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JP3696518B2 - Semiconductor device test jig - Google Patents

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JP3696518B2
JP3696518B2 JP2001088053A JP2001088053A JP3696518B2 JP 3696518 B2 JP3696518 B2 JP 3696518B2 JP 2001088053 A JP2001088053 A JP 2001088053A JP 2001088053 A JP2001088053 A JP 2001088053A JP 3696518 B2 JP3696518 B2 JP 3696518B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラスチックパッケージの底面に接地用電極を備えた半導体装置のテスト治具に関する。
【0002】
【従来の技術】
ICチップをパッケージングした後の出荷前の半導体装置(以下、デバイスと称する。)のファイナルテストにおいて、良品のデバイスを誤って不良品として判定してしまう原因の1つにコンタクト不良がある。コンタクト不良を起こす原因として最も多いのが、バリなどゴミのテスト治具への混入である。
【0003】
テスト治具へのゴミの混入は、以下のようにして発生する。すなわち、ファイナルテスト以前の工程であるパッケージングのモールド形成工程時に、デバイスにバリなどのゴミが付着する。そして、ファイナルテストにおいて、テスト治具にデバイスをセットする際に、このゴミがテスト治具の電気的接続用電極に落下する。
【0004】
テスト治具は、テスト測定時における電気的接続を確実にするために、一般的にデバイスの押圧部材に接続されたバネなどを用いて押さえる構成となっている。したがって、テスト治具にデバイスをセットすると、デバイスの端子及びテスト治具の電極の間にゴミが挟まれて、電気的接続用電極に圧着されてしまう。バリなどのゴミは、一度電気的接続用電極に圧着されてしまうと、容易に外れない。また、バリなどのゴミは、電気的には絶縁物であるため、それ以降に別のデバイスを測定する場合でも、電気的接続が非常に不安定な状態、または最悪オープン状態となってしまう。このため、デバイスそのものは良品であるにも関わらず、不良品と判定されて、ファイナルテストの1回目の検査での不良率は非常に悪くなってしまい、例えば、5〜10%の不良率となってしまう。しかしながら、バリなどのゴミをテスト治具から除去して、不良品となったデバイスに対して、さらに1回〜数回ファイナルテストを行うと、最終的には、不良率は1%以下となる。
【0005】
上記の問題を解決するために、従来、様々技術が提案されている。例えば、実開平4−68385号公報には、デバイスのテスト治具にバリなどのゴミが付着しにくくするための構造として、ニードル(針) 状の接続端子を用いる技術が開示されている。
【0006】
また、特開2000−304806公報の半導体機器のテスト用ソケットでは、デバイスのリード端子とテスト治具の接続用端子が接触する際、こすってゴミ除去を行えるように接続用端子に摺動させる機構が開示されている。
【0007】
さらに、特開2000−228262公報のテストソケットのピン及び溝形成方法では、デバイスのリード端子との接続用端子に横溝と段差を付け、かつ先端部に弾力を持たせる構造にして、ゴミの付着する確率を低減させるとともに、ゴミが付着しても次の段で接触させる構造が開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
高周波半導体装置(以下、高周波デバイスと称する。)には、SiやGaAsを材料に用いた高周波トランジスタを使用し、ギガ帯域(GHz)で動作させるパワーアンプやミキサやローノイズアンプなどがある。これの高周波デバイスの中で、特に高周波パワーアンプICでは、グランド端子の他に、パッケージ底面に大面積のグランド電極(以下、スラグと称する。)が形成されているものがある。このスラグは、接地用として使用するとともに、放熱用の役目も果たす。
【0009】
高周波デバイスのファイナルテスト時には、従来、図17に示した半導体装置テスト治具(以下、テスト治具と称する。)110を使用する。図17は、従来のテスト治具に検査対象である高周波デバイスを装着した状態の上面図及び正面断面図である。図18は、従来のテスト治具に高周波デバイスを装着した際にゴミを挟み込んだ状態を示した正面断面図である。
【0010】
テスト治具110は、高周波デバイスのスラグに当接するグランド台座111、高周波デバイスのリード端子との接続部114、高周波デバイスを押圧するための押圧部材115及び押圧バネ116を備えている。また、接続部114は、絶縁性プリント基板114bの上部に複数の接続用端子114aが形成された構成である。グランド台座111は、高周波デバイスのスラグとの当接する平面を有している。また、グランド台座111と接続部114との間には、凹部117a,117bが設けられている。
【0011】
なお、グランド台座111及び複数の接続用端子114aは、図外の評価装置に接続されている。また、上面図には、押圧部材115及びバネ116は図示していない。
【0012】
高周波デバイス12は、パッケージ底面(下部)に大面積の接地用電極(グランド電極)であるスラグ13を備え、また、左右の側面から突出した複数のリード端子12aを備えている。
【0013】
テスト治具110で高周波デバイス12のファイナルテストを行う場合は、図17に示したように、グランド台座111に高周波デバイス12のスラグ13が当接するように、高周波デバイス12を載置する。また、高周波デバイス12のリード端子12aを、テスト治具110の接続用端子114aに接続する。そして、高周波デバイス12のパッケージ部12bを、押圧部材115で押圧してテスト治具110に固定する。
【0014】
高周波デバイス12のスラグ13は、他のリード端子12aに比べて当接面積が大きいため、スラグ13を当接させるグランド台座111にバリなどのゴミが付着する可能性は非常に高い。よって、この箇所での不良率増大の確率が非常に高い。特に、高周波パワーアンプICのスラグは、電気的には直流並びに高周波信号の基準電位をとるための端子として使用するとともに、前記のように高周波デバイス内で発生した熱を外部に放出するためのヒートシンクとして使用する。そのため、図17に示した高周波デバイス12において、特にスラグ13とテスト治具110のグランド台座111は、密着させる必要がある。
【0015】
しかし、図18に示したように、テスト治具110のグランド台座111とスラグ13との間に、バリなどのゴミ125が挟まれることにより、高周波デバイス12のスラグ13が傾いてグランド台座111と接触すると、当接面積が減り、電気的にも熱的にもデバイスの特性が悪くなる。また、最悪の場合、完全にオープン状態となって、高周波デバイスの持つ本来の特性を引き出すことが不可能となる。このように、高周波デバイスにおいても、バリなどのゴミによって、ファイナルテストで良好な結果が得られずに、不良率がアップするといる問題があった。
【0016】
また、ファイナルテスト時に高周波デバイス12は、上面から押圧部材115によって強く押さえつけられるため、挟み込まれたゴミがテスト治具110のグランド台座111に圧着されてしまう。よって、1度ゴミが付着すると測定中は治具から取れる可能性はほとんど無い。
【0017】
一般にこのバリなどのゴミがテスト治具に付着した場合、清掃が必要となるが、清掃はある特定のロット測定終了後に行い、例えば、有機溶剤を浸した綿棒等を用いたり、ピンセット等を用いたりして付着したゴミを除去する。その後、そのロットにおいて不良判定された高周波デバイスの測定を再度行う。この動作を1回〜数回繰り返すことにより、不良品として判定してしまった良品を拾い上げている。このように、1つの高周波デバイスを複数回測定することとなり、処理能力の低下、さらにはコストアップにつながるという問題があった。
【0018】
これらの問題に対して、前記公報に開示された従来技術は、高周波デバイスのテスト治具には、残念ながら使用できない。すなわち、実開平4−68385号公報のIC実装用ソケットは、デバイスのリード端子に対するもので、かつ当接面積が小さくなることから接続抵抗が高くなってしまい、さらにニードル状のため寄生インダクタンス成分が大きくなる。特に、グランドとの間に発生した寄生インダクタンスが高周波デバイスに悪影響を及ぼすため、高周波特性が劣化するのはもちろんのこと、アンプなどでは発振してしまうことになる。また、高周波デバイスで特に問題となる放熱性が悪くなるという問題が発生する。
【0019】
また、特開2000−304806公報の半導体機器のテスト用ソケットや特開2000−228262公報のテストソケットのピン及び溝形成方法では、高周波デバイスのスラグとの接続に使用できて、また、安定した低寄生インダクタンス成分で、かつ放熱性の良い電気的接続を実現することができない。さらにはテスト治具の機構が複雑となるため、信頼性が悪くかつコストアップとなる。特に、高周波パワーアンプでは、グランド接触の安定性が特性に非常に敏感に影響するため、採用し難い。
【0020】
そこで、本発明は上記の問題を解決するために創作したものであり、その目的は、テスト治具のグランド台座の形状を改良して、放熱性を低下させることなく電気的接続不良を低減させ、かつ治具クリーニングの時間手間などを少なくすることにより、ファイナルテスト工程での検査の効率を向上させるテスト治具を提供するものである。
【0021】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記の課題を解決するための手段として、以下の構成を備えている。
【0022】
(1) 半導体装置のパッケージ底面に設けられた接地用電極との当接面に、曲面を有する形状またはその断面が台形状である複数の凸部または複数の凹部が形成され、さらに、前記複数の凸部の間または前記複数の凹部の底部に貫通孔を備えた接地接続用ブロックと、
前記接地接続用ブロックの貫通孔に通じる第2の貫通孔を備え、前記接地接続用ブロックを着脱可能なベース台座と、
によって構成された台座を備えたことを特徴とする。
【0023】
この構成において、半導体装置テスト治具が備えている台座は、半導体装置のパッケージ底面に設けられた接地用電極との当接面であって、複数の凸部または複数の凹部が形成され、この複数の凸部または複数の凹部は曲面を有する形状またはその断面が台形状であり、さらに、この複数の凸部の間または複数の凹部の底部に貫通孔を備えた接地接続用ブロックと、この接地接続用ブロックの貫通孔に通じる第2の貫通孔を備え、接地接続用ブロックを着脱可能なベース台座と、によって構成されている。したがって、台座の当接面の当接面積を減らすことで、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となり、半導体装置のパッケージ底面と設置接続用ブロックとの当接面積を適度に確保できるので、効率的に放熱できるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、複数の凸部の間または複数の凹部に半導体装置に付着したゴミを落とし込むことが可能となる。さらに、凸部の間または凹部の底面に落下したゴミは、貫通孔及び第2の貫通孔を通って落下するので、第2の貫通孔の下部に容器を設置することで容易にゴミを回収することが可能となる。また、台座の清掃回数を低減することが可能となる。加えて、接地接続用ブロックの当接面が摩耗や傷により劣化したとしても、接地接続用ブロックのみを取り替えればよく、半導体装置テスト治具全体を再度作成しなくても良いため、半導体装置テスト治具のコストダウンが可能である。また、接地接続用ブロックを取り外して清掃を行うことができるので、エアーブローなどで清掃を行っても、テスト治具の他の部位にゴミが付着することがなく容易に清掃ができ、清掃の効率を向上させることが可能となる。
【0032】
(2) 前記凸部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さaの上底、底部側を長さb(≧a)の下底とする台形であることを特徴とする。
【0033】
この構成において、台座の当接面における凸部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さaの上底、底部側を長さb(≧a)の下底とする台形である。したがって、台座の当接部の当接面積減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となり、また、寄生インダクタンスを低減できるとともに、放熱性を向上させることができる。
【0034】
(3) 前記凹部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さcの上底、底部側を長さd(≦c)の下底とする台形状であることを特徴とする。
【0035】
この構成において、台座の当接面における凹部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さcの上底、底部側を長さd(≦c)の下底とする台形状である。したがって、台座の当接部の当接面積減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、放熱性を向上させることができる。
【0036】
(4) 前記凸部は、その形状が半球面状または半円柱状であることを特徴とする。
【0037】
この構成において、台座の当接面における凸部は、その形状が、半球面状または半円柱状である。したがって、台座の凸部が曲面を有する形状であるため、テスト治具において、長期間にわたり、複数の高周波デバイスを押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、半導体装置の接地用電極との当接面は、磨滅してしまうことがほとんどなく、また、複数の凸部を備えているので当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具に付着しにくい構造を実現できる。
【0038】
(5) 前記、複数の半円柱を格子に配置した形状であることを特徴とする。
【0039】
この構成において、半導体装置テスト治具では、複数の半円柱を格子に配置した形状に凸部が形成されている。したがって、台座の凸部が曲面を有する形状であるため、当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具へ付着しにくい構造を実現できる。
【0040】
【発明の実施の形態】
図1は、半導体装置テスト治具のグランド電極構造を説明するための正面断面図である。半導体装置テスト治具(以下、テスト治具と称する。)10は、従来のテスト治具110におけるグランド台座111の構造を改良したものである。
【0041】
テスト治具10は、高周波デバイスのスラグを当接するグランド台座11、高周波デバイスのリード端子との接続部15、高周波デバイスを押圧するための押圧部材16及び押圧バネ17を備えている。また、接続部15は、絶縁性プリント基板15bの上部に複数の接続用端子15aが形成された構成である。また、グランド台座11と接続部15との間には、凹部17a,17bが設けられている。
【0042】
グランド台座11は、高周波デバイス12のスラグ13との当接する平面を有しており、この当接面に複数の凸部14を形成した形状である。複数の凸部14は、上部は平面で、それぞれ同じ高さであり、所定の間隔で配置されている。なお、グランド台座11及び複数の接続用端子15aは、従来のテスト治具110と同様に、図外の評価装置に接続されている。また、グランド台座21は、例えば、真鍮やアルミなど導電性のものを材質としている。
【0043】
テスト治具10で高周波デバイス12のファイナルテストを行う場合は、図1に示したように、グランド台座11における複数の凸部14の上面に高周波デバイス12のスラグ13が当接するように、高周波デバイス12を載置する。また、高周波デバイス12のリード端子12aを、テスト治具10の接続用端子15aに接続する。そして、図外の押圧部材で高周波デバイス12の上面を押圧して、半導体装置テスト治具110に対して固定する。
【0044】
〔第1形態〕
次に、第1形態に係るテスト治具10のグランド台座の具体的な形状について説明する。図2は、角柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図3は、高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【0045】
図1に示したように、第1形態において、テスト治具10のグランド台座における凸部の垂直方向の断面形状は台形である。また、その具体的な例として、図2に示したグランド台座21には、高周波デバイス12のスラグ13との当接面において、複数の溝23を設けることによって、複数の凸部22が形成されている。
【0046】
凸部22は、当接面側を長さaの上底、底部側を長さb(≧a)の下底とする台形状である垂直方向の断面を有する角柱である。また、複数の凸部22は、それぞれ所定の間隔をおいて平行に配置されている。
【0047】
凸部22の形状を上記のようにすることで、以下のような効果がある。すなわち、断面を台形状として、スラグとの当接面の長さ(上底の長さa)をできるだけ短くして、グランド台座の当接面の当接面積を減らすことで、バリなどのゴミが付着する確率を低減することができる。また、寄生インダクタンスをできるだけ減らすため、また、放熱性を良好にするためにも、凸部22は上記の形状が望ましい。
【0048】
図3に示したように、溝23は、ファイナルテストの際に高周波デバイスに付着したバリなどのゴミ24が落下した場合に、このゴミを落とし込むために設けたものである。
【0049】
ファイナルテスト以前の工程から高周波デバイス12に付着して持ち込まれたバリなどのゴミ24は、テスト治具10への高周波デバイス12装着時に、多くはテスト治具10のグランド台座21に設けられた凸部22と別の凸部22との間の溝(凹部)23に落下する。よって、テスト治具10のグランド台座21の当接面と、高周波デバイス12のスラグ13と、の間にゴミ24が挟まれることが非常に少なくなり、テスト時における接触不良による不良率増大の問題を解決することができる。
【0050】
なお、従来、ロット1回目の検査時不良率が5〜10%という高い値であったが、第1形態をファイナルテストに適用することで、1回の検査で従来の最終不良率である1パーセント以下となった。
【0051】
また、溝23に落ちたゴミは検査時に圧着されていないため、エアーブローなどで簡単に除去清掃することができ、新たなロットにおけるデバイスのテスト測定時へスムーズに移行できる。
【0052】
さらに、このようなグランド台座形状であるため、高周波デバイスのスラグ面と治具グランド台座の当接面との当接面積も適度に確保できることから、電気的に安定した接続が得られるとともに、前記のように、高周波デバイスからスラグを介して治具に伝わった熱を効率的に放熱できるという利点も維持することができる。
【0053】
次に、凸部形状の変形した他の例を図4に基づいて説明する。図4は、突起状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図4に示したグランド台座31は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、格子状の溝33を設けることによって、突起状の複数の凸部32を形成した形状である。
【0054】
凸部32は、その形状が、一辺の長さbの正方形である底面と、一辺の長さa(≦b)の正方形である上面(当接面)と、が平行な切頭四角錐(角錐台)である。したがって、凸部32の断面形状は、当接面側が長さaの上底、底部側が長さb(≧a)の下底である台形となる。複数の凸部32は、上記のように格子状の溝33をおいて等間隔に設けられている。
【0055】
次に、凸部形状を変形した別の例を図5に基づいて説明する。図5は、格子状の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図5に示したグランド台座41は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、切頭四角錐状の凹部43を複数設けることにより、格子状の凸部42を形成したものである。
【0056】
凹部43は、その形状が、一辺の長さdの正方形である底面と、一辺の長さc(≧d)の正方形である上面(当接面)と、が平行な切頭四角錐(角錐台)である。したがって、凹部43の断面形状は、当接面側が長さcの上底、底部側が長さd(≦c)の下底である台形となる。複数の凹部43は、上記のように格子状の凸部42をおいて等間隔に設けられている。
【0057】
なお、テスト治具10のグランド台座における当接面の形状は、図2、図4及び図5に示した凸部及び凹部の形状に限るものではなく、様々な変形例が考えられる。例えば、図5に示した凹部の当接面側の形状を、三角形、六角形、円形などにしてもよい。
【0058】
〔第2形態〕
次に、第2形態に係るテスト治具のグランド台座形状を説明する。図6は、第2形態に係るテスト治具のグランド台座形状を示した正面断面図である。図7は、半円柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図8は、半球形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図9は、高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【0059】
図6に示したように、第2形態において、テスト治具10のグランド台座における凸部の垂直方向の断面形状は半円である。これにより、第1形態と比較して平らな面が少なくなることにより、高周波デバイス12のスラグ13とグランド台座との間に、バリなどのゴミを挟み込むことによる不具合の発生を、さらに低減することが可能となる。
【0060】
図6に示した凸部の具体的な例である図7に示したグランド台座61は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、複数の溝63を設けることによって、垂直方向の断面が半円形状で、水平方向の断面を底面とした半円柱である複数の凸部62が形成されている。なお、グランド台座61の両端部には、高周波デバイス12の底部におけるスラグ13ではない部分が当接するため、断面が台形状の角柱65を設けて、高周波デバイス12を保持する構造である。
【0061】
次に、凸部形状を変形した他の例を図8に基づいて説明する。図8に示したグランド台座71は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、格子状の溝73を設けることによって、断面を底面とする半球形状の複数の凸部72を複数形成した形状である。なお、グランド台座71の当接面における両端部には、高周波デバイス12の底部におけるスラグ13ではない部分が当接するため、垂直方向の断面が台形状の角柱75を設けて、高周波デバイス12を保持する構造である。
【0062】
2形態においても第1形態と同様の効果が得られる。すなわち、図9に示したように、ファイナルテスト以前の工程から高周波デバイス12に付着して持ち込まれたバリなどのゴミ64は、テスト治具10への高周波デバイス12装着時に、テスト治具10のグランド台座21に設けられた溝63に落下する。よって、テスト治具10のグランド台座21の当接面と、高周波デバイス12のスラグ13と、の間にゴミ24が挟まれることが非常に少なくなり、テスト時における接触不良による不良率増大の問題を解決することができる。
【0063】
また、溝63に落ちたゴミは検査時に圧着されていないため、エアーブローなどで簡単に除去清掃することができ、新たなロットにおけるデバイスのテスト測定時へスムーズに移行できる。
【0064】
さらに、このような形状のグランド台座をテスト治具10は備えているので、高周波デバイス12のスラグ13とテスト治具10におけるグランド台座の当接面との当接面積も適度に確保できることから、電気的に安定した接続が得られるとともに、前記のように、高周波デバイスからスラグを介して治具に伝わった熱を効率的に放熱できるという利点も維持することができる。
【0065】
加えて、第2形態においては、グランド台座の凸部が曲面を有する形状であるため、テスト治具10において、長期間にわたり、複数の高周波デバイス12を図外の押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、従来技術のニードル状形状と比較して、高周波デバイス12のスラグ13との当接面は、磨滅してしまうことがほとんどない。また、複数の凸部を備えているので当接面積も確保できる。よって、高周波デバイス12で最も重要な低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミの付着しにくい構造を実現できる。
【0066】
なお、テスト治具10のグランド台座における当接面の形状は、図7及び図8に示した凸部の形状に限るものではなく、様々な変形例が考えられる。例えば、図示は省略するが、図5に示した格子状の凸部における垂直方向の断面形状を半円形として、半円柱を格子状に配置した凸部形状などが考えられる。
【0067】
なお、第1形態及び第2形態に示したグランド台座は、金属ブロックの削り出し加工や鋳造によって形成することができる。
【0068】
〔第3形態〕
次に、本発明の第3形態に係るテスト治具のグランド台座構造を説明する。図10は、第3形態に係るテスト治具のグランド台座構造を示した正面断面図である。図11は、第3形態の半導体テスト治具におけるグランド台座の斜視図及び上面図である。
【0069】
図10及び図11に示したように、グランド台座の凹部の底面または複数の凸部の間に設けた溝の底面に、所定の深さの穴または貫通孔96を複数設けている。これにより、凹部(溝)94に落下したゴミは、さらに貫通孔96に落下させることができるので、凹部におけるゴミの蓄積を抑制することができる。また、グランド台座の内側に空洞97を設け、ゴミを回収するための容器などを空洞97に設置することで、グランド台座93の下部からゴミを回収できるようにすることもできる。
【0070】
なお、図11に示した垂直方向の断面形状が台形のグランド台座に限るものではなく、第1形態及び第2形態で図示した形状や、他の形状のものが適用可能である。
【0071】
また、図11には、溝103の底面に複数の貫通孔104を設けた例を示したが、これに限るものではなく、例えば、溝103における底面の略全域を開口部とする貫通孔を設けても良い。
【0072】
〔第4形態〕
次に、第4形態に係るテスト治具のグランド台座の形状について説明する。図12は、第4形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。図13は、第4形態のテスト治具におけるグランド台座の構造を示した斜視図である。図14は、第4形態のテスト治具における別のグランド台座の構造を示した斜視図である。
【0073】
図12に示したように、グランド台座131は、ベース台座132及び接地接続用ブロックであるブロック133によって構成される。
【0074】
ベース台座132は、上部が平面であり、ブロック133を着脱可能に積載する。ブロック133は、上部が高周波デバイス12のスラグ13との当接面であり、複数の凸部14または複数の凹部(溝)が備えている。また、ブロック133の下部(底面)は、その面積がベース台座132の上面と略等しい平面であり、ベース台座にブロック133を搭載した際には、ベース台座132の上面と密着する。
【0075】
図2に示したグランド台座21に本形態を適用すると、図13に示したように、ベース台座142とブロック143で構成したグランド台座141のような構成となる。また、図5に示したグランド台座41に本形態を適用すると、図14に示したように、ベース台座152とブロック153で構成したグランド台座151のような構成となる。
【0076】
ブロックの材質は例えば真鍮やアルミなどの導電性材質の金属ブロックを用いるとよい。また、図14に示した格子状のブロック153の場合、所定の厚みの金属シートを打ち抜き加工することで簡単に形成可能であり、製造費のコストダウンが図れる。この場合、凸部154の上面側の長さa(上底)と、凸部154の底面側の長さb(下底)と、は等しくなる。しかし、凸部154のスラグ13に対する当接面積が大きいため、問題は発生しない。
【0077】
第4形態においては、第1形態及び第2形態と同様の効果が得られる。また、それに加えて、テスト治具10において、長期間にわたり、複数の高周波デバイスを押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、従来技術のニードル状形状と比較して、高周波デバイス12のスラグ13との当接面が摩耗や傷により劣化したとしても、ブロックのみを取り替えればよいため、テスト治具10のコストダウンも可能である。
【0078】
さらに、溝23に落ちたゴミを除去する際に、ブロックを取り外して清掃を行うことができるので、エアーブローなどで清掃を行ってもテスト治具10の他の部位にゴミが付着することがなく、容易に清掃ができ、新たなロットにおけるデバイスのテスト測定へよりスムーズに移行できる。
【0079】
なお、当接面の形状としては、第1形態及び第2形態で説明した形状や他の形状が適用可能である。
【0080】
〔第5形態〕
次に、第5形態に係るテスト治具のグランド台座の形状について説明する。図15は、第5形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。図16は、第5形態のテスト治具におけるグランド台座の外観を示した斜視図である。
【0081】
5形態のテスト治具のグランド台座は、第4形態のグランド台座を構成するブロック及びベース台座にゴミを落とし込む貫通孔を設けた構成である。図15に示したように、グランド台座161は、ベース台座162及び接地接続用ブロックであるブロック163によって構成される。
【0082】
ベース台座152は、上部が平面であり、ブロック163を載置可能である。ブロック163は、上部が高周波デバイス12のスラグ13との当接面であり、複数の凸部14または複数の凹部(溝)が備えている。また、ブロック163の下部(底面)は、その外周の大きさがベース台座162の上面外周の大きさと略等しい平面であり、ベース台座にブロック163を搭載した際には、ベース台座162の上面と密着する。さらに、ブロック163は、凹部または溝164の底面に、複数の貫通孔166を備えている。
【0083】
また、ベース台座152は、上面に1つまたは複数の貫通孔を備えている。例えば、ベース台座152の上面が図15のA−A’に示した位置の場合、ベース台座152は上面に複数の貫通孔168を備え、内側に空洞167を備えている。ベース台座162にブロック163を載置した際に、ブロック163が備える複数の貫通孔168の下面側開口部と、ベース台座162が備える複数の貫通孔168の上面側開口部と、はそれぞれ一致するように配置されて、貫通孔166と貫通孔168とは通じている。
【0084】
また、ベース台座152の上面が図15のB−B’に示した位置の場合、ベース台座152は、上面側に1つの開口部を備えた貫通孔である空洞167を備えている。ベース台座162にブロック163を載置した際に、ベース台座162の上面開口部はブロック163の各貫通孔166の下面側開口部を封止せず、各開口部に通じるようになっている。
【0085】
よって、凹部(溝)164に落下したゴミは、貫通孔166を通って、または貫通孔166と貫通孔168とを通って、空洞167に落下するので、ゴミを回収するための容器などを空洞167に設置することで、グランド台座161の下部からゴミを回収できるようにすることが可能となる。
【0086】
図13に示したグランド台座141に本形態を適用すると、図16に示したように、ベース台座172とブロック173を備えたグランド台座171のような構成となる。
【0087】
5形態では、第3形態において得られる効果に加えて、第4形態において得られる効果を得ることができる。
【0088】
なお、本形態におけるブロックの当接面の形状は、第1形態及び第2形態で説明した形状や、他の形状が適用可能である。
【0089】
また、図15においては、ベース台座162及びブロック163が共に貫通孔を備えた構成を示したが、ブロック163における凹部の底面、または複数の凸部の間に設けた溝の底面にのみ、所定の深さの穴を複数備えた構成であってもよい。この場合、所定の深さの穴にゴミを蓄積することが可能であり、テスト治具10における清掃回数を削減することができる。また、ブロック163を取り外して、容易にエアーブローなどを用いて清掃することができ、清掃の効率が向上する。
【0090】
以上に説明したグランド台座構造を有するテスト治具を使用して高周波デバイスのファイナルテストを行うことで、高周波デバイスに付着したバリなどのゴミを凹部に落とし込む構造により、デバイスとの間に挟み込まれることが大幅に減少する。よって、ファイナルテスト時の不良率増大を回避でき、再測定を行わなければならない高周波テバイスの個数を低減することができる。また、テスト治具をクリーニングする頻度の減少及びクリーニング作業の簡素化を実現することにより、ファイナルテストに係る時間及びコストを大幅に低減することができる。さらに、以上に説明したグランド台座構造を導入したテスト治具の製造は容易であり、構造も簡単であることから、安価で信頼性の高いテスト治具を提供できるとともに、テスト効率をアップできる。
【0091】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果が得られる。
【0092】
(1) 半導体装置テスト治具は、台座の当接面の当接面積を減らすことで、バリなどのゴミが付着する確率を低減することができ、半導体装置のパッケージ底面と設置接続用ブロックとの当接面積を適度に確保できるので、効率的に放熱できるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、複数の凸部の間または複数の凹部に半導体装置に付着したゴミを落とし込むことができる。さらに、凸部の間または凹部の底面に落下したゴミは、貫通孔及び第2の貫通孔を通って落下するので、第2の貫通孔の下部に容器を設置することで容易にゴミを回収することができる。また、台座の清掃回数を低減することができる。加えて、接地接続用ブロックの当接面が摩耗や傷により劣化したとしても、接地接続用ブロックのみを取り替えればよく、半導体装置テスト治具全体を再度作成しなくても良いため、半導体装置テスト治具のコストダウンができる。また、接地接続用ブロックを取り外して清掃を行うことができるので、エアーブローなどで清掃を行っても、テスト治具の他の部位にゴミが付着することがなく容易に清掃ができ、清掃の効率を向上できる。
【0097】
(2) 台座の当接面における凸部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さaの上底、底部側を長さb(≧a)の下底とする台形であるため、台座の当接部の当接面積減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となり、また、寄生インダクタンスを低減できるとともに、放熱性を向上できる。
【0098】
(3) 台座の当接面における凹部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さcの上底、底部側を長さd(≦c)の下底とする台形であるので、台座の当接部の当接面積減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することができるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、放熱性を向上させることができる。
【0099】
(4) 台座の当接面における凸部は、その形状が、半球面状または半円柱状であることにより、台座の凸部が曲面を有する形状であるため、テスト治具において、長期間にわたり、複数の高周波デバイスを押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、半導体装置の接地用電極との当接面は、磨滅してしまうことがほとんどなく、また、複数の凸部を備えているので当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具に付着しにくい構造を実現できる。
【0100】
(5) 半導体装置テスト治具では、複数の半円柱を格子に配置した形状に凸部が形成されているので、台座の凸部が曲面を有する形状であり、当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具へ付着しにくい構造を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】導体装置テスト治具のグランド電極構造を説明するための正面断面図である。
【図2】角柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図3】高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【図4】突起状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図5】格子状の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図6】第2形態に係るテスト治具のグランド台座形状を示した正面断面図である。
【図7】半円柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図8】半球形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図9】高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【図10】第3形態に係るテスト治具のグランド台座構造を示した正面断面図である。
【図11】第3形態の半導体テスト治具におけるグランド台座の斜視図及び上面図である。
【図12】第4形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。
【図13】第4形態のテスト治具におけるグランド台座の構造を示した斜視図である。
【図14】第4形態のテスト治具における別のグランド台座の構造を示した斜視図である。
【図15】第5形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。
【図16】第5形態のテスト治具におけるグランド台座の外観を示した斜視図である。
【図17】従来のテスト治具に検査対象である高周波デバイスを装着した状態の上面図及び正面断面図である。
【図18】従来のテスト治具に高周波デバイスを装着した際にゴミを挟み込んだ状態を示した正面断面図である。
【符号の説明】
10−半導体装置テスト治具
12−半導体装置
13−接地用電極(スラグ)
14−凹部
131−台座
132−ベース台座
133−接地接続用ブロック
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a test jig for a semiconductor device having a grounding electrode on the bottom surface of a plastic package.
[0002]
[Prior art]
In a final test of a semiconductor device (hereinafter referred to as a device) before shipping after packaging an IC chip, one of the causes for erroneously determining a non-defective device as a defective product is a contact failure. The most common cause of contact failure is the entry of dust and other debris into the test jig.
[0003]
The contamination of the test jig occurs as follows. That is, dust, such as burrs, adheres to the device during the packaging mold formation process, which is a process before the final test. In the final test, when the device is set on the test jig, the dust falls on the electrical connection electrode of the test jig.
[0004]
The test jig is generally configured to press using a spring or the like connected to a pressing member of the device in order to ensure electrical connection during test measurement. Therefore, when a device is set on the test jig, dust is sandwiched between the terminal of the device and the electrode of the test jig and is crimped to the electrical connection electrode. Debris such as burrs cannot be easily removed once they are crimped to the electrical connection electrode. In addition, since dust such as burrs is an electrically insulating material, even when another device is measured thereafter, the electrical connection becomes extremely unstable or the worst open state. For this reason, although the device itself is a non-defective product, it is determined as a defective product, and the defective rate in the first inspection of the final test becomes very bad. For example, the defective rate is 5 to 10%. turn into. However, if dust such as burrs is removed from the test jig and the final device is subjected to a final test once to several times, the defect rate will eventually be 1% or less. .
[0005]
Conventionally, various techniques have been proposed in order to solve the above problems. For example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 4-68385 discloses a technique using a needle-like connection terminal as a structure for making it difficult for dust such as burrs to adhere to a test jig of a device.
[0006]
Further, in the test socket for semiconductor devices disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-304806, when the device lead terminal comes into contact with the connection terminal of the test jig, a mechanism for sliding the connection terminal so that dust can be removed by rubbing. Is disclosed.
[0007]
Further, in the test socket pin and groove forming method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-228262, dust is attached to the terminal for connection with the lead terminal of the device by providing a lateral groove and a step and having elasticity at the tip. The structure which makes it contact in the next step even if dust adheres is disclosed.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
High-frequency semiconductor devices (hereinafter referred to as high-frequency devices) include power amplifiers, mixers, low-noise amplifiers, and the like that use a high-frequency transistor using Si or GaAs as a material and operate in a giga band (GHz). Among these high-frequency devices, in particular, high-frequency power amplifier ICs have a large-area ground electrode (hereinafter referred to as slug) formed on the bottom of the package in addition to the ground terminal. The slag is used for grounding and also serves for heat dissipation.
[0009]
Conventionally, a semiconductor device test jig (hereinafter referred to as a test jig) 110 shown in FIG. 17 is used during a final test of a high-frequency device. FIG. 17 is a top view and a front sectional view of a state in which a high-frequency device to be inspected is mounted on a conventional test jig. FIG. 18 is a front sectional view showing a state in which dust is sandwiched when a high-frequency device is mounted on a conventional test jig.
[0010]
The test jig 110 includes a ground pedestal 111 that contacts the slug of the high-frequency device, a connection portion 114 with a lead terminal of the high-frequency device, a pressing member 115 and a pressing spring 116 for pressing the high-frequency device. The connection portion 114 has a configuration in which a plurality of connection terminals 114a are formed on the insulating printed board 114b. The ground pedestal 111 has a flat surface that comes into contact with the slag of the high-frequency device. In addition, recesses 117a and 117b are provided between the ground pedestal 111 and the connection portion 114.
[0011]
The ground pedestal 111 and the plurality of connection terminals 114a are connected to an evaluation device (not shown). Further, the pressing member 115 and the spring 116 are not shown in the top view.
[0012]
The high-frequency device 12 includes a slug 13 that is a large-area grounding electrode (ground electrode) on the bottom surface (lower part) of the package, and a plurality of lead terminals 12a that protrude from the left and right side surfaces.
[0013]
When performing a final test of the high-frequency device 12 using the test jig 110, the high-frequency device 12 is placed so that the slug 13 of the high-frequency device 12 contacts the ground pedestal 111 as shown in FIG. Further, the lead terminal 12 a of the high-frequency device 12 is connected to the connection terminal 114 a of the test jig 110. Then, the package portion 12 b of the high-frequency device 12 is pressed by the pressing member 115 and fixed to the test jig 110.
[0014]
Since the contact area of the slag 13 of the high-frequency device 12 is larger than that of the other lead terminals 12a, there is a very high possibility that dust such as burrs will adhere to the ground pedestal 111 with which the slag 13 is contacted. Therefore, the probability of the defect rate increase at this location is very high. In particular, the slag of the high-frequency power amplifier IC is used as a terminal for electrically taking a reference potential of a direct current and a high-frequency signal, and a heat sink for releasing the heat generated in the high-frequency device as described above. Use as For this reason, in the high-frequency device 12 shown in FIG. 17, the slag 13 and the ground pedestal 111 of the test jig 110 need to be in close contact with each other.
[0015]
However, as shown in FIG. 18, dust 125 such as burrs is sandwiched between the ground pedestal 111 of the test jig 110 and the slag 13, so that the slag 13 of the high-frequency device 12 tilts and the ground pedestal 111 and When contacted, the contact area is reduced, and the characteristics of the device are deteriorated both electrically and thermally. In the worst case, it becomes completely open and it is impossible to draw out the original characteristics of the high-frequency device. As described above, even in the high-frequency device, there is a problem that due to dust such as burrs, a good result cannot be obtained in the final test and the defect rate is increased.
[0016]
Further, since the high-frequency device 12 is strongly pressed by the pressing member 115 from the upper surface during the final test, the dust that has been sandwiched is pressed against the ground base 111 of the test jig 110. Therefore, once dust is attached, there is almost no possibility of being removed from the jig during measurement.
[0017]
Generally, when dust such as burrs adheres to the test jig, it is necessary to clean it. However, cleaning should be done after measurement of a specific lot, for example, using a cotton swab dipped in an organic solvent or using tweezers. Remove the adhering dust. Thereafter, the high-frequency device determined to be defective in the lot is measured again. By repeating this operation once to several times, non-defective products that have been determined as defective products are picked up. As described above, one high-frequency device is measured a plurality of times, and there is a problem in that the processing capacity is lowered and the cost is increased.
[0018]
Unfortunately, the prior art disclosed in the above publication cannot be used as a test jig for high-frequency devices. That is, the IC mounting socket disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 4-68385 is for the lead terminal of the device, and since the contact area is small, the connection resistance is high, and the parasitic inductance component is caused by the needle shape. growing. In particular, since the parasitic inductance generated between the ground and the high frequency device adversely affects the high frequency device, not only the high frequency characteristics deteriorate, but also the amplifier oscillates. Moreover, the problem that the heat dissipation which becomes a problem especially with a high frequency device worsens generate | occur | produces.
[0019]
In addition, in the test socket for semiconductor devices disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-304806 and the test socket pin and groove forming method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-228262, it can be used for connection with a slag of a high-frequency device, and stable low An electrical connection with a parasitic inductance component and good heat dissipation cannot be realized. Furthermore, since the mechanism of the test jig is complicated, the reliability is poor and the cost is increased. In particular, high-frequency power amplifiers are difficult to employ because the stability of the ground contact affects the characteristics very sensitively.
[0020]
Therefore, the present invention was created to solve the above problems, and its purpose is to improve the shape of the ground pedestal of the test jig so as to reduce electrical connection failures without reducing heat dissipation. Further, the present invention provides a test jig that improves the efficiency of inspection in the final test process by reducing the time and labor of jig cleaning.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration as means for solving the above problems.
[0022]
  (1) Contact with the grounding electrode provided on the bottom of the package of the semiconductor deviceA surface with a curved surface or a cross-section with a trapezoidal shape.Number of convex parts or multiple concave partsFurther, a ground connection block having a through hole between the plurality of convex portions or at the bottom of the plurality of concave portions, and
  A base pedestal comprising a second through hole communicating with the through hole of the ground connection block, and the detachable base connection block;
  With pedestal composed byIt is characterized by that.
[0023]
  In this configuration, the semiconductor device test jigPedestal providedIs a contact surface with the grounding electrode provided on the bottom surface of the package of the semiconductor device, and has a plurality of convex portions or a plurality of concave portions.The plurality of convex portions or the plurality of concave portions are formed in a shape having a curved surface or a cross-section of which has a trapezoidal shape, and further has a through hole between the plurality of convex portions or at the bottom of the plurality of concave portions. And a base pedestal that includes a second through hole that communicates with the through hole of the ground connection block and to which the ground connection block can be attached and detached.ing. Therefore, by reducing the contact area of the contact surface of the pedestal, it is possible to reduce the probability that dust such as burrs will adhere.In addition, the contact area between the bottom surface of the semiconductor device package and the installation connection block can be secured appropriately, so that heat can be dissipated efficiently and parasitic inductance can be reduced.The In addition, it is possible to drop dust attached to the semiconductor device between the plurality of convex portions or the plurality of concave portions.Furthermore, since the dust that falls between the convex parts or the bottom surface of the concave part falls through the through hole and the second through hole, the garbage can be easily collected by installing a container below the second through hole. It becomes possible to do. Moreover, it becomes possible to reduce the frequency | count of cleaning of a base. In addition, even if the contact surface of the ground connection block has deteriorated due to wear or scratches, only the ground connection block need be replaced, and the entire semiconductor device test jig need not be recreated. The cost of the test jig can be reduced. Also, since the ground connection block can be removed for cleaning, even if cleaning is performed with air blow, dust can be easily removed from other parts of the test jig, and Efficiency can be improved.
[0032]
  (2) The protrusion has a trapezoidal shape in which a cross-sectional shape has an upper base of a length a on a contact surface side with the ground electrode and a lower base of a length b (≧ a) on a bottom side. To do.
[0033]
  In this configuration, the convex portion on the contact surface of the pedestal has a cross-sectional shape such that the contact surface side with the grounding electrode is the upper base of the length a, and the bottom side is the lower base of the length b (≧ a). It is a trapezoid. Therefore, the contact area of the contact part of the baseButIt is possible to reduce the probability that dust such as burrs adheres, reduce parasitic inductance, and improve heat dissipation.
[0034]
  (3) The recess has a trapezoidal shape with a cross-sectional shape having an upper base of a length c on the contact surface side with the ground electrode and a lower base of a length d (≦ c) on the bottom side. To do.
[0035]
  In this configuration, the recess in the contact surface of the pedestal has a cross-sectional shape in which the contact surface side with the grounding electrode is the upper base of the length c and the bottom portion side is the lower base of the length d (≦ c). It is trapezoidal. Therefore, the contact area of the contact part of the baseButAs a result, the probability that dust such as burrs adheres can be reduced, and the parasitic inductance can be reduced. Moreover, heat dissipation can be improved.
[0036]
  (Four) The convex portion has a hemispherical shape or a semi-cylindrical shape.
[0037]
In this configuration, the convex portion on the contact surface of the pedestal has a hemispherical shape or a semi-cylindrical shape. Therefore, since the convex part of the pedestal has a curved surface, even if a test jig is used to test a plurality of high-frequency devices by pressing with a pressing member over a long period of time, The contact surface is hardly worn away, and since it has a plurality of convex portions, the contact area can be secured, while maintaining low parasitic inductance and heat dissipation in the semiconductor device, It is possible to realize a structure in which dust such as is difficult to adhere to the semiconductor device test jig.
[0038]
  (Five) SaidConvexPartIsMultiple semi-cylinderslatticeConditionIs the shape placed inIt is characterized by that.
[0039]
  In this configuration, the semiconductor device test jig includes a plurality of semi-cylinders.latticeConditionTo the shape placed inConvex is formedPleaseYes. Therefore, since the convex part of the pedestal has a curved surface, a contact area can be secured, and dust such as burrs is transferred to the semiconductor device test jig while maintaining low parasitic inductance and heat dissipation in the semiconductor device. A structure that is difficult to adhere can be realized.
[0040]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  Figure 1HalfIt is front sectional drawing for demonstrating the ground electrode structure of a conductor apparatus test jig | tool.. HalfA conductor device test jig (hereinafter referred to as a test jig) 10 is an improvement of the structure of the ground pedestal 111 in the conventional test jig 110.
[0041]
The test jig 10 includes a ground pedestal 11 that abuts the slug of the high-frequency device, a connection portion 15 with a lead terminal of the high-frequency device, a pressing member 16 and a pressing spring 17 for pressing the high-frequency device. The connection portion 15 has a configuration in which a plurality of connection terminals 15a are formed on the insulating printed board 15b. Further, recesses 17 a and 17 b are provided between the ground pedestal 11 and the connection portion 15.
[0042]
The ground pedestal 11 has a flat surface in contact with the slag 13 of the high-frequency device 12 and has a shape in which a plurality of convex portions 14 are formed on the contact surface. The plurality of convex portions 14 are flat at the top, have the same height, and are arranged at predetermined intervals. The ground pedestal 11 and the plurality of connection terminals 15a are connected to an evaluation apparatus (not shown) as in the conventional test jig 110. The ground pedestal 21 is made of a conductive material such as brass or aluminum.
[0043]
  When performing a final test of the high-frequency device 12 using the test jig 10, as shown in FIG. 1, the high-frequency device is arranged such that the slugs 13 of the high-frequency device 12 abut on the upper surfaces of the plurality of convex portions 14 on the ground pedestal 11. 12 is placed. Also high frequency device12The lead terminal 12 a is connected to the connection terminal 15 a of the test jig 10. Then, the upper surface of the high-frequency device 12 is pressed with a pressing member (not shown) and fixed to the semiconductor device test jig 110.
[0044]
  [No.Type 1state〕
  nextFirst formA specific shape of the ground pedestal of the test jig 10 according to the state will be described. FIG. 2 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of prismatic convex portions. FIG. 3 is an enlarged front view of the abutting portion of the slag of the high-frequency device and the ground base of the test jig.
[0045]
  As shown in FIG.Type 1In this state, the vertical cross-sectional shape of the convex portion on the ground base of the test jig 10 is a trapezoid. And its specificExampleAs shown in FIG. 2, the ground base 21 shown in FIG. 2 is provided with a plurality of protrusions 22 by providing a plurality of grooves 23 on the contact surface with the slag 13 of the high-frequency device 12.
[0046]
The convex portion 22 is a prism having a vertical cross section that is trapezoidal with the contact surface side being the upper base of the length a and the bottom side being the lower base of the length b (≧ a). Further, the plurality of convex portions 22 are arranged in parallel at predetermined intervals.
[0047]
  By making the shape of the convex portion 22 as described above, the following effects are obtained. That is, the cross section is trapezoidal, and the length of the contact surface with the slag (the length a of the upper base) can be madeOnlyBy shortening and reducing the contact area of the contact surface of the ground pedestal, the probability that dust such as burrs will adhere can be reduced. In order to reduce parasitic inductance as much as possible and to improve heat dissipation, the convex portion 22 preferably has the above shape.
[0048]
As shown in FIG. 3, the groove 23 is provided for dropping dust 24 such as burrs attached to the high-frequency device during the final test.
[0049]
  Garbage 24 such as burrs brought into the high frequency device 12 from the process before the final test is transferred to the test jig 10.12At the time of mounting, most of them drop into a groove (concave portion) 23 between the convex portion 22 provided on the ground base 21 of the test jig 10 and another convex portion 22. Therefore, dust 24 is very less likely to be sandwiched between the contact surface of the ground pedestal 21 of the test jig 10 and the slag 13 of the high-frequency device 12, and the defect rate increases due to poor contact during testing. Can be solved.
[0050]
  Conventionally, the defect rate at the time of the first lot inspection was a high value of 5 to 10%.Type 1By applying the state to the final test, the final final defective rate was 1% or less in one inspection.
[0051]
In addition, since the dust that has fallen into the groove 23 is not pressure-bonded at the time of inspection, it can be easily removed and cleaned by air blow or the like, and a smooth transition can be made to the device test measurement in a new lot.
[0052]
Furthermore, since it is such a ground pedestal shape, it is possible to appropriately ensure the contact area between the slag surface of the high-frequency device and the contact surface of the jig ground pedestal, so that an electrically stable connection can be obtained, and Thus, the advantage that the heat transferred from the high-frequency device to the jig via the slag can be efficiently radiated can be maintained.
[0053]
  Next, other convex shape deformationExampleWill be described with reference to FIG. FIG. 4 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of protruding convex portions. The ground pedestal 31 shown in FIG. 4 has a shape in which a plurality of protruding protrusions 32 are formed by providing lattice-like grooves 33 on the contact surface with the slag of the high-frequency device.
[0054]
The convex portion 32 has a truncated quadrangular pyramid in which the shape of the bottom surface is a square with a side length b and the top surface (abutment surface) is a square with a side length a (≦ b). A pyramid). Therefore, the cross-sectional shape of the convex portion 32 is a trapezoid in which the contact surface side is the upper bottom of the length a and the bottom side is the lower bottom of the length b (≧ a). The plurality of convex portions 32 are provided at equal intervals with the lattice-like grooves 33 as described above.
[0055]
  Next, another modification of the convex shapeExampleWill be described with reference to FIG. FIG. 5 is a perspective view of a ground pedestal having grid-like convex portions. The ground pedestal 41 shown in FIG. 5 has a lattice-like convex portion 42 formed by providing a plurality of truncated quadrangular pyramid-shaped concave portions 43 on the contact surface with the slag of the high-frequency device.
[0056]
The concave portion 43 has a truncated quadrangular pyramid (pyramid) whose shape is parallel to a bottom surface that is a square with a side length d and a top surface (abutment surface) that is a square with a side length c (≧ d). Stand). Therefore, the cross-sectional shape of the recess 43 is a trapezoid in which the contact surface side is the upper bottom of the length c and the bottom side is the lower bottom of the length d (≦ c). As described above, the plurality of concave portions 43 are provided at equal intervals with the lattice-shaped convex portions 42 interposed therebetween.
[0057]
In addition, the shape of the contact surface in the ground base of the test jig 10 is not limited to the shape of the convex portion and the concave portion shown in FIGS. 2, 4, and 5, and various modifications can be considered. For example, the shape on the contact surface side of the recess shown in FIG. 5 may be a triangle, a hexagon, a circle, or the like.
[0058]
  [No.Type 2state〕
  next, Type 2The ground pedestal shape of the test jig according to the state will be described. FIG., Type 2It is front sectional drawing which showed the ground pedestal shape of the test jig which concerns on a state. FIG. 7 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of semi-cylindrical convex portions. FIG. 8 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of hemispherical convex portions. FIG. 9 is an enlarged front view of the abutting portion of the slag of the high-frequency device and the ground base of the test jig.
[0059]
  As shown in FIG.Type 2In this state, the vertical cross-sectional shape of the convex portion on the ground base of the test jig 10 is a semicircle. As a result,Type 1High-frequency devices by reducing the number of flat surfaces compared to the state12This makes it possible to further reduce the occurrence of problems caused by inserting dust such as burrs between the slag 13 and the ground pedestal.
[0060]
  Specific example of the convex portion shown in FIG.ExampleThe ground pedestal 61 shown in FIG. 7 is provided with a plurality of grooves 63 on the contact surface with the slag of the high-frequency device, so that the vertical cross section has a semicircular shape and the horizontal cross section has a bottom surface. A plurality of convex portions 62 that are semi-cylindrical are formed. In addition, since the part which is not the slag 13 in the bottom part of the high frequency device 12 contact | abuts at the both ends of the ground base 61, it is the structure which provides the square pillar 65 with a trapezoidal cross section, and hold | maintains the high frequency device 12.
[0061]
  Next, other than deforming the convex shapeExampleWill be described with reference to FIG. The ground pedestal 71 shown in FIG. 8 has a shape in which a plurality of hemispherical convex portions 72 having a bottom surface in cross section are formed by providing a lattice-like groove 73 on the contact surface with the slag of the high-frequency device. is there. In addition, since the part which is not the slag 13 in the bottom part of the high frequency device 12 contact | abuts at the both ends in the contact surface of the ground base 71, the vertical cross section of the trapezoidal prism 75 is provided, and the high frequency device 12 is hold | maintained It is a structure to do.
[0062]
  FirstType 2Also in stateType 1The same effect as the state can be obtained. That is, as shown in FIG. 9, dust 64 such as burrs brought into the high-frequency device 12 from the process before the final test is transferred to the test jig 10.12At the time of mounting, it falls into the groove 63 provided on the ground base 21 of the test jig 10. Therefore, dust 24 is very less likely to be sandwiched between the contact surface of the ground pedestal 21 of the test jig 10 and the slag 13 of the high-frequency device 12, and the defect rate increases due to poor contact during testing. Can be solved.
[0063]
Further, since the dust that has fallen into the groove 63 is not pressure-bonded at the time of inspection, it can be easily removed and cleaned by air blow or the like, and can be smoothly transferred to the device test measurement in a new lot.
[0064]
Furthermore, since the test jig 10 includes the ground pedestal having such a shape, the contact area between the slag 13 of the high-frequency device 12 and the contact surface of the ground pedestal in the test jig 10 can be appropriately secured. In addition to obtaining an electrically stable connection, as described above, it is also possible to maintain the advantage that heat transferred from the high-frequency device to the jig via the slag can be efficiently dissipated.
[0065]
  In addition, the secondType 2In the state, since the convex portion of the ground pedestal has a curved surface, even if the test jig 10 is subjected to a test by pressing a plurality of high-frequency devices 12 with a pressing member not shown in the drawing over a long period of time, Compared with the needle-like shape of the prior art, the contact surface of the high-frequency device 12 with the slag 13 is hardly worn away. Moreover, since a plurality of convex portions are provided, a contact area can be secured. Therefore, it is possible to realize a structure in which dust such as burrs is difficult to adhere while maintaining the most important low parasitic inductance and heat dissipation in the high-frequency device 12.
[0066]
In addition, the shape of the contact surface in the ground base of the test jig 10 is not limited to the shape of the convex portion shown in FIGS. 7 and 8, and various modifications can be considered. For example, although not shown in the figure, a convex shape in which the cross-sectional shape in the vertical direction of the grid-like convex portion shown in FIG.
[0067]
  The firstType 1State and numberType 2The ground pedestal shown in the state can be formed by machining or casting a metal block.
[0068]
  [No.Type 3state〕
  Next, the first of the present inventionType 3The ground pedestal structure of the test jig according to the state will be described. FIG., Third formIt is front sectional drawing which showed the ground pedestal structure of the test jig which concerns on a state. FIG.Type 3It is the perspective view and top view of a ground pedestal in the semiconductor test jig of a state.
[0069]
As shown in FIGS. 10 and 11, a plurality of holes or through holes 96 having a predetermined depth are provided on the bottom surface of the concave portion of the ground pedestal or the bottom surface of the groove provided between the plurality of convex portions. As a result, the dust that has fallen into the recesses (grooves) 94 can be further dropped into the through holes 96, so that accumulation of dust in the recesses can be suppressed. Further, by providing a cavity 97 inside the ground pedestal and installing a container or the like for collecting the dust in the cavity 97, it is possible to collect the dust from the lower part of the ground pedestal 93.
[0070]
  Note that the vertical sectional shape shown in FIG. 11 is not limited to a trapezoidal ground pedestal.Type 1State and numberType 2The shape illustrated in the state and other shapes are applicable.
[0071]
  In FIG. 11, a plurality of through holes 104 are provided on the bottom surface of the groove 103.ExampleHowever, the present invention is not limited to this, and for example, a through hole having an opening in a substantially entire bottom surface of the groove 103 may be provided.
[0072]
  [No.Type 4state〕
  next, 4th formThe shape of the ground pedestal of the test jig according to the state will be described. FIG.Type 4It is front sectional drawing for demonstrating the structure of the test jig of a state. FIG.Type 4It is the perspective view which showed the structure of the ground pedestal in the test jig of a state. FIG.Type 4It is the perspective view which showed the structure of another ground pedestal in the test jig of a state.
[0073]
As shown in FIG. 12, the ground pedestal 131 includes a base pedestal 132 and a block 133 which is a ground connection block.
[0074]
The base pedestal 132 has a flat upper portion, and the blocks 133 are detachably loaded thereon. The upper part of the block 133 is a contact surface with the slag 13 of the high-frequency device 12 and includes a plurality of convex portions 14 or a plurality of concave portions (grooves). The lower portion (bottom surface) of the block 133 is a plane whose area is substantially equal to the upper surface of the base pedestal 132, and is in close contact with the upper surface of the base pedestal 132 when the block 133 is mounted on the base pedestal.
[0075]
  On the ground pedestal 21 shown in FIG.Main formWhen the state is applied, as shown in FIG. 13, a configuration like a ground pedestal 141 composed of a base pedestal 142 and a block 143 is obtained. In addition, the ground pedestal 41 shown in FIG.Main formWhen the state is applied, as shown in FIG. 14, a configuration like a ground pedestal 151 including a base pedestal 152 and a block 153 is obtained.
[0076]
The block material may be a metal block made of a conductive material such as brass or aluminum. Further, in the case of the grid-like block 153 shown in FIG. 14, it can be easily formed by punching a metal sheet having a predetermined thickness, and the manufacturing cost can be reduced. In this case, the length a (upper bottom) on the upper surface side of the convex portion 154 and the length b (lower bottom) on the bottom surface side of the convex portion 154 are equal. However, since the contact area of the convex portion 154 with respect to the slag 13 is large, no problem occurs.
[0077]
  4th formIn state,Type 1State and numberType 2The same effect as the state can be obtained. In addition, even if a test is performed by pressing a plurality of high-frequency devices with a pressing member over a long period of time in the test jig 10, the slag of the high-frequency device 12 is compared with the conventional needle-like shape. Even if the contact surface with 13 deteriorates due to wear or scratches, the cost of the test jig 10 can be reduced because only the block needs to be replaced.
[0078]
Furthermore, when removing the dust that has fallen into the groove 23, the block can be removed and the cleaning can be performed. Therefore, even if cleaning is performed by air blow or the like, the dust may adhere to other parts of the test jig 10. It can be easily cleaned, and it can make a smooth transition to device test measurement in a new lot.
[0079]
  As the shape of the contact surface,Type 1State and numberType 2The shape described in the embodiment and other shapes are applicable.
[0080]
  [No.Type 5state〕
  next, Form 5The shape of the ground pedestal of the test jig according to the state will be described. FIG.Type 5It is front sectional drawing for demonstrating the structure of the test jig of a state. FIG.Type 5It is the perspective view which showed the external appearance of the ground pedestal in the test jig of a state.
[0081]
  FirstType 5The ground pedestal of the test jigType 4This is a configuration in which a through-hole into which dust is dropped is provided in the block and the base pedestal constituting the ground pedestal. As shown in FIG. 15, the ground pedestal 161 includes a base pedestal 162 and a block 163 that is a ground connection block.
[0082]
The base pedestal 152 has a flat upper portion, and the block 163 can be placed thereon. The upper portion of the block 163 is a contact surface with the slag 13 of the high-frequency device 12 and includes a plurality of convex portions 14 or a plurality of concave portions (grooves). The lower portion (bottom surface) of the block 163 is a plane whose outer circumference is substantially equal to the outer circumference of the upper surface of the base pedestal 162. When the block 163 is mounted on the base pedestal, the upper surface of the base pedestal 162 is In close contact. Further, the block 163 includes a plurality of through holes 166 on the bottom surface of the recess or groove 164.
[0083]
Further, the base pedestal 152 includes one or more through holes on the upper surface. For example, when the upper surface of the base pedestal 152 is at the position indicated by A-A ′ in FIG. 15, the base pedestal 152 includes a plurality of through holes 168 on the upper surface and a cavity 167 on the inner side. When the block 163 is placed on the base pedestal 162, the lower surface side openings of the plurality of through holes 168 provided in the block 163 and the upper surface side openings of the plurality of through holes 168 provided in the base pedestal 162 are respectively coincident. The through hole 166 and the through hole 168 communicate with each other.
[0084]
In addition, when the upper surface of the base pedestal 152 is at the position indicated by B-B ′ in FIG. 15, the base pedestal 152 includes a cavity 167 that is a through hole having one opening on the upper surface side. When the block 163 is placed on the base pedestal 162, the upper surface opening of the base pedestal 162 does not seal the lower surface side opening of each through hole 166 of the block 163, and communicates with each opening.
[0085]
  Accordingly, the dust that has fallen into the recess (groove) 164 passes through the through hole 166 or through the through hole 166 and the through hole 168 and falls into the cavity 167. By installing in 167, the ground pedestal161It becomes possible to collect trash from the lower part.
[0086]
  In the ground pedestal 141 shown in FIG.Main formWhen the state is applied, as shown in FIG. 16, a configuration like a ground base 171 including a base base 172 and a block 173 is obtained.
[0087]
  FirstType 5In stateType 3In addition to the effects obtained in theType 4The effect obtained in the state can be obtained.
[0088]
  In addition,Main formThe shape of the contact surface of the block in the state isType 1State and numberType 2The shape described in the embodiment and other shapes are applicable.
[0089]
15 shows a configuration in which both the base pedestal 162 and the block 163 are provided with through-holes. However, only a bottom surface of a concave portion in the block 163 or a bottom surface of a groove provided between a plurality of convex portions is shown. A structure having a plurality of holes having a depth of may be used. In this case, dust can be accumulated in a hole having a predetermined depth, and the number of cleanings in the test jig 10 can be reduced. Further, the block 163 can be removed and easily cleaned using an air blow or the like, and the cleaning efficiency is improved.
[0090]
  By performing the final test of the high-frequency device using the test jig having the ground pedestal structure described above, it is sandwiched between the device and the structure by dropping burrs and other dust attached to the high-frequency device into the recess. Is greatly reduced. Therefore, an increase in the defect rate during the final test can be avoided, and the number of high-frequency devices that need to be remeasured can be reduced. In addition, by reducing the frequency of cleaning the test jig and simplifying the cleaning work, the time and cost for the final test can be greatly reduced. further,Explained aboveSince a test jig incorporating a ground pedestal structure is easy and the structure is simple, it is possible to provide a low-cost and highly reliable test jig and improve test efficiency.
[0091]
【The invention's effect】
According to the present invention, the following effects can be obtained.
[0092]
  (1) Semiconductor device test jig, StandBy reducing the contact area of the contact surface of the seat, the probability that dust such as burrs will adhere can be reduced.Since the contact area between the bottom surface of the semiconductor device package and the installation connection block can be appropriately secured, heat can be efficiently dissipated and parasitic inductance can be reduced.The Further, dust attached to the semiconductor device can be dropped between the plurality of convex portions or between the plurality of concave portions.Furthermore, since the dust that falls between the convex parts or the bottom surface of the concave part falls through the through hole and the second through hole, the garbage can be easily collected by installing a container below the second through hole. can do. Moreover, the frequency | count of cleaning of a base can be reduced. In addition, even if the contact surface of the ground connection block deteriorates due to wear or scratches, only the ground connection block needs to be replaced, and the entire semiconductor device test jig does not have to be created again. Test jig costs can be reduced. Also, since the ground connection block can be removed for cleaning, even if cleaning is performed with air blow, dust can be easily removed from other parts of the test jig, and Efficiency can be improved.
[0097]
  (2) The convex part on the contact surface of the pedestal has a trapezoidal cross-sectional shape with the contact surface side with the grounding electrode being the upper base of the length a and the bottom side being the lower base of the length b (≧ a). Therefore, the contact area of the contact part of the baseButIt is possible to reduce the probability that dust such as burrs adheres, reduce parasitic inductance, and improve heat dissipation.
[0098]
  (3) The recess in the contact surface of the base has a trapezoidal cross-sectional shape with the contact surface side with the grounding electrode being the upper base of the length c and the bottom side being the lower base of the length d (≦ c). , Contact area of pedestal contact partButAs a result, the probability that dust such as burrs adheres can be reduced, and the parasitic inductance can be reduced. Moreover, heat dissipation can be improved.
[0099]
  (Four) Since the convex portion on the contact surface of the pedestal has a hemispherical shape or a semi-cylindrical shape, the convex portion of the pedestal has a curved surface. Even when a test is performed by pressing a high-frequency device with a pressing member, the contact surface with the grounding electrode of the semiconductor device is hardly worn out and has a plurality of convex portions. A contact area can be ensured, and a structure in which dust such as burrs is difficult to adhere to the semiconductor device test jig while maintaining low parasitic inductance and heat dissipation in the semiconductor device can be realized.
[0100]
  (Five) For semiconductor device test jigs, multiple semi-cylinders are used.latticeConditionTo the shape placed inConvex is formedPleaseTherefore, the convex part of the pedestal has a curved surface, a contact area can be ensured, and dust such as burrs is transferred to the semiconductor device test jig while maintaining low parasitic inductance and heat dissipation in the semiconductor device. A structure that is difficult to adhere can be realized.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1]HalfIt is front sectional drawing for demonstrating the ground electrode structure of a conductor apparatus test jig | tool.
FIG. 2 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of prismatic convex portions.
FIG. 3 is an enlarged front view of a contact portion of a slag of a high-frequency device and a ground base of a test jig.
FIG. 4 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of protruding convex portions.
FIG. 5 is a perspective view of a ground pedestal having grid-like convex portions.
[Fig. 6]Second formIt is front sectional drawing which showed the ground pedestal shape of the test jig which concerns on a state.
FIG. 7 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of semi-cylindrical convex portions.
FIG. 8 is a perspective view of a ground pedestal having a plurality of hemispherical convex portions.
FIG. 9 is an enlarged front view of a contact portion of a slag of a high-frequency device and a ground base of a test jig.
FIG. 10Third formIt is front sectional drawing which showed the ground pedestal structure of the test jig which concerns on a state.
FIG. 11Type 3It is the perspective view and top view of a ground pedestal in the semiconductor test jig of a state.
FIG. 12Type 4It is front sectional drawing for demonstrating the structure of the test jig of a state.
FIG. 13Type 4It is the perspective view which showed the structure of the ground pedestal in the test jig of a state.
FIG. 14Type 4It is the perspective view which showed the structure of another ground pedestal in the test jig of a state.
FIG. 15Type 5It is front sectional drawing for demonstrating the structure of the test jig of a state.
FIG. 16Type 5It is the perspective view which showed the external appearance of the ground pedestal in the test jig of a state.
FIGS. 17A and 17B are a top view and a front sectional view showing a state in which a high-frequency device to be inspected is mounted on a conventional test jig. FIGS.
FIG. 18 is a front sectional view showing a state in which dust is sandwiched when a high-frequency device is mounted on a conventional test jig.
[Explanation of symbols]
10-Semiconductor device test jig
12-Semiconductor device
13-Electrode for grounding (slag)
14-recess
131-pedestal
132-Base pedestal
133-Block for ground connection

Claims (5)

半導体装置のパッケージ底面に設けられた接地用電極との当接面に、曲面を有する形状またはその断面が台形状である複数の凸部または複数の凹部が形成され、さらに、前記複数の凸部の間または前記複数の凹部の底部に貫通孔を備えた接地接続用ブロックと、
前記接地接続用ブロックの貫通孔に通じる第2の貫通孔を備え、前記接地接続用ブロックを着脱可能なベース台座と、
によって構成された台座を備えたことを特徴とする半導体装置テスト治具。
The contact surface between the ground electrode provided on the bottom of the package of the semiconductor device, the convex portions or a plurality of recesses of multiple shape or cross section is trapezoidal having a curved surface is formed, further, the plurality of convex A block for ground connection provided with a through hole between the portions or at the bottom of the plurality of recesses;
A base pedestal comprising a second through hole communicating with the through hole of the ground connection block, and the detachable base connection block;
A semiconductor device test jig , comprising: a pedestal configured by:
前記凸部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さaの上底、底部側を長さb(≧a)の下底とする台形であることを特徴とする請求項に記載の半導体装置テスト治具。The convex portion has a trapezoidal shape in which a cross-sectional shape has an upper base of a length a on a contact surface side with the ground electrode and a lower base of a length b (≧ a) on a bottom side. The semiconductor device test jig according to claim 1 . 前記凹部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さcの上底、底部側を長さd(≦c)の下底とする台形状であることを特徴とする請求項に記載の半導体装置テスト治具。The recess has a trapezoidal shape with a cross-sectional shape having an upper base of a length c on the contact surface side with the ground electrode and a lower base of a length d (≦ c) on the bottom side. The semiconductor device test jig according to claim 1 . 前記凸部は、その形状が半球面状または半円柱状であることを特徴とする請求項に記載の半導体装置テスト治具。The semiconductor device test jig according to claim 1 , wherein the convex portion has a hemispherical shape or a semi-cylindrical shape. 前記、複数の半円柱を格子に配置した形状であることを特徴とする請求項に記載の半導体装置テスト治具。The semiconductor device test jig according to claim 1 , wherein the convex portion has a shape in which a plurality of semi-cylindrical columns are arranged in a lattice shape.
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