JP3207084B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に各画素にスイッチング素子を設けたアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device having a switching element in each pixel.
【0002】[0002]
【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、単純マトリクス方式と比べてコントラストが高
く、多階調表示特性に優れているため、カラー液晶表示
装置では欠かせない技術となっている。特に、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを使用したアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置は、CRTと同等の画質
が得られるようになった。2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device has higher contrast and superior multi-tone display characteristics than a simple matrix type liquid crystal display device. In particular, an active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor as a switching element can obtain image quality equivalent to that of a CRT.
【0003】以下、図面を参照しながら、従来の液晶表
示装置を説明する。図9は、従来の液晶表示装置の一画
素の拡大図、図10および図11はそれぞれ図9のA−
A’線およびB−B’線の断面図である。また、図12
は図9の等価回路図である。Hereinafter, a conventional liquid crystal display device will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is an enlarged view of one pixel of a conventional liquid crystal display device, and FIGS.
It is sectional drawing of the A 'line and the BB' line. FIG.
10 is an equivalent circuit diagram of FIG.
【0004】図9、図10、図11、図12において、
25は逆スタガ型の薄膜トランジスタ、21は金属膜よ
りなる走査信号配線およびこの走査信号配線と同時に形
成される薄膜トランジスタのゲート電極(G)、22は
金属膜と透明導電膜の積層膜よるなる画像信号配線およ
び薄膜トランジスタ25のソース電極(S)、23は透
明導電膜よりなる画素電極、26は薄膜トランジスタ2
5の半導体膜、28は薄膜トランジスタ25のゲート絶
縁膜、29は絶縁性保護膜、30は液晶材料、31は対
向電極、27はブラックマトリクス、32、33は透明
ガラス基板、CLC1 は画素電極23と対向電極31との
間の液晶容量、Cs は画素電極23と隣接する走査信号
配線21’との間の付加容量である。In FIG. 9, FIG. 10, FIG. 11, and FIG.
25 is an inverted staggered thin film transistor, 21 is a scanning signal wiring made of a metal film and a gate electrode (G) of the thin film transistor formed simultaneously with this scanning signal wiring, and 22 is an image signal made of a laminated film of a metal film and a transparent conductive film. The wiring and the source electrode (S) of the thin film transistor 25, 23 are pixel electrodes made of a transparent conductive film, and 26 is the thin film transistor 2
5 of the semiconductor film, 28 denotes a gate insulating film of the thin film transistor 25, 29 denotes an insulating protective film, 30 is a liquid crystal material, the counter electrode 31, the black matrix 27, the 32, 33 transparent glass substrate, C LC1 is the pixel electrode 23 a liquid crystal capacitance between the counter electrode 31, the C s is the additional capacitance between the scanning signal lines 21 'adjacent to the pixel electrode 23.
【0005】このアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置は、走査信号配線21から供給される走査信号によ
って逆スタガ型の薄膜トランジスタ25がスイッチング
され、画像信号配線22の信号電圧をドレイン(D)電
極の延長である画素電極23に印加することにより、画
素電極23と対向電極31との間に保持された液晶材料
に電圧を印加し、画像の表示を行うものである。In the active matrix type liquid crystal display device, the inverted staggered thin film transistor 25 is switched by the scanning signal supplied from the scanning signal line 21, and the signal voltage of the image signal line 22 is extended by extending the drain (D) electrode. When a voltage is applied to a certain pixel electrode 23, a voltage is applied to the liquid crystal material held between the pixel electrode 23 and the counter electrode 31, and an image is displayed.
【0006】ここで付加容量Cs は液晶材料30に印加
する電圧を一定期間保持するための電荷保持用の容量で
ある。Here, the additional capacitance C s is a charge holding capacitance for holding a voltage applied to the liquid crystal material 30 for a certain period.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】この従来の液晶表示装
置では、図10および図11に示すように、一般に画素
電極23周辺部の透過光を遮光するために、対向基板3
2側にクロム(Cr)などの金属膜でブラックマトリク
ス27を形成しており、このブラックマトリクス27が
画素部分の開口率を低下させていた。すなわち、上述し
た液晶表示装置は、対向基板32側にブラックマトリク
ス27を形成すると、対向基板32を含めた開口部は、
図13の斜線部で示す領域に限られ、画素部分の開口率
の向上が図れないという問題があった。In this conventional liquid crystal display device, as shown in FIG. 10 and FIG.
The black matrix 27 is formed on the second side with a metal film such as chromium (Cr), and this black matrix 27 reduces the aperture ratio of the pixel portion. That is, in the above-described liquid crystal display device, when the black matrix 27 is formed on the counter substrate 32 side, the opening including the counter substrate 32
There is a problem that the aperture ratio of the pixel portion cannot be improved only in the region indicated by the hatched portion in FIG.
【0008】特に画素電極23とブラックマトリクス2
7は、別の基板32、33に形成されているため、両基
板32、33の張り合わせのズレ量をマージンとして例
えば6〜10μm程度画素電極23の端から画素電極2
3の内側に形成する必要があり、画素部分の開口率が低
下するという問題があった。In particular, the pixel electrode 23 and the black matrix 2
7 is formed on the other substrates 32 and 33, and therefore, for example, about 6 to 10 μm from the end of the pixel electrode
3, the aperture ratio of the pixel portion decreases.
【0009】本発明に係る液晶表示装置は、このような
従来技術の問題点に鑑みて発明されたものであり、その
目的とするところは、対向基板側のブラックマトリクス
による開口率の低下を解消した液晶表示装置を提供する
点にある。The liquid crystal display device according to the present invention has been devised in view of such problems of the prior art, and aims at eliminating a decrease in the aperture ratio due to the black matrix on the counter substrate side. The present invention is to provide a liquid crystal display device as described above.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る液晶表示装置では、複数の画像信号配
線と、複数の走査信号配線とを絶縁膜を介して交差して
設け、この画像信号配線と走査信号配線との交差部に、
画素電極とこの画素電極に画像信号を供給するスイッチ
ング素子とを設け、前記画素電極とこの画素電極に対向
して設けられた対向電極との間に液晶材料が保持されて
いる液晶表示装置において、前記画素電極の裏面側に前
記絶縁膜を介して、前記画素電極よりも前記画像信号配
線側に張り出し、各画素毎に分離された帯状の金属膜を
設けた。In order to achieve the above object, in a liquid crystal display device according to the present invention, a plurality of image signal wirings and a plurality of scanning signal wirings are provided to intersect with an insulating film interposed therebetween. At the intersection of the image signal wiring and the scanning signal wiring,
A liquid crystal display device comprising a pixel electrode and a switching element for supplying an image signal to the pixel electrode, wherein a liquid crystal material is held between the pixel electrode and a counter electrode provided to face the pixel electrode. On the back side of the pixel electrode, a band-shaped metal film protruding from the pixel electrode side to the image signal wiring side via the insulating film and separated for each pixel was provided.
【0011】上記のように、画素電極の裏面側に絶縁膜
を介して画素電極よりも画像信号配線側に張り出した帯
状の金属膜を設けたことから、この部分での光漏れを発
生しない。その結果、この画像信号配線との対峙部分の
ブラックマトリクスは不要になるか幅狭に形成でき、開
口率を向上させることができる。As described above, since the strip-shaped metal film is provided on the back side of the pixel electrode with the insulating film interposed between the pixel electrode and the image signal wiring side, light leakage does not occur at this portion. As a result, the black matrix at the portion facing the image signal wiring becomes unnecessary or can be formed to be narrow, and the aperture ratio can be improved.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき詳細に説明する。図1は本発明に係る液晶
表示装置の実施の一形態を示す画素部分の平面図であ
り、図2は図1のA−A’線断面図、図3は図1のB−
B’線断面図、図4は図1の等価回路図である。図1乃
至図4において、1は走査信号配線、2は画像信号配
線、3は画素電極、4は帯状の金属膜、5は薄膜トラン
ジスタから成るスイッチング素子、7はブラックマトリ
クス、8はゲート絶縁膜、9は保護膜、10は液晶材
料、11は対向電極、12、13は透明ガラス基板であ
る。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a plan view of a pixel portion showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line B ′, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of FIG. 1 to 4, 1 is a scanning signal wiring, 2 is an image signal wiring, 3 is a pixel electrode, 4 is a band-shaped metal film, 5 is a switching element composed of a thin film transistor, 7 is a black matrix, 8 is a gate insulating film, 9 is a protective film, 10 is a liquid crystal material, 11 is a counter electrode, and 12 and 13 are transparent glass substrates.
【0013】走査信号配線1と画像信号配線2はそれぞ
れ複数設けられており、この走査信号配線1と画像信号
配線2の各交差部に画素電極3及びスイッチング素子5
が設けられている。A plurality of scanning signal wirings 1 and a plurality of image signal wirings 2 are provided, and a pixel electrode 3 and a switching element 5 are provided at each intersection of the scanning signal wirings 1 and the image signal wirings 2.
Is provided.
【0014】スイッチング素子5は、走査信号配線2に
連続して形成されたゲート電極(G)、ゲート絶縁膜
8、チャネル部となる半導体膜6、画像信号配線2に連
続して形成されたソース電極(S)及び画素電極3に連
続して形成されたドレイン電極(D)で形成される。The switching element 5 includes a gate electrode (G) formed continuously with the scanning signal wiring 2, a gate insulating film 8, a semiconductor film 6 serving as a channel portion, and a source formed continuously with the image signal wiring 2. The drain electrode (D) is formed continuously from the electrode (S) and the pixel electrode 3.
【0015】走査信号配線1及びゲート電極(G)は、
アルミニウム(Al)やタンタル(Ta)などの金属膜
で形成される。ゲート絶縁膜8は、窒化シリコン(Si
Nx)、酸化シリコン(SiO2 )、酸化タンタル(T
aOx )などで形成される。半導体膜6はアモルファス
シリコン膜などで形成される。画素電極3は、ITOな
どの透明導電膜で形成される。画像信号配線2、ソース
電極(S)及びドレイン電極(D)は、チタン(Ti)
やモリブデン(Mo)などの金属膜2aとITOなどの
透明導電膜2bの積層膜で形成される。なお、これらの
画像信号配線2、ソース電極(S)、及びドレイン電極
(D)は、金属膜2aと透明導電膜2bの二層構造とす
る場合に限らず、金属膜2bだけの一層構造のものでも
よい。The scanning signal wiring 1 and the gate electrode (G)
It is formed of a metal film such as aluminum (Al) or tantalum (Ta). The gate insulating film 8 is made of silicon nitride (Si)
N x ), silicon oxide (SiO 2 ), tantalum oxide (T
aO x ) or the like. The semiconductor film 6 is formed of an amorphous silicon film or the like. The pixel electrode 3 is formed of a transparent conductive film such as ITO. The image signal wiring 2, the source electrode (S) and the drain electrode (D) are made of titanium (Ti).
And a laminated film of a metal film 2a such as molybdenum (Mo) and a transparent conductive film 2b such as ITO. The image signal wiring 2, the source electrode (S), and the drain electrode (D) are not limited to the two-layer structure of the metal film 2a and the transparent conductive film 2b, but have a single-layer structure of the metal film 2b. It may be something.
【0016】本発明の液晶表示装置では、画素電極3の
裏面側に絶縁膜8を介して、この画素電極3よりも画像
信号配線2側に張り出し、各画素毎に分離された帯状の
金属膜4、4’が形成されている。この金属膜4、4’
は遮光性を有することから、画素電極3と画像信号配線
2との間で光漏れが発生する隙間が小さくなる。したが
って、図5に示すように、画像信号配線2に対峙する部
分のブラックマトリクス7を幅狭にでき、画素部分の開
口率を向上させることができる。In the liquid crystal display device according to the present invention, a strip-shaped metal film which protrudes from the pixel electrode 3 to the image signal wiring 2 side via the insulating film 8 on the back side of the pixel electrode 3 and is separated for each pixel. 4, 4 'are formed. This metal film 4, 4 '
Has a light-shielding property, so that a gap where light leakage occurs between the pixel electrode 3 and the image signal wiring 2 is reduced. Therefore, as shown in FIG. 5, the width of the black matrix 7 at the portion facing the image signal wiring 2 can be reduced, and the aperture ratio of the pixel portion can be improved.
【0017】このように、帯状の金属膜4を画素毎に分
離すると、この金属膜4と他の配線間にショートが発生
しても一画素の点欠陥になるだけであって、他の画素に
影響を及ぼすこともない。As described above, if the strip-shaped metal film 4 is separated for each pixel, even if a short circuit occurs between the metal film 4 and another wiring, it will only cause a point defect of one pixel, Does not affect
【0018】この場合、画素電極3に印加される電圧を
Vp とすると帯状の金属膜4には、CPs1 /(CPs1 +
CLC3 )×VP の電圧が印加され、帯状の金属膜4’に
は、CPs2 /(CPs2 +CLC4 )×VP の電圧が印加さ
れるが、CPs1 >2CLC3 およびCPs2 >2CLC4 の場
合、帯状の金属膜4、4’には2/3・Vp 〜Vp の電
圧(画素電極3に近い電圧)が印加され、画素電極3と
帯状の金属4、4’との電位差がほぼ無くなる為、この
部分でのディスクリネーションの発生がない良好な表示
特性が得られる。すなわち、画素電極3と帯状の金属膜
4、4’との重なり容量CPs(CPs1 +CPs2 )が帯状
の金属膜4、4’と対向電極11との間の液晶容量CLC
(CLC3 +CLC4 )の2倍以上となるように形成すれば
よい。In this case, assuming that the voltage applied to the pixel electrode 3 is V p , the band-shaped metal film 4 has C Ps1 / (C Ps1 +
A voltage of C LC3 ) × V P is applied, and a voltage of C Ps2 / (C Ps2 + C LC4 ) × V P is applied to the belt-shaped metal film 4 ′, but C Ps1 > 2C LC3 and C Ps2 > for 2C LC4, '2/3 · V p ~V p (voltage close to the pixel electrode 3) is applied to the pixel electrode 3 and the strip-shaped metal 4,4' band of the metal film 4, 4 and Since the potential difference substantially disappears, good display characteristics without disclination at this portion can be obtained. That is, the overlap capacitance C Ps (C Ps1 + C Ps2 ) between the pixel electrode 3 and the band-shaped metal films 4 and 4 ′ is increased by the liquid crystal capacitance C LC between the band-shaped metal films 4 and 4 ′ and the counter electrode 11.
It may be formed so as to be at least twice as large as (C LC3 + C LC4 ).
【0019】画素電極3と隣接する走査信号配線1’と
の間で、液晶材料10に印加する電圧を一定期間保持す
るための付加容量Cs が画素電極3と対向電極11との
間で液晶容量CLC1 が帯状の金属膜4、4’と対向電極
11との間で液晶容量CLC3、CLC4 が、画素電極3と
帯状の金属膜4、4’との間の重なり容量CPs1 、C
Ps2 がそれぞれ形成され、図4に示すような等価回路と
なる。[0019] In between the scanning signal lines 1 'and the adjacent pixel electrode 3, the liquid crystal additional capacitance C s for holding constant a voltage applied to the liquid crystal material 10 period between the pixel electrode 3 and the counter electrode 11 'liquid crystal capacitor between the counter electrode 11 C LC3, C LC4 is, the pixel electrode 3 and the belt-like metal film 4, 4' capacitance C LC1 is band-shaped metal film 4,4 capacitance C Ps1 overlap between, C
Each of Ps2 is formed, resulting in an equivalent circuit as shown in FIG.
【0020】図6、図7は、他の実施の形態を示す図で
あり、図6は平面図、図7は図6のB−B’線断面図で
ある。図6及び図7において、1は走査信号配線、2は
画像信号配線、3は画素電極、4は帯状の金属膜、5は
薄膜トランジスタから成るスイッチング素子、7はブラ
ックマトリクス、8はゲート絶縁膜、9は保護膜、10
は液晶材料、11は対向電極、12、13は透明ガラス
基板である。6 and 7 show another embodiment. FIG. 6 is a plan view, and FIG. 7 is a sectional view taken along the line BB 'of FIG. 6 and 7, 1 is a scanning signal wiring, 2 is an image signal wiring, 3 is a pixel electrode, 4 is a band-shaped metal film, 5 is a switching element composed of a thin film transistor, 7 is a black matrix, 8 is a gate insulating film, 9 is a protective film, 10
Is a liquid crystal material, 11 is a counter electrode, and 12 and 13 are transparent glass substrates.
【0021】この実施例も図1乃至図5に示す実施例と
ほぼ同じであるが、この実施例では、画素電極3の裏面
側に絶縁膜8を介して画像信号配線2側に張り出した帯
状の金属膜4が垂直方向において画像信号配線2と一部
重なって設けられている。This embodiment is almost the same as the embodiment shown in FIGS. 1 to 5, but in this embodiment, a belt-like shape projecting to the image signal wiring 2 side through the insulating film 8 on the back surface side of the pixel electrode 3. Metal film 4 is provided so as to partially overlap the image signal wiring 2 in the vertical direction.
【0022】この金属膜4は、アルミニウム(Al)や
タンタル(Ta)などから成り、遮光性を有する。ま
た、画像信号配線2もチタン(Ti)やモリブデン(M
o)などの金属膜2aとITOなどの透明導電膜2bで
形成され、遮光性を有する。The metal film 4 is made of aluminum (Al), tantalum (Ta), or the like, and has a light shielding property. The image signal wiring 2 is also made of titanium (Ti) or molybdenum (M
o) and a transparent conductive film 2b such as ITO, and has a light shielding property.
【0023】したがって、この画素電極3と画像信号配
線2との間から光漏れが発生することはなく、対向基板
11の画像信号配線2に対峙する部分には、ブラックマ
トリクス7を設ける必要はない。Therefore, no light leaks from between the pixel electrode 3 and the image signal wiring 2, and it is not necessary to provide the black matrix 7 in a portion of the counter substrate 11 facing the image signal wiring 2. .
【0024】帯状の金属膜4と画像信号配線2の一部を
垂直方向に重ねた場合、画素電極3と画像信号配線2間
のクロストークは、画素電極3と帯状の金属膜4間の容
量C ps(CPs1 +CPs2 )と、帯状の金属膜4と画像信
号配線2間の容量Csd(Csd1 +Csd2 )との直列の容
量、すなわち(Cps×Csd/(Cps+Csd))に比例す
るが、画素電極3と対向電極11との間の液晶容量をC
LC1 、画素電極3と隣接する走査信号配線1’との間の
付加容量をCs 、スイッチング素子5のゲート電極
(G)とドレイン電極(D)間の容量をCgdとしたとき
に、上述の(Cps×Csd/(Cps+Csd))を(CLC1
+Cs +Cgd)の1/5以下にすることにより、クロス
トークが殆ど発生しない良好な表示装置となる。The band-shaped metal film 4 and a part of the image signal wiring 2 are
When vertically overlapped, the pixel electrode 3 and the image signal wiring 2
Is the capacitance between the pixel electrode 3 and the strip-shaped metal film 4.
Quantity C ps(CPs1+ CPs2), The band-shaped metal film 4 and the image signal
Capacitance C between signal wiring 2sd(Csd1+ Csd2) In series with
Quantity, ie (Cps× Csd/ (Cps+ Csd)) Proportional to
However, the liquid crystal capacitance between the pixel electrode 3 and the counter electrode 11 is C
LC1Between the pixel electrode 3 and the adjacent scanning signal line 1 ′
Additional capacity Cs, Gate electrode of switching element 5
The capacitance between (G) and the drain electrode (D) is CgdAnd when
In addition, (Cps× Csd/ (Cps+ Csd)) To (CLC1
+ Cs+ Cgd) Is less than 1/5
A good display device in which talk hardly occurs is provided.
【0025】また、帯状の金属膜4を走査信号と同一材
料で形成すると、製造工程を全く煩雑化させることなく
帯状の金属膜を形成できて好適である。It is preferable that the band-shaped metal film 4 is formed of the same material as the scanning signal, since the band-shaped metal film can be formed without complicating the manufacturing process.
【0026】さらに、画素電極3の左右方向で光の漏れ
量が異なるように液晶の配向方向を設定した場合は、画
素電極3の片側のみに帯状金属膜4を設けてもよい。Further, when the liquid crystal alignment direction is set so that the amount of light leakage differs in the left-right direction of the pixel electrode 3, the band-shaped metal film 4 may be provided only on one side of the pixel electrode 3.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上のように、本発明に係る液晶表示装
置では、画素電極の裏面側に絶縁膜を介して、この画素
電極よりも画像信号配線側に張り出し、各画素毎に分離
された帯状の金属膜を設けたことから、画像信号配線と
画素電極間の漏れ光を削減でき、この部分のブラックマ
トリクスを削減できる。もって、画素部分の開口率が向
上する。As described above, in the liquid crystal display device according to the present invention, on the back surface side of the pixel electrode, via the insulating film, the pixel electrode extends beyond the pixel electrode to the image signal wiring side, and is separated for each pixel. Since the strip-shaped metal film is provided, light leakage between the image signal wiring and the pixel electrode can be reduced, and the black matrix in this portion can be reduced. Accordingly, the aperture ratio of the pixel portion is improved.
【0028】また、帯状の金属膜は周辺の配線と接続さ
れずに独立していることから、この帯状の金属膜による
画素電極の負荷容量の増加や周辺配線の負荷容量の増加
は殆どなく、大画面化した場合の液晶パネルの容量の増
加がなく、高速動作が可能な低消費電力のパネルが実現
できる。Further, since the strip-shaped metal film is independent of the peripheral wiring without being connected thereto, the load capacity of the pixel electrode and the load capacitance of the peripheral wiring due to the strip-shaped metal film hardly increase. It is possible to realize a low-power-consumption panel that can operate at high speed without increasing the capacity of the liquid crystal panel when the screen is enlarged.
【図1】本発明に係る液晶表示装置の一画素の拡大図で
ある。FIG. 1 is an enlarged view of one pixel of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図2】図1のA−A’線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line A-A 'of FIG.
【図3】図1のB−B’線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line B-B 'of FIG.
【図4】図1に示す液晶表示装置の等価回路図である。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal display device shown in FIG.
【図5】図1に示す液晶表示装置の画素部分における開
口部の説明図である。5 is an explanatory diagram of an opening in a pixel portion of the liquid crystal display device shown in FIG.
【図6】本発明に係る液晶表示装置の他の実施形態を示
す図である。FIG. 6 is a view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図7】図6のB−B’線断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line B-B 'of FIG.
【図8】図6に示す液晶表示装置の等価回路図である。8 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal display device shown in FIG.
【図9】従来の液晶表示装置の一画素の拡大図である。FIG. 9 is an enlarged view of one pixel of a conventional liquid crystal display device.
【図10】図9のA−A’線断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 9;
【図11】図9のB−B’線断面図である。11 is a sectional view taken along line B-B 'of FIG.
【図12】図9に示す液晶表示装置の等価回路図であ
る。12 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal display device shown in FIG.
【図13】図9に示す液晶表示装置の画素部分における
開口部の説明図である。13 is an explanatory diagram of an opening in a pixel portion of the liquid crystal display device shown in FIG.
1・・・走査信号配線、2・・・画像信号配線、3・・
・画素電極、4・・・帯状の金属膜、5・・・スイッチ
ング素子、7・・・ブラックマトリクス、8・・・ゲー
ト絶縁膜、9・・・保護膜、10・・・液晶材料、11
・・・対向電極、12、13・・・透明ガラス基板1 ... scanning signal wiring, 2 ... image signal wiring, 3 ...
・ Pixel electrode, 4 ・ ・ ・ Band-shaped metal film, 5 ・ ・ ・ Switching element, 7 ・ ・ ・ Black matrix, 8 ・ ・ ・ Gate insulating film, 9 ・ ・ ・ Protective film, 10 ・ ・ ・ Liquid crystal material, 11
... Counter electrode, 12, 13 ... Transparent glass substrate
Claims (6)
配線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配
線と走査信号配線との交差部に、画素電極とこの画素電
極に画像信号を供給するスイッチング素子とを設け、前
記画素電極とこの画素電極に対向して設けられた対向電
極との間に液晶材料が保持されている液晶表示装置にお
いて、前記画素電極の裏面側に前記絶縁膜を介して、前
記画素電極よりも前記画像信号配線側に張り出し、各画
素毎に分離された帯状の金属膜を設けたことを特徴とす
る液晶表示装置。A plurality of image signal lines and a plurality of scanning signal lines are provided to intersect with an insulating film interposed therebetween, and a pixel electrode and a pixel electrode are provided at an intersection between the image signal lines and the scanning signal lines. A switching element for supplying an image signal, and a liquid crystal display device in which a liquid crystal material is held between the pixel electrode and a counter electrode provided to face the pixel electrode; A liquid crystal display device, wherein a strip-shaped metal film is provided for each pixel so as to protrude from the pixel electrode to the image signal wiring side via the insulating film.
の重なり容量Cpsが前記帯状の金属膜と前記対向電極と
の間の液晶容量CLC2 の2倍以上であることを特徴とす
る請求項1に記載の液晶表示装置。2. An overlap capacitance C ps between the pixel electrode and the band-shaped metal film is at least twice as large as a liquid crystal capacitance C LC2 between the band-shaped metal film and the counter electrode. The liquid crystal display device according to claim 1.
垂直方向において一部重なっていることを特徴とする請
求項1に記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the band-shaped metal film partially overlaps the image signal wiring in a vertical direction.
の重なり容量をCps、前記帯状の金属膜と前記画像信号
配線との間の重なり容量をCsd、前記スイッチング素子
のゲート電極とドレイン電極との間の容量をCgd、前記
画素電極と隣接画素の走査信号配線との間の重なり容量
をCs 、前記画素電極と前記対向電極との間の液晶容量
をCLC1 としたとき、(Cps・Csd/(Cps+Csd))
が、(CLC1 +Cs +Cgd)の1/5以下であることを
特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。4. An overlapping capacitance between the pixel electrode and the band-shaped metal film is C ps , an overlapping capacitance between the band-shaped metal film and the image signal wiring is C sd , a gate electrode of the switching element. The capacitance between the pixel electrode and the drain electrode is C gd , the overlap capacitance between the pixel electrode and the scanning signal wiring of the adjacent pixel is C s , and the liquid crystal capacitance between the pixel electrode and the counter electrode is C LC1 . Then, ( Cps · Csd / ( Cps + Csd ))
Is less than or equal to 1/5 of (C LC1 + C s + C gd ).
同一材料で形成され、前記走査信号配線とは分離されて
いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液
晶表示装置。5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the strip-shaped metal film is formed of the same material as the scanning signal wiring, and is separated from the scanning signal wiring. .
トランジスタであることを特徴とする請求項1乃至請求
項5に記載の液晶表示装置。6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the switching element is an inverted staggered thin film transistor.
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JPH0943631A JPH0943631A (en) | 1997-02-14 |
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