JP3758039B2 - 駆動回路及び電気光学装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、駆動回路、電気光学装置及び駆動方法に関する。
【0002】
【背景技術及び発明が解決しようとする課題】
従来より、携帯電話機などの電子機器に用いられる液晶パネルとして、単純マトリクス方式の液晶パネルと、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す)などのスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶パネルとが知られている。
【0003】
単純マトリクス方式は、アクティブマトリクス方式に比べて低消費電力化が容易であるという利点がある反面、多色化や動画表示が難しいという不利点がある。一方、アクティブマトリクス方式は、多色化や動画表示に適しているという利点がある反面、低消費電力化が難しいという不利点がある。
【0004】
そして、近年、携帯電話機などの携帯型電子機器では、高品質な画像の提供のために、多色化、動画表示への要望が強まっている。このため、これまで用いられてきた単純マトリクス方式の液晶パネルに代えて、アクティブマトリクス方式の液晶パネルが用いられるようになってきた。
【0005】
さて、アクティブマトリクス方式の液晶パネルでは、表示パネルのデータ線を駆動するデータ線駆動回路の出力回路の中に、インピーダンス変換回路として機能するボルテージフォロワ接続の演算増幅器が設けられていた。このような演算増幅器を出力回路に設ければ、データ線の電圧変動を最小限に抑えることができ、データ線の電圧を短時間で所望の階調電圧に設定することが可能になる。
【0006】
しかしながら、このような演算増幅器を出力回路に設けると、無駄に消費される電流が多くなり、消費電流が大きくなるという問題点がある。特に、この演算増幅器は、データ線の本数と同じ個数だけ設けられる。従って、各演算増幅器の消費電力が増えると、データ線駆動回路の消費電力は、演算増幅器の個数の分だけ増えてしまい、消費電力の悪化は更に深刻なものとなる。
【0007】
本発明は以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、低消費電力で表示パネルを駆動できる駆動回路、これを含む電気光学装置及び駆動方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の画素と、複数の走査線と、各データ線が第1、第2、第3の色成分用のデータ信号を多重化して伝達する複数のデータ線と、一端が各データ線に接続され他端が第1、第2、第3の色成分用の各画素に接続される複数の第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子とを有する表示パネルを駆動するための駆動回路であって、前記第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子をオン・オフ制御するための第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号を生成するスイッチング信号生成回路を含み、前記スイッチング信号生成回路が、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになる期間にオーバラップ期間が設定されるように、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号を生成する駆動回路に関係する。
【0009】
本発明では、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子をオン・オフ制御する第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号が生成される。そして、これらの第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになる期間(少なくとも2つのスイッチング信号が共にアクティブになる期間)に、オーバラップ期間が設定される。従って、本発明によれば、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子が接続される第1、第2、第3の色成分用の各画素(画素電極)に対して、オーバラップ期間を利用して電圧を印加(電荷の充放電)することが可能になり、データ線電圧(画素電極電圧)の変動を抑えることなどが可能になる。
【0010】
なお、スイッチング信号をアクティブにするとは、そのスイッチング信号によりオン・オフ制御されるスイッチング素子をオンにすることを意味する。
【0011】
また本発明では、前記スイッチング信号生成回路が、表示パネルの各画素が有する画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧が極性反転するタイミングと、前記画素電極へのデータ信号の書き込みが確定するタイミングとの間に、前記オーバラップ期間が設定されるように、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号を生成してもよい。
【0012】
このようにすれば、画素電極へのデータ信号の書き込みが確定するタイミングの前に、画素電極電圧を所望の電圧に設定することなどが可能になる。なお、画素電極へのデータ信号の書き込みが確定するタイミングとは、例えば、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子(少なくとも1つのスイッチング素子)がオンになった後にオフになるタイミングや、画素用スイッチング素子がオフになるタイミングなどである。
【0013】
また本発明では、複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、発生された複数の基準電圧を用いて、デジタル階調データをアナログ階調電圧に変換するデジタル/アナログ変換回路と、デジタル/アナログ変換回路からのアナログ階調電圧をデータ線に出力する出力回路とを含み、前記出力回路が、前記オーバラップ期間において、所与の設定電圧をデータ線に出力してもよい。
【0014】
このようにすれば、データ線電圧(画素電極電圧)の変動を抑えて、データ線電圧を短時間に所望の電圧に設定することなどが可能になる。
【0015】
また本発明では、前記出力回路が、一端が、データ線に接続され、他端に、デジタル/アナログ変換回路からの第1、第2、第3の色成分用のアナログ階調電圧が入力される第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子を含み、前記スイッチング信号生成回路が、第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子をオン・オフ制御する第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング信号を生成すると共に、第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング信号の少なくとも1つを、前記オーバラップ期間においてアクティブにするようにしてもよい。
【0016】
このようにすれば、オーバラップ期間において、データ線電圧(画素電極電圧)を、基準電圧に設定することなどが可能になる。
【0017】
また本発明では、前記出力回路が、表示パネルの各画素が有する画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧と同位相の電圧を、前記オーバラップ期間においてデータ線に出力してもよい。
【0018】
このようにすれば、オーバラップ期間において、データ線電圧(画素電極電圧)を、対向電極電圧と同位相の電圧に設定することなどが可能になる。
【0019】
また本発明では、前記出力回路が、一端が、データ線に接続され、他端に、デジタル/アナログ変換回路からの第1、第2、第3の色成分用のアナログ階調電圧が入力される第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子と、一端に、対向電極の電圧と同位相の電圧が入力され、他端に、前記第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子の他端が接続される第1、第2、第3の電圧印加用スイッチング素子とを含んでもよい。
【0020】
このようにすれば、簡素な構成で、データ線電圧を対向電極電圧と同位相の電圧に設定できるようになる。また、第1、第2、第3の電圧印加用スイッチング素子を利用して、パーシャル表示などを実現することも可能になる。
【0021】
