JP3748875B2 - プロトン伝導性高分子、前記高分子を含むプロトン伝導性高分子膜、その製造方法及びその高分子膜を採用した燃料電池 - Google Patents
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Description
。図1で、16はガス注入用溝を有しているカーボンシートを示し、これは集電体機能も行う。
窒素が流れる3口丸底フラスコにデカフルオロフェニル17.05g、4,4−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェノール 17.16g及び無水N,N−ジメチルアセトアミド(Aldrich社製造)350mLを入れ、撹拌して透明な溶液を得た。次に、ポタシウムカーボネート(純正化学製造)を過量に添加した後、前記混合溶液の温度を120℃まで上げて2時間反応させた。反応後、前記溶液を1%酢酸水溶液に入れて白色沈殿物を得、前記で得られた沈殿物を蒸溜水で数回洗浄した後、真空オーブンで24時間乾燥させて白色高分子粉末を得た。前記で得られた高分子粉末2.0gをクロロホルム198mLを含むフラスコに入れた後、溶液を撹拌して透明な溶液を得た。前記溶液に98%発煙硫酸をシリンジを通じてモル比1:10(高分子:発煙硫酸)の割合で徐々に滴加しながら撹拌して2時間反応させた。前記溶液を過量の蒸溜水に徐々に加えて白色沈殿物を得た後、クロロホルムを蒸発させ、pHが7に到るまで蒸溜水で数回洗浄した後、真空オーブンで24時間乾燥させてスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−F)を得た。下記のNMRデータはスルホン化以前のポリ(フッ化芳香族エーテル)に対するデータであるが、スルホン化させた後にはピークが非常に複雑になり、ピークアサインが難しくなるためにスルホン化以前のデータのみを添付した。ただし、スルホン化させるようになれば、スルホン化以前のピークよりダウンフィールド方向にシフトされる。
1H−NMR(CD3COCD3):δ7.337〜7.367(d,4H,Ar−H)、7.483〜7.510(d,4H,Ar−H)
19F−NMR(CD3COCD3):δ−150.618〜−150.569、−135.157〜−135.080、−60.30
前記高分子と発煙硫酸とのモル比が1:20であることを除いては前記実施例1と同じ方法でスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−F)を製造した。
前記高分子と発煙硫酸とのモル比が1:30であることを除いては前記実施例1と同じ方法でスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−F)を製造した。
前記高分子と発煙硫酸との反応時間を1時間としたことを除いては前記実施例2と同じ方法でスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−F)を製造した。
前記高分子と発煙硫酸との反応時間を1時間30分としたことを除いては前記実施例2と同じ方法でスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−F)を製造した。
前記高分子と発煙硫酸との反応時間を3時間としたことを除いては前記実施例2と同じ方法でスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−F)を製造した。
前記高分子と発煙硫酸との反応時間を4時間としたことを除いては前記実施例2と同じ方法でスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−F)を製造した。
4,4−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェノールの代りに4,4−イソプロピリデンジフェノール 2.0gを使用したことを除いては前記実施例2と同じ方法でスルホン化されたポリ(フッ化芳香族エーテル:SDF−H)を得、下記にはスルホン化以前のポリ(フッ化芳香族エーテル)に対するNMRデータを添付した。
1H−NMR(CDCl2CDCl2):δ1.572(s,6H、CH 3 )、6.850〜6.878(d,4H,Ar−H)、7.103〜7.131(d,4H,Ar−H)
19F−NMR(CDCl2CDCl2):δ−150.988〜−150.939、−135.634〜−135.547
前記実施例2で得られた白色粉末1.0gをアセトンに溶解させて得られた透明な溶液をフィルムキャスティングした後、70℃の真空オーブンで乾燥してプロトン伝導性高分子膜を製造した。
まず、SiO2溶液を作るために2mlのTEOS(tetraethyl orthosilicate)溶液、4.7mlの蒸溜水及び0.1M HCl 100mlを3角フラスコに入れ、室内温度で3時間撹拌した。一方、前記実施例1で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gを24時間真空オーブンに乾燥した後、アセトン20gに入れて溶解させた。このように製造された高分子溶液に前記SiO2溶液を質量対比4%に該当する量を滴加しながら撹拌して混合溶液を製造した。このように製造された溶液をテフロン(登録商標)皿に入れて24時間室内温度で乾燥させ、SiO2 4重量%が混合されたプロトン伝導性高分子膜を製造した。
実施例10中の実施例1で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gの代わりに実施例2で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gを用いた以外は、実施例10と同様に行った。
実施例10中の実施例1で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gの代わりに実施例3で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gを用いた以外は、実施例10と同様に行った。
実施例10中の実施例1で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gの代わりに実施例4で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gを用いた以外は、実施例10と同様に行った。
実施例10中の実施例1で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gの代わりに実施例5で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gを用いた以外は、実施例10と同様に行った。
実施例10中の実施例1で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gの代わりに実施例6で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gを用いた以外は、実施例10と同様に行った。
実施例10中の実施例1で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gの代わりに実施例7で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gを用いた以外は、実施例10と同様に行った。
前記実施例8で製造されたスルホン化されたベースポリマー1gをクロロホルム:エタノール(3:7)混合溶媒に溶解させたことを除いては前記実施例10と同じ方法でプロトン伝導性高分子膜を製造した。
比較例1
Napion 117(デュポン社製造)を30体積% H2O2溶液に入れて加熱し、表面の有機物質を除去した後、0.5Mの硫酸に入れ、1時間加熱してNa+をH+に置換し、水で洗浄してプロトン伝導性高分子膜を製造した。
カーボンに白金触媒20%がドーピングされている電極(Bon Enterprises Inc社製造)間に前記実施例9により製造されたプロトン伝導性高分子膜を介在させ、15atmでホットプレシング方法を使用して接合させることによってメンブレイン電極アセンブリ(MEA)を製造した。
実施例18中の実施例9により製造されたプロトン伝導性高分子膜の代わりに、実施例11により製造されたプロトン伝導性高分子膜を用いた以外は、実施例18と同様に行った。
プロトン伝導性高分子膜の吸湿度及びイオン伝導度の測定
前記実施例9〜17及び比較例1により製造されたプロトン伝導性高分子を水に浸漬させた後、重量変化をチェックして吸湿度を測定し、イオン伝導度はインピダンス分析機(Zahner elektrik社製造:IM6)によるNyquist plotでバルクの抵抗を求めた後、下記数式1を利用して測定し、その結果を次の表1に示した。
EPMAによる観察
電子探針マイクロ分析機(Electron Probe Micro Analyser:EPMA、JEOL社製造 JXA−8600)−Si mappingを通じて実施例9及び11により製造されたプロトン伝導性高分子膜の元素の分布図を確認して図2に示した。図2(b)に示したように、本発明によってSiO2が混入されたプロトン伝導性高分子膜はSiO2が均一に分布されていることが分かり、本発明による高分子はSiO2の相溶性が優秀であることが確認できる。
プロトン伝導性高分子膜の熱安定性測定
Dupont TGA(thermogravimetric analyzer)2050を使用して温度を上げながら実施例9及び11により製造されたプロトン伝導性高分子膜の構造が分解される温度を重量の減少で確認し、その結果を図3及び4に示した。図3は、実施例9により製造されたプロトン伝導性高分子膜についての結果であり、324.5℃で−SO3H基が分解され、573.2℃で高分子主鎖が分解されるために高温でも安定であることが分かる。また、実施例11により製造されたプロトン伝導性高分子膜についての結果である図4を見れば、−SO3H基が分解される温度は343.7℃であり、高分子主鎖が分解される温度は641℃であって熱的安定性がさらに高まったことが分かる。これはSiO2を混入した場合にはプロトン伝導性高分子の親水性部分に前記SiO2が結合することによってSiOHを形成し、これは水と強い水素結合をし、これによって熱的安定性が高まるためであると考えられる。
燃料電池セルテスト
実施例18、19及び比較例2により製造された燃料電池に対してセルテストをし、アノード方向には酸素ガスを注入し、カソード方向には水素ガスを注入し、注入速度は300cc/minであった。この時、前記それぞれのガスが加湿器を通過させることによって燃料が乾燥されないようにし、カソード、アノード及びセルの温度は電力制御機(Thyristor Power Regulator:TPR)を利用してそれぞれ別個に調節させた。電流及び電圧に対するデータを得るための方法としては、O.C.V(Open Circuit Voltage)で一定抵抗を得るために反対電流を加え、その度の電流密度対パワー密度、電流密度対電圧、電流対パワー密度値を測定し、その結果を図5ないし9に示した。
Claims (14)
- 前記高分子の数平均分子量が5,000〜1,000,000であることを特徴とする請求項1に記載のプロトン伝導性高分子。
- 前記高分子の当量重さ250〜2,500であることを特徴とする請求項1に記載のプロトン伝導性高分子。
- 請求項1に記載のプロトン伝導性高分子を利用して製造されたことを特徴とするプロトン伝導性高分子膜。
- 全体組成物基準としてSiO2 1〜10重量%をさらに含んで製造されたことを特徴とする請求項4に記載のプロトン伝導性高分子膜。
- 前記高分子の数平均分子量が5,000〜1,000,000であることを特徴とする請求項4に記載のプロトン伝導性高分子膜。
- 前記高分子の当量重さが250〜2,500であることを特徴とする請求項4に記載のプロトン伝導性高分子膜。
- (a)デカフルオロビフェニルとジフェノール誘導体とを有機溶媒に溶解させ、ポタシウムカーボネートを添加した後、撹拌して加熱する段階と、
(b)前記溶液を冷却させた後、酢酸水溶液に入れて高分子を沈殿させる段階と、
(c)前記で得られた高分子を非プロトン性有機溶媒に溶解させた後、強酸基付与剤を滴加してスルホン化する段階と、
(d)前記高分子をアセトンに溶解させた溶液にSiO2溶液 1〜10重量%を滴加した後、均一に分散させ、溶媒を蒸発させて膜を形成する段階と、を含むプロトン伝導性高分子膜の製造方法。 - 前記非プロトン性有機溶媒はクロロホルムまたは1,1,2,2−テトラクロロエタンであることを特徴とする請求項8に記載のプロトン伝導性高分子膜の製造方法。
- 前記強酸基付与剤はクロロスルホン酸、アセチルスルホネートまたは発煙硫酸であることを特徴とする請求項8に記載のプロトン伝導性高分子膜の製造方法。
- 前記スルホン化段階は反応時間及び強酸基付与剤の量を調節することによってスルホン化度を調節することを特徴とする請求項8に記載のプロトン伝導性高分子膜の製造方法。
- 前記スルホン化段階の反応時間は1時間〜4時間であることを特徴とする請求項8に記載のプロトン伝導性高分子膜の製造方法。
- 前記スルホン化段階でプロトン伝導性高分子と強酸基付与剤とのモル比は1:10〜1:30であることを特徴とする請求項8に記載のプロトン伝導性高分子膜の製造方法。
- 請求項4ないし7のうち何れか1項に記載のプロトン伝導性高分子膜を採用して製造されたことを特徴とする燃料電池。
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