JP3800786B2 - 高周波回路装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＭＭＩＣ等として構成される高周波回路素子を備えてなる高周波回路装置に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
このような高周波回路装置では、扱う信号の周波数が高くなる程、装置全体を樹脂などで封止すると特性インピーダンスの値が当初の設計値から大きなずれを生じる傾向にあり、調整範囲が厳しいものでは正常な動作をしなくなるおそれがある。このため、特にミリ波などの高周波領域の信号を扱う高周波回路装置では、樹脂封止を行わない場合も多い。
【０００３】
斯様な高周波回路装置の構成の一例を、図１６に示す。高周波回路装置１のパッケージ基板２上には、チップとして独立に形成された２つの回路素子３及び４が接着などで固定された状態で搭載されている。ＭＭＩＣ(Monolithic Microwave/Milli-wave Integrated Circuit)等として集積回路部３ａ及び４ａが形成される回路素子３及び４は、高周波用途として適した例えばガリウムヒ素などの半導体基板を用いて構成されており、与えられた高周波信号について夫々所定の処理を行うものである。
【０００４】
そして、回路素子３及び４は、集積回路部３ａ及び４ａに接続されている信号線路５と、その信号線路５の両側に配置されるグランド電極６，６とを備えている。即ち、信号線路５とグランド電極６，６とは、信号伝送路としてコプレーナ線路を構成している。
【０００５】
一方、パッケージ基板２側にも、外部との間で高周波信号の伝送を行うため、信号線路７及びその信号線路７の両側に配置されるグランド電極８，８が配置されており、これらは、回路素子３及び４の信号線路５並びにグランド電極６，６に、接続用のワイヤ９並びに１０，１０によって夫々接続されている。
【０００６】
また、パッケージ基板２には、回路素子３及び４の集積回路部３ａ及び４ａに対して外部から直流電力を供給したり、或いは外部との間で低周波信号を伝送するための低周波用電極１１が設けられており、その低周波用電極１１と集積回路部３ａ及び４ａとの間は、ワイヤ１２によって接続されている。
【０００７】
このように、回路素子３及び４の間、またはパッケージ基板２と回路素子３，４の間をワイヤ９及び１０や接続用のリボンなどによって接続する場合には、以下の問題点がある。先ず、第１に、高周波信号を扱う回路素子３及び４の信号伝送路の特性インピーダンスは、例えば５０Ωなどの一定値となるように設計するが、ワイヤ９及び１０による接続部分においては、特性インピーダンスが局所的に異なった値となり反射損失を増大させる。
【０００８】
また、第２に、ワイヤ９及び１０を、回路素子３及び４上の信号線路５及びグランド電極６，６や、パッケージ基板２上の信号線路７及びグランド電極８，８に接続する場合には、位置決め精度の良くない手動式ボンディング装置などを用いると、以下のような不具合が発生する。
【０００９】
図１７及び図１８に平面図及び断面図として示すように、回路素子３及び４の信号線路５に対するワイヤ９の各接続点Ｐａ及びＰｂから信号線路５の一端Ｔａ及びＴｂまでの部分５′，５′の距離Ｌａ及びＬｂ（図１８参照）が、扱う信号の波長λに比して無視できない長さとなる場合がある。すると、この接続部分に寄生回路成分が生じて、やはり反射損失を増大させる。
【００１０】
上記第１の問題点を解決する従来技術としては、例えば特開平９−１４８５２４号に開示されているものがある。これは、信号伝送路をマイクロストリップ線路で構成するものにおいて、回路素子間の接続部分における高周波伝送線路のボンディングパッドの両脇に接地電位ボンディングパッドを設け、これらのボンディングパッド間をワイヤで接続することにより疑似コプレーナ線路を形成し、更に、ワイヤとベース基板（接地電位基板）との間に誘電体材料を充填することによって当該接続部分における特性インピーダンスを調整するものである。
【００１１】
しかしながら、この従来技術においては、上記第２の問題点については全く考慮されておらず、接続部分に生じる寄生回路による反射損失については対処することができない。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波回路素子と接続対象との間における接続部分の特性インピーダンスを調整すると共に、当該接続部分に生じる寄生回路による反射損失をも低減することができる高周波回路装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の高周波回路装置によれば、高周波回路素子上の信号線路と外部の接続対象上の信号線路との間を接続する信号線路接続手段とその接続点近傍における高周波回路素子上の信号線路上に伝送特性調整用のスタブを形成するので、例えば、信号線路接続手段の長さや、信号線路接続手段の接続点から信号線路端部までの距離などを予め見積もることによりスタブの形状を設定すれば、信号線路接続手段部分の局所的な特性インピーダンスを高周波回路素子の特性インピーダンスに整合させるように調整することができる。
【００１４】
また、例えばボンディング精度の限界などによって、信号線路接続手段と信号線路とが対向する部分に寄生回路成分を生じることが避けられない場合であっても、その寄生回路成分による反射損失を低減するように調整することができるので、高周波信号の伝送効率をより向上させることができる。
【００１５】
そして、誘電体材料は、信号線路接続手段及び当該信号線路接続手段と信号線路とが対向する部分を充填するので、上記スタブによる調整に加えて、適当な比誘電率を有する誘電体材料を適宜選択することにより、信号線路接続手段部分の特性インピーダンスを調整したり、寄生回路成分による反射損失を低減するように調整することができるので、より精度の高い調整を行うことができる。
【００１６】
請求項２または３記載の高周波回路装置によれば、高周波回路素子上のグランド電極と外部の接続対象上のグランド電極との間を接続するグランド電極接続手段を備え（請求項２）、また、誘電体材料によって信号線路接続手段とグランド電極接続手段との間の空隙を充填すると共に、グランド電極接続手段及びそのグランド電極接続手段とグランド電極とが対向する部分をも充填するので（請求項３）、例えば、伝送線路がコプレーナ線路として構成される場合でも、請求項１と同様に信号線路接続手段部分の特性インピーダンスを調整することができる。
【００１７】
請求項４記載の高周波回路装置によれば、誘電体材料によってスタブをも覆うので、そのスタブ部分が示す伝送特性について、誘電体材料の比誘電率を以て調整を加えることができる。
【００１８】
請求項５または６記載の高周波回路装置によれば、信号線路接続手段をワイヤまたはリボンで構成すると共に、グランド電極接続手段を、ワイヤまたはリボン若しくは導体板で構成し（請求項５）、また、信号線路接続手段及びグランド電極接続手段をバンプで構成するので（請求項６）、各接続手段が具体的に様々な要素で構成される場合でも、上記と同様の効果が得られる。
【００１９】
請求項７または８記載の高周波回路装置によれば、外部の接続対象を、高周波回路素子（請求項７）、または高周波回路素子が搭載されるパッケージ（請求項８）とするので、高周波回路素子が他の高周波回路素子と接続される部分（請求項７）、または自身が搭載されるパッケージと接続される部分（請求項８）について、上記と同様の効果が得られる。
【００２０】
請求項９または１０記載の高周波回路装置によれば、請求項１または２におけるスタブを、信号線路接続手段が接続された後の伝送特性に応じて（請求項９）、または信号線路接続手段及びグランド電極接続手段が接続された後の伝送特性に応じて（請求項１０）トリミングすることにより伝送特性を調整するので、実際に、各接続手段が信号線路やグランド電極に接続された状態に応じてスタブをトリミング調整して特性インピーダンスを整合させたり、寄生回路成分の影響を低減して伝送特性を調整することができる。
【００２１】
請求項１１記載の高周波回路装置によれば、スタブをトリミングした後に請求項４の誘電体材料を配置するので、請求項９または１０における調整に対して、更に誘電体材料の比誘電率を以て調整を加えることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第１実施例）
以下、本発明の第１実施例について図１及び図２を参照して説明する。尚、図１６乃至図１８と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。図１及び図２に示すように、本実施例における高周波回路装置２１に搭載されている回路素子（高周波回路素子）２２及び２３は、高周波回路装置１の回路素子３及び４の信号線路５に、伝送特性調整用のスタブ２４を夫々形成してなるものである。
【００２３】
回路素子２２側には、接続対象たる回路素子２３とワイヤ９（信号線路接続手段）及び１０，１０（グランド電極接続手段）により接続されている側において、信号線路５及びワイヤ９の接続点Ｐａと信号線路５の端部Ｔａとの間に、グランド電極６側に突出する形状のスタブ２４が形成されている（図２参照）。また、回路素子２３側には、接続対象たるパッケージ基板（パッケージ）２とワイヤ９及び１０，１０により接続されている側に、回路素子２２と同様にしてスタブ２４が形成されている。
【００２４】
各スタブ２４，２４の形状（幅及び長さ）は、ワイヤ９及び１０，１０の長さや、ワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａまでの距離等を予め見積もることにより、当該部分に生じる寄生回路成分がオープンスタブとして振る舞う場合の伝送特性を考慮し、そのオープンスタブの伝送特性によって生じる反射損失を、各スタブ２４，２４を形成することにより低減するように設定する。
【００２５】
即ち、接続点Ｐａから端部Ｔａまでの距離をＬとすると、その距離Ｌが高周波信号の波長λに対して無視できない距離である場合は、その部分がオープンスタブとして振る舞う寄生回路成分を生じる。この時、距離Ｌと波長λとの比率に応じて、オープンスタブは高周波信号に対して帯域通過特性を示したり、帯域阻止特性を示すようになる。
【００２６】
従って、例えばボンディング装置の精度などを考慮して、ワイヤボンディングが行われる場合に上記距離Ｌが高周波信号の波長λに対してどれくらいの比率になるかを予測してオープンスタブの伝送特性を想定し、そのオープンスタブにスタブ２４を組み合わせた総合的な伝送特性が、帯域通過特性に近付くように各スタブ２４，２４の形状を設定する。
【００２７】
以上のように本実施例によれば、回路素子２２の信号線路５には回路素子２３とワイヤ９及び１０，１０により接続される側に、また、回路素子２３の信号線路５にはパッケージ基板２とワイヤ９及び１０，１０により接続される側に夫々スタブ２４，２４を設けたので、寄生回路成分による高周波信号の伝送特性の劣化を極力低減することができる。
【００２８】
（第２実施例）
図３は本発明の第２実施例を示すものであり、第１実施例と異なる部分についてのみ説明する。図３は、第１実施例の図２相当図であり、第２実施例における高周波回路装置２５は、回路素子（高周波回路素子）２２′の信号線路５に設けられているスタブ２６の位置が、第１実施例のスタブ２４とは異なっている。即ち、回路素子２２′のスタブ２６は、ワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａとは反対側に形成されている。
【００２９】
スタブ２６をこのような位置に設けることにより、ワイヤ９及び１０，１０並びに接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａまでの寄生回路成分全てを含んで見た場合のインピーダンスを調整することができる。
【００３０】
即ち、スタブ２６の分岐点左側（図３中）から右側を見た場合のワイヤ９及び１０，１０等を含む接続部分の全てのインピーダンスＺは、スタブ２６の分岐点右側から見た接続部分のインピーダンスをＺ１，スタブ２６自身のインピーダンスをＺ２とすると、Ｚ＝Ｚ１＋Ｚ２となる。
【００３１】
従って、第１実施例のように、ワイヤ９及び１０，１０の長さやワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａまでの距離等を予め見積もりインピーダンスＺ１を想定し、スタブ２６のインピーダンスＺ２を加えたインピーダンスＺが、信号線路５及びグランド電極６，６からなる伝送線路の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に一致するように、スタブ２６の形状を決定するようにする。
【００３２】
以上のように第２実施例によれば、回路素子２２′の信号線路５に、ワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａとは反対側にスタブ２６を形成することによって、接続部分の総合的なインピーダンスを、伝送線路の特性インピーダンスに一致させることができ、高周波信号の伝送効率を向上させることができる。
（第３実施例）
図４及び図５は本発明の第３実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。第３実施例における高周波回路装置２７には、第１実施例の高周波回路装置２１の回路素子２２に代えて回路素子（高周波回路素子）２２ａが配置されている。
【００３３】
また、回路素子２３に代えて、回路素子２２ａ及びパッケージ基板２に対してフリップチップ接続される回路素子（接続対象，高周波回路素子）２８が配置されている。そして、回路素子２８と回路素子２２ａ及びパッケージ基板２との間は、ハンダからなるバンプ２９（信号線路接続手段），３０，３０（グランド電極接続手段）によって接続されている。
【００３４】
回路素子２２ａの信号線路５には、バンプ２９との接続点の近傍にスタブ２４ａが形成されている。スタブ２４ａの形状は、第２実施例と同様に、バンプ２９及び３０，３０の形状や、これらのバンプ２９等で接続されることにより生じる回路素子２８と回路素子２２ａ及びパッケージ基板２との間隔、また、バンプ２９から信号線路５の端部間での距離を予め見積もり、バンプ２９等による接続部分の総合的なインピーダンスが、伝送線路の特性インピーダンスに一致するように設定する。
【００３５】
以上のように第３実施例によれば、回路素子２２ａ及びパッケージ基板２に対して、バンプ２９及び３０，３０により回路素子２８をフリップチップ接続する場合でも、第２実施例と同様の効果が得られる。
【００３６】
（第４実施例）
図６乃至図８は本発明の第４実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。第４実施例における高周波回路装置３１は、第１実施例の高周波回路装置２１に対して、回路素子２２，２３間及び回路素子２３とパッケージ基板２との間を接続するワイヤ９及び１０，１０部分に、例えばポリイミドなどの誘電体材料３２を配置した構成である。
【００３７】
図７及び図８では、回路素子２２，２３間の接続状態を示すが、誘電体材料３２は、ワイヤ９及び１０，１０を覆い、且つ、ワイヤ９とワイヤ１０，１０との間に存在する空隙を充填すると共に、回路素子２２及び２３の信号線路５に対するワイヤ９の各接続点Ｐａ及びＰｂと、信号線路５の一端Ｔａ及びＴｂまでの部分５′，５′（即ち、ワイヤ９が信号線路５に対向する部分）をも充填するように配置されている（図８参照）。
【００３８】
また、誘電体材料３２は、回路素子２２，２３上の各スタブ２４，２４部分をも覆うように配置されている。尚、グランド電極６，６間とを接続するワイヤ１０，１０に関しても同様であり、また、回路素子２４とパッケージ基板２との接続部分に配置されている誘電体材料３２についても同様である。
【００３９】
このように誘電体材料３２を配置することの作用効果は以下の通りである。即ち、ワイヤ９とワイヤ１０，１０との間に存在する空隙に誘電体材料３２（比誘電率をεs ）を充填することにより、ワイヤ９及び１０，１０部分を伝搬する高周波信号の波長λを１／（εs ０．５）倍にすることができ、ワイヤ９及び１０，１０部分の特性インピーダンスＺc を、回路素子２２及び２３の伝送線路の特性インピーダンスＺ0 に等価的に近付けるように整合することができる。
【００４０】
そして、特性インピーダンスＺc を、特性インピーダンスＺ0 に近付けることによって、特性インピーダンスの不整合によりワイヤ９及び１０，１０部分で生じる反射損失及び透過損失は低減されるようになる。
【００４１】
また、前述のように、信号線路５の端部５′に生じる寄生回路成分は、対向部分５′の長さＬによって周波数特性が決定されるオープンスタブとみなすことができる。そこで、誘電体材料３２でワイヤ９と信号線路５とが対向する部分を充填することにより、上述のように、ワイヤ９及び１０，１０部分を伝搬する高周波信号の波長λが１／（εs ０．５）倍となる実効長をλe とすると、その実効長λe が変化して長さＬに対する割合が変化することにより、オープンスタブの周波数特性を等価的に変化させることができる。
【００４２】
従って、第１実施例のようにスタブ２４を形成して寄生回路成分による高周波信号の伝送特性の劣化を低減するために調整を行った場合に、実際のワイヤ９及び１０，１０の接続状態が当初の予想と異なり、結果的に調整を十分に行うことができない場合でも、更に誘電体材料３２を配置することによって調整を行うことが可能となる。
【００４３】
以上のように第４実施例によれば、回路素子２２，２３間及び回路素子２３とパッケージ基板２との間を接続するワイヤ９及び１０，１０部分に、誘電体材料３２を配置することによって、特性インピーダンスの整合や寄生回路成分による伝送特性の劣化の影響を低減するための調整をより広範囲に行うことができ、高周波信号の伝送効率をより高めることができる。
【００４４】
（第５実施例）
図９乃至図１１は本発明の第５実施例を示すものである。第５実施例における高周波回路装置３３は、第３実施例における高周波回路装置２７の構成において、回路素子２８及び２２ａとの間を接続するバンプ２９及び３０，３０部分に、ポリイミドなどの誘電体材料３４を配置したものである。
【００４５】
誘電体材料３４は、バンプ２９及び３０，３０を覆うと共に、バンプ２９とバンプ３０，３０との間に存在する空隙を充填し、且つ、図１１に示すように、回路素子２２ａ及び２８の信号線路５に対するバンプ２９の各接続点Ｐｃ及びＰｄと、信号線路５の一端Ｔｃ及びＴｄまでの部分５′及び５′をも覆うように配置されている。更に、誘電体材料３４は、スタブ２４ａ部分をも覆うように配置されている。
【００４６】
以上のように構成された第５実施例によれば、第３実施例のようにスタブ２４ａによって伝送特性の調整を図った後に、第４実施例のように誘電体材料３４を配置することによって、フリップチップ接続される回路素子２８を備えた高周波回路装置３３についても、第４実施例と同様の効果が得られる。
【００４７】
（第６実施例）
図１２は本発明の第６実施例を示すものである。第６実施例においては、第１実施例の高周波回路装置２１の回路素子２２，２３間にワイヤ９及び１０，１０を実際にボンディングした後に、回路素子２２上に形成されたスタブ２４を例えばレーザなどを用いてトリミングしてスタブ２４′とすることにより、当該接続部分の伝送特性の更なる調整を図るようにしたものである。
【００４８】
即ち、高周波回路装置２１の完成後においても、ワイヤ９及び１０，１０が実際にボンディングされた結果、当該部分が示す伝送特性は当初に予想したものと異なる場合があり、逆に、反射損失がより増加してしまう場合も有り得る。そこで、ワイヤボンディング後の実際の伝送特性に応じてスタブ２４をトリミングすることにより、完成後の状態に合わせて伝送特性の調整を行うことができる。
【００４９】
（第７実施例）
図１３は本発明の第７実施例を示すもので、第７実施例においては、第３実施例の高周波回路装置２７の回路素子２２ａ上に形成されたスタブ２４ａについて、、第６実施例と同様にトリミングを行いスタブ２４ａ′として、当該接続部分の伝送特性の更なる調整を図るようにしたものである。即ち、回路素子２８がフリップチップ接続されている高周波回路装置２７においても、バンプ２９及び３０，３０が実際に半田付けされた結果、当該部分が示す伝送特性に応じてスタブ２４ａをトリミングすることにより、第６実施例と同様に完成後の状態に合わせて伝送特性の調整を行うことができる。
【００５０】
（第８実施例）
図１４は本発明の第８実施例を示すものである。第８実施例では、第６実施例においてスタブ２４をトリミングして調整を行った後の高周波回路装置２１に対し、第４実施例と同様に、ワイヤ９及び１０，１０並びにスタブ２４′部分に誘電体材料３２を配置したものである。
【００５１】
このような第８実施例によれば、スタブ２４をトリミングすることにより寄生回路成分による反射損失を低減した上で誘電体材料３２を配置することによって、ワイヤ９及び１０，１０部分の特性インピーダンスを、回路素子２３の伝送線路の特性インピーダンスに整合させることができ、総じて、高周波信号の伝送効率を向上させることができる。
【００５２】
（第９実施例）
図１５は本発明の第９実施例を示すものである。第９実施例では、第７実施例においてスタブ２４ａをトリミングして調整を行った後の高周波回路装置２７に対し、第４実施例と同様に、バンプ２９及び３０，３０並びにスタブ２４ａ′部分に誘電体材料３４を配置したものである。
【００５３】
このような第９実施例によれば、回路素子２８がフリップチップ接続されている高周波回路装置２７においても、スタブ２４ａをトリミングすることにより寄生回路成分による反射損失を低減した上で誘電体材料４２を配置することによって、バンプ２９及び３０，３０部分の特性インピーダンスを、回路素子２３ａの伝送線路の特性インピーダンスに整合させることができ、第８実施例と同様に、総じて高周波信号の伝送効率を向上させることができる。
【００５４】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
信号線路接続手段及びグランド電極接続手段はワイヤに限ることなく、リボンであっても良い。また、グランド電極接続手段は導体板であっても良い。
誘電体材料はポリイミドに限ることなく、例えばエポキシやシリコンなどでも良く、必要な比誘電率を有するものを適宜選択すれば良い。
コプレーナ線路を有する高周波回路装置に限ることなく、マイクロストリップ線路等を有するプレーナ型高周波回路装置に適用しても良い。また、マイクロストリップ線路に対して誘電体材料を配置する場合は、信号線路接続手段と信号線路とが対向する部分及び信号線路接続手段とグランド電極（パッケージ基板と兼用されている）とが対向する部分とを誘電体材料で充填するようにすれば良い。また、この場合、信号線路接続手段の両側にグランド電極接続手段をも配置して、両者間の空隙をも誘電体材料で充填するようにしても良い。
【００５５】
例えば、第１実施例において、回路素子２２，２３間の接続において、回路素子２３側にもスタブを形成して良い。また、回路素子２２及び２３とパッケージ基板２との間の接続において、パッケージ基板２側にもスタブを形成して良い。他の実施例についても同様であり、例えば、回路素子２２ａ，２８間の接続において、回路素子２８側にもスタブを形成して良い。
第２実施例のようにスタブ２６を設けた場合も、第４実施例と同様にして誘電体材料を配置しても良い。
パッケージに搭載される高周波回路素子は、１個のみであっても、また、３個以上であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す高周波回路装置の斜視図
【図２】回路素子間の接続状態を示す平面図
【図３】本発明の第２実施例を示す図２相当図
【図４】本発明の第３実施例を示す図１相当図
【図５】一部を透視して示す図２相当図
【図６】本発明の第４実施例を示す図１相当図
【図７】図２相当図
【図８】回路素子間の接続状態を示す断面図
【図９】本発明の第５実施例を示す図１相当図
【図１０】図５相当図
【図１１】図８相当図
【図１２】本発明の第６実施例を示す図２相当図
【図１３】本発明の第７実施例を示す図５相当図
【図１４】本発明の第８実施例を示す図２相当図
【図１５】本発明の第９実施例を示す図５相当図
【図１６】従来技術を示す図１相当図
【図１７】図２相当図
【図１８】図８相当図
【符号の説明】
２はパッケージ基板（接続対象，パッケージ）、５は信号線路、６，６はグランド電極、７は信号線路、８，８はグランド電極、９はワイヤ（信号線路接続手段）、１０，１０はワイヤ（グランド電極接続手段）、２１は高周波回路装置、２２，２２′，２２ａは回路素子（高周波回路素子）、２３は回路素子（接続対象，高周波回路素子）、２４，２４′２４ａ及び２４ａ′はスタブ、２５は高周波回路装置、２６はスタブ、２８は回路素子（接続対象，高周波回路素子）、２９はバンプ（信号線路接続手段）、３０，３０はバンプ（グランド電極接続手段）、３１は高周波回路装置、３２は誘電体材料、３３は高周波回路装置、３４は誘電体材料を示す。
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＭＭＩＣ等として構成される高周波回路素子を備えてなる高周波回路装置に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
このような高周波回路装置では、扱う信号の周波数が高くなる程、装置全体を樹脂などで封止すると特性インピーダンスの値が当初の設計値から大きなずれを生じる傾向にあり、調整範囲が厳しいものでは正常な動作をしなくなるおそれがある。このため、特にミリ波などの高周波領域の信号を扱う高周波回路装置では、樹脂封止を行わない場合も多い。
【０００３】
斯様な高周波回路装置の構成の一例を、図１６に示す。高周波回路装置１のパッケージ基板２上には、チップとして独立に形成された２つの回路素子３及び４が接着などで固定された状態で搭載されている。ＭＭＩＣ(Monolithic Microwave/Milli-wave Integrated Circuit)等として集積回路部３ａ及び４ａが形成される回路素子３及び４は、高周波用途として適した例えばガリウムヒ素などの半導体基板を用いて構成されており、与えられた高周波信号について夫々所定の処理を行うものである。
【０００４】
そして、回路素子３及び４は、集積回路部３ａ及び４ａに接続されている信号線路５と、その信号線路５の両側に配置されるグランド電極６，６とを備えている。即ち、信号線路５とグランド電極６，６とは、信号伝送路としてコプレーナ線路を構成している。
【０００５】
一方、パッケージ基板２側にも、外部との間で高周波信号の伝送を行うため、信号線路７及びその信号線路７の両側に配置されるグランド電極８，８が配置されており、これらは、回路素子３及び４の信号線路５並びにグランド電極６，６に、接続用のワイヤ９並びに１０，１０によって夫々接続されている。
【０００６】
また、パッケージ基板２には、回路素子３及び４の集積回路部３ａ及び４ａに対して外部から直流電力を供給したり、或いは外部との間で低周波信号を伝送するための低周波用電極１１が設けられており、その低周波用電極１１と集積回路部３ａ及び４ａとの間は、ワイヤ１２によって接続されている。
【０００７】
このように、回路素子３及び４の間、またはパッケージ基板２と回路素子３，４の間をワイヤ９及び１０や接続用のリボンなどによって接続する場合には、以下の問題点がある。先ず、第１に、高周波信号を扱う回路素子３及び４の信号伝送路の特性インピーダンスは、例えば５０Ωなどの一定値となるように設計するが、ワイヤ９及び１０による接続部分においては、特性インピーダンスが局所的に異なった値となり反射損失を増大させる。
【０００８】
また、第２に、ワイヤ９及び１０を、回路素子３及び４上の信号線路５及びグランド電極６，６や、パッケージ基板２上の信号線路７及びグランド電極８，８に接続する場合には、位置決め精度の良くない手動式ボンディング装置などを用いると、以下のような不具合が発生する。
【０００９】
図１７及び図１８に平面図及び断面図として示すように、回路素子３及び４の信号線路５に対するワイヤ９の各接続点Ｐａ及びＰｂから信号線路５の一端Ｔａ及びＴｂまでの部分５′，５′の距離Ｌａ及びＬｂ（図１８参照）が、扱う信号の波長λに比して無視できない長さとなる場合がある。すると、この接続部分に寄生回路成分が生じて、やはり反射損失を増大させる。
【００１０】
上記第１の問題点を解決する従来技術としては、例えば特開平９−１４８５２４号に開示されているものがある。これは、信号伝送路をマイクロストリップ線路で構成するものにおいて、回路素子間の接続部分における高周波伝送線路のボンディングパッドの両脇に接地電位ボンディングパッドを設け、これらのボンディングパッド間をワイヤで接続することにより疑似コプレーナ線路を形成し、更に、ワイヤとベース基板（接地電位基板）との間に誘電体材料を充填することによって当該接続部分における特性インピーダンスを調整するものである。
【００１１】
しかしながら、この従来技術においては、上記第２の問題点については全く考慮されておらず、接続部分に生じる寄生回路による反射損失については対処することができない。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波回路素子と接続対象との間における接続部分の特性インピーダンスを調整すると共に、当該接続部分に生じる寄生回路による反射損失をも低減することができる高周波回路装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の高周波回路装置によれば、高周波回路素子上の信号線路と外部の接続対象上の信号線路との間を接続する信号線路接続手段とその接続点近傍における高周波回路素子上の信号線路上に伝送特性調整用のスタブを形成するので、例えば、信号線路接続手段の長さや、信号線路接続手段の接続点から信号線路端部までの距離などを予め見積もることによりスタブの形状を設定すれば、信号線路接続手段部分の局所的な特性インピーダンスを高周波回路素子の特性インピーダンスに整合させるように調整することができる。
【００１４】
また、例えばボンディング精度の限界などによって、信号線路接続手段と信号線路とが対向する部分に寄生回路成分を生じることが避けられない場合であっても、その寄生回路成分による反射損失を低減するように調整することができるので、高周波信号の伝送効率をより向上させることができる。
【００１５】
そして、誘電体材料は、信号線路接続手段及び当該信号線路接続手段と信号線路とが対向する部分を充填するので、上記スタブによる調整に加えて、適当な比誘電率を有する誘電体材料を適宜選択することにより、信号線路接続手段部分の特性インピーダンスを調整したり、寄生回路成分による反射損失を低減するように調整することができるので、より精度の高い調整を行うことができる。
【００１６】
請求項２または３記載の高周波回路装置によれば、高周波回路素子上のグランド電極と外部の接続対象上のグランド電極との間を接続するグランド電極接続手段を備え（請求項２）、また、誘電体材料によって信号線路接続手段とグランド電極接続手段との間の空隙を充填すると共に、グランド電極接続手段及びそのグランド電極接続手段とグランド電極とが対向する部分をも充填するので（請求項３）、例えば、伝送線路がコプレーナ線路として構成される場合でも、請求項１と同様に信号線路接続手段部分の特性インピーダンスを調整することができる。
【００１７】
請求項４記載の高周波回路装置によれば、誘電体材料によってスタブをも覆うので、そのスタブ部分が示す伝送特性について、誘電体材料の比誘電率を以て調整を加えることができる。
【００１８】
請求項５または６記載の高周波回路装置によれば、信号線路接続手段をワイヤまたはリボンで構成すると共に、グランド電極接続手段を、ワイヤまたはリボン若しくは導体板で構成し（請求項５）、また、信号線路接続手段及びグランド電極接続手段をバンプで構成するので（請求項６）、各接続手段が具体的に様々な要素で構成される場合でも、上記と同様の効果が得られる。
【００１９】
請求項７または８記載の高周波回路装置によれば、外部の接続対象を、高周波回路素子（請求項７）、または高周波回路素子が搭載されるパッケージ（請求項８）とするので、高周波回路素子が他の高周波回路素子と接続される部分（請求項７）、または自身が搭載されるパッケージと接続される部分（請求項８）について、上記と同様の効果が得られる。
【００２０】
請求項９または１０記載の高周波回路装置によれば、請求項１または２におけるスタブを、信号線路接続手段が接続された後の伝送特性に応じて（請求項９）、または信号線路接続手段及びグランド電極接続手段が接続された後の伝送特性に応じて（請求項１０）トリミングすることにより伝送特性を調整するので、実際に、各接続手段が信号線路やグランド電極に接続された状態に応じてスタブをトリミング調整して特性インピーダンスを整合させたり、寄生回路成分の影響を低減して伝送特性を調整することができる。
【００２１】
請求項１１記載の高周波回路装置によれば、スタブをトリミングした後に請求項４の誘電体材料を配置するので、請求項９または１０における調整に対して、更に誘電体材料の比誘電率を以て調整を加えることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第１実施例）
以下、本発明の第１実施例について図１及び図２を参照して説明する。尚、図１６乃至図１８と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。図１及び図２に示すように、本実施例における高周波回路装置２１に搭載されている回路素子（高周波回路素子）２２及び２３は、高周波回路装置１の回路素子３及び４の信号線路５に、伝送特性調整用のスタブ２４を夫々形成してなるものである。
【００２３】
回路素子２２側には、接続対象たる回路素子２３とワイヤ９（信号線路接続手段）及び１０，１０（グランド電極接続手段）により接続されている側において、信号線路５及びワイヤ９の接続点Ｐａと信号線路５の端部Ｔａとの間に、グランド電極６側に突出する形状のスタブ２４が形成されている（図２参照）。また、回路素子２３側には、接続対象たるパッケージ基板（パッケージ）２とワイヤ９及び１０，１０により接続されている側に、回路素子２２と同様にしてスタブ２４が形成されている。
【００２４】
各スタブ２４，２４の形状（幅及び長さ）は、ワイヤ９及び１０，１０の長さや、ワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａまでの距離等を予め見積もることにより、当該部分に生じる寄生回路成分がオープンスタブとして振る舞う場合の伝送特性を考慮し、そのオープンスタブの伝送特性によって生じる反射損失を、各スタブ２４，２４を形成することにより低減するように設定する。
【００２５】
即ち、接続点Ｐａから端部Ｔａまでの距離をＬとすると、その距離Ｌが高周波信号の波長λに対して無視できない距離である場合は、その部分がオープンスタブとして振る舞う寄生回路成分を生じる。この時、距離Ｌと波長λとの比率に応じて、オープンスタブは高周波信号に対して帯域通過特性を示したり、帯域阻止特性を示すようになる。
【００２６】
従って、例えばボンディング装置の精度などを考慮して、ワイヤボンディングが行われる場合に上記距離Ｌが高周波信号の波長λに対してどれくらいの比率になるかを予測してオープンスタブの伝送特性を想定し、そのオープンスタブにスタブ２４を組み合わせた総合的な伝送特性が、帯域通過特性に近付くように各スタブ２４，２４の形状を設定する。
【００２７】
以上のように本実施例によれば、回路素子２２の信号線路５には回路素子２３とワイヤ９及び１０，１０により接続される側に、また、回路素子２３の信号線路５にはパッケージ基板２とワイヤ９及び１０，１０により接続される側に夫々スタブ２４，２４を設けたので、寄生回路成分による高周波信号の伝送特性の劣化を極力低減することができる。
【００２８】
（第２実施例）
図３は本発明の第２実施例を示すものであり、第１実施例と異なる部分についてのみ説明する。図３は、第１実施例の図２相当図であり、第２実施例における高周波回路装置２５は、回路素子（高周波回路素子）２２′の信号線路５に設けられているスタブ２６の位置が、第１実施例のスタブ２４とは異なっている。即ち、回路素子２２′のスタブ２６は、ワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａとは反対側に形成されている。
【００２９】
スタブ２６をこのような位置に設けることにより、ワイヤ９及び１０，１０並びに接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａまでの寄生回路成分全てを含んで見た場合のインピーダンスを調整することができる。
【００３０】
即ち、スタブ２６の分岐点左側（図３中）から右側を見た場合のワイヤ９及び１０，１０等を含む接続部分の全てのインピーダンスＺは、スタブ２６の分岐点右側から見た接続部分のインピーダンスをＺ１，スタブ２６自身のインピーダンスをＺ２とすると、Ｚ＝Ｚ１＋Ｚ２となる。
【００３１】
従って、第１実施例のように、ワイヤ９及び１０，１０の長さやワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａまでの距離等を予め見積もりインピーダンスＺ１を想定し、スタブ２６のインピーダンスＺ２を加えたインピーダンスＺが、信号線路５及びグランド電極６，６からなる伝送線路の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に一致するように、スタブ２６の形状を決定するようにする。
【００３２】
以上のように第２実施例によれば、回路素子２２′の信号線路５に、ワイヤ９の接続点Ｐａから信号線路５の端部Ｔａとは反対側にスタブ２６を形成することによって、接続部分の総合的なインピーダンスを、伝送線路の特性インピーダンスに一致させることができ、高周波信号の伝送効率を向上させることができる。
（第３実施例）
図４及び図５は本発明の第３実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。第３実施例における高周波回路装置２７には、第１実施例の高周波回路装置２１の回路素子２２に代えて回路素子（高周波回路素子）２２ａが配置されている。
【００３３】
また、回路素子２３に代えて、回路素子２２ａ及びパッケージ基板２に対してフリップチップ接続される回路素子（接続対象，高周波回路素子）２８が配置されている。そして、回路素子２８と回路素子２２ａ及びパッケージ基板２との間は、ハンダからなるバンプ２９（信号線路接続手段），３０，３０（グランド電極接続手段）によって接続されている。
【００３４】
回路素子２２ａの信号線路５には、バンプ２９との接続点の近傍にスタブ２４ａが形成されている。スタブ２４ａの形状は、第２実施例と同様に、バンプ２９及び３０，３０の形状や、これらのバンプ２９等で接続されることにより生じる回路素子２８と回路素子２２ａ及びパッケージ基板２との間隔、また、バンプ２９から信号線路５の端部間での距離を予め見積もり、バンプ２９等による接続部分の総合的なインピーダンスが、伝送線路の特性インピーダンスに一致するように設定する。
【００３５】
以上のように第３実施例によれば、回路素子２２ａ及びパッケージ基板２に対して、バンプ２９及び３０，３０により回路素子２８をフリップチップ接続する場合でも、第２実施例と同様の効果が得られる。
【００３６】
（第４実施例）
図６乃至図８は本発明の第４実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。第４実施例における高周波回路装置３１は、第１実施例の高周波回路装置２１に対して、回路素子２２，２３間及び回路素子２３とパッケージ基板２との間を接続するワイヤ９及び１０，１０部分に、例えばポリイミドなどの誘電体材料３２を配置した構成である。
【００３７】
図７及び図８では、回路素子２２，２３間の接続状態を示すが、誘電体材料３２は、ワイヤ９及び１０，１０を覆い、且つ、ワイヤ９とワイヤ１０，１０との間に存在する空隙を充填すると共に、回路素子２２及び２３の信号線路５に対するワイヤ９の各接続点Ｐａ及びＰｂと、信号線路５の一端Ｔａ及びＴｂまでの部分５′，５′（即ち、ワイヤ９が信号線路５に対向する部分）をも充填するように配置されている（図８参照）。
【００３８】
また、誘電体材料３２は、回路素子２２，２３上の各スタブ２４，２４部分をも覆うように配置されている。尚、グランド電極６，６間とを接続するワイヤ１０，１０に関しても同様であり、また、回路素子２４とパッケージ基板２との接続部分に配置されている誘電体材料３２についても同様である。
【００３９】
このように誘電体材料３２を配置することの作用効果は以下の通りである。即ち、ワイヤ９とワイヤ１０，１０との間に存在する空隙に誘電体材料３２（比誘電率をεs ）を充填することにより、ワイヤ９及び１０，１０部分を伝搬する高周波信号の波長λを１／（εs ０．５）倍にすることができ、ワイヤ９及び１０，１０部分の特性インピーダンスＺc を、回路素子２２及び２３の伝送線路の特性インピーダンスＺ0 に等価的に近付けるように整合することができる。
【００４０】
そして、特性インピーダンスＺc を、特性インピーダンスＺ0 に近付けることによって、特性インピーダンスの不整合によりワイヤ９及び１０，１０部分で生じる反射損失及び透過損失は低減されるようになる。
【００４１】
また、前述のように、信号線路５の端部５′に生じる寄生回路成分は、対向部分５′の長さＬによって周波数特性が決定されるオープンスタブとみなすことができる。そこで、誘電体材料３２でワイヤ９と信号線路５とが対向する部分を充填することにより、上述のように、ワイヤ９及び１０，１０部分を伝搬する高周波信号の波長λが１／（εs ０．５）倍となる実効長をλe とすると、その実効長λe が変化して長さＬに対する割合が変化することにより、オープンスタブの周波数特性を等価的に変化させることができる。
【００４２】
従って、第１実施例のようにスタブ２４を形成して寄生回路成分による高周波信号の伝送特性の劣化を低減するために調整を行った場合に、実際のワイヤ９及び１０，１０の接続状態が当初の予想と異なり、結果的に調整を十分に行うことができない場合でも、更に誘電体材料３２を配置することによって調整を行うことが可能となる。
【００４３】
以上のように第４実施例によれば、回路素子２２，２３間及び回路素子２３とパッケージ基板２との間を接続するワイヤ９及び１０，１０部分に、誘電体材料３２を配置することによって、特性インピーダンスの整合や寄生回路成分による伝送特性の劣化の影響を低減するための調整をより広範囲に行うことができ、高周波信号の伝送効率をより高めることができる。
【００４４】
（第５実施例）
図９乃至図１１は本発明の第５実施例を示すものである。第５実施例における高周波回路装置３３は、第３実施例における高周波回路装置２７の構成において、回路素子２８及び２２ａとの間を接続するバンプ２９及び３０，３０部分に、ポリイミドなどの誘電体材料３４を配置したものである。
【００４５】
誘電体材料３４は、バンプ２９及び３０，３０を覆うと共に、バンプ２９とバンプ３０，３０との間に存在する空隙を充填し、且つ、図１１に示すように、回路素子２２ａ及び２８の信号線路５に対するバンプ２９の各接続点Ｐｃ及びＰｄと、信号線路５の一端Ｔｃ及びＴｄまでの部分５′及び５′をも覆うように配置されている。更に、誘電体材料３４は、スタブ２４ａ部分をも覆うように配置されている。
【００４６】
以上のように構成された第５実施例によれば、第３実施例のようにスタブ２４ａによって伝送特性の調整を図った後に、第４実施例のように誘電体材料３４を配置することによって、フリップチップ接続される回路素子２８を備えた高周波回路装置３３についても、第４実施例と同様の効果が得られる。
【００４７】
（第６実施例）
図１２は本発明の第６実施例を示すものである。第６実施例においては、第１実施例の高周波回路装置２１の回路素子２２，２３間にワイヤ９及び１０，１０を実際にボンディングした後に、回路素子２２上に形成されたスタブ２４を例えばレーザなどを用いてトリミングしてスタブ２４′とすることにより、当該接続部分の伝送特性の更なる調整を図るようにしたものである。
【００４８】
即ち、高周波回路装置２１の完成後においても、ワイヤ９及び１０，１０が実際にボンディングされた結果、当該部分が示す伝送特性は当初に予想したものと異なる場合があり、逆に、反射損失がより増加してしまう場合も有り得る。そこで、ワイヤボンディング後の実際の伝送特性に応じてスタブ２４をトリミングすることにより、完成後の状態に合わせて伝送特性の調整を行うことができる。
【００４９】
（第７実施例）
図１３は本発明の第７実施例を示すもので、第７実施例においては、第３実施例の高周波回路装置２７の回路素子２２ａ上に形成されたスタブ２４ａについて、、第６実施例と同様にトリミングを行いスタブ２４ａ′として、当該接続部分の伝送特性の更なる調整を図るようにしたものである。即ち、回路素子２８がフリップチップ接続されている高周波回路装置２７においても、バンプ２９及び３０，３０が実際に半田付けされた結果、当該部分が示す伝送特性に応じてスタブ２４ａをトリミングすることにより、第６実施例と同様に完成後の状態に合わせて伝送特性の調整を行うことができる。
【００５０】
（第８実施例）
図１４は本発明の第８実施例を示すものである。第８実施例では、第６実施例においてスタブ２４をトリミングして調整を行った後の高周波回路装置２１に対し、第４実施例と同様に、ワイヤ９及び１０，１０並びにスタブ２４′部分に誘電体材料３２を配置したものである。
【００５１】
このような第８実施例によれば、スタブ２４をトリミングすることにより寄生回路成分による反射損失を低減した上で誘電体材料３２を配置することによって、ワイヤ９及び１０，１０部分の特性インピーダンスを、回路素子２３の伝送線路の特性インピーダンスに整合させることができ、総じて、高周波信号の伝送効率を向上させることができる。
【００５２】
（第９実施例）
図１５は本発明の第９実施例を示すものである。第９実施例では、第７実施例においてスタブ２４ａをトリミングして調整を行った後の高周波回路装置２７に対し、第４実施例と同様に、バンプ２９及び３０，３０並びにスタブ２４ａ′部分に誘電体材料３４を配置したものである。
【００５３】
このような第９実施例によれば、回路素子２８がフリップチップ接続されている高周波回路装置２７においても、スタブ２４ａをトリミングすることにより寄生回路成分による反射損失を低減した上で誘電体材料４２を配置することによって、バンプ２９及び３０，３０部分の特性インピーダンスを、回路素子２３ａの伝送線路の特性インピーダンスに整合させることができ、第８実施例と同様に、総じて高周波信号の伝送効率を向上させることができる。
【００５４】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
信号線路接続手段及びグランド電極接続手段はワイヤに限ることなく、リボンであっても良い。また、グランド電極接続手段は導体板であっても良い。
誘電体材料はポリイミドに限ることなく、例えばエポキシやシリコンなどでも良く、必要な比誘電率を有するものを適宜選択すれば良い。
コプレーナ線路を有する高周波回路装置に限ることなく、マイクロストリップ線路等を有するプレーナ型高周波回路装置に適用しても良い。また、マイクロストリップ線路に対して誘電体材料を配置する場合は、信号線路接続手段と信号線路とが対向する部分及び信号線路接続手段とグランド電極（パッケージ基板と兼用されている）とが対向する部分とを誘電体材料で充填するようにすれば良い。また、この場合、信号線路接続手段の両側にグランド電極接続手段をも配置して、両者間の空隙をも誘電体材料で充填するようにしても良い。
【００５５】
例えば、第１実施例において、回路素子２２，２３間の接続において、回路素子２３側にもスタブを形成して良い。また、回路素子２２及び２３とパッケージ基板２との間の接続において、パッケージ基板２側にもスタブを形成して良い。他の実施例についても同様であり、例えば、回路素子２２ａ，２８間の接続において、回路素子２８側にもスタブを形成して良い。
第２実施例のようにスタブ２６を設けた場合も、第４実施例と同様にして誘電体材料を配置しても良い。
パッケージに搭載される高周波回路素子は、１個のみであっても、また、３個以上であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す高周波回路装置の斜視図
【図２】回路素子間の接続状態を示す平面図
【図３】本発明の第２実施例を示す図２相当図
【図４】本発明の第３実施例を示す図１相当図
【図５】一部を透視して示す図２相当図
【図６】本発明の第４実施例を示す図１相当図
【図７】図２相当図
【図８】回路素子間の接続状態を示す断面図
【図９】本発明の第５実施例を示す図１相当図
【図１０】図５相当図
【図１１】図８相当図
【図１２】本発明の第６実施例を示す図２相当図
【図１３】本発明の第７実施例を示す図５相当図
【図１４】本発明の第８実施例を示す図２相当図
【図１５】本発明の第９実施例を示す図５相当図
【図１６】従来技術を示す図１相当図
【図１７】図２相当図
【図１８】図８相当図
【符号の説明】
２はパッケージ基板（接続対象，パッケージ）、５は信号線路、６，６はグランド電極、７は信号線路、８，８はグランド電極、９はワイヤ（信号線路接続手段）、１０，１０はワイヤ（グランド電極接続手段）、２１は高周波回路装置、２２，２２′，２２ａは回路素子（高周波回路素子）、２３は回路素子（接続対象，高周波回路素子）、２４，２４′２４ａ及び２４ａ′はスタブ、２５は高周波回路装置、２６はスタブ、２８は回路素子（接続対象，高周波回路素子）、２９はバンプ（信号線路接続手段）、３０，３０はバンプ（グランド電極接続手段）、３１は高周波回路装置、３２は誘電体材料、３３は高周波回路装置、３４は誘電体材料を示す。
Claims (11)
- 高周波信号を処理する高周波回路素子と、
前記高周波回路素子上のグランド電極と、
前記高周波回路素子上の信号線路と外部の接続対象上の信号線路との間を接続する信号線路接続手段と、
前記信号線路接続手段と前記高周波回路素子上の信号線路との接続点近傍における前記高周波回路素子上の信号線路上に形成される伝送特性調整用のスタブとを備え、
前記信号線路接続手段及び当該信号線路接続手段と前記信号線路とが対向する部分を充填するように誘電体材料を配置したことを特徴とする高周波回路装置。 - 前記高周波回路素子上のグランド電極と前記外部の接続対象上のグランド電極との間を接続するグランド電極接続手段を備えていることを特徴とする請求項１記載の高周波回路装置。
- 前記信号線路接続手段と前記グランド電極接続手段との間の空隙を充填すると共に、前記グランド電極接続手段及び当該グランド電極接続手段と前記グランド電極とが対向する部分をも充填するように誘電体材料を配置したことを特徴とする請求項２記載の高周波回路装置。
- 前記誘電体材料は、前記スタブをも覆うように配置されていることを特徴とする請求項１または３記載の高周波回路装置。
- 前記信号線路接続手段は、ワイヤまたはリボンで構成されると共に、
前記グランド電極接続手段は、ワイヤまたはリボン若しくは導体板で構成されることを特徴とする請求項２記載の高周波回路装置。 - 前記信号線路接続手段及びグランド電極接続手段は、バンプで構成されることを特徴とする請求項２記載の高周波回路装置。
- 前記外部の接続対象は、高周波回路素子であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の高周波回路装置。
- 前記外部の接続対象は、前記高周波回路素子が搭載されるパッケージであることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の高周波回路装置。
- 前記スタブを前記信号線路接続手段が接続された後の伝送特性に応じてトリミングすることにより、前記伝送特性を調整することを特徴とする請求項１記載の高周波回路装置。
- 前記スタブを前記信号線路接続手段及び前記グランド電極接続手段が接続された後の伝送特性に応じてトリミングすることにより、前記伝送特性を調整することを特徴とする請求項３記載の高周波回路装置。
- 前記誘電体材料は、前記スタブをトリミングした後に配置されたものであることを特徴とする請求項４記載の高周波回路装置。
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| JP01406598A JP3800786B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 高周波回路装置 |
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| JPH11214581A JPH11214581A (ja) | 1999-08-06 |
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-
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