JP3219008B2 - コンタクトプローブおよびその製造方法と前記コンタクトプローブを備えたプローブ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブおよびその製造方法と前記コンタクトプ
ローブを備えたプローブ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ＩＣチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。

【０００３】これに対して、例えば、特公平７−８２０
２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィ
ルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコ
ンタクトプローブの技術が提案されている。この技術例
では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンと
することによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、
複雑な多数の部品を不要とするものである。

【０００４】上記のコンタクトプローブでは、テスト時
において、所望の接触圧を得るためにコンタクトピンの
押し付け量を増減させているが、大きな接触圧を得るた
めには大きな押し付け量が必要となる。しかしながら、
上記のコンタクトプローブは、パターン配線の先端部、
すなわちコンタクトピンがＮｉ（ニッケル）で形成され
ているため、硬度がＨｖ３００程度しか得られず、硬度
が低いために過度の接触圧が加わることによりコンタク
トピンが湾曲・変形してしまうため、押し付け量に限界
があり大きな接触圧が得られなかった。この結果、電気
的測定に十分な接触圧が得られず、接触不良を起こす原
因となっていた。

【０００５】この対策として、Ｎｉをメッキ処理で形成
する際に、サッカリン等の添加剤を投入する手段がある
が、この場合、常温でＨｖ３５０以上の硬度を維持する
ことが可能であるが、サッカリン等の添加剤にはＳ（硫
黄）が含まれているために高温加熱、例えば３００℃で
加熱すると、硬度がＨｖ２００以下にまで急激に低下し
てしまう不都合が生じる。このため、上記のコンタクト
プローブを、高温下に置くことがある場合、特に、バー
ンインテスト用チップキャリア等に用いることができな
かった。

【０００６】そこで、硬度を向上させしかも耐熱性も兼
ね備え、高温加熱後でも高硬度を安定して維持すること
ができるニッケル−マンガン（Ｎｉ−Ｍｎ）合金製のコ
ンタクトプローブが提案されている。

【０００７】ところで、Ａｌ（アルミニウム）合金等で
形成されるＩＣチップ等の各端子（パッド）は、その表
面が空気中で酸化して、薄いアルミニウムの表面酸化膜
で覆われた状態となっている。したがって、パッドの電
気的テストを行うには、表面のアルミニウムの表面酸化
膜を剥離させ、内部のアルミニウムを露出させて、導電
性確保する必要がある。

【０００８】そこで、上記コンタクトプローブにおいて
は、コンタクトピンをパッドの表面に接触させつつ、オ
ーバードライブをかける（コンタクトピンがパッドに接
触してからさらに下方に向けて引き下げる）ことによ
り、コンタクトピンの先端でパッド表面のアルミニウム
の表面酸化膜を擦り取り、内部のアルミニウムを露出さ
せるようにしている。上述した作業は、スクラブ(scru
b)と呼ばれ、電気的テストを確実に行う上で重要とされ
る。

【０００９】上記コンタクトピンにおいて、スクラブ時
にパッドの下地が傷つくのを防止するためには、コンタ
クトピンのパッドに対する接触角を十分な大きさまで確
保することが必要とされる。その理由は、接触角が小さ
いと、表面のアルミニウムの排斥量が著しく大きくな
り、パッド下地にまで影響を及ぼすという理由からであ
る。

【００１０】この対策として、図４０に示すように、コ
ンタクトピン６００の途中位置Ｖにて折曲させたコンタ
クトプローブ６０１が提案されている。このコンタクト
プローブ６０１では、コンタクトピン６００の先端部と
基端部とで測定対象物（パッド）に対する角度を変える
ことができ、コンタクトピン６００の基端部のパッドに
対する角度、すなわち、フィルム６０２のパッドに対す
る角度を大きくすることなく、コンタクトピン６００の
先端部とパッドの角度（接触角）を大きくすることが可
能となる。すなわち、このコンタクトプローブ６０１で
は、スクラブ距離が過度に大きくなることがなく、か
つ、プローブ装置の高さを大きくすることなく、スクラ
ブ時にパッドの下地が傷つくことを防止することができ
るという利点がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記折曲されたコンタ
クトピン６００を有するコンタクトプローブ６０１は、
上述したＮｉ−Ｍｎ合金製のコンタクトピンを採用した
場合に、図４０に示すように、該コンタクトピン６００
をその途中位置Ｖにて折曲して作製すると、屈曲部分の
外側に亀裂や破断等が生じる場合があった。また、折曲
時に亀裂等が生じていなくても、繰り返しの使用により
屈曲部分の外側に亀裂等が発生するおそれがあった。こ
の原因は、上記Ｎｉ−Ｍｎ合金製のコンタクトプローブ
において、硬度を向上させるためにＭｎを一定濃度以上
含有させなければならないが、この場合にコンタクトピ
ンにおける靱性が低下してしまい、折曲時に屈曲部分の
外側が最も伸ばされるために亀裂等が生じてしまうため
である。

【００１２】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、折曲における屈曲部分の亀裂等を抑制するコンタ
クトプローブおよびその製造方法と前記コンタクトプロ
ーブを備えたプローブ装置を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載のコンタクトプローブでは、複数のパターン配線
がフィルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端
が前記フィルムから突出状態に配されてコンタクトピン
とされるコンタクトプローブであって、前記コンタクト
ピンは、その途中位置の両側面に切欠部が形成され、か
つ前記途中位置で厚さ方向に折曲されている技術が採用
される。

【００１４】このコンタクトプローブでは、コンタクト
ピンの途中位置の両側面に切欠部が形成され、かつ前記
途中位置で厚さ方向に折曲されているので、折曲により
圧縮され強い応力が加わる屈曲部分内側において、切欠
部が塑性変形の逃げ部となり、変形容易部となることか
ら、前記応力が分散・緩和される。これに伴って、屈曲
部分内側の圧縮応力によって生じる屈曲部分外側を引き
伸ばす応力自体も同時に緩和されることから、屈曲部分
の亀裂等が抑制される。また、折曲による屈曲部分が必
ず前記切欠部が形成された前記途中位置で形成されるの
で、折り曲げ位置が正確に得られるとともに、前記途中
位置からコンタクトピンの先端までの長さが高精度で得
られ、コンタクトピンの高さばらつきが抑えられる。

【００１５】請求項２記載のコンタクトプローブでは、
請求項１記載のコンタクトプローブにおいて、少なくと
も前記コンタクトピンは、ニッケル−マンガン合金で形
成され、該ニッケル−マンガン合金は、マンガンが０．
０５重量％から１．５重量％の範囲内で含まれている技
術が採用される。

【００１６】このコンタクトプローブでは、前記コンタ
クトピンが、マンガンが０．０５重量％から１．５重量
％の範囲内で含まれているニッケル−マンガン合金で形
成されているので、前記コンタクトピンは、高温加熱
後、例えば、５００℃で加熱した後でもＨｖ３５０以上
の硬度を有する。すなわち、Ｎｉ−Ｍｎ合金は高温加熱
によっても硬度が極度に低下することがない。さらに、
マンガン（Ｍｎ）量が０．０５重量％未満では、Ｈｖ３
５０以上の硬度が得られず、１．５重量％を越えると、
コンタクトピンの応力が増大してしまい湾曲するおそれ
があるとともに非常に脆く靱性が低下してしまうため、
上記範囲内にＭｎ含有量を設定することにより、コンタ
クトプローブとして必要な高硬度および靱性が得られ
る。特に屈曲部分においても高硬度および高靱性が得ら
れるので、折曲時および繰り返しの使用においても屈曲
部分外側における亀裂等の発生が抑制される。

【００１７】請求項３記載のコンタクトプローブでは、
請求項１記載のコンタクトプローブにおいて、前記コン
タクトピンは、マンガン濃度が０．０５重量％以上に設
定された高マンガン合金層と、該高マンガン合金層より
低いマンガン濃度に設定された低マンガン合金層とを具
備してなり、前記途中位置にて前記低マンガン合金層側
を外側にして折曲されている技術が採用される。

【００１８】このコンタクトプローブでは、高マンガン
合金層がマンガン濃度０．０５重量％以上のＮｉ−Ｍｎ
合金であるので、常温および高温加熱後、すなわち５０
０℃で加熱した後でもＨｖ３５０以上の高硬度が得られ
る。さらに、高マンガン合金層より低いマンガン濃度の
Ｎｉ−Ｍｎ合金で形成されている低マンガン合金層側を
外側にして折曲されているので、高マンガン合金層単層
で形成された場合に比べて屈曲部分の外側の靱性が高く
なり、前記切欠部の効果と相俟って、屈曲部分の外側の
亀裂等の発生がさらに抑制される。

【００１９】請求項４記載のコンタクトプローブでは、
請求項１から３のいずれかに記載のコンタクトプローブ
において、前記フィルムには、金属フィルムが直接張り
付けられて設けられている技術が採用される。

【００２０】このコンタクトプローブでは、前記フィル
ムが、例えば水分を吸収して伸張し易い樹脂フィルム等
であっても、該フィルムには、金属フィルムが直接張り
付けられて設けられているため、該金属フィルムによっ
て前記フィルムの伸びが抑制される。すなわち、各コン
タクトピンの間隔にずれが生じ難くなり、前記切欠部に
よる正確な屈曲位置と相俟って、先端が測定対象物に正
確かつ高精度に当接させられる。さらに、該金属フィル
ムは、グラウンドとして用いることができ、それによ
り、コンタクトプローブの先端近くまでインピーダンス
マッチングをとる設計が可能となり、高周波域でのテス
トを行う場合にも反射雑音による悪影響を防ぐことがで
きる。すなわち、プローバーと呼ばれるテスターからの
伝送線路の途中で基板配線側とコンタクトピンとの間の
特性インピーダンスが合わないと反射雑音が生じ、その
場合、特性インピーダンスの異なる伝送線路が長ければ
長いほど大きな反射雑音が生じるという問題がある。反
射雑音は信号歪となり、高周波になると誤動作の原因に
なり易い。本コンタクトプローブでは、前記金属フィル
ムをグラウンドとして用いることにより、コンタクトピ
ン先の近くまで基板配線側との特性インピーダンスのず
れを最小限に抑えることができ、反射雑音による誤動作
を抑えることができる。

【００２１】請求項５記載のコンタクトプローブでは、
請求項４記載のコンタクトプローブにおいて、前記金属
フィルムには、第二のフィルムが直接張り付けられて設
けられている技術が採用される。

【００２２】このコンタクトプローブでは、前記金属フ
ィルムに第二のフィルムが直接張り付けられて設けられ
ているため、配線用基板が金属フィルムの上方に配され
る場合には、配線用基板の基板側パターン配線や他の配
線が金属フィルムと直接接触しないのでショートを防ぐ
ことができる。また、樹脂フィルムの上に金属フィルム
が張り付けられて設けられているだけでは、金属フィル
ムが露出しているため、大気中で酸化が進行してしまう
が、本発明では、第二のフィルムが金属フィルムを被覆
してその酸化を防止する。

【００２３】請求項６記載のプローブ装置では、請求項
１から５のいずれかに記載のコンタクトプローブと、前
記フィルム上に配されて該フィルムから前記コンタクト
ピンよりも短く突出する強弾性フィルムと、該強弾性フ
ィルムと前記コンタクトプローブとを支持する支持部材
とを備えている技術が採用される。

【００２４】このプローブ装置では、前記強弾性フィル
ムが設けられ、該強弾性フィルムがコンタクトピンの先
端側を上方から押さえるため、ピン先端が上方に湾曲し
たものが存在しても、各ピンに均一な接触圧が得られ
る。すなわち、前記切欠部による正確な屈曲位置と相俟
って、測定対象物にコンタクトピンの先端を確実に当接
させることができるところから、接触不良による測定ミ
スをさらに低減することができる。

【００２５】請求項７記載のプローブ装置では、請求項
４に記載のコンタクトプローブと、前記金属フィルム上
に配されて突出した強弾性フィルムと、該強弾性フィル
ムと前記コンタクトプローブとを支持する支持部材とを
備え、前記コンタクトピンの前記金属フィルムからの突
出長さをＸ１、前記フィルムの前記金属フィルムからの
突出長さをＸ２としたとき、Ｘ１＞Ｘ２とする構成を採
用し、前記フィルムは、前記強弾性フィルムが前記コン
タクトピンを押圧するときに緩衝材となるように前記強
弾性フィルムよりも先端側に長く形成されている技術が
採用される。

【００２６】このプローブ装置では、前記フィルムが前
記強弾性フィルムよりも先端側に長く形成されて該強弾
性フィルムがコンタクトピンを押圧するときに緩衝材と
なるため、繰り返し使用しても、強弾性フィルムとの摩
擦によりコンタクトピンが歪んで湾曲すること等がな
く、前記切欠部による正確な屈曲位置と相俟って、測定
対象物に対して安定した接触を保つことができる。

【００２７】請求項８記載のコンタクトプローブの製造
方法では、フィルム上に複数のパターン配線を形成しこ
れらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出状
態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブの
製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの
材質に被着または結合する材質の第１の金属層を形成す
る第１の金属層形成工程と、前記第１の金属層の上にマ
スクを施してマスクされていない部分に、前記コンタク
トピンに供される第２の金属層をメッキ処理により形成
するメッキ処理工程と、前記マスクを取り除いた第２の
金属層の上に前記コンタクトピンに供される部分以外を
カバーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程
と、前記フィルムと第２の金属層とからなる部分と、前
記基板層と第１の金属層とからなる部分とを分離する分
離工程と、前記コンタクトピンを、その途中位置で厚さ
方向に折曲させるコンタクトピン折曲工程とを備えてな
り、前記メッキ処理工程は、前記マスクを施す際に前記
途中位置に供される部分の両側に切り欠き形状のマスク
されていない部分である切欠形成部を形成することによ
り、メッキ形成される前記第２の金属層の前記途中位置
に供される部分の両側面に切欠部を形成する技術が採用
される。

【００２８】このコンタクトプローブの製造方法では、
メッキ処理工程において、マスクを施す際に前記途中位
置に供される部分の両側に切欠形成部を形成するので、
コンタクトピンとなる第２の金属層の前記途中位置に供
される部分における両側面に切欠部を形成することがで
きる。さらに、形成されたコンタクトピンをコンタクト
ピン折曲工程において、前記途中位置で厚さ方向に折曲
させるので、切欠部が塑性変形の逃げ部となって屈曲部
分の内側に集中する圧縮応力を分散・緩和すると同時
に、外側を引き伸ばす応力も緩和して折曲時に生じる屈
曲部分外側の亀裂等が抑制される。また、単にマスク図
面の変更によって所望の位置及び形状の切欠部を容易に
得られるとともに、コンタクトピン折曲工程において、
切欠部が形成された前記途中位置で必ず折曲されるの
で、前記途中位置からコンタクトピンの先端までの長さ
が高精度で得られ、コンタクトピンの高さばらつきが抑
えられる。さらに、従来折曲後に行われていたコンタク
トピンの研磨工程、すなわちコンタクトピンの高さを一
定にするために先端を一本一本研磨し成形する工程が不
要となる。

【００２９】請求項９記載のコンタクトプローブの製造
方法では、請求項８記載のコンタクトプローブの製造方
法において、前記切欠形成部は、形成される前記コンタ
クトピンの幅方向の切り欠き深さが該コンタクトピンの
幅に対して５％から２０％の範囲内に設定される技術が
採用される。

【００３０】このコンタクトプローブの製造方法では、
切欠形成部における形成されるコンタクトピンの幅方向
の切り欠き深さがコンタクトピンの幅に対して５％未満
にすると、折曲させた際の切欠部による応力緩和の効果
がほとんど得られず、また、２０％を越えると切欠部が
大きくなり過ぎてコンタクトピンとして必要な強度が維
持できないため、上記の範囲内に設定することにより、
良好な応力緩和効果と強度が維持される。

【００３１】請求項１０記載のコンタクトプローブの製
造方法では、請求項８または９記載のコンタクトプロー
ブの製造方法において、前記切欠形成部は、形成される
前記コンタクトピンの長さ方向の切り欠き長さが該コン
タクトピンの厚さに対して１．５倍から３倍の範囲内に
設定される技術が採用される。

【００３２】このコンタクトプローブの製造方法では、
切欠形成部における形成されるコンタクトピンの長さ方
向の切り欠き長さがコンタクトピンの厚さに対して１．
５倍未満にすると、折曲させた際の切欠部による応力緩
和の効果がほとんど得られず、また、３倍を越えると切
欠部が大きくなり過ぎてコンタクトピンとして必要な強
度が維持できないため、上記の範囲内に設定することに
より、良好な応力緩和効果と強度が維持される。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブの第１実施形態を図１から図８を参照しながら説
明する。これらの図にあって、符号１はコンタクトプロ
ーブ、２は樹脂フィルム、３はパターン配線を示してい
る。

【００３４】本実施形態のコンタクトプローブ１は、図
２および図３に示すように、ポリイミド樹脂フィルム２
の片面に金属で形成されるパターン配線３を有する構造
となっており、前記樹脂フィルム２の中央開口部Ｋに、
前記樹脂フィルム２の端部（すなわち、中央開口部Ｋの
各辺）から前記パターン配線３の先端部が突出してコン
タクトピン３ａとされている。また、パターン配線３の
後端部には、テスター側のコンタクトピンが接触される
接触端子３ｂが形成されている。

【００３５】前記パターン配線３は、Ｎｉ−Ｍｎ合金
（第２の金属層）で形成され、また前記コンタクトピン
３ａには、表面にＡｕが皮膜されて構成されている。前
記Ｎｉ−Ｍｎ合金は、樹脂フィルム２側に配されＭｎ濃
度が０．０５重量％から１．５重量％の範囲内に設定さ
れている。

【００３６】前記コンタクトピン３ａは、図１の（ｂ）
および図３に示すように、その先端から所定長さの途中
位置Ｖの両側面に切欠部Ｕが形成され、かつ途中位置Ｖ
で厚さ方向に樹脂フィルム２側に向けて所定角度で折曲
されている。

【００３７】次に、図４および図５を参照して、前記コ
ンタクトプローブ１の作製工程について工程順に説明す
る。

【００３８】〔ベースメタル層形成工程（第１の金属層
形成工程）〕まず、図４の（ａ）に示すように、ステン
レス製の支持金属板５の上に、Ｃｕ（銅）メッキにより
ベースメタル層（第１の金属層）６を形成する。

【００３９】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
６の上にフォトレジスト層７を形成した後、図４の
（ｂ）に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層７に所定のパターンのフォトマスク８を施して露
光し、図４の（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７
を現像して前記パターン配線３となる部分を除去して残
存するフォトレジスト層（マスク）７に開口部７ａを形
成する。

【００４０】このとき、図５に示すように、前記開口部
７ａの前記途中位置Ｖに供される部分の両側に、切り欠
き形状のマスクされていない部分である切欠形成部７ｂ
を形成しておく。また、切欠形成部７ｂは、形成される
コンタクトピン３ａの幅方向の切り欠き深さｄが該コン
タクトピン３ａの幅に対して５％から２０％の範囲内に
設定される。さらに、切欠形成部７ｂは、形成されるコ
ンタクトピン３ａの長さ方向の切り欠き長さｌが該コン
タクトピン３ａの厚さに対して１．５倍から３倍の範囲
内に設定される。

【００４１】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層７をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部７ａ
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層７が、本願請求項にいう「マス
ク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、
本実施形態のフォトレジスト層７のように、フォトマス
ク８を用いた露光・現像工程を経て開口部７ａが形成さ
れるものに限定されるわけではない。例えば、メッキ処
理される箇所に予め孔が形成された（すなわち、予め、
図４の（ｃ）の符号７で示す状態に形成されている）フ
ィルム等でもよい。本願発明において、このようなフィ
ルム等を「マスク」として用いる場合には、本実施形態
におけるパターン形成工程は不要である。

【００４２】〔メッキ処理工程〕そして、図４の（ｄ）
に示すように、前記開口部７ａに前記パターン配線３と
なるＮｉ−Ｍｎ合金層（第２の金属層）Ｎを電解メッキ
処理により形成する。このとき、Ｍｎを含有させるため
にメッキ液の組成の例として、スルファミン酸Ｎｉ浴に
スルファミン酸Ｍｎを添加したものを用い、メッキ液中
のＭｎ量およびメッキする際の電流密度を制御して、Ｍ
ｎ含有量を０．０５重量％から１．５重量％の範囲内に
なるように設定する。

【００４３】上記メッキ処理の後、図４の（ｅ）に示す
ように、フォトレジスト層７を除去する。このとき、メ
ッキ形成されたＮｉ−Ｍｎ合金層Ｎの途中位置Ｖに供さ
れる部分の両側面に、図１の（ａ）に示すように、切欠
形成部７ｂの切欠形状に対応した所望の切欠部Ｕが形成
される。

【００４４】〔フィルム被着工程〕次に、図４の（ｆ）
に示すように、前記Ｎｉ−Ｍｎ合金層Ｎの上であって、
図に示した前記パターン配線３の先端部、すなわちコン
タクトピン３ａとなる部分以外に、前記樹脂フィルム２
を接着剤２ａにより接着する。この樹脂フィルム２は、
ポリイミド樹脂ＰＩに金属フィルム（銅箔）５００が一
体に設けられた二層テープである。このフィルム被着工
程の前までに、二層テープのうちの金属フィルム５００
に、写真製版技術を用いた銅エッチングを施して、グラ
ウンド面を形成しておき、このフィルム被着工程では、
二層テープのうちのポリイミド樹脂ＰＩを接着剤２ａを
介して前記Ｎｉ−Ｍｎ合金層Ｎに被着させる。なお、金
属フィルム５００は、銅箔に加えて、Ｎｉ、Ｎｉ合金等
でもよい。

【００４５】〔分離工程〕そして、図４の（ｇ）に示す
ように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタ
ル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた
後、Ｃｕエッチを経て、樹脂フィルム２にパターン配線
３のみを接着させた状態とする。

【００４６】〔金コーティング工程〕そして、露出状態
のパターン配線３に、図４の（ｈ）に示すように、Ａｕ
メッキを施し、表面にＡｕ層ＡＵを形成する。このと
き、樹脂フィルム２から突出状態とされた前記コンタク
トピン３ａでは、全周に亙る表面全体にＡｕ層ＡＵが形
成される。

【００４７】〔コンタクトピン折曲工程〕上記工程後、
精密金型を用いて途中位置Ｖにて厚さ方向にコンタクト
ピン３ａを一括して折り曲げ、図１の（ｂ）および図３
に示すように、所定の角度を有するコンタクトピン３ａ
を形成する。

【００４８】以上の工程により、図２および図３に示す
ような、樹脂フィルム２にパターン配線３を接着させた
コンタクトプローブ１が作製される。

【００４９】このコンタクトプローブ１の製造方法で
は、メッキ処理工程において、マスクを施す際に前記途
中位置Ｖに供される部分の両側に切欠形成部７ｂを形成
するので、コンタクトピン３ａとなるＮｉ−Ｍｎ合金層
Ｎの前記途中位置Ｖに供される部分における両側面に切
欠部Ｕを形成することができる。さらに、形成されたコ
ンタクトピン３ａをコンタクトピン折曲工程において、
前記途中位置Ｖで厚さ方向に折曲させるので、切欠部Ｕ
が塑性変形の逃げ部となって屈曲部分の内側に集中する
圧縮応力を分散・緩和すると同時に、外側を引き伸ばす
応力も緩和して折曲時に生じる屈曲部分外側の亀裂等が
抑制される。

【００５０】また、単にマスク図面の変更によって所望
の位置及び形状の切欠部Ｕを容易に得られるとともに、
コンタクトピン折曲工程において、切欠部Ｕが形成され
た前記途中位置Ｖで必ず折曲されるので、途中位置Ｖか
らコンタクトピン３ａの先端までの長さが高精度で得ら
れ、コンタクトピン３ａの高さばらつきが抑えられる。
特に、折曲位置を一定にすることが困難であった従来の
タングステン針を用いたコンタクトピンに比べると、折
曲位置の精度が格段に向上するしたがって、従来折曲後
に行われていたコンタクトピンの研磨工程、すなわちコ
ンタクトピン３ａの高さを一定にするために先端を一本
一本研磨し成形する工程が不要となる。

【００５１】さらに、切欠形成部７ｂにおいて、形成さ
れるコンタクトピン３ａの幅方向の切り欠き深さｄがコ
ンタクトピン３ａの幅に対して５％未満にすると、折曲
させた際の切欠部Ｕによる応力緩和の効果がほとんど得
られず、また、２０％を越えると切欠部Ｕが大きくなり
過ぎてコンタクトピン３ａとして必要な強度が維持でき
ないため、切り欠き深さｄを上述した範囲内に設定する
ことにより、良好な応力緩和効果と強度が維持される。

【００５２】そして、切欠形成部７ｂにおいて、形成さ
れるコンタクトピン３ａの長さ方向の切り欠き長さｌが
コンタクトピン３ａの厚さに対して１．５倍未満にする
と、折曲させた際の切欠部Ｕによる応力緩和の効果がほ
とんど得られず、また、３倍を越えると切欠部Ｕが大き
くなり過ぎてコンタクトピン３ａとして必要な強度が維
持できないため、切り欠き長さｌを上述した範囲内に設
定することにより、良好な応力緩和効果と強度が維持さ
れる。

【００５３】次に、前記コンタクトプローブ１を、バー
ンインテスト等に用いるプローブ装置、いわゆるチップ
キャリアに適用した場合の一例を、図６から図８を参照
して説明する。これらの図において、符号１０はプロー
ブ装置、１１はフレーム本体、１２は位置決め板、１３
は上板、１４はクランパ、１５は下板を示している。な
お、本発明に係るコンタクトプローブは、全体が柔軟で
曲げやすいためプローブ装置に組み込む際にフレキシブ
ル基板として機能する。

【００５４】プローブ装置１０は、図６および図７に示
すように、フレーム本体１１と、フレーム本体の内側に
固定され中央に開口部が形成された位置決め板１２と、
コンタクトプローブ１と、該コンタクトプローブ１を上
から押さえて支持する上板（支持部材）１３と、該上板
１３を上から付勢してフレーム本体１１に固定するクラ
ンパ１４とを備えている。また、フレーム本体１１の下
部には、ＩＣチップＩを載置して保持する下板１５がボ
ルト１５ａによって取り付けられている。

【００５５】コンタクトプローブ１の中央開口部Ｋおよ
びコンタクトピン３ａは、ＩＣチップＩの形状およびＩ
ＣチップＩ上のコンタクトパッドの配置に対応して形成
され、中央開口部Ｋからコンタクトピン３ａとＩＣチッ
プＩのコンタクトパッドとの接触状態を監視できるよう
になっている。なお、前記中央開口部Ｋの隅部に切込み
を形成して、組み込み時に容易にコンタクトプローブ１
が変形できるようにしても構わない。

【００５６】また、コンタクトプローブ１の接触端子３
ｂは、コンタクトピン３ａのピッチに比べて広く設定さ
れ、狭ピッチであるＩＣチップＩのコンタクトパッドと
該コンタクトパッドに比べて広いピッチのテスター側コ
ンタクトピンとの整合が容易に取れるようになってい
る。

【００５７】なお、ＩＣチップＩの４辺全てにはコンタ
クトパッドが形成されておらず、一部の辺に配されてい
る場合には、少なくとも前記一部の辺に対応する中央開
口部Ｋの辺にのみコンタクトピン３ａを設ければよい
が、ＩＣチップＩを安定して保持するためには、対向す
る２辺にコンタクトピン３ａを形成してＩＣチップＩの
対向する両辺を押さえることが好ましい。

【００５８】上記プローブ装置１０にＩＣチップＩを取
り付ける手順について説明する。 〔仮組立工程〕まず、位置決め板１２をフレーム本体１
１の取付部上に載置し、この上にコンタクトプローブ１
を中央開口部Ｋとフレーム本体１１の開口部とを合わせ
て配置する。そして、中央開口部Ｋ上に同様に開口部を
合わせて上板１３を載置し、その上からフレーム本体１
１にクランパ１４を係止させる。該クランパ１４は、中
央に屈曲部を有する一種の板バネであるため、上記係止
状態で上板１３を押さえて固定する機能を有する。

【００５９】上記組立状態では、中央に開口が設けら
れ、この部分にＩＣチップＩが取り付けられるので、取
り付けられたＩＣチップＩが開口上方から観察可能とさ
れている。また、上板１３とクランパ１４とは平面上略
長方形に形成され、図７に示すように、コンタクトプロ
ーブ１の接触端子３ｂが、それぞれの長辺側から外側に
出るように組立される。

【００６０】上板１３の下面は、開口近傍が所定の傾斜
角で傾斜状態とされ、図８に示すように、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａを所定角度で下向きに傾
斜させる。ＩＣチップＩは、配線側を上向きにして下板
１５上に載置され、この状態で下板１５がフレーム本体
１１に下方から仮止め状態とされる。このとき、コンタ
クトプローブ１のコンタクトピン３ａ先端と下板１５上
面との距離がＩＣチップＩの厚さより所定量小さく設定
されているので、ＩＣチップＩはコンタクトピン３ａと
下板１５とによって挟持される。

【００６１】〔位置合わせ工程〕さらに、開口上方から
コンタクトピン３ａの先端に対するＩＣチップＩのコン
タクトパッドの位置を観察しながら、位置決め板１２を
動かしたりＩＣチップＩを針状治具等で動かすことによ
って調整し、対応するコンタクトピン３ａ先端とコンタ
クトパッドとが一致し接触するように微調整設定する。

【００６２】なお、ＩＣチップＩのダイシング精度が高
く、その外形とコンタクトパッドの位置が相対的に安定
しているときには、位置決め板１２とコンタクトプロー
ブ１との位置関係を予め調整しておいてから固定的に組
み立てておくことにより、上記微調整をせずにコンタク
トピン３ａとコンタクトパッドとを一致させることが可
能となる。これによって、ＩＣチップＩの位置合わせ工
程が不要となり、ＩＣチップＩの取り付け作業が効率的
にかつ容易に行うことができる。

【００６３】〔本固定工程〕前記位置合わせ工程後、フ
レーム本体１１に下板１５を本格的に固定する。このと
き、傾斜状態のコンタクトピン３ａに、いわゆるオーバ
ードライブがかかり、所定の押圧力でコンタクトピン３
ａ先端とコンタクトパッドとが接触して確実に電気的に
結合される。この状態は、ＩＣチップＩが、いわゆるマ
ルチチップモジュール等に実装された状態に酷似してお
り、ほぼ実装状態とされたＩＣチップＩの動作状態を高
信頼性をもってテストすることができる。

【００６４】このプローブ装置１０は、約１インチ角
（約２．５ｃｍ角）の小さなチップキャリアであり、ダ
イナミックバーンインテスト等の高温加熱を伴う信頼性
試験に好適なものである。

【００６５】上記プローブ装置１０では、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａが、マンガンが０．０５
重量％から１．５重量％の範囲内で含まれているニッケ
ル−マンガン合金で形成されているので、コンタクトピ
ン３ａは、高温加熱後、例えば、５００℃で加熱した後
でもＨｖ３５０以上の硬度を有する。すなわち、Ｎｉ−
Ｍｎ合金は高温加熱によっても硬度が極度に低下するこ
とがない。

【００６６】さらに、マンガン（Ｍｎ）量が０．０５重
量％未満では、Ｈｖ３５０以上の硬度が得られず、１．
５重量％を越えると、先端部の応力が増大してしまい湾
曲するおそれがあるとともに非常に脆く靱性が低下して
しまうため、上記範囲内にＭｎ含有量を設定することに
より、コンタクトプローブ１として必要な高硬度および
靱性が得られる。特に屈曲部分においても高硬度および
高靱性が得られるので、折曲時および繰り返しの使用に
おいても屈曲部分の外側の亀裂等の発生が抑制される。

【００６７】なお、上記の第１実施形態においては、コ
ンタクトプローブ１をチップキャリアであるプローブ装
置１０に適用したが、他の測定用治具等に採用しても構
わない。

【００６８】次に、第２実施形態として、本発明に係る
コンタクトプローブ１６をＩＣ用プローブとして採用
し、メカニカルパーツ６０に組み込んでプローブ装置
（プローブカード）７０にする構成について、図９から
図１１を参照して説明する。

【００６９】図９および図１０は、コンタクトプローブ
１６をＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したもの
を示す図であり、図１１は、図１０のＣ−Ｃ線断面図で
ある。第２実施形態のコンタクトプローブ１６では、第
１実施形態のコンタクトピン３ａの先端が樹脂フィルム
２側に折曲されているのに対し、逆に、コンタクトピン
３ａの先端が樹脂フィルム２に対して反対側に向くよう
に屈曲される。

【００７０】また、図１０に示すように、コンタクトプ
ローブ１６の樹脂フィルム２には、コンタクトプローブ
１６を位置合わせおよび固定するための位置合わせ孔２
ｂおよび孔２ｃが設けられ、また、パターン配線３から
得られた信号を引き出し用配線である接触端子３ｂを介
してプリント基板２０（図１２参照）に伝えるための窓
２ｄが設けられている。

【００７１】前記メカニカルパーツ６０は、図１２に示
すように、マウンティングベース３０と、トップクラン
プ４０と、ボトムクランプ５０とからなっている。ま
ず、プリント基板２０の上にトップクランプ４０を取付
け、次に、コンタクトプローブ１６を取り付けたマウン
ティングベース３０をトップクランプ４０にボルト穴４
１にボルト４２を螺合させて取り付ける（図１３参
照）。そして、ボトムクランプ５０でコンタクトプロー
ブ１６を押さえ込むことにより、パターン配線３を一定
の傾斜状態に保つとともに、下方に折曲されたコンタク
トピン３ａの先端部を所定角度に設定し、該コンタクト
ピン３ａをＩＣチップに押しつける。

【００７２】図１３は、組立終了後のプローブ装置７０
を示している。図１４は、図１３のＥ−Ｅ線断面図であ
る。図１４に示すように、パターン配線３の先端、すな
わちコンタクトピン３ａは、マウンティングベース３０
によりＩＣチップＩに接触している。

【００７３】前記マウンティングベース３０には、コン
タクトプローブ１６の位置を調整するための位置決めピ
ン３１が設けられており、この位置決めピン３１をコン
タクトプローブ１６の前記位置合わせ穴２ｂに挿入する
ことにより、パターン配線３とＩＣチップＩとを正確に
位置合わせすることができるようになっている。コンタ
クトプローブ１６に設けられた窓２ｄの部分のパターン
配線３に、ボトムクランプ５０の弾性体５１を押しつけ
て、前記接触端子３ｂをプリント基板２０の電極２１に
接触させ、パターン配線３から得られた信号を電極２１
を通して外部に伝えることができるようになっている。

【００７４】上記のように構成されたプローブ装置７０
を用いて、ＩＣチップＩのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置７０をプローバに挿着するとともにテ
スターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配
線３のコンタクトピン３ａからウェーハ上のＩＣチップ
Ｉに送ることによって、該ＩＣチップＩからの出力信号
がコンタクトピン３ａからテスターに伝送され、ＩＣチ
ップＩの電気的特性が測定される。

【００７５】このコンタクトプローブ１６およびこれを
組み込んだプローブ装置７０では、第１実施形態と同様
に、切欠部Ｕで折曲されて応力が緩和されるので、繰り
返しの使用でも屈曲部分に亀裂等が生じ難いとともに、
各コンタクトピン３ａが切欠部Ｕが形成された所定の途
中位置Ｖで正確に折曲されるので、均一なコンタクトピ
ン３ａの高さを得ることができる。また、コンタクトピ
ン３ａが、マンガン濃度が０．０５〜１．５重量％のＮ
ｉ−Ｍｎ合金で形成されているので、屈曲部分の良好な
靱性とコンタクトピン３ａ全体としての高い硬度（Ｈｖ
３５０以上）が得られる。

【００７６】次に、図１５乃至図２０を参照して、第３
実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形
態においてＩＣプローブ用の所定形状に切り出したコン
タクトプローブ１６を、それに代えてＬＣＤ用プローブ
の所定形状に切り出して使用するものである。ＬＣＤ用
プローブに切り出されたコンタクトプローブは、図１５
乃至図１７に符号２００で示され、２０１は樹脂フィル
ムである。

【００７７】図１８に示すように、ＬＣＤ用プローブ装
置（プローブ装置）１００は、コンタクトプローブ挟持
体（支持部材）１１０を額縁状フレーム１２０に固定し
てなる構造を有しており、このコンタクトプローブ挟持
体１１０から突出したコンタクトピン３ａの先端がＬＣ
Ｄ（液晶表示体）９０の端子（図示せず）に接触するよ
うになっている。

【００７８】図１７に示すように、コンタクトプローブ
挟持体１１０は、トップクランプ１１１とボトムクラン
プ１１５とを備えている。トップクランプ１１１は、コ
ンタクトピン３ａの先端を押さえる第一突起１１２、Ｔ
ＡＢＩＣ（基板側パターン配線を有する配線用基板）３
００側の端子３０１を押さえる第二突起１１３およびリ
ードを押さえる第三突起１１４を有している。ボトムク
ランプ１１５は、傾斜板１１６、取付板１１７および底
板１１８から構成されている。

【００７９】コンタクトプローブ２００を傾斜板１１６
の上に載置し、さらにＴＡＢＩＣ３００の端子３０１が
コンタクトプローブ２００の樹脂フィルム２０１，２０
１間に位置するように載置する。その後、トップクラン
プ１１１を第一突起１１２が樹脂フィルム２０１の上で
かつ第二突起１１３が端子３０１に接触するように乗せ
ボルトにより組み立てる。

【００８０】図１９に示すように、コンタクトプローブ
２００を組み込み、ボルト１３０によりトップクランプ
１１１とボトムクランプ１１５を組み合わせることによ
り、コンタクトプローブ挟持体１１０が作製される。

【００８１】上記コンタクトプローブ挟持体１１０は、
図２０に示すように、ボルト１３１により固定されてＬ
ＣＤ用プローブ装置１００に組み立てられる。ＬＣＤ用
プローブ装置１００を用いてＬＣＤ９０の電気的テスト
を行うには、ＬＣＤ用プローブ装置１００のコンタクト
ピン３ａの先端をＬＣＤ９０の端子（図示せず）に接触
させた状態で、コンタクトピン３ａから得られた信号を
ＴＡＢＩＣ３００を通して外部に取り出すことにより行
われる。

【００８２】上記ＬＣＤ用プローブ装置１００では、Ｌ
ＣＤ９０の端子に当接させるコンタクトピン３ａが、第
１実施形態および第２実施形態と同様に、途中位置Ｖに
おける切欠部Ｕで折曲されるので、屈曲部分に亀裂等が
生じ難いとともに、均一なコンタクトピン３ａの高さを
得ることができる。また、コンタクトピン３ａが、マン
ガン濃度が０．０５〜１．５重量％のＮｉ−Ｍｎ合金で
形成されているので、屈曲部分の良好な靱性とコンタク
トピン３ａ全体としての高い硬度が得られる。

【００８３】次に、図２１乃至図２３を参照して、第４
実施形態について説明する。図２１に示すように、上記
第３実施形態において説明したコンタクトプローブ２０
０におけるコンタクトピン３ａは、その先端が正常な先
端Ｓの他に、メッキ時の応力が若干残留しているときや
他の要因によって、上方に湾曲した先端Ｓ１や下方に湾
曲した先端Ｓ２が生じる場合がある。

【００８４】この場合、図２２に示すように、上記樹脂
フィルム２０１を第一突起１１２および傾斜板１１６で
挟持してコンタクトピン３ａをＬＣＤ９０の端子に押し
つけても、正常な先端Ｓおよび下方に湾曲した先端Ｓ２
は、ＬＣＤ９０の端子に接触するが、上方に湾曲した先
端Ｓ１は、仮に接触したとしても十分な接触圧が得られ
ないことがあった。このことから、コンタクトピン３ａ
のＬＣＤ９０に対する接触不良が発生し、正確な電気テ
ストが行えないという問題があった。

【００８５】そこで、第４実施形態では、図２３に示す
ように、コンタクトピン３ａの上方に湾曲した先端Ｓ１
と下方に湾曲した先端Ｓ２とを正常な先端Ｓと整列させ
るため、樹脂フィルム２０１の上部に有機または無機材
料からなる強弾性フィルム４００を、コンタクトピン３
ａの先端部が樹脂フィルム２０１から突出する側に、コ
ンタクトピン３ａよりも短く突出するように重ね合わ
せ、その状態でコンタクトプローブ２００および強弾性
フィルム４００を、トップクランプ１１１の第一突起１
１２とボトムクランプ１１５の傾斜板１１６とで挟持し
てなるコンタクトプローブ挟持体（支持部材）１１０を
採用した。強弾性フィルム４００は、有機材料であれ
ば、ポリエチレンテレフタレート等からなり、無機材料
であれば、セラミックス、特にアルミナ製フィルムから
なることが好ましい。

【００８６】そして、このコンタクトプローブ挟持体１
１０を額縁フレーム１２０に固定し、コンタクトピン３
ａをＬＣＤ９０の端子に押し当てると、強弾性フィルム
４００がコンタクトピン３ａを上方から押さえ、前記上
方に湾曲した先端Ｓ１であってもＬＣＤ９０の端子に確
実に接触する。これにより、各コンタクトピン３ａの先
端に均一な接触圧が得られる。

【００８７】すなわち、前記切欠部Ｕによる正確な屈曲
位置と相俟って、ＬＣＤ９０の端子にコンタクトピン３
ａ先端を確実に当接させることができるところから、接
触不良による測定ミスをなくすことができる。さらに、
強弾性フィルム４００からのコンタクトピン３ａの突出
量を変化させることにより、コンタクトピン３ａを押し
つけたときにコンタクトピン３ａを上から押さえるタイ
ミングを変えることが可能となり、所望の押し付け量で
所望の接触圧を得ることができる。

【００８８】次に、図２４および図２５を参照して、第
５実施形態について説明する。図２４に示すように、上
記第３実施形態において説明した、コンタクトプローブ
２００の樹脂フィルム２０１は、例えばポリイミド樹脂
からなっているため、水分を吸収して伸びが生じ、コン
タクトピン３ａ，３ａ間の間隔ｔが変化することがあっ
た。そのため、コンタクトピン３ａがＬＣＤ９０の端子
の所定位置に接触することが不可能となり、正確な電気
テストを行うことができないという問題があった。

【００８９】そこで、第５実施形態では、図２５に示す
ように、前記樹脂フィルム２０１の上に金属フィルム５
００を張り付け、湿度が変化してもコンタクトピン３
ａ，３ａ間の間隔ｔの変化を少なくし、これにより、コ
ンタクトピン３ａをＬＣＤ９０の端子の所定位置に確実
に接触させることとした。

【００９０】すなわち、各コンタクトピン３ａの位置ず
れが生じ難くなり、先端がＬＣＤ９０の端子に正確かつ
高精度に当接させられる。したがって、前記切欠部Ｕに
よる正確な屈曲位置と相俟って、ＬＣＤ９０の端子以外
の場所に、コンタクトピン３ａが当接することによって
生じる損傷等を防ぐことができる。なお、金属フィルム
５００は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕまたはＣｕ合金のうち
いずれかのものが好ましい。

【００９１】さらに、該金属フィルム５００は、グラウ
ンドとして用いることができ、それにより、プローブ装
置１００の先端近くまでインピーダンスマッチングをと
る設計が可能となり、高周波域でのテストを行う場合に
も反射雑音による悪影響を防ぐことができるという作用
効果を得ることができる。

【００９２】次に、図２６を参照して、第６実施形態に
ついて説明する。すなわち、上記第５実施形態のよう
に、樹脂フィルム２０１の上に金属フィルム５００を張
り付けると共に、上記第３実施形態のように強弾性フィ
ルム４００を使用したものであり、これにより、コンタ
クトピン３ａ先端の湾曲によらず均一な接触圧が得られ
ると共に、コンタクトピン３ａ，３ａ間の間隔ｔの変化
を最小限に抑えて電気テストを正確に行えるものであ
る。

【００９３】次に、図２７および図２８を参照して、第
７実施形態について説明する。図２７に示すように、樹
脂フィルム２０１の上に張り付けられた金属フィルム５
００の上にさらに第二の樹脂フィルム２０２を張り付け
る構成を採用し、図２８に示すように、この第二の樹脂
フィルム２０２の上に強弾性フィルム４００を設けたも
のである。

【００９４】ここで、上記第６実施形態と異なり、第二
の樹脂フィルム２０２を設けたのは、後端部の金属フィ
ルム５００の上方に配されたＴＡＢＩＣ３００の端子が
金属フィルム５００と直接接触することで生じるショー
トを防ぐという理由によるものである。また、樹脂フィ
ルム２０１の上に金属フィルム５００が張り付けられて
設けられているだけでは、大気中で露出状態の金属フィ
ルム５００の酸化が進行してしまうため、第二の樹脂フ
ィルム２０２で金属フィルム５００を被覆することによ
ってその酸化を防止するためでもある。

【００９５】次に、図２９および図３０を参照して、第
８実施形態について説明する。上記第４、第６および第
７実施形態では、使用中は、強弾性フィルム４００がコ
ンタクトピン３ａに押圧接触しており、繰り返しの使用
により強弾性フィルム４００とコンタクトピン３ａの摩
擦が繰り返され、これによる歪みが蓄積されると、コン
タクトピン３ａが左右に曲がり、接触点がずれることが
あった。

【００９６】そこで、第８実施形態では、図２９に示す
ように、前記樹脂フィルム２０１を従来よりも幅広なフ
ィルム２０１ａとするとともに、コンタクトピン３ａの
金属フィルム５００からの突出長さをＸ１、幅広樹脂フ
ィルム２０１ａの金属フィルム５００からの突出長さを
Ｘ２とすると、Ｘ１＞Ｘ２とする構成を採用した。そし
て、図３０に示すように、前記強弾性フィルム４００を
幅広樹脂フィルム２０１ａよりも短く突出するように重
ねて使用すると、強弾性フィルム４００は、柔らかい幅
広樹脂フィルム２０１ａに接触し、コンタクトピン３ａ
とは直接接触しないため、コンタクトピン３ａが左右に
曲がることが防止できる。

【００９７】さらに、上記第８実施形態におけるＬＣＤ
用プローブ装置１００では、幅広樹脂フィルム２０１ａ
が強弾性フィルム４００よりも先端側に長く形成されて
強弾性フィルム４００がコンタクトピン３ａを押圧する
ときに緩衝材となるため、繰り返し使用しても、強弾性
フィルム４００との摩擦によりコンタクトピン３ａが歪
んで湾曲すること等がなく、前記切欠部Ｕによる正確な
屈曲位置と相俟って、ＬＣＤ９０の端子に対して安定し
た接触を保つことができる。

【００９８】次に、図３１および図３２を参照して、第
９実施形態について説明する。金属フィルム５００の上
に第二の樹脂フィルム２０２を張り付け、コンタクトピ
ン３ａの金属フィルム５００からの突出長さをＸ１、幅
広樹脂フィルム２０１ａの金属フィルム５００からの突
出長さをＸ２とすると、Ｘ１＞Ｘ２の関係になるように
構成する。そして、図３２に示すように、第二の樹脂フ
ィルム２０２の上に設ける強弾性フィルム４００は、幅
広樹脂フィルム２０１ａよりも短く突出するように重ね
て配されている。

【００９９】上記第９実施形態におけるＬＣＤ用プロー
ブ装置１００では、第３〜８実施形態におけるそれぞれ
の作用効果、すなわちコンタクトピン３ａの高硬度化、
屈曲部分の亀裂等の防止および靱性向上、接触圧の均一
化、位置ずれの抑制、接触圧の安定化および金属フィル
ムによるショート防止等の作用効果が得られる。

【０１００】なお、第３〜第９実施形態におけるコンタ
クトプローブを、チップキャリアやＩＣプローブ用のプ
ローブ装置に採用しても構わない。この場合、組み込ま
れる各プローブ装置に対応して、コンタクトプローブの
形状、配線、コンタクトピンのピッチや配置、折曲の位
置および角度等が設定される。

【０１０１】次に、図３３から図３６を参照して、第１
０実施形態について説明する。第１０実施形態と第１実
施形態との異なる点は、第１実施形態におけるプローブ
装置１０ではＩＣチップＩがコンタクトプローブ１の下
方に位置されているのに対し、第１０実施形態における
プローブ装置７００では、ＩＣチップＩはコンタクトプ
ローブ７０１の上方に位置される点である。

【０１０２】すなわち、プローブ装置７００は、図３３
から図３５に示すように、フレーム本体７１１と、フレ
ーム本体７１１の内側に固定され中央に矩形状の開口部
と該開口部周囲に上方に傾斜する傾斜面が形成された位
置決め板７１２と、該位置決め板７１２上に配されるコ
ンタクトプローブ７０１と、該コンタクトプローブ７０
１を上から押さえて支持する上板（支持部材）７１３
と、該上板７１３を上から付勢してフレーム本体７１１
に固定するクランパ７１４とを備えている。上記プロー
ブ装置７００では、ＩＣチップＩはコンタクトプローブ
７０１の上方、すなわち上方に折曲されたコンタクトピ
ン３ａの先端と上板７１３との間に挟持状態に配される
こととなる。

【０１０３】また、第１実施形態におけるコンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａは、樹脂フィルム２側、
すなわち下方に向けてコンタクトピン３ａが折曲されて
いるのに対し、第１０実施形態におけるコンタクトプロ
ーブ７０１のコンタクトピン３ａは、図３５および図３
６に示すように、その先端から所定長さの途中位置Ｖに
て、樹脂フィルム２とは反対側、すなわち上方に向けて
折曲されている点が異なっている。

【０１０４】次に、図３７を参照して、第１１実施形態
について説明する。第１１実施形態と第１実施形態との
異なる点は、第１実施形態におけるコンタクトプローブ
１のコンタクトピン３ａは、マンガン濃度が０．０５重
量％から１．５重量％の範囲内の一定濃度に設定したＮ
ｉ−Ｍｎ合金で形成されているのに対して、第１１実施
形態におけるコンタクトプローブ８００のコンタクトピ
ン３ａは、マンガン濃度が０．０５重量％以上に設定さ
れた高マンガン合金層ＨＭと、該高マンガン合金層ＨＭ
より低いマンガン濃度に設定された低マンガン合金層Ｌ
Ｍとを備え、途中位置Ｖにて低マンガン合金層ＬＭ側を
外側にして折曲されている点である。

【０１０５】このコンタクトプローブ８００では、高マ
ンガン合金層ＨＭがマンガン濃度０．０５重量％以上の
Ｎｉ−Ｍｎ合金であるので、常温および高温加熱後、す
なわち５００℃で加熱した後でもＨｖ３５０以上の高硬
度が得られる。さらに、高マンガン合金層ＨＭより低い
マンガン濃度のＮｉ−Ｍｎ合金で形成されている低マン
ガン合金層ＬＭ側を外側にして折曲されているので、高
マンガン合金層ＨＭ単層で形成された場合に比べて屈曲
部分の外側の靱性が高くなり、切欠部Ｕの効果と相俟っ
て、屈曲部分の外側の亀裂等の発生がさらに抑制され
る。

【０１０６】なお、コンタクトプローブ８００の作製工
程は、第１実施形態のコンタクトプローブ１のメッキ処
理工程およびコンタクトピン折曲工程が以下のように異
なっている。

【０１０７】〔メッキ処理工程〕第１１実施形態の作製
工程では、パターン配線３となるＮｉ−Ｍｎ合金層（第
２の金属層）Ｎを、「高靱性層形成工程」および「高硬
度層形成工程」に分けて電解メッキ処理により形成す
る。

【０１０８】＜高靱性層形成工程＞まず、マンガン濃度
が低く高靱性層となる低マンガン合金層ＬＭをベースメ
タル層６の上にメッキ形成する。このとき、Ｍｎを含有
させるためにメッキ液の組成の例として、スルファミン
酸Ｎｉ浴にスルファミン酸Ｍｎを添加したものを用い、
メッキ液中のＭｎ量およびメッキする際の電流密度を制
御して、次にメッキ形成する高マンガン合金層ＨＭより
低いＭｎ濃度に設定する。本実施形態では、電流密度を
漸次高くして厚さ方向にＭｎ濃度が漸次高く勾配した低
マンガン合金層ＬＭとした。

【０１０９】＜高硬度層形成工程＞さらに、低マンガン
合金層ＬＭ上にＭｎ濃度が０．０５重量％から１．５重
量％の範囲内の高硬度層である高マンガン合金層ＨＭを
メッキ形成して積層する。このとき、メッキ液中のＭｎ
量およびメッキする際の電流密度を制御して、低マンガ
ン合金層ＬＭより高いＭｎ濃度に設定する。なお、低マ
ンガン合金層ＬＭおよび高マンガン合金層ＨＭの厚さ
は、それぞれのＭｎ濃度、折曲させる位置および角度等
によって適宜設定されるが、例えば、厚さ数十μｍの高
マンガン合金層ＨＭに対して、低マンガン合金層ＬＭの
厚さは数μｍから十数μｍ程度の範囲内に設定される。

【０１１０】〔コンタクトピン折曲工程〕分離工程およ
び金コーティング工程の後、精密金型を用いて前記低マ
ンガン合金層ＬＭ側が外側になるように前記コンタクト
ピン３ａを一括して折り曲げ、図３７に示すように、所
定の角度を有するコンタクトピン３ａを形成する。

【０１１１】なお、上記各実施形態では、それぞれ次の
ように設定される。 （１）上記各実施形態のコンタクトピン３ａの先端部
は、図３８に示すように、ＩＣチップＩのパッドＰ（測
定対象物）に接触したときにその接触面Ｐａとの角度α
が６０゜以上９０゜未満となるように構成され、該コン
タクトピン３ａの基端部は、前記接触面Ｐａとの角度β
が０゜以上３０゜以下となるように構成されている。

【０１１２】前記コンタクトピン３ａの作製に際して
は、マスクに微細なパターンを所望の形状通りに形成す
ることが困難であることから、図９に示すように、該パ
ターンの端部に相当する、コンタクトピン３ａの先端部
は、凸曲面となる。そのため、コンタクトピン３ａは、
パッドＰに対して、前記凸曲面の下側でほぼ点接触し、
よって、接触時の局部的針圧が大となることから、ほぼ
平面でパッドに接触する従来のタングステン針に比べ
て、パッドＰの下地まで削り易い傾向にあった。

【０１１３】そこで、上記各実施形態では、前述したよ
うに、コンタクトピン３ａを、図３８に示すように、そ
の途中位置Ｖにて折曲し、コンタクトピン３ａの先端部
と基端部とで接触面Ｐａに対する角度α，βを変えてい
る。これにより、前記角度β、すなわち、樹脂フィルム
２の接触面Ｐａに対する角度を大きくすることなく、前
記角度α（接触角）を大きく設定することが可能とな
り、このことから、スクラブ距離が過度に大きくなるこ
とがなく、かつ、プローブ装置の高さを大きくすること
なく、スクラブ時にパッドＰの下地が傷つくのを防止す
ることができる。

【０１１４】特に、前記角度αが６０゜以上確保されて
いるため、パッドＰの下地まで傷つけることがない。一
方、この角度αを９０゜未満としたのは、９０゜もしく
はそれ以上であると、スクラブ時にパッドＰの皮膜が良
好に擦り取れず、十分な導電性が確保されないことか
ら、テスト時に接触不良を起こすからである。

【０１１５】また、前記角度βが３０゜以下とされてい
るため、スクラブ距離が過度に長くなることがなく、ス
クラブ時にコンタクトピン３ａ先端がパッドＰからはみ
出ることもない。一方、この角度βを０゜以上としたの
は、それに満たない場合、スクラブ時に十分なオーバー
ドライブ量（図３８における矢印Ｚ）がとれないためで
ある。なお、前記スクラブ距離については、オーバード
ライブ時に、コンタクトピン３ａが撓んだり、あるい
は、該コンタクトピン３ａの先端部が接触面Ｐａとの摩
擦により引っかかったりすることにより、計算値よりも
若干小さくなることが分かっている。

【０１１６】（２）各実施形態では、コンタクトピン３
ａを図３８に示すように折曲することで、その先端部
に、折曲されていないコンタクトピンに比べて、接触面
Ｐａに対する平行度の高い面３ｃが形成される。従来よ
り、コンタクトピンとパッドとの位置合わせを行うに際
しては、特に第２実施形態では、コンタクトピンに向け
て下方から光を照射し、コンタクトピンに当たって反射
してくる光を検知することにより、コンタクトピンの位
置を認識する方法が用いられるが、上述したように、光
が照射される方向に対して、より垂直度の高い面３ｃが
形成されるため、十分な量の光が反射し、位置検出が容
易である。

【０１１７】（３）各実施形態では、コンタクトピン３
ａの途中位置Ｖから先端部までの長さＬが２．０ｍｍ以
下とされているため、オーバードライブ時に、その長さ
Ｌの部分の撓み量を少なく抑えることができ、これによ
り、パッドＰに対する接触針圧をほぼ一定とすること
で、良好なスクラブが行われる。さらに、この長さＬが
０．１ｍｍ以上とされているため、スクラブ時に削り取
られた皮膜やその他ゴミ等が、コンタクトピン３ａの途
中位置Ｖの内面側に付着等することがない。

【０１１８】（４）各実施形態のプローブ装置では、樹
脂フィルム２の先端側を支持する当接面（例えば、図１
４におけるマウンティングベース３０の下面）の傾斜角
が、前記角度βに等しく設定されているため、樹脂フィ
ルム２の先端から該樹脂フィルム２の面に沿って突出す
るコンタクトピン３ａの基端部は、前記接触面Ｐａとの
角度を前記βの値に安定して保つことができる。これに
より、プローブ装置を接触面Ｐａに対して垂直に下降さ
せるだけで、スクラブ時に前記角度αおよびβを前記所
定の値にすることができる。

【０１１９】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。 （１）上記各実施形態では、切欠部Ｕにおいて正確に折
曲され、均一なコンタクトピン３ａの高さが得られるの
で、コンタクトピンの先端部を研磨して高さの均一化を
図る研磨工程を特に必要としないが、コンタクトピン３
ａの先端部の平坦度（プラナリティー）を向上させ、接
触抵抗を低減する目的等のためにコンタクトピンの研磨
を折曲後に行っても構わない。

【０１２０】（２）各実施形態では、コンタクトピン３
ａの途中位置Ｖ一箇所において切欠部Ｕを形成して折曲
させているが、複数の途中位置に切欠部を形成して、多
段的に折曲させても構わない。

【０１２１】（３）各実施形態では、切欠部Ｕの形状を
円弧状に形成したが、他の形状に形成しても構わない。
例えば、矩形状やＶ字状に切欠部を形成してもよい。

【０１２２】

【実施例】上記各実施形態におけるコンタクトプローブ
のパターン配線およびコンタクトピンを形成する電解メ
ッキ工程において、そのメッキ条件は、以下の試験結果
に基づいて求めた。

【０１２３】ＭｎをＮｉに含有させるためのメッキ液
は、スルファミン酸Ｎｉ浴にスルファミン酸Ｍｎを添加
したものであり、Ｎｉメッキ膜中に含有されるＭｎ量
は、メッキ液中のＭｎ量およびメッキする際の電流密度
に左右されるため、以下の条件でメッキ処理を施した。 Ｍｎ量：２０〜３５ｇ／ｌ 電流密度：１．０〜１０Ａ／ｄｍ²

【０１２４】メッキ条件を上記範囲内に設定した理由
は、Ｍｎ量が２０ｇ／ｌ未満および電流密度１．０Ａ／
ｄｍ²未満では、皮膜中のＭｎ含有量が少なく所望の硬
度を得ることができず、３５ｇ／ｌおよび１０Ａ／ｄｍ
²を越えるとＭｎ含有量が増大し、メッキ皮膜の応力増
大および皮膜自身が非常に脆くなるためである。

【０１２５】なお、スルファミン酸に限らず硫酸Ｎｉ浴
をベースにしたものでメッキ処理を施しても構わない
が、スルファミン酸Ｎｉ浴によるメッキ処理では、硫酸
Ｎｉ浴に比べて応力が低減されるという効果がある。以
下の表１に、Ｍｎ量を一定（３０ｇ／ｌ）とした場合に
おいて、電流密度を変えた際のＭｎ濃度および熱処理前
後の硬度の実験結果を示す。また、Ｍｎ濃度と硬度との
関係を図３９に示す。

【０１２６】

【表１】

【０１２７】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載のコンタクトプローブによれば、コ
ンタクトピンの途中位置の両側面に切欠部が形成され、
かつ前記途中位置で厚さ方向に折曲されているので、切
欠部が塑性変形の逃げ部となり、折曲による応力が分散
・緩和されることにより、屈曲部分外側を引き伸ばす応
力自体も緩和されて、繰り返しの使用や折曲時における
屈曲部分の亀裂等を抑制することができる。また、折曲
による屈曲部分が必ず切欠部が形成された前記途中位置
に正確に形成されるので、コンタクトピンの高さばらつ
きを抑えることができ、ＩＣチップ等の測定対象に対し
て均等な接触圧を得ることができる。

【０１２８】（２）請求項２記載のコンタクトプローブ
によれば、コンタクトピンが、マンガンが０．０５重量
％から１．５重量％の範囲内で含まれているニッケル−
マンガン合金で形成されているので、高温加熱後でもＨ
ｖ３５０以上の硬度を有する優れた耐熱性を備えている
とともに、コンタクトプローブとして必要な高硬度およ
び靱性を得ることができる。特に屈曲部分においても高
硬度および高靱性が得られるので、折曲時および長期に
亙る繰り返しの使用においても屈曲部分外側における亀
裂等の発生を抑制でき、高い信頼性を有することができ
る。

【０１２９】（３）請求項３記載のコンタクトプローブ
によれば、高マンガン合金層がマンガン濃度０．０５重
量％以上のＮｉ−Ｍｎ合金であるので、常温および高温
加熱後、すなわち５００℃で加熱した後でもＨｖ３５０
以上の高硬度を得ることができる。さらに、高マンガン
合金層より低いマンガン濃度のＮｉ−Ｍｎ合金で形成さ
れている低マンガン合金層側を外側にして折曲されてい
るので、高マンガン合金層単層で形成された場合に比べ
て屈曲部分の外側の靱性が高くなり、前記切欠部の効果
と相俟って、屈曲部分の外側の亀裂等の発生をさらに抑
制することができる。

【０１３０】（４）請求項４記載のコンタクトプローブ
によれば、前記フィルムが、例えば水分を吸収して伸張
し易い樹脂フィルム等であっても、該フィルムには、金
属フィルムが直接張り付けられて設けられているため、
該金属フィルムによって前記フィルムの伸びが抑制さ
れ、各コンタクトピンの間隔にずれが生じ難くなり、前
記切欠部による正確な屈曲位置と相俟って、コンタクト
ピンを測定対象物に正確かつ高精度に当接させることが
できる。したがって、測定対象物であるＩＣチップやＬ
ＣＤ等の端子以外の場所に、コンタクトピンが当接する
ことによって生じる損傷等を防ぐことができる。さら
に、本コンタクトプローブでは、前記金属フィルムをグ
ラウンドとして用いることにより、コンタクトピン先の
近くまで基板配線側との特性インピーダンスのずれを最
小限に抑えることができ、反射雑音による誤動作を抑え
ることができる。

【０１３１】（５）請求項５記載のコンタクトプローブ
によれば、前記金属フィルムに第二のフィルムが直接張
り付けられて設けられているため、金属フィルムの上方
に配された前記配線用基板の基板側パターン配線や他の
配線が金属フィルムと直接接触しないのでショートを防
ぐことができる。また、第二のフィルムが金属フィルム
を被覆してその酸化を防止することができる。

【０１３２】（６）請求項６記載のプローブ装置によれ
ば、強弾性フィルムがコンタクトピンの先端側を上方か
ら押さえるため、ピン先端が上方に湾曲したものが存在
しても、前記切欠部による正確な屈曲位置と相俟って、
各ピンに均一な接触圧が得られる。すなわち、測定対象
物にコンタクトピンを確実に当接させることができると
ころから、接触不良による測定ミスをなくすことができ
る。

【０１３３】（７）請求項７記載のプローブ装置によれ
ば、前記フィルムが前記強弾性フィルムよりも先端側に
長く形成されて該強弾性フィルムがコンタクトピンを押
圧するときに緩衝材となるため、強弾性フィルムとの摩
擦によりコンタクトピンが歪んで湾曲すること等がな
く、前記切欠部による正確な屈曲位置と相俟って、測定
対象物に対して安定した接触を保つことができる。した
がって、コンタクトピンの接触圧が、長期に亙って均一
に得られる。

【０１３４】（８）請求項８記載のコンタクトプローブ
の製造方法では、メッキ処理工程において、マスクを施
す際に切欠形成部を形成して前記途中位置に供される部
分に切欠部を形成するので、コンタクトピン折曲工程に
おいて、前記途中位置で厚さ方向に折曲させることによ
り、切欠部が塑性変形の逃げ部となって折曲時の応力を
緩和して屈曲部分外側の亀裂等を抑制することができ
る。また、単にマスク図面の変更によって所望の位置及
び形状の切欠部を容易に得られるとともに、コンタクト
ピン折曲工程において、切欠部が形成された前記途中位
置で必ず折曲されるので、コンタクトピンの高さばらつ
きを抑えた高精度な成形が可能となる。さらに、従来折
曲後に行われていたコンタクトピン先端の研磨工程が不
要となり、工程数の低減に伴って製造コストの低減及び
製作の時間短縮を図ることができる。

【０１３５】（９）請求項９記載のコンタクトプローブ
の製造方法では、切欠形成部の切り欠き深さがコンタク
トピンの幅に対して５％から２０％の範囲内に設定され
るので、形成される切欠部による良好な応力緩和効果と
コンタクトピンとして必要な強度とを維持することがで
きる。

【０１３６】（１０）請求項１０記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法では、切欠形成部の切り欠き長さがコン
タクトピンの厚さに対して１．５倍から３倍の範囲内に
設定されるので、形成される切欠部による良好な応力緩
和効果とコンタクトピンとして必要な強度とを維持する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態を示す折曲前および折曲後のコンタクトピン拡大斜
視図である。

【図２】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態を示す拡大模式図である。

【図３】 図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図４】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態における製造方法を工程順に示す要部断面図であ
る。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるパターン形成工程での開口部を示す要部平
面図である。

【図６】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の分解斜
視図である。

【図７】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の外観斜
視図である。

【図８】 図５の要部が拡大されたＢ−Ｂ線断面図であ
る。

【図９】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施
形態を示す要部斜視図である。

【図１０】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を示す平面図である。

【図１１】 図８のＣ−Ｃ線断面図である。

【図１２】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視
図である。

【図１３】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す要部斜視
図である。

【図１４】 図１１のＥ−Ｅ線断面図である。

【図１５】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブを示す斜視図である。

【図１６】 図１３のＦ−Ｆ線断面図である。

【図１７】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す分解斜視図で
ある。

【図１８】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
を示す斜視図である。

【図１９】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す斜視図であ
る。

【図２０】 図１６のＸ−Ｘ線断面図である。

【図２１】 本発明に係るプローブ装置の第４実施形態
に関してコンタクトプローブの従来の欠点を示す側面図
である。

【図２２】 本発明に係るプローブ装置の第４実施形態
に関してプローブ装置の従来の欠点を示す側面図であ
る。

【図２３】 本発明に係るプローブ装置の第５実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２４】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態に関して図１３のＤ方向矢視図である。

【図２５】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態を示す側面図である。

【図２６】 本発明に係るプローブ装置の第６実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２７】 本発明に係るプローブ装置の第７実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図２８】 本発明に係るプローブ装置の第７実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２９】 本発明に係るプローブ装置の第８実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図３０】 本発明に係るプローブ装置の第８実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図３１】 本発明に係るプローブ装置の第９実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図３２】 本発明に係るプローブ装置の第９実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図３３】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の分
解斜視図である。

【図３４】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の外
観斜視図である。

【図３５】 図３２の要部が拡大されたＧ−Ｇ線断面図
である。

【図３６】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるコンタクトピンの拡大断面図である。

【図３７】 本発明に係るコンタクトプローブの第１１
実施形態を示す断面図である。

【図３８】 本発明に係るコンタクトプローブの第１０
実施形態におけるコンタクトピンの拡大側面図である。

【図３９】 本発明に係るコンタクトプローブの先端部
におけるＭｎ濃度と硬度との関係を示すグラフである。

【図４０】 本発明に係るコンタクトプローブの従来例
を示す要部を拡大した断面図である。

【符号の説明】

１，１６，７０１，８００ コンタクトプローブ ２ 樹脂フィルム ３ パターン配線 ３ａ コンタクトピン ７ｂ 切欠形成部 １０，７００ プローブ装置 １３，７１３ 上板 ９０ ＬＣＤ（測定対象物） １００ プローブ装置 １１０ コンタクトプローブ挟持体（支持部材） ２００ コンタクトプローブ ２０１ 樹脂フィルム ２０１ａ 樹脂フィルム（幅広樹脂フィルム） ２０２ 第二の樹脂フィルム ３００ ＴＡＢＩＣ（配線用基板） ３０１ 端子 ４００ 強弾性フィルム ５００ 金属フィルム ＡＵ Ａｕ層 Ｉ ＩＣチップ（測定対象物） Ｎ Ｎｉ−Ｍｎ合金層 ＰＩ ポリイミド樹脂 Ｕ 切欠部 Ｖ 途中位置 ＨＭ 高マンガン合金層 ＬＭ 低マンガン合金層 ｄ 切り欠き深さ ｌ 切り欠き長さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三菱マテリアル株式会社 三田工場内 (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三菱マテリアル株式会社 三田工場内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 1/06 - 1/073 H01L 21/66

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 前記コンタクトピンは、その途中位置の両側面に切欠部
   が形成され、かつ前記途中位置で厚さ方向に折曲されて
   いることを特徴とするコンタクトプローブ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 少なくとも前記コンタクトピンは、ニッケル−マンガン
   合金で形成され、 該ニッケル−マンガン合金は、マンガンが０．０５重量
   ％から１．５重量％の範囲内で含まれていることを特徴
   とするコンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記コンタクトピンは、マンガン濃度が０．０５重量％
   以上に設定された高マンガン合金層と、該高マンガン合
   金層より低いマンガン濃度に設定された低マンガン合金
   層とを具備してなり、前記途中位置にて前記低マンガン
   合金層側を外側にして折曲されていることを特徴とする
   コンタクトプローブ。
4. 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載のコン
   タクトプローブにおいて、 前記フィルムには、金属フィルムが直接張り付けられて
   設けられていることを特徴とするコンタクトプローブ。
5. 【請求項５】 請求項４記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記金属フィルムには、第二のフィルムが直接張り付け
   られて設けられていることを特徴とするコンタクトプロ
   ーブ。
6. 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載のコン
   タクトプローブと、 前記フィルム上に配されて該フィルムから前記コンタク
   トピンよりも短く突出する強弾性フィルムと、 該強弾性フィルムと前記コンタクトプローブとを支持す
   る支持部材とを備えていることを特徴とするプローブ装
   置。
7. 【請求項７】 請求項４に記載のコンタクトプローブ
   と、 前記金属フィルム上に配されて突出した強弾性フィルム
   と、 該強弾性フィルムと前記コンタクトプローブとを支持す
   る支持部材とを備え、 前記コンタクトピンの前記金属フ
   ィルムからの突出長さをＸ１、 前記フィルムの前記金属フィルムからの突出長さをＸ２
   としたとき、Ｘ１＞Ｘ２とする構成を採用し、 前記フィルムは、前記強弾性フィルムが前記コンタクト
   ピンを押圧するときに緩衝材となるように前記強弾性フ
   ィルムよりも先端側に長く形成されていることを特徴と
   するプローブ装置。
8. 【請求項８】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
   しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突
   出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
   合する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形成
   工程と、 前記第１の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に、前記コンタクトピンに供される第２の金属
   層をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、 前記マスクを取り除いた第２の金属層の上に前記コンタ
   クトピンに供される部分以外をカバーする前記フィルム
   を被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第２の金属層とからなる部分と、前記基
   板層と第１の金属層とからなる部分とを分離する分離工
   程と、 前記コンタクトピンを、その途中位置で厚さ方向に折曲
   させるコンタクトピン折曲工程とを備えてなり、 前記メッキ処理工程は、前記マスクを施す際に前記途中
   位置に供される部分の両側に切り欠き形状のマスクされ
   ていない部分である切欠形成部を形成することにより、
   メッキ形成される前記第２の金属層の前記途中位置に供
   される部分の両側面に切欠部を形成することを特徴とす
   るコンタクトプローブの製造方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載のコンタクトプローブの製
   造方法において、 前記切欠形成部は、形成される前記コンタクトピンの幅
   方向の切り欠き深さが該コンタクトピンの幅に対して５
   ％から２０％の範囲内に設定されることを特徴とするコ
   ンタクトプローブの製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項８または９記載のコンタクトプ
    ローブの製造方法において、 前記切欠形成部は、形成される前記コンタクトピンの長
    さ方向の切り欠き長さが該コンタクトピンの厚さに対し
    て１．５倍から３倍の範囲内に設定されることを特徴と
    するコンタクトプローブの製造方法。