, in the method for manufacturing a wiring board as described above, a wiring board using a coupling agent comprising at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent as the coupling agent. A manufacturing method is preferable.
[0029]
  According to this manufacturing method,As the coupling agent, a coupling agent comprising at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent is used. If such a coupling agent is used, the coupling action can be more reliably generated, and the IC chip and the fixing resin can be more reliably brought into close contact with each other.
  The titanium coupling agent, aluminum coupling agent and silane coupling agent are as described above.
[0030]
  Furthermore, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the above, a wiring using a coupling agent having a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in a molecule at 5 wt% or less as the coupling agent A substrate manufacturing method is preferable.
[0031]
  According to the present invention, as the coupling agent, a coupling agent having 5 wt% or less of a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule is used. If such a coupling agent is used, since the coating film has few hygroscopic components such as polyimide, moisture becomes more difficult to penetrate into the fixing resin through the coating film. For this reason, the fixing resin itself can be hydrolyzed to be transformed into carboxylic acid or the like, and the fixing resin can be prevented from peeling off and cracking due to this. And since the water absorption of a film is low (waterproofness is high), the elution (migration) of the IC terminal of an IC chip can be prevented, and a short circuit between IC terminals can also be prevented.
  The hydrophilic group is as described above.
[0032]
  Furthermore, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the above, a wiring using a coupling agent having a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in a molecule as 20 wt% or more as the coupling agent A substrate manufacturing method is preferable.
[0033]
  According to the present invention, as the coupling agent, a coupling agent having a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule at 20 wt% or more is used. If such a coupling agent is used, it becomes more difficult for moisture to penetrate into the fixing resin through the coating film, so that it is possible to reliably prevent alteration of the fixing resin, and peeling and cracking of the fixing resin due to this. can do. In addition, the elution (migration) of the IC terminals of the IC chip can be prevented, and a short circuit between the IC terminals can be prevented.
  The hydrophobic organic functional group is as described above.
[0034]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(Embodiment 1)
  Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
  FIG. 1 shows a simplified cross-sectional view of the wiring board 101 of the first embodiment. The wiring substrate 101 includes a core substrate (substrate body) 105, wiring layers 107, 109, 111, 113, 115, 117 formed on the substrate main surface 105a side and the substrate back surface 105b side, and insulating layers 121, 123, A multilayer wiring board having a build-up layer made of 125, 127, 129, and 131.
[0035]
  The core substrate 105 is made of a bismaleimide-triazine (BT) resin having a substantially rectangular shape in plan view (substantially square shape in plan view) and a thickness of about 0.8 mm. By punching the central portion, the substrate main surface 105a and the substrate back surface are formed. An accommodating portion 141 that is a substantially rectangular shape in plan view (substantially square shape in plan view) and that has a side of about 12 mm is drilled through the space 105b.
  The inner surface 141s (four side surfaces) of the accommodating portion 141 is covered with a coating 142 formed of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm. As this coupling agent, one comprising at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent is used. In addition, a coupling agent having a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule at 5 wt% or less and a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule at 20 wt% or more is used. It is done. When a mixture of silane coupling agents is used, for example, a mixture of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and hexyltrimethoxysilane (weight ratio 1:20) is used. In this case, the coupling agent having a hydrophilic organic functional group is about 4.8 wt%, and the coupling agent having a hydrophobic organic functional group is about 95.2 wt%. When there is the coating film 142 formed of such a coupling agent, the adhesion between the housing part 141 and the fixing resin 147 described later is enhanced, and the waterproof property between the housing part 141 and the fixing resin 147 is provided. Can also be enhanced.
[0036]
  An IC chip IC2 is built in the housing part 141 covered with the coating 142, and is fixed by a fixing resin 147 made of an epoxy resin epoxy resin containing an inorganic filler such as a silica filler. That is, the fixing resin 147 is fixed to the housing part 141 via the coating 142 on the inner surface 141 s of the housing part 141.
  The IC chip IC2 is built in the core substrate 105 with the terminal surface IC2m on which the IC terminal IC2t is disposed facing the substrate back surface 105b. The surface of the IC chip IC2 is also coated with a film 146 formed of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm. Therefore, the IC chip IC2 is fixed to the fixing resin 147 through the film 146. This coupling agent is also composed of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent. In addition, a coupling agent having a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule at 5 wt% or less and a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule at 20 wt% or more is used. It is done. When a mixture of silane coupling agents is used, for example, a mixture of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and hexyltrimethoxysilane (weight ratio 1:20) is used as described above. In this case, the coupling agent having a hydrophilic organic functional group is about 4.8 wt%, and the coupling agent having a hydrophobic organic functional group is about 95.2 wt%. With the coating 146 formed of such a coupling agent, the adhesion between the IC chip IC2 and the fixing resin 147 is enhanced, and the waterproof property between the IC chip IC2 and the fixing resin 147 is also enhanced. It is done.
[0037]
  In addition, a large number of through holes 143 that pass through between the substrate main surface 105a and the substrate back surface 105b are formed around the accommodating portion 141. Each through hole 143 has a through hole conductor 144 made of Cu plating and an epoxy resin. A filling resin 145 made of or the like is formed. Instead of the filling resin 145, a conductive resin containing a large amount of metal powder, a non-conductive resin containing a small amount of metal powder, or the like may be used.
[0038]
  On the substrate main surface 105a of the core substrate 105, a wiring layer 107 made of Cu plating and connected to the through-hole conductor 144 and an insulating layer 121 made of an epoxy resin are formed. Many filled via conductors 151 connected to the wiring layer 107 are formed at predetermined positions of the insulating layer 121. Similarly, a wiring layer 109 made of Cu plating and connected to the filled via conductor 151 and an insulating layer 123 made of an epoxy resin are formed on the insulating layer 121. Many filled via conductors 153 connected to the wiring layer 109 are also formed at predetermined positions of the insulating layer 123. Furthermore, a wiring layer 111 made of Cu plating and connected to the filled via conductor 153 and a solder resist layer (insulating layer) 125 made of an epoxy resin are formed on the insulating layer 123. A plurality of solder bumps (not shown) that penetrate through the solder resist layer 125 and protrude higher than the main surface 101 a of the wiring substrate 101 are formed on the wiring layer 111. These solder bumps are individually connected to terminals of a chip capacitor (electronic component) (not shown) mounted on the main surface 101a.
[0039]
  On the other hand, a wiring layer 113 made of Cu plating and connected to the through-hole conductor 144 and the IC terminal IC2t of the IC chip IC2 and an insulating layer 127 made of epoxy resin are also formed on the substrate back surface 105b of the core substrate 105. Yes. A number of filled via conductors 157 connected to the wiring layer 113 are formed at predetermined positions of the insulating layer 127. Similarly, a wiring layer 115 made of Cu plating and connected to the filled via conductor 157 and an insulating layer 129 made of an epoxy resin are formed on the insulating layer 127. Many filled via conductors 159 connected to the wiring layer 115 are also formed at predetermined positions of the insulating layer 129. Further, on the insulating layer 129, a wiring layer 117 made of Cu plating and connected to the filled via conductor 159, and a solder resist layer (insulating layer) 131 made of an epoxy resin are formed. On the wiring layer 117, a plurality of solder bumps 161 that penetrate the solder resist layer 131 and protrude higher than the back surface 101b of the wiring substrate 101 are formed. These solder bumps 161 are individually connected to terminals of a chip capacitor (electronic component) CC that will be mounted on the back surface 101b later. A plurality of pins (not shown) are erected on the wiring layer 117 by solder. These pins serve as connection terminals for a mother board (not shown) such as a printed board on which the wiring board 101 itself is mounted.
[0040]
  The wiring layers 107, 109, 111, 113, 115, 117, the insulating layers 121, 123, 125, 127, 129, 131 and the filled via conductors 151, 153, 157, 159 described above are known build-up techniques. (Semi-additive method, full-additive method, subtractive method, photolithographic technique, drilling of via holes by laser processing, etc.).
[0041]
  In such a wiring board 101, moisture impermeability and high adhesion are obtained between the accommodating portion 141 and the fixing resin 147 by the coating 142 formed of the coupling agent on the inner surface 141 s of the accommodating portion 141. . In particular, the coupling agent is composed of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent, and further contains 5 wt% of a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule. Since the following is used and the coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule is 20 wt% or more, high moisture impermeability and high adhesion can be obtained. For this reason, when the through-hole conductor 144, the wiring layers 107, 113, and the like are formed, the moisture in the plating solution during Cu plating and the desmear treatment (for example, with a potassium permanganate solution) of the inner surface 141s of the accommodating portion 141 are performed. Even if the moisture in the treatment liquid penetrates into the core substrate 105, the moisture does not penetrate into the fixing resin 147 due to the interposition of the coating film 142.
[0042]
  As a result, deterioration of the fixing resin 147 can be prevented, the IC chip IC2 can be embedded in the accommodating portion 141 in an airtight manner, and the build-up layer provided on the core substrate 105 is reliably and firmly formed without causing any trouble. it can. For this reason, an unsaturated super-accelerated life test (temperature 131 ° C., relative humidity 85%, atmospheric pressure 213 kPa = 2.1 atm, applied voltage 1.8 V, high-temperature, high-humidity, high-pressure) in which the wiring board 101 is placed in a high-temperature, high-humidity environment. The load test and test time: 100 hours, hereinafter referred to as the HAST test) can reliably prevent the occurrence of cracks in the fixing resin 147 and delamination that creates gaps between the insulating layers. Therefore, the wiring board 101 has high reliability even when subjected to the HAST test, and can sufficiently meet the demand for higher density and higher performance of the wiring.
[0043]
  Further, the wiring substrate 101 can obtain high adhesion and moisture impermeability between the IC chip IC2 and the fixing resin 147 by the coating 146 formed on the surface of the IC chip IC2 by a coupling agent. . In particular, the coupling agent is composed of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent, and further contains 5 wt% of a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule. Since the following is used and the coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule is 20 wt% or more, high moisture impermeability and high adhesion can be obtained. For this reason, the connection portion between the IC terminal IC2t of the IC chip IC2 and the wiring layer 113 is not easily disconnected, and stable conduction is obtained. Further, even if the HAST test is performed, the elution (migration) of the IC terminal IC2t can be prevented, and a short circuit between the IC terminals IC2t can be prevented.
[0044]
  Next, main steps in the method for manufacturing the wiring substrate 101 will be described.
  First, as shown in FIG. 2, a core substrate 105 made of BT resin having a thickness of 0.8 mm having a substrate main surface 105a and a substrate back surface 105b is prepared and punched. As a result, as shown in FIG. 3, an accommodating portion 141 is formed that includes a through hole that penetrates between the substrate main surface 105 a and the substrate back surface 105 b and has a substantially rectangular shape in plan view (substantially square shape in plan view) and a side of about 12 mm. Perforated.
[0045]
  Next, as shown in FIG. 4, a coating film 142 having a thickness of about 0.1 μm is formed on the inner surface 141 s (four side surfaces) of the accommodating portion 141 with a coupling agent. Specifically, by immersing the core substrate 105 on which the accommodating portion 141 is formed in a coupling treatment solution in which a coupling agent is dissolved in ethanol, and heating and drying at 100 ° C. for about 1 hour after the immersion. Remove the solvent. Then, it wash | cleans with ethanol and obtains the film of desired thickness. Further, the coupling agent is cured by heating at 120 ° C. for about 1 hour.
  Note that, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 4, a coating with a coupling agent may be simultaneously formed on the main surface 105 a and the back surface 105 b of the core substrate 105.
[0046]
  Here, the coupling agent is composed of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent, and the coupling agent having a hydrophilic organic functional group is 5 wt% or less, and The coupling agent having a hydrophobic organic functional group is preset so as to be 20 wt% or more. When a mixture of silane coupling agents is used, for example, a mixture of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and hexyltrimethoxysilane (weight ratio 1:20) is used. In this case, the coupling agent having a hydrophilic organic functional group is about 4.8 wt%, and the coupling agent having a hydrophobic organic functional group is about 95.2 wt%.
  In addition, as a dispersion medium for dispersing the coupling agent, for example, alcohols such as water, ethanol, methanol, and isopropyl alcohol are used alone or in combination. In addition, the coupling agent may have a concentration of 0.5 to 10 wt%, preferably 1 to 5 wt% in the coupling treatment liquid.
[0047]
  Next, as illustrated in FIG. 5, a tape T is attached to the substrate back surface 105 b side of the core substrate 105 across the many core substrates 105 in the panel including the core substrate 105 (multiple substrate). The adhesive surface of the tape T faces the accommodating portion 141 side. Thereafter, the IC chip IC2 is inserted into the accommodating portion 141 by a chip mounter (not shown), and the terminal surface IC2m side of the IC chip IC2 is adhered to the adhesive surface of the tape T.
[0048]
  On the surface of the IC chip IC2 to be arranged, a coating film 146 having a thickness of about 0.1 μm is formed in advance by a coupling agent. Specifically, as described above, the IC chip IC2 is immersed in a coupling treatment solution in which a coupling agent is dissolved in ethanol, and the solvent is removed by heating and drying at 100 ° C. for about 1 hour after the immersion. Remove. Then, it wash | cleans with ethanol and obtains the film of desired thickness. Further, the coupling agent is cured by heating at 120 ° C. for about 1 hour.
[0049]
  The coupling agent is composed of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent, the coupling agent having a hydrophilic organic functional group is 5 wt% or less, and is hydrophobic. The coupling agent having an organic functional group is set in advance so as to be 20 wt% or more. When a mixture of silane coupling agents is used, for example, a mixture of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and hexyltrimethoxysilane (weight ratio 1:20) is used as described above. In this case, the coupling agent having a hydrophilic organic functional group is about 4.8 wt%, and the coupling agent having a hydrophobic organic functional group is about 95.2 wt%.
  In addition, also about the dispersion medium for disperse | distributing a coupling agent, it is the same as the above, for example, water and alcohol are used individually or in mixture. In addition, the coupling agent may have a concentration of 0.5 to 10 wt%, preferably 1 to 5 wt% in the coupling treatment liquid.
[0050]
  Next, as shown in FIG. 6, the fixing resin 147 made of a liquid epoxy resin is filled into the accommodating portion 141 from the substrate main surface 105 a side using a dispenser (not shown). For example, a bisphenol type epoxy resin is used for the fixing resin 147, and an inorganic filler such as a silica filler or a liquid curing agent is added as necessary. After the fixing resin 147 is filled in the accommodating portion 141, the core substrate 105 is heated to 110 to 180 ° C., so that the epoxy resin becomes a cured resin.
  The fixing resin 147 is firmly fixed to the core substrate 105 (accommodating portion 141) through the coating film 142 formed of a coupling agent. In addition, the film 142 provides moisture impermeability between the fixing resin 147 and the core substrate 105. Further, the IC chip IC2 is firmly fixed to the fixing resin 147 through the coating 146 formed of a coupling agent. In addition, the coating 146 provides moisture impermeability between the IC chip IC2 and the fixing resin 147.
[0051]
  After that, the raised exposed surface of the fixing resin 147 is subjected to polishing by a belt sander and finish polishing by lapping to make a flat surface. As a result, as shown in FIG. 7, the substrate main surface 105a side is a flat surface. At this time, moisture contained in the core substrate 105 does not enter the fixing resin 147 by the coating 142 formed of the coupling agent, and the fixing resin 147 is not deteriorated. Part of the resin 147 is hardly peeled off. In addition, it is preferable that the tape T is peeled off and the exposed surface of the fixing resin 147 on the substrate back surface 105b side is similarly polished and leveled to be a flat surface.
[0052]
  Thereafter, using a known photolithography technique or the like, the through-hole conductor 144 is formed on the core substrate 105, and the wiring layers 107 and 113 are formed on the substrate main surface 105a and the substrate back surface 105b. Further, insulating layers 121, 123, 125, 127, 129, 131, wiring layers 109, 111, 115, 117, and filled via conductors 151, 153, 157, 159 are formed by a known build-up technique.
  Thereby, the wiring board 101 mentioned above can be obtained.
[0053]
  According to the manufacturing method as described above, the coating 142 is formed on the inner surface 141 s of the accommodating portion 141 of the core substrate 105, and the fixing resin 147 is fixed to the accommodating portion 141 through the coating 142. For this reason, it becomes water-impermeable between the core board | substrate 105 (accommodating part 141) and the fixing resin 147, and high adhesiveness is obtained. Therefore, the IC chip IC2 can be built in the accommodating portion 141 with airtightness, and the buildup layer can be reliably and firmly formed on the core substrate 105 without causing any trouble. Therefore, it is possible to provide a wiring board that is highly reliable even after undergoing a thermal cycle test and that sufficiently meets the demand for higher wiring density and higher performance.
[0054]
  In particular, since a coupling agent composed of at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent is used as the coupling agent, the core substrate 105 (housing portion 141) and the fixing resin 147 are used. It is possible to further strengthen the bond between the two at the interface and to provide moisture impermeability with certainty.
  In addition, since a coupling agent having 5 wt% or less of a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule is used as the coupling agent, moisture becomes more difficult to penetrate from the core substrate 105 into the fixing resin 147. Therefore, it is possible to reliably prevent the fixing resin 147 from deteriorating and the fixing resin 147 from peeling and cracking due to the deterioration.
  Further, since a coupling agent having a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule as 20 wt% or more is used as the coupling agent, moisture becomes more difficult to penetrate from the core substrate 105 into the fixing resin 147. Therefore, it is possible to reliably prevent the fixing resin 147 from deteriorating and the fixing resin 147 from peeling and cracking due to the deterioration.
[0055]
  Further, according to the above manufacturing method, when the fixing resin 147 is fixed, a coupling action works to improve the adhesion between the surface of the IC chip IC2 and the fixing resin 147 in which the IC chip IC2 is embedded. As a result, even when subjected to a thermal cycle test or the like, poor connection is unlikely to occur between the IC chip IC2 and the internal wiring layer 113, and stable conduction is obtained. Therefore, it is possible to provide a wiring board that has high reliability and can sufficiently meet the demand for higher performance.
[0056]
  Further, since a coupling agent comprising at least one of a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and a silane coupling agent is used as the coupling agent, the coupling action is more reliably generated, and the IC chip IC2 And the fixing resin 147 can be adhered more reliably.
  Further, as the coupling agent, a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in the molecule of 5 wt% or less is used, so the coating film 146 has few hygroscopic components such as polyimide, Moisture becomes more difficult to penetrate into the fixing resin 147. For this reason, the resin itself can be hydrolyzed and transformed into carboxylic acid or the like, and peeling of the fixing resin 147 and occurrence of cracks due to this can be reliably prevented. Moreover, since the water absorption of the coating 146 is low (waterproofness is high), the elution (migration) of the IC terminal IC2t of the IC chip IC2 can be prevented, and a short circuit between the IC terminals IC2t can be prevented.
  In addition, as a coupling agent, a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in the molecule at 20 wt% or more is used, so that moisture is less likely to penetrate into the fixing resin 147. Deterioration of the resin 147 and peeling of the fixing resin 147 and generation of cracks can be reliably prevented. In addition, the elution (migration) of the IC terminal IC2t of the IC chip IC can be prevented, and a short circuit between the IC terminals IC2t can be prevented.
[0057]
(Embodiment 2)
  Next, a second embodiment will be described. Note that the description of the same parts as those in the first embodiment is omitted or simplified.
  FIG. 8 shows a simplified longitudinal sectional view of the wiring board 201 of the second embodiment. The core substrate (substrate main body) 205 of the wiring substrate 201 has an accommodating portion 241 that is open to the substrate back surface 205b side and includes a concave portion having a substantially rectangular shape in plan view (substantially square shape in plan view) and a side of about 12 mm. It is formed by processing. A coating 242 made of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm is formed on the inner surface 241 s (each side surface and bottom surface) of the housing portion 241.
[0058]
  Then, the same IC chip IC2 as described above is arranged in the housing portion 241 with the terminal surface IC2m facing the substrate back surface 205b side, and is embedded in the same fixing resin 247, thereby the core substrate 205. Built in. A coating 146 made of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm is also formed on the surface of the IC chip IC2. A through-hole conductor 144 and a filling resin 145 are formed in the through-hole 143 around the housing portion 241 as described above.
[0059]
  On the substrate main surface 205a of the core substrate 205, wiring layers 107, 109, 111, insulating layers 121, 123, 125, filled via conductors 151, 153, and the like are formed as described above. Also on the substrate back surface 205b of the core substrate 205, the wiring layers 113, 115, 117, the insulating layers 127, 129, 131, the filled via conductors 157, 159, and the like are formed in the same manner as described above.
[0060]
  Such a wiring substrate 201 also has high moisture impermeability and high adhesion between the core substrate 205 and the fixing resin 247 filled in the housing portion 241 by the coating 242 formed of the coupling agent. It is done. For this reason, even if moisture permeates the core substrate 205 when the wiring substrate 201 is manufactured, the coating 242 does not permeate the fixing resin 247 in the housing portion 241.
  As a result, the IC chip IC2 can be housed in the accommodating portion 241 in an airtight manner, and the build-up layer can be reliably and firmly formed on the substrate main surface 205a and the substrate back surface 205b of the core substrate 205 without causing trouble. For this reason, even if the wiring board 201 is subjected to the HAST test, cracks such as the fixing resin 247 and delamination between the insulating layers are less likely to occur, and a highly reliable wiring board can be obtained. Therefore, the wiring board 201 is highly reliable and can sufficiently meet the demand for higher density and higher performance of the wiring.
[0061]
  Moreover, high adhesion and high moisture impermeability can be obtained between the IC chip IC2 and the fixing resin 147 by the coating 146 formed of the coupling agent. For this reason, the connection portion between the IC terminal IC2t of the IC chip IC2 and the wiring layer 113 is not easily disconnected, and stable conduction is obtained. Further, even if the HAST test is performed, the elution (migration) of the IC terminal IC2t can be prevented, and a short circuit between the IC terminals IC2t can be prevented.
  In addition, the same parts as those of the first embodiment have the same effects.
[0062]
  Next, main steps in the method for manufacturing the wiring substrate 201 will be described.
  First, the core substrate 205 is prepared, and the accommodating portion 241 formed of a recess opening on the substrate back surface 205b side is formed by router processing.
  Next, in the same manner as described above, a coating 242 having a thickness of about 0.1 μm is formed on the inner surface 241 s (four side surfaces and the bottom surface) of the accommodating portion 241 with a coupling agent. In the same manner as described above, a coating 146 having a thickness of about 0.1 μm is formed on the surface of the IC chip IC2 by using a coupling agent.
[0063]
  Next, the IC chip IC2 is disposed in the housing portion 241, and the same fixing resin 247 as described above is filled and solidified. Thereafter, similarly to the above, the exposed surface of the fixing resin 247 is flattened.
  Thereafter, the through-hole conductor 144 and the wiring layers 107 and 113 are formed using a known photolithography technique or the like, and further, the insulating layers 121, 123, 125, 127, 129, and 131, and the wiring layers 109 and 111 are formed. , 115, 117 and filled via conductors 151, 153, 157, 159 are formed.
  Thereby, the wiring board 201 mentioned above can be obtained.
[0064]
  Also in such a manufacturing method, as described above, the coating 242 is formed on the inner surface 241 s of the housing portion 241 of the core substrate 205, and the fixing resin 247 is fixed to the housing portion 241 through the coating 242. For this reason, between the accommodating part 241 and the fixing resin 247, it becomes high moisture impermeability and high adhesiveness is obtained. Therefore, the IC chip IC2 can be housed in the accommodating portion 241 in an airtight manner, and the buildup layer can be reliably and firmly formed on the core substrate 205 without causing any trouble. Therefore, it is possible to provide a wiring board that is highly reliable even after undergoing a thermal cycle test and that sufficiently meets the demand for higher wiring density and higher performance.
[0065]
  Further, according to the above manufacturing method, as described above, when fixed with the fixing resin 247, the coupling action works, and the adhesion between the surface of the IC chip IC2 and the fixing resin 247 in which it is embedded is improved. improves. As a result, even when subjected to a thermal cycle test or the like, poor connection is unlikely to occur between the IC chip IC2 and the internal wiring layer 113, and stable conduction is obtained. Therefore, it is possible to provide a wiring board that has high reliability and can sufficiently meet the demand for higher performance.
  In addition, the same parts as those of the first embodiment have the same effects.
[0066]
(Embodiment 3)
  Next, a third embodiment will be described. In addition, description of the part similar to either of said each Embodiment 1, 2 is abbreviate | omitted or simplified.
  FIG. 9 shows a simplified longitudinal sectional view of the wiring board 301 of the third embodiment. The core substrate (substrate body) 305 of the wiring substrate 301 has an accommodating portion 341 that is open to the substrate main surface 305a side and has a substantially rectangular shape in plan view (substantially square shape in plan view) and a recess having a side of about 12 mm. It is formed by router processing. The inner surface 31s (each side surface and the bottom surface) of the housing portion 341 is coated with a coating 342 formed of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm as described above.
[0067]
  In the housing portion 341, the same IC chip IC2 is disposed with the terminal surface IC2m facing the substrate back surface 305b, and is embedded in the same fixing resin 347, so that the core substrate is formed. Built in 305. A coating 146 made of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm is also formed on the surface of the IC chip IC2.
[0068]
  Further, in the core substrate 305, a plurality of through holes 343 penetrating between the bottom surface 341t of the housing portion 341 and the substrate back surface 305b are formed in the bottom portion of the housing portion 341, and the IC chip IC2 is formed in each through hole 343. Through-hole conductors 344 connected to the respective IC terminals IC2t are formed, and a filling resin 345 is formed therein.
  In the wiring substrate 301, the buildup layer is not formed on the substrate main surface 305 a of the core substrate 305. On the other hand, build-up layers such as wiring layers 113, 115, 117, insulating layers 127, 129, 131, and filled via conductors 157, 159 are formed on the substrate back surface 305b of the core substrate 305 in the same manner as described above. Yes.
[0069]
  Such a wiring substrate 301 also has high moisture impermeability and high adhesion between the core substrate 305 and the fixing resin 347 filled in the accommodating portion 341 by the coating 342 formed of the coupling agent. It is done. For this reason, even if moisture permeates the core substrate 305 when the wiring substrate 301 is manufactured, the coating 342 does not permeate the fixing resin 347 in the housing portion 341.
  As a result, the IC chip IC2 can be housed in the accommodating portion 341 in an airtight manner, and the build-up layer can be reliably and firmly formed on the substrate back surface 305b of the core substrate 305 without causing trouble. For this reason, even if the wiring board 301 is subjected to the HAST test, cracks in the fixing resin 347 and delamination between insulating layers are less likely to occur, and a highly reliable wiring board can be obtained. Therefore, the wiring board 301 is highly reliable and can sufficiently meet the demand for higher density and higher performance of the wiring.
[0070]
  Furthermore, high adhesion and moisture impermeability can be obtained between the IC chip IC2 and the fixing resin 347 by the coating 146 formed of the coupling agent. For this reason, the connection portion between the IC terminal IC2t of the IC chip IC2 and the through-hole conductor 344 is not easily disconnected, and stable conduction is obtained. Further, even if the HAST test is performed, the elution (migration) of the IC terminal IC2t can be prevented, and a short circuit between the IC terminals IC2t can be prevented.
  Other parts similar to those of the first embodiment have the same effects.
[0071]
  Next, main steps in the method for manufacturing the wiring substrate 301 will be described.
  First, the core substrate 305 is prepared, and the accommodating portion 341 including a concave portion opened to the substrate main surface 305a side is formed by router processing. Thereafter, a through-hole conductor 344 and the like are formed on the bottom of the housing portion 341 by a known method.
  Next, in the same manner as described above, a coating 342 having a thickness of about 0.1 μm is formed on the inner surface 341 s (four side surfaces and the bottom surface) of the housing portion 341 using a coupling agent. In the same manner as described above, a coating film 146 having a thickness of about 0.1 μm is formed on the surface of the IC chip IC2 with a coupling agent.
[0072]
  Next, the IC chip IC2 is placed in the housing portion 341, and the same fixing resin 347 as described above is filled and solidified. Thereafter, similarly to the above, the exposed surface of the fixing resin 347 is leveled.
  Thereafter, insulating layers 127, 129, 131, wiring layers 115, 117, and filled via conductors 157, 159 are formed using a known photolithography technique or the like.
  Thereby, the wiring board 301 mentioned above can be obtained.
[0073]
  Also in such a manufacturing method, as described above, the coating 342 is formed on the inner surface 341 s of the accommodating portion 341 of the core substrate 305, and the fixing resin 347 is fixed to the accommodating portion 341 through the coating 342. For this reason, between the accommodating part 341 and the fixing resin 347, it becomes high moisture impermeability and high adhesiveness is obtained. Therefore, the IC chip IC2 can be housed in the accommodating portion 341 with airtightness, and the buildup layer can be reliably and firmly formed on the core substrate 305 without causing any trouble. Therefore, it is possible to provide a wiring board that is highly reliable even after undergoing a thermal cycle test and that sufficiently meets the demand for higher wiring density and higher performance.
[0074]
  Further, according to the above manufacturing method, as described above, when the fixing resin 347 is fixed, the coupling action works, and the adhesion between the surface of the IC chip IC2 and the fixing resin 347 in which this is embedded is achieved. improves. As a result, even when subjected to a thermal cycle test or the like, connection failure is unlikely to occur between the IC chip IC2 and the through-hole conductor 344, and stable conduction is obtained. Therefore, it is possible to provide a wiring board that has high reliability and can sufficiently meet the demand for higher performance.
  Other parts similar to those of the first embodiment have the same effects.
[0075]
(Embodiment 4)
  Next, a fourth embodiment will be described. In addition, description of the part similar to either of said each Embodiment 1-3 is abbreviate | omitted or simplified.
  FIG. 10 shows a simplified longitudinal sectional view of the wiring board 401 according to the fourth embodiment. A core substrate (substrate body) 405 of the wiring substrate 401 is made of the same material as described above, and has a thickness of about 250 μm and a relatively thin first insulating substrate 405e, and a thickness of about 500 μm and a relatively thick second insulating substrate. 405f is a multilayer substrate.
[0076]
  The second insulating substrate 405f of the core substrate 405 is provided with a housing portion 441 made of the same concave portion that opens to the substrate main surface 405a side. The accommodating portion 441 can be formed by utilizing a through hole of the same size previously drilled in the second insulating substrate 405f, or can be formed by router processing or notch processing after bonding to the first insulating substrate 405e. it can. A coating 442 made of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm is also formed on the inner surface 441 s (each side surface and bottom surface) of the housing portion 441.
[0077]
  The same IC chip IC2 as described above is disposed in the housing portion 441, and is embedded in the same fixing resin 447 as described above, so that it is built in the core substrate 405. A coating 146 made of a coupling agent having a thickness of about 0.1 μm is also formed on the surface of the IC chip IC2.
  In the core substrate 405, a plurality of through holes 343 penetrating between the bottom surface 441t of the housing portion 441 and the substrate back surface 405b (through the first insulating substrate 405e) are formed at the bottom of the housing portion 441, and each through-hole is formed. In the hole 343, through-hole conductors 344 that are respectively connected to the IC terminals IC2t of the IC chip IC2 are formed, and a filling resin 345 is formed therein.
[0078]
  In the wiring board 401, no buildup layer is formed on the substrate main surface 405 a of the core substrate 405. On the other hand, on the substrate back surface 405b of the core substrate 405, the build-up layers such as the wiring layers 113, 115, 117, the insulating layers 127, 129, 131 and the filled via conductors 157, 159 are formed as described above. Yes.
[0079]
  Also in such a wiring substrate 401, high moisture impermeability and adhesion are obtained between the core substrate 405 and the fixing resin 447 filled in the housing portion 441 by the coating 442 formed of the coupling agent. It is done. For this reason, even if moisture or the like penetrates into the core substrate 405, the coating 442 does not penetrate into the fixing resin 447 in the housing portion 441.
  As a result, the IC chip IC2 can be housed in the accommodating portion 441 in an airtight manner, and the build-up layer is reliably and firmly formed on the substrate back surface 405b of the core substrate 405 without causing trouble. For this reason, even if the wiring board 401 is subjected to a HAST test, cracks in the fixing resin 447 and delamination between insulating layers are less likely to occur, and a highly reliable wiring board can be obtained. Therefore, the wiring board 401 is highly reliable and can sufficiently meet the demand for higher density and higher performance of the wiring.
[0080]
  Furthermore, high adhesion and moisture impermeability can be obtained between the IC chip IC2 and the fixing resin 447 by the coating 146 formed of the coupling agent. For this reason, the connection portion between the IC terminal IC2t of the IC chip IC2 and the through-hole conductor 344 is not easily disconnected, and stable conduction is obtained. Further, even if the HAST test is performed, the elution (migration) of the IC terminal IC2t can be prevented, and a short circuit between the IC terminals IC2t can be prevented.
  Other parts similar to those of the first embodiment have the same effects.
[0081]
  Next, main steps in the method for manufacturing the wiring substrate 401 will be described.
  First, a first insulating substrate 405e and a second insulating substrate 405f are prepared, and a through hole corresponding to the accommodating portion 441 is formed in the second insulating substrate 405f. Then, the first insulating substrate 405e and the second insulating substrate 405f are bonded together to form the core substrate 405. Thereafter, a through-hole conductor 344 and the like are formed on the bottom of the housing portion 441 by a known method.
  Next, in the same manner as described above, a coating 442 having a thickness of about 0.1 μm is formed on the inner surface 441 s (four side surfaces and the bottom surface) of the housing portion 441 with a coupling agent. In the same manner as described above, a coating film 146 having a thickness of about 0.1 μm is formed on the surface of the IC chip IC2 with a coupling agent.
[0082]
  Next, the IC chip IC2 is disposed in the housing portion 441, and the same fixing resin 447 as that described above is filled and solidified. Thereafter, similarly to the above, the exposed surface of the fixing resin 447 is flattened.
  Thereafter, insulating layers 127, 129, 131, wiring layers 115, 117, and filled via conductors 157, 159 are formed using a known photolithography technique or the like.
  Thereby, the wiring board 401 mentioned above can be obtained.
[0083]
  Also in such a manufacturing method, as described above, the coating 442 is formed on the inner surface 441 s of the housing portion 441 of the core substrate 405, and the fixing resin 447 is fixed to the housing portion 441 through the coating 442. For this reason, between the accommodating part 441 and the fixing resin 447, it becomes high moisture impermeability and high adhesiveness is obtained. Therefore, the IC chip IC2 can be incorporated in the housing portion 441 with airtightness, and the buildup layer can be reliably and firmly formed on the core substrate 405 without causing any trouble. Therefore, it is possible to provide a wiring board that is highly reliable even after undergoing a thermal cycle test and that sufficiently meets the demand for higher wiring density and higher performance.
[0084]
  Further, according to the above manufacturing method, as described above, when the fixing resin 447 is fixed, the coupling action works, and the adhesion between the surface of the IC chip IC2 and the fixing resin 447 in which the IC chip IC2 is embedded is obtained. improves. As a result, even when subjected to a thermal cycle test or the like, connection failure is unlikely to occur between the IC chip IC2 and the through-hole conductor 344, and stable conduction is obtained. Therefore, it is possible to provide a wiring board that has high reliability and can sufficiently meet the demand for higher performance.
  Other parts similar to those of the first embodiment have the same effects.
[0085]
  In the above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is needless to say that the present invention can be appropriately modified and applied without departing from the gist thereof. .
  For example, in the first embodiment, among the core substrate 105, the double-sided laminated type wiring substrate 101 in which the insulating layers 121, 123, and 125 are stacked on the substrate main surface 105a and the insulating layers 127, 129, and 131 are stacked on the substrate back surface 105b. An example in which the IC chip IC2 is incorporated is shown. However, a wiring board in which an insulating layer is stacked only on one side of the core substrate, for example, a single area layer type in which insulating layers 127, 129, and 131 are stacked only on the substrate back surface 105b of the core substrate 105 without forming the insulating layer 121 or the like. The IC chip IC2 may be built in the wiring board.
[0086]
  In each of the above embodiments, a chip capacitor CC is mounted as an electronic component. However, the mounted electronic component includes passive components such as an inductor, a resistor, and a filter, a transistor, a memory, and a low noise amplifier (LNA). Active parts such as SAW filters, LC filters, antenna switch modules, couplers, diplexers and the like are also included. In addition, it is possible to mount different types of electronic components.
[0087]
  In addition to the BT resin and the glass-epoxy resin composite material, the core substrate and the like are made of glass woven fabric having the same heat resistance, mechanical strength, processability, and glass fiber such as glass woven fabric. A glass fiber resin material that is a composite material of a resin such as epoxy resin, polyimide resin, or BT resin may be used. Alternatively, it is also possible to use a composite material of an organic fiber such as polyimide fiber and a resin, or a composite material obtained by impregnating a resin such as an epoxy resin into a three-dimensional network horizontal fluororesin such as PTFE having continuous pores. is there.
[0088]
  The insulating layer is made of epoxy resin as a main component, and has a three-dimensional network structure such as polyimide resin, BT resin, PPE resin, or PTFE having continuous pores having the same heat resistance and pattern formability. A composite material in which a fluorine resin is impregnated with a resin such as an epoxy resin can also be used. The insulating layer can be formed by a method in which a liquid resin is applied by a roll coater in addition to a method in which an insulating resin film is thermocompression bonded. The composition of the glass cloth or glass filler mixed in the insulating layer may be any of E glass, D glass, Q glass, and S glass, or a combination of two or more of these.
