JP3684010B2 - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3684010B2 JP3684010B2 JP34763896A JP34763896A JP3684010B2 JP 3684010 B2 JP3684010 B2 JP 3684010B2 JP 34763896 A JP34763896 A JP 34763896A JP 34763896 A JP34763896 A JP 34763896A JP 3684010 B2 JP3684010 B2 JP 3684010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- light
- radiation
- input
- radiation detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 92
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 87
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 49
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線検出装置に関し、特に、光電変換装置を用いたX線撮像装置等の放射線検出装置において画像校正手段を含む放射線検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、放射線検出装置は、医療用放射線撮影、工業用非破壊放射線撮影等の分野において使用されている。その使用形態を図7を用いて説明する。
【0003】
図7は、従来の放射線検出装置の概略構成図である。図7において、放射線源1から放射された放射線を被写体2に照射すると放射線と被写体の相互作用(吸収、散乱等)により前記放射線は被写体の構造に応じて強度変調かつ散乱され、放射線像として蛍光体5に到達する。一般に蛍光体はCaWO4やGd2O2S:Tbを支持体に塗布した増感紙またはCsIなどの蛍光体結晶が用いられる。蛍光体は放射線照射量に比例した強度の蛍光を発する特性を有しているため、前記放射線像は蛍光体5において可視光像に変換される。受像手段15は受光した光量に応じた画像を生成する手段であり、蛍光体で生じた可視光像は該受像手段15でその光量に応じた画像となる。一般に、放射線検出装置において受像手段はフィルムであり、放射線像はほぼ蛍光量の対数に比例した写真濃度を与える潜像としてフィルムに記録され、現像処理後に可視画像として提示され診断、検査等に使用される。
【0004】
また最近では、受像手段として微小な光電変換素子、スイッチング素子等からなる画素を格子状に配列した光電変換装置を使用しディジタル画像を取得する技術が開発されている。CCDまたはアモルファスシリコン2次元光電変換素子またはアモルファスセレン2次元光電変換素子上に蛍光体を積層した放射線検出装置として、米国特許第5,418,377号、米国特許第5,396,072号、米国特許第5,132,539号、等が開示されている。
【0005】
光電変換装置を利用することの利点の一例として、以下の項目が挙げられる。まず、画像を直接にディジタルデータとして取得できるので、画像処理が容易になり不適切な撮影条件の補正や関心領域の画像強調などが容易に可能になる。またファクシミリ等の画像通信手段を使用することで、専門医師不在の遠隔地の患者に対する診断を大病院にいる専門医師が行うことが出来る。また画像ディジタルデータを光磁気ディスク等に保存すれば、フィルムを保存するのに比べて保存スペースを著しく減少することができる。また過去の画像を容易に検索することができるので、同じくフィルムを検索するのに比べて容易に参照画像を提示することが可能になる、等である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記光電変換装置を使用した従来の放射線検出装置には以下に説明する課題点がある。
【0007】
第1の課題は、光電変換装置の複数の画素はそれぞれ光入出力特性が異なることである。もし画素毎の光入出力特性を補正しないと、光電変換装置に一様な光を入力してもその出力は画素毎に異なる値になるため、粒状性に劣る画像が取得される。特に診断に使用する放射線画像は、微細なコントラストを表現する必要があるが、このような粒状性は画質を低下させるため診断能力を低下させる原因になることがある。
【0008】
第2の課題は、光電変換装置の特性が経時的に変化する可能性があることである。光電変換装置は、一般にシリコン単結晶やアモルファスシリコンなどに少量の物質をドープした半導体素子で形成されるが、該半導体素子の光入出力特性は温度に応じて変化することが知られている。また半導体素子に積算的に長時間電流を流すことで該半導体素子が確率的に劣化し光入出力特性が変化する可能性があることが知られている。これらもまた画質を低下させる要因となる。
【0009】
上記第1および第2の課題に対する解決法として、黒レベル信号と白レベル信号から得られる光電変換装置の光入出力特性を使用して、所望の画像を校正する方法が考えられる。黒レベル信号とは光電変換装置に光を入力しないときの出力信号、すなわち暗出力であり、白レベル信号とは光電変換装置に既知の光量を入力したときの出力信号である。この黒レベル信号および白レベル信号の少なくとも一方を必要に応じて随時取得し、所望の画像を校正することは有効である。特に光電変換装置の光入出力特性を高精度に取得する場合は、黒および白レベル信号の両方の取得は必須である。
【0010】
黒レベル信号および白レベル信号から光入出力特性を使用して所望の画像を校正する方法の一例として以下の方法が挙げられる。
【0011】
先ず、各画素に対して入力画像信号、黒レベル信号及び既知の光量に対する白レベル信号を取得する。次に、画像信号及び白レベル信号から黒レベル信号を減算し、第2の画像信号及び第2の白レベル信号を得る。黒レベル信号は、画素毎のオフセットを表し、オフセットを減算するこの工程は、一般にオフセット補正と呼ばれる。
【0012】
次に、既知の光量を第2の白レベル信号で除算し、画素毎のゲイン信号を得る。更に、第2の画像信号とゲイン信号を乗算することで、光電変換装置7の光入出力特性を校正した出力画像信号を得る。この工程は、一般にゲイン補正と呼ばれている。
【0013】
黒レベル信号をd(x,y)、白レベル信号をw(x,y)、入力画像信号をi(x,y)、出力画像信号をo(x,y)、既知の光量分布をk(x,y)、ゲイン信号をg(x,y)とすると、上記の工程を二次元画像に対して行なう演算式は、次の通りである。
【0014】
しかしながら、光電変換装置が放射線検出装置に使用されている場合は、光電変換装置は、該光電変換装置を遮光する筺体内に格納されているため、光電変換装置に光を入力して白レベル信号を取得するのは不可能である。この状態で白レベル信号を取得するためには、放射線検出装置に対して放射線を照射し、前記筺体内に格納されている蛍光体を発光させる必要がある。
【0015】
[発明の目的]
本発明の第1の目的は、放射線検出装置に用いられる光電変換装置の複数の画素の入出力特性を補正することによって、粒状性に優れた画像を得ることにある。
【0016】
本発明の第2の目的は、放射線検出装置に用いられる光電変換装置の特性の経時変化を補正することによって画質を向上させることにある。本発明の第3の目的は、光電変換装置を使用した放射線検出装置において、実際に放射線を照射することなく、光電変換装置の入出力特性を検出し、この検出結果を用いて、実際の放射線画像を校正可能な放射線検出装置を実現することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の放射線検出装置は、放射線を電気信号に変換するための複数の画素で構成される光電変換手段と、放射線を前記光電変換手段が検出可能な光に変換する変換体と、前記光電変換手段を外光から遮光して格納する筺体と、前記複数の画素の入出力特性を校正するために前記複数の画素を照明するアレイ状発光体または面状発光体である照明手段とを有し、放射線入射方向に沿って、前記光変換体、前記光電変換手段、前記照明手段の順にそれぞれが配置され、前記光電変換手段は透明基板上に形成されているものである。
【0018】
また、本発明の放射線検出装置は、更に、前記照明手段が前記複数の画素に照射する光の照度分布のデータに基づき前記複数の画素の入出力特性を校正する校正手段と、前記照明手段により照明された前記光電変換手段の出力に基づいて前記光電変換手段の入出力特性を取得する取得手段とを有し、前記校正手段は該取得手段で取得した入出力特性に基づき校正するものである。
【0021】
【発明の実施の形態】
[第1の実施例]
図1は、本実施例の放射線検出装置を説明する模式的構成図である。
【0022】
図1において、1は放射線を発生する放射線源、2は被写体、10は放射線検出装置、3は放射線を通過する窓部を有しかつ内部に光が入らないよう遮光する筺体、4は被写体2から発生する不要な散乱放射線を除去するグリッド、5は放射線を光に変換する光変換体の一種である蛍光体、6はアモルファスシリコンよりなる光電変換装置であり、厚さ数mmの両面研磨した透明ガラス基板の片側面6Aに各種半導体層を積層して格子状に配列した複数の画素を形成している。7は照明手段である面状発光体であり、導光体および光拡散体より成り、光電変換装置6にほぼ一様な照度分布を与える光源である。8は光源9から発生した光を面状発光体に導光する光ファイバ、9は照明手段の光源、21は特性変化が既知でかつ特性変化が微小な光検出器である。
【0023】
まず、一般的な放射線撮影方法について簡単に説明する。放射線源1から発生した放射線は物体2において透過、吸収及び散乱される。該放射線は筺体3の放射線窓部を通過しグリッド4に至る。グリッド4は一般に鉛板とアルミニウム板を交互に積層した積層物を薄く切り出した板であり、それぞれほぼ並行に並ぶ鉛板を1次放射線進行方向と一致させることで被写体2から発生する不要な散乱放射線を除去し、該グリッドを透過する放射線画像のコントラストを改善するよう作用する。蛍光体5においてグリッド4を透過した放射線は蛍光に変換され、光電変換装置6で被写体2の情報を有する放射線画像アナログ信号として検出される。
【0024】
後述する図2に示すように、この放射線画像アナログ信号はA/D変換器11でディジタル信号に変換され制御装置12に転送される。また記憶装置13に転送され保存される。
【0025】
次に、白レベル信号および黒レベル信号を取得し光入出力特性を得る工程を説明する。光源9を点灯し光ファイバ8を通じて面状発光体を7を発光させ、ガラス基板面6Aに形成されている光電変換装置の画素を照明する。画素の照明方法は、画素がITO膜より成る透明電極を有する場合はガラス基板面6B側から直接照明が可能である。また透明電極を有さない場合は隣接する画素間の間隙を通過した光が蛍光体で拡散反射することで、ガラス基板面6A側から間接照明が可能である。もし面状発光体7の照度分布が十分に一様でない場合は、ガラス基板面6Bを拡散面にすることで照度分布を一様にすることも可能である。
【0026】
この照明に応じて光電変換装置6が出力する信号を処理する方法を図2を用いて説明する。
【0027】
図2は、本発明の第1の実施例の放射線検出装置の信号の流れを説明する図面である。図2において、10は放射線検出装置、11および22はA/D変換器、12は制御装置、13は記憶装置である。放射線検出装置10から出力されるアナログ信号はA/D変換器11でディジタル信号に変換され制御装置12に転送される。この信号は白レベル信号である。また光検出器21の出力もディジタル信号に変換され制御装置12に転送される。光検出器21の出力は面状発光体7が光電変換装置6に与える照度を表し、白レベル信号を用いたゲイン補正に使用される。
【0028】
続いて白レベル信号取得直後に光源9を消灯し、光電変換装置6が遮光された状態で同様に光電変換装置6が出力する信号を取得する。この信号は黒レベル信号である。黒レベル信号は光電変換装置の暗出力を表し、画像信号および白レベル信号のオフセット補正に使用される。以上の白レベルおよび黒レベル信号を取得する工程は随時行うことができる。
【0029】
ここで放射線画像取得の際に実際に行われる工程について説明する。本発明の放射線検出装置は被写体撮影の直前もしくは直後に、好ましくは放射線発生装置のスタートボタンと連動させて、光源9を点灯し白レベル信号を取得する。次に光源9を消灯し同様に黒レベル信号を取得する。制御装置12において白レベル信号、黒レベル信号、面状発光体7の照度分布データおよび必要があれば記憶装置13にすでに記憶されている光電変換装置6の光入出力特性を比較して処理することで、新たな光入出力特性を取得する。新たな入出力特性を計算する方法はすでに述べたので省略する。以上の工程は長くても数分の1秒、すなわち放射線発生装置の準備時間内に終了するので、技師の操作時間は全く増加しない。
【0030】
続いて放射線を発生させて被写体を撮影する。撮影方法および信号の流れはすでに説明した通りである。取得した放射線画像信号は記憶装置13に保存されている各画素出力に対する入出力特性を用いて校正され、画質の優れる放射線画像が得られる。
【0031】
本実施例では、白レベル信号、黒レベル信号、放射線画像信号の順にデータを取得したが、この順序は任意に変更が可能であり、放射線検出装置の特性に応じて最も画質が優れる組み合わせまたは最も操作性に優れる組み合わせを選択可能である。
【0032】
また本実施例では、放射線発生装置のスタートボタンと連動させて白レベル信号および黒レベル信号を取得するが、白レベル信号と黒レベル信号の経時変化が小さい場合は白レベル信号と黒レベル信号の少なくとも片方を随時取得せずに記憶装置13に記憶されているデータで代用可能である。この場合白レベル信号または黒レベル信号を取得するのは電源投入直後または一定時間間隔に自動的に行われるのが望ましい。
【0033】
また本実施例では、照明手段として面状発光体を使用したが、照明手段はLEDアレイのように点状発光体の集合体であっても良い。また本実施例では面状発光体7は光電変換装置6の全面を照明するが、光電変換装置6の経時変化がほぼ光電変換装置6の全画素において同一である場合或いは経時変化の画素間差が無視可能である場合は、少なくとも光電変換装置6の一部の領域が照明されれば本発明の目的は達成可能である。照明される光電変換装置の一部の領域とは例えば周辺の数列の画素または角部の数画素などが考えられる。
【0034】
また本実施例では、光源9を筺体3に隣接して一体的に設けたが光源9を筺体3に着脱自在に設けることも可能である。特に放射線検出装置を軽量薄型にした可搬型の放射線検出装置においてはこのような構成が有用である。また光検出器21も光源9と共に着脱自在にする構成も考えられる。
【0035】
また本実施例では、面上発光体7が光電変換装置6に与える照度を検出する照度検出手段として光検出器21を使用したが、これは本発明の照度検出手段の範囲を限定するものではない。照度検出手段は直接に照度を測定しなくても、間接的に照度に対応する値を測定する手段であれば、本発明の目的は達成可能である。例えば光源9がハロゲンランプであればハロゲンランプを点灯する電圧を検出する手段であってもよい。また光源9がLEDであればLEDを駆動する電流値を測定することで、間接的に光電変換装置6に与える照度を検出することが可能である。さらにこのような光源を一定電圧または電流で駆動する場合も、例え駆動中にその出力を検出しなくても一定電圧または電流と照度または照度分布が一対一対応であれば本発明の目的を達成可能である。さらにこのような光源を駆動する電圧または電流の点灯消灯のみを制御する場合も、これら点灯消灯制御手段は照度検出手段と等価である。
【0036】
また本実施例においては、各画素に対応した黒レベル信号、白レベル信号および照度データを記憶する必要があるが、高精度に画像を校正する場合はこれらの値は12ビット程度の分解能が必要となる。これらの値は情報量が多いので分解能を損なわない範囲で圧縮されて保存されることが望ましい。
【0037】
このように、本実施例では、随時光電変換装置の入出力特性を取得するにもかかわらず、白レベル信号および黒レベル信号を取得する際に放射線を発生させる必要はない。また放射線発生装置のスタートボタンと連動させる或いは所定時間間隔で自動的に白レベル信号および黒レベル信号を取得するので、放射線技師の操作も増加しない。
【0038】
上記では説明の簡単のため、面状発光体7の特性が既知であるとしたが、実際にはこの特性を予め正確に測定する必要がある。また光電変換装置6の初期光入出力特性が既知であるとさらに正確な光入出力特性取得が行える場合がある。以下にこれらの特性を測定する方法の一例を示す。
【0039】
図3は、放射線検出装置の製造工程において光電変換装置の初期光入出力特性を取得する工程を説明する図面である。図3において、6は複数の画素を有する光電変換装置、20は面状発光体、14は予め測定した面状発光体20が与える照度分布データである。
【0040】
面状発光体20を点灯して光電変換装置6を照明する。光電変換装置6が出力するアナログ信号はA/D変換器11においてディジタル信号に変換され制御装置12に転送される。このディジタル信号は白レベル信号である。白レベル信号取得直後に面状発光体20を消灯し光電変換装置6が遮光された状態で同様にディジタル信号を取得する。このディジタル信号は黒レベル信号である。制御装置12において白レベル信号、黒レベル信号および予め測定した照度分布データ14を比較することで、光電変換装置6を構成する各画素出力に対するゲインおよびオフセットが決定される。該各画素出力に対するゲインおよびオフセットは光電変換装置6の初期光入出力特性であり、データ圧縮され記憶装置13に記憶される。また必要があれば白レベル信号および黒レベル信号自体を記憶装置13に記憶しても良い。
【0041】
次に放射線検出装置10に内蔵されている面状発光体7も校正する必要がある。詳細な校正方法は省略するが、予め特性が既知の光電変換装置や前記で校正した光電変換装置6を使用すれば同様に容易に校正可能である。
【0042】
[第2の実施例]
本実施例は、照明光を変調し複数レベルの光量を光電変換装置に与えることで、高精度の光電変換装置校正および放射線検出装置校正を行うものである。
【0043】
図4は、一般的な光電変換装置の光入出力特性を表す図面であり、横軸は光入力、縦軸は出力をそれぞれ対数で表示している。光電変換装置の出力から光入力を知るには図4における特性曲線を使用するため、この特性曲線を正確に把握する必要がある。特性曲線の傾きはガンマと呼ばれ一般の光電変換装置ではガンマは1になるよう設計される。しかし光電変換装置の製造誤差などでガンマが僅かに1から逸脱することがある。また一般に光入力が飽和に近づくに従ってガンマは大きく1から逸脱する。これらの特性を正確に知るには実際に照度が既知の照明を光電変換装置に入力しその出力を測定する必要がある。さらに正確に特性曲線を把握するには複数レベルの光量を光電変換装置に入力しそれぞれに対応する出力を測定する必要がある。
【0044】
図5は、光電変換装置の光入出力特性を随時正確に把握する放射線検出装置の実施例を説明する図面であり、図1および図2と共通な部材には共通の符号を付与している。図5において、23はD/A変換器、24は光源9の光量を制御する光源駆動装置である。図5において、制御装置12の信号に基づいて光源9を消灯し放射線検出装置10の出力信号を取得する。この信号は黒レベル信号である。次に同じく制御装置12から信号を出力して光源9の光量を徐々に増加させながら放射線検出装置10の出力信号を逐次取得する。これらの信号はレベルの異なる複数の白レベル信号である。また光源9の光量を正確に制御するために逐次光検出器21でその光量を検出する。
【0045】
以上で取得した黒レベル信号、レベルの異なる複数の白レベル信号および光検出器21の信号を用いることで、図4に相当する光入出力特性を正確に把握することが可能になる。続いて放射線撮影を行うことで広い放射線レベルに対して蛍光光量を正確に知ることができるため、高精度の放射線画像を取得することが可能になる。
【0046】
本実施例においては、時間的に変化する複数レベルの光量を光電変換装置に与えたが、各画素の光入出力特性または光入出力特性の変化量や画素間ばらつきが小さい場合には、空間的に変化する複数のレベルの光量を光電変換装置に与えることで、一回の読み取り動作のみで上記のような正確な光入出力特性を取得することが出来る。例えば、LEDアレイのように各LED毎に独立に光強度変調が可能な光源を使用する場合は、容易に空間的に変化する照明を与えることが可能である。また空間的に透過率が変化するフィルタを付加しても同じ効果を得ることが可能である。また予め照明手段が与える照度分布を測定しておけば、空間的に変化する照明を与えることと等価である。
【0047】
[第3の実施例]
一般に、面状の蛍光体は面内の場所によって感度が異なる。これは蛍光体の構造モトルと呼ばれる感度ムラであり、画質を損ねる要因の一つとされている。またCsI等一部の蛍光体は湿度の影響を受けやすく、長期間高湿条件に放置された場合、感度の劣化が生じることがある。ディジタル放射線検出装置において白レベル信号を随時取得すると、この構造モトルおよび感度変化を校正した画像を取得することが可能になる。
【0048】
以下に、蛍光体特性を含めた入出力特性取得が可能な放射線検出装置の実施例を示す。
【0049】
図6は、本実施例の放射線検出装置を説明する図面であり、図1と同じ部材を使用している。図6と図1の相違点は面状発光体7の位置が光電変換装置6の後方からグリッド4と蛍光体5の間に移動したことである。光源9の波長は蛍光体5を励起し蛍光発光させる波長である。また光源9の波長は好ましくは光電変換装置では直接検出されない波長である。面状発光体7の発光波長を、懸かる波長にするために、光源9に、この分光特性を有するフィルタを付加しても良い。特に可視光を遮断し紫外光を透過させるフィルタが望ましい。
【0050】
また面状発光体7は蛍光体5よりも放射線源側に設けられるので、患者被爆低減の観点から放射線を十分に透過させる性質を有することが望ましい。具体的にはガラス、プラスチックまたはアクリル等から成る光ファイバ、またはガラス、プラスチックまたはアクリル等から成る薄い導光板が好適である。
【0051】
本実施例においては、光電変換装置6は面状発光体7の光で蛍光体5が励起された蛍光を検出するので、蛍光体の場所による感度ムラを校正することが可能になる。ここで面状発光体7の照度分布測定法はすでに述べた方法と同様であるので省略する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の放射線検出装置を説明するための模式構成図である。
【図2】本発明の第1の実施例の放射線検出装置の信号の流れを説明する図面である。
【図3】本発明の放射線検出装置に使用する光電変換装置の光入出特性の取得方法を説明する図面である。
【図4】一般的な光電変換装置の光入出力特性を説明する図面である。
【図5】本発明の第2の実施例の放射線検出装置の信号の流れを説明する図面である。
【図6】本発明の第3の実施例の放射線検出装置を説明する図面である。
【図7】従来例の装置の概略構成図である。
【符号の説明】
1 放射線源
2 被写体
3 筺体
4 グリッド
5 蛍光体
6 光電変換装置
7 面状発光体
8 光ファイバ
9 光源
10 放射線検出装置
11,22 A/D変換器
12 制御装置
13 記憶装置
14 照度分布データ
15 受像手段
21 光検出器
23 D/A変換器
24 光源駆動装置
Claims (8)
- 放射線を電気信号に変換するための複数の画素で構成される光電変換手段と、
放射線を前記光電変換手段が検出可能な光に変換する変換体と、
前記光電変換手段を外光から遮光して格納する筺体と、
前記複数の画素の入出力特性を校正するために前記複数の画素を照明するアレイ状発光体または面状発光体である照明手段とを有し、
放射線入射方向に沿って、前記光変換体、前記光電変換手段、前記照明手段の順にそれぞれが配置され、前記光電変換手段は透明基板上に形成されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記照明手段が前記複数の画素に照射する光の照度分布のデータに基づき前記複数の画素の入出力特性を校正する校正手段と、
前記照明手段により照明された前記光電変換手段の出力に基づいて前記光電変換手段の入出力特性を取得する取得手段とを有し、
前記校正手段は該取得手段で取得した入出力特性に基づき校正することを特徴
とする請求項1に記載の放射線検出装置。 - 前記入出力特性は前記光電変換手段の画素毎のゲイン情報を含むことを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置。
- 前記照明手段による前記光電変換手段への光入力を検出する検出手段を有することを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置。
- 前記照明手段による光の強度を時間的または空間的に変調可能な変調手段を有すると共に、前記取得手段は複数の光量レベルにおける前記入出力特性を取得することを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置。
- 前記照明手段の光源が前記筺体の外部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記照明手段の光源が前記筺体に着脱可能に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記光変換体は蛍光体であることを特徴とする請求項1〜7に記載の放射線検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34763896A JP3684010B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34763896A JP3684010B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 放射線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10186045A JPH10186045A (ja) | 1998-07-14 |
JP3684010B2 true JP3684010B2 (ja) | 2005-08-17 |
Family
ID=18391580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34763896A Expired - Fee Related JP3684010B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 放射線検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3684010B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5016746B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP4437609B2 (ja) | 2000-10-25 | 2010-03-24 | 株式会社日立メディコ | X線画像診断装置 |
DE10220293A1 (de) * | 2002-05-07 | 2003-11-27 | Philips Intellectual Property | Gerät und Verfahren zur Reduktion von Bildartefakten |
DE102004003881B4 (de) * | 2004-01-26 | 2013-06-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Bildaufnahmevorrichtung |
JP4989197B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2012-08-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び補正方法 |
JP4921180B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-04-25 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
JP5049739B2 (ja) | 2006-11-01 | 2012-10-17 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置 |
JP5455312B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法、及びプログラム |
JP2009145053A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線検出器の撮像部および放射線検出器の製造方法 |
JP5247221B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-07-24 | キヤノン株式会社 | 放射線画像撮像システム及びその駆動方法 |
JP5377081B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2013-12-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置及びその制御方法 |
JP5464946B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-04-09 | キヤノン株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JP5238786B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2013-07-17 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置及び放射線撮影システム |
JP5833816B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2015-12-16 | 株式会社アールエフ | 放射線撮像装置 |
RU2014124718A (ru) * | 2011-11-18 | 2015-12-27 | Конинклейке Филипс Н.В. | Направляющая система рентгеновской визуализации для позиционирования пациента |
JP2013195267A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 携帯型電子機器 |
DE102012213494A1 (de) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Detektion von Röntgenstrahlung und Röntgendetektorsystem |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2286393A1 (fr) * | 1974-09-27 | 1976-04-23 | Labo Electronique Physique | Systeme automatique de reetalonnage permanent pour camera a scintillation |
JPS53143289A (en) * | 1977-05-19 | 1978-12-13 | Toshiba Corp | Semiconductor radiation measuring instrument |
JPS61155884A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Toshiba Corp | ガンマカメラ検出器 |
JPH05196739A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-08-06 | Toshiba Corp | シンチレーションカメラ |
JPH0772256A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像信号補正装置および方法 |
US5376797A (en) * | 1993-09-03 | 1994-12-27 | Siemens Medical Systems, Inc. | Method and apparatus for producing and utilizing flashes of light which simulate scintillation events |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34763896A patent/JP3684010B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10186045A (ja) | 1998-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3684010B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
EP0857983B1 (en) | Radiographic apparatus | |
EP0077677B1 (en) | Radiation image read-out method and apparatus | |
JP3560374B2 (ja) | X線撮像における散乱照射線補正のために部分的に透過性である物体で遮蔽する方法 | |
JP4533010B2 (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像方法及び放射線撮像システム | |
RU2472180C2 (ru) | Уменьшение эффектов захвата в сцинтилляторе за счет применения вторичного излучения | |
JP3554129B2 (ja) | 放射線撮影装置 | |
US20010012330A1 (en) | Radiographic apparatus | |
RU2479857C2 (ru) | Определение пространственного распределения отдачи сцинтиллятора | |
CN101435874A (zh) | 放射线成像装置和放射线成像装置的驱动方法 | |
JP3459745B2 (ja) | 画像処理装置、放射線撮影装置及び画像処理方法 | |
US5038037A (en) | Radiation image recording and read-out apparatus | |
JP4437609B2 (ja) | X線画像診断装置 | |
US4547670A (en) | Two-dimensional radiation detecting apparatus | |
JPH0246931B2 (ja) | ||
JPH05688B2 (ja) | ||
KR20110035939A (ko) | 광자극성 플레이트 판독 장치 | |
CA1223979A (en) | Method of adjusting scale factor for radiation image | |
EP0287117B1 (en) | Radiation image recording and read-out apparatus | |
JP2007147370A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
JPH10104766A (ja) | 放射線撮影装置 | |
JPS61189763A (ja) | 放射線画像情報読取方法 | |
JP2689175B2 (ja) | 画像読取装置 | |
JPH07128759A (ja) | 放射線画像読取方法および装置 | |
JP2003199733A (ja) | X線画像メモリ、x線画像メモリの使用方法、サブトラクション血管造影原理による被検者の検査方法及びx線画像検出器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050518 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050527 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090603 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090603 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100603 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110603 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120603 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120603 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130603 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |