JP3833989B2 - インクジェットプリントヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はインクジェットプリントヘッドの製造方法に係り，より詳細には，ネガティブフォトレジストを用いて一体型インクジェットプリントヘッドを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に，インクジェットプリントヘッドは，印刷用インクの微小な液滴を記録用紙等の印刷媒体上の所望の位置に噴き出して所定色相の画像として印刷する装置である。このようなインクジェットプリントヘッドにおいて，インクは，インク貯蔵室からインク供給口及びリストリクタを経てインクチャンバ内に供給される。インクチャンバ内に満たされたインクはその内部に設けられた加熱要素により加熱され，これにより発生したバブルの圧力によりノズルを通じて液滴の形にて噴き出される。
【０００３】
一般に，インクジェットプリントヘッドは，高解像度及び高速度の印刷を具現するために，多数のノズルが高集積化した構造を必要とする。このため，各々のノズルの形状及び精度，インク流路のセル間の均一度及び精度は，印刷性能の向上及び優れた画質を得るために，最も重要な工程変数となる。
【０００４】
図６〜図１３は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。この例の従来方法では，基本的に，フォトリソグラフィ工程及びニッケル電解メッキ工程が用いられる。
【０００５】
そして，この方法は，図６〜図９に示されたように，ノズルプレート１５を製造する段階と，図１０〜図１２に示されたように，加熱要素２３が設けられたヘッドチップ基板２１上にインク供給口２２，リストリクタ２７及びインクチャンバ２６を含むインク流路を形成する段階と，図１３に示されたように，ノズルプレート１５をヘッドチップ基板２１上に接着してプリントヘッドを完成する段階とに大別される。
【０００６】
これを段階別に詳述すれば，まず，図６に示されたように，シリコン基板１１上にニッケル電解メッキのためのシード層１２を形成し，その上にさらにポジティブフォトレジスト１３を塗布する。具体的には，シード層１２は，例えば，ＮｉＶをスパッタリングまたは蒸着することによりおおよそ数千Åの厚さに形成され，フォトレジスト１３はおおよそ数μｍ，例えば通常４〜８μｍの厚さにスピンコート法により塗布される。次に，フォトマスク１４を用いてフォトレジスト１３を選択的に露光する。
【０００７】
次に，露光されたフォトレジスト１３を現像すれば，図７に示されたように，シード層１２上には露光されていない部位のフォトレジスト１３ａのみが残存する。このように残存したフォトレジスト１３ａは，以降に図９に示されたノズル１５ａの周りのクレータ１５ｂを形成する。
【０００８】
図８は，パターニングされた基板１１をメッキ槽に担漬してニッケル電解メッキを施すことにより，シード層１２上にニッケルよりなるノズルプレート１５を形成した状態を示すものである。この時，メッキ槽に印加される総電流密度及びメッキ時間を調節すれば，所望の厚さのノズルプレート１５が形成できる。そして，これと同時に，残存フォトレジスト１３ａ上にはメッキが抑えられてノズル１５ａが形成される。
【０００９】
ニッケル電解メッキが完了した後には，図９に示されたように，ノズルプレート１５を基板１１から分離して洗浄する。この時，ノズル１５ａの周りには残存フォトレジスト１３ａによりクレータ１５ｂが形成される。
【００１０】
図１０は，インク供給口２２及び抵抗発熱体を含む加熱要素２３が形成されたヘッドチップ基板２１上に，ネガティブフォトレジスト２４を塗布した状態を示す。ネガティブフォトレジスト２４は，例えば，デュポン社製のＶａｃｒｅｌまたはＲｉｓｔｏｎなどの樹脂よりなる固相のフィルムレジストを，ヘッドチップ基板２１上に加熱，加圧して圧着するラミネーション方法により塗布される。
【００１１】
次に，図１１に示されたように，フォトマスク２５を用いてネガティブフォトレジスト２４を選択的に露光する。これにより，ネガティブフォトレジスト２４の露光された部位は硬化され，図１２に示されたように，インクチャンバ２６を取り囲む隔壁２４ａを形成する。そして，ネガティブフォトレジスト２４の露光されていない部位は溶媒により除去され，これにより，インクチャンバ２６及びリストリクタ２７が形成される。リストリクタ２７は，インク供給口２２及びインクチャンバ２６の間に形成される連結通路である。
【００１２】
最後に，図１３に示されたように，予め製作されたノズルプレート１５を隔壁２４ａ上に加熱，加圧して接着することによりインクジェットプリントヘッドが完成される。
【００１３】
上述したノズル製造方式は，マンドレル形式のノズル電解メッキ方法としてよく知られている。この方法は，現在，色々な製造会社において，主にカラーインクジェットプリントヘッド及びノズル数の少ないモノインクジェットプリントヘッドに採用されている。
【００１４】
しかしながら，図６〜図１３に示された従来の製造方法は，ＣＰＩ（ｃｅｌｌｐｅｒ ｉｎｃｈ）にて示されるセルの集積度及びノズル１５ａ数の増加に伴い，各種の問題点が生じている。第一に，ノズルプレート１５を別途に製造してヘッドチップ基板２１上に接合しなければならないため，この過程で高精度を必要とする。第二に，ノズルプレート１５をヘッドチップ基板２１に加熱接合する時に各々の熱膨張係数が異なってノズル１５ａ及び加熱要素２３間の誤整列が生じる恐れがある。第三に，電解メッキ工程及び２回のフォトリソグラフィ工程と接合工程を経るため，その製造工程が極めて複雑である。
【００１５】
これにより，最近には，ヘッドチップ基板上にインク流路及びノズルなどの構成要素を一体に形成させる製造方法が導入されている。
【００１６】
図１４は，従来の側面噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す斜視図であり，図１５〜図１９は，図１４のプリントヘッドを一体型に製造する方法を示す断面図である。図１５〜図１９の各左図は，図１４のＡ−Ａ線断面図であり，各右図は，図１４のＢ−Ｂ線断面図である。この従来方法には，基本的に，フォトリソグラフィ工程が用いられるが，ニッケル電解メッキ工程及び接着工程は採用されない。
【００１７】
まず，図１４を参照すれば，従来の側面噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドは，ヘッドチップ基板３１上にインク供給口４５及びインクチャンバ４２とインク通路４３を形成するための流路形成壁体４１が積層されたような構造となっている。インク通路４３の一側，すなわちインクチャンバ４２と隣接した部位には加熱要素３２が設けられており，その他側にはノズル４４が形成されている。
【００１８】
このような構成のインクジェットプリントヘッドを製造する方法を段階別に説明すれば，まず，図１５に示されたように，抵抗発熱体よりなる加熱要素３２が設けられたヘッドチップ基板３１上におおよそ数十μｍと厚くポジティブフォトレジスト３３を塗布する。次に，フォトマスク３４を用いてフォトレジスト３３を選択的に露光する。
【００１９】
次に，露光されたフォトレジスト３３を現像すれば，図１６に示されたように，ヘッドチップ基板３１上には露光されていない部位のフォトレジスト３３ａのみが残存する。このように残存したフォトレジスト３３ａは，以降に図１４に示されたインクチャンバ４２及びインク通路４３を形成する。
【００２０】
次に，図１７に示されたように，ヘッドチップ基板３１及び残存フォトレジスト３３ａ上に熱または光により硬化する感光性高分子３４を塗布する。次に，感光性高分子３４に，図１８に示されたように，ＵＶを過露光すれば，露光された部位は硬化して流路形成壁体４１を形成する。そして，図１８の結果物をＣ−Ｃ線に沿って切り取り，残存フォトレジスト３３ａを外部に露出する。
【００２１】
最後に，図１９を参照すれば，残存フォトレジスト３３ａを溶媒を用いて溶かせば，インクチャンバ４２，インク通路４３及びノズル４４が形成される。一方，インク供給口４５は，残存フォトレジスト３３ａを溶媒を用いて除去する前に形成される。これにより，図１４に示された側面噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドが完成される。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法は，ヘッドチップ基板上に一体型にインク流路及びノズルを形成する方法である。従って，この方法にはニッケル電解メッキ工程及び接合工程がなく，図６〜図１３に示された方法に比べてその工程が簡単であるといった長所がある。また，フォトリソグラフィ工程によりインク流路とノズル及び加熱要素が整列されるので誤整列の問題点が解消され，これにより，セル間均一度及び印刷性能が向上される。
【００２３】
しかし，この方法は，側面噴き出し方式のプリントヘッドにおいてのみ使用可能であるという制限がある。また，この方法には切断工程が必要になるため，この工程中に生じるホコリや粒子がノズル及びインク流路を閉塞する恐れがあり，且つ，流路を形成する感光性高分子の形状が切断中に変形される恐れがあるという問題点もある。
【００２４】
本発明は上記のような従来の技術の問題点を解決するためになされたものであり，特に，単一のネガティブフォトレジストを用いてノズル及びインク流路などの構成要素を基板に一体に形成することによりその工程を単純化したインクジェットプリントヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために，本発明は，インク貯蔵室からインクを供給するインク流路と，供給されたインクを噴き出すノズルとが基板に一体に形成されたインクジェットプリントヘッドを製造する方法であって，以下に示す段階を具備することを特徴とする。
基板の表面の所定部位に，インクを加熱してバブルを発生するための加熱要素を形成する段階；
加熱要素が形成された基板上に，ネガティブフォトレジストを所定厚さ塗布する段階；
インク流路のインクチャンバ及びリストリクタのパターンが設けられた第１フォトマスクを用いてネガティブフォトレジストのうちのインクチャンバ及びリストリクタを取り囲む流路形成壁体の側壁をなす部位を過露光して硬化させる第１露光段階；
ノズルのパターンが設けられた第２フォトマスクを用いてネガティブフォトレジストのうちの流路形成壁体の上部壁をなす部位を露光して所定厚さだけ硬化させる第２露光段階；
第１露光段階及び第２露光段階でネガティブフォトレジストのうちの硬化されていない部位を溶媒を用いて溶解して除去する段階。
【００２６】
そして，ネガティブフォトレジストが乾燥されたフィルムである場合には，加熱要素形成段階及びネガティブフォトレジストの塗布段階の間に，基板をエッチングしてインク供給口を形成する段階をさらに具備しても良く，ネガティブフォトレジストが液状である場合には，第２露光段階及び除去段階の間に，基板をエッチングしてインク供給口を形成する段階をさらに具備しても良い。
【００２７】
このように，本発明によれば，単一のネガティブフォトレジストを使うより単純化した工程によりその構成要素が基板に一体に形成されたインクジェットプリントヘッドを製造することができる。また，基板がシリコンウェハである場合には，量産に一層効果的である。
【００２８】
また，加熱要素形成段階において，加熱要素は，基板上に抵抗発熱体である金属をスパッタリングすることにより形成できる。または，基板上に不純物がドーピングされたポリシリコン膜を化学気相蒸着法により蒸着した後に，これをパターニングすることによっても形成できる。
【００２９】
そして，ネガティブフォトレジストは，エポキシ系，ポリイミド系，及びポリアクリレート系よりなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことができ，その塗布厚さは１０〜１００μｍであることが望ましい。
【００３０】
また，ネガティブフォトレジストが乾燥されたフィルムである場合には，ラミネーション方法により塗布することが望ましく，ネガティブフォトレジストが液状である場合には，スピンコート法により塗布することが望ましい。
【００３１】
そして，第１露光段階における照射量は，１，０００〜４，０００ｍＪ／ｃｍ^２であることが望ましく，第２露光段階における照射量は，第１露光段階における照射量より少ない，２〜３００ｍＪ／ｃｍ^２であることが望ましい。ここで，第２露光段階における照射量の調節により，インク流路及びノズルの高さを制御することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下，添付した図面に基づき，本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。但し，後述する実施形態は，本発明の範囲を限定するものではなく，本発明をこの技術分野におけるいわゆる当業者に十分に説明するために提供されるものである。図中，同じ参照符号は同じ構成要素を表わし，各構成要素の大きさは説明の明瞭性及び便宜性のために誇張されている。また，ある層が基板や他の層上に存在すると説明されるとき，その層は基板や他の層に直接的に接触しつつその上に存在することもあり，それらの間に第３の層が挟まれることもある。
【００３３】
図１〜図５は，本実施形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法の各段階を示す断面図である。
【００３４】
本実施形態の方法には，基本的に，フォトリソグラフィ工程が用いられるが，従来の技術とは異なって，ニッケル電解メッキ工程と接着工程及び切断工程は採用されない。
【００３５】
そして，本実施形態に係る製造方法は，図１に示されたように，基板１１０上に加熱要素１１２を形成する段階と，図２〜図４に示されたように，フォトリソグラフィ工程を利用して基板１１０上に流路形成壁体１２０ａを形成する段階と，図５に示されたように，その構成要素が基板１１０上に一体に形成されたインクジェットプリントヘッドを完成する段階とに大別できる。
【００３６】
これを段階別に詳述すれば，まず，図１に示されたように，ヘッドチップ基板１１０にインクを加熱してバブルを発生するための加熱要素１１２及びインク貯蔵室（図示せず）からインクを供給するためのインク供給口１１４を形成する。
【００３７】
ここで，基板１１０としては，シリコン基板を使用する。これは，半導体素子の製造に汎用されるシリコンウェハがそのまま使用できて量産に効果的であるからである。
【００３８】
そして，加熱要素１１２は抵抗発熱体であって，例えば，タンタル−アルミニウム合金などの金属を基板１１０上にスパッタリングすることにより形成しても良く，基板１１０上に不純物がドーピングされたポリシリコン膜を蒸着させた後，これをパターニングすることにより形成しても良い。加熱要素１１２がポリシリコンよりなる場合には，基板１１０の全面に低圧化学気相蒸着法により不純物，例えば，燐（Ｐ）のソースガスと共にポリシリコンを蒸着した後，蒸着されたポリシリコン膜をフォトマスク及びフォトレジストを利用した写真工程及びフォトレジストパターンをエッチングマスクとしてエッチングするエッチング工程によりパターニングする。
【００３９】
次に，インク供給口１１４は，基板１１０の背面をエッチングすることにより形成される。具体的に，基板１１０の背面にエッチングされる領域を限定するエッチングマスクを形成し，その領域をウェットまたはドライエッチングすれば，インク供給口１１４が形成される。この時，エッチング液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を用いてウェットエッチングすれば，図１に示されたように，所定角度傾斜したインク供給口１１４が形成できる。
【００４０】
一方，インク供給口１１４は，上述では図１の段階で形成されると説明したが，後述するように，図４の段階で形成しても良い。具体的に説明すれば，図１の段階で乾燥されてフィルム化したフォトレジスト１２０を使用する場合には，フォトリソグラフィ工程前に，上述のように，予めインク供給口１１４を形成しても良い。一方，液状のフォトレジストを使用する場合には，図４の段階でフォトリソグラフィ工程後に，すなわちフォトレジストを硬化させて流路形成壁体１２０ａを形成した後に，基板１１０をエッチングすることによりインク供給口１１４を形成する。
【００４１】
図２は，抵抗発熱体よりなる加熱要素１１２が形成されたヘッドチップ基板１１０上にネガティブフォトレジスト１２０を塗布した状態を示すものである。ネガティブフォトレジスト１２０としては，エポキシ系，ポリイミド系またはポリアクリレート系のフォトレジストレジンが使用できる。例えば，マイクロケム社のＳＵ−８，デュポン社のポリイミド系フォトレジスト，またはＴＯＫ，ＪＳＲ社のネガティブドライフィルムレジストなどがネガティブフォトレジスト１２０として使用できる。
【００４２】
このようなネガティブフォトレジスト１２０は，露光されれば低分子量から高分子量へと変わり，高分子鎖が網目構造を形成して硬化する性質をもっている。また，露光量を調節すれば，網目構造の架橋度及び架橋される層の深さが制御できる。このように硬化した部分は耐化学性及び高い機械的強度を示す。そして，ネガティブフォトレジスト１２０の硬化されていない部分は低分子量，例えばモノマーまたはオリゴマーなどとして存在する。この部分は，例えば現像液，アセトン，ハロゲン元素が含まれた溶媒，アルカリ性溶媒により容易に溶解される性質をもつ。
【００４３】
上記ネガティブフォトレジスト１２０は，解像度による液滴の量がカバーできるインクチャンバ（図４の１２４）の高さ及びリストリクタ（図４の１２６）の大きさは様々であるため，このように様々な寸法を満足するためにおおよそ１０〜１００μｍの厚さに塗布できる。そして，ネガティブフォトレジスト１２０が乾燥されてフィルム化したレジストである場合には，これをヘッドチップ基板１１０上に加熱，加圧して圧着するラミネーション方法により塗布する。一方，ネガティブフォトレジスト１２０が液状である場合には，これをヘッドチップ基板１１０上にスピンコート法により塗布する。
【００４４】
次に，上述のようなネガティブフォトレジスト１２０の性質を用い，図３に示されたように，ネガティブフォトレジスト１２０をインク流路が形成される部位を保護する第１フォトマスク１３１を用いて選択的に露光する。この時，露光される部位はおおよそ数千ｍＪ／ｃｍ^２，望ましくは，おおよそ１，０００〜４，０００ｍＪ／ｃｍ^２の照射量にて過露光される。これにより，過露光された部位は高い架橋度を有する網目構造の高分子へと変わって硬化することにより，耐化学性及び高い機械的強度を有する。このように過露光により硬化した部位はインクチャンバ（図４の１２４）及びリストリクタ（図４の１２６）を取り囲む流路形成壁体１２０ａの側壁を形成する。
【００４５】
次に，図４に示されたように，ノズルが形成される部位を保護する第２フォトマスク１３２を用いてネガティブフォトレジスト１２０をさらに露光する。この時，露光される部位は，上述した図３の段階でより少ない照射量にて浅く露光される。照射光，例えばＵＶの透過深さは物質の種類，フォトレジストの透明度及び厚さによって変わる。従って，使用するネガティブフォトレジスト１２０によって照射量はおおよそ数ｍＪ／ｃｍ^２〜数百ｍＪ／ｃｍ^２，望ましくは，おおよそ２〜３００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲内で変わる。このように浅く露光するときには，光源に近いネガティブフォトレジスト１２０の表面には架橋が起きて高分子硬化現象が生じるが，深い部分は光による架橋が起きずにモノマーまたはオリゴマー状態で存在する。従って，ノズル（図４の１２２）が形成される部位を除いたネガティブフォトレジスト１２０の上部の一定厚さのみ露光することにより硬化して，インクチャンバ（図４の１２４）及びリストリクタ（図４の１２６）を取り囲む流路形成壁体１２０ａの上部壁を形成する。この時，インクチャンバとリストリクタ及びノズルの厚さ（高さ）は，光の照射量により調節できる。すなわち，照射量を調節すれば，ネガティブフォトレジスト１２０の硬化部位の厚さが変わり，これにより，インクチャンバとリストリクタ及びノズルの厚さ（高さ）も変わる。
【００４６】
一方，ネガティブフォトレジスト１２０が液状である場合には，上述した流路形成壁体１２０ａを形成した後にインク供給口１１４が形成可能であるということは，上述の通りである。
【００４７】
このように，本実施形態によれば，従来の技術においては２種類のフォトレジストを用いてインクジェットプリントヘッドの構成要素を形成するのに対し，単一のネガティブフォトレジスト１２０を用いてこれを２回露光することによりインクジェットプリントヘッドの構成要素が形成できる。
【００４８】
最後に，ネガティブフォトレジスト１２０の硬化していない部位を，図５に示されたように，上述した溶媒を用いて溶解して除去する。これにより，流路形成壁体１２０ａにより取り囲まれたインクチャンバ１２４とリストリクタ１２６及びノズル１２２が形成されて，上向き噴き出し方式の一体型インクジェットプリントヘッドが完成される。
【００４９】
本実施形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法は，下記のような効果を有する。
【００５０】
第一に，本実施形態のインクジェットプリントヘッドの製造方法によれば，従来の技術における電解メッキ工程，接着工程及び切断工程がなくてもフォトリソグラフィ工程によりヘッドチップ基板にインク供給口，リストリクタ，インクチャンバ及びノズルなどの構成要素を一体に形成できる。そして，従来の技術では２種類以上のフォトレジストを用いてフォトリソグラフィ工程を行うのに対し，本実施形態では，単一のネガティブフォトレジストを用いてその工程を行うことができる。よって，本実施形態によれば，インクジェットプリントヘッドの製造工程が一層単純化して製造時間及び製造コストが低減される。
【００５１】
第二に，フォトリソグラフィ工程によりインク流路やノズルの微細な形状を設計寸法に最も近く形成できるので，寸法精度及びセル間の均一度が向上されて高解像度及び高速の印刷性能が向上できる。さらに，光の照射量の調節及びフォトマスクの変形を通じてインクチャンバの高さ及びノズルの直径などを手軽に変更できる。
【００５２】
第三に，本実施形態によれば，接着工程がないので，接着工程時に生じ得る構成要素間の熱膨張係数の不一致による誤整列及び残留応力による破損などの不良要因が除去されて歩留まりが高まる。また，本実施形態によれば，メッキ工程後のノズルプレートの洗浄工程及び切断工程がないので，インク流路及びノズルの閉塞現象の原因となるホコリや異物粒子などが生じない。
【００５３】
以上，本発明の望ましい実施形態を詳細に説明したが，本発明の範囲はこれに限定されることなく，各種の変形及び均等な他の実施形態が可能である。例えば，本発明の製造方法は，上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドに適用される実施形態で図示且つ説明されたが，その基本的な技術的思想は他の噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドにも応用でき，さらには，流体の流れ性質を利用したＭＥＭＳセンサー及びアクチュエータにて発生する圧力により流体の流れを制御する装置にも適用できるであろう。
【００５４】
そして，本発明において，プリントヘッドの各要素を構成するために使われる物質は例示されていない物質を使用しても良い。すなわち，基板は必ずしもシリコン基板であるとは限らず，加工性が良好な物質であれば，いかなる物質も使用可能である。
【００５５】
また，本発明のインクジェットプリントヘッドの製造方法の各段階の順序は，実施形態で例示された順序と異なる場合もある。例えば，インク供給口を形成するための基板のエッチングは，上述のように，図１の段階でのみならず，図４の段階でも行われても良い。
【００５６】
加えて，各段階で例示された具体的な数値は，製造されたインクジェットプリントヘッドが正常に作動できる範囲内であれば，例示された範囲を外れて調整可能である。
【００５７】
【発明の効果】
本発明により，単一のネガティブフォトレジストを用いてノズル及びインク流路などの構成要素を基板に一体に形成することにより，その工程を単純化したインクジェットプリントヘッドの製造方法が提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，本実施形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法の各段階を示す断面図である。
【図２】図２は，本実施形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法の各段階を示す断面図である。
【図３】図３は，本実施形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法の各段階を示す断面図である。
【図４】図４は，本実施形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法の各段階を示す断面図である。
【図５】図５は，本実施形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法の各段階を示す断面図である。
【図６】図６は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図７】図７は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図８】図８は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図９】図９は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図１０】図１０は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図１１】図１１は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図１２】図１２は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図１３】図１３は，従来の上向き噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す断面図である。
【図１４】図１４は，従来の側面噴き出し方式のインクジェットプリントヘッドの製造工程の一例を示す斜視図である。
【図１５】図１５は，図１４のプリントヘッドを一体型に製造する方法を示す断面図である。
【図１６】図１６は，図１４のプリントヘッドを一体型に製造する方法を示す断面図である。
【図１７】図１７は，図１４のプリントヘッドを一体型に製造する方法を示す断面図である。
【図１８】図１８は，図１４のプリントヘッドを一体型に製造する方法を示す断面図である。
【図１９】図１９は，図１４のプリントヘッドを一体型に製造する方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１１０ ヘッドチップ基板
１１２ 加熱要素
１１４ インク供給口
１２０ ネガティブフォトレジスト
１２０ａ 流路形成壁体
１２２ ノズル
１２４ インクチャンバ
１２６ リストリクタ
１３２ フォトマスク

Claims (13)

1. インク貯蔵室からインクを供給するインク流路と，前記供給されたインクを噴き出すノズルとが基板に一体に形成されたインクジェットプリントヘッドを製造する方法であって，
   前記基板の表面の所定部位に，インクを加熱してバブルを発生するための加熱要素を形成する段階と，前記加熱要素が形成された前記基板上に，ネガティブフォトレジストを第１の所定厚さ塗布する段階と，前記インク流路のインクチャンバ及びリストリクタのパターンが設けられた第１フォトマスクを用いて，前記ネガティブフォトレジストのうちの前記インクチャンバ及びリストリクタを取り囲む流路形成壁体の側壁をなす部位を過露光して硬化させる第１露光段階と，
   前記ノズルのパターンが設けられた第２フォトマスクを用いて，前記ネガティブフォトレジストのうちの前記流路形成壁体の上部壁をなす部位を露光して，前記第１の所定厚さよりも小さい第２の所定厚さだけ硬化させる第２露光段階と，
   前記第１露光段階及び第２露光段階で前記ネガティブフォトレジストのうちの硬化されていない部位を溶媒を用いて溶解して除去する段階とを具備することを特徴とする，インクジェットプリントヘッドの製造方法。
2. 前記ネガティブフォトレジストは乾燥されたフィルムよりなり，前記加熱要素形成段階及び前記ネガティブフォトレジストの塗布段階の間に，前記基板をエッチングしてインク供給口を形成する段階をさらに具備することを特徴とする，請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
3. 前記ネガティブフォトレジストは液状であり，前記第２露光段階及び前記除去段階の間に前記基板をエッチングしてインク供給口を形成する段階をさらに具備することを特徴とする，請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
4. 前記基板はシリコンウェハであることを特徴とする，請求項１，２，または３のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
5. 前記加熱要素形成段階において，前記加熱要素は，前記基板上に抵抗発熱体である金属をスパッタリングすることにより形成されることを特徴とする，請求項１，２，３，または４のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
6. 前記加熱要素形成段階において，前記加熱要素は，前記基板上に不純物がドーピングされたポリシリコン膜を化学気相蒸着法により蒸着した後にこれをパターニングすることにより形成されることを特徴とする，請求項１，２，３，または４のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
7. 前記ネガティブフォトレジストは，エポキシ系，ポリイミド系，及びポリアクリレート系よりなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする，請求項１，２，３，４，５または６のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
8. 前記塗布段階において，前記ネガティブフォトレジストの塗布厚さは，１０〜１００μｍであることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，または７のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
9. 前記ネガティブフォトレジストは，乾燥されたフィルムよりなり，ラミネーション方法により前記基板上に塗布されることを特徴とする，請求項１または２のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
10. 前記ネガティブフォトレジストは液状であり，スピンコート法により前記基板上に塗布されることを特徴とする，請求項１または３のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
11. 前記第１露光段階における照射量は，１，０００〜４，０００ｍＪ／ｃｍ２ であることを特徴とする，請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
12. 前記第２露光段階における照射量は，２〜３００ｍＪ／ｃｍ２ であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，または１１のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
13. 前記インク流路及びノズルの厚さは，前記第２露光段階における照射量により調節されることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，または１２のうちのいずれか１項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。

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