また本発明では、複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、発生された複数の基準電圧を用いて、デジタル階調データをアナログ階調電圧に変換するデジタル/アナログ変換回路と、デジタル/アナログ変換回路からのアナログ階調電圧をデータ線に出力する出力回路とを含み、前記基準電圧発生回路が、複数の抵抗素子が直列接続されるラダー抵抗を有し、そのラダー抵抗のM個(M≧2)の電圧分割端子にM個の電圧を出力する第1の電圧分割回路と、前記第1の電圧分割回路からのM個の各電圧が各入力端子に入力され、基準電圧を生成するための各電圧を各出力端子に出力するM個のインピーダンス変換回路とを含んでもよい。
【0022】
このようにすれば、基準電圧出力端子での出力インピーダンスを低くすることが可能になり、データ線電圧を所望の電圧に設定することが容易化される。
【0023】
また本発明では、前記基準電圧発生回路が、複数の抵抗素子が直列接続されるラダー抵抗を有し、そのラダー抵抗のM個の電圧分割端子にM個の前記インピーダンス変換回路の出力端子が接続され、そのラダー抵抗のN個(N≧2×M)の電圧分割端子である基準電圧出力端子に基準電圧を出力する第2の電圧分割回路を含んでもよい。
【0024】
このようにすれば、M個のインピーダンス変換回路のインピーダンス変換機能を利用して、N個の基準電圧の出力端子での出力インピーダンスを低くすることが可能になる。
【0025】
また本発明では、前記第2の電圧分割回路が、低抵抗の第1のラダー抵抗と、高抵抗の第2のラダー抵抗と、低抵抗の前記第1のラダー抵抗のM個の電圧分割端子と高抵抗の前記第2のラダー抵抗のM個の電圧分割端子のいずれかを、M個の前記インピーダンス変換回路の出力端子に接続する第1の抵抗切替用スイッチング部と、低抵抗の前記第1のラダー抵抗のN個の電圧分割端子と高抵抗の前記第2のラダー抵抗のN個の電圧分割端子のいずれかを、N個の基準電圧出力端子に接続する第2の抵抗切替用スイッチング部とを含んでもよい。
【0026】
このようにすれば、ラダー抵抗に定常的に流れる電流を低減しながら、基準電圧出力端子での出力インピーダンスを低くすることが可能になる。
【0027】
また本発明では、前記第1の抵抗切替用スイッチング部が、前記オーバラップ期間(駆動期間の前半期間)において、低抵抗の第1のラダー抵抗のM個の電圧分割端子を、M個の前記インピーダンス変換回路の出力端子に接続し、前記第2の抵抗切替用スイッチング部が、前記オーバラップ期間において、低抵抗の第1のラダー抵抗のN個の電圧分割端子を、N個の基準電圧出力端子に接続してもよい。
【0028】
なお、オーバラップ期間の後半期間やオーバラップ期間に続く期間(駆動期間の後半期間)においては、第1の抵抗切替用スイッチング部が、高抵抗の第2のラダー抵抗のM個の電圧分割端子をインピーダンス変換回路の出力端子に接続し、第2の抵抗切替用スイッチング部が、高抵抗の第2のラダー抵抗のN個の電圧分割端子をN個の基準電圧出力端子に接続すうようにしてもよい。
【0029】
また本発明では、前記スイッチング信号生成回路が、前記第1のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングと、前記第2のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングと、前記第3のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングとを可変に設定する回路を含んでもよい。
【0030】
このようにすれば、第1、第2、第3のデマルチプレクス用信号がアクティブになる期間のオーバラップ期間などを、容易に設定できるようになる。
【0031】
また本発明は、複数の画素と、複数の走査線と、複数のデータ線とを有する表示パネルを駆動するための駆動回路であって、複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、発生された複数の基準電圧を用いて、デジタル階調データをアナログ階調電圧に変換するデジタル/アナログ変換回路と、デジタル/アナログ変換回路からのアナログ階調電圧をデータ線に出力する出力回路とを含み、前記基準電圧発生回路が、複数の抵抗素子が直列接続されるラダー抵抗を有し、そのラダー抵抗のM個(Mは2以上の整数)の電圧分割端子にM個の電圧を出力する第1の電圧分割回路と、前記第1の電圧分割回路からのM個の各電圧が各入力端子に入力され、基準電圧を生成するための各電圧を各出力端子に出力するM個のインピーダンス変換回路と、複数の抵抗素子が直列接続されるラダー抵抗を有し、そのラダー抵抗のM個の電圧分割端子にM個の前記インピーダンス変換回路の出力端子が接続され、ラダー抵抗のN個(N≧2×M)の電圧分割端子である基準電圧出力端子に基準電圧を出力する第2の電圧分割回路を含む駆動回路に関係する。
【0032】
また本発明は、複数の画素と、複数の走査線と、各データ線が第1、第2、第3の色成分用のデータ信号を多重化して伝達する複数のデータ線と、一端が各データ線に接続され他端が第1、第2、第3の色成分用の各画素に接続される複数の第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子とを有する表示パネルを駆動するための駆動回路であって、前記第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子をオン・オフ制御するための第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号を生成するスイッチング信号生成回路を含み、前記スイッチング信号生成回路が、前記第1のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングと、前記第2のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングと、前記第3のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングとを可変に設定する回路を含む駆動回路に関係する。
【0033】
また本発明は、上記に記載の駆動回路と、前記駆動回路により駆動される表示パネルとを含む電気光学装置に関係する。
【0034】
【発明の実施の形態】
以下、本実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【0035】
なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【0036】
1.電気光学装置
図1に、本実施形態の電気光学装置(狭義には液晶装置)の構成例を示す。
【0037】
この電気光学装置は、表示パネル512(狭義にはLCD(Liquid Crystal Display)パネル)、データ線駆動回路520(狭義にはソースドライバ)、走査線駆動回路530(狭義にはゲートドライバ)、コントローラ540、電源回路542を含む。なお、電気光学装置にこれらの全ての回路ブロックを含める必要はなく、その一部の回路ブロックを省略する構成にしてもよい。
【0038】
ここで表示パネル512(電気光学パネル)は、複数の走査線(狭義にはゲート線)と、複数のデータ線(狭義にはソース線と)と、走査線及びデータ線により特定される画素を含む。この場合、データ線に薄膜トランジスタTFT(Thin Film Transistor、広義には画素用スイッチング素子)を接続し、このTFTに画素電極を接続することで、アクティブマトリクス型の電気光学装置を構成できる。
【0039】
より具体的には、表示パネル512はアクティブマトリクス基板(例えばガラス基板)により構成される。このアクティブマトリクス基板には、図1のY方向に複数配列されそれぞれX方向に伸びる走査線G1〜GI(Iは2以上の自然数)と、X方向に複数配列されそれぞれY方向に伸びるデータ線S1〜SJ(Jは2以上の自然数)とが配置されている。また、走査線GK(1≦K≦I、Kは自然数)とデータ線SL(1≦L≦J、Lは自然数)との交差点に対応する位置に画素が設けられ、各画素は、薄膜トランジスタTFT-KL(広義には画素用スイッチング素子)、画素電極PE−KLを含む。
【0040】
TFT-KLのゲート電極は走査線GKに接続され、TFT-KLのソース電極はデータ線SLに接続され、TFT-KLのドレイン電極は画素電極PE-KLに接続されている。この画素電極PE-KLと、画素電極PE-KLと液晶素子(広義には電気光学物質)を挟んで対向する対向電極COM(コモン電極)との間には、液晶容量CL-KL(電気光学物質の容量)及び補助容量CS-KLが形成されている。そして、TFT-KL、画素電極PE-KL等が形成されるアクティブマトリクス基板と、対向電極COMが形成される対向基板との間に液晶が封入され、画素電極PEKLと対向電極COMの間の印加電圧に応じて液晶素子の透過率が変化するようになっている。
【0041】
なお、対向電極COMに与えられる電圧VCOM(第1、第2のコモン電圧)は、電源回路542により生成される。また、対向電極COMを対向基板上にベタに形成せずに、各走査線に対応するように帯状に形成してもよい。
【0042】
データ線駆動回路520は、画像データに基づいて表示パネル512のデータ線S1〜SJを駆動する。一方、走査線駆動回路530は、表示パネル512の走査線G1〜GIを順次走査駆動する。
【0043】
コントローラ540は、図示しない中央処理装置(Central Processing Unit:以下、CPUと略す)等のホストにより設定された内容に従って、データ線駆動回路520、走査線駆動回路530及び電源回路542を制御する。
【0044】
より具体的には、コントローラ540は、データ線駆動回路520及び走査線駆動回路530に対しては、例えば動作モードの設定や内部で生成した垂直同期信号や水平同期信号の供給を行い、電源回路542に対しては、対向電極COMの電圧VCOMの極性反転タイミングの制御を行う。
【0045】
電源回路542は、外部から供給される基準電圧に基づいて、表示パネル512の駆動に必要な各種の電圧や、対向電極COMの電圧VCOMを生成する。
【0046】
なお、図1では、電気光学装置がコントローラ540を含む構成になっているが、コントローラ540を電気光学装置の外部に設けてもよい。或いは、コントローラ540と共にホストを電気光学装置に含めるようにしてもよい。
【0047】
また、走査線駆動回路530、コントローラ540、電源回路542の少なくとも1つをデータ線駆動回路520に内蔵させてもよい。また、データ線駆動回路520、走査線駆動回路530、コントローラ540、電源回路542の一部又は全部を表示パネル512上に形成してもよい。
【0048】
2.データ線電圧の変動
さて、液晶素子には、直流電圧を長時間印加すると劣化するという性質がある。このため、液晶素子に印加する電圧の極性を所定期間毎に反転させる駆動方式が必要になる。このような駆動方式としては、フレーム反転駆動、走査(ゲート)ライン反転駆動、データ(ソース)ライン反転駆動、ドット反転駆動などがある。
【0049】
ここで、走査ライン反転駆動では、液晶素子に印加される電圧が走査期間毎(1又は複数の走査線毎)に極性反転される。例えば、第Kの走査期間(第Kの走査線の選択期間)では正極性の電圧が液晶素子に印加され、第K+1の走査期間では負極性の電圧が印加され、第K+2の走査期間では正極性の電圧が印加される。一方、次のフレームにおいては、今度は、第Kの走査期間では負極性の電圧が液晶素子に印加され、第K+1の走査期間では正極性の電圧が印加され、第K+2の走査期間では負極性の電圧が印加されるようになる。
【0050】
そして、この走査ライン反転駆動では、対向電極COMの電圧VCOM(以下、コモン電圧と呼ぶ)が走査期間毎に極性反転される。
【0051】
より具体的には図2に示すように、正極の期間T1(第1の期間)ではコモン電圧VCOMはVC1(第1のコモン電圧)になり、負極の期間T2(第2の期間)ではVC2(第2のコモン電圧)になる。
【0052】
ここで、正極の期間T1は、データ線S(画素電極)の電圧がコモン電圧VCOMよりも高くなる期間である。この期間T1では液晶素子に正極性の電圧が印加されることになる。一方、負極の期間T2は、データ線Sの電圧がコモン電圧VCOMよりも低くなる期間である。この期間T2では液晶素子に負極性の電圧が印加されることになる。また、VC2は、所与の電圧を基準としてVC1を極性反転した電圧である。
【0053】
このようにコモン電圧VCOMを極性反転することで、表示パネルの駆動に必要な電圧を低くすることができる。これにより、駆動回路の耐圧を低くでき、駆動回路の製造プロセスの簡素化、低コスト化を図れる。
【0054】
しかしながら、このようにコモン電圧VCOMを極性反転すると、液晶容量CLや補助容量CSやTFTの寄生容量などによる容量カップリング効果により、データ線電圧(画素電極電圧)が変動してしまうという問題が生じる。
【0055】
この場合、図3に示すような構成の駆動回路を採用すれば、上記のような問題をある程度解消できる。
【0056】
例えば図3において、基準電圧発生回路620はγ補正用のラダー抵抗を含み、複数の基準電圧を発生する。DAC630(デジタル/アナログ変換回路)は、基準電圧発生回路620からの複数の基準電圧を用いて、デジタル階調データ(R、G、B用データ)をアナログ階調電圧に変換する。出力回路640は、DAC630からのアナログ階調電圧をデータ線に出力する。
【0057】
図3に示す構成の駆動回路では、出力回路640が、ボルテージフォロワ接続の演算増幅器(広義にはインピーダンス変換回路)を含み、この演算増幅器により各データ線を駆動する。従って、コモン電圧が極性反転することでデータ線電圧に変動が生じても、この電圧変動を最小限に抑えることができ、図4(A)に示すように、短時間でデータ線電圧(画素電極電圧)を所望の階調電圧に設定できる。
【0058】
しかしながら、図3の駆動回路では、全てのデータ線に、消費電力が大きい演算増幅器が接続される。このため、消費電力が非常に大きくなってしまうという問題点がある。
【0059】
そこで本実施形態では図5に示すような構成の駆動回路を採用している。
【0060】
即ち図5では、出力回路40は、演算増幅器を含まず、DAC30の出力端子とデータ線との間の接続のオン・オフを行うスイッチング素子などを含む。そして、出力回路40に演算増幅器を含ませない代わりに、基準電圧発生回路20に、ボルテージフォロワ接続の演算増幅器(広義にはインピーダンス変換回路)を含ませている。
【0061】
この図5の構成では、出力回路40が演算増幅器を含まない。従って、図3の構成に比べて、演算増幅器の個数の分だけ消費電力を低減できる。特に、図5の構成は、データ線の本数が多い場合に低消費電力化の効果が非常に大きくなる。
【0062】
しかしながら、図5の構成では、出力回路40が演算増幅器を含まないため、コモン電圧VCOMの極性反転によりデータ線電圧(画素電極電圧)に変動が生じた場合に、データ線電圧を短時間で所望の階調電圧に設定することが難しいという問題点がある。即ち、図4(B)に示すように、データ線の電圧を適正な電圧に戻すのに多くの時間を要してしまい、画素電極PEの電圧が確定するタイミングまでに、データ線電圧を所望の階調電圧に設定できないという問題が生じる。
【0063】
この場合に、図5に示すように基準電圧発生回路20に演算増幅器(インピーダンス変換回路)を含ませることで、この問題点を、ある程度解消できる。
【0064】
しかしながら、図5のように基準電圧発生回路20に演算増幅器を含ませたとしても、電圧分割端子VTからの基準電圧が階調電圧として全画素に書き込まれている状態でコモン電圧VCOMが極性反転すると、データ線が所望の電圧に到達するまでに多くの時間を要してしまう。即ち、所望の電圧に到達するまでの時間が、ラダー抵抗の抵抗値(R)と寄生容量(CL、CS、データ線容量等)とで決まる時定数の分だけ遅れてしまう。そして、このような事態を防止するために、ラダー抵抗の抵抗値を小さくすると、今度は、ラダー抵抗に定常的に流れる電流が増え、基準電圧発生回路20の消費電力が増えてしまうという問題が生じる。
【0065】
このように図5の構成は、出力回路40の消費電力を軽減できるという利点がある反面、データ線電圧(画素電極電圧)の変動を抑えることが困難となったり、基準電圧発生回路20の消費電力が増えてしまうなどの技術的課題がある。
【0066】
3.データ信号の多重化
さて、アモルファス(非晶質)シリコンによりTFTが形成される表示パネル(広義には第1の種類の表示パネル)では、図6(A)に示すように、R、G、B(広義には第1、第2、第3の色成分)の各々のデータ線(ソース線)について、これに対応したデータ線出力端子が、ドライバIC(駆動回路)に設けられている。この場合には、各データ線に割り当てられる時間は図4(A)、(B)に示すように比較的長い。このため、たとえ抵抗や寄生容量によってデータ線電圧の過渡時間が長くなったとしても、画素電極の電圧が確定するタイミングまでには十分な時間の余裕がある。
【0067】
一方、低温ポリシリコン(多結晶シリコン)によりTFTが形成される表示パネル(広義には第2の種類の表示パネル)では、回路の一部をパネル上に形成できる。このため、ドライバIC、表示パネル間の配線本数を減らすべく、図6(B)に示すように、R、G、B用のデータ信号を多重化して伝達するデータ線を用いて、表示パネルとドライバICを接続する手法が脚光を浴びている。
【0068】
即ち、この図6(B)の手法では、ドライバIC側に、マルチプレクス(multiplex)用スイッチング素子MSWR、MSWG、MSWBを設ける。そして、このスイッチング素子MSWR、MSWG、MSWBを用いて、R、G、B用のデータ信号を多重化し、1本のデータ線Sを用いて表示パネル側に伝達する。
【0069】
一方、表示パネル側には、デマルチプレクス(demultiplex)用のスイッチング素子DSWR、DSWG、DSWBを設ける。そして、1本のデータ線Sにより多重化して伝達されるR、G、B用のデータ信号を、デマルチプレクス用スイッチング素子DSWR、DSWG、DSWBを用いて分離し、R、G、B用の各画素に伝える。より具体的には、これらのスイッチング素子DSWR、DSWG、DSWBを、図7(A)に示すようなスイッチング信号RSEL、GSEL、BSELを用いてオン・オフ制御し、R、G、B用のデータ信号を分離する。なお図7(A)において、LPは水平同期信号(ラッチパルス)である。
【0070】
この図6(B)の手法によれば、表示パネル、ドライバIC間の配線本数を減らすことができるため、実装面積を小さくでき、装置をコンパクト化できるという利点がある。
【0071】
しかしながら、その反面、R、G、Bの各データ信号に割り当てられる駆動時間が、図6(A)のアモルファスシリコンTFTパネルに比べて、1/3以下になってしまう(いわゆる1/3駆動)。即ち、図6(A)のアモルファスシリコンTFTパネルでは、図7(B)に示すようにデータ線電圧(画素電極電圧)の過渡時間に許容される時間が長かったが、図6(B)の低温ポリシリコンTFTパネルでは、図7(C)に示すように過渡時間に許容される時間が非常に短くなってしまう。従って、画素電極の電圧が確定するタイミングまでの時間に余裕がなく、図5に示すような構成の駆動回路では、データ線の駆動が困難になるという技術的課題があった。
【0072】
4.本実施形態の手法
以上のような技術的課題を解決するために、本実施形態では次のような手法を採用している。
【0073】
即ち本実施形態では図8(A)に示すように、デマルチプレクス用スイッチング素子DSWR、DSWG、DSWBをオン・オフ制御するデマルチプレクス用スイッチング信号RSEL、GSEL、BSELを生成している。そして、RSEL、GSEL、BSELがアクティブになるタイミングTM1、TM3、TM5や、非アクティブになるタイミングTM2、TM4、TM6を可変に制御している。
【0074】
このようにタイミングTM1〜TM6を可変に制御することで、図8(A)のE1に示すように、スイッチング信号RSELを早めにアクティブにし、スイッチング素子DSWRを早めにオンにすることが可能になる。これにより、画素電極電圧が確定するタイミング(TM2)までの時間に余裕ができ、データ線電圧(画素電極電圧)を所望の階調電圧に設定することが容易になる。
【0075】
またタイミングTM1〜TM6を可変に制御することで、図8(B)のE2に示すように、スイッチング信号RSEL、GSEL、BSELがアクティブになる期間(DSWR、DSWG、DSWBがオンになる期間)がオーバラップする期間を設定できる。このようにすれば、このオーバラップ期間において、スイッチング素子DSWR、DSWG、DSWBの全てがオンになるため、R用画素電極PE−RのみならずG用画素電極PE−G、PE−Bにも所与の設定電圧を印加できるようになる。従って、コモン電圧VCOMが極性反転することでR、G、B用画素電極PE−R、PE−G、PE−Bに電圧変動が生じた場合にも、画素電極電圧を短時間で所望の階調電圧に設定することが容易になる。
【0076】
より具体的には本実施形態では図8(B)のE2に示すRSEL、GSEL、BSELのオーバラップ期間において、図9のF1に示すように、マルチプレクス用スイッチング信号RMUX、GMUX、BMUXの少なくとも1つ(例えばRMUX)をアクティブにする。そして、マルチプレクス用スイッチング素子MSWR、MSWG、MSWBの少なくとも1つ(例えばMSWR)をオンにする。
【0077】
すると図9のF2に示すように、基準電圧発生回路20が含む演算増幅器により、画素電極PE−R、PE−G、PE−Bに設定電圧(基準電圧)が印加される。別の言い方をすれば、画素電極PE−R、PE−G、PE−Bに蓄積された電荷を、図9のF2に示す経路で基準電圧発生回路20の電源側に抜くことができる。これにより、画素電極PE−R、PE−G、PE−Bを所望の階調電圧に設定することが容易化される。
【0078】
なお、図9では、基準電圧発生回路20が含む演算増幅器を利用して、オーバラップ期間において画素電極PE−R、PE−G、PE−Bに設定電圧(基準電圧)に印加しているが、このような演算増幅器を用いないで設定電圧を印加してもよい。例えば、基準電圧発生回路20に演算増幅器を設けずに、基準電圧発生回路20が含むラダー抵抗の分割電圧(基準電圧)を、オーバラップ期間において画素電極PE−R、PE−G、PE−Bに印加してもよい。或いは、オーバラップ期間において、ノードN1、N2、N3に所与の設定電圧(例えばコモン電圧と同位相の電圧)を直接印加するようにしてもよい。
【0079】
なお、本実施形態では、図8(A)、(B)のタイミングTM1〜TM6を可変に制御することで、信号RSEL、GSEL、BSELが互いにノンオーバラップになるように設定してもよい。
【0080】
5.駆動回路の構成
図10に、本実施形態の駆動回路(データ線駆動回路)の構成例を示す。
【0081】
この駆動回路は、データラッチ10、レベルシフタ12、バッファ14を含む。また、基準電圧発生回路20、DAC30(デジタル/アナログ変換回路、電圧選択回路、電圧生成回路)、出力回路40、スイッチング信号生成回路50を含む。なお、駆動回路にこれらの全ての回路ブロックを含める必要はなく、その一部の回路ブロックを省略する構成にしてもよい。
【0082】
図10において、データラッチ10は、表示メモリであるRAMからのデータをラッチする。レベルシフタ12は、データラッチ10の出力の電圧レベルをシフトする。バッファ14は、レベルシフタ12からのデータをバッファリングして、デジタル階調データとしてDAC30に出力する。
【0083】
基準電圧発生回路20は、階調電圧を生成するための複数の基準電圧を発生する。より具体的には、この基準電圧発生回路20は、複数の抵抗素子が直列接続されるラダー抵抗を有する。そして、ラダー抵抗の電圧分割端子(基準電圧発生端子)に基準電圧を発生する。
【0084】
この場合、基準電圧発生回路20には、図5に示すようなインピーダンス変換回路(狭義にはボルテージフォロワ接続の演算増幅器)を含ませることが望ましい。より具体的には、基準電圧発生回路20に第1、第2の電圧分割回路を含ませ、第1の電圧分割回路が有するラダー抵抗のM個(M≧2)の電圧分割端子からのM個(例えば7個)の電圧を、M個のインピーダンス変換回路の入力端子に入力する。また、第2の電圧分割回路が有するラダー抵抗のM個の電圧分割端子に、M個のインピーダンス変換回路の出力端子を接続すると共に、そのラダー抵抗のN個(N≧2×M)の電圧分割端子である基準電圧出力端子に、N個(例えば64個)の基準電圧を出力するようにする。
【0085】
DAC30は、基準電圧発生回路20からの複数の基準電圧を用いて、バッファ14からのデジタル階調データをアナログ階調電圧に変換する。より具体的には、デジタル階調データをデコードし、デコード結果に基づいて、複数の基準電圧のいずれかを選択し、選択した基準電圧をアナログ階調電圧として出力回路40に出力する。このDAC30が有するデコーダはROMなどを用いて実現できる。
【0086】
出力回路40は、DAC30からのアナログ階調電圧をデータ線に伝達する回路である。より具体的には、この出力回路40には、DAC30の出力端子とデータ線S1〜SJとの間の接続のオン・オフ制御を行うスイッチング素子(コモン電圧の極性反転時にデータ線をハイインピーダンス状態に設定するためのスイッチング素子)を含ませることができる。また、出力回路40には、図6(B)、図9で説明したようなスイッチング素子MSWR、MSWG、MSWB(広義には第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子)を含ませることができる。
【0087】
スイッチング信号生成回路50は、基準電圧発生回路20、DAC30、出力回路40が有する種々のスイッチング素子をオン・オフ制御するためのスイッチング信号を生成する。
【0088】
より具体的にはスイッチング信号生成回路50は、図6(B)、図9で説明したようなスイッチング素子DSWR、DSWG、DSWB(広義には第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子)をオン・オフ制御するためのスイッチング信号RSEL、GSEL、BSEL(広義には第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号)を生成する。
【0089】