[0089]
  In addition to the Cu, the material of the wiring layer may be Ag, Ni, Ni—Au, or the like, or formed by a method such as applying a conductive resin without using a plating film of these metals. You may do it.
  The via conductor is not limited to a filled via that fills up the via hole, and may have a conical shape that is free of the cross-sectional shape of the via hole. Further, the connection between via conductors may be in the form of a staggered that is stacked while shifting the axial center of each via conductor, or may be in the form in which a wiring layer extending in the plane direction is interposed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a simplified longitudinal sectional view of a wiring board according to a first embodiment.
FIG. 2 is an explanatory view showing a core substrate in the method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment.
FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which an accommodating portion is formed on a core substrate in the wiring substrate manufacturing method according to the first embodiment.
FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which a coating film is formed on the inner surface of the accommodating portion in the wiring board manufacturing method according to the first embodiment.
FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which an IC chip is arranged in a housing portion in the wiring board manufacturing method according to the first embodiment.
6 is an explanatory view showing a state in which a fixing resin is filled in a housing portion and cured with respect to the method for manufacturing a wiring board according to Embodiment 1. FIG.
7 is an explanatory diagram showing a state in which an exposed surface of a fixing resin is flattened in the method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment. FIG.
FIG. 8 is a simplified longitudinal sectional view of a wiring board according to a second embodiment.
FIG. 9 is a simplified longitudinal sectional view of a wiring board according to a third embodiment.
FIG. 10 is a simplified longitudinal sectional view of a wiring board according to a fourth embodiment.
FIG. 11 is a simplified longitudinal sectional view of a wiring board according to the prior art.
[Explanation of symbols]
101, 201, 301, 401 Wiring board
105, 205, 305, 405 Core substrate (substrate body)
105a, 205a, 305a, 405a Substrate main surface
105b, 205b, 305b, 405b Substrate back
141, 241, 341, 441 Housing
141 s, 241 s, 341 s, 441 s (inner side) inner surface
142, 242, 342, 442 (coated on the inner surface of the housing)
146 (coated on the surface of the IC chip)
147, 247, 347, 447 Fixing resin
IC2 IC chip

Claims (6)

基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチップを配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５ wt ％以下としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface;
A housing portion comprising a through hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface;
An IC chip built in the housing;
A fixing resin for fixing the IC chip in the housing portion;
A method of manufacturing a wiring board comprising:
Forming a film using a coupling agent on at least the inner surface of the housing portion in the substrate body;
Placing the IC chip in the housing part on which the coating is formed;
Filling and curing the fixing resin in the housing portion in which the IC chip is disposed , and
A method for manufacturing a wiring board, wherein a coupling agent having a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in a molecule at 5 wt % or less is used as the coupling agent . 基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチップを配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０ wt ％以上としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface;
A housing portion comprising a through hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface;
An IC chip built in the housing;
A fixing resin for fixing the IC chip in the housing portion;
A method of manufacturing a wiring board comprising:
Forming a film using a coupling agent on at least the inner surface of the housing portion in the substrate body;
Placing the IC chip in the housing part on which the coating is formed;
Filling and curing the fixing resin in the housing portion in which the IC chip is disposed , and
A method for manufacturing a wiring board, wherein a coupling agent having a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in a molecule at 20 wt % or more is used as the coupling agent . 請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、It is a manufacturing method of the wiring board according to claim 2,
前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５As the coupling agent, 5 coupling agents having a hydrophilic organic functional group in the molecule are used. wtwt ％以下としてなるカップリング剤を用いる% Or less coupling agent is used
配線基板の製造方法。A method for manufacturing a wiring board. 基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記ＩＣチップを、上記基板本体の収容部内に配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５ wt ％以下としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface;
A housing portion comprising a through hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface;
An IC chip built in the housing;
A fixing resin for fixing the IC chip in the housing portion;
A method of manufacturing a wiring board comprising:
Forming a film on the surface of the IC chip using a coupling agent;
Placing the IC chip on which the coating film is formed in a housing portion of the substrate body;
Filling and curing the fixing resin in the housing portion in which the IC chip is disposed , and
A method for manufacturing a wiring board, wherein a coupling agent having a coupling agent having a hydrophilic organic functional group in a molecule at 5 wt % or less is used as the coupling agent . 基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、
上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収容部と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、
を備える配線基板の製造方法であって、
上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、
上記被膜が形成された上記ＩＣチップを、上記基板本体の収容部内に配置する工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備え、
上記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０ wt ％以上としてなるカップリング剤を用いる
配線基板の製造方法。A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface;
A housing portion comprising a through hole penetrating between the substrate main surface and the substrate back surface or a recess opening in the substrate main surface or the substrate back surface;
An IC chip built in the housing;
A fixing resin for fixing the IC chip in the housing portion;
A method of manufacturing a wiring board comprising:
Forming a film on the surface of the IC chip using a coupling agent;
Placing the IC chip on which the coating film is formed in a housing portion of the substrate body;
Filling and curing the fixing resin in the housing portion in which the IC chip is disposed , and
A method for manufacturing a wiring board, wherein a coupling agent having a coupling agent having a hydrophobic organic functional group in a molecule at 20 wt % or more is used as the coupling agent . 請求項５に記載の配線基板の製造方法であって、It is a manufacturing method of the wiring board according to claim 5,
前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５As the coupling agent, 5 coupling agents having a hydrophilic organic functional group in the molecule are used. wtwt ％以下としてなるカップリング剤を用いる% Or less coupling agent is used
配線基板の製造方法。A method for manufacturing a wiring board.
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