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JP3763803B2 - Optical transmitter - Google Patents

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JP3763803B2
JP3763803B2 JP2002231260A JP2002231260A JP3763803B2 JP 3763803 B2 JP3763803 B2 JP 3763803B2 JP 2002231260 A JP2002231260 A JP 2002231260A JP 2002231260 A JP2002231260 A JP 2002231260A JP 3763803 B2 JP3763803 B2 JP 3763803B2
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ伝送システム用の光送信装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
今日、情報通信分野の高度化と普及がめざましく、情報通信システムを支える伝送技術の高速化への期待度がますます高まっている。ことに、光ファイバ伝送システム関連では、基幹系ならびに加入者系通信システムの発展が将来不可欠なものと考えられており、高速光伝送技術の実用化が大いに期待されている。高速光信号の送信を行う上では、光波に数10Gbitのオーダの高速変調を施すことが可能な光変調器の実現とともに、伝送容量と伝送距離の点でも必要十分な性能を維持し得る変調方式を取り入れた光送信技術の確立が重要である。
【0003】
一般に、波長分散特性や非線形光学効果などの光ファイバ固有の特性が光信号の伝送到達可能距離に制限を与えることは良く知られている。40Gbit/s程度の超高速光信号を光ファイバで伝送する場合,広帯域で、狭いパルス幅の信号を扱うために光ファイバの波長分散の影響を受けやすくなる。また、広帯域の超高速パルスの生成と受信を行うための電気系の回路構成や、それらの回路の実装精度などに、従来に比較して厳しい条件が課せられる。
【0004】
光信号の変調方式としては、従来から簡易な構成で光波変調が可能なためよく採用されている非ゼロ復帰(NRZ)符号方式と、光ファイバの非線形光学効果の影響が少ないという特徴を有するゼロ復帰(RZ)符号方式、さらには、変調帯域が削減可能なため光信号の帯域利用効率を高められるデュオバイナリ方式がある。これらのうちRZ符号方式は、非線形効果に対する耐力の面では特に優れていて、送信光電力を高められるため、長距離伝送システムに適した方式として注目されている。
【0005】
RZ符号光信号を生成する光送信装置は、例えば下記、非特許文献1に記載されているように、2つの光強度変調器を有する構成が知られている。即ち、単一モードの半導体レーザ、RZ符号パルス生成用の第1の光強度変調器、クロック信号を与えるクロック信号源、超高速のNRZ符号光信号データ源となる信号源、さらに、信号源からの超高速データによる光波の変調のための第2の光強度変調器から構成される。半導体レーザから発せられる光波は、第1の光強度変調器により光パルス化され、第2の光強度変調器においてNRZ符号データ信号により変調される。このとき、クロック信号源によるパルスの繰り返し周波数は、信号源から発せられるNRZ符号データ信号のビットレートの半分に相当させておき、かつクロック信号源と信号源は常に同期させておく必要がある。
【0006】
しかし、このようなRZ符号光送信装置の構成では、超高速変調が可能な光強度変調器を2台用意する必要があり、光強度変調器を1台しか使用しないNRZ符号方式に比較してコストが高くなってしまう。また、光強度変調器の挿入損失は大きいため、光送信装置の光出力が一層弱まってしまい、信号光の信号対雑音比(S/N比)を劣化させる。
【0007】
加えて、光強度変調器に用いられる光導波路基板には大きな偏光依存性があるため、第1及び第2の光強度変調器の間の接続には定偏波光ファイバを用いる必要がある。その場合、定偏波光ファイバと、光強度変調器の光導波路基板の個々の偏光軸を良く揃えて接続することが不可欠であるが、偏光軸を合わせる作業は一般に複雑であり、光送信装置の製造コストを高めてしまう。
【0008】
この問題に対して、光位相変調器とマッハツェンダ干渉計から構成された1台の光強度変調器を用いてRZ符号光信号を発生させる方式が、ピー.ジェイ.ウィンザーらにより提案されている(非特許文献2参照)。
【0009】
この方式では、信号源から発せられるNRZ符号データ信号は、プリコーダ回路で非ゼロ復帰逆転(NRZI)符号に変換される。このNRZI符号信号は、ドライバ回路を通して位相変調器に印加され、半導体レーザから発せられる光波が位相変調される。位相変調された光波は、マッハツェンダ干渉計で位相調整されて、RZ符号の光信号が生成される。この方式によれば、2台の光強度変調器に入力される信号間の同期をとるという煩雑さは解消される。また、隣接するマーク(「1」符号)ビット同士の光位相が反転しているために、符号間干渉に対して耐力が大きい。
【0010】
しかし、この構成では、半導体レーザから発せられる光波は位相変調器とマッハツェンダ干渉計を通過するために、光損失が増大し、出力光信号のS/N比を劣化させる。また、マッハツェンダ干渉計において、分岐された光波は、通常波長の3〜4桁程度の光路長差で干渉させられる。従って、半導体レーザの位相ゆらぎが雑音として光強度に変換されるために出力光信号のマークレベルの雑音が増大することになり、伝送特性を劣化させる。また、マッハツェンダ干渉計の均一な出力光、あるいは消光状態を得るには、半導体レーザの光周波数とマッハツェンダ干渉計の波長特性を厳密に一致させるための高精度の制御系が必要となる。
【0011】
さらに、RZ符号光信号の消光比は、図32に示すように、マッハツェンダ干渉計の消光比で決定される。製造誤差などを考慮すると、マッハツェンダ干渉計の消光比としては15dB程度と見込まれるので、図32よりRZ符号光信号の消光比としては8dB程度に抑制されてしまい、良好なアイ開口が得られないことになる。また、位相変調器およびマッハツェンダ干渉計は偏波依存性があるために、偏波保持光ファイバで接続していくが、この際の偏波軸のずれによっても消光比が劣化する。
【0012】
【非特許文献1】
Y. Miyamoto et.al,OFC2000 Post ndeadline papers, PD26(2000)
【非特許文献2】
P.J. Winzer et. al. IEEEフォトニクス・テクノロジ・レターズ、13巻、12号、1298−1300頁、2001年
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のRZ符号光送信装置では、光強度変調器が2台必要であり、また、光強度変調器間の接続には定偏波光ファイバで偏光軸をそろえる必要がありコストが高くなること、2台の光強度変調器の印加信号間で同期を取る必要があること、光強度変調器の挿入損失によりS/N比が劣化すること等の問題があった。この問題を解決するため、NRZI符号信号により光波を変調する光強度変調器1台を用いて、RZ符号光信号を発生させる方式が提案されている。しかし、この提案された光送信装置においては光強度変調器の前段に位相変調器を用いているため、挿入損失は大きく、出力光信号のS/N比が劣化し、また、マークレベルの雑音が増大し、伝送特性を劣化させるという問題がある。さらに、RZ符号光信号の消光比が抑制され、良好なアイ開口が得られないという問題がある。
【0014】
本発明は、上記した問題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、単一の光強度変調器を用いて、低雑音で消光比の大きなRZ符号の出力信号光を生成する光送信装置を提供することにある。
【0015】
本発明の他の目的は、符号間干渉に対して耐力が大きい光送信装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一つの特徴は、(イ)NRZ符号信号の第1の論理符号が入力される時にNRZ符号信号のレベルを変換させ、NRZ符号信号の第2の論理符号が入力される時はNRZ符号信号のレベルを変換させないようにして、NRZ符号信号から生成したNRZI符号信号と、NRZI符号信号の符号を反転させて生成した反転NRZI符号信号をそれぞれ増幅して、NRZI変調信号と反転NRZI変調信号を出力する符号変換モジュールと、(ロ)直流バイアスを供給する直流バイアス電源と、(ハ)光波を出力する半導体レーザと、(ニ)光波を入力部で2分岐し出力部で合波する光導波路、2分岐した光波の各々に出力パルス符号信号と反転出力パルス符号信号を印加する変調部、及び、光導波路に直流バイアスを印加する調整電極が備えられ、直流バイアスを調整して、NRZI変調信号及び反転NRZI変調信号のパルス符号が反転する区間で光強度変調器から出力される光信号の強度が最小となるように2分岐した光波を強度変調する光強度変調器とを含む光送信装置であることを要旨とする。
【0017】
上記本発明の特徴によれば、単一の光強度変調器を用いて、低雑音で消光比の大きなRZ符号の出力信号光を生成する光送信装置を提供することができる。
【0018】
上記本発明の特徴において、光強度変調器の光導波路は、電気光学効果を有する誘電体よりなるため、直流バイアスを調整して、出力パルス符号信号及び反転出力パルス符号信号のパルス符号が反転する区間で光信号を出力するように光波を強度変調することができる。また、出力パルス符号信号を増幅して出力する出力端子と、その増幅された出力パルス符号信号を反転出力パルス符号信号に反転する反転出力端子を具備する差動増幅回路を符号変換回路と光強度変調器の間に挿入した構成にすれば、回路構成を簡略化できる。また、光強度変調器と差動増幅回路をハイブリッド集積化して光変調器モジュールに実装することが好ましい。
【0019】
また、光強度変調器を、電気光学効果又は電界吸収効果を有する半導体で構成すれば、モノリシック集積化できる。さらに、光強度変調器の出力部に光フィルタを接続し、出力信号光を単側波帯信号光とすることが好ましい。このように、送信する信号光を単側波帯化することにより、光周波数の占有帯域を低減でき、帯域利用効率の高い周波数多重伝送が可能となる。
【0020】
また、本発明の特徴は、(イ)NRZ符号信号の第1の論理符号が入力される時にNRZ符号信号のレベルを変換させ、NRZ符号信号の第2の論理符号が入力される時はNRZ符号信号のレベルを変換させないようにして、NRZ符号信号からNRZI符号信号を生成する符号変換モジュールと、NRZI符号信号を2分岐するスプリッタと、スプリッタの片側の出力に接続された遅延部と、(ロ)直流バイアスを供給する直流バイアス電源と、(ハ)光波を出力する半導体レーザと、(ニ)光波を入力部で2分岐し出力部で合波する光導波路、2分岐した光波の各々に、出力パルス符号信号と遅延部において時間遅延を受けた出力パルス符号信号を印加する変調部、及び、光導波路に直流バイアスを印加する調整電極が備えられた光強度変調器とを含む光送信装置であることを要旨とする。
【0021】
上記本発明の特徴によれば、単一の光強度変調器を用いて、低雑音で消光比の大きく、符号間干渉に対して耐力が大きいRZ符号の出力信号光を生成する光送信装置を提供することができる。
【0022】
上記本発明の特徴において、光強度変調器は、直流バイアスを調整して、出力パルス符号信号の立ち上りと遅延出力パルス符号信号の立ち下り、及び出力パルス符号信号の立ち下りと遅延出力パルス符号信号の立ち上りにおける遅延時間の遅延区間で光信号を出力するように2分岐した光波を強度変調するため、隣接する出力信号光の位相は反転しており、伝送光ファイバでの信号光符号間の干渉に対する耐性を大きくできる。また、2分岐された光波が、出力パルス符号信号及び遅延出力パルス符号信号により、それぞれ実質的に光波の半波長分の位相で位相変調されることが好ましい。半波長の位相変調を受けた光波を合波した場合に、光強度は最大となるので、低雑音で大きな消光比の出力信号光が得られる。
【0023】
また、符号変換回路と光強度変調器の間に、出力パルス符号信号及び遅延出力パルス符号信号のパルス波形を整形する波形整形フィルタを具備することが好ましい。さらに、遅延時間は、出力パルス符号信号及び遅延出力パルス符号信号の単位パルス符号時間より短く、出力パルス符号信号及び遅延出力パルス符号信号のパルス波形の立ち上り区間、及び立ち下り区間の時間より長いことが好ましい。
【0024】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の第1乃至第3の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、形状や寸法は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な形状や寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【0025】
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置1は、(イ)NRZ符号信号A1の第1の論理符号が入力される時にNRZ符号信号A1のレベルを変換させ、NRZ符号信号A1の第2の論理符号が入力される時はNRZ符号信号A1のレベルを変換させないようにして、NRZ符号信号A1から生成したNRZI符号信号A3と、NRZI符号信号A3の符号を反転させで生成した反転NRZI符号信号A4をそれぞれ増幅して、NRZI変調信号A5と反転NRZI変調信号A6を出力する符号変換モジュール80と、(ロ)直流バイアスA7を供給する直流バイアス電源6と、(ハ)光波B1を出力する半導体レーザ10と、(ニ)光波B1を光波入力部13で2分岐し光合波部14で合波する第1及び第2の光導波路15、16、2分岐した第1及び第2の分岐光波B3、B5の各々にNRZI符号信号A3と反転NRZI符号信号A4を印加する第1及び第2の位相変調部17、18、及び、光導波路に直流バイアスA7を印加する位相調整部19が備えられた光強度変調器9より構成される。
【0026】
図1に示すように、光送信装置1には信号源3が接続され、信号源3より発せられる送信データのNRZ符号信号A1及び反転NRZ符号信号A2が符号変換モジュール80の第1及び第2のプリコーダ回路4及び5によりそれぞれNRZI符号信号A3及び反転NRZI符号信号A4に変換され、NRZI符号信号A3及び反転NRZI符号信号A4が符号変換モジュール80のドライバ回路7及び8により増幅されてNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6として符号変換モジュール80より出力され、単一モード光源の半導体レーザ10から光波B1が送出され、直流バイアス電源6で直流バイアスA7が設定されて、光強度変調器9でNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6と直流バイアスA6により光強度変調された出力信号光B2が伝送路光ファイバに出力される。
【0027】
半導体レーザ10から光強度変調器9に入力された光波B1は、光強度変調器9内の2本の第1及び第2の分岐光導波路15,16に分岐される(図6及び図7参照)。図6及び図7に示す第1及び第2の分岐光導波路15,16は電界により屈折率が変化する電気光学効果(ポッケルス効果)を有する媒質よりなり、2本の光導波路間に光路長差は特に設けていない。
【0028】
第1及び第2の分岐光導波路15,16各々を伝播する第1及び第2の分岐光波B3、B5各々の位相は、図1に示すNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6に従って変化する。位相変化時には、瞬時的に分岐光波の光周波数が増減する。また、第1及び第2の分岐光波B3、B5の相対的な位相関係は、光強度変調器9への直流バイアスA7のレベルによって調整でき、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の出力レベルを適切に設定すると、論理レベルが変化せず一定の時に光強度変調器9の出力信号光B2の光強度を最小にし、論理レベルが切り替わる瞬時に光強度を最大にすることができ、大きな消光比を実現できる。
【0029】
NRZI符号信号A3は、NRZ符号信号A1がマークビットの時に符号が反転するビット列であり、一方、反転NRZI符号信号A4は、反転NRZ符号信号A2がスペース(「0」符号)ビットの時に符号が反転するビット列である。従って、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6により光強度変調された出力信号光B2は、RZ符号の信号光となる。
【0030】
なお、本発明の第1の実施の形態においては、信号源3で出力されるNRZ符号信号A1、及び反転NRZ符号信号A2を用いて、NRZI変調信号A5、及び反転NRZI変調信号A6を生成しているが、NRZ符号信号A1だけを用いてNRZI変調信号A5、及び反転NRZI変調信号A6を生成することもできる。
【0031】
例えば、信号源3のNRZ符号信号A1を2分岐して、分岐した一方のNRZ符号信号A1を、否定回路を介して第2のプリコーダ回路5に入力すればよい。また、NRZ符号信号A1を第1のプリコーダ回路4でNRZI符号信号A3に変換した後、NRZI符号信号A3を2分岐して、分岐した一方のNRZI符号信号A3を、否定回路を介することにより反転NRZI符号信号A4を生成してドライバ回路8に入力すればよい。この場合、第2のプリコーダ回路5が省略でき、低コスト化が可能となる。さらに、NRZI符号信号A3をドライバ回路7で増幅した後、NRZI変調信号A5を2分岐して、分岐した一方のNRZI変調信号A5を、否定回路に入力して反転NRZI変調信号A6を生成することもできる。この場合、第2のプリコーダ回路5とドライバ回路8が省略でき、さらに低コスト化が可能となる。
【0032】
本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置1によれば、1台の信号源3と1台の光強度変調器9の構成で、NRZ符号信号A1からRZ符号の出力信号光B2を生成することができるので、挿入損失を小さくすることができる。また、光強度変調器9の分岐光導波路には光路長差を設けてないので、マークレベルでの雑音が小さくでき、良好な信号対雑音比が得られる。
【0033】
図2(a)に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る第1のプリコーダ回路4は、排他的論理和(XOR)回路11aと1ビット遅延線11bから構成される。1ビット遅延線11bは、例えば、マイクロストリップ線路あるいはコプレーナ線路等で構成される。ここで、1ビット遅延線11bの初期値は「0」符号とする。排他的論理和回路11aは、データ信号のNRZ符号信号A1と、NRZI符号信号A3を1ビット遅延回路11bにより1ビット遅延させた1ビット遅延信号との排他的論理和を演算する。排他的論理和回路11aは、NRZ符号信号A1と1ビット遅延信号の値が同一のときは「0」符号、異なるときは「1」符号を演算結果として出力する。
【0034】
なお、排他的論理和回路11aは、最初のNRZI符号信号A3がまだ出力されていない時は、初期値「0」符号と、NRZ符号信号A1との排他的論理和を演算する。反転NRZ符号信号A2を反転NRZI符号信号A4に変換する第2のプリコーダ回路5は、図2(b)に示すように、排他的論理和回路11aと1ビット遅延線11bの分岐点の間に否定回路11cを付け加えた構成である。第2のプリコーダ回路5においては、排他的論理和回路11bが、反転NRZ符号信号A2と反転NRZI符号信号A4を1ビット遅延させた1ビット遅延信号とで排他的論理和を演算し、否定回路11cが演算結果を反転させて反転NRZI符号信号A4に変換する。
【0035】
例えば、図3(a)に示すように、NRZ符号信号A1が、「010011101100」というビット列の場合、図3(b)に示すように、第1のプリコーダ回路4で「011101001000」ビット列のNRZI符号信号A3に変換される。また、反転NRZ符号信号A2は、図3(c)に示すように、「101100010011」ビット列であり、第2のプリコーダ回路5で、図3(d)に示すように、「100010110111」ビット列の反転NRZI符号信号A4に変換される。ここで、図3(a)〜(d)の時間軸は、信号源3から発せられるデータ信号の、ビットレートの逆数のタイムスロットTbitで区切られた時間(t/Tbit)である。
【0036】
本発明の第1の実施の形態に係わる光強度変調器9は、比較的大きな電気光学係数を有する誘電体、例えばニオブ酸リチウム(LiNbO)を用いて、光導波路を形成する。図6に示すように、光強度変調器9の光波入力部13で、半導体レーザ10より入力される光波B1を、第1の分岐光導波路15、及び第2の分岐光導波路16に分岐する。第1の分岐光導波路15では、例えば、図3(b)に示すビット列のNRZI変調信号A5が第1の位相変調部17に印加されると、第1の分岐光波B3は、電気光学効果により、図4(a)に示すように位相変調された第1の変調光波B4となる。
【0037】
ここで、NRZI変調信号A5は、[0]符号の時0Vで、「1」符号の時、光波の位相が半波長シフトする電圧、即ち半波長電圧、Vπとなるようにドライバ回路7の出力レベルを設定してある。第2の分岐導波路16でも、図3(d)に示すビット列の反転NRZI変調信号A6が第2の位相変調部18に印加されると、第2の分岐光波B5は、図4(c)に示すように位相変調された第2の変調光波B6となる。ここで、反転NRZI変調信号A6は、[1]符号の時0Vで、「0」符号の時、半波長電圧、−Vπとなるようにドライバ回路8の出力レベルを設定してある。
【0038】
第1及び第2の変調光波B4、B6は、それぞれ、図4(a)及び(c)に示す位相パルス波形の立ち上り区間では位相が進み、立ち下り区間では位相が遅れる。従って、光周波数fがパルス波形の立ち上り区間及び立ち下り区間で、それぞれ、Δf及び−Δfだけパルス状に変化することになる。図4(b)及び(d)に示すように、パルス波形の立ち上り区間及び立ち下り区間の時間幅に対応するパルス幅で、互いに逆極性で微分型の波形パルスの周波数変調信号が得られる。
【0039】
第1及び第2の変調光波B4、B6は、光合波部14において合波され、図5(a)及び(b)に示すような位相及び光周波数の合波光B7となる。ここで、第2の分岐導波路16には、位相調整部19が設けられ、直流バイアスA7により、第1の変調光波B4と第2の変調光波B6との位相差が光波の半波長分、πになるように調整を行う。
【0040】
このように位相差を調整すると、図5(c)に示すように、合波光B7は、第1及び第2の変調光波B4、B6の光周波数fが一定の時に消光状態となり、光周波数がf+Δf及びf−Δfにパルス的に変化する時には光強度が最大となる。このように、NRZ符号信号A1のビット列がRZ符号に光強度変調されて復元され、光強度変調器9より消光比の高い出力信号光B2が出力される。
本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置1によれば、単一の光強度変調器9を用いて、NRZ符号信号A1からRZ符号の出力信号光B2を生成することができ、従来の変調器を2台用いる方法より変調器台数が少ないため、光変調器による挿入光損失を小さくすることができる。また、光強度変調器9の第1及び第2の分岐光導波路15、16には光路長差を設けてないので、マークレベルでの雑音が小さくでき、良好な信号対雑音比が得られる。さらに、直流バイアスA7と、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の出力レベルを適切に設定することによって消光比が高い出力信号光を出力できる。
【0041】
加えて、光強度変調器9内の分岐導波路はY字型分岐路であるので、マッハツェンダ干渉計内に設けられた3dBカプラ部に比較すると2分岐導波路15,16への光波の分岐比はマッハツェンダ干渉計に比較すると高くすることが出来る。図32においては消光比を20dB以上取ることが出来、RZ光信号としては、10dB以上の消光比が得られる。
【0042】
また、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の符号が変化する区間でRZ符号の出力信号光B2を生成するため、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6に対してローパスフィルタにより帯域制限を与え、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の立ち上がり・立下り時間を変更してもよい。この場合、ローパスフィルタによる帯域制限は、ビットレートのおよそ半分まで短縮可能であるため、ドライバ回路などの変調器駆動回路部の帯域を半減出来、光送信部のコストを低減可能である。
【0043】
次に、図7〜9を用いて本発明の第1の実施の形態に係わる光強度変調器9の構造及び実装の形態を説明する。光強度変調器9は、光波入力部13、光合波部14、第1及び第2の分岐光導波路15、16よりなる光導波路を有する変調器基板21上に、第1及び第2の位相変調部17、18と、位相調整部19を構成する電極が配置された構造である。本発明の第1の実施の形態では、変調器基板21としてニオブ酸リチウムを用い、選択熱拡散技術により形成したチタン(Ti)拡散層を第1及び第2の光導波路15、16としている。チタン拡散により、ニオブ酸リチウム層の屈折率nは、Δn=2〜5×10−3増加し、低損失の光導波路が形成できる。
【0044】
例えば、図7に示すように、第1及び第2の光導波路15、16が紙面に対して左右に延在し、第1及び第2の位相変調電極22、24、第1及び第2の接地電極23、25、共通接地電極26各々は、互いに略平行に配置され、変調器基板21の上端に接し、第1及び第2の分岐光導波路15、16と直交する方向に延在する部分と、途中で変調器基板21の左方向に略直角に曲げられて第1及び第2の分岐光導波路15、16と平行に延在する部分と、さらに変調器基板21の下方向に曲げられて第1及び第2の分岐光導波路15、16と直交する方向に延在して変調器基板21の下端に接する部分よりなるクランク形状を有する。また、第1及び第2の分岐光導波路15、16と平行に延在する部分は、変調器基板21の上端より下端に向かって、まず第1の接地電極23、第1の分岐光導波路15を挟んで第1の位相変調電極22、共通接地電極26、第2の位相変調電極24、第2の分岐光導波路16を挟んで第2の接地電極25の順に配置されている。
【0045】
ここで、第1の位相変調部17は、第1の位相変調電極22と第1の接地電極23が第1の分岐光導波路15の一部を挟んで平行に配置された部分より構成される。同様に、第2の位相変調部18は、第2の位相変調電極24と第2の接地電極25が第2の分岐光導波路16の一部を挟んで平行に配置された部分より構成される。
【0046】
図8は、図7に示す階段状に切り取られた第1及び第2の位相変調部17、18のA−A断面構造である。第1及び第2の位相変調部17、18は、チタン拡散層よりなる第1及び第2の分岐光導波路15、16を挟んで変調器基板21表面上に設けられた対向する第1の位相変調電極22と第1の接地電極23、及び、第2の位相変調電極24と第2の接地電極25よりそれぞれ構成される。共通接地電極26は、第1及び第2の位相変調部17、18の間に配置される。なお、本発明の第1の実施の形態においては、第1及び第2の位相変調電極22、24、第1及び第2の接地電極23、25、共通接地電極26各々がクランク形状に構成されているが、第1及び第2の位相変調部17、18が第1及び第2の分岐光導波路15、16の一部を挟んで平行に配置された構成であれば、どのような形状であっても構わないことは、勿論である。
【0047】
本発明の第1の実施の形態においては、第1及び第2の分岐光導波路15、16の長さは製造誤差の範囲で等しくし、また、第1及び第2の位相変調部17、18の長さも同様に製造誤差の範囲で等しくしている。図7に示すように、第1及び第2の分岐光波B3、B5が第1及び第2の位相変調部17、18に達するまでの第1及び第2の分岐光導波路15、16の光路差分、光導波路長差L1があり、また、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6が第1及び第2の位相変調部17、18に達するまでの第1及び第2の位相変調電極22、24の線路長差分、伝送線路電気長差L2が存在する。
【0048】
光波B1が図7の紙面に対して左端より、電気信号が上端より導入されるとすると、第2の分岐光波B5が第2の位相変調部18に到着する時間は、第1の分岐光波B3が第1の位相変調部17に到着する時間に対して光導波路長差L1の分だけ早く、NRZI変調信号A5が第1の位相変調部17に到着する時間は、反転NRZI変調信号A6が第2の位相変調部18に到着する時間に対して伝送線路電気長差L2の分だけ早くなる。屈折率がnの誘電体を伝搬する光波の速度は、c/nと表される。ここで、cは真空中の光波の速度である。
【0049】
また、第1の位相変調電極22と第1の接地電極23、及び第2の位相変調電極24と第2の接地電極25が、図7の示すようにコプレーナストリップ伝送線路を形成する。コプレーナストリップ伝送線路の場合、マイクロ波信号の伝搬速度は、c/((1+n)/2)1/2と近似される。ニオブ酸リチウムの場合、波長1.55μmで、n=2.15であり、一方マイクロ波ではn〜4.2である。従って、光導波路長差L1と伝送線路電気長差L2の比を〜2とすれば、実効線路長が同一となるように設定することができる。
【0050】
直流バイアス電極27は変調器基板21の上端からU字型に第1及び第2の分岐光導波路15、16を跨いで配置され、直流バイアス接地電極28は変調器基板21の上端から第1の分岐光導波路15のみを跨いで配置されている。位相調整部19は、第2の分岐光導波路16の一部を挟んで平行に配置されている直流バイアス電極27と直流バイアス接地電極28の部分より構成される。
【0051】
本発明の第1の実施の形態においては、第2の分岐光導波路16の一部に設けられる位相調整部19が、第1の光導波路15を跨いで配置されているが、位相調整部19の配置は適宜選択できるのは勿論である。例えば、直流バイアス電極27を変調器基板21の下端より逆U字型に第1及び第2の光導波路15、16のいずれも跨がずに配置して、第1の光導波路15を跨いで配置される直流バイアス接地電極28と対抗させても良い。また、直流バイアス電極27を変調器基板21の下端より逆U字型に第2の分岐光導波路16を跨いで配置し、直流バイアス接地電極28は変調器基板21の下端に配置してもよい。
【0052】
光強度変調器9を有する変調器基板21は、図9に示すように、ドライバ回路7、8が配置された実装基板31に接して実装される。光強度変調器9の第1の位相変調電極22及び第1の接地電極23は、図9に示す変調器基板21上端において、ボンディングワイヤ38c及び38dによりドライバ回路7と接続され、第2の位相変調電極24及び第2の接地電極25も、同様にボンディングワイヤ38b及び38aによりドライバ回路8と接続される。共通接地電極26は、実装基板31上の高周波接地配線30にボンディングワイヤ38eにより接続される。そして、実装基板31は、パッケージ39に装着される。光強度変調器9の光波入力部13及び光合波部14は、それぞれ光ファイバに接続される。ドライバ回路7、8は、それぞれ高周波コネクタ32、33に配線接続され、また、電源コネクタ35に接続されている。
【0053】
高周波コネクタ32、33は、パッケージ39の外部の第1及び第2のプリコーダ回路4、5と同軸ケーブルで接続される。電源コネクタ35は、直流電源と接続され、ドライバ回路7、8に電源電圧を供給する。直流バイアス電極27は、直流バイアス電源コネクタ36に配線された直流バイアス配線40にボンディングワイヤ38fにより接続される。直流バイアス電源コネクタ36は、パッケージ39の外部の直流バイアス電源6と接続される。
【0054】
直流バイアス接地電極28は、実装基板上31上の直流バイアス接地配線60にボンディングワイヤ38gにより接続される。光強度変調器9の第1及び第2の位相変調電極22、24は、図9に示す変調器基板21の下端において、それぞれ高周波コネクタ34を通してパッケージ39の外部に設けられ、他端が接地された終端器37に接続される。
【0055】
本発明の第1の実施の形態において、ドライバ回路7、8の出力を光強度変調器9の半波長電圧、Vπまで高めたとき、光強度変調器9の出力信号光B2の消光比がもっとも高くなるが、実用上は必ずしもVπまで高める必要は無く、Vπの15%程度の偏差があってもよい。
【0056】
なお、光強度変調器9から出力されるRZ符号の出力信号光B2のパルス幅は、光強度変調器9を駆動するNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の立ち上り区間、及び立ち下り区間の時間幅によって決まる。従って、ローパスフィルタ等の波形整形フィルタを用いて、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6に対して波形整形を施し、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の立ち上り区間、及び立ち下り区間の時間幅を調節することにより、所望のパルス幅のRZ符号の出力信号光B2が生成可能である。このような波形整形を施す場合、波形整形フィルタの挿入位置は、第1及び第2のプリコーダ回路4、5の出力段であっても良いし、ドライバ回路7、8の出力段であってもよい。
【0057】
また、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の符号が変化する区間でRZ符号の出力信号光B2を生成するため、NRZI変調信号A5および反転NRZI変調信号A6に対してローパスフィルタにより帯域制限を与え、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の立ち上がり・立下り時間を変更してもよい。
【0058】
この場合、ローパスフィルタによる帯域制限は、ビットレートのおよそ半分まで短縮可能であるため、ドライバ回路などの変調器駆動回路部の帯域を半減出来るほか、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の立ち上がり・立下り時間が増加するので、光強度変調器内で生成されるNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6による2つの位相変調光信号間に時間ずれが生じてもRZ光信号を生成可能である。この場合、時間ずれの許容量としては1タイムスロット分であり、線路長に換算すれば10Gb/s信号においては、およそ3cm程度である。
【0059】
さらに、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の立ち上がり・立下り時間が増加した状況では、立ち上がり・立下り区間での変調信号の時間微分値が小さいため、線路長の誤差ばらつきがあってもRZ符号の出力信号光B2のパルス幅をほぼ一定に保つことが出来るという特徴がある。
【0060】
図7〜9に示すように、第1及び第2の位相変調部17、18、及び位相調整部19の各電極は変調器基板21表面に直接形成されている。しかし、ニオブ酸リチウム結晶の抵抗は十分には高くないため、印加する直流バイアスA7の電圧降下が生じ、光強度変調器9の長期ドリフトの原因となる。そこで、図10に示すように、第1及び第2の分岐光導波路15、16が配置された変調器基板21の表面に絶縁性の高い、例えばシリコン酸化膜等の誘電体膜29を設け、誘電体膜29上に、第1の位相変調部17を構成する第1の位相変調電極22と第1の接地電極23、及び第2の位相変調部18を構成する第2の位相変調電極24と第2の接地電極25を配置するとよい。また、ニオブ酸リチウム結晶の電気光学効果には異方性があり、位相変調部の電極の配置は、使用する変調器基板21の面方位により異なる。
【0061】
図7〜10に示す光強度変調器9では、第1及び第2の位相変調部17、18の第1及び第2の位相変調電極22、24が第1及び第2の光導波路15、16を挟む構造であり、変調器基板21は、電気光学係数が最大の光軸方向を紙面に対して左右方向に選んである。変調器基板21の光軸方向を紙面に対して上下方向に選ぶと、図11に示すように、第1及び第2の位相変調部17、18の第1及び第2の位相変調電極22、24は、それぞれ第1及び第2の光導波路15、16の真上に配置される構造となる。この場合、光波が第1あるいは第2の位相変調電極22、24金属によって吸収される現象を防ぐためにも、シリコン酸化膜等の誘電体膜29が必要となる。
【0062】
図11では、第1の接地電極23、第2の接地電極25、及び共通接地電極26は、第1及び第2の位相変調電極22、24と同様に、変調器基板21表面の誘電体膜29上に配置されているが、図12に示すように共通接地電極26を変調器基板21の裏面に配置してマイクロストリップ型の伝送線路を構成しても良い。図12においては、第1及び第2の光導波路15、16を有する変調器基板21表面に誘電体膜29が設けられ、誘電体膜29上で第1及び第2の位相変調電極22、24が第1及び第2の光導波路15、16の真上に配置され、共通接地電極26は変調器基板21裏面に配置されている。このようなマイクロストリップ型の伝送線路では、第1及び第2の接地電極を省略できる。
【0063】
さらに、図13に示すように、変調器基板21において、チタン拡散により第1及び第2の光導波路15a、16aを形成した後、第1及び第2の光導波路15a、16aの両側をエッチングすることによりリッジ構造としても良い。リッジ構造にすることにより、第1及び第2の位相変調部17、18の第1及び第2の位相変調電極22、24下の電界密度が上がり、変調効率がよくなる。図13では、第1及び第2の接地電極23、25、共通接地電極26が第1及び第2の位相変調電極22、24と同じ変調基板21表面の誘電体膜29上に設けられているが、図12に示すような共通接地電極26を変調器基板21の裏面に設けたマイクロストリップ型の伝送線路構造としてもよいことは勿論である。
【0064】
(第1の変形例)
本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係わる光送信装置では、図14に示すように、光強度変調器9と伝送路光ファイバとの間に光フィルタ65が設けられ、単側波帯(SSB)出力信号光B8を出力している点が先に述べた第1の実施の形態と異なる。他は、第1の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0065】
本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係わる光送信装置1aは、図14に示すように、図1に示した光送信装置1の光強度変調器9の出力に、光ファイバを介して光フィルタ65が挿入された構成となる。光フィルタ65は、図15(a)に示すようにバンドパスフィルタである。
【0066】
光強度変調器9の出力信号光B2は、互いに位相が反転した光信号を合波したものであるから、出力信号光B2の光周波数スペクトルは、図5(b)に示すように、半導体レーザ10の光波の光周波数fを中心に正負に信号成分Δfだけ広がった両側波帯(DSB)スペクトルとなる。両側波帯の出力信号光B2成分のうち、光フィルタ65によって片側の側波帯成分を抜き出して単側波帯(SSB)化しても、信号の情報は損なわれない。従って、RZ符号の出力信号光B2の生成とともにその光周波数の占有帯域を低減することが可能となる。このような帯域の節約によって、チャンネル数の増大を図ることができ、高密度波長多重伝送が可能となる。
【0067】
光フィルタ65の透過特性のピークは、図15(a)及び(b)に示すように、半導体レーザ10の光波B1の中心光周波数fより低周波側にずらしてある。従って、出力信号光B2の光周波数スペクトルは、図15(c)に示すように、光周波数fより負側(f−Δf)の信号スペクトル成分、即ち下側波帯が抽出され、正側(f+Δf)の信号スペクトル成分、即ち上側波帯は除去される。その結果、図15(d)に示すように、単側波帯化されたRZ符号の信号光強度を持つSSB出力信号光B8が、伝送路光ファイバに出力される。SSB出力信号光B8は、光フィルタ65の透過特性により位相変調光を光強度変調光に変換できるため、光フィルタ65の透過特性の急峻性を高めれば、光フィルタ65を利用しない場合に比較してSSB出力信号光B8の消光比を高めることが可能となる。
【0068】
なお、第1の変形例では、下側波帯を用いる構成としているが、光フィルタ65の透過特性のピークを、半導体レーザ10の光波B1の中心光周波数fより高周波側にずらして上側波帯を用いる構成としてもよいことは、勿論である。また、光フィルタ65としては、バンドパスフィルタを用いているが、例えば、下側波帯を利用する場合はハイパスフィルタを、また、上側波帯の場合はローパスフィルタを用いることができるのは、勿論である。また、図14(a)のごとく、光強度変調器内の2つの位相変調部出力部に光フィルタを挿入して、片側の側波帯を切り出すようなバンドパス特性を光フィルタを与えておいても、SSB信号出力を得られる。
【0069】
本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係わる光送信装置1aによれば、光強度変調器9の出力に光フィルタ65を挿入して、出力信号光B2を単側波帯化することにより、帯域利用効率の高い周波数多重伝送が可能となる。
【0070】
(第2の変形例)
本発明の第1の実施の形態の第2の変形例は、図16に示すように、本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置1(図1参照)を複数個用意して、それらの出力信号光B2a〜B2cを複数チャンネルの入力ポートP〜P(i+2)を有する光合波器62により波長多重化する構成である。他は、第1の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。第1の実施の形態に係わる光送信装置1の出力信号光B2の両側波帯成分を伝送する場合には、光合波器62の各チャンネルの入力ポートには、両側波帯成分に対応した透過帯域幅が必要となる。
【0071】
出力信号光B2の各チャンネル波長間隔を狭めてチャンネル数の増大を図る場合には、第1の変形例のようにRZ符号の出力信号B2の単側波帯化を図ればよい。光合波器62は複数の透過特性の異なる薄膜フィルタあるいは光導波路を用いるもので、光フィルタ65と同様のバンドパスフィルタ機能を有する。
【0072】
図16に示すように、i〜(i+2)チャンネルの信号源3a〜3cから出力された複数のNRZ符号信号A1a〜A1cと複数の反転NRZ符号信号A2a〜A2cが第1及び第2のプリコーダ回路4及び5でNRZI符号信号A3a〜A3cと反転NRZI符号信号A4a〜A4cに変換され、ドライバ回路7及び8により信号レベルが増幅されて、NRZI変調信号A5a〜A5cと反転NRZI変調信号A6a〜A6cがそれぞれの光強度変調器9a〜9cに出力される。半導体レーザ10a〜10cは、発振する光波B1a〜B1cの光周波数fはそれぞれの入力ポートP〜P(i+2)の透過特性に対応して互いに異なるように、半導体レーザ10a〜10cの注入電流あるいは動作温度により制御される。光強度変調器9a〜9cは、両側波帯の出力信号光B2a〜B2cを光合波器62のi〜(i+2)チャンネルの入力ポートP〜P(i+2)に出力する。光合波器62は両側波帯の出力信号光B2a〜B2cを単側波帯化し、さらに多重化して、伝送光ファイバに多重化出力信号光B9を出力する。
【0073】
例えば、図17(a)に示すように、光合分波器62の各チャンネルの入力ポートP〜P(i+2)の透過特性のピーク光周波数と、出力信号光B2a〜B2cの中心光周波数f0,i〜f0,(i+2)とはずらしてある。従って、図15に示したように、RZ符号の出力信号光B2a〜B2cが単側波帯化される。光合波器62に光周波数分解能の高いものを用いることによって、各光強度変調器9a〜9cからの出力信号光B2a〜B2cの消光比を高めて波長多重化することが可能となる。
【0074】
本発明の第1の実施の形態の第2の変形例によれば、複数の光送信装置1の出力信号光B2を光合波器62により単側波帯化することにより、帯域利用効率の高い周波数多重伝送が可能となる。
【0075】
(第3の変形例)
本発明の第1の実施の形態の第3の変形例は、半導体レーザの光波を偏光ビームスプリッタにより直交偏光成分に分岐し、分岐偏光毎に光強度変調器9によるRZ符号の信号光の生成を施した後、偏光方位が直交している隣接チャンネルの出力信号光B2を偏光ビームスプリッタにより合波する。他は、第1の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0076】
図18に示すように、半導体レーザ10d、10e、・・・の光波B1、B1(i+1)、・・・は、第1の偏光ビームスプリッタ63により直交偏光成分に分岐され、第1の偏光光波D1、D1(i+1)、・・・と第2の偏光光波D2、D2(i+1)、・・・がそれぞれ光強度変調器9に入力される。第1の偏光光波D1は、NRZI符号変調信号A5d及び反転NRZI符号変調信号A6dにより変調され、第1の変調偏光光波M1が第2の偏光ビームスプリッタ64に入力され、第2の偏光光波D2は、NRZI符号変調信号A5e及び反転NRZI符号変調信号A6eにより変調され、第2の変調偏光光波M2が第2の偏光ビームスプリッタ64に入力される。
【0077】
同様にして、第1の偏光光波D1(i+1)は、NRZI符号変調信号A5f及び反転NRZI符号変調信号A6fにより変調され、第1の変調偏光光波M1(i+1)が第2の偏光ビームスプリッタ64に入力され、第2の偏光光波D2(i+1)は、NRZI符号変調信号A5g及び反転NRZI符号変調信号A6gにより変調され、第2の変調偏光光波M2(i+1)が第2の偏光ビームスプリッタ64に入力される。さらに、第1の偏光光波D1(i+2)は、NRZI符号変調信号A5h及び反転NRZI符号変調信号A6hにより変調され、第1の変調偏光光波M1(i+2)が第2の偏光ビームスプリッタ64に入力される。
【0078】
このようにして、第2の偏光ビームスプリッタ64は、それぞれ隣接するチャンネルの第1の変調偏光光波M1と第2の変調偏光光波M2(i−1)、第1の変調偏光光波M1(i+1)と第2の偏光光波M2、第1の変調偏光光波M1(i+2)と第2の偏光光波M2(i+1)、・・・を合波し、RZ符号の出力信号光B2、B2(i+1)、B2(i+2)、・・・を出力する。光合波器62は両側波帯の出力信号光B2、B2(i+1)、B2(i+2)、・・・を単側波帯化し、さらに多重化して、伝送光ファイバに多重化出力信号光B9aを出力する。
【0079】
本発明の第1の実施の形態の第3の変形例においては、図17(a)に示すように、光合分波器62の各チャンネルの入力ポートP〜P(i+2)での最大透過光周波数と、出力信号光B2〜B2(i+2)の中心光周波数f0,i〜f0,(i+2)とはずらしてある。例えば、入力ポートP(i+1)に入力される出力信号光B2(i+1)は、図17(b)に示すように、第1の偏光光波D1(i+1)成分で中心光周波数がf0,(i+1)と、第2の偏光光波D2成分で中心光周波数がf0,iを合波したものである。入力ポートP(i+1)の透過特性により、図17(c)に示すように,それぞれ、第1の偏光光波D1(i+1)成分は下側波帯化され、第2の偏光光波D2成分は上側波帯化される。
【0080】
このように、隣接するチャンネルで、中心光周波数fが異なり、かつ、偏光方位が直交している出力信号光の合波と単側波帯化が各入力ポートで行われ、周波数多重化される。このような多重化を施せば、帯域利用効率の高い周波数多重伝送が可能となる。
【0081】
(第4の変形例)
図1の構成において、直流バイアスA7を調節することにより出力信号光B2を反転RZ光信号とすることができる。この場合、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6の符号が変化する区間で出力信号光B2の光強度が最小となる(図19)。換言すれば、位相変調部17、18での光位相の時間微分値(光周波数チャープ)が最も大きい区間で出力信号光B2の強度が最小となるため、出力信号光B2の光周波数チャープによる光スペクトル広がりを抑圧できる。
【0082】
図20は、直流バイアスA7を調節して出力光信号B2としてRZ信号を生成した場合と反転RZ信号を生成した場合の光スペクトル(ともに、10Gb/s信号)を示している。RZ信号の光スペクトルでは、光搬送波成分を中心に±10GHz離れた周波数において、ビットレートに応じたピーク成分が両側波帯に生成するが、反転RZ信号ではそのようなピーク成分は生成されず、光スペクトルの広がりが抑圧されている。したがって、反転RZ信号を生成した場合には占有光帯域が短縮可能であるため、波長間隔を狭めた高密度波長多重伝送には適しており、透過帯域幅の狭い光合分波器や光フィルタなどを併用すれば、第1の変形例に記載したようなSSB信号程度の占有帯域の削減を行え、波長多重のさらなる高密度化を図ることができる。
【0083】
このような反転RZ信号を受信するためには、受信側で符号をさらに反転させRZ信号に復号する必要があるが,このような復号化は光受信器内に反転部を設ければよく、具体的には、論理符号が反転出力される増幅器や否定回路を光受信器内に設けてやればよい。
