JP3890999B2 - 光送信モジュール - Google Patents
光送信モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP3890999B2 JP3890999B2 JP2002037272A JP2002037272A JP3890999B2 JP 3890999 B2 JP3890999 B2 JP 3890999B2 JP 2002037272 A JP2002037272 A JP 2002037272A JP 2002037272 A JP2002037272 A JP 2002037272A JP 3890999 B2 JP3890999 B2 JP 3890999B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical transmission
- semiconductor laser
- transmission module
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気信号を光信号へと変換する発光素子を備える光送信モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光を情報伝達媒体として用いる光通信システムにおいて、光ファイバ伝送路などの光伝送路を伝送される光信号を送信するための送信装置として、電気信号を光信号へと変換する発光素子を備える光送信モジュールが用いられている(例えば、特開平11−109184号公報参照)。
【0003】
図9は、従来の光送信モジュールの構成の一例を一部破断して示す側面図である。この光送信モジュール6は、金属パッケージなどのハウジング60内に発光素子である半導体レーザ65等を設置した同軸型の光モジュールである。光送信モジュール6のハウジング60内には、フェルール61、レンズ63、及び半導体レーザ65が光軸を一致させて設置されている。半導体レーザ65から出射された光信号は、集光用のレンズ63を介してフェルール61に挿通された光ファイバ62に入射され、光ファイバ62から外部へと出力される。また、半導体レーザ65の上流側(下方)には、フォトダイオード66が配置されている。このフォトダイオード66は、半導体レーザ65の後方光を検出して半導体レーザ65の駆動状態をモニタするために用いられる。
【0004】
図10は、従来の光送信モジュールの構成の他の例を示す側面断面図である。また、図11は、図10に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。この光送信モジュール7は、半導体レーザ80と、半導体レーザ80からの光信号を伝送して出力する光導波路86を有する光導波路素子85とが基板70上に設置された表面実装型の光モジュールである。
【0005】
光送信モジュール7には、フェルール90、光導波路86を有する光導波路素子85、及び半導体レーザ80が光軸を一致させて設置されている。半導体レーザ80から出射された光信号は、光導波路86を介して、フェルール90に挿通された光ファイバ91に入射され、光ファイバ91から外部へと出力される。また、半導体レーザ80の上流側には、後方光のモニタに用いられる導波路型のフォトダイオード81が配置されている。図9に示した同軸型の光送信モジュールでは、その立体的構造からモジュールのサイズが大型化し、低コスト化にも限界がある。一方、図10及び図11に示した表面実装型の光送信モジュールでは、モジュールの小型化、低コスト化が可能である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
光送信モジュールにおいては、電気信号を光通信システムで伝送される光信号に変換して出力する発光素子に対して、発光素子を駆動制御するための駆動ICなどの駆動素子を設置する必要がある。ここで、図9に示した同軸型の光送信モジュール6の場合、半導体レーザ65の下流側(上方)にはレンズ63などの光学素子やフェルール61などが配置されており、上流側(下方)はモニタ用のフォトダイオード66及びハウジング60の金属製の台座となっている。
【0007】
このような構成からなる光送信モジュール6に駆動素子を設ける場合、ハウジング60の外側、またはハウジング60の内側で半導体レーザ65から離れた位置に駆動素子を配置することとなる。このとき、半導体レーザ65と駆動素子との間の結線長さが長くなり、モジュールが大型化する。また、半導体レーザ65と駆動素子との間の配線でのインピーダンスにより、半導体レーザを高速で駆動させることが困難となる。
【0008】
また、図10及び図11に示した表面実装型の光送信モジュール7に駆動素子を設ける場合、図12に示すように、光送信モジュール7を配線基板95上に実装した後、配線基板95上に設置された駆動素子97に配線96を介して接続する構成が用いられる。また、この駆動素子97は、さらに制御用IC98に接続される。このような構成においても、光送信モジュール7の半導体レーザ80と駆動素子97との間の結線長さが長くなる。また、光送信モジュール7の外部に駆動素子97を設けているので、送信装置が全体として大型化する。
【0009】
一方、光通信システムにおいては、近年、光信号を伝送して通信を行う際の通信速度に対して、例えば1Gbpsから5Gbpsへと、より高速の通信速度が要求されている。このとき、光信号を送信する光送信モジュールにおいても、同様に、高速の送信速度が要求される。また、多数の通信を効率良く行うことが可能な光通信システムを実現するため、光送信モジュールなどの光モジュールのサイズを小型化することが必要となっている。
【0010】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、モジュールが小型化されるとともに、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による光送信モジュールは、電気信号を光信号へと変換して送信する光送信モジュールであって、(1)基板上に設置され、電気信号を光信号へと変換する発光素子と、(2)基板上に発光素子とともに設置され、発光素子からの光信号を伝送して出力する光伝送路と、(3)光伝送路上に配置され、発光素子を駆動する駆動素子と、(4)発光素子に対して光伝送路とは反対側の所定位置に配置され、発光素子からの後方光を検出するモニタ用の受光素子と、(5)駆動素子を外部へと接続するための電気的接続手段である金属製のリードフレームとを備え、(6)発光素子は、その端部から光信号を出射する半導体レーザからなり、リードフレームには、光信号伝送方向に平行な中心軸からみて左右の両側に、それぞれ所定のリードピンが形成されていることを特徴とする。
【0012】
上記した光送信モジュールにおいては、発光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実装型の構成とするとともに、発光素子を駆動制御するための駆動素子を発光素子からみて光伝送路側(下流側)に配置している。これにより、発光素子及び光伝送路から離れた位置に駆動素子を設置する必要がなくなり、モジュールを小型化することが可能となる。
【0013】
また、駆動素子を発光素子の直近に配置することができるので、発光素子と駆動素子との間の結線長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、発光素子と駆動素子との間の配線でのインピーダンスが低減され、発光素子を高速で駆動させることができる。したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールが実現される。
【0014】
また、光送信モジュールは、発光素子からみて光伝送路とは反対側の所定位置に、発光素子からの後方光を検出するモニタ用の受光素子が配置されていることを特徴とする。このような構成によれば、モニタ用の受光素子で発光素子の後方光を検出することによって発光素子の駆動状態をモニタして、発光素子を安定駆動させることが可能となる。
【0015】
ここで、光送信モジュールに用いられる発光素子としては、半導体レーザからなる発光素子を用いることが好ましい。
【0016】
また、光伝送路としては、平面導波路型の光導波路からなる光伝送路を用いることが好ましい。あるいは、光ファイバ、または光ファイバを挿通した光ファイバ付フェルールからなる光伝送路を用いることが好ましい。
【0017】
また、光送信モジュールは、発光素子として、N個(Nは2以上の整数)の発光素子を並列に配置するとともに、光伝送路及び駆動素子として、N個の発光素子に対応するN個の光伝送路及びN個の駆動素子をそれぞれ並列に配置することを特徴とする。これにより、Nチャンネル(複数チャンネル)の光信号を単一の光送信モジュールから送信することが可能となり、光信号当たりの光送信モジュールのサイズをさらに小型化することができる。
【0018】
また、駆動素子と光伝送路との間に配置され、駆動素子を載置するサブマウント部材を備えることを特徴とする。これにより、発光素子からみて光伝送路側に配置される駆動素子を、光伝送路とともに良好に設置することができる。
【0019】
また、駆動素子を外部へと接続するための電気的接続手段として、金属製のリードフレームを備えることを特徴とする。これにより、駆動素子による発光素子の駆動制御を好適に行うことができる。
【0020】
また、発光素子、光伝送路、及び光信号が通過する所定の光路部分が、透明樹脂によって充填されていることが好ましい。あるいは、基板、発光素子、光伝送路、及び駆動素子を含む全体が、樹脂モールドされていることが好ましい。これにより、光送信モジュールの各要素を良好に保持することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による光送信モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0022】
図1は、本発明による光送信モジュールの第1実施形態の断面構成を示す側面断面図である。また、図2は、図1に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。なお、図1は、本光送信モジュールにおける光信号伝送方向(図2での横方向)に平行なモジュールの中心軸を含む断面図となっている。
【0023】
本光送信モジュール1Aは、電気信号を光信号へと変換して送信する表面実装型の光モジュールであり、基板10と、半導体レーザ20と、平面導波路型の光導波路素子25と、駆動素子30とを備えている。
【0024】
半導体レーザ20は、光送信モジュール1Aでの送信対象となる光信号について、電気信号を光信号へと変換して出射する発光素子である。この半導体レーザ20は、基板10上に設置されている。また、この基板10上には、半導体レーザ20とともに、光導波路素子25が設置されている。光導波路素子25は、半導体レーザ20から出射された光信号を伝送して出力する光伝送路として機能する平面導波路型の光導波路26を有する。
【0025】
これらの半導体レーザ20及び光導波路素子25は、半導体レーザ20の光軸と、光伝送路である光導波路26の光軸とが一致するように配置されている。これにより、半導体レーザ20の下流側の端部から出射された光信号が、光導波路26に効率良く入射される。また、光導波路素子25の下流側の端部には、フェルール40が接続されている。このフェルール40は、フェルール40内に挿通される光信号出力用の光ファイバ41と、光導波路26とが光学的に接続されるように配置されている。
【0026】
また、半導体レーザ20のさらに上流側となる後方の基板10上には、導波路型のフォトダイオード50が設置されている。フォトダイオード50は、半導体レーザ20から後方に出射される後方光を検出するモニタ用の受光素子である。このフォトダイオード50は、半導体レーザ20からみて、光伝送路である光導波路26とは反対側の所定位置に、半導体レーザ20と光軸が一致するように配置されている。
【0027】
一方、駆動素子30は、光信号へと変換される電気信号などの必要な電気信号を半導体レーザ20に供給し、半導体レーザ20を駆動制御するための回路素子である。この駆動素子30は、光導波路素子25の上面上の所定位置に設置されている。すなわち、駆動素子30は、半導体レーザ20からみて、光伝送路である光導波路26側となる所定位置に配置されている。また、駆動素子30からの電気信号を半導体レーザ20へと入力するため、半導体レーザ20の電極21と、駆動素子30の対応する電極31とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。なお、駆動素子30としては、例えば、Si−ICやGaAs−ICなどが用いられる。
【0028】
基板10の下面側には、金属製のリードフレーム11が設けられている。このリードフレーム11は、駆動素子30を外部へと接続するための電気的接続手段である。リードフレーム11には、光信号伝送方向に平行な光送信モジュール1Aの中心軸からみて左右の両側に、それぞれ所定本数のリードピン12が形成されている。また、駆動素子30と外部との間で電気信号をやり取りするため、駆動素子30の電極32と、リードフレーム11の対応するリードピン12とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。また、モニタ用のフォトダイオード50の電極51も同様に、リードフレーム11の対応するリードピン12とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。
【0029】
図3は、図1及び図2に示した光送信モジュールの外観構成を示す斜視図である。本光送信モジュール1Aにおいては、基板10、リードフレーム11、半導体レーザ20、光導波路26を有する光導波路素子25、駆動素子30、及びモニタ用のフォトダイオード50を含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファモールドされており、このモールド樹脂15がモジュールの外形を構成している。ただし、図3に示すように、リードフレーム11のリードピン12、及びフェルール40は、モールド樹脂15の外側に突出している。
【0030】
また、半導体レーザ20、光伝送路である光導波路26、及び半導体レーザ20と光導波路26との間にあって光信号が通過する光路部分は、モールド樹脂15とは別または同一の透明樹脂によって充填されている。半導体レーザ20とモニタ用のフォトダイオード50との間にあって後方光が通過する光路部分も、同様に、透明樹脂によって充填されている。なお、図1及び図2においては、光送信モジュール1Aの内部構成を示すため、モールド樹脂15の外形のみを破線によって図示している。
【0031】
以上の構成において、駆動素子30から半導体レーザ20へと光信号の送信を指示する電気信号が入力されると、半導体レーザ20において電気信号が光信号へと変換されて出射される。そして、半導体レーザ20からの光信号は、光導波路26と半導体レーザ20との間の光路部分、及び光導波路素子25の光導波路26を介して、フェルール40内に挿通された光信号出力用の光ファイバ41へと入射され、光ファイバ41から外部へと出力される。また、半導体レーザ20から出射される後方光がフォトダイオード50によって検出され、半導体レーザ20の駆動状態がモニタされる。
【0032】
本実施形態の光送信モジュールの効果について説明する。図1〜図3に示した光送信モジュール1Aにおいては、発光素子である半導体レーザ20と、光伝送路である光導波路26を有する光導波路素子25とが基板10上に設置された表面実装型の構成とするとともに、半導体レーザ20を駆動する駆動素子30を半導体レーザ20からみて光伝送路側、すなわち、光信号伝送方向からみて下流側に配置している。
【0033】
これにより、半導体レーザ20、及び光伝送路として設置されている光導波路素子25から離れた位置に駆動素子を設置する必要がなくなる。したがって、光送信モジュール1Aのサイズを小型化するとともに、モジュールを低コスト化することが可能となる。また、このような光送信モジュール1Aは、量産に優れている。
【0034】
また、上記のように駆動素子30を配置する構成によれば、駆動素子30を半導体レーザ20の直近に配置することができるので、半導体レーザ20と駆動素子30との間の結線長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、半導体レーザ20と駆動素子30との間の配線でのインピーダンスが低減され、半導体レーザを高速で駆動させることができる。したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールが実現される。
【0035】
また、本実施形態においては、駆動素子30と外部の回路素子等との間で電気信号をやり取りするための電気的接続手段として、金属製のリードフレーム11を用いている。これにより、外部との電気信号のやり取りを好適に行うことができる。
【0036】
また、半導体レーザ20からみて光導波路素子25とは反対側となる後方の所定位置に、モニタ用のフォトダイオード50が配置されている。このような構成によれば、モニタ用のフォトダイオード50で半導体レーザ20の後方光を検出することによって半導体レーザ20の駆動状態をモニタして、半導体レーザ20を安定駆動させることが可能となる。
【0037】
さらに、上記のように駆動素子30を設置する構成では、駆動素子30は、半導体レーザ20からみてフォトダイオード50とは反対側に位置する。したがって、半導体レーザ20に対してモニタ用のフォトダイオード50を設置した場合においても、モジュールを大型化することなく駆動素子30を好適に設置することができる。
【0038】
また、基板10、半導体レーザ20、光導波路素子25、及び駆動素子30を含む全体が、モールド樹脂15によって樹脂モールドされている。これにより、光送信モジュール1Aの各要素を良好に保持することができる。また、半導体レーザ20、光導波路素子25、及び光信号が通過する所定の光路部分には、透明樹脂が充填されている。これにより、光送信モジュール1Aの各要素を良好に保持するとともに、光信号を充分な透過率で伝送させることができる。
【0039】
ここで、透明樹脂としては、光送信モジュール1Aでの送信対象となっている光信号の波長の光を充分に透過する樹脂を用いることが好ましい。また、全体を樹脂モールドするモールド樹脂15としては、必ずしも透明樹脂を用いる必要はないが、全体を透明樹脂モールドする構成としても良い。また、光送信モジュールの具体的な構成等によっては、全体を樹脂モールドする構成以外の構成を用いても良い。
【0040】
本実施形態の光送信モジュール1Aについて、その製造方法及び具体的な構成の一例を説明する。
【0041】
本実施例においては、まず、基板10として(100)Si基板(例えば3mm×7mm×厚さ1.5mm)を用意する。そして、このSi基板10上にSiO2の熱酸化膜を形成し、その上にSiO2からなるアンダークラッド層(厚さ10μm)、SiO2−GeO2からなり光導波路26に対応する直線状の導波路パターンを有するコア層(6μm×6μm)、及びSiO2からなるオーバークラッド層(厚さ10μm)を順に形成する。これらの積層構造により、平面導波路型の光導波路素子25が構成される。
【0042】
次に、この光導波路素子25となる積層構造のうち、半導体レーザ20及びモニタ用のフォトダイオード50が配置されるSi基板10上の所定範囲内に形成された積層構造部分をエッチングにより除去し、その部分に半導体レーザ20及びフォトダイオード50をそれぞれ半田付けするためのメタライズ層(メタライズパターン)を形成する。そして、半導体レーザ20(InGaAsP−LD、300μm×300μm×厚さ150μm)及びフォトダイオード50(InGaAs−PD、300μm×300μm×厚さ150μm)を、それぞれSi基板10上の所定位置に実装し、さらに、駆動素子30(Si−IC、2mm×2mm×厚さ0.5mm)を、光導波路素子25上の所定位置に実装し、対応する電極間をAu線またはAl線でワイヤボンディングを行って結線する。
【0043】
続いて、基板10をリードフレーム11のベースメタル(例えばFe、Cu、ステンレスなど)に接着する。また、光導波路素子25の光導波路26に対してつき合わせるように、光ファイバ41が挿通されたフェルール40を固定する。そして、半導体レーザ20、光導波路26、及び半導体レーザ20と光導波路26との間にあって光信号が通過する光路部分、半導体レーザ20とフォトダイオード50との間にあって後方光が通過する光路部分などの光が通る部分に透明樹脂としてシリコーン樹脂をポッティングし、さらに、エポキシ系の樹脂で全体をトランスファモールドすることによって、モジュールの外形形状となるモールド樹脂15を形成する。
【0044】
以上のような構成及び製造方法によって、図1〜図3に示した光送信モジュールを好適に実現することができる。ただし、本光送信モジュールの具体的な構成及び製造方法については、上記実施例には限定されない。例えば、基板10として、Si基板のかわりにセラミック(Al2O3)基板などを用いても良い。
【0045】
図4は、本発明による光送信モジュールの第2実施形態の断面構成を示す側面断面図である。また、図5は、図4に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。本光送信モジュール1Bは表面実装型の光モジュールであり、基板10と、半導体レーザ20と、駆動素子30とを備えている。
【0046】
半導体レーザ20は、電気信号を送信対象となる光信号へと変換して出射する発光素子であり、基板10上に設置されている。また、この基板10上には、半導体レーザ20とともに、フェルール40が設置されている。このフェルール40は、半導体レーザ20から出射された光信号を伝送して出力する光伝送路として機能する光ファイバ41が挿通された構成の光ファイバ付フェルールとなっている。
【0047】
これらの半導体レーザ20及び光ファイバ付フェルール40は、半導体レーザ20の光軸と、光伝送路である光ファイバ41の光軸とが一致するように配置されている。これにより、半導体レーザ20の下流側の端部から出射された光信号が、光ファイバ41に効率良く入射される。
【0048】
また、半導体レーザ20のさらに上流側となる後方の基板10上には、半導体レーザ20から後方に出射される後方光を検出するモニタ用の受光素子であるフォトダイオード50が設置されている。このフォトダイオード50は、半導体レーザ20からみて、光ファイバ付フェルール40とは反対側の所定位置に、半導体レーザ20と光軸が一致するように配置されている。
【0049】
一方、駆動素子30は、半導体レーザ20を駆動するための回路素子であり、光ファイバ付フェルール40の上方の所定位置に設置されている。すなわち、駆動素子30は、半導体レーザ20からみて、光伝送路である光ファイバ41及びフェルール40側となる所定位置に配置されている。また、駆動素子30からの電気信号を半導体レーザ20へと入力するため、半導体レーザ20の電極21と、駆動素子30の対応する電極31とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。
【0050】
図6は、図4及び図5に示した光送信モジュールの断面構成を示すI−I矢印断面図である。本実施形態においては、基板10上に、図6に示すように、光ファイバ付フェルール40を跨ぐサブマウント部材33が設置されている。サブマウント部材33は、駆動素子30と、光伝送路である光ファイバ41及びフェルール40との間に配置された載置部材であり、駆動素子30は、このサブマウント部材33の上面上に載置されている。
【0051】
基板10の下面側には、左右の両側にそれぞれ所定本数のリードピン12が形成された金属製のリードフレーム11が設けられている。また、駆動素子30と外部との間で電気信号をやり取りするため、駆動素子30の電極32と、リードフレーム11の対応するリードピン12とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。また、モニタ用のフォトダイオード50の電極51も同様に、リードフレーム11の対応するリードピン12とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。
【0052】
また、本光送信モジュール1Bにおいては、基板10、リードフレーム11、半導体レーザ20、光ファイバ41が挿通されているフェルール40、駆動素子30、及びモニタ用のフォトダイオード50を含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファモールドされており、このモールド樹脂15がモジュールの外形を構成している。ただし、リードフレーム11のリードピン12、及び光ファイバ付フェルール40は、モールド樹脂15の外側に突出している。
【0053】
また、半導体レーザ20、光伝送路である光ファイバ41、及び半導体レーザ20と光ファイバ41との間にあって光信号が通過する光路部分は、モールド樹脂15とは別または同一の透明樹脂によって充填されている。半導体レーザ20とモニタ用のフォトダイオード50との間にあって後方光が通過する光路部分も、同様に、透明樹脂によって充填されている。
【0054】
以上の構成において、駆動素子30から半導体レーザ20へと光信号の送信を指示する電気信号が入力されると、半導体レーザ20において電気信号が光信号へと変換されて出射される。そして、半導体レーザ20からの光信号は、光ファイバ41と半導体レーザ20との間の光路部分を介して、フェルール40内に挿通された光信号出力用の光ファイバ41へと入射され、光ファイバ41から外部へと出力される。また、半導体レーザ20から出射される後方光がフォトダイオード50によって検出され、半導体レーザ20の駆動状態がモニタされる。
【0055】
本実施形態の光送信モジュールの効果について説明する。図4〜図6に示した光送信モジュール1Bにおいては、表面実装型の構成とするとともに、駆動素子30を半導体レーザ20からみて光伝送路側(下流側)に配置している。これにより、光送信モジュール1Bのサイズを小型化することが可能となる。また、駆動素子30を半導体レーザ20の直近に配置して、半導体レーザ20と駆動素子30との間の結線長さを充分に短くすることができるので、半導体レーザを高速で駆動させることができる。したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールが実現される。
【0056】
また、本実施形態においては、駆動素子30をサブマウント部材33上に載置している。このように、サブマウント部材33を用いることにより、半導体レーザ20からみて光伝送路側に配置される駆動素子30を良好に設置することができる。例えば、本実施形態のように、半導体レーザ20からの光信号を伝送して出力する光伝送路として光ファイバ付フェルール40を用いた構成では、フェルール40を跨ぐ形状を有するサブマウント部材33を設けることにより、基板10上でのフェルール40のでっぱりを避けて駆動素子30を設置することが可能となる。なお、サブマウント部材33としては、例えば、Al2O3、窒化アルミ、あるいは樹脂などからなる部材を用いることができる。
【0057】
図7は、本発明による光送信モジュールの第3実施形態の断面構成を示す側面断面図である。また、図8は、図7に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。本光送信モジュール1Cは表面実装型の光モジュールであり、基板10と、半導体レーザアレイ22と、平面導波路型の光導波路素子27と、駆動素子35とを備えている。
【0058】
半導体レーザアレイ22は、光送信モジュール1Cでの送信対象となるNチャンネル(Nは2以上の整数)の光信号について、各チャンネルの電気信号を光信号へと変換して出射する発光素子であるN個の半導体レーザが並列に配置された発光素子アレイである。この半導体レーザアレイ22は、基板10上に設置されている。なお、図7及び図8においては、N=4とした4チャンネルでの構成例を示している。
【0059】
また、基板10上には、半導体レーザアレイ22とともに、光導波路素子27が設置されている。光導波路素子27は、半導体レーザアレイ22での対応する半導体レーザから出射されたNチャンネルの光信号のそれぞれを伝送して出力する光伝送路として機能する平面導波路型のN個の光導波路28を有する。これらのN個の光導波路28は、半導体レーザアレイ22でのN個の半導体レーザに対応するように並列に配置されている。
【0060】
これらの半導体レーザアレイ22及び光導波路素子27は、N個の半導体レーザのそれぞれの光軸と、対応する光伝送路である光導波路28の光軸とが一致するように配置されている。これにより、半導体レーザアレイ22でのN個の半導体レーザの下流側の端部から出射された光信号が、それぞれ対応する光導波路28に効率良く入射される。
【0061】
また、光導波路素子27の下流側の端部には、フェルール42が接続されている。フェルール42は、図8に示すように、光信号出力用のN本の光ファイバ43を並列に挿通させてテープファイバとすることが可能な構成となっている。このフェルール42は、フェルール42内に挿通される光信号出力用のN本の光ファイバ43のそれぞれと、対応する光導波路28とが光学的に接続されるように配置されている。
【0062】
また、半導体レーザアレイ22のさらに上流側となる後方の基板10上には、フォトダイオードアレイ52が設置されている。フォトダイオードアレイ52は、半導体レーザアレイ22でのN個の半導体レーザから後方に出射される後方光をそれぞれ検出するモニタ用の受光素子であるN個のフォトダイオードが並列に配置された受光素子アレイである。このフォトダイオードアレイ52は、半導体レーザアレイ22からみて、光伝送路である光導波路28とは反対側の所定位置に、半導体レーザアレイ22での半導体レーザと対応するフォトダイオードとの光軸が一致するように配置されている。
【0063】
一方、駆動素子35は、光信号へと変換される電気信号などの必要な電気信号を半導体レーザアレイ22でのN個の半導体レーザに供給し、半導体レーザアレイ22を駆動制御するためのN個の駆動素子を有する回路素子である。この駆動素子35は、光導波路素子27の上面上の所定位置に設置されている。すなわち、駆動素子35は、半導体レーザアレイ22からみて、光伝送路である光導波路28側となる所定位置に配置されている。また、駆動素子35でのN個の駆動素子のそれぞれからの電気信号を半導体レーザアレイ22での対応する半導体レーザへと入力するため、半導体レーザアレイ22の電極23と、駆動素子35の対応する電極36とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。
【0064】
基板10の下面側には、金属製のリードフレーム11が設けられている。このリードフレーム11は、駆動素子35でのN個の駆動素子のそれぞれを外部へと接続するための電気的接続手段である。リードフレーム11には、光信号伝送方向に平行な光送信モジュール1Cの中心軸からみて左右の両側、及びフェルール42の反対側となる上流側に、それぞれ所定本数のリードピン12が形成されている。また、駆動素子35でのN個の駆動素子のそれぞれと外部との間で電気信号をやり取りするため、駆動素子35の電極37と、リードフレーム11の対応するリードピン12とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。また、モニタ用のフォトダイオードアレイ52の電極53も同様に、リードフレーム11の対応するリードピン12とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。
【0065】
また、本光送信モジュール1Cにおいては、基板10、リードフレーム11、半導体レーザアレイ22、光導波路28を有する光導波路素子27、駆動素子35、及びモニタ用のフォトダイオードアレイ52を含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファモールドされており、このモールド樹脂15がモジュールの外形を構成している。ただし、リードフレーム11のリードピン12、及びフェルール42は、モールド樹脂15の外側に突出している。
【0066】
また、半導体レーザアレイ22、光伝送路である光導波路28、及び半導体レーザアレイ22と光導波路28との間にあって光信号が通過する光路部分は、モールド樹脂15とは別または同一の透明樹脂によって充填されている。半導体レーザアレイ22とモニタ用のフォトダイオードアレイ52との間にあって後方光が通過する光路部分も、同様に、透明樹脂によって充填されている。
【0067】
以上の構成において、駆動素子35でのN個の駆動素子のそれぞれから半導体レーザアレイ22へと光信号の送信を指示する電気信号が入力されると、半導体レーザアレイ22での対応する半導体レーザにおいて電気信号が光信号へと変換されて、Nチャンネルの光信号が出射される。そして、半導体レーザアレイ22での半導体レーザからの光信号は、光導波路28と半導体レーザとの間の光路部分、及び光導波路素子27の光導波路28を介して、フェルール42内に挿通された光信号出力用のN本の光ファイバ43のそれぞれへと入射され、光ファイバ43から外部へと出力される。また、半導体レーザから出射される後方光がフォトダイオードアレイ52でのN個のフォトダイオードのそれぞれによって検出され、半導体レーザアレイ22の駆動状態がモニタされる。
【0068】
本実施形態の光送信モジュールの効果について説明する。図7、図8に示した光送信モジュール1Cにおいては、表面実装型の構成とするとともに、駆動素子35を半導体レーザアレイ22からみて光伝送路側(下流側)に配置している。これにより、光送信モジュール1Cのサイズを小型化することが可能となる。また、駆動素子35を半導体レーザアレイ22の直近に配置して、半導体レーザアレイ22での各半導体レーザと駆動素子35での対応する駆動素子との間の結線長さを充分に短くすることができるので、半導体レーザを高速で駆動させることができる。したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールが実現される。
【0069】
また、本実施形態においては、発光素子として、N個(Nは2以上の整数)の半導体レーザが並列に配置された半導体レーザアレイ22を用いるとともに、光伝送路及び駆動素子として、N個の半導体レーザに対応するN個の光導波路28及びN個の駆動素子がそれぞれ並列に配置された光導波路素子27及び駆動素子35を用いている。これにより、Nチャンネル(複数チャンネル)の光信号を単一の光送信モジュール1Cから送信することが可能となり、光信号当たりの光送信モジュールのサイズをさらに小型化することができる。
【0070】
本発明による光送信モジュールは、上述した実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、電気信号を光信号へと変換する発光素子としては、半導体レーザ以外の素子を用いても良い。また、光伝送路についても、平面導波路型の光導波路及び光ファイバ付フェルール以外のものを用いても良く、例えばフェルールなしの光ファイバを用いても良い。また、半導体レーザの後方光を検出するモニタ用のフォトダイオードについては、不要な場合には設けない構成としても良い。
【0071】
また、Nチャンネルの光信号を送信する光送信モジュールについては、図7及び図8では発光素子からの光信号を伝送する光伝送路として平面導波路型の光導波路を用いているが、光伝送路としてN本の光ファイバを用いた場合でも、同様の構成が可能である。
【0072】
【発明の効果】
本発明による光送信モジュールは、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、発光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実装型の構成とするとともに、発光素子を駆動するための駆動素子を発光素子からみて光伝送路側(下流側)に配置した光送信モジュールによれば、光伝送路及び発光素子から離れた位置に駆動素子を設置する必要がなくなり、モジュールを小型化、低コスト化することが可能となる。
【0073】
また、駆動素子を発光素子の直近に配置することができるので、発光素子と駆動素子との間の結線長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、発光素子と駆動素子との間の配線でのインピーダンスが低減され、発光素子を高速で駆動させることができる。したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】光送信モジュールの第1実施形態の断面構成を示す側面断面図である。
【図2】図1に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。
【図3】図1及び図2に示した光送信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【図4】光送信モジュールの第2実施形態の断面構成を示す側面断面図である。
【図5】図4に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。
【図6】図4及び図5に示した光送信モジュールの断面構成を示すI−I矢印断面図である。
【図7】光送信モジュールの第3実施形態の断面構成を示す側面断面図である。
【図8】図7に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。
【図9】従来の光送信モジュールの構成の一例を一部破断して示す側面図である。
【図10】従来の光送信モジュールの構成の他の例を示す側面断面図である。
【図11】図10に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図である。
【図12】図10に示した光送信モジュールを配線基板上に実装した構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
1A、1B、1C…光送信モジュール、10…基板、11…リードフレーム、12…リードピン、15…モールド樹脂、20…半導体レーザ、21…電極、22…半導体レーザアレイ、23…電極、25、27…平面導波路型の光導波路素子、26、28…光導波路、30、35…駆動素子、31、32、36、37…電極、33…サブマウント部材、40、42…フェルール、41、43…光ファイバ、50…モニタ用のフォトダイオード、51…電極、52…モニタ用のフォトダイオードアレイ、53…電極。
Claims (7)
- 電気信号を光信号へと変換して送信する光送信モジュールであって、
基板上に設置され、電気信号を光信号へと変換する発光素子と、
前記基板上に前記発光素子とともに設置され、前記発光素子からの前記光信号を伝送して出力する光伝送路と、
前記光伝送路上に配置され、前記発光素子を駆動する駆動素子と、
前記発光素子に対して前記光伝送路とは反対側の所定位置に配置され、前記発光素子からの後方光を検出するモニタ用の受光素子と、
前記駆動素子を外部へと接続するための電気的接続手段である金属製のリードフレームとを備え、
前記発光素子は、その端部から前記光信号を出射する半導体レーザからなり、
前記リードフレームには、光信号伝送方向に平行な中心軸からみて左右の両側に、それぞれ所定のリードピンが形成されていることを特徴とする光送信モジュール。 - 前記光伝送路は、平面導波路型の光導波路からなることを特徴とする請求項1記載の光送信モジュール。
- 前記光伝送路は、光ファイバからなることを特徴とする請求項1記載の光送信モジュール。
- 前記発光素子として、N個(Nは2以上の整数)の発光素子を並列に配置するとともに、前記光伝送路及び前記駆動素子として、前記N個の発光素子に対応するN個の光伝送路及びN個の駆動素子をそれぞれ並列に配置することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の光送信モジュール。
- 前記駆動素子と前記光伝送路との間に配置され、前記駆動素子を載置するサブマウント部材を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の光送信モジュール。
- 前記発光素子、前記光伝送路、及び前記光信号が通過する所定の光路部分が、透明樹脂によって充填されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の光送信モジュール。
- 前記基板、前記発光素子、前記光伝送路、及び前記駆動素子を含む全体が、樹脂モールドされていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光送信モジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002037272A JP3890999B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 光送信モジュール |
US10/350,681 US7217957B2 (en) | 2002-02-14 | 2003-01-24 | Optical transmission module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002037272A JP3890999B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 光送信モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003241028A JP2003241028A (ja) | 2003-08-27 |
JP3890999B2 true JP3890999B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=27655084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002037272A Expired - Fee Related JP3890999B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 光送信モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7217957B2 (ja) |
JP (1) | JP3890999B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004119493A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
WO2005071807A1 (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Nec Corporation | 光電気複合モジュール |
KR100557165B1 (ko) * | 2004-01-29 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 양방향 광송수신 모듈과 그를 이용한 양방향 광송수신패키지 |
US8288942B2 (en) * | 2004-12-28 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | High efficacy white LED |
US8901719B2 (en) * | 2009-05-08 | 2014-12-02 | Optis Cellular Technology, Llc | Transition from a chip to a waveguide port |
US9059329B2 (en) * | 2011-08-22 | 2015-06-16 | Monolithic Power Systems, Inc. | Power device with integrated Schottky diode and method for making the same |
US9698564B1 (en) * | 2016-02-09 | 2017-07-04 | Oracle International Corporation | Hybrid integrated MCM with waveguide-fiber connector |
DE102017104108B4 (de) | 2017-02-28 | 2023-12-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement mit laserdiode |
DE102017105235B4 (de) * | 2017-03-13 | 2022-06-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement mit Verstärkungsschicht und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
JP6763452B1 (ja) * | 2019-04-15 | 2020-09-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光装置、光学装置および情報処理装置 |
US20220179050A1 (en) * | 2020-12-08 | 2022-06-09 | Beijing Voyager Technology Co., Ltd. | Integrated transmitter and receiver module for lidar system |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0773591A3 (en) * | 1995-11-13 | 1998-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting/detecting module |
JP3416942B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2003-06-16 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュールおよび光モジュール用リードフレーム |
JPH11109184A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Kyocera Corp | 光デバイス実装用基板及び光モジュール |
KR100489147B1 (ko) | 1998-08-05 | 2005-05-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광 모듈 |
US6301401B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-10-09 | Convergence Technologies, Ltd. | Electro-optical package for reducing parasitic effects |
US6540412B2 (en) * | 2000-02-10 | 2003-04-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transceiver |
JP2001324649A (ja) | 2000-03-09 | 2001-11-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 大口径光ファイバ用のアクティブ光コネクタ |
JP3689615B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 立体形状を有する光電融合デバイス |
JP2002162527A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光デバイスおよびその光デバイス用半製品 |
US6635971B2 (en) * | 2001-01-11 | 2003-10-21 | Hitachi, Ltd. | Electronic device and optical transmission module |
JP3822080B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-09-13 | 富士通株式会社 | レセプタクル型光モジュール及びその生産方法 |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002037272A patent/JP3890999B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-24 US US10/350,681 patent/US7217957B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030151121A1 (en) | 2003-08-14 |
JP2003241028A (ja) | 2003-08-27 |
US7217957B2 (en) | 2007-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4066665B2 (ja) | パラレル送受信モジュール | |
JP3750649B2 (ja) | 光通信装置 | |
JP3937911B2 (ja) | 光送受信モジュール及びこれを用いた光通信システム | |
US7539367B2 (en) | Optical system connection structure, optical component, and optical communication module | |
US6513993B1 (en) | Optical communications device | |
JP2010122312A (ja) | 送受信レンズブロック及びそれを用いた光モジュール | |
JP2000241642A (ja) | 光送受信モジュール | |
JP2003294964A (ja) | 光通信モジュール | |
WO2002089274A1 (fr) | Dispositif de communication optique | |
JP2009260227A (ja) | 光電気変換装置 | |
JP3890999B2 (ja) | 光送信モジュール | |
US20040126118A1 (en) | Optical module and a method of fabricating the same | |
JP2010122311A (ja) | レンズブロック及びそれを用いた光モジュール | |
JP2004085756A (ja) | 光送受信モジュール | |
JP2001318283A (ja) | 光モジュール | |
JP2017090680A (ja) | 光配線接続構造、及び光配線接続方法 | |
JP3888525B2 (ja) | 光通信モジュール | |
JP3941531B2 (ja) | 光受信モジュール | |
JP3888151B2 (ja) | 光通信モジュール | |
JP2008020721A (ja) | 並列光送受信装置 | |
JP4203837B2 (ja) | 光伝送モジュール | |
JP2008134444A (ja) | 光モジュール及び光導波路構造体 | |
JP2007081261A (ja) | 光伝送モジュール | |
JP2003014990A (ja) | 光通信モジュール | |
JP2003329894A (ja) | カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131215 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |