JP3929926B2 - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッドに係り、特に記録時の磁気飽和を適切に防止して、ギャップ近傍にて大きな漏れ磁界を発生させることができ、またオーバーライト特性などの諸特性の向上を図ることができ、さらにはトラック幅制御性を向上させることが可能な磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２４は、従来における磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図２５は、図２４に示す２５−２５線から切断された薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分縦断面図である。
【０００３】
図２４及び図２５に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の上に、絶縁層９が形成されている。
【０００４】
絶縁層９には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された溝部９ａが形成されている。
【０００５】
この溝部９ａ内には、下から順に、下部コア層１に磁気的に接続する下部磁極層３、ギャップ層４、及び上部コア層６に磁気的に接続する上部磁極層５がメッキ形成されている。
そして図２４に示すように、上部磁極層５上に上部コア層６がメッキ形成されている。
【０００６】
また図２５に示すように、絶縁層９の上には、螺旋状にパターン形成されたコイル層７が設けられている。
【０００７】
そしてコイル層７は、レジストなどのコイル絶縁層８により覆われており、コイル絶縁層８の上に、上部コア層６が形成されている。上部コア層６は、その先端部６ａにて上部磁極層５と、また基端部６ｂにて下部コア層１と磁気的に接続された状態になっている。
【０００８】
図２４および図２５に示すインダクティブヘッドでは、コイル層７に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３及び上部コア層６と磁気的に接続する上部磁極層５間からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００９】
図２４及び図２５に示す従来の薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離だけ離れた下部コア層１上に、例えば有機絶縁材料で形成されたＧｄ決め層１０が形成されている。
【００１０】
対向面からＧｄ決め層１０間には、下から下部磁極層３、ギャップ層４及び上部磁極層５が順に積層されている。図２１では、ギャップデプス（Ｇｄ）は、対向面からギャップ層４とＧｄ決め層１０とが接する位置までの長さＴ２で決められ、ギャップデプスの長さの制御をＧｄ決め層１０の形成位置で容易に適正化できると共に、上部磁極層５をＧｄ決め層１０上にまで延ばして形成することで、上部磁極層５をギャップデプスの長さよりも延ばすことができるから、ギャップデプスの長さ寸法に関わらず、上部磁極層５と上部コア層６との接触面積を大きくすることができ、今後の高記録密度化においても上部磁極層５の磁気飽和を適切に低減できる。
【００１１】
図２４及び図２５に示される磁気ヘッドは、特許文献１に記載されている。
しかし、図２４及び図２５に示される磁気ヘッドでは、下部磁極層３のハイト方向長さ寸法が記録媒体との対向面からＧｄ決め層１０の前端面までの距離で規定されることになり、下部磁極層３の体積を大きくすることが難しかった。
【００１２】
図２６に示される磁気ヘッドは、下部磁極層のハイト方向（図示Ｙ方向）長さ寸法を大きくすることが容易な磁気ヘッドである。
【００１３】
図２６に示される磁気ヘッドでは、下部コア層１１の記録媒体との対向面側上に、下部磁極層１２が接続されており、下部磁極層１２の後方部１２ａが削り取られて前方部１２ｂより膜厚が薄くなっている。下部コア層１１の上には絶縁層１３が形成されており、絶縁層１３の先端部１３ａが下部磁極層１２の後方部１２ａの上に積層されている。
【００１４】
図２６に示される磁気ヘッドのギャップデプス長は記録媒体との対向面から絶縁層１３の先端部１３ａまでの距離Ｔ３で規定される。
【００１５】
下部磁極層１２の上には、ギャップ層１４、上部磁極層１５が形成されている。図２６に示される磁気ヘッドのトラック幅Ｔｗも下部磁極層１２、ギャップ層１４、及び上部磁極層１５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）寸法で規定される。
【００１６】
ギャップ層１４、上部磁極層１５の後方及び側方には絶縁層１６が設けられている。また、絶縁層１６の上には、螺旋状にパターン形成されたコイル層１７が設けられている。そしてコイル層１７は、レジストなどのコイル絶縁層１８により覆われており、コイル絶縁層１８の上に、上部コア層１９が形成されている。上部コア層１９は、その先端部１９ａにて上部磁極層１５と、また基端部１９ｂにて下部コア層１１と磁気的に接続された状態になっている。
図２６に示される磁気ヘッドの磁極構造は、特許文献２に記載されている。
【００１７】
【特許文献１】
特開２００２−３５２４０２号公報
【特許文献２】
特開２００２−８２０８号公報（第９頁、第３図）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
図２４及び図２５に示される磁気ヘッドでは、下部磁極層３の体積を大きくすることが難しいため、下部磁極層３のところで磁気飽和が生じやすく、オーバーライト特性を向上させることが難しい。
【００１９】
一方、図２６に示される磁気ヘッドは、下部磁極層のハイト方向（図示Ｙ方向）長さ寸法を大きくすることが容易であり下部磁極層３のところにおける磁気飽和が生じにくい。
【００２０】
しかし、図２６に示される磁気ヘッドは、下部磁極層１２の後方部１２ａを削り取る位置によってギャップデプス長が決まるものである。下部磁極層１２の後方部１２ａを削り取る位置にはバラツキが生じやすい。すなわち、図２６に示された磁気ヘッドの構造だとオーバーライト特性にバラツキが生じやすくなる。
【００２１】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、形成位置を正確に規定することができるＧｄ決め層を有しつつ、下部磁極層の体積を大きくすることが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）下部コア層上の記録媒体との対向面となる位置よりもハイト方向に離れた位置に、非磁性材料を用いて、Ｇｄ決め層を形成する工程と、
（ｂ）前記Ｇｄ決め層によってマスクされない前記下部コア層の表面を削り、前記Ｇｄ決め層の下に補助磁極層を形成する工程と、
（ｃ）次工程で、前記補助磁極層と下部磁極層とが磁気的に接続されつつ、電気的に絶縁されるように、前記補助磁極層の前端面に絶縁層を設ける工程と、
（ｄ）前記下部コア層上であって、記録媒体との対向面となる位置から前記補助磁極層の前端面に形成された前記絶縁層の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成し、これにより、前記下部磁極層と前記補助磁極層とを磁気的に接続し、電気的に絶縁する工程と、
（ｅ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｆ）前記下部磁極層、ギャップ層、上部磁極層からハイト方向に離れた位置にコイル層を形成する工程と、
（ｇ）前記上部磁極層の上に、上部コア層を形成する工程。
【００２３】
本発明では、下部コア層上に、非磁性材料からなるＧｄ決め層を設けるため、ギャップデプス長を正確に規定することが容易である。従って、磁気ヘッドのオーバーライト特性を均一化できる。
【００２４】
さらに、Ｇｄ決め層と下部コア層の間に、磁性材料によって形成された補助磁極層を設け、前記下部磁極層の後端面を前記補助磁極層の前端面に接続するため、下部磁極層のところにおける磁気飽和を低減でき、磁気ヘッドのオーバーライト特性を向上させることができる。
【００２５】
また、前記下部磁極層と前記補助磁極層が電気的に絶縁されていると、前記下部磁極層の上面を平坦化することが容易になり、磁気ヘッドの記録特性を均一化することが容易になる。
【００２６】
または、本発明の磁気ヘッドの製造方法は以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００２７】
（ｈ）下部コア層上に、この下部コア層を形成する磁性材料とは異なる磁性材料からなる磁性材料層を形成する工程と、
（ｉ）前記磁性材料層上の記録媒体との対向面となる位置よりもハイト方向に離れた位置に、非磁性材料を用いて、Ｇｄ決め層を形成する工程と、
（ｊ）前記Ｇｄ決め層によってマスクされない前記磁性材料層の表面を削り，Ｇｄ決め層の下に補助磁極層を形成する工程と、
（ｋ）次工程で、前記補助磁極層と下部磁極層とが磁気的に接続されつつ、電気的に絶縁されるように、前記補助磁極層の前端面に絶縁層を設ける工程と、
（ｌ）前記下部コア層上であって、記録媒体との対向面となる位置から前記補助磁極層の前端面に形成された前記絶縁層の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成し、これにより、前記下部磁極層と前記補助磁極層とを磁気的に接続し、電気的に絶縁する工程と、
（ｍ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｎ）前記下部磁極層、ギャップ層、上部磁極層からハイト方向に離れた位置にコイル層を形成する工程と、
（ｏ）前記上部磁極層の上に、上部コア層を形成する工程。
【００２８】
本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、前記補助磁極層を下部コア層と異なる材料によって形成することができる。
【００２９】
また、前記下部磁極層と前記補助磁極層が電気的に絶縁されていると、前記下部磁極層の上面を平坦化することが容易になり、磁気ヘッドの記録特性を均一化することが容易になる。
【００３０】
特に、前記磁性材料層の飽和磁束密度を、前記下部コア層を形成する磁性材料の飽和磁束密度より大きくすると、前記補助磁極層の飽和磁束密度を、前記下部コア層を形成する磁性材料の飽和磁束密度より大きくすることができる。
【００３１】
本発明の磁気ヘッドの製造方法では、前記Ｇｄ決め層の前端面と前記補助磁極層の前端面を連続面にすることができる。
【００３２】
前記下部磁極層と前記補助磁極層の磁気的な接続を確実にするために、前記（ｃ）工程及び前記（ｋ）工程において、前記絶縁層の前記補助磁極層の前端面に対する法線方向の膜厚を、５０Å以上６０００Å以下にすることが好ましい。
【００３３】
本発明では、前記ギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択された非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【００３４】
また本発明では、前記（ｃ）工程及び前記（ｋ）工程は、前記下部コア層、前記補助磁極層及びＧｄ決め層を覆うように無機絶縁材料より成る前記絶縁層を形成した後、前記下部コア層上及び前記Ｇｄ決め層上に形成された前記絶縁層を除去することによって行うことが好ましい。
【００３５】
あるいは、前記（ｃ）工程及び前記（ｋ）工程は、前記補助磁極層の前端面に有機絶縁材料から成る前記絶縁層をフォトリソグラフィー技術により形成することによって行ってもよい。
【００３６】
【発明の実施の形態】
図１は、参考例の形態の磁気ヘッドの正面図、図２は図１に示す磁気ヘッドをＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た縦断面図である。図２に示す記録用の磁気ヘッドＨｗが本発明の磁気ヘッドであり、いわゆるインダクティブヘッドＨｗである。このインダクティブヘッドＨｗは、例えば磁気抵抗効果を利用した再生用磁気ヘッドＨｒの上に積層される。
【００３７】
図１及び図２に示される磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するセラミック材のスライダ２１のトレーリング端面２１ａに形成されたものであり、再生用磁気ヘッドＨｒと、書込み用のインダクティブヘッドとが積層された、複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００３８】
図１及び図２に示すように、スライダ２１のトレーリング側端面２１ａ上にＡｌ_２Ｏ_３膜２２を介して再生用磁気ヘッドＨｒが形成されている。再生用磁気ヘッドＨｒは、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。
【００３９】
再生用磁気ヘッドＨｒは、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子やトンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ素子、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である磁界読み取り部Ｍと、磁界読み取り部Ｍの上下に下部ギャップ層２４及び上部ギャップ層２５を介して形成された下部シールド層２３と上部シールド層２６を有している。
【００４０】
磁界読み取り部Ｍのトラック幅方向（Ｘ方向）の長さが、再生用磁気ヘッドＨｒのトラック幅Ｔｒである。また、上部シールド層２６と下部シールド層２３間の距離はＨ２である。
【００４１】
下部ギャップ層２４及び上部ギャップ層２５は、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２などの絶縁性材料からなり、下部シールド層２３及び上部シールド層２６は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成されている。
【００４２】
上部シールド層２６の上には、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２などの絶縁性材料からなる分離層２７が積層されており、分離層２７の上にインダクティブヘッドＨｗが積層されている。
【００４３】
分離層２７の上には、下部コア層３０が積層されている。下部コア層３０上には、図２に示されるように補助磁極層３１を介してＧｄ決め層３２が形成されている。本形態では、補助磁極層３１は下部コア層３０と一体に形成されている。Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａと補助磁極層３１の前端面３１ａは、段差のない連続面をなしている。Ｇｄ決め層３２及び補助磁極層３１は、本形態の特徴をなす構成要素であるので、のちにくわしく説明する。
【００４４】
記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層３２の前端面３２ａまでの長さ寸法でギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。
【００４５】
また図２に示すように、記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層３２上にかけて磁極部３３が形成されている。
【００４６】
磁極部３３は下から下部磁極層３４、非磁性のギャップ層３５、及び上部磁極層３６が積層されて形成されている。
【００４７】
下部磁極層３４は、下部コア層３０上にメッキ形成されている。また下部磁極層３４の上に形成されたギャップ層３５は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３５は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００４８】
なお本形態では、ギャップ層３５にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層３５を形成することで前記ギャップ層３５を適切に非磁性状態にできるからである。またギャップ層３５がＮｉＰ合金で形成されると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、下部磁極層３４及び上部磁極層３６との密着性も良い。また下部磁極層３４及び上部磁極層３６との硬さも同等とすることができるので、例えばイオンミリング等により、下部磁極層３４、ギャップ層３５及び上部磁極層３６を加工する際の加工量も同等とすることができ加工性を向上させることができる。
【００４９】
なお、ギャップ層３５はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のギャップ層３５の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【００５０】
なおギャップ層３５は例えばＡｌ_２Ｏ_３などの絶縁物であっても良いが、かかる場合、ギャップ層３５上に上部磁極層３６をメッキ形成するためのメッキ下地を形成する必要があり、磁極部３３の形成が煩雑化するため、ギャップ層３５はメッキ形成されることが好ましい。
【００５１】
さらにギャップ層３５の上に形成された上部磁極層３６は、その上に形成される上部コア層４１と磁気的に接続される。
【００５２】
上記のようにギャップ層３５がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層３４、ギャップ層３５及び上部磁極層３６を連続メッキ形成することが可能である。
【００５３】
図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層３６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は上部コア層４１の幅寸法よりも短く形成されており、この上部磁極層３６の幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制されている。トラック幅Ｔｗは、例えば０．１μｍ〜１．０μｍである。または０．１μｍ〜０．５μｍである。
【００５４】
上部磁極層３６及び下部磁極層３４は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【００５５】
本形態では、上部磁極層３６は、磁性層３６ａと磁性層３６ｂの積層構造で形成され、図２に示されるように磁性層３６ａはギャップ層３５上からＧｄ決め層３２上にかけて形成されている。
【００５６】
磁性層３６ｂは、磁性層３６ａを形成する軟磁性材料と同じ組成式で表わされる軟磁性材料で形成されてもよいし、異なる組成式を有する軟磁性材料で形成されてもよい。
【００５７】
ただし、磁性層３６ａは磁性層３６ｂよりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料によって形成されることが好ましい。
【００５８】
このようにギャップ層３５に近い磁性層３６ａを飽和磁束密度の大きい磁性材料で形成することで上部コア層４１から流れてきた磁束をギャップ近傍に集約することが容易になり、記録密度を向上させることが可能になる。
【００５９】
なお磁性層３６ｂも磁性層３６ａと同じ材質の磁性材料で形成する場合、例えばＮｉＦｅ合金で形成する場合には、磁性層３６ａ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量を磁性層３６ｂ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量よりも大きくすることで、磁性層３６ａの飽和磁束密度Ｂｓを磁性層３６ｂの飽和磁束密度Ｂｓよりも大きくすることができる。
【００６０】
また上部磁極層３６が３層以上の多層膜として形成される場合も同様に、ギャップ層３５に近い磁性層ほど飽和磁束密度Ｂｓが高くなるように磁性材料を選択することが好ましい。
なお磁極部は、ギャップ層３５及び上部磁極層３６のみで構成されていてもよい。
【００６１】
下部コア層３０の上であって、Ｇｄ決め層３２のハイト方向（図示Ｙ方向）後方には絶縁層３７が形成されており、絶縁層３７上には、Ｃｕなどの導電性材料によってコイル層３８が螺旋状にパターン形成されている。またコイル層３８は２層構造になっており、無機絶縁材料製の絶縁層３９及び有機絶縁材料製のコイル絶縁層４０によって覆われている。
【００６２】
図２に示すように、磁極部３３上からコイル絶縁層４０上にかけて上部コア層４１が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。また、図１に示すように、上部コア層４１の先端部４１ａは、記録媒体との対向面Ｆでのトラック幅方向における幅寸法がＷ１で形成され、かかる幅寸法Ｗ１はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。
【００６３】
また図２に示すように、上部コア層４１の基端部４１ｂは、下部コア層３０上に形成された磁性材料製の接続層（バックギャップ層）４２上に接続されている。
【００６４】
また、上部コア層４１は、上部磁極層３６の磁性層３６ｂと結合している。磁性層３６ｂは上部コア層４１よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料によって形成されることが好ましい。
【００６５】
上部コア層４１と下部コア層３０は、ＮｉＦｅなどによってメッキ形成されている。上部コア層４１と上部磁極層３６は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。下部コア層３０と下部磁極層３４は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。また、下部磁極層３４は、下部コア層３０よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料で形成されることが好ましい。
【００６６】
記録媒体との対向面において、下部コア層３０の上面は平坦面３０ａで形成されてもよいし、磁極部３３の基端からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に離れるにしたがって下面方向に傾く傾斜面３０ｂで形成されてもよい。下部コア層３０の上面が傾斜面３０ｂで形成されると上部コア層４１と下部コア層３０の間隔を広げられるためサイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【００６７】
図１に示すように、磁極部３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には絶縁層３９が露出している。
【００６８】
コイル層３８に記録電流が与えられると、下部コア層３０及び上部コア層４１に記録磁界が誘導され、ギャップ層３５を介して対向する下部磁極層３４及び上部磁極層３６間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００６９】
特徴部分についてのべる。
図３は、図２に示された薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面Ｆ周辺の部分拡大断面図である。
【００７０】
記録媒体との対向面Ｆよりもハイト方向後方の下部コア層３０上にはＧｄ決め層３２が設けられている。Ｇｄ決め層３２が設けられていると、ギャップデプス長を正確に規定することが容易になる。本形態では、ギャップ層３５の後端面３５ａが、Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａと接しており、記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層３２の前端面３２ａまでの距離でギャップデプス長Ｌ１を正確に規定することができる。従って、磁気ヘッドのオーバーライト特性を均一化できる。
【００７１】
さらに、Ｇｄ決め層３２と下部コア層３０の間に、磁性材料によって形成された補助磁極層３１が設けられており、下部磁極層３４の後端面３４ａが補助磁極層３１の前端面３１ａに接続されているため、下部磁極層３４のところにおける磁気飽和を低減でき、磁気ヘッドのオーバーライト特性の立ち上がりが急峻になる。またオーバーライト特性の絶対値も大きくなるので記録電流をすくなくすることができる。また、磁束を上部磁極層３６の後方部から補助磁極層３１に逃がすことができ、サイドフリンジングを低減できる。
【００７２】
本形態では、Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａと補助磁極層３１の前端面３１ａを段差のない連続面Ｃとすることができる。また、補助磁極層３１は下部コア層３０から削りだされたものであり、補助磁極層３１と下部コア層３０は一体に形成されている。
【００７３】
なお、Ｇｄ決め層３２の上面の全領域に，メッキ下地層８４が形成されているので、上部磁極層３６全体を所定膜厚で形成することができる。
【００７４】
Ｇｄ決め層３２の上面にメッキ下地層８４が形成されていれば、上部磁極層３６を所定膜厚で形成することができる。ただし、Ｇｄ決め層３２の幅が４μｍ以下であればメッキ下地層８４がなくても、上部磁極層３６を所定膜厚で形成することがてきる。
【００７５】
従って、上部磁極層３６が磁気飽和することを防止することができ、磁性層３６ａの対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【００７６】
図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造方法を図４ないし図１２に示す製造工程図を用いて以下に説明する。図４ないし図１２に示す製造工程図は製造途中の磁気ヘッドの縦断面図（すなわち図示Ｙ−Ｚ平面と平行な平面から切断した断面図）である。
【００７７】
図４に示す工程では、ＮｉＦｅ系合金等からなる下部コア層３０をメッキ形成し、下部コア層３０のハイト側後端面よりもハイト方向（図示Ｙ方向）や前記下部コア層３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側をＡｌ_２Ｏ_３などの絶縁材料層４３によって埋めた後、ＣＭＰ技術等を用いて下部コア層３０表面及び絶縁材料層４３の表面を研磨加工し、平らな面とする。
【００７８】
次に、下部コア層３０及び絶縁材料層４３上にＧｄ決め層３２となる非磁性層８１を成膜する。非磁性層８１は、レジストなどの有機絶縁材料やＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などの無機絶縁材料によって形成している。非磁性層８１をレジストを用いて形成したとき、このレジストを熱硬化させると後の工程で、Ｏ_２を用いる反応性イオンエッチングによってパターン形成することがてきる。
さらに、第２非磁性層８２の上にメッキ下地層８４を金属材料によって形成する。
【００７９】
メッキ下地層８４は、例えば、Ｔｉ膜やＴｉ／Ａｕ積層膜などの非磁性膜、または、ＦｅＣｏ膜、ＦｅＣｏ／Ｔｉ／Ａｕ積層膜などの磁性膜として形成される。ただし、メッキ下地層８４はＴｉ膜やＴｉ／Ａｕ積層膜などのメッキ液中における耐蝕性が高い膜のほうが好ましい。
【００８０】
メッキ下地層８４は１００Å〜２００Å、非磁性層８１は０．２μｍ〜３．０μｍの厚さで形成される。
【００８１】
次に、メッキ下地層８４を、Ｇｄ決め層３２の平面形状と同じ平面形状にパターン形成する。
【００８２】
次に図５に示される工程では、パターン形成されたメッキ下地層８４によってマスクされない領域の非磁性層８１を、イオンミリングや反応性イオンエッチングを用いて除去する。残された非磁性層８１がＧｄ決め層３２になる。
【００８３】
非磁性層８１が熱硬化処理されたレジスト層であるときにはＯ_２を用いる反応性イオンエッチングを行う。マスクされない領域の非磁性層８１を反応性イオンエッチングによって除去することにより、Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａを、下部コア層３０の上面に対する垂直面にすることが可能になる。
【００８４】
ただし、非磁性層８１をレジストフォトリソグラフィーによってパターン形成し熱硬化させることで、Ｇｄ決め層３２を形成してもよい。
【００８５】
次に、Ｇｄ決め層３２をマスクとして下部コア層３０の表面をイオンミリングでけずって、補助磁極層３１を形成する。このとき、Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａと補助磁極層３１の前端面３１ａは段差のない連続面Ｃとなる。補助磁極層３１は下部磁極層３４とギャップ層３５の合計膜厚より小さな膜厚で形成する。本形態では補助磁極層３１を、０．２μｍ〜２．０μｍの厚さで形成する。
【００８６】
次に、図７に示される工程では、磁極部３３の形状の溝部が形成されたレジスト層Ｒ１をフレームとして、下部磁極層３４、ギャップ層３５、上部磁極層３６を連続メッキ成膜する。
【００８７】
