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JP3565153B2 - ゲッタ装置およびセンサ - Google Patents

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JP3565153B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、赤外線センサ、角速度センサ、加速度センサ等の封止された装置において、該装置の機能部を減圧下または特定ガス雰囲気下に保持するゲッタ装置、および該ゲッタ装置を備えたセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
以下、従来のゲッタ装置およびセンサについて説明する。ここでは、一例として、ゲッタ装置および赤外線センサについて説明する。
【0003】
図15(a)はパッケージ内に真空封止された赤外線センサの上面図、(b)はパッケージのキャップを除いた状態の上面図、(c)は(a)の矢視A−A’部の断面図、(d)は(a)の矢視B−B’部の断面図を示す。
【0004】
この赤外線センサでは、(c)、(d)に示すように、ステム3上に、センサ素子(センサチップ)4とヒータ内蔵型ゲッタ装置5とが固定されている。
【0005】
(c)に示すように、キャップ2の中央部には、ゲルマニュウムやシリコンからなる窓1が低融点ガラス6により接合されている。
【0006】
このキャップ2とステム3とはプロジェクション溶接によって接合され、その後にパッケージ内の排気処理を行って真空にすると同時に、パッケージ内に設けたヒータ内蔵型ゲッタ装置5のゲッタ材を活性化し、その後、排気チューブ8の封止切りを行う(詳細は後述)。封止後に発生するガスは該ゲッタ材が吸着することでパッケージ内は真空に保たれることになる。
【0007】
次に、図16、17を用い、この赤外線センサの組み立て方法について説明する。
【0008】
図16(a)の(a−1)はパッケージ内に真空封止された赤外線センサの上面図、(a−2)は(a−1)の矢視A−A’部の断面図、(a−3)は(a−1)の矢視B−B’部の断面図で、図16(b)、図17(c)、(d)も同様である。
【0009】
まず、ヒータ内蔵型ゲッタ装置5をパッケージ外部と電気的に接続するとともにパッケージ内で固定するため、ステム3のフィードスルー線7にヒータ内蔵型ゲッタ装置5のリード線9をスポット溶接によって固定し、ヒータ内蔵型ゲッタ装置5をパッケージ内に取り付ける(a)。なお、(a−3)において、8はパッケージの排気チューブである。
【0010】
次に、センサ素子4をステム3上にダイボンディングして固定した後に、ボンディングワイヤ14を用いたワイヤボンディングによって、センサ素子4のパッド13とフィードスルー線7とを電気的に接続する(b)。
【0011】
次に、ゲルマニュウムやシリコン等の赤外線を透過する窓1が低融点ガラス6により接合されたキャップ2と、ステム3とをプロジェクション溶接によって接合する(図17(c))。
【0012】
次に、パッケージの排気チューブ8を真空ポンプ(15は真空ポンプへの排気導管)に接続し、パッケージ内を排気しつつヒータ内蔵型ゲッタ装置5に通電してゲッタ材を加熱し、該ゲッタ材の活性化処理を行なう(d)。16はヒータ内蔵型ゲッタ装置5に通電するための交流電源である。
【0013】
最後に、排気チューブ8を封止切り、パッケージ内を真空に封止する(図15(d)参照)。
【0014】
次に、ヒータ内蔵型ゲッタ装置5の製造方法について図18(a)〜(d)を用いて説明する。
【0015】
まず、ヒータ線9を用意する(a)。
【0016】
次に、該ヒータ線9をアルミナ等の絶縁材10を用いて電気泳勲等によって被覆する。なお、このとき、絶縁材10は、後で設けるゲッタ材を形成する部分より広い範囲で被覆する(b)。
【0017】
次に、ゲッタ材(グラファイト等が混合されている)11を、上下2個のプレス型を用いて加圧形成する。図では、下のプレス型12のみ示した(c)。
【0018】
最後に、該ゲッタ材11を焼成して、ヒータ内蔵型ゲッタ装置5が完成する(d)。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このようなヒータ内蔵型ゲッタ装置5においては、ゲッタ材11をヒータ線9を中心に円筒形に形成するため(図18(d)参照)、ゲッタ材11を活性化処理するとき(図17(d)(d−3)参照)、ゲッタ材11は内側に比べて外側の温度が低く、活性化が均一にできない上、高温でより活性化された内側にあるゲッタ材は、その周囲を活性度の低い外側のゲッタ材で囲まれているため、十分に機能できず、結果として必要以上のゲッタ材を使用しなくてはならなかった。
【0020】
本発明の目的は、上記の問題点を解消し、ゲッタ材の活性化が均一にでき、ゲッタ材の量を必要最小限にすることができるゲッタ装置およびそれを備えたセンサを提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の請求項1のゲッタ装置は、基板上に設けた薄膜ヒータと、前記薄膜ヒータ上に設けたゲッタ層とを有し、前記薄膜ヒータおよび前記ゲッタ層が前記基板に対して平面的に形成されていることを特徴とする。
【0022】
また、本発明の請求項2では、前記薄膜ヒータと前記ゲッタ層との間にバッファ層を介在させたことを特徴とする。
【0023】
また、本発明の請求項3では、前記薄膜ヒータの前記ゲッタ層と反対側に、前記薄膜ヒータと前記基板間の熱伝導を妨げる空間部を有することを特徴とする。
【0024】
また、本発明の請求項4では、前記基板と前記薄膜ヒータとの間に、前記基板より熱伝導率の低い層を設けたことを特徴とする。
【0025】
また、本発明の請求項5では、前記基板がシリコン基板であることを特徴とする。
【0026】
また、本発明の請求項6では、前記薄膜ヒータが、不純物が導入されたシリコン層で構成されていることを特徴とする。
【0027】
また、本発明の請求項7では、前記薄膜ヒータが、不純物が導入された多結晶シリコン膜で構成されていることを特徴とする。
【0028】
また、本発明の請求項8のセンサは、基板上に設けた薄膜ヒータおよび前記薄膜ヒータ上に設けたゲッタ層を有するゲッタ装置と、センサ素子とを備えたことを特徴とする。
【0029】
また、本発明の請求項9では、前記ゲッタ装置と、前記センサ素子とを同一基板上に形成したことを特徴とする。
【0030】
【発明の効果】
本発明の請求項1のゲッタ装置によれば、基板上に設けた薄膜ヒータと、前記薄膜ヒータ上に設けたゲッタ層とを有することにより、ゲッタ層が薄膜ヒータ上に平面的に形成されるので、ゲッタ層がより均一に熱的に活性化されるとともに、ゲッタ層を比較的薄くできるので、活性化される割合を向上できる。したがって、必要最小限のゲッタ材を効率よく活用することができるという効果を有する。
【0031】
また、本発明の請求項2では、前記薄膜ヒータと前記ゲッタ層との間にバッファ層を介在させ、このバッファ層として、ゲッタ材を活性化する温度では薄膜ヒータとゲッタ層の両者に不活性である層を使用することにより、ゲッタ材活性化の際に、温度が上がり、ゲッタ層と薄膜ヒータとが反応して、ゲッタ層や薄膜ヒータの機能が果たせなくなるのを防止できる。また、ゲッタ層を活性化するための薄膜ヒータの加熱時に、ゲッタ層部分に活性化のための電流がもれ、薄膜ヒータの所定の発熱ができなくなるのを防止できる。
【0032】
また、本発明の請求項3では、前記薄膜ヒータの前記ゲッタ層と反対側に、前記薄膜ヒータと前記基板間の熱伝導を妨げる空間部を有することにより、薄膜ヒータの周囲は空間部により基板と熱的に分離され、薄膜ヒータの熱は周囲に逃げず、効率よくゲッタ層の加熱ができる。
【0033】
また、本発明の請求項4では、前記基板と前記薄膜ヒータとの間に、前記基板より熱伝導率の低い層を設けたので、この熱伝導率の低い層により、薄膜ヒータで発生した熱が基板に逃げるのを防止し、より小さな電力で効率よくゲッタ層の活性化を行うことができる。
【0034】
また、本発明の請求項5では、前記基板がシリコン基板であることにより、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等の一般的な半導体技術を使用することができる。
【0035】
また、本発明の請求項6では、前記薄膜ヒータが、不純物が導入されたシリコン層で構成されていることにより、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等の一般的な半導体技術を使用することができる。
【0036】
また、本発明の請求項7では、前記薄膜ヒータが、不純物が導入された多結晶シリコン膜で構成されていることにより、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等の一般的な半導体技術を使用することができる。
【0037】
また、本発明の請求項8のセンサによれば、基板上に設けた薄膜ヒータおよび前記薄膜ヒータ上に設けたゲッタ層を有するゲッタ装置と、センサ素子とを備えたことにより、ゲッタ層がより均一に熱的に活性化されるとともに、ゲッタ層を比較的薄くできるので、活性化される割合を向上でき、したがって、必要最小限のゲッタ材を効率よく活用することができるという効果を有する。
【0038】
また、本発明の請求項9では、前記ゲッタ装置と、前記センサ素子とを同一基板上に形成することにより、半導体製造技術を用いてゲッタ装置とセンサの製造から実装まで含めた総合的な工程の簡素化、低コスト化が可能となる。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0040】
実施の形態1
図1は本発明の実施の形態1のゲッタ装置を示す図で、(a)は上面図、(b)は矢視A−A’部の断面図である。
【0041】
まず、本実施の形態のゲッタ装置の構成について説明する。本ゲッタ装置では、シリコン基板101上に白金もしくはクロム等からなる薄膜ヒータ102を形成し、その上にゲッタ層103を形成している。
【0042】
以下、本実施の形態のゲッタ装置の製造プロセスについて、図2(a)〜(c)を用いて説明する。
【0043】
まず、シリコン基板101上にスパッタやEB蒸着等の方法により白金もしくはクロム等の薄膜からなる薄膜ヒータ102を形成する。これらは蒸着マスクを用いて成膜と同時に所定のパターンに形成してもよいし、成膜後にフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングをして形成してもよい。また、薄膜ヒータを構成する材料は、通電により発熱する材料であれば白金やクロムに限定しない(a)。
【0044】
次いで、スクリーン印刷等の技術によりぺースト状のゲッタ材を薄膜ヒータ102上に成膜した後、熱処理してゲッタ層103を形成する(b)。
【0045】
最後に、シリコン基板101をダイシング等によりチップ状に分割し、ゲッタ装置104が完成する(c)。
【0046】
次に、本実施の形態のゲッタ装置の作用、効果について説明する。
【0047】
本ゲッタ装置においては、薄膜ヒータ102上にゲッタ層103を形成している。従来のヒータ内蔵型ゲッタ装置では、前述のように、ゲッタ材がヒータ線を中心に円筒形に形成されるため、活性化処理において内側に比べ外側の温度が低く活性化が均一にできない上、高温でより活性化された内側にあるゲッタ材は周囲を外側のゲッタ材に囲まれているため、十分に機能できない。これに対し、本ゲッタ装置では、ゲッタ層103が薄膜ヒータ102上に平面的に形成されるので、ゲッタ層103がより均一に熱的に活性化されるとともに、ゲッタ層103が比較的薄いことから、活性化され有効に機能する割合を高くすることができる。
【0048】
また、ゲッタ層103はスクリーン印刷で形成可能であるため、安価である印刷マスクを変更することにより、ゲッタ層103の面積や厚さを変えることが可能である。すなわち、この2つのパラメータを変えることで、ゲッタ材の量を精密に制御することができる。したがって、従来のプレス型を用いてゲッタ材を製造する場合のように、製造上の制限から過剰なゲッタ材を使用することなく、必要最小限のゲッタ材を使用することができる。また、その使用量も安価な印刷マスクの変更等で容易に変えることができる。
【0049】
また、ゲッタ装置をパッケージ内に組み込む場合、従来のヒータ内蔵型ゲッタ装置では、通常の実装工程には無いスポット溶接工程が追加となる。しかし、本ゲッタ装置では、通常の半導体チップと同様の扱いが可能である。すなわち、図3に示すように、ゲッタ装置をセンサ素子105と同様にダイボンディングを行うことができ(図3(a))、次いで、センサ素子105のワイヤボンディング時に、同時にワイヤボンディングを施すことができる(図3(b))。なお、106はステム、107はフィードスルー線、108は排気用チューブ、109はダイボンド材、111はパッド、110はボンディングワイヤである。
【0050】
このように本ゲッタ装置によれば、薄膜ヒータ102上にゲッタ層103を設ける構成にしたことから、必要最小限のゲッタ材を効率よく活用することができ、かつ、実使用時において組立工程を簡略化できることから、センサパッケージの全体のコストを下げることが可能となる。
【0051】
なお、本実施の形態では、基板として、シリコン基板101を用いたが、アルミナやMgO等の基板を用いることも可能である。また、ゲッタ層103をスクリーン印刷で形成したが、ゲッタ性のある金属等、例えばTi、Zr、Ba等をスパッタ等の蒸着技術により蒸着マスクを用いて蒸着してもゲッタ層103の形成は可能である。また、その場合、その量をマスク蒸着の面積や、成膜する厚さを変えることにより、スクリーン印刷での製法と同様に制御することも可能である。もちろん、スパッタ等で蒸着して成膜した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングしてもよい。
【0052】
また、本実施の形態では、1枚の基板101上に多数のゲッタ装置を一括して製造し、最後にそれらを分割し、独立のゲッタ装置を得ているが、最初から所望の大きさの基板を使用し、1つの基板から1個のゲッタ装置を製造することももちろん可能である。
【0053】
実施の形態2
図4に実施の形態2を示す。本実施の形態では、実施の形態1とは薄膜ヒータとゲッタ層を直接接触させない点が異なっている。以下、その製造方法について説明する。
【0054】
(a−1)は上面図、(a−2)は矢視A−A’部の断面図で、(b)以降も同様である。
【0055】
なお、この図では1つのゲッタ装置のみを示すが、実施の形態1と同様に製造時には1枚の基板上に多数のゲッタ装置を一括して製造し、分割するものである。所望の大きさの基板を使用し、1つの基板から1個のゲッタ装置を製造してもよい。
【0056】
まず、実施の形態1と同様に、シリコン基板201上にスパッタやEB蒸着等の方法により白金やクロム等からなる薄膜ヒータ202を形成する(a)。
【0057】
次いで、シリコン酸化膜やアルミナ等の、薄膜ヒータ202となる材料とゲッタ材の両方に対して、ゲッタ材の活性化温度付近では反応することのない膜、例えば常圧CVDによるシリコン酸化膜等からなるバッファ層203を薄膜ヒータ202上にゲッタ層を形成する領域より広く形成する(b)。この薄膜は全面に形成した後、所定の部分以外をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により除去して形成してもよいし、マスク蒸着等によって最初から所定の形状に形成してもよい。
【0058】
次いで、スクリーン印刷等の技術によりぺースト状のゲッタ材を薄膜ヒータ202上にバッファ層203を介して、成膜し、熱処理してゲッタ層204を形成する(c)。
【0059】
本実施の形態では、薄膜ヒータ202とゲッタ層204との間に、ゲッタ材を活性化する温度では両者に不活性であるバッファ層203を形成している。そのため、ゲッタ材活性化の際に、温度が上がることにより、ゲッタ層204の材料と薄膜ヒータ202とが反応して、ゲッタ層204や薄膜ヒータ202がその機能が果たせなくなることを防止することが可能となる。また、ゲッタ層204を活性化するための薄膜ヒータ202の加熱時に、ゲッタ層204部分に活性化のための電流がもれ、薄膜ヒータ202の所定の発熱ができなくなることを防止することもできる。
【0060】
実施の形態3
図5に実施の形態3を示す。本実施の形態では、実施の形態1とは薄膜ヒータと基板との間に、基板よりも熱伝導率の低い層を設ける点が異なっている。以下、その製造方法について説明する。
【0061】
(a−1)は上面図、(a−2)は矢視A−A’部の断面図で、(b)以降も同様である。また、この図では1つのゲッタ装置のみを示すが、実施の形態1と同様に製造時には1枚の基板上に多数のゲッタ装置を一括して製造し、分割するものである。
【0062】
まず、シリコン基板301を酸化雰囲気中で熱処理を行い、基板301の表面(両面)にシリコン酸化膜302を形成する(a)。
【0063】
次いで、シリコン酸化膜302上に実施の形態1と同様に、スパッタやEB蒸着等の方法により白金やクロム等からなる薄膜ヒータ303を形成する。これらは蒸着マスクを使って製造してもよいし、成膜後にフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングをして製造してもよい。
【0064】
次いで、スクリーン印刷等の技術によりぺースト状のゲッタ材を薄膜ヒータ303上に成膜し、熱処理してゲッタ層304を形成する(c)。なお、(c−1)に示すように、本実施の形態では、ゲッタ層304は薄膜ヒータ303の内側に薄膜ヒータ303の面積より小さく設けている。
【0065】
本実施の形態においては、基板301と薄膜ヒータ303との間に、基板301より熱伝導率の低い層(シリコン酸化膜302)を設けている。この熱伝導率の低い層は、薄膜ヒータ303で発生した熱が基板301に逃げるのを防止し、より小さな電力で効率よくゲッタ層304の活性化を行うことができる。また、本実施の形態では、熱伝導率の低い層としてシリコン酸化膜302を用いたが、基板301より熱伝導率が低く、かつ、ゲッタ層304の活性化の温度において薄膜ヒータ303と反応しない材料であればよい。
【0066】
実施の形態4
図6、7に実施の形態4を示す。本実施の形態では、薄膜ヒータの周囲を空間とし、その空間によって薄膜ヒータを熱的に分離する点が実施の形態3とは異なっている。以下、その製造方法について説明する。
【0067】
(a−1)は上面図、(a−2)は矢視A−A’部の断面図、(a−3)は矢視B−B’部の断面図で、(b)以降も同様である。また、この図では1つのゲッタ装置のみを示すが、実施の形態1と同様に製造時には1枚の基板上に多数のゲッタ装置を一括して製造し、分割するものである。
【0068】
まず、表裏面の結晶面が(100)であるシリコン基板401にレジスト膜を形成し、このレジスト膜にフォトリソグラフィ技術により、後に薄膜ヒータとなる部分にボロンを導入するための窓412を形成したレジストパターン402を形成する。そして、その窓412を有するレジストパターン402をマスクとして窓412部分にボロンをイオン注入する(a)。
【0069】
次いで、酸化処理を行ない、基板401の両面にシリコン酸化膜403を形成すると同時に、導入したボロンを活性化して拡散層からなる薄膜ヒータ404を形成する(b)。
【0070】
次いで、再度フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりシリコン酸化膜403の所望の部分をエッチングし、薄膜ヒータ404をシリコン基板401から熱的に分離するためのシリコンエッチング口405と、薄膜ヒータ404と、後で形成するAl配線とを接続するためのコンタクトホール406を開口する(c)。
【0071】
以降特に説明のない限り、パターニングはフォトリソグラフィ技術およびエッチングにより行うこととする。
【0072】
次いで、スパッタ等により表面にAl等の電極膜を形成した後、電極膜のパターニングを行い、薄膜ヒータ404に電気を供給するためのAl配線407を形成する(図7(d))。さらに、裏面のシリコン酸化膜408にも、シリコンエッチングを行って、シリコンエッチング口409を形成し、薄膜ヒータ404下部のシリコン基板を後でエッチング除去を行う部分を開口する(d)。
【0073】
次いで、スクリーン印刷等の技術によりぺースト状のゲッタ材を薄膜ヒータ404上に形成し、熱処理してゲッタ層410を形成する(e)。
【0074】
次いで、ヒドラジン等のシリコンエッチング液によりシリコン酸化膜408をマスクとしてシリコンエッチング口409および405からシリコン基板401のエッチングを行う。このとき、薄膜ヒータ404下部および周辺部のシリコン基板401部分は、裏面のシリコン酸化膜408をマスクとし、シリコン基板401の(111)面にてエッチングが停止するまで除去される。薄膜ヒータ404部分は高濃度にボロンが導入されていることから、エッチングはほぼ停止することになる。薄膜ヒータ404周辺部のシリコン基板401部分もエッチングにより除去され、薄膜ヒータ404がダイアフラム状に残ることになる。これにより、拡散層からなる薄膜ヒータ404を、空間部411によりシリコン基板401から熱的に分離する。
【0075】
本実施の形態においては、薄膜ヒータ404の周囲は空間部411により熱的に分離され、この薄膜ヒータ404上にゲッタ層410を形成している。この薄膜ヒータ404は非常に薄く、熱容量も小さい上、真空中であれば薄膜ヒータ404部が基板401につながっている部分以外は周囲に熱が逃げない構造になっており、実施の形態3より効率よくゲッタ層410の加熱が可能である。
【0076】
実施の形態5
図8、9に実施の形態5を示す。本実施の形態では、薄膜ヒータを熱分離するための空間部を表側から形成する点が実施の形態4とは異なっている。以下、その製造方法について説明する。
【0077】
図8において、(a−1)は上面図、(a−2)は矢視A−A’部の断面図で、(b)以降も同様である。また、この図では1つのゲッタ装置のみを示すが、実施の形態1と同様に製造時には1枚の基板上に多数のゲッタ装置を一括して製造し、分割するものである。
【0078】
まず、フォトリソグラフィ技術により後にシリコンエッチングで空洞(図9(g−2)の空間部511)を形成するための窓512を有するレジストパターン502を形成し、次いで、シリコンをイオン注入してシリコン基板501にダメージ層503を形成する(a)。
【0079】
次いで、酸化処理を施し、シリコン基板501の両面にシリコン酸化膜504を形成する(b)。
【0080】
次いで、LP−CVD等の方法により多結晶シリコン膜を成膜した後、イオン注入等の方法でリンやボロン等の不純物を導入する。次いで、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により多結晶シリコン膜をパターニングして多結晶シリコン抵抗すなわち薄膜ヒータ505を形成する(c)。以降、特に説明のない限りパターニングはフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により行う。
【0081】
次いで、常圧CVD等の方法でPSG(リン珪酸ガラス)膜506を成膜したのち、薄膜ヒータ505とこの後形成する電極(508)と接続するためのコンタクトホール507をPSG膜506に開口する。さらに、スパッタ等により電極となるAl膜を成膜したのち、パターニングを行い、A1電極508を形成する(d)。
【0082】
次いで、後にシリコンエッチングを行うためのエッチング口509をPSG膜506とシリコン酸化膜504に開口する(図9(e))。なお、図9(e)以降の(e−3)は矢視B−B’部の断面図で、(f)以降も同様である。
【0083】
次いで、薄膜ヒータ505上にPSG膜506を介して、スクリーン印刷等の方法によりゲッタ層510を形成する(f)。
【0084】
次いで、ヒドラジン等のシリコンエッチング液により薄膜ヒータ505下部のシリコン基板501を、エッチング口509からエッチングし、薄膜ヒータ505部を周囲から熱分離する(g)。
【0085】
本実施の形態では、シリコンエッチング口509がシリコン基板501の表面にあるため、実施の形態4のようにシリコン基板501の裏面をパターニングする必要がなく、裏面アライメント用の専用の装置は不要となる。また、実施の形態4のように、基板501を貫通する穴(図7(f−3)の貫通穴413)がないことからその取り扱いも容易である。
【0086】
実施の形態6
図10、11に実施の形態6を示す。製造方法は実施の形態5と同じであるが、多結晶シリコンからなる薄膜ヒータ605の形状を、図10(c)に示すような折り返しパターンとしたこと、および図11(e)に示すように、シリコンエッチング口609の形状を長方形状から「コ」の字状に変えることにより、図11(g)に示すように、ゲッタ層610を加熱する部分を細い2本の梁612とすることができ、実施の形態5よりいっそう効果的な熱分離が可能となる。
【0087】
実施の形態7
図12、13、14に実施の形態7を示す。本実施の形態は、同一チップ上にサーモパイル式の赤外線センサとゲッタ装置とを作り込んだ例である。
【0088】
(a−1)は上面図、(a−2)は矢視A−A’部の断面図であり、(b)以降も同様である。また、特にことわりのない限り、パターニングは全てフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により行っている。
【0089】
まず、実施の形態5と同様に、赤外線センサ部およびゲッタ装置部において、後でシリコン基板701のエッチングにより空洞(図14(h−2)の空間部714)を形成するための窓716を有するレジストパターン702を形成する。次いで、このレジストパターン702をマスクとし、シリコンをイオン注入してシリコン基板701にダメージ層703を形成する(a)。
【0090】
次いで、酸化処理を施して、シリコン基板701の両面にシリコン酸化膜704を形成したのち、LP−CVD等の方法により多結晶シリコン膜705を形成する(b)。
【0091】
次いで、赤外線センサにおいてサーモパイルの一方となる部分、および薄膜ヒータを形成するための窓717を有するレジストパターン706をマスクとしてP型不純物となるボロンをイオン注入によって導入する(c)。次いで、サーモパイルの他方となる部分を形成するための開口を有するレジストパターン(図示省略)をマスクとしてN型不純物となるリンやヒ素をイオン注入によって導入する。ただし、この不純物のタイプの導入する順番および場所は逆でもよい。
【0092】
次いで、多結晶シリコン膜705をパターニングしてサーモパイル707および薄膜ヒータ(多結晶シリコン抵抗)708を形成する(図13(d))。
【0093】
次いで、常圧CVDによりPSG(リン珪酸ガラス)膜709を形成したのち、コンタクトホールを開口する。次いで、スパッタ等によりAl膜を形成したのち、パターニングを施してAl配線710を形成する(e)。
【0094】
次いで、プラズマCVD法等によりシリコン窒化膜等の最終保護膜711を形成したのち、Al電極710上に開口718(図13(f−1))を設け、さらに、シリコンエッチング用のエッチング口712をパターニングする(f)。
【0095】
次いで、スクリーン印刷等の方法によりゲッタ層713を形成する(図14(g))。
【0096】
次いで、ヒドラジン等のシリコンエッチング液により赤外線センサ検出部、および薄膜ヒータ部分をシリコン基板から熱分離するべく、エッチング口712からシリコン基板701をエッチングする(h)。
【0097】
最後に、赤外線検出部に金黒等の赤外線吸収膜715を形成して、同一チップ上に作り込んだサーモパイル式の赤外線センサとゲッタ装置が完成する(i)。
【0098】
本実施の形態においては、1チップ上に赤外線センサとゲッタ装置とを作り込んでいる。本ゲッタ装置は半導体製造技術によって作り込まれているので、センサ製造プロセスにゲッタ層形成プロセスを付加するだけで容易に実現可能であり、この方法によればセンサ、ゲッタ装置の製造から実装まで含めた総合的な工程の簡素化、低コスト化が可能となる。
【0099】
なお、本実施の形態では、赤外線センサについて説明してきたが、機能部を減圧下に保持する必要のあるセンサで、シリコンエッチング等を用いて同一基板上に複数の素子を一括して作り込むような半導体センサ、例えば角速度センサや加速度センサの製造にも適応できることは明らかである。
【0100】
以上本発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施の形態1のゲッタ装置の上面図、(b)は(a)の矢視A−A’部分断面図である。
【図2】(a)、(b)は本発明の実施の形態1の製造工程途中の上面図、(c)は完成したゲッタ装置の上面図である。
【図3】本発明の実施の形態1のゲッタ装置の実装適用例(工程)を示す上面図、および矢視A−A’部分断面図である。
【図4】本発明の実施の形態2のゲッタ装置の製造工程上面図および矢視A−A’部分断面図である。
【図5】本発明の実施の形態3のゲッタ装置の製造工程上面図および矢視A−A’部分断面図である。
【図6】本発明の実施の形態4のゲッタ装置の製造工程上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図7】本発明の実施の形態4のゲッタ装置の製造工程上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図8】本発明の実施の形態5のゲッタ装置の製造工程上面図および矢視A−A’部分断面図である。
【図9】本発明の実施の形態5のゲッタ装置の製造工程上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図10】本発明の実施の形態6のゲッタ装置の製造工程上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図11】本発明の実施の形態6のゲッタ装置の製造工程上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図12】同一基板上に形成した本発明の実施の形態7のゲッタ装置およびセンサ素子の製造工程上面図および矢視A−A’部分断面図である。
【図13】同一基板上に形成した本発明の実施の形態7のゲッタ装置およびセンサ素子の製造工程上面図および矢視A−A’部分断面図である。
【図14】同一基板上に形成した本発明の実施の形態7のゲッタ装置およびセンサ素子の製造工程上面図および矢視A−A’部分断面図である。
【図15】従来のゲッタ装置およびセンサ素子の実装適用例を示す上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図16】従来のゲッタ装置およびセンサ素子の実装方法を示す上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図17】従来のゲッタ装置およびセンサ素子の実装方法を示す上面図、矢視A−A’部分断面図および矢視B−B’部分断面図である。
【図18】従来のゲッタ装置の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
1…窓、2…キャップ、3…ステム、4…センサ素子、5…ヒータ内蔵ゲッタ装置、6…低融点ガラス、7…フィードスルー線、8…排気用チューブ、9…ヒータ線、10…絶縁材、11…ゲッタ材、12…プレス型、13…パッド、14…ワイヤ、15…真空ポンプへの排気導管、16…交流電源、
101…シリコン基板、102…薄膜ヒータ、103…ゲッタ層、104…ゲッタ装置、105…センサ素子、106…ステム、107…フィードスルー線、108…排気用チューブ、109…ダイボンド材、110…ワイヤ、
201…シリコン基板、202…薄膜ヒータ、203…シリコン酸化膜、204…ゲッタ層、
301…シリコン基板、302…シリコン酸化膜、303…薄膜ヒータ、304…ゲッタ層、
401…シリコン基板、402…レジストパターン、403…シリコン酸化膜、404…薄膜ヒータ、405…シリコンエッチング口、406…コンタクトホール、407…Al配線、408…シリコン酸化膜、409…シリコンエッチング口、410…ゲッタ層、411…空間部、412…窓、413…貫通穴、
501…シリコン基板、502…レジストパターン、503…ダメージ層、504…シリコン酸化膜、505…薄膜ヒータ、506…PSG膜、507…コンタクトホール、508…Al配線、509…シリコンエッチング口、510…ゲッタ層、511…空間部、512…窓、
601…シリコン基板、602…レジストパターン、603…ダメージ層、604…シリコン酸化膜、605…薄膜ヒータ、606…PSG膜、607…コンタクトホール、608…Al配線、609…シリコンエッチング口、610…ゲッタ層、611…空間部、612…梁、
701…シリコン基板、702…レジストパターン、703…ダメージ層、704…シリコン酸化膜、705…多結晶シリコン膜、706…レジストパターン、707…サーモパイル、708…薄膜ヒータ、709…PSG膜、710…Al配線、711…最終保護膜、712…シリコンエッチング口、713…ゲッタ層、714…空間部、715…赤外線吸収膜、716…窓、717…窓、718…開口。

Claims (9)

  1. 基板上に設けた薄膜ヒータと、前記薄膜ヒータ上に設けたゲッタ層とを有し、
    前記薄膜ヒータおよび前記ゲッタ層が前記基板に対して平面的に形成されていることを特徴とするゲッタ装置。
  2. 前記薄膜ヒータと前記ゲッタ層との間にバッファ層を介在させたことを特徴とする請求項1記載のゲッタ装置。
  3. 前記薄膜ヒータの前記ゲッタ層と反対側に、前記薄膜ヒータと前記基板間の熱伝導を妨げる空間部を有することを特徴とする請求項1記載のゲッタ装置。
  4. 前記基板と前記薄膜ヒータとの間に、前記基板より熱伝導率の低い層を設けたことを特徴とする請求項1記載のゲッタ装置。
  5. 前記基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項1、2、3、または4記載のゲッタ装置。
  6. 前記薄膜ヒータが、不純物が導入されたシリコン層で構成されていることを特徴とする請求項1、2、3、4、または5記載のゲッタ装置。
  7. 前記薄膜ヒータが、不純物が導入された多結晶シリコン膜で構成されていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、または6記載のゲッタ装置。
  8. 基板上に設けた薄膜ヒータおよび前記薄膜ヒータ上に設けたゲッタ層を有するゲッタ装置と、センサ素子とを備えたことを特徴とするセンサ。
  9. 前記ゲッタ装置と、前記センサ素子とを同一基板上に形成したことを特徴とする請求項8記載のセンサ。
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