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JP3495774B2 - 1−ヒドロキシインドール類の製法 - Google Patents

1−ヒドロキシインドール類の製法

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JP3495774B2
JP3495774B2 JP35428093A JP35428093A JP3495774B2 JP 3495774 B2 JP3495774 B2 JP 3495774B2 JP 35428093 A JP35428093 A JP 35428093A JP 35428093 A JP35428093 A JP 35428093A JP 3495774 B2 JP3495774 B2 JP 3495774B2
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substituted
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hydroxyindoles
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靖雄 菊川
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靖雄 菊川
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Indole Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、1−ヒドロキシインド
ール類の製法およびその中間体に関する。
【0002】
【従来の技術】インドール化合物は広く天然に、また医
薬品として存在し、その化学はよく研究されている。そ
の中で、1−アルコキシ−または1−ヒドロキシインド
ール類の化学はまだ未開発の分野であり、それらの合成
や反応性についての報告は少ない。1−メトキシインド
ール類は、植物界にかなり存在し生理活性のあるものも
あり興味がもたれているが、対応するインドール類より
不安定なため合成が困難である。1−ヒドロキシインド
ール類は更に不安定な物質であり、最も単純な1−ヒド
ロキシインドールは純品としては単離できておらず、他
の1−ヒドロキシ体も電子吸引性基の置換されているも
のや2位に置換基のある比較的安定なものに限り合成で
きると報告されている[R.M.Acheson,Advances in Hete
rocyclic Chemistry,Vol.51,Ed.by A.R.Katritzky,Acad
emic Press,Inc.,New York,1990,pp105-175;T.F.Spand
e,The Chemistry of Heterocyclic Compounds,Vol.25,P
artIII,Ed.by W.J.Houlihan,Interscience Publicatio
n,New York,1979,pp153-164]。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来合成が
困難とされていた1−ヒドロキシインドール類の製法お
よびその中間体を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的に
鑑み鋭意検討した結果、2−(トリアルキルシリル)エ
チル基を1−ヒドロキシインドール類の水酸基の保護に
用いることにより上記目的が達成できることを見いだ
し、本発明を完成した。
【0005】本発明は、式1
【0006】
【0007】(式中、A環は任意の官能基で置換されて
いてもよいベンゼン環であり、Bはインドール核の3位
への求電子反応によって導入される置換基である。)で
表される1−ヒドロキシインドール類を製造するにあた
り、 (1)式2
【0008】
【0009】(式中、A環は前記と同意義である。)で
表される1−ヒドロキシ−2−オキシインドール類を式
HOCHCH−R(式中、Rは2−トリアルキルシ
リル基である。)で表される化合物と反応させ、式3
【0010】
【0011】(式中、A環およびRは前記と同意義であ
る。)で表される1−O−置換−2−オキシインドール
類を得る工程、(2)1−O−置換−2−オキシインドー
ル類を還元し、式4
【0012】
【0013】(式中、A環およびRは前記と同意義であ
る。)で表される1−O−置換インドール類を得る工
程、(3)1−O−置換インドール類の3位に求電子反応
によって導入される置換基Bを導入し、式5
【0014】
【0015】(式中、A環、BおよびRは前記と同意義
である。)で表される1−O,3−置換インドール類を
得る工程、および(4)1−O,3−置換インドール類を
2−トリメチルシリルエチル基を除去する公知の方法を
用いることにより除去する工程からなる1−ヒドロキシ
インドール類の製法である。
【0016】また、他の本発明は、式2
【0017】
【0018】(式中、A環は任意の官能基で置換されて
いてもよいベンゼン環である。)で表される1−ヒドロ
キシ−2−オキシインドール類を式HOCHCH
R(式中、Rは2−トリアルキルシリル基である。)で
表される化合物と反応させることを特徴とする、式3
【0019】
【0020】(式中、A環およびRは前記と同意義であ
る。)で表される1−O−置換−2−オキシインドール
類の製法である。
【0021】また、他の本発明は、式
【0022】
【0023】(式中、Rは2−トリアルキルシリル基で
ある。)で表される1−O−置換−2−オキシインドー
ル類である。
【0024】また、他の本発明は、式
【0025】
【0026】(式中、Rは2−トリアルキルシリル基で
ある。)で表される1−O−置換インドール類である。
【0027】以下、本発明を詳細に説明する。
【0028】本発明において出発原料として使用される
式2の1−ヒドロキシ−2−オキシインドール類のA環
は本発明の製法に何ら係わるものではないので、そのA
環に本発明の製法に何ら影響を与えないいずれの官能基
が置換されていてもよい。置換された当該官能基は1〜
5個の同一または異なった官能基であり、たとえばそれ
らはアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、アリール基、アラルキル
基などである。式HOCH2CH2−Rで表される化合物
におけるトリアルキルシリル基中のアルキル基とは炭素
原子数1〜5のアルキル基であり、好ましくはメチル
基、エチル基、プロピル基などである。中でも、メチル
基は取扱い上最も好ましい。
【0029】本発明の製造方法の(1)の工程は、氷冷下
〜溶媒の還流温度で攪拌することにより容易に進行す
る。本反応において使用される溶媒は塩化メチレン、ク
ロロホルムなどの塩素系溶媒、エーテル、テトラヒドロ
フラン、ジエトキシエタンなどのエーテル系溶媒などが
用いられるが、好ましくはクロロホルムが用いられる。
反応時間は30分間〜数10時間であるが、有機溶媒と
してクロロホルムを用いた場合は1時間で充分であり極
めて好適である。本反応で得られる1−O−置換−2−
オキシインドール類は新規な化合物であり、インドール
の1位水酸基を式−CH2CH2−Rで保護した事例は報
告がない。
【0030】1−O−置換−2−オキシインドール類を
還元する(2)の工程は、ジイソブチルアルミニウムヒド
リド(DIBAL)を用いることによって収率よく進行
する。その他、リチウムアルミニウムヒドリド(LiA
lH4)などを用いる反応によって目的物を得ることが
できる。
【0031】工程(3)はインドール類の3位に求電子反
応によって導入される置換基を導入することによって、
最終物である1−ヒドロキシインドール類の1位水酸基
をより安定化させることを目的としたものである。従っ
て、本発明は求電子反応によって3位に導入される置換
基の種類によって何等影響されるものでなく、またその
導入手段も一般にインドール類の3位に求電子反応によ
って導入される置換基を導入する公知の手段を用いるこ
とができる。当該置換の一例を例示すれば、ホルミル
基、アシル基、スルホニル基、シアノ基、アミド基、ジ
アルキルアミノメチル基などを挙げることができる。
【0032】1−O,3−置換インドール類の1位水酸
基の保護基−CH2CH2−Rは、2−トリメチルシリル
エチル基を除去する公知の方法を用いることにより除去
することができる。本反応で用いられる試薬としてはボ
ロントリフルオライド・エーテラート(BF3・Et
2O)、テトラ−n−ブチルアンモニウムフルオライド
[(n−Bu)4+-]などを用いることができる。
【0033】
【発明の効果】1−ヒドロキシインドール類の1位水酸
基の保護基としてはメチル基などの単なるアルキル基で
は脱保護できないので、これまでにアセチル基などによ
る保護が試みられていた。しかし、本発明者は、さらに
緩和かつ選択的に脱保護できる2−トリアルキルシリル
エチル基を水酸基の保護基として見いだした。そして、
これを用いることにより、従来合成が困難とされていた
1−ヒドロキシインドール類を合成することに成功し
た。
【0034】2−トリアルキルシリルエチル基は1−ヒ
ドロキシインドール類の1位水酸基の保護基としてはこ
れまでに用いられたことはなく、保護ののちいくつかの
反応を行い、最後にこの保護基を除くことにより種々の
1−ヒドロキシインドール類を製造することが可能であ
るので、大変有用である。
【0035】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 実施例11−[2−(トリメチルシリル)エトキシ]−2−オキ
シインドールの製造 1−ヒドロキシ−2−オキシインドール(497mg,
33.3mmol)、2−(トリメチルシリル)エタノ
ール(0.50ml,1.2mol eq.)およびト
リフェニルホスフィン(1.06g,1.2mol e
q.)の無水クロロホルム溶液(20ml)に氷冷下ジ
エチルジアゾカルボネート(0.62ml,1.2mo
l eq.)を加え、1時間攪拌した。溶媒を減圧下を
留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開溶媒;ベンゼン:酢酸エチル=5:1)で精製
し、表記化合物(793mg,95%)を得た。
【0036】1H−NMR(CDCl3) δ(pp
m);0.07(9H,s),0.93〜1.50(2
H,m),3.47(2H,s),4.00〜4.50
(2H,m),6.67〜7.47(4H,m) IR(neat) (cm-1);1740,1620
【0037】実施例21−[2−(トリメチルシリル)エトキシ]インドール
の製造 アルゴン気流下、実施例1で得た1−[2−(トリメチ
ルシリル)エトキシ]−2−オキシインドール(1.8
1g,7.25mmol)の無水テトラヒドロフラン
(8ml)溶液に、ドライアイス/アセトン冷却下(−
78℃)シリンジで1.5M濃度のDIBAL(7.2
4ml,1.5eq.)溶液をゆっくり加え、1時間攪
拌した。反応終了後、10%塩酸水溶液(30ml)を
加えてアルミニウムコンプレックスを分解し、エーテル
(2回,70ml)抽出し、飽和食塩水(30ml)で
洗浄後芒硝乾燥した。溶媒を減圧下を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒;ベンゼ
ン)で精製し、表記化合物(1.49g,6.39mm
ol,88.22%)を得た。
【0038】1H−NMR(CDCl3) δ(pp
m);0.07(9H,s),0.87〜1.43(2
H,m),3.97〜4.53(2H,m),6.27
(1H,d,J=4.0Hz),6.80〜7.73
(5H,m) EI−MS (m/z);233(M+,0.61),
205(M+−28,18.01),73(100) High resolution MS (m/z); 計算値(C1319NOSiとして):233.123
6,実測値:233.1220
【0039】実施例31−[2−(トリメチルシリル)エトキシ]インドール
−3−カルバルデヒドの製造 氷冷下、乾燥N,N−ジメチルホルムアミド溶液(5m
l)に塩化リン(POCl3)(0.8ml,3e
q.)を加え、15分間攪拌した。次いで、1−[2−
(トリメチルシリル)エトキシ]インドール(671m
g,2.87mmol)の乾燥N,N−ジメチルホルム
アミド溶液(1ml)を20分間かけて滴下し、氷冷下
20分間、室温で3時間攪拌した。反応終了後、氷およ
び10%水酸化ナトリウム水溶液(30ml)を加え、
エーテル抽出(2回,70ml)し、飽和食塩水(40
ml)で洗浄後、芒硝乾燥した。溶媒を減圧下を留去
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
溶媒;ベンゼン:酢酸エチル=1:1)で精製し、表記
化合物(653mg,2.50mmol,86.90
%)を得た。 m.p. 62〜63℃
【0040】実施例41−ヒドロキシインドール−3−カルバルデヒドの製造 1−[2−(トリメチルシリル)エトキシ]インドール
−3−カルバルデヒドの乾燥アセトニトリル(3ml)
に室温下ボロントリフルオライド・エーテラート(0.
065mmol)を加え、1時間攪拌した。溶媒を減圧
留去し残渣に水(20ml)を加え、エーテル(50m
l)で抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、芒硝乾
燥した。溶媒を減圧下を留去し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒;ベンゼン:酢酸エチ
ル=2:1)で精製し、表記化合物(72mg,84
%)を得た。 m.p. 145〜152℃

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式 (式中、A環は任意の官能基で置換されていてもよいベ
    ンゼン環であり、Bはインドール核の3位への求電子反
    応によって導入される置換基である。)で表される1−
    ヒドロキシインドール類を製造するにあたり、 (1)式 (式中、A環は前記と同意義である。)で表される1−
    ヒドロキシ−2−オキシインドール類を式HOCH
    −R(式中、Rは2−トリアルキルシリル基であ
    る。)で表される化合物と反応させ、式 (式中、A環およびRは前記と同意義である。)で表さ
    れる1−O−置換−2−オキシインドール類を得る工
    程、 (2)1−O−置換−2−オキシインドール類を還元
    し、式 (式中、A環およびRは前記と同意義である。)で表さ
    れる1−O−置換インドール類を得る工程、 (3)1−O−置換インドール類の3位に求電子反応に
    よって導入される置換基Bを導入し、式 (式中、A環、BおよびRは前記と同意義である。)で
    表される1−O,3−置換インドール類を得る工程、お
    よび (4)1−O,3−置換インドール類を2−トリアルキ
    ルシリル基を除去する公知の方法を用いることにより除
    去する工程からなる1−ヒドロキシインドール類の製
    法。
  2. 【請求項2】 式 (式中、A環は任意の官能基で置換されていてもよいベ
    ンゼン環である。)で表される1−ヒドロキシ−2−オ
    キシインドール類を式HOCHCH−R(式中、R
    は2−トリアルキルシリル基である。)で表される化合
    物と反応させることを特徴とする、式 (式中、A環およびRは前記と同意義である。)で表さ
    れる1−O−置換−2−オキシインドール類の製法。
  3. 【請求項3】 式 (式中、Rは2−トリアルキルシリル基である。)で表
    される1−O−置換−2−オキシインドール類。
  4. 【請求項4】 式 (式中、Rは2−トリアルキルシリル基である。)で表
    される1−O−置換インドール類。
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