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JP3321357B2 - Semiconductor device and method of assembling the same - Google Patents

Semiconductor device and method of assembling the same

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Publication number
JP3321357B2
JP3321357B2 JP13628796A JP13628796A JP3321357B2 JP 3321357 B2 JP3321357 B2 JP 3321357B2 JP 13628796 A JP13628796 A JP 13628796A JP 13628796 A JP13628796 A JP 13628796A JP 3321357 B2 JP3321357 B2 JP 3321357B2
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JP
Japan
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flattening
heat
bonding
cover plate
semiconductor device
Prior art date
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JP13628796A
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宣昭 大家
貴之 奥友
英男 田口
守彦 池水
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH09321085A publication Critical patent/JPH09321085A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/79Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ボールグリッド
アレイ(BGA)パッケージ型の半導体装置に関する。
The present invention relates to a ball grid array (BGA) package type semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11は、従来のBGAパッケージを示
す図で、(a)図は平面図、(b)図は(a)図中のb
−b線に沿う断面図、(c)図は(a)図中のc−c線
に沿う断面図である。
2. Description of the Related Art FIGS. 11A and 11B show a conventional BGA package. FIG. 11A is a plan view, and FIG.
FIG. 3C is a cross-sectional view taken along a line cc in FIG.

【0003】図11(a)〜(c)に示すように、TA
Bテープ1の平坦性を保つためのスティフナ2が、TA
Bテープ1の表面に接着剤を用いて接着されている。図
中、参照符号3に示す層は接着剤の層である。スティフ
ナ2には四角形状の開孔部4が設けられている。半導体
集積回路チップ5は、開孔部4の中に配置される。チッ
プ5は、開孔部4の中で、TABテープ1に設けられて
いるリード6に電気的に接続される。その接続状態は、
いわゆるフェースダウン型である。スティフナ2には四
角形状のカバープレート7が接着剤を用いて接着されて
いる。図中、参照符号8に示す層は接着剤の層である。
カバープレート7は、スティフナ2の全面に接着され
る。さらにカバープレート7は、チップ5に接着剤を用
いて接着されている。チップ5を、カバープレート7に
接着することにより、チップ5はカバープレート7に熱
的に結合される。そして、カバープレート7は、チップ
5が動作しているときに、チップ5が発する熱を外部へ
と逃がすための放熱板として機能される。TABテープ
1の裏面には、はんだボール9が複数形成されている。
はんだボール9は、TABテープ1の中でリード6に電
気的に接続されていて、チップ5の外部端子として機能
される。また、参照符号10に示される部材は、チップ
5とTABテープ1との電気的な接続部分を外界から遮
蔽するためのポッティング樹脂である。
As shown in FIGS. 11 (a) to 11 (c), TA
The stiffener 2 for keeping the flatness of the B tape 1 is TA
It is adhered to the surface of the B tape 1 using an adhesive. In the figure, a layer indicated by reference numeral 3 is an adhesive layer. The stiffener 2 is provided with a rectangular opening 4. The semiconductor integrated circuit chip 5 is disposed in the opening 4. The chip 5 is electrically connected to the lead 6 provided on the TAB tape 1 in the opening 4. The connection status is
It is a so-called face-down type. A square cover plate 7 is adhered to the stiffener 2 using an adhesive. In the figure, a layer indicated by reference numeral 8 is an adhesive layer.
The cover plate 7 is adhered to the entire surface of the stiffener 2. Further, the cover plate 7 is bonded to the chip 5 using an adhesive. The chip 5 is thermally bonded to the cover plate 7 by bonding the chip 5 to the cover plate 7. The cover plate 7 functions as a heat radiating plate for releasing heat generated by the chip 5 to the outside when the chip 5 is operating. On the back surface of the TAB tape 1, a plurality of solder balls 9 are formed.
The solder balls 9 are electrically connected to the leads 6 in the TAB tape 1 and function as external terminals of the chip 5. A member indicated by reference numeral 10 is a potting resin for shielding an electrical connection between the chip 5 and the TAB tape 1 from the outside.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のBGAパッケー
ジでは、実装基板に実装して温度サイクル試験を行った
場合、実装基板とカバープレート7との線膨脹係数が互
いに異なるために、はんだボール9に応力がかかり、は
んだボール9にクラックが入る可能性がある。
In a conventional BGA package, when the package is mounted on a mounting board and subjected to a temperature cycle test, the linear expansion coefficients of the mounting board and the cover plate 7 are different from each other. Stress may be applied, and cracks may be formed in the solder balls 9.

【0005】この発明は、上記の事情に鑑みて為された
もので、その目的は、放熱部材を有するBGAパッケー
ジ型の半導体装置において、はんだボールに、熱に起因
したクラックの発生を抑制できる半導体装置と、その組
み立て方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device of a BGA package type having a heat radiating member which can suppress generation of cracks due to heat in solder balls. It is an object of the present invention to provide an apparatus and an assembling method thereof.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明では、ボール状電極群を有する
チップキャリアと、前記チップキャリアに電気的に接続
され、前記ボール電極群を外部端子とする半導体集積
回路チップと、前記チップキャリアに接続され、前記チ
ップキャリアの平坦性を保たせるための平坦化部材と、
前記平坦化部材に接着されるとともに、前記半導体集積
回路チップに熱的に結合され、前記半導体集積回路チッ
プから発せられる熱を逃がすための放熱部材とを具備す
る。そして、前記放熱部材と前記平坦化部材との接着面
を有する接着用突起部を、前記放熱部材および前記平坦
化部材のいずれか一方に設け、前記放熱部材を、前記平
坦化部材に、部分的に接着したことを特徴とする。この
ように放熱部材を、平坦化部材に、部分的に接着したこ
とで、放熱部材が膨張および収縮したときに発生する力
が平坦化部材に伝わり難くできる。これにより、放熱部
材によって引張されるような平坦化部材の変形を抑制で
き、ボール状電極の内部に生ずる応力が小さくなり、ボ
ール状電極に熱に起因したクラックの発生を抑制するこ
とができる。さらに接着用突起部を、放熱部材および平
坦化部材のいずれか一方に設けたことで、接着剤を、放
熱部材の接着側全面に塗布しての組み立てが可能にな
る。これにより組み立ての容易化、および製造コストの
低減化を図ることが可能になる。
To achieve the above object, according to the solution to ## in the invention according to claim 1, the chip carrier having a ball-shaped electrodes is electrically connected to the chip carrier, the ball-shaped electrodes A semiconductor integrated circuit chip having an external terminal, connected to the chip carrier, a flattening member for maintaining the flatness of the chip carrier,
A heat radiating member bonded to the flattening member and thermally coupled to the semiconductor integrated circuit chip for releasing heat generated from the semiconductor integrated circuit chip; And an adhesive surface between the heat dissipating member and the flattening member.
The heat-dissipating member and the flatness
Provided on one of the forming members, and
It is characterized by being partially adhered to the supporting member . By partially adhering the heat radiating member to the flattening member in this manner, the force generated when the heat radiating member expands and contracts can be hardly transmitted to the flattening member. Thereby, the deformation of the flattening member that is pulled by the heat radiating member can be suppressed, the stress generated inside the ball-shaped electrode is reduced, and the generation of cracks due to heat in the ball-shaped electrode can be suppressed. In addition, the adhesive projections are
By providing the adhesive on one of the support members, the adhesive can be released.
It is possible to assemble by applying to the entire adhesive side of the heat member.
You. This simplifies assembly and reduces manufacturing costs.
Reduction can be achieved.

【0007】さらに請求項4に係る発明では、前記平坦
化部材は、前記半導体集積回路チップを収容するための
開孔部を有し、前記放熱部材を、前記平坦化部材の前記
開孔部周囲のみに接着し、前記放熱部材の縁を開放した
ことを特徴とする。このように放熱部材を、平坦化部材
の開孔部周囲のみに接着し、放熱部材の縁を開放したこ
とで、放熱部材によって引張されるような平坦化部材の
変形を、さらに抑制できる。これにより、ボール状電極
に、熱に起因したクラックの発生を抑制する効果は、さ
らに高まる。
Further, in the invention according to claim 4, the flattening member has an opening for accommodating the semiconductor integrated circuit chip, and the heat radiating member is provided around the opening of the flattening member. And the edge of the heat radiation member is opened. Since the heat dissipating member is bonded only around the opening of the flattening member and the edge of the heat dissipating member is opened in this manner, the deformation of the flattening member that is pulled by the heat dissipating member can be further suppressed. This further enhances the effect of suppressing the generation of cracks due to heat in the ball-shaped electrode.

【0008】さらに請求項5に係る発明では、前記放熱
部材と平坦化部材との接着部分を、発熱中心から等距離
な位置に設けたことを特徴とする。このように接着部分
を、発熱中心から等距離な位置に設けたことで、放熱部
材が膨張したときの力を、接着部分に均等にかけること
ができる。接着部分に、力が均等にかかれば、接着部分
を介して平坦化部材に加わる力のバランスが良くなる。
もし、平坦化部材に加わる力がアンバランスであると、
予測できないような力が平坦化部材に働く可能性があ
る。予測できないような力が平坦化部材に働くと、ボー
ル状電極にクラックが入る可能性がある。このような可
能性は、接着部分を、発熱中心から等距離な位置に設け
たことで、解消される。
Further, in the invention according to claim 5, the bonding portion between the heat radiating member and the flattening member is provided at a position equidistant from the center of heat generation. By providing the bonding portion at a position equidistant from the center of heat generation, a force when the heat radiating member expands can be evenly applied to the bonding portion. If the force is evenly applied to the bonding portion, the balance of the force applied to the flattening member via the bonding portion is improved.
If the force applied to the flattening member is unbalanced,
Unpredictable forces can act on the planarizing member. When an unpredictable force acts on the flattening member, the ball-shaped electrode may be cracked. Such a possibility is eliminated by providing the bonding portion at a position equidistant from the heat generation center.

【0009】さらに請求項6に係る発明では、前記放熱
部材と平坦化部材との接着部分を、前記開孔部の周囲に
分散させたことを特徴とする。このように接着部分を、
開孔部の周囲に分散させたことで、放熱部材が膨脹しよ
うとする力を、ある程度、分散された接着部分それぞれ
の周囲に開放できる。これにより、放熱部材によって引
張されるような平坦化部材の変形は、さらに抑制され、
ボール状電極に、熱に起因したクラックの発生を抑制す
る効果は、さらに高まる。
According to a sixth aspect of the present invention, the bonding portion between the heat radiating member and the flattening member is dispersed around the opening. In this way, the adhesive part
By dispersing around the opening, the force of the heat dissipating member to expand can be released to some extent around each of the dispersed adhesive portions. Thereby, the deformation of the flattening member as pulled by the heat radiating member is further suppressed,
The effect of suppressing generation of cracks due to heat in the ball-shaped electrode is further enhanced.

【0010】さらに請求項7に係る発明では、前記分散
された接着部分をそれぞれ、発熱中心から、点対象、か
つ線対称な条件を満足する位置に設けたことを特徴とす
る。このように分散された接着部分をそれぞれ、発熱中
心から、点対象、かつ線対称な条件を満足する位置に設
けたことで、放熱部材が膨張したときの力を、分散され
た接着部分それぞれに、均等にかけることができ、分散
された接着部分それぞれを介して平坦化部材に加わる力
のバランスが良くなる。これにより、平坦化部材に加わ
る力のアンバランスに起因して、ボール状電極にクラッ
クが発生する可能性が、解消される。
[0010] Further, in the invention according to claim 7, the dispersed adhesive portions are provided at positions that satisfy point-symmetric and line-symmetric conditions from the center of heat generation. By providing each of the dispersed adhesive portions at a position that satisfies the symmetrical and symmetrical conditions from the heat generation center, the force when the heat radiation member expands is applied to each of the dispersed adhesive portions. Can be applied evenly, and the balance of the force applied to the flattening member via each of the dispersed adhesive portions is improved. Thereby, the possibility that cracks occur in the ball-shaped electrode due to the imbalance of the force applied to the flattening member is eliminated.

【0011】[0011]

【0012】さらに請求項8に係る発明では、前記放熱
部材の、前記平坦化部材に対して水平な方向への変形が
自在な状態で、前記平坦化部材に対して垂直な方向への
変形を抑制する変形抑制用突起部を、前記放熱部材およ
び前記平坦化部材のいずれか一方に、さらに設けたこと
を特徴とする。このように変形抑制用突起部を、放熱部
材および平坦化部材のいずれか一方に、さらに設けたこ
とで、放熱部材の、平坦化部材に対して垂直な方向へ
変形を抑制することができる。しかも、平坦化部材に対
して水平な方向への変形が自在なので、放熱部材が膨張
および収縮したときの力を、すべりによって吸収でき
る。これにより、変形抑制用突起部は、穂熱部材の、平
坦化部材に対して垂直な方向へ変形を抑制しつつ、放熱
部材が秒長および収縮したときの力を、平坦化部材に伝
えることがない。なお、放熱部材が過剰に変形したと
き、ユーザが視覚的に不安感を抱くことがあるが、その
ような不安感も同時に解消される。
Further, in the invention according to claim 8 , the heat dissipating member is deformed in a direction perpendicular to the flattening member in a state where the heat dissipating member is freely deformable in a direction horizontal to the flattening member. A deformation suppressing projection is further provided on one of the heat dissipation member and the flattening member. Thus the deformation-suppressing protrusions, the one of the heat radiating member and the flattening member, that further provided, the heat radiating member, suppress <br/> deformation in the direction perpendicular to the flattening member can do. Moreover, since the deformation in the horizontal direction with respect to the flattening member is free, the force generated when the heat radiating member expands and contracts can be absorbed by sliding. With this, the deformation suppressing protrusions transmit the force when the heat radiation member is prolonged and contracted to the flattening member while suppressing deformation of the ear heat member in a direction perpendicular to the flattening member. There is no. When the heat dissipating member is excessively deformed, the user may visually feel uneasy, but such anxiety is also eliminated.

【0013】さらに請求項9に係る発明では、前記変形
抑制用突起部は、前記接着用突起部の接着面よりも小さ
い、前記放熱部材と前記平坦化部材との接着面を有し、
前記変形抑制用突起部の接着面における接着は、前記放
熱部材が前記平坦化部材に対して水平な方向へ変形した
ときに解除され、接着が解除された後、前記放熱部材
の、前記平坦化部材に対して水平な方向への変形が自在
な状態となることを特徴とする。このように変形抑制用
突起部の接着面における接着を、放熱部材が平坦化部材
に対して水平な方向へ変形したときに解除し、接着を解
除した後、放熱部材の、平坦化部材に対して水平な方向
への変形を自在とすることで、変形抑制用突起部を有し
ていても、接着剤を、放熱部材の接着側全面に塗布して
の組み立てが可能になる。また、放熱部材が、平坦化部
材に対して水平な方向へ変形する以前では、変形抑制用
突起部が、平坦化部材に接着されているので、放熱部材
と平坦化部材との接着強度が高い。接着強度が高まって
いる状態のときには、放熱部材をピックアップしても、
チップキャリアと半導体集積回路チップとの、繊細な電
気的接続点が破壊される可能性が小さい。
Further, in the invention according to claim 9 , the deformation suppressing projection has an adhesion surface between the heat radiating member and the flattening member which is smaller than an adhesion surface of the adhesion projection.
The bonding of the deformation suppressing protrusions on the bonding surface is released when the heat radiating member is deformed in a direction horizontal to the flattening member, and after the bonding is released, the flattening of the heat radiating member is performed. It is characterized in that the member can be freely deformed in a horizontal direction. In this way, the bonding of the deformation suppressing protrusions on the bonding surface is released when the heat radiating member is deformed in the horizontal direction with respect to the flattening member, and after releasing the bonding, the heat radiating member is bonded to the flattening member. In this case, the deformation in the horizontal direction can be freely performed, so that the assembly can be performed by applying the adhesive to the entire bonding side of the heat dissipating member even if it has the deformation suppressing protrusion. Further, before the heat dissipating member is deformed in the horizontal direction with respect to the flattening member, the deformation suppressing protrusion is bonded to the flattening member, so that the adhesive strength between the heat dissipating member and the flattening member is high. . When the bonding strength is high, even if the heat radiation member is picked up,
The possibility that a delicate electrical connection point between the chip carrier and the semiconductor integrated circuit chip is broken is small.

【0014】また、上記目的を達成するために、請求項
2に係る発明では、ボール状電極群を有するチップキャ
リアと、前記チップキャリアに電気的に接続され、前記
ボール電極群を外部端子とする半導体集積回路チップ
と、前記チップキャリアに接続され、前記チップキャリ
アの平坦性を保たせるための平坦化部材と、前記平坦化
部材に接着されるとともに、前記半導体集積回路チップ
に熱的に結合され、前記半導体集積回路チップから発せ
られる熱を逃がすための放熱部材とを具備する半導体装
置の組み立て方法であって、前記放熱部材と前記平坦化
部材との接着面を有した接着用突起部を、前記放熱部材
および前記平坦化部材のいずれか一方に設け、前記放熱
部材の接着側全面に接着剤を塗布し、前記接着用突起部
の接着面により、前記放熱部材を、前記平坦化部材に、
部分的に接着することを特徴とする。このように放熱部
材の接着側全面に接着剤を塗布し、接着用突起部の接着
面により、放熱部材を、平坦化部材に、部分的に接着す
ることで、例えばマスキングテープなどを使用せずに、
放熱部材を、平坦化部材に、部分的に接着することがで
きる。これにより、組み立て工程の繁雑化を防ぐことが
でき、また、製造コストを低減できる。
According to another aspect of the present invention, there is provided a chip carrier having a ball-shaped electrode group, and the ball carrier is electrically connected to the chip carrier, and the ball electrode group is used as an external terminal. A semiconductor integrated circuit chip, a flattening member connected to the chip carrier, for maintaining the flatness of the chip carrier, and adhered to the flattening member and thermally coupled to the semiconductor integrated circuit chip; A method of assembling a semiconductor device comprising a heat radiating member for radiating heat generated from the semiconductor integrated circuit chip, wherein the bonding protrusion having an adhesive surface between the heat radiating member and the flattening member is provided. An adhesive is provided on one of the heat dissipating member and the flattening member, and an adhesive is applied to the entire adhesive side of the heat dissipating member. The heat radiating member, the flattening member,
It is characterized by being partially adhered. As described above, the adhesive is applied to the entire adhesive side of the heat radiating member, and the heat radiating member is partially bonded to the flattening member by the bonding surface of the bonding protrusion, so that, for example, a masking tape or the like is not used. To
The heat radiating member can be partially bonded to the flattening member. Thus, complication of the assembling process can be prevented, and the manufacturing cost can be reduced.

【0015】また、上記目的を達成するために、請求項
3に係る発明では、ボール状電極群を有するチップキャ
リアと、前記チップキャリアに電気的に接続され、前記
ボール電極群を外部端子とする半導体集積回路チップ
と、前記チップキャリアに接続され、前記チップキャリ
アの平坦性を保たせるための平坦化部材と、前記半導体
集積回路チップに熱的に結合され、前記半導体集積回路
チップから発せられる熱を逃がすための放熱部材とを具
備する。そして、前記放熱部材を、前記平坦化部材に対
して水平な方向への変形が自在な状態で、前記平坦化部
材により支持させたことを特徴とする。このように放熱
部材を、平坦化部材に対して水平な方向への変形が自在
な状態で、平坦化部材により支持させたことで、放熱部
材が膨脹および収縮したときに発生する力が平坦化部材
に伝わり難くできる。これにより、放熱部材によって引
張されるような平坦化部材の変形を抑制でき、ボール状
電極の内部に生ずる応力が小さくなり、ボール状電極
に、熱に起因したクラックの発生を抑制することができ
る。
In order to achieve the above object, according to the third aspect of the present invention, a chip carrier having a ball-shaped electrode group is electrically connected to the chip carrier, and the ball electrode group is used as an external terminal. A semiconductor integrated circuit chip, a flattening member connected to the chip carrier for maintaining flatness of the chip carrier, and heat generated from the semiconductor integrated circuit chip thermally coupled to the semiconductor integrated circuit chip And a heat radiating member for letting out. The heat radiating member is supported by the flattening member in a state where the heat radiating member can be freely deformed in a direction horizontal to the flattening member. As described above, the heat radiating member is supported by the flattening member in a state where the heat radiating member can be freely deformed in the horizontal direction with respect to the flattening member, so that the force generated when the heat radiating member expands and contracts is flattened. It can be hardly transmitted to the members. Thereby, the deformation of the flattening member that is pulled by the heat radiating member can be suppressed, the stress generated inside the ball-shaped electrode is reduced, and the occurrence of cracks due to heat in the ball-shaped electrode can be suppressed. .

【0016】さらに請求項10に係る発明では、前記放
熱部材は、前記平坦化部材に対して水平な方向への変形
が自在な状態で、前記平坦化部材に対して垂直な方向へ
の変形を抑制する変形抑制用突起部を有し、前記放熱部
材を、前記変形抑制用突起部によって、前記平坦化部材
に対して水平な方向への変形が自在な状態で、前記平坦
化部材により支持させたことを特徴とする。このように
放熱部材を、変形抑制用突起部によって、平坦化部材に
対して水平な方向への変形が自在な状態で、前記平坦化
部材により支持させたことでも、放熱部材によって引張
されるような平坦化部材の変形を抑制でき、ボール状電
極の内部に生ずる応力が小さくなり、ボール状電極に、
熱に起因したクラックの発生を抑制することができる。
Further, in the invention according to claim 10 , the heat radiating member is capable of deforming in a direction perpendicular to the flattening member in a state where the heat radiating member is freely deformable in a direction horizontal to the flattening member. A deformation suppressing protrusion, and the heat radiating member is supported by the flattening member in a state in which the deformation suppressing protrusion can freely deform in a direction horizontal to the flattening member. It is characterized by having. In this way, even if the heat radiating member is supported by the flattening member in a state where it can be freely deformed in the horizontal direction with respect to the flattening member by the deformation suppressing protrusion, the heat radiating member is pulled by the heat radiating member. Can suppress the deformation of the flattening member and reduce the stress generated inside the ball-shaped electrode.
Generation of cracks due to heat can be suppressed.

【0017】さらに請求項11に係る発明では、前記変
形抑制用突起部は、前記放熱部材と前記平坦化部材との
接着面を有し、前記変形抑制用突起部の接着面における
接着は、前記放熱部材が前記平坦化部材に対して水平な
方向へ変形したときに解除され、接着が解除された後、
前記放熱部材の、前記平坦化部材に対して水平な方向へ
の変形が自在な状態となることを特徴とする。このよう
に変形抑制用突起部の接着面における接着を、放熱部材
が平坦化部材に対して水平な方向へ変形したときに解除
し、接着を解除した後、放熱部材の、平坦化部材に対し
て水平な方向への変形を自在とすることで、変形抑制用
突起部を有していても、接着剤を、放熱部材の接着側全
面に塗布しての組み立てが可能になる。また、放熱部材
が、平坦化部材に対して水平な方向へ変形する以前で
は、変形抑制用突起部が、平坦化部材に接着されている
ので、放熱部材と平坦化部材との接着強度が高い。接着
強度が高まっている状態のときには、放熱部材をピック
アップしても、チップキャリアと半導体集積回路チップ
との、繊細な電気的接続点が破壊される可能性が小さ
い。
Further, in the invention according to claim 11 , the deformation suppressing projection has an adhesive surface between the heat radiating member and the flattening member, and the adhesion of the deformation suppressing projection to the bonding surface is the following. Released when the heat radiation member is deformed in the horizontal direction with respect to the flattening member, and after the adhesion is released,
The heat dissipating member may be freely deformed in a direction horizontal to the flattening member. In this way, the bonding of the deformation suppressing protrusions on the bonding surface is released when the heat radiating member is deformed in the horizontal direction with respect to the flattening member, and after releasing the bonding, the heat radiating member is bonded to the flattening member. In this case, the deformation in the horizontal direction can be freely performed, so that the assembly can be performed by applying the adhesive to the entire bonding side of the heat dissipating member even if it has the deformation suppressing protrusion. Further, before the heat dissipating member is deformed in the horizontal direction with respect to the flattening member, the deformation suppressing protrusion is bonded to the flattening member, so that the adhesive strength between the heat dissipating member and the flattening member is high. . When the adhesive strength is high, even if the heat radiating member is picked up, there is little possibility that a delicate electrical connection point between the chip carrier and the semiconductor integrated circuit chip will be broken.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図1は、この発明の第1の実施の
形態に係るBGAパッケージを示す図で、(a)図は平
面図、(b)図は(a)図中のb−b線に沿う断面図、
(c)図は(a)図中のc−c線に沿う断面図、(d)
図は(a)図中のd−d線に沿う断面図である。
FIG. 1 is a view showing a BGA package according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b) is a plan view of FIG. sectional view along line b,
FIG. 3C is a sectional view taken along the line cc in FIG.
The figure is a sectional view along the line dd in the figure (a).

【0019】図1(a)〜(d)に示すように、第1の
実施の形態に係るBGAパッケージは、TABテープ1
の平坦性を保つためのステンレス製スティフナ2を有し
ている。スティフナ2は、TABテープ1の表面に接着
剤により接着されている。図中、参照符号3に示す層
は、接着剤の層である。さらにスティフナ2は、四角形
状の開孔部4を有している。半導体集積回路チップ5
は、開孔部4の中に配置され、開孔部4の中で、TAB
テープ1に設けられているリード6に電気的に接続され
る。その接続状態は、いわゆるフェースダウン型であ
る。スティフナ2には、四角形状の銅製カバープレート
7が接着剤により接着されている。図中、参照符号8に
示す層は、接着剤の層である。カバープレート7を平面
からみたときの大きさは、スティフナ2を平面からみた
ときの大きさと、ほぼ同じである。カバープレート7
は、スティフナ2の全面ではなく、部分的に接着されて
いる。カバープレート7は、接着用突起部12を有して
いる。カバープレート7が接着用突起部12を有してい
ることにより、カバープレート7とスティフナ2との部
分的な接着は容易になる。カバープレート7の4つのコ
ーナーのそれぞれには、変形抑制用突起部13が設けら
れている。図1(d)に示されるように、変形抑制用突
起部13は、スティフナ2に接着剤により接着されてい
る。しかし、変形抑制用突起部13とスティフナ2との
接着は、熱によってカバープレート7が膨脹および収縮
したとき、解除されるようになっている。これについて
の詳細は後述する。突起部12、13は、例えばプレス
加工によって、カバープレート7に成型される。さらに
カバープレート7は、チップ5に接着剤により接着され
ている。チップ5を、カバープレート7に接着すること
により、チップ5はカバープレート7に熱的に結合され
る。チップ5が発熱したとき、カバープレート7は、そ
の熱を外部へと逃がす、いわゆる放熱板として機能され
る。TABテープ1の裏面には、はんだボール9が複数
形成されている。はんだボール9は、TABテープ1の
中でリード6に電気的に接続され、チップ5の外部端子
として機能される。BGAパッケージ型の半導体装置
は、はんだボール9を溶融した後、固化させることで、
図示せぬ実装基板の電気的接点に固着され、実装基板の
電気的接点に接続される。実装基板の一つの例は、回路
基板である。また、参照符号10に示される部材は、チ
ップ5とTABテープ1との電気的な接続部分を外界か
ら遮蔽するためのポッティング樹脂である。
As shown in FIGS. 1A to 1D, the BGA package according to the first embodiment is a TAB tape
A stiffener 2 made of stainless steel for maintaining the flatness of the stiffener. The stiffener 2 is adhered to the surface of the TAB tape 1 with an adhesive. In the figure, a layer indicated by reference numeral 3 is an adhesive layer. Further, the stiffener 2 has a square opening 4. Semiconductor integrated circuit chip 5
Is located in the opening 4 and in the opening 4 TAB
It is electrically connected to the leads 6 provided on the tape 1. The connection state is a so-called face-down type. A rectangular copper cover plate 7 is adhered to the stiffener 2 with an adhesive. In the figure, a layer indicated by reference numeral 8 is an adhesive layer. The size when the cover plate 7 is viewed from a plane is substantially the same as the size when the stiffener 2 is viewed from a plane. Cover plate 7
Are partially bonded, not the entire surface of the stiffener 2. The cover plate 7 has an adhesive projection 12. Since the cover plate 7 has the bonding projections 12, partial bonding between the cover plate 7 and the stiffener 2 is facilitated. At each of the four corners of the cover plate 7, a projection 13 for suppressing deformation is provided. As shown in FIG. 1D, the deformation suppressing projection 13 is bonded to the stiffener 2 with an adhesive. However, the adhesion between the deformation suppressing projection 13 and the stiffener 2 is released when the cover plate 7 expands and contracts due to heat. Details of this will be described later. The protrusions 12 and 13 are formed on the cover plate 7 by, for example, press working. Further, the cover plate 7 is bonded to the chip 5 with an adhesive. The chip 5 is thermally bonded to the cover plate 7 by bonding the chip 5 to the cover plate 7. When the chip 5 generates heat, the cover plate 7 functions as a so-called radiator plate for releasing the heat to the outside. On the back surface of the TAB tape 1, a plurality of solder balls 9 are formed. The solder balls 9 are electrically connected to the leads 6 in the TAB tape 1 and function as external terminals of the chip 5. The BGA package type semiconductor device is obtained by melting and solidifying the solder balls 9.
It is fixed to an electrical contact of a mounting board (not shown) and connected to an electrical contact of the mounting board. One example of a mounting board is a circuit board. A member indicated by reference numeral 10 is a potting resin for shielding an electrical connection between the chip 5 and the TAB tape 1 from the outside.

【0020】上記構成を有するBGAパッケージである
と、カバープレート7がスティフナ2に部分的に接着さ
れているので、カバープレート7とスティフナ2との接
着面積が小さくなる。接着面積が小さくなると、カバー
プレート7が熱せられて膨脹したとき、およびカバープ
レート7が冷えて収縮したときの力が、スティフナ2に
伝わることが抑制される。したがって、はんだボール9
を、図示せぬ実装基板の電気的接点に接続したとき、カ
バープレート7の線膨脹係数と、実装基板の線膨脹係数
との差に起因して、はんだボール9に発生する、クラッ
クを抑制することができる。
In the BGA package having the above configuration, since the cover plate 7 is partially bonded to the stiffener 2, the bonding area between the cover plate 7 and the stiffener 2 is reduced. When the bonding area is reduced, transmission of the force to the stiffener 2 when the cover plate 7 is heated and expanded and when the cover plate 7 is cooled and contracted are suppressed. Therefore, the solder balls 9
Is connected to an electrical contact of a mounting board (not shown), cracks generated in the solder balls 9 due to the difference between the linear expansion coefficient of the cover plate 7 and the linear expansion coefficient of the mounting board are suppressed. be able to.

【0021】図2は、図1に示すBGAパッケージか
ら、カバープレート7を取り外した状態を示す平面図で
ある。図2に示すように、第1の実施の形態に係るBG
Aパッケージが具備するスティフナ2は、チップ5を収
容するための開孔部4を有している。カバープレート7
は、スティフナ2の開孔部4の周囲に沿った区域20の
みに接着されている。図中、参照符号21に示される部
分は、カバープレート7とスティフナ2との接着面を示
しており、参照符号22に示される部分は、カバープレ
ート7とチップ5との接着面を示している。このように
カバープレート7をスティフナ2の開孔部4の周囲に沿
った区域20のみに接着することにより、カバープレー
ト7の縁がスティフナ2に固定されなくなる。つまり、
カバープレート7の縁が、伸縮自在となる。カバープレ
ート7の縁が伸縮自在となることで、カバープレート7
の縁から、カバープレート7が膨張および収縮したとき
の力を逃がすことができ、接着面21に加わる力が、よ
り軽減されるようになる。したがって、はんだボール9
に発生するクラックを抑制する効果が、さらに高まる。
FIG. 2 is a plan view showing a state where the cover plate 7 is removed from the BGA package shown in FIG. As shown in FIG. 2, the BG according to the first embodiment
The stiffener 2 included in the A package has an opening 4 for accommodating a chip 5. Cover plate 7
Is adhered only to the area 20 along the periphery of the opening 4 of the stiffener 2. In the figure, a portion indicated by reference numeral 21 indicates an adhesive surface between the cover plate 7 and the stiffener 2, and a portion indicated by reference numeral 22 indicates an adhesive surface between the cover plate 7 and the chip 5. . By bonding the cover plate 7 only to the area 20 along the periphery of the opening 4 of the stiffener 2 in this manner, the edge of the cover plate 7 is not fixed to the stiffener 2. That is,
The edge of the cover plate 7 becomes elastic. By making the edge of the cover plate 7 expandable and contractible, the cover plate 7
, The force when the cover plate 7 expands and contracts can be released, and the force applied to the adhesive surface 21 can be further reduced. Therefore, the solder balls 9
The effect of suppressing the cracks that occur on the surface is further enhanced.

【0022】また、スティフナ2の開孔部4の周囲に沿
った区域20のみで接着すると、接着面21が接着面2
2に極力近づけられ、反対にカバープレート7の縁から
は極力離されるようになる。このため、接着面21は、
カバープレート7の縁から逃げようとしている力を妨げ
難くなる。したがって、接着面21に加わる力は、さら
に軽減される。また、接着面21が、カバープレート7
の縁にあると、カバープレート7の縁の伸縮により、接
着面21に加わる力が無用に増大することが懸念され
る。このような懸念は、接着面21を、カバープレート
7の縁から極力離されることで、解消される。
When bonding is performed only in the area 20 along the periphery of the opening 4 of the stiffener 2, the bonding surface 21 is
2 and as far as possible from the edge of the cover plate 7. For this reason, the bonding surface 21
It becomes difficult to hinder the force trying to escape from the edge of the cover plate 7. Therefore, the force applied to the bonding surface 21 is further reduced. In addition, the bonding surface 21 is
At the edge of the cover plate 7, there is a concern that the force applied to the bonding surface 21 may increase unnecessarily due to the expansion and contraction of the edge of the cover plate 7. Such a concern is solved by separating the adhesive surface 21 from the edge of the cover plate 7 as much as possible.

【0023】図3は、この発明の第2の実施の形態に係
るBGAパッケージの接着面を示す図である。第2の実
施の形態は、上記カバープレート7を、スティフナ2の
開孔部4の周囲に沿った区域20のみに接着する、とい
う事項に基いたものである。
FIG. 3 is a view showing a bonding surface of a BGA package according to a second embodiment of the present invention. The second embodiment is based on the fact that the cover plate 7 is adhered only to the area 20 along the periphery of the opening 4 of the stiffener 2.

【0024】図3に示すように、カバープレート7は、
スティフナ2の開孔部4の周囲に沿った区域20の全面
で接着されても良い。参照符号23は、区域20の全面
で接着されたときの接着面を示している。
As shown in FIG. 3, the cover plate 7
The stiffener 2 may be adhered over the entire area 20 along the periphery of the opening 4. Reference numeral 23 indicates an adhesion surface when the entire surface of the area 20 is adhered.

【0025】また、図2に示すように、第1の実施の形
態に係るBGAパッケージは、カバープレート7とステ
ィフナ2との接着面21を4つ有し、接着面21が、区
域20の中に分散されている。接着面21が分散されて
いると、接着面21のトータル面積が、さらに小さくな
るので、カバープレート7とスティフナ2との接着面積
を、さらに小さくできる。また、接着面21が分散され
ると、接着面21の周囲に、カバープレート7が自由に
変形できる部分ができ、カバープレート7が膨脹および
収縮したときの力を、ある程度、接着面21の周囲に開
放されることが期待される。このように接着面21を、
区域20の中に分散させることで、カバープレート7が
膨脹および収縮したときの力を、ある程度、接着面21
の周囲に開放できるので、接着面21に加わる力が、さ
らに弱められる効果が期待される。
As shown in FIG. 2, the BGA package according to the first embodiment has four bonding surfaces 21 between the cover plate 7 and the stiffener 2, and the bonding surface 21 Are distributed. When the bonding surface 21 is dispersed, the total area of the bonding surface 21 is further reduced, so that the bonding area between the cover plate 7 and the stiffener 2 can be further reduced. In addition, when the bonding surface 21 is dispersed, a portion where the cover plate 7 can freely deform is formed around the bonding surface 21, and the force generated when the cover plate 7 expands and contracts is reduced to a certain extent around the bonding surface 21. Is expected to be open to the public. Thus, the bonding surface 21 is
By dispersing in the area 20, the force as the cover plate 7 expands and contracts,
Can be opened to the periphery, and the effect of further reducing the force applied to the bonding surface 21 is expected.

【0026】また、図2に示すように、第1の実施の形
態に係るBGAパッケージは、分散された接着面21が
各々円形である。接着面21が円形であると、カバープ
レート7が膨脹および収縮したときの力を、接着面21
の周囲に均一に開放することができる。もし、接着面2
1の周囲に開放される力が不均一であると、予測できな
いような力が接着面21に生じ、カバープレート7がス
ティフナ2から離脱する可能性がある。このような可能
性は、接着面21を円形とすることで解消される。ま
た、円形の接着面21は、予測できないような力が接着
面21に生じる可能性が小さいので、最小の接着面積
で、最大の接着強度を得ることができる。
As shown in FIG. 2, in the BGA package according to the first embodiment, the dispersed bonding surfaces 21 are each circular. When the bonding surface 21 is circular, the force generated when the cover plate 7 expands and contracts is reduced by the bonding surface 21.
Can be uniformly opened around the If bonding surface 2
If the force released around 1 is not uniform, an unpredictable force is generated on the bonding surface 21, and the cover plate 7 may be detached from the stiffener 2. Such a possibility is eliminated by making the bonding surface 21 circular. Further, the circular bonding surface 21 has a small possibility that an unpredictable force is generated on the bonding surface 21, so that a maximum bonding strength can be obtained with a minimum bonding area.

【0027】図4は、図1に示すBGAパッケージか
ら、カバープレート7を取り外した状態を示す平面図で
ある。図4に示すように、第1の実施の形態に係るBG
Aパッケージは、カバープレート7とスティフナ2との
接着面21の中心C21が、カバープレート7とチップ5
との接着面22の中心C22から、半径rの円周の上に設
定されている。このように接着面21の中心C21を、接
着面22の中心C22、つまり発熱中心から等距離な位置
に設定することにより、カバープレート7が膨張および
収縮したときの力を、接着面21に均等にかけることが
できる。接着面21に、力が均等にかかれば、スティフ
ナ2に加わる力のバランスが良くなる。もし、スティフ
ナ2に加わる力がアンバランスであると、予測できない
ような力がスティフナ2に働く可能性がある。予測でき
ないような力がスティフナ2に働くと、はんだボール9
にクラックが入る可能性がある。このような可能性は、
接着面21の中心C21を、発熱中心から等距離な位置に
配置し、力のバランスを良くすることで、解消される。
FIG. 4 is a plan view showing a state where the cover plate 7 is removed from the BGA package shown in FIG. As shown in FIG. 4, the BG according to the first embodiment
In the A package, the center C 21 of the bonding surface 21 between the cover plate 7 and the stiffener 2 is
From the center C 22 of the bonding surface 22 with, it is set on the circumference of radius r. Thus the center C 21 of the bonding surface 21, the center C 22 of the adhesive surface 22, by setting the equidistant position from the words heating center, the force at which the cover plate 7 is expanded and contracted, the adhesive surface 21 Can be applied evenly. If the force is evenly applied to the bonding surface 21, the balance of the force applied to the stiffener 2 is improved. If the force applied to the stiffener 2 is unbalanced, an unpredictable force may act on the stiffener 2. When an unpredictable force acts on the stiffener 2, the solder ball 9
May crack. Such a possibility,
The center C 21 of the bonding surface 21, disposed equidistant positions from the heating center, by improving the balance of forces, is eliminated.

【0028】図5は、この発明の第3の実施の形態に係
るBGAパッケージの接着面を示す図である。第3の実
施の形態は、上記カバープレート7とスティフナ2との
接着面21の中心C21を、カバープレート7とチップ5
との接着面22の中心C22から、等距離な位置に設定す
る、という事項に基いたものである。
FIG. 5 is a view showing a bonding surface of a BGA package according to a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, the center C 21 of the bonding surface 21 between the cover plate 7 and the stiffener 2 is defined by the cover plate 7 and the chip 5.
From the center C 22 of the bonding surface 22 of the set equidistant positions, in which based on the matters referred.

【0029】図5に示すように、カバープレート7は、
半径rの円周に沿って全面で接着されても良い。参照符
号24は、半径rの円周に沿って全面で接着されたとき
の接着面を示している。
As shown in FIG. 5, the cover plate 7
The entire surface may be bonded along the circumference of the radius r. Reference numeral 24 indicates the bonding surface when the entire surface is bonded along the circumference of the radius r.

【0030】なお、第1の実施の形態に係るBGAパッ
ケージのように、開孔部4が正方形である場合には、接
着面22の中心C22を、開孔部4の中心C0 と置き換え
ても良い。
When the opening 4 is square as in the BGA package according to the first embodiment, the center C 22 of the bonding surface 22 is replaced with the center C 0 of the opening 4. May be.

【0031】図6は、図1に示すBGAパッケージか
ら、カバープレート7を取り外した状態を示す平面図で
ある。また、図6に示すように、第1の実施の形態に係
るBGAパッケージは、接着面22の中心C22を座標
(x,y)=(0,0)とし、4つの接着面21のうち
の1つを基準接着面と仮定したとき、他の3つの接着面
21が、基準接着面に対し、点対称、かつ線対称となる
条件を満足する位置に設定されている。このように接着
面21を、半径rの円周の上に分散させたとき、接着面
21をそれぞれ、上記の条件を満足する位置に設定する
ことで、スティフナ2に加わる力のバランスが、さらに
良くなる。したがって、はんだボール9に発生するクラ
ックを、抑制する効果は、さらに良好になる。
FIG. 6 is a plan view showing a state where the cover plate 7 is removed from the BGA package shown in FIG. As shown in FIG. 6, the BGA package according to the first embodiment sets the center C22 of the bonding surface 22 to coordinates (x, y) = (0, 0), and Is assumed to be the reference bonding surface, the other three bonding surfaces 21 are set at positions that satisfy the conditions of point symmetry and line symmetry with respect to the reference bonding surface. As described above, when the bonding surface 21 is dispersed on the circumference of the radius r, by setting the bonding surface 21 to a position that satisfies the above condition, the balance of the force applied to the stiffener 2 is further improved. Get better. Therefore, the effect of suppressing cracks generated in the solder balls 9 is further improved.

【0032】上記の条件を満足する一つの例を、図6を
参照して説明する。図6に示すように、4つの接着面2
1の中心C22をそれぞれ、中心C22A、中心C22B、中
心C22C、中心C22Dと表す。そして、中心C22Aを含
む接着面を、基準接着面とする。この基準接着面の中心
22Aの座標は、(x,y)=(0,r)である。中心
22Aを、時計回りに90度回転させたとき、つまり座
標(0,r)に対して点対称な位置は、座標(x,y)
=(r,0)である。さらに時計回りに90度回転させ
たとき、つまり座標(0,r)に対して線対称な位置
は、座標(x,y)=(0,−r)である。さらに時計
回りに90度回転させたときに、つまり座標(0,r)
に対して点対称な位置は、(x,y)=(−r,0)で
ある。このように一つの基準接着面の中心C22Aの座標
を(0,r)としたとき、他の三つの接着面の中心C22
B、中心C22C、中心C22Dをそれぞれ、座標(r,
0)、座標(0,−r)、座標(−r,0)の位置に設
定する。
One example satisfying the above conditions will be described with reference to FIG. As shown in FIG.
One center C 22 is represented as a center C 22 A, a center C 22 B, a center C 22 C, and a center C 22 D, respectively. Then, the bonding surface including the center C 22 A is set as a reference bonding surface. The coordinates of the center C 22 A of the reference bonding surface are (x, y) = (0, r). When the center C 22 A is rotated clockwise by 90 degrees, that is, a point-symmetric position with respect to the coordinates (0, r) is represented by the coordinates (x, y).
= (R, 0). Further, when rotated clockwise by 90 degrees, that is, a position that is line-symmetric with respect to the coordinates (0, r) is the coordinates (x, y) = (0, -r). When rotated further 90 degrees clockwise, that is, the coordinates (0, r)
(X, y) = (− r, 0). Assuming that the coordinates of the center C 22 A of one reference bonding surface are (0, r), the centers C 22 of the other three bonding surfaces are equal to each other.
B, the center C 22 C, and the center C 22 D are represented by coordinates (r,
0), coordinates (0, -r), and coordinates (-r, 0).

【0033】なお、第1の実施の形態に係るBGAパッ
ケージのように、開孔部4が正方形である場合には、接
着面22の中心C22を、開孔部4の中心と置き換えても
良い。
When the opening 4 is square as in the BGA package according to the first embodiment, the center C 22 of the bonding surface 22 may be replaced with the center of the opening 4. good.

【0034】図7は、図1に示すBGAパッケージのカ
バープレート7を、接着面側からみた平面図である。図
7に示すように、第1の実施の形態に係るBGAパッケ
ージが具備するカバープレート7は、接着用突起部12
を有している。カバープレート7とスティフナ2との部
分的な接着を達成するためには、接着用突起部12を、
カバープレート7に成型しなくても、接着剤を、カバー
プレート7に部分的に塗布することで達成することがで
きる。このようにされても、もちろん良い。しかし、接
着用突起部12を、カバープレート7に設けておくと、
接着用突起部12のみが、スティフナ2に接触される、
という利点がある。この利点により、接着剤を、カバー
プレート7の全面に塗布しても、カバープレート7とス
ティフナ2との部分的な接着を達成できる、という効果
を得られる。接着剤を、カバープレート7の全面に塗布
することは、接着剤を、カバープレート7に、部分的に
塗布するよりも簡単に行える。接着剤を、カバープレー
ト7に、部分的に塗布するときには、接着剤が塗布され
ない部分を形成するために、例えばマスキングテープな
どを使用する必要がある。しかし、接着用突起部12を
有していると、そのような必要もない。また、マスキン
グテープなどを使用すると、マスクずれを起こす可能性
があり、設計どおりに接着剤を塗布できないこともある
が、そのような心配もない。したがって、接着用突起部
12を有したカバープレート7は、組み立て工程の繁雑
化を防ぐことができ、また、製造コストを低減すること
ができる。
FIG. 7 is a plan view of the cover plate 7 of the BGA package shown in FIG. 1 as viewed from the bonding surface side. As shown in FIG. 7, the cover plate 7 included in the BGA package according to the first embodiment
have. In order to achieve partial adhesion between the cover plate 7 and the stiffener 2, the bonding projection 12 is
Even if the adhesive is not molded on the cover plate 7, the adhesive can be achieved by partially applying the adhesive to the cover plate 7. Of course, this is good. However, if the bonding projection 12 is provided on the cover plate 7,
Only the bonding projection 12 is brought into contact with the stiffener 2.
There is an advantage. Due to this advantage, even if the adhesive is applied to the entire surface of the cover plate 7, an effect is obtained that partial adhesion between the cover plate 7 and the stiffener 2 can be achieved. Applying the adhesive to the entire surface of the cover plate 7 is easier than applying the adhesive to the cover plate 7 partially. When the adhesive is partially applied to the cover plate 7, it is necessary to use, for example, a masking tape or the like in order to form a portion where the adhesive is not applied. However, such a necessity does not exist when the bonding projection 12 is provided. When a masking tape or the like is used, there is a possibility that a mask may be displaced, and the adhesive may not be applied as designed, but there is no such concern. Therefore, the cover plate 7 having the bonding projections 12 can prevent complication of the assembling process, and can reduce the manufacturing cost.

【0035】また、図7に示すように、第1の実施の形
態に係るBGAパッケージが具備するカバープレート7
では、接着用突起部12を4つ有していて、接着用突起
部12がカバープレート7に分散されて設けられてい
る。接着用突起部12を分散させる理由は、例えば図2
を参照して説明された効果を得ることが目的である。ま
た、分散された接着用突起部12はそれぞれ円形であ
る。分散された接着用突起部12をそれぞれ円形にする
理由は、例えば図2を参照して説明された効果を得るこ
とが目的であるが、分散された接着用突起部12を、カ
バープレート7に、プレス加工によって成型しやすい、
という利点がある。つまり、カバープレート7をプレス
したとき、分散された接着用突起部12に角があると、
角の部分にクラックが入ることがあり成型が難しいが、
分散された接着用突起部12を各々円形とすることで、
角がなくなり、成型しやすくなる。
As shown in FIG. 7, a cover plate 7 provided in the BGA package according to the first embodiment is provided.
Has four bonding projections 12, and the bonding projections 12 are provided dispersedly on the cover plate 7. The reason why the bonding protrusions 12 are dispersed is, for example, as shown in FIG.
The purpose is to obtain the effect described with reference to FIG. The dispersed bonding projections 12 are each circular. The reason why each of the dispersed bonding projections 12 is circular is to obtain the effect described with reference to FIG. 2, for example, but the dispersed bonding projections 12 are formed on the cover plate 7. , Easy to mold by pressing,
There is an advantage. That is, when the cover projections 7 are pressed, if the dispersed adhesive projections 12 have corners,
Cracks may occur in the corners and molding is difficult,
By making each of the dispersed bonding projections 12 circular,
There are no corners, making it easier to mold.

【0036】また、図7に示すように、分散された接着
用突起部12各々の中心C12が、カバープレート7の中
心C7 から、半径rの円周の上に設定されている。この
ように分散された接着用突起部12の中心C12を各々、
カバープレート7の中心C7から等距離に設定すること
により、分散された接着用突起部12を、カバープレー
ト7にプレス加工により成型しやすくなる。プレス加工
のときに、カバープレート7に加えられるせん断力が、
均等になるからである。
Further, as shown in FIG. 7, the dispersed bonding projections 12 each center C 12 of the, from the center C 7 of the cover plate 7, it is set on a circumference of radius r. The centers C 12 of the bonding projections 12 thus dispersed are respectively
By setting the center C 7 of the cover plate 7 at equal distances, the bonding projections 12 dispersed, easily molded by pressing in the cover plate 7. At the time of press working, the shear force applied to the cover plate 7 is:
This is because it becomes even.

【0037】また、図7に示すように、分散された接着
用突起部12各々の中心C12は、カバープレート7の中
心C7 を座標(x,y)=(0,0)とし、分散された
接着用突起部12のうちの1つを基準突起部と仮定した
とき、他の分散された接着用突起部12が、基準突起部
に対し、点対称、かつ線対称となる条件を満足する位置
に設定されている。これにより、プレス加工のときに、
カバープレート7に加えられるせん断力の均等性が、さ
らに向上する。
As shown in FIG. 7, the center C 12 of each of the dispersed bonding projections 12 is defined by the coordinates (x, y) = (0, 0) at the center C 7 of the cover plate 7. Assuming that one of the bonding projections 12 is a reference projection, the other dispersed bonding projections 12 satisfy the condition of being point-symmetric and line-symmetric with respect to the reference projection. It is set to the position to be. Thereby, at the time of press working,
The uniformity of the shearing force applied to the cover plate 7 is further improved.

【0038】また、図7に示すように、第1の実施の形
態に係るBGAパッケージが具備するカバープレート7
では、接着用突起部12の他、変形抑制用突起部13が
設けられている。変形抑制用突起部13は、四角形状の
カバープレート7のコーナーにそれぞれ設けられてい
る。変形抑制用突起部13は、カバープレート7がステ
ィフナ2に接着されたとき、その先端がスティフナ2に
接触されるように成型されている。変形抑制用突起部1
3は、カバープレート7に、カバープレート7をスティ
フナ2に向かって押しつけるような力が加わったとき、
コーナーがつぶれることを抑制する。また、変形抑制用
突起部13は、基本的にスティフナ2に接着されるもの
ではなく、スティフナ2に対して水平な方向へは、変形
可能な状態にされる。変形抑制用突起部13を、スティ
フナ2に対して水平な方向へ変形可能な状態とすること
で、熱によってカバープレート7が膨脹しようとしたと
き、この膨脹を妨げない。したがって、スティフナ2
に、スティフナ2を引張するような力を加えずに済む。
As shown in FIG. 7, a cover plate 7 provided in the BGA package according to the first embodiment is provided.
In this embodiment, a deformation suppressing projection 13 is provided in addition to the bonding projection 12. The deformation suppressing projections 13 are provided at corners of the rectangular cover plate 7, respectively. The deformation suppressing projection 13 is formed such that when the cover plate 7 is adhered to the stiffener 2, the tip thereof comes into contact with the stiffener 2. Deformation suppressing projection 1
3 indicates that when a force is applied to the cover plate 7 to press the cover plate 7 toward the stiffener 2,
Suppress corner crush. Further, the deformation suppressing protrusion 13 is not basically bonded to the stiffener 2, but is deformable in a direction horizontal to the stiffener 2. By making the deformation suppressing protrusion 13 deformable in a direction horizontal to the stiffener 2, when the cover plate 7 is to be expanded by heat, the expansion is not hindered. Therefore, stiffener 2
In addition, there is no need to apply a force that pulls the stiffener 2.

【0039】また、変形抑制用突起部13は、接着用突
起部12と同時に、プレス加工によりカバープレート7
に成型できる。また、変形抑制用突起部13をコーナー
に設けておくと、変形抑制用突起部13がコーナーに無
い場合に比べ、カバープレート7のコーナーが反り難く
なる、という効果もある。このコーナーの反りを抑制す
る効果は、熱によってカバープレート7が膨脹および収
縮したときだけでなく、プレス加工のときにも得ること
ができる。このように変形抑制用突起部13を各コーナ
ー毎に設けておくことで、カバープレート7のコーナー
の、スティフナ2に対して垂直な方向への変形を抑制す
ることができる。
Further, the deformation suppressing projection 13 is formed at the same time as the bonding projection 12 by pressing.
Can be molded. Further, when the deformation suppressing protrusions 13 are provided at the corners, there is also an effect that the corners of the cover plate 7 are less likely to be warped than when the deformation suppressing protrusions 13 are not provided at the corners. The effect of suppressing the warpage of the corner can be obtained not only when the cover plate 7 expands and contracts due to heat, but also during press working. By providing the deformation suppressing projections 13 at each corner in this manner, the deformation of the corner of the cover plate 7 in the direction perpendicular to the stiffener 2 can be suppressed.

【0040】なお、カバープレート7のコーナーの変形
は、半導体装置の信頼性に影響するものではないが、コ
ーナーが過剰に変形すると、ユーザが、装置に対して不
安感を抱くことがある。変形抑制用突起部13を各コー
ナー毎に設け、カバープレート7のコーナーの、過剰な
変形を抑制することは、ユーザの不安感をも解消でき
る、という効果がある。
The deformation of the corner of the cover plate 7 does not affect the reliability of the semiconductor device. However, if the corner is excessively deformed, the user may feel uneasy about the device. Providing the deformation suppressing projections 13 at each corner to suppress excessive deformation of the corners of the cover plate 7 has the effect of also eliminating the user's anxiety.

【0041】また、変形抑制用突起部13を、接着用突
起部12と同様に円形としておくと、プレス加工によっ
て成型しやすくなる。また、特に図1(d)に示すよう
に、第1の実施の形態に係るBGAパッケージが具備す
るカバープレート7では、変形抑制用突起部13がステ
ィフナ2との接着されている。このように変形抑制用突
起部13は、スティフナ2と接着されるときには、その
接着面を、接着用突起部12とスティフナ2との接着面
よりも小さくするのが良い。そして、変形抑制用突起部
13とスティフナ2との接着面の面積は、これらの接着
が、カバープレート7がスティフナ2に対して水平な方
向へ変形したときに解除されるような大きさが良い。こ
のように、変形抑制用突起部13がスティフナ2に接着
されていたとしても、その接着が後に解除できれば、つ
まり変形抑制用突起部13がスティフナ2から離脱すれ
ば、離脱後においては、図7を参照して説明したような
効果が得られるようになる。このように構成すると、変
形抑制用突起部13を有していても、接着剤を、カバー
プレート7の全面に塗布することができる。したがっ
て、上記した、組み立て工程の繁雑化を防ぐことがで
き、また、製造コストを低減することができる、という
効果を維持することができる。
If the deformation suppressing protrusion 13 is formed in a circular shape as in the case of the bonding protrusion 12, it is easy to mold by press working. Further, as shown particularly in FIG. 1D, in the cover plate 7 provided in the BGA package according to the first embodiment, the deformation suppressing projection 13 is bonded to the stiffener 2. When the deformation suppressing protrusion 13 is bonded to the stiffener 2 as described above, it is preferable that the bonding surface be smaller than the bonding surface between the bonding protrusion 12 and the stiffener 2. The area of the bonding surface between the deformation suppressing protrusion 13 and the stiffener 2 is preferably large enough to release the bonding when the cover plate 7 is deformed in a direction horizontal to the stiffener 2. . As described above, even if the deformation suppressing projection 13 is adhered to the stiffener 2, if the adhesion can be released later, that is, if the deformation suppressing projection 13 is separated from the stiffener 2, FIG. Can be obtained as described with reference to FIG. With such a configuration, the adhesive can be applied to the entire surface of the cover plate 7 even if it has the deformation suppressing projections 13. Therefore, it is possible to prevent the above-described complication of the assembling process and to reduce the manufacturing cost.

【0042】また、変形抑制用突起部13がスティフナ
2に接着されている間は、カバープレート7とスティフ
ナ2との接着強度が高まっている。ところで、半導体装
置を、完成後に行うテストのとき、あるいは実装基板に
実装するときには、半導体装置を、ワークポイントまで
搬送させる。この搬送のとき、カバープレート7をピッ
クアップすることが多い。カバープレート7をピックア
ップすると、半導体装置の重みが、例えば図2に示すカ
バープレート7とスティフナ2との接着面21、および
カバープレート7とチップ5との接着面22にかかるこ
とになる。カバープレート7とスティフナ2との接着面
21のトータル面積が小さく、接着強度が低いと、カバ
ープレート7とチップ5との接着面22にかかる負担が
大きくなる。このため、カバープレート7をピックアッ
プしたとき、チップ5が引張られ、繊細なチップ5とリ
ード6との電気的接続点が壊れる可能性がある。変形抑
制用突起部13をわずかでもスティフナ2に接着してお
けば、そのような可能性を、小さくすることができる。
したがって、例えば搬送時などに、半導体装置が壊れて
しまう、というアクシデントの発生を抑制できる。
Further, while the deformation suppressing projection 13 is adhered to the stiffener 2, the adhesive strength between the cover plate 7 and the stiffener 2 is increased. By the way, at the time of a test performed after completion of a semiconductor device or when mounting the semiconductor device on a mounting board, the semiconductor device is transported to a work point. At this time, the cover plate 7 is often picked up. When the cover plate 7 is picked up, the weight of the semiconductor device is applied to, for example, the bonding surface 21 between the cover plate 7 and the stiffener 2 and the bonding surface 22 between the cover plate 7 and the chip 5 shown in FIG. If the total area of the bonding surface 21 between the cover plate 7 and the stiffener 2 is small and the bonding strength is low, the load on the bonding surface 22 between the cover plate 7 and the chip 5 increases. For this reason, when the cover plate 7 is picked up, the chip 5 is pulled, and the delicate chip 5 and the electrical connection point between the lead 6 may be broken. If the deformation suppressing protrusion 13 is slightly adhered to the stiffener 2, such a possibility can be reduced.
Therefore, it is possible to suppress the occurrence of an accident that the semiconductor device is broken, for example, during transportation.

【0043】また、変形抑制用突起部13とスティフナ
2との接着の解除を、カバープレート7が、スティフナ
2に対して水平な方向へ変形したときに行われるように
すると、チップ5が発熱しただけで、自動的に接着を解
除できる。このように接着を自動的に解除できると、接
着を解除するための工程を必要とせず、手間がかからな
い。このような接着の自動的な解除を行うためには、変
形抑制用突起部13を、熱によってカバープレート7が
膨脹しようとしたときに、最も力が集中する箇所に設け
るのが良い。図7に示すように、第1の実施の形態に係
るBGAパッケージのカバープレート7では、変形抑制
用突起部13を、対角線の上に設定している。四角形で
あるカバープレート7が膨脹しようとしたとき、その力
はコーナーに向かって集中しやすい。したがって、変形
抑制用突起部13を対角線の上に設定することで、変形
抑制用突起部13とスティフナ2との接着を解除しやす
くできる。
When the cover plate 7 is deformed in the horizontal direction with respect to the stiffener 2 when the adhesion between the deformation suppressing projection 13 and the stiffener 2 is released, the chip 5 generates heat. Just release the bond automatically. If the bonding can be automatically released in this way, a step for releasing the bonding is not required, and no labor is required. In order to perform such automatic release of the bonding, it is preferable to provide the deformation suppressing protrusion 13 at a position where the force is most concentrated when the cover plate 7 is about to expand due to heat. As shown in FIG. 7, in the cover plate 7 of the BGA package according to the first embodiment, the deformation suppressing projection 13 is set on a diagonal line. When the square cover plate 7 is about to expand, the force tends to concentrate toward the corner. Therefore, by setting the deformation suppressing protrusion 13 on the diagonal line, the adhesion between the deformation suppressing protrusion 13 and the stiffener 2 can be easily released.

【0044】図8は、この発明の第4の実施の形態に係
るBGAパッケージを示す図で、(a)図は平面図、
(b)図は(a)図中のb−b線に沿う断面図、(c)
図は(a)図中のc−c線に沿う断面図、(d)図は
(a)図中のd−d線に沿う断面図である。
FIG. 8 shows a BGA package according to a fourth embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along line bb in FIG.
The figure is a cross-sectional view taken along the line cc in the figure (a), and the figure (d) is a cross-sectional view taken along the line dd in the figure (a).

【0045】図8(a)〜(d)に示すように、第4の
実施の形態に係るBGAパッケージは、接着用突起部3
2をスティフナ2に設けたものである。このように接着
用突起部32をスティフナ2に設けても、第1の実施の
形態に係るBGAパッケージと同様、はんだボール9へ
のクラック発生を抑制できる。さらに接着剤を、カバー
プレート7の全面に塗布しても、接着用突起部32の先
端のみをカバープレート7に接触できるので、組み立て
工程の繁雑化が防がれ、また、製造コストが低減され
る。さらに接着用突起部32をスティフナ2に設けるの
で、スティフナ2の接着面がずれることがない。このた
め、スティフナ2に加わる力のバランスが、常に良くな
る。
As shown in FIGS. 8A to 8D, the BGA package according to the fourth embodiment has
2 is provided on the stiffener 2. Thus, even if the bonding projections 32 are provided on the stiffener 2, cracks in the solder balls 9 can be suppressed as in the BGA package according to the first embodiment. Furthermore, even if the adhesive is applied to the entire surface of the cover plate 7, only the tip of the bonding projection 32 can be brought into contact with the cover plate 7, so that the assembly process is not complicated and the manufacturing cost is reduced. You. Further, since the adhesive projection 32 is provided on the stiffener 2, the adhesive surface of the stiffener 2 does not shift. For this reason, the balance of the force applied to the stiffener 2 is always improved.

【0046】なお、接着用突起部32は、図2〜図6を
参照して説明した接着面のいずれかに合わせて形成され
れば良い。また、図8(a)〜(d)に示すように、第
4の実施の形態に係るBGAパッケージでは、変形抑制
用突起部33をスティフナ2に設けているが、変形抑制
用突起部33は、カバープレート7に設けられるように
しても良い。
The adhesive projection 32 may be formed so as to correspond to any one of the adhesive surfaces described with reference to FIGS. Further, as shown in FIGS. 8A to 8D, in the BGA package according to the fourth embodiment, the deformation suppressing protrusion 33 is provided on the stiffener 2, but the deformation suppressing protrusion 33 is , May be provided on the cover plate 7.

【0047】図9は、この発明の第5の実施の形態に係
るBGAパッケージを示す図で、(a)図は平面図、
(b)図は(a)図中のb−b線に沿う断面図、(c)
図は(a)図中のc−c線に沿う断面図である。
FIG. 9 is a view showing a BGA package according to a fifth embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along line bb in FIG.
The figure is a cross-sectional view along the line cc in FIG.

【0048】図9(a)〜(c)に示すように、第5の
実施の形態に係るBGAパッケージは、カバープレート
7をチップ5のみに接着して、スティフナ2には接触さ
れるだけとしたものである。このように構成であって
も、カバープレート7は、スティフナ2の表面に沿って
自在に動けるので、スティフナ2に加わる力を低減する
ことができる。したがって、はんだボール9に、クラッ
クが発生することを抑制できる。また、カバープレート
7がスティフナ2の全面に接触されているので、カバー
プレート7に、スティフナ2に向かって押す力が加わっ
ても、変形はしない。
As shown in FIGS. 9A to 9C, in the BGA package according to the fifth embodiment, the cover plate 7 is adhered only to the chip 5, and only the stiffener 2 is contacted. It was done. Even with such a configuration, since the cover plate 7 can move freely along the surface of the stiffener 2, the force applied to the stiffener 2 can be reduced. Therefore, generation of cracks in the solder balls 9 can be suppressed. In addition, since the cover plate 7 is in contact with the entire surface of the stiffener 2, the cover plate 7 is not deformed even if a pressing force is applied to the stiffener 2.

【0049】図10は、この発明の第6の実施の形態に
係るBGAパッケージを示す図で、(a)図は平面図、
(b)図は(a)図中のb−b線に沿う断面図、(c)
図は(a)図中のc−c線に沿う断面図、(d)図は
(a)図中のd−d線に沿う断面図である。
FIG. 10 is a view showing a BGA package according to a sixth embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along line bb in FIG.
The figure is a cross-sectional view taken along the line cc in the figure (a), and the figure (d) is a cross-sectional view taken along the line dd in the figure (a).

【0050】図10(a)〜(d)に示すように、第6
の実施の形態に係るBGAパッケージは、カバープレー
ト7をチップ5のみに接着し、スティフナ2には接触さ
れるだけとした構成において、変形抑制用突起部13を
カバープレート7にさらに設けたものである。また、図
10(d)に示すように、変形抑制用突起部13は、ス
ティフナ2に接着されているが、図7を参照して説明し
たように、その接着は、熱によってカバープレート7が
膨脹および収縮したとき、解除されるようになってい
る。これにより、図7を参照して説明したような効果を
得ることができる。さらに、変形抑制用突起部13の先
端のみをスティフナ2に接触することができるので、接
着剤をカバープレート7の全面に塗布して組み立てるこ
とが可能である。
As shown in FIGS. 10A to 10D, the sixth
The BGA package according to the embodiment has a configuration in which the cover plate 7 is adhered only to the chip 5 and is only in contact with the stiffener 2, and the deformation suppressing protrusion 13 is further provided on the cover plate 7. is there. Further, as shown in FIG. 10 (d), the deformation suppressing protrusion 13 is bonded to the stiffener 2, but as described with reference to FIG. It is released when it expands and contracts. Thereby, the effect as described with reference to FIG. 7 can be obtained. Furthermore, since only the tip of the deformation suppressing projection 13 can be brought into contact with the stiffener 2, it is possible to assemble the adhesive by applying the adhesive to the entire surface of the cover plate 7.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、放熱部材を有するBGAパッケージ型の半導体装置
において、はんだボールに、熱に起因したクラック発生
を抑制できる半導体装置と、その組み立て方法とを提供
できる。
As described above, according to the present invention, in a BGA package type semiconductor device having a heat radiating member, a semiconductor device capable of suppressing generation of cracks in a solder ball due to heat, and an assembling method thereof And can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1はこの発明の第1の実施の形態に係るBG
Aパッケージを示す図で、(a)図は平面図、(b)図
は(a)図中のb−b線に沿う断面図、(c)図は
(a)図中のc−c線に沿う断面図、(d)図は(a)
図中のd−d線に沿う断面図。
FIG. 1 is a BG according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 4A is a view showing a package, FIG. 4A is a plan view, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 4A, and FIG. 4C is line cc in FIG. (D) is a sectional view along (a).
Sectional drawing which follows the dd line in the figure.

【図2】図2はカバープレートを取り外した状態を示す
平面図。
FIG. 2 is a plan view showing a state where a cover plate is removed.

【図3】図3はこの発明の第2の実施の形態に係るBG
Aパッケージの接着面を示す図。
FIG. 3 is a BG according to a second embodiment of the present invention.
The figure which shows the bonding surface of A package.

【図4】図4はカバープレートを取り外した状態を示す
平面図。
FIG. 4 is a plan view showing a state where a cover plate is removed.

【図5】図5はこの発明の第3の実施の形態に係るBG
Aパッケージの接着面を示す図。
FIG. 5 is a BG according to a third embodiment of the present invention.
The figure which shows the bonding surface of A package.

【図6】図6はカバープレートを取り外した状態を示す
平面図。
FIG. 6 is a plan view showing a state where a cover plate is removed.

【図7】図7はカバープレートを接着面側からみた平面
図。
FIG. 7 is a plan view of the cover plate as viewed from an adhesive surface side.

【図8】図8はこの発明の第4の実施の形態に係るBG
Aパッケージを示す図で、(a)図は平面図、(b)図
は(a)図中のb−b線に沿う断面図、(c)図は
(a)図中のc−c線に沿う断面図、(d)図は(a)
図中のd−d線に沿う断面図。
FIG. 8 is a BG according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 4A is a view showing a package, FIG. 4A is a plan view, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 4A, and FIG. 4C is line cc in FIG. (D) is a sectional view along (a).
Sectional drawing which follows the dd line in the figure.

【図9】図9はこの発明の第5の実施の形態に係るBG
Aパッケージを示す図で、(a)図は平面図、(b)図
は(a)図中のb−b線に沿う断面図、(c)図は
(a)図中のc−c線に沿う断面図。
FIG. 9 is a BG according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 4A is a view showing a package, FIG. 4A is a plan view, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 4A, and FIG. 4C is line cc in FIG. FIG.

【図10】図10はこの発明の第6の実施の形態に係る
BGAパッケージを示す図で、(a)図は平面図、
(b)図は(a)図中のb−b線に沿う断面図、(c)
図は(a)図中のc−c線に沿う断面図、(d)図は
(a)図中のd−d線に沿う断面図。
FIG. 10 is a view showing a BGA package according to a sixth embodiment of the present invention, wherein FIG.
FIG. 2B is a sectional view taken along line bb in FIG.
The figure is a sectional view taken along the line cc in the figure (a), and the figure (d) is a sectional view taken along the line dd in the figure (a).

【図11】図11は従来のBGAパッケージを示す図
で、(a)図は平面図、(b)図は(a)図中のb−b
線に沿う断面図、(c)図は(a)図中のc−c線に沿
う断面図。
11A and 11B are views showing a conventional BGA package, wherein FIG. 11A is a plan view, FIG. 11B is a view bb in FIG.
FIG. 3C is a cross-sectional view taken along a line cc in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…TABテープ、 2…スティフナ、 3、8…接着剤の層、 4…開孔部、 5…半導体集積回路チップ、 6…リード、 7…カバープレート、 9…はんだボール、 10…ポッティング樹脂、 12、32…接着用突起部、 13、33…変形抑制用突起部、 21、22、23、24…接着面。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TAB tape, 2 ... Stiffener, 3, 8 ... Adhesive layer, 4 ... Aperture, 5 ... Semiconductor integrated circuit chip, 6 ... Lead, 7 ... Cover plate, 9 ... Solder ball, 10 ... Potting resin 12, 32: Projecting portion for bonding, 13, 33: Projecting portion for suppressing deformation, 21, 22, 23, 24: Adhesive surface.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池水 守彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝多摩川工場内 (56)参考文献 特開 平8−78572(JP,A) 特開 平9−213837(JP,A) 特開 平8−31995(JP,A) 特開 平9−246315(JP,A) 特開 平9−293808(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/34 H01L 23/12 H01L 21/60 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Morihiko Ikemizu 1 Kozumu Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Tamagawa Plant Co., Ltd. JP-A-9-213837 (JP, A) JP-A-8-31995 (JP, A) JP-A-9-246315 (JP, A) JP-A 9-293808 (JP, A) (58) Fields studied (Int) .Cl. 7 , DB name) H01L 23/34 H01L 23/12 H01L 21/60

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ボール状電極群を有するチップキャリア
と、 前記チップキャリアに電気的に接続され、前記ボール
電極群を外部端子とする半導体集積回路チップと、 前記チップキャリアに接続され、前記チップキャリアの
平坦性を保たせるための平坦化部材と、 前記平坦化部材に接着されるとともに、前記半導体集積
回路チップに熱的に結合され、前記半導体集積回路チッ
プから発せられる熱を逃がすための放熱部材とを具備
し、前記放熱部材と前記平坦化部材との接着面を有する接着
用突起部を、前記放熱部材および前記平坦化部材のいず
れか一方に設け、前記放熱部材を、前記平坦化部材に、
部分的に接着した ことを特徴とする半導体装置。
A chip carrier having a 1. A ball-shaped electrodes, the electrically connected to the chip carrier, a semiconductor integrated circuit chip for the ball-shaped <br/> electrode group and the external terminal, connected to said chip carrier And a flattening member for maintaining the flatness of the chip carrier, and being bonded to the flattening member and thermally coupled to the semiconductor integrated circuit chip to generate heat generated from the semiconductor integrated circuit chip. A heat radiating member for escaping and having an adhesive surface between the heat radiating member and the flattening member;
For the heat radiating member and the flattening member.
Provided on one of them, the heat radiation member, the flattening member,
A semiconductor device characterized by being partially adhered .
【請求項2】 ボール状電極群を有するチップキャリア
と、 前記チップキャリアに電気的に接続され、前記ボール
電極群を外部端子とする半導体集積回路チップと、 前記チップキャリアに接続され、前記チップキャリアの
平坦性を保たせるための平坦化部材と、 前記平坦化部材に接着されるとともに、前記半導体集積
回路チップに熱的に結合され、前記半導体集積回路チッ
プから発せられる熱を逃がすための放熱部材とを具備す
る半導体装置の組み立て方法であって、 前記放熱部材と前記平坦化部材との接着面を有した接着
用突起部を、前記放熱部材および前記平坦化部材のいず
れか一方に設け、前記放熱部材の接着側全面に接着剤を
塗布し、前記接着用突起部の接着面により、前記放熱部
材を、前記平坦化部材に、部分的に接着することを特徴
とする半導体装置の組み立て方法。
A chip carrier having a 2. A ball-shaped electrodes, the electrically connected to the chip carrier, a semiconductor integrated circuit chip for the ball-shaped <br/> electrode group and the external terminal, connected to said chip carrier And a flattening member for maintaining the flatness of the chip carrier, and being bonded to the flattening member and thermally coupled to the semiconductor integrated circuit chip to generate heat generated from the semiconductor integrated circuit chip. A method of assembling a semiconductor device including a heat radiating member for releasing, wherein the bonding protrusion having an adhesive surface between the heat radiating member and the flattening member is attached to one of the heat radiating member and the flattening member. An adhesive is applied to the entire surface of the heat-radiating member on the bonding side, and the heat-radiating member is partially bonded to the flattening member by the bonding surface of the bonding protrusion. A method for assembling a semiconductor device, comprising:
【請求項3】 ボール状電極群を有するチップキャリア
と、 前記チップキャリアに電気的に接続され、前記ボール
電極群を外部端子とする半導体集積回路チップと、 前記チップキャリアに接続され、前記チップキャリアの
平坦性を保たせるための平坦化部材と、 前記半導体集積回路チップに熱的に結合され、前記半導
体集積回路チップから発せられる熱を逃がすための放熱
部材とを具備し、 前記放熱部材を、前記平坦化部材に対して水平な方向へ
の変形が自在な状態で、前記平坦化部材により支持させ
たことを特徴とする半導体装置。
A chip carrier having a 3. The ball-shaped electrodes, the electrically connected to the chip carrier, a semiconductor integrated circuit chip for the ball-shaped <br/> electrode group and the external terminal, connected to said chip carrier A flattening member for keeping the flatness of the chip carrier, and a heat dissipating member for releasing heat generated from the semiconductor integrated circuit chip, thermally coupled to the semiconductor integrated circuit chip, A semiconductor device, wherein the heat radiating member is supported by the flattening member in a state where the heat radiating member can be freely deformed in a direction horizontal to the flattening member.
【請求項4】 前記平坦化部材は、前記半導体集積回路
チップを収容するための開孔部を有し、 前記放熱部材を、前記平坦化部材の前記開孔部周囲のみ
に接着し、前記放熱部材の縁を開放したことを特徴とす
る請求項1に記載の半導体装置。
4. The flattening member has an opening for accommodating the semiconductor integrated circuit chip, and the heat dissipating member is bonded only around the opening of the flattening member, and the heat dissipation is performed. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein an edge of the member is opened.
【請求項5】 前記放熱部材と平坦化部材との接着部分
を、発熱中心から等距離な位置に設けたことを特徴とす
る請求項4に記載の半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 4, wherein a bonding portion between the heat radiating member and the flattening member is provided at a position equidistant from a heat generation center.
【請求項6】 前記放熱部材と平坦化部材との接着部分
を、前記開孔部の周囲に分散させたことを特徴とする請
求項4に記載の半導体装置。
6. The semiconductor device according to claim 4, wherein an adhesive portion between the heat radiating member and the flattening member is dispersed around the opening.
【請求項7】 前記分散された接着部分をそれぞれ、発
熱中心から、点対、かつ線対称な条件を満足する位置
に設けたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装
置。
7. A semiconductor device according to claim 6, characterized in that each said distributed adhered portion, from the heating center, provided at a position that satisfies the point-symmetric, and axisymmetric conditions.
【請求項8】 前記放熱部材の、前記平坦化部材に対し
て水平な方向への変形が自在な状態で、前記平坦化部材
に対して垂直な方向への変形を抑制する変形抑制用突起
部を、前記放熱部材および前記平坦化部材のいずれか一
方に、さらに設けたことを特徴とする請求項1に記載の
半導体装置。
8. The heat dissipating member, with respect to the flattening member,
The flattening member can be freely deformed in the horizontal direction.
Deformation suppressing projection that suppresses deformation in the direction perpendicular to
A part of the heat dissipating member and the flattening member.
The semiconductor device according to claim 1, further comprising:
【請求項9】 前記変形抑制用突起部は、前記接着用突
起部の接着面よりも小さい、前記放熱部材と前記平坦化
部材との接着面を有し、 前記変形抑制用突起部の接着面における接着は、前記放
熱部材が前記平坦化部材に対して水平な方向へ変形した
ときに解除され、接着が解除された後、前記放熱部材
の、前記平坦化部材に対して水平な方向への変形が自在
な状態となることを特徴とする請求項8 に記載の半導体
装置。
9. The bonding projection according to claim 9, wherein the deformation suppressing projection is formed by the bonding projection.
The heat dissipating member and the flattening are smaller than the bonding surface of the raised portion.
An adhesive surface with the member, and the adhesive on the adhesive surface of the deformation suppressing protrusion is formed by the release
The heat member has deformed in the direction horizontal to the flattening member
Sometimes released, after the bonding is released, the heat dissipation member
Of the flattening member can be freely deformed in the horizontal direction.
The semiconductor device according to claim 8 , wherein the semiconductor device is in a state.
【請求項10】 前記放熱部材は、前記平坦化部材に対
して水平な方向への変形が自在な状態で、前記平坦化部
材に対して垂直な方向への変形を抑制する変形抑制用突
起部を有し、 前記放熱部材を、前記変形抑制用突起部によって、前記
平坦化部材に対して水 平な方向への変形が自在な状態
で、前記平坦化部材により支持させたことを特徴とする
請求項3 に記載の半導体装置。
10. The heat dissipating member is provided on the flattening member.
The flattening section in a state where it can be freely deformed in the horizontal direction.
Deformation suppression protrusion that suppresses deformation in the direction perpendicular to the material
Having a raised portion, the heat radiation member, the deformation suppressing protrusion, the
Freely state deformation into horizontal direction to flattener
And characterized by being supported by the flattening member.
The semiconductor device according to claim 3 .
【請求項11】 前記変形抑制用突起部は、前記放熱部
材と前記平坦化部材との接着面を有し、 前記変形抑制用突起部の接着面における接着は、前記放
熱部材が前記平坦化部材に対して水平な方向へ変形した
ときに解除され、接着が解除された後、前記放熱部材
の、前記平坦化部材に対して水平な方向への変形が自在
な状態となることを特徴とする請求項10 に記載の半導
体装置。
11. The heat-dissipating portion includes a projection for suppressing deformation.
It has adhesive surfaces of the planarization member with product, adhesion at the adhesion surface of the deformation-suppressing protrusions, the release
The heat member has deformed in the direction horizontal to the flattening member
Sometimes released, after the bonding is released, the heat dissipation member
Of the flattening member can be freely deformed in the horizontal direction.
The semiconductor device according to claim 10 , wherein the semiconductor device is in a state.
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JP2937111B2 (en) * 1996-03-12 1999-08-23 ソニー株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
US5760465A (en) * 1996-02-01 1998-06-02 International Business Machines Corporation Electronic package with strain relief means
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