そして、スイッチング信号生成回路50は、図8(B)で説明したように、RSEL、GSEL、BSELがアクティブになる期間がオーバラップする期間が設定されるように、RSEL、GSEL、BSELを生成する。これは、RSEL、GSEL、BSELがアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミング(図8(B)のTM1〜TM6)を可変に設定する回路(レジスタ、カウンタ、比較回路等)をスイッチング信号生成回路50に含ませることで実現できる。
【0090】
なお、RSEL、GSEL、BSELのオーバラップ期間は、コモン電圧の極性反転タイミングと、画素電極へのデータ信号の書き込みが確定するタイミング(図8(B)のTM2、TM4、TM6のタイミング)の間に、設定することが望ましい。
【0091】
また、RSEL、GSEL、BSELのオーバラップ期間において、出力回路40が所与の設定電圧をデータ線に出力することが望ましい。この設定電圧は、コモン電圧の極性反転によるデータ線電圧の変動を元に戻すための電圧である。この設定電圧は、図9で説明したような基準電圧発生回路20からの基準電圧でもよいし、コモン電圧VCOMと同位相の電圧(VCOMと同じタイミングでアクティブになると共に非アクティブになる電圧)でもよい。
【0092】
6.出力回路
図11(A)に出力回路40の構成例を示す。
【0093】
この出力回路40は、マルチプレクス用スイッチング素子MSWR、MSWG、MSWBを含む。これらのスイッチング素子MSWR、MSWG、MSWBは、一端がGOUT端子(マルチプレクス用データ線端子)に接続され、他端がノードN1、N2、N3に接続される。そして、これらのMSWR、MSWG、MSWBは、スイッチング信号生成回路50により生成されるマルチプレクス用スイッチング信号RMUX、GMUX、BMUXによりオン・オフ制御される。
【0094】
また出力回路40は、ROUT用(第1の色成分出力用)、BOUT用(第3の色成分用出力)のスイッチング素子SWR、SWBを含む。これらのスイッチング素子SWR、SWBは、一端がROUT端子、BOUT端子に接続され、他端がノードN1、N3に接続される。そして、これらのSWR、SWBは、スイッチング信号生成回路50により生成されるスイッチング信号SR、SBによりオン・オフ制御される。なお、GOUT用(第2の色成分出力用)のスイッチング素子は、マルチプレクス用スイッチング素子MSWGにより兼用される。
【0095】
スイッチング素子SWR、MSWG、SWBは、図6(A)に示すようなアモルファスシリコンTFTパネルを使用する場合に用いられる。即ち、アモルファスシリコンTFTパネルを用いる場合には、データ信号のマルチプレクス処理は不要になるため、マルチプレクス用スイッチング素子MSWR、MSWBは常にオフになる。そして、スイッチング素子SWR、MSWG、SWBがオン・オフ制御されて、R用、G用、B用のデータ信号(階調電圧)が、ROUT、GOUT、BOUT端子(R用、G用、B用のデータ線)を介して、アモルファスシリコンTFTパネルに供給される。
【0096】
出力回路40は、スイッチング素子PTSWR、PTSWG、PTSWB(広義には第1、第2、第3の電圧印加用スイッチング素子)を含む。これらのスイッチング素子PTSWR、PTSWG、PTSWBは、一端が、ノードN1、N2、N3に接続され、他端が、論理回路62、64、66の出力に接続される。これらのPTSWR、PTSWG、PTSWBは、スイッチング信号生成回路50により生成されるスイッチング信号SPTによりオン・オフ制御される。
【0097】
論理回路62、64、66には、信号SCOM、PT、XD5、COL8が入力される。ここで、信号SCOMは、コモン電圧VCOMと同位相の電圧の信号(VCOMと同じタイミングでアクティブ、非アクティブになる信号)である。信号PTは、パーシャルモード(部分表示)時にアクティブになる信号である。信号XD5は、デジタル階調データの最上位ビット信号である。信号COL8は、8色カラーモード時にアクティブになる信号である。
【0098】
例えばパーシャルモード時には、信号PTがアクティブ(Hレベル)になり、信号SCOMの電圧が、論理回路62、64、66からスイッチング素子PTSWR、PTSWG、PTSWBを介して、データ線(ROUT、GOUT、BOUT)に伝わるようになる。これにより、データ線に繋がる画素が非表示状態になり、パーシャル表示(パーシャル非表示エリア)を実現できる。また、これらのスイッチング素子PTSWR、PTSWG、PTSWBを利用して、後述するように、RSEL、GSEL、BSELのオーバラップ期間において、所与の設定電圧(コモン電圧と同位相の電圧)を、データ線に印加することも可能になる。
【0099】
また、8色カラーモード時には、信号COL8がアクティブ(Hレベル)になり、信号XD5が、論理回路62、64、66からスイッチング素子PTSWR、PTSWG、PTSWBを介してデータ線に伝わるようになる。これにより、8色カラーによる表示を実現できる。
【0100】
出力回路40は、スイッチング素子DACSWR、DACSWG、DACSWBを含む。これらのスイッチング素子DACSWR、DACSWG、DACSWBは、一端がノードN1、N2、N3に接続され、他端が、DAC30のR用、G用、B用のアナログ階調電圧出力端子に接続される。これらのDACSWR、DACSWG、DACSWBは、スイッチング信号生成回路50により生成されるスイッチング信号SDACによりオン・オフ制御される。
【0101】
例えば、スイッチング素子PTSWR、PTSWG、PTSWBがオンになる時に、スイッチング素子DACSWR、DACSWG、DACSWBをオフにすることで、これらのスイッチング素子の出力が衝突する事態を防止できる。
【0102】
また、コモン電圧の極性反転タイミングにおいてDACSWR、DACSWG、DACSWB(或いはSWR、MSWG、SWB)をオフにすることで、図12に示すように、VCOMの極性反転タイミングを含む所与の期間において、データ線をハイインピーダンス状態に設定できる。このようにすれば、対向電圧VCOMの極性反転により駆動回路の出力端子側に流れ込んで来る電荷を、電源側に戻すことが可能になり、低消費電力化を実現できる。
【0103】
なお、本実施形態で説明するスイッチング素子は、図11(B)に示すようなN型トランジスタやP型トランジスタで実現してもよいし、図11(C)に示すようなトランスファーゲート(N型トランジスタとP型トランジスタのドレイン領域及びソース領域を互いに接続することで構成されるゲート)により実現してもよい。
【0104】
7.スイッチング信号生成回路
さて、本実施形態では図11(A)に示すように、表示パネルにデマルチプレクス用のスイッチング素子DSWR、DSWG、DSWBが設けられている。これらのスイッチング素子DSWR、DSWG、DSWBは、一端がデータ線Sに接続され、他端がR、G、B用(広義には第1、第2、第3の色成分用)の各画素に接続されている。即ち、TFT(画素用スイッチング素子)を介してR、G、B用の画素電極(図9のPE−R、PE−G、PE−B)に接続されている。そして、これらのDSWR、DSWG、DSWBは、スイッチング信号生成回路50により生成されるデマルチプレクス用スイッチング信号RSEL、GSEL、BSELによりオン・オフ制御される。
【0105】
図13に、RSEL、GSEL、BSELなどの各種信号のタイミング波形例を示す。
【0106】
図13では、VCOMの極性反転タイミング(水平走査期間の開始タイミング)からRSEL、GSEL、BSELがアクティブになるまでの期間T1、T3、T5と、RSEL、GSEL、BSELがアクティブになってから非アクティブになるまでの期間T2、T4、T6を可変設定できる。また、RSEL、GSEL、BSELが非アクティブになってから、RMUX、GMUX、BMUXが非アクティブになるまでの期間T9や、RMUX、GMUXが非アクティブになってからGMUX、BMUXがアクティブになるまでの期間T10も可変設定できる。なお、RMUXはRSELと同じタイミングでアクティブになる。
【0107】
このように期間T1〜T6を可変に設定できることで、図13のH1に示すように、RSEL、GSEL、BSELのアクティブ期間がオーバラップする期間を設定できるようになる。
【0108】
図14に信号のタイミング波形の他の例を示す。
【0109】
図14では、図13のT1〜T6、T9、T10に加えて、VCOMの極性反転タイミングからスイッチング信号SPTがアクティブになるまでの期間T7と、SPTがアクティブになってから非アクティブになるまでの期間T8を可変設定できる。
【0110】
