JP3425063B2

JP3425063B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP3425063B2
Application number: JP15132397A
Authority: JP
Inventors: 正樹青木; 博由田中; 光弘大谷; 秀明安井; 眞壽工藤
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-06-09
Filing date: 1997-06-09
Publication date: 2003-07-07
Anticipated expiration: 2017-06-09
Also published as: JPH113665A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法
に関するものであって、特に、高品位用のプラズマディ
スプレイパネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハイビジョンをはじめとする高品
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
ＣＲＴ，液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと記載す
る），プラズマディスプレイパネル（Plasma Display P
anel, 以下ＰＤＰと記載する）といった各ディスプレイ
の分野において、これに適したディスプレイの開発が進
められている。

【０００３】従来からテレビのディスプレイとして広く
用いられているＣＲＴは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で４０インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、ＬＣＤは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。

【０００４】これに対して、ＰＤＰは、小さい奥行きで
も大画面を実現することが可能であって、既に４０イン
チクラスの製品も開発されている。ＰＤＰは、大別して
直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とに分けられる
が、現在では大型化に適したＡＣ型が主流となってい
る。図４は、従来の一般的な交流面放電型ＰＤＰの概略
断面図である。図４において、フロントカバープレート
５１上に一対の表示電極（放電電極）５２が配設され、
その上を鉛ガラス［ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂ガラス］
からなる誘電体ガラス層５３およびＭｇＯからなる保護
膜５４で覆われている。

【０００５】また、バックプレート５５上には、アドレ
ス電極５６が配され、その上に前記誘電体ガラス層５３
と同じ組成の誘電体ガラス層５７と隔壁５８と、赤また
は緑または青の紫外線励起蛍光体からなる蛍光体層５９
とが配設され、誘電体ガラス層５７，隔壁５８に囲まれ
た放電空間６０内には放電ガスが封入されている。な
お、図４では断面で図示しているが、表示電極５２とア
ドレス電極５６とは実際には通常、直交して設けられて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようなＰＤＰにお
いて、以下に述べるように、輝度及び放電電圧（回路の
駆動電圧）に対する課題がある。４０〜４２インチクラ
スのテレビ用のＰＤＰにおいて、ＮＴＳＣの画素レベル
（画素６４０×４８０個，セルピッチ０．４３ｍｍ×
１．２９ｍｍ，１セルの面積０．５５ｍｍ²）の場合、
現在１５０〜２５０ｃｄ／ｍ²程度の画面輝度が獲られ
ている（機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６，Ｎ
ｏ．２ページ７参照）。

【０００７】これに対して、近年期待されているフルス
ペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、
画素数が１９２０×１１２５で、セルピッチは０．１５
ｍｍ×０．４８ｍｍとなる。この場合、１セルの面積は
０．０７２ｍｍ²であって、ＮＴＳＣの場合と比べて１
／７〜１／８となるため、４２インチのハイビジョンテ
レビ用のＰＤＰを、従来通りのセル構成で作製した場
合、画面の輝度は３０〜４０ｃｄ／ｍ²程度に低下する
ことが予想される。

【０００８】従って、４２インチのハイビジョンテレビ
用のＰＤＰにおいて、現行のＮＴＳＣのＣＲＴ並の明る
さ（５００ｃｄ／ｍ²）を得ようとすれば、各セルの輝
度を１２〜１５倍程度に向上させることが必要となる。
このような背景のもとで、ＰＤＰのセルの輝度を向上さ
せる技術が望まれている。

【０００９】ＰＤＰの発光原理は基本的に蛍光灯と同様
であって、放電に伴って放電ガスから紫外線が放出さ
れ、この紫外線によって赤，緑，青の蛍光体励起発光さ
れるが、放電エネルギの紫外線への変換する効率や、蛍
光体における可視光への変換効率が低いので、蛍光灯の
ように高い輝度を得ることは難しい。この点に関して、
応用物理Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．３１９８２年ページ
３４４〜３４７には、Ｈｅ−Ｘｅ，Ｎｅ−Ｘｅ系のガス
組成のＰＤＰにおいて、電気エネルギーの約２％しか紫
外線放射に利用されておらず、最終的に可視光に利用さ
れるのは０．２％程度ということが記載されている（光
学技術コンタクトＶｏｌ．３４，Ｎｏ．１１９９６年
ページ２５，ＦＬＡＴＰＡＮＥＬＤＩＳＰＬＡＹ
９６’ Ｐａｒｔ５−３，ＮＨＫ技術研究第３１巻
第１号昭和５４年ページ１８参照）。

【００１０】ところで、前述した誘電体ガラス層５３の
保護層５４としては、耐スパッタリング性に優れたもの
であることが必要であるが、放電エネルギーの紫外線へ
の変換効率を上げるためには又放電電圧を低くするため
にも、その２次電子放出係数が高いことも重要である。
従来からこのような条件をある程度満たすものとしてＭ
ｇＯが広く用いられているが、更に、２次電子放出係数
の高いものが望まれる。

【００１１】そこで、本発明は、保護層の２次電子放出
係数を向上させることによって、放電電圧を低くし、か
つ、発光輝度に優れたプラズマディスプレイパネルを提
供し、加えて、その製造方法を提供することを目的して
なされたものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１の電極及び誘電体ガラス層が配設さ
れたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体
層が配設されたバックプレートとが、前記誘電体ガラス
層及び蛍光体層を対向させた状態で配され、前記フロン
トカバープレート及びバックプレートの間に隔壁で仕切
られた放電空間が形成されたプラズマディスプレイパネ
ルであって、前記誘電体ガラス層には、３０ｎｍ以上の
表面粗さを有し、又、（ｎ００）面配向（ただしｎは１
以上の整数）あるいは（ｍｍ０）面配向（ただしｍは１
以上の整数）の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保
護層が被覆されていることを特徴とする。

【００１３】当該構成を有するプラズマディスプレイパ
ネルは、第１の電極及び誘電体ガラス層が配設されたフ
ロントカバープレートの誘電体ガラス層に、３０ｎｍ以
上の表面粗さを有し、（ｎ００）面、又は（ｍｍ０）面
（ただしｎ，ｍは１以上の整数）に配向した酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）保護層を形成する第１ステップと、Ｍ
ｇＯ保護層が形成されたフロントカバープレートと、第
２の電極及び蛍光体層が配設されたバックプレートと
を、対向して配すると共に、フロントカバープレート及
びバックプレートの間に形成される放電空間内にガス媒
体を封入する第２ステップとを備える方法で製造するこ
とができる。

【００１４】また、上記目的を達成するために、第１の
電極及び誘電体ガラス層が配設されたフロントカバープ
レートと、第２の電極及び蛍光体層が配設されたバック
プレートとが、前記誘電体ガラス層及び蛍光体層を対向
させた状態で配され、前記フロントカバープレート及び
バックプレートの間に隔壁で仕切られた放電空間が形成
されたプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電
体ガラス層には、６配位の不純物イオンを含む（ｎ０
０）面、あるいは（ｍｍ０）面（ただしｎ，ｍは１以上
の整数）配向の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保
護層が被覆されていることを特徴とする。

【００１５】この構成のプラズマディスプレイパネル
は、第１の電極及び誘電体ガラス層が配設されたフロン
トカバープレートの誘電体ガラス層に、（ｎ００）面、
又は（ｍｍ０）面（ただしｎ，ｍは１以上の整数）に配
向し、かつ、６配位の不純物イオンが含有された酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）保護層を形成する第１ステップ
と、ＭｇＯ保護層が形成されたフロントカバープレート
と、第２の電極及び蛍光体層が配設されたバックプレー
トとを、対向して配すると共に、フロントカバープレー
ト及びバックプレートの間に形成される放電空間内にガ
ス媒体を封入する第２ステップとを備える方法によって
製造することができる。

【００１６】なお、ＭｇＯはＮａＣｌ岩塩構造の結晶構
造を持ち、Ｍｇのまわりに６個の酸素イオンを配置する
ため、Ｍｇイオンは６配位イオンと言う。

【００１７】

【発明の実施の形態】

〔はじめに〕はじめに、本発明について概説する。ま
ず、保護層の２次電子放出係数を向上させるための第１
の方法は、ＭｇＯ層の表面に微細な凹凸を設け、放電空
間に臨む保護層の実質上の表面積を増加させることで、
２次電子の放出量を増加させる方法である。

【００１８】即ち、この第１の方法は、熱ＣＶＤ法やプ
ラズマＣＶＤ法でＭｇＯを作成する時に、ＣＶＤ法の条
件を変えることで（特に、反応時のガス圧力）、ＣＶＤ
特有の基板表面での熱分解析出反応を利用することによ
り表面のモルフォロジー（結晶形態）を変え、２次電子
放出量の多い（１００）面あるいは（１１０）面に配向
した微細な凹凸を有し、比較的大きな表面粗さの表面形
状の結晶成長を行う方法である。

【００１９】従来の真空蒸着法やスパッタ法では微細な
凹凸が付けにくく、一般に１０ｎｍ以下の凹凸の表面粗
さが小さい比較的平坦な面となる。なお、ここで（１０
０）面，（１１０）面と言うのは、結晶学的にはより高
次の（２００）面，（３００）面あるいは（２２０）
面，（３３０）面と同じことで、（１００）面，（１１
０）面で代表して表現する。

【００２０】又、誘電体ガラス表面に微細な凹凸を付
け、その上にＣＶＤ法でＭｇＯの結晶を成長させても、
その凹凸に相似の形で結晶が成長し、実質上のＭｇＯ層
の表面積が増大してγ値が大きくなる。なお、この場合
には、ＣＶＤ法で凹凸が形成されにくい条件でも、誘電
体ガラス層に凹凸を形成していない場合と同等の凹凸を
形成することができる。

【００２１】このように保護層表面に凹凸を設け、表面
粗さを粗くすることで２次電子の放出量を増加させるこ
とができるので、パネル輝度の向上を図るとともに、放
電電圧の低下をも図ることができる。次に第２の方法
は、ＭｇＯに不純物イオンを添加し、ＭｇＯのバンドギ
ャッブ（禁止帯）内に多くの不純物準位を作りそこから
２次電子が放出されるようにする方法である。即ち、Ｍ
ｇＯのバンドギャップ（禁止帯）内に不純物準位が多数
形成されると、そこに高いエネルギーを持った電子がト
ラップされて、そこからイオンの基底状態に電子が遷移
することにより、ＭｇＯ層の表面から２次電子が多数発
生することを利用する方法である。この場合、ＭｇＯ中
のＭｇと置換するイオン種は、ＭｇＯのＭｇと同じく６
配位を取るイオンが好ましい（例えば、プラズマディス
プレイ，共立出版，ｐｐ４７〜４９１９８３）。

【００２２】この第２の方法において、前記第１の方法
と組み合わせることにより、放電電圧低下の効果は顕著
になる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照
しながら説明する。〔実施の形態１〕（ＰＤＰの全体的な構成及び製法）図１は、本実施の形
態に係る交流面放電型ＰＤＰの概略断面図である。な
お、図１ではセルＣＬが１つだけ示されているが、赤，
緑，青の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。

【００２３】このＰＤＰは、前面ガラス基板（フロント
カバープレート）１１上に放電電極（表示電極）１２と
誘電体ガラス層１３が配された前面パネル１０と、背面
ガラス基板（バックプレート）２１上にアドレス電極２
２，誘電体ガラス層２３，隔壁２４，蛍光体層２５が配
された背面パネル２０とを張り合わせ、前面パネル１０
と背面パネル２０の間に形成される放電空間３０内に放
電ガスが封入された構成となっており、以下に示すよう
に作製される。なお、図１では便宜上断面で示している
が、放電電極１２とアドレス電極２２とは実際には直交
して設けられている。

【００２４】前面パネル１０の作製：前面パネル１０
は、前面ガラス基板１１上に放電電極（表示電極）１２
を形成し、その上を鉛系の誘電体ガラス層１３で覆い、
更に誘電体ガラス層１３の表面上に微細な凹凸のある保
護層１４を形成することによって作製する。本実施の形
態では、放電電極１２は銀電極であって、銀電極用のペ
ーストをスクリーン印刷した後に焼成する方法で形成す
る。また、鉛系の誘電体ガラス層１３の組成は、酸化鉛
［ＰｂＯ］７５重量％，酸化硼素［Ｂ₂Ｏ₃］１５重量
％，酸化硅素［ＳｉＯ₂］１０重量％であって、スクリ
ーン印刷法と焼成によって形成する。

【００２５】保護層１４は、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）からなり、結晶が（１００）面あるいは（１１０）
面に配向され表面が微細な凹凸形状をした膜構造となっ
ている。本実施の形態では、ＣＶＤ法（熱ＣＶＤ法，プ
ラズマＣＶＤ法）を用いて、このような（１００）面あ
るいは（１１０）面配向の酸化マグネシウムからなる微
細な凹凸結晶の保護層を形成する。具体的なＣＶＤ法に
よる保護層の形成方法については後述する。

【００２６】背面パネル２０の作製：背面ガラス基板２
１上に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷しその後
焼成する方法によってアドレス電極２２を形成し、その
上に前面パネル１０の場合と同様にスクリーン印刷法と
焼成によって鉛系の誘電体ガラス層２３を形成する。そ
して、ガラス製の隔壁２４を所定のピッチで固着する。
そして、隔壁２４に挟まれた各空間内に、赤色蛍光体，
緑色蛍光体，青色蛍光体の中の１つを配設することによ
って蛍光体層２５を形成する。各色の蛍光体としては、
一般的にＰＤＰに用いられている蛍光体を用いることが
できるが、ここでは次の蛍光体を用いる。

【００２７】赤色蛍光体：（ＹXＧｄ_1-X）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺ 緑色蛍光体：ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺ パネル１０及び２０張り合わせによるＰＤＰの作製：次
に、前述のように作製した前面パネル１０と背面パネル
２０とを封着用ガラスを用いて放電電極とアドレス電極
とが直交するように張り合せると共に隔壁２４で仕切ら
れた放電空間３０内を高真空（８×１０^-7Ｔｏｒｒ）に
排気した後、所定の組成の放電ガスを所定の圧力で封入
することによってＰＤＰを作製する。

【００２８】なお、本実施の形態では、ＰＤＰのセルサ
イズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２
の電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。また、封
入する放電ガスの組成は、従来から用いられているＮｅ
−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を１０体積％以上に設
定するとともに、封入圧力を５００〜７６０Ｔｏｒｒの
範囲に設定することによりＸｅの濃度を高め、セルの発
光輝度の向上を図っている。

【００２９】（ＣＶＤ法による保護層１４の形成につい
て）図２は、前記保護層１４を形成する際に用いるＣＶ
Ｄ装置４０の概略図である。このＣＶＤ装置４０は、熱
ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤの何れも行うことができるも
のであって、ＣＶＤ装置本体４５の中には、ガラス基板
４７（図１における放電電極１２及び誘電体ガラス層１
３を形成した前面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部
４６が設けられ、ＣＶＤ装置本体４５内は排気装置４９
で減圧にすることができるようになっている。また、Ｃ
ＶＤ装置本体４５の中にプラズマを発生させるための高
周波電源４８が設置されている。

【００３０】Ａｒガスボンベ４１ａ，４１ｂは、キャリ
アであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
４２，４３を経由してＣＶＤ装置本体４５に供給するも
のである。気化器４２は、ＭｇＯの原料（ソース）とな
る金属キレートを加熱して蓄え、Ａｒガスボンベ４１ａ
からＡｒガスを吹き込むことによって、この金属キレー
トを蒸発させてＣＶＤ装置本体４５に送り込むことがで
きるようになっている。

【００３１】気化器４３は、ＭｇＯの原料（ソース）と
なるシクロペンタジエニル化合物を加熱して貯え、Ａｒ
ガスボンベ４１ｂからＡｒガスを吹き込むことによっ
て、このシクロペンタジエニル化合物を蒸発させてＣＶ
Ｄ装置本体４５に送り込むことができるようになってい
る。酸素ボンベ４４は、反応ガスである酸素［Ｏ₂］を
ＣＶＤ装置本体４５に供給するものである。

【００３２】（１）熱ＣＶＤ法前記ＣＶＤ装置４０を用いて熱ＣＶＤ法を行う場合、ヒ
ータ部４６の上に、誘電体ガラス層１３を上にしてガラ
ス基板４７を置き、所定の温度（２５０〜４００℃、以
下各表の「ガラス基板の加熱温度」の欄を参照。）に加
熱すると共に、反応容器内を排気装置４９で３０Ｐａ〜
３００Ｐａと低圧に減圧する。

【００３３】そして、気化器４２または気化器４３で、
ソースとなるＭｇＯの金属キレートまたはシクロペンタ
ジエニル化合物を所定の温度（以下各表の「気化器の温
度」の欄を参照。）に加熱しながら、Ａｒガスボンベ４
１ａまたは４１ｂからＡｒガスを送り込む。また、これ
と同時に、酸素ボンベ４４から酸素を流す。これによっ
て、ＣＶＤ装置本体４５内に送り込まれる金属キレート
若しくはシクロペンタジエニル化合物が酸素と反応し、
ガラス基板４７の誘電体ガラス層１３の表面上に凹凸が
あり、表面粗さが比較的粗く実質上の表面積が従来より
も増加されたＭｇＯからなる保護層１４が形成される。

【００３４】（２）プラズマＣＶＤ法上記構成のＣＶＤ装置４０を用いて、プラズマＣＶＤを
行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行うが、ヒー
タ部４６によるガラス基板４７の加熱温度は２５０〜３
００℃程度（以下各表の「ガラス基板の加熱温度」の欄
を参照。）に、排気装置４９を用いて圧力３０〜３００
Ｐａに減圧し、高周波電源４８を駆動して、例えば、１
３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、Ｃ
ＶＤ装置本体４５内にプラズマを発生させながら、表面
が凹凸状の表面粗さが粗いＭｇＯからなる保護層１４を
形成する。

【００３５】気化器４２或は気化器４３から供給するソ
ース（金属キレート及びシクロペンタジエニル化合物）
としては、例えば、Magnesium Dipivaloyl Methane
［Ｍｇ（Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂］、Magnesium Acetylacetone
［Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₂］、Cyclopentadienyl Magnesium
［Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₅）₂］、Magnesium Trifluoroacetylacet
one［Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₅Ｆ₃Ｏ₂）₂］を挙げることができる。

【００３６】このようなソースを用いて熱ＣＶＤ法或は
プラスマＣＶＤ法で保護層を形成することにより、（１
００）面若しくは（１１０）面配向のＭｇＯからなる保
護層が形成される。ここで、ガス圧を前記のように３０
〜３００Ｐａという低い圧力にコントロールすることに
より、ＭｇＯの結晶が微細な凹凸をもつ結晶に成長する
ようコントロールされる。従って、（１００）面あるい
は（１１０）面配向で、微細な３０ｎｍ以上の凹凸を有
する表面粗さが粗いＭｇＯからなる保護層を形成するこ
とができる。

【００３７】なお、ＭｇＯ保護層の表面粗さを粗くする
ためには、ＭｇＯ結晶の成長初期にＭｇＯの結晶の安定
核が不均一にガラス基板に付着するような反応条件に設
定することが望ましいと考えられ、このような反応条件
としてはＣＶＤ装置４０の反応容器内の圧力を上記のよ
うに低圧に設定する他、噴霧する原料の濃度，ガラス基
板を載置する反応容器内の温度あるいは反応時間などの
条件が挙げられる。

【００３８】また、ＭｇＯ保護層に対する凹凸は、保護
層形成の後例えば塩酸等を用いてエッチング処理して形
成することもできる。この方法は、上記ＣＶＤ法で凹凸
の生じにくい条件で実施する場合や、更に表面を粗くし
ようとする場合には有効である。（保護層１４による効果）従来の真空蒸着法（ＥＢ法）
によって形成した保護層は、Ｘ線解析によると、結晶が
（１１１）面配向となっており、表面も凹凸が２ｎｍ程
度と非常に平坦である。

【００３９】これに比べ、上記のようにガス圧を３０Ｐ
ａ〜３００ＰａでコントロールしながらＣＶＤ法で作製
した保護層１４は、表面粗さが３０ｎｍ以上であり、し
かも（１００）面あるいは（１１０）面配向したもので
ある。このように、表面に凹凸が形成されているため実
質上の表面積が大きいこと及び結晶が（１００）面ある
いは（１１０）面に配向していることの２点は何れも２
次電子放出係数γを大きくする作用を有するが、両者が
合わさることにより保護層１４の２次電子の放出係数
（γ値）は、従来と比べて相乗的に大きくなると考えら
れる。これがＰＤＰの放電電圧（放電開始電圧や放電維
持電圧）の低下及び発光輝度の向上に大きく寄与するも
のと言える。

【００４０】なお、表面粗さが粗いほど保護層の実質の
表面積は増大するので望ましいが、保護層表面にあまり
大きな凹凸を設けた場合には、保護層表面で可視光が乱
反射することも考えられるので、実質的には１００ｎｍ
以下に形成することが望ましい。また表面粗さ３０ｎｍ
という数値は、有効な効果を得ることができる実験的に
求めた臨界値である。これについては後述する。

【００４１】なお、保護層に凹凸を形成するだけ或は、
結晶を（１００）面あるいは（１１０）面に配向させる
だけでも、保護層の２次電子の放出係数はある程度大き
くなるのでＰＤＰの放電電圧を低くしたり、輝度を向上
させる効果は得られるが、本実施の形態のように優れた
効果があるとは言えない。（保護層１４による理論的な根拠）ＭｇＯ保護層の２次
電子放出係数γを大きくすれば、セルの発光輝度を向上
させることができ、かつ、放電電圧を低くすることがで
きることを以下理論的に説明する。

【００４２】まず、放電電圧Ｖf（ここでは放電開始電
圧）とＭｇＯ保護層の２次電子放出係数γとの間に次式
のような関係がある点に着眼した。（式１）（但し、Ｅあるいはαは、ガスの種類によって決まる定
数である。）この式１は、放電開始電圧（Ｖf）が封入ガスとカソー
ド材（ＭｇＯ等）のプラズマ中のイオン衝撃による２次
電子放出係数γに依存していることを示すＶfとγの関
係式である。

【００４３】この式１からγが大きければ大きいほどＶ
fは小さくなる（例えばプラズマディスプレイ，共立出
版１９８３年ｐｐ４３）ことが分かる。なお、この
式１は、放電維持電圧に関しても同様に成立する。つま
り、誘電体ガラス表面に被覆されているＭｇＯ保護層の
γ値を大きくすることにより、発光輝度を向上させ、か
つ、放電開始電圧Ｖfを低下させることができる。

【００４４】〔実施の形態２〕本実施の形態に係るＰＤ
Ｐは、ＣＶＤ法による保護層１４を作製する条件が異な
る以外は、前記実施の形態１のＰＤＰと同様にして作製
したものである。即ち、本実施の形態でのＭｇＯ保護層
は次のようにして作製する。前記前面ガラス基板１１の
上に放電電極１２、その上に誘電体ガラス１３を前記同
様にして作製したものを、フッ酸などでエッチング処理
を施し、誘電体ガラス層の表面に微細な凹凸を形成す
る。

【００４５】そしてこれに対して、熱ＣＶＤ法やプラズ
マＣＶＤ法で保護層を形成すれば、予め誘電体ガラス層
にエッチング処理によって凹凸を形成し、ＭｇＯの結晶
成長がその形状に相似の形状に進行するので、反応容器
内の圧力を３００Ｐａ〜１３００Ｐａにコントロールし
ても、ＭｇＯ保護層の表面に微細な３０〜１００ｎｍの
凹凸が形成される。

【００４６】このようにして形成されたＭｇＯ保護層の
表面粗さは主に、誘電体ガラス層に形成された表面粗さ
（凹凸）によって決定される。〔実施の形態３〕本実施の形態に係るＰＤＰは、ＭｇＯ
保護層１４の形成時に不純物イオンを添加する以外は、
前記実施の形態１と同様にして作製したものである。本
実施の形態では、ＭｇＯ保護層を以下のように作製す
る。

【００４７】前記ＣＶＤ装置４０において、気化器４２
に、保護層の主成分であるＭｇＯのソースとなる金属キ
レート或はシクロペンタジエニル化合物を加熱して貯
え、ＣＶＤ装置本体４５に送り込む。それと共に、気化
器４３に、添加剤としての６配位の不純物イオンのソー
スとなる金属キレートやシクロペンタジエニル化合物を
加熱して貯え、ＣＶＤ装置本体４５に送り込む。

【００４８】そして、酸素と反応させることによって、
ＭｇＯに不純物イオンが添加された保護層が作製され
る。不純物イオンの添加量は、反応容器に供給する原料
の比率で決定され、ＭｇＯ層形成用の原料に対して、モ
ル比で０．１％以上添加することが望ましい。気化器４
３から供給する不純物イオンとしてのソースの具体例と
しては、ＭｇＯと同じく６配位を採る鉄（Ｆｅ），ニッ
ケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），バナジウム（Ｖ），
マンガン（Ｍｎ），クロム（Ｃｒ），ルテニウム（Ｒ
ｕ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），パラジウム
（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），ロジウム（Ｒｈ），
アンチモン（Ｓｂ），ニオブ（Ｎｂ）等の遷移金属のア
セチルアセトン化合物［Ｍ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₃］等を挙げる
ことができる（上記化学式で、Ｍは遷移金属の元素を表
す）。

【００４９】このように、本実施の形態のＰＤＰのＭｇ
Ｏ保護層には、６配位の不純物イオンが添加されている
ので、前述したようにＭｇＯの禁止帯に不純物準位が形
成されることで２次電子放出係数γ値は向上され、ＰＤ
Ｐ放電電圧を低下させ、かつ、発光輝度を向上させる効
果を奏する。また、この場合に、ＣＶＤ法における圧力
を３００Ｐａ〜１３００Ｐａにコントロールしても上記
不純物イオン添加による効果を得ることができるが、Ｃ
ＶＤ法における圧力を前記実施の形態１のように低くコ
ントロール（３０Ｐａ〜３００Ｐａ）して保護層の表面
に凹凸を形成させれば、保護層の実質的な面積も大きく
できるので、２次電子放出係数γが一層向上する。

【００５０】但し、遷移金属を中心とする不純物イオン
の添加量は０．５％（モル比）を越えるとＭｇＯ層が着
色する可能性がありその場合輝度の低下がおこるので、
添加量としては０．５％（モル比）以下が望ましい。

【００５１】

【実施例】

［実施例１〜６］

【００５２】

【表１】

【００５３】表１に示した試料Ｎｏ．１〜６のＰＤＰ
は、上記実施の形態１に基づいて作製したいろいろな表
面粗さ（凹凸の寸法）のＭｇＯ保護層を有するものであ
って、ＰＤＰのセルサイズは、４２インチのハイビジョ
ンテレビ用のディスプレイに合わせて、隔壁２４の高さ
は０．１５ｍｍ、隔壁２４の間隔（セルピッチ）は０．
１５ｍｍに設定し、放電電極１２の電極間距離ｄは０．
０５ｍｍに設定した。

【００５４】鉛系の誘電体ガラス層１３は、７５重量％
の酸化鉛［ＰｂＯ］と１５重量％の酸化硼素［Ｂ₂Ｏ₃］
と１０重量％の酸化硅素［ＳｉＯ₂］と有機バインダー
［α−ターピネオールに１０％のエチルセルローズを溶
解したもの］とを混合してなる組成物を、スクリーン印
刷法で塗布した後、５２０℃で１０分間焼成することに
よって形成し、その膜厚は２０μｍに設定した。

【００５５】放電ガスにおけるＮｅとＸｅの比率及び封
入圧力は、表１の各該当欄に示す条件に設定した。Ｍｇ
Ｏ保護層の形成方法については、試料Ｎｏ．１，４，５
では保護層を熱ＣＶＤ法で形成し、試料Ｎｏ．２，３，
６では保護層をプラズマＣＶＤ法で形成した。また、試
料Ｎｏ．１，５，６ではMagnesium Dipivaloyl Methane
［Ｍｇ（Ｃ ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂］を、試料Ｎｏ．２，３ではMa
gnesium Acetylacetone［Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₂］を、試
料Ｎｏ．４ではCyclopentadienyl Magnesium［Ｍｇ（Ｃ
₅Ｈ₅）₂］をソースとして用いた。

【００５６】また、気化器の温度、ガラス基板４７の加
熱温度は、表１の各欄に示す条件に設定して作製した。
なお、熱ＣＶＤ法の場合、反応容器の圧力を３０Ｐａ〜
３００ＰａとしＡｒガスの流量は１Ｌ／分、酸素の流量
は２Ｌ／分で、共に１分間流し、膜形成速度は１．０μ
ｍ／分に調整し、ＭｇＯの保護膜の厚さは１．０μｍに
設定した。

【００５７】プラズマＣＶＤ法の場合、反応容器の圧力
を３０Ｐａ〜３００ＰａとしＡｒガスの流量は１Ｌ／
分、酸素の流量は２Ｌ／分として共に１分間流し、高周
波の印加は３００Ｗで１分間行い、膜形成速度は０．９
μｍ／分に調整し、形成するＭｇＯ保護層の厚さは０．
９μｍに設定した。このように形成した試料Ｎｏ１〜６
の保護層をＸ線解析した結果、試料Ｎｏ．１，２，６で
は（１００）面配向、試料Ｎｏ．３，４，５では（１１
０）面配向のＭｇＯ層が形成されていることが確認され
た。

【００５８】試料Ｎｏ．７，８は比較例のＰＤＰであっ
て、試料Ｎｏ．７はＭｇＯ保護層を表１に示すようにＣ
ＶＤ法における反応容器の圧力を１３００Ｐａと高く設
定して形成したもの、試料Ｎｏ．８は従来の真空蒸着法
によって形成したものである。（ＭｇＯ保護層の凹凸、即ち表面粗さの測定）ＪＩＳの
十点平均粗さ測定法に基づいて公知の粗さメータを用い
て触針法になどによって測定することができる。

【００５９】本実施例では、（株）東京精密社製の表面
粗さ計（機種；Ｂ−ＭＤ−３０３Ａ）を使用して計測し
た。なお、これらの以下の作製したパネルの表面粗さを
示す凹凸のデータは、パネルの保護層全面で測定した表
面粗さの平均値である。試料Ｎｏ．１〜６の表面の表面
粗さは、３０〜８５ｎｍであった。

【００６０】試料Ｎｏ．７では、（１００）面配向であ
るが反応容器のガス圧が１３００Ｐａと高いために平坦
な表面となっている。又、試料Ｎｏ．８では、配向面が
（１１１）面であって表面粗さが２ｎｍの平坦な表面と
なっている。（パネルの放電開始電圧Ｖf，放電維持電圧Ｖおよびパ
ネル輝度の測定）パネルの放電開始電圧Ｖfは放電電極
（表示電極）間に交流電源を接続し、電圧を除々に印加
し、放電が開始する時の電圧であり、また放電維持電圧
Ｖは、放電開始後に電圧を下げていき、放電が消滅する
直前の電圧である。

【００６１】また、パネル輝度については、パネル全面
が点灯している時の放電維持電圧で測定し、周波数３０
ＫＨｚで駆動させた時の輝度を測定した。これらの結果
は表１に示されている。本発明に係る試料Ｎｏ．１〜６
のＰＤＰは、放電開始電圧Ｖf及び放電維持電圧Ｖ何れ
もが比較例の試料Ｎｏ．７，８のＰＤＰよりも低く、又
パネル輝度も向上しているのがわかる。

【００６２】これは試料Ｎｏ．１〜６のＰＤＰで２次電
子放出量が多くなったことを裏付けている。［実施例９〜１３］

【００６３】

【表２】

【００６４】試料Ｎｏ．９〜１３のＰＤＰは、実施の形
態２に基づいて保護層の凹凸を変化させて作製したもの
であり、上記試料Ｎｏ．１〜６のＰＤＰと同様の設定で
あるが、誘電体ガラス層の表面をフッ酸でエッチング処
理した点を異にしている。表２の試料Ｎｏ．１４のＰＤ
Ｐは、ＭｇＯ保護層を真空蒸着法により作製した比較例
であり、保護層以外は試料Ｎｏ．９〜１３のＰＤＰと同
じ設定である。

【００６５】本実施例Ｎｏ．９〜Ｎｏ１３のＰＤＰ及び
比較例１４のＰＤＰでは、誘電体ガラス層１３に予めエ
ッチング処理によって凹凸を形成してあるので、その凹
凸が保護層表面の粗さにも反映され、表２の表面粗さの
欄に示されるように、反応容器内の圧力が試料Ｎｏ．
９，１０のＰＤＰのように１３００Ｐａと高圧の場合、
或は、試料Ｎｏ．１４のＰＤＰのように真空蒸着法でも
比較的粗い表面の保護層を形成することができる。

【００６６】各ＰＤＰのＭｇＯ保護層は、試料Ｎｏ．
９，１０，１３のＰＤＰでは（１００）面配向、試料Ｎ
ｏ．１１，１２のＰＤＰでは（１１０）面配向、試料Ｎ
ｏ．１４では（１１１）面配向であった。試料Ｎｏ．９
〜１３のＰＤＰは、表１の試料Ｎｏ．７のＰＤＰと比べ
て放電開始電圧Ｖf及び放電維持電圧Ｖが共に低く、輝
度も向上している。

【００６７】これは、表面粗さが粗くなることによっ
て、２次電子放出量が多くなったことを裏付けている。
又、試料Ｎｏ．１４のＰＤＰは、試料Ｎｏ．９〜１３の
ＰＤＰと比べて放電開始電圧Ｖf及び放電維持電圧Ｖ共
に高く、パネルの輝度が低い。これは、試料Ｎｏ．１４
のＰＤＰのＭｇＯ保護層は、表面粗さが５２ｎｍと粗い
ものの、（１１１）面配向であるため２次電子放出係数
γの向上効果が少ないことを示している。

【００６８】更に試料Ｎｏ．９〜Ｎｏ．１３のＰＤＰの
中でも、特に、試料Ｎｏ．１１及びＮｏ．１２は、表面
粗さが粗くそれに伴って放電開始電圧Ｖf，放電維持電
圧Ｖ双方共に低く、パネル輝も高いことがわかる。これ
は、誘電体ガラス層に凹凸形成した上に、ＣＶＤ法で３
００Ｐａ以下の低圧で保護層を形成することによって特
に、２次電子放出係数γを向上させる効果が顕著なもの
となることを示している。

【００６９】［実施例１５〜２８］

【００７０】

【表３】

【００７１】試料Ｎｏ．１５〜２８のＰＤＰは、実施の
形態３に基づいて作製したものであり、前記実施例Ｎ
ｏ．１〜６のＰＤＰと同様の設定であるが、ＭｇＯ形成
用のＣＶＤ原料として、Ｍｇ化合物に加えて６配位の金
属を中心としたアセチルアセトン化合物を用いていると
ころが異っている。試料Ｎｏ．１５〜２８のＰＤＰで
は、ＭｇＯに不純物としてＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｖ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｒｈ，Ｓ
ｂ，Ｎｂの６配位を有する金属イオンを添加した。

【００７２】又、試料Ｎｏ．１９〜２８のＰＤＰでは、
ＣＶＤ法による保護層形成時の圧力を３００Ｐａ以下の
低い圧力に設定した。なお、各ＰＤＰのＭｇＯ保護層の
結晶面は、試料Ｎｏ．１５〜２４が（１００）面配向、
試料Ｎｏ．２５〜２８が（１１０）面配向であった。試
料Ｎｏ．１５〜Ｎｏ．１８のＰＤＰでは、表１の試料Ｎ
ｏ．７と比べて放電開始電圧Ｖf及び放電維持電圧Ｖが
低く、輝度が高いことがわかる。

【００７３】これは、遷移金属を中心とした６配位を有
するアセチルアセント化合物を不純物イオンとして添加
することにより、ＭｇＯの禁止帯内に不純物準位が形成
されるため２次電子の放出量が多くなったことを示して
いる。又、試料Ｎｏ．１９〜Ｎｏ．２８のＰＤＰでは、
更に、放電開始電圧Ｖf，放電維持電圧Ｖの低下が見ら
れる。これは、ＭｇＯ層の表面を粗く（６２〜８１ｎ
ｍ）し且つ不純物金属イオンを添加すれば、２次電子放
出係数が更に向上することを示している。

【００７４】（ＭｇＯ保護層の表面粗さの下限値につい
て）図３は、試料Ｎｏ．１〜６，９〜１３について保護
層の表面粗さ（凹凸，ｎｍ）に対する放電開始電圧Ｖf
（Ｖ）をプロットした特性図である。この特性図に示す
ように、放電開始電圧低下の効果は表面粗さが３０ｎｍ
未満であると小さいが、３０ｎｍ以上になれば効果が顕
著であることが分かる。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように本発明のプラズマデ
ィスプレイパネルは、第１の電極及び誘電体ガラス層が
配設されたフロントカバープレートと、第２の電極及び
蛍光体層が配設されたバックプレートとが、前記誘電体
ガラス層及び蛍光体層を対向させた状態で配され、前記
フロントカバープレート及びバックプレートの間に隔壁
で仕切られた放電空間が形成されたプラズマディスプレ
イパネルであって、前記誘電体ガラス層には、３０ｎｍ
以上の表面粗さを有し、又、（ｎ００）面配向（ただし
ｎは１以上の整数）あるいは（ｍｍ０）面配向（ただし
ｍは１以上の整数）の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から
成る保護層が被覆されていることを特徴とする。

【００７６】これによって、ＭｇＯ保護層の２次電子放
出係数を向上させることによって放電電圧を低下させ、
かつ、パネル輝度の向上を図ることができる。そして、
このようなプラズマディスプレイパネルは、第１の電極
及び誘電体ガラス層が配設されたフロントカバープレー
トの誘電体ガラス層に、３０ｎｍ以上の表面粗さを有
し、（ｎ００）面、又は（ｍｍ０）面（ただしｎ，ｍは
１以上の整数）に配向した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
保護層を形成する第１ステップと、ＭｇＯ保護層が形成
されたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光
体層が配設されたバックプレートとを、対向して配する
と共に、フロントカバープレート及びバックプレートの
間に形成される放電空間内にガス媒体を封入する第２ス
テップとを備える方法で製造することができる。

【００７７】ここで前記第１ステップでは、３０Ｐａ〜
３００Ｐａの反応容器内圧力で化学蒸着法（ＣＶＤ法）
により、マグネシウムの有機金属化合物および酸素を用
いて保護層を作製することができる。また、前記第１ス
テップの前に、フロントカバープレートの誘電体ガラス
層をエッチング処理するサブステップを付加すれば、Ｍ
ｇＯ保護層の凹凸は、誘電体ガラス層に予め形成された
凹凸と相似に形成されるので、表面粗さが３０ｎｍ以上
のＭｇＯ保護層を形成する前記第１ステップにおける圧
力等の条件が緩和される。

【００７８】具体的には、ＣＶＤ法における保護層形成
時の反応容器内の圧力を特に低圧にしなくても、３００
Ｐａ〜１３００Ｐａの圧力で表面粗さが３０ｎｍ以上の
保護層を作製することができる。また、本発明のプラズ
マディスプレイパネルは、第１の電極及び誘電体ガラス
層が配設されたフロントカバープレートと、第２の電極
及び蛍光体層が配設されたバックプレートとが、前記誘
電体ガラス層及び蛍光体層を対向させた状態で配され、
前記フロントカバープレート及びバックプレートの間に
隔壁で仕切られた放電空間が形成されたプラズマディス
プレイパネルであって、前記誘電体ガラス層には、６配
位の不純物イオンを含む（ｎ００）面、あるいは（ｍｍ
０）面（ただしｎ，ｍは１以上の整数）配向の酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）から成る保護層が被覆されているこ
とを特徴とする。

【００７９】この構成のプラズマディスプレイパネルに
よっても、ＭｇＯ保護層の２次電子放出係数を向上させ
ることによって放電電圧が低下し、かつ、パネル輝度の
向上を図ることができる。前記プラズマディスプレイパ
ネルは、第１の電極及び誘電体ガラス層が配設されたフ
ロントカバープレートの誘電体ガラス層に、（ｎ００）
面、又は（ｍｍ０）面（ただしｎ，ｍは１以上の整数）
に配向し、かつ、６配位の不純物イオンが含有された酸
化マグネシウム（ＭｇＯ）保護層を形成する第１ステッ
プと、ＭｇＯ保護層が形成されたフロントカバープレー
トと、第２の電極及び蛍光体層が配設されたバックプレ
ートとを、対向して配すると共に、フロントカバープレ
ート及びバックプレートの間に形成される放電空間内に
ガス媒体を封入する第２ステップとを備える方法によっ
て製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る交流面放電型ＰＤ
Ｐの概略断面図である。

【図２】ＭｇＯ保護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置
の概略図である。

【図３】実施例における放電開始電圧と保護層の表面粗
さ（凹凸の寸法）との関係を表した特性図である。

【図４】従来の一般的な交流面放電形ＰＤＰの概略断面
図である。

【符号の説明】

１０前面パネル１１前面ガラス基板（フロントカバープレート）１２放電電極（表示電極）１３誘電体ガラス層１４微細な凹凸のついた（１００）面あるいは（１１
０）配向面誘電体保護層２０背面パネル２１背面ガラス基板（バックプレート）２２アドレス電極２３誘電体ガラス層２４隔壁２５蛍光体３０放電空間４０ＣＶＤ装置４１アルゴンガスボンベ４２，４３気化器４４酸素ガスボンベ４５ＣＶＤ装置本体４６基板加熱ヒータ４７誘電体ガラス層が形成されたガラス基板４８高周波電源４９排気装置５１前面ガラス基板５２放電電極（表示電極）５３誘電体ガラス層５４保護層５５背面ガラス基板５６アドレス電極５７誘電体ガラス層５８隔壁５９蛍光体６０放電空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者安井秀明大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者工藤眞壽大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開平９−295894（ＪＰ，Ａ) 特開平８−287833（ＪＰ，Ａ) 特開平５−234519（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 11/02 H01J 9/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の電極及び誘電体ガラス層が配設さ
れたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体
層が配設されたバックプレートとが、前記誘電体ガラス
層及び蛍光体層を対向させた状態で配され、前記フロン
トカバープレート及びバックプレートの間に隔壁で仕切
られた放電空間が形成されたプラズマディスプレイパネ
ルであって、前記誘電体ガラス層には、３０ｎｍ以上の表面粗さを有し、又、（ｎ００）面配向
（ただしｎは１以上の整数）あるいは（ｍｍ０）面配向
（ただしｍは１以上の整数）の酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）から成る保護層が被覆されていることを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】第１の電極及び誘電体ガラス層が配設さ
れたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体
層が配設されたバックプレートとが、前記誘電体ガラス
層及び蛍光体層を対向させた状態で配され、前記フロン
トカバープレート及びバックプレートの間に隔壁で仕切
られた放電空間が形成されたプラズマディスプレイパネ
ルであって、前記誘電体ガラス層には、６配位の不純物イオンを含む（ｎ００）面、あるいは
（ｍｍ０）面（ただしｎ，ｍは１以上の整数）配向の酸
化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保護層が被覆されて
いることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】前記６配位の不純物イオンが、鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），バ
ナジウム（Ｖ），マンガン（Ｍｎ），クロム（Ｃｒ），
ルテニウム（Ｒｕ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔ
ａ），パラジウム（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），ロ
ジウム（Ｒｈ），アンチモン（Ｓｂ），ニオブ（Ｎｂ）
からなる群より選ばれたものであることを特徴とする請
求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】第１の電極及び誘電体ガラス層が配設され
たフロントカバープレートにおいて前記誘電体ガラス層
をエッチング処理する第１ステップと、エッチング処理が施された前記誘電体ガラス層に、３０
ｎｍ以上の表面粗さを有し、（ｎ００）面、又は（ｍｍ
０）面（ただしｎ，ｍは１以上の整数）に配向した酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）保護層を形成する第２ステップ
と、ＭｇＯ保護層が形成されたフロントカバープレートと、
第２の電極及び蛍光体層が配設されたバックプレートと
を、対向して配すると共に、フロントカバープレート及
びバックプレートの間に形成される放電空間内にガス媒
体を封入する第３ステップと、を備えることを特徴とす
るプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】第１の電極及び誘電体ガラス層が配設され
たフロントカバープレートの誘電体ガラス層に、３０Ｐ
ａ〜３００Ｐａの反応容器内圧力で化学蒸着法（ＣＶＤ
法）により、マグネシウムの有機金属化合物および酸素
を用いて、３０ｎｍ以上の表面粗さを有し、（ｎ００）
面、又は（ｍｍ０）面（ただしｎ，ｍは１以上の整数）
に配向した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）保護層を形成す
る第１ステップと、ＭｇＯ保護層が形成されたフロントカバープレートと、
第２の電極及び蛍光体層が配設されたバックプレートと
を、対向して配すると共に、フロントカバープレート及
びバックプレートの間に形成される放電空間内にガス媒
体を封入する第２ステップと、を備えることを特徴とす
るプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】前記第２ステップは、３００Ｐａ〜１３
００Ｐａの反応容器内圧力で化学蒸着法（ＣＶＤ法）に
より、マグネシウムの有機金属化合物および酸素を用い
て、保護層を形成することを特徴とする請求項４記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】第１の電極及び誘電体ガラス層が配設さ
れたフロントカバープレートの誘電体ガラス層に、（ｎ
００）面、又は（ｍｍ０）面（ただしｎ，ｍは１以上の
整数）に配向し、かつ、６配位の不純物イオンが含有さ
れた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）保護層を形成する第１
ステップと、ＭｇＯ保護層が形成されたフロントカバープレートと、
第２の電極及び蛍光体層が配設されたバックプレートと
を、対向して配すると共に、フロントカバープレート及
びバックプレートの間に形成される放電空間内にガス媒
体を封入する第２ステップと、を備えることを特徴とす
るプラズマディスプレイパネルの製造方法。