JP3442686B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
て例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基
板処理装置に関する。
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
て例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基
板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるフォ
トリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ（以下ウ
エハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジ
ストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所
定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連
の処理は、塗布／現像装置に露光装置を接続したシステ
ムにより行われる。
トリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ（以下ウ
エハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジ
ストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所
定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連
の処理は、塗布／現像装置に露光装置を接続したシステ
ムにより行われる。
【０００３】図１２はこのような装置の従来例を示す平
面図であり、基板例えば半導体ウエハを２５枚収納した
基板カセットＣはカセットステ−ション１００のカセッ
トステ−ジ１に搬入される。カセットステ−ション１０
０には塗布ブロック１１０及び現像ブロック１２０がこ
の順に接続されており、更に現像ブロック１２０にはイ
ンタ−フェイスステ−ション１３０を介して露光装置１
４０が接続されている。
面図であり、基板例えば半導体ウエハを２５枚収納した
基板カセットＣはカセットステ−ション１００のカセッ
トステ−ジ１に搬入される。カセットステ−ション１０
０には塗布ブロック１１０及び現像ブロック１２０がこ
の順に接続されており、更に現像ブロック１２０にはイ
ンタ−フェイスステ−ション１３０を介して露光装置１
４０が接続されている。
【０００４】前記カセットステ−ジ１上のカセットＣ内
のウエハＷは、図示しない受け渡しア−ムにより取り出
されて受け渡し台１０を介して塗布ブロック１１０に送
られる。塗布ブロック１１０では、塗布ユニット１１に
てウエハＷ上にレジストが塗布され、その後ウエハＷは
メインア−ムＡ１→受け渡し台１２→現像ブロック１２
０のメインア−ムＡ２→受け渡し台１３→インタ−フフ
ェイスステ−ション１３０→露光装置１４０の搬入ステ
−ジ１４→受け渡しア−ム１５→露光部１６の経路で搬
送されて露光される。なお塗布ブロック１１０では、レ
ジストの塗布の前後に棚ユニット１７ａにて夫々前処理
及び後処理が行われる。
のウエハＷは、図示しない受け渡しア−ムにより取り出
されて受け渡し台１０を介して塗布ブロック１１０に送
られる。塗布ブロック１１０では、塗布ユニット１１に
てウエハＷ上にレジストが塗布され、その後ウエハＷは
メインア−ムＡ１→受け渡し台１２→現像ブロック１２
０のメインア−ムＡ２→受け渡し台１３→インタ−フフ
ェイスステ−ション１３０→露光装置１４０の搬入ステ
−ジ１４→受け渡しア−ム１５→露光部１６の経路で搬
送されて露光される。なお塗布ブロック１１０では、レ
ジストの塗布の前後に棚ユニット１７ａにて夫々前処理
及び後処理が行われる。
【０００５】露光後のウエハＷは、露光装置１４０の搬
出ステ−ジ１８を介して逆経路で現像ブロック１２０に
搬送され、現像ユニット１９にて現像された後、メイン
ア−ムＡ２→受け渡し台１２→メインア−ムＡ１→受け
渡し台１０→カセットＣの経路で搬送される。現像ブロ
ック１２０では、現像処理の前後に、棚ユニット１７ｂ
にて夫々前処理及び後処理が行われる。
出ステ−ジ１８を介して逆経路で現像ブロック１２０に
搬送され、現像ユニット１９にて現像された後、メイン
ア−ムＡ２→受け渡し台１２→メインア−ムＡ１→受け
渡し台１０→カセットＣの経路で搬送される。現像ブロ
ック１２０では、現像処理の前後に、棚ユニット１７ｂ
にて夫々前処理及び後処理が行われる。
【０００６】ところで上述の塗布・現像装置では、露光
装置１４０の処理速度が早くなってきているので、塗布
処理や現像処理においても１５０枚程度以上の処理枚数
が要求されており、このため塗布ユニット１１を３基、
現像ユニット１９を４基備えると共に、レジスト塗布の
前処理として反射防止膜の形成を行う反射防止膜形成ユ
ニットを３基備えたシステムを検討している。
装置１４０の処理速度が早くなってきているので、塗布
処理や現像処理においても１５０枚程度以上の処理枚数
が要求されており、このため塗布ユニット１１を３基、
現像ユニット１９を４基備えると共に、レジスト塗布の
前処理として反射防止膜の形成を行う反射防止膜形成ユ
ニットを３基備えたシステムを検討している。
【０００７】この場合には例えばカセットステ−ション
１００と塗布ブロック１１０との間に前処理ブロックを
設け、ここに例えば反射防止膜形成ユニットとウエハＷ
の搬送を行うメインア−ムとを配置することを考えてい
る。
１００と塗布ブロック１１０との間に前処理ブロックを
設け、ここに例えば反射防止膜形成ユニットとウエハＷ
の搬送を行うメインア−ムとを配置することを考えてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述の塗布／
現像装置では、メインア−ムＡ１等の動作の確認や棚ユ
ニット１７ａ，１７ｂのメンテナンス、露光装置１４０
の搬入ステ−ジ１４や搬出ステ−ジ１８の清掃等、作業
者が装置内部のユニット等に対して作業を行う場合があ
る。一方上述の装置では、装置の小型化を図り、占有面
積を縮小するという目的から、各ブロック内部のユニッ
トの間のスペ−スはできるだけ排除されている。従って
ブロック内部には作業者のメンテナンス用のスペ−スが
確保されていないので、作業者は上述の作業を装置の外
側から行わなければならず、作業が困難で、メンテナン
ス等に時間がかかるという問題がある。
現像装置では、メインア−ムＡ１等の動作の確認や棚ユ
ニット１７ａ，１７ｂのメンテナンス、露光装置１４０
の搬入ステ−ジ１４や搬出ステ−ジ１８の清掃等、作業
者が装置内部のユニット等に対して作業を行う場合があ
る。一方上述の装置では、装置の小型化を図り、占有面
積を縮小するという目的から、各ブロック内部のユニッ
トの間のスペ−スはできるだけ排除されている。従って
ブロック内部には作業者のメンテナンス用のスペ−スが
確保されていないので、作業者は上述の作業を装置の外
側から行わなければならず、作業が困難で、メンテナン
ス等に時間がかかるという問題がある。
【０００９】また既述のような前処理ブロックをカセッ
トステ−ション１００と塗布ブロック１１０との間に配
置したレイアウトでは、カセットステ−ジ１と露光装置
１４０との距離が長くなってしまう。ここでカセットＣ
をカセットステ−ジ１に搬送する自動搬送ロボットの搬
送路はカセットステ−ジ１に沿って形成されており、こ
の搬送路はクリ−ンル−ム内にあるため、カセットステ
−ジ１からの奥行きが長いレイアウトではクリ−ンル−
ムの利用効率が悪化してしまうという問題がある。
トステ−ション１００と塗布ブロック１１０との間に配
置したレイアウトでは、カセットステ−ジ１と露光装置
１４０との距離が長くなってしまう。ここでカセットＣ
をカセットステ−ジ１に搬送する自動搬送ロボットの搬
送路はカセットステ−ジ１に沿って形成されており、こ
の搬送路はクリ−ンル−ム内にあるため、カセットステ
−ジ１からの奥行きが長いレイアウトではクリ−ンル−
ムの利用効率が悪化してしまうという問題がある。
【００１０】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、処理ステ−ションの小形化を図
りながらも当該ステ−ション内部に作業領域を確保でき
る基板処理装置を提供することにある。
のであり、その目的は、処理ステ−ションの小形化を図
りながらも当該ステ−ション内部に作業領域を確保でき
る基板処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このため本発明の基板処
理装置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置す
る載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対
して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセ
ットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続
され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理す
る処理ステ−ションと、を有し、前記処理ステ−ション
は、カセットステ−ションの長さ方向に直交する方向に
複数の処理部が配列された第１の処理ユニットと、前記
第１の処理ユニットを構成する処理部と対向するように
複数の処理部が配列された第２の処理ユニットと、第１
の処理ユニットの列に望む位置に配置され、第１の処理
ユニットを構成する処理部に対して基板の受け渡しを行
う第１の基板搬送手段と、第２の処理ユニットの列に望
む位置に配置され、第２の処理ユニットを構成する処理
部に対して基板の受け渡しを行う第２の基板搬送手段
と、を含み、前記処理ステ−ションは、前記第１の処理
ユニットと第２の処理ユニットとの間のカセットステ−
ションに隣接する領域に、作業者がメンテナンス作業を
行うための作業領域が形成されていることを特徴とす
る。
理装置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置す
る載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対
して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセ
ットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続
され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理す
る処理ステ−ションと、を有し、前記処理ステ−ション
は、カセットステ−ションの長さ方向に直交する方向に
複数の処理部が配列された第１の処理ユニットと、前記
第１の処理ユニットを構成する処理部と対向するように
複数の処理部が配列された第２の処理ユニットと、第１
の処理ユニットの列に望む位置に配置され、第１の処理
ユニットを構成する処理部に対して基板の受け渡しを行
う第１の基板搬送手段と、第２の処理ユニットの列に望
む位置に配置され、第２の処理ユニットを構成する処理
部に対して基板の受け渡しを行う第２の基板搬送手段
と、を含み、前記処理ステ−ションは、前記第１の処理
ユニットと第２の処理ユニットとの間のカセットステ−
ションに隣接する領域に、作業者がメンテナンス作業を
行うための作業領域が形成されていることを特徴とす
る。
【００１２】この際、前記処理ステ−ションは、カセッ
トステ−ションの長さ方向に直交する方向に処理部が３
個以上配列される第１の処理ユニットと、前記第１の処
理ユニットを構成する処理部と対向するように処理部が
３個以上配列される第２の処理ユニットと、第１の処理
ユニットの列に望む位置に配列され、第１の処理ユニッ
トを構成する処理部に対して基板の受け渡しを行う２個
以上の第１の基板搬送手段と、第２の処理ユニットの列
に望む位置に配列され、第２の処理ユニットを構成する
処理部に対して基板の受け渡しを行う２個以上の第２の
基板搬送手段と、を含むように構成してもよい。
トステ−ションの長さ方向に直交する方向に処理部が３
個以上配列される第１の処理ユニットと、前記第１の処
理ユニットを構成する処理部と対向するように処理部が
３個以上配列される第２の処理ユニットと、第１の処理
ユニットの列に望む位置に配列され、第１の処理ユニッ
トを構成する処理部に対して基板の受け渡しを行う２個
以上の第１の基板搬送手段と、第２の処理ユニットの列
に望む位置に配列され、第２の処理ユニットを構成する
処理部に対して基板の受け渡しを行う２個以上の第２の
基板搬送手段と、を含むように構成してもよい。
【００１３】このような発明では、第１の処理ユニット
と第２の処理ユニットとの間のカセットステ−ションに
隣接する領域に作業領域が形成されるので、処理ステ−
ション内部のメンテナンス等の作業を作業者が前記作業
領域に入り込んで行うことができ、前記作業が容易にな
る。
と第２の処理ユニットとの間のカセットステ−ションに
隣接する領域に作業領域が形成されるので、処理ステ−
ション内部のメンテナンス等の作業を作業者が前記作業
領域に入り込んで行うことができ、前記作業が容易にな
る。
【００１４】ここで前記処理ステ−ションは、第１の基
板搬送手段と第２の基板搬送手段との間で基板の受け渡
しを行うための基板の受け渡し台を備えるように構成し
てもよい。また前記第１の処理ユニット及び第２の処理
ユニットは、例えば基板に対して塗布液の塗布処理する
ものであり、具体例を上げると、前記処理ステ−ション
のカセットステ−ションの反対側に設けられた露光装置
と、処理ステ−ションのカセットステ−ションの反対側
に接続され、処理ステ−ションと露光装置との間で基板
の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ション
と、を備え、前記第１の処理ユニットは、レジスト液を
基板に対して塗布処理する処理部を含み、前記第２の処
理ユニットは、前記露光装置にて露光された基板に対し
て現像処理する処理部を含み、前記露光装置にて回路形
成領域が露光された基板に対して、基板の回路形成領域
の外側の周縁領域に対して露光を行う周縁露光装置を、
第１の処理ユニットあるいは第２の処理ユニットの一区
画に設ける構成であり、この場合には、インターフェイ
スステーションの小型化を図ることができる。
板搬送手段と第２の基板搬送手段との間で基板の受け渡
しを行うための基板の受け渡し台を備えるように構成し
てもよい。また前記第１の処理ユニット及び第２の処理
ユニットは、例えば基板に対して塗布液の塗布処理する
ものであり、具体例を上げると、前記処理ステ−ション
のカセットステ−ションの反対側に設けられた露光装置
と、処理ステ−ションのカセットステ−ションの反対側
に接続され、処理ステ−ションと露光装置との間で基板
の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ション
と、を備え、前記第１の処理ユニットは、レジスト液を
基板に対して塗布処理する処理部を含み、前記第２の処
理ユニットは、前記露光装置にて露光された基板に対し
て現像処理する処理部を含み、前記露光装置にて回路形
成領域が露光された基板に対して、基板の回路形成領域
の外側の周縁領域に対して露光を行う周縁露光装置を、
第１の処理ユニットあるいは第２の処理ユニットの一区
画に設ける構成であり、この場合には、インターフェイ
スステーションの小型化を図ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明を基板の塗布、現像
装置に適用した実施の形態について説明する。図１はこ
の実施の形態の内部を透視して示す概観図、図２は概略
平面図である。図中Ｓ１はカセットステ−ション、Ｓ２
はウエハＷに対してレジストの塗布処理や現像処理等を
行うための処理ステ−ション、Ｓ３はインタ−フェイス
ステ−ション、Ｓ４は露光装置である。
装置に適用した実施の形態について説明する。図１はこ
の実施の形態の内部を透視して示す概観図、図２は概略
平面図である。図中Ｓ１はカセットステ−ション、Ｓ２
はウエハＷに対してレジストの塗布処理や現像処理等を
行うための処理ステ−ション、Ｓ３はインタ−フェイス
ステ−ション、Ｓ４は露光装置である。
【００１６】カセットステ−ションＳ１は、複数の基板
例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば４個の基板カ
セットをなすウエハカセット（以下「カセット」とい
う）２２を載置するカセットステ−ジ２１と、カセット
ステ−ジ２１上のカセット２２と後述する処理ステ−シ
ョンＳ２の受け渡し部との間でウエハＷの受け渡しを行
なうための受け渡し手段をなす受け渡しア−ム２３とを
備えている。受け渡しア−ム２３は、昇降自在、Ｘ，Ｙ
方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されて
いる。
例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば４個の基板カ
セットをなすウエハカセット（以下「カセット」とい
う）２２を載置するカセットステ−ジ２１と、カセット
ステ−ジ２１上のカセット２２と後述する処理ステ−シ
ョンＳ２の受け渡し部との間でウエハＷの受け渡しを行
なうための受け渡し手段をなす受け渡しア−ム２３とを
備えている。受け渡しア−ム２３は、昇降自在、Ｘ，Ｙ
方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されて
いる。
【００１７】処理ステ−ションＳ２は、例えば３個の反
射防止膜形成ユニット３（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ）と、例え
ば３個の塗布ユニット４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）と、例え
ば４個の現像ユニット５（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）と、多段
の棚を有する例えば４個の棚ユニットＲ（Ｒ１，Ｒ２，
Ｒ３，Ｒ４）と、第１の基板搬送手段である複数例えば
２個の第１ウエハ搬送手段ＭＡ１及び第２ウエハ搬送手
段ＭＡ２と、第２の基板搬送手段である複数例えば２個
の第３ウエハ搬送手段ＭＡ３及び第４ウエハ搬送手段Ｍ
Ａ４と、ウエハＷの受け渡しユニット６と、周縁露光装
置７とを備えており、カセットステ−ションＳ１とイン
タ−フェイスステ−ションＳ３との間でウエハＷの受け
渡しを行うと共に、当該ステ−ションＳ２内ではウエハ
Ｗに反射防止膜を形成する処理と、ウエハＷにレジスト
を塗布する処理と、ウエハＷの現像処理と、これらの処
理の前後にウエハＷを所定の温度に加熱し、冷却する処
理とを行うように構成されている。
射防止膜形成ユニット３（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ）と、例え
ば３個の塗布ユニット４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）と、例え
ば４個の現像ユニット５（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）と、多段
の棚を有する例えば４個の棚ユニットＲ（Ｒ１，Ｒ２，
Ｒ３，Ｒ４）と、第１の基板搬送手段である複数例えば
２個の第１ウエハ搬送手段ＭＡ１及び第２ウエハ搬送手
段ＭＡ２と、第２の基板搬送手段である複数例えば２個
の第３ウエハ搬送手段ＭＡ３及び第４ウエハ搬送手段Ｍ
Ａ４と、ウエハＷの受け渡しユニット６と、周縁露光装
置７とを備えており、カセットステ−ションＳ１とイン
タ−フェイスステ−ションＳ３との間でウエハＷの受け
渡しを行うと共に、当該ステ−ションＳ２内ではウエハ
Ｗに反射防止膜を形成する処理と、ウエハＷにレジスト
を塗布する処理と、ウエハＷの現像処理と、これらの処
理の前後にウエハＷを所定の温度に加熱し、冷却する処
理とを行うように構成されている。
【００１８】このステ−ションＳ２内のレイアウトの一
例について説明すると、当該ステ−ションＳ２内におい
てカセットステ−ションＳ１から見て左側には、例えば
図３に示すように、例えば６個の処理部が３個×２段に
配列された第１の処理ユニットＵ１が設けられている。
前記処理部はカセットステ−ションＳ１の長さ方向に直
交する方向に並んで配列されており、例えば下段の処理
部には３個の反射防止膜形成ユニット３Ａ，３Ｂ，３Ｃ
が反射防止膜形成ユニット３Ａを手前にして割り当てら
れ、上段には３個の塗布ユニット４Ａ，４Ｂ，４Ｃが塗
布ユニット４Ａを手前にして夫々割り当てられている。
例について説明すると、当該ステ−ションＳ２内におい
てカセットステ−ションＳ１から見て左側には、例えば
図３に示すように、例えば６個の処理部が３個×２段に
配列された第１の処理ユニットＵ１が設けられている。
前記処理部はカセットステ−ションＳ１の長さ方向に直
交する方向に並んで配列されており、例えば下段の処理
部には３個の反射防止膜形成ユニット３Ａ，３Ｂ，３Ｃ
が反射防止膜形成ユニット３Ａを手前にして割り当てら
れ、上段には３個の塗布ユニット４Ａ，４Ｂ，４Ｃが塗
布ユニット４Ａを手前にして夫々割り当てられている。
【００１９】一方当該ステ−ションＳ２内においてカセ
ットステ−ションＳ１から見て右側には、前記第１の処
理ユニットＵ１と対向して第２の処理ユニットＵ２が配
置されている。この第２の処理ユニットＵ２も例えば６
個の処理部が３個×２段に配列されており、例えば図４
に示すように上段の３個の処理部には３個の現像ユニッ
ト５Ａ，５Ｂ，５Ｃが現像ユニット５Ａを手前にして割
り当てられ、下段のカセットステ−ションＳ１側の１個
の処理部には現像ユニット５Ｄが割り当てられている。
さらに下段の例えばカセットステ−ションＳ１から見て
現像ユニット５Ｄの奥側には周縁露光装置７が割り当て
られている。なお以後の説明ではカセットステ−ション
Ｓ１側を手前側、露光ステ−ションＳ４側を奥側として
述べることにする。
ットステ−ションＳ１から見て右側には、前記第１の処
理ユニットＵ１と対向して第２の処理ユニットＵ２が配
置されている。この第２の処理ユニットＵ２も例えば６
個の処理部が３個×２段に配列されており、例えば図４
に示すように上段の３個の処理部には３個の現像ユニッ
ト５Ａ，５Ｂ，５Ｃが現像ユニット５Ａを手前にして割
り当てられ、下段のカセットステ−ションＳ１側の１個
の処理部には現像ユニット５Ｄが割り当てられている。
さらに下段の例えばカセットステ−ションＳ１から見て
現像ユニット５Ｄの奥側には周縁露光装置７が割り当て
られている。なお以後の説明ではカセットステ−ション
Ｓ１側を手前側、露光ステ−ションＳ４側を奥側として
述べることにする。
【００２０】そして４個の棚ユニットＲと、４個のウエ
ハ搬送手段ＭＡ（ＭＡ１，ＭＡ２，ＭＡ３，ＭＡ４）
と、受け渡しユニット６とは、いずれかの棚ユニットＲ
の後述する受け渡し部を介してカセットステ−ションＳ
１及びインタ−フェイスステ−ションＳ３との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うと共に、いずれかのウエハ搬送手
段ＭＡにより、棚ユニットＲと反射防止膜形成ユニット
３、塗布ユニット４、現像ユニット５との間でウエハＷ
の受け渡しを行い、ウエハ搬送手段ＭＡ同士の間では受
け渡しユニット６を介してウエハＷの受け渡しを行うよ
うにレイアウトされる。
ハ搬送手段ＭＡ（ＭＡ１，ＭＡ２，ＭＡ３，ＭＡ４）
と、受け渡しユニット６とは、いずれかの棚ユニットＲ
の後述する受け渡し部を介してカセットステ−ションＳ
１及びインタ−フェイスステ−ションＳ３との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うと共に、いずれかのウエハ搬送手
段ＭＡにより、棚ユニットＲと反射防止膜形成ユニット
３、塗布ユニット４、現像ユニット５との間でウエハＷ
の受け渡しを行い、ウエハ搬送手段ＭＡ同士の間では受
け渡しユニット６を介してウエハＷの受け渡しを行うよ
うにレイアウトされる。
【００２１】例えばカセットステ−ションＳ１から奥側
に伸びる、第１及び第２の処理ユニットＵ１，Ｕ２の間
の領域には、カセットステ−ションＳ１に隣接して、カ
セットステ−ションＳ１から見て第１の処理ユニットＵ
１の右側に第１の棚ユニットＲ１、カセットステ−ショ
ンＳ１から見て第２の処理ユニットＵ２の左側に第３の
棚ユニットＲ３が夫々配置されると共に、インタ−フェ
イスステ−ションＳ３側には、カセットステ−ションＳ
１から見て第１の処理ユニットＵ１の右側に第２の棚ユ
ニットＲ２、カセットステ−ションＳ１から見て第２の
処理ユニットＵ２の左側に第４の棚ユニットＲ４が夫々
配置されている。
に伸びる、第１及び第２の処理ユニットＵ１，Ｕ２の間
の領域には、カセットステ−ションＳ１に隣接して、カ
セットステ−ションＳ１から見て第１の処理ユニットＵ
１の右側に第１の棚ユニットＲ１、カセットステ−ショ
ンＳ１から見て第２の処理ユニットＵ２の左側に第３の
棚ユニットＲ３が夫々配置されると共に、インタ−フェ
イスステ−ションＳ３側には、カセットステ−ションＳ
１から見て第１の処理ユニットＵ１の右側に第２の棚ユ
ニットＲ２、カセットステ−ションＳ１から見て第２の
処理ユニットＵ２の左側に第４の棚ユニットＲ４が夫々
配置されている。
【００２２】そして第１及び第２ウエハ搬送手段ＭＡ
１，ＭＡ２は、夫々例えば第１の棚ユニットＲ１と反射
防止膜形成ユニット３Ａ，３Ｂと塗布ユニット４Ａ，４
Ｂとの間、及び第１の棚ユニットＲ２と反射防止膜形成
ユニット３Ｂ，３Ｃと塗布ユニット４Ｂ，４Ｃとの間で
ウエハＷの受け渡しができるように、例えばカセットス
テ−ションＳ１から見て第１の処理ユニットＵ１の右側
の第１の棚ユニットＲ１の奥側に、第１ウエハ搬送手段
ＭＡ１を手前にして並んで配列されている。
１，ＭＡ２は、夫々例えば第１の棚ユニットＲ１と反射
防止膜形成ユニット３Ａ，３Ｂと塗布ユニット４Ａ，４
Ｂとの間、及び第１の棚ユニットＲ２と反射防止膜形成
ユニット３Ｂ，３Ｃと塗布ユニット４Ｂ，４Ｃとの間で
ウエハＷの受け渡しができるように、例えばカセットス
テ−ションＳ１から見て第１の処理ユニットＵ１の右側
の第１の棚ユニットＲ１の奥側に、第１ウエハ搬送手段
ＭＡ１を手前にして並んで配列されている。
【００２３】また第３及び第４ウエハ搬送手段ＭＡ３，
ＭＡ４は、夫々例えば第３の棚ユニットＲ３と現像ユニ
ット５Ａ，５Ｂ，５Ｄとの間、及び第４の棚ユニットＲ
４と現像ユニット５Ｂ，５Ｃと周縁露光装置７との間で
ウエハＷの受け渡しができるように、例えばカセットス
テ−ションＳ１から見て第２の処理ユニットＵ２の左側
の第３の棚ユニットＲ３の奥側に、第３ウエハ搬送手段
ＭＡ３を手前にして並んで配列されている。さらに４個
のウエハ搬送手段ＭＡで囲まれた領域には、これらのウ
エハ搬送手段ＭＡがアクセスできる位置に受け渡しユニ
ット６が配置されている。
ＭＡ４は、夫々例えば第３の棚ユニットＲ３と現像ユニ
ット５Ａ，５Ｂ，５Ｄとの間、及び第４の棚ユニットＲ
４と現像ユニット５Ｂ，５Ｃと周縁露光装置７との間で
ウエハＷの受け渡しができるように、例えばカセットス
テ−ションＳ１から見て第２の処理ユニットＵ２の左側
の第３の棚ユニットＲ３の奥側に、第３ウエハ搬送手段
ＭＡ３を手前にして並んで配列されている。さらに４個
のウエハ搬送手段ＭＡで囲まれた領域には、これらのウ
エハ搬送手段ＭＡがアクセスできる位置に受け渡しユニ
ット６が配置されている。
【００２４】前記棚ユニットＲ１（Ｒ２，Ｒ３）は、図
５に棚ユニットＲ１を代表して示すように、ウエハＷを
加熱するための加熱部２４、ウエハＷを冷却するための
冷却部２５が縦に配列されており、棚ユニットＲ１，Ｒ
２においては、カセットステ−ションＳ１との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡
し部２６が設けられ、さらに一方の棚ユニットＲ１にお
いてはウエハＷの位置合わせを行うためのアライメント
部２７が設けられている。また棚ユニットＲ４は、図６
に示すように、ウエハＷを加熱及び冷却するための加熱
冷却処理部をなすＣＨＰ装置５０と、インタ−フェイス
ステ−ションＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行うた
めの受け渡し台を備えた受け渡し部５１が縦に配列され
ている。
５に棚ユニットＲ１を代表して示すように、ウエハＷを
加熱するための加熱部２４、ウエハＷを冷却するための
冷却部２５が縦に配列されており、棚ユニットＲ１，Ｒ
２においては、カセットステ−ションＳ１との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡
し部２６が設けられ、さらに一方の棚ユニットＲ１にお
いてはウエハＷの位置合わせを行うためのアライメント
部２７が設けられている。また棚ユニットＲ４は、図６
に示すように、ウエハＷを加熱及び冷却するための加熱
冷却処理部をなすＣＨＰ装置５０と、インタ−フェイス
ステ−ションＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行うた
めの受け渡し台を備えた受け渡し部５１が縦に配列され
ている。
【００２５】前記加熱部２４は例えばヒ−タにより加熱
された加熱プレ−トの表面にウエハＷを載置することに
より、当該ウエハＷが所定温度に加熱されるようになっ
ている。また冷却部２５は冷媒の通流によって冷却され
た冷却プレ−トの表面にウエハＷを載置することによ
り、当該ウエハＷが所定温度まで冷却されるようになっ
ている。
された加熱プレ−トの表面にウエハＷを載置することに
より、当該ウエハＷが所定温度に加熱されるようになっ
ている。また冷却部２５は冷媒の通流によって冷却され
た冷却プレ−トの表面にウエハＷを載置することによ
り、当該ウエハＷが所定温度まで冷却されるようになっ
ている。
【００２６】前記ＣＨＰ装置は、例えば図６（ｂ）に示
すように、処理室５２の内部にウエハＷを加熱するため
の加熱板をなす加熱プレ−ト５３と、ウエハＷを冷却す
るための冷却板をなす冷却プレ−ト５４と、冷却プレ−
ト５４を加熱プレ−ト５３の上方側の位置と加熱プレ−
ト５３の隣の位置との間で移動させる搬送手段５５とを
備えている。この装置では先ずウエハＷを加熱プレ−ト
５３に載置して所定温度に加熱した後、ウエハＷを図示
しない突出ピンで持ち上げて加熱プレ−ト５３表面から
浮上させると共に、冷却プレ−ト５４をウエハＷの下方
側に位置させ、突出ピンと搬送手段５５との協動作用に
よりウエハＷを冷却プレ−ト５４に受け渡し、こうして
ウエハＷが所定温度まで冷却されるようになっており、
搬送手段５５による加熱プレ−ト５３と冷却プレ−ト５
４との間のウエハＷの受け渡しによって加熱時間が制御
されるので、オ−バ−ベ−クが防止される。
すように、処理室５２の内部にウエハＷを加熱するため
の加熱板をなす加熱プレ−ト５３と、ウエハＷを冷却す
るための冷却板をなす冷却プレ−ト５４と、冷却プレ−
ト５４を加熱プレ−ト５３の上方側の位置と加熱プレ−
ト５３の隣の位置との間で移動させる搬送手段５５とを
備えている。この装置では先ずウエハＷを加熱プレ−ト
５３に載置して所定温度に加熱した後、ウエハＷを図示
しない突出ピンで持ち上げて加熱プレ−ト５３表面から
浮上させると共に、冷却プレ−ト５４をウエハＷの下方
側に位置させ、突出ピンと搬送手段５５との協動作用に
よりウエハＷを冷却プレ−ト５４に受け渡し、こうして
ウエハＷが所定温度まで冷却されるようになっており、
搬送手段５５による加熱プレ−ト５３と冷却プレ−ト５
４との間のウエハＷの受け渡しによって加熱時間が制御
されるので、オ−バ−ベ−クが防止される。
【００２７】また塗布ユニット４について例えば図７に
基づいて説明すると、４１はカップであり、このカップ
４１内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャッ
ク４２が設けられている。このスピンチャック４２は昇
降機構４３により昇降自在に構成されており、カップ４
１の上方側に位置しているときに、前記ウエハ搬送手段
ＭＡの後述するア−ムとの間でウエハＷの受け渡しが行
われる。
基づいて説明すると、４１はカップであり、このカップ
４１内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャッ
ク４２が設けられている。このスピンチャック４２は昇
降機構４３により昇降自在に構成されており、カップ４
１の上方側に位置しているときに、前記ウエハ搬送手段
ＭＡの後述するア−ムとの間でウエハＷの受け渡しが行
われる。
【００２８】このウエハＷの受け渡しについては、ア−
ム上のウエハＷをカップ４１の上方側にてスピンチャッ
ク４２がその下方側から相対的に上昇して受取り、また
その逆の動作によってスピンチャック４２側からア−ム
ＤＡに受け渡される。４４は吐出ノズル、４５はレジス
ト液供給管、４６はノズルを水平移動させる支持ア−ム
であり、このような塗布ユニット４では、スピンチャッ
ク４２上のウエハＷの表面に吐出ノズル４４から塗布液
であるレジスト液を滴下し、スピンチャック４２を回転
させてレジスト液をウエハＷ上に伸展させ塗布する。
ム上のウエハＷをカップ４１の上方側にてスピンチャッ
ク４２がその下方側から相対的に上昇して受取り、また
その逆の動作によってスピンチャック４２側からア−ム
ＤＡに受け渡される。４４は吐出ノズル、４５はレジス
ト液供給管、４６はノズルを水平移動させる支持ア−ム
であり、このような塗布ユニット４では、スピンチャッ
ク４２上のウエハＷの表面に吐出ノズル４４から塗布液
であるレジスト液を滴下し、スピンチャック４２を回転
させてレジスト液をウエハＷ上に伸展させ塗布する。
【００２９】また反射防止膜形成ユニット３及び現像ユ
ニット５は塗布ユニット４とほぼ同一の構成であるが、
現像ユニット５は吐出ノズル４４が例えばウエハＷの直
径方向に配列された多数の供給孔を備えるように構成さ
れ、スピンチャック４２上のウエハＷの表面に吐出ノズ
ル４４から塗布液である現像液を吐出し、スピンチャッ
ク４２を半回転させることによりウエハＷ上に現像液の
液盛りが行われ、現像液の液膜が形成されるようになっ
ている。
ニット５は塗布ユニット４とほぼ同一の構成であるが、
現像ユニット５は吐出ノズル４４が例えばウエハＷの直
径方向に配列された多数の供給孔を備えるように構成さ
れ、スピンチャック４２上のウエハＷの表面に吐出ノズ
ル４４から塗布液である現像液を吐出し、スピンチャッ
ク４２を半回転させることによりウエハＷ上に現像液の
液盛りが行われ、現像液の液膜が形成されるようになっ
ている。
【００３０】前記ウエハ搬送手段ＭＡ１，ＭＡ２，ＭＡ
３，ＭＡ４は同一に構成され、例えば図８に示すよう
に、ウエハＷを保持するア−ム６１と、このア−ム６１
を進退自在に支持する基台６２と、この基台６２を昇降
自在に支持する一対の案内レ−ル６３，６４と、これら
案内レ−ル６３，６４の上端及び下端を夫々連結する連
結部材６５，６６と、案内レ−ル６３，６４及び連結部
材６５，６６よりなる枠体を鉛直軸まわりに回転自在に
駆動するために案内レ−ル下端の連結部材６６に一体的
に取り付けられた回転駆動部６７と、案内レ−ル上端の
連結部材６５に設けられた回転軸部６８と、を備えてい
る。
３，ＭＡ４は同一に構成され、例えば図８に示すよう
に、ウエハＷを保持するア−ム６１と、このア−ム６１
を進退自在に支持する基台６２と、この基台６２を昇降
自在に支持する一対の案内レ−ル６３，６４と、これら
案内レ−ル６３，６４の上端及び下端を夫々連結する連
結部材６５，６６と、案内レ−ル６３，６４及び連結部
材６５，６６よりなる枠体を鉛直軸まわりに回転自在に
駆動するために案内レ−ル下端の連結部材６６に一体的
に取り付けられた回転駆動部６７と、案内レ−ル上端の
連結部材６５に設けられた回転軸部６８と、を備えてい
る。
【００３１】ア−ム６１は、夫々ウエハＷを保持し得る
ように３段構成になっており、その各段に夫々設けられ
た例えば３片の爪部６９の上にウエハＷの周縁を載せる
ようになっている。ア−ム６１の基端部は基台６２の長
手方向に設けられた案内溝６０に沿ってスライド移動し
得るようになっている。そのスライド移動によるア−ム
６１の進退移動は、図示しない駆動手段により駆動制御
される。また基台６２の昇降移動は、図示しない別の駆
動手段により駆動制御される。従ってそれら２つの図示
しない駆動手段、案内溝６０、前記案内レ−ル６３，６
４及び前記回転駆動部６７は、ア−ム６１を鉛直軸まわ
りに回転自在かつ昇降自在かつ進退自在に駆動する駆動
部を構成している。なお６９ａは、ア−ム６１の上にウ
エハＷが有るか無いかを検出する光センサを取り付けた
センサ支持部材であり、基台６２に固定されている。
ように３段構成になっており、その各段に夫々設けられ
た例えば３片の爪部６９の上にウエハＷの周縁を載せる
ようになっている。ア−ム６１の基端部は基台６２の長
手方向に設けられた案内溝６０に沿ってスライド移動し
得るようになっている。そのスライド移動によるア−ム
６１の進退移動は、図示しない駆動手段により駆動制御
される。また基台６２の昇降移動は、図示しない別の駆
動手段により駆動制御される。従ってそれら２つの図示
しない駆動手段、案内溝６０、前記案内レ−ル６３，６
４及び前記回転駆動部６７は、ア−ム６１を鉛直軸まわ
りに回転自在かつ昇降自在かつ進退自在に駆動する駆動
部を構成している。なお６９ａは、ア−ム６１の上にウ
エハＷが有るか無いかを検出する光センサを取り付けた
センサ支持部材であり、基台６２に固定されている。
【００３２】前記ウエハの受け渡しユニット６は、ウエ
ハ搬送手段ＭＡ同士例えば第２ウエハ搬送手段ＭＡ２と
第４ウエハ搬送手段ＭＡ４との間でウエハＷを受け渡し
を行うために用いられるものであり、例えば図９に示す
ように、複数例えば３個のウエハＷの受け渡し台６０が
縦に配列されている。この受け渡し台６０は例えばプレ
−トの上面のウエハＷのほぼ中央部に対応する位置にウ
エハ搬送手段ＭＡのア−ム６１が緩衝しない程度の高さ
の複数のピンを備えており、これらピン上にウエハＷを
載置してからア−ム６１を下降させ、次いでア−ム６１
を退行させることにより、受け渡し台６０にウエハＷを
受け渡すように構成されている。なお棚ユニットＲの受
け渡し部２６，５１も同様に構成されている。
ハ搬送手段ＭＡ同士例えば第２ウエハ搬送手段ＭＡ２と
第４ウエハ搬送手段ＭＡ４との間でウエハＷを受け渡し
を行うために用いられるものであり、例えば図９に示す
ように、複数例えば３個のウエハＷの受け渡し台６０が
縦に配列されている。この受け渡し台６０は例えばプレ
−トの上面のウエハＷのほぼ中央部に対応する位置にウ
エハ搬送手段ＭＡのア−ム６１が緩衝しない程度の高さ
の複数のピンを備えており、これらピン上にウエハＷを
載置してからア−ム６１を下降させ、次いでア−ム６１
を退行させることにより、受け渡し台６０にウエハＷを
受け渡すように構成されている。なお棚ユニットＲの受
け渡し部２６，５１も同様に構成されている。
【００３３】前記周縁露光装置７は、露光ステ−ション
Ｓ４にて回路形成領域であるデバイス領域の露光を行っ
た後に、デバイス領域の外側の周縁領域について、この
領域のレジストを残しておくと後の工程でパ−ティクル
の発生原因となるおそれがあるために露光を行うもので
ある。この装置は、例えば図９及び図１０に示すよう
に、ウエハＷの搬送口７０を有する筐体７１内に、例え
ばウエハＷを真空吸着するチャック７２を設けると共
に、ウエハＷの周縁を露光する露光部７３を設けてな
る。チャック７２は回転機構７４及びＸ機構７５により
鉛直軸まわりに回転自在でかつＸ方向に移動できるよう
になっている。図中７６はウエハＷの周縁を検出する周
縁検出部であり、ウエハＷの周縁の通過領域を上下に挟
むように例えば発光部７６ａ及び受光部７６ｂを設けた
ラインセンサ−よりなる。
Ｓ４にて回路形成領域であるデバイス領域の露光を行っ
た後に、デバイス領域の外側の周縁領域について、この
領域のレジストを残しておくと後の工程でパ−ティクル
の発生原因となるおそれがあるために露光を行うもので
ある。この装置は、例えば図９及び図１０に示すよう
に、ウエハＷの搬送口７０を有する筐体７１内に、例え
ばウエハＷを真空吸着するチャック７２を設けると共
に、ウエハＷの周縁を露光する露光部７３を設けてな
る。チャック７２は回転機構７４及びＸ機構７５により
鉛直軸まわりに回転自在でかつＸ方向に移動できるよう
になっている。図中７６はウエハＷの周縁を検出する周
縁検出部であり、ウエハＷの周縁の通過領域を上下に挟
むように例えば発光部７６ａ及び受光部７６ｂを設けた
ラインセンサ−よりなる。
【００３４】このような装置では、ウエハＷは第４ウエ
ハ搬送手段ＭＡ４のア−ム６１により、筐体７１内にチ
ャック７２に受け渡され、チャック７２により例えば１
回転する。このとき周縁検出部７６によりウエハＷの周
縁つまり輪郭を検出する。周縁検出部７６と露光部７３
との位置関係が決まっているので、輪郭の検出デ−タに
基づいて制御部７７は露光部７３に対してウエハＷがど
のような位置にあるかを把握できる。即ち露光部７３の
露光スポット位置に対してウエハＷの中心部がどこにあ
り、例えばノッチＮがどこにあるかが分かる。なおノッ
チＮはウエハＷの結晶の方向を示すためのＶ字状の溝で
あり、オリフラに変わるものである。続いて前記検出デ
−タに基づいて、ウエハＷの周縁領域（周縁から若干内
側に至る領域であって、デバイス領域の外側の領域）に
露光スポットが位置するように回転機構７４及びＸ機構
７５をコントロ−ルするして、前記周縁領域の露光が行
われる。
ハ搬送手段ＭＡ４のア−ム６１により、筐体７１内にチ
ャック７２に受け渡され、チャック７２により例えば１
回転する。このとき周縁検出部７６によりウエハＷの周
縁つまり輪郭を検出する。周縁検出部７６と露光部７３
との位置関係が決まっているので、輪郭の検出デ−タに
基づいて制御部７７は露光部７３に対してウエハＷがど
のような位置にあるかを把握できる。即ち露光部７３の
露光スポット位置に対してウエハＷの中心部がどこにあ
り、例えばノッチＮがどこにあるかが分かる。なおノッ
チＮはウエハＷの結晶の方向を示すためのＶ字状の溝で
あり、オリフラに変わるものである。続いて前記検出デ
−タに基づいて、ウエハＷの周縁領域（周縁から若干内
側に至る領域であって、デバイス領域の外側の領域）に
露光スポットが位置するように回転機構７４及びＸ機構
７５をコントロ−ルするして、前記周縁領域の露光が行
われる。
【００３５】こうして処理ステ−ションＳ２では、第１
ウエハ搬送手段ＭＡ１によって棚ユニットＲ１と、反射
防止膜形成ユニット３Ａ，３Ｂと、塗布ユニット４Ａ，
４Ｂと、受け渡しユニット６とに対してウエハＷの受け
渡しが行われ、第２ウエハ搬送手段ＭＡ２によって棚ユ
ニットＲ２と、反射防止膜形成ユニット３Ｂ，３Ｃと、
塗布ユニット４Ｂ，４Ｃと、受け渡しユニット６とに対
してウエハＷの受け渡しが行われ、第３ウエハ搬送手段
ＭＡ３によって棚ユニットＲ３と、現像ユニット５Ａ，
５Ｂ，５Ｄと、受け渡しユニット６とに対してウエハＷ
の受け渡しが行われ、第４ウエハ搬送手段ＭＡ４によっ
て棚ユニットＲ４と、現像ユニット５Ｂ，５Ｃと、受け
渡しユニット６と、周縁露光装置７とに対してウエハＷ
の受け渡しが行われる。
ウエハ搬送手段ＭＡ１によって棚ユニットＲ１と、反射
防止膜形成ユニット３Ａ，３Ｂと、塗布ユニット４Ａ，
４Ｂと、受け渡しユニット６とに対してウエハＷの受け
渡しが行われ、第２ウエハ搬送手段ＭＡ２によって棚ユ
ニットＲ２と、反射防止膜形成ユニット３Ｂ，３Ｃと、
塗布ユニット４Ｂ，４Ｃと、受け渡しユニット６とに対
してウエハＷの受け渡しが行われ、第３ウエハ搬送手段
ＭＡ３によって棚ユニットＲ３と、現像ユニット５Ａ，
５Ｂ，５Ｄと、受け渡しユニット６とに対してウエハＷ
の受け渡しが行われ、第４ウエハ搬送手段ＭＡ４によっ
て棚ユニットＲ４と、現像ユニット５Ｂ，５Ｃと、受け
渡しユニット６と、周縁露光装置７とに対してウエハＷ
の受け渡しが行われる。
【００３６】また処理ステ−ションＳ２の第１の処理ユ
ニットＵ１と第２の処理ユニットＵ２の間の領域には外
側に４個の棚ユニットＲが配置され、内側に４個のウエ
ハ搬送手段ＭＡが配置されているので、第１の棚ユニッ
トＲ１と第３の棚ユニットＲ３との間のカセットステ−
ションＳ１に隣接した領域と、第２の棚ユニットＲ２と
第４の棚ユニットＲ４との間のインタ−フェイスステ−
ションＳ３に隣接した領域には、作業者が入り込める作
業領域ＳＰ１，ＳＰ２が形成されることとなる。
ニットＵ１と第２の処理ユニットＵ２の間の領域には外
側に４個の棚ユニットＲが配置され、内側に４個のウエ
ハ搬送手段ＭＡが配置されているので、第１の棚ユニッ
トＲ１と第３の棚ユニットＲ３との間のカセットステ−
ションＳ１に隣接した領域と、第２の棚ユニットＲ２と
第４の棚ユニットＲ４との間のインタ−フェイスステ−
ションＳ３に隣接した領域には、作業者が入り込める作
業領域ＳＰ１，ＳＰ２が形成されることとなる。
【００３７】さらに第２の処理ユニットＵ２は、他の領
域とは空間が閉じられている。つまり左右が装置本体の
外装体である壁部分であり、ウエハ搬送手段ＭＡが設け
られた領域との間に仕切り壁２００が設けられ（図１１
参照）、更に天井部にフィルタユニットＦを通って中に
入っていくように構成されているということであり、フ
ィルタユニットＦは例えば処理ステ−ションＳ２の上方
側を覆うように設けられている。仕切り壁には図示しな
いウエハＷの受け渡し口が形成されている。
域とは空間が閉じられている。つまり左右が装置本体の
外装体である壁部分であり、ウエハ搬送手段ＭＡが設け
られた領域との間に仕切り壁２００が設けられ（図１１
参照）、更に天井部にフィルタユニットＦを通って中に
入っていくように構成されているということであり、フ
ィルタユニットＦは例えば処理ステ−ションＳ２の上方
側を覆うように設けられている。仕切り壁には図示しな
いウエハＷの受け渡し口が形成されている。
【００３８】フィルタユニットＦは、空気を清浄化する
ためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアンモニ
ア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されてい
る化学フィルタ、吸い込みファン、及び加熱機構や加湿
機構などを備えており、清浄化され、アルカリ成分が除
去され、所定の温度及び湿度に調整された空気を下方側
の処理空間内に送出するようになっている。例えばレジ
スト液として化学増幅型のレジストを用いた場合には、
現像処理雰囲気にアルカリ成分が入り込みことを防止す
る必要があるので、現像ステ−ションＳ３内を閉じた空
間とし、化学フィルタを用いて外部からのアルカリ成分
の侵入を防いでいる。
ためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアンモニ
ア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されてい
る化学フィルタ、吸い込みファン、及び加熱機構や加湿
機構などを備えており、清浄化され、アルカリ成分が除
去され、所定の温度及び湿度に調整された空気を下方側
の処理空間内に送出するようになっている。例えばレジ
スト液として化学増幅型のレジストを用いた場合には、
現像処理雰囲気にアルカリ成分が入り込みことを防止す
る必要があるので、現像ステ−ションＳ３内を閉じた空
間とし、化学フィルタを用いて外部からのアルカリ成分
の侵入を防いでいる。
【００３９】なお化学増幅型のレジストは露光すること
により酸が生成し、この酸が加熱処理により拡散して触
媒として作用し、レジスト材料の主成分であるベ−ス樹
脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶
化するものである。従ってこの種のレジストを用いた場
合、空気中に含まれている微量なアンモニアや壁の塗料
などから発生するアミンなどのアルカリ成分がレジスト
表面部の酸と接触すると酸による触媒反応が抑制され、
パタ−ンの形状が劣化するためアルカリ成分を除去する
必要がある。
により酸が生成し、この酸が加熱処理により拡散して触
媒として作用し、レジスト材料の主成分であるベ−ス樹
脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶
化するものである。従ってこの種のレジストを用いた場
合、空気中に含まれている微量なアンモニアや壁の塗料
などから発生するアミンなどのアルカリ成分がレジスト
表面部の酸と接触すると酸による触媒反応が抑制され、
パタ−ンの形状が劣化するためアルカリ成分を除去する
必要がある。
【００４０】装置全体の説明に戻ると、処理ステ−ショ
ンＳ２の隣にはインタ−フェイスステ−ションＳ３が接
続され、このインタ−フェイスステ−ションＳ３の奥側
には、レジスト膜が形成されたウエハＷに対して露光を
行うための露光装置Ｓ４が接続されている。インタ−フ
ェイスステ−ションＳ３は、処理ステ−ションＳ２と露
光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための受
け渡しア−ム８１を備えている。この受け渡しア−ム８
１は前記第４の棚ユニットＲ４の受け渡し部５１に対し
てウエハＷの受け渡しを行う位置に配置されており、こ
のためインタ−フェイスステ−ションＳ２は第２の処理
ユニットＵ２側に設けられていて、しかもＹ方向の長さ
が処理ステ−ションＳ２に比べて短いので、処理ステ−
ションＳ２の第１の処理ユニットＵ１側に隣接した領域
には作業者が入り込めるスペ−スが確保されている。
ンＳ２の隣にはインタ−フェイスステ−ションＳ３が接
続され、このインタ−フェイスステ−ションＳ３の奥側
には、レジスト膜が形成されたウエハＷに対して露光を
行うための露光装置Ｓ４が接続されている。インタ−フ
ェイスステ−ションＳ３は、処理ステ−ションＳ２と露
光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための受
け渡しア−ム８１を備えている。この受け渡しア−ム８
１は前記第４の棚ユニットＲ４の受け渡し部５１に対し
てウエハＷの受け渡しを行う位置に配置されており、こ
のためインタ−フェイスステ−ションＳ２は第２の処理
ユニットＵ２側に設けられていて、しかもＹ方向の長さ
が処理ステ−ションＳ２に比べて短いので、処理ステ−
ションＳ２の第１の処理ユニットＵ１側に隣接した領域
には作業者が入り込めるスペ−スが確保されている。
【００４１】また露光装置Ｓ４には、ウエハＷデバイス
領域の露光を行うための露光部８２と、前記受け渡しア
−ム８１との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬入
ステ−ジ８３及び搬出ステ−ジ８４と、搬入ステ−ジ８
３あるいは搬出ステ−ジ８４と露光部８２との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うための受け渡しア−ム８５とを備
えている。前記搬入ステ−ジ８３及び搬出ステ−ジ８４
は、例えばインタ−フェイスステ−ションＳ３のカセッ
トステ−ションＳ１から見て左端に近い位置の、処理ス
テ−ションＳ２と露光装置Ｓ４との間の空間に近い位置
に配置されている。
領域の露光を行うための露光部８２と、前記受け渡しア
−ム８１との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬入
ステ−ジ８３及び搬出ステ−ジ８４と、搬入ステ−ジ８
３あるいは搬出ステ−ジ８４と露光部８２との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うための受け渡しア−ム８５とを備
えている。前記搬入ステ−ジ８３及び搬出ステ−ジ８４
は、例えばインタ−フェイスステ−ションＳ３のカセッ
トステ−ションＳ１から見て左端に近い位置の、処理ス
テ−ションＳ２と露光装置Ｓ４との間の空間に近い位置
に配置されている。
【００４２】次に上述の実施の形態の作用について説明
する。先ず自動搬送ロボット（あるいは作業者）により
例えば２５枚のウエハＷを収納したカセット２２がカセ
ットステ−ジ２１に搬入され、受け渡しア−ム２３によ
り、カセット２２内からウエハＷが取り出されて処理ス
テ−ションＳ２の棚ユニットＲ１内の受け渡し部２６に
置かれる。次いでウエハＷは例えば第１ウエハ搬送手段
ＭＡ１にて反射防止膜形成ユニット３Ａに搬送され、こ
こで反射防止膜が形成される。このように反射防止膜を
形成するのは、化学増幅型のレジストを用いると露光時
にレジストの下側で反射が起こるので、これを防止する
ためである。
する。先ず自動搬送ロボット（あるいは作業者）により
例えば２５枚のウエハＷを収納したカセット２２がカセ
ットステ−ジ２１に搬入され、受け渡しア−ム２３によ
り、カセット２２内からウエハＷが取り出されて処理ス
テ−ションＳ２の棚ユニットＲ１内の受け渡し部２６に
置かれる。次いでウエハＷは例えば第１ウエハ搬送手段
ＭＡ１にて反射防止膜形成ユニット３Ａに搬送され、こ
こで反射防止膜が形成される。このように反射防止膜を
形成するのは、化学増幅型のレジストを用いると露光時
にレジストの下側で反射が起こるので、これを防止する
ためである。
【００４３】次いでウエハＷは、例えば第１ウエハ搬送
手段ＭＡ１→第１の棚ユニットＲ１の加熱部２４→冷却
部２５→塗布ユニット４Ｂの経路で搬送されて、加熱部
２４にて所定温度まで加熱され、冷却部２５にて所定温
度まで冷却された後、塗布ユニット４Ｂにてレジストが
塗布される。続いて塗布ユニット４ＢのウエハＷは例え
ば第２ウエハ搬送手段ＭＡ２→第２の棚ユニットＲ２の
加熱部２４→冷却部２５の経路で搬送されて、加熱部２
４にて所定温度まで加熱され、冷却部２５にて所定温度
まで冷却される。この後ウエハＷは、例えば第２ウエハ
搬送手段ＭＡ２→受け渡しユニット６の受け渡し台６０
→第４ウエハ搬送手段ＭＡ４→第４の棚ユニットＲ４の
受け渡し部５１→インタ−フェイスステ−ションＳ３の
受け渡しア−ム８１→露光装置Ｓ４の搬入ステ−ジ８３
→受け渡しア−ム８５→露光部８２の経路で搬送され、
デバイス領域の露光が行われる。
手段ＭＡ１→第１の棚ユニットＲ１の加熱部２４→冷却
部２５→塗布ユニット４Ｂの経路で搬送されて、加熱部
２４にて所定温度まで加熱され、冷却部２５にて所定温
度まで冷却された後、塗布ユニット４Ｂにてレジストが
塗布される。続いて塗布ユニット４ＢのウエハＷは例え
ば第２ウエハ搬送手段ＭＡ２→第２の棚ユニットＲ２の
加熱部２４→冷却部２５の経路で搬送されて、加熱部２
４にて所定温度まで加熱され、冷却部２５にて所定温度
まで冷却される。この後ウエハＷは、例えば第２ウエハ
搬送手段ＭＡ２→受け渡しユニット６の受け渡し台６０
→第４ウエハ搬送手段ＭＡ４→第４の棚ユニットＲ４の
受け渡し部５１→インタ−フェイスステ−ションＳ３の
受け渡しア−ム８１→露光装置Ｓ４の搬入ステ−ジ８３
→受け渡しア−ム８５→露光部８２の経路で搬送され、
デバイス領域の露光が行われる。
【００４４】露光後のウエハＷは逆の経路、つまり露光
部８２→受け渡しア−ム８５→搬出ステ−ジ８３→イン
タ−フェイスステ−ションＳ４の受け渡しア−ム８１→
第４の棚ユニットＲ４の受け渡し部５１→第４ウエハ搬
送手段ＭＡ４の経路にて処理ステ−ションＳ２に搬送さ
れ、先ず第４ウエハ搬送手段ＭＡ４により周縁露光装置
７に搬送されて、デバイス領域の周縁領域の露光が行わ
れる。続いてウエハＷは例えば第４ウエハ搬送手段ＭＡ
４→第４の棚ユニットＲ４のＣＨＰ装置５０の経路で搬
送され、ここで所定温度まで加熱された後、オ−バ−ベ
−クを抑えるために所定温度まで冷却される。次いでウ
エハＷは例えば第４ウエハ搬送手段ＭＡ４→現像ユニッ
ト５Ｂに搬送され、当該ユニット５Ｂにて現像処理され
る。
部８２→受け渡しア−ム８５→搬出ステ−ジ８３→イン
タ−フェイスステ−ションＳ４の受け渡しア−ム８１→
第４の棚ユニットＲ４の受け渡し部５１→第４ウエハ搬
送手段ＭＡ４の経路にて処理ステ−ションＳ２に搬送さ
れ、先ず第４ウエハ搬送手段ＭＡ４により周縁露光装置
７に搬送されて、デバイス領域の周縁領域の露光が行わ
れる。続いてウエハＷは例えば第４ウエハ搬送手段ＭＡ
４→第４の棚ユニットＲ４のＣＨＰ装置５０の経路で搬
送され、ここで所定温度まで加熱された後、オ−バ−ベ
−クを抑えるために所定温度まで冷却される。次いでウ
エハＷは例えば第４ウエハ搬送手段ＭＡ４→現像ユニッ
ト５Ｂに搬送され、当該ユニット５Ｂにて現像処理され
る。
【００４５】その後ウエハＷは例えば第３ウエハ搬送手
段ＭＡ３→第３の棚ユニットＲ３の加熱部２４→冷却部
２５の経路で搬送され、一旦所定温度まで加熱された
後、所定温度まで冷却される。そしてウエハＷは例えば
第３ウエハ搬送手段ＭＡ３により第３の棚ユニットＲ３
の受け渡し部２６を介して例えば元のカセット２２内に
戻される。
段ＭＡ３→第３の棚ユニットＲ３の加熱部２４→冷却部
２５の経路で搬送され、一旦所定温度まで加熱された
後、所定温度まで冷却される。そしてウエハＷは例えば
第３ウエハ搬送手段ＭＡ３により第３の棚ユニットＲ３
の受け渡し部２６を介して例えば元のカセット２２内に
戻される。
【００４６】ここで処理ステ−ションＳ２では、ウエハ
Ｗは順次第１の棚ユニットＲ１の受け渡し部２６に送ら
れ、空いている反射防止膜形成ユニット３→空いている
加熱部２４→空いている冷却部２５→空いている塗布ユ
ニット４→空いている加熱部２４→空いている冷却部２
５の経路で搬送され、また露光後のウエハＷは周縁露光
装置７→空いているＣＨＰ装置５０→空いている現像ユ
ニット５→空いている加熱部２４→空いている冷却部２
５の経路で搬送される。このためウエハ搬送手段ＭＡ同
士の間でウエハＷの受け渡しが必要になる場合がある
が、このときには受け渡しユニット６を介して受け渡し
が行われる。
Ｗは順次第１の棚ユニットＲ１の受け渡し部２６に送ら
れ、空いている反射防止膜形成ユニット３→空いている
加熱部２４→空いている冷却部２５→空いている塗布ユ
ニット４→空いている加熱部２４→空いている冷却部２
５の経路で搬送され、また露光後のウエハＷは周縁露光
装置７→空いているＣＨＰ装置５０→空いている現像ユ
ニット５→空いている加熱部２４→空いている冷却部２
５の経路で搬送される。このためウエハ搬送手段ＭＡ同
士の間でウエハＷの受け渡しが必要になる場合がある
が、このときには受け渡しユニット６を介して受け渡し
が行われる。
【００４７】上述実施の形態では、処理ステ−ションＳ
２は、第１の処理ユニットＵ１と第２の処理ユニットＵ
２とがカセットステ−ションＳ１から見て左右に夫々対
向するように設けられており、これら第１及び第２の処
理ユニットＵ１，Ｕ２の間の領域には、夫々の処理ユニ
ットＵ１，Ｕ２の列に臨む位置に２個の棚ユニットＲと
２個のウエハ搬送手段ＭＡが並んで設けられているの
で、装置全体としてカセットステ−ションＳ１からの奥
行きが短くなって小型化が図れると共に、結果としてカ
セットステ−ションＳ１から見て第１及び第３の棚ユニ
ットＲ１，Ｒ３の間の領域と、第２及び第４の棚ユニッ
トＲ２，Ｒ４の間の領域が広くなり、この領域を作業領
域ＳＰ１，ＳＰ２として確保することができる。このよ
うに広い作業エリアを確保できると、作業者がこのエリ
アに入り込んで、棚ユニットＲのメンテナンスやウエハ
搬送手段ＭＡの動作の確認作業を行うことができるの
で、これらの作業を装置の外側から行っていた場合に比
べて作業が容易になり、作業時間を短縮することができ
る。
２は、第１の処理ユニットＵ１と第２の処理ユニットＵ
２とがカセットステ−ションＳ１から見て左右に夫々対
向するように設けられており、これら第１及び第２の処
理ユニットＵ１，Ｕ２の間の領域には、夫々の処理ユニ
ットＵ１，Ｕ２の列に臨む位置に２個の棚ユニットＲと
２個のウエハ搬送手段ＭＡが並んで設けられているの
で、装置全体としてカセットステ−ションＳ１からの奥
行きが短くなって小型化が図れると共に、結果としてカ
セットステ−ションＳ１から見て第１及び第３の棚ユニ
ットＲ１，Ｒ３の間の領域と、第２及び第４の棚ユニッ
トＲ２，Ｒ４の間の領域が広くなり、この領域を作業領
域ＳＰ１，ＳＰ２として確保することができる。このよ
うに広い作業エリアを確保できると、作業者がこのエリ
アに入り込んで、棚ユニットＲのメンテナンスやウエハ
搬送手段ＭＡの動作の確認作業を行うことができるの
で、これらの作業を装置の外側から行っていた場合に比
べて作業が容易になり、作業時間を短縮することができ
る。
【００４８】また処理ステ−ションＳ２では、第１及び
第２の処理ユニットＵ１，Ｕ２の夫々の列に臨む位置に
ウエハ搬送手段ＭＡが設けられているので、露光装置Ｓ
４にウエハＷを搬送する往路と、露光装置Ｓ４からの復
路との間で、搬送経路をオ−バ−ラップさせることな
く、ウエハＷを搬送することができる。このため搬送経
路に無駄がなく、短時間でウエハＷを搬送することがで
きる。
第２の処理ユニットＵ１，Ｕ２の夫々の列に臨む位置に
ウエハ搬送手段ＭＡが設けられているので、露光装置Ｓ
４にウエハＷを搬送する往路と、露光装置Ｓ４からの復
路との間で、搬送経路をオ−バ−ラップさせることな
く、ウエハＷを搬送することができる。このため搬送経
路に無駄がなく、短時間でウエハＷを搬送することがで
きる。
【００４９】さらに上述実施の形態のレイアウトでは、
既述のように処理ステ−ションＳ２はＹ方向の長さが大
きくなるものの、Ｘ方向の長さが小さくなる。このため
カセットステ−ションＳ１と露光装置Ｓ４との距離が短
くなって、カセットステ−ションＳ１からの奥行きが短
くなるので、クリ−ンル−ムの利用効率を向上させるこ
とができる。
既述のように処理ステ−ションＳ２はＹ方向の長さが大
きくなるものの、Ｘ方向の長さが小さくなる。このため
カセットステ−ションＳ１と露光装置Ｓ４との距離が短
くなって、カセットステ−ションＳ１からの奥行きが短
くなるので、クリ−ンル−ムの利用効率を向上させるこ
とができる。
【００５０】さらにまた上述実施の形態のレイアウトで
は、従来はインタ−フェイスステ−ションＳ３に設けら
れていた周縁露光装置７を第２の処理ユニットＵ２に収
納し、第４ウエハ搬送手段ＭＡ４により周縁露光装置に
対してウエハＷの受け渡しを行い、また第４の棚ユニッ
トＲ４の受け渡し部５１を介してインタ−フェイスステ
−ションＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行うように
したので、インタ−フェイスステ−ションＳ３には受け
渡しア−ム８１のみが設けられることとなって当該ステ
−ションＳ３を小型化することができる。なお従来のよ
うに周縁露光装置７をインタ−フェイスステ−ションＳ
３に設ける構成では、当該ステ−ションＳ３に周縁露光
装置７への受け渡しア−ムと、ト−タルの搬送容量を大
きくして高速処理を行うために露光装置Ｓ４との間の専
用の受け渡しア−ムとを設ける必要があり、インタ−フ
ェイスステ−ションＳ３が大型化してしまう。
は、従来はインタ−フェイスステ−ションＳ３に設けら
れていた周縁露光装置７を第２の処理ユニットＵ２に収
納し、第４ウエハ搬送手段ＭＡ４により周縁露光装置に
対してウエハＷの受け渡しを行い、また第４の棚ユニッ
トＲ４の受け渡し部５１を介してインタ−フェイスステ
−ションＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行うように
したので、インタ−フェイスステ−ションＳ３には受け
渡しア−ム８１のみが設けられることとなって当該ステ
−ションＳ３を小型化することができる。なお従来のよ
うに周縁露光装置７をインタ−フェイスステ−ションＳ
３に設ける構成では、当該ステ−ションＳ３に周縁露光
装置７への受け渡しア−ムと、ト−タルの搬送容量を大
きくして高速処理を行うために露光装置Ｓ４との間の専
用の受け渡しア−ムとを設ける必要があり、インタ−フ
ェイスステ−ションＳ３が大型化してしまう。
【００５１】このため既述のように処理ステ−ションＳ
３の第１の処理ユニットＵ１と露光装置Ｓ４との間の領
域に作業者が入ることのできる作業エリアを確保でき、
このエリアに入り込むと露光装置Ｓ４の搬入ステ−ジ８
３及び搬出ステ−ジ８４が近くなるので、これらのステ
−ジを拭くという作業も容易に行うことができる。なお
このような作業エリアがない場合には、前記搬入及び搬
入ステ−ジ８３，８４を拭くためにインタ−フェイスス
テ−ションＳ３を引き出して露光装置Ｓ４に隣接する領
域に作業エリアを作らなくてはならず、頻繁に前記作業
を行わなければならないのでかなり面倒である。
３の第１の処理ユニットＵ１と露光装置Ｓ４との間の領
域に作業者が入ることのできる作業エリアを確保でき、
このエリアに入り込むと露光装置Ｓ４の搬入ステ−ジ８
３及び搬出ステ−ジ８４が近くなるので、これらのステ
−ジを拭くという作業も容易に行うことができる。なお
このような作業エリアがない場合には、前記搬入及び搬
入ステ−ジ８３，８４を拭くためにインタ−フェイスス
テ−ションＳ３を引き出して露光装置Ｓ４に隣接する領
域に作業エリアを作らなくてはならず、頻繁に前記作業
を行わなければならないのでかなり面倒である。
【００５２】以上において本発明では、反射防止膜形成
ユニット３や塗布ユニット４を収納する第１の処理ユニ
ットＵ１や、現像ユニット５を収納する第２の処理ユニ
ットＵ２は２段に限らず、３段や４段に積み重ねて設け
るようにしてもよいし、１段に３個以上の処理部を配列
するようにしてもよい。またこれに合わせてウエハ搬送
手段ＭＡの数も４個以上として、夫々の処理ユニットの
列に望む位置に２個以上設けるようにしてもよい。
ユニット３や塗布ユニット４を収納する第１の処理ユニ
ットＵ１や、現像ユニット５を収納する第２の処理ユニ
ットＵ２は２段に限らず、３段や４段に積み重ねて設け
るようにしてもよいし、１段に３個以上の処理部を配列
するようにしてもよい。またこれに合わせてウエハ搬送
手段ＭＡの数も４個以上として、夫々の処理ユニットの
列に望む位置に２個以上設けるようにしてもよい。
【００５３】さらにまた棚ユニットＲの加熱部２４や冷
却部２５、ＣＨＰ装置５０の数は上述の例に限らず、第
１，第２，第３の棚ユニットＲ１，Ｒ２，Ｒ３にＣＨＰ
装置５０を設け、反射防止膜を形成した後やレジストを
塗布した後にＣＨＰ装置５０にてウエハＷの加熱及び冷
却を行うようにしてもよいし、受け渡しユニット６の受
け渡し台６０は３個に限らず、１個でも複数個でもよ
い。
却部２５、ＣＨＰ装置５０の数は上述の例に限らず、第
１，第２，第３の棚ユニットＲ１，Ｒ２，Ｒ３にＣＨＰ
装置５０を設け、反射防止膜を形成した後やレジストを
塗布した後にＣＨＰ装置５０にてウエハＷの加熱及び冷
却を行うようにしてもよいし、受け渡しユニット６の受
け渡し台６０は３個に限らず、１個でも複数個でもよ
い。
【００５４】また上述の例では処理ステ−ションＳ２と
インタ−フェイスステ−ションＳ２との間のウエハＷの
受け渡しを第４ウエハ搬送手段ＭＡ４により第４の棚ユ
ニットＲ４の受け渡し部５１を介して行うようにした
が、処理ステ−ションＳ２とインタ−フェイスステ−シ
ョンＳ３との間でウエハＷの搬送を行う専用の搬送ア−
ムを設けるようにしてもよいし、周縁露光装置７をイン
タ−フェイスステ−ションＳ３に設ける構成としてもよ
い。
インタ−フェイスステ−ションＳ２との間のウエハＷの
受け渡しを第４ウエハ搬送手段ＭＡ４により第４の棚ユ
ニットＲ４の受け渡し部５１を介して行うようにした
が、処理ステ−ションＳ２とインタ−フェイスステ−シ
ョンＳ３との間でウエハＷの搬送を行う専用の搬送ア−
ムを設けるようにしてもよいし、周縁露光装置７をイン
タ−フェイスステ−ションＳ３に設ける構成としてもよ
い。
【００５５】さらに周辺露光装置７を第１の処理ユニッ
トＵ１の一区画に設け、第１の処理ユニットＵ１の処理
部に、塗布ユニット４と反射防止膜形成ユニット３と周
辺露光装置７とを割り当てるようにしてもよく、この際
インターフェイスステーションＳ３を第１の処理ユニッ
トＵ１側に設け、処理ステーションＳ２の第２の処理ユ
ニットＵ１側に隣接した領域に作業者が入り込めるスペ
ースを確保するようにしてもよい。この場合には、例え
ばウエハＷは、塗布ユニット４→加熱部２４→冷却部２
５→周辺露光装置７→インターフェイスステーションＳ
３→露光装置Ｓ４の経路で搬送される。このような構成
においても、インターフェイスステーションＳ３を小型
化することができ、処理ステーションＳ３と露光装置Ｓ
４との間の領域に作業者が入ることのできる作業エリア
を確保できる。
トＵ１の一区画に設け、第１の処理ユニットＵ１の処理
部に、塗布ユニット４と反射防止膜形成ユニット３と周
辺露光装置７とを割り当てるようにしてもよく、この際
インターフェイスステーションＳ３を第１の処理ユニッ
トＵ１側に設け、処理ステーションＳ２の第２の処理ユ
ニットＵ１側に隣接した領域に作業者が入り込めるスペ
ースを確保するようにしてもよい。この場合には、例え
ばウエハＷは、塗布ユニット４→加熱部２４→冷却部２
５→周辺露光装置７→インターフェイスステーションＳ
３→露光装置Ｓ４の経路で搬送される。このような構成
においても、インターフェイスステーションＳ３を小型
化することができ、処理ステーションＳ３と露光装置Ｓ
４との間の領域に作業者が入ることのできる作業エリア
を確保できる。
【００５６】さらにまた本発明は反射防止膜を形成する
代わりに疎水化処理を行う場合に適用してもよく、例え
ばこの場合には棚ユニットＲに疎水化処理部を設け、こ
こで疎水化処理を行った後、塗布ユニット４にてレジス
トの塗布が行われる。さらにまた本発明は、基板として
はウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板で
あってもよい。
代わりに疎水化処理を行う場合に適用してもよく、例え
ばこの場合には棚ユニットＲに疎水化処理部を設け、こ
こで疎水化処理を行った後、塗布ユニット４にてレジス
トの塗布が行われる。さらにまた本発明は、基板として
はウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板で
あってもよい。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、第１の処理ユニットと
第２の処理ユニットとが対向して設けられ、これらの処
理ユニットの列に望む位置に基板搬送手段が設けられて
いるので、処理ステ−ション内に作業領域を確保でき、
さらに処理ステ−ションのカセットステ−ションからの
奥行きを短くすることができる。また本発明の他の発明
によれば、周縁露光装置が第１の処理ユニット或いは第
２の処理ユニットに設けられているので、インタ−フェ
イスステ−ションを小型化することができる。
第２の処理ユニットとが対向して設けられ、これらの処
理ユニットの列に望む位置に基板搬送手段が設けられて
いるので、処理ステ−ション内に作業領域を確保でき、
さらに処理ステ−ションのカセットステ−ションからの
奥行きを短くすることができる。また本発明の他の発明
によれば、周縁露光装置が第１の処理ユニット或いは第
２の処理ユニットに設けられているので、インタ−フェ
イスステ−ションを小型化することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置を示
す概観図である。
す概観図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す概略左側面図であ
る。
る。
【図４】前記塗布、現像装置を示す概略右側面図であ
る。
る。
【図５】棚ユニットの一例を示す側面図である。
【図６】棚ユニットの他の例を示す側面図と、ＣＨＰ装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図７】塗布ユニットを示す断面図である。
【図８】ウエハ搬送手段を示す斜視図である。
【図９】受け渡しユニットを示す断面図である。
【図１０】周縁露光装置を示す側面図と平面図である。
【図１１】処理ステ−ションを示す概観図である。
【図１２】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図であ
る。
る。
Ｗ 半導体ウエハ
Ｓ１ カセットステ−ション
Ｓ２ 処理ステ−ション
Ｓ３ インタ−フェイスステ−ション
Ｓ４ 露光装置
３ 反射防止膜形成ユニット
４ 塗布ユニット
５ 現像ユニット
６ 受け渡しユニット
Ｒ 棚ユニット
ＭＡ ウエハ搬送手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
H01L 21/68
Claims (12)
- 【請求項１】 複数の基板を収納した基板カセットを載
置する載置部と、この載置部に載置された基板カセット
に対して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む
カセットステ−ションと、このカセットステ−ションに
接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処
理する処理ステ−ションと、を有し、前記処理ステ−シ
ョンは、カセットステ−ションの長さ方向に直交する方
向に複数の処理部が配列された第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットを構成する処理部と対向するよ
うに複数の処理部が配列された第２の処理ユニットと、
第１の処理ユニットの列に望む位置に配置され、第１の
処理ユニットを構成する処理部に対して基板の受け渡し
を行う第１の基板搬送手段と、第２の処理ユニットの列
に望む位置に配置され、第２の処理ユニットを構成する
処理部に対して基板の受け渡しを行う第２の基板搬送手
段と、を含み、 前記処理ステ−ションは、前記第１の処理ユニットと第
２の処理ユニットとの間のカセットステ−ションに隣接
する領域に、作業者がメンテナンス作業を行うための作
業領域が形成されていることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項２】 前記処理ステ−ションは、カセットステ
−ションの長さ方向に直交する方向に処理部が３個以上
配列される第１の処理ユニットと、前記第１の処理ユニ
ットを構成する処理部と対向するように処理部が３個以
上配列される第２の処理ユニットと、第１の処理ユニッ
トの列に望む位置に配列され、第１の処理ユニットを構
成する処理部に対して基板の受け渡しを行う２個以上の
第１の基板搬送手段と、第２の処理ユニットの列に望む
位置に配列され、第２の処理ユニットを構成する処理部
に対して基板の受け渡しを行う２個以上の第２の基板搬
送手段と、を含むことを特徴とする請求項１記載の基板
処理装置。 - 【請求項３】 前記処理ステ−ションは、第１の基板搬
送手段と第２の基板搬送手段との間で基板の受け渡しを
行うための基板の受け渡し台を備えることを特徴とする
請求項１又は２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記第１の処理ユニット及び第２の処理
ユニットは、基板に対して塗布液の塗布処理を行う処理
部を含むことを特徴とする請求項１、２又は３記載の基
板処理装置。 - 【請求項５】 前記処理ステ−ションのカセットステ−
ションの反対側に設けられた露光装置と、処理ステ−シ
ョンのカセットステ−ションの反対側に接続され、処理
ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行う
ためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、前記
第１の処理ユニットは、レジスト液を基板に対して塗布
処理する処理部を含み、前記第２の処理ユニットは、前
記露光装置にて露光された基板に対して現像処理する処
理部を含むことを特徴とする請求項１、２又は３記載の
基板処理装置。 - 【請求項６】 前記処理ステ−ションは、前記露光装置
にて回路形成領域が露光された基板に対して、基板の回
路形成領域の外側の周縁領域に対して露光を行う周縁露
光装置を含み、当該周縁露光装置は、第１の処理ユニッ
トの一区画に設けられていることを特徴とする請求項５
記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記処理ステ−ションは、前記露光装置
にて回路形成領域が露光された基板に対して、基板の回
路形成領域の外側の周縁領域に対して露光を行う周縁露
光装置を含み、当該周縁露光装置は、第２の処理ユニッ
トの一区画に設けられていることを特徴とする請求項５
記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 前記処理ステーションのカセットステー
ションの反対側に設けられた露光装置と接続可能であっ
て、処理ステーションのカセットステーションの反対側
に接続され、処理ステーションと露光装置との間で基板
の受け渡しを行うためのインターフェイスステーション
を備え、 前記第１の処理ユニットは、レジスト液を基板に対して
塗布する処理部を含み、前記第２の処理ユニットは、前
記露光装置にて露光された基板に対して現像処理する処
理部を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の基板処理装置。 - 【請求項９】 前記インターフェイスステーションのカ
セットステーションの長さ方向の幅は前記処理ステーシ
ョンの幅よりも狭く、前記インターフェイスステーショ
ンと前記処理ステーションとのカセットステーションの
長さ方向の幅の差によって生じた隙間によって前記作業
領域に入り込むための通路が確保されていることを特徴
とする請求項５又は８記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】 基板を加熱するための加熱板と、基板
を冷却する冷却板と、この冷却板を加熱板の上方側位置
と加熱板の隣の位置との間で移動させる搬送手段と、を
同じ処理室内に備える加熱冷却処理部が記処理ステーシ
ョン内に設けられ、 前記加熱冷却処理部は、前記インターフェイスステーシ
ョンと、前記第１の基板搬送手段及び／又は第２の基板
搬送手段と、の間で基板の受け渡しが可能な位置に配置
されていることを特徴とする請求項５，８又は９記載の
基板処理装置。 - 【請求項１１】 前記第１の基板搬送手段と前記第２の
基板搬送手段とは、前記第１の処理ユニットと前記第２
の処理ユニットとの間に、前記カセットステーションの
長さ方向に直交する方向に対してほぼ対称な位置に設け
られていることを特徴とする請求項１ないし１０のいず
れかに記載の基板処理装置。 - 【請求項１２】 前記処理ステーションのカセットステ
ーションの反対側に設けられた露光装置と接続可能であ
って、処理ステーションのカセットステーションの反対
側に接続され、処理ステーションと露光装置との間で基
板の受け渡しを行うためのインターフェイスステーショ
ンを備え、 前記第１の処理ユニットは、基板に反射防止膜を形成す
る反射防止膜形成ユニットと、前記反射防止膜が形成さ
れた基板にレジスト液を塗布する塗布ユニットと、を含
み、 前記第２の処理ユニットは、前記露光処理した基板の周
縁領域の露光処理を行う周縁露光装置と、前記露光装置
にて露光された基板を現像処理する現像ユニットと、を
含み、 前記第１の基板搬送手段は前記カセットステーションか
らインターフェイスステーションに向けて基板の搬送を
行い、 前記第２の基板搬送手段は前記インターフェイスステー
ションから前記カセットステーションに向けて基板の搬
送を行うことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれ
かに記載の基板処理装置。
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