JP3328731B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JP3328731B2 JP3328731B2 JP30090392A JP30090392A JP3328731B2 JP 3328731 B2 JP3328731 B2 JP 3328731B2 JP 30090392 A JP30090392 A JP 30090392A JP 30090392 A JP30090392 A JP 30090392A JP 3328731 B2 JP3328731 B2 JP 3328731B2
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子（以下有機ＥＬ素子）に関するものである。
詳しくは、置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を発光
材料として用いた有機ＥＬ素子に関する。
センス素子（以下有機ＥＬ素子）に関するものである。
詳しくは、置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を発光
材料として用いた有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から用いられている無機エレクトロ
ルミネッセンス素子は発光させるのに高電圧が必要であ
った。最近、Ｔａｎｇらは有機蛍光色素を発光層とし、
それに電子写真の感光体等に用いられていた有機電荷輸
送化合物を積層した二層構造を有する有機ＥＬ素子を作
製し、発光層のみを有するものに比較して低電圧駆動、
高効率、高輝度の有機ＥＬ素子を実現させた（特開昭５
９−１９４３９３号公報）。有機ＥＬ素子は無機ＥＬ素
子に比べ、低電圧駆動、高輝度に加えて多数の色の発光
が容易に得られるという特長があることから、 素子構造
や有機蛍光色素、有機電荷輸送化合物について多くの試
みが報告されている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．）２７巻、Ｌ２６９（１９８８年）〕、〔ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．）６５巻、３６１０頁（１９８９年)
〕。これまでに、発光材料としては低分子量の有機蛍
光色素が一般に用いられており、高分子量の発光材料と
しては、ＷＯ９０１３１４８号公開明細書、特開平３−
１２６７８７号公報、アプライド・フィジックス・レタ
ーズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．) ５８巻、１９
８２頁（１９９１年）などで提案されているにすぎなか
った。
ルミネッセンス素子は発光させるのに高電圧が必要であ
った。最近、Ｔａｎｇらは有機蛍光色素を発光層とし、
それに電子写真の感光体等に用いられていた有機電荷輸
送化合物を積層した二層構造を有する有機ＥＬ素子を作
製し、発光層のみを有するものに比較して低電圧駆動、
高効率、高輝度の有機ＥＬ素子を実現させた（特開昭５
９−１９４３９３号公報）。有機ＥＬ素子は無機ＥＬ素
子に比べ、低電圧駆動、高輝度に加えて多数の色の発光
が容易に得られるという特長があることから、 素子構造
や有機蛍光色素、有機電荷輸送化合物について多くの試
みが報告されている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．）２７巻、Ｌ２６９（１９８８年）〕、〔ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．）６５巻、３６１０頁（１９８９年)
〕。これまでに、発光材料としては低分子量の有機蛍
光色素が一般に用いられており、高分子量の発光材料と
しては、ＷＯ９０１３１４８号公開明細書、特開平３−
１２６７８７号公報、アプライド・フィジックス・レタ
ーズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．) ５８巻、１９
８２頁（１９９１年）などで提案されているにすぎなか
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で報告されてきた高分子発光材料を用いた有機ＥＬ素子
は駆動電圧が高く、輝度も必ずしも十分とは言い難いも
のであった。高分子発光材料は熱的に安定であり、また
塗布法により容易に均一性に優れた発光層を形成できる
ことから、それらの長所を生かしながら、より駆動電圧
が低く、高輝度である有機ＥＬ素子が要望されている。
で報告されてきた高分子発光材料を用いた有機ＥＬ素子
は駆動電圧が高く、輝度も必ずしも十分とは言い難いも
のであった。高分子発光材料は熱的に安定であり、また
塗布法により容易に均一性に優れた発光層を形成できる
ことから、それらの長所を生かしながら、より駆動電圧
が低く、高輝度である有機ＥＬ素子が要望されている。
【０００４】本発明の目的は高分子発光材料を発光層と
した低電圧駆動、高輝度の有機ＥＬ素子を提供すること
にある。
した低電圧駆動、高輝度の有機ＥＬ素子を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、高分子発
光材料を発光層として用いた有機ＥＬ素子の低電圧駆
動、高輝度化を鋭意検討してきた。その結果、高分子発
光材料として、置換ポリ−ｐ−フェニレンビニレンを用
い、これに、電子輸送性化合物を添加したものを発光層
として用いることにより、高分子発光材料を単独で用い
た場合に比べて、低電圧駆動化、高輝度化が実現される
ことを見い出し、本発明に至った。
光材料を発光層として用いた有機ＥＬ素子の低電圧駆
動、高輝度化を鋭意検討してきた。その結果、高分子発
光材料として、置換ポリ−ｐ−フェニレンビニレンを用
い、これに、電子輸送性化合物を添加したものを発光層
として用いることにより、高分子発光材料を単独で用い
た場合に比べて、低電圧駆動化、高輝度化が実現される
ことを見い出し、本発明に至った。
【０００６】すなわち、本発明は、少なくとも一方が透
明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電
極間に、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、該発光層が下記化２
明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電
極間に、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、該発光層が下記化２
【０００７】
【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立に水
素，炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数６〜２０の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数４〜２０のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、ｎは１０〜３００００の数を表す。）で
表される置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）と電子輸
送性化合物を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子を提供
することにある。
素，炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数６〜２０の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数４〜２０のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、ｎは１０〜３００００の数を表す。）で
表される置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）と電子輸
送性化合物を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子を提供
することにある。
【０００８】以下、本発明の有機ＥＬ素子について詳細
に説明する。本発明に用いられる上記化２で表わされる
置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）は溶剤に可溶性の
ものである。ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞ
れ独立に水素，炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキ
シ基およびアルキルチオ基ならびに炭素数６〜２０の芳
香族炭化水素基から選ばれた基を示し、且つ可溶性を与
えるには、少なくともそれらの一つが炭素数４〜２０の
アルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基である
ことが必要である。これらのなかで成膜性が良好なアル
キル基、アルコキシ基が特に好ましい。ここで、炭素数
１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、デシル基、ラウリル基、２−エチル−
ヘキシル基、３−メチル−ブチル基、イソプロピル基な
どであり、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、デシル基、２−エチル−ヘキシル基、３−メチ
ル−ブチル基が好ましい。または炭素数１〜２０のアル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリル
オキシ基、２−エチル−ヘキシルオキシ基、３−メチル
−ブトキシ基、イソプルピルオキシ基などであり、ペン
チルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、
オクチルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチル−ヘキ
シルオキシ基、３−メチル−ブトキシ基が好ましい。ア
ルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、
ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプ
チルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ラウリル
チオ基、２−エチル−ヘキシルチオ基、３−メチル−ブ
チルチオ基、イソプルピルチオ基などであり、ペンチル
チオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチ
オ基、デシルチオ基、２−エチル−ヘキシルチオ基、３
−メチル−ブチルチオ基が好ましい。芳香族炭化水素基
としてはフェニル基、４- アルコキシフェニル基、４-
アルキルフェニル基、１−ナフタレン基、２−ナフタレ
ン基が例示される。
に説明する。本発明に用いられる上記化２で表わされる
置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）は溶剤に可溶性の
ものである。ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞ
れ独立に水素，炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキ
シ基およびアルキルチオ基ならびに炭素数６〜２０の芳
香族炭化水素基から選ばれた基を示し、且つ可溶性を与
えるには、少なくともそれらの一つが炭素数４〜２０の
アルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基である
ことが必要である。これらのなかで成膜性が良好なアル
キル基、アルコキシ基が特に好ましい。ここで、炭素数
１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、デシル基、ラウリル基、２−エチル−
ヘキシル基、３−メチル−ブチル基、イソプロピル基な
どであり、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、デシル基、２−エチル−ヘキシル基、３−メチ
ル−ブチル基が好ましい。または炭素数１〜２０のアル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリル
オキシ基、２−エチル−ヘキシルオキシ基、３−メチル
−ブトキシ基、イソプルピルオキシ基などであり、ペン
チルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、
オクチルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチル−ヘキ
シルオキシ基、３−メチル−ブトキシ基が好ましい。ア
ルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、
ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプ
チルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ラウリル
チオ基、２−エチル−ヘキシルチオ基、３−メチル−ブ
チルチオ基、イソプルピルチオ基などであり、ペンチル
チオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチ
オ基、デシルチオ基、２−エチル−ヘキシルチオ基、３
−メチル−ブチルチオ基が好ましい。芳香族炭化水素基
としてはフェニル基、４- アルコキシフェニル基、４-
アルキルフェニル基、１−ナフタレン基、２−ナフタレ
ン基が例示される。
【０００９】具体的な置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）としては、ポリ（２，５−ジペンチル−ｐ−フェニ
レンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシル−ｐ−フェ
ニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘプチル−ｐ−フ
ェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジオクチル−ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジデシル−ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジペンチルオキ
シ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキ
シルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２，５−ジオクチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−ジデシルオキシ−ｐ−フェニレン
ビニレン）、ポリ（２，５−ジペンチルチオ−ｐ−フェ
ニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシルチオ−ｐ
−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘプチルチ
オ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−
５−ヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２−メトキシ−５−ラウリルオキシ−ｐ−フェニレン
ビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチル
−ヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２−メトキシ−５−ヘプチルチオ−ｐ−フェニレンビ
ニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−ラウリルチオ−ｐ
−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−
（３’−メチル−ブトキシ）−ｐ−フェニレンビニレ
ン）などが例示される。これらの中で、ポリ（２，５−
ジペンチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５
−ジヘキシル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，
５−ジヘプチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２，５−ジオクチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポ
リ（２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレ
ンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジオクチルオキ
シ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジデシ
ルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メト
キシ−５−ヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２−メトキシ−５−（３’−メチル−ブト
キシ）−ｐ−フェニレンビニレン）が好ましい。これら
の置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）は単独で用いて
もよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
ン）としては、ポリ（２，５−ジペンチル−ｐ−フェニ
レンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシル−ｐ−フェ
ニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘプチル−ｐ−フ
ェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジオクチル−ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジデシル−ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジペンチルオキ
シ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキ
シルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２，５−ジオクチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−ジデシルオキシ−ｐ−フェニレン
ビニレン）、ポリ（２，５−ジペンチルチオ−ｐ−フェ
ニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシルチオ−ｐ
−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘプチルチ
オ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−
５−ヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２−メトキシ−５−ラウリルオキシ−ｐ−フェニレン
ビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチル
−ヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２−メトキシ−５−ヘプチルチオ−ｐ−フェニレンビ
ニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−ラウリルチオ−ｐ
−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−
（３’−メチル−ブトキシ）−ｐ−フェニレンビニレ
ン）などが例示される。これらの中で、ポリ（２，５−
ジペンチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５
−ジヘキシル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，
５−ジヘプチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２，５−ジオクチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポ
リ（２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレ
ンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジオクチルオキ
シ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジデシ
ルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メト
キシ−５−ヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２−メトキシ−５−（３’−メチル−ブト
キシ）−ｐ−フェニレンビニレン）が好ましい。これら
の置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）は単独で用いて
もよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
【００１０】化２において、ｎは繰り返し単位の数を表
し、余りにも小さすぎると均一な膜が得られにくい場合
があり、また、余りに大きすぎても溶解性が低下し、均
一に製膜することが困難になる場合があるのでｎの範囲
は１０〜３００００であり、１０〜１００００が好まし
い。
し、余りにも小さすぎると均一な膜が得られにくい場合
があり、また、余りに大きすぎても溶解性が低下し、均
一に製膜することが困難になる場合があるのでｎの範囲
は１０〜３００００であり、１０〜１００００が好まし
い。
【００１１】これらの有機溶媒可溶性の置換ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）を用いることにより、溶液から成
膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去す
るだけでよく、また、電子輸送性化合物を混合した場合
においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利で
ある。
フェニレンビニレン）を用いることにより、溶液から成
膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去す
るだけでよく、また、電子輸送性化合物を混合した場合
においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利で
ある。
【００１２】上記化２で示される置換ポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）の合成法としては特に限定されないが、
例えば特開平１−２５４７３４号公報、特開平１−７９
２１７号公報等に記載されている方法が用いられる。す
なわち、例えば、相当するビス（ハロゲン化メチル）化
合物、より具体的には、例えば、２，５−ジヘプチルオ
キシ−ｐ−キシリレンジブロミドを、キシレン／第三級
ブチルアルコール混合溶媒中、第三級ブトキシカリウム
を用いて重合させる脱ハロゲン化水素法をあげることが
できる。また、相当するホスホニウム塩とアルデヒドと
をリチウムアルコラートを触媒として反応させる方法で
あるＷｉｔｔｉｇ法、相当するスルホニウム塩をアルカ
リ存在下に重合させ、ついで脱スルホニウム塩処理を行
なうスルホニウム塩分解法などが例示される。また、こ
れらの高分子化合物を有機ＥＬ素子の発光層として用い
る場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成
後、再沈精製、クロマトグラフによる分別等の純化処理
をすることが望ましい。
レンビニレン）の合成法としては特に限定されないが、
例えば特開平１−２５４７３４号公報、特開平１−７９
２１７号公報等に記載されている方法が用いられる。す
なわち、例えば、相当するビス（ハロゲン化メチル）化
合物、より具体的には、例えば、２，５−ジヘプチルオ
キシ−ｐ−キシリレンジブロミドを、キシレン／第三級
ブチルアルコール混合溶媒中、第三級ブトキシカリウム
を用いて重合させる脱ハロゲン化水素法をあげることが
できる。また、相当するホスホニウム塩とアルデヒドと
をリチウムアルコラートを触媒として反応させる方法で
あるＷｉｔｔｉｇ法、相当するスルホニウム塩をアルカ
リ存在下に重合させ、ついで脱スルホニウム塩処理を行
なうスルホニウム塩分解法などが例示される。また、こ
れらの高分子化合物を有機ＥＬ素子の発光層として用い
る場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成
後、再沈精製、クロマトグラフによる分別等の純化処理
をすることが望ましい。
【００１３】本発明に用いられる電子輸送性化合物とし
ては、発光材料として使用する置換ポリ（ｐ−フェニレ
ンビニレン）に対して電子輸送性が高ければ特に限定さ
れないが、例えば、オキサジアゾール系化合物、ベンゾ
キノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラシアノアンスラキノジメタン系化合
物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フルオレノ
ン系化合物、ジフェノキノン系化合物、８−ヒドロキシ
キノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。
具体的には、特開昭６３−７０２５７、同６３−１７５
８６０号公報、特開平２−１３５３６１、同２−１３５
３５９、同３−１５２１８４号公報に記載されているも
の等、公知のものが使用可能であるが、オキサジアゾー
ル系化合物、ベンゾキノン系化合物、アントラキノン系
化合物、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金
属錯体が好ましく、特に、２−（４−ビフェニリル）−
５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス
（８−キノリノール）アルミニウムが好ましい。これら
の電子輸送性化合物は、単独で用いてもよいし、２種類
以上を混合して用いてもよい。電子輸送性化合物を置換
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）に混合して使用する場
合、その量は少なすぎると効果が小さく、多すぎると発
光に寄与しない電流が増加するため、有機ＥＬ素子にし
た場合、輝度等の特性が悪くなる。使用する電子輸送性
化合物の分子量によっても異なるが、混合する割合は長
鎖基置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）に対して１〜
４０ｗｔ％が好ましく、より好ましくは２〜３０ｗｔ％
である。
ては、発光材料として使用する置換ポリ（ｐ−フェニレ
ンビニレン）に対して電子輸送性が高ければ特に限定さ
れないが、例えば、オキサジアゾール系化合物、ベンゾ
キノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラシアノアンスラキノジメタン系化合
物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フルオレノ
ン系化合物、ジフェノキノン系化合物、８−ヒドロキシ
キノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。
具体的には、特開昭６３−７０２５７、同６３−１７５
８６０号公報、特開平２−１３５３６１、同２−１３５
３５９、同３−１５２１８４号公報に記載されているも
の等、公知のものが使用可能であるが、オキサジアゾー
ル系化合物、ベンゾキノン系化合物、アントラキノン系
化合物、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金
属錯体が好ましく、特に、２−（４−ビフェニリル）−
５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス
（８−キノリノール）アルミニウムが好ましい。これら
の電子輸送性化合物は、単独で用いてもよいし、２種類
以上を混合して用いてもよい。電子輸送性化合物を置換
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）に混合して使用する場
合、その量は少なすぎると効果が小さく、多すぎると発
光に寄与しない電流が増加するため、有機ＥＬ素子にし
た場合、輝度等の特性が悪くなる。使用する電子輸送性
化合物の分子量によっても異なるが、混合する割合は長
鎖基置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）に対して１〜
４０ｗｔ％が好ましく、より好ましくは２〜３０ｗｔ％
である。
【００１４】本発明においては、化２で示される置換ポ
リ（ｐ−フェニレンビニレン）に、既知の発光材料を分
散させたものを発光層として用いることも含まれる。発
光材料としては特に限定されないが、例えば、ナフタレ
ン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及び
その誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン
系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン
およびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフ
ェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェ
ニルブタジエン及びその誘導体などを用いることができ
る。具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１、同５
９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知
のものが使用可能である。
リ（ｐ−フェニレンビニレン）に、既知の発光材料を分
散させたものを発光層として用いることも含まれる。発
光材料としては特に限定されないが、例えば、ナフタレ
ン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及び
その誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン
系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン
およびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフ
ェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェ
ニルブタジエン及びその誘導体などを用いることができ
る。具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１、同５
９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知
のものが使用可能である。
【００１５】本発明の有機ＥＬ素子の構造について以下
に述べる。陽極および陰極からなる一対の電極で、透明
または半透明な電極としては、ガラス、透明プラスチッ
ク等の透明基板の上に透明または半透明の電極を形成し
たものが用いられる。陽極の材料としては、導電性の金
属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的
にはインジウム・スズ・オキサイド (ＩＴＯ) 、酸化ス
ズ (ＮＥＳＡ）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等が用いられ
る。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
メッキ法などが用いられる。
に述べる。陽極および陰極からなる一対の電極で、透明
または半透明な電極としては、ガラス、透明プラスチッ
ク等の透明基板の上に透明または半透明の電極を形成し
たものが用いられる。陽極の材料としては、導電性の金
属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的
にはインジウム・スズ・オキサイド (ＩＴＯ) 、酸化ス
ズ (ＮＥＳＡ）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等が用いられ
る。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
メッキ法などが用いられる。
【００１６】次いで、この陽極上に置換ポリ（ｐ−フェ
ニレンビニレン）と電子輸送性化合物を含む発光層を形
成する。成膜方法としてはこれら材料の混合液を使用し
てスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法また
は真空蒸着法が例示されるが、混合溶液をスピンコーテ
ィング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコ
ート法、ロールコート法等の塗布法により成膜するのが
特に好ましい。
ニレンビニレン）と電子輸送性化合物を含む発光層を形
成する。成膜方法としてはこれら材料の混合液を使用し
てスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法また
は真空蒸着法が例示されるが、混合溶液をスピンコーテ
ィング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコ
ート法、ロールコート法等の塗布法により成膜するのが
特に好ましい。
【００１７】発光層の膜厚としては５Å〜１０μｍ、好
ましくは１０Å〜１μｍである。電流密度を上げて発光
効率を上げるためには１００〜５０００Åの範囲が好ま
しい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、溶媒を
除去するため、減圧下あるいは不活性雰囲気下、室温以
上で材料の分解温度以下、具体的には３０〜３３０℃、
好ましくは６０〜３００℃、さらに好ましくは１００〜
２５０℃の温度で熱処理することが望ましい。熱処理す
る時間としては、溶媒を除去するためには少なくとも１
０分以上処理することが好ましく、実用的には１〜２４
時間がより好ましい。
ましくは１０Å〜１μｍである。電流密度を上げて発光
効率を上げるためには１００〜５０００Åの範囲が好ま
しい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、溶媒を
除去するため、減圧下あるいは不活性雰囲気下、室温以
上で材料の分解温度以下、具体的には３０〜３３０℃、
好ましくは６０〜３００℃、さらに好ましくは１００〜
２５０℃の温度で熱処理することが望ましい。熱処理す
る時間としては、溶媒を除去するためには少なくとも１
０分以上処理することが好ましく、実用的には１〜２４
時間がより好ましい。
【００１８】また、別の態様である発光層が電子輸送性
化合物を含まない場合には上記の成膜方法で発光層を設
け、その上に電子輸送層を形成する。電子輸送層の材料
としては前述の電子輸送性化合物が用いられる。
化合物を含まない場合には上記の成膜方法で発光層を設
け、その上に電子輸送層を形成する。電子輸送層の材料
としては前述の電子輸送性化合物が用いられる。
【００１９】電子輸送性化合物の成膜方法としては、特
に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、あるい
は溶媒に溶かした後のスピンコーティング法、キャステ
ィング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコー
ト法等の塗布法、あるいは上記化２の長鎖基置換ポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）またはそれとは別の高分子
化合物と電子輸送性化合物とを溶液状態または溶融状態
で混合し分散させた後のスピンコーティング法、キャス
ティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコ
ート法等の塗布法を用いることができる。混合する高分
子化合物としては、特に限定されないが、電荷輸送を極
度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する
吸収が強くないものが好適に用いられる。例えば、上記
化２の長鎖基置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポ
リ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジメト
キシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジメ
チル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチオフェン及び
その誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及び
その誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリレート、
ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリシロキサンなどが例示される。製膜が容易に
行なえるという点では、塗布法を用いることが好まし
い。
に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、あるい
は溶媒に溶かした後のスピンコーティング法、キャステ
ィング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコー
ト法等の塗布法、あるいは上記化２の長鎖基置換ポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）またはそれとは別の高分子
化合物と電子輸送性化合物とを溶液状態または溶融状態
で混合し分散させた後のスピンコーティング法、キャス
ティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコ
ート法等の塗布法を用いることができる。混合する高分
子化合物としては、特に限定されないが、電荷輸送を極
度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する
吸収が強くないものが好適に用いられる。例えば、上記
化２の長鎖基置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポ
リ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジメト
キシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジメ
チル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチオフェン及び
その誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及び
その誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリレート、
ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリシロキサンなどが例示される。製膜が容易に
行なえるという点では、塗布法を用いることが好まし
い。
【００２０】電子輸送層の膜厚は、少なくともピンホー
ルが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚い
と素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ま
しくない。したがって、電子輸送層の膜厚は５０〜２０
００Åである。
ルが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚い
と素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ま
しくない。したがって、電子輸送層の膜厚は５０〜２０
００Åである。
【００２１】次いで、発光層が置換ポリ（ｐ−フェニレ
ンビニレン）と電子輸送性化合物との混合層の場合はこ
の層の上に、また発光層と電子輸送層が積層されている
場合は電子輸送層の上に電極を設ける。この電極は電子
注入陰極となる。その材料としては、特に限定されない
が、イオン化エネルギーの小さい材料が好ましい。例え
ば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、ＭｇとＡｇの合金（Ｍｇ−Ａｇ
合金と記載することがある）、Ｉｎ−Ａｇ合金、Ｍｇ−
Ｉｎ合金、グラファイト薄膜等が用いられる。これらの
中ではＭｇとＡｇの合金が好ましい。陰極の作製方法と
しては真空蒸着法、スパッタリング法等公知の方法が用
いられる。
ンビニレン）と電子輸送性化合物との混合層の場合はこ
の層の上に、また発光層と電子輸送層が積層されている
場合は電子輸送層の上に電極を設ける。この電極は電子
注入陰極となる。その材料としては、特に限定されない
が、イオン化エネルギーの小さい材料が好ましい。例え
ば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、ＭｇとＡｇの合金（Ｍｇ−Ａｇ
合金と記載することがある）、Ｉｎ−Ａｇ合金、Ｍｇ−
Ｉｎ合金、グラファイト薄膜等が用いられる。これらの
中ではＭｇとＡｇの合金が好ましい。陰極の作製方法と
しては真空蒸着法、スパッタリング法等公知の方法が用
いられる。
【００２２】なお、本発明のＥＬ素子の構造としては、
これまで述べた陽極／発光層／陰極（／は層を積層した
ことを示す）、あるいは陽極／発光層／電子輸送層／陰
極の構造以外に、陽極と発光層の間、または陰極と電子
輸送層との間に高分子化合物のバッファー層を有する組
み合わせの構造、すなわち陽極／バッファー層／発光層
／陰極、陽極／バッファー層／発光層／電子輸送層／陰
極、陽極／発光層／バッファー層／陰極、陽極／発光層
／電子輸送層／バッファー層／陰極、陽極／バッファー
層／発光層／バッファー層／陰極、陽極／バッファー層
／発光層／電子輸送層／バッファー層／陰極をとること
もできる。バッファー層に用いる高分子化合物としては
特に限定されないが、電荷輸送を極度に阻害しないもの
が好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないもの
が好適に用いられる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバ
ゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェ
ン及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレ
ン）及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体などが
例示される。成膜が容易に行なえるという点では、塗布
法を用いることが好ましい。バッファー層の厚みは通常
５Å〜１０μｍ、電流密度を上げて発光効率を上げるた
めには好ましくは１０〜５０００Å、より好ましくは２
０〜１０００Åである。
これまで述べた陽極／発光層／陰極（／は層を積層した
ことを示す）、あるいは陽極／発光層／電子輸送層／陰
極の構造以外に、陽極と発光層の間、または陰極と電子
輸送層との間に高分子化合物のバッファー層を有する組
み合わせの構造、すなわち陽極／バッファー層／発光層
／陰極、陽極／バッファー層／発光層／電子輸送層／陰
極、陽極／発光層／バッファー層／陰極、陽極／発光層
／電子輸送層／バッファー層／陰極、陽極／バッファー
層／発光層／バッファー層／陰極、陽極／バッファー層
／発光層／電子輸送層／バッファー層／陰極をとること
もできる。バッファー層に用いる高分子化合物としては
特に限定されないが、電荷輸送を極度に阻害しないもの
が好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないもの
が好適に用いられる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバ
ゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェ
ン及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレ
ン）及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体などが
例示される。成膜が容易に行なえるという点では、塗布
法を用いることが好ましい。バッファー層の厚みは通常
５Å〜１０μｍ、電流密度を上げて発光効率を上げるた
めには好ましくは１０〜５０００Å、より好ましくは２
０〜１０００Åである。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例を示すが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
【００２４】実施例１ スパッタリングによって、２００Åの厚みでＩＴＯ膜を
付けたガラス基板に、特開平１−７９２１７号公報の実
施例６で２，５−ジヘプチル−ｐ−キシリレンジブロミ
ドの代わりに２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−キシリレ
ンジブロミドを用いて実施例６記載の方法で合成したポ
リ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）〔ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）
によるポリスチレン換算の数平均重合度約３６０〕と電
子輸送性化合物として２−（４−ビフェニリル）−５−
（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾール〔ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニ
レンビニレン）に対する混合割合は５ｗｔ％〕の０．６
７ｗｔ％トルエン／クロロホルム（３／２重量比）溶液
を用い、スピンコートにより８００Åの厚みで成膜し
た。次いで、これを減圧下６０℃で１時間乾燥した後、
その上に陰極として、Ｉｎを３０００Å蒸着して、有機
ＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は３×１０-6
Ｔｏｒｒ以下であった。この素子に電圧１９．４Ｖを印
加したところ、電流密度２７５ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流
れ、輝度１６０．６ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光
が観察された。また２０ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための
電圧は１３．２Ｖであった。
付けたガラス基板に、特開平１−７９２１７号公報の実
施例６で２，５−ジヘプチル−ｐ−キシリレンジブロミ
ドの代わりに２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−キシリレ
ンジブロミドを用いて実施例６記載の方法で合成したポ
リ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）〔ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）
によるポリスチレン換算の数平均重合度約３６０〕と電
子輸送性化合物として２−（４−ビフェニリル）−５−
（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジア
ゾール〔ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニ
レンビニレン）に対する混合割合は５ｗｔ％〕の０．６
７ｗｔ％トルエン／クロロホルム（３／２重量比）溶液
を用い、スピンコートにより８００Åの厚みで成膜し
た。次いで、これを減圧下６０℃で１時間乾燥した後、
その上に陰極として、Ｉｎを３０００Å蒸着して、有機
ＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は３×１０-6
Ｔｏｒｒ以下であった。この素子に電圧１９．４Ｖを印
加したところ、電流密度２７５ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流
れ、輝度１６０．６ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光
が観察された。また２０ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための
電圧は１３．２Ｖであった。
【００２５】実施例２ ２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールをポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）に対し
て15ｗｔ％とした以外は実施例１と同じ方法で８９０Å
の厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この
素子に電圧２６．０Ｖを印加したところ、電流密度２１
９ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度７１．９ｃｄ／ｍ2
のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０ｃｄ／
ｍ2 の輝度にするための電圧は１９．６Ｖであった。
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールをポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）に対し
て15ｗｔ％とした以外は実施例１と同じ方法で８９０Å
の厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この
素子に電圧２６．０Ｖを印加したところ、電流密度２１
９ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度７１．９ｃｄ／ｍ2
のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０ｃｄ／
ｍ2 の輝度にするための電圧は１９．６Ｖであった。
【００２６】実施例３ ２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールをポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）に対し
て２．５ｗｔ％とした以外は実施例１と同じ方法で１０
１０Åの厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製し
た。この素子に電圧１９．４Ｖを印加したところ、電流
密度５６ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度４６．８ｃｄ
／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０
ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電圧は１７．５Ｖであっ
た。
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールをポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）に対し
て２．５ｗｔ％とした以外は実施例１と同じ方法で１０
１０Åの厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製し
た。この素子に電圧１９．４Ｖを印加したところ、電流
密度５６ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度４６．８ｃｄ
／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０
ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電圧は１７．５Ｖであっ
た。
【００２７】比較例１ ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニ
レン）に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブ
チルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールを混合
しない以外は実施例１と同じ方法で９８０Åの厚みの発
光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この素子に電圧
３３．３Ｖを印加したところ、電流密度６１７ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れたが、輝度２６．４ｃｄ／ｍ2 のオレ
ンジ色のＥＬ発光が観察されただけであった。また２０
ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電圧は３２．９Ｖであっ
た。
レン）に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブ
チルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールを混合
しない以外は実施例１と同じ方法で９８０Åの厚みの発
光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この素子に電圧
３３．３Ｖを印加したところ、電流密度６１７ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れたが、輝度２６．４ｃｄ／ｍ2 のオレ
ンジ色のＥＬ発光が観察されただけであった。また２０
ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電圧は３２．９Ｖであっ
た。
【００２８】実施例４ ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニ
レン）の代わりに、特開平１−７９２１７号公報の実施
例６で２，５−ジヘプチル−ｐ−キシリレンジブロミド
の代わりに２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例６記載の方法で合成したポリ
（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）（ＧＰＣによるポリスチレン換算数平均重合度約１
６０）を用い、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
をポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビ
ニレン）に対して１０ｗｔ％混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例１と同じ方法で１３００Å
の厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この
素子に電圧２５．０Ｖを印加したところ、電流密度３４
６ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度４４．６ｃｄ／ｍ2
のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０ｃｄ／
ｍ2 の輝度にするための電圧は２３．５Ｖであった。
レン）の代わりに、特開平１−７９２１７号公報の実施
例６で２，５−ジヘプチル−ｐ−キシリレンジブロミド
の代わりに２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例６記載の方法で合成したポリ
（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）（ＧＰＣによるポリスチレン換算数平均重合度約１
６０）を用い、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
をポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビ
ニレン）に対して１０ｗｔ％混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例１と同じ方法で１３００Å
の厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この
素子に電圧２５．０Ｖを印加したところ、電流密度３４
６ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度４４．６ｃｄ／ｍ2
のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０ｃｄ／
ｍ2 の輝度にするための電圧は２３．５Ｖであった。
【００２９】実施例５ ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニ
レン）の代わりに、特開平１−７９２１７号公報の実施
例６で２，５−ジヘプチル−ｐ−キシリレンジブロミド
の代わりに２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例６記載の方法で合成したポリ
（２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）（ＧＰＣによるポリスチレン換算数平均重合度約４
００）を用い、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
をポリ（２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−フェニレンビ
ニレン）に対して１０ｗｔ％混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例１と同じ方法で１４００Å
の厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この
素子に電圧２３．３Ｖを印加したところ、電流密度３８
６ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度５１．４ｃｄ／ｍ2
のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０ｃｄ／
ｍ2 の輝度にするための電圧は２２．５Ｖであった。
レン）の代わりに、特開平１−７９２１７号公報の実施
例６で２，５−ジヘプチル−ｐ−キシリレンジブロミド
の代わりに２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例６記載の方法で合成したポリ
（２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）（ＧＰＣによるポリスチレン換算数平均重合度約４
００）を用い、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
をポリ（２，５−ジペンチルオキシ−ｐ−フェニレンビ
ニレン）に対して１０ｗｔ％混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例１と同じ方法で１４００Å
の厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製した。この
素子に電圧２３．３Ｖを印加したところ、電流密度３８
６ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度５１．４ｃｄ／ｍ2
のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。また２０ｃｄ／
ｍ2 の輝度にするための電圧は２２．５Ｖであった。
【００３０】比較例２ ２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールをポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）に対し
て４４．４ｗｔ％混合した以外は実施例１と同じ方法で
２６００Åの厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製
した。この素子に電圧４０．０Ｖを印加したところ、電
流密度１３６０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れたが、輝度１
３．４ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された
だけであった。また電圧を上げると絶縁破壊のため２０
ｃｄ／ｍ2 の輝度にすることができなかった。
ニル）−１，３，４−オキサジアゾールをポリ（２，５
−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）に対し
て４４．４ｗｔ％混合した以外は実施例１と同じ方法で
２６００Åの厚みの発光層を持つ、有機ＥＬ素子を作製
した。この素子に電圧４０．０Ｖを印加したところ、電
流密度１３６０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れたが、輝度１
３．４ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された
だけであった。また電圧を上げると絶縁破壊のため２０
ｃｄ／ｍ2 の輝度にすることができなかった。
【００３１】実施例６ スパッタリングによって、２００Åの厚みでＩＴＯ膜を
付けたガラス基板に、実施例１と同様の方法で合成した
ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニ
レン）と電子輸送性化合物としてアントラキノン〔ポリ
（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン
に対する混合割合は５ｗｔ％〕の０．６７ｗｔ％トルエ
ン／クロロホルム（３／２重量比）溶液を用い、スピン
コートにより１１００Åの厚みで成膜した。次いで、こ
れを減圧下６０℃で１時間乾燥した後、その上に陰極と
して、Ｉｎを３０００Å蒸着して、有機ＥＬ素子を作製
した。蒸着のときの真空度は３×１０-6Ｔｏｒｒ以下で
あった。この素子に電圧２０．８Ｖを印加したところ、
電流密度１６５．２ｍＡ／ｃｍ 2 の電流が流れ、輝度１
４６ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。
また、２０ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電圧は１６．
８Ｖであった。
付けたガラス基板に、実施例１と同様の方法で合成した
ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニ
レン）と電子輸送性化合物としてアントラキノン〔ポリ
（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン
に対する混合割合は５ｗｔ％〕の０．６７ｗｔ％トルエ
ン／クロロホルム（３／２重量比）溶液を用い、スピン
コートにより１１００Åの厚みで成膜した。次いで、こ
れを減圧下６０℃で１時間乾燥した後、その上に陰極と
して、Ｉｎを３０００Å蒸着して、有機ＥＬ素子を作製
した。蒸着のときの真空度は３×１０-6Ｔｏｒｒ以下で
あった。この素子に電圧２０．８Ｖを印加したところ、
電流密度１６５．２ｍＡ／ｃｍ 2 の電流が流れ、輝度１
４６ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。
また、２０ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電圧は１６．
８Ｖであった。
【００３２】実施例７ ＩＴＯ膜上にバッファー層としてポリ（２，５−チエニ
レンビニレン）とポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の
７：３（重量比）の混合物から成る層をつけた以外は、
発光層、陰極は実施例６と同じ方法で、バッファー層と
発光層の厚さの合計が１５００Åの有機ＥＬ素子を作製
した。ここで、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）と
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の７：３の混合物から
成る層は、特開平１−９２２１号公報の実施例１に記載
の方法で得たポリ（２，５−チエニレンビニレン）（Ｐ
ＴＶ）中間体をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）に溶解してＰＴＶ中間体溶液としたものと、特開昭
５９−１９９７４６号公報の実施例１に記載の方法で合
成したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）中間
体のＢｒ- 塩の水溶液を大量のＮａＢＦ4水溶液に添加
して対イオン（Ｂｒ- ）をＢＦ4 - に交換し、沈澱とし
て回収したＰＰＶ中間体のＢＦ4 - 塩をＤＭＦに溶解し
てＰＰＶ中間体溶液としたものを、熱処理後生成する両
高分子の重量比が７：３となるような割合で混合した溶
液をスピンコートにより成膜し、２００℃で熱処理する
ことにより作成した。この素子に電圧２４．４Ｖを印加
したところ、電流密度７０．８ｍＡ／ｃｍ2の電流が流
れ、輝度１２０ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観
察された。また、２０ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電
圧は１８．２Ｖであった。
レンビニレン）とポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の
７：３（重量比）の混合物から成る層をつけた以外は、
発光層、陰極は実施例６と同じ方法で、バッファー層と
発光層の厚さの合計が１５００Åの有機ＥＬ素子を作製
した。ここで、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）と
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）の７：３の混合物から
成る層は、特開平１−９２２１号公報の実施例１に記載
の方法で得たポリ（２，５−チエニレンビニレン）（Ｐ
ＴＶ）中間体をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）に溶解してＰＴＶ中間体溶液としたものと、特開昭
５９−１９９７４６号公報の実施例１に記載の方法で合
成したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）中間
体のＢｒ- 塩の水溶液を大量のＮａＢＦ4水溶液に添加
して対イオン（Ｂｒ- ）をＢＦ4 - に交換し、沈澱とし
て回収したＰＰＶ中間体のＢＦ4 - 塩をＤＭＦに溶解し
てＰＰＶ中間体溶液としたものを、熱処理後生成する両
高分子の重量比が７：３となるような割合で混合した溶
液をスピンコートにより成膜し、２００℃で熱処理する
ことにより作成した。この素子に電圧２４．４Ｖを印加
したところ、電流密度７０．８ｍＡ／ｃｍ2の電流が流
れ、輝度１２０ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観
察された。また、２０ｃｄ／ｍ2 の輝度にするための電
圧は１８．２Ｖであった。
【００３３】実施例８ アントラキノンの代わりにベンゾキノンを混合した以外
は実施例６と同じ方法で６３０Åの厚みの発光層を持
つ、有機ＥＬ素子を作製した。この素子に電圧１８．３
Ｖを印加したところ、電流密度１６３．４ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れ、輝度６３ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ
発光が観察された。また、２０ｃｄ／ｍ2の輝度にする
ための電圧は１４．８Ｖであった。
は実施例６と同じ方法で６３０Åの厚みの発光層を持
つ、有機ＥＬ素子を作製した。この素子に電圧１８．３
Ｖを印加したところ、電流密度１６３．４ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れ、輝度６３ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ
発光が観察された。また、２０ｃｄ／ｍ2の輝度にする
ための電圧は１４．８Ｖであった。
【００３４】実施例９ 実施例１と同じ方法でＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、
実施例１と同じ方法で合成したポリ（２，５−ジヘプチ
ルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）〔ゲルパーハエー
ションクロマトグラフ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換
算の数平均重合度約３６０〕の０．７５ｗｔ％クロロホ
ルム溶液を用い、ディッピングにより成膜した。つい
で、これを減圧下６０℃で１時間乾燥した後、その上に
電子輸送層として、トリス（８−キノリノール）アルミ
ニウムを７００Å蒸着し、ついで陰極として、Ｍｇ−Ａ
ｇ合金（重量比１０：１）を１５００Å、さらにその上
にＡｇを１０００Å蒸着して、有機ＥＬ素子を作製し
た。有機層の厚さは合計９１０Åであった。また、蒸着
のときの真空度はいずれも３×１０-6Ｔｏｒｒ以下であ
った。この素子に電圧１７．８Ｖを印加したところ、電
流密度４２０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度２２９０
ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。発光
スペクトルはポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フ
ェニレンビニレン）の蛍光スペクトルと一致した。
実施例１と同じ方法で合成したポリ（２，５−ジヘプチ
ルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）〔ゲルパーハエー
ションクロマトグラフ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換
算の数平均重合度約３６０〕の０．７５ｗｔ％クロロホ
ルム溶液を用い、ディッピングにより成膜した。つい
で、これを減圧下６０℃で１時間乾燥した後、その上に
電子輸送層として、トリス（８−キノリノール）アルミ
ニウムを７００Å蒸着し、ついで陰極として、Ｍｇ−Ａ
ｇ合金（重量比１０：１）を１５００Å、さらにその上
にＡｇを１０００Å蒸着して、有機ＥＬ素子を作製し
た。有機層の厚さは合計９１０Åであった。また、蒸着
のときの真空度はいずれも３×１０-6Ｔｏｒｒ以下であ
った。この素子に電圧１７．８Ｖを印加したところ、電
流密度４２０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、輝度２２９０
ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が観察された。発光
スペクトルはポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フ
ェニレンビニレン）の蛍光スペクトルと一致した。
【００３５】比較例３ 電子輸送層を設けない以外は、実施例９と同じ方法で有
機ＥＬ素子を作製した。この素子に電圧９．２Ｖを印加
したところ、電流密度５６９ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流
れ、輝度１１８９ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が
観察された。また、これ以上電圧を上げても輝度は向上
せず、１１．７Ｖで素子の破壊のため発光しなくなっ
た。
機ＥＬ素子を作製した。この素子に電圧９．２Ｖを印加
したところ、電流密度５６９ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流
れ、輝度１１８９ｃｄ／ｍ2 のオレンジ色のＥＬ発光が
観察された。また、これ以上電圧を上げても輝度は向上
せず、１１．７Ｖで素子の破壊のため発光しなくなっ
た。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
素子は、従来のものと比較して、低電圧駆動で、しかも
輝度が向上しており、バックライトとしての面状光源、
フラットパネルディスプレイ等の装置としての使用が可
能である。
素子は、従来のものと比較して、低電圧駆動で、しかも
輝度が向上しており、バックライトとしての面状光源、
フラットパネルディスプレイ等の装置としての使用が可
能である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−244630（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−250292（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−209988（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/14 C09K 11/06
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも一方が透明または半透明である
一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも発
光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、該発光層が下記化１ 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立に水
素，炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数６〜２０の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数４〜２０のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、ｎは１０〜３００００の数を表す。）で
表される置換ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）と電子輸
送性化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。 - 【請求項２】陰極がＭｇとＡｇの合金からなることを特
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
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|---|---|---|---|
| JP30090392A JP3328731B2 (ja) | 1991-12-05 | 1992-11-11 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32197691 | 1991-12-05 | ||
| JP3-321976 | 1992-01-09 | ||
| JP4-2124 | 1992-01-09 | ||
| JP212492 | 1992-01-09 | ||
| JP30090392A JP3328731B2 (ja) | 1991-12-05 | 1992-11-11 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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|---|---|
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Family
ID=27275209
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|---|---|---|---|
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| DE19748814A1 (de) * | 1997-11-05 | 1999-05-06 | Hoechst Ag | Substituierte Poly(arylenvinylene), Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung in Elektrolumineszenz |
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| KR100394509B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2003-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 네개의 치환체를 갖는 페닐렌기를 포함하는 고기능성전기발광고분자 |
| US6461749B2 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic boron compound, process for producing the compound and organic luminescence device using the compound |
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| KR20020089084A (ko) * | 2001-05-23 | 2002-11-29 | 한화석유화학 주식회사 | 알킬옥시페닐옥시기가 치환된 폴리(ｐ-페닐렌비닐렌)계전기발광고분자 및 이의 제조방법 |
| KR100441282B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2004-07-22 | 일진다이아몬드(주) | 시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 측쇄로 구비하는폴리(ｐ-페닐렌비닐렌)유도체, 이를 포함한 전기발광소자및 동 유도체의 제조방법 |
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| KR100710985B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2007-04-24 | 에스케이 주식회사 | 아릴기를 포함하는 스티릴기가 치환된 폴리(페닐렌비닐렌)유도체 및 이를 이용한 전기발광소자 |
| JP3848262B2 (ja) | 2002-03-27 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | オリゴフルオレニレン化合物及び有機発光素子 |
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| KR100510094B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2005-08-24 | 부산대학교 산학협력단 | 1,3,4-옥사디아졸 및 알콕시페닐옥시 치환기를 갖는폴리(1,4-페닐렌비닐렌)계 고효율 전기 발광 고분자 및고분자 전기발광 다이오드 |
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| JP4429149B2 (ja) | 2004-11-26 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | フルオレン化合物及び有機発光素子 |
| JP4162025B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2008-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP30090392A patent/JP3328731B2/ja not_active Expired - Lifetime
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