【0084】
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態に係わる光送信装置1aは、図21に示すように、信号源3より発せられる送信データのNRZ符号信号A1をNRZI符号信号A3に変換する符号変換モジュール8のプリコーダ回路4と、NRZI符号信号A3を増幅してNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6を出力する差動増幅ドライバ回路50より構成される符号変換モジュール82の構成が第1の実施の形態に係わる光送信装置1と相違する。他は、本発明の第1の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0085】
本発明の第2の実施の形態に用いる差動増幅ドライバ回路50は、符号の論理を反転する反転出力端子51を備えているため、プリコーダ回路4も一台用いればよく、符号変換モジュール82の部品点数を削減できる。また、本発明の第1の実施の形態においては、図1に示したように、信号伝送系は、信号源3から2分岐され、プリコーダ回路4、5、ドライバ回路7、8を経由して、光強度変調器9の第1及び第2の位相変調部17、18にそれぞれ接続される。
【0086】
光強度変調器9を有効に機能させ、消光比が十分な出力信号光B2を得るためには,第1及び第2の位相変調部17、18に対し、タイミングのそろったNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6を導くことが望ましい。それには、分岐された信号伝送系の全体の伝送線路長差が伝送信号の波長に対して10分の1程度の精度でそろえる必要がある。
【0087】
例えば、40Gb/sのNRZ符号信号A1を用いる場合、全体の伝送線路長差は1mm以下とする必要がある。変調器駆動回路中にローパスフィルタを挿入するなどして、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6に対して帯域制限を加えて、立ち上がり・立下り時の変調信号の時間微分値を低減した場合には、40Gb/sのNRZ符号信号A1を用いる場合、全体の伝送線路長差は7.5mmまで緩和される。伝送線路長差による時間遅れを調整可能なフェイズシフタ等を伝送線路中に挿入してもよいが、動作の安定性や信頼性に問題がある。
【0088】
本発明の第2の実施の形態においては、反転出力端子51を有する差動増幅ドライバ回路50を用いているため、信号源3からプリコーダ回路4を経由して差動増幅ドライバ回路に接続される伝送線路は1系統であり、伝送線路長の設定を簡潔化出来る。
本発明の第2の実施の形態に係わる光送信装置によれば、単一の光強度変調器を用いて、簡単な構成で、NRZ符号信号からRZ符号の出力信号光を生成することができ、挿入損失を小さくすることができる。また、光強度変調器の分岐光導波路には光路長差を設けてないので、マークレベルでの雑音が小さくでき、良好な信号対雑音比が得られる。さらに、直流バイアスと、光強度変調器NRZI変調信号及び反転NRZI変調信号の出力レベルを適切に設定することによって消光比が高い出力信号光を出力できる。
【0089】
本発明の第2の実施の形態において用いる光強度変調器9は、図22に示すように、第1の実施の形態に用いたものと同じであり、第1及び第2の位相変調部の第1及び第2の分岐光導波路15、16への実効線路長が同一となるように、第1及び第2の位相変調電極22、24、第1及び第2の接地電極23、25、共通接地電極26の構造、及び長さは定められている。光強度変調器9を有する変調器基板21は、差動増幅ドライバ回路50が配置された実装基板41に接して実装される。
【0090】
図22に示す変調器基板21の、紙面に対して上端において、光強度変調器9の第1の位相変調電極22及び第1の接地電極23は、差動増幅ドライバ回路50に、第2の位相変調電極24及び第2の接地電極25は差動増幅ドライバ回路50の反転出力端子51に、共通接地電極26も差動増幅ドライバ回路50の接地配線に、それぞれボンディングワイヤ48で接続される。そして、実装基板41は、パッケージ49に装着される。光強度変調器9の光波入力部13及び光合波部14は、それぞれ光ファイバに接続される。差動増幅ドライバ回路50は、高周波コネクタ42に配線接続され、また、電源コネクタ45に接続されている。高周波コネクタ42は、パッケージ49の外部のプリコーダ回路4と同軸ケーブルで接続される。電源コネクタ35は、直流電源と接続され、差動増幅ドライバ回路50に電源電圧を供給する。さらに、差動増幅ドライバ回路50内での差動増幅出力のNRZI変調信号A5と反転NRZI変調信号A6間に生ずる位相ずれや、差動増幅ドライバ回路50と第1及び第2の位相変調部17、18間の線路長の微少誤差による位相差を補償するために、差動増幅ドライバ回路50には、高周波コネクタ43に接続された位相差調整信号入力ポートを設けても良い。
【0091】
このような構成を採ることにより、差動増幅ドライバ回路50及び差動増幅ドライバ回路50の反転出力端子51から第1及び第2の位相調整部17、18へのボンディングワイヤ48の長さ調整が不要になる。直流バイアス電極27は、直流バイアス電源コネクタ46に結線され、直流バイアス電源6と接続される。直流バイアス接地電極28は、実装基板上31上の直流バイアス接地配線に接続される。光強度変調器9の第1及び第2の位相変調電極22、24は、図9に示す変調器基板21の下端において、それぞれ高周波コネクタ44を通してパッケージ49の外部に設けられ、他端が接地された終端器47に接続される。
【0092】
(第1の変形例)
本発明の第2の実施の形態の第1の変形例は、図23に示すように、変調器基板21に配置される第1及び第2の位相変調電極22、24と第及び第2の接地電極23、25の配線構造とパッケージ49への実装の形態が、第2の実施の形態とは異なる。他は、本発明の第2の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0093】
第1の位相調整電極はU字形状で、その両端は変調器基板21上端に接し、第1の分岐光導波路15を跨いで配置される。第1の接地電極23は変調器基板21上端に接し、また、第1の位相調整電極22と第1の分岐光導波路15を挟んで平行に配置されている。第2の位相変調電極24及び第2の接地電極25も同様に、第2の分岐光導波路16を挟んで、変調基板21の下端に接して配置される。第1及び第2の位相変調電極22、24は変調基板21の紙面に向かって左右の中心軸に対して対称に形成されているため、光導波路長差L1及び伝送線路電気長差L2は略ゼロになる。本発明の第2の実施の形態の変形例においては、位相変調基板21の光波入力部13を囲むようにコの字型の実装基板41を設置し、実装基板41上の配線57、58端と光波入力部13側の第1及び第2の位相変調電極22、24端とが接するように配置し、ボンディングワイヤ48により接続する。実装基板41上の配線57、58の長さは同一とし、差動増幅ドライバ回路50へと導かれる。
【0094】
実装基板41に搭載された差動増幅ドライバ回路50は、配線55、56を介して位相差調整信号を入力する高周波コネクタ43及び直流電源コネクタ45に接続され、また、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6を入力する高周波コネクタ42に直接接続される。差動増幅ドライバ回路50と配線55〜58とはボンディングワイヤ48により結線される。第1及び第2の位相変調電極22、24の他の端には、それぞれパッケージ49内部に設けられた終端器47が接続される。このように、終端器47をパッケージ49内部に設けることにより終端器47用の高周波コネクタを削減できる。これらの終端器47と、第1及び第2の接地電極23、25は、高周波接地配線に接続される。直流バイアス電極27は、直流バイアス電源コネクタ46に結線され、直流バイアス電源6と接続される。直流バイアス接地電極28は、パッケージ49内の直流バイアス接地配線に接続される。
【0095】
本発明の第2の実施の形態の第1の変形例によれば、反転出力端子51を有する差動増幅ドライバ回路50を用いているため、信号源3からプリコーダ回路4を経由して差動増幅ドライバ回路に接続される伝送線路は1系統であり、また、実装基板41上の第1及び第2の位相変調電極22、24に対する配線57、58の伝送線路長は同じにしてあり、低雑音で、消光比の高い出力信号光B2が簡便に得られる。
【0096】
(第2の変形例)
本発明の第2の実施の形態の第2の変形例は、変調器基板として半導体結晶を用いるものである。電気光学効果を有する基板材料としては、ニオブ酸リチウム等の誘電体結晶以外にもGaAs等の化合物半導体結晶も利用できる。また、InPやGaP等の半導体においては、電界吸収効果による光強度変調が可能であり、変調器基板として利用できる。他は、本発明の第2の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0097】
図24に示すように、光強度変調器9の各電極形状は図22と同様とする。例えば、InP等の高速半導体結晶を変調器基板61として用いた場合には、差動増幅ドライバ回路50aを変調器基板61に集積化することができる。この場合は、実装基板が不要になるばかりでなく、差動増幅ドライバ回路50aと第1及び第2の位相変調電極22、24、第1及び第2の接地電極23、25、あるいは共通接地電極26とのワイヤボンディングが不要となり、結線が入力コネクタ側のみになるため、一層のコスト低減、安定化動作を見込むことが出来る。また、終端器47を変調器基板61に作り込むことができるため、終端器用の高周波コネクタも削減できる。
【0098】
また、図25に示すように、半導体結晶、例えばInPよりなる変調器基板61を用いる場合、光導波路コアを屈折率の小さなクラッド層で囲むことにより光閉じ込めが強い光導波路構造が実現可能であるため、光波入力部13及び光合波部14で光導波路を大きく曲げることができ、光強度変調器回路の寸法を小さくすることが可能となる。さらに、差動増幅ドライバ回路50bを光波入力部13側の第1及び第2の分岐光導波路に囲まれた領域に配置することも可能であり、第1及び第2の位相変調電極22、24や第1及び第2の接地電極23、25への配線経路を最短にでき、NRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6との時間ずれを小さくできる。第1及び第2の位相変調電極22、24は変調器基板61に作りこまれた終端器47に接続される。差動増幅ドライバ回路50bは、配線55a、56a及び59を介して、位相差調整信号を入力する高周波コネクタ43、直流電源コネクタ45、及びNRZI変調信号A5及び反転NRZI変調信号A6を入力する高周波コネクタ42に接続される。
【0099】
(第3の変形例)
本発明の第2の実施の形態の第3の変形例は、高いビットレートの信号を用いて光強度変調を行う場合の実装形態についてのものであり、他は、本発明の第2の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0100】
高いビットレートの信号を用いて光強度変調を行う場合、光強度変調器9の寸法が小さくなり、それに伴い変調器基板21は必然的に薄くなる。薄膜の変調器基板21を用いる場合は、図12に示したマイクロストリップ型伝送線路の構造として、印加する信号の電界強度を高めて光波の位相変調効率をよりいっそう高めることができる。図26(a)に示すように、実装基板41上に、裏面の共通接地電極26と表面の誘電体膜29上に配置された第1及び第2の位相変調電極22、24を有する変調器基板21と、差動増幅ドライバ回路50が実装される。
【0101】
このような場合には、変調器基板21の厚さが差動増幅ドライバ回路50の厚さより薄くなるため、差動増幅ドライバ回路50のボンディングパッド52と第1及び第2の位相変調電極22、24の配線に用いるボンディングワイヤ48の長さが長くなり、高周波特性の平坦化が難しくなる問題がある。そこで、図26(b)に示すように、変調器基板21と実装基板41の間に、例えばシリコン酸化膜等の誘電体基板よりなるスペーサ53を挿入して、第1及び第2の位相変調電極22、24と差動増幅ドライバ回路50のボンディングパッド52の高さをほぼ揃えておくとよい。このような高さ設定によって、ボンディングワイヤ48の長さを短くでき、差動増幅ドライバ回路50から第1及び第2の位相変調電極22、24への伝送の高周波特性の平坦化を図ることができる。従って、さらに高いビットレートの信号を用いた光強度変調が可能となる。
【0102】
(第4の変形例)
本発明の第2の実施の形態の第4の変形例は、第1の実施の形態の第1〜第3の変形例で示した出力信号光を単側波帯化し、帯域利用効率の高い周波数多重伝送が可能な光送信装置に係わるものである。即ち、図14、16、及び18に示されている光送信装置1あるいは光送信装置1に相当する部分に、本発明の第2の実施の形態や、第1及び第2の変形例で開示した各種の形態の光送信装置1bを置き換えて用いることができる。
本発明の第2の実施の形態の第4の変形例によれば、光強度変調を行う信号の増幅に反転出力端子51を有する差動増幅ドライバ回路50を用いているため、伝送線路長の設定を簡潔化でき、さらに、出力信号光B2を単側波帯化することにより、帯域利用効率の高い周波数多重伝送が可能となる。
【0103】
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態に係わる光送信装置1cは、(イ)NRZ符号信号A1の第1の論理符号が入力される時にNRZ符号信号A11のレベルを変換させ、NRZ符号信号A1の第2の論理符号が入力される時はNRZ符号信号A11のレベルを変換させないようにして、NRZ符号信号A1から生成したNRZI符号信号A12と、NRZI符号信号A12をスプリッタにより2分岐し出力された2つのNRZI符号信号A13、A14と遅延部70でNRZI符号信号A14に遅延時間Tdを与えて生成したNRZI符号遅延信号A18とをそれぞれ増幅して、NRZI変調信号A15を出力する符号変換モジュール82と、(ロ)直流バイアスA17を供給する直流バイアス電源6と、(ハ)光波B1を出力する半導体レーザ10と、(ニ)光波B1を入力部で2分岐し出力部で合波する第1及び第2の光導波路15、16、2分岐した光波の各々に、NRZI変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A19を印加する第1及び第2の位相変調部17、18、及び、第1及び第2の光導波路15、16に直流バイアスA17を印加する位相調整部19が備えられた光強度変調器9dとを含む。
【0104】
第3の実施の形態においては、スプリッタ69の片側出力A14に遅延部70を設け、遅延NRZI符号遅延信号A18を生成して光強度変調器9dにおいて光強度変調を行う点が本発明の第1及び第2の実施の形態と異なる。他は、本発明の第1及び第2の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0105】
図27に示すように、光送信装置1cには信号源3が接続され、信号源3より発せられる送信データのNRZ符号信号A11が符号変換モジュール82のプリコーダ回路4によりNRZI符号信号A12に変換される。また、スプリッタ69の片側出力A14を遅延部70で遅延時間Td遅延させ遅延NRZI符号信号A18を生成する。プリコーダ回路4から出力されたNRZI符号信号A13及び遅延部からの遅延NRZI符号遅延信号A18が符号変換モジュール82のドライバ回路7及び8により増幅されてNRZI変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A9として出力さる。一方、単一モード光源の半導体レーザ10から光波B1が光強度変調器9dに送出される。
【0106】
さらに、光強度変調器9dには、直流バイアス電源6で直流バイアスA17が設定される。そして、光強度変調器9dにおいて、NRZI変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A19と直流バイアスA17により光波B1が光強度変調され、出力信号光B2が伝送路光ファイバに出力される。
【0107】
本発明の第3の実施の形態の光強度変調器9dは、図6に示す構成と同様である。光強度変調器9dの第1の位相変調部17において、NRZI変調信号A15により第1の分岐光波B3が位相変調され、また、第2の位相変調部18において、遅延NRZI変調信号A19により第2の分岐光波B5が位相変調される。ここで、直流バイアスA17は、NRZI変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A9により変調された第1及び第2の変調光波B4、B6の位相差が、0の時に光出力が最大となり、πの時に光出力が最小となるように、位相調整部19に直流バイアスA17を印加する。遅延NRZI変調信号A19は、NRZI変調信号A15より遅延時間Tdの遅延がかけられているため、NRZI変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A19のパルスの立ち上り、及び立ち下りにずれが生じ、このずれの区間で第1及び第2の変調光波B4、B6の位相差が0となり、その他の時間帯では位相差がπとなる。
【0108】
このようにして、RZ符号の出力信号光B2が得られる。光合波部14の合波光B7は、隣接する光パルス間で位相が反転しているため、光パルス間干渉に対する耐力が向上する。
【0109】
本発明の第3の実施の形態に係わる光送信装置1cによれば、簡単な構成で、NRZ符号信号A11からRZ符号の出力信号光B2を生成することができ、挿入損失を小さくすることができる。また、光強度変調器9dの第1及び第2の分岐光導波路15、16には光路長差を設けてないので、マークレベルでの雑音が小さくでき、良好な信号対雑音比が得られる。さらに、直流バイアスA17と、NRZI変調信号A15及び反転NRZI変調信号A19の出力レベルを適切に設定することによって消光比が高い出力信号光B2を出力できる。さらに、隣接する光パルス間の位相が反転しているため、符号間干渉に対する耐力を大きくできる。
【0110】
本発明の第3の実施の形態において、例えば、図28(a)に示すように、信号源3から出力されたNRZ符号信号A11が、「010011101100」というビット列の場合、図28(b)に示すように、プリコーダ回路4で「011101001000」ビット列のNRZI符号信号A13に変換される。スプリッタ69の片側出力であるNRZI符号信号A14は、遅延部でTdの遅延がかけられ、遅延NRZI符号遅延信号A18となる。NRZI符号信号A13及び遅延NRZI符号遅延信号A18はそれぞれ、ドライバ回路7、8により所定のレベル、例えば、半波長電圧Vπまで増幅されて、NRZI変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A19として光強度変調器9dに入力される。
【0111】
第1の位相変調部17に印加されたNRZI変調信号A15により、第1の分岐光波B3が変調され、図28(c)に示すように位相変調された第1の変調光波B4となる。同様に、第2の位相変調部18に印加された遅延NRZI変調信号A19により、第2の分岐光波B5が変調され、図28(d)に示すように位相変調された第2の変調光波B6となる。例えば、第1の変調光波B4の位相が、−πから0に立ち上るとき、第2の変調光波B6はTd遅れて0からπに立ちあがる。また、第1の変調光波B4の位相が、0から−πに立ち下るとき、第2の変調光波B6はTd遅れてπから0に立ち下がる。ここで、遅延部70による遅延時間TdはタイムスロットTbitの約60%としてある。
【0112】
第1及び第2の変調光波B4、B6が合波されて出力される出力信号光B2は、図28(e)に示すように、第1及び第2の変調光波B4、B6の位相パルスの立ち上り区間あるいは立ち下り区間における遅延Tdのずれの時間にπあるいは−π変化する位相パルスとなる。第1及び第2の変調光波B4、B6の位相差は、図28(c)及び(d)に示されるように、出力信号光B2の位相がπあるいは−πの時に0である。従って、出力信号光B2は、図28(f)に示すように、位相がπ又は−πの時に光強度が最大となり、位相が0の時は消光状態となる。このように、NRZ符号信号A11に対応して、RZ符号に光強度変調された出力信号光B2が生成される。
本発明の第3の実施の形態において、遅延時間TdをタイムスロットTbitの60%としたが、Tdにより出力信号光B2のパルス形状は変化する。NRZI変調信号A15を、「0101110」のビット列とすると、遅延時間TdがタイムスロットTbitより小さい、例えば、50%の場合は、図29(a)に示すように、RZ符号の出力信号光B2が得られる。遅延時間Tdが小さいほど、RZ符号のパルスのデューティ比が小さくなるが、TdがNRZI変調信号A15あるいは遅延NRZI変調信号A19のパルス立ち上り時間あるいは立ち下り時間(10%−90%)より小さくなるとRZ符号の位相パルスは±πまで変化しなくなり、出力信号光強度も小さくなってしまう。
【0113】
また、遅延時間Tdが1タイムスロットTbitに等しければ、図29(b)に示すように、出力信号光B2の光波パルスはNRZ符号のパルスとなる。さらに、遅延時間Tdを1タイムスロットよりも大きく、例えば、150%とすると、図29(c)に示すように、ビット列が「10」の場合に、マークビットが隣接するスペース([0]符号)ビットの部分に入り込んでいき、また、ビット列が「111」とマークビット連続パルスの場合には、間に挟まれるマークビットのパルス幅が小さくなっていくというパターン効果が見られる。従って、信号源3より発せられたNRZ符号信号A11のビット列を忠実にRZ符号で再現するためには、遅延部70における遅延時間Tdは、タイムスロットTbit以下に設定する必要がある。
【0114】
本発明の第3の実施の形態においては、第1及び第2の位相調整部17、18に印加するNRZI変調信号A15あるいは遅延NRZI変調信号A19のレベルは半波長電圧Vπであり、第1及び第2の変調光波B4、B6の位相変調量をπとして、大きな消光比を得ている。位相変調量をπで規格化した位相変調率と消光比の関係は図30に示すようになり、位相変調率が0.88以上で15dB以上の消光比が得られることがわかる。従って、NRZI変調信号A15あるいは反転NRZI変調信号A19のレベルは、0.88×Vπ以上であれば十分な消光比が実現できる。
【0115】
本発明の第3の実施の形態に係わる光送信装置によれば、単一の光強度変調器9dでRZ符号の出力信号光B2が生成でき、かつ厳密な波長制御を必要としないので、小型化、低コスト化が図れる。また、半導体レーザの光波B1は光強度変調器9d1台のみを通過するだけなので、光損失も小さく、良好な信号対雑音比が得られる。また、出力されるRZ符号の出力信号光B2の消光比は、2つの位相変調部における位相変調量を概ねπとなるように設定することで、15dB以上の消光比が得られる。また、光強度変調器9dで2つの光を干渉させる際の光路長差は、たかだか光の波長レベルであるので、半導体レーザの位相雑音が強度雑音に変換されることもない。さらに、隣接する出力光パルス間で位相が反転しているので、パルス間干渉に対する耐力が向上し、光ファイバ中での非線形現象による特性劣化に対して有効である。
(変形例)
本発明の第3の実施の形態の変形例に係わる光送信装置1dは、図31に示すように、符号変換モジュール82のドライバ回路7、8と光強度変調器9dの間に波形整形フィルタ71、72を挿入している点が先に述べた第3の実施の形態と異なる。他は、第3の実施の形態と同様であるので、重複した記載を省略する。
【0116】
NRZI変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A19は波形整形フィルタ71及び72により、パルス波形の立ち上り及び立下がり時間を調整されて光強度変調器dに入力される。図28に示されるように、出力光パルスの波形は、遅延部70の遅延時間Tdだけでなく、NRZI変調信号A15あるいは遅延NRZI変調信号A19のパルス波形の立ち上り及び立ち下り時間にも大きく依存する。波形整形フィルタ71、72によりNRZI変調信号A15あるいは遅延NRZI変調信号A19のパルス波形の立ち上り及び立ち下り時間を小さく調整し、遅延時間Tdも小さくすることによって、狭いパルス幅の出力光パルスが得られる。
【0117】
勿論、上述したように、遅延時間TdはNRZI変調信号A15あるいは遅延NRZI変調信号A19のパルス波形の立ち上り及び立ち下り時間より大きくする。このように、伝送路光ファイバの伝送特性に適した形状の光パルスを容易に出力することが可能となる。
本発明の第3の実施の形態の変形例では、波形整形フィルタ71、72を符号変換モジュール82のドライバ回路7、8の後に配置したが、符号変換モジュール82の中でドライバ回路7、8とプリコーダ回路4の間に挿入しても良い。本発明の第3の実施の形態の変形例に係わる光送信装置1dによれば、NRZ変調信号A15及び遅延NRZI変調信号A19が波形整形フィルタ71及び72により、パルス波形の立ち上り及び立下がり時間を調整されて光強度変調器dに入力されるため、伝送路光ファイバの伝送特性に適した形状の光パルスを容易に出力することができる。
【0118】
(他の実施の形態)
上記のように、本発明の第1〜第3の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【0119】
例えば、変調器基板として、本発明の第1〜第3の実施の形態、あるいはそれらの変形例及び変形例において、ニオブ酸リチウムを用いて説明したが、各種の電気光学効果を示す誘電体膜、例えば、タンタル酸リチウム(LiTaO)、チタニル燐酸カリウム(KTiOPO)等が使用できるのは勿論である。また、電気光学効果を有するGaAs等、あるいは電界吸収効果を有するInPやGaP等の半導体結晶も使用でき、さらに、電気光学効果を示す色素ドープPMMAやアクリル系ポリマ、ウレタン−ウレアポリマあるいはポリウレタンなどのポリマも使用できるのは勿論である。
【0120】
また、本発明の第1〜第3の実施の形態における光送信装置は、ひとつのモジュールとして実装することにより、小型化が可能となる。特に、半導体レーザと光強度変調器を、同一半導体基板上でモノリシック集積化することにより、より小型の光送信装置を実現することができる。この場合、半導体レーザと光強度変調器を接続する光ファイバが不要となり低コスト化が図れる。また、プリコーダ回路とドライバ回路あるいは差動増幅ドライバ回路をモノリシック集積化することも考えられる。さらに、集積化されたプリコーダ回路とドライバ回路あるいは差動増幅ドライバ回路と、集積化された半導体レーザと光強度変調器とをハイブリッド実装することにより、より小型の光送信装置を実現することが可能となる。
【0121】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【0122】
【発明の効果】
本発明によれば、単一の光強度変調器を用いて、低雑音で消光比の大きなRZ符号の出力信号光を生成する光送信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の構成を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の第1及び第2のプリコーダ回路の構成を説明する図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係わる(a)NRZ符号信号、(b)NRZI符号信号、(c)反転NRZ符号信号、及び(d)反転NRZI符号信号の一例を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係わる変調光波の(a)、(c)位相、及び(b)、(d)光周波数の一例を示す図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態に係わる合波光の(a)位相、(b)光周波数、及び(c)信号光強度の一例を示す図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の構成を説明する図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の構成の一例を説明する平面図である。
【図8】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の構成の一例を説明する断面図である。
【図9】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の実装の一例を説明する構成図である。
【図10】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の構成の他の例を説明する断面図である。
【図11】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の構成の他の例を説明する断面図である。
【図12】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の構成の他の例を説明する断面図である。
【図13】本発明の第1の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の構成の他の例を説明する断面図である。
【図14】本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係わる光送信装置の構成を説明する図である。
【図15】本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係わる光送信装置の動作を説明する図である。
【図16】本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係わる光送信装置の構成を説明する図である。
【図17】本発明の第1の実施の形態の第3の変形例に係わる光送信装置の動作を説明する図である。
【図18】本発明の第1の実施の形態の第3の変形例に係わる光送信装置の構成を説明する図である。
【図19】本発明の第1の実施の形態の第4の変形例に係わる光送信装置の動作を説明する図である。
【図20】本発明の第1の実施の形態の第4の変形例に係わる光送信装置の特徴を説明する図である。
【図21】本発明の第2の実施の形態に係わる光送信装置の構成を説明する図である。
【図22】本発明の第2の実施の形態に係わる光送信装置の光強度変調器の実装の一例を説明する構成図である。
【図23】本発明の第2の実施の形態の第1の変形例に係わる光送信装置の光強度変調器の実装の一例を説明する構成図である。
【図24】本発明の第2の実施の形態の第2の変形例に係わる光送信装置の光強度変調器の実装の他の例を説明する構成図である。
【図25】本発明の第2の実施の形態の第2の変形例に係わる光送信装置の光強度変調器の実装の他の例を説明する構成図である。
【図26】本発明の第2の実施の形態の第3の変形例に係わる光送信装置の光強度変調器の実装の例を説明する断面構成図である。
【図27】本発明の第3の実施の形態に係わる光送信装置の構成を説明する図である。
【図28】本発明の第3の実施の形態に係わる(a)NRZ符号信号、(b)NRZI符号信号、(c)第1の変調光波位相、(d)第2の変調光波位相、(e)出力信号光位相、及び(f)出力信号光強度の一例を示す図である。
【図29】本発明の第3の実施の形態に係わる出力信号光強度パルス形状の遅延時間Tdに対する関係を説明する図である。
【図30】本発明の第3の実施の形態に係わる出力信号光の消光比と位相変調率の関係を説明する図である。
【図31】本発明の第3の実施の形態の変形例に係わる光送信装置の構成を説明する図である。
【図32】光信号の消光比とマッハツェンダ干渉計の消光比の関係を示す図である。
【符号の説明】
1、1a〜1d・・・光送信装置、
3、3a〜3c・・・信号源、
4・・・第1のプリコーダ回路、
5・・・第2のプリコーダ回路、
4a、4b・・・プリコーダ回路、
6・・・直流バイアス電源、
7、8・・・ドライバ回路、
9、9a〜9d・・・光強度変調器、
10、10a〜10e・・・半導体レーザ、
11a・・・排他的論理和回路、
11b・・・1ビット遅延線、
11c・・・否定回路、
12・・・光フィルタ、
13・・・光波入力部、
14・・・光合波部、
15、15a・・・第1の分岐光導波路、
16、16a・・・第2の分岐光導波路、
17・・・第1の位相変調部、
18・・・第2の位相変調部、
19・・・位相調整部、
21、61・・・変調器基板、
22・・・第1の位相変調電極、
23・・・第1の接地電極、
24・・・第2の位相変調電極、
25・・・第2の接地電極、
26・・・共通接地電極、
27・・・直流バイアス電極、
28・・・直流バイアス接地電極、
29・・・誘電体膜、
30・・・高周波接地配線、
31、41・・・実装基板、
32〜34、42〜44・・・高周波コネクタ、
35、45・・・電源コネクタ、
36、46・・・直流バイアス電源コネクタ、
37・・・終端器、
38a〜38g、48・・・ボンディングワイヤ、
39、49・・・パッケージ、
40・・・直流バイアス配線、
50、50a、50b・・・差動増幅ドライバ回路、
51・・・反転出力端子、
52・・・ボンディングパッド、
53・・・スペーサ、
55〜59、55a、56a・・・配線、
60・・・直流バイアス接地配線、
62・・・光合波器、
63・・・第1の偏光ビ−ムスプリッタ、
64・・・第2の偏光ビ−ムスプリッタ、
65・・・光フィルタ、
69・・・スプリッタ、
70・・・遅延部、
71、72・・・波形整形フィルタ、
80、81、82・・・符号変換モジュール、
A1、A1a〜A1c、A11・・・NRZ符号信号、
A2、A2a〜A2c・・・反転NRZ符号信号、
A3、A3a〜A3c、A12、A13、A14・・・NRZI符号信号、
A4、A4a〜A4c・・・反転NRZI符号信号、
A5、A5a〜A5h、A15・・・NRZI変調信号、
A6、A6a〜A6h・・・反転NRZI変調信号、
A7、A17・・・直流バイアス、
A18・・・遅延NRZI符号信号、
A19・・・延NRZI変調信号、
A20・・・NRZI波形整形変調信号、
A21・・・遅延NRZI波形整形変調信号、
B1、B1a〜B1c、B1、B1(i+1)・・・光波、
B2、B2a〜B2c、B2〜B2(i+2)・・・出力信号光、
B3・・・第1の分岐光波、
B4・・・第1の変調光波、
B5・・・第2の分岐光波、
B6・・・第2の変調光波、
B7・・・合波光、
B8・・・SSB出力信号光、
B9、B9a・・・多重化出力信号、
D1〜D1(i+2)・・・第1の偏光光波、
D2、D2(i+1)・・・第2の偏光光波、
M1〜M1(i+2)・・・第1の変調偏光光波、
M2(i−1)〜M2(i+1)・・・第2の変調偏光光波、
L1・・・光導波路長差、
L2・・・伝送線路電気長差、
〜P(i+2)・・・ 入力ポート。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical transmission device for an optical fiber transmission system.
[0002]
[Prior art]
Today, the advancement and popularization of the information communication field is remarkable, and there is an increasing expectation for speeding up the transmission technology that supports the information communication system. In particular, in the field of optical fiber transmission systems, the development of basic and subscriber communication systems is considered essential in the future, and the practical application of high-speed optical transmission technology is highly expected. A modulation method capable of maintaining necessary and sufficient performance in terms of transmission capacity and transmission distance in addition to the realization of an optical modulator capable of performing high-speed modulation on the order of several tens of Gbits on an optical wave when transmitting high-speed optical signals. It is important to establish optical transmission technology that incorporates
[0003]
In general, it is well known that characteristics inherent to an optical fiber, such as chromatic dispersion characteristics and nonlinear optical effects, limit transmission reachable distances of optical signals. When an ultrahigh-speed optical signal of about 40 Gbit / s is transmitted through an optical fiber, it is susceptible to the chromatic dispersion of the optical fiber in order to handle a signal with a narrow bandwidth with a wide band. In addition, stricter conditions are imposed on the circuit configuration of electric systems for generating and receiving broadband ultra-high-speed pulses, the mounting accuracy of these circuits, and the like.
[0004]
Optical signal modulation methods include a non-return-to-zero (NRZ) code method that has been widely used since light wave modulation is possible with a simple configuration, and zero having the characteristic of being less affected by the nonlinear optical effect of an optical fiber. There are a return (RZ) code system and a duobinary system which can improve the efficiency of optical signal band use because the modulation band can be reduced. Among these, the RZ code method is particularly excellent in terms of resistance to non-linear effects, and can increase the transmission optical power, and thus has attracted attention as a method suitable for a long-distance transmission system.
[0005]
As described in Non-Patent Document 1, for example, an optical transmission device that generates an RZ-coded optical signal has a configuration including two optical intensity modulators. That is, a single-mode semiconductor laser, a first optical intensity modulator for generating an RZ code pulse, a clock signal source for supplying a clock signal, a signal source serving as an ultrafast NRZ code optical signal data source, and a signal source The second light intensity modulator for modulating the light wave by the ultrahigh-speed data. The light wave emitted from the semiconductor laser is converted into an optical pulse by the first light intensity modulator, and is modulated by the NRZ code data signal in the second light intensity modulator. At this time, it is necessary that the pulse repetition frequency of the clock signal source corresponds to half of the bit rate of the NRZ code data signal emitted from the signal source, and that the clock signal source and the signal source are always synchronized.
[0006]
However, in the configuration of such an RZ code optical transmission device, it is necessary to prepare two light intensity modulators capable of ultra-high speed modulation, compared with the NRZ code method using only one light intensity modulator. Cost becomes high. Further, since the insertion loss of the optical intensity modulator is large, the optical output of the optical transmission device is further weakened, and the signal-to-noise ratio (S / N ratio) of the signal light is deteriorated.
[0007]
In addition, since the optical waveguide substrate used for the light intensity modulator has a large polarization dependency, it is necessary to use a constant polarization optical fiber for connection between the first and second light intensity modulators. In this case, it is indispensable to connect the polarization optical fiber and the individual polarization axes of the optical waveguide substrate of the light intensity modulator in a well-aligned manner. Increase manufacturing costs.
[0008]
In order to solve this problem, a method of generating an RZ-coded optical signal using a single optical intensity modulator composed of an optical phase modulator and a Mach-Zehnder interferometer is disclosed in P. Jay. Proposed by Windsor et al. (See Non-Patent Document 2).
[0009]
In this system, an NRZ code data signal emitted from a signal source is converted into a non-zero return inversion (NRZI) code by a precoder circuit. The NRZI code signal is applied to the phase modulator through the driver circuit, and the light wave emitted from the semiconductor laser is phase-modulated. The phase-modulated light wave is phase-adjusted by a Mach-Zehnder interferometer to generate an RZ code optical signal. According to this method, the trouble of synchronizing the signals input to the two light intensity modulators is eliminated. Further, since the optical phases of adjacent mark (“1” code) bits are inverted, the resistance to intersymbol interference is large.
[0010]
However, in this configuration, since the light wave emitted from the semiconductor laser passes through the phase modulator and the Mach-Zehnder interferometer, the optical loss increases and the S / N ratio of the output optical signal is deteriorated. In the Mach-Zehnder interferometer, the branched light wave is caused to interfere with an optical path length difference of about 3 to 4 digits of the normal wavelength. Accordingly, since the phase fluctuation of the semiconductor laser is converted into light intensity as noise, the noise of the mark level of the output optical signal increases, and the transmission characteristics are deteriorated. Further, in order to obtain a uniform output light or extinction state of the Mach-Zehnder interferometer, a highly accurate control system for precisely matching the optical frequency of the semiconductor laser and the wavelength characteristic of the Mach-Zehnder interferometer is required.