下部磁極層３４及び上部磁極層３６には、ＮｉＦｅ合金やＣｏＦｅ合金、ＣｏｂＦｅＮｉ合金などの磁性材料を使用でき、これら磁性材料は組成比を調整することで高飽和磁束密度Ｂｓを得ることができる。この形態において高飽和磁束密度Ｂｓとは１．８Ｔ以上の飽和磁束密度を意味する。
【００８８】
また下部磁極層３４及び上部磁極層３６は単層構造であってもよいし多層の積層構造であってもよい。
【００８９】
ギャップ層３５は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３５は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００９０】
なお本形態では、ギャップ層３５にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層３５を形成することで前記ギャップ層３５を適切に非磁性状態にできるからである。またギャップ層３５がＮｉＰ合金で形成されると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、下部磁極層３４及び上部磁極層３６との密着性も良い。また下部磁極層３４及び上部磁極層３６との硬さも同等とすることができるので、例えばイオンミリング等により、下部磁極層３４、ギャップ層３５及び上部磁極層３６を加工する際の加工量も同等とすることができ加工性を向上させることができる。
【００９１】
なお、ギャップ層３５はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のギャップ層３５の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【００９２】
なおギャップ層３５は例えばＡｌ_２Ｏ_３などの絶縁物であっても良いが、かかる場合、ギャップ層３５上に上部磁極層３６をメッキ形成するためのメッキ下地を形成する必要があり、磁極部３３の形成が煩雑化するため、ギャップ層３５はメッキ形成されることが好ましい。
【００９３】
上記のようにギャップ層３５がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層３４、ギャップ層３５及び上部磁極層３６を連続メッキ形成することが可能である。
【００９４】
このとき、下部磁極層３４の後端面３４ａが補助磁極層３１の前端面３１ａに接続されるため、下部磁極層３４のところにおける磁気飽和を低減でき、磁気ヘッドのオーバーライト特性の立ち上がりが急峻になる。またオーバーライト特性の絶対値も大きくなるので記録電流をすくなくすることができる。また、磁束を上部磁極層３６の後方部から補助磁極層３１に逃がすことができ、サイドフリンジングを低減できる。磁気ヘッドのオーバーライト特性を向上させることができる。
【００９５】
また、ギャップ層３５のハイト方向側の後端面３５ａが、Ｇｄ決め層３２の対向面側の前端面３６ａに接触する状態になるようにする。これによって、記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層３２の前端面３２ａまでの距離でギャップデプス長Ｌ１を正確に規定することができる。
【００９６】
またＧｄ決め層３２のギャップ層３５と接触する面（前端面）３２ａが下部コア層３０の表面に対する垂直面であると、ギャップ層３５のハイト方向寸法を正確に規定でき、ギャップデプスの寸法を正確に形成することが容易になる。ただし、Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａが、傾斜面や曲面状になっていてもよい。
【００９７】
上記の磁気ヘッドの製造方法では、パターン形成されたメッキ下地層８４をマスクとして、Ｇｄ決め層３２を形成するので、メッキ下地層８４をＧｄ決め層３２の上面の全ての領域を覆うものとして形成できる。
【００９８】
従って、上部磁極層３６をメッキ下地層８４上まで確実に形成することができ、安定した記録特性を発揮することのできる磁気ヘッドを提供することができる。
【００９９】
次に、図８に示される工程では、Ｇｄ決め層３２のハイト方向後方にＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２などの無機材料によって絶縁層３７を形成した後、コイル層３８の下層部を螺旋状にメッキ形成し、無機材料からなる絶縁層３９を成膜する。
【０１００】
さらに、図９に示される工程では、例えばＣＭＰ技術を用いて磁極部３３の上面、絶縁層３９の上面、接続層４２の上面とを同一平面に平坦化する。
【０１０１】
その後、絶縁層３９の上にコイル層３８の上層部を螺旋状にメッキ形成した後、コイル層３８の上にコイル絶縁層４０を形成する。そして磁極部３３上からコイル絶縁層４０上にかけて上部コア層４１を例えばフレームメッキ法により形成する。上部コア層４１の基端部４１ｂは接続層４２に接続される。これによって、図１及び図２に示される磁気ヘッドを得ることができる。
【０１０２】
図１０は、図５に示された工程における下部コア層３０、Ｇｄ決め層３２の斜視図、図１１は、図６に示された工程における下部コア層３０、補助磁極層３１、Ｇｄ決め層３２の斜視図、図１２は、図７に示された工程後における下部コア層３０、補助磁極層３１、磁極部３３及びＧｄ決め層３２の斜視図である。
【０１０３】
図１１に示されるように、補助磁極層３１はＧｄ決め層３２をマスクとして形成されるので、補助磁極層３１は、Ｇｄ決め層３２と同じ平面形状で形成される。
【０１０４】
また、図１２に示されるように、補助磁極層３１及びＧｄ決め層３２のトラック幅方向寸法（図示Ｘ方向寸法）は、磁極部３３のトラック幅方向寸法より大きくなっており、下部磁極層３４のところにおける磁気飽和を効果的に低減することができる。
【０１０５】
本形態では、Ｇｄ決め層３２をマスクとして補助磁極層３１を形成したのち磁極部３３をメッキ形成している。これに対し、図１３に示されるように、Ｇｄ決め層３２を形成したのち、レジスト層Ｒ１に形成した溝内部に磁極部３３をメッキ形成し、図１４に示される工程において、イオンミリングをおこなって下部コア層３０の表面を削り、補助磁極層３１を形成する方法も考えられる。しかし、図１３及び図１４に示される方法だと以下に示す問題が生じることがある。
【０１０６】
まず、図１４に示されるイオンミリング工程において、下部コア層３０の表面を削ったとぎの削りカスが磁極部３３のトラック幅方向側部に付着して、再付着層Ｓ１，Ｓ１が形成され上部磁極層３６と下部磁極層３４が短絡するという問題が生じる。また、上部磁極層３６と下部磁極層３４のトラック幅方向寸法を所定の大きさに正確に加工できなくなる。
【０１０７】
また、同イオンミリング工程において、下部コア層３０の表面を削ったときの削りカスが補助磁極層３１及びＧｄ決め層３２の記録媒体との対向面側の前端部及びハイト方向側の後端部に付着して、再付着層Ｓ２，Ｓ２が形成され、これによっても上部磁極層３６と下部磁極層３４が短絡するという問題が生じる。
【０１０８】
また、磁極部３３をメッキ形成したあとのイオンミリング工程によって、磁極部３３の上面が厚さｔ１だけ削られる。したがって、図１３に示される工程において磁極部３３を該イオンミリング工程によって削られる厚さ分だけ厚く形成する必要があり、その分だけレジスト層Ｒ１を厚く形成する必要がでてくる。しかし、レジスト層Ｒ１を厚くすると、レジストフォトリソグラフィーの解像度が低下し、磁極部３３を形成するための溝のトラック幅方向寸法を小さくすることが難しくなる。すなわち、磁極部３３のトラック幅方向寸法を小さくすることが難しくなる。
【０１０９】
さらに、図１４に示される工程におけるイオンミリング工程で、補助磁極層３１を形成する際に、補助磁極層３１の膜厚寸法（図示Ｚ方向寸法）を大きくすることが難しくなり、下部磁極層３４のところにおける磁気飽和を効果的に低減するだけの体積を有する補助磁極層３１を形成できなくなることがある。
【０１１０】
一方、図５から図７に示されるように、Ｇｄ決め層３２をマスクとして補助磁極層３１を形成したのち磁極部３３をメッキ形成すれば、これらの問題を回避することができる。
【０１１１】
また、補助磁極層と下部コア層を異なる材料によって形成することもできる。
この場合には、図１５に示されるように、下部コア層３０上に、この下部コア層３０を形成する磁性材料とは異なる磁性材料からなる磁性材料層９０を形成し、
磁性材料層９０上にＧｄ決め層３２となる非磁性層８１を成膜する。第１非磁性層８１は、レジストなどの有機絶縁材料やＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などの無機絶縁材料によって形成している。
【０１１２】
さらに、非磁性層８１の上にメッキ下地層８４を金属材料によって形成し、メッキ下地層８４を、Ｇｄ決め層３２の平面形状と同じ平面形状にパターン形成する。
【０１１３】
次に図１６に示される工程では、パターン形成されたメッキ下地層８４によってマスクされない領域の非磁性層８１をイオンミリングや反応性イオンエッチングを用いて削って除去する。残された非磁性層８１がＧｄ決め層３２になる。
【０１１４】
非磁性層８１が熱硬化処理されたレジスト層であるときにはＯ_２を用いる反応性イオンエッチングを行うことにより、Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａを、下部コア層３０の上面に対する垂直面にすることが可能になる。
【０１１５】
ただし、非磁性層８１をレジストフォトリソグラフィーによってパターン形成し熱硬化させることで、Ｇｄ決め層３２を形成してもよい。
【０１１６】
次に、Ｇｄ決め層３２をマスクとして磁性材料層９０をイオンミリングでけずって、補助磁極層９１を形成する。このとき、Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａと補助磁極層９１の前端面９１ａは段差のない連続面Ｃとなる。補助磁極層９１は０．２μｍ〜２．０μｍの厚さで形成される。
【０１１７】
次に、図７に示される工程と同様に、磁極部３３の形状の溝部が形成されたレジスト層をフレームとして、下部磁極層３４、ギャップ層３５、上部磁極層３６を連続メッキ成膜し、さらに、コイル層３８、上部コア層４１を形成する。
【０１１８】
特に、磁性材料層９０の飽和磁束密度を、下部コア層３０を形成する磁性材料の飽和磁束密度より大きくすると、補助磁極層９１の飽和磁束密度を、下部コア層３０を形成する磁性材料の飽和磁束密度より大きくすることができ、ギャップ層３５付近に近づくにつれて磁束密度を大きくすることができる。
【０１１９】
なお、図１７に示される工程では、磁性材料層９０と下部コア層３０のさかい目までイオンミリングでけずって補助磁極層９１を形成しているが、磁性材料層９０と下部コア層３０のさかい目よりも上または下でイオンミリングをとめてもよい。磁性材料層９０と下部コア層３０のさかい目よりも上でイオンミリングをとめると、補助磁極層９１以外の磁性材料層９０は、下部コア層として機能する。また、磁性材料層９０と下部コア層３０のさかい目よりも下でイオンミリングをとめると、補助磁極層９１の一部は、下部コア層３０と同じ材料の層になる。
【０１２０】
ところで、補助磁極層３１を形成したのち磁極部３３をメッキ形成すると、下部磁極層３４及びギャップ層３５をメッキ形成するときに、補助磁極層３１上からも、下部磁極層３４及びギャップ層３５が成長することがある。その結果、図１８に示されるように、下部磁極層３４及びギャップ層３５のＧｄ決め層３２付近に湾曲部３４ｂ、３５ｂが形成され、下部磁極層３４及びギャップ層３５が平坦な薄膜として形成されなくなることがある。下部磁極層３４及びギャップ層３５が湾曲すると、磁気ヘッドの記録特性が劣化することがある。
【０１２１】
下部磁極層３４の上面及びギャップ層３５を確実に平坦化するためには、図１９（実施形態）に示されるように、下部磁極層３４の後端面３４ａと補助磁極層３１の前端面３１ａの間に、薄い絶縁層９２を設けて、下部磁極層３４と補助磁極層３１が磁気的に接続されつつ、電気的に絶縁されている状態にすることが好ましい。
【０１２２】
下部磁極層３４と補助磁極層３１が電気的に絶縁されていると、下部磁極層３４及びギャップ層３５をメッキ形成するときに、補助磁極層３１上から、下部磁極層３４が成長して湾曲することを防止でき、下部磁極層３４及びギャップ層３５をを確実に平坦化させて、磁気ヘッドの記録特性を均一化することが容易になる。
【０１２３】
なお、下部磁極層３４と補助磁極層３１の電気的な絶縁及び磁気的な接続を確実にするために下部磁極層３４の後端面３４ａと補助磁極層３１の前端面３１ａの距離ｔ２は、ギャップ層３５の膜厚の２倍以下であることが好ましく、より好ましくは、ギャップ層３５の膜厚以下である。本実施の形態では、距離ｔ２は５０Å以上６０００Å以下であることが好ましい。
【０１２４】
なお、図１９では補助磁極層３１の後端面３１ｂ側にも、絶縁層９２が設けられているが、これは後述する製造方法に由来するものである。
【０１２５】
絶縁層９２は、図６に示された工程によって補助磁極層３１を形成したのち、例えば以下にしめす方法で形成することができる。
【０１２６】
まず、図２０に示されるように、下部コア層３０、補助磁極層３１、Ｇｄ決め層３２、メッキ下地層８４を覆うように絶縁層９２をスパッタ法や蒸着法を用いて成膜する。絶縁層９２の材料にはＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２などの無機絶縁材料を用いる。次に、図２１に示される工程で、下部コア層３０及びメッキ下地層８４の膜面垂直方向（図示Ｚ方向と逆方向）からの異方性イオンミリングまたは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって、下部コア層３０及びメッキ下地層８４上の絶縁層９２を除去する。このとき、下部コア層３０及びメッキ下地層８４上の絶縁層９２を完全に除去し、補助磁極層３１の前端面３１ａ上の絶縁層９２の膜厚を５０Å以上６０００Å以下にする。その後、図８に示される工程と同様にして磁極層３３を形成し、さらにコイル層、上部コア層を形成する。
【０１２７】
あるいは、図２２に示されるように、下部磁極層３４の後端面３４ａと補助磁極層３１の前端面３１ａの間の絶縁層９３をレジストなどの有機絶縁材料を用いて形成してもよい。絶縁層９３はレジストフォトリソグラフィーによって所定の形状に形成される。なお、下部磁極層３４の後端面３４ａと補助磁極層３１の前端面３１ａの距離ｔ３を、５０Å以上６０００Å以下にすることが好ましい。また、下部コア層３０の膜面垂直方向（図示Ｚ方向と逆方向）からの異方性イオンミリングまたは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって、Ｇｄ決め層３２上の絶縁層９３を除去してもよい。
【０１２８】
図２３は、他の形態の磁気ヘッドの縦断面図である。
再生用磁気ヘッドＨｒの構成は、図１及び図２に示された磁気ヘッドの再生用磁気ヘッドＨｒと同じである。なお、以下の説明において図１及び図２に示された磁気ヘッドと同じ名称の層は、特に説明のない限り同じ材料で形成されているものとする。
【０１２９】
そして分離層２７の上に下部コア層６０が形成されている。下部コア層６０はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。下部コア層６０は記録媒体との対向面Ｆからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。
【０１３０】
下部コア層６０には記録媒体との対向面Ｆからハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法で形成された隆起部６０ａが形成されている。隆起部６０ａは下部コア層６０の一部をなすものであるが、下部コア層６０の下層部６０ｂと一体に形成されていてもよいし、別体に形成されていてもよい。
【０１３１】
隆起部６０ａのハイト方向後端面６０ａ１からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置にバックギャップ層６２が下部コア層６０上に形成されている。
【０１３２】
隆起部６０ａ及びバックギャップ層６２は磁性材料で形成され、下部コア層６０の下層部６０ｂと同じ材質で形成されてもよいし、別の材質で形成されていてもよい。また隆起部６０ａ及びバックギャップ層６２は単層であってもよいし多層の積層構造で形成されていてもよい。隆起部６０ａ及びバックギャップ層６２は下部コア層６０の下層部６０ｂに磁気的に接続されている。
【０１３３】
下部コア層６０及びバックギャップ層６２に囲まれて形成された空間内にＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２などの絶縁材料で形成されたコイル絶縁下地層６３が形成され、コイル絶縁下地層６３上に、バックギャップ層６２の周囲をらせん状に巻回するコイル層６４が形成されている。コイル層６４の上にはコイル絶縁層６５が，無機材料によって形成されている。
【０１３４】
隆起部６０ａの上には、記録媒体との対向面Ｆからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ決め層３２が形成されている。
【０１３５】
さらに、Ｇｄ決め層３２と下部コア層６０の隆起部６０ａ間に、磁性材料によって形成された補助磁極層９４が設けられている。補助磁極層９４は隆起部６０ａから削りだされたものであり、補助磁極層９４と隆起部６０ａは一体に形成されている。Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａと補助磁極層９４の前端面９４ａは段差のない連続面となっている。
【０１３６】
また、記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層３２までの隆起部６０ａ上、またＧｄ決め層３２よりハイト方向のコイル絶縁層６５上、及びバックギャップ層６２上に、下から下部磁極層６９及びギャップ層７０が形成されている。この形態では下部磁極層６９及びギャップ層７０はメッキ形成されている。
【０１３７】
ギャップ層７０上及びＧｄ決め層３２上には、上部磁極層７１がメッキ形成され、さらに上部磁極層７１上には上部コア層７２がメッキ形成されている。上部磁極層７１は、Ｇｄ決め層３２上を経てバックギャップ層６２上まで延びている。
【０１３８】
図２３に示すように、下部磁極層６９、ギャップ層７０、上部磁極層７１及び上部コア層７２の４層７３上には、例えばＡｌ_２Ｏ_３やレジストなどの絶縁材料で形成された絶縁層７４が形成されている。
【０１３９】
また隆起部６０ａ上とバックギャップ層６２上間を直線状の４層で結んで磁路長を形成するため、上部コア層７２下の層が盛り上がって形成される磁気ヘッドに比べて磁路長を短くできる。
【０１４０】
このため磁気ヘッドを構成するコイル層６４のターン数を少なくしても一定の記録特性を維持することができ、ターン数を減らせることでコイル抵抗を低減できるから磁気ヘッドの駆動時においても磁気ヘッドの発熱を抑え、この結果、ギャップ層７０が記録媒体との対向面Ｆから突き出す等の問題を抑制することができる。
【０１４１】
また磁路長を短くできるので磁界反転速度を上げることができ、高周波特性に優れた磁気ヘッドを形成することができる。
【０１４２】
さらにコイル層６４を覆うコイル絶縁層６５に無機絶縁材料を用いることができる。よって磁気ヘッドの熱膨張係数を低減させることができる。
【０１４３】
次に、Ｇｄ決め層３２よりも記録媒体との対向面Ｆ側に位置する下部磁極層６９、ギャップ層７０及び上部磁極層７１は磁極層として機能し、Ｇｄ決め層３２よりもハイト側に位置する下部磁極層６９、ギャップ層７０及び上部磁極層７１はヨーク層として機能している。
【０１４４】
すなわち下部磁極層６９、ギャップ層７０、および上部磁極層７１は、隆起部６０ａ上からバックギャップ層６２上まで延びて形成されているが、Ｇｄ決め層３２の前後で機能が分離されており、この機能の分離によって磁気ヘッドの記録特性の性能を向上させることが可能になっている。
【０１４５】
また下部磁極層６９、ギャップ層７０、上部磁極層７１及び上部コア層７２の４層をすべてメッキ形成しており、これら４層を同じフレームでメッキ形成することができ、形成が非常に容易である。また４層メッキ構造とすることで、特に上部磁極層７１の対向面の幅寸法で決まるトラック幅Ｔｗを所定寸法に高精度に規制でき、従来のようにトリミング処理などを施してトラック幅Ｔｗを小さくする必要性が無い。またこれら４層を同じフレームでメッキ形成しているから、これら４層の平面形状はすべて同じ形状になる。
【０１４６】
本形態でも、下部磁極層６９の後端面６９ａが補助磁極層９４の前端面９４ａに接続されているため、下部磁極層６９のところにおける磁気飽和を低減でき、磁気ヘッドのオーバーライト特性の立ち上がりが急峻になる。またオーバーライト特性の絶対値も大きくなるので記録電流をすくなくすることができる。また、磁束を上部磁極層７１から補助磁極層９４に逃がすことができ、サイドフリンジングを低減できる。磁気ヘッドのオーバーライト特性を向上させることができる。
【０１４７】
なお、Ｇｄ決め層３２の上面の全領域には，メッキ下地層９５が形成されているので、上部磁極層７１全体を所定膜厚で形成することができる。
【０１４８】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０１４９】
例えば、上部コア層または下部コア層を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成してもよい。
【０１５０】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明では、下部コア層上に、非磁性材料からなるＧｄ決め層が設けられているため、ギャップデプス長を正確に規定することが容易である。従って、磁気ヘッドのオーバーライト特性を均一化できる。
【０１５１】
さらに、Ｇｄ決め層と下部コア層の間に、磁性材料によって形成された補助磁極層が設けられており、前記下部磁極層の後端面が前記補助磁極層の前端面に接続されているため、下部磁極層のところにおける磁気飽和を低減でき、磁気ヘッドのオーバーライト特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例の形態の磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】図１に示す磁気ヘッドの縦断面図、
【図３】図１及び図２に示す磁気ヘッドのＧｄ決め層周辺の部分拡大図、
【図４】図１の磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図５】図４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図６】図５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図７】図６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１０】図５に示す工程にある製造過程の磁気ヘッドの斜視図、
【図１１】図６に示す工程にある製造過程の磁気ヘッドの斜視図、
【図１２】図７に示す工程後の磁気ヘッドの斜視図、
【図１３】磁気ヘッドの他の製造方法を示す一工程図、
【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１５】参考例の形態の磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１８】下部磁極層及びギャッブ層が湾曲した磁気ヘッドのＧｄ決め層周辺の部分拡大図、
【図１９】本実施の形態の磁気ヘッドのＧｄ決め層周辺の部分拡大図、
【図２０】本実施の形態の磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図２１】図２０に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２２】本実施の形態の磁気ヘッドのＧｄ決め層周辺の部分拡大図、
【図２３】参考例の形態の磁気ヘッドの構造を示す縦断面図、
【図２４】従来における磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２５】図２４に示す磁気ヘッドの縦断面図、
【図２６】従来における磁気ヘッドの縦断面図、
【符号の説明】
３０ 下部コア層
３１ 補助磁極部
３２ Ｇｄ決め層
３３ 磁極層
３４ 下部磁極層
３５ ギャップ層
３６ 上部磁極層
３８ コイル層
４１ 上部コア層

Claims (8)

1. 以下の工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
   （ａ）下部コア層上の記録媒体との対向面となる位置よりもハイト方向に離れた位置に、非磁性材料を用いて、Ｇｄ決め層を形成する工程と、
   （ｂ）前記Ｇｄ決め層によってマスクされない前記下部コア層の表面を削り、前記Ｇｄ決め層の下に補助磁極層を形成する工程と、
   （ｃ）次工程で、前記補助磁極層と下部磁極層とが磁気的に接続されつつ、電気的に絶縁されるように、前記補助磁極層の前端面に絶縁層を設ける工程と、
   （ｄ）前記下部コア層上であって、記録媒体との対向面となる位置から前記補助磁極層の前端面に形成された前記絶縁層の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成し、これにより、前記下部磁極層と前記補助磁極層とを磁気的に接続し、電気的に絶縁する工程と、
   （ｅ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程と、
   （ｆ）前記下部磁極層、ギャップ層、上部磁極層からハイト方向に離れた位置にコイル層を形成する工程と、
   （ｇ）前記上部磁極層の上に、上部コア層を形成する工程。
2. 以下の工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
   （ｈ）下部コア層上に、この下部コア層を形成する磁性材料とは異なる磁性材料からなる磁性材料層を形成する工程と、
   （ｉ）前記磁性材料層上の記録媒体との対向面となる位置よりもハイト方向に離れた位置に、非磁性材料を用いて、Ｇｄ決め層を形成する工程と、
   （ｊ）前記Ｇｄ決め層によってマスクされない前記磁性材料層の表面を削り，Ｇｄ決め層の下に補助磁極層を形成する工程と、
   （ｋ）次工程で、前記補助磁極層と下部磁極層とが磁気的に接続されつつ、電気的に絶縁されるように、前記補助磁極層の前端面に絶縁層を設ける工程と、
   （ｌ）前記下部コア層上であって、記録媒体との対向面となる位置から前記補助磁極層の前端面に形成された前記絶縁層の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成し、これにより、前記下部磁極層と前記補助磁極層とを磁気的に接続し、電気的に絶縁する工程と、
   （ｍ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程と、
   （ｎ）前記下部磁極層、ギャップ層、上部磁極層からハイト方向に離れた位置にコイル層を形成する工程と、
   （ｏ）前記上部磁極層の上に、上部コア層を形成する工程。
3. 前記磁性材料層の飽和磁束密度は、前記下部コア層を形成する磁性材料の飽和磁束密度より大きい請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法。
4. 前記Ｇｄ決め層の前端面と前記補助磁極層の前端面を、連続面にする請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
5. 前記（ｃ）工程及び前記（ｋ）工程において、前記絶縁層の前記補助磁極層の前端面に対する法線方向の膜厚を、５０Å以上６０００Å以下にする請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
6. 前記ギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択された非磁性金属材料でメッキ形成する請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
7. 前記（ｃ）工程及び前記（ｋ）工程は、前記下部コア層、前記補助磁極層及びＧｄ決め層を覆うように無機絶縁材料より成る前記絶縁層を形成した後、前記下部コア層上及び前記Ｇｄ決め層上に形成された前記絶縁層を除去することによって行う請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
8. 前記（ｃ）工程及び前記（ｋ）工程は、前記補助磁極層の前端面に有機絶縁材料から成る前記絶縁層をフォトリソグラフィー技術により形成することによって行う請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。

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