JP3405229B2 - 誘電体線路装置および送信装置 - Google Patents
誘電体線路装置および送信装置Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/021—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising distributed capacitance and inductance
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- Waveguides (AREA)
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はミリ波帯やマイク
ロ波帯の高周波回路における誘電体線路装置およびそれ
らを用いた送信装置に関するものである。
ロ波帯の高周波回路における誘電体線路装置およびそれ
らを用いた送信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばミリ波発振器として、ガン
ダイオードが用いられ、その発振出力信号を例えば誘電
体線路で伝送することによって、発振器を含むミリ波回
路を構成していた。例えば車載用ミリ波レーダにおいて
上記発振信号を伝搬する誘電体線路に１次放射器を結合
させて、ミリ波の送信を行い、例えば前方を走行する車
両などのターゲットからの反射波を受信して、送信信号
と受信信号の時間差およびドップラーシフト周波数に基
づいてターゲットまでの距離および相対速度を検出する
ようにしていた。
ダイオードが用いられ、その発振出力信号を例えば誘電
体線路で伝送することによって、発振器を含むミリ波回
路を構成していた。例えば車載用ミリ波レーダにおいて
上記発振信号を伝搬する誘電体線路に１次放射器を結合
させて、ミリ波の送信を行い、例えば前方を走行する車
両などのターゲットからの反射波を受信して、送信信号
と受信信号の時間差およびドップラーシフト周波数に基
づいてターゲットまでの距離および相対速度を検出する
ようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ガンダイオードなどの
固体発振素子を用いた発振器においては、その発振周波
数の安定化が重要な課題である。ガンダイオードを用い
た発振器の等価回路は図８のようになる。ここで破線部
分がガンダイオードであり、これに対して特性インピー
ダンスＺ１、電気長ｌ（エル）の励振線路を接続する事
によって反射形の発振器を構成している。
固体発振素子を用いた発振器においては、その発振周波
数の安定化が重要な課題である。ガンダイオードを用い
た発振器の等価回路は図８のようになる。ここで破線部
分がガンダイオードであり、これに対して特性インピー
ダンスＺ１、電気長ｌ（エル）の励振線路を接続する事
によって反射形の発振器を構成している。
【０００４】上記ガンダイオードを用いた発振器の温度
特性を図９に示す。この図から明らかなように、温度の
上昇に伴い発振周波数は低下する。一般に、発振周波数
は温度上昇に伴い、−５０〜−１００ｐｐｍ／℃の大き
な変化率で発振周波数が低下する。これはガンダイオー
ドの等価回路のうち、負性抵抗−Ｒの温度特性に起因し
ているものと考えられる。
特性を図９に示す。この図から明らかなように、温度の
上昇に伴い発振周波数は低下する。一般に、発振周波数
は温度上昇に伴い、−５０〜−１００ｐｐｍ／℃の大き
な変化率で発振周波数が低下する。これはガンダイオー
ドの等価回路のうち、負性抵抗−Ｒの温度特性に起因し
ているものと考えられる。
【０００５】そこで、従来は特開平６−２６８４４５号
に示されているように、発振周波数の安定化のために、
誘電体共振器を用いて、発振周波数の温度特性を誘電体
共振器の温度特性に略等しくして、安定化を図るものも
あった。
に示されているように、発振周波数の安定化のために、
誘電体共振器を用いて、発振周波数の温度特性を誘電体
共振器の温度特性に略等しくして、安定化を図るものも
あった。
【０００６】またガンダイオードの発振周波数は、それ
に印加するバイアス電圧によっても変化するので、バイ
アス電圧を温度によって制御する温度補償回路を設けた
ものもあった。
に印加するバイアス電圧によっても変化するので、バイ
アス電圧を温度によって制御する温度補償回路を設けた
ものもあった。
【０００７】ところが、上記温度特性に優れた誘電体共
振器などの共振器を用いたり、上記温度補償回路などを
設ける構成では、全体に大型化し、量産性が低下し、コ
ストの上昇を招くという問題があった。
振器などの共振器を用いたり、上記温度補償回路などを
設ける構成では、全体に大型化し、量産性が低下し、コ
ストの上昇を招くという問題があった。
【０００８】この発明の目的は、上述した問題点を解消
した誘電体線路装置および送信装置を提供することにあ
る。
した誘電体線路装置および送信装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、二つの導体
部材によって構成される平行導体平面の間に誘電体スト
リップを配して成る誘電体線路とガンダイオード発振器
とを有する誘電体線路装置であって、前記二つの導体部
材の一方にガンダイオードを保持させ、前記誘電体スト
リップに結合し、且つ前記ガンダイオードの発振出力信
号を導出する線路を誘電体基材に形成して成る誘電体板
を、前記導体部材から前記誘電体ストリップ部分にかけ
て前記誘電体線路の端面に平行に設けるとともに、前記
誘電体基材の温度変化に対する誘電率の変化係数を、前
記ガンダイオードの温度変化に対する発振周波数の変化
を抑制する極性にする。これにより、温度変化に対して
周波数の安定した信号が伝搬することになる。さらに、
前記線路のうち、前記誘電体板が前記導体部材に接する
個所でマイクロストリップ線路を構成し、前記誘電体板
が前記導体部材に接していない個所でサスペンデッド線
路を構成する。
部材によって構成される平行導体平面の間に誘電体スト
リップを配して成る誘電体線路とガンダイオード発振器
とを有する誘電体線路装置であって、前記二つの導体部
材の一方にガンダイオードを保持させ、前記誘電体スト
リップに結合し、且つ前記ガンダイオードの発振出力信
号を導出する線路を誘電体基材に形成して成る誘電体板
を、前記導体部材から前記誘電体ストリップ部分にかけ
て前記誘電体線路の端面に平行に設けるとともに、前記
誘電体基材の温度変化に対する誘電率の変化係数を、前
記ガンダイオードの温度変化に対する発振周波数の変化
を抑制する極性にする。これにより、温度変化に対して
周波数の安定した信号が伝搬することになる。さらに、
前記線路のうち、前記誘電体板が前記導体部材に接する
個所でマイクロストリップ線路を構成し、前記誘電体板
が前記導体部材に接していない個所でサスペンデッド線
路を構成する。
【００１１】また、この発明は上記誘電体線路装置にお
ける誘電体線路に１次放射器を結合させて送信装置を構
成する。これにより温度変化に対する送信電波の周波数
の安定性に優れた送信装置が得られる。
ける誘電体線路に１次放射器を結合させて送信装置を構
成する。これにより温度変化に対する送信電波の周波数
の安定性に優れた送信装置が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態に係る
発振器およびそれを備えた誘電体線路装置の構成を図１
〜図３を参照して説明する。
発振器およびそれを備えた誘電体線路装置の構成を図１
〜図３を参照して説明する。
【００１３】図１は発振器を備えた誘電体線路装置の一
部破断斜視図およびその部分拡大図である。図２は図１
に示した所定箇所の断面図であり、（Ａ）はガンダイオ
ード部分を通る面での水平断面図、（Ｂ）は誘電体スト
リップを電磁波伝搬方向に通る面での断面図である。
部破断斜視図およびその部分拡大図である。図２は図１
に示した所定箇所の断面図であり、（Ａ）はガンダイオ
ード部分を通る面での水平断面図、（Ｂ）は誘電体スト
リップを電磁波伝搬方向に通る面での断面図である。
【００１４】図１の（Ａ）において８，９はそれぞれ導
体板であり、この２つの導体板８，９の対向面に所定の
幅で平行な導体平面を構成し、その平行な導体平面の間
に、断面矩形の誘電体ストリップ７を配置している。こ
の例では、導体板８，９の内面にそれぞれ対向する一定
深さの溝を設けて、その溝に誘電体ストリップ７が嵌ま
り込むように誘電体ストリップ７を配置している。ここ
で、導体板８，９の対向する間隔を、伝送すべきミリ波
の半波長以下にすることによって、誘電体ストリップの
ない部分における電磁波の伝搬を遮断し、且つ、ＬＳＭ
０１モードの遮断周波数がＬＳＥ０１モードの遮断周波
数より低くなるように、導体板８，９の対向する間隔や
誘電体ストリップの寸法を設定している。これにより、
ＬＳＭ０１モードの単一モードを伝搬するハイパーＮＲ
Ｄガイドを構成している。
体板であり、この２つの導体板８，９の対向面に所定の
幅で平行な導体平面を構成し、その平行な導体平面の間
に、断面矩形の誘電体ストリップ７を配置している。こ
の例では、導体板８，９の内面にそれぞれ対向する一定
深さの溝を設けて、その溝に誘電体ストリップ７が嵌ま
り込むように誘電体ストリップ７を配置している。ここ
で、導体板８，９の対向する間隔を、伝送すべきミリ波
の半波長以下にすることによって、誘電体ストリップの
ない部分における電磁波の伝搬を遮断し、且つ、ＬＳＭ
０１モードの遮断周波数がＬＳＥ０１モードの遮断周波
数より低くなるように、導体板８，９の対向する間隔や
誘電体ストリップの寸法を設定している。これにより、
ＬＳＭ０１モードの単一モードを伝搬するハイパーＮＲ
Ｄガイドを構成している。
【００１５】図１（Ｂ）の拡大図において、１はガンダ
イオード、２はその端子である。このガンダイオード１
はいわゆるピル型のパッケージ内にガンダイオードのチ
ップをマウントしたものであり、導体板８に埋設してい
る。図においてはそのフランジ部分が現れている。ま
た、図において１０はガンダイオードに対してバイアス
電圧を供給するための基板であり、バイアス端子１１お
よびフィルタ１２を形成している。このフィルタ１２は
マイクロストリップ線路によるトランスミッション線路
キャパシタおよびインダクタのパターンによってローパ
スフィルタを構成している。また、図において３は誘電
体板であり、電極４，線路５および電極６を一方の面に
形成している。１３はリード板であり、基板１０に形成
したバイアス電圧供給のための電極（バイアス端子１１
およびフィルタ１２）とガンダイオードの端子２および
誘電体板３上の電極４とをそれぞれ半田付けなどによっ
て接続する。
イオード、２はその端子である。このガンダイオード１
はいわゆるピル型のパッケージ内にガンダイオードのチ
ップをマウントしたものであり、導体板８に埋設してい
る。図においてはそのフランジ部分が現れている。ま
た、図において１０はガンダイオードに対してバイアス
電圧を供給するための基板であり、バイアス端子１１お
よびフィルタ１２を形成している。このフィルタ１２は
マイクロストリップ線路によるトランスミッション線路
キャパシタおよびインダクタのパターンによってローパ
スフィルタを構成している。また、図において３は誘電
体板であり、電極４，線路５および電極６を一方の面に
形成している。１３はリード板であり、基板１０に形成
したバイアス電圧供給のための電極（バイアス端子１１
およびフィルタ１２）とガンダイオードの端子２および
誘電体板３上の電極４とをそれぞれ半田付けなどによっ
て接続する。
【００１６】図１のように構成したことにより、バイア
ス端子１１に所定のバイアス電圧を印加すれば、ガンダ
イオード１の端子２に対してバイアス電圧が印加され、
ガンダイオードの発振信号が、電極４と線路５との間の
静電容量を介して線路５に導出される。この線路５は、
電極６部分を開放端とする線路上の波長で１／４波長の
線路長を有するため、励振線路として作用し、ガンダイ
オードの発振周波数は線路５の電気長に影響を受けるこ
とになる。
ス端子１１に所定のバイアス電圧を印加すれば、ガンダ
イオード１の端子２に対してバイアス電圧が印加され、
ガンダイオードの発振信号が、電極４と線路５との間の
静電容量を介して線路５に導出される。この線路５は、
電極６部分を開放端とする線路上の波長で１／４波長の
線路長を有するため、励振線路として作用し、ガンダイ
オードの発振周波数は線路５の電気長に影響を受けるこ
とになる。
【００１７】尚、図２の（Ｂ）に示すように、誘電体ス
トリップ７は誘電体板を取り付けた位置を端面とする
が、上下の導体板８，９はこの位置より更に延びてい
て、誘電体板３は導体板８，９で挟まれる空間に配置し
ている。従って線路５は、その裏面が導体板に接してい
る部分がマイクロストリップ線路として作用し、その裏
面が導体板に接していない部分は、サスペンデッド線路
として作用する。すなわちガンダイオードの発振出力信
号はマイクロストリップ線路→サスペンデッド線路→Ｎ
ＲＤガイドの順に線路変換が行われる。このように、誘
電体板３とＮＲＤガイドの端面とを平行に配置したこと
により、基板１０の実装面と誘電体板３の実装面がＮＲ
Ｄガイドの端面で同一平面を成すので、組み立てが容易
となる。また、線路５を上下の導体板の中央位置に配置
することによって、導体板８，９に対して平衡にアース
電流が流せる構造となるので、不要なモードが発生し難
くなり、変換効率も向上する。
トリップ７は誘電体板を取り付けた位置を端面とする
が、上下の導体板８，９はこの位置より更に延びてい
て、誘電体板３は導体板８，９で挟まれる空間に配置し
ている。従って線路５は、その裏面が導体板に接してい
る部分がマイクロストリップ線路として作用し、その裏
面が導体板に接していない部分は、サスペンデッド線路
として作用する。すなわちガンダイオードの発振出力信
号はマイクロストリップ線路→サスペンデッド線路→Ｎ
ＲＤガイドの順に線路変換が行われる。このように、誘
電体板３とＮＲＤガイドの端面とを平行に配置したこと
により、基板１０の実装面と誘電体板３の実装面がＮＲ
Ｄガイドの端面で同一平面を成すので、組み立てが容易
となる。また、線路５を上下の導体板の中央位置に配置
することによって、導体板８，９に対して平衡にアース
電流が流せる構造となるので、不要なモードが発生し難
くなり、変換効率も向上する。
【００１８】ここで、ガンダイオード１の発振周波数温
度係数を−７５ｐｐｍ／℃としてシミュレーションする
と、誘電体板３の誘電率温度係数は−１８２ｐｐｍ／℃
とすればよいことが分かる。これにより、温度変化に対
するガンダイオード単体での発振周波数の変化は、誘電
体板３の誘電率の変化による線路５の電気長の変化によ
って相殺されることになる。
度係数を−７５ｐｐｍ／℃としてシミュレーションする
と、誘電体板３の誘電率温度係数は−１８２ｐｐｍ／℃
とすればよいことが分かる。これにより、温度変化に対
するガンダイオード単体での発振周波数の変化は、誘電
体板３の誘電率の変化による線路５の電気長の変化によ
って相殺されることになる。
【００１９】図３は、上記の誘電率温度係数が負の誘電
体基材を用いることにより温度補償を行ったものと、誘
電率温度係数が０の誘電体基材を用いた場合とについ
て、温度を変化させたときの発振周波数の変化について
示している。誘電体板３の誘電率温度係数が温度に関わ
らず一定であれば、２５℃の時６０ＧＨｚであったもの
が、８０℃においては５９．８ＧＨｚまで低下する。こ
れに対して誘電体基材の誘電率温度係数を−１８２ｐｐ
ｍ／℃にすれば、２５℃の時の誘電体基板に設けた線路
上の波長λｇが１．７１４ｍｍであるものが、８０℃に
おいて１．７２３ｍｍとなって誘電率の低下に伴って線
路上の波長が長くなることにより、電気長が等価的に短
くなって、発振周波数は６０ＧＨｚから６０．０１ＧＨ
ｚへとわずかに変動するだけとなる。
体基材を用いることにより温度補償を行ったものと、誘
電率温度係数が０の誘電体基材を用いた場合とについ
て、温度を変化させたときの発振周波数の変化について
示している。誘電体板３の誘電率温度係数が温度に関わ
らず一定であれば、２５℃の時６０ＧＨｚであったもの
が、８０℃においては５９．８ＧＨｚまで低下する。こ
れに対して誘電体基材の誘電率温度係数を−１８２ｐｐ
ｍ／℃にすれば、２５℃の時の誘電体基板に設けた線路
上の波長λｇが１．７１４ｍｍであるものが、８０℃に
おいて１．７２３ｍｍとなって誘電率の低下に伴って線
路上の波長が長くなることにより、電気長が等価的に短
くなって、発振周波数は６０ＧＨｚから６０．０１ＧＨ
ｚへとわずかに変動するだけとなる。
【００２０】次に、第２の実施形態に係る発振器の構成
を図４に示す。図４は第１の実施形態で図１の（Ｂ）に
示した部分に対応する拡大斜視図である。この第２の実
施形態では、バネ性の高い金属板の打ち抜き加工により
リード板１３を形成していて、ガンダイオード１の端子
２に対して、その一部（１３´）でガンダイオードの端
子２を覆うように取り付けている。このリード板１３と
ガンダイオードの端子２とは、リード板１３のバネ性に
より接触して電気的に導通させる。この構造により、ガ
ンダイオード１の取り外しが容易となり、ガンダイオー
ドの交換などが容易に行えるようになる。また、固定後
の半田付けなどの併用も容易となる。
を図４に示す。図４は第１の実施形態で図１の（Ｂ）に
示した部分に対応する拡大斜視図である。この第２の実
施形態では、バネ性の高い金属板の打ち抜き加工により
リード板１３を形成していて、ガンダイオード１の端子
２に対して、その一部（１３´）でガンダイオードの端
子２を覆うように取り付けている。このリード板１３と
ガンダイオードの端子２とは、リード板１３のバネ性に
より接触して電気的に導通させる。この構造により、ガ
ンダイオード１の取り外しが容易となり、ガンダイオー
ドの交換などが容易に行えるようになる。また、固定後
の半田付けなどの併用も容易となる。
【００２１】図５は第３の実施形態に係る発振器の主要
部の正面図である。誘電体板３には電極４とともに接地
電極１４を形成していて、電極４と接地電極１４との間
に、例えばバラクタダイオードやショットキーバリアダ
イオードなどの可変リアクタンス素子１５を実装してい
る。線路５の一端と電極４との間には静電容量を形成
し、線路５の他端には電極６を設けている。この電極６
は第１・第２の実施形態の場合と同様に誘電体線路の誘
電体ストリップに近接し、誘電体線路のＬＳＭ０１モー
ドで発振信号を伝搬させる。ガンダイオードの端子２は
第１・第２の実施形態の場合と同様に、リード板などに
よって電極４と電気的に接続する。
部の正面図である。誘電体板３には電極４とともに接地
電極１４を形成していて、電極４と接地電極１４との間
に、例えばバラクタダイオードやショットキーバリアダ
イオードなどの可変リアクタンス素子１５を実装してい
る。線路５の一端と電極４との間には静電容量を形成
し、線路５の他端には電極６を設けている。この電極６
は第１・第２の実施形態の場合と同様に誘電体線路の誘
電体ストリップに近接し、誘電体線路のＬＳＭ０１モー
ドで発振信号を伝搬させる。ガンダイオードの端子２は
第１・第２の実施形態の場合と同様に、リード板などに
よって電極４と電気的に接続する。
【００２２】このようにガンダイオードの発振出力信号
を導出する電極に可変リアクタンス素子を接続したこと
により、その可変リアクタンス素子に変調信号を与える
ことによって、ガンダイオードの発振周波数を変調する
ことのできる、可変周波数発振器として用いることがで
きる。その場合、温度によって可変リアクタンス素子に
与える制御電圧を制御する必要がなく、温度補償のため
の特別な回路が不要となる。
を導出する電極に可変リアクタンス素子を接続したこと
により、その可変リアクタンス素子に変調信号を与える
ことによって、ガンダイオードの発振周波数を変調する
ことのできる、可変周波数発振器として用いることがで
きる。その場合、温度によって可変リアクタンス素子に
与える制御電圧を制御する必要がなく、温度補償のため
の特別な回路が不要となる。
【００２３】次に、この発明の送信装置の実施形態であ
るミリ波レーダモジュールの構成を図６および図７を参
照して説明する。
るミリ波レーダモジュールの構成を図６および図７を参
照して説明する。
【００２４】図６は上部の導体板を取り除いた状態での
ミリ波レーダモジュール全体の平面図、図７はその等価
回路図である。このモジュールは大きく分けてオシレー
タ１００、アイソレータ１０１、カプラ１０２、サーキ
ュレータ１０４、カプラ１０５、ミキサ１０６、および
１次放射器１０７の各ユニットからなる。各ユニット間
はＮＲＤガイドを伝送路として接続している。オシレー
タ１００はガンダイオードとバラクタダイオードを備え
ていて、アイソレータ１０１の入力ポートへ発振信号を
出力する。アイソレータ１０１は、サーキュレータと、
そのサーキュレータの反射信号が取り出されるポートに
接続した終端器２１とによって構成している。カプラ１
０２は２つの誘電体ストリップを近接させてＬｏ（ロー
カル）信号を取り出す。サーキュレータ１０４は送信信
号を１次放射器１０７側へ出力し、１次放射器１０７か
らの受信信号をカプラ１０５側へ出力する。カプラ１０
５は受信信号とＬｏ信号とをカップリングして、ミキサ
１０６に対して必要な２つの信号を与える。ミキサ１０
６はこの２つの信号を平衡型ミキシングしてＩＦ（中間
周波）信号を得る。上記ミリ波レーダモジュールのコン
トローラは、たとえばＦＭ−ＣＷ方式でオシレータ１０
０の発振周波数を制御するとともにＩＦ信号を信号処理
して、探知物体までの距離と探知物体の相対速度を求め
る。
ミリ波レーダモジュール全体の平面図、図７はその等価
回路図である。このモジュールは大きく分けてオシレー
タ１００、アイソレータ１０１、カプラ１０２、サーキ
ュレータ１０４、カプラ１０５、ミキサ１０６、および
１次放射器１０７の各ユニットからなる。各ユニット間
はＮＲＤガイドを伝送路として接続している。オシレー
タ１００はガンダイオードとバラクタダイオードを備え
ていて、アイソレータ１０１の入力ポートへ発振信号を
出力する。アイソレータ１０１は、サーキュレータと、
そのサーキュレータの反射信号が取り出されるポートに
接続した終端器２１とによって構成している。カプラ１
０２は２つの誘電体ストリップを近接させてＬｏ（ロー
カル）信号を取り出す。サーキュレータ１０４は送信信
号を１次放射器１０７側へ出力し、１次放射器１０７か
らの受信信号をカプラ１０５側へ出力する。カプラ１０
５は受信信号とＬｏ信号とをカップリングして、ミキサ
１０６に対して必要な２つの信号を与える。ミキサ１０
６はこの２つの信号を平衡型ミキシングしてＩＦ（中間
周波）信号を得る。上記ミリ波レーダモジュールのコン
トローラは、たとえばＦＭ−ＣＷ方式でオシレータ１０
０の発振周波数を制御するとともにＩＦ信号を信号処理
して、探知物体までの距離と探知物体の相対速度を求め
る。
【００２５】なお、以上に示した実施形態では、導体板
の対向する間隔を、伝送すべきミリ波の半波長以下にす
ることによって、誘電体ストリップのない部分における
電磁波の伝搬を遮断し、且つ、ＬＳＭ０１モードの遮断
周波数がＬＳＥ０１モードの遮断周波数より低くなるよ
うに、導体板の対向する間隔や誘電体ストリップの寸法
を設定したが、本願発明に係る誘電体線路装置の線路部
分はハイパーＮＲＤガイドに限らず、また非放射性の誘
電体線路にも限らない。
の対向する間隔を、伝送すべきミリ波の半波長以下にす
ることによって、誘電体ストリップのない部分における
電磁波の伝搬を遮断し、且つ、ＬＳＭ０１モードの遮断
周波数がＬＳＥ０１モードの遮断周波数より低くなるよ
うに、導体板の対向する間隔や誘電体ストリップの寸法
を設定したが、本願発明に係る誘電体線路装置の線路部
分はハイパーＮＲＤガイドに限らず、また非放射性の誘
電体線路にも限らない。
【００２６】
【００２７】
【発明の効果】この発明によれば、温度変化に対しても
周波数の安定した信号を伝搬させる誘電体線路を備えた
装置が容易に得られる。
周波数の安定した信号を伝搬させる誘電体線路を備えた
装置が容易に得られる。
【００２８】この発明によれば、温度変化に対する送信
電波の周波数の安定性に優れた送信装置が得られる。
電波の周波数の安定性に優れた送信装置が得られる。
【図１】第１の実施形態に係る発振器および誘電体線路
装置の構成を示す斜視図
装置の構成を示す斜視図
【図２】同発振器および同誘電体線路装置の断面図
【図３】本願発明による発振器の温度変化に対する発振
周波数の変化の例を従来に比較して示した図
周波数の変化の例を従来に比較して示した図
【図４】第２の実施形態に係る発振器の主要部の斜視図
【図５】第３の実施形態に係る発振器の主要部の正面図
【図６】ミリ波レーダモジュールの構成を示す平面図
【図７】ミリ波レーダモジュールの等価回路図
【図８】ガンダイオードを用いた発振器の等価回路図
【図９】ガンダイオードを用いた発振器の温度特性を示
す図
す図
１−ガンダイオード
２−ガンダイオードの端子
３−誘電体板
４−電極
５−線路
６−電極
７−誘電体ストリップ
８，９−導体板
１０−基板
１１−バイアス端子
１２−フィルタ
１３−リード板
１４−接地電極
１５−可変リアクタンス素子
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−350341（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−95705（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−268445（ＪＰ，Ａ)
特開 昭51−21462（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03B 1/00 - 29/00
G01S 7/03
H01P 3/16
Claims (2)
- 【請求項１】 二つの導体部材によって構成される平行
導体平面の間に誘電体ストリップを配して成る誘電体線
路とガンダイオード発振器とを有する誘電体線路装置で
あって、前記二つの導体部材の一方にガンダイオードを
保持させ、前記誘電体ストリップに結合し、且つ前記ガ
ンダイオードの発振出力信号を導出する線路を誘電体基
材に形成して成る誘電体板を、前記導体部材から前記誘
電体ストリップ部分にかけて前記誘電体線路の端面に平
行に設けるとともに、前記誘電体基材の温度変化に対す
る誘電率の変化係数を、前記ガンダイオードの温度変化
に対する発振周波数の変化を抑制する極性にし、 前記線路のうち、前記誘電体板が前記導体部材に接する
個所でマイクロストリップ線路を構成し、前記誘電体板
が前記導体部材に接していない個所でサスペンデッド線
路を構成したことを特徴とする誘電体線路装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の誘電体線路装置におけ
る誘電体線路に１次放射器を結合させて、当該１次放射
器から前記発振出力信号を放射させるようにした送信装
置。
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|---|---|---|---|
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| US09/430,650 US6369662B1 (en) | 1998-10-29 | 1999-10-29 | Oscillator, dielectric waveguide device, and transmitter |
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|---|---|---|---|
| JP30838098A JP3405229B2 (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 誘電体線路装置および送信装置 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP30838098A Expired - Fee Related JP3405229B2 (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 誘電体線路装置および送信装置 |
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| JP2002232212A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 非放射性誘電体線路用のパルス変調器およびそれを用いたミリ波送受信器 |
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| JPH02268445A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Nec Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
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- 1998-10-29 JP JP30838098A patent/JP3405229B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-29 DE DE19952304A patent/DE19952304C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-29 US US09/430,650 patent/US6369662B1/en not_active Expired - Fee Related
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| DE19952304A1 (de) | 2000-05-11 |
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