JP3587776B2 - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の塗布装置及び塗布方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,基板である例えば半導体ウェハ(以下「ウェハ」とする)表面にレジスト液を塗布し,レジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを露光する露光処理,露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ,ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【0003】
上述のレジスト塗布処理は,通常レジスト塗布装置で行われており,例えばレジスト塗布装置のケーシング内には,上面が開口した円筒状のカップが設けられ,当該カップ内には,ウェハを吸着保持し,回転させるスピンチャックが設けられている。そして,ウェハのレジスト塗布処理は,回転されたウェハの中心にレジスト液を供給し,当該回転による遠心力によりウェハ上のレジスト液を拡散させて,ウェハ上に均一なレジスト膜を形成することにより行われていた。
【0004】
また,レジスト塗布処理の際には,ケーシング内及びカップ内を所定の温湿度雰囲気に維持する必要があるため,レジスト塗布装置には,カップ内のウェハにエアや不活性気体等の気体を供給する供給装置と,カップの下方からカップ内の雰囲気を排気する排気装置とが設けられている。従来,レジスト塗布装置内の雰囲気を排気する排気装置は,当該排気装置のみであり,前記供給装置の気体の供給量と一の前記排気装置の排気量とを調節することによって,レジスト塗布処理の処理環境を維持していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,レジスト膜の膜厚は,上述した気体を供給する際の流速によって変動するため,気体の流速を所定の範囲内に維持する必要があり,また,ケーシング外からの不純物がケーシング内に流入しないようにケーシング内を陽圧に維持しつつ,さらにウェハから発生する不純物をカップ外に流出させないように,上述した気体の排気を一定の排気流量以上で行う必要がある。そのため,上述したように一の排気装置と供給装置によって,上述した条件を全て満たすように各排気流量,供給流量を調節するのは,極めて困難であった。
【0006】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ケーシング内及びカップ内の雰囲気制御をより容易に行うことのできる塗布装置と,当該塗布装置を用いた塗布方法を提供することをその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明によれば,ケーシング内の容器内に位置する基板に塗布液を塗布する塗布装置において,前記ケーシング内に所定の気体を供給する供給装置と,前記容器内の雰囲気を排気する第1の排気管と,前記ケーシング内の雰囲気を排気する第2の排気管と,前記容器内に位置する基板に塗布液を供給する塗布液供給手段を搬送する搬送装置と,前記ケーシング内に配置された前記搬送装置を収容する収容部と,当該収容部内の雰囲気を排気する第3の排気管と,を有することを特徴とする塗布装置が提供される。
【0008】
このように,前記容器内の雰囲気を排気する第1の排気管とは別に,ケーシング内の雰囲気を排気する第2の排気管を設けることにより,ケーシング内を陽圧に維持するため排気調節を第2の排気管を用いて行うことができる。そのため,上述した,気体の供給量に対しケーシング内が陽圧になるようにケーシング内を排気し,かつ容器内の雰囲気が容器外に流出しないように容器内の雰囲気を所定流量以上で排気するという条件を満たす排気作業を,第1の排気管と第2の排気管とを用いて分担して行うことができる。したがって,ケーシング内及び容器内の雰囲気制御をより容易に行うことができる。また,前記塗布液供給手段を搬送する搬送装置には,通常複数の駆動機構が設けられており,このような駆動機構からは塵埃等の不純物が発生しやすい。本発明によれば,当該搬送装置の収容部を設け,その収容部の雰囲気を別途第3の排気管によって排気できるため,搬送装置から発生した不純物を好適に排出することができる。その結果,当該不純物が基板に付着して汚染することが抑制され,基板の塗布処理が好適に行われる。
【0009】
なお,前記第1の排気管の下流側が,前記第2の排気管における,前記第2の調節装置の上流側に接続されるようにしてもよい。このように,第1の排気管の下流側を第2の排気管に接続することにより,前記容器内の排気が最終的に第2の排気管内に送られるため,一系統の配管によって,ケーシング内と容器内の雰囲気の排気を行うことができる。したがって,配管設備が単純化されるとともに,余計な設備を省略できるのでコストの低減が図られる。
【0010】
また,前記供給装置が,前記気体が前記ケーシングの上部から下方に向けて供給されるように構成されており,前記第2の排気管は,前記ケーシングの下部に設けられており,前記供給装置と第2の排気管によって前記ケーシング内に発生した下降気流を整流する整流板を有するようにしてもよい。このように,ケーシング内の気流を整流し,気流が一方向に流れるようにすることにより,乱流等を抑え,ケーシング内の塵埃等の不純物を好適に排出することができ,ケーシング内をより清浄な状態に維持することができる。
【0012】
参考例として,上記塗布装置を用いた塗布方法であって,前記第2の排気管から排気される前記ケーシング内の雰囲気の流量を調節することによって,前記ケーシング内の気圧を前記ケーシング外の気圧よりも高く維持することを特徴とする塗布方法が提案される。
【0013】
このように,第2の排気管を用いてケーシング内の気圧を陽圧に維持することにより,従来一の排気管によって行われていた,前記容器内の排気流量調節とケーシング内の陽圧調節とを分担して行うことができるため,各調節をより容易に行うことができる。
【0014】
別の参考例として,上記塗布装置を用いた塗布方法であって,前記第1の排気管から排気される前記容器内の雰囲気の流量を第1の流量に調節し,前記第2の排気管から排気される前記ケーシング内の雰囲気の流量を前記第1の流量よりも多い第2の流量に調節することによって,前記ケーシング内の気圧を前記ケーシング外の気圧よりも高く維持することを特徴とする塗布方法が提案される。
【0015】
第2の排気管における第2の調節装置の上流側に第1の排気管を接続した塗布装置において,第1の排気管内を通過する排気流量を第1の流量に調節し,第2の排気管内を通過する排気流量を第1の流量よりも多い第2の流量に調節する。こうすることによって,第1の排気管からの容器内の排気が適切な排気流量,すなわち第1の流量で行われ,ケーシング内の排気が第2の流量と第1の流量の差の流量で,ケーシング内が陽圧になるように行われる。したがって,上述した条件,すなわちケーシング内が陽圧になるようにケーシング内の雰囲気を排気し,かつ不純物を含有する容器内の雰囲気が容器外のケーシング内に流出しないように容器内を排気するという条件を満たす排気を行うことができる。また,第1の排気管内を通る気体は,最終的に第2の排気管に送られるため,一系統の配管によってケーシング内と容器内との雰囲気排気を行うことができる。
【0016】
前記基板を回転させた状態で,当該基板の中心に塗布液を供給し,当該塗布液を拡散させる時にのみ,前記第1の排気管から排気される前記容器内の雰囲気の流量を増大させるようにしてもよい。このように,回転している基板に塗布液を供給し,基板上の塗布液を拡散させる時にのみ前記第1の排気管内の排気流量を増大させることによって,前記塗布液の供給,拡散時において発生した塗布液のミストが第1の排気管によって強力に排気されて,当該ミストが容器外のケーシング内に流出することが抑制できる。したがって,当該ミストの発生しやすい前記塗布液の供給,拡散時においても,ケーシング内及び容器内を清浄な雰囲気に維持することができる。
【0017】
また,上述した塗布装置を用いた塗布方法であって,少なくとも前記塗布液供給手段が前記基板上方に位置した時に,前記第3の排気管から前記収容部内の雰囲気を排気してもよい。このように,少なくとも塗布液供給手段が基板上方に位置している時に,搬送装置の収容部の排気を行うことによって,搬送装置から発生した不純物が塗布液供給手段から基板上に落下し,基板に付着することが抑制できる。また,塗布液供給手段が基板上方に位置した時にのみ前記収容部の排気を行うようにすれば,その分排気のための電気消費量等が低減できるため,低コスト化が図られる。前記基板上方とは,好ましくは塗布液供給手段及び搬送装置からの不純物が基板上に落下する基板上の範囲である。
別の観点による本発明によれば,ケーシング内の容器内に位置する基板に塗布液を塗布する塗布装置において,前記ケーシングの上面に設けられ,前記ケーシング内に所定の気体を供給する供給管と,前記ケーシングの内側の前記容器よりも上部に設けられ,前記供給管から供給される気体を多数の通気孔を通して分流する分流板と,前記容器内の雰囲気を排気する第1の排気管と,前記ケーシングの下部に設けられ,前記ケーシング内の雰囲気を排気する第2の排気管と,を具備し,前記分流板に設けられた多数の通気孔は,前記容器に対向する部分の方が他の部分に比べて密になるように設けられていることを特徴とする塗布装置が提供される。
別の観点による本発明によれば,ケーシング内の容器内に位置する基板に塗布液を塗布する塗布装置において,前記ケーシングの上面に設けられ,前記ケーシング内に所定の気体を供給する供給管と,前記容器内の雰囲気を排気する第1の排気管と,前記ケーシングの下部に設けられ,前記ケーシング内の雰囲気を排気する第2の排気管と,前記容器内に位置する基板に塗布液を供給する塗布液供給手段を搬送する搬送装置と,前記ケーシング内に配置された前記搬送装置を収容する収容部と,を有し,前記収容部の上面には,複数の第1通気孔が設けられ,前記収容部の前記容器側の下部には,前記第1通気孔から流入し前記収容部内を通過した気体を前記容器の下方に排出する第2通気孔が設けられていてもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本発明にかかる塗布装置を有する塗布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0019】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0020】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0021】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対してもアクセスできるように構成されている。
【0022】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置群の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なり,処理装置群の数は,1以上であれば4つで無くてもよい。
【0023】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,本実施の形態にかかる塗布装置としてのレジスト塗布装置17と,露光後のウェハWを現像処理する現像処理装置18とが下から順に2段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0024】
第3の処理装置群G3では,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウェハWを待機させるエクステンション装置32,レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置33,34及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置35,36等が下から順に例えば7段に重ねられている。
【0025】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,クーリング装置43,露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置44,45,ポストベーキング装置46,47等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0026】
インターフェイス部4の中央部にはウェハ搬送体50が設けられている。このウェハ搬送体50はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置41,エクステンション装置42,周辺露光装置51及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0027】
次に,上述したレジスト塗布装置17の構成について詳しく説明する。図4は,レジスト塗布装置17の概略を示す縦断面の説明図であり,図5は,レジスト塗布装置17の横断面の説明図である。
【0028】
レジスト塗布装置17のケーシング17aの中央部には,図4に示すように上面が平坦に形成され,その中央部に図示しない吸引口を有するスピンチャック60が設けられており,レジスト塗布装置17内に搬入されたウェハWがスピンチャック60上に水平に吸着保持されるように構成されている。スピンチャック60下方には,このスピンチャック60を上下動及び回転自在とする図示しない駆動機構が設けられており,ウェハWにレジスト液を塗布する際にウェハWを所定の回転数で回転させたり,ウェハWをスピンチャック60上に載置する際にスピンチャック60を上下に移動させたりできるようになっている。
【0029】
スピンチャック60の外周外方には,この外周を取り囲むようにして,上面が開口した環状のカップ61が設けられており,スピンチャック60上に吸着保持され,回転されたウェハWから遠心力により飛散したレジスト液を受け止め,周辺の装置が汚染されないようになっている。カップ61の底部には,当該ウェハWからこぼれ落ちたり,飛散したりしたレジスト液を排液する図示しないドレイン管が設けられている。
【0030】
カップ61の下部には,カップ61内の雰囲気を排気する第1排気管62が設けられている。第1排気管62は,後述のように第2排気管83を介して吸引装置63に通じており,この吸引装置63によってカップ62内の雰囲気を積極的に排気できるようになっている。また,この第1排気管62には,第1の調節装置としての第1ダンパ64が設けられており,第1排気管62を流れる気体の流量を調節可能に構成されている。
【0031】
カップ61の側方であって,X方向負方向(図4,図5の右方向)側には,図5に示すようにY方向(図5の上下方向)に長く,外形が直方体形状の収容部としてのケース66が設けられている。当該ケース66内には,ウェハWにレジスト液を吐出する塗布液供給手段としてのレジスト液供給ノズル67を搬送する搬送装置としてのノズル搬送装置68が設けられている。
【0032】
ノズル搬送装置68は,図4に示すようにレジスト液供給ノズル67を吊り下げるようにして保持可能なノズル保持部材69と,このノズル保持部材69が固定されているアーム部70とを有している。アーム部70には,図示しない駆動機構が設けられており,この駆動機構によってアーム部70は,図5に示すようにY方向に伸びるレール71上を移動自在であり,またZ方向に伸縮自在に構成されている。したがって,ノズル保持部材69に保持されたレジスト液供給ノズル67は,Y,Z方向に移動自在である。また,ノズル保持部材69の固定されている位置は,アーム部70がウェハの中心上方に移動した際に,ノズル保持部材69がウェハWの中心上方になる位置であり,レジスト液が当該ノズル保持部材69に保持されたレジスト液供給ノズル67からウェハWの中心に供給されるようになっている。
【0033】
また,ケース66の上面には,複数の第1通気孔66aが設けられ,ケース66のカップ61側の下部には,第2通気孔66bが設けられており,第1通気孔66aからの気体がケース66内を通過し,第2通気孔66bからカップ61の下方に排出されるように構成されている。
【0034】
カップ61の外方であって,Y方向正方向(図5の上方向)側には,上記したレジスト液供給ノズル67を待機させて置くためのノズルボックス72が設けられている。ノズルボックス72には,レジスト液供給ノズル67の外形と同形状の複数の凹部73が設けられており,当該凹部73にレジスト液供給ノズル67を受容し,待機させることができるようになっている。また,ノズルボックス72は,X方向に移動自在に構成されており,ノズルボックス72がX方向に移動することによって,所望のレジスト液供給ノズル67が,ノズル搬送装置68に固定されているノズル保持部材69の下方に移動し,ノズル保持部材69が下降してレジスト液供給ノズル67を保持できるようになっている。
【0035】
ケーシング17aの上面には,ケーシング17a内に所定の気体,例えば大気であるエアや不活性気体を供給するための供給装置としての供給管74が設けられている。この供給管74には,ダンパ75が設けられており,ケーシング17a内に供給される気体の流量を所定の流量に調節できるようになっている。なお,不活性気体には,例えば窒素ガス,ヘリウムガス等が含まれる。
【0036】
また,供給管74のダンパ75の下流には,温湿度調節装置76が設けられており,供給管74内を流れる気体を適切な温度及び湿度に調節してから,当該気体をケーシング17a内に供給できるようになっている。
【0037】
ケーシング17aの内側の上部には,前記供給管74からの気体を分流する分流板77がケーシング17aの上面と平行になるように設けられている。分流板77には,図6に示すように多数の通気孔78が設けられており,当該通気孔78は,下方のカップ61に対向する部分の方が他の部分に比べて密になるように設けられている。かかる構成により供給管74から供給された気体を,各通気孔78を通すことによって分流し,ケーシング17a内全体に安定した下降気流を供給できるようになっている。また,通気孔78がカップ61に対向する位置に多く設けられているため,カップ61内により多くの気体が供給されるようになっている。
【0038】
前記分流板77の下方であって,カップ61と同じ高さの位置には,整流板80がカップ61の外周を取り囲むようにして水平に設けられている。この整流板80には,図5に示すように多数の孔81が設けられており,上述した分流板77を通過した気体が当該孔81を通過することによって,分流板77から整流板80に対して直線的な下降気流が形成されるようになっている。
【0039】
ケーシング17aの内側の下部には,排気口82を上方に向けた第2の排気管としての第2排気管83が設けられており,吸引装置63によってケーシング17a内の雰囲気を積極的に排気できるようになっている。第2排気管83には,第2排気管83を流れる雰囲気の流量を調節する第2の調節装置としての第2ダンパ84が取り付けられている。また,上述したカップ61からの第1排気管62の下流側は,第2ダンパ84の上流側の第2排気管83に連通されており,最終的には,カップ61内の雰囲気も第2排気管83を通って排気されるようになっている。なお,上述したように第2排気管83には,第1排気管62からの気体が合流するが,第1排気管62の排気流量は上流の第1ダンパ64によって調節されているため,第2ダンパ84による流量調節は,専ら排気口82から排気されるケーシング17a内の雰囲気の流量調節を担っている。
【0040】
上述した第1排気管62の第1ダンパ64,供給管74のダンパ75,第2排気管83の第2ダンパ84は,コントローラ85によって制御されており,コントローラ85によって第1排気管62,第2排気管83及び供給管74内を流れる気流の流量を所定の流量に維持したり,所定のタイミングで所定の流量に変更したりすることができる。
【0041】
次に,以上のように構成されているレジスト塗布装置17の作用について,塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0042】
先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置31に搬入する。このアドヒージョン装置31において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置30搬送され,所定の温度に冷却される。その後,ウェハWはレジスト塗布装置17又19に搬送される。
【0043】
そして,ウェハW上にレジスト膜が形成されたウェハWは,再び主搬送装置13によってプリベーキング装置33又は34,エクステンション・クーリング装置41に順次搬送され,所定の処理が施される。
【0044】
次いで,ウェハWはエクステンション・クーリング装置41からウェハ搬送体50によって取り出され,周辺露光装置51を経て露光装置(図示せず)に搬送される。露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体50によりエクステンション装置42に搬送され,さらに主搬送装置13によって,ポストエクスポージャーベーキング装置44又は45,現像処理装置18又は20,ポストベーキング装置35,36,46又は47,クーリング装置30と順次搬送され,各装置において所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エクステンション装置32を介して,ウェハ搬送体7によってカセットCに戻され,一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【0045】
次に上述したレジスト塗布装置17の作用について詳しく説明する。先ず,ウェハWがレジスト塗布装置17に搬入される前に,供給管74からケーシング17a内に,温度及び湿度が調節されたエアが供給され始める。このときのエアの供給流量は,コントローラ85及びダンパ75によって,例えば供給管74内の流速が0.3m/s程度になるように2.1m3/minに調節される。
【0046】
また,これと同時に吸引装置63が作動し,カップ61内の雰囲気が第1排気管62から排気され,ケーシング17a内の雰囲気が排気口82から排気され始める。このとき,第1排気管62内の流量は,第1の流量としての,例えば1.5m3/minに調節され,第2排気管83の流量は,第2の流量としての,例えば2.0m3/minに調節される。
【0047】
これによって,供給管74から供給された2.1m3/minのエアは,分流板77を通過し,ケーシング17a内全体に供給され,その内1.5m3/minのエアは,カップ61内に入り,カップ61内をパージしつつ第1排気管62から排気される。また供給されたエアの内0.5m3/min(前記第1の流量と前記第2の流量との差)は,整流板80又はケース66内を通過し,ケーシング17a内に下降気流を形成しつつ,排気口82から第2排気管83を介して排気される。そして,残りの0.1m3/minによってケーシング17a内の気圧が陽圧に維持される。
【0048】
以上のようにケーシング17a内及びカップ61内の雰囲気が適切な雰囲気に維持された後に,ウェハWのレジスト塗布処理が開始される。先ず,主搬送装置13によってウェハWがレジスト塗布装置17内に搬入され,ウェハWが予め上昇して待機していたスピンチャック60に受け渡され,その後ウェハWがスピンチャック60上に吸着保持される。次にスピンチャック60が下降し,ウェハWがカップ61内の所定の位置に配置される。
【0049】
ウェハWがカップ61内の所定位置に配置されると,ノズル搬送装置68がY方向に移動し,ノズルボックス72で待機しているレジスト液供給ノズル67を保持する。そして,再びY方向に移動し,レジスト液供給ノズル67がウェハWの中心上方に移動される。次にスピンチャック60によってウェハWが所定の回転速度,例えば100rpmで回転され始める。このとき,第1ダンパ64によって,第1排気管62内の排気流量を,例えば1.5m3/minから2.0m3/minに増加させる。
【0050】
その後,レジスト液供給ノズル67からレジスト液が吐出され,ウェハW中心に所定量のレジスト液が供給される。そして,所定量のレジスト液が供給された後,ウェハWの回転が,例えば4000rpmに加速され,これによってウェハW上のレジスト液がウェハW全面に拡散され,レジスト膜が形成される。その後,ウェハWの回転が,例えば2500rpmに減速され,更にレジスト液が拡散され,レジスト膜の薄膜化が図られる。そして,所定膜厚のレジスト膜が形成されると,ウェハWの回転が停止される。このとき,第1排気管62内の排気流量を2.0m3/minから1.5m3/minに減少させる。
【0051】
こうしてウェハW上に所定のレジスト膜が形成され,ウェハWの回転が停止されると,レジスト液供給ノズル67は再びノズルボックス73に移動されて,ノズルボックス73の凹部74に戻される。またレジスト膜が形成されたウェハWは,再びスピンチャック60によって上昇され,スピンチャック60から主搬送装置13に受け渡される。そして,レジスト塗布装置17から次工程の行われるプリベーキング装置33に搬送され,レジスト塗布処理が終了する。
【0052】
以上の実施の形態によれば,ケーシング17a内の雰囲気を排気するための第2排気管83とカップ61内の雰囲気を排気するための第1排気管62とを別々に設けているので,ケーシング17a内の陽圧調節を専ら第2排気管83を用いて行うことができる。したがって,従来のように,第1排気管62によって,カップ61内の排気と陽圧調整の両方を行う必要が無くなり,ケーシング17a及びカップ61内の雰囲気を容易に調節することができる。
【0053】
また,第1排気管62を第2排気管83に接続して設けたため,カップ61内の雰囲気とケーシング17a内の排気が,最終的に一の排気管にまとめられるため,排気用の配管が一系統で足りる。
【0054】
カップ61の周囲に整流板80を設けたため,第2排気管82を取り付けたことによって形成されたケーシング17a内の下降気流が,ケーシング17a内において一様に形成され,ケーシング17a内の不純物を好適に排出することができる。
【0055】
また,回転されたウェハW上にレジスト液を供給し,当該レジスト液を拡散する時にのみ,カップ61内の排気流量を増大させるようにしたため,レジスト液から多くのミストが発生する当該タイミングにおいて,カップ61内からケーシング17a内に当該ミストが流出することが抑制できる。
【0056】
以上の実施の形態では,上述したように第1排気管62を第2排気管83に接続して設けたが,接続せずに第1排気管62と第2排気管83とを独立させて設けてもよい。このような場合においても,ケーシング17a内の気圧調節とカップ61内の排気調節とを異なる排気管によって行うことができるため,レジスト処理中の雰囲気制御を従来に比べて容易に行うことができる。
【0057】
また,以上の実施の形態では,ノズル搬送装置68のケース66内の排気を,他のケーシング17a内の排気と同様に第2排気管83によって行っていたが,ケース66内の雰囲気を排気する排気管を別途設けるようにしてもよい。
【0058】
このような場合,例えば図7に示すように,第3の排気管としての排気管90をケース66の下方の側壁に取り付け,例えば吸引装置63によってケース66内の雰囲気を積極的に排気できるようにすることが提案される。そして,ウェハWのレジスト塗布処理が行われる際には,常時ケース66内の雰囲気を排気し,パージするようにする。こうすることによって,駆動機構が多く,不純物の発生しやすいノズル搬送装置68の周辺を清浄な雰囲気に維持し,カップ61内のウェハWに不純物が付着することを抑制できる。
【0059】
このようにケース66内の排気をレジスト塗布処理中に常時行うようにしてもよいが,ノズル搬送装置68に保持されたレジスト液供給ノズル67がウェハW上に位置したときにのみ行うようにしてもよい。すなわちノズル搬送装置68から発生した不純物がウェハW上に落下し易い場合にのみケース66内の排気を行うようにする。こうすることにより,必要のない過剰の排気が抑制され,ケーシング17a内の気流が安定し,また排気することによって必要となる電力消費量の低減も図られる。
【0060】
以上の実施の形態では,ウェハWにレジスト液を塗布し,レジスト膜を形成する塗布装置についてであったが,レジスト液以外の塗布液,例えば現像液を塗布する装置においても適用できる。また,ウェハW以外の基板例えばLCD基板の塗布装置にも適用される。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば,ケーシング内を陽圧に維持するための排気と容器内の雰囲気が容器外に流出しないようにするための排気を別々の排気管を用いて行うことができるため,複数の条件を満たす雰囲気制御をより容易に行うことができる。
【0062】
本発明によれば,一系統の配管のみでケーシング内の排気と容器内の排気を行うことができるので,配管設備が単純化されるとともに,余計な設備を省略できるのでコストの低減が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかるレジスト塗布装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】レジスト塗布装置の縦断面の説明図である。
【図5】図4のレジスト塗布装置の横断面の説明図である。
【図6】レジスト塗布装置に用いられる分流板の平面図である。
【図7】レジスト塗布装置の他の構成例を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
17 レジスト塗布装置
17a ケーシング
61 カップ
62 第1排気管
64 第1ダンパ
74 供給管
77 分流板
80 整流板
83 第2排気管
84 第2ダンパ
68 ノズル搬送装置
W ウェハ
Claims (5)
- ケーシング内の容器内に位置する基板に塗布液を塗布する塗布装置において,
前記ケーシング内に所定の気体を供給する供給装置と,
前記容器内の雰囲気を排気する第1の排気管と,
前記ケーシング内の雰囲気を排気する第2の排気管と,
前記容器内に位置する基板に塗布液を供給する塗布液供給手段を搬送する搬送装置と,
前記ケーシング内に配置された前記搬送装置を収容する収容部と,
当該収容部内の雰囲気を排気する第3の排気管と,を有することを特徴とする,塗布装置。 - 前記供給装置は,前記気体が前記ケーシングの上部から下方に向けて供給されるように構成されており,
前記第2の排気管は,前記ケーシングの下部に設けられており,
前記供給装置と第2の排気管によって前記ケーシング内に発生した下降気流を整流する整流板を有することを特徴とする,請求項1に記載の塗布装置。 - 請求項1に記載の塗布装置を用いた塗布方法であって,
少なくとも前記塗布液供給手段が前記基板上方に位置した時に,前記第3の排気管から前記収容部内の雰囲気を排気することを特徴とする,塗布方法。 - ケーシング内の容器内に位置する基板に塗布液を塗布する塗布装置において,
前記ケーシングの上面に設けられ,前記ケーシング内に所定の気体を供給する供給管と,
前記ケーシングの内側の前記容器よりも上部に設けられ,前記供給管から供給される気体を多数の通気孔を通して分流する分流板と,
前記容器内の雰囲気を排気する第1の排気管と,
前記ケーシングの下部に設けられ,前記ケーシング内の雰囲気を排気する第2の排気管と,を具備し,
前記分流板に設けられた多数の通気孔は,前記容器に対向する部分の方が他の部分に比べて密になるように設けられていることを特徴とする,塗布装置。 - ケーシング内の容器内に位置する基板に塗布液を塗布する塗布装置において,
前記ケーシングの上面に設けられ,前記ケーシング内に所定の気体を供給する供給管と,
前記容器内の雰囲気を排気する第1の排気管と,
前記ケーシングの下部に設けられ,前記ケーシング内の雰囲気を排気する第2の排気管と,
前記容器内に位置する基板に塗布液を供給する塗布液供給手段を搬送する搬送装置と,
前記ケーシング内に配置された前記搬送装置を収容する収容部と,を有し,
前記収容部の上面には,複数の第1通気孔が設けられ,
前記収容部の前記容器側の下部には,前記第1通気孔から流入し前記収容部内を通過した気体を前記容器の下方に排出する第2通気孔が設けられていることを特徴とする,塗布装置。
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JP2004072120A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-03-04 | Yoshitake Ito | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 |
US7041172B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-05-09 | Asml Holding N.V. | Methods and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions with multi-syringe fluid delivery systems |
US7364771B2 (en) | 2003-03-06 | 2008-04-29 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method and apparatus for production of fluorine-containing polyimide film |
TWI278416B (en) * | 2004-12-09 | 2007-04-11 | Au Optronics Corp | Cassette stocker |
US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
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KR100843217B1 (ko) * | 2006-12-15 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 후면 액상접착제 도포를 이용한 반도체 패키지 제조용 인라인 시스템 |
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US7967912B2 (en) * | 2007-11-29 | 2011-06-28 | Nuflare Technology, Inc. | Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device |
JP5160204B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-03-13 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
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JP5641556B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-12-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US8597429B2 (en) | 2011-01-18 | 2013-12-03 | Nuflare Technology, Inc. | Manufacturing apparatus and method for semiconductor device |
US9446467B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrate rinse module in hybrid bonding platform |
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JP6482979B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
CN108080222A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种废液收集杯的排风切换装置及其方法 |
CN106707690B (zh) * | 2017-01-04 | 2021-08-20 | 中国科学院光电技术研究所 | 光刻胶涂覆方法和装置 |
JP7124946B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2022-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法 |
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JP7441665B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2024-03-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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Family Cites Families (13)
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JP2764069B2 (ja) * | 1989-07-06 | 1998-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法 |
KR0140519B1 (ko) * | 1989-09-25 | 1998-07-15 | 고다까 토시오 | 도포장치 |
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JPH05166712A (ja) | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転塗布方法 |
JP2952626B2 (ja) * | 1992-10-20 | 1999-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US5472502A (en) * | 1993-08-30 | 1995-12-05 | Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus and method for spin coating wafers and the like |
US5565034A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate |
JP3122868B2 (ja) | 1994-09-29 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
DE19500873A1 (de) * | 1995-01-13 | 1996-07-18 | Gema Volstatic Ag | Sprühbeschichtungsvorrichtung |
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JPH09205062A (ja) | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
TW420829B (en) * | 1997-05-22 | 2001-02-01 | Tokyo Electron Ltd | Treatment device and method, impurity removing apparatus |
TW418452B (en) * | 1997-10-31 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating process |
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