Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP3551355B2 - Ru target and method of manufacturing the same - Google Patents

Ru target and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP3551355B2
JP3551355B2 JP31846598A JP31846598A JP3551355B2 JP 3551355 B2 JP3551355 B2 JP 3551355B2 JP 31846598 A JP31846598 A JP 31846598A JP 31846598 A JP31846598 A JP 31846598A JP 3551355 B2 JP3551355 B2 JP 3551355B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
target
pulverization
particle size
reduced
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31846598A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000144395A (en
Inventor
誠 赤井
英夫 村田
明敏 平木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP31846598A priority Critical patent/JP3551355B2/en
Publication of JP2000144395A publication Critical patent/JP2000144395A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3551355B2 publication Critical patent/JP3551355B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば電極材に使用されるRu薄膜を製造するために用いられるRuターゲットの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体の高集積化に伴い、半導体セル中のキャパシタには、より誘電率の高い酸化物系の材料が使用されるようになってきており、その電極材としては、誘電体である酸化物への還元性の低い白金族系の貴金属が使用されている。それらの貴金属の中でも、誘電体層との接合層に形成する貴金属自身の酸化物の比抵抗が低いRuのスパッタ膜が特に多く使用されている。
このような膜用のRuターゲットは、以下に挙げる3つの方法で製造されている。その方法とは、電子ビームまたはアークによる溶解法、原料粉末をホットプレスで固化して製造したインゴットを電子ビーム溶解処理して高純度化する方法、溶解法で製造したインゴットを熱間圧延する方法である。
【0003】
しかしながら、上記に挙げた3つの方法には、それぞれ固有の得失がある。
先ず、溶解法では、高密度のターゲットが得やすいという利点があるものの、組織中にボイドが発生し易く、成膜に悪影響を与えるという欠点があることが、例えば特開平8―311641号に記載されている。また、溶解条件によっては、樹状晶の凝固組織を現出してしまう危険性を本質的に持っている。
【0004】
また、ホットプレスしたインゴットを電子ビームで処理するという方法は、同じく高密度化できるという利点があるものの、電子ビーム処理という後工程が必要であるために工程が複雑化する。また、溶解を伴うため、上述した溶解法と同様に樹状晶の凝固組織を現出してしまう問題を有している。
【0005】
一般に、樹状晶の凝固組織は、膜の均質性、異常放電やパーティクルの発生などの成膜特性上好ましくなく、均一微細な組織が好ましいとされ、樹状晶組織は、均一微細な組織よりも、抗折力などの機械的性質において劣ることが、工具材料などにおいては広く知られており、この点においても、均一微細な組織が得られないという方法は好ましくない。
更にまた、電子ビーム溶解の場合には、インゴットの汚染を防止するために、スターティングブロックと呼ばれる友材の高純度インゴットブロックが不可欠であり、初期投資が大きいため、小ロットの生産には向いていない。
【0006】
最後に挙げた溶解圧延法は、圧延工程の付与により、ボイドの少ない組織が得られるという利点があるが、圧延という後工程が必要であるために、工程が複雑化するとともに、圧延組織を現出してしまう。圧延組織は、組織の等方性が低く、結晶学的に特定な面への強度の配向を示すため、スパッタ膜の不均一化や、成膜速度の低下の原因となる危険性がある。
以上のように、溶解法を基盤技術とする現状の製造方法では、組織、欠陥、配向性などに本質的問題を残している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、上述の問題点を解決するための方法として、焼結後の溶解を伴わない焼結体ターゲットを適用すれば、溶解法に見られる樹状組織の発生やボイドの発生を防ぐことができること、さらに圧延によって発生する集合組織の影響を低減できることに着目した。そして、焼結体でなるRuターゲットの実現を検討した。
ここで、焼結体によるRuターゲットの実現に際して、最も大きな問題となったのは、ターゲットの密度とターゲットの製造性である。
【0008】
本発明者の検討によれば、Ru粉末を、製造工程における汚染の防止に有効な熱間静水圧プレスを適用して焼結体を得ようとしても、どうしても98%程度の相対密度しか得られなかった。ターゲットの密度が低いと、ターゲットの内部に欠陥が多数残留した状態になり、異常放電やそれに起因したパーティクルの発生が問題となる。
また、熱間静水圧プレス法を適用してRu粉末を加圧焼結しようとすると、加圧焼結変形が大きすぎて粉末を充填した容器が追随出来なくなり、破断してしまうことがある。また、変形も極めて不均一となり易く、製品歩留が低下する。
本発明においては、上記課題を解決し、高純度かつ高密度の焼結体でなるRuターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した。そして、その結果、焼結体の密度が高くならない原因及び製造工程中の歩留まり低下の原因は、原料粉末の形状にあることを見いだした。
高純度なRu粉末は、通常、還元法によって製造するため、珊瑚状の不定形、多孔質の粉末である。このRu粉末は、粉末自身の比重が低い上に、粉末の摩擦が大きいために、充填時の架橋を引き起こしやすく、充填密度を上げ難いという問題があり、これが焼結体の密度低下や歩留まり低下の原因であることを突き止めた。
【0010】
そして、さらに検討した結果、還元Ru粉末を焼結する前に、粉砕処理すれば、上記問題を解決できることを見いだし、本発明に到達した。
即ち、本発明は、還元Ru粉末を粉砕処理した後、密閉容器に封入して、熱間静水圧プレスを行い、相対密度99%以上に調整するRuターゲットの製造方法である。
好ましくは、粉砕処理は体積平均径で50μm以下に粉砕するものとする。
【0011】
上述した本発明のRuターゲットの製造方法により、従来にない相対密度99%以上、純度99.99%以上の粉末焼結体からなるRuターゲットを提供することが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法における重要な特徴は、還元Ru粉末に対して、粉砕処理を適用することである。そしてこの工程を適用することにより、熱間静水圧プレスでの変形を抑えることができ、割れ等の欠陥なく、99%以上という高密度の本発明のRuターゲットが得られるのである。
【0013】
さらに、密封容器を使用する熱間静水圧プレスの適用は、製造過程における外部からの汚染を最小限にとどめることができ、99.99%以上の純度を有する焼結体からなるRuターゲットを実現することを可能にするものである。
なお、密封容器に対する充填密度を向上する方法として、振動機、ハンマー加振機、プレスなどを併用することにより、さらに充填密度を向上させることも可能である。
【0014】
本発明の相対密度99%以上、純度99.99%以上の粉末焼結体からなるRuターゲットは、粉末焼結体であることから組織が均一微細となり、特定結晶面への配向を有さないものとなる。
これによって、スパッタリング時のRuの堆積速度のバラツキを防ぎつつ異常放電の発生を抑制することが可能となる。
【0015】
本発明の製造方法においては、原料はできるだけ高純度であることが望ましく、好ましくは、純度99.995%以上の原料Ru粉末を使用する。
前記還元Ru粉末の粉砕処理は体積平均径で50μm以下に粉砕することが高い充填密度の確保による割れの発生の低減の点から望ましい。
熱間静水圧プレスの条件としては、密封容器に充填、脱気、封止して、温度1150℃以上で望ましくは1400℃以下かつ圧力1000気圧以上、時間45分以上の条件とすることが望ましい。
【0016】
熱間静水圧プレスの温度が、1150℃未満であると、熱間静水圧プレス後のターゲットの密度が99%以上に到達できない場合があり、1150℃以上が望ましい。1400℃を越えると、通常に密封容器として使用する鉄缶の強度が1400℃を越えると不足するためと、容器からの汚染が進行する場合があるためである。
また、圧力を1000気圧以では、ターゲットの密度を99%以上に高めることが難しい場合があるからである。
【0017】
上述した方法に加えて、粉砕時の汚染防止には、例えばボールミルでの粉砕処理には、アルゴン雰囲気中で、還元Ru粉末を予備粉砕処理することにより、容器壁面及びボール表面に、還元Ru層の被覆を形成しておき、容器からの粉末への汚染を防止すると良い。
粉砕処理には、上述したボールミル以外でも、プラネタリーボールミル、アトライター、ロッドミル等を用いて粉砕処理することが可能である。
【0018】
粉砕後のRu粉末の形状としては、たとえば平均粒径60μm程度の還元Ru粉末をボールミル粉砕すると、粉砕開始後の初期(たとえば数時間)の時点では、粉砕の進行によって、微細粉の割合が増大して、粒径が5μm以下の超微粉末と、粒径10μm程度の微粉末の二極分化するが、さらに粉砕処理を施せば、微細粉の再凝集によって、再度平均粒径が増大し、10μm〜50μmの粒径を持った粉末の割合が約70%に増加する。そして、50μmを超えるものも約10%程度となる一方で、粒径10μm以下の微粉末も約20%程度の割合となる。
このような粒度分布を呈する粉末は、充填率向上という点からみると特に望ましく、より高充填密度化が可能となる。
【0019】
また、この時、粉砕処理に要する時間によって、体積平均径が決定される。例えば、ボールミルでの粉砕時間を4時間以上にすると、体積平均径で50μm以下に調整することができる。
そしてさらに、上記のボールミルでの粉砕時間を例えば12時間以上にすれば、熱間静水圧プレス用の密閉容器への充填率を向上させるに好適な粒度分布に調整できた粉末形状が得られる。
なお、ここでは、ボールミルを使用した際の一例を述べたが、ボールミル以外の粉砕装置を用いる時は、高充填化に好適な粒径、粒度分布が得られるための所用時間に差異があることは言うまでもない。
【0020】
【実施例】
先ず、純Ruの原料粉として、純度99.995%の還元Ru粉末を用意した。
上記の還元Ru粉末をボールミルを用いて粉砕処理した。ボールミルは、ポッド、ボールともにステンレス製のものを使用した。
また、この時アルゴン雰囲気中で、還元Ru粉末を予備粉砕処理することにより、容器壁面及びボール表面に、還元Ru層の被覆を形成せしめて、容器からの粉末への汚染を防止した。このように準備したボールミル装置を利用して、アルゴン雰囲気下で、12時間の粉砕処理を行った。
【0021】
粉砕処理前後の粉末形状を比較するために、粉砕処理前の粉末の電子顕微鏡写真を図3に、粉砕処理後の粉末の電子顕微鏡写真を図4にそれぞれ示す。
図3および図4を比較すると、粉砕処理により、粉末が球状化し、粉末中に存在していた小孔が消失ないし大幅に減少して、充填率を向上するに好適な形状を呈している。
また、粉砕処理前後の粉末粒径の変化を比較するために、粉末の粒度分布を図2に示す。12時間の粉砕の時点では、粒度分布がシャープになっている。
粒度分布がシャープで、比較的粒径の大きい粉末は、充填率向上という点からみると望ましい粒度分布に調整されていることが分かり、体積平均粒径も16.63μmとなった。
【0022】
続いて、上述の粉末を密閉容器に封入した。
粉砕処理前後の充填率の変化を比較するために、粉末の充填率を表1に、粉砕処理前後の粉末の組成を比較するために、粉末の不純物分析結果を表2にそれぞれ示す。
【0023】
【表1】

Figure 0003551355
【0024】
【表2】
Figure 0003551355
【0025】
前記の予備粉砕処理により、酸素以外の不純物については、分析限界以下のままで変化しておらず、粉砕中の汚染は無視出来る程度であると言える。
また、ここで粉砕処理を施した粉末をNb箔を内貼りした鉄缶に、面圧0.68MPaの荷重を加えて充填した。Nb箔は、鉄缶との離型、反応防止の効果の他に、粉砕処理によって上昇した酸素濃度を低減する効果がある。
【0026】
粉末を充填した鉄缶を、脱気封止して、1180℃、100MPa、保持時間3時間で、熱間静水圧プレス処理を施した。
熱間静水圧プレスして得られた、焼結体を機械加工して、Ruターゲットを得た。Ruターゲットは、相対密度が100%であり、完全に緻密化していた。
【0027】
Ruターゲットの断面を光学顕微鏡観察し、写真を図1に示す。
図1に示すように、本発明のRuターゲットは、樹状晶のない均一微細な組織である。このように均一微細な組織は、一般に、スパッタ時のパーティクルや異常放電の低減、膜の均質性の向上などの点で好ましいものである。
ターゲット中に含まれる不純物の分析結果を表3に示す。表2の粉末中の不純物と比較して酸素濃度が低下している。これは、Ru粉末からNb箔へ酸素が移動することによって、酸素が低減したためである。
【0028】
【表3】
Figure 0003551355
【0029】
また、ターゲットのX線回折の主なピークの一覧を表4に示す。
回折データの標準データベースであるJCPDSカードに示された粉末Ruのピーク強度と殆ど一致している。具体的には、数式1に基づいて、測定した回折強度IとJCPDSカードに記載された回折強度Rを用いて、主ピークである(100)、(002)、(101)の3つについてX(I)を求めると、いずれも25〜40%の範囲に入っており、ランダムな配向である。また、極端な粗大粒が存在していないことが分かる。
【0030】
【数1】
Figure 0003551355
【0031】
【表4】
Figure 0003551355
【0032】
本発明のターゲットは、配向性が低く、粗大粒を含まないターゲットは、スパッタ時のパーティクルや異常放電の低減、膜の均質性の向上、スパッタリングレートの向上などの点において好ましく、相対密度99%以上の粉末焼結体からなる純Ruターゲットとすることができる。
【0033】
[比較例]
実施例と同じ還元Ru粉末(図2還元粉末(未処理))を、粉砕処理を施さないままで鉄缶に充填、脱気封止して、1320℃、185MPa、保持時間0.75時間で、熱間静水圧プレス処理を施した。この焼結体の密度は、97%であった。
熱間静水圧プレス処理中の収縮変形量が大きく、鉄缶が異常変形し、焼結体本体に、皺状の割れが発生し、良好な素性の焼結体を得ることができなかった。
【0034】
【発明の効果】
本発明によれば、均一微細で配向性の無い純Ruターゲットを飛躍的に省工程で製造することができ、純Ruターゲットの製造にとって欠くことのできない技術となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ターゲットの断面の顕微鏡観察写真を示す。
【図2】粉砕処理前後のRu粉末の粒度分布を示す図である。
【図3】Ru粉末の粉砕処理前の粉末の形状の一例を示す顕微鏡写真である。
【図4】Ru粉末の粉砕処理後の粉末の形状の一例を示す顕微鏡写真である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a manufacturing method of the Ru target used to produce the Ru thin film to be used, for example the electrode material.
[0002]
[Prior art]
With the increase in the degree of integration of semiconductors, oxide-based materials having a higher dielectric constant have come to be used for capacitors in semiconductor cells. Platinum group noble metals with low reducibility are used. Among these noble metals, a sputtered Ru film having a low specific resistance of an oxide of the noble metal itself formed on the bonding layer with the dielectric layer is particularly frequently used.
Such a Ru target for a film is manufactured by the following three methods. The method is a method of melting by an electron beam or an arc, a method of purifying an ingot manufactured by solidifying raw material powder by hot pressing by an electron beam melting treatment, and a method of hot rolling an ingot manufactured by a melting method. It is.
[0003]
However, each of the above three methods has its own advantages and disadvantages.
First, although the melting method has an advantage that a high-density target is easily obtained, there is a disadvantage that voids are easily generated in the tissue and the film formation is adversely affected, for example, as described in JP-A-8-316441. Have been. In addition, depending on the dissolution conditions, there is an inherent risk that a solidified structure of dendrites may appear.
[0004]
The method of treating a hot-pressed ingot with an electron beam also has the advantage of being able to increase the density, but requires a post-process of electron beam treatment, which complicates the process. In addition, since it involves melting, there is a problem that a solidified structure of dendrites appears as in the above-described melting method.
[0005]
In general, the solidification structure of dendrites is not preferable in terms of film uniformity, film formation characteristics such as abnormal discharge and generation of particles, and a uniform fine structure is preferable.The dendritic structure is more preferable than the uniform fine structure. However, inferior mechanical properties such as bending strength are widely known in tool materials and the like, and also in this respect, a method in which a uniform fine structure cannot be obtained is not preferable.
In addition, in the case of electron beam melting, a high-purity ingot block of a friend material called a starting block is indispensable to prevent contamination of the ingot, and the initial investment is large, so that it is suitable for small-lot production. Not.
[0006]
The melt rolling method mentioned at the end has the advantage of providing a structure with few voids by providing a rolling step.However, since a post-process of rolling is required, the process becomes complicated, and the rolled structure is not obtained. I will put it out. The rolled structure has low isotropy of the structure and exhibits a crystallographically strong orientation to a specific surface, and thus may cause a non-uniform sputtered film or a reduction in the film forming speed.
As described above, the current manufacturing method using the dissolution method as a basic technique leaves essential problems in the structure, defects, orientation, and the like.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present inventor, as a method for solving the above-mentioned problems, by applying a sintered body target without melting after sintering, prevents the generation of a dendritic structure and the generation of voids observed in the melting method. And that the influence of texture generated by rolling can be reduced. Then, the realization of a Ru target made of a sintered body was studied.
Here, in realizing a Ru target using a sintered body, the biggest problems are the density of the target and the manufacturability of the target.
[0008]
According to the study of the present inventor, even if an attempt is made to obtain a sintered body by applying a hot isostatic press effective for preventing contamination of the Ru powder in the manufacturing process, only a relative density of about 98% can be obtained. Did not. When the density of the target is low, many defects remain inside the target, and abnormal discharge and generation of particles due to the abnormal discharge become a problem.
In addition, when applying the hot isostatic pressing method to press-sinter Ru powder, the pressure-sintering deformation is too large, so that the container filled with the powder cannot follow and may be broken. Further, the deformation tends to be extremely non-uniform, and the product yield is reduced.
In the present invention, to solve the above problems, and an object thereof is to provide a method for producing a Ru target made of high purity and high density sintered body.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present inventor has made intensive studies to solve the above-mentioned problems. As a result, it has been found that the reason why the density of the sintered body does not increase and the cause of the decrease in the yield during the manufacturing process are in the shape of the raw material powder.
Since high-purity Ru powder is usually produced by a reduction method, it is a coral-shaped amorphous, porous powder. This Ru powder has a problem that the specific gravity of the powder itself is low and that the friction of the powder is large, so that crosslinking at the time of filling is apt to be caused, and it is difficult to increase the filling density. Was found to be the cause.
[0010]
As a result of further investigation, it was found that the above problem could be solved by pulverizing the reduced Ru powder before sintering, and the present invention was reached.
That is, the present invention is a method for producing a Ru target in which reduced Ru powder is pulverized, sealed in a closed container, and subjected to hot isostatic pressing to adjust the relative density to 99% or more.
Preferably, the pulverization treatment is to pulverize to a volume average diameter of 50 μm or less.
[0011]
According to the above-described method for manufacturing a Ru target of the present invention, it is possible to provide a Ru target made of a powder sintered body having a relative density of 99% or more and a purity of 99.99% or more, which has not existed in the past.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An important feature of the production method of the present invention is that a pulverization treatment is applied to the reduced Ru powder. By applying this step, deformation by hot isostatic pressing can be suppressed, and a high-density Ru target of 99% or more of the present invention can be obtained without defects such as cracks.
[0013]
In addition, the application of a hot isostatic press using a sealed container can minimize external contamination during the manufacturing process, and achieve a Ru target made of a sintered body having a purity of 99.99% or more. It is possible to do.
In addition, as a method of improving the packing density in the sealed container, it is possible to further increase the packing density by using a vibrator, a hammer shaker, a press and the like in combination.
[0014]
The Ru target of the present invention, which is a powder sintered body having a relative density of 99% or more and a purity of 99.99% or more, has a uniformly fine structure since it is a powder sintered body and does not have an orientation to a specific crystal plane. It will be.
This makes it possible to suppress the occurrence of abnormal discharge while preventing a variation in the deposition rate of Ru during sputtering.
[0015]
In the production method of the present invention, it is desirable that the raw material has as high a purity as possible, and preferably, a raw material Ru powder having a purity of 99.995% or more is used.
In the pulverization treatment of the reduced Ru powder, pulverization to a volume average diameter of 50 μm or less is desirable from the viewpoint of ensuring high packing density and reducing generation of cracks.
As the conditions of the hot isostatic pressing, filling, degassing, and sealing in a sealed container are preferably performed at a temperature of 1150 ° C. or more, preferably 1400 ° C. or less, a pressure of 1000 atm or more, and a time of 45 minutes or more. .
[0016]
If the temperature of the hot isostatic pressing is lower than 1150 ° C., the density of the target after the hot isostatic pressing may not reach 99% or more, and is preferably 1150 ° C. or more. If the temperature exceeds 1400 ° C., the strength of an iron can usually used as a sealed container is insufficient when the temperature exceeds 1400 ° C., and contamination from the container may progress.
Further, the lower 1000 gas pressure or a pressure, because the density of the target may be difficult to increase more than 99%.
[0017]
In addition to the above-described method, in order to prevent contamination during pulverization, for example, in a pulverization treatment using a ball mill, a reduced Ru powder is preliminarily pulverized in an argon atmosphere to form a reduced Ru layer on the container wall surface and the ball surface. It is preferable to form a coating to prevent contamination of the powder from the container.
In the pulverizing process, a pulverizing process can be performed by using a planetary ball mill, an attritor, a rod mill or the like other than the ball mill described above.
[0018]
As the shape of the Ru powder after pulverization, for example, when a reduced Ru powder having an average particle size of about 60 μm is ball-milled, the ratio of the fine powder increases due to the progress of the pulverization at an early stage (for example, several hours) after the start of pulverization. Then, the ultrafine powder having a particle size of 5 μm or less and the fine powder having a particle size of about 10 μm are bipolarized. If further pulverization is performed, the average particle size increases again due to the reagglomeration of the fine powder, The proportion of powder with a particle size between 10 μm and 50 μm increases to about 70%. And about 10% of the powder having a particle size of more than 50 μm, and about 20% of the fine powder having a particle size of 10 μm or less.
A powder having such a particle size distribution is particularly desirable from the viewpoint of improving the filling rate, and allows a higher packing density.
[0019]
At this time, the volume average diameter is determined by the time required for the pulverizing treatment. For example, when the pulverization time in a ball mill is 4 hours or more, the volume average diameter can be adjusted to 50 μm or less.
Further, if the pulverization time in the above-mentioned ball mill is set to, for example, 12 hours or more, a powder shape which can be adjusted to a particle size distribution suitable for improving a filling rate in a closed container for hot isostatic pressing can be obtained.
Here, an example when a ball mill is used has been described.However, when a pulverizing device other than a ball mill is used, there is a difference in a particle size suitable for high filling and a required time for obtaining a particle size distribution. Needless to say.
[0020]
【Example】
First, reduced Ru powder having a purity of 99.995% was prepared as a raw material powder of pure Ru.
The reduced Ru powder was pulverized using a ball mill. The ball mill used was a stainless steel pod and ball.
At this time, the reduced Ru powder was preliminarily pulverized in an argon atmosphere to form a coating of the reduced Ru layer on the container wall surface and the ball surface, thereby preventing contamination of the powder from the container. Using the ball mill apparatus thus prepared, pulverization treatment was performed for 12 hours under an argon atmosphere.
[0021]
In order to compare the powder shapes before and after the pulverization treatment, an electron micrograph of the powder before the pulverization treatment is shown in FIG. 3, and an electron micrograph of the powder after the pulverization treatment is shown in FIG.
3 and 4, the powder is spheroidized by the pulverization treatment, the pores existing in the powder disappear or are significantly reduced, and the powder has a shape suitable for improving the filling rate.
FIG. 2 shows the particle size distribution of the powder in order to compare the change in the particle size of the powder before and after the pulverization. At the time of grinding for 12 hours, the particle size distribution is sharp.
It was found that the powder having a sharp particle size distribution and a relatively large particle size was adjusted to a desirable particle size distribution from the viewpoint of improving the filling factor, and the volume average particle size was also 16.63 μm.
[0022]
Subsequently, the above-mentioned powder was sealed in a closed container.
Table 1 shows the packing ratio of the powder before and after the pulverizing treatment, and Table 2 shows the result of impurity analysis of the powder to compare the composition of the powder before and after the pulverizing treatment.
[0023]
[Table 1]
Figure 0003551355
[0024]
[Table 2]
Figure 0003551355
[0025]
As a result of the preliminary pulverization process, impurities other than oxygen remain unchanged at or below the analysis limit, and it can be said that contamination during pulverization is negligible.
Further, the powder subjected to the pulverization treatment was filled in an iron can having a Nb foil applied thereto by applying a load of a surface pressure of 0.68 MPa. The Nb foil has an effect of reducing the oxygen concentration increased by the pulverization process, in addition to the effect of releasing from the iron can and preventing the reaction.
[0026]
The iron can filled with the powder was degassed and sealed, and subjected to hot isostatic pressing at 1180 ° C., 100 MPa, and a holding time of 3 hours.
The sintered body obtained by hot isostatic pressing was machined to obtain a Ru target. The Ru target had a relative density of 100% and was completely densified.
[0027]
A cross section of the Ru target was observed with an optical microscope, and a photograph is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the Ru target of the present invention has a uniform fine structure without dendrites. Such a uniformly fine structure is generally preferable in terms of reduction of particles and abnormal discharge at the time of sputtering, improvement of film uniformity, and the like.
Table 3 shows the analysis results of the impurities contained in the target. The oxygen concentration is lower than the impurities in the powder of Table 2. This is because oxygen was reduced by the movement of oxygen from the Ru powder to the Nb foil.
[0028]
[Table 3]
Figure 0003551355
[0029]
Table 4 shows a list of main X-ray diffraction peaks of the target.
It almost agrees with the peak intensity of powdered Ru shown on the JCPDS card, which is a standard database of diffraction data. Specifically, based on Equation 1, using the measured diffraction intensity I and the diffraction intensity R described on the JCPDS card, X is determined for three of the main peaks (100), (002), and (101). When (I) is obtained, all are in the range of 25 to 40%, and the orientation is random. Also, it can be seen that no extremely coarse grains are present.
[0030]
(Equation 1)
Figure 0003551355
[0031]
[Table 4]
Figure 0003551355
[0032]
The target of the present invention has a low orientation, and a target containing no coarse particles is preferable in terms of reduction of particles and abnormal discharge during sputtering, improvement of film uniformity, improvement of sputtering rate, and the like, and a relative density of 99%. A pure Ru target made of the above powder sintered body can be obtained.
[0033]
[Comparative example]
The same reduced Ru powder as in the example (FIG. 2 reduced powder (untreated)) was filled in an iron can without being subjected to pulverization treatment, degassed, and sealed at 1320 ° C., 185 MPa, and holding time of 0.75 hour Hot isostatic pressing. The density of this sintered body was 97%.
The amount of shrinkage and deformation during hot isostatic pressing was large, the iron can was abnormally deformed, and wrinkled cracks were generated in the sintered body, and a sintered body with good characteristics could not be obtained.
[0034]
【The invention's effect】
Advantageous Effects of Invention According to the present invention, a pure Ru target having uniform fineness and no orientation can be drastically manufactured in a reduced number of steps, which is an indispensable technique for manufacturing a pure Ru target.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a microscope observation photograph of a cross section of a target.
FIG. 2 is a diagram showing a particle size distribution of Ru powder before and after a pulverization process.
FIG. 3 is a micrograph showing an example of the shape of a Ru powder before a pulverization treatment.
FIG. 4 is a micrograph showing an example of the shape of the powder after the pulverization of the Ru powder.

Claims (2)

還元Ru粉末を粉砕処理した後、密閉容器に封入して、熱間静水圧プレスを行い、相対密度99%以上に調整することを特徴とするRuターゲットの製造方法。A method for producing a Ru target, wherein a reduced Ru powder is pulverized, sealed in a closed container, and subjected to hot isostatic pressing to adjust the relative density to 99% or more. 粉砕処理は体積平均径で50μm以下に粉砕することを特徴とする請求項に記載のRuターゲットの製造方法。Ru target method according to claim 1 milling process, characterized in that ground to 50μm or less in volume average diameter.
JP31846598A 1998-11-10 1998-11-10 Ru target and method of manufacturing the same Expired - Fee Related JP3551355B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31846598A JP3551355B2 (en) 1998-11-10 1998-11-10 Ru target and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31846598A JP3551355B2 (en) 1998-11-10 1998-11-10 Ru target and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000144395A JP2000144395A (en) 2000-05-26
JP3551355B2 true JP3551355B2 (en) 2004-08-04

Family

ID=18099429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31846598A Expired - Fee Related JP3551355B2 (en) 1998-11-10 1998-11-10 Ru target and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3551355B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY153939A (en) * 2009-12-25 2015-04-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target
JP5699016B2 (en) * 2011-03-30 2015-04-08 田中貴金属工業株式会社 Ru-Pd-based sputtering target and method for producing the same
KR20140053708A (en) * 2012-10-26 2014-05-08 희성금속 주식회사 Manufacturing method of a high purity au target through a recycle of au spent target by sintering process

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000144395A (en) 2000-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7383300B2 (en) Powder metallurgy sputtering target and its manufacturing method
JP4110533B2 (en) Manufacturing method of Mo-based target material
US5460793A (en) Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same
JP3721014B2 (en) Method for manufacturing tungsten target for sputtering
CZ292448B6 (en) Flaked tantalum powder and process for making the flaked powder, agglomerated flaked tantalum powder and process for making the agglomerated flaked powder as well as process for making capacitor electrode
IL142601A (en) Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
JP2004100000A (en) Iron silicate sputtering target and production method therefor
JP6573629B2 (en) High purity refractory metal powders and their use in sputtering targets that can have disordered texture
WO1995004167A1 (en) High melting point metallic silicide target and method for producing the same, high melting point metallic silicide film and semiconductor device
JP2023076733A (en) tungsten sputtering target
JP2757287B2 (en) Manufacturing method of tungsten target
JP3244167B2 (en) Tungsten or molybdenum target
JP4634567B2 (en) Method for manufacturing tungsten sputtering target
JP3551355B2 (en) Ru target and method of manufacturing the same
JP2606946B2 (en) Ti-W target material and method of manufacturing the same
JP3998972B2 (en) Method for producing sputtering tungsten target
JP3037772B2 (en) Ti-W target material and method of manufacturing the same
JP3121400B2 (en) Manufacturing method of tungsten sintered body
JP3086447B1 (en) Tungsten target for sputtering and method for producing the same
MXPA04007104A (en) Stabilized grain size refractory metal powder metallurgy mill products.
JP2896233B2 (en) Refractory metal silicide target, manufacturing method thereof, refractory metal silicide thin film, and semiconductor device
JPH0688104A (en) Production of titanium powder
JP3837069B2 (en) Method for producing sputtering tungsten target
JP3073764B2 (en) Ti-W target material and manufacturing method thereof
Mendes et al. The effect of heat treatment on microstructure and mechanical properties of Ti-8.5 Nb-4.5 Ta-13Zr alloy

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees