JP3274695B2 - 平面型トランス - Google Patents
平面型トランスInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてＴＶ放送周波
数等の高周波領域において、バラン、分配回路、分岐回
路等に用いられる平面型トランスに関するものである。
数等の高周波領域において、バラン、分配回路、分岐回
路等に用いられる平面型トランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＴＶ放送周波数等の高周波領
域において、伝送線路型トランス、バラン、分配トラン
ス、分岐トランスなど各種のトランスが用いられてい
る。
域において、伝送線路型トランス、バラン、分配トラン
ス、分岐トランスなど各種のトランスが用いられてい
る。
【０００３】伝送線路型トランスＴ１は、図１１に示す
ように、入力端子ＩＮから入力された信号を反転して出
力端子ＯＵＴから送出するものであって、図１２（ａ）
（ｂ）に示すように、ビーズ型、トロイダル型などと称
する円筒状のコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装し
て構成されている。
ように、入力端子ＩＮから入力された信号を反転して出
力端子ＯＵＴから送出するものであって、図１２（ａ）
（ｂ）に示すように、ビーズ型、トロイダル型などと称
する円筒状のコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装し
て構成されている。
【０００４】バランは、不平衡線路と平衡線路とを接続
する装置であって、たとえば、７５Ωの同軸ケーブルと
３００Ωの平衡型ケーブルとを接続するバランは、図１
３に示すように、巻比が１：１のトランスＴ２１，Ｔ２
２を２個用いて入出力間のインピーダンス比が１：４に
なるように構成される。このようなトランスＴ２１，Ｔ
２２は、図１４に示すように、一対の貫通孔１３を有す
るめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
する装置であって、たとえば、７５Ωの同軸ケーブルと
３００Ωの平衡型ケーブルとを接続するバランは、図１
３に示すように、巻比が１：１のトランスＴ２１，Ｔ２
２を２個用いて入出力間のインピーダンス比が１：４に
なるように構成される。このようなトランスＴ２１，Ｔ
２２は、図１４に示すように、一対の貫通孔１３を有す
るめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
【０００５】分配回路は、図１５に示すように、入力端
子ＩＮより入力された信号を分配トランスＴ３によって
等分に分配し、２つの出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から
それぞれ均等に出力を送出するものである。分配トラン
スＴ３は、図１６に示すように伝送線路トランスと同様
のビーズ型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
子ＩＮより入力された信号を分配トランスＴ３によって
等分に分配し、２つの出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から
それぞれ均等に出力を送出するものである。分配トラン
スＴ３は、図１６に示すように伝送線路トランスと同様
のビーズ型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
【０００６】分岐回路は、たとえば図１７に示すよう
に、巻線ｎ１，ｎ２および巻線ｎ３，ｎ４の巻比がそれ
ぞれ１：３になるように構成された分岐トランスＴ４を
用いて、入力端子ＩＮから入力された信号を出力端子Ｏ
ＵＴおよび分岐出力端子ＢＯＵＴより送出するように構
成される。分岐トランスＴ４は、図１８に示すようにバ
ランと同様のめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻
装して構成される。
に、巻線ｎ１，ｎ２および巻線ｎ３，ｎ４の巻比がそれ
ぞれ１：３になるように構成された分岐トランスＴ４を
用いて、入力端子ＩＮから入力された信号を出力端子Ｏ
ＵＴおよび分岐出力端子ＢＯＵＴより送出するように構
成される。分岐トランスＴ４は、図１８に示すようにバ
ランと同様のめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻
装して構成される。
【０００７】上述した各トランスは、いずれも貫通孔を
形成したコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装して構
成されているものであって、コア１１が筒状でありかさ
ばるものであるから、全体形状が比較的大きなものにな
るという問題が生じる。また、コア１１内に巻線１２を
挿通するから巻線１２を巻く作業を機械化するのが難し
いという問題があり、さらに、巻線１２のコア１１に対
する位置ずれが生じやすく特性にばらつきが多いという
問題がある。
形成したコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装して構
成されているものであって、コア１１が筒状でありかさ
ばるものであるから、全体形状が比較的大きなものにな
るという問題が生じる。また、コア１１内に巻線１２を
挿通するから巻線１２を巻く作業を機械化するのが難し
いという問題があり、さらに、巻線１２のコア１１に対
する位置ずれが生じやすく特性にばらつきが多いという
問題がある。
【０００８】このような問題を解決するために、図１９
に示すように、コアとして機能する３枚の磁性体層１
ａ，１ｂ，１ｃを積層し、中央の磁性体層１ｃの表裏両
面に積層した導電体層２ａ，２ｂにそれぞれコイルパタ
ーンを形成することが考えられている。両コイルパター
ンは磁気的に結合されるように配置されており、このコ
イルパターンが巻線として機能するのである。このよう
に形成された平面型トランスは、コイルパターンが磁性
体層１ｃに固定され、かつ磁性体層１ａ，１ｂ，１ｃが
積層されるから、コイルパターンと磁性体層１ａ，１
ｂ，１ｃとの位置ずれがなく、また、コイルパターンの
磁性体層１ｃに対する位置や寸法は印刷配線技術などに
よって精密に管理することが可能であるから、特性が安
定するという利点を有している。
に示すように、コアとして機能する３枚の磁性体層１
ａ，１ｂ，１ｃを積層し、中央の磁性体層１ｃの表裏両
面に積層した導電体層２ａ，２ｂにそれぞれコイルパタ
ーンを形成することが考えられている。両コイルパター
ンは磁気的に結合されるように配置されており、このコ
イルパターンが巻線として機能するのである。このよう
に形成された平面型トランスは、コイルパターンが磁性
体層１ｃに固定され、かつ磁性体層１ａ，１ｂ，１ｃが
積層されるから、コイルパターンと磁性体層１ａ，１
ｂ，１ｃとの位置ずれがなく、また、コイルパターンの
磁性体層１ｃに対する位置や寸法は印刷配線技術などに
よって精密に管理することが可能であるから、特性が安
定するという利点を有している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の平面型トランスでは、両コイルパターンの対向部位
の間に磁性体が存在するものであるから、各コイルパタ
ーンの周囲に生じる磁束の一部は相互に鎖交せずに両コ
イルパターンの対向部位の間で磁性体層１ｃの中を通る
ことになる。このような磁束が存在すると、結合係数が
小さくなり、伝送損失が大きくなるという問題が生じ
る。すなわち、図１９に示した構成の従来の平面型トラ
ンスでは、伝送損失が大きく実用に向かないという問題
がある。
成の平面型トランスでは、両コイルパターンの対向部位
の間に磁性体が存在するものであるから、各コイルパタ
ーンの周囲に生じる磁束の一部は相互に鎖交せずに両コ
イルパターンの対向部位の間で磁性体層１ｃの中を通る
ことになる。このような磁束が存在すると、結合係数が
小さくなり、伝送損失が大きくなるという問題が生じ
る。すなわち、図１９に示した構成の従来の平面型トラ
ンスでは、伝送損失が大きく実用に向かないという問題
がある。
【００１０】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、小型かつ製造が容易であって、特性が安定し
ているのはもちろんのこと、結合係数を大きくとること
ができて伝送損失の少ない平面型トランスを提供しよう
とするものである。
のであり、小型かつ製造が容易であって、特性が安定し
ているのはもちろんのこと、結合係数を大きくとること
ができて伝送損失の少ない平面型トランスを提供しよう
とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、一つの平面内にコイルパターン
を形成した第１の導電体層と、他の一つの平面内に他の
コイルパターンを形成した第２の導電体層とを両コイル
パターンが対向して磁気的に結合するように配置した平
面型トランスにおいて、基板の上に積層した磁性体ペー
ストにより形成された第１の磁性体層と、第１の磁性体
層の上に積層した非磁性体の絶縁材料により形成された
絶縁層と、絶縁層の上に積層した磁性体ペーストにより
形成された第２の磁性体層とを備え、第１の導電体層は
第１の磁性体層の上に積層されるとともに絶縁層に埋設
され、第２の導電体層は絶縁層の上に積層されるととも
に第２の磁性体層に埋設され、第１の導電体層および第
２の導電体層におけるコイルパターンの対向部位の間に
は磁性体を設けていないことを特徴とする。
目的を達成するために、一つの平面内にコイルパターン
を形成した第１の導電体層と、他の一つの平面内に他の
コイルパターンを形成した第２の導電体層とを両コイル
パターンが対向して磁気的に結合するように配置した平
面型トランスにおいて、基板の上に積層した磁性体ペー
ストにより形成された第１の磁性体層と、第１の磁性体
層の上に積層した非磁性体の絶縁材料により形成された
絶縁層と、絶縁層の上に積層した磁性体ペーストにより
形成された第２の磁性体層とを備え、第１の導電体層は
第１の磁性体層の上に積層されるとともに絶縁層に埋設
され、第２の導電体層は絶縁層の上に積層されるととも
に第２の磁性体層に埋設され、第１の導電体層および第
２の導電体層におけるコイルパターンの対向部位の間に
は磁性体を設けていないことを特徴とする。
【００１２】請求項２の発明は、一つの平面内にコイル
パターンを形成した第１の導電体層と、他の一つの平面
内に他のコイルパターンを形成した第２の導電体層とを
両コイルパターンが対向して磁気的に結合するように配
置した平面型トランスにおいて、第１の導電体層のコイ
ルパターンが一面に被着された板状の第１の磁性体層
と、第２の導電体層のコイルパターンが一面に被着され
た板状の第２の磁性体層と、第１の導電体層と第２の導
電体層との間に介装された非磁性体の絶縁材料よりなる
絶縁層とを備え、第１の導電体層および第２の導電体層
におけるコイルパターンの対向部位の間には磁性体を設
けていないことを特徴とする。
パターンを形成した第１の導電体層と、他の一つの平面
内に他のコイルパターンを形成した第２の導電体層とを
両コイルパターンが対向して磁気的に結合するように配
置した平面型トランスにおいて、第１の導電体層のコイ
ルパターンが一面に被着された板状の第１の磁性体層
と、第２の導電体層のコイルパターンが一面に被着され
た板状の第２の磁性体層と、第１の導電体層と第２の導
電体層との間に介装された非磁性体の絶縁材料よりなる
絶縁層とを備え、第１の導電体層および第２の導電体層
におけるコイルパターンの対向部位の間には磁性体を設
けていないことを特徴とする。
【００１３】請求項３の発明は、一つの平面内にコイル
パターンを形成した第１の導電体層と、他の一つの平面
内に他のコイルパターンを形成した第２の導電体層とを
両コ イルパターンが対向して磁気的に結合するように配
置した平面型トランスにおいて、第１の導電体層のコイ
ルパターンが一面に被着された板状の第１の磁性体層
と、第１の磁性体層において第１の導電体層が形成され
た上記一面に第１の導電体層を埋設する形で積層した非
磁性体の絶縁材料により形成された絶縁層と、絶縁層の
上に積層された第２の導電体層を絶縁層との間に挟む第
２の磁性体層とを備え、第１の導電体層および第２の導
電体層のコイルパターンの対向部位の間には磁性体を設
けていないことを特徴とする。
パターンを形成した第１の導電体層と、他の一つの平面
内に他のコイルパターンを形成した第２の導電体層とを
両コ イルパターンが対向して磁気的に結合するように配
置した平面型トランスにおいて、第１の導電体層のコイ
ルパターンが一面に被着された板状の第１の磁性体層
と、第１の磁性体層において第１の導電体層が形成され
た上記一面に第１の導電体層を埋設する形で積層した非
磁性体の絶縁材料により形成された絶縁層と、絶縁層の
上に積層された第２の導電体層を絶縁層との間に挟む第
２の磁性体層とを備え、第１の導電体層および第２の導
電体層のコイルパターンの対向部位の間には磁性体を設
けていないことを特徴とする。
【００１４】請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３の発明において、第１の磁性体層と第２の磁性体層と
の少なくとも一方に形成した貫通孔を通して、第１の導
電体層および第２の導電体層のコイルパターンの端末を
外部線路に接続可能とするように引き出している。
３の発明において、第１の磁性体層と第２の磁性体層と
の少なくとも一方に形成した貫通孔を通して、第１の導
電体層および第２の導電体層のコイルパターンの端末を
外部線路に接続可能とするように引き出している。
【００１５】請求項５の発明は、請求項１ないし請求項
４の発明において、第１の導電体層および第２に導電体
層のコイルパターンの対向部位を除く少なくとも一部の
絶縁層は磁性体により形成されている。
４の発明において、第１の導電体層および第２に導電体
層のコイルパターンの対向部位を除く少なくとも一部の
絶縁層は磁性体により形成されている。
【００１６】請求項６の発明は、一つの平面内にコイル
パターンを形成した第１の導電体層と、他の一つの平面
内に他のコイルパターンを形成した第２の導電体層とを
両コイルパターンが対向して磁気的に結合するように配
置した平面型トランスにおいて、第１の導電体層および
第２の導電体層のコイルパターンの対向部位の間を空隙
として磁性体を設けていないことを特徴とする。
パターンを形成した第１の導電体層と、他の一つの平面
内に他のコイルパターンを形成した第２の導電体層とを
両コイルパターンが対向して磁気的に結合するように配
置した平面型トランスにおいて、第１の導電体層および
第２の導電体層のコイルパターンの対向部位の間を空隙
として磁性体を設けていないことを特徴とする。
【００１７】請求項７の発明は、請求項６の発明におい
て、第１の導電体層のコイルパターンが一面に被着され
た板状の第１の磁性体層と、第２の導電体層のコイルパ
ターンが一面に被着された板状の第２の磁性体層とを、
第１の導電体層および第２の導電体層のコイルパターン
の対向部位とは異なる部位に設けたスペーサを介して対
向させ、第１の磁性体層と第２の磁性体層とは絶縁性を
有する磁性体材料により形成されている。
て、第１の導電体層のコイルパターンが一面に被着され
た板状の第１の磁性体層と、第２の導電体層のコイルパ
ターンが一面に被着された板状の第２の磁性体層とを、
第１の導電体層および第２の導電体層のコイルパターン
の対向部位とは異なる部位に設けたスペーサを介して対
向させ、第１の磁性体層と第２の磁性体層とは絶縁性を
有する磁性体材料により形成されている。
【００１８】請求項８の発明は、請求項６の発明におい
て、表裏の一面に絶縁材料よりなる第１の絶縁層を介し
て第１の導電体層を積層し他面に絶縁材料よりなる第１
の基板を積層した第１の磁性体層と、表裏の一面に絶縁
材料よりなる第２の絶縁層を介して第２の導電体層を積
層し他面に絶縁材料よりなる第２の基板を積層した第２
の磁性体層とを、第１の導電体層および第２の導電体層
のコイルパターンの対向部位とは異なる部位に設けたス
ペーサを介して対向させている。
て、表裏の一面に絶縁材料よりなる第１の絶縁層を介し
て第１の導電体層を積層し他面に絶縁材料よりなる第１
の基板を積層した第１の磁性体層と、表裏の一面に絶縁
材料よりなる第２の絶縁層を介して第２の導電体層を積
層し他面に絶縁材料よりなる第２の基板を積層した第２
の磁性体層とを、第１の導電体層および第２の導電体層
のコイルパターンの対向部位とは異なる部位に設けたス
ペーサを介して対向させている。
【００１９】請求項９の発明では、請求項７または請求
項８の発明において、スペーサを磁性体としているので
ある。
項８の発明において、スペーサを磁性体としているので
ある。
【００２０】
【作用】上述した各請求項に係る発明に共通する構成と
して、第１の導電体層と第２の導電体層とを磁性体層の
間に配置するとともに、第１の導電体層と第２の導電体
層とのコイルパターンの対向部位の間には磁性体を設け
ていないので、平面型トランスとしては従来構成と同様
に、コイルパターンを印刷配線技術などによって精密に
形成することができて、高周波帯域での特性のばらつき
を少なくすることができるのはもちろんのこと、両コイ
ルパターンの対向部位の間を通る磁束が少なくなり、結
合係数が大きくなって伝送損失を低減できるのである。
しかも、両コイルパターンの対向部位の間には磁性体が
存在しないから、磁性体の内部でのコア損が少なく、こ
のことによっても伝送損失を低減できるのである。
して、第１の導電体層と第２の導電体層とを磁性体層の
間に配置するとともに、第１の導電体層と第２の導電体
層とのコイルパターンの対向部位の間には磁性体を設け
ていないので、平面型トランスとしては従来構成と同様
に、コイルパターンを印刷配線技術などによって精密に
形成することができて、高周波帯域での特性のばらつき
を少なくすることができるのはもちろんのこと、両コイ
ルパターンの対向部位の間を通る磁束が少なくなり、結
合係数が大きくなって伝送損失を低減できるのである。
しかも、両コイルパターンの対向部位の間には磁性体が
存在しないから、磁性体の内部でのコア損が少なく、こ
のことによっても伝送損失を低減できるのである。
【００２１】請求項１の構成によれば、磁性体層が磁性
体ペーストによって形成されているから、製造が容易に
なる。ここに、第１の導電体層を第１の磁性体層の上に
積層した形で絶縁層に埋設し、第２の導電体層を絶縁層
の上に積層した形で第２の磁性体層に埋設した構成を採
用したことにより、第１および第２の導電体層はそれぞ
れ第１および第２の磁性体層に隙間なく密着することと
なって自己インダクタンスが大きくターン数を少なくす
ることができるから、結果的に浮遊容量が少なく高周波
用に適したトランスを提供することが可能であり、かつ
トランスの小型化につながる。
体ペーストによって形成されているから、製造が容易に
なる。ここに、第１の導電体層を第１の磁性体層の上に
積層した形で絶縁層に埋設し、第２の導電体層を絶縁層
の上に積層した形で第２の磁性体層に埋設した構成を採
用したことにより、第１および第２の導電体層はそれぞ
れ第１および第２の磁性体層に隙間なく密着することと
なって自己インダクタンスが大きくターン数を少なくす
ることができるから、結果的に浮遊容量が少なく高周波
用に適したトランスを提供することが可能であり、かつ
トランスの小型化につながる。
【００２２】請求項２の構成によれば、第１および第２
の第２の導電体層のコイルパターンがそれぞれ板状の第
１および第２の磁性体層の一面に被着されているので、
積層作業が容易になる。しかも、絶縁層としてシート状
の絶縁材料などを用いることができ、絶縁層の厚み寸法
の管理が容易になって、特性を一層安定化することがで
きる。
の第２の導電体層のコイルパターンがそれぞれ板状の第
１および第２の磁性体層の一面に被着されているので、
積層作業が容易になる。しかも、絶縁層としてシート状
の絶縁材料などを用いることができ、絶縁層の厚み寸法
の管理が容易になって、特性を一層安定化することがで
きる。
【００２３】請求項３の構成によれば、第１の導電体層
のコイルパターンが板状の第１の磁性体層の一面に被着
され、第１の導電体層が第１の磁性体層に積層するよう
に形成された絶縁層に埋設され、絶縁層の上に積層され
た第２の導電体層を第２の磁性体層が絶縁層との間に挟
むから、両導電体層の位置関係を精密に管理する場合に
有利である。
のコイルパターンが板状の第１の磁性体層の一面に被着
され、第１の導電体層が第１の磁性体層に積層するよう
に形成された絶縁層に埋設され、絶縁層の上に積層され
た第２の導電体層を第２の磁性体層が絶縁層との間に挟
むから、両導電体層の位置関係を精密に管理する場合に
有利である。
【００２４】請求項４の構成によれば、コイルパターン
を跨ぐ線路を用いることなく各コイルパターンの端末を
外部線路に接続することができる。
を跨ぐ線路を用いることなく各コイルパターンの端末を
外部線路に接続することができる。
【００２５】請求項５の構成によれば、第１の導電体層
および第２に導電体層のコイルパターンの対向部位を除
く少なくとも一部の絶縁層を磁性体により形成している
ので、第１の磁性体層と第２の磁性体層との間に磁性体
による磁路が形成されることになり磁気効率が高くなっ
て、伝送損失を一層低減できる。
および第２に導電体層のコイルパターンの対向部位を除
く少なくとも一部の絶縁層を磁性体により形成している
ので、第１の磁性体層と第２の磁性体層との間に磁性体
による磁路が形成されることになり磁気効率が高くなっ
て、伝送損失を一層低減できる。
【００２６】請求項６の構成によれば、両導電体層のコ
イルパターンの対向部位の間を空隙としているので、両
コイルパターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイ
ルパターンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較
して浮遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短
絡状態を防止できるのである。
イルパターンの対向部位の間を空隙としているので、両
コイルパターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイ
ルパターンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較
して浮遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短
絡状態を防止できるのである。
【００２７】請求項７、８の構成によれば、両導電体層
のコイルパターンの対向部位の間を除く部位にスペーサ
を配設しているので、両導電体層の間に空隙を形成する
支持 材を設けたことにより浮遊容量を低減できる効果が
得られる。
のコイルパターンの対向部位の間を除く部位にスペーサ
を配設しているので、両導電体層の間に空隙を形成する
支持 材を設けたことにより浮遊容量を低減できる効果が
得られる。
【００２８】請求項９の構成によれば、両導電体層のコ
イルパターンの対向部位の間を除く部位に磁性体のスペ
ーサを配設しているので、コイルパターンの周囲に形成
される磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくなり、伝送損
失を低減できるのである。また、このスペーサは、両導
電体層の間に空隙を形成する支持材として兼用されてい
るから、少数の部品で磁気効率を高める効果と、浮遊容
量を低減できる効果とが得られるのである。
イルパターンの対向部位の間を除く部位に磁性体のスペ
ーサを配設しているので、コイルパターンの周囲に形成
される磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくなり、伝送損
失を低減できるのである。また、このスペーサは、両導
電体層の間に空隙を形成する支持材として兼用されてい
るから、少数の部品で磁気効率を高める効果と、浮遊容
量を低減できる効果とが得られるのである。
【００２９】
【実施例】（実施例１） 図１に示すように、ガラス基板である基板４の表面に磁
性体ペーストを塗布することにより第１の磁性体層１ａ
が形成される。第１の磁性体層１ａの上には、コイルパ
ターンを形成した第１の導電体層２ａが積層される。ま
た、第１の磁性体層１ａの上には、絶縁材料よりなる絶
縁層３が積層され、絶縁層３の中に第１の導電体層２ａ
が埋設されることになる。絶縁層３の上には、コイルパ
ターンを形成した第２の導電体層２ｂが積層される。さ
らに、絶縁層３の上には磁性体ペーストを塗布すること
によって第２の磁性体層１ｂが積層され、第２の磁性体
層１ｂの中に第２の導電体層２ｂが埋設されることにな
る。第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂに形
成するコイルパターンの形状としてはリング状、渦巻き
状、蛇行状など各種形状が考えられるが、ここでは渦巻
き状を採用しているものとする。この場合、第１の導電
体層２ａおよび第２の導電体層２ｂに形成された各コイ
ルパターンの一端は、第１の磁性体層１ａまたは第２の
磁性体層１ｂと絶縁層３との間から基板４の上に引き出
され、コイルパーンの他端は、渦巻きの中心部付近で第
２の磁性体層１ｂおよび絶縁層３に貫通孔（図示せず）
を形成することによって、スルーホールメッキ法やワイ
ヤボンディング法を用いて外部に引き出される。
性体ペーストを塗布することにより第１の磁性体層１ａ
が形成される。第１の磁性体層１ａの上には、コイルパ
ターンを形成した第１の導電体層２ａが積層される。ま
た、第１の磁性体層１ａの上には、絶縁材料よりなる絶
縁層３が積層され、絶縁層３の中に第１の導電体層２ａ
が埋設されることになる。絶縁層３の上には、コイルパ
ターンを形成した第２の導電体層２ｂが積層される。さ
らに、絶縁層３の上には磁性体ペーストを塗布すること
によって第２の磁性体層１ｂが積層され、第２の磁性体
層１ｂの中に第２の導電体層２ｂが埋設されることにな
る。第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂに形
成するコイルパターンの形状としてはリング状、渦巻き
状、蛇行状など各種形状が考えられるが、ここでは渦巻
き状を採用しているものとする。この場合、第１の導電
体層２ａおよび第２の導電体層２ｂに形成された各コイ
ルパターンの一端は、第１の磁性体層１ａまたは第２の
磁性体層１ｂと絶縁層３との間から基板４の上に引き出
され、コイルパーンの他端は、渦巻きの中心部付近で第
２の磁性体層１ｂおよび絶縁層３に貫通孔（図示せず）
を形成することによって、スルーホールメッキ法やワイ
ヤボンディング法を用いて外部に引き出される。
【００３０】磁性体ペーストとしては、たとえば、絶縁
性を有するフェライトペーストを採用することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第１の導電体層２ａ、第２の
磁性体層１ｂと第２の導電体層２ｂがそれぞれ直接に接
触していても、コイルパターン内での短絡が生じないよ
うにしてある。絶縁層３は、たとえば、ポリイミドなど
の高分子コーティング材料を塗布したり、ＳｉＯ2 等を
蒸着したりすることによって形成される。
性を有するフェライトペーストを採用することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第１の導電体層２ａ、第２の
磁性体層１ｂと第２の導電体層２ｂがそれぞれ直接に接
触していても、コイルパターン内での短絡が生じないよ
うにしてある。絶縁層３は、たとえば、ポリイミドなど
の高分子コーティング材料を塗布したり、ＳｉＯ2 等を
蒸着したりすることによって形成される。
【００３１】以上の構成によれば、第１の導電体層２ａ
は第１の磁性体層１ａに近接し、また、第２の導電体層
２ｂは第２の磁性体層１ｂに近接しているから、図２に
示すように、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層
２ｂの周囲に生じる磁束φの磁束密度は、第１の磁性体
層１ａおよび第２の磁性体層１ｂの中では高くなる。ま
た、第１の導電体層２ａのコイルパターンと第２の導電
体層２ｂのコイルパターンとの対向部位の間には磁性体
が介在しないから、上記磁束φの大部分は、第１の導電
体層２ａのコイルパターンと第２の導電体層２ｂのコイ
ルパターンとの対向部位の間を通ることなく他方の磁性
体層１ａ，１ｂに到達する。その結果、両コイルパター
ンに鎖交しない磁束φ1 はほとんど生じないのであり、
結合係数が大きくなるのであって、伝送損失を従来より
も低減することができるのである。とくに、自己インダ
クタンスが大きい場合には、上記磁束φのうちで両コイ
ルパターンを通らない磁束φ1 が磁性体層１ａ，１ｂの
複素透磁率の損失項（コア損）によって伝送損失を増大
させることになるが、従来構成に比較すればこのような
磁束φ1 が少ないとともに、磁性体層１ａ，１ｂの中を
通る長さが半分以下になっているから、コア損の影響が
少なくなって伝送損失を低減できるのである。
は第１の磁性体層１ａに近接し、また、第２の導電体層
２ｂは第２の磁性体層１ｂに近接しているから、図２に
示すように、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層
２ｂの周囲に生じる磁束φの磁束密度は、第１の磁性体
層１ａおよび第２の磁性体層１ｂの中では高くなる。ま
た、第１の導電体層２ａのコイルパターンと第２の導電
体層２ｂのコイルパターンとの対向部位の間には磁性体
が介在しないから、上記磁束φの大部分は、第１の導電
体層２ａのコイルパターンと第２の導電体層２ｂのコイ
ルパターンとの対向部位の間を通ることなく他方の磁性
体層１ａ，１ｂに到達する。その結果、両コイルパター
ンに鎖交しない磁束φ1 はほとんど生じないのであり、
結合係数が大きくなるのであって、伝送損失を従来より
も低減することができるのである。とくに、自己インダ
クタンスが大きい場合には、上記磁束φのうちで両コイ
ルパターンを通らない磁束φ1 が磁性体層１ａ，１ｂの
複素透磁率の損失項（コア損）によって伝送損失を増大
させることになるが、従来構成に比較すればこのような
磁束φ1 が少ないとともに、磁性体層１ａ，１ｂの中を
通る長さが半分以下になっているから、コア損の影響が
少なくなって伝送損失を低減できるのである。
【００３２】このような構造の平面型トランスは、伝送
線路トランス、フロートバラン、インピーダンス変換バ
ラン、分岐トランス、分配トランス、パルストランス等
として用いることができる。
線路トランス、フロートバラン、インピーダンス変換バ
ラン、分岐トランス、分配トランス、パルストランス等
として用いることができる。
【００３３】（実施例２） 上記実施例では、第１の磁性体層１ａと第２の磁性体層
１ｂとが絶縁材料よりなる絶縁層３を介して完全に分離
されていたが、本実施例では、図３に示すように、絶縁
層３の一部を磁性体によって形成しているものである。
すなわち、絶縁層３のうちで第１の導電体層２ａと第２
の導電体層２ｂとのコイルパターンの対向部位の間を除
く部位を磁性体によって形成しているのである。
１ｂとが絶縁材料よりなる絶縁層３を介して完全に分離
されていたが、本実施例では、図３に示すように、絶縁
層３の一部を磁性体によって形成しているものである。
すなわち、絶縁層３のうちで第１の導電体層２ａと第２
の導電体層２ｂとのコイルパターンの対向部位の間を除
く部位を磁性体によって形成しているのである。
【００３４】絶縁層３をこのような形状に形成するに
は、実施例１と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成
した後に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ
所要箇所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした
後に、磁性体ペーストを塗布して第２の磁性体層１ｂと
同時に絶縁層３の一部を磁性体とすればよい。このよう
に絶縁層３の一部を磁性体によって形成することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶
縁層３に入り込んだ磁性体を介して磁気的に結合される
ことになる。その結果、第１の導電体層２ａおよび第２
の導電体層２ｂのコイルパターンの周囲に形成される磁
束に対して、閉磁路に近い磁路が形成されることにな
り、インダクタンスが増大するのである。他の構成は実
施例１と同様である。
は、実施例１と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成
した後に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ
所要箇所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした
後に、磁性体ペーストを塗布して第２の磁性体層１ｂと
同時に絶縁層３の一部を磁性体とすればよい。このよう
に絶縁層３の一部を磁性体によって形成することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶
縁層３に入り込んだ磁性体を介して磁気的に結合される
ことになる。その結果、第１の導電体層２ａおよび第２
の導電体層２ｂのコイルパターンの周囲に形成される磁
束に対して、閉磁路に近い磁路が形成されることにな
り、インダクタンスが増大するのである。他の構成は実
施例１と同様である。
【００３５】（実施例３） 上記各実施例では、第１の磁性体層１ａおよび第２の磁
性体層１ｂをそれぞれ磁性体ペーストによって形成して
いたが、本実施例では、図４に示すように、各磁性体層
１ａ，１ｂをそれぞれ絶縁性を有する磁性体材料の板材
によって形成し、また、絶縁層３をシート状の絶縁材料
によって形成する。
性体層１ｂをそれぞれ磁性体ペーストによって形成して
いたが、本実施例では、図４に示すように、各磁性体層
１ａ，１ｂをそれぞれ絶縁性を有する磁性体材料の板材
によって形成し、また、絶縁層３をシート状の絶縁材料
によって形成する。
【００３６】すなわち、板状である各磁性体層１ａ，１
ｂの一面にコイルパターンを形成した導電体層２ａ，２
ｂがそれぞれ被着されているのであって、両導電体層２
ａ，２ｂが絶縁層３を介して対向するようにして、両磁
性体層１ａ，１ｂを対向させているのである。各導電体
層２ａ，２ｂのコイルパターンは、実施例１と同様に印
刷やエッチングによって形成すればよい。各磁性体層１
ａ，１ｂとしては、フェライトの薄板やグリーンシート
が用いられる。各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターン
の一端は、磁性体層１ａ，１ｂに貫通孔（図示せず）を
形成し、スルーホールメッキ法によって外部に引き出さ
れる。また、コイルパターンの他端は、磁性体層１ａ，
１ｂの側部に設けた端子に接続される。この構成では、
各磁性体層１ａ，１ｂ、絶縁層３の厚み寸法を管理しや
すく、とくに安定した特性が得られるものである。他の
構成は実施例１と同様である。
ｂの一面にコイルパターンを形成した導電体層２ａ，２
ｂがそれぞれ被着されているのであって、両導電体層２
ａ，２ｂが絶縁層３を介して対向するようにして、両磁
性体層１ａ，１ｂを対向させているのである。各導電体
層２ａ，２ｂのコイルパターンは、実施例１と同様に印
刷やエッチングによって形成すればよい。各磁性体層１
ａ，１ｂとしては、フェライトの薄板やグリーンシート
が用いられる。各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターン
の一端は、磁性体層１ａ，１ｂに貫通孔（図示せず）を
形成し、スルーホールメッキ法によって外部に引き出さ
れる。また、コイルパターンの他端は、磁性体層１ａ，
１ｂの側部に設けた端子に接続される。この構成では、
各磁性体層１ａ，１ｂ、絶縁層３の厚み寸法を管理しや
すく、とくに安定した特性が得られるものである。他の
構成は実施例１と同様である。
【００３７】（実施例４） 本実施例では、図５に示すように、コイルパターンを形
成した導電体層２ａ，２ｂを被着した板状の磁性体層１
ａ，１ｂを用いて形成されるものであって、第１の磁性
体層１ａの上に第１の導電体層２ａを埋設する形で絶縁
層３を形成した後に、第２の磁性体層１ｂを絶縁層３の
上に積層して形成される。絶縁層３は、ポリイミドなど
の高分子コーティング材を塗布したり、ＳｉＯ2 を蒸着
したりすることによって形成される。他の構成は実施例
３と同様である。
成した導電体層２ａ，２ｂを被着した板状の磁性体層１
ａ，１ｂを用いて形成されるものであって、第１の磁性
体層１ａの上に第１の導電体層２ａを埋設する形で絶縁
層３を形成した後に、第２の磁性体層１ｂを絶縁層３の
上に積層して形成される。絶縁層３は、ポリイミドなど
の高分子コーティング材を塗布したり、ＳｉＯ2 を蒸着
したりすることによって形成される。他の構成は実施例
３と同様である。
【００３８】（実施例５） 本実施例では、図６に示すように、コイルパターンを有
する第１の導電体層２ａが一面に被着された板状の第１
の磁性体層１ａに、第１の導電体層２ａを埋設する形で
絶縁層３を積層し、この絶縁層３の上に第２の導電体層
２ｂを積層しているのであって、第２の導電体層２ｂを
絶縁層３との間に挟むように、板状の第２の磁性体層１
ｂが積層される。他の構成は実施例１と同様である。
する第１の導電体層２ａが一面に被着された板状の第１
の磁性体層１ａに、第１の導電体層２ａを埋設する形で
絶縁層３を積層し、この絶縁層３の上に第２の導電体層
２ｂを積層しているのであって、第２の導電体層２ｂを
絶縁層３との間に挟むように、板状の第２の磁性体層１
ｂが積層される。他の構成は実施例１と同様である。
【００３９】（実施例６） 本実施例では、図７に示すように、実施例５の構成に対
して、両導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの対向部
位の間を除く部位の絶縁層３を磁性体ペーストよりなる
磁性体部３′として形成したものである。
して、両導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの対向部
位の間を除く部位の絶縁層３を磁性体ペーストよりなる
磁性体部３′として形成したものである。
【００４０】絶縁層３をこのような形状に形成するに
は、実施例５と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成
した後に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ
所要箇所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした
後に、絶縁材料を設けていない部位に磁性体部３′を形
成すればよい。磁性体部３′を形成する方法としては、
磁性体材料をスパッタリングによって蒸着した後にエッ
チングを施して所要形状の磁性体部３′を形成したり、
所要形状のマスキングを施した状態でスパッタリングに
よって磁性体材料を被着すればよい。このように絶縁層
３の一部を磁性体によって形成することによって、第１
の磁性体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶縁層３の
磁性体を介して磁気的に結合されることになる。その結
果、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂのコ
イルパターンの周囲に形成される磁束に対して、閉磁路
に近い磁路が形成されることになり、インダクタンスが
増大するのである。他の構成は実施例５と同様である。
は、実施例５と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成
した後に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ
所要箇所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした
後に、絶縁材料を設けていない部位に磁性体部３′を形
成すればよい。磁性体部３′を形成する方法としては、
磁性体材料をスパッタリングによって蒸着した後にエッ
チングを施して所要形状の磁性体部３′を形成したり、
所要形状のマスキングを施した状態でスパッタリングに
よって磁性体材料を被着すればよい。このように絶縁層
３の一部を磁性体によって形成することによって、第１
の磁性体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶縁層３の
磁性体を介して磁気的に結合されることになる。その結
果、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂのコ
イルパターンの周囲に形成される磁束に対して、閉磁路
に近い磁路が形成されることになり、インダクタンスが
増大するのである。他の構成は実施例５と同様である。
【００４１】（実施例７） 本実施例は、図８に示すように、導電体層２ａ，２ｂを
空隙を挟んで配置したものである。各導電体層２ａ，２
ｂは、それぞれ絶縁性を有する磁性体材料よりなる磁性
体層１ａ，１ｂに積層されている。各磁性体層１ａ，１
ｂは厚み寸法が比較的大きく十分な強度を有している。
両磁性体層１ａ，１ｂの間で、両導電体層２ａ，２ｂの
コイルパターンの対向部位の間を除く部位であって渦巻
きの内側と外側とには、それぞれ磁性体により形成され
たスペーサ５ａ，５ｂが配設される。ここにおいて、コ
イルパターンは図９のように渦巻き状に形成され、渦巻
きの中心部には上述した構成の積層体の厚み方向に貫通
する貫通孔６が形成されている。渦巻きの内側に配置さ
れる第１のスペーサ５ａは略コ形に形成され、第１のス
ペーサ５ａの開口部分を通して第１の導電体層２ａおよ
び第２の導電体層２ｂの一端部が貫通孔６に臨み、貫通
孔６を通して外部線路に接続可能となっている。渦巻き
の外側に配置される第２のスペーサ５ｂは一部を切欠し
た矩形状に形成され、この切欠部分を通して第１の導電
体層２ａおよび第２の導電体層２ｂの他端部が、積層体
の側部に引き出されて外部線路に接続可能となる。
空隙を挟んで配置したものである。各導電体層２ａ，２
ｂは、それぞれ絶縁性を有する磁性体材料よりなる磁性
体層１ａ，１ｂに積層されている。各磁性体層１ａ，１
ｂは厚み寸法が比較的大きく十分な強度を有している。
両磁性体層１ａ，１ｂの間で、両導電体層２ａ，２ｂの
コイルパターンの対向部位の間を除く部位であって渦巻
きの内側と外側とには、それぞれ磁性体により形成され
たスペーサ５ａ，５ｂが配設される。ここにおいて、コ
イルパターンは図９のように渦巻き状に形成され、渦巻
きの中心部には上述した構成の積層体の厚み方向に貫通
する貫通孔６が形成されている。渦巻きの内側に配置さ
れる第１のスペーサ５ａは略コ形に形成され、第１のス
ペーサ５ａの開口部分を通して第１の導電体層２ａおよ
び第２の導電体層２ｂの一端部が貫通孔６に臨み、貫通
孔６を通して外部線路に接続可能となっている。渦巻き
の外側に配置される第２のスペーサ５ｂは一部を切欠し
た矩形状に形成され、この切欠部分を通して第１の導電
体層２ａおよび第２の導電体層２ｂの他端部が、積層体
の側部に引き出されて外部線路に接続可能となる。
【００４２】上述のように、第１の導電体層２ａと第２
の導電体層２ｂとの対向部位の間を空隙とすることによ
って、この部分の比誘電率をほぼ１にすることができ、
第１の導電体層２ａと第２の導電体層２ｂとの間に存在
する浮遊容量を、比誘電率が１よりも大きい絶縁材料で
満たされている場合よりも小さくすることができる。ま
た、スペーサ５ａ，５ｂを磁性体によって形成している
ので、両磁性体層１ａ，１ｂの間の磁気抵抗が小さくな
り、各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの周囲に形
成される磁束が閉磁路に近い経路を通ることになる。そ
の結果、結合係数を大きくすることができ、伝送損失を
低減できるのである。ここに、磁性体層１ａ，１ｂ、ス
ペーサ５ａ，５ｂには、たとえばフェライトを用いるこ
とができるが、絶縁性を有する磁性体材料であれば他の
磁性体材料を用いてもよい。また、コイルパターンにつ
いても渦巻き状に限定されるものではない。
の導電体層２ｂとの対向部位の間を空隙とすることによ
って、この部分の比誘電率をほぼ１にすることができ、
第１の導電体層２ａと第２の導電体層２ｂとの間に存在
する浮遊容量を、比誘電率が１よりも大きい絶縁材料で
満たされている場合よりも小さくすることができる。ま
た、スペーサ５ａ，５ｂを磁性体によって形成している
ので、両磁性体層１ａ，１ｂの間の磁気抵抗が小さくな
り、各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの周囲に形
成される磁束が閉磁路に近い経路を通ることになる。そ
の結果、結合係数を大きくすることができ、伝送損失を
低減できるのである。ここに、磁性体層１ａ，１ｂ、ス
ペーサ５ａ，５ｂには、たとえばフェライトを用いるこ
とができるが、絶縁性を有する磁性体材料であれば他の
磁性体材料を用いてもよい。また、コイルパターンにつ
いても渦巻き状に限定されるものではない。
【００４３】（実施例８） 本実施例は、図１０に示すように、実施例７の構成に対
して、各磁性体層１ａ，１ｂと各導電体層２ａ，２ｂと
の間にそれぞれ絶縁材料よりなる絶縁層３ａ，３ｂを介
装し、また、各磁性体層１ａ，１ｂは絶縁材料よりなる
基板４ａ，４ｂによってそれぞれ裏打ちした点が相違し
ている。このような構成を採用することによって、磁性
体層１ａ，１ｂを形成する磁性体材料として絶縁性のな
い磁性体材料でも用いることができ、また、基板４ａ，
４ｂによって強度を確保することができる。したがっ
て、磁性体層１ａ，１ｂとしてパーマロイの薄板などを
用いることができ、スペーサ５ａ，５ｂにもパーマロイ
などを用いることができる。一方、絶縁層３ａ，３ｂや
基板４ａ，４ｂにはガラスなどを用いることができる。
ここに、磁性体層１ａ，１ｂ、スペーサ５ａ，５ｂに
は、パーマロイ以外の磁性体材料を用いることができる
のはいうまでもない。他の構成は実施例７と同様であ
る。
して、各磁性体層１ａ，１ｂと各導電体層２ａ，２ｂと
の間にそれぞれ絶縁材料よりなる絶縁層３ａ，３ｂを介
装し、また、各磁性体層１ａ，１ｂは絶縁材料よりなる
基板４ａ，４ｂによってそれぞれ裏打ちした点が相違し
ている。このような構成を採用することによって、磁性
体層１ａ，１ｂを形成する磁性体材料として絶縁性のな
い磁性体材料でも用いることができ、また、基板４ａ，
４ｂによって強度を確保することができる。したがっ
て、磁性体層１ａ，１ｂとしてパーマロイの薄板などを
用いることができ、スペーサ５ａ，５ｂにもパーマロイ
などを用いることができる。一方、絶縁層３ａ，３ｂや
基板４ａ，４ｂにはガラスなどを用いることができる。
ここに、磁性体層１ａ，１ｂ、スペーサ５ａ，５ｂに
は、パーマロイ以外の磁性体材料を用いることができる
のはいうまでもない。他の構成は実施例７と同様であ
る。
【００４４】
【発明の効果】請求項１の発明は、基板の上に積層した
磁性体ペーストにより形成された第１の磁性体層と、第
１の磁性体層の上に積層した非磁性体の絶縁材料により
形成された絶縁層と、絶縁層の上に積層した磁性体ペー
ストにより形成された第２の磁性体層とを備え、第１の
導電体層は第１の磁性体層の上に積層されるとともに絶
縁層に埋設され、第２の導電体層は絶縁層の上に積層さ
れるとともに第２の磁性体層に埋設され、第１の導電体
層および第２の導電体層におけるコイルパターンの対向
部位の間には磁性体を設けていないので、磁性体層が磁
性体ペーストによって形成されていることにより、製造
が容易になる。ここに、第１の導電体層を第１の磁性体
層の上に積層した形で絶縁層に埋設し、第２の導電体層
を絶縁層の上に積層した形で第２の磁性体層に埋設した
構成を採用したことにより、第１および第２の導電体層
はそれぞれ第１および第２の磁性体層に隙間なく密着す
ることとなって自己インダクタンスが大きくターン数を
少なくすることができるから、結果的に浮遊容量が少な
く高周波用に適したトランスを提供することが可能であ
り、かつトランスの小型化につながる。
磁性体ペーストにより形成された第１の磁性体層と、第
１の磁性体層の上に積層した非磁性体の絶縁材料により
形成された絶縁層と、絶縁層の上に積層した磁性体ペー
ストにより形成された第２の磁性体層とを備え、第１の
導電体層は第１の磁性体層の上に積層されるとともに絶
縁層に埋設され、第２の導電体層は絶縁層の上に積層さ
れるとともに第２の磁性体層に埋設され、第１の導電体
層および第２の導電体層におけるコイルパターンの対向
部位の間には磁性体を設けていないので、磁性体層が磁
性体ペーストによって形成されていることにより、製造
が容易になる。ここに、第１の導電体層を第１の磁性体
層の上に積層した形で絶縁層に埋設し、第２の導電体層
を絶縁層の上に積層した形で第２の磁性体層に埋設した
構成を採用したことにより、第１および第２の導電体層
はそれぞれ第１および第２の磁性体層に隙間なく密着す
ることとなって自己インダクタンスが大きくターン数を
少なくすることができるから、結果的に浮遊容量が少な
く高周波用に適したトランスを提供することが可能であ
り、かつトランスの小型化につながる。
【００４５】請求項２の発明は、第１および第２の第２
の導電体層のコイルパターンがそれぞれ板状の第１およ
び第２の磁性体層の一面に被着されているので、積層作
業が容易になる。しかも、絶縁層としてシート状の絶縁
材料などを用いることができ、絶縁層の厚み寸法の管理
が容易になって、特性を一層安定化することができる。
の導電体層のコイルパターンがそれぞれ板状の第１およ
び第２の磁性体層の一面に被着されているので、積層作
業が容易になる。しかも、絶縁層としてシート状の絶縁
材料などを用いることができ、絶縁層の厚み寸法の管理
が容易になって、特性を一層安定化することができる。
【００４６】請求項３の発明は、第１の導電体層のコイ
ルパターンが板状の第