[0011]
Further, the extinction ratio of the RZ code optical signal is determined by the extinction ratio of the Mach-Zehnder interferometer, as shown in FIG. Considering manufacturing errors and the like, the extinction ratio of the Mach-Zehnder interferometer is expected to be about 15 dB. Therefore, from FIG. 32, the extinction ratio of the RZ code optical signal is suppressed to about 8 dB, and a good eye opening cannot be obtained. It will be. Further, since the phase modulator and the Mach-Zehnder interferometer have polarization dependency, they are connected by a polarization-maintaining optical fiber. However, the extinction ratio deteriorates due to the polarization axis shift at this time.
[0012]
[Non-Patent Document 1]
Y. Miyamoto et.al, OFC2000 Post ndeadline papers, PD26 (2000)
[Non-Patent Document 2]
PJ Winzer et. Al. IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 13, No. 12, pp. 1298-1300, 2001
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the conventional RZ code optical transmitter, two light intensity modulators are required, and the polarization axis needs to be aligned with a constant polarization optical fiber for connection between the light intensity modulators. There have been problems such as an increase in the number of signals applied to the two light intensity modulators and a deterioration in the S / N ratio due to the insertion loss of the light intensity modulators. In order to solve this problem, a method of generating an RZ encoded optical signal using one optical intensity modulator that modulates an optical wave with an NRZI encoded signal has been proposed. However, since the proposed optical transmitter uses a phase modulator in front of the optical intensity modulator, the insertion loss is large, the S / N ratio of the output optical signal is degraded, and mark level noise is also present. There is a problem that the transmission characteristic is deteriorated and transmission characteristics are deteriorated. Furthermore, there is a problem that the extinction ratio of the RZ code optical signal is suppressed and a good eye opening cannot be obtained.
[0014]
The present invention has been made to solve the above-described problems. The object of the present invention is to output an output signal light of an RZ code with a low noise and a large extinction ratio by using a single light intensity modulator. An object of the present invention is to provide an optical transmission device for generation.
[0015]
Another object of the present invention is to provide an optical transmitter having a high tolerance against intersymbol interference.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, one feature of the present invention is that (a) when the first logic code of the NRZ code signal is input, the level of the NRZ code signal is converted, and the second logic of the NRZ code signal is converted. When the code is input, the level of the NRZ code signal is not converted, and the NRZI code signal generated from the NRZ code signal and the inverted NRZI code signal generated by inverting the code of the NRZI code signal are amplified respectively. , A code conversion module that outputs an NRZI modulation signal and an inverted NRZI modulation signal, (b) a DC bias power source that supplies a DC bias, (C) a semiconductor laser that outputs a light wave, and (D) a light wave at the input unit 2 An optical waveguide that branches and multiplexes at the output section, a modulation section that applies an output pulse code signal and an inverted output pulse code signal to each of the two branched light waves, and a direct current to the optical waveguide Provided with adjustment electrode for applying a bias, by adjusting the DC bias, the NRZI modulated signal and an optical signal pulse code of the inverted NRZI modulation signal is outputted from the optical intensity modulator in a section that inverts Minimum strength The gist of the present invention is that it is an optical transmission device including an optical intensity modulator that modulates the intensity of a light wave branched in two.
[0017]
According to the above feature of the present invention, it is possible to provide an optical transmission device that generates output signal light of an RZ code with a low noise and a high extinction ratio using a single optical intensity modulator.
[0018]
In the above feature of the present invention, since the optical waveguide of the light intensity modulator is made of a dielectric having an electro-optic effect, the pulse code of the output pulse code signal and the inverted output pulse code signal is inverted by adjusting the DC bias. The light wave can be intensity-modulated so as to output an optical signal in a section. Also, a differential amplifier circuit having an output terminal for amplifying and outputting the output pulse code signal and an inverting output terminal for inverting the amplified output pulse code signal to an inverted output pulse code signal is connected to the code conversion circuit and the light intensity. If the configuration is inserted between the modulators, the circuit configuration can be simplified. Further, it is preferable that the light intensity modulator and the differential amplifier circuit are integrated in a hybrid manner and mounted on the light modulator module.
[0019]
Further, if the light intensity modulator is made of a semiconductor having an electro-optic effect or an electro-absorption effect, monolithic integration can be achieved. Furthermore, it is preferable that an optical filter is connected to the output part of the light intensity modulator, and the output signal light is single sideband signal light. Thus, by making the signal light to be transmitted into a single sideband, the occupied band of the optical frequency can be reduced, and frequency multiplex transmission with high band utilization efficiency becomes possible.
[0020]
In addition, the present invention is characterized in that (a) the level of the NRZ code signal is converted when the first logical code of the NRZ code signal is input, and the level of the NRZ code signal is input when the second logical code of the NRZ code signal is input. A code conversion module that generates an NRZI code signal from an NRZ code signal without converting the level of the code signal, a splitter that divides the NRZI code signal into two, a delay unit that is connected to an output on one side of the splitter, (B) a DC bias power supply for supplying a DC bias; (c) a semiconductor laser that outputs a light wave; (d) an optical waveguide that divides the light wave into two at the input part and multiplexes at the output part; , A light intensity provided with a modulation unit for applying an output pulse code signal and an output pulse code signal subjected to time delay in the delay unit, and an adjustment electrode for applying a DC bias to the optical waveguide And summarized in that an optical transmitting apparatus comprising a regulator.
[0021]
According to the above aspect of the present invention, there is provided an optical transmission device that generates an output signal light of an RZ code having a low noise, a large extinction ratio, and a high tolerance against intersymbol interference using a single optical intensity modulator. Can be provided.
[0022]
In the above-mentioned feature of the present invention, the light intensity modulator adjusts the DC bias, and the rising edge of the output pulse code signal and the falling edge of the delayed output pulse code signal, and the falling edge of the output pulse code signal and the delayed output pulse code signal. In order to intensity-modulate the light wave branched into two so as to output the optical signal in the delay section of the delay time at the rising edge of the signal, the phase of the adjacent output signal light is inverted, and the interference between the signal light codes in the transmission optical fiber The resistance to can be increased. Further, it is preferable that the two-branched light wave is substantially phase-modulated by the output pulse code signal and the delayed output pulse code signal at a phase substantially corresponding to a half wavelength of the light wave. When light waves that have undergone half-wave phase modulation are combined, the light intensity becomes maximum, so that output signal light having a high extinction ratio can be obtained with low noise.
[0023]
It is preferable that a waveform shaping filter for shaping the pulse waveforms of the output pulse code signal and the delayed output pulse code signal is provided between the code conversion circuit and the light intensity modulator. Further, the delay time is shorter than the unit pulse code time of the output pulse code signal and the delayed output pulse code signal, and longer than the rise time and the fall time of the pulse waveform of the output pulse code signal and the delayed output pulse code signal. Is preferred.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, first to third embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic and shapes and dimensions are different from actual ones. Therefore, specific shapes and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
[0025]
(First embodiment)
The optical transmission apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention (a) converts the level of the NRZ code signal A1 when the first logical code of the NRZ code signal A1 is input, When the second logic code is input, the level of the NRZ code signal A1 is not converted, and the NRZI code signal A3 generated from the NRZ code signal A1 and the inversion generated by inverting the sign of the NRZI code signal A3 The code conversion module 80 that amplifies the NRZI code signal A4 and outputs the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6, (b) the DC bias power supply 6 that supplies the DC bias A7, and (c) the light wave B1. A semiconductor laser 10 to be output; and (d) first and second optical waveguides 15, 16, 2 that divide the light wave B 1 into two at the light wave input unit 13 and combine at the light combining unit 14. The first and second phase modulators 17 and 18 that apply the NRZI code signal A3 and the inverted NRZI code signal A4 to each of the branched first and second branched light waves B3 and B5, and the DC bias A7 to the optical waveguide Is composed of a light intensity modulator 9 provided with a phase adjusting unit 19 for applying.
[0026]
As shown in FIG. 1, a signal source 3 is connected to the optical transmitter 1, and the NRZ code signal A <b> 1 and the inverted NRZ code signal A <b> 2 of transmission data emitted from the signal source 3 are the first and second signals of the code conversion module 80. Are converted into an NRZI code signal A3 and an inverted NRZI code signal A4 by the precoder circuits 4 and 5, respectively, and the NRZI code signal A3 and the inverted NRZI code signal A4 are amplified by the driver circuits 7 and 8 of the code conversion module 80 to be NRZI modulated signals. A5 and an inverted NRZI modulation signal A6 are output from the code conversion module 80, a light wave B1 is transmitted from the semiconductor laser 10 of a single mode light source, a DC bias A7 is set by the DC bias power supply 6, and the light intensity modulator 9 NRZI modulation signal A5 and inverted NRZI modulation signal A6 and direct current bias A6 Modulated output signal light B2 is output to the transmission path optical fiber.
[0027]
The light wave B1 input from the semiconductor laser 10 to the light intensity modulator 9 is branched into two first and second branch optical waveguides 15 and 16 in the light intensity modulator 9 (see FIGS. 6 and 7). ). The first and second branched optical waveguides 15 and 16 shown in FIGS. 6 and 7 are made of a medium having an electro-optic effect (Pockels effect) in which the refractive index changes according to an electric field, and an optical path length difference between the two optical waveguides. Is not provided.
[0028]
The phase of each of the first and second branch light waves B3 and B5 propagating through the first and second branch optical waveguides 15 and 16 changes according to the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 shown in FIG. When the phase changes, the optical frequency of the branched light wave increases or decreases instantaneously. The relative phase relationship between the first and second branched light waves B3 and B5 can be adjusted by the level of the DC bias A7 to the light intensity modulator 9, and the output levels of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6. Is appropriately set, the light intensity of the output signal light B2 of the light intensity modulator 9 can be minimized when the logic level does not change, and the light intensity can be maximized instantly when the logic level is switched. Ratio can be realized.
[0029]
The NRZI code signal A3 is a bit string whose code is inverted when the NRZ code signal A1 is a mark bit, while the inverted NRZI code signal A4 has a code when the inverted NRZ code signal A2 is a space (“0” code) bit. It is a bit string to be inverted. Therefore, the output signal light B2 whose light intensity is modulated by the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 becomes the signal light of the RZ code.
[0030]
In the first embodiment of the present invention, the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 are generated using the NRZ code signal A1 and the inverted NRZ code signal A2 output from the signal source 3. However, the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 can be generated using only the NRZ code signal A1.
[0031]
For example, the NRZ code signal A1 of the signal source 3 may be branched into two, and one branched NRZ code signal A1 may be input to the second precoder circuit 5 via a negation circuit. Further, after the NRZ code signal A1 is converted into the NRZI code signal A3 by the first precoder circuit 4, the NRZI code signal A3 is branched into two, and one of the branched NRZI code signals A3 is inverted through a negation circuit. The NRZI code signal A4 may be generated and input to the driver circuit 8. In this case, the second precoder circuit 5 can be omitted, and the cost can be reduced. Further, after the NRZI code signal A3 is amplified by the driver circuit 7, the NRZI modulation signal A5 is branched into two, and one of the branched NRZI modulation signals A5 is input to the negative circuit to generate the inverted NRZI modulation signal A6 You can also. In this case, the second precoder circuit 5 and the driver circuit 8 can be omitted, and the cost can be further reduced.
[0032]
According to the optical transmission apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention, the output signal light B2 from the NRZ code signal A1 to the RZ code is composed of one signal source 3 and one light intensity modulator 9. Therefore, the insertion loss can be reduced. In addition, since no optical path length difference is provided in the branched optical waveguide of the light intensity modulator 9, noise at the mark level can be reduced, and a good signal-to-noise ratio can be obtained.
[0033]
As shown in FIG. 2A, the first precoder circuit 4 according to the first exemplary embodiment of the present invention includes an exclusive OR (XOR) circuit 11a and a 1-bit delay line 11b. The 1-bit delay line 11b is composed of, for example, a microstrip line or a coplanar line. Here, the initial value of the 1-bit delay line 11b is a “0” code. The exclusive OR circuit 11a calculates the exclusive OR of the NRZ code signal A1 of the data signal and the 1-bit delay signal obtained by delaying the NRZI code signal A3 by 1-bit by the 1-bit delay circuit 11b. The exclusive OR circuit 11a outputs a “0” code when the values of the NRZ code signal A1 and the 1-bit delay signal are the same, and outputs a “1” code when they are different.
[0034]
The exclusive OR circuit 11a calculates the exclusive OR of the initial value “0” code and the NRZ code signal A1 when the first NRZI code signal A3 is not yet output. As shown in FIG. 2B, the second precoder circuit 5 that converts the inverted NRZ code signal A2 into the inverted NRZI code signal A4 is arranged between the exclusive OR circuit 11a and the branch point of the 1-bit delay line 11b. In this configuration, a negative circuit 11c is added. In the second precoder circuit 5, the exclusive OR circuit 11b calculates an exclusive OR between the inverted NRZ code signal A2 and the 1-bit delayed signal obtained by delaying the inverted NRZI code signal A4 by 1 bit, and the negation circuit. 11c inverts the operation result and converts it into an inverted NRZI code signal A4.
[0035]
For example, as shown in FIG. 3A, when the NRZ code signal A1 is a bit string “010011101100”, as shown in FIG. 3B, the first precoder circuit 4 uses the NRZI code of the “011101001000” bit string. Converted to signal A3. The inverted NRZ code signal A2 is a “101100010011” bit string as shown in FIG. 3C, and the second precoder circuit 5 inverts the “100010110111” bit string as shown in FIG. It is converted into the NRZI code signal A4. Here, the time axis of FIGS. 3A to 3D is the time slot T of the reciprocal of the bit rate of the data signal emitted from the signal source 3. bit Time separated by (t / T bit ).
[0036]
The light intensity modulator 9 according to the first embodiment of the present invention includes a dielectric having a relatively large electro-optic coefficient, such as lithium niobate (LiNbO). 3 ) To form an optical waveguide. As shown in FIG. 6, the light wave input unit 13 of the light intensity modulator 9 branches the light wave B <b> 1 input from the semiconductor laser 10 into the first branch optical waveguide 15 and the second branch optical waveguide 16. In the first branch optical waveguide 15, for example, when the NRZI modulation signal A5 of the bit string shown in FIG. 3B is applied to the first phase modulation unit 17, the first branch light wave B3 is caused by the electro-optic effect. As shown in FIG. 4A, the phase-modulated first modulated light wave B4 is obtained.
[0037]
Here, the NRZI modulation signal A5 is 0V when the code is [0], and when the code is “1”, the voltage at which the phase of the light wave is shifted by a half wavelength, that is, a half-wave voltage, V π The output level of the driver circuit 7 is set so that Also in the second branching waveguide 16, when the inverted NRZI modulation signal A6 of the bit string shown in FIG. 3 (d) is applied to the second phase modulation unit 18, the second branching light wave B5 is shown in FIG. 4 (c). As shown in FIG. 5, the second modulated light wave B6 is subjected to phase modulation. Here, the inverted NRZI modulation signal A6 is 0V when the [1] code is used, and is half-wave voltage −V when the “0” code is used. π The output level of the driver circuit 8 is set so that
[0038]
The first and second modulated light waves B4 and B6 advance in phase in the rising section of the phase pulse waveform shown in FIGS. 4A and 4C, respectively, and delay in phase in the falling section. Therefore, the optical frequency f 0 Are changed in pulses by Δf and −Δf, respectively, in the rising and falling intervals of the pulse waveform. As shown in FIGS. 4B and 4D, a frequency-modulated signal of a differential waveform pulse having a pulse width corresponding to the rising width and falling time width of the pulse waveform and having opposite polarities is obtained.
[0039]
The first and second modulated light waves B4 and B6 are combined in the optical combining unit 14 to become combined light B7 having the phase and optical frequency as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). Here, the second branching waveguide 16 is provided with a phase adjusting unit 19, and the DC bias A7 causes the phase difference between the first modulated light wave B4 and the second modulated light wave B6 to be a half wavelength of the light wave, Adjust to π.
[0040]
When the phase difference is adjusted in this way, as shown in FIG. 5C, the combined light B7 is the optical frequency f of the first and second modulated light waves B4 and B6. 0 When the light is constant, the light is extinguished and the optical frequency is f 0 + Δf and f 0 When the pulse changes to -Δf, the light intensity becomes maximum. In this way, the bit string of the NRZ code signal A1 is restored to the RZ code by optical intensity modulation, and the output signal light B2 having a higher extinction ratio is output from the optical intensity modulator 9.
According to the optical transmission device 1 according to the first embodiment of the present invention, the single optical intensity modulator 9 can be used to generate the output signal light B2 of the RZ code from the NRZ code signal A1, Since the number of modulators is smaller than the method using two conventional modulators, the insertion light loss due to the optical modulator can be reduced. Further, since there is no difference in optical path length between the first and second branch optical waveguides 15 and 16 of the light intensity modulator 9, noise at the mark level can be reduced and a good signal-to-noise ratio can be obtained. Furthermore, output signal light having a high extinction ratio can be output by appropriately setting the output levels of the DC bias A7, the NRZI modulation signal A5, and the inverted NRZI modulation signal A6.
[0041]
In addition, since the branching waveguide in the light intensity modulator 9 is a Y-shaped branching path, the branching ratio of the light wave to the two-branching waveguides 15 and 16 compared to the 3 dB coupler provided in the Mach-Zehnder interferometer. Can be higher than the Mach-Zehnder interferometer. In FIG. 32, an extinction ratio of 20 dB or more can be obtained, and an extinction ratio of 10 dB or more is obtained as an RZ optical signal.
[0042]
Further, since the output signal light B2 of the RZ code is generated in a section where the codes of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 change, the band limitation is performed on the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 by a low pass filter. The rising / falling times of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 may be changed. In this case, since the band limitation by the low-pass filter can be shortened to about half of the bit rate, the band of the modulator driving circuit unit such as a driver circuit can be halved, and the cost of the optical transmission unit can be reduced.
[0043]
Next, the structure and mounting form of the light intensity modulator 9 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The light intensity modulator 9 includes first and second phase modulations on a modulator substrate 21 having an optical waveguide composed of a light wave input unit 13, an optical multiplexing unit 14, and first and second branch optical waveguides 15 and 16. The electrodes 17 and 18 and the electrodes constituting the phase adjusting unit 19 are arranged. In the first embodiment of the present invention, lithium niobate is used as the modulator substrate 21, and titanium (Ti) diffusion layers formed by selective thermal diffusion technology are used as the first and second optical waveguides 15 and 16. Due to titanium diffusion, the refractive index n of the lithium niobate layer is Δn = 2 to 5 × 10 6. -3 As a result, an optical waveguide with a low loss can be formed.
[0044]
For example, as shown in FIG. 7, the first and second optical waveguides 15 and 16 extend left and right with respect to the paper surface, and the first and second phase modulation electrodes 22 and 24, the first and second phase modulation electrodes Each of the ground electrodes 23 and 25 and the common ground electrode 26 is disposed substantially parallel to each other, is in contact with the upper end of the modulator substrate 21, and extends in a direction perpendicular to the first and second branch optical waveguides 15 and 16. And a portion bent halfway to the left of the modulator substrate 21 in the middle and extending in parallel with the first and second branch optical waveguides 15 and 16, and further bent downward of the modulator substrate 21. The first and second branch optical waveguides 15 and 16 extend in a direction perpendicular to the first and second branch optical waveguides 15 and 16 and have a crank shape including a portion in contact with the lower end of the modulator substrate 21. Further, the portions extending in parallel with the first and second branch optical waveguides 15 and 16 are first the first ground electrode 23 and the first branch optical waveguide 15 from the upper end to the lower end of the modulator substrate 21. The first phase modulation electrode 22, the common ground electrode 26, the second phase modulation electrode 24, and the second ground electrode 25 are arranged in this order across the second branch optical waveguide 16.
[0045]
Here, the first phase modulation unit 17 includes a portion in which the first phase modulation electrode 22 and the first ground electrode 23 are arranged in parallel with a part of the first branch optical waveguide 15 interposed therebetween. . Similarly, the second phase modulation unit 18 includes a portion in which the second phase modulation electrode 24 and the second ground electrode 25 are arranged in parallel with a part of the second branch optical waveguide 16 interposed therebetween. .
[0046]
FIG. 8 is an AA cross-sectional structure of the first and second phase modulation units 17 and 18 cut out in a step shape shown in FIG. The first and second phase modulators 17 and 18 are opposed first phases provided on the surface of the modulator substrate 21 with the first and second branch optical waveguides 15 and 16 made of a titanium diffusion layer in between. The modulation electrode 22 and the first ground electrode 23, and the second phase modulation electrode 24 and the second ground electrode 25, respectively. The common ground electrode 26 is disposed between the first and second phase modulation units 17 and 18. In the first embodiment of the present invention, the first and second phase modulation electrodes 22, 24, the first and second ground electrodes 23, 25, and the common ground electrode 26 are each configured in a crank shape. However, as long as the first and second phase modulators 17 and 18 are arranged in parallel with a part of the first and second branch optical waveguides 15 and 16 in between, in any shape Of course, it does not matter.
[0047]
In the first embodiment of the present invention, the lengths of the first and second branch optical waveguides 15 and 16 are equal within the range of manufacturing error, and the first and second phase modulation units 17 and 18 are used. Similarly, the lengths are made equal within the range of manufacturing errors. As shown in FIG. 7, the optical path difference between the first and second branched optical waveguides 15 and 16 until the first and second branched light waves B3 and B5 reach the first and second phase modulators 17 and 18. The first and second phase modulation electrodes 22 and 24 until the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 reach the first and second phase modulation units 17 and 18. Line length difference and transmission line electrical length difference L2.
[0048]
If the light wave B1 is introduced from the left end with respect to the paper surface of FIG. 7 and the electric signal is introduced from the upper end, the time for the second branched light wave B5 to arrive at the second phase modulator 18 is the first branched light wave B3. The time when the NRZI modulation signal A5 arrives at the first phase modulation section 17 is earlier than the time when the first NRZI modulation signal A6 arrives at the first phase modulation section 17, and the time when the NRZI modulation signal A6 arrives at the first phase modulation section 17 It becomes earlier by the transmission line electrical length difference L2 with respect to the time arriving at the second phase modulation unit 18. The speed of the light wave propagating through the dielectric having a refractive index of n is expressed as c / n. Here, c is the speed of the light wave in vacuum.
[0049]
Further, the first phase modulation electrode 22 and the first ground electrode 23, and the second phase modulation electrode 24 and the second ground electrode 25 form a coplanar strip transmission line as shown in FIG. In the case of a coplanar strip transmission line, the propagation speed of the microwave signal is c / ((1 + n 2 ) / 2) 1/2 Is approximated by In the case of lithium niobate, n = 2.15 at a wavelength of 1.55 μm, while n˜4.2 for microwaves. Therefore, if the ratio between the optical waveguide length difference L1 and the transmission line electrical length difference L2 is set to ˜2, the effective line length can be set to be the same.
[0050]
The DC bias electrode 27 is arranged in a U shape from the upper end of the modulator substrate 21 so as to straddle the first and second branch optical waveguides 15, 16, and the DC bias ground electrode 28 is first from the upper end of the modulator substrate 21. It is arranged across only the branch optical waveguide 15. The phase adjustment unit 19 includes a DC bias electrode 27 and a DC bias ground electrode 28 arranged in parallel with a part of the second branch optical waveguide 16 interposed therebetween.
[0051]
In the first embodiment of the present invention, the phase adjustment unit 19 provided in a part of the second branch optical waveguide 16 is disposed across the first optical waveguide 15. Of course, the arrangement of can be selected as appropriate. For example, the DC bias electrode 27 is arranged in an inverted U shape from the lower end of the modulator substrate 21 so as not to straddle both the first and second optical waveguides 15 and 16, and straddles the first optical waveguide 15. You may make it oppose with the direct current | flow bias ground electrode 28 arrange | positioned. Alternatively, the DC bias electrode 27 may be disposed in an inverted U shape across the second branch optical waveguide 16 from the lower end of the modulator substrate 21, and the DC bias ground electrode 28 may be disposed at the lower end of the modulator substrate 21. .
[0052]
As shown in FIG. 9, the modulator substrate 21 having the light intensity modulator 9 is mounted in contact with the mounting substrate 31 on which the driver circuits 7 and 8 are arranged. The first phase modulation electrode 22 and the first ground electrode 23 of the light intensity modulator 9 are connected to the driver circuit 7 by bonding wires 38c and 38d at the upper end of the modulator substrate 21 shown in FIG. Similarly, the modulation electrode 24 and the second ground electrode 25 are connected to the driver circuit 8 by bonding wires 38b and 38a. The common ground electrode 26 is connected to the high frequency ground wiring 30 on the mounting substrate 31 by a bonding wire 38e. Then, the mounting substrate 31 is attached to the package 39. The light wave input unit 13 and the optical multiplexing unit 14 of the light intensity modulator 9 are each connected to an optical fiber. The driver circuits 7 and 8 are connected to the high frequency connectors 32 and 33 by wiring, and are connected to the power supply connector 35, respectively.
[0053]
The high frequency connectors 32 and 33 are connected to the first and second precoder circuits 4 and 5 outside the package 39 by a coaxial cable. The power connector 35 is connected to a DC power supply and supplies a power supply voltage to the driver circuits 7 and 8. The DC bias electrode 27 is connected to a DC bias wiring 40 wired to the DC bias power supply connector 36 by a bonding wire 38f. The DC bias power supply connector 36 is connected to the DC bias power supply 6 outside the package 39.
[0054]
The DC bias ground electrode 28 is connected to the DC bias ground wiring 60 on the mounting substrate 31 by a bonding wire 38g. The first and second phase modulation electrodes 22 and 24 of the light intensity modulator 9 are provided outside the package 39 through the high frequency connector 34 at the lower end of the modulator substrate 21 shown in FIG. 9, and the other end is grounded. Connected to the terminator 37.
[0055]
In the first embodiment of the present invention, the outputs of the driver circuits 7 and 8 are connected to the half-wave voltage of the light intensity modulator 9, V π The extinction ratio of the output signal light B2 of the light intensity modulator 9 becomes the highest when it is increased to π There is no need to increase to V π There may be a deviation of about 15%.
[0056]
The pulse width of the output signal light B2 of the RZ code output from the light intensity modulator 9 is the rising and falling intervals of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 that drive the light intensity modulator 9. It depends on the time span. Accordingly, waveform shaping is performed on the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 using a waveform shaping filter such as a low pass filter, and the rising and falling intervals of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 By adjusting the time width, it is possible to generate the output signal light B2 having an RZ code having a desired pulse width. When performing such waveform shaping, the waveform shaping filter may be inserted at the output stage of the first and second precoder circuits 4 and 5 or the output stage of the driver circuits 7 and 8. Good.
[0057]
Further, since the output signal light B2 of the RZ code is generated in the section where the codes of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 change, the band limitation is performed on the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 by a low pass filter. The rising / falling times of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 may be changed.
[0058]
In this case, since the band limitation by the low-pass filter can be shortened to about half of the bit rate, the band of the modulator driving circuit unit such as the driver circuit can be halved, and the rising of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6. -Since the fall time increases, an RZ optical signal can be generated even if a time lag occurs between two phase-modulated optical signals generated by the NRZI modulated signal A5 and the inverted NRZI modulated signal A6 generated in the optical intensity modulator. is there. In this case, the allowable amount of time shift is one time slot, and in terms of the line length, it is about 3 cm for a 10 Gb / s signal.
[0059]
Further, in the situation where the rise / fall time of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 is increased, the time differential value of the modulation signal in the rise / fall interval is small, so that even if there is a variation in line length error. There is a feature that the pulse width of the output signal light B2 of the RZ code can be kept substantially constant.
[0060]
As shown in FIGS. 7 to 9, the electrodes of the first and second phase modulation units 17 and 18 and the phase adjustment unit 19 are directly formed on the surface of the modulator substrate 21. However, since the resistance of the lithium niobate crystal is not sufficiently high, a voltage drop of the applied DC bias A7 occurs, causing long-term drift of the light intensity modulator 9. Therefore, as shown in FIG. 10, a dielectric film 29 such as a silicon oxide film having a high insulating property is provided on the surface of the modulator substrate 21 on which the first and second branch optical waveguides 15 and 16 are arranged. On the dielectric film 29, the first phase modulation electrode 22 and the first ground electrode 23 constituting the first phase modulation unit 17, and the second phase modulation electrode 24 constituting the second phase modulation unit 18 are formed. And the second ground electrode 25 may be disposed. In addition, the electro-optic effect of the lithium niobate crystal is anisotropic, and the arrangement of the electrodes of the phase modulation unit varies depending on the plane orientation of the modulator substrate 21 to be used.
[0061]
In the light intensity modulator 9 shown in FIGS. 7 to 10, the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 of the first and second phase modulation units 17 and 18 are the first and second optical waveguides 15 and 16. The modulator substrate 21 selects the optical axis direction with the maximum electro-optic coefficient in the left-right direction with respect to the paper surface. When the optical axis direction of the modulator substrate 21 is selected in the vertical direction with respect to the paper surface, as shown in FIG. 11, the first and second phase modulation electrodes 22 of the first and second phase modulation units 17 and 18, Reference numeral 24 denotes a structure that is disposed directly above the first and second optical waveguides 15 and 16, respectively. In this case, a dielectric film 29 such as a silicon oxide film is required in order to prevent the phenomenon that the light wave is absorbed by the first or second phase modulation electrode 22 or 24 metal.
[0062]
In FIG. 11, the first ground electrode 23, the second ground electrode 25, and the common ground electrode 26 are the dielectric films on the surface of the modulator substrate 21, similarly to the first and second phase modulation electrodes 22 and 24. However, as shown in FIG. 12, a common ground electrode 26 may be arranged on the back surface of the modulator substrate 21 to constitute a microstrip transmission line. In FIG. 12, a dielectric film 29 is provided on the surface of the modulator substrate 21 having the first and second optical waveguides 15 and 16, and the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 are formed on the dielectric film 29. Is disposed immediately above the first and second optical waveguides 15 and 16, and the common ground electrode 26 is disposed on the rear surface of the modulator substrate 21. In such a microstrip transmission line, the first and second ground electrodes can be omitted.
[0063]
Further, as shown in FIG. 13, in the modulator substrate 21, after the first and second optical waveguides 15a and 16a are formed by titanium diffusion, both sides of the first and second optical waveguides 15a and 16a are etched. Therefore, a ridge structure may be used. With the ridge structure, the electric field density under the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 of the first and second phase modulation units 17 and 18 is increased, and the modulation efficiency is improved. In FIG. 13, the first and second ground electrodes 23 and 25 and the common ground electrode 26 are provided on the dielectric film 29 on the same surface of the modulation substrate 21 as the first and second phase modulation electrodes 22 and 24. However, it goes without saying that a microstrip type transmission line structure in which the common ground electrode 26 as shown in FIG.
[0064]
(First modification)
In the optical transmission apparatus according to the first modification of the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 14, an optical filter 65 is provided between the optical intensity modulator 9 and the transmission line optical fiber, It differs from the first embodiment described above in that single sideband (SSB) output signal light B8 is output. Others are the same as those in the first embodiment, and thus redundant description is omitted.
[0065]
As shown in FIG. 14, the optical transmission device 1a according to the first modification of the first embodiment of the present invention outputs an optical signal to the output of the optical intensity modulator 9 of the optical transmission device 1 shown in FIG. The optical filter 65 is inserted through the fiber. The optical filter 65 is a bandpass filter as shown in FIG.
[0066]
Since the output signal light B2 of the optical intensity modulator 9 is a combination of optical signals whose phases are inverted, the optical frequency spectrum of the output signal light B2 is as shown in FIG. 5B. Optical frequency f of 10 light waves 0 Is a double sideband (DSB) spectrum that is spread positively and negatively by the signal component Δf. Even if one sideband component is extracted by the optical filter 65 from the output signal light B2 component of both sidebands and is converted into a single sideband (SSB), the signal information is not impaired. Therefore, it is possible to reduce the occupied band of the optical frequency along with the generation of the output signal light B2 of the RZ code. By saving the bandwidth as described above, the number of channels can be increased, and high-density wavelength division multiplexing transmission is possible.
[0067]
The peak of the transmission characteristic of the optical filter 65 is the center optical frequency f of the light wave B1 of the semiconductor laser 10, as shown in FIGS. 0 It is shifted to the lower frequency side. Therefore, the optical frequency spectrum of the output signal light B2 has an optical frequency f as shown in FIG. 0 More negative (f 0 -Δf), the signal spectral component, ie, the lower sideband, is extracted and the positive side (f 0 The signal spectral component of + Δf), ie the upper sideband, is removed. As a result, as shown in FIG. 15D, the SSB output signal light B8 having the signal light intensity of the RZ code that has been converted into the single sideband is output to the transmission line optical fiber. Since the SSB output signal light B8 can convert phase-modulated light into light-intensity-modulated light by the transmission characteristics of the optical filter 65, if the steepness of the transmission characteristics of the optical filter 65 is increased, the optical filter 65 is not used. Thus, the extinction ratio of the SSB output signal light B8 can be increased.
[0068]
In the first modification, the lower sideband is used. However, the peak of the transmission characteristic of the optical filter 65 is the center optical frequency f of the light wave B1 of the semiconductor laser 10. 0 Of course, the upper sideband may be shifted to a higher frequency side. In addition, a band pass filter is used as the optical filter 65. For example, a high pass filter can be used when the lower sideband is used, and a low pass filter can be used when the upper sideband is used. Of course. Further, as shown in FIG. 14 (a), an optical filter is inserted into two output units of the phase modulation unit in the optical intensity modulator, and the optical filter is given a bandpass characteristic that cuts out one sideband. SSB signal output can be obtained.
[0069]
According to the optical transmission device 1a according to the first modification of the first embodiment of the present invention, the optical filter 65 is inserted into the output of the optical intensity modulator 9, and the output signal light B2 is transmitted as a single sideband. Thus, frequency multiplex transmission with high band utilization efficiency becomes possible.
[0070]
(Second modification)
As shown in FIG. 16, the second modification of the first embodiment of the present invention is provided with a plurality of optical transmission apparatuses 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment of the present invention. The output signal lights B2a to B2c are input to a plurality of channels of input ports P. i ~ P (I + 2) The wavelength multiplexing is performed by the optical multiplexer 62 having Others are the same as those in the first embodiment, and thus redundant description is omitted. When transmitting the double sideband components of the output signal light B2 of the optical transmitter 1 according to the first embodiment, the transmission ports corresponding to the double sideband components are transmitted to the input ports of the respective channels of the optical multiplexer 62. Bandwidth is required.
[0071]
In order to increase the number of channels by narrowing the channel wavelength interval of the output signal light B2, the single sideband of the output signal B2 of the RZ code may be achieved as in the first modification. The optical multiplexer 62 uses a plurality of thin film filters or optical waveguides having different transmission characteristics, and has the same bandpass filter function as the optical filter 65.
[0072]
As shown in FIG. 16, the plurality of NRZ code signals A1a to A1c and the plurality of inverted NRZ code signals A2a to A2c output from the signal sources 3a to 3c of the i to (i + 2) channels are the first and second precoder circuits. 4 and 5 are converted into NRZI code signals A3a to A3c and inverted NRZI code signals A4a to A4c, the signal levels are amplified by driver circuits 7 and 8, and NRZI modulation signals A5a to A5c and inverted NRZI modulation signals A6a to A6c are obtained. It is output to each light intensity modulator 9a-9c. The semiconductor lasers 10a to 10c emit optical frequencies f1 of the oscillating light waves B1a to B1c. 0 Is each input port P i ~ P (I + 2) The semiconductor lasers 10a to 10c are controlled in accordance with the injection current or the operating temperature so as to be different from each other corresponding to the transmission characteristics. The light intensity modulators 9 a to 9 c respectively output the output signal lights B <b> 2 a to B <b> 2 c in both sidebands to the i to (i + 2) channel input ports P of the optical multiplexer 62. i ~ P (I + 2) Output to. The optical multiplexer 62 converts the output signal lights B2a to B2c in both side bands into single sidebands, multiplexes them, and outputs the multiplexed output signal light B9 to the transmission optical fiber.
[0073]
For example, as shown in FIG. 17A, the input port P of each channel of the optical multiplexer / demultiplexer 62 i ~ P (I + 2) And the center optical frequency f of the output signal light B2a to B2c. 0, i ~ F 0, (i + 2) It is out of place. Therefore, as shown in FIG. 15, the output signal lights B2a to B2c of the RZ code are converted into single sidebands. By using the optical multiplexer 62 having a high optical frequency resolution, it is possible to increase the extinction ratio of the output signal lights B2a to B2c from the optical intensity modulators 9a to 9c and perform wavelength multiplexing.
[0074]
According to the second modification of the first embodiment of the present invention, the output signal light B2 of the plurality of optical transmission devices 1 is converted into a single sideband by the optical multiplexer 62, so that the band use efficiency is high. Frequency multiplex transmission is possible.
[0075]
(Third Modification)
In the third modification of the first embodiment of the present invention, the light wave of the semiconductor laser is branched into orthogonal polarization components by a polarization beam splitter, and the RZ code signal light is generated by the light intensity modulator 9 for each branched polarization. Then, the output signal light B2 of the adjacent channel whose polarization directions are orthogonal is multiplexed by the polarization beam splitter. Others are the same as those in the first embodiment, and thus redundant description is omitted.
[0076]
As shown in FIG. 18, light waves B1 of the semiconductor lasers 10d, 10e,. i , B1 (I + 1) ,... Are branched into orthogonal polarization components by the first polarization beam splitter 63, and the first polarization light wave D1. i , D1 (I + 1) , ... and the second polarized light wave D2 i , D2 (I + 1) ,... Are input to the light intensity modulator 9, respectively. First polarized light wave D1 i Is modulated by the NRZI code modulation signal A5d and the inverted NRZI code modulation signal A6d, and the first modulated polarized light wave M1 i Is input to the second polarization beam splitter 64, and the second polarization light wave D2 i Is modulated by the NRZI code modulation signal A5e and the inverted NRZI code modulation signal A6e, and the second modulated polarized light wave M2 i Is input to the second polarization beam splitter 64.
[0077]
Similarly, the first polarized light wave D1 (I + 1) Is modulated by the NRZI code modulation signal A5f and the inverted NRZI code modulation signal A6f, and the first modulated polarized light wave M1 (I + 1) Is input to the second polarization beam splitter 64, and the second polarization light wave D2 (I + 1) Is modulated by the NRZI code modulation signal A5g and the inverted NRZI code modulation signal A6g, and the second modulated polarized light wave M2 (I + 1) Is input to the second polarization beam splitter 64. Further, the first polarized light wave D1 (I + 2) Is modulated by the NRZI code modulation signal A5h and the inverted NRZI code modulation signal A6h, and the first modulated polarized light wave M1 (I + 2) Is input to the second polarization beam splitter 64.
[0078]
In this way, the second polarization beam splitter 64 has the first modulated polarized light wave M1 of each adjacent channel. i And the second modulated polarized light wave M2 (I-1) , First modulated polarized light wave M1 (I + 1) And the second polarized light wave M2 i , First modulated polarized light wave M1 (I + 2) And the second polarized light wave M2 (I + 1) ,... Are combined and output signal light B2 of the RZ code i , B2 (I + 1) , B2 (I + 2) , ... are output. The optical multiplexer 62 outputs the output signal light B2 in both sidebands. i , B2 (I + 1) , B2 (I + 2) ,... Are converted into single sidebands and further multiplexed to output multiplexed output signal light B9a to the transmission optical fiber.
[0079]
In the third modification of the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 17A, the input port P of each channel of the optical multiplexer / demultiplexer 62 is used. i ~ P (I + 2) Maximum transmitted light frequency and output signal light B2 i ~ B2 (I + 2) Center optical frequency f 0, i ~ F 0, (i + 2) It is out of place. For example, input port P (I + 1) Output signal light B2 input to the (I + 1) As shown in FIG. 17B, the first polarized light wave D1 (I + 1) The center optical frequency of the component is f 0, (i + 1) And the second polarized light wave D2 i The center optical frequency of the component is f 0, i Are combined. Input port P (I + 1) As shown in FIG. 17 (c), the first polarized light wave D1 is obtained by the transmission characteristics of (I + 1) The component is converted into a lower sideband, and the second polarized light wave D2 i The component is upper sidebanded.
[0080]
Thus, in the adjacent channel, the center optical frequency f 0 Are combined and the output signal light having polarization directions orthogonal to each other is multiplexed and single-sidebanded at each input port and frequency-multiplexed. By performing such multiplexing, frequency multiplex transmission with high band utilization efficiency becomes possible.
[0081]
(Fourth modification)
In the configuration of FIG. 1, the output signal light B2 can be converted into an inverted RZ optical signal by adjusting the DC bias A7. In this case, the light intensity of the output signal light B2 is minimized during the period in which the signs of the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 change (FIG. 19). In other words, since the intensity of the output signal light B2 is minimized in the section where the time differential value (optical frequency chirp) of the optical phase in the phase modulators 17 and 18 is the largest, the light by the optical frequency chirp of the output signal light B2 Spectral spread can be suppressed.
[0082]
FIG. 20 shows the optical spectrum (both 10 Gb / s signal) when the RZ signal is generated as the output optical signal B2 by adjusting the DC bias A7 and when the inverted RZ signal is generated. In the optical spectrum of the RZ signal, a peak component corresponding to the bit rate is generated in both sidebands at a frequency separated by ± 10 GHz around the optical carrier component, but such a peak component is not generated in the inverted RZ signal, The spread of the optical spectrum is suppressed. Therefore, when the inverted RZ signal is generated, the occupied optical band can be shortened, so it is suitable for high-density wavelength multiplexing transmission with a narrow wavelength interval, such as an optical multiplexer / demultiplexer or optical filter with a narrow transmission bandwidth. When used together, it is possible to reduce the occupied band as much as the SSB signal as described in the first modification, and to further increase the density of wavelength multiplexing.
[0083]
In order to receive such an inverted RZ signal, it is necessary to further invert the code on the receiving side and decode it into an RZ signal. Such decoding may be performed by providing an inverting unit in the optical receiver, More specifically, an amplifier or a negation circuit whose logic code is inverted and output may be provided in the optical receiver.
[0084]
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 21, the optical transmission apparatus 1a according to the second embodiment of the present invention includes a code conversion module 8 that converts an NRZ code signal A1 of transmission data emitted from a signal source 3 into an NRZI code signal A3. The configuration of the code conversion module 82 including the precoder circuit 4 and the differential amplification driver circuit 50 that amplifies the NRZI code signal A3 and outputs the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 is the first embodiment. This is different from the related optical transmitter 1. Since others are the same as those of the first embodiment of the present invention, redundant description is omitted.
[0085]
Since the differential amplifier driver circuit 50 used in the second embodiment of the present invention includes the inverting output terminal 51 that inverts the logic of the sign, only one precoder circuit 4 may be used. The number of parts can be reduced. In the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, the signal transmission system is branched into two from the signal source 3 and passes through the precoder circuits 4 and 5 and the driver circuits 7 and 8. Are connected to the first and second phase modulators 17 and 18 of the light intensity modulator 9, respectively.
[0086]
In order to make the light intensity modulator 9 function effectively and obtain the output signal light B2 having a sufficient extinction ratio, the NRZI modulated signal A5 and the time-aligned NRZI modulation signals A5 and It is desirable to derive the inverted NRZI modulation signal A6. For this purpose, it is necessary that the total transmission line length difference of the branched signal transmission system be aligned with an accuracy of about 1/10 with respect to the wavelength of the transmission signal.
[0087]
For example, when a 40 Gb / s NRZ code signal A1 is used, the overall transmission line length difference needs to be 1 mm or less. When the time differential value of the modulation signal at the rise and fall is reduced by adding a band limitation to the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 by inserting a low-pass filter in the modulator driving circuit. When the NRZ code signal A1 of 40 Gb / s is used, the overall transmission line length difference is reduced to 7.5 mm. Although a phase shifter or the like capable of adjusting the time delay due to the transmission line length difference may be inserted into the transmission line, there is a problem in operation stability and reliability.
[0088]
In the second embodiment of the present invention, since the differential amplifier driver circuit 50 having the inverting output terminal 51 is used, the signal source 3 is connected to the differential amplifier driver circuit via the precoder circuit 4. There is one transmission line, and the setting of the transmission line length can be simplified.
The optical transmitter according to the second embodiment of the present invention can generate RZ code output signal light from an NRZ code signal with a simple configuration using a single optical intensity modulator. Insertion loss can be reduced. Further, since no optical path length difference is provided in the branch optical waveguide of the light intensity modulator, noise at the mark level can be reduced, and a good signal-to-noise ratio can be obtained. Furthermore, output signal light having a high extinction ratio can be output by appropriately setting the DC bias and the output levels of the light intensity modulator NRZI modulation signal and the inverted NRZI modulation signal.
[0089]
The light intensity modulator 9 used in the second embodiment of the present invention is the same as that used in the first embodiment, as shown in FIG. The first and second phase modulation electrodes 22, 24, the first and second ground electrodes 23, 25, common so that the effective line lengths to the first and second branch optical waveguides 15, 16 are the same. The structure and length of the ground electrode 26 are determined. The modulator substrate 21 having the light intensity modulator 9 is mounted in contact with the mounting substrate 41 on which the differential amplification driver circuit 50 is disposed.
[0090]
The first phase modulation electrode 22 and the first ground electrode 23 of the light intensity modulator 9 are connected to the differential amplifier driver circuit 50 at the upper end of the modulator substrate 21 shown in FIG. The phase modulation electrode 24 and the second ground electrode 25 are connected to the inverting output terminal 51 of the differential amplifier driver circuit 50, and the common ground electrode 26 is connected to the ground wiring of the differential amplifier driver circuit 50 through bonding wires 48. Then, the mounting substrate 41 is attached to the package 49. The light wave input unit 13 and the optical multiplexing unit 14 of the light intensity modulator 9 are each connected to an optical fiber. The differential amplifier driver circuit 50 is connected to the high frequency connector 42 by wiring and is also connected to the power connector 45. The high frequency connector 42 is connected to the precoder circuit 4 outside the package 49 by a coaxial cable. The power connector 35 is connected to a DC power supply and supplies a power supply voltage to the differential amplification driver circuit 50. Further, a phase shift generated between the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 of the differential amplification output in the differential amplification driver circuit 50, the differential amplification driver circuit 50, and the first and second phase modulation units 17 , 18 may be provided with a phase difference adjustment signal input port connected to the high frequency connector 43 in the differential amplifier driver circuit 50 in order to compensate for a phase difference due to a slight error in the line length between 18 and 18.
[0091]
By adopting such a configuration, the length of the bonding wire 48 from the differential amplification driver circuit 50 and the inverting output terminal 51 of the differential amplification driver circuit 50 to the first and second phase adjustment units 17 and 18 can be adjusted. It becomes unnecessary. The DC bias electrode 27 is connected to the DC bias power supply connector 46 and connected to the DC bias power supply 6. The DC bias ground electrode 28 is connected to a DC bias ground wiring on the mounting substrate 31. The first and second phase modulation electrodes 22 and 24 of the light intensity modulator 9 are provided outside the package 49 through the high-frequency connector 44 at the lower end of the modulator substrate 21 shown in FIG. 9, and the other end is grounded. Connected to the terminator 47.
[0092]
(First modification)
As shown in FIG. 23, the first modification of the second embodiment of the present invention includes first and second phase modulation electrodes 22 and 24 arranged on a modulator substrate 21, and first and second phase modulation electrodes. The wiring structure of the ground electrodes 23 and 25 and the form of mounting on the package 49 are different from those of the second embodiment. Others are the same as those of the second embodiment of the present invention, and redundant description is omitted.
[0093]
The first phase adjustment electrode is U-shaped, and both ends thereof are in contact with the upper end of the modulator substrate 21 and are disposed across the first branch optical waveguide 15. The first ground electrode 23 is in contact with the upper end of the modulator substrate 21 and is disposed in parallel with the first phase adjustment electrode 22 and the first branch optical waveguide 15 interposed therebetween. Similarly, the second phase modulation electrode 24 and the second ground electrode 25 are disposed in contact with the lower end of the modulation substrate 21 with the second branch optical waveguide 16 interposed therebetween. Since the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 are formed symmetrically with respect to the central axis on the left and right sides of the modulation substrate 21, the optical waveguide length difference L1 and the transmission line electrical length difference L2 are substantially the same. It becomes zero. In the modified example of the second embodiment of the present invention, a U-shaped mounting board 41 is installed so as to surround the light wave input unit 13 of the phase modulation board 21, and ends of wirings 57 and 58 on the mounting board 41. Are arranged so that the ends of the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 on the light wave input unit 13 side are in contact with each other, and are connected by a bonding wire 48. The lengths of the wirings 57 and 58 on the mounting substrate 41 are the same and are led to the differential amplifier driver circuit 50.
[0094]
The differential amplification driver circuit 50 mounted on the mounting substrate 41 is connected to the high frequency connector 43 and the DC power supply connector 45 for inputting the phase difference adjustment signal via the wirings 55 and 56, and the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI. It is directly connected to the high frequency connector 42 for inputting the modulation signal A6. The differential amplifier driver circuit 50 and the wirings 55 to 58 are connected by bonding wires 48. A terminator 47 provided inside the package 49 is connected to the other ends of the first and second phase modulation electrodes 22 and 24, respectively. Thus, by providing the terminator 47 inside the package 49, the high-frequency connector for the terminator 47 can be reduced. These terminators 47 and the first and second ground electrodes 23 and 25 are connected to a high-frequency ground wiring. The DC bias electrode 27 is connected to the DC bias power supply connector 46 and connected to the DC bias power supply 6. The DC bias ground electrode 28 is connected to a DC bias ground wiring in the package 49.
[0095]
According to the first modification of the second embodiment of the present invention, since the differential amplifier driver circuit 50 having the inverting output terminal 51 is used, the differential signal is transmitted from the signal source 3 via the precoder circuit 4. The transmission line connected to the amplification driver circuit is one system, and the transmission line lengths of the wirings 57 and 58 with respect to the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 on the mounting substrate 41 are the same. The output signal light B2 having a high extinction ratio can be easily obtained with noise.
[0096]
(Second modification)
A second modification of the second embodiment of the present invention uses a semiconductor crystal as the modulator substrate. As a substrate material having an electro-optic effect, a compound semiconductor crystal such as GaAs can be used in addition to a dielectric crystal such as lithium niobate. In addition, in semiconductors such as InP and GaP, light intensity modulation by the electroabsorption effect is possible, and it can be used as a modulator substrate. Others are the same as those of the second embodiment of the present invention, and redundant description is omitted.
[0097]
As shown in FIG. 24, each electrode shape of the light intensity modulator 9 is the same as that in FIG. For example, when a high-speed semiconductor crystal such as InP is used as the modulator substrate 61, the differential amplification driver circuit 50a can be integrated on the modulator substrate 61. In this case, not only the mounting board is unnecessary, but also the differential amplification driver circuit 50a and the first and second phase modulation electrodes 22, 24, the first and second ground electrodes 23, 25, or the common ground electrode. No wire bonding is required and the connection is made only on the input connector side, so that further cost reduction and stabilization operation can be expected. Further, since the terminator 47 can be built in the modulator substrate 61, the number of high frequency connectors for the terminator can be reduced.
[0098]
As shown in FIG. 25, when a modulator substrate 61 made of a semiconductor crystal such as InP is used, an optical waveguide structure with strong optical confinement can be realized by surrounding the optical waveguide core with a cladding layer having a small refractive index. Therefore, the optical waveguide can be greatly bent by the optical wave input unit 13 and the optical multiplexing unit 14, and the size of the optical intensity modulator circuit can be reduced. Further, the differential amplifier driver circuit 50b can be disposed in a region surrounded by the first and second branch optical waveguides on the light wave input unit 13 side, and the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 are provided. In addition, the wiring path to the first and second ground electrodes 23 and 25 can be shortened, and the time difference between the NRZI modulation signal A5 and the inverted NRZI modulation signal A6 can be reduced. The first and second phase modulation electrodes 22, 24 are connected to a terminator 47 formed on the modulator substrate 61. The differential amplifier driver circuit 50b includes a high-frequency connector 43 that inputs a phase difference adjustment signal, a DC power connector 45, and a high-frequency connector that inputs an NRZI modulation signal A5 and an inverted NRZI modulation signal A6 via wirings 55a, 56a, and 59. 42.
[0099]
(Third Modification)
The third modification of the second embodiment of the present invention relates to an implementation in the case of performing light intensity modulation using a signal with a high bit rate, and the others are the second embodiment of the present invention. Since it is the same as the form of, overlapping description is omitted.
[0100]
When light intensity modulation is performed using a signal with a high bit rate, the size of the light intensity modulator 9 is reduced, and accordingly the modulator substrate 21 is inevitably thinner. When the thin film modulator substrate 21 is used, the structure of the microstrip transmission line shown in FIG. 12 can increase the electric field strength of the applied signal to further increase the phase modulation efficiency of the light wave. As shown in FIG. 26A, a modulator having a common ground electrode 26 on the back surface and first and second phase modulation electrodes 22, 24 disposed on the dielectric film 29 on the front surface on the mounting substrate 41. A substrate 21 and a differential amplification driver circuit 50 are mounted.
[0101]
In such a case, since the thickness of the modulator substrate 21 is thinner than the thickness of the differential amplification driver circuit 50, the bonding pad 52 of the differential amplification driver circuit 50 and the first and second phase modulation electrodes 22, The length of the bonding wire 48 used for 24 wiring becomes long, and there exists a problem that flattening of a high frequency characteristic becomes difficult. Therefore, as shown in FIG. 26B, a spacer 53 made of a dielectric substrate such as a silicon oxide film is inserted between the modulator substrate 21 and the mounting substrate 41, so that the first and second phase modulations are performed. The heights of the electrodes 22 and 24 and the bonding pad 52 of the differential amplifier driver circuit 50 should be substantially the same. With such a height setting, the length of the bonding wire 48 can be shortened, and the high-frequency characteristics of transmission from the differential amplification driver circuit 50 to the first and second phase modulation electrodes 22 and 24 can be flattened. it can. Therefore, light intensity modulation using a signal with a higher bit rate is possible.
[0102]
(Fourth modification)
In the fourth modification of the second embodiment of the present invention, the output signal light shown in the first to third modifications of the first embodiment is converted into a single sideband, and the band use efficiency is high. The present invention relates to an optical transmission apparatus capable of frequency multiplexing transmission. That is, the optical transmission device 1 shown in FIGS. 14, 16 and 18 or a portion corresponding to the optical transmission device 1 is disclosed in the second embodiment of the present invention or the first and second modifications. The various types of optical transmission devices 1b can be replaced and used.
According to the fourth modification of the second embodiment of the present invention, since the differential amplification driver circuit 50 having the inverting output terminal 51 is used for amplification of the signal for performing the light intensity modulation, the transmission line length is increased. The setting can be simplified, and further, frequency multiplex transmission with high band utilization efficiency is possible by making the output signal light B2 into a single sideband.
[0103]
(Third embodiment)
The optical transmission apparatus 1c according to the third embodiment of the present invention (a) converts the level of the NRZ code signal A11 when the first logical code of the NRZ code signal A1 is input, When the second logical code is input, the level of the NRZ code signal A11 is not converted, and the NRZI code signal A12 generated from the NRZ code signal A1 and the NRZI code signal A12 are branched by the splitter and output. A code conversion module 82 for amplifying two NRZI code signals A13 and A14 and an NRZI code delay signal A18 generated by giving a delay time Td to the NRZI code signal A14 by the delay unit 70 and outputting an NRZI modulation signal A15; (B) a DC bias power source 6 that supplies a DC bias A17; and (c) a semiconductor laser 1 that outputs a light wave B1. (D) NRZI modulation signal A15 and delayed NRZI modulation signal A19 are respectively added to the first and second optical waveguides 15 and 16 that split the light wave B1 into two at the input unit and combine at the output unit. A light intensity modulator 9d provided with a first and second phase modulators 17 and 18 for applying a voltage, and a phase adjusting unit 19 for applying a DC bias A17 to the first and second optical waveguides 15 and 16; including.
[0104]
In the third embodiment, the delay unit 70 is provided in the one-side output A14 of the splitter 69, the delayed NRZI code delay signal A18 is generated, and the light intensity modulator 9d performs light intensity modulation. And different from the second embodiment. Since others are the same as those of the first and second embodiments of the present invention, redundant description is omitted.
[0105]
As shown in FIG. 27, the signal source 3 is connected to the optical transmission device 1c, and the NRZ code signal A11 of the transmission data emitted from the signal source 3 is converted into the NRZI code signal A12 by the precoder circuit 4 of the code conversion module 82. The Further, the one-side output A14 of the splitter 69 is delayed by a delay time Td by the delay unit 70 to generate a delayed NRZI code signal A18. The NRZI code signal A13 output from the precoder circuit 4 and the delayed NRZI code delay signal A18 from the delay unit are amplified by the driver circuits 7 and 8 of the code conversion module 82 and output as the NRZI modulation signal A15 and the delayed NRZI modulation signal A9. . On the other hand, the light wave B1 is transmitted from the semiconductor laser 10 of the single mode light source to the light intensity modulator 9d.
[0106]
Further, a DC bias A17 is set by the DC bias power supply 6 in the light intensity modulator 9d. In the light intensity modulator 9d, the light wave B1 is light intensity modulated by the NRZI modulation signal A15, the delayed NRZI modulation signal A19, and the DC bias A17, and the output signal light B2 is output to the transmission line optical fiber.
[0107]
The light intensity modulator 9d of the third embodiment of the present invention has the same configuration as that shown in FIG. In the first phase modulation unit 17 of the optical intensity modulator 9d, the first branched light wave B3 is phase-modulated by the NRZI modulation signal A15, and in the second phase modulation unit 18, the second phase is modulated by the delayed NRZI modulation signal A19. The branched light wave B5 is phase-modulated. Here, the DC bias A17 has a maximum optical output when the phase difference between the first and second modulated light waves B4 and B6 modulated by the NRZI modulation signal A15 and the delayed NRZI modulation signal A9 is 0, and when the phase difference is π. A DC bias A17 is applied to the phase adjuster 19 so that the light output is minimized. Since the delayed NRZI modulation signal A19 is delayed by a delay time Td from the NRZI modulation signal A15, the rise and fall of the pulses of the NRZI modulation signal A15 and the delayed NRZI modulation signal A19 are shifted. The phase difference between the first and second modulated light waves B4 and B6 is 0 in the section, and the phase difference is π in other time zones.
[0108]
In this way, output signal light B2 of RZ code is obtained. Since the phase of the multiplexed light B7 of the optical multiplexing unit 14 is inverted between adjacent optical pulses, the resistance to interference between optical pulses is improved.
[0109]
According to the optical transmission device 1c according to the third embodiment of the present invention, the output signal light B2 of the RZ code can be generated from the NRZ code signal A11 with a simple configuration, and the insertion loss can be reduced. it can. Further, since there is no difference in optical path length between the first and second branch optical waveguides 15 and 16 of the light intensity modulator 9d, noise at the mark level can be reduced and a good signal-to-noise ratio can be obtained. Furthermore, the output signal light B2 having a high extinction ratio can be output by appropriately setting the output levels of the DC bias A17, the NRZI modulation signal A15, and the inverted NRZI modulation signal A19. Furthermore, since the phase between adjacent optical pulses is inverted, the tolerance to intersymbol interference can be increased.
[0110]
In the third embodiment of the present invention, for example, as shown in FIG. 28A, when the NRZ code signal A11 output from the signal source 3 is a bit string of “010011101100”, FIG. As shown in the figure, the precoder circuit 4 converts it into an NRZI code signal A13 having a “011101001000” bit string. The NRZI code signal A14, which is one side output of the splitter 69, is delayed by Td by the delay unit to become a delayed NRZI code delay signal A18. The NRZI code signal A13 and the delayed NRZI code delay signal A18 are respectively sent to a predetermined level, for example, a half-wave voltage V π And is input to the optical intensity modulator 9d as the NRZI modulation signal A15 and the delayed NRZI modulation signal A19.
[0111]
The first branched light wave B3 is modulated by the NRZI modulation signal A15 applied to the first phase modulation unit 17, and becomes the first modulated light wave B4 that is phase-modulated as shown in FIG. Similarly, the second branched light wave B5 is modulated by the delayed NRZI modulation signal A19 applied to the second phase modulation unit 18, and the second modulated light wave B6 phase-modulated as shown in FIG. 28 (d). It becomes. For example, when the phase of the first modulated light wave B4 rises from −π to 0, the second modulated light wave B6 rises from 0 to π with a delay of Td. Further, when the phase of the first modulated light wave B4 falls from 0 to −π, the second modulated light wave B6 falls from π to 0 with a delay of Td. Here, the delay time Td by the delay unit 70 is equal to the time slot T. bit About 60%.
[0112]
As shown in FIG. 28 (e), the output signal light B2 output by combining the first and second modulated light waves B4 and B6 is the phase pulse of the first and second modulated light waves B4 and B6. The phase pulse changes by π or −π at the time of deviation of the delay Td in the rising section or the falling section. The phase difference between the first and second modulated light waves B4 and B6 is 0 when the phase of the output signal light B2 is π or −π, as shown in FIGS. 28C and 28D. Therefore, as shown in FIG. 28 (f), the output signal light B2 has a maximum light intensity when the phase is π or −π, and is extinguished when the phase is 0. In this way, the output signal light B2 optically modulated to the RZ code is generated corresponding to the NRZ code signal A11.
In the third embodiment of the present invention, the delay time Td is set to the time slot T. bit However, the pulse shape of the output signal light B2 changes depending on Td. If the NRZI modulation signal A15 is a bit string of “01011010”, the delay time Td is the time slot T bit If it is smaller, for example, 50%, as shown in FIG. 29A, output signal light B2 of RZ code is obtained. The smaller the delay time Td, the smaller the duty ratio of the pulse of the RZ code. However, when Td becomes smaller than the pulse rise time or fall time (10% -90%) of the NRZI modulation signal A15 or the delayed NRZI modulation signal A19, RZ. The phase pulse of the sign does not change up to ± π, and the output signal light intensity also decreases.
[0113]
The delay time Td is 1 time slot T bit If they are equal, the light wave pulse of the output signal light B2 becomes a pulse of the NRZ code as shown in FIG. Further, when the delay time Td is larger than one time slot, for example, 150%, as shown in FIG. 29C, when the bit string is “10”, the space ([0] code When the bit string is “111” and the mark bit continuous pulse, the pattern effect that the pulse width of the mark bit sandwiched therebetween becomes smaller is observed. Therefore, in order to faithfully reproduce the bit string of the NRZ code signal A11 emitted from the signal source 3 with the RZ code, the delay time Td in the delay unit 70 is equal to the time slot T bit Must be set to:
[0114]
In the third embodiment of the present invention, the level of the NRZI modulation signal A15 or the delayed NRZI modulation signal A19 applied to the first and second phase adjustment units 17 and 18 is the half-wave voltage V. π A large extinction ratio is obtained with the phase modulation amount of the first and second modulated light waves B4 and B6 being π. The relationship between the phase modulation rate with the phase modulation amount normalized by π and the extinction ratio is as shown in FIG. 30, and it can be seen that an extinction ratio of 15 dB or more is obtained when the phase modulation rate is 0.88 or more. Therefore, the level of the NRZI modulation signal A15 or the inverted NRZI modulation signal A19 is 0.88 × V π If it is above, sufficient extinction ratio is realizable.
[0115]
According to the optical transmission apparatus according to the third embodiment of the present invention, the output signal light B2 of the RZ code can be generated by the single optical intensity modulator 9d, and strict wavelength control is not required. And cost reduction. Further, since the light wave B1 of the semiconductor laser passes only through the light intensity modulator 9d1, only a light loss is small and a good signal-to-noise ratio can be obtained. Further, the extinction ratio of the output signal light B2 of the output RZ code is set so that the phase modulation amounts in the two phase modulation sections are approximately π, whereby an extinction ratio of 15 dB or more is obtained. Also, since the optical path length difference when the light intensity modulator 9d interferes with the two lights is at most the wavelength level of the light, the phase noise of the semiconductor laser is not converted into intensity noise. Furthermore, since the phase is inverted between adjacent output light pulses, the resistance to inter-pulse interference is improved, which is effective against characteristic deterioration due to nonlinear phenomena in the optical fiber.
(Modification)
As shown in FIG. 31, an optical transmission device 1d according to a modification of the third embodiment of the present invention has a waveform shaping filter 71 between the driver circuits 7 and 8 of the code conversion module 82 and the optical intensity modulator 9d. , 72 is different from the third embodiment described above. Others are the same as those in the third embodiment, and a duplicate description is omitted.
[0116]
The NRZI modulation signal A15 and the delayed NRZI modulation signal A19 are input to the light intensity modulator d after the rise and fall times of the pulse waveform are adjusted by the waveform shaping filters 71 and 72. As shown in FIG. 28, the waveform of the output optical pulse greatly depends not only on the delay time Td of the delay unit 70 but also on the rise and fall times of the pulse waveform of the NRZI modulation signal A15 or the delayed NRZI modulation signal A19. . By adjusting the rising and falling times of the pulse waveform of the NRZI modulation signal A15 or the delayed NRZI modulation signal A19 by the waveform shaping filters 71 and 72 and reducing the delay time Td, an output optical pulse having a narrow pulse width can be obtained. .
[0117]
Of course, as described above, the delay time Td is longer than the rise and fall times of the pulse waveform of the NRZI modulation signal A15 or the delay NRZI modulation signal A19. In this way, it is possible to easily output an optical pulse having a shape suitable for the transmission characteristics of the transmission line optical fiber.
In the modification of the third embodiment of the present invention, the waveform shaping filters 71 and 72 are arranged after the driver circuits 7 and 8 of the code conversion module 82. However, in the code conversion module 82, the driver circuits 7 and 8 and It may be inserted between the precoder circuits 4. According to the optical transmission device 1d according to the modification of the third embodiment of the present invention, the NRZ modulation signal A15 and the delayed NRZI modulation signal A19 are subjected to the rise and fall times of the pulse waveform by the waveform shaping filters 71 and 72, respectively. Since the light intensity is adjusted and input to the light intensity modulator d, an optical pulse having a shape suitable for the transmission characteristics of the transmission line optical fiber can be easily output.
[0118]
(Other embodiments)
As described above, the first to third embodiments of the present invention have been described. However, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.
[0119]
For example, as the modulator substrate, the first to third embodiments of the present invention, or the modifications and variations thereof, have been described using lithium niobate, but the dielectric film exhibiting various electro-optic effects For example, lithium tantalate (LiTaO 3 ), Potassium titanyl phosphate (KTiOPO) 4 ) Etc. can of course be used. Further, GaAs having an electro-optic effect or semiconductor crystals such as InP or GaP having an electro-absorption effect can be used. Further, a polymer such as a dye-doped PMMA, an acrylic polymer, a urethane-urea polymer or a polyurethane exhibiting an electro-optic effect. Of course, can also be used.
[0120]
In addition, the optical transmitters according to the first to third embodiments of the present invention can be reduced in size by being mounted as one module. In particular, a smaller optical transmitter can be realized by monolithically integrating the semiconductor laser and the light intensity modulator on the same semiconductor substrate. In this case, an optical fiber connecting the semiconductor laser and the light intensity modulator is not necessary, and the cost can be reduced. It is also conceivable to monolithically integrate the precoder circuit and driver circuit or differential amplifier driver circuit. Furthermore, a smaller optical transmitter can be realized by hybrid mounting an integrated precoder circuit and driver circuit or differential amplifier driver circuit, and an integrated semiconductor laser and optical intensity modulator. It becomes.
[0121]
As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.
[0122]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the optical transmitter which produces | generates the output signal light of the RZ code | cord | chord with a low noise and a big extinction ratio using a single optical intensity modulator can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an optical transmission apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of first and second precoder circuits of the optical transmission apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of (a) an NRZ code signal, (b) an NRZI code signal, (c) an inverted NRZ code signal, and (d) an inverted NRZI code signal according to the first embodiment of the present invention. It is.
FIGS. 4A and 4B are diagrams showing examples of (a) and (c) phases and (b) and (d) optical frequencies of modulated light waves according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of (a) phase, (b) optical frequency, and (c) signal light intensity of combined light according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an optical intensity modulator of the optical transmission device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view for explaining an example of the configuration of an optical intensity modulator of the optical transmission apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of an optical intensity modulator of the optical transmission device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a configuration diagram illustrating an example of mounting of an optical intensity modulator of the optical transmission apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating another example of the configuration of the optical intensity modulator of the optical transmission device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating another example of the configuration of the optical intensity modulator of the optical transmission device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating another example of the configuration of the optical intensity modulator of the optical transmission device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating another example of the configuration of the optical intensity modulator of the optical transmission device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of an optical transmission apparatus according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a diagram for explaining the operation of the optical transmission apparatus according to the first modification of the first embodiment of the present invention;
FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of an optical transmission apparatus according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a diagram explaining the operation of the optical transmission apparatus according to the third modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration of an optical transmission apparatus according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a diagram for explaining the operation of the optical transmission apparatus according to the fourth modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 20 is a diagram illustrating the characteristics of the optical transmission device according to the fourth modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 21 is a diagram illustrating a configuration of an optical transmission apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 22 is a configuration diagram illustrating an example of mounting of an optical intensity modulator of an optical transmission device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 23 is a configuration diagram illustrating an example of mounting of an optical intensity modulator of an optical transmission apparatus according to a first modification of the second embodiment of the present invention.
FIG. 24 is a configuration diagram illustrating another example of mounting the optical intensity modulator of the optical transmission device according to the second modification of the second embodiment of the present invention.
FIG. 25 is a configuration diagram illustrating another example of mounting the optical intensity modulator of the optical transmission device according to the second modification of the second embodiment of the present invention;
FIG. 26 is a cross-sectional configuration diagram illustrating an example of mounting of an optical intensity modulator of an optical transmission apparatus according to a third modification of the second embodiment of the present invention.
FIG. 27 is a diagram illustrating a configuration of an optical transmission apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIGS. 28A and 28B are (a) an NRZ code signal, (b) an NRZI code signal, (c) a first modulated light wave phase, (d) a second modulated light wave phase according to a third embodiment of the present invention, It is a figure which shows an example of e) output signal light phase and (f) output signal light intensity.
FIG. 29 is a diagram for explaining the relationship between the output signal light intensity pulse shape and the delay time Td according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 30 is a diagram for explaining the relationship between the extinction ratio of the output signal light and the phase modulation rate according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 31 is a diagram for explaining the configuration of an optical transmission apparatus according to a modification of the third embodiment of the present invention.
FIG. 32 is a diagram showing the relationship between the extinction ratio of an optical signal and the extinction ratio of a Mach-Zehnder interferometer.
[Explanation of symbols]
1, 1a to 1d ... optical transmitter,
3, 3a-3c ... signal source,
4 ... First precoder circuit,
5 ... Second precoder circuit,
4a, 4b ... Precoder circuit,
6 ... DC bias power supply,
7, 8 ... driver circuit,
9, 9a to 9d ... light intensity modulator,
10, 10a to 10e... Semiconductor laser,
11a: exclusive OR circuit,
11b 1-bit delay line,
11c ... negative circuit,
12: Optical filter,
13: Light wave input unit,
14: Optical multiplexing part,
15, 15a ... first branch optical waveguide,
16, 16a, second branched optical waveguide,
17 ... 1st phase modulation part,
18 ... second phase modulation section,
19: Phase adjustment unit,
21, 61 ... modulator substrate,
22: First phase modulation electrode,
23... First ground electrode,
24 ... second phase modulation electrode,
25 ... second ground electrode,
26: Common ground electrode,
27 ... DC bias electrode,
28: DC bias ground electrode,
29 ... dielectric film,
30 ... high frequency grounding wiring,
31, 41... Mounting board,
32-34, 42-44 ... high frequency connectors,
35, 45 ... power connector,
36, 46 ... DC bias power connector,
37 ... Terminator,
38a-38g, 48 ... bonding wire,
39, 49 ... package,
40: DC bias wiring,
50, 50a, 50b... Differential amplification driver circuit,
51... Inverted output terminal,
52 ... Bonding pad,
53 ... spacer,
55-59, 55a, 56a ... wiring,
60: DC bias ground wiring,
62: Optical multiplexer,
63... First polarization beam splitter,
64 ... second polarization beam splitter,
65: Optical filter,
69 ... splitter,
70 ... delay part,
71, 72 ... waveform shaping filter,
80, 81, 82 ... code conversion module,
A1, A1a to A1c, A11... NRZ code signal,
A2, A2a to A2c ... inverted NRZ code signal,
A3, A3a to A3c, A12, A13, A14... NRZI code signal,
A4, A4a to A4c ... inverted NRZI code signal,
A5, A5a to A5h, A15... NRZI modulated signal,
A6, A6a to A6h ... inverted NRZI modulation signal,
A7, A17 ... DC bias,
A18: Delayed NRZI code signal,
A19: Total NRZI modulation signal,
A20: NRZI waveform shaping modulation signal,
A21: Delayed NRZI waveform shaping modulation signal,
B1, B1a-B1c, B1 i , B1 (I + 1) ... light waves,
B2, B2a to B2c, B2 i ~ B2 (I + 2) ... Output signal light,
B3: First branched light wave,
B4 ... first modulated light wave,
B5: Second branched light wave,
B6 ... second modulated light wave,
B7 ... Combined light,
B8: SSB output signal light,
B9, B9a ... multiplexed output signal,
D1 i ~ D1 (I + 2) ... First polarized light wave,
D2 i , D2 (I + 1) ... Second polarized light wave,
M1 i ~ M1 (I + 2) ... First modulated polarized light wave,
M2 (I-1) ~ M2 (I + 1) ... Second modulated polarized light wave,
L1 ... Optical waveguide length difference,
L2: Transmission line electrical length difference,
P i ~ P (I + 2) ... Input port.

Claims (7)

NRZ符号信号の第1の論理符号が入力される時に前記NRZ符号信号のレベルを変換させ、前記NRZ符号信号の第2の論理符号が入力される時は前記NRZ符号信号のレベルを変換させないようにして、前記NRZ符号信号から生成したNRZI符号信号と、前記NRZI符号信号の符号を反転させて生成した反転NRZI符号信号をそれぞれ増幅して、NRZI変調信号と反転NRZI変調信号を出力する符号変換モジュールと、
直流バイアスを供給する直流バイアス電源と、光波を出力する半導体レーザと、
前記光波を入力部で2分岐し出力部で合波する光導波路と前記2分岐した光波の各々に前記NRZI変調信号及び前記反転NRZI変調信号を印加する2つの位相変調部と前記光導波路に前記直流バイアスを印加する位相調整部が備えられた光強度変調器とを備え、
前記直流バイアスを調整して、前記NRZI変調信号及び前記反転NRZI変調信号のパルス符号が反転する区間で前記光強度変調器から出力される光信号の強度が最小となるように前記2分岐した光波を強度変調することを特徴とする光送信装置。
The level of the NRZ code signal is converted when the first logical code of the NRZ code signal is input, and the level of the NRZ code signal is not converted when the second logical code of the NRZ code signal is input. The NRZI code signal generated from the NRZ code signal and the inverted NRZI code signal generated by inverting the code of the NRZI code signal are respectively amplified to output the NRZI modulation signal and the inverted NRZI modulation signal. Module,
A DC bias power source for supplying a DC bias, a semiconductor laser for outputting light waves,
An optical waveguide that divides the light wave into two at the input unit and combines at the output unit, two phase modulation units that apply the NRZI modulation signal and the inverted NRZI modulation signal to each of the two branched light waves, and the optical waveguide to the optical waveguide A light intensity modulator provided with a phase adjustment unit for applying a DC bias,
The two-branched light wave is adjusted so that the intensity of the optical signal output from the optical intensity modulator is minimized during the period in which the pulse codes of the NRZI modulation signal and the inverted NRZI modulation signal are inverted by adjusting the DC bias. An optical transmitter characterized in that intensity modulation is performed.
前記符号変換モジュールが、前記NRZ符号信号から前記NRZI符号信号を生成する第1のプリコーダ回路と、前記NRZ符号信号の論理符号を反転した反転NRZ符号信号から前記反転NRZI符号信号を生成する第2のプリコーダ回路とを含むことを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。The code conversion module generates a first precoder circuit that generates the NRZI code signal from the NRZ code signal, and a second precoder circuit that generates the inverted NRZI code signal from an inverted NRZ code signal obtained by inverting the logical code of the NRZ code signal. The optical transmitter according to claim 1, further comprising: a precoder circuit. 前記符号変換モジュールが、前記NRZ符号信号から前記NRZI符号信号を生成するプリコーダ回路と、前記NRZI変調信号を前記反転NRZI変調信号に反転する反転出力端子を具備する差動増幅回路とを含むことを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。  The code conversion module includes a precoder circuit that generates the NRZI code signal from the NRZ code signal, and a differential amplifier circuit that includes an inverting output terminal that inverts the NRZI modulation signal to the inverted NRZI modulation signal. The optical transmission device according to claim 1, wherein: 前記符号変換モジュールから発せられる前記NRZI変調信号及び前記反転NRZI変調信号を前記光強度変調器の2つの位相変調部に導く2つの線路において、線路間の実効長差による時間遅延量が前記NRZ変調信号の1タイムスロット以下であることを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。  In two lines that guide the NRZI modulation signal and the inverted NRZI modulation signal emitted from the code conversion module to two phase modulation units of the optical intensity modulator, the time delay amount due to the effective length difference between the lines is the NRZ modulation. The optical transmission apparatus according to claim 1, wherein the optical transmission apparatus is one time slot or less of a signal. 前記光強度変調器と前記差動増幅回路が集積化されて変調器基板に実装されることを特徴とする請求項3に記載の光送信装置。  4. The optical transmission device according to claim 3, wherein the optical intensity modulator and the differential amplifier circuit are integrated and mounted on a modulator substrate. 前記光強度変調器の出力部に光フィルタを接続し、前記出力部から出力される出力信号光を単側波帯信号光とすることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光送信装置。  The optical filter is connected to the output unit of the light intensity modulator, and the output signal light output from the output unit is a single sideband signal light. The optical transmission device described. 前記光強度変調器内で前記NRZI変調信号及び前記反転NRZI変調信号により位相変調された光波に対して単側波成分を切り出す光フィルタ部を前記光強度変調器の前記位相変調部と前記出力部の間に設けたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光送信装置。  An optical filter unit that extracts a single side wave component from the light wave phase-modulated by the NRZI modulation signal and the inverted NRZI modulation signal in the light intensity modulator, and the phase modulation unit and the output unit of the light intensity modulator. The optical transmission device according to claim 1, wherein the optical transmission device is provided between the two.
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JP4563944B2 (en) * 2006-01-31 2010-10-20 富士通株式会社 Optical transmitter
JP5234302B2 (en) * 2006-09-15 2013-07-10 ソニー株式会社 Display control system and method, display control apparatus and method, and program
JP2008141670A (en) * 2006-12-05 2008-06-19 Fujitsu Ltd Dqpsk modulation apparatus, optical transmission device and dqpsk modulation method
JP4838775B2 (en) * 2007-07-20 2011-12-14 Nttエレクトロニクス株式会社 Optical transmission circuit
JP5145402B2 (en) * 2010-12-02 2013-02-20 アンリツ株式会社 Light modulator
JP6136363B2 (en) * 2013-02-27 2017-05-31 住友電気工業株式会社 Light modulation module
JP6217243B2 (en) * 2013-08-29 2017-10-25 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 Optical module and optical transmitter
JP2015195490A (en) 2014-03-31 2015-11-05 富士通株式会社 Transmission device and optical transmission system
US10890787B2 (en) 2016-03-18 2021-01-12 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical modulator
JP6705354B2 (en) * 2016-09-30 2020-06-03 住友大阪セメント株式会社 Optical modulator module

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