JP3486557B2 - トランスファ成形装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
トランスファ成形装置及び半導体装置の製造方法Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランスファ成形
装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体装置の製造において、リ
ードフレームに搭載された半導体素子をモールド封止す
るために、トランスファモールド方式のトランスファ成
形装置が用いられている。このトランスファ成形装置
は、図７に示すように、固形状の熱硬化性樹脂（タブレ
ット）２８が投入されるトランスファポット１０と、ト
ランスファポット内で流動状態となった熱硬化性樹脂２
８（図８参照。以後、樹脂２８と称す。）を押し出すプ
ランジャ１２と、プランジャ１２の位置を検出する位置
検出センサ１４と、上プラテン２６ａに固定された上金
型１６ａと、下プラテン２６ｂに固定された下金型１６
ｂと、上下金型１６ａ、１６ｂを予め定めた温度に加温
するヒータ１８と、上下金型１６ａ、１６ｂが配置され
たチャンバ３０内を吸引することによりキャビティ２０
内を減圧状態とする吸引ポンプ２４とを備えている。
ードフレームに搭載された半導体素子をモールド封止す
るために、トランスファモールド方式のトランスファ成
形装置が用いられている。このトランスファ成形装置
は、図７に示すように、固形状の熱硬化性樹脂（タブレ
ット）２８が投入されるトランスファポット１０と、ト
ランスファポット内で流動状態となった熱硬化性樹脂２
８（図８参照。以後、樹脂２８と称す。）を押し出すプ
ランジャ１２と、プランジャ１２の位置を検出する位置
検出センサ１４と、上プラテン２６ａに固定された上金
型１６ａと、下プラテン２６ｂに固定された下金型１６
ｂと、上下金型１６ａ、１６ｂを予め定めた温度に加温
するヒータ１８と、上下金型１６ａ、１６ｂが配置され
たチャンバ３０内を吸引することによりキャビティ２０
内を減圧状態とする吸引ポンプ２４とを備えている。
【０００３】上金型１６ａと下金型１６ｂとが型締めさ
れると、パッケージの型となる２つのキャビティ２０
と、それぞれのキャビティ２０への導入経路となるラン
ナー２２とが形成される。
れると、パッケージの型となる２つのキャビティ２０
と、それぞれのキャビティ２０への導入経路となるラン
ナー２２とが形成される。
【０００４】キャビティ２０のゲート２３と対向する位
置には図示しないエア抜き孔が形成されており、吸引ポ
ンプ２４によりチャンバ３０が吸引されて減圧状態とな
るとエア抜き孔から型２０、２２、２３内が吸引されて
キャビティ２０内が減圧状態となる。また、ランナー２
２は、キャビティ２０に開口するゲート２３を備え、こ
のゲート２３を介して樹脂２８が導入される。
置には図示しないエア抜き孔が形成されており、吸引ポ
ンプ２４によりチャンバ３０が吸引されて減圧状態とな
るとエア抜き孔から型２０、２２、２３内が吸引されて
キャビティ２０内が減圧状態となる。また、ランナー２
２は、キャビティ２０に開口するゲート２３を備え、こ
のゲート２３を介して樹脂２８が導入される。
【０００５】このような構成のトランスファ成形装置を
用いた半導体装置の製造方法について図８を参照して説
明する。なお、図８では説明のため主要部分のみを示し
ている。まず、半導体素子搭載済みのリードフレーム
（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トランス
ファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２６
ａを下降させて、図８（ａ）に示すように、上金型１６
ａと下金型１６ｂとを型締めしてキャビティ２０を形成
する。このとき、半導体素子は、キャビティ２０のほぼ
中央位置に配置された状態となっている。また、吸引ポ
ンプ２４によりチャンバ３０内が３０〜９９Ｐａ程度に
減圧されている。
用いた半導体装置の製造方法について図８を参照して説
明する。なお、図８では説明のため主要部分のみを示し
ている。まず、半導体素子搭載済みのリードフレーム
（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トランス
ファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２６
ａを下降させて、図８（ａ）に示すように、上金型１６
ａと下金型１６ｂとを型締めしてキャビティ２０を形成
する。このとき、半導体素子は、キャビティ２０のほぼ
中央位置に配置された状態となっている。また、吸引ポ
ンプ２４によりチャンバ３０内が３０〜９９Ｐａ程度に
減圧されている。
【０００６】次に、トランスファポット１０に導入した
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
図８（ｂ）に示すように、溶融した樹脂２８がランナー
２２に導入される。
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
図８（ｂ）に示すように、溶融した樹脂２８がランナー
２２に導入される。
【０００７】プランジャ１２の更なる押圧により、図８
（ｃ）に示すように、ランナー２２内の樹脂２８がゲー
ト２３を通ってキャビティ２０に導かれる。図８（ｄ）
に示すように、キャビティ２０内に樹脂２８が充填され
るとプランジャ１２による押圧を停止して、型２０、２
２、２３内の樹脂２８を硬化させる。樹脂２８が十分に
硬化してから上プラテン２６ａ（図７参照）を上昇させ
て、半導体素子の周りで硬化した樹脂２８によりパッケ
ージが形成されたリードフレーム付きの半導体装置を取
り出す。この後、余分な部分の樹脂を取除いて形を整え
てから、リードフレームのフレーム部分を切断してアウ
ターリードを形成し半導体装置とする。
（ｃ）に示すように、ランナー２２内の樹脂２８がゲー
ト２３を通ってキャビティ２０に導かれる。図８（ｄ）
に示すように、キャビティ２０内に樹脂２８が充填され
るとプランジャ１２による押圧を停止して、型２０、２
２、２３内の樹脂２８を硬化させる。樹脂２８が十分に
硬化してから上プラテン２６ａ（図７参照）を上昇させ
て、半導体素子の周りで硬化した樹脂２８によりパッケ
ージが形成されたリードフレーム付きの半導体装置を取
り出す。この後、余分な部分の樹脂を取除いて形を整え
てから、リードフレームのフレーム部分を切断してアウ
ターリードを形成し半導体装置とする。
【０００８】このような構成のトランスファ成形装置で
は、キャビティ内に配置した半導体素子の上キャビティ
と下キャビティとにおける樹脂の充填速度の違いに起因
して上キャビティまたは下キャビティに未充填領域（未
充填ボイド）が形成される恐れがある。未充填ボイド
は、パッケージに反りや変形を生じさせたり、強度や耐
湿性を低下させるため好ましくない。
は、キャビティ内に配置した半導体素子の上キャビティ
と下キャビティとにおける樹脂の充填速度の違いに起因
して上キャビティまたは下キャビティに未充填領域（未
充填ボイド）が形成される恐れがある。未充填ボイド
は、パッケージに反りや変形を生じさせたり、強度や耐
湿性を低下させるため好ましくない。
【０００９】これを防ぐため、従来では、キャビティ内
に吸引口を設けて吸引ポンプによりキャビティ内を減圧
することにより上キャビティ又は下キャビティの未充填
領域の残存空気を減少させ未充填ボイドの形成を防止し
たり、図７に示した装置のように、金型全体を減圧雰囲
気下において充填を行うことによりキャビティ内も減圧
状態とすることにより上キャビティ又は下キャビティの
未充填領域の残存空気を減少させ未充填ボイドの形成を
防止する方法等が採用されている。
に吸引口を設けて吸引ポンプによりキャビティ内を減圧
することにより上キャビティ又は下キャビティの未充填
領域の残存空気を減少させ未充填ボイドの形成を防止し
たり、図７に示した装置のように、金型全体を減圧雰囲
気下において充填を行うことによりキャビティ内も減圧
状態とすることにより上キャビティ又は下キャビティの
未充填領域の残存空気を減少させ未充填ボイドの形成を
防止する方法等が採用されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のトランスファ成形装置において、樹脂がランナーか
らキャビティに入るときにランナーよりも径の小さいゲ
ートを通るため、このゲート位置において樹脂に圧力が
かかり、圧縮された状態でキャビティ内に導入される。
そのため、樹脂がキャビティ内に所定量導入されたとき
にキャビティ内が減圧状態であると、キャビティ内の圧
力と樹脂内の圧力との圧力差が相対的に大きくなる。前
記圧力差が大きいと樹脂内の気泡が著しく膨張して大き
くなってしまい、これがボイドとなってパッケージ内に
残るという難点がある。
成のトランスファ成形装置において、樹脂がランナーか
らキャビティに入るときにランナーよりも径の小さいゲ
ートを通るため、このゲート位置において樹脂に圧力が
かかり、圧縮された状態でキャビティ内に導入される。
そのため、樹脂がキャビティ内に所定量導入されたとき
にキャビティ内が減圧状態であると、キャビティ内の圧
力と樹脂内の圧力との圧力差が相対的に大きくなる。前
記圧力差が大きいと樹脂内の気泡が著しく膨張して大き
くなってしまい、これがボイドとなってパッケージ内に
残るという難点がある。
【００１１】また、熱硬化性樹脂は、時間の経過に比例
して硬化が進むのではなく、一旦粘度が低下してから硬
化するという特性を持つため、樹脂の種類によってはキ
ャビティ内に充填中に粘度が一時低下してしまう場合が
ある。この場合も樹脂内の気泡が著しく膨張してパッケ
ージ内にボイドとして残ってしまうという別の難点もあ
る。
して硬化が進むのではなく、一旦粘度が低下してから硬
化するという特性を持つため、樹脂の種類によってはキ
ャビティ内に充填中に粘度が一時低下してしまう場合が
ある。この場合も樹脂内の気泡が著しく膨張してパッケ
ージ内にボイドとして残ってしまうという別の難点もあ
る。
【００１２】以上のことから本発明は、キャビティ内に
充填される樹脂内にボイドが残留しないトランスファ成
形装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
充填される樹脂内にボイドが残留しないトランスファ成
形装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、請求項１の発明のトランスファ成形装置は、
パッケージの型となるキャビティと、ゲートから前記キ
ャビティに樹脂を導く導入経路と、該導入経路と連結し
固形状の樹脂が投入されるトランスファポットとを含む
型を形成する上下金型と、該トランスファポットの容積
を縮小させる方向に移動して前記トランスファポット内
で溶融された樹脂を前記導入経路を介して前記キャビテ
ィ内に導入するプランジャと、前記キャビティ内に導入
された樹脂の量を検出し、キャビティ内の樹脂の量が所
定量となったとき、前記キャビティ内を減圧状態とする
圧力調整手段と、を備えている。
るために、請求項１の発明のトランスファ成形装置は、
パッケージの型となるキャビティと、ゲートから前記キ
ャビティに樹脂を導く導入経路と、該導入経路と連結し
固形状の樹脂が投入されるトランスファポットとを含む
型を形成する上下金型と、該トランスファポットの容積
を縮小させる方向に移動して前記トランスファポット内
で溶融された樹脂を前記導入経路を介して前記キャビテ
ィ内に導入するプランジャと、前記キャビティ内に導入
された樹脂の量を検出し、キャビティ内の樹脂の量が所
定量となったとき、前記キャビティ内を減圧状態とする
圧力調整手段と、を備えている。
【００１４】 すなわち、圧力調整手段は、キャビティ
内に導入された樹脂の量を検出し、キャビティ内の樹脂
の量が所定量となったとき、キャビティ内を減圧状態と
するため、樹脂がキャビティ内に所定量導入された当初
はキャビティ内は常圧状態であり、キャビティ内の圧力
と樹脂内の圧力との圧力差が相対的に小さくなる。従っ
て、樹脂内の気泡が著しく膨張して大きくなるのを防ぐ
ことができる。
内に導入された樹脂の量を検出し、キャビティ内の樹脂
の量が所定量となったとき、キャビティ内を減圧状態と
するため、樹脂がキャビティ内に所定量導入された当初
はキャビティ内は常圧状態であり、キャビティ内の圧力
と樹脂内の圧力との圧力差が相対的に小さくなる。従っ
て、樹脂内の気泡が著しく膨張して大きくなるのを防ぐ
ことができる。
【００１５】また、圧力調整手段は、樹脂がキャビティ
内に所定量導入されるとキャビティ内を減圧状態とする
ため、上キャビティ又は下キャビティの未充填領域の残
存空気を減少させ、上キャビティと下キャビティとの間
の充填速度の違いに起因する未充填ボイドの発生も防げ
る。
内に所定量導入されるとキャビティ内を減圧状態とする
ため、上キャビティ又は下キャビティの未充填領域の残
存空気を減少させ、上キャビティと下キャビティとの間
の充填速度の違いに起因する未充填ボイドの発生も防げ
る。
【００１６】 また、請求項２の発明は、請求項１に記
載のトランスファ成形装置において、前記上下金型は、
直列に連結された複数個のキャビティを構成し、各キャ
ビティ内に導入された樹脂の量を検出し、各キャビティ
内の樹脂が所定量となったとき、各キャビティ内を減圧
状態とするものとしている。
載のトランスファ成形装置において、前記上下金型は、
直列に連結された複数個のキャビティを構成し、各キャ
ビティ内に導入された樹脂の量を検出し、各キャビティ
内の樹脂が所定量となったとき、各キャビティ内を減圧
状態とするものとしている。
【００１７】これにより、１つのトランスファポットに
対し複数のキャビティを備えた構成であっても個々のキ
ャビティ内に樹脂が所定量導入されたときにはキャビテ
ィ内は常圧状態となるので、個々のキャビティのそれぞ
れに樹脂が所定量導入されたときに樹脂内に閉じ込めら
れている空気が大きく膨張するのを防止でき、良好なパ
ッケージを備えた半導体装置を効率的に得ることができ
る。
対し複数のキャビティを備えた構成であっても個々のキ
ャビティ内に樹脂が所定量導入されたときにはキャビテ
ィ内は常圧状態となるので、個々のキャビティのそれぞ
れに樹脂が所定量導入されたときに樹脂内に閉じ込めら
れている空気が大きく膨張するのを防止でき、良好なパ
ッケージを備えた半導体装置を効率的に得ることができ
る。
【００１８】さらに、請求項３の発明は、請求項１又は
２に記載のトランスファ成形装置において、前記圧力調
整手段は、前記プランジャの位置を検出する位置検出手
段を備え、前記プランジャが樹脂がキャビティ内に所定
量導入された位置となったときに、キャビティ内を減圧
状態とするものとしている。このような構成とすること
により樹脂の導入量を精度よく検出できるので、圧力調
整手段の減圧のタイミング良好に制御できる。
２に記載のトランスファ成形装置において、前記圧力調
整手段は、前記プランジャの位置を検出する位置検出手
段を備え、前記プランジャが樹脂がキャビティ内に所定
量導入された位置となったときに、キャビティ内を減圧
状態とするものとしている。このような構成とすること
により樹脂の導入量を精度よく検出できるので、圧力調
整手段の減圧のタイミング良好に制御できる。
【００１９】また、請求項４の発明は、請求項１又は２
に記載のトランスファ成形装置において、前記圧力調整
手段は、前記時間を計測する時間計測手段を備え、前記
プランジャが移動を開始してから樹脂がキャビティ内に
所定量導入された位置に到達する時間となったときに、
キャビティ内を減圧状態とするものとしている。
に記載のトランスファ成形装置において、前記圧力調整
手段は、前記時間を計測する時間計測手段を備え、前記
プランジャが移動を開始してから樹脂がキャビティ内に
所定量導入された位置に到達する時間となったときに、
キャビティ内を減圧状態とするものとしている。
【００２０】 すなわち、プランジャが移動し始めてか
ら樹脂がキャビティ内に所定量導入されるまでの時間を
予め測定しておき、圧力調整手段が、前記予め検出した
時間に基づいてキャビティ内を減圧状態とするため、樹
脂の導入量を精度よく検出でき、圧力調整手段の減圧の
タイミング良好に制御できる。更に、請求項５の発明
は、請求項１〜４の何れかに記載のトランスファ成形装
置において、前記圧力調整手段は、前記キャビティ内に
導入された樹脂の量を検出し、キャビティ内に樹脂が導
入され終わったとき、前記キャビティ内を常圧状態とす
るものとしている。また、請求項６の発明は、パッケー
ジの型となるキャビティと、ゲートから前記キャビティ
に樹脂を導く導入経路と、該導入経路と連結し固形状の
樹脂が投入されるトランスファポットとを含む型を形成
する上下金型と、該トランスファポットの容積を縮小さ
せる方向に移動して前記トランスファポット内で溶融さ
れた樹脂を前記導入経路を介して前記キャビティ内に導
入するプランジャと、前記プランジャの位置を検出する
位置検出手段を備え、前記プランジャが樹脂がキャビテ
ィ内に所定量導入された位置となったときに、キャビテ
ィ内を減圧状態とする圧力調整手段と、を備えている。
すなわち、圧力調整手段は、前記プランジャの位置を検
出する位置検出手段を備え、前記プランジャが樹脂がキ
ャビティ内に所定量導入された位置となったときに、キ
ャビティ内を減圧状態とするものとしている。このよう
な構成とすることにより樹脂の導入量を精度よく検出で
きるので、圧力調整手段の減圧のタイミング良好に制御
できる。また、キャビティ内に導入された樹脂の量を検
出し、キャビティ内の樹脂の量が所定量となったとき、
キャビティ内を減圧状態とするため、樹脂がキャビティ
内に所定量導入された当初はキャビティ内は常圧状態で
あり、キャビティ内の圧力と樹脂内の圧力との圧力差が
相対的に小さくなる。従って、樹脂内の気泡が著しく膨
張して大きくなるのを防ぐことができる。さらに、圧力
調整手段は、樹脂がキャビティ内に所定量導入されると
キャビティ内を減圧状態とするため、上キャビティ又は
下キャビティの未充填領域の残存空気を減少させ、上キ
ャビティと下キャビティとの間の充填速度の違いに起因
する未充填ボイドの発生も防げる。請求項７の発明は、
請求項６に記載のトランスファ成形装置において、前記
上下金型は、直列に連結された複数個のキャビティを構
成し、前記圧力調整手段は、前記複数のキャビティのそ
れぞれに樹脂が所定量導入される度にキャビティ内を減
圧状態とするものとしている。これにより、１つのトラ
ンスファポットに対し複数のキャビティを備えた構成で
あっても個々のキャビティ内に樹脂が所定量導入された
ときにはキャビティ内は常圧状態となるので、個々のキ
ャビティのそれぞれに樹脂が所定量導入されたときに樹
脂内に閉じ込められている空気が大きく膨張するのを防
止でき、良好なパッケージを備えた半導体装置を効率的
に得ることができる。請求項８の発明は、請求項６又は
７に記載のトランスファ成形装置において、前記圧力調
整手段が、前記キャビティ内に樹脂が充填され終わった
とき、前記キャビティ内を常圧状態とするものとしてい
る。
ら樹脂がキャビティ内に所定量導入されるまでの時間を
予め測定しておき、圧力調整手段が、前記予め検出した
時間に基づいてキャビティ内を減圧状態とするため、樹
脂の導入量を精度よく検出でき、圧力調整手段の減圧の
タイミング良好に制御できる。更に、請求項５の発明
は、請求項１〜４の何れかに記載のトランスファ成形装
置において、前記圧力調整手段は、前記キャビティ内に
導入された樹脂の量を検出し、キャビティ内に樹脂が導
入され終わったとき、前記キャビティ内を常圧状態とす
るものとしている。また、請求項６の発明は、パッケー
ジの型となるキャビティと、ゲートから前記キャビティ
に樹脂を導く導入経路と、該導入経路と連結し固形状の
樹脂が投入されるトランスファポットとを含む型を形成
する上下金型と、該トランスファポットの容積を縮小さ
せる方向に移動して前記トランスファポット内で溶融さ
れた樹脂を前記導入経路を介して前記キャビティ内に導
入するプランジャと、前記プランジャの位置を検出する
位置検出手段を備え、前記プランジャが樹脂がキャビテ
ィ内に所定量導入された位置となったときに、キャビテ
ィ内を減圧状態とする圧力調整手段と、を備えている。
すなわち、圧力調整手段は、前記プランジャの位置を検
出する位置検出手段を備え、前記プランジャが樹脂がキ
ャビティ内に所定量導入された位置となったときに、キ
ャビティ内を減圧状態とするものとしている。このよう
な構成とすることにより樹脂の導入量を精度よく検出で
きるので、圧力調整手段の減圧のタイミング良好に制御
できる。また、キャビティ内に導入された樹脂の量を検
出し、キャビティ内の樹脂の量が所定量となったとき、
キャビティ内を減圧状態とするため、樹脂がキャビティ
内に所定量導入された当初はキャビティ内は常圧状態で
あり、キャビティ内の圧力と樹脂内の圧力との圧力差が
相対的に小さくなる。従って、樹脂内の気泡が著しく膨
張して大きくなるのを防ぐことができる。さらに、圧力
調整手段は、樹脂がキャビティ内に所定量導入されると
キャビティ内を減圧状態とするため、上キャビティ又は
下キャビティの未充填領域の残存空気を減少させ、上キ
ャビティと下キャビティとの間の充填速度の違いに起因
する未充填ボイドの発生も防げる。請求項７の発明は、
請求項６に記載のトランスファ成形装置において、前記
上下金型は、直列に連結された複数個のキャビティを構
成し、前記圧力調整手段は、前記複数のキャビティのそ
れぞれに樹脂が所定量導入される度にキャビティ内を減
圧状態とするものとしている。これにより、１つのトラ
ンスファポットに対し複数のキャビティを備えた構成で
あっても個々のキャビティ内に樹脂が所定量導入された
ときにはキャビティ内は常圧状態となるので、個々のキ
ャビティのそれぞれに樹脂が所定量導入されたときに樹
脂内に閉じ込められている空気が大きく膨張するのを防
止でき、良好なパッケージを備えた半導体装置を効率的
に得ることができる。請求項８の発明は、請求項６又は
７に記載のトランスファ成形装置において、前記圧力調
整手段が、前記キャビティ内に樹脂が充填され終わった
とき、前記キャビティ内を常圧状態とするものとしてい
る。
【００２１】 更に、請求項９の発明は、半導体素子搭
載済みのリードフレームがセットされたキャビティ内に
樹脂を導入する際に、前記キャビティ内に導入された樹
脂の量を検出し、キャビティ内の樹脂の量が所定量とな
ったとき、キャビティ内を減圧状態とする半導体装置の
製造方法としている。
載済みのリードフレームがセットされたキャビティ内に
樹脂を導入する際に、前記キャビティ内に導入された樹
脂の量を検出し、キャビティ内の樹脂の量が所定量とな
ったとき、キャビティ内を減圧状態とする半導体装置の
製造方法としている。
【００２２】すなわち、本発明では、樹脂がキャビティ
内に所定量導入されるまではキャビティ内を減圧状態と
しないため、樹脂が導入される前のキャビティ内は常圧
状態となる。そのため、ゲートから樹脂がキャビティ内
に入り込んだときに樹脂内の圧力とキャビティ内の圧力
との圧力差が相対的に小さくなるので、樹脂内に閉じ込
められている空気が著しく大きく膨張するのを防止でき
る。
内に所定量導入されるまではキャビティ内を減圧状態と
しないため、樹脂が導入される前のキャビティ内は常圧
状態となる。そのため、ゲートから樹脂がキャビティ内
に入り込んだときに樹脂内の圧力とキャビティ内の圧力
との圧力差が相対的に小さくなるので、樹脂内に閉じ込
められている空気が著しく大きく膨張するのを防止でき
る。
【００２３】 もちろん、キャビティ内は樹脂がキャビ
ティ内に所定量導入されてから減圧状態とするため、上
キャビティ又は下キャビティの未充填領域の残存空気を
減少させ、上キャビティと下キャビティとの間の充填速
度の違いに起因する未充填ボイドの発生を防ぐことがで
きる。請求項１０の発明は、請求項９に記載の半導体装
置の製造方法において、前記キャビティ内に導入された
樹脂の量を検出し、キャビティ内に導入され終わったと
き、前記キャビティ内を常圧状態とするものである。
ティ内に所定量導入されてから減圧状態とするため、上
キャビティ又は下キャビティの未充填領域の残存空気を
減少させ、上キャビティと下キャビティとの間の充填速
度の違いに起因する未充填ボイドの発生を防ぐことがで
きる。請求項１０の発明は、請求項９に記載の半導体装
置の製造方法において、前記キャビティ内に導入された
樹脂の量を検出し、キャビティ内に導入され終わったと
き、前記キャビティ内を常圧状態とするものである。
【００２４】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態を図１〜図
６を参照して説明する。
６を参照して説明する。
【００２５】（第１の実施形態）図１及び図２を参照し
て第１の実施形態を説明する。本第１の実施形態のトラ
ンスファ成形装置は、図１に示すように、上プラテン２
６ａに固定された上金型１６ａと、下プラテン２６ｂに
固定された下金型１６ｂと、上金型１６ａと下金型１６
ｂとを予め定めた温度に加温するヒータ１８と、上金型
１６ａと下金型１６ｂとで構成される型２０、２２、２
３内に形成され熱硬化性樹脂である、例えば、エポキシ
系の樹脂からなるタブレット２８が投入されるトランス
ファポット１０と、トランスファポット１０内で溶融さ
れた樹脂２８を押し出すプランジャ１２と、上下金型１
６ａ、１６ｂが配置されたチャンバ３０を減圧状態にす
ることによりキャビティ２０内を減圧状態とする吸引ポ
ンプ２４と、プランジャ１２の移動量に基づいて吸引ポ
ンプ２４の駆動を制御する圧力制御部４０（圧力調整手
段）とを備えている。
て第１の実施形態を説明する。本第１の実施形態のトラ
ンスファ成形装置は、図１に示すように、上プラテン２
６ａに固定された上金型１６ａと、下プラテン２６ｂに
固定された下金型１６ｂと、上金型１６ａと下金型１６
ｂとを予め定めた温度に加温するヒータ１８と、上金型
１６ａと下金型１６ｂとで構成される型２０、２２、２
３内に形成され熱硬化性樹脂である、例えば、エポキシ
系の樹脂からなるタブレット２８が投入されるトランス
ファポット１０と、トランスファポット１０内で溶融さ
れた樹脂２８を押し出すプランジャ１２と、上下金型１
６ａ、１６ｂが配置されたチャンバ３０を減圧状態にす
ることによりキャビティ２０内を減圧状態とする吸引ポ
ンプ２４と、プランジャ１２の移動量に基づいて吸引ポ
ンプ２４の駆動を制御する圧力制御部４０（圧力調整手
段）とを備えている。
【００２６】上金型１６ａと下金型１６ｂとを型締めす
ると、パッケージの型となる２つのキャビティ２０と、
トランスファポット１０の対角位置に連通して設けら
れ、それぞれのキャビティ２０に開口するゲート２３を
介して樹脂をキャビティ２０に導く２つのランナー２２
（導入経路）と、トランスファポット１０とを含む型が
形成される。
ると、パッケージの型となる２つのキャビティ２０と、
トランスファポット１０の対角位置に連通して設けら
れ、それぞれのキャビティ２０に開口するゲート２３を
介して樹脂をキャビティ２０に導く２つのランナー２２
（導入経路）と、トランスファポット１０とを含む型が
形成される。
【００２７】キャビティ２０のゲート開口部と対向する
位置には図示しないエア抜き孔が形成されており、吸引
ポンプ２４によりチャンバ３０が吸引されて減圧状態と
されたときにエア抜き孔から型２０、２２、２３内が吸
引されてキャビティ２０内が減圧状態とされる。
位置には図示しないエア抜き孔が形成されており、吸引
ポンプ２４によりチャンバ３０が吸引されて減圧状態と
されたときにエア抜き孔から型２０、２２、２３内が吸
引されてキャビティ２０内が減圧状態とされる。
【００２８】圧力制御部４０は、プランジャ１２の位置
を検出する位置検出センサ１４（位置検出手段）を備
え、位置検出センサ１４が、キャビティ２０内に樹脂が
所定量導入されたときのプランジャ１２の位置を検出し
たときに、吸引ポンプ２４を駆動させてチャンバ３０内
を減圧状態とする。また、位置検出センサ１４が、キャ
ビティ２０ａ内に樹脂２８が充填され終わったときのプ
ランジャ１２の位置を検出したときに、吸引ポンプ２４
を停止させてチャンバ３０内を常圧状態とする。
を検出する位置検出センサ１４（位置検出手段）を備
え、位置検出センサ１４が、キャビティ２０内に樹脂が
所定量導入されたときのプランジャ１２の位置を検出し
たときに、吸引ポンプ２４を駆動させてチャンバ３０内
を減圧状態とする。また、位置検出センサ１４が、キャ
ビティ２０ａ内に樹脂２８が充填され終わったときのプ
ランジャ１２の位置を検出したときに、吸引ポンプ２４
を停止させてチャンバ３０内を常圧状態とする。
【００２９】このような構成のトランスファ成形装置を
用いた半導体装置の製造方法について図２を参照して説
明する。なお、図２では説明のため主要部分のみを示し
ている。まず、半導体素子搭載済みのリードフレーム
（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トランス
ファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２６
ａを下降させて、図２（ａ）に示すように、上金型１６
ａと下金型１６ｂとを型締する。このとき、図示しない
半導体素子は、キャビティ２０のほぼ中央位置に配置さ
れた状態となっている。
用いた半導体装置の製造方法について図２を参照して説
明する。なお、図２では説明のため主要部分のみを示し
ている。まず、半導体素子搭載済みのリードフレーム
（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トランス
ファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２６
ａを下降させて、図２（ａ）に示すように、上金型１６
ａと下金型１６ｂとを型締する。このとき、図示しない
半導体素子は、キャビティ２０のほぼ中央位置に配置さ
れた状態となっている。
【００３０】次に、トランスファポット１０に導入した
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
溶融した樹脂２８がランナー２２に導入される。
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
溶融した樹脂２８がランナー２２に導入される。
【００３１】位置検出センサ１４は、プランジャ１２の
移動開始からプランジャ１２の位置を検出しており、図
２（ｂ）に示すように、樹脂２８がランナー２２からキ
ャビティ２０内に所定量導入されたときのプランジャ１
２の先端位置であるＢの位置に達したことを位置検出セ
ンサ１４が検出したときに圧力制御部４０に信号を出力
する。
移動開始からプランジャ１２の位置を検出しており、図
２（ｂ）に示すように、樹脂２８がランナー２２からキ
ャビティ２０内に所定量導入されたときのプランジャ１
２の先端位置であるＢの位置に達したことを位置検出セ
ンサ１４が検出したときに圧力制御部４０に信号を出力
する。
【００３２】圧力制御部４０は位置検出センサ１４から
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、
この駆動開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０
内を吸引し始め、チャンバ３０内を３０〜９０Ｐａ程度
に減圧する。このため、樹脂２８がゲート２３位置で圧
縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態でキャビティ
２０内に導入されてもキャビティ内が常圧状態とされて
いるため、樹脂２８内の気泡２９にかかる圧力とキャビ
ティ２０内の圧力との相対的な圧力差を小さく抑えられ
るので、樹脂内に閉じ込められている気泡２９の著しい
膨張を防ぐことができる。
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、
この駆動開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０
内を吸引し始め、チャンバ３０内を３０〜９０Ｐａ程度
に減圧する。このため、樹脂２８がゲート２３位置で圧
縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態でキャビティ
２０内に導入されてもキャビティ内が常圧状態とされて
いるため、樹脂２８内の気泡２９にかかる圧力とキャビ
ティ２０内の圧力との相対的な圧力差を小さく抑えられ
るので、樹脂内に閉じ込められている気泡２９の著しい
膨張を防ぐことができる。
【００３３】吸引ポンプ２４によりチャンバ３０内の圧
力を低下させるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘
度が下がるタイミングのとき（この場合では、図２
（ｃ）に示すように、樹脂２８がキャビティ２０のほぼ
半分まで充填されたとき）、すなわち、プランジャ１２
の先端がＣの位置に達したときとしてもよい。
力を低下させるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘
度が下がるタイミングのとき（この場合では、図２
（ｃ）に示すように、樹脂２８がキャビティ２０のほぼ
半分まで充填されたとき）、すなわち、プランジャ１２
の先端がＣの位置に達したときとしてもよい。
【００３４】このように、樹脂の粘度が低下するタイミ
ングでチャンバ３０内の圧力を低下させた場合、樹脂の
粘度が低下しているので、樹脂内の気泡が膨張しづらい
という効果がある。
ングでチャンバ３０内の圧力を低下させた場合、樹脂の
粘度が低下しているので、樹脂内の気泡が膨張しづらい
という効果がある。
【００３５】更に、図２（ｄ）に示すように、樹脂２８
がキャビティ２０内に充填された位置、すなわちにプラ
ンジャ１２の先端がＤの位置に移動したときに位置検出
センサ１４は圧力制御部４０に信号を出力する。圧力制
御部４０は位置検出センサ１４からの出力により、吸引
ポンプ２４に駆動停止信号を送り、この駆動停止信号に
より吸引ポンプ２４が停止し、チャンバ３０内が常圧状
態となる。同時にプランジャ１２の移動を停止させて、
型２０、２２、２３内の樹脂２８を硬化させる。
がキャビティ２０内に充填された位置、すなわちにプラ
ンジャ１２の先端がＤの位置に移動したときに位置検出
センサ１４は圧力制御部４０に信号を出力する。圧力制
御部４０は位置検出センサ１４からの出力により、吸引
ポンプ２４に駆動停止信号を送り、この駆動停止信号に
より吸引ポンプ２４が停止し、チャンバ３０内が常圧状
態となる。同時にプランジャ１２の移動を停止させて、
型２０、２２、２３内の樹脂２８を硬化させる。
【００３６】樹脂２８が十分に硬化してから上プラテン
２６ａ（図１参照）を上昇させて、半導体素子の周りで
硬化した樹脂２８によりパッケージが形成されたリード
フレーム付きの半導体装置を取り出す。この後、余分な
部分の樹脂を取除いて形を整えてから、リードフレーム
のフレーム部分を切断してアウターリード形成し半導体
装置とする。
２６ａ（図１参照）を上昇させて、半導体素子の周りで
硬化した樹脂２８によりパッケージが形成されたリード
フレーム付きの半導体装置を取り出す。この後、余分な
部分の樹脂を取除いて形を整えてから、リードフレーム
のフレーム部分を切断してアウターリード形成し半導体
装置とする。
【００３７】このように本第１の実施形態では、位置検
出センサ１４により、樹脂２８がキャビティ２０内に所
定量導入されたプランジャ１２の位置を検出して圧力制
御部４０がキャビティ２０内を減圧状態としているた
め、キャビティ２０内に樹脂２８が所定量導入されたと
きに樹脂２８内の気泡２９にかかる圧力とキャビティ２
０内の圧力との相対的な圧力差を小さく抑えられるの
で、樹脂２８内の気泡２９が著しく膨張するのを防ぐこ
とができ、パッケージ内にボイドとして残留する恐れを
なくすことができる。
出センサ１４により、樹脂２８がキャビティ２０内に所
定量導入されたプランジャ１２の位置を検出して圧力制
御部４０がキャビティ２０内を減圧状態としているた
め、キャビティ２０内に樹脂２８が所定量導入されたと
きに樹脂２８内の気泡２９にかかる圧力とキャビティ２
０内の圧力との相対的な圧力差を小さく抑えられるの
で、樹脂２８内の気泡２９が著しく膨張するのを防ぐこ
とができ、パッケージ内にボイドとして残留する恐れを
なくすことができる。
【００３８】また、キャビティ２０内に充填中の樹脂２
８の粘度が低下してからチャンバ３０内の圧力を低下さ
せた場合でも樹脂の粘度が低下しているため、樹脂２８
内の気泡２９が充填中に著しい膨張するのを防ぐことが
でき、パッケージ内にボイドとして残留する恐れをなく
すことができる。
８の粘度が低下してからチャンバ３０内の圧力を低下さ
せた場合でも樹脂の粘度が低下しているため、樹脂２８
内の気泡２９が充填中に著しい膨張するのを防ぐことが
でき、パッケージ内にボイドとして残留する恐れをなく
すことができる。
【００３９】（第２の実施形態）図３及び図４を参照し
て第２の実施形態を説明する。本第２の実施形態のトラ
ンスファ成形装置は、図３に示すように、上プラテン２
６ａに固定された上金型１６ａと、下プラテン２６ｂに
固定された下金型１６ｂと、上金型１６ａと下金型１６
ｂとを予め定めた温度に加温するヒータ１８と、上金型
１６ａと下金型１６ｂとで構成される型２０、２２、２
３内に形成され熱硬化性樹脂である、例えば、エポキシ
系の樹脂からなるタブレット２８が投入されるトランス
ファポット１０と、トランスファポット１０内で溶融さ
れた樹脂２８を押し出すプランジャ１２と、上下金型１
６ａ、１６ｂが配置されたチャンバ３０を減圧状態にす
ることによりキャビティ２０内を減圧状態とする吸引ポ
ンプ２４と、予め定めた時間に基づいて吸引ポンプ２４
の駆動を制御する圧力制御部４２（圧力調整手段）とを
備えている。
て第２の実施形態を説明する。本第２の実施形態のトラ
ンスファ成形装置は、図３に示すように、上プラテン２
６ａに固定された上金型１６ａと、下プラテン２６ｂに
固定された下金型１６ｂと、上金型１６ａと下金型１６
ｂとを予め定めた温度に加温するヒータ１８と、上金型
１６ａと下金型１６ｂとで構成される型２０、２２、２
３内に形成され熱硬化性樹脂である、例えば、エポキシ
系の樹脂からなるタブレット２８が投入されるトランス
ファポット１０と、トランスファポット１０内で溶融さ
れた樹脂２８を押し出すプランジャ１２と、上下金型１
６ａ、１６ｂが配置されたチャンバ３０を減圧状態にす
ることによりキャビティ２０内を減圧状態とする吸引ポ
ンプ２４と、予め定めた時間に基づいて吸引ポンプ２４
の駆動を制御する圧力制御部４２（圧力調整手段）とを
備えている。
【００４０】上金型１６ａと下金型１６ｂとを型締めす
ると、パッケージの型となる２つのキャビティ２０と、
トランスファポット１０の対角位置に連通して設けら
れ、それぞれのキャビティ２０に開口するゲート２３を
介して樹脂をキャビティ２０に導く２つのランナー２２
（導入経路）と、トランスファポット１０とを含む型が
形成される。
ると、パッケージの型となる２つのキャビティ２０と、
トランスファポット１０の対角位置に連通して設けら
れ、それぞれのキャビティ２０に開口するゲート２３を
介して樹脂をキャビティ２０に導く２つのランナー２２
（導入経路）と、トランスファポット１０とを含む型が
形成される。
【００４１】キャビティ２０のゲート開口部と対向する
位置には図示しないエア抜き孔が形成されており、吸引
ポンプ２４によりチャンバ３０が吸引されて減圧状態と
されたときにエア抜き孔から型２０、２２、２３内が吸
引されてキャビティ２０内が減圧状態とされる。
位置には図示しないエア抜き孔が形成されており、吸引
ポンプ２４によりチャンバ３０が吸引されて減圧状態と
されたときにエア抜き孔から型２０、２２、２３内が吸
引されてキャビティ２０内が減圧状態とされる。
【００４２】圧力制御部４２は、プランジャ１２の移動
開始からの時間を計測するタイマ４２ａを備え、タイマ
４２ａが、キャビティ２０内に樹脂が所定量導入された
ときの時間を計測したときに、吸引ポンプ２４を駆動さ
せてチャンバ３０内を減圧状態とする。また、タイマ４
２ａが、キャビティ２０ａ内に樹脂２８が充填され終わ
ったときの時間を計測したときに、吸引ポンプ２４を停
止させてチャンバ３０内を常圧状態とする。
開始からの時間を計測するタイマ４２ａを備え、タイマ
４２ａが、キャビティ２０内に樹脂が所定量導入された
ときの時間を計測したときに、吸引ポンプ２４を駆動さ
せてチャンバ３０内を減圧状態とする。また、タイマ４
２ａが、キャビティ２０ａ内に樹脂２８が充填され終わ
ったときの時間を計測したときに、吸引ポンプ２４を停
止させてチャンバ３０内を常圧状態とする。
【００４３】このような構成のトランスファ成形装置を
用いた半導体装置の製造方法について図４を参照して説
明する。なお、図４では説明のため主要部分のみを示
し、チャンバ３０は一点鎖線で概念図として示してい
る。
用いた半導体装置の製造方法について図４を参照して説
明する。なお、図４では説明のため主要部分のみを示
し、チャンバ３０は一点鎖線で概念図として示してい
る。
【００４４】まず、半導体素子搭載済みのリードフレー
ム（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トラン
スファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２
６ａを下降させて、図４（ａ）に示すように、上金型１
６ａと下金型１６ｂとを型締する。このとき、図示しな
い半導体素子は、キャビティ２０のほぼ中央位置に配置
された状態となっている。
ム（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トラン
スファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２
６ａを下降させて、図４（ａ）に示すように、上金型１
６ａと下金型１６ｂとを型締する。このとき、図示しな
い半導体素子は、キャビティ２０のほぼ中央位置に配置
された状態となっている。
【００４５】次に、トランスファポット１０に導入した
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
溶融した樹脂２８がランナー２２に導入される。
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
溶融した樹脂２８がランナー２２に導入される。
【００４６】タイマ４２ａは、プランジャ１２の移動開
始からの時間を計測しており、図４（ｂ）に示すよう
に、プランジャ１２の先端がＡの位置まで移動し、樹脂
２８がランナー２２からキャビティ２０内に所定量導入
された時間ｔ１となったときに圧力制御部４２に信号を
出力する。圧力制御部４２はタイマ４２ａからの出力に
より、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、この駆動
開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０内を吸引
し始め、チャンバ３０内を３０〜９９Ｐａ程度に減圧す
る。
始からの時間を計測しており、図４（ｂ）に示すよう
に、プランジャ１２の先端がＡの位置まで移動し、樹脂
２８がランナー２２からキャビティ２０内に所定量導入
された時間ｔ１となったときに圧力制御部４２に信号を
出力する。圧力制御部４２はタイマ４２ａからの出力に
より、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、この駆動
開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０内を吸引
し始め、チャンバ３０内を３０〜９９Ｐａ程度に減圧す
る。
【００４７】すなわち、予め求めておいた樹脂２８がキ
ャビティ２０内に所定量導入された時間ｔ１をタイマ４
２ａが計測すると、圧力制御部４２がキャビティ２０内
を減圧状態とするため、樹脂２８がゲート２３位置で圧
縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態でキャビティ
２０内に導入されても、樹脂２８内の気泡２９にかかる
圧力とキャビティ２０内の圧力との相対的な圧力差を小
さく抑えられる。そのため、樹脂内に閉じ込められてい
る気泡２９の著しい膨張を防ぐことができる。
ャビティ２０内に所定量導入された時間ｔ１をタイマ４
２ａが計測すると、圧力制御部４２がキャビティ２０内
を減圧状態とするため、樹脂２８がゲート２３位置で圧
縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態でキャビティ
２０内に導入されても、樹脂２８内の気泡２９にかかる
圧力とキャビティ２０内の圧力との相対的な圧力差を小
さく抑えられる。そのため、樹脂内に閉じ込められてい
る気泡２９の著しい膨張を防ぐことができる。
【００４８】また、吸引ポンプ２４でチャンバ３０内の
圧力を下げるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘度
が一旦下がるタイミングのとき（この場合では、図４
（ｃ）に示すように、樹脂２８がキャビティ２０のほぼ
半分まで充填されたとき）、すなわち、タイマ４２ａが
時間ｔ２を計測したときとしてもよい。
圧力を下げるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘度
が一旦下がるタイミングのとき（この場合では、図４
（ｃ）に示すように、樹脂２８がキャビティ２０のほぼ
半分まで充填されたとき）、すなわち、タイマ４２ａが
時間ｔ２を計測したときとしてもよい。
【００４９】このように、樹脂の粘度が低下するタイミ
ングでチャンバ３０内の圧力を低下させた場合、樹脂の
粘度が低下しているので樹脂内の気泡が゜膨張しづらい
効果がある。
ングでチャンバ３０内の圧力を低下させた場合、樹脂の
粘度が低下しているので樹脂内の気泡が゜膨張しづらい
効果がある。
【００５０】更に、図４（ｄ）に示すように、樹脂２８
がキャビティ２０内に充填された時間となったとき、す
なわち、タイマ４２ａが時間ｔ３を計測したときに圧力
制御部４２に信号を出力し、圧力制御部４０はタイマ４
２ａからの出力により、吸引ポンプ２４に駆動停止信号
を送り、この駆動停止信号により吸引ポンプ２４が停止
し、チャンバ３０内が常圧状態となる。同時にプランジ
ャ１２の移動を停止させて、型２０、２２、２３内の樹
脂２８を硬化させる。
がキャビティ２０内に充填された時間となったとき、す
なわち、タイマ４２ａが時間ｔ３を計測したときに圧力
制御部４２に信号を出力し、圧力制御部４０はタイマ４
２ａからの出力により、吸引ポンプ２４に駆動停止信号
を送り、この駆動停止信号により吸引ポンプ２４が停止
し、チャンバ３０内が常圧状態となる。同時にプランジ
ャ１２の移動を停止させて、型２０、２２、２３内の樹
脂２８を硬化させる。
【００５１】樹脂２８が十分に硬化してから上プラテン
２６ａ（図３参照）を上昇させて、半導体素子の周りで
硬化した樹脂２８によりパッケージが形成されたリード
フレーム付きの半導体装置を取り出す。この後、余分な
部分の樹脂を取除いて形を整えてから、リードフレーム
のフレーム部分を切断してアウターリード形成し半導体
装置とする。
２６ａ（図３参照）を上昇させて、半導体素子の周りで
硬化した樹脂２８によりパッケージが形成されたリード
フレーム付きの半導体装置を取り出す。この後、余分な
部分の樹脂を取除いて形を整えてから、リードフレーム
のフレーム部分を切断してアウターリード形成し半導体
装置とする。
【００５２】このように本第２の実施形態では、タイマ
４２ａにより樹脂２８がキャビティ２０内に所定量導入
された時間を検出し、樹脂２８がキャビティ２０内に所
定量導入されてから減圧状態としているため、樹脂２８
内の気泡２９にかかる圧力とキャビティ２０内の圧力と
の相対的な圧力差を小さく抑えられるので、キャビティ
２０内に樹脂２８が所定量導入されたときに樹脂２８内
の気泡２９が著しく膨張するのを防ぐことができ、パッ
ケージ内にボイドとして残留する恐れをなくすことがで
きる。
４２ａにより樹脂２８がキャビティ２０内に所定量導入
された時間を検出し、樹脂２８がキャビティ２０内に所
定量導入されてから減圧状態としているため、樹脂２８
内の気泡２９にかかる圧力とキャビティ２０内の圧力と
の相対的な圧力差を小さく抑えられるので、キャビティ
２０内に樹脂２８が所定量導入されたときに樹脂２８内
の気泡２９が著しく膨張するのを防ぐことができ、パッ
ケージ内にボイドとして残留する恐れをなくすことがで
きる。
【００５３】また、キャビティ２０内に充填中の樹脂２
８の粘度が低下してからチャンバ３０内の圧力を低下さ
せた場合でも樹脂の粘度が低下しているため、樹脂２８
内の気泡２９が充填中に著しい膨張するのを防ぐことが
でき、パッケージ内にボイド （第３の実施形態）図５及び図６を参照して第３の実施
形態を説明する。本第３の実施形態のトランスファ成形
装置は、上記第１の実施形態の応用例であり、図５に示
すように、上記第１の実施形態のトランスファ成形装置
の構成において、上下金型１６ａ、１６ｂにより形成さ
れる型が、第２のランナー２２ｂにより連通させて直列
に配置した第１と第２の２つのキャビティを備えた構成
とされている。
８の粘度が低下してからチャンバ３０内の圧力を低下さ
せた場合でも樹脂の粘度が低下しているため、樹脂２８
内の気泡２９が充填中に著しい膨張するのを防ぐことが
でき、パッケージ内にボイド （第３の実施形態）図５及び図６を参照して第３の実施
形態を説明する。本第３の実施形態のトランスファ成形
装置は、上記第１の実施形態の応用例であり、図５に示
すように、上記第１の実施形態のトランスファ成形装置
の構成において、上下金型１６ａ、１６ｂにより形成さ
れる型が、第２のランナー２２ｂにより連通させて直列
に配置した第１と第２の２つのキャビティを備えた構成
とされている。
【００５４】すなわち、上下金型１６ａ、１６ｂを型締
めしたときに、トランスファポット１０と、トランスフ
ァポット１０に連通する第１のランナー２２ａと、第１
のランナー２２ａから第１のゲート２３ａを介して樹脂
２８が導入される第１のキャビティ２０ａと、第１のキ
ャビティ２０ａに連通する第２のランナー２２ｂと、第
２のランナー２２ｂから第２のゲート２３ｂを介して樹
脂２８が導入される第２のキャビティ２０ｂとを含む型
２０ａ、２０ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂが形
成される。
めしたときに、トランスファポット１０と、トランスフ
ァポット１０に連通する第１のランナー２２ａと、第１
のランナー２２ａから第１のゲート２３ａを介して樹脂
２８が導入される第１のキャビティ２０ａと、第１のキ
ャビティ２０ａに連通する第２のランナー２２ｂと、第
２のランナー２２ｂから第２のゲート２３ｂを介して樹
脂２８が導入される第２のキャビティ２０ｂとを含む型
２０ａ、２０ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂが形
成される。
【００５５】第２のキャビティ２０ｂの第２のゲート２
３ｂの開口部と対向する位置には図示しないエア抜き孔
が形成されており、吸引ポンプ２４によりチャンバ３０
が吸引されて減圧状態とされたときにエア抜き孔から型
２０ａ、２０ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ内が
吸引されて第１と第２のキャビティ２０ｂ、２０ｂ内が
減圧状態とされる。
３ｂの開口部と対向する位置には図示しないエア抜き孔
が形成されており、吸引ポンプ２４によりチャンバ３０
が吸引されて減圧状態とされたときにエア抜き孔から型
２０ａ、２０ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ内が
吸引されて第１と第２のキャビティ２０ｂ、２０ｂ内が
減圧状態とされる。
【００５６】圧力制御部４０は、位置検出センサ１４
が、第１のキャビティ２０ａ内に樹脂２８が所定量導入
されたときのプランジャ１２の位置を検出したときと、
第２のキャビティ２０ｂ内に樹脂２８が所定量導入され
たときのプランジャ１２の位置を検出したときに吸引ポ
ンプ２４を駆動させてチャンバ３０内を減圧状態とす
る。また、位置検出センサ１４が、第１のキャビティ２
０ａ内に樹脂２８が充填され終わったときのプランジャ
１２の位置を検出したときと、第２のキャビティ２０ｂ
内に樹脂２８が充填され終わったときのプランジャ１２
の位置を検出したときに吸引ポンプ２４を停止させてチ
ャンバ３０内を減圧状態とする。なお、その他の構成は
上記第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
が、第１のキャビティ２０ａ内に樹脂２８が所定量導入
されたときのプランジャ１２の位置を検出したときと、
第２のキャビティ２０ｂ内に樹脂２８が所定量導入され
たときのプランジャ１２の位置を検出したときに吸引ポ
ンプ２４を駆動させてチャンバ３０内を減圧状態とす
る。また、位置検出センサ１４が、第１のキャビティ２
０ａ内に樹脂２８が充填され終わったときのプランジャ
１２の位置を検出したときと、第２のキャビティ２０ｂ
内に樹脂２８が充填され終わったときのプランジャ１２
の位置を検出したときに吸引ポンプ２４を停止させてチ
ャンバ３０内を減圧状態とする。なお、その他の構成は
上記第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００５７】このような構成のトランスファ成形装置を
用いた半導体装置の製造方法について図６を参照して説
明する。なお、図６では説明のため主要部分のみを示し
ている。まず、半導体素子搭載済みのリードフレーム
（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トランス
ファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２６
ａを下降させて、上金型１６ａと下金型１６ｂとを型締
する。このとき、図示しない半導体素子は、第１と第２
のキャビティ２０ｂ、２０ｂのそれぞれのほぼ中央位置
に配置された状態となっている。
用いた半導体装置の製造方法について図６を参照して説
明する。なお、図６では説明のため主要部分のみを示し
ている。まず、半導体素子搭載済みのリードフレーム
（図示せず）を下金型１６ｂにセットした後、トランス
ファポット１０にタブレットを投入し、上プラテン２６
ａを下降させて、上金型１６ａと下金型１６ｂとを型締
する。このとき、図示しない半導体素子は、第１と第２
のキャビティ２０ｂ、２０ｂのそれぞれのほぼ中央位置
に配置された状態となっている。
【００５８】次に、トランスファポット１０に導入した
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
溶融した樹脂２８が第１のランナー２２ａに導入され
る。
タブレットをヒータ１８により１６０〜１９０℃に加温
して溶融させながら、プランジャ１２を上昇させてトラ
ンスファポット１０から樹脂を押し出す。これにより、
溶融した樹脂２８が第１のランナー２２ａに導入され
る。
【００５９】位置検出センサ１４は、プランジャ１２の
移動開始からプランジャ１２の位置を検出しており、図
６（ａ）に示すように、樹脂２８が第１のランナー２２
ａから第１のキャビティ２０ａ内に所定量導入されたと
きのプランジャ１２の位置を位置検出センサ１４が検出
したとき、この場合、プランジャ１２の先端がＡの位置
まで移動したときに圧力制御部４０に信号を出力する。
移動開始からプランジャ１２の位置を検出しており、図
６（ａ）に示すように、樹脂２８が第１のランナー２２
ａから第１のキャビティ２０ａ内に所定量導入されたと
きのプランジャ１２の位置を位置検出センサ１４が検出
したとき、この場合、プランジャ１２の先端がＡの位置
まで移動したときに圧力制御部４０に信号を出力する。
【００６０】圧力制御部４０は位置検出センサ１４から
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、
この駆動開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０
内を吸引し始め、チャンバ３０内を３０〜９９Ｐａ程度
に減圧する。
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、
この駆動開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０
内を吸引し始め、チャンバ３０内を３０〜９９Ｐａ程度
に減圧する。
【００６１】このため、樹脂２８が第１のゲート２３ａ
位置で圧縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態で第
１のキャビティ２０ａ内に導入されても第１のキャビテ
ィ２０ａ内が常圧状態とされているため、樹脂２８内の
気泡２９にかかる圧力と第１のキャビティ２０ａ内の圧
力との相対的な圧力差を小さく抑えられるので、樹脂内
に閉じ込められている気泡２９の著しい膨張を防ぐこと
ができる。
位置で圧縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態で第
１のキャビティ２０ａ内に導入されても第１のキャビテ
ィ２０ａ内が常圧状態とされているため、樹脂２８内の
気泡２９にかかる圧力と第１のキャビティ２０ａ内の圧
力との相対的な圧力差を小さく抑えられるので、樹脂内
に閉じ込められている気泡２９の著しい膨張を防ぐこと
ができる。
【００６２】吸引ポンプ２４によりチャンバ３０内の圧
力を低下させるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘
度が下がるタイミングのとき（この場合では、図６
（ｂ）に示すように、樹脂２８が第１のキャビティ２０
ａのほぼ半分まで充填されたとき）、すなわち、プラン
ジャ１２の先端がＢの位置に達したときとしてもよい。
力を低下させるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘
度が下がるタイミングのとき（この場合では、図６
（ｂ）に示すように、樹脂２８が第１のキャビティ２０
ａのほぼ半分まで充填されたとき）、すなわち、プラン
ジャ１２の先端がＢの位置に達したときとしてもよい。
【００６３】このように、第１のキャビティ２０ａ内の
樹脂の樹脂の粘度が低下するタイミングでチャンバ３０
内の圧力を低下させた場合、樹脂の粘度が低下している
ので、第１のキャビティ２０ａ内に充填された樹脂内の
気泡が膨張しづらいという効果がある。
樹脂の樹脂の粘度が低下するタイミングでチャンバ３０
内の圧力を低下させた場合、樹脂の粘度が低下している
ので、第１のキャビティ２０ａ内に充填された樹脂内の
気泡が膨張しづらいという効果がある。
【００６４】その後、樹脂２８が第１のキャビティ２０
ａ内に充填された位置にプランジャ１２が移動したとき
に位置検出センサ１４は圧力制御部４０に信号を出力す
る。圧力制御部４０は位置検出センサ１４からの出力に
より、吸引ポンプ２４に駆動停止信号を送り、この駆動
停止信号により吸引ポンプ２４が停止し、チャンバ３０
内が常圧状態となる。
ａ内に充填された位置にプランジャ１２が移動したとき
に位置検出センサ１４は圧力制御部４０に信号を出力す
る。圧力制御部４０は位置検出センサ１４からの出力に
より、吸引ポンプ２４に駆動停止信号を送り、この駆動
停止信号により吸引ポンプ２４が停止し、チャンバ３０
内が常圧状態となる。
【００６５】更に、図６（ｃ）に示すように、樹脂２８
が第２のランナー２２ｂから第２のキャビティ２０ｂ内
に所定量導入されたときのプランジャ１２の位置を位置
検出センサ１４が検出したとき、この場合、プランジャ
１２の先端がＣの位置まで移動したときに圧力制御部４
０に信号を出力する。
が第２のランナー２２ｂから第２のキャビティ２０ｂ内
に所定量導入されたときのプランジャ１２の位置を位置
検出センサ１４が検出したとき、この場合、プランジャ
１２の先端がＣの位置まで移動したときに圧力制御部４
０に信号を出力する。
【００６６】圧力制御部４０は位置検出センサ１４から
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、
この駆動開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０
内を吸引し始め、チャンバ３０内を３０〜９９Ｐａ程度
に減圧する。
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動開始信号を送り、
この駆動開始信号により吸引ポンプ２４がチャンバ３０
内を吸引し始め、チャンバ３０内を３０〜９９Ｐａ程度
に減圧する。
【００６７】このため、樹脂２８が第２のゲート２３ｂ
位置で圧縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態で第
２のキャビティ２０ｂ内に導入されても第２のキャビテ
ィ２０ｂ内が常圧状態とされているため、樹脂２８内の
気泡２９にかかる圧力と第２のキャビティ２０ｂ内の圧
力との相対的な圧力差を小さく抑えられるので、樹脂内
に閉じ込められている気泡２９の著しい膨張を防ぐこと
ができる。
位置で圧縮されて樹脂２８内の圧力が高まった状態で第
２のキャビティ２０ｂ内に導入されても第２のキャビテ
ィ２０ｂ内が常圧状態とされているため、樹脂２８内の
気泡２９にかかる圧力と第２のキャビティ２０ｂ内の圧
力との相対的な圧力差を小さく抑えられるので、樹脂内
に閉じ込められている気泡２９の著しい膨張を防ぐこと
ができる。
【００６８】吸引ポンプ２４によりチャンバ３０内の圧
力を低下させるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘
度が下がるタイミングのとき（この場合では、樹脂２８
が第２のキャビティ２０ｂのほぼ半分まで充填されたと
き）としてもよい。
力を低下させるタイミングとしては、例えば、樹脂の粘
度が下がるタイミングのとき（この場合では、樹脂２８
が第２のキャビティ２０ｂのほぼ半分まで充填されたと
き）としてもよい。
【００６９】このように、第２のキャビティ２０ｂ内の
樹脂の樹脂の粘度が低下するタイミングでチャンバ３０
内の圧力を低下させた場合、樹脂の粘度が低下している
ので、第２のキャビティ２０ｂ内に充填された樹脂内の
気泡が膨張しづらいという効果がある。
樹脂の樹脂の粘度が低下するタイミングでチャンバ３０
内の圧力を低下させた場合、樹脂の粘度が低下している
ので、第２のキャビティ２０ｂ内に充填された樹脂内の
気泡が膨張しづらいという効果がある。
【００７０】その後、樹脂２８が第２のキャビティ２０
ｂ内に充填された位置にプランジャ１２が移動したと
き、すなわち、プランジャ１２の先端がＤの位置に移動
したときに位置検出センサ１４は圧力制御部４０に信号
を出力する。圧力制御部４０は位置検出センサ１４から
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動停止信号を送り、
この駆動停止信号により吸引ポンプ２４が停止し、チャ
ンバ３０内が常圧状態となる。同時にプランジャ１２の
移動を停止させて、型２０ａ、２０ｂ、２２ａ、２２
ｂ、２３ａ、２３ｂ内の樹脂２８を硬化させる。
ｂ内に充填された位置にプランジャ１２が移動したと
き、すなわち、プランジャ１２の先端がＤの位置に移動
したときに位置検出センサ１４は圧力制御部４０に信号
を出力する。圧力制御部４０は位置検出センサ１４から
の出力により、吸引ポンプ２４に駆動停止信号を送り、
この駆動停止信号により吸引ポンプ２４が停止し、チャ
ンバ３０内が常圧状態となる。同時にプランジャ１２の
移動を停止させて、型２０ａ、２０ｂ、２２ａ、２２
ｂ、２３ａ、２３ｂ内の樹脂２８を硬化させる。
【００７１】樹脂２８が十分に硬化してから上プラテン
２６ａ（図５参照）を上昇させて、半導体素子の周りで
硬化した樹脂２８によりパッケージが形成されたリード
フレーム付きの半導体装置を取り出す。この後、余分な
部分の樹脂を取除いて形を整えてから、リードフレーム
を切断してアウターリード形成し半導体装置とする。
２６ａ（図５参照）を上昇させて、半導体素子の周りで
硬化した樹脂２８によりパッケージが形成されたリード
フレーム付きの半導体装置を取り出す。この後、余分な
部分の樹脂を取除いて形を整えてから、リードフレーム
を切断してアウターリード形成し半導体装置とする。
【００７２】このように本第３の実施形態では、第２の
ランナー２２ｂにより連通させて直列に配置した第１と
第２の２つのキャビティ２０ａ、２０ｂを備え、位置検
出センサ１４によりプランジャ１２の移動量に基づい
て、圧力制御部４０が種々のタイミングで型内の圧力を
調節する構成であるため、上記第１の実施形態で説明し
た利点に加えて、複数の半導体装置を同時に成形できる
という利点もある。
ランナー２２ｂにより連通させて直列に配置した第１と
第２の２つのキャビティ２０ａ、２０ｂを備え、位置検
出センサ１４によりプランジャ１２の移動量に基づい
て、圧力制御部４０が種々のタイミングで型内の圧力を
調節する構成であるため、上記第１の実施形態で説明し
た利点に加えて、複数の半導体装置を同時に成形できる
という利点もある。
【００７３】もちろん、型の形状は図５及び図６に示し
た構成に限らず、マトリックスなどのゲートを複数有す
るパッケージ等のように種々の形状としてもよい。この
場合、位置検出センサ１４によるプランジャ１２の位置
の検出により、その型に適したタイミングでキャビティ
内の圧力を調整することが可能であり、パッケージ内に
ボイドが残留していない製品を得ることができる。
た構成に限らず、マトリックスなどのゲートを複数有す
るパッケージ等のように種々の形状としてもよい。この
場合、位置検出センサ１４によるプランジャ１２の位置
の検出により、その型に適したタイミングでキャビティ
内の圧力を調整することが可能であり、パッケージ内に
ボイドが残留していない製品を得ることができる。
【００７４】また、以上述べた第３の実施形態では、圧
力制御部４０が位置検出センサ１４を備え、位置検出セ
ンサ１４が検出したプランジャ１２の位置に基づいて圧
力を制御する第１の実施形態の構成を応用したものとし
ているが、圧力制御部４２がタイマ４２ａを備え、タイ
マ４２ａが計測した時間に基づいて圧力を制御する第２
の実施形態の構成を応用することも可能である。
力制御部４０が位置検出センサ１４を備え、位置検出セ
ンサ１４が検出したプランジャ１２の位置に基づいて圧
力を制御する第１の実施形態の構成を応用したものとし
ているが、圧力制御部４２がタイマ４２ａを備え、タイ
マ４２ａが計測した時間に基づいて圧力を制御する第２
の実施形態の構成を応用することも可能である。
【００７５】第２の実施形態の構成を応用した場合、圧
力制御部４２は、タイマ４２ａが、第１のキャビティ２
０ａ内に樹脂２８が所定量導入されたときの時間を測定
したときと、第２のキャビティ２０ｂ内に樹脂２８が所
定量導入されたときの時間を測定したときに吸引ポンプ
２４を駆動させてチャンバ３０内を減圧状態とする構成
とするとよい。また、圧力制御部４２は、タイマ４２ａ
が、第１のキャビティ２０ａ内に樹脂２８が充填され終
わったときの時間を測定したときと、第２のキャビティ
２０ｂ内に樹脂２８が充填され終わったときの時間を測
定したときに吸引ポンプ２４を停止させてチャンバ３０
内を常圧状態とする構成とするとよい。
力制御部４２は、タイマ４２ａが、第１のキャビティ２
０ａ内に樹脂２８が所定量導入されたときの時間を測定
したときと、第２のキャビティ２０ｂ内に樹脂２８が所
定量導入されたときの時間を測定したときに吸引ポンプ
２４を駆動させてチャンバ３０内を減圧状態とする構成
とするとよい。また、圧力制御部４２は、タイマ４２ａ
が、第１のキャビティ２０ａ内に樹脂２８が充填され終
わったときの時間を測定したときと、第２のキャビティ
２０ｂ内に樹脂２８が充填され終わったときの時間を測
定したときに吸引ポンプ２４を停止させてチャンバ３０
内を常圧状態とする構成とするとよい。
【００７６】なお、上記で述べたすべての実施形態にお
いては説明のため、トランスファポットを１つ備えた構
成のトランスファ成形装置としているが、トランスファ
ポットを複数備えた構成のトランスファ成形装置につい
ても本発明は適用できるものである。同様に、上記で述
べたすべての実施形態においては説明のため、それぞれ
のトランスファポットに連通するランナーを２つ備えた
構成のトランスファ成形装置としているが、トランスフ
ァポットに連通するランナーを１つ又は３つ以上備えた
構成のトランスファ成形装置についても本発明は適用で
きるものである。
いては説明のため、トランスファポットを１つ備えた構
成のトランスファ成形装置としているが、トランスファ
ポットを複数備えた構成のトランスファ成形装置につい
ても本発明は適用できるものである。同様に、上記で述
べたすべての実施形態においては説明のため、それぞれ
のトランスファポットに連通するランナーを２つ備えた
構成のトランスファ成形装置としているが、トランスフ
ァポットに連通するランナーを１つ又は３つ以上備えた
構成のトランスファ成形装置についても本発明は適用で
きるものである。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜８の発
明によれば、樹脂内の圧力とキャビティ内の圧力との相
対的な圧力差に起因して樹脂内の気泡が膨張するのを防
いでパッケージ内にボイドが残留することを防止したト
ランスファ成形装置が得られる、という効果を達成す
る。
明によれば、樹脂内の圧力とキャビティ内の圧力との相
対的な圧力差に起因して樹脂内の気泡が膨張するのを防
いでパッケージ内にボイドが残留することを防止したト
ランスファ成形装置が得られる、という効果を達成す
る。
【００７８】 また、請求項９及び１０の発明によれ
ば、パッケージ内にボイドが残留する恐れの少ない半導
体装置が得られる、という効果を達成する。
ば、パッケージ内にボイドが残留する恐れの少ない半導
体装置が得られる、という効果を達成する。
【図１】本発明の第１の実施形態のトランスファ成形装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示したトランスファ成形装置の作用を示
す部分説明図である。
す部分説明図である。
【図３】本発明の第２の実施形態のトランスファ成形装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図４】図３に示したトランスファ成形装置の作用を示
す部分説明図である。
す部分説明図である。
【図５】本発明の第３の実施形態のトランスファ成形装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図６】図５に示したトランスファ成形装置の作用を示
す部分説明図である。
す部分説明図である。
【図７】従来のトランスファ成形装置の概略構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】図６に示したトランスファ成形装置の作用を示
す部分説明図である。
す部分説明図である。
１０ トランスファポット
１２ プランジャ
１４ 位置検出センサ
１６ａ 上金型
１６ｂ 下金型
１８ ヒータ
２０ キャビティ
２２ ランナー
２３ ゲート
２４ 吸引ポンプ
２６ａ 上プラテン
２６ｂ 下プラテン
２８ 樹脂（タブレット）
２９ 気泡
３０ チャンバ
４０ 圧力制御部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｂ２９Ｃ 45/76 Ｂ２９Ｃ 45/76
// Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34
(56)参考文献 特開 平５−175264（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−36745（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−7032（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−64623（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−144714（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
B29C 45/02
B29C 45/26
B29C 45/34
B29C 45/53
B29C 45/76
B29L 31:34
Claims (10)
- 【請求項１】 パッケージの型となるキャビティと、ゲ
ートから前記キャビティに樹脂を導く導入経路と、該導
入経路と連結し固形状の樹脂が投入されるトランスファ
ポットとを含む型を形成する上下金型と、 該トランスファポットの容積を縮小させる方向に移動し
て前記トランスファポット内で溶融された樹脂を前記導
入経路を介して前記キャビティ内に導入するプランジャ
と、前記キャビティ内に導入された樹脂の量を検出し、キャ
ビティ内の樹脂の量が所定量となったとき、前記キャビ
ティ内を減圧状態とする圧力調整手段と、 を備えたトランスファ成形装置。 - 【請求項２】 前記上下金型は、直列に連結された複数
個のキャビティを構成し、 前記圧力調整手段は、各キャビティ内に導入された樹脂
の量を検出し、各キャビティ内の樹脂が所定量となった
とき、各キャビティ内を減圧状態とする請求項１に記載
のトランスファ成形装置。 - 【請求項３】 前記圧力調整手段は、 前記プランジャの位置を検出する位置検出手段を備え、
前記プランジャが樹脂がキャビティ内に所定量導入され
た位置となったときに、キャビティ内を減圧状態とする
請求項１又は２に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項４】 前記圧力調整手段は、時 間を計測する時間計測手段を備え、前記プランジャが
移動を開始してから樹脂がキャビティ内に所定量導入さ
れた位置に到達する時間となったときに、キャビティ内
を減圧状態とする請求項１又は２に記載のトランスファ
成形装置。 - 【請求項５】 前記圧力調整手段は、 前記キャビティ内に導入された樹脂の量を検出し、キャ
ビティ内に樹脂が導入され終わったとき、前記キャビテ
ィ内を常圧状態とする請求項１〜４の何れかに記載のト
ランスファ成形装置。 - 【請求項６】 パッケージの型となるキャビティと、ゲ
ートから前記キャビティに樹脂を導く導入経路と、該導
入経路と連結し固形状の樹脂が投入されるトランスファ
ポットとを含む型を形成する上下金型と、 該トランスファポットの容積を縮小させる方向に移動し
て前記トランスファポット内で溶融された樹脂を前記導
入経路を介して前記キャビティ内に導入するプランジャ
と、 前記プランジャの位置を検出する位置検出手段を備え、
前記プランジャが樹脂がキャビティ内に所定量導入され
た位置となったときに、キャビティ内を減圧状態とする
圧力調整手段と、を有するトランスファ成形装置。 - 【請求項７】 前記上下金型は、直列に連結された複数
個のキャビティを構成し、 前記圧力調整手段は、前記複数のキャビティのそれぞれ
に樹脂が所定量導入される度にキャビティ内を減圧状態
とする請求項６に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項８】 前記圧力調整手段が、前記キャビティ内
に樹脂が充填され終わったとき、前記キャビティ内を常
圧状態とする請求項６又は７に記載のトランスファ成形
装置。 - 【請求項９】 半導体素子搭載済みのリードフレームが
セットされたキャビティ内に樹脂を導入する際に、前記
キャビティ内に導入された樹脂の量を検出し、キャビテ
ィ内の樹脂の量が所定量となったとき、キャビティ内を
減圧状態とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記キャビティ内に導入された樹脂の
量を検出し、キャビティ内に導入され終わったとき、前
記キャビティ内を常圧状態とする請求項９に記載の半導
体装置の製造方法。
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