そして、図14のI1に示すように、スイッチング信号SPTがアクティブになると、図11(A)に示す電圧印加用スイッチング素子PTSWR、PTSWG、PTSWBがオンになる。そして、スイッチング信号SPTがアクティブになる期間において、図14のI2に示すようにパーシャルモード信号PTもアクティブになっている。これにより、ノードN1、N2、N3に対して、信号SCOMの電圧(VCOMと同位相の電圧)が印加されるようになる。そして、この期間において、図14のI3〜I8に示すように、スイッチング信号RSEL、GSEL、BSEL、RMUX、GMUX、BMUXもアクティブになっており、これにより図11(A)のスイッチング素子DSWR、DSWG、DSWB、MSWR、MSWG、MSWBもオンになる。この結果、R用、G用、B用の全ての画素電極に対して、SCOMの電圧(VCOMと同位相の電圧)が印加されるようになり、VCOMの極性反転により変動した画素電極電圧を、SCOMの電圧に設定できるようになる。
【0111】
なお、本実施形態では、図13のH1、図14のI9に示すように、RSEL、GSEL、BSELがアクティブになる期間のオーバラップ期間が、コモン電圧VCOMの極性反転タイミングと、画素電極へのデータ信号の書き込みが確定するタイミング(RSEL、GSEL、BSELが非アクティブになるタイミング)の間に設定されている。
【0112】
図15に、図13、図14に示すスイッチング信号RSEL、GSEL、BSELを生成するスイッチング信号生成回路50の構成例を示す。
【0113】
カウンタ70は、そのクロック端子に信号DCLK(ドットクロック)が入力され、そのリセット端子に信号RESが入力される。ここでDCLKは、期間をカウントするためのクロック信号であり、信号RESは、VCOMの極性反転タイミングでアクティブになるパルス信号である。
【0114】
レジスタREG1〜REG8は、図13、図14の期間T1〜T8を設定するためのレジスタである。これらのレジスタREG1〜REG8への期間T1〜T8の設定は、図1に示すコントローラ540や、外部に設けられたCPU(処理部)により行うことができる。
【0115】
比較回路COMP1〜COMP8は、その第1の入力端子Aに、カウンタ70の出力(カウント値)が入力され、その第2の入力端子Bに、レジスタREG1〜REG8の出力(T1〜T8)が入力され、これらの入力値を比較する。そして、比較回路COMP1〜COMP8の出力CQは、カウンタ70の出力(カウント値)とレジスタREG1〜REG8の出力(T1〜T8)が一致した時にアクティブになる。
【0116】
RS型フリップフロップRS1〜RS4は、そのセット端子Sに、比較回路COMP1、COMP3、COMP5、COMP7の出力CQが入力され、そのリセット端子Rに、比較回路COMP2、COMP4、COMP6、COMP8の出力CQが入力される。そしてRS型フリップフロップRS1〜RS4の出力RQは、セット端子Sの入力がアクティブになった時にアクティブ(Hレベル)になり、リセット端子Rの入力がアクティブになった時に非アクティブ(Lレベル)になる。
【0117】
OR(論理和)回路72、74、76は、その第1の入力端子にRSフリップフロップRS1、RS2、RS3の出力RQが入力され、その第2の入力端子にRSフリップフロップRS4の出力RQが入力され、スイッチング信号RSEL、GSEL、BSELを出力する。
【0118】
スイッチング信号生成回路50に図15に示すような回路を設けることで、RSEL、GSEL、BSEL(第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号)がアクティブになるタイミングや非アクティブになるタイミングを可変に設定できるようになる。
【0119】
図16、図17に、信号のタイミング波形の他の例を示す。
【0120】
図16、図17では、GSEL、BSELが非アクティブになるタイミングが、GMUX、BMUXがアクティブになってからGSEL、BSELが非アクティブになるまでの期間T4、T6により設定されている。なお、図16では、RSEL、GSEL、BSELが同じタイミングでアクティブになるように設定されている。このようにすることで、図13で必要であった期間T3、T5の設定が不要になり、図5のレジスタREG3、REG5を省略できるようになる。
【0121】
8.基準電圧発生回路
図18に、基準電圧発生回路20の構成例を示す。
【0122】
この基準電圧発生回路20は、その7個の電圧分割端子(広義にはM個の電圧分割端子)に電圧V0’、V4’、V13’、V31’、V50’、V59’、V63’(広義にはM個の電圧)を出力する第1の電圧分割回路80を含む。
【0123】
また基準電圧発生回路20は、第1の電圧分割回路からの電圧V0’、V4’、V13’、V31’、V50’、V59’、V63’が各入力端子に入力されるボルテージフォロワ接続の演算増幅器OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、OP6、OP7(広義にはM個のインピーダンス変換回路)を含む。これらの演算増幅器OP1〜OP7は、基準電圧GV0〜GV63を生成するための電圧V0、V4、V13、V31、V50、V59、V63を出力端子に出力する。
【0124】
また基準電圧発生回路20は、その7個の電圧分割端子(広義にはM個の電圧分割端子)に演算増幅器OP1〜OP7の出力端子が接続され、その64個の電圧分割端子(広義にはN個の電圧分割端子)である基準電圧出力端子に基準電圧を出力する第2の電圧分割回路90を含む。
【0125】
なお、図19に示すように、基準電圧発生回路20に、第1の電圧分割回路80を設ける一方で、第2の電圧分割回路90を設けない構成にしてもよい。
【0126】
即ち、図19では、第1の電圧分割回路80が電圧V0’〜V63’を電圧分割端子に出力する。そして、演算増幅器OP1〜OP64(インイーダンス変換回路)の入力端子には、これらの電圧V0’〜V63’が入力される。そして、演算増幅器OP1〜OP64は、基準電圧出力端子に基準電圧GV0〜GV63を出力する。
【0127】
図20に、第1の電圧分割回路80の構成例を示す。
【0128】
この第1の電圧分割回路80は、複数の抵抗素子R1〜R12が電源VDDR、VSS間に直列接続されるラダー抵抗82を有する。そして、そのラダー抵抗82の電圧分割端子VT11〜VT17に電圧V0’、V4’、V13’、V31’、V50’、V59’、V63’を出力する。
【0129】
なお図20において、電圧分割端子VT12〜VT16は、抵抗R2〜R10の各8個のタップから任意のタップを選択することができる電圧分割端子である。どのタップを用いるかは、レジスタ(4ビット)の設定により選択できる。そして、どのタップを選択するかによって、種々のγ補正特性を得ることができる。
【0130】
図21に、第1の電圧分割回路80の他の構成例を示す。
【0131】
図21の第1の電圧分割回路80は、抵抗素子RP1〜RP12が直列接続される正極性用のラダー抵抗84と、抵抗素子RM1〜RM12が直列接続される負極性用のラダー抵抗86を有する。
【0132】
そして、正極性用のラダー抵抗84は、コモン電圧VCOMが正極性となる期間(図2の期間T1)において使用される。一方、負極性用のラダー抵抗86は、VCOMが負極性となる期間(図2の期間T2)において使用される。
【0133】
より具体的には、VCOMの正極期間においては、スイッチング素子SWPがオンになり、SWMがオフになる。また、VDDRには正極性の電圧が与えられる。そして、スイッチング素子SWPM2〜SWPM7が、正極性用のラダー抵抗84の電圧分割端子VTP12〜VTP17と演算増幅器OP1〜OP7の入力端子とを接続する。
【0134】
一方、VCOMの負極期間においては、スイッチング素子SWMがオンになり、SWPがオフになる。また、VDDRには負極性の電圧が与えられる。そして、スイッチング素子SWPM2〜SWPM7が、負極性用のラダー抵抗86の電圧分割端子VTM12〜VTM17と演算増幅器OP1〜OP7の入力端子とを接続する。
【0135】
一般的に、VCOMの正極期間と負極期間とではγ補正特性(階調特性)が非対称になる。そして、このようにγ補正特性が非対称になる場合にも、図21のように正極性用、負極性用のラダー抵抗84、86を設ければ、VCOMの正極期間、負極期間の各期間に最適なγ補正を行うことが可能になる。
【0136】
図22に、第2の電圧分割回路90の構成例を示す。
【0137】
この第2の電圧分割回路90は、複数の抵抗素子R21〜R26が直列接続されるラダー抵抗92を有する。そして、そのラダー抵抗92の電圧分割端子VTR0、VTR4、VTR13、VTR31、VTR50、VTR59、VTR63(広義にはM個の電圧分割端子)には、演算増幅器OP1〜OP7の出力端子が接続される。また、そのラダー抵抗92の電圧分割端子VTR0〜VTR63(広義にはN個の電圧分割端子)である基準電圧出力端子に、基準電圧GV0〜GV63を出力する。
【0138】
なお、電圧分割端子VTR[1:3]、VTR[5:12]・・・は、図23に示すように、抵抗素子R21、R22・・・・を更に抵抗分割することで得られる端子である。
【0139】
図22に示す構成の第2の電圧分割回路90によれば、インピーダンス変換機能を有する演算増幅器OP1〜OP7を利用して、基準電圧GV0〜GV63を供給できる。従って、電圧分割端子VTR0〜VTR63での出力インピーダンスを低くできる。この結果、図9のように出力回路40に演算増幅器を設けない構成の場合にも、比較的短時間で、データ線電圧(画素電極電圧)を所望の階調電圧に設定することが容易になる。
【0140】
図24に、第2の電圧分割回路90の他の構成例を示す。
【0141】
この第2の電圧分割回路90は、抵抗素子RL21〜RL26が直列接続される低抵抗(例えば10KΩ)の第1のラダー抵抗94と、抵抗素子RH21〜RH26が直列接続される高抵抗(例えば20KΩ)の第2のラダー抵抗96を含む。
【0142】
また第2の電圧分割回路90は、第1の抵抗切替用スイッチング部100を含む。この第1の抵抗切替用スイッチング部100は、第1のラダー抵抗94の7個(広義にはM個)の電圧分割端子VTL0、VTL4、VTL13、VTL31、VTL50、VTL59、VTL63と、第2のラダー抵抗96の7個(広義にはM個)の電圧分割端子VTH0、VTH4、VTH13、VTH31、VTH50、VTH59、VTH63のいずれかを、演算増幅器OP1〜OP7(インピーダンス変換回路)の出力端子に接続するスイッチング素子群を含む。
【0143】
また第2の電圧分割回路90は、第2の抵抗切替用スイッチング部102を含む。この第2の抵抗切替用スイッチング部102は、第1のラダー抵抗94の64個(広義にはN個)の電圧分割端子VTL0〜VTL63と、第2のラダー抵抗96の64個(広義にはN個)の電圧分割端子VTH0〜VTH63のいずれかを、64個(広義にはN個)の基準電圧GV0〜GV63の出力端子に接続するスイッチング素子群を含む。
【0144】
なお、第1、第2の抵抗切替用スイッチング部100、102は、演算増幅器OP1、OP7の出力端子を、基準電圧GV0、GV63の出力端子に直接に接続するためのスイッチング素子も含む。
【0145】
また、図24のスイッチング素子SWRLは、低抵抗の第1のラダー抵抗94を使用する時にオンになり、高抵抗の第2のラダー抵抗96を使用する時にオフになる。一方、スイッチング素子SWRHは、高抵抗の第2のラダー抵抗96を使用する時にオンになり、低抵抗の第1のラダー抵抗94を使用する時にオフになる。これらのスイッチング素子SWRL、SWRHを設けることで、無駄な電流が第1、第2のラダー抵抗94、96に流れるのを防止でき、低消費電力化を図れる。
【0146】
また、図24のスイッチング素子SWVSSは、演算増幅器OP7の出力V63を基準電圧GV63として使用せずに、電源VSSの電圧を基準電圧GV63として使用する場合にオンになる。
【0147】
図24に示すような低抵抗の第1のラダー抵抗94と高抵抗の第2のラダー抵抗96を設け、状況に応じて第1、第2のラダー抵抗94、96を切り替えて使用することで、駆動能力の向上と低消費電力化を両立できるようになる。
【0148】
例えば図25では、RSEL、GSEL、BSELのアクティブ期間のオーバラップ期間(オーバラップ期間の前半)において、低抵抗の第1のラダー抵抗94を使用している。一方、オーバラップ期間の後半及びオーバラップ期間終了後の期間においては、高抵抗の第2のラダー抵抗96を使用する。別の言い方をすれば、駆動期間(例えばVCOMの極性反転タイミング間の期間)の前半期間では、低抵抗の第1のラダー抵抗94を使用し、駆動期間の後半期間では、高抵抗の第2のラダー抵抗96を使用する。
【0149】
より具体的には、オーバラップ期間(駆動期間の前半期間)においては、第1の抵抗切替用スイッチング部100が、低抵抗の第1のラダー抵抗94の7個の電圧分割端子VTL0、VTL4、VTL13、VTL31、VTL50、VTL59、VTL63を演算増幅器OP1〜OP7の出力端子に接続する。また、第2の抵抗切替用スイッチング部102が、第1のラダー抵抗94の64個の電圧分割端子VTL0〜VTL63を、基準電圧GV0〜GV63の出力端子に接続する。
【0150】
一方、オーバラップ期間の後半期間及びオーバラップ期間終了後の期間(駆動期間の後半期間)においては、第2の抵抗切替用スイッチング部102が、高抵抗の第2のラダー抵抗96の7個の電圧分割端子VTH0、VTH4、VTH13、VTH31、VTH50、VTH59、VTH63を演算増幅器OP1〜OP7の出力端子に接続する。また、第2の抵抗切替用スイッチング部102が、第2のラダー抵抗96の64個の電圧分割端子VTH0〜VTH63を、基準電圧GV0〜GV63の出力端子に接続する。
【0151】
低抵抗の第1のラダー抵抗94を使用すると、基準電圧出力端子の出力インピーダンスを低くできるという利点がある反面、ラダー抵抗に定常的に流れる電流が増加するという不利点がある。一方、高抵抗の第2のラダー抵抗96を使用すると、ラダー抵抗に定常的に流れる電流を減少できるという利点がある反面、基準電圧出力端子の出力インピーダンスが高くなるという不利点がある。
【0152】
図25に示すように、第1、第2のラダー抵抗94、96を切り替えて使用するようにすれば、ラダー抵抗に流れる電流を最小限に抑えながら、基準電圧出力端子の出力インピーダンスをできる限り低くすることが可能になる。
【0153】
なお、図26に、第1、第2のラダー抵抗94、96の切り替え手法の他の例を示す。図26では、RSEL、GSEL、BSELがアクティブになる期間の前半期間においては、低抵抗の第1のラダー抵抗94を使用し、アクティブ期間の後半期間においては、高抵抗の第2のラダー抵抗96を使用している。前半期間において低抵抗の第1のラダー抵抗94を使用することで、データ線電圧(画素電極電圧)を所望の設定電圧(階調電圧)に短時間で近づけることができる。そして、後半期間において高抵抗の第2のラダー抵抗96を使用することで、ラダー抵抗に流れる電流を減らすことができ、消費電流を低減できる。
【0154】
なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【0155】
例えば、本実施形態では、TFTを用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明の駆動回路を適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、アクティブマトリクス型液晶装置以外の液晶装置に本発明の駆動回路を適用したり、エレクトロルミネッセンス(EL)装置、有機EL装置、プラズマディスプレイ装置などの電気光学装置に本発明の駆動回路を適用することも可能である。
【0156】
また、駆動回路の構成も図10〜図24で説明した構成に限定されず、これらと均等な種々の構成を採用できる。
【0157】
また、本発明は、走査ライン反転駆動に限らず、他の反転駆動方式を採用する場合にも適用可能である。
【0158】
また、明細書中の記載において広義な用語(インピーダンス変換回路、画素用スイッチング素子、電気光学物質、電気光学装置、第1、第2、第3の色成分、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号、第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子、第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング信号等)として引用された用語(演算増幅器、TFT、液晶素子、液晶装置、R、G、B、DSWR、DSWG、DSWB、RSEL、GSEL、BSEL、MSWR、MSWG、MSWB、RMUX、GMUX、BMUX等)は、明細書中の他の記載においても広義な用語に置き換えることができる。
【0159】
また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。また、本発明の1の独立請求項に係る発明の要部を、他の独立請求項に従属させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】電気光学装置(液晶装置)の構成例を示すブロック図である。
【図2】走査ライン反転駆動について説明するための図である。
【図3】出力回路に演算増幅器を含ませた構成の駆動回路について説明するための図である。
【図4】図4(A)、(B)は、データ線電圧の変動について説明するための図である。
【図5】出力回路に演算増幅器を含ませない構成の駆動回路について説明するための図である。
【図6】図6(A)、(B)は、アモルファスシリコンTFTパネルや低温ポリシリコンTFTパネルでのデータ線の接続手法について説明するための図である。
【図7】図7(A)、(B)、(C)は、R、G、B用のデータ信号を多重化して伝送する手法とその問題点について説明するための図である。
【図8】図8(A)、(B)は、デマルチプレクス用スイッチング信号をアクティブにするタイミングと非アクティブにするタイミングを可変制御する手法について説明するための図である。
【図9】デマルチプレクス用スイッチング信号のアクティブ期間のオーバラップ期間において、データ線に所与の設定電圧を印加する手法について説明するための図である。
【図10】駆動回路の構成例を示す図である。
【図11】図11(A)、(B)、(C)は、出力回路及びスイッチング素子の構成例を示す図である。
【図12】コモン電圧の極性反転タイミング時にデータ線をハイインピーダンス状態に設定する手法について説明するための図である。
【図13】デマルチプレクス用スイッチング信号などの各種信号のタイミング波形例を示す図である。
【図14】デマルチプレクス用スイッチング信号などの各種信号のタイミング波形例を示す図である。
【図15】スイッチング信号生成回路の構成例を示す図である。
【図16】デマルチプレクス用スイッチング信号などの各種信号のタイミング波形例を示す図である。
【図17】デマルチプレクス用スイッチング信号などの各種信号のタイミング波形例を示す図である。
【図18】基準電圧発生回路の構成例を示す図である。
【図19】基準電圧発生回路の他の構成例を示す図である。
【図20】第1の電圧分割回路の構成例を示す図である。
【図21】第1の電圧分割回路の他の構成例を示す図である。
【図22】第2の電圧分割回路の構成例を示す図である。
【図23】電圧分割端子について説明するための図である。
【図24】第2の電圧分割回路の他の構成例を示す図である。
【図25】第1、第2のラダー抵抗の切り替え手法について説明するためのタイミング波形例を示す図である。
【図26】第1、第2のラダー抵抗の切り替え手法について説明するための他のタイミング波形例を示す図である。
【符号の説明】
VCOM コモン電圧(対向電極の電圧)
LP 水平同期信号
RSEL、GSEL、BSEL デマルチプレクス用スイッチング信号
RMUX、GMUX、BMUX マルチプレクス用スイッチング信号
DSWR、DSWG、DSWB デマルチプレクス用スイッチング素子
MSWR、MSWG、MSWB マルチプレクス用スイッチング素子
PTSWR、PTSWG、PTSWB 電圧印加用スイッチング素子
OP1〜OP7 演算増幅器(インピーダンス変換回路)
R1〜R12 抵抗素子
VT11〜VT17 電圧分割端子
RP1〜RP12 抵抗素子
RM1〜RM12 抵抗素子
VTP12〜VTP17 電圧分割端子
VTM12〜VTM17 電圧分割端子
SWPM、SWM、SWPM2〜SWPM7 スイッチング素子
R21〜R26 抵抗素子
VTR0〜VTR63 電圧分割端子
VTL0〜VTL63 電圧分割端子
VTH0〜VTH63 電圧分割端子
10 データラッチ
12 レベルシフタ
14 バッファ
20 基準電圧発生回路
30 DAC(デジタル/アナログ変換回路)
40 出力回路
50 スイッチング信号生成回路
80 第1の電圧分割回路
82 ラダー抵抗
84 正極性用ラダー抵抗
86 負極性用ラダー抵抗
90 第2の電圧分割回路
92 第1のラダー抵抗(低抵抗)
94 第2のラダー抵抗(高抵抗)
100 第1の抵抗切替用スイッチング部
102 第2の抵抗切替用スイッチング部
512 表示パネル
520 データ線駆動回路(ソースドライバ)
530 走査線駆動回路(ゲートドライバ)
540 コントローラ
542 電源回路
Claims (4)
- 複数の画素と、複数の走査線と、各データ線が第1、第2、第3の色成分用のデータ信号を多重化して伝達する複数のデータ線と、一端が各データ線に接続され他端が第1、第2、第3の色成分用の各画素に接続される複数の第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子とを有する表示パネルを駆動するための駆動回路であって、
複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
発生された複数の基準電圧を用いて、デジタル階調データをアナログ階調電圧に変換するデジタル/アナログ変換回路と、
一端が、データ線に接続され、他端に、デジタル/アナログ変換回路からの第1、第2、第3の色成分用のアナログ階調電圧が入力される第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子を有し、前記デジタル/アナログ変換回路からのアナログ階調電圧をデータ線に出力する出力回路と、
前記第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング素子をオン・オフ制御するための第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号と、前記第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子をオン・オフ制御する第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング信号を生成するスイッチング信号生成回路とを含み、
前記スイッチング信号生成回路が、
第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号のうちの少なくとも2つのスイッチング信号がアクティブになる期間にオーバラップ期間が設定されるように、前記第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号を生成すると共に、前記第1、第2又は第3のマルチプレクス用スイッチング信号の少なくとも1つを、前記オーバラップ期間においてアクティブにし、
前記出力回路が、
前記オーバラップ期間において、前記基準電圧発生回路からの基準電圧を、前記第1、第2、第3のマルチプレクス用スイッチング素子のうちオンになったスイッチング素子を介してデータ線に出力し、
前記基準電圧発生回路が、
複数の抵抗素子が直列接続されるラダー抵抗を有し、そのラダー抵抗のM個(M≧2)の電圧分割端子にM個の電圧を出力する第1の電圧分割回路と、
前記第1の電圧分割回路からのM個の各電圧が各入力端子に入力され、基準電圧を生成するための各電圧を各出力端子に出力するM個のインピーダンス変換回路と、
複数の抵抗素子が直列接続されるラダー抵抗を有し、そのラダー抵抗のM個の電圧分割端子にM個の前記インピーダンス変換回路の出力端子が接続され、そのラダー抵抗のN個(N≧2×M)の電圧分割端子である基準電圧出力端子に基準電圧を出力する第2の電圧分割回路とを含み、
前記第2の電圧分割回路が、
低抵抗の第1のラダー抵抗と、
高抵抗の第2のラダー抵抗と、
低抵抗の前記第1のラダー抵抗のM個の電圧分割端子と高抵抗の前記第2のラダー抵抗のM個の電圧分割端子のいずれかを、M個の前記インピーダンス変換回路の出力端子に接続する第1の抵抗切替用スイッチング部と、
低抵抗の前記第1のラダー抵抗のN個の電圧分割端子と高抵抗の前記第2のラダー抵抗のN個の電圧分割端子のいずれかを、N個の基準電圧出力端子に接続する第2の抵抗切替用スイッチング部とを含み、
前記第1の抵抗切替用スイッチング部が、
前記オーバラップ期間において、低抵抗の第1のラダー抵抗のM個の電圧分割端子を、M個の前記インピーダンス変換回路の出力端子に接続し、
前記第2の抵抗切替用スイッチング部が、
前記オーバラップ期間において、低抵抗の第1のラダー抵抗のN個の電圧分割端子を、N個の基準電圧出力端子に接続することを特徴とする駆動回路。 - 請求項1において、
前記スイッチング信号生成回路が、
表示パネルの各画素が有する画素電極と電気光学物質を挟んで対向する対向電極の電圧が極性反転するタイミングと、前記画素電極へのデータ信号の書き込みが確定するタイミングとの間に、前記オーバラップ期間が設定されるように、第1、第2、第3のデマルチプレクス用スイッチング信号を生成することを特徴とする駆動回路。 - 請求項1又は2において、
前記スイッチング信号生成回路が、
前記第1のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングと、前記第2のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングと、前記第3のデマルチプレクス用スイッチング信号がアクティブになるタイミング及び非アクティブになるタイミングとを可変に設定する回路を含むことを特徴とする駆動回路。 - 請求項1乃至3のいずれかの駆動回路と、
前記駆動回路により駆動される表示パネルと、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
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