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JP3299882B2 - heating furnace - Google Patents

heating furnace

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Publication number
JP3299882B2
JP3299882B2 JP05619296A JP5619296A JP3299882B2 JP 3299882 B2 JP3299882 B2 JP 3299882B2 JP 05619296 A JP05619296 A JP 05619296A JP 5619296 A JP5619296 A JP 5619296A JP 3299882 B2 JP3299882 B2 JP 3299882B2
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JP
Japan
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substrate
heating
plate
hot plate
elevating
Prior art date
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JP05619296A
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Inventor
潔 今泉
春夫 三階
Original Assignee
株式会社 日立インダストリイズ
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Publication date
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Priority to US08/686,692 priority patent/US5716207A/en
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主に液晶ディスプ
レイ用基板やプラズマディスプレイ用基板などの製造工
程において、基板を加熱するための加熱炉に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heating furnace for heating a substrate in a process of manufacturing a substrate for a liquid crystal display or a substrate for a plasma display.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、液晶やプラズマのディスプレイパ
ネルは、軽量,薄形でかつ低消費電力である特長を持つ
ために、ディスプレイ用として広く使用されるようにな
ってきた。かかるパネルの製造工程では、液晶ディスプ
レイパネル(以下、液晶パネルという)を例にとると、
液晶パネル用のガラス基板上に塗布されたシ−ル剤を加
熱硬化させる工程があるが、その加熱手段として、従
来、ガラス基板をホットプレート上に載置して、所望の
温度でシ−ル剤の加熱を行なうホットプレ−ト式の加熱
炉を使用している。
2. Description of the Related Art Recently, liquid crystal and plasma display panels have been widely used for displays because of their light weight, thin shape, and low power consumption. In the manufacturing process of such a panel, taking a liquid crystal display panel (hereinafter referred to as a liquid crystal panel) as an example,
There is a step of heating and curing a sealant applied on a glass substrate for a liquid crystal panel. As a heating means, conventionally, a glass substrate is placed on a hot plate and sealed at a desired temperature. A hot plate type heating furnace for heating the agent is used.

【0003】図8は特開平2−83230号公報に記載
されているかかる従来の加熱炉の一例の概略構造を示す
縦断面図、図9は図8の分断線E−Eに沿う断面図であ
って、40は加熱炉の搬入部、41は炉体、42は加熱
炉の搬出部、43は基板搬送機構、44は炉体ケ−ス、
45はモ−タ、46はボ−ルネジ、47はナット、48
はリニアガイド、49は横移動機構、50はモ−タ、5
1はボ−ルネジ、52はナット、53はリニアガイド、
54はカム、55はガイド、56は縦移動機構、57は
基板移動板、58は架台フレーム、59は基板、60a
〜60cはホットプレ−ト(以下、特定のホットプレー
トを表わすときには、符号の末尾に英小文字を付けて6
0a,60b,60cといい、総称するときには、ホッ
トプレート60という)、61は柱、62は排気管であ
る。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a schematic structure of an example of such a conventional heating furnace described in JP-A-2-83230, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line EE in FIG. 40 is a heating furnace loading section, 41 is a furnace body, 42 is a heating furnace discharge section, 43 is a substrate transfer mechanism, 44 is a furnace body case,
45 is a motor, 46 is a ball screw, 47 is a nut, 48
Is a linear guide, 49 is a lateral moving mechanism, 50 is a motor, 5
1 is a ball screw, 52 is a nut, 53 is a linear guide,
54 is a cam, 55 is a guide, 56 is a vertical movement mechanism, 57 is a board moving plate, 58 is a gantry frame, 59 is a board, 60a
60c is a hot plate (hereinafter, when a specific hot plate is indicated, a lowercase letter 6 is added to the end of the code).
0a, 60b, and 60c, which are collectively referred to as a hot plate 60), 61 is a column, and 62 is an exhaust pipe.

【0004】図8において、前工程でシール剤が塗布さ
れた基板59は、加熱炉内に搬入する前に、搬入部40
で保持される。炉体41の内部には、基板59を搭載し
て加熱するためのホットプレ−ト60a〜60cが設け
られている。シール剤の加熱硬化処理が終了した基板5
9は加熱炉の搬出部42に搬送され、ここから次工程の
装置に搬出される。
In FIG. 8, a substrate 59 to which a sealant has been applied in a previous step is loaded into a loading section 40 before being loaded into a heating furnace.
Is held. Inside the furnace body 41, hot plates 60a to 60c for mounting and heating the substrate 59 are provided. Substrate 5 for which heat curing treatment of sealant has been completed
9 is conveyed to the carry-out part 42 of the heating furnace, from which it is carried out to the device in the next step.

【0005】炉体41内には、また、搬入部40から搬
出部42へ向って基板59を搬送する基板搬送機構43
がホットプレート60の下方に設けられており、これら
ホットプレート60と基板搬送機構43とが炉体ケ−ス
44で覆われている。この炉体ケ−ス44の天井部に
は、炉体ケ−ス44内部で発生するガスを排出する排気
管62が設けられている。
In the furnace body 41, a substrate transport mechanism 43 for transporting a substrate 59 from the loading section 40 to the unloading section 42 is provided.
Are provided below the hot plate 60, and the hot plate 60 and the substrate transfer mechanism 43 are covered with a furnace case 44. An exhaust pipe 62 for discharging gas generated inside the furnace case 44 is provided at the ceiling of the furnace case 44.

【0006】ホットプレート60は柱61で支えられて
おり、炉体ケ−ス44と柱61は装置下部の架台フレー
ム58に固定されている。基板搬送機構43は、モ−タ
45やボ−ルネジ46,ナット47,リニアガイド48
などからなる横移動機構49と、モ−タ50やボ−ルネ
ジ51,ナット52,リニアガイド53,カム54,ガ
イド55などからなる縦移動機構56と、炉体ケ−ス4
4を貫通して搬入部40から搬出部42にかけて延在す
る基板移動板57とで構成されている。
The hot plate 60 is supported by a column 61, and the furnace case 44 and the column 61 are fixed to a gantry frame 58 at the lower part of the apparatus. The substrate transport mechanism 43 includes a motor 45, a ball screw 46, a nut 47, and a linear guide 48.
A horizontal moving mechanism 49 comprising a motor 50, a ball screw 51, a nut 52, a linear guide 53, a cam 54, a guide 55, etc .;
4 and a substrate moving plate 57 extending from the carry-in portion 40 to the carry-out portion 42.

【0007】基板移動板57を駆動する横移動機構49
は、モ−タ45の回転をボ−ルネジ46とナット47に
より直線移動に変換し、リニアガイド48上で基板移動
板57を図8での左右方向に駆動する。この横移動機構
49が基板移動板57を駆動する距離は、ホットプレ−
ト60a〜60cの中心間距離に等しい。
A horizontal moving mechanism 49 for driving the substrate moving plate 57
Converts the rotation of the motor 45 into a linear movement by means of the ball screw 46 and the nut 47, and drives the substrate moving plate 57 on the linear guide 48 in the horizontal direction in FIG. The distance that the lateral moving mechanism 49 drives the substrate moving plate 57 is determined by the hot play.
G is equal to the center-to-center distance of the points 60a to 60c.

【0008】また、縦移動機構56は、モ−タ50の回
転をボ−ルネジ51とナット52により直線移動に変換
し、カム54をリニアガイド53上で駆動することによ
り、カム54上にあるガイド55を上下に駆動し、これ
によって基板移動板57を図8での上下方向に駆動す
る。
The vertical movement mechanism 56 converts the rotation of the motor 50 into a linear movement by means of the ball screw 51 and the nut 52, and drives the cam 54 on the linear guide 53, so that it is on the cam 54. The guide 55 is driven up and down, whereby the substrate moving plate 57 is driven up and down in FIG.

【0009】これらモータ45,50は夫々エンコーダ
を内蔵し、さらに、図示しない制御器と接続されてお
り、一定方向に一定量回転すると、信号を制御器に送
る。制御器は、この信号に応じて、モータ45,50の
停止,正転及び逆転などを制御する。
Each of the motors 45 and 50 has a built-in encoder, and is further connected to a controller (not shown), and sends a signal to the controller when it rotates in a predetermined direction by a predetermined amount. The controller controls the stop, normal rotation, reverse rotation, and the like of the motors 45 and 50 according to this signal.

【0010】基板59に塗布されたシール剤は、硬化が
急速に進行して物性が変化する特有の臨界温度を有して
おり、この臨界温度を越えると、急速に硬化する。従っ
て、臨界温度を越えて加熱するときの温度と時間が基板
59全面で一様でないと、シール剤の硬化にむらが生
じ、硬さや接着性などの特性が不均一となって基板59
の品質が低下する。
The sealant applied to the substrate 59 has a specific critical temperature at which the curing progresses rapidly and the physical properties change. When the critical temperature is exceeded, the sealant rapidly cures. Therefore, if the temperature and time for heating beyond the critical temperature are not uniform over the entire surface of the substrate 59, the curing of the sealant will be uneven, and properties such as hardness and adhesiveness will be non-uniform, and the substrate 59 will not be uniform.
The quality will be reduced.

【0011】さらに、基板59を急激に加熱すると、基
板59の温度が上昇して安定化するまで基板59面上の
温度差が大きくなり、これがシール剤の特性むらの原因
となるし、さらに熱応力が大きくなって破損することも
ある。このため、一旦シール剤が硬化しにくい臨界温度
以下の温度で基板59を予熱している。そこで、一般
に、ホットプレート60の温度は、この予熱ができるよ
うにするため、搬入部40側からホットプレート60の
配列順に段階的に高くするようにすることが行なわれて
いる。
Further, when the substrate 59 is rapidly heated, the temperature difference on the surface of the substrate 59 increases until the temperature of the substrate 59 rises and stabilizes, which causes unevenness in the properties of the sealant. In some cases, the stress may be increased to cause breakage. Therefore, the substrate 59 is once preheated at a temperature lower than the critical temperature at which the sealant is hardly cured. Therefore, in general, the temperature of the hot plate 60 is increased step by step in the arrangement order of the hot plates 60 from the loading unit 40 side in order to enable the preheating.

【0012】従来、必要な加熱を行なうための温度や時
間などを確保し、製造ラインの要求する間隔で基板59
を供給するために、ホットプレート60の温度と数量
を、予熱を行なう部分については、搬入側から順に段階
的に高くする温度と基板59を搬送する間隔によって定
まる保持時間などの条件でもって、また、臨界温度以上
の所望する温度で加熱する部分については、保持する温
度と基板59を搬送する間隔により定まる保持時間など
の条件に応じて定めている。
Conventionally, the temperature, time, and the like for performing necessary heating are secured, and the substrate 59 is provided at intervals required by the production line.
In order to supply the hot plate 60, the temperature and quantity of the hot plate 60 are preliminarily increased in a stepwise manner from the loading side, under conditions such as a temperature and a holding time determined by an interval for transporting the substrate 59. The portion to be heated at a desired temperature equal to or higher than the critical temperature is determined according to conditions such as a holding time determined by a holding temperature and an interval at which the substrate 59 is transported.

【0013】図8及び図9に示す従来の加熱炉では、ホ
ットプレート60aが予熱を行なう部分であって、温度
は臨界温度より低い。また、ホットプレート60b,6
0cが臨界点以上の所望する温度で加熱(本加熱)する
部分であって、温度は臨界温度以上の所望する同一温度
に保持している。
In the conventional heating furnace shown in FIGS. 8 and 9, the hot plate 60a is a portion for performing preheating, and the temperature is lower than the critical temperature. Also, the hot plates 60b, 6
0c is a portion for heating (main heating) at a desired temperature above the critical point, and the temperature is maintained at the same desired temperature above the critical temperature.

【0014】次に、かかる構造の加熱炉の、基板59に
塗布されたシール剤を加熱硬化するための動作を説明す
る。
Next, the operation of the heating furnace having such a structure for heating and curing the sealant applied to the substrate 59 will be described.

【0015】まず、搬入部40に基板59が載置される
と、モータ50が回転してカム54を搬入部40側へ移
動させ、これとともにガイド55が上方に移動して基板
移動板57を持ち上がる。この過程で基板移動板57が
搬入部40に搭載されている基板59を乗せて上昇さ
せ、これにより、基板59は搬入部40から離れる。基
板移動板57が所定の高さまで持ち上がると、モータ5
0が停止してその高さに保持される。
First, when the substrate 59 is placed on the carry-in portion 40, the motor 50 rotates to move the cam 54 toward the carry-in portion 40, and at the same time, the guide 55 moves upward to move the substrate moving plate 57. Lift. In this process, the substrate moving plate 57 puts the substrate 59 mounted on the loading unit 40 and raises the substrate 59, thereby separating the substrate 59 from the loading unit 40. When the substrate moving plate 57 is lifted to a predetermined height, the motor 5
0 stops and is held at that height.

【0016】次に、モータ45が回転して基板移動板5
7を搬出部42側に移動させる。そして、基板移動板5
7に載置されている基板59がホットプレート60aの
上方まで搬送されると、モータ45が停止する。かかる
状態で、モータ50が上記とは逆方向に回転し、カム5
4を搬出部42側へ移動させて基板移動板57をホット
プレート60の面より下げて停止する。これにより、基
板59はホットプレート60a上に搭載される。
Next, the motor 45 rotates and the substrate moving plate 5
7 is moved to the unloading section 42 side. Then, the substrate moving plate 5
When the substrate 59 placed on 7 is transported above the hot plate 60a, the motor 45 stops. In this state, the motor 50 rotates in the opposite direction to the above,
4 is moved to the unloading section 42 side, and the substrate moving plate 57 is lowered from the surface of the hot plate 60 and stopped. Thus, the substrate 59 is mounted on the hot plate 60a.

【0017】しかる後、モータ45が上記とは逆の方向
に回転し、これとともに、基板移動板57が搬入部40
側に移動する。そして、基板移動板57が元の位置に戻
ると、モータ45が停止して、1回の動作を終了する。
Thereafter, the motor 45 rotates in the direction opposite to the above, and at the same time, the substrate moving plate 57 is
Move to the side. Then, when the substrate moving plate 57 returns to the original position, the motor 45 stops, and one operation ends.

【0018】この1回目の動作が終了すると、予熱が行
なわれる所定時間経過後、再び基板移動板57が上記の
動作を繰り返し、基板59をホットプレート60aから
ホットプレート60bに移す2回目の動作が行なわれ、
次いで、3回目の動作で基板59がホットプレート60
bからホットプレート60cに移され、加熱処理終了後
の4回目の動作でホットプレート60cから搬出部42
に搬出される。
When the first operation is completed, after a lapse of a predetermined time during which preheating is performed, the substrate moving plate 57 repeats the above operation again, and the second operation of moving the substrate 59 from the hot plate 60a to the hot plate 60b is performed. Done
Next, in the third operation, the substrate 59 is placed on the hot plate 60.
b from the hot plate 60c to the hot plate 60c.
To be carried out.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
加熱炉においては、以下のような問題がある。
However, the conventional heating furnace has the following problems.

【0020】基板59はその上面にシール剤が塗布され
ているので、搬送するときには、基板移動板57によっ
て下面が支えられる。このため、ホットプレート60
は、図9に示すように、基板59の基板移動板57で支
えられる部分以外の部分を搭載するように設けられてい
る。
Since the upper surface of the substrate 59 is coated with a sealant, the lower surface is supported by the substrate moving plate 57 during transport. Therefore, the hot plate 60
As shown in FIG. 9, is provided to mount a portion of the substrate 59 other than the portion supported by the substrate moving plate 57.

【0021】さらに、寸法の異なる基板59に対応させ
るために、基板59の送り方向の両側に基板59を支え
る基板移動板57が移動可能に設けられており、このた
め、ホットプレート60は基板59の送り方向と直角な
方向での幅寸法が制限され、基板59が大きくなれば、
基板59のホットプレート60上からはみ出す部分の面
積が大きくなる。しかるに、基板59のこのはみ出した
周縁端部の温度は上昇しにくく、さらに、基板59の移
動中には、基板59を支える基板移動板57との接触に
より基板移動板57に熱が奪われ、ホットプレート60
面から離れることで温度が低下する。炉体ケース44は
加熱温度が異なる複数のホットプレート60と基板移動
板57やその稼働部を収容しているため、その容積及び
全高は大きく、炉体ケース44内における大きな温度差
で炉体ケース44内全体で対流が生じる。この対流は基
板移動板57の上下左右の動きで乱れを生じ易く、それ
によってホットプレート60間を移動する基板59の表
面温度が一定せず、シール剤の硬化が不均一となる。
Further, in order to correspond to the substrates 59 having different dimensions, substrate moving plates 57 for supporting the substrates 59 are provided movably on both sides of the substrate 59 in the feeding direction. If the width dimension in the direction perpendicular to the feed direction is limited and the substrate 59 becomes large,
The area of the portion of the substrate 59 protruding from above the hot plate 60 is increased. However, the temperature of the protruding peripheral edge of the substrate 59 is unlikely to rise, and further, during the movement of the substrate 59, heat is taken by the substrate moving plate 57 due to contact with the substrate moving plate 57 supporting the substrate 59, Hot plate 60
The temperature drops as you move away from the surface. Since the furnace body case 44 accommodates a plurality of hot plates 60, substrate moving plates 57, and operating parts thereof having different heating temperatures, the furnace body case 44 has a large volume and a large height. Convection occurs throughout 44. The convection is likely to be disturbed by the vertical and horizontal movements of the substrate moving plate 57, whereby the surface temperature of the substrate 59 moving between the hot plates 60 is not constant, and the curing of the sealant becomes uneven.

【0022】さらに、基板59が大型化し、厚くなる
と、ホットプレート60に載せて加熱するときに、基板
59の上下面で温度差が生じ、このため、ホットプレー
ト60上で基板59に反りが発生して均一な加熱ができ
なくなるという問題も確認された。
Further, when the substrate 59 is enlarged and thickened, a temperature difference occurs between the upper and lower surfaces of the substrate 59 when the substrate 59 is heated while being placed on the hot plate 60, so that the substrate 59 warps on the hot plate 60. Thus, a problem that uniform heating could not be achieved was also confirmed.

【0023】さらに、基板59がホットプレート60間
の移動を繰り返すことにより、基板59と基板移動板5
7及びホットプレート60との接触回数が多くなるた
め、発塵量が多くなる。そして、ホットプレート60間
の移動時間を、基板59の温度低下を防止するため、短
時間とすることが望ましいが、このために基板59をホ
ットプレート60間で高速度で移動させるようにする
と、炉体41内部の気流が大きく乱れて塵埃が舞い上が
り、一層清浄度が低下する。また、基板移動板57の駆
動部がホットプレート60と同じ炉体ケース44の内部
にあり、さらに対流により外気が進入するので、清浄度
が低下する。以上のことからして、基板59に塵埃が付
着することにより、その品質が低下する。
Further, the substrate 59 is repeatedly moved between the hot plates 60, so that the substrate 59 and the substrate moving plate 5 are moved.
Since the number of times of contact with the hot plate 7 and the hot plate 60 increases, the amount of dust generated increases. It is desirable that the moving time between the hot plates 60 be short in order to prevent the temperature of the substrate 59 from lowering. However, when the substrate 59 is moved between the hot plates 60 at a high speed, The air flow inside the furnace body 41 is greatly disturbed, and the dust rises, further reducing the cleanliness. In addition, since the driving unit of the substrate moving plate 57 is located inside the furnace case 44, which is the same as the hot plate 60, and the outside air enters by convection, the cleanliness is reduced. From the above, the quality of the substrate 59 is reduced due to the adhesion of the dust to the substrate 59.

【0024】さらに、所望の加熱時間を与えてシール剤
を加熱硬化した後の基板59を加熱炉に接続される下流
の装置に供給する量を確保するためには、炉体が長くな
って大きな据付け面積が必要となり、特に、基板59の
製造装置はクリ−ンル−ムに設置することが多いので、
設置面積が問題となる。
Further, in order to secure an amount of supplying the substrate 59 after the sealing agent has been heated and hardened by giving a desired heating time to a downstream device connected to the heating furnace, the furnace body becomes long and large. An installation area is required. In particular, since the manufacturing apparatus for the substrate 59 is often installed on a clean room,
The installation area becomes a problem.

【0025】同様な問題は、プリント基板における導電
ペーストなどの焼成でも見受けられる。
A similar problem is found in firing conductive paste and the like on a printed circuit board.

【0026】本発明の目的は、かかる問題を解消し、基
板面表面に塗布したシール剤やペーストなどを均一に加
熱硬化することができ、高品質な基板を得ることができ
るようにした設置面積の小さな加熱炉を提供することに
ある。
An object of the present invention is to solve such a problem, and to uniformly heat and cure a sealant or a paste applied to the surface of a substrate surface, so that a high-quality substrate can be obtained. To provide a small heating furnace.

【0027】[0027]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、加熱板を貫通する複数の小孔と、該小孔
を貫通する複数の小径の棒形状で加熱板より上方に突出
可能に設けた基板の保持手段と、該基板の保持手段を昇
降させる昇降手段と、該加熱板より上方に突出する該基
板の保持手段の長さを制御して予熱,本加熱,冷却の各
温度に温度制御する手段と、該加熱板と該基板の該保持
手段を包含し外気と遮り少なくとも該加熱板の上面に対
向した内面が鏡面をなす容器とを備え、該容器の一面に
該基板を水平方向に移動して該容器内の該基板の保持手
段上に搭載する開口部を設ける。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of small holes penetrating a heating plate, and a plurality of small diameter rods penetrating the small holes. A holding means for the substrate provided so as to be able to protrude, an elevating means for elevating and lowering the holding means for the substrate, and a length of the holding means for the substrate protruding above the heating plate are controlled to perform preheating, main heating and cooling. Means for controlling the temperature to each temperature, and a container that includes the holding means for the heating plate and the substrate, shields the outside air, and at least the inner surface facing the upper surface of the heating plate has a mirror surface. An opening is provided for horizontally moving the substrate and mounting the substrate on the holding means for the substrate in the container.

【0028】かかる構成により、基板の保持手段を複数
の小径の棒形状として加熱板内を貫通して設けているの
で、加熱板の面積を広くとれ、基板面を全て加熱板の面
に密着することができ、熱伝導により基板面を全て均等
に加熱できる。
With this configuration, since the holding means for the substrate is provided in the form of a plurality of small-diameter rods and penetrates the inside of the heating plate, the area of the heating plate can be made large and the entire substrate surface can be in close contact with the surface of the heating plate. And the entire substrate surface can be evenly heated by heat conduction.

【0029】また、1個の加熱板上での基板の上下だけ
で予熱,本加熱及び冷却を行なうことができるので、全
容積や容器内の全高を抑えることができる。従って、容
器内の温度は均一化して温度差が少なくなり、対流の発
生は少なく加熱温度は安定する。基板の保持手段は基板
との接触面積が僅かであるので、摩擦による発塵は少な
く、加熱板への基板の搭載は加熱板に近付けた予熱位置
から搭載することで搭載時の加熱板周囲の気流の乱れは
少なくでき、また、容器内の対流を抑えているので、塵
埃を舞い上げることがなく、清浄度の低下を防止でき
る。
Further, since preheating, main heating and cooling can be performed only on the upper and lower sides of the substrate on one heating plate, the total volume and the total height in the container can be suppressed. Therefore, the temperature in the container is made uniform and the temperature difference is reduced, so that convection is less generated and the heating temperature is stabilized. Since the holding means of the substrate has a small contact area with the substrate, the generation of dust due to friction is small, and the mounting of the substrate on the heating plate is carried out from a preheating position close to the heating plate, so that the periphery of the heating plate at the time of mounting is mounted. Since the turbulence of the air flow can be reduced and the convection in the container is suppressed, the dust is not sowed up, so that a decrease in cleanliness can be prevented.

【0030】さらに、上記加熱板から発せられる遠赤外
線が一旦ガラス製の基板を通過する際、基板やその上面
に設けられた部材に一部吸収され、基板を透過した遠赤
外線は容器の内面で反射して基板の上面に至り、基板の
上面に設けられた部材に吸収され、それらの部材が温ま
り、基板の上面に伝達されてこの上面も加熱される。そ
のため、基板の上下面の温度差は縮まり、このため、基
板の反りがほとんどなくて均一な加熱が可能となる。ま
た、このとき、容器の内面で反射してガラス製の基板を
通過した遠赤外線は、加熱板に戻ってきて加熱板自身を
加熱することになる。これにより、加熱板自身の加熱エ
ネルギーは、その分少なくてよくなるため、省エネルギ
ーの面でも有効である。そして、容器の開口部と昇降手
段の昇降口とに夫々、昇降手段の昇降に応じて開閉する
遮蔽板を設けた。このため、基板の加熱中に容器外から
塵埃を含んだ冷たい外気が流入せず、均一な温度による
加熱と高い清浄度を得ることができる。
Further, when far infrared rays emitted from the heating plate once pass through a glass substrate, they are partially absorbed by the substrate and members provided on the upper surface thereof, and the far infrared rays transmitted through the substrate are reflected by the inner surface of the container. The light is reflected to reach the upper surface of the substrate, is absorbed by members provided on the upper surface of the substrate, and these members are warmed, transmitted to the upper surface of the substrate, and the upper surface is also heated. As a result, the temperature difference between the upper and lower surfaces of the substrate is reduced, and uniform heating is possible with almost no warpage of the substrate. Further, at this time, the far-infrared ray reflected on the inner surface of the container and passed through the glass substrate returns to the heating plate and heats the heating plate itself. Thereby, the heating energy of the heating plate itself can be reduced by that much, which is also effective in terms of energy saving. And the opening of the container and the lifting hand
Open and close according to the elevation of the elevating means, respectively at the elevator of the step
A shielding plate was provided. For this reason, during heating of the substrate,
Cold air containing dust does not flow in and uniform temperature
Heating and high cleanliness can be obtained.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0032】図1〜図5は本発明による加熱炉の基本構
成を示す図であり、図1はその外観を示す正面図であっ
て、1は架台フレーム、2は炉体、3は制御部、4は仕
切ベース板、5は支柱、6は枠組、8は隔壁、9は開口
部である。
FIGS. 1 to 5 show a basic structure of a heating furnace according to the present invention .
FIG. 1 is a front view showing the external appearance, wherein 1 is a gantry frame, 2 is a furnace body, 3 is a control unit, 4 is a partition base plate, 5 is a column, 6 is a frame, 8 Is a partition, and 9 is an opening.

【0033】図2は図1の分断線A−Aに沿う断面図で
あって、10は扉(点検扉)、11は昇降手段、12は
基板、13は排気管、14は搬送ロボットであり、図1
に対応する部分には同一符号を付けている。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, wherein 10 is a door (inspection door), 11 is lifting means, 12 is a substrate, 13 is an exhaust pipe, and 14 is a transfer robot. , FIG.
Are assigned the same reference numerals.

【0034】図3は図1の分断線B−Bに沿う要部断面
図であって、15は昇降ピン、16はホットプレ−ト、
17は支柱、18は放熱防止カバー、19は位置ずれ防
止ピン、20は真空吸着孔、21は真空配管、22は加
熱用ヒ−タ、23は給気管、24は縦駆動板、25は横
枠であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付け
ている。
FIG. 3 is a sectional view of a main part taken along the line BB in FIG. 1, wherein 15 is a lifting pin, 16 is a hot plate,
17 is a column, 18 is a heat dissipation prevention cover, 19 is a displacement prevention pin, 20 is a vacuum suction hole, 21 is a vacuum pipe, 22 is a heating heater, 23 is an air supply pipe, 24 is a vertical drive plate, and 25 is a horizontal drive plate. It is a frame, and portions corresponding to the above-mentioned drawings are denoted by the same reference numerals.

【0035】図4は図2の分断線C−Cに沿う要部断面
図であって、前出図面に対応する部分には同一符号を付
けている。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part taken along section line CC of FIG. 2, and portions corresponding to the above-mentioned drawings are denoted by the same reference numerals.

【0036】図1及び図2において、この加熱炉は、脚
部を有する架台フレーム1により床面に設置されてい
る。架台フレーム1は加熱を行なう炉体2を収納する空
間部分Iと、後述する基板12の保持手段を昇降させる
基板12の温度制御手段や加熱炉全体の制御手段となる
制御部3を収容する空間部分IIとの上下2段に分割され
ている。
In FIGS. 1 and 2, the heating furnace is installed on the floor by a gantry frame 1 having legs. The gantry frame 1 has a space I for accommodating a furnace body 2 for heating, and a space for accommodating a controller 3 serving as a means for controlling the temperature of the substrate 12 for elevating and lowering a holding means for the substrate 12 to be described later and a means for controlling the entire heating furnace. It is divided into two upper and lower parts with the part II.

【0037】架台フレーム1の上部空間部分Iには、横
向きに配置される仕切ベース板4とこれを支えて縦向き
に配置される支柱5との組合せからなる枠組6が2組設
けられ、これらが横方向に配置されている。1つの枠組
6では、この上部空間部分Iの天井側の仕切ベース板4
と底面側の仕切ベース板4とこれらの間の仕切ベース板
4とが互いに水平に配置され、これらが左右両側2ヵ所
ずつで支柱5により支えられている。この1つの枠組6
で上下2つずつ空間ができて、夫々に炉体2が設置され
る。従って、架台フレーム1の上部空間部分Iには、上
側に2台,下側に2台の計4台の炉体2が設置される。
In the upper space portion I of the gantry frame 1, there are provided two sets of frames 6 each composed of a combination of a partition base plate 4 arranged horizontally and a column 5 supported vertically. Are arranged laterally. In one framework 6, the partition base plate 4 on the ceiling side of the upper space portion I
The partition base plate 4 on the bottom surface side and the partition base plate 4 between them are horizontally arranged with each other, and are supported by columns 5 at two locations on both left and right sides. This one framework 6
The furnace body 2 is installed in each of two upper and lower spaces. Accordingly, in the upper space portion I of the gantry frame 1, two furnace bodies 2 are provided, two on the upper side and two on the lower side.

【0038】炉体2の加熱を行なう部分は容器状の隔壁
8で覆われ、この隔壁8の底部が仕切ベース板4に固定
されている。この隔壁8には、図2に示すように、基板
12の搬入搬出を行なうための開口部9が設けている。
また、隔壁8による容器の両側には、図2に示すよう
に、取り外し可能に点検扉10が設けられている。そし
て、隔壁8の片側の点検扉10は加熱炉の外面側となる
ので、点検扉10を外して炉体2の保守を行なうことが
できる。
The part of the furnace body 2 to be heated is covered with a container-shaped partition 8, and the bottom of the partition 8 is fixed to the partition base plate 4. As shown in FIG. 2, the partition 8 is provided with an opening 9 for carrying the substrate 12 in and out.
In addition, as shown in FIG. 2, detachable inspection doors 10 are provided on both sides of the container by the partition wall 8. Since the inspection door 10 on one side of the partition 8 is on the outer surface side of the heating furnace, the inspection door 10 can be removed and the furnace body 2 can be maintained.

【0039】なお、基板12は液晶ディスプレイやプラ
ズマディスプレイ用の基板であり、例えばガラスなどの
遠赤外線を透過可能な基板に別工程でシール剤が塗布さ
れているものである。
The substrate 12 is a substrate for a liquid crystal display or a plasma display. For example, a substrate such as glass that can transmit far infrared rays is coated with a sealant in a separate process.

【0040】各炉体2毎に昇降手段11が設けられ、夫
々仕切ベース板4に固定されている。昇降手段11は内
部に図示しない駆動モータ、ボールネジなどよりなる往
復運動機構を有しており、その動作は制御部3で制御さ
れる。図3に示すように、昇降手段11には、この往復
運動機構によって上下方向に駆動される縦駆動板24が
接続され、この縦駆動板24は炉体2内に伸延してい
る。
Elevating means 11 are provided for each furnace body 2 and fixed to the partition base plate 4 respectively. The elevating means 11 has a reciprocating mechanism including a drive motor, a ball screw, and the like (not shown), and its operation is controlled by the control unit 3. As shown in FIG. 3, a vertical drive plate 24 driven vertically by the reciprocating mechanism is connected to the lifting / lowering means 11, and the vertical drive plate 24 extends into the furnace body 2.

【0041】炉体2内では、図3及び図4に示すよう
に、縦駆動板24に複数の横枠25が接続されており、
横枠25の上面に昇降ピン15が接続されている。昇降
ピン15は小径の棒形状のものであり、基板12の保持
手段である。
In the furnace body 2, as shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of horizontal frames 25 are connected to a vertical drive plate 24.
The lifting pins 15 are connected to the upper surface of the horizontal frame 25. The elevating pins 15 are rod-shaped with a small diameter, and are holding means for the substrate 12.

【0042】また、炉体2内には、基板12と接触して
これを加熱する加熱板としてのホットプレ−ト16が配
置され、このホットプレ−ト16は支柱17を介して仕
切ベース板4に固定されている。
A hot plate 16 serving as a heating plate for contacting and heating the substrate 12 is disposed in the furnace body 2, and the hot plate 16 is connected to the partition base plate 4 via a support 17. Fixed.

【0043】このホットプレート16に対向した隔壁8
の内面、特に、ホットプレート16が面する隔壁の内面
(上内面や側内面)には、鏡面研磨が施されている。
The partition 8 facing the hot plate 16
, Especially the inner surface (upper inner surface or side inner surface) of the partition wall facing the hot plate 16 is mirror-polished.

【0044】ホットプレ−ト16の外側には、放熱防止
カバー18が設けられている。放熱防止カバー18はス
テンレス鋼などの金属板からなり、ホットプレート16
から僅かに離れてそれを覆うようにしている。これによ
り、ホットプレート16と放熱防止カバー18との間に
空気層が形成され、この空気層によりホットプレート1
6の放熱量が抑えられて、ホットプレート16の温度の
安定化を図っている。ホットプレ−ト16と放熱防止カ
バー18には、これらを垂直方向に貫通する小孔が設け
られている。
A heat radiation preventing cover 18 is provided outside the hot plate 16. The heat radiation prevention cover 18 is made of a metal plate such as stainless steel.
Slightly away from it to cover it. As a result, an air layer is formed between the hot plate 16 and the heat dissipation prevention cover 18, and the air layer forms the hot plate 1.
6, the amount of heat radiation is suppressed, and the temperature of the hot plate 16 is stabilized. The hot plate 16 and the heat radiation preventing cover 18 are provided with small holes penetrating them vertically.

【0045】基板12は、ホットプレート16の上方で
複数個配設された昇降ピン15上に搭載される。昇降ピ
ン15は対象となる全ての基板12の形状に対応するよ
うに適宜な配置で設けられており、そのホットプレート
16面より突き出る夫々の長さが互いに等しくなるよう
にしている。また、隔壁8に設けた開口部9と昇降ピン
15の位置関係は、基板12が開口部9から水平に移動
して炉体2内に搬入されたとき、この基板12がそのま
ま昇降ピン15上に搭載できるように設定されている。
The substrate 12 is mounted on a plurality of elevating pins 15 arranged above the hot plate 16. The elevating pins 15 are provided in an appropriate arrangement so as to correspond to the shapes of all the target substrates 12, and their lengths protruding from the hot plate 16 surface are made equal to each other. Further, the positional relationship between the opening 9 provided in the partition 8 and the elevating pin 15 is such that when the substrate 12 is moved horizontally from the opening 9 and is carried into the furnace body 2, the substrate 12 is directly placed on the elevating pin 15. It is set so that it can be mounted on.

【0046】炉体2内の稼働部分は昇降手段11によっ
て昇降する縦駆動板24や昇降ピン15であり、昇降手
段11は炉体2の外側に配置され、開口部9から水平方
向に基板12が搬入されるので、炉体2内は縦駆動板2
4や昇降ピン15の駆動範囲と基板12の搬入に必要な
空間があればよく、これらによって隔壁8は全高が抑え
られている。
The operating parts in the furnace body 2 are a vertical drive plate 24 and a lifting pin 15 which are raised and lowered by the lifting means 11. The lifting means 11 is arranged outside the furnace body 2, and the substrate 12 is horizontally moved from the opening 9. Is carried into the furnace body 2 so that the vertical drive plate 2
It is sufficient if there is a space required for driving the substrate 4 and the driving range of the lifting pins 15 and the space required for carrying in the substrate 12.

【0047】ホットプレート16の上面には、基板12
の位置ずれ防止ピン19と一定間隔で配置された複数個
の真空吸着孔20とが配置されている。位置ずれ防止ピ
ン19は、基板12の形状に応じてその固定位置を変更
できるように、ねじ止めなどで脱着可能にホットプレー
ト16に固定された棒状のものであって、基板12が搭
載される部分を周りから囲むように設けられたものであ
り、例えば、長方形の基板12に対してその四辺方向に
位置する。
On the upper surface of the hot plate 16, the substrate 12
And a plurality of vacuum suction holes 20 arranged at regular intervals. The displacement prevention pin 19 is a rod-shaped member that is detachably fixed to the hot plate 16 by screwing or the like so that the fixing position can be changed according to the shape of the substrate 12, and the substrate 12 is mounted thereon. The portion is provided so as to surround the portion from the periphery, and is positioned, for example, on the four sides of the rectangular substrate 12.

【0048】ホットプレ−ト16の内部には、加熱用の
ヒ−タ22と真空吸着孔20に連結された真空配管21
とが設けられており、さらに、真空配管21には、制御
部3によって駆動制御される図示しない真空ポンプが接
続されている。
Inside the hot plate 16, a heating heater 22 and a vacuum pipe 21 connected to the vacuum suction hole 20 are provided.
And a vacuum pump (not shown) that is driven and controlled by the control unit 3 is connected to the vacuum pipe 21.

【0049】また、炉体2の内側上部の開口部9側に
は、給気手段としての給気管23が設けられている。給
気管23は多数のノズルを開口部9と反対側の略水平方
向に向けて設けられたパイプ状のものであって、気体
(例えば、窒素ガス)をその内部に通してこれらノズル
から炉体2内に給気する。
An air supply pipe 23 is provided as an air supply means on the side of the opening 9 at the upper inside of the furnace body 2. The air supply pipe 23 is a pipe-shaped pipe provided with a number of nozzles directed substantially in the horizontal direction on the side opposite to the opening 9, and allows gas (for example, nitrogen gas) to pass therethrough and pass through the furnace body from these nozzles. Air is supplied into 2.

【0050】また、隔壁8の開口部9に対向する側の面
には、炉体2内で発生する塵埃やシール剤の硬化処理に
より発生するガスを排気するための排気管13が設けら
れている。炉体2内の内圧を上げるために、給気管23
による窒素ガスの給気量より排気管13による排気量を
少なくしている。
An exhaust pipe 13 for exhausting dust generated in the furnace body 2 and gas generated by the hardening treatment of the sealant is provided on the surface of the partition wall 8 facing the opening 9. I have. In order to increase the internal pressure in the furnace body 2, the air supply pipe 23
The amount of exhaust gas from the exhaust pipe 13 is smaller than the amount of nitrogen gas supplied by the exhaust gas.

【0051】外部から炉体2内への基板12の搬入及び
搬出は、図2に示すように、図示する形状の搬送ヘッド
を持ち、制御部3の制御によって炉体2内の昇降ピン1
5と連動して動作する搬送ロボット14などが使用され
る。
As shown in FIG. 2, the loading and unloading of the substrate 12 from the outside into the furnace body 2 has a transfer head having a shape as shown in FIG.
For example, a transfer robot 14 that operates in conjunction with 5 is used.

【0052】次に、以上のような構成の加熱炉の動作を
図5により説明する。なお、図5は、図4と同様に、図
2の分断線C−Cから開口部9側をみた図である。
Next, the operation of the heating furnace configured as described above will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a view of the opening 9 side from the dividing line CC of FIG. 2 as in FIG.

【0053】始めに、図5(a)に示すように、基板1
2が、搬入ロボット14(図2)により、開口部9から
水平方向に炉体2内に搬入され、上昇している昇降ピン
15上に搭載される。このとき、ホットプレ−ト16
は、基板12に塗布されたシール剤が急速に硬化する臨
界温度を越える所望の温度に保持されている。ホットプ
レート16は隔壁8によって外気と遮断されているか
ら、その温度は安定しており、また、炉体2内は、ホッ
トプレート16の熱により、外気温よりも高温に保たれ
ている。
First, as shown in FIG.
2 is carried into the furnace body 2 from the opening 9 in the horizontal direction by the carrying-in robot 14 (FIG. 2), and is mounted on the ascending / descending elevating pins 15. At this time, hot plate 16
Is maintained at a desired temperature above the critical temperature at which the sealant applied to the substrate 12 rapidly cures. Since the hot plate 16 is isolated from the outside air by the partition wall 8, its temperature is stable, and the inside of the furnace body 2 is kept at a higher temperature than the outside air temperature by the heat of the hot plate 16.

【0054】給気管23は、常に、そのノズルから常温
の窒素ガスを開口部9と反対側の方向に向けて略水平に
吹き出している。給気管23のノズルから供給する窒素
ガスは高清浄度のものであって、この窒素ガスの供給に
より、炉体2内は高清浄度が維持されている。また、排
気管13(図2)は、常に、炉体2内の空気を排出し、
炉体2内で発生するわずかな塵埃やシール剤の加熱で発
生するガスを排気している。
The air supply pipe 23 always blows out a nitrogen gas at a normal temperature from its nozzle substantially horizontally in a direction opposite to the opening 9. The nitrogen gas supplied from the nozzle of the air supply pipe 23 has a high degree of cleanliness, and the supply of this nitrogen gas maintains the inside of the furnace body 2 with a high degree of cleanliness. Further, the exhaust pipe 13 (FIG. 2) always exhausts the air in the furnace body 2,
Slight dust generated in the furnace body 2 and gas generated by heating the sealant are exhausted.

【0055】基板12を炉体2内に搬入すると、この基
板12は、ホットプレ−ト16からの輻射やそれが基板
12を通過して隔壁8の鏡面加工された内面で反射され
る遠赤外線や炉体2内の気温により、その表面温度が上
昇する。このときの基板12とホットプレート16との
間隔は、ホットプレート16の温度やシール剤などの条
件に応じて異なる。
When the substrate 12 is carried into the furnace body 2, the substrate 12 emits radiation from the hot plate 16, far-infrared rays which pass through the substrate 12 and are reflected by the mirror- finished inner surface of the partition 8. The surface temperature of the furnace body 2 rises due to the temperature inside the furnace body 2. At this time, the interval between the substrate 12 and the hot plate 16 differs depending on conditions such as the temperature of the hot plate 16 and a sealant.

【0056】次に、図5(b)に示すように、昇降手段
11(図3)によって昇降ピン15が下げられ、基板1
2をホットプレ−ト16に近づけて保持する。このとき
の基板12とホットプレート16との間隔は、所望する
予熱温度に応じて異なる。この状態で基板12をホット
プレ−ト16の輻射やそれが基板12を透過して隔壁8
の鏡面化された内面で反射された遠赤外線により加熱す
る。基板12の温度はさらに上昇するが、この基板12
はホットプレ−ト16から離れているため、ホットプレ
−ト16の表面温度までは上昇しない。従って、基板1
2とホットプレート16との距離を調整することによ
り、基板12の上下面を所望する温度に予熱することが
できる。
Next, as shown in FIG. 5B, the lifting pins 15 are lowered by the lifting means 11 (FIG. 3), and
2 is held close to the hot plate 16. At this time, the interval between the substrate 12 and the hot plate 16 differs depending on a desired preheating temperature. In this state, the radiation of the hot plate 16 and the radiation through the substrate 12
Is heated by the far-infrared ray reflected on the mirrored inner surface of. Although the temperature of the substrate 12 further increases,
Is not distant from the hot plate 16 and does not rise to the surface temperature of the hot plate 16. Therefore, substrate 1
By adjusting the distance between the substrate 2 and the hot plate 16, the upper and lower surfaces of the substrate 12 can be preheated to a desired temperature.

【0057】基板12が所望の温度に達すると、昇降ピ
ン15をさらに降下し、また、真空配管21に接続して
いる前述した真空ポンプを作動させ、真空吸着孔20か
ら吸気させる。
When the temperature of the substrate 12 reaches a desired temperature, the elevating pin 15 is further lowered, and the above-described vacuum pump connected to the vacuum pipe 21 is operated to suck air from the vacuum suction hole 20.

【0058】そして、図5(c)のように、昇降ピン1
5をさらに降下させることにより、基板12は位置ずれ
防止ピン19に囲まれて降下し、遂に、ホットプレ−ト
16上に載置される。すると、基板12は、真空吸着孔
20が作動していることにより、ホットプレート16に
真空吸着して密着固定する。この場合、上記のように予
熱されることから、基板12には反りがほとんど生じな
いが、例え基板12にわずかに反りがあっても、ホット
プレート16への上記の密着固定により、ホットプレ−
ト16との間に隙間が生じないし、加熱中に位置ずれが
生じるようなこともない。
Then, as shown in FIG.
By further lowering the substrate 5, the substrate 12 is lowered by being surrounded by the displacement prevention pins 19, and is finally mounted on the hot plate 16. Then, the substrate 12 is vacuum-adsorbed to the hot plate 16 and closely fixed by the operation of the vacuum suction holes 20. In this case, since the substrate 12 is preheated as described above, the substrate 12 hardly warps. However, even if the substrate 12 slightly warps, the substrate 12 is tightly fixed to the hot plate 16 by the above-described hot plate.
There is no gap between the heating unit and the heating unit, and no displacement occurs during heating.

【0059】基板12の反りやホットプレート16と昇
降ピン15の工作精度などが原因となって、基板12の
全面がホットプレート16に同時に接触し難い。このた
め、基板12は先にホットプレート16に接触した部分
から真空吸着孔20に引き寄せられ、これとともに搭載
位置からずれようとするが、位置ずれ防止ピン19で周
りが囲まれているので、機械的に所望する範囲内にずれ
防止がなされる。基板12をホットプレ−ト16に所望
の時間密着させて保持する。
It is difficult for the entire surface of the substrate 12 to simultaneously contact the hot plate 16 due to the warpage of the substrate 12 and the working accuracy of the hot plate 16 and the elevating pins 15. For this reason, the substrate 12 is drawn to the vacuum suction hole 20 from the portion that first comes in contact with the hot plate 16 and tends to shift from the mounting position therewith. The deviation is prevented within a desired range. The substrate 12 is kept in close contact with the hot plate 16 for a desired time.

【0060】基板12の全面は、ホットプレート16に
密着することにより、熱伝導による加熱で一様な温度と
なる。これにより、基板12に塗布されたシール剤が均
質に加熱硬化される。
The entire surface of the substrate 12 is brought into close contact with the hot plate 16, so that a uniform temperature is obtained by heating by heat conduction. Thereby, the sealant applied to the substrate 12 is uniformly heated and cured.

【0061】基板12をホットプレ−ト16上で所望時
間保持した後、真空吸着孔20による吸着を停止し、昇
降ピン15を上昇させ、図5(d)に示すように、再び
基板12を昇降ピン15に搭載した位置まで戻して保持
する。このとき、基板12はホットプレート16から離
れ、次第に温度が低下する。
After holding the substrate 12 on the hot plate 16 for a desired time, the suction by the vacuum suction holes 20 is stopped, the lifting pins 15 are raised, and the substrate 12 is raised and lowered again as shown in FIG. Return to the position mounted on the pin 15 and hold it. At this time, the substrate 12 separates from the hot plate 16 and the temperature gradually decreases.

【0062】さらに、基板12がホットプレート16か
ら離れると、給気管23のノズルから吹き出す窒素ガス
が基板12の表面に吹き付けられ、これにより、基板1
2の冷却が促進する。窒素ガスによる冷却でもって、基
板12の余熱によるシール剤の硬化の進行を防止でき
る。
Further, when the substrate 12 separates from the hot plate 16, the nitrogen gas blown from the nozzle of the air supply pipe 23 is blown onto the surface of the substrate 12.
2 promotes cooling. The cooling by the nitrogen gas can prevent the hardening of the sealant due to the residual heat of the substrate 12.

【0063】図5(a)〜(d)に示す昇降ピンの各位
置の時間的な変化は、基板12に塗布されたシール剤の
特性やホットプレート16の設定温度などの諸条件に応
じて異なる。基板12の温度が所望の値になって冷却が
完了すると、搬送ロボット14(図2)により、基板1
2は炉体2外に搬出され、基板12のシール剤の加熱硬
化処理が終了する。
The time-dependent changes in the positions of the lifting pins shown in FIGS. 5A to 5D depend on the characteristics of the sealant applied to the substrate 12 and various conditions such as the set temperature of the hot plate 16. different. When the temperature of the substrate 12 reaches a desired value and the cooling is completed, the transfer robot 14 (FIG. 2)
2 is carried out of the furnace body 2, and the heat curing of the sealant on the substrate 12 is completed.

【0064】以上のように、基板12をホットプレート
16から離れた位置で予熱することにより、基板12を
臨界温度以下の温度で予熱し、基板12をホットプレー
ト16に密着する時間を調整し、加熱後にホットプレー
ト16から離して臨界温度以下の温度に冷却することに
より、所望するシール剤の特性を得ることができる。
As described above, by preheating the substrate 12 at a position away from the hot plate 16, the substrate 12 is preheated at a temperature lower than the critical temperature, and the time during which the substrate 12 adheres to the hot plate 16 is adjusted. By separating from the hot plate 16 after heating and cooling to a temperature lower than the critical temperature, desired properties of the sealant can be obtained.

【0065】ホットプレート16は、隔壁8で覆うこと
により、外気の影響を受けにくくなり、また、基板12
は、その下面がホットプレート16によって加熱される
ばかりでなく、隔壁8の鏡面化された内面で反射された
遠赤外線がその上面に設けられたシール剤に吸収されて
その上面も加熱されるから、この基板12の表面温度が
安定化して基板12を一様な温度で加熱でき、基板12
に塗布したシール剤を均一に加熱硬化することができ
る。
By covering the hot plate 16 with the partition wall 8, the hot plate 16 is hardly affected by the outside air.
This is because not only the lower surface is heated by the hot plate 16 but also the far-infrared ray reflected on the mirrored inner surface of the partition 8 is absorbed by the sealant provided on the upper surface and the upper surface is also heated. The surface temperature of the substrate 12 is stabilized, and the substrate 12 can be heated at a uniform temperature.
Can be uniformly heated and cured.

【0066】また、隔壁8の鏡面化された内面で反射さ
れ、さらに、基板12を通過した遠赤外線はホットプレ
ート16に戻ってくるが、かかる遠赤外線はホットプレ
ート16を加熱することになる。このため、ホットプレ
ート16自身を加熱するためのエネルギーを節約するこ
とができ、さらに省エネルギーを促進することができ
る。
The far infrared rays reflected on the mirror-finished inner surface of the partition 8 and passed through the substrate 12 return to the hot plate 16, and the far infrared rays heat the hot plate 16. Therefore, energy for heating the hot plate 16 itself can be saved, and energy saving can be further promoted.

【0067】炉体2の駆動部は昇降ピン15を昇降させ
る昇降手段11のみであるので、構造が簡素化し、炉体
2の駆動部の制御は昇降ピン15の上下位置であるの
で、制御が単純化する。搬送ロボット14は隔壁8の前
面部に設けられた開口部9から基板12を搬入し、昇降
ピン15上に搭載し、加熱終了後に同じ位置で昇降ピン
15上にある基板12を搬出するので、制御が容易であ
る。
Since the driving unit of the furnace body 2 is only the elevating means 11 for raising and lowering the elevating pins 15, the structure is simplified, and the control of the driving unit of the furnace body 2 is performed at the vertical position of the elevating pins 15. Simplify. The transfer robot 14 loads the substrate 12 from the opening 9 provided on the front surface of the partition 8, mounts the substrate 12 on the elevating pins 15, and unloads the substrate 12 on the elevating pins 15 at the same position after heating is completed. Easy to control.

【0068】炉体2内では、その下部にある縦駆動板2
4の昇降範囲に隔壁8を切り欠いた部分から低温の外気
が侵入し、ホットプレート16上に沿って移動し、開口
部9より流出する気流が発生するが、給気管23のノズ
ルを開口部9と反対側の略水平方向に向けて設けたこと
により、開口部9へ向かう気流が打ち消される。
In the furnace body 2, a vertical drive plate 2
The low-temperature outside air enters from the part where the partition wall 8 is notched into the ascending / descending area of 4, and moves along the hot plate 16 to generate an airflow flowing out of the opening 9. However, the nozzle of the air supply pipe 23 is opened. By being provided in a substantially horizontal direction on the opposite side to 9, airflow toward opening 9 is canceled.

【0069】また、給気管23から供給される窒素ガス
によって炉体2内の内圧は僅かに上昇するので、隔壁8
外から侵入しようとする気流が打ち消される。隔壁8で
囲まれた容積を抑えることができるので、ホットプレー
ト16の周囲の空間は僅かであり、ホットプレートの1
6の熱で炉体2内の温度は均一化し易く、炉体2内の上
部と下部の温度差が小さくなり、対流の発生量を抑える
ことができる。対流は基板12の動きで乱されないの
で、ホットプレート16の加熱温度が均一化し、基板1
2に塗布したシール剤を均一に加熱硬化することができ
る。
Since the internal pressure in the furnace body 2 is slightly increased by the nitrogen gas supplied from the air supply pipe 23,
The airflow that tries to enter from outside is canceled out. Since the volume surrounded by the partition 8 can be suppressed, the space around the hot plate 16 is small,
With the heat of 6, the temperature inside the furnace body 2 is easily made uniform, the temperature difference between the upper part and the lower part inside the furnace body 2 becomes small, and the amount of convection generated can be suppressed. Since the convection is not disturbed by the movement of the substrate 12, the heating temperature of the hot plate 16 is made uniform,
The sealant applied to 2 can be uniformly heated and cured.

【0070】給気管23から給気する気体を不活性ガス
である窒素ガスとし、外気の侵入を抑えているので、炉
体2内の窒素ガスの濃度は高くなり、シール剤の酸化を
防止できる。
Since the gas supplied from the air supply pipe 23 is nitrogen gas, which is an inert gas, and the invasion of outside air is suppressed, the concentration of nitrogen gas in the furnace body 2 becomes high, and oxidation of the sealant can be prevented. .

【0071】給気管23のノズル方向を開口部9と反対
側の略水平方向に向けて設けたが、給気管23のノズル
方向や給気量は、隔壁8の開口部9の位置やホットプレ
ート16の位置や温度などにより生ずる対流の方向や流
量などにより、その最適な給気管23のノズル方向や給
気量などは変更できる。一例として、隔壁8の全高が低
くて内部での対流を抑えてあるものについては、隔壁8
の開口部9に沿って流れる気流を発生させてエアーカー
テンを形成し、外気の侵入を抑えるようにしてもよい。
Although the nozzle direction of the air supply pipe 23 is provided substantially in the horizontal direction on the opposite side to the opening 9, the nozzle direction and the air supply amount of the air supply pipe 23 depend on the position of the opening 9 of the partition wall 8 and the hot plate. The optimal nozzle direction and air supply amount of the air supply pipe 23 can be changed by the direction and flow rate of convection generated by the position and temperature of the nozzle 16. As an example, when the total height of the partition walls 8 is low and convection inside is suppressed,
It is also possible to form an air curtain by generating an airflow flowing along the opening 9 of the above to suppress the invasion of outside air.

【0072】この加熱炉では、炉体2の個数を4個とし
ている。炉体2の適正な個数は、炉体2内に基板12が
ある時間と、基板12を炉体2へ搬入及び搬出する時間
との合計時間を所望する基板12の供給時間で除した値
となる。各炉体2に一定間隔で順番に基板12を搬入
し、シール剤の加熱硬化処理を終了した基板12を順番
に取り出すことにより、シール剤の加熱硬化工程を終了
した基板12を一定の間隔で次段の装置へ供給できる。
従って、複数個の炉体2を備えることにより、基板12
を次段の装置などへ供給する間隔を確保できる。
In this heating furnace, the number of the furnace bodies 2 is four. The appropriate number of the furnace bodies 2 is a value obtained by dividing the total time of the time when the substrates 12 are present in the furnace body 2 and the time for loading and unloading the substrates 12 into and from the furnace body 2 by the desired substrate 12 supply time. Become. The substrates 12 having been subjected to the heat-curing process of the sealant are taken out at regular intervals by sequentially loading the substrates 12 into the furnace bodies 2 at regular intervals and taking out the substrates 12 after the heat-curing treatment of the sealant in order. It can be supplied to the next device.
Therefore, by providing a plurality of furnace bodies 2, the substrate 12
Can be supplied to the next-stage device or the like.

【0073】また、複数台の炉体2のうちの1台が故障
しても、各炉体2を個別に温度管理することにより、故
障した炉体2を除いて運転することができ、製造ライン
を停止せずに保守できる。
Even if one of the plurality of furnace bodies 2 fails, the temperature can be controlled individually for each furnace body 2 so that the furnace body 2 can be operated without the failed furnace body 2, and the manufacturing can be performed. Maintenance can be performed without stopping the line.

【0074】保守や点検を行なう点検扉10(図2及び
図4)は、基板12の搬入される面とは直角方向の側面
に設けているので、片側の点検扉10を開けて保守や点
検を行なっても、保守や点検を行なっている以外の炉体
2への基板12の搬入を妨げることがなく、加熱炉全体
を停止させることはない。
The inspection door 10 (FIGS. 2 and 4) for performing maintenance and inspection is provided on a side surface perpendicular to the surface on which the substrate 12 is carried in. Therefore, the inspection door 10 on one side is opened to perform maintenance and inspection. Does not hinder the loading of the substrate 12 into the furnace body 2 except for maintenance and inspection, and does not stop the entire heating furnace.

【0075】また、この加熱炉では、炉体2は上下に2
段、左右に2列の配置としたが、炉体2の配置は基板1
2を搬送する搬送ロボット14などとの組み合わせによ
り変更してもよい。炉体2は垂直方向のみに配置しても
よく、水平方向のみに配置してもよい。炉体2の配置
は、設置される室内の床面積や室内高さ,炉体数,搬送
ロボット14の移送範囲などの条件により、適正なもの
に選定できる。炉体2の全高は低いから、炉体2を垂直
方向に複数段重ねても、全体的にさほど高くならずに据
付け面積を小さくすることができる。
In this heating furnace, the furnace body 2 is vertically
Although two rows were arranged on the left and right sides, the furnace body 2 was arranged on the substrate 1
It may be changed by a combination with the transfer robot 14 for transferring the second. The furnace body 2 may be arranged only in the vertical direction, or may be arranged only in the horizontal direction. The arrangement of the furnace body 2 can be appropriately selected depending on conditions such as the floor area and the height of the room in which the furnace body is installed, the number of furnace bodies, the transfer range of the transfer robot 14, and the like. Since the total height of the furnace body 2 is low, even if the furnace bodies 2 are stacked in a plurality of stages in the vertical direction, the installation area can be reduced without increasing the overall size.

【0076】さらに、この加熱炉では、対流の抑制によ
り炉体2内への外気の進入を抑え、清浄度を高くして塵
埃の基板12への付着を防止している。基板12が加熱
中にホットプレ−ト16に触れる回数は1回だけであ
り、また、基板12をホットプレート16に極く近い予
熱位置から搭載するので、ホットプレート16の周囲の
気流の乱れは少なく、塵埃を舞い上げることは少なくて
清浄度を維持できる。
Further, in this heating furnace, the convection is suppressed to suppress the invasion of the outside air into the furnace body 2, and the cleanliness is increased to prevent the dust from adhering to the substrate 12. The number of times that the substrate 12 touches the hot plate 16 during heating is only once, and since the substrate 12 is mounted from a preheating position very close to the hot plate 16, the turbulence of the airflow around the hot plate 16 is small. In addition, it is possible to maintain cleanliness with little dust.

【0077】また、基板12と昇降ピン15との接触面
積は僅かであるので、基板12と昇降ピン15の摩擦に
よる塵埃の発生を抑えている。炉体2内は対流を抑えて
いるので、発生した塵埃は上方へ移動しにくく、基板1
2の清浄度を保つことができる。また、駆動部分である
昇降手段11は隔壁8外にあるため、内部の発塵量は少
なく、さらに、発生した塵埃を排気管13が排気するの
で、内部の清浄度を良好に保つことができて、塵埃の付
着の少ない高品質な基板12を得ることができる。
Since the contact area between the substrate 12 and the lifting pins 15 is small, the generation of dust due to the friction between the substrate 12 and the lifting pins 15 is suppressed. Since the convection inside the furnace body 2 is suppressed, the generated dust is difficult to move upward, and the substrate 1
2 can be maintained. Further, since the lifting / lowering means 11, which is a driving portion, is outside the partition 8, the amount of dust generated inside is small, and furthermore, the generated dust is exhausted by the exhaust pipe 13, so that the internal cleanliness can be kept good. As a result, it is possible to obtain a high-quality substrate 12 with less dust.

【0078】図6は図1〜図5に示した加熱炉の変形例
を示す断面図であって、26は鏡であり、図3に対応す
る部分には同一符号をつけて重複する説明を省略する。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modification of the heating furnace shown in FIGS. 1 to 5, in which 26 is a mirror, and portions corresponding to FIG. A duplicate description will be omitted.

【0079】図1に示した加熱炉は、図3において、ホ
ットプレート16の上面に対向する隔壁8の内面を鏡面
研磨したものであったが、図6に示すこの加熱炉では
隔壁8の内面を鏡面化する代わりに、ホットプレート1
6の上面に対向する隔壁8の内面に耐熱性の鏡26を図
示しないフックなどで固定したものである。
In the heating furnace shown in FIG . 1, the inner surface of the partition 8 facing the upper surface of the hot plate 16 is mirror-polished in FIG. 3, but in this heating furnace shown in FIG.
Instead of making the inner surface of the partition 8 a mirror surface, the hot plate 1
A heat-resistant mirror 26 is fixed to the inner surface of the partition wall 8 facing the upper surface of the mirror 6 by a hook or the like (not shown).

【0080】この加熱炉においても、図1〜図5で示し
た加熱炉と同様、ホットプレート16から基板12を通
過した遠赤外線がこの鏡26によって反射され、再び基
板12やホットプレート16に戻る。
This heating furnace is also shown in FIGS.
Similarly to the heating furnace , far infrared rays that have passed through the substrate 12 from the hot plate 16 are reflected by the mirror 26 and return to the substrate 12 and the hot plate 16 again.

【0081】これにより、図1〜図5で示した加熱炉
同様の効果が得られる上、さらに、鏡26が汚れた場合
には、これを取りはずして下面を容易に清掃でき、常に
均一な加熱状態とすることができる。
As a result, the same effects as those of the heating furnace shown in FIGS. 1 to 5 can be obtained. Further, when the mirror 26 becomes dirty, the mirror 26 can be removed and the lower surface can be easily cleaned, so that the mirror 26 is always uniform. It can be in a heated state.

【0082】図7は本発明による加熱炉の一実施形態
示す断面図であって、9a,9bは開口部、27は横
枠、28は支持柱、29は遮蔽板、30は支持材、31
は遮蔽板であり、図3に対応する部分には同一符号をつ
けて重複する説明を省略する。
FIG. 7 is a sectional view showing an embodiment of the heating furnace according to the present invention, wherein 9a and 9b are openings, 27 is a horizontal frame, 28 is a supporting column, 29 is a shielding plate, 30 is a supporting material, 31
Denotes a shielding plate, and portions corresponding to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

【0083】この実施形態は、炉体2内の密閉状態をさ
らに改善したものである。
In this embodiment , the hermetically sealed state in the furnace body 2 is further improved.

【0084】図7(a)は基板12を搬入するときの状
態を示したものであるが、この場合、この基板12を搬
入する開口部9は当然開いている。しかし、図1〜図6
で示した加熱炉では、炉体2が基板12の加熱動作を行
なうときも、この開口部9は開いたままとしていた。
FIG. 7A shows a state when the substrate 12 is loaded. In this case, the opening 9 for loading the substrate 12 is naturally open. However, FIGS.
In the heating furnace indicated by , the opening 9 is kept open even when the furnace body 2 performs the heating operation of the substrate 12.

【0085】この実施形態においては、図7(a)にお
いて、縦駆動板24を隔壁8の開口部9a(これは、図
3での開口部9に対応する)が設けられている側の内側
面まで延長して、その先端部に横枠27を紙面に垂直な
方向に渡し、その上に支持柱28を介して開口部9aを
塞ぐための遮蔽板29が設けられている。
In this embodiment , in FIG. 7 (a), the vertical drive plate 24 is placed on the side of the partition 8 on which the opening 9a (corresponding to the opening 9 in FIG. 3) is provided. Extending to the side surface, a horizontal frame 27 is provided at the end thereof in a direction perpendicular to the paper surface, and a shielding plate 29 for closing the opening 9a via a support pillar 28 is provided thereon.

【0086】また、開口部9aとは反対側の隔壁8の後
面側には、縦駆動板24が貫通する開口部9bが設けら
れており、この開口部9bは縦駆動板24が上下に移動
できる程度の大きさに設定されている。先に図1〜図6
で説明した加熱炉においても、かかる開口部が形成され
ているが、上記の開口部9と同様、常に開放状態になっ
ていた。
Further, an opening 9b through which the vertical driving plate 24 penetrates is provided on the rear surface side of the partition 8 opposite to the opening 9a, and the vertical driving plate 24 moves up and down. The size is set to the extent possible. First, FIGS.
In the heating furnace described in the above section, such an opening is also formed, but as in the case of the opening 9, the opening is always open.

【0087】これに対し、この実施形態では、図7
(a)に示すように、縦駆動板24の開口部9b側にも
支持材30が渡され、これに開口部9bを塞ぐための遮
蔽板31が設けられている。
On the other hand, in this embodiment , FIG.
As shown in (a), a support member 30 is also provided on the side of the opening 9b of the vertical drive plate 24, and a shielding plate 31 for closing the opening 9b is provided.

【0088】図7(a)に示す状態で基板12が搬入さ
れ、昇降手段11により縦駆動板24が降下されると、
図7(b)に示すように、遮蔽板29,31も降下し、
遮蔽板29が開口部9aを、遮蔽板31が開口部9bを
夫々遮蔽する。これにより、炉体2内が完全に密閉され
る。加熱処理が終了して縦駆動板24が上昇すると、開
口部9aが開き、基板12を外部に取り出すことができ
る。
When the substrate 12 is loaded in the state shown in FIG. 7A and the vertical drive plate 24 is lowered by the lifting / lowering means 11,
As shown in FIG. 7B, the shielding plates 29 and 31 also descend,
The shielding plate 29 shields the opening 9a, and the shielding plate 31 shields the opening 9b. Thereby, the inside of the furnace body 2 is completely sealed. When the vertical drive plate 24 is lifted after the heat treatment, the opening 9a is opened, and the substrate 12 can be taken out.

【0089】このように、基板12の加熱中に開口部9
a,9bが閉じられることにより、炉外から塵埃を含ん
だ冷たい外気が流入するおそれがなくなり、より均一な
加熱とより高い清浄度を得ることができる。
As described above, during the heating of the substrate 12, the opening 9
By closing a and 9b, there is no possibility that cold outside air containing dust flows in from outside the furnace, and more uniform heating and higher cleanliness can be obtained.

【0090】また、炉内の高温窒素ガスが炉外に流出し
にくくなるので、給気管23からの窒素ガスの給気量を
低減することができるし、加熱処理後には、開口部9
a,9bが開放されるので、冷たい外気が流入して基板
12が冷却される。
Further, since it becomes difficult for the high-temperature nitrogen gas in the furnace to flow out of the furnace, the amount of nitrogen gas supplied from the gas supply pipe 23 can be reduced.
Since a and 9b are opened, cool outside air flows in and the substrate 12 is cooled.

【0091】なお、以上の実施形態では、液晶やプラズ
マのディスプレイ用基板を例に説明したが、本発明は、
基板がガラスで構成されていれば、この基板に塗布され
た導電ペーストの焼成などにも適用可能であることはい
うまでもない。
In the above embodiments, a liquid crystal or plasma display substrate has been described as an example.
If the substrate is made of glass, it is needless to say that the present invention can be applied to firing of a conductive paste applied to the substrate.

【0092】[0092]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の表面に塗布したシール剤やペーストを均一に加熱
硬化することができて、しかも、基板の加熱中に容器外
から塵埃を含んだ冷たい外気が流入するを防止でき、
品質な基板を製造することができるし、また、装置の設
置面積も小さくすることができる。
As described above, according to the present invention,
The sealant or paste applied to the surface of the substrate can be uniformly heated and cured, and the outside of the container can be removed while the substrate is being heated.
Thus, it is possible to prevent cold external air containing dust from flowing into the apparatus, to manufacture a high-quality substrate, and to reduce the installation area of the apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による加熱炉の基本構成を示す外観正面
図である。
FIG. 1 is an external front view showing a basic configuration of a heating furnace according to the present invention.

【図2】図1の分断線A−Aに沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 1;

【図3】図1の分断線B−Bに沿う断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 1;

【図4】図2の分断線C−Cに沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along the section line CC of FIG. 2;

【図5】図1に示した加熱炉の動作説明図である。FIG. 5 is an operation explanatory view of the heating furnace shown in FIG. 1;

【図6】図1〜図5に示す加熱炉の変形例を示す縦断面
図である。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a modification of the heating furnace shown in FIGS.

【図7】本発明による加熱炉の一実施形態を示す縦断面
図である。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing one embodiment of the heating furnace according to the present invention.

【図8】従来の加熱炉の一例を示す縦断面図である。FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing an example of a conventional heating furnace.

【図9】図8の分断線E−Eに沿う断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along the line EE in FIG. 8;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 架台フレーム 2 炉体 3 制御部 4 ベ−ス板 5 支柱 6 枠組 8 隔壁 9 開口部 10 点検扉 11 昇降手段 12 基板 13 排気管 14 搬送ロボット 15 昇降ピン 16 ホットプレ−ト 17 支柱 18 放熱防止カバー 19 位置ずれ防止ピン 20 真空吸着孔 21 真空配管 22 加熱用ヒータ 23 給気管 24 縦駆動板 25 横枠 26 鏡 27 横枠 28 支持柱 29 遮蔽板 30 支持材 31 遮蔽板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Stand frame 2 Furnace 3 Control part 4 Base plate 5 Support 6 Frame 8 Partition wall 9 Opening 10 Inspection door 11 Elevating means 12 Substrate 13 Exhaust pipe 14 Transfer robot 15 Elevating pin 16 Hot plate 17 Support 18 Heat dissipation prevention cover DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Position shift prevention pin 20 Vacuum suction hole 21 Vacuum piping 22 Heating heater 23 Air supply pipe 24 Vertical drive plate 25 Horizontal frame 26 Mirror 27 Horizontal frame 28 Support column 29 Shielding plate 30 Supporting material 31 Shielding plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−97269(JP,A) 特開 昭50−101936(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03B 32/00 - 32/02 F27B 5/12 F27B 9/12 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-6-97269 (JP, A) JP-A-50-101936 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C03B 32/00-32/02 F27B 5/12 F27B 9/12

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 加熱板上に基板を搭載して加熱する加熱
炉において、 加熱板を貫通する複数の小孔と、 該小孔を貫通する複数の小径の棒形状で加熱板より上
方に突出可能に設けた基板の保持手段と、 該基板の保持手段を昇降させる昇降手段と、 加熱板より上方に突出する基板の保持手段の長さを
制御し、予熱,本加熱及び冷却の各温度に温度制御する
ように該昇降手段を制御する手段と、 加熱板と基板の保持手段を包含して外気と遮り、少
なくとも該加熱板に対向した内面が鏡面をなす容器とを
備え、 該容器の一面に基板を水平方向に移動して該容器内の該
基板の保持手段上に搭載する開口部を設け、 該昇降手段を該容器の外側に配置し、 該容器の他の一面に該昇降手段と該基板の保持手段とを
接続する駆動板が貫通する該昇降手段の昇降口を設け、 該容器の開口部と該昇降手段の昇降口とに夫々、該昇降
手段の昇降に応じて開閉する遮蔽板を設けた ことを特徴
とする加熱炉。
1. A heating furnace for heating equipped with a substrate on a heated plate, a plurality of small holes penetrating the heating plate, above the said heated plate at a plurality of small diameter rod shape through the said small holes a holding means of a substrate arranged projecting to a lifting means for raising and lowering the holding means of the substrate, controls the length of the holding means of the substrate projecting upwardly from said heating plate, preheating, main heating and cooling Temperature control for each temperature
As means for controlling the elevating means intercepts the outside air includes retaining means of the heating plate and the substrate, and a container inner surface facing at least the heating plate forms a mirror surface on one surface of the container An opening is provided for horizontally moving the substrate and mounted on the holding means of the substrate in the container , the elevating means is disposed outside the container , and the elevating means and the elevating means are provided on another surface of the container. Board holding means
An elevating port of the elevating means through which a driving plate to be connected penetrates is provided, and the elevating port of the container and the elevating port of the elevating means are respectively provided.
A heating furnace provided with a shielding plate that opens and closes in accordance with elevation of the means .
【請求項2】 請求項1において、 前記容器の前記内面は、鏡面研磨された面であることを
特徴とする加熱炉。
2. The heating furnace according to claim 1, wherein the inner surface of the container is a mirror-polished surface .
【請求項3】 請求項1または2において、 前記基板はガラス製であることを特徴とする加熱炉。3. The heating furnace according to claim 1, wherein the substrate is made of glass.
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