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JP3568865B2 - 半導体デバイス - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、特に都合よく製造される半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、基板と組み合わされた半導体デバイスが一般に使用されている。ダイを基板の片面に形成する製造方法は、ダイを基板の両面に形成する製造方法とは異なる。したがって、異なる要求を満たすためには異なる基板を準備する必要があるため、より多くの材料を保管する必要があり、保管費用がより上昇する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記従来技術に関連した前述の問題を克服するように都合よく製造される半導体デバイスを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの特徴によれば、本発明の半導体デバイスは、実装基板、支持基板、ダイ、および複数の電気導体からなっている。前記実装基板は、所定の電気トレースが配設される第１面と前記第１面に対向する第２面とを有する。前記実装基板は、前記第１面と第２面を貫通する受入孔が形成されている。前記支持基板は、金属材料からなり、その形状は前記実装基板の受入孔に収容される。前記支持基板は、前記実装基板の受入孔に収容されて、前記実装基板の受入孔を制限する周壁との間に少なくとも１つのダイ受け入れ空間を形成する。前記ダイは、複数の接合パッドを備えたパッド実装面を有し、前記ダイ受け入れ空間に受け入れられる。前記電気伝導体は、前記ダイの接合パッドを、前記実装基板の第１面の対応する電気トレースに電気的に接続する。
【０００５】
本発明の他の特徴によれば、本発明の半導体デバイスは、実装基板、支持基板、ダイ、カバープレートおよび複数の電気導体からなっている。前記支持基板は、所定の電気トレースが配設される第１面と前記第１面に対向する第２面とを有する。前記実装基板は、前記第１面と第２面を貫通する受入孔が形成されている。前記支持基板は、金属材料からなり、その形状は前記実装基板の受入孔に収容される。前記支持基板は、前記実装基板の受入孔に収容されて、前記実装基板の受入孔を制限する周壁との間に少なくとも１つのダイ受け入れ空間を形成する。前記ダイは、複数の接合パッドを実装するためにパッド実装面を有し、前記ダイ受け入れ空間に受け入れられる。前記カバープレートは、前記ダイの上のダイ受入空間に受入られる。前記カバープレートは、前記ダイのパッドを露出させるための少なくとも１つのアクセス開口部が形成され、空気にさらされるとともに前記実装基板の第１面の対応する電気トレースに電気的に接続される所定の電気トレースが設けられている。前記電気導体は、前記ダイの接合パッドを、前記カバープレートの面の対応する電気トレースに電気的に接続される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に従って説明する。
【０００７】
全明細書において同一の要素には同一参照符号が示されている。
【０００８】
図１と図２を参照すると、本発明の第１実施形態による半導体デバイスは、実装基板１、支持基板２、ダイ３、および複数の電気導体４からなっている。
【０００９】
実装基板１は、複数の電気トレース（ｅｌｅｃｔｒｃａｌ ｔｒａｃｅ）１４が配設された第１面１０と、該第１面と反対側にある第２面１１とを有する。実装基板１には、受入孔１２と、複数のめっき貫通穴（ｐｌａｔｅｄ ｖｉａｓ）１３が形成されている。受入孔１２とめっき貫通穴１３は、第１面１０と第２面１１を貫通している。めっき貫通穴１３の壁は導電性材料で電気めっきされ、該導電性材料は対応する電気トレース１４に電気的に接続されている。実装基板１にはさらに、複数のはんだ球（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）１５が設けられている。このはんだ球１５は、実装基板１の面１０と１１のいずれかに設けられ、対応するめっき貫通穴１３と整列していて、該めっき貫通穴１３の導電性材料と電気的に接続されている。第１実施形態では、受入孔１２は矩形であり、実装基板１には４つの固定孔１６が形成され、各固定孔１６は受入孔１２の角部に隣接して位置し、孔１２と連通している。
【００１０】
支持基板２は、金属材料で形成され、その形状は、図３に示すように、実装基板１の受入孔１２と固定孔１６に収容されるようになっている。支持基板２は実装基板１の受入孔１２に圧入され、支持基板２の４つの角部２０はさらなる位置決めのために実装基板１の対応する固定孔１６に延びている。これにより、支持基板１の受入孔１２の壁と支持基板２の間に、ダイ受入空間が形成されている。
【００１１】
実装基板１の全ての固定孔１６は、エポキシのような適当なペースト材料２１で充填して、支持基板２が実装基板１に対して移動するのを防止することができる。
【００１２】
ダイ３は、複数の接合パッド３１を実装するためのパッド実装面３０を有し、前記ダイ受入空間に受け入れられている。ダイ３は、ダイ３と支持基板２の間に位置する接着層３２によって固定されている。
【００１３】
電気導体４は、ダイ３の接合パッド３１を実装基板１の第１面１０の対応する電気トレースに電気的に接続するのに使用されている。第１実施形態では、電気導体４は導電性金属ワイヤである。
【００１４】
ダイ３と電気導体４を保護するために、該ダイ３と電気導体４を覆うのに使用される被覆層５を実装基板１の第１面１０に設けることができる。
【００１５】
はんだ球１５やダイ３の数、およびダイ３の接合パッド３１の配置は、望みどおりに変更することができる。これに対し、実装基板１の受入孔１２および支持基板２の形状は、図２および図３に示すものに限られず、同一の概念で形成される如何なる形状も使用できる。また、空気にさらされる支持基板２の面は、絶縁材料の層で被覆し、その上に電気トレース（不図示）を必要に応じて設けてもよい。
【００１６】
図４は、本発明の第２実施形態による半導体デバイスを示す。この第２実施形態では、半導体デバイスは、実装基板１、支持基板２、第１ダイ３、第２ダイ３´、複数の第１電気導体４、および複数の第２電気導体４´からなる。
【００１７】
実装基板１は、図２に示す電気トレース用の対応する配置の第１面１１と第２面１２を有し、さらに第１面１１と第２面１２を貫通する受入孔１２と複数のめっき貫通穴１３を有している。各めっき貫通穴１３の壁は、導電性材料で電気めっきされ、該電気めっきは実装基板１の対応する電気トレースに電気的に接続されている。実装基板１はさらに複数のはんだ球１５を有している。導電性はんだ球１５は実装基板１の面１０と１１の一方に形成され、対応するめっき貫通穴１３と整列し、対応するめっき貫通穴１３の導電性材料と電気的に接続されている。第２実施形態では、受入孔１２は矩形で、実装基板１には４つの固定孔１６が形成され、各固定孔１６は受入孔１２の角部に隣接して位置し、該受入孔１２と連通している。
【００１８】
第１実施形態と同様に、支持基板２は金属材料で形成され、支持基板２の形状は実装基板１の受入孔１２と固定孔１６に収容されるようになっている。支持基板２は実装基板１の受入孔１２に圧入され、支持基板２の４つの角部２０はさらなる位置決めのために実装基板１の対応する固定孔１６に延びている。第１実施形態の半導体デバイスと異なり、支持基板２は実装基板１の受入孔１２に受け入れられ、実装基板の受入孔１２の壁と支持基板２の一方の面との間に第１ダイ受入空間を形成し、実装基板の受入孔１２の壁と支持基板２の反対側の他方の面との間に第２受入空間を形成している。
【００１９】
ダイ３は、複数の接合パッド３１のためのパッド実装面３０を有し、前記第１ダイ受入空間内に配置されている。第１ダイ３は、第１ダイ３と支持基板２の間に設けられた第１接着層３２によって固定されている。
【００２０】
第１電気導体４の各々は、第１ダイ３の接合パッド３１を実装基板１の第１面１０の対応する電気トレース（不図示）に電気的に接続している。
【００２１】
ダイ３と第１電気導体４を保護するために、該ダイ３と第１電気導体４を覆うための被覆層５が実装基板１の第１面１０に設けられている。
【００２２】
第２ダイ３´は、複数の接合パッド３１´のためのパッド実装面３０´を有し、前記第２ダイ受入空間によって固定されている。第２ダイ３´は、第２ダイ３´と支持基板２の間に設けられた第２接着層３２´によって固定されている。
【００２３】
第２電気導体４´の各々は、第２ダイ３´の接合パッド３１´を実装基板１の第２面１１の対応する電気トレース（不図示）に電気的に接続している。
【００２４】
ダイ３´と第２電気導体４´を保護するために、該ダイ３´と第２電気導体４´を覆うための被覆層５´が実装基板１の第２面１１に設けられている。
【００２５】
以上説明したように、第１実施形態の構造と第２実施形態の構造はわずかに異なるが、両実施形態の実装基板１と支持基板２はストックコストを大いに減少するために同一になっている。
【００２６】
図５は、本発明の第３実施形態による半導体デバイスを示す。第３実施形態の構造は、実装基板１、支持基板２、ダイ３、カバープレート６、および複数の電気導体４からなっている。
【００２７】
実装基板１と支持基板２の構造は、前記２つの実施形態と同一であるので、これらの基板１と２の説明を省略する。
【００２８】
ダイ３は、複数の接合パッド３１を実装するためのパッド実装面３０を有し、ダイ受入空間に配置されている。ダイ３は、該ダイ３と支持基板２との間の接着層３２によって固定されている。この第３実施形態では、ダイ３の上の接合パッド３１はパッド実装面３０の中央部にほとんど配置されている。
【００２９】
図６と図７では、カバープレート６の形状は、支持基板２と同一であり、カバープレート６はダイ受入空間の内側でかつダイ３の上に設置されている。また、圧入に加え、カバープレート６は、カバープレート６とダイ３の間に配置された接着層６４によってさらに固定されている。カバープレート６と接着層６４はともに、ダイ３のパッド３１を露出するためのアクセス開口部６３と６５を有している。さらに、空気にさらされるカバープレート６の面６０には、所定の電気トレース６２が設けられている。カバープレート６の電気トレース６２のそれぞれは、実装基板１の第１面１０の電気トレースの対応する一つに、導電性銀接着部（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｓｉｌｖｅｒ ｇｌｕｅ）７によって電気的に接続されている。
【００３０】
電気導体４の各々は、ダイ３の接合パッド３１をカバープレート６の表面６０の対応する電気トレース６２に電気的に接続している。
【００３１】
保護のために、カバープレート６と電気導体４を覆うための被覆層５が実装基板１の第１面１０に設けることができる。
【００３２】
図８において、本発明の第４実施形態による半導体デバイスは、実装基板１、支持基板２、第１ダイ３、第１カバープレート６、複数の第１電気導体４、第２ダイ３´、第２カバープレート６´、および複数の第２電気導体４´からなっている。
【００３３】
第４実施形態の実装基板１の構造は、第２実施形態のそれと同一であるため、その説明は省略する。
【００３４】
支持基板２の構造は、前記実施形態のそれと同一であるため、その説明は省略する。しかし、第１および第３実施形態の基板とは、支持基板２が実装基板１の受入孔１２内に配置されて、支持基板１の受入孔１２の壁と支持基板２の一方の面との間に第１受入空間を形成し、支持基板１の受入孔１２の壁と支持基板２の他方の面との間に第２受入空間を形成している点で相違する。
【００３５】
第１ダイ３は、複数の接合パッド３１を実装するためのパッド実装面３０を有し、第１ダイ受入空間に配置されている。第１ダイ３は、該第１ダイ３と支持基板２との間の第１接着層３２によって固定されている。
【００３６】
第１カバープレート６が第１ダイ受入空間の内側でかつ第１ダイ３の上に設置されていることは、第３実施形態と同一である。また、圧入に加え、第１カバープレート６は、第１カバープレート６とダイ３の間の接着層６４によって固定されている。第１カバープレート６と接着層６４はともに、ダイ３の接合パッド３１を露出するためのアクセス開口部６３と６５を有している。さらに、空気にさらされる第１カバープレート６の面６０には、前記実施形態と同様の所定の電気トレース（不図示）が設けられている。第１カバープレート６の電気トレース６２のそれぞれは、実装基板１の第１面１０の電気トレースの対応する一つに、導電性銀接着部７によって電気的に接続されている。
【００３７】
第１電気導体４の各々は、第１ダイ３の接合パッド３１を第１カバープレート６の表面６０の対応する電気トレース６２に電気的に接続している。
【００３８】
第１カバープレートと第１電気導体４の保護のために、第１カバープレート６と第１電気導体４を覆うための第１被覆層５が実装基板１の第１面１０に設けられている。
【００３９】
第２ダイ３´は、複数の接合パッド３１´を実装するためのパッド実装面３０´を有し、第２ダイ受入空間に配置されている。第２ダイ３´は、該第２ダイ３´と支持基板２との間の第２接着層３２´によって固定されている。
【００４０】
第２カバープレート６´が第２ダイ受入空間の内側でかつ第２ダイ３´の上に設置されていることは、第１カバープレート６と同一である。また、圧入に加え、第２カバープレート６´は、第２カバープレート６´と第２ダイ３´の間の接着層６４´によって固定されている。第２カバープレート６´と接着層６４´はともに、第２ダイ３´の接合パッド３１´を露出するためのアクセス開口部６３´と６５´を有している。さらに、空気にさらされる第２カバープレート６´の面６０´には、所定の電気トレース（不図示）が設けられている。第２カバープレート６´の電気トレースのそれぞれは、実装基板１の第２面１１の電気トレースの対応する一つに、第２カバープレート６´の面６０´から実装基板１の第１面１０へ横切る導電性銀接着部７´によって電気的に接続されている。
【００４１】
第２電気導体４´の各々は、第２ダイ３´の接合パッド３１´を第２カバープレート６´の表面６０´の対応する電気トレースに電気的に接続している。
【００４２】
第２カバープレート６´と第２電気導体４´の保護のために、第２カバープレート６´と第２電気導体４´を覆うための第２被覆層５´が実装基板１の第２面１１に設けられている。
【００４３】
図９において、本発明の第５実施形態による半導体デバイスは、実装基板１、支持基板２、第１ダイ３、カバープレート６、複数の第１電気導体４、第２ダイ３´、および複数の第２電気導体４´からなっている。
【００４４】
実装基板１と支持基板２の構造は、第２，第４実施形態のそれと同一であるため、その説明は省略する。
【００４５】
第１ダイ３は、複数の接合パッド３１を実装するためのパッド実装面３０を有し、第１ダイ受入空間に受け入れられている。第１ダイ３は、該第１ダイ３と支持基板２との間の第１接着層３２によって固定されている。
【００４６】
第１カバープレート６が第１ダイ受入空間の内側でかつ第１ダイ３の上に設置されていることは、第３，第４実施形態と同一である。また、圧入に加え、第１カバープレート６は、第１カバープレート６と第１ダイ３の間の接着層６４によって固定されている。第１カバープレート６と接着層６４はともに、ダイ３のパッド３１を露出するためのアクセス開口部６３と６５を有している。さらに、空気にさらされる第１カバープレート６の面６０には、所定の電気トレースが設けられている。第１カバープレート６の電気トレースのそれぞれは、実装基板１の第１面１０の電気トレースの対応する一つに、導電性銀接着７によって電気的に接続されている。
【００４７】
第１電気導体４の各々は、第１ダイ３の接合パッド３１を第１カバープレート６の表面６０の対応する電気トレースに電気的に接続している。
【００４８】
第１カバープレートと第１電気導体４の保護のために、第１カバープレート６と第１電気導体４を覆うための被覆層５が実装基板１の第１面１０に設けられている。
【００４９】
第２ダイ３´は、複数の接合パッド３１´を実装するためのパッド実装面３０´を有し、第２ダイ受入空間に配置されている。第２ダイ３´は、該第２ダイ３´と支持基板２との間の第２接着層３２´によって固定されている。
【００５０】
第２電気導体４´の各々は、第２ダイ３´の接合パッド３１´を実装基板１の第２面１１の対応する電気トレースに電気的に接続している。
【００５１】
第２ダイ３´と第２電気導体４´の保護のために、第２ダイ３´と第２電気導体４´を覆うための第２被覆層５´が実装基板１の第２面１１に設けられている。
【００５２】
以上説明したように、本発明による半導体デバイスは、前記構造と装置によって前記目的を達成し、その効果を奏することができる。また、本発明は、公報には開示されていないし、公知にされていない。したがって、本発明は、新規性および進歩性の要件を満たす。
【００５３】
本発明の前記実施形態は、説明のためのものにすぎない。請求の範囲を逸脱することなく多くの代案の実施形態を工夫することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ダイを基板の片面に形成する製造方法と、ダイを基板の両面に形成する製造方法とで、同じ基板を準備すればよいため、保管する材料が減少し、保管費用が低減するとともに、都合よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体デバイスの部分断面図。
【図２】本発明による半導体デバイスの第１実施形態の基板の概略図。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体デバイスの支持基板の概略図。
【図４】本発明の第２実施形態による半導体デバイスの部分断面図。
【図５】本発明の第３実施形態による半導体デバイスの部分断面図。
【図６】本発明の第３実施形態による半導体デバイスのカバープレートの概略図。
【図７】本発明の第３実施形態による半導体デバイスの接着層の概略図。
【図８】本発明の第４実施形態による半導体デバイスの部分断面図。
【図９】本発明の第５実施形態による半導体デバイスの部分断面図。
【符号の説明】
１ 実装基板
２ 支持基板
３，３´ ダイ
４，４´ 電気導体
５，５´ 被覆層
６，６´ カバープレート
７ 接着部
１０ 第１面
１１ 第２面
１２ 受入孔
１３ 貫通穴
１４ 電気トレース
１５ はんだ球
１６ 固定孔
２０ 角部
２１ ペースト材料
３０，３０´ パッド実装面
３１，３１´ 接合パッド
３２，３２´ 接着層
６０，６０´ 面
６２ 電気トレース
６３，６３´ アクセス開口部
６４，６４´ 接着層
６５，６５´ アクセス開口部

Claims (31)

  1. 所定の電気トレースが配設される第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面と第２面を貫通する受入孔が形成され、該受入孔は角を有する形状に形成され、その各角には前記受入孔と隣接して位置するとともに前記第１面と第２面を貫通し、かつ、前記受入孔と連通する固定孔が形成された実装基板と、
    金属材料からなり、前記実装基板の受入孔と固定孔の形状に対応しその中に嵌合する形状を有し、前記実装基板の受入孔に収容されて、前記実装基板の受入孔を制限する周壁との間に少なくとも１つのダイ受け入れ空間を形成する支持基板と、
    複数の接合パッドを備えたパッド実装面を有し、前記ダイ受け入れ空間に受け入れられるダイと、
    前記ダイの接合パッドを、前記実装基板の第１面の対応する電気トレースに電気的に接続する複数の電気導体とからなる半導体デバイス。
  2. 前記実装基板の第１面は複数のはんだ球が設けられ、該はんだ球は前記実装基板の第１面の対応する電気トレースと電気的に接続されている請求項１に記載の半導体デバイス。
  3. 前記実装基板は、複数のめっき貫通穴が形成され、各めっき貫通穴は導電性材料で電気めっきされた周壁で制限され、前記導電性材料は前記実装基板の対応する電気トレースに電気的に接続され、
    前記実装基板は、複数のはんだ球を有し、該はんだ球は、前記実装基板の第１面と第２面の一方に配設され、対応するめっき貫通穴と整列して、該対応するめっき貫通穴の導電性材料に電気的に接続されている請求項１に記載の半導体デバイス。
  4. 前記実装基板の受入孔は矩形で、その各角部には前記受入孔と連通する固定孔が形成され、前記支持基板の形状は前記受入孔の形状に対応し当該受入孔に嵌合する形状である請求項１に記載の半導体デバイス。
  5. 前記実装基板の固定孔は、ペースト材料が充填され、前記支持基板が前記実装基板に対して移動するのを防止している請求項４に記載の半導体デバイス。
  6. 前記ダイと前記電気導体を覆うために、前記実装基板の第１面に配置された被覆層をさらに有する請求項１に記載の半導体デバイス。
  7. 前記ダイと前記支持基板との間に位置する接着層をさらに有する請求項１に記載の半導体デバイス。
  8. 前記支持基板は、空気に露出するとともに絶縁材料からなる絶縁層が設けられた面を有し、前記絶縁層はその上に電気トレースが設けられている請求項１に記載の半導体デバイス。
  9. 前記実装基板の第２面は、所定の電気トレースが設けられ、
    前記支持基板は、前記実装基板の受入孔に受け入れられて、前記実装基板の受入孔の周壁と前記ダイを受け入れる前記支持基板の一方の面との間に、第１ダイ受入空間を形成するとともに、前記実装基板の受入孔の周壁と前記支持基板の他方の面との間に、第２ダイ受入空間を形成し、
    前記半導体デバイスは、さらに、
    複数の接合パッドが設けられたパッド実装面を有し、前記第２ダイ受入空間に受け入れられる第２ダイと、
    前記第２ダイの接合パッドを前記実装基板の第２面の対応する電気トレースに電気的に接合するための複数の第２電気導体とからなる請求項１に記載の半導体デバイス。
  10. 前記第２ダイと前記第２電気導体を覆うために、前記実装基板の第２面に配置された被覆層をさらに有する請求項９に記載の半導体デバイス。
  11. 前記第２電気導体は導電性金属ワイヤである請求項９に記載の半導体デバイス。
  12. 前記電気導体は導電性金属ワイヤである請求項１に記載の半導体デバイス。
  13. 所定の電気トレースが配設される第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面と第２面を貫通する受入孔が形成され、該受入孔は角を有する形状に形成され、その各角には前記受入孔と隣接して位置するとともに前記第１面と第２面を貫通し、かつ、前記受入孔と連通する固定孔が形成された実装基板と、
    金属材料からなり、前記実装基板の受入孔と固定孔の形状に対応しその中に嵌合する形状を有し、前記実装基板の受入孔に収容されて、前記実装基板の受入孔を制限する周壁との間に少なくとも１つのダイ受け入れ空間を形成する支持基板と、
    複数の接合パッドを実装するためにパッド実装面を有し、前記ダイ受け入れ空間に受け入れられるダイと、
    前記支持基板に対応する形状を有し、前記ダイの上のダイ受入空間に受入られ、前記ダイのパッドを露出させるための少なくとも１つのアクセス開口部が形成され、空気にさらされるとともに前記実装基板の第１面の対応する電気トレースに電気的に接続される所定の電気トレースが設けられたカバープレートと、
    前記ダイの接合パッドを、前記カバープレートの面の対応する電気トレースに電気的に接続する複数の電気導体とからなる半導体デバイス。
  14. 前記カバープレートと前記電気導体を覆うために、前記実装基板の第１面に配置された被覆層をさらに有する請求項１３に記載の半導体デバイス。
  15. 前記実装基板はその第１面に設けられた複数のはんだ球を有し、該はんだ球は前記実装基板の第１面の対応する電気トレースと電気的に接続されている請求項１３に記載の半導体デバイス。
  16. 前記実装基板は、複数のめっき貫通穴が形成され、各めっき貫通穴は導電性材料で電気めっきされた周壁で制限され、前記導電性材料は前記実装基板の対応する電気トレースに電気的に接続され、
    前記実装基板は、複数のはんだ球を有し、該はんだ球は、前記実装基板の第１面と第２面の一方に配設され、対応するめっき貫通穴と整列し、前記はんだ球は、前記対応するめっき貫通穴の導電性材料に電気的に接続されている請求項１３に記載の半導体デバイス。
  17. 前記実装基板の受入孔は矩形で、前記実装基板は複数の固定孔が形成され、該各固定孔は、前記受入孔の角に隣接して位置し、前記受入孔と連通し、前記支持基板は、前記実装基板の対応する固定孔に延びる４つの角部を有する請求項１３に記載の半導体デバイス。
  18. 前記実装基板の固定孔は、ペースト材料が充填され、前記支持基板が前記実装基板に対して移動するのを防止している請求項１３に記載の半導体デバイス。
  19. 前記ダイと前記支持基板との間に接着層をさらに有する請求項１３に記載の半導体デバイス。
  20. 前記支持基板は、空気に露出するとともに絶縁材料からなる絶縁層が設けられた面を有し、前記絶縁層はその上に電気トレースが設けられている請求項１３に記載の半導体デバイス。
  21. 前記カバープレートと前記ダイとの間に配置され、前記カバープレートのアクセス開口部に相当する少なくとも１つのアクセス開口部が形成された接着層をさらに有する請求項１３に記載の半導体デバイス。
  22. 前記実装基板の第２面は、所定の電気トレースが設けられ、
    前記支持基板は、前記実装基板の受入孔に受け入れられて、前記実装基板の受入孔の周壁と前記ダイを受け入れる前記支持基板の一方の面との間に、第１ダイ受入空間を形成するとともに、前記実装基板の受入孔の周壁と前記支持基板の他方の面との間に、第２ダイ受入空間を形成し、
    前記半導体デバイスは、さらに、
    複数の接合パッドが設けられたパッド実装面を有し、前記第２ダイ受入空間に受け入れられる第２ダイと、
    前記第２ダイの上の第２ダイ受入空間に受入られ、前記第２ダイのパッドを露出させるための少なくとも１つのアクセス開口部が形成され、空気にさらされるとともに前記実装基板の第２面の対応する電気トレースに電気的に接続される所定の電気トレースが設けられたカバープレートと、
    前記第２ダイのパッドを前記実装基板の第２面の対応する電気トレースに電気的に接合するための複数の第２電気導体とからなる請求項１３に記載の半導体デバイス。
  23. 前記第２カバープレートと前記第２電気導体を覆うために、前記実装基板の第２面に配置された被覆層をさらに有する請求項２２に記載の半導体デバイス。
  24. 前記第２電気導体は導電性金属ワイヤである請求項２２に記載の半導体デバイス。
  25. 前記第２カバープレートと前記第２ダイとの間に配置され、前記第２カバープレートのアクセス開口部に相当する少なくとも１つのアクセス開口部が形成された接着層をさらに有する請求項２２に記載の半導体デバイス。
  26. 前記電気導体は導電性金属ワイヤである請求項１３に記載の半導体デバイス。
  27. 前記実装基板の第２面は、所定の電気トレースが設けられ、
    前記支持基板は、前記実装基板の受入孔に受け入れられて、前記実装基板の受入孔の周壁と前記ダイのための前記支持基板の一方の面との間に、第１ダイ受入空間を形成するとともに、前記実装基板の受入孔の周壁と前記支持基板の他方の面との間に、第２ダイ受入空間を形成し、
    前記半導体デバイスは、さらに、
    複数の接合パッドを実装するためのパッド実装面を有し、前記第２ダイ受入空間に受け入れられる第２ダイと、
    前記第２ダイのパッドを前記実装基板の第２面の対応する電気トレースに電気的に接合するための複数の第２電気導体とからなる請求項１３に記載の半導体デバイス。
  28. 前記第２ダイと前記第２電気導体を覆うために、前記実装基板の第２面に配置された被覆層をさらに有する請求項２７に記載の半導体デバイス。
  29. 前記第２電気導体は導電性金属ワイヤである請求項２７に記載の半導体デバイス。
  30. 前記実装基板の第１面の上の対応する電気トレースに対して、前記カバープレートの電気トレースのそれぞれを接続する導電性銀接着部をさらに有する請求項１３に記載の半導体デバイス。
  31. 前記実装基板の第２面の上の対応する電気トレースに対して、前記カバープレートの電気トレースのそれぞれを接続する導電性銀接着部をさらに有する請求項２２に記載の半導体デバイス。
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