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JP3860800B2 - Trap device with built-in trap circuit - Google Patents

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JP3860800B2
JP3860800B2 JP2003119700A JP2003119700A JP3860800B2 JP 3860800 B2 JP3860800 B2 JP 3860800B2 JP 2003119700 A JP2003119700 A JP 2003119700A JP 2003119700 A JP2003119700 A JP 2003119700A JP 3860800 B2 JP3860800 B2 JP 3860800B2
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JP
Japan
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trap circuit
built
circuit
resonator
transmission line
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JP2003119700A
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義宏 宮脇
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Kyocera Corp
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はトラップ回路内蔵型フィルタ装置に関し、より詳細には、フィルタ回路を構成する共振器とトラップ回路を構成する共振器との電磁気的結合を抑制する構造を有するトラップ回路内蔵型フィルタ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ストリップライン共振器を用いた積層型誘電体フィルタは、従来よりマイクロ波帯を利用する各種無線通信機器等に幅広く用いられており、積層型誘電体フィルタとトラップ回路とを組み合わせたトラップ回路内蔵型フィルタ装置など、多様なフィルタ装置が考案されて使用されている。
【0003】
従来のトラップ回路内蔵型フィルタ装置としては、フィルタを構成するストリップライン共振器とトラップ回路を構成するストリップライン共振器とを誘電体内部に形成したものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
図4に従来のトラップ回路内蔵型フィルタ装置の一例を模式的に示す。図4において、11〜14は誘電体層であり、21〜23はアース電極であり、40a〜40cは入出力電極であり、50a〜50cは主伝送線路であり、71、72は外部端子電極である。入出力電極40a〜40cと、それぞれと対向する主伝送線路50a〜50cとの間で入出力容量が形成されている。また、主伝送線路50a〜50cの一方端部は、トラップ回路内蔵型フィルタ装置10の長辺側の一方側面に形成されたアース電極23と接続されており、アース電極23を介して、アース電極21、22とも電気的に接続されている。
【0005】
ここで、アース電極21、22と主伝送線路50aとによってストリップライン共振器Aが、アース電極21、22と主伝送線路50bとによってストリップライン共振器Bが、アース電極21、22と主伝送線路50cとによってストリップライン共振器Cが、それぞれ構成されている。
【0006】
そして、ストリップライン共振器Aとストリップライン共振器Bとが電磁気的に結合されてフィルタ回路が構成されており、ストリップライン共振器Cはトラップ回路として動作する。
【0007】
更に、フィルタ回路の一方の入出力電極40aが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置10の短辺側の一方側面に形成された入力側外部端子電極71に接続されており、フィルタ回路の他方の入出力電極40bが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置10の長辺側の他方側面に形成された出力側外部端子電極72に接続されている。また、トラップ回路用入出力電極40cが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置1の長辺側の他方側面に形成された出力側外部端子電極72に接続されている。このようにして、全体としてトラップ回路内蔵型フィルタ装置10が構成されている。
【0008】
上述した従来のトラップ回路内蔵型フィルタ装置においては、上記構成とすることにより、ストリップライン共振器Cの共振周波数に相当する周波数に減衰極が形成されたフィルタ特性を得ることができる。
【0009】
【特許文献1】
特開2002−299904号公報 (図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来のトラップ回路内蔵型フィルタ装置においては、主伝送線路の50a〜50cの長さを、所望の共振周波数の波長の1/4とする必要があるため、装置が大型化するという問題があった。装置を小型化する手法として共振器を折り返し型とする方法が考えられるが、そうすると、近接配置されるフィルタを構成するストリップライン共振器とトラップ回路を構成するストリップライン共振器の折り返し部分同士の間で電界結合が生じ、フィルタの通過帯域内特性が悪化することが予測される。
【0011】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、小型で且つ通過帯域内特性の優れたトラップ回路内蔵型フィルタ装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明のトラップ回路内蔵型フィルタ装置は、複数個の誘電体層を積層した積層体の両主面にアース電極を被着させるとともに、前記積層体の内部に、少なくとも2個のストリップライン共振器を有するフィルタ回路と、少なくとも1個のストリップライン共振器を有するトラップ回路とを並設してなるトラップ回路内蔵型フィルタ装置において、前記フィルタ回路及びトラップ回路を構成するストリップライン共振器は、異なる誘電体層間に配設される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路を電気的に接続する接続導体とを含んで構成されており、且つ、前記トラップ回路を構成するストリップライン共振器と該ストリップライン共振器に隣接する前記フィルタ回路のストリップライン共振器とは、主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されていることを特徴とするものである。
【0013】
また、本発明のトラップ回路内蔵型フィルタ装置は、前記トラップ回路を構成するストリップライン共振器の副伝送線路が、該ストリップライン共振器に隣接する前記フィルタ回路のストリップライン共振器の主伝送線路に比し前記アース電極に近づけて配置されていることを特徴とするものである。
【0014】
更に、本発明のトラップ回路内蔵型フィルタ装置は、前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されていることを特徴とするものである。
【0015】
【作用】
本発明によれば、フィルタ回路及びトラップ回路を構成するストリップライン共振器は、異なる誘電体層間に配設される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路を電気的に接続する接続導体とを含んで構成されており、且つ、前記トラップ回路を構成するストリップライン共振器と該ストリップライン共振器に隣接する前記フィルタ回路のストリップライン共振器とは、主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されている。ストリップライン共振器を上述のような折り返し型とすることにより、副伝送線路とアース電極との間で発生する静電容量によって共振周波数を下げることができる為、主伝送線路の長さを短縮でき、装置を小型化することができる。更に、トラップ回路を構成するストリップライン共振器の副伝送線路と該ストリップライン共振器に隣接するフィルタ回路のストリップライン共振器の副伝送線路とが離間して配設されているので、副伝送線路同士の電界による結合を低減することができ、フィルタの通過帯域内特性の劣化を有効に防止することができる。
【0016】
また、本発明によれば、トラップ回路を構成するストリップライン共振器の副伝送線路が、該ストリップライン共振器に隣接するフィルタ回路のストリップライン共振器の主伝送線路に比しアース電極に近づけて配置されている。副伝送線路をアース電極に近接して配置することにより、小型の副伝送線路で大きい静電容量を得ることができ、主伝送線路を小型化できるため、ストリップライン共振器並びにそれを含む装置を小型化することができる。また、主伝送線路とアース電極とを離間して配置することによって共振器のQ値を大きくすることができる。
【0017】
更に、本発明によれば、前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されている。よって、トラップ回路内蔵型フィルタ装置のアース電極が、トラップ回路内蔵型フィルタ装置を搭載する回路基板のホット電位の電極などへ不本意に接触するのを有効に防止することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
【0019】
図1は本発明の一実施形態に係るトラップ回路内蔵型フィルタ装置を模式的に示す外観斜視図、図2は図1のトラップ回路内蔵型フィルタ装置のP―P’線断面図、図3は本発明の一実施形態に係るトラップ回路内蔵型フィルタ装置を模式的に示す分解斜視図である。
【0020】
これらの図に示すトラップ回路内蔵型フィルタ装置1は、片面に導電性材料から成る電極層を印刷等により被着した未焼成のグリーンシート等からなる誘電体層を積層して焼成した後に、アース電極や外部端子電極とする導体膜を被着して焼成することによって作成される。
【0021】
図3において符号11〜17は誘電体層であり、誘電体セラミック材料と、低温焼成化を可能とする酸化物や低融点ガラス材料とから構成される。誘電体セラミック材料としては、例えば、BaO−TiO系、Ca−TiO系、MgO−TiO系などがあり、低温焼成化するための酸化剤としては、BiVO、CuO、LiO、B等がある。形状を小さくするためには高誘電率のものが良く、比誘電率が15〜20の材料が好適に用いられる。各誘電体層の厚みとしては50μm〜300μm程度とされる場合が多い。
【0022】
厚み方向最下部に配置される誘電体層11の上面にはアース電極21が、厚み方向最上部に配置される誘電体層17の上面にはアース電極22が、それぞれ被着されている。誘電体層11の上に配置される誘電体層12の上面には副伝送線路30cが、誘電体層17の下に配置される誘電体層16の上面には副伝送線路30a、30bが被着され、それぞれアース電極との間で静電容量が形成されている。誘電体層12の上に配置される誘電体層13の上面には入出力電極40cが、誘電体層16の下に配置される誘電体層15の上面には入出力電極40a、40bが被着されている。そして、入出力電極40a、40b、40cと、副伝送線路30a、30b、30cとの間で、それぞれ入出力容量が形成されている。誘電体層13と誘電体層15との間に配置される誘電体層14の上面には、主伝送線路50a、50b、50cが被着されている。主伝送線路50a、50b、50cの一方端部はトラップ回路内蔵型フィルタ装置1の長辺側の一方側面に引き出されており、長辺側一方側面に形成されたアース電極23によって、アース電極21、22と電気的に接続されている。また、主伝送線路50a、50b、50cの他方端部付近にはそれぞれビアホール60a、60b、60cが接続されており、該ビアホール60a、60b、60cによって、副伝送線路30a、30b、30cにそれぞれ接続されている。
【0023】
ここで、アース電極21、22と合わせて、主伝送線路50aとビアホール60aと副伝送線路30aとによってストリップライン共振器Aが、主伝送線路50bとビアホール60bと副伝送線路30bとによってストリップライン共振器Bが、主伝送線路50cとビアホール60cと副伝送線路30cとによってストリップライン共振器Cが、それぞれ構成されている。
【0024】
そして、ストリップライン共振器Aとストリップライン共振器Bとが電磁気的に結合されてフィルタ回路が構成されており、ストリップライン共振器Cはトラップ回路用共振器として動作する。
【0025】
更に、フィルタ回路の一方の入出力電極40aが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置1の短辺側の一方側面に形成された入力側外部端子電極71に接続されており、フィルタ回路の他方の入出力電極40bが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置1の長辺側の他方側面に形成された出力側外部端子電極72に接続されている。また、トラップ回路用入出力電極40cが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置1の長辺側の他方側面に形成された出力側外部端子電極72に接続されており、このようにして、全体でトラップ回路内蔵型フィルタ装置が構成されている。
【0026】
尚、上記各種電極は、例えば、Ag単体、Ag−Pd、Ag−Pt、Cu単体などのような、AgやCuを主成分とする導電性材料によって形成される。
【0027】
このような本実施形態のトラップ回路内蔵型フィルタ装置においては、フィルタ回路を構成するストリップライン共振器Bとトラップ回路を構成するストリップライン共振器Cとの間で、副伝送線路の主伝送線路に対する積層方向における位置が、上下逆転されている。すなわち、ストリップライン共振器Bにおいては副伝送線路30bが主伝送線路50bの上側に配設されているのに対し、ストリップライン共振器Cにおいては副伝送線路30cが主伝送線路50cの下側に配設されている。よって、副伝送線路30bと30cとが離間して配置されることになるため両者の間の電界による結合を小さくすることができ、これによって、フィルタの通過帯域内特性の劣化を有効に防止することができる。
【0028】
また、各SL共振器のQ値を高めるためには主伝送線路50a、50b、50cとアース電極21、22との間の間隔が大きい方が望ましく、副伝送線路30a、30b、30cとアース電極21、22及び入出力電極40a、40b、40cとの間の間隔が小さい方が小型の形状で大きな静電容量が形成できる。よって、誘電体層12、13、16、17は相対的に薄く形成され、誘電体層14、15は相対的に厚く形成される。また、主伝送線路50a、50b、50cは、厚み方向においてアース電極21とアース電極22との間のほぼ中央に配置される。
【0029】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更・改良などが可能である。
【0030】
上述の実施形態においては、フィルタ回路を構成するストリップライン共振器A、Bとトラップ回路を構成するストリップライン共振器Cとがトラップ回路内蔵型フィルタ装置1の同一側面でアース電位に接続される構造としたが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置1の異なる側面でアース電位に接続される構造としても構わない。このような構造とすることにより、ストリップライン共振器の解放端側に位置する副伝送線路同士の距離が更に離れることによって電界による結合を更に小さくでき、更に、ストリップライン共振器の短絡端同士の距離が離れることによって磁界による結合を小さくできる。よって、フィルタ回路を構成するストリップライン共振器とトラップ回路を構成するストリップライン共振器との間の電磁気的結合を更に小さくすることができ、フィルタの通過帯域内特性の劣化を更に低減することができる。
【0031】
また、上述の実施形態においては、フィルタ回路を構成する複数のストリップライン共振器がトラップ回路内蔵型フィルタ装置1の同一側面でアース電位に接続される、いわゆるコムライン型としたが、トラップ回路内蔵型フィルタ装置の対向する側面にてアース電位に接続されるインターデジタル型としても構わない。
【0032】
更に、上述の実施形態においては、ストリップライン共振器の主伝送線路を、トラップ回路内蔵型フィルタ装置1の側面に形成したアース電極23に接続することによって接地する構造としたが、主伝送線路の短絡端付近にビアホール若しくはスルーホールの一方端部を接続し、ビアホール若しくはスルーホールの他方端部をアース電位となる電極に接続することによって接地する構造としてもよい。
【0033】
また更に、上述の実施形態においては、主伝送線路と副伝送線路とをビアホールで接続する構造としたが、スルーホールで接続しても良いし、トラップ回路内蔵型フィルタ装置の側面に形成した端面電極によって接続する構造としても構わない。
【0034】
更にまた、上述の実施形態においては、フィルタ回路を構成する複数のストリップライン共振器において、主伝送線路と副伝送線路とが積層方向に同じ位置関係にて配設される構成としたが、主伝送線路と副伝送線路とが積層方向に上下逆の位置関係にて配設される構成としても構わない。
【0035】
また更に、上述の実施形態においては、一つのトラップ回路を有するトラップ回路内蔵型フィルタ装置の例を示したが、二つ以上のトラップ回路を含むように構成しても構わない。
【0036】
更にまた、上述の実施形態においては、チップ状の複合フィルタ装置を例にとって説明したが、例えば、上述した構成をモジュール基板内に備えた複合フィルタ装置にも本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【0037】
【発明の効果】
本発明によれば、フィルタ回路及びトラップ回路を構成するストリップライン共振器は、異なる誘電体層間に配設される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路を電気的に接続する接続導体とを含んで構成されているので、ストリップライン共振器並びにそれを含む装置を小型化できる。また、トラップ回路を構成するストリップライン共振器と該ストリップライン共振器に隣接するフィルタ回路のストリップライン共振器とは、主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されているので、フィルタの通過帯域内特性の劣化を有効に防止することができる。
【0038】
また、本発明によれば、トラップ回路を構成するストリップライン共振器の副伝送線路が、該ストリップライン共振器に隣接するフィルタ回路のストリップライン共振器の主伝送線路に比しアース電極に近づけて配置されているので、装置を小型化することができ、且つ、共振器のQ値を大きくすることができる。
【0039】
更に、本発明によれば、前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されているので、トラップ回路内蔵型フィルタ装置のアース電極が、トラップ回路内蔵型フィルタ装置を搭載する回路基板のホット電位の電極などへ不本意に接触するのを有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るトラップ回路内蔵型フィルタ装置を模式的に示す外観斜視図である。
【図2】図1のトラップ回路内蔵型フィルタ装置のP―P’線断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係るトラップ回路内蔵型フィルタ装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図4】従来例のトラップ回路内蔵型フィルタ装置を模式的に示す分解斜視図である。
【符号の説明】
1:トラップ回路内蔵型フィルタ装置
11〜17:誘電体層
21〜23:アース電極
30a〜30c:副伝送線路
40a〜40c:入出力電極
50a〜50c:主伝送線路
60a〜60c:ビアホール
71:入力側外部端子電極
72:出力側外部端子電極
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a trap circuit built-in filter device, and more particularly to a trap circuit built-in filter device having a structure that suppresses electromagnetic coupling between a resonator constituting the filter circuit and a resonator constituting the trap circuit. It is.
[0002]
[Prior art]
Multilayer dielectric filters using stripline resonators have been widely used in various types of wireless communication devices that utilize the microwave band, and have a built-in trap circuit that combines a multilayer dielectric filter and a trap circuit. Various filter devices such as filter devices have been devised and used.
[0003]
As a conventional filter device with a built-in trap circuit, a device in which a stripline resonator constituting a filter and a stripline resonator constituting a trap circuit are formed inside a dielectric is known (for example, see Patent Document 1). .)
[0004]
FIG. 4 schematically shows an example of a conventional trap circuit built-in type filter device. 4, 11 to 14 are dielectric layers, 21 to 23 are ground electrodes, 40a to 40c are input / output electrodes, 50a to 50c are main transmission lines, and 71 and 72 are external terminal electrodes. It is. Input / output capacitances are formed between the input / output electrodes 40a to 40c and the main transmission lines 50a to 50c facing each other. One end of the main transmission lines 50a to 50c is connected to a ground electrode 23 formed on one side of the long side of the trap circuit built-in filter device 10, and the ground electrode is connected via the ground electrode 23. 21 and 22 are also electrically connected.
[0005]
Here, the strip line resonator A is constituted by the ground electrodes 21 and 22 and the main transmission line 50a, and the strip line resonator B is constituted by the ground electrodes 21 and 22 and the main transmission line 50b. 50c and the stripline resonator C are each comprised.
[0006]
The stripline resonator A and the stripline resonator B are electromagnetically coupled to form a filter circuit, and the stripline resonator C operates as a trap circuit.
[0007]
Furthermore, one input / output electrode 40a of the filter circuit is connected to an input-side external terminal electrode 71 formed on one side surface on the short side of the filter device 10 with a built-in trap circuit, and the other input / output of the filter circuit. The electrode 40b is connected to an output-side external terminal electrode 72 formed on the other side surface on the long side of the trap circuit built-in type filter device 10. The trap circuit input / output electrode 40c is connected to the output-side external terminal electrode 72 formed on the other side surface of the long side of the trap circuit built-in type filter device 1. Thus, the trap circuit built-in filter device 10 is configured as a whole.
[0008]
With the above-described conventional trap circuit built-in type filter device, the filter characteristic in which the attenuation pole is formed at a frequency corresponding to the resonance frequency of the stripline resonator C can be obtained by adopting the above configuration.
[0009]
[Patent Document 1]
JP 2002-299904 A (FIG. 1)
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional trap circuit built-in filter device, the length of the main transmission lines 50a to 50c needs to be ¼ of the wavelength of the desired resonance frequency, which increases the size of the device. There was a problem. As a method for reducing the size of the apparatus, a method in which the resonator is a folded type is conceivable. However, if this is done, the stripline resonators constituting the filters arranged close to each other and the folded portions of the stripline resonators constituting the trap circuit are connected to each other. It is predicted that electric field coupling will occur and the characteristics in the passband of the filter will deteriorate.
[0011]
The present invention has been devised in view of the above problems, and an object thereof is to provide a trap device with a built-in trap circuit that is small in size and excellent in passband characteristics.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The filter device with a built-in trap circuit according to the present invention has a ground electrode attached to both main surfaces of a laminate in which a plurality of dielectric layers are laminated, and at least two stripline resonators in the laminate. In the filter device with a built-in trap circuit in which a filter circuit having a trap circuit and a trap circuit having at least one stripline resonator are arranged in parallel, the stripline resonator constituting the filter circuit and the trap circuit has different dielectrics. A main transmission line and a sub-transmission line disposed between body layers, a connection conductor that electrically connects both transmission lines, and a stripline resonator that constitutes the trap circuit; The stripline resonator of the filter circuit adjacent to the stripline resonator is a main transmission line and a subtransmission line. And it is characterized in that it is arranged in the stacking direction of the body at the upper and lower opposite positional relationship.
[0013]
In the filter device with a built-in trap circuit according to the present invention, the sub-transmission line of the stripline resonator constituting the trap circuit is connected to the main transmission line of the stripline resonator of the filter circuit adjacent to the stripline resonator. Compared to the ground electrode, it is arranged.
[0014]
Furthermore, the filter device with a built-in trap circuit according to the present invention is characterized in that the ground electrode is further covered with a dielectric layer.
[0015]
[Action]
According to the present invention, the stripline resonator constituting the filter circuit and the trap circuit includes a main transmission line and a subtransmission line disposed between different dielectric layers, and a connection conductor that electrically connects both transmission lines. The stripline resonator constituting the trap circuit and the stripline resonator of the filter circuit adjacent to the stripline resonator include a main transmission line and a sub-transmission line. They are arranged in a positional relationship upside down in the stacking direction of the stack. Since the stripline resonator is a folded type as described above, the resonance frequency can be lowered by the capacitance generated between the sub-transmission line and the ground electrode, so that the length of the main transmission line can be shortened. The apparatus can be reduced in size. Further, since the sub-transmission line of the stripline resonator constituting the trap circuit and the sub-transmission line of the stripline resonator of the filter circuit adjacent to the stripline resonator are disposed apart from each other, Coupling due to the electric field between them can be reduced, and deterioration of the characteristics in the passband of the filter can be effectively prevented.
[0016]
According to the present invention, the sub-transmission line of the strip line resonator constituting the trap circuit is closer to the ground electrode than the main transmission line of the strip line resonator of the filter circuit adjacent to the strip line resonator. Has been placed. By arranging the sub-transmission line close to the ground electrode, a large capacitance can be obtained with a small sub-transmission line, and the main transmission line can be miniaturized. Therefore, a stripline resonator and a device including the same are provided. It can be downsized. Further, the Q value of the resonator can be increased by arranging the main transmission line and the ground electrode apart from each other.
[0017]
Furthermore, according to the present invention, the ground electrode is further covered with a dielectric layer. Therefore, it is possible to effectively prevent the ground electrode of the trap circuit built-in filter device from inadvertently contacting the hot potential electrode of the circuit board on which the trap circuit built-in filter device is mounted.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0019]
FIG. 1 is an external perspective view schematically showing a trap circuit built-in type filter device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line PP ′ of the trap circuit built-in type filter device of FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a trap circuit built-in filter device according to an embodiment of the present invention.
[0020]
The trap circuit built-in type filter device 1 shown in these figures is obtained by laminating and firing a dielectric layer made of an unfired green sheet or the like having an electrode layer made of a conductive material deposited on one side by printing or the like. It is created by depositing and firing a conductor film to be used as an electrode or an external terminal electrode.
[0021]
In FIG. 3, reference numerals 11 to 17 denote dielectric layers, which are composed of a dielectric ceramic material and an oxide or a low melting point glass material that can be fired at a low temperature. Examples of dielectric ceramic materials include BaO—TiO 2 , Ca—TiO 2 , MgO—TiO 2, and the like. As oxidizers for low-temperature firing, BiVO 4 , CuO, LiO 2 , B 2 O 3 etc. In order to reduce the shape, a material having a high dielectric constant is preferable, and a material having a relative dielectric constant of 15 to 20 is preferably used. The thickness of each dielectric layer is often about 50 μm to 300 μm.
[0022]
A ground electrode 21 is deposited on the top surface of the dielectric layer 11 disposed at the bottom in the thickness direction, and a ground electrode 22 is deposited on the top surface of the dielectric layer 17 disposed at the top in the thickness direction. The sub-transmission line 30c is covered on the upper surface of the dielectric layer 12 disposed on the dielectric layer 11, and the sub-transmission lines 30a and 30b are covered on the upper surface of the dielectric layer 16 disposed below the dielectric layer 17. A capacitance is formed between each electrode and the ground electrode. The input / output electrode 40c is covered on the upper surface of the dielectric layer 13 disposed on the dielectric layer 12, and the input / output electrodes 40a and 40b are covered on the upper surface of the dielectric layer 15 disposed below the dielectric layer 16. It is worn. Input / output capacitances are respectively formed between the input / output electrodes 40a, 40b, and 40c and the sub-transmission lines 30a, 30b, and 30c. Main transmission lines 50a, 50b, and 50c are attached to the upper surface of the dielectric layer 14 disposed between the dielectric layer 13 and the dielectric layer 15. One end portions of the main transmission lines 50a, 50b, and 50c are drawn out to one side surface on the long side of the trap circuit built-in type filter device 1, and the ground electrode 21 is formed by the ground electrode 23 formed on the one side surface of the long side. , 22 are electrically connected. Also, via holes 60a, 60b, 60c are connected to the other end portions of the main transmission lines 50a, 50b, 50c, respectively, and are connected to the sub transmission lines 30a, 30b, 30c by the via holes 60a, 60b, 60c, respectively. Has been.
[0023]
Here, together with the ground electrodes 21 and 22, the stripline resonator A is formed by the main transmission line 50a, the via hole 60a, and the subtransmission line 30a, and the stripline resonance is performed by the main transmission line 50b, the via hole 60b, and the subtransmission line 30b. The strip line resonator C is configured by the main transmission line 50c, the via hole 60c and the sub transmission line 30c.
[0024]
The stripline resonator A and the stripline resonator B are electromagnetically coupled to form a filter circuit, and the stripline resonator C operates as a trap circuit resonator.
[0025]
Furthermore, one input / output electrode 40a of the filter circuit is connected to an input-side external terminal electrode 71 formed on one side surface on the short side of the filter device 1 with a built-in trap circuit, and the other input / output of the filter circuit. The electrode 40b is connected to the output-side external terminal electrode 72 formed on the other side surface on the long side of the filter device 1 with a built-in trap circuit. The trap circuit input / output electrode 40c is connected to the output side external terminal electrode 72 formed on the other side surface of the long side of the trap circuit built-in type filter device 1, and in this way, the trap circuit as a whole is connected. A built-in filter device is configured.
[0026]
The various electrodes are formed of a conductive material mainly composed of Ag or Cu, such as Ag alone, Ag—Pd, Ag—Pt, or Cu alone.
[0027]
In such a trap circuit built-in type filter device of this embodiment, between the stripline resonator B constituting the filter circuit and the stripline resonator C constituting the trap circuit, the sub transmission line is connected to the main transmission line. The position in the stacking direction is turned upside down. That is, in the stripline resonator B, the sub transmission line 30b is disposed above the main transmission line 50b, whereas in the stripline resonator C, the sub transmission line 30c is disposed below the main transmission line 50c. It is arranged. Accordingly, since the sub-transmission lines 30b and 30c are arranged apart from each other, the coupling due to the electric field between them can be reduced, thereby effectively preventing the deterioration of the characteristics in the passband of the filter. be able to.
[0028]
Further, in order to increase the Q value of each SL resonator, it is desirable that the distance between the main transmission lines 50a, 50b, 50c and the ground electrodes 21, 22 is large, and the sub transmission lines 30a, 30b, 30c and the ground electrode When the distance between the first and second electrodes 22 and 22 and the input / output electrodes 40a, 40b, and 40c is smaller, a larger capacitance can be formed with a smaller shape. Therefore, the dielectric layers 12, 13, 16, and 17 are formed relatively thin, and the dielectric layers 14 and 15 are formed relatively thick. Further, the main transmission lines 50a, 50b, 50c are arranged approximately at the center between the ground electrode 21 and the ground electrode 22 in the thickness direction.
[0029]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.
[0030]
In the above-described embodiment, the stripline resonators A and B constituting the filter circuit and the stripline resonator C constituting the trap circuit are connected to the ground potential on the same side surface of the trap device built-in filter device 1. However, a structure in which a different side surface of the filter device 1 with a built-in trap circuit is connected to the ground potential may be used. By adopting such a structure, it is possible to further reduce the coupling due to the electric field by further increasing the distance between the sub-transmission lines located on the open end side of the stripline resonator, and further, between the short-circuited ends of the stripline resonator. The coupling by the magnetic field can be reduced by increasing the distance. Therefore, the electromagnetic coupling between the stripline resonator constituting the filter circuit and the stripline resonator constituting the trap circuit can be further reduced, and the deterioration of the characteristics in the passband of the filter can be further reduced. it can.
[0031]
In the above-described embodiment, the so-called comb line type in which the plurality of stripline resonators constituting the filter circuit are connected to the ground potential on the same side of the trap circuit built-in type filter device 1 is used. It may be an interdigital type connected to the ground potential on the opposite side surface of the mold filter device.
[0032]
Further, in the above-described embodiment, the main transmission line of the stripline resonator is grounded by being connected to the ground electrode 23 formed on the side surface of the trap device built-in type filter device 1. A structure in which one end of a via hole or a through hole is connected near the short-circuit end and the other end of the via hole or the through hole is connected to an electrode having a ground potential may be grounded.
[0033]
Furthermore, in the above-described embodiment, the main transmission line and the sub-transmission line are connected by via holes, but they may be connected by through holes or end faces formed on the side surfaces of the trap circuit built-in filter device. A structure in which electrodes are connected may be used.
[0034]
Furthermore, in the above-described embodiment, in the plurality of stripline resonators constituting the filter circuit, the main transmission line and the subtransmission line are arranged in the same positional relationship in the stacking direction. The transmission line and the sub-transmission line may be arranged in a positional relationship that is upside down in the stacking direction.
[0035]
Furthermore, in the above-described embodiment, an example of a trap circuit built-in type filter device having one trap circuit is shown, but it may be configured to include two or more trap circuits.
[0036]
Furthermore, in the above-described embodiment, the chip-shaped composite filter device has been described as an example. However, for example, the present invention can be applied to a composite filter device having the above-described configuration in a module substrate. Yes.
[0037]
【The invention's effect】
According to the present invention, a stripline resonator constituting a filter circuit and a trap circuit includes a main transmission line and a subtransmission line disposed between different dielectric layers, and a connection conductor that electrically connects both transmission lines. Therefore, it is possible to reduce the size of the stripline resonator and the apparatus including the stripline resonator. The stripline resonator constituting the trap circuit and the stripline resonator of the filter circuit adjacent to the stripline resonator are such that the main transmission line and the subtransmission line are positioned upside down in the stacking direction of the laminate. Since they are arranged in the relationship, it is possible to effectively prevent the deterioration of the characteristics in the passband of the filter.
[0038]
According to the present invention, the sub-transmission line of the strip line resonator constituting the trap circuit is closer to the ground electrode than the main transmission line of the strip line resonator of the filter circuit adjacent to the strip line resonator. Since it is arranged, the apparatus can be miniaturized and the Q value of the resonator can be increased.
[0039]
Furthermore, according to the present invention, since the ground electrode is further covered with a dielectric layer, the ground electrode of the filter device with a built-in trap circuit is the hot potential electrode of the circuit board on which the filter device with a built-in trap circuit is mounted. It is possible to effectively prevent unintentional contact.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an external perspective view schematically showing a trap circuit built-in filter device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along the line PP ′ of the trap device with a built-in trap circuit of FIG. 1;
FIG. 3 is an exploded perspective view schematically showing a trap circuit built-in filter device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an exploded perspective view schematically showing a conventional trap circuit built-in filter device.
[Explanation of symbols]
1: Filter device with built-in trap circuit 11-17: Dielectric layers 21-23: Earth electrodes 30a-30c: Sub-transmission lines 40a-40c: Input / output electrodes 50a-50c: Main transmission lines 60a-60c: Via hole 71: Input Side external terminal electrode 72: output side external terminal electrode

Claims (3)

複数個の誘電体層を積層した積層体の両主面にアース電極を被着させるとともに、前記積層体の内部に、少なくとも2個のストリップライン共振器を有するフィルタ回路と、少なくとも1個のストリップライン共振器を有するトラップ回路とを並設してなるトラップ回路内蔵型フィルタ装置において、
前記フィルタ回路及びトラップ回路を構成するストリップライン共振器は、異なる誘電体層間に配設される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路を電気的に接続する接続導体とを含んで構成されており、且つ、前記トラップ回路を構成するストリップライン共振器と該ストリップライン共振器に隣接する前記フィルタ回路のストリップライン共振器とは、主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されていることを特徴とするトラップ回路内蔵型フィルタ装置。
A ground electrode is attached to both main surfaces of a laminate in which a plurality of dielectric layers are laminated, a filter circuit having at least two stripline resonators inside the laminate, and at least one strip In the trap circuit built-in type filter device formed by arranging a trap circuit having a line resonator in parallel,
The stripline resonator constituting the filter circuit and the trap circuit includes a main transmission line and a subtransmission line disposed between different dielectric layers, and a connection conductor that electrically connects both transmission lines. The strip line resonator constituting the trap circuit and the strip line resonator of the filter circuit adjacent to the strip line resonator are configured such that a main transmission line and a sub transmission line are stacked in the stacking direction of the stacked body. A trap circuit built-in type filter device, wherein the filter device is disposed in an upside down positional relationship.
前記トラップ回路を構成するストリップライン共振器の副伝送線路が、該ストリップライン共振器に隣接する前記フィルタ回路のストリップライン共振器の主伝送線路に比し前記アース電極に近づけて配置されていることを特徴とする請求項1に記載のトラップ回路内蔵型フィルタ装置。The sub-transmission line of the stripline resonator constituting the trap circuit is arranged closer to the ground electrode than the main transmission line of the stripline resonator of the filter circuit adjacent to the stripline resonator. The filter device with a built-in trap circuit according to claim 1. 前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のトラップ回路内蔵型フィルタ装置。3. The trap circuit built-in filter device according to claim 1, wherein the ground electrode is further covered with a dielectric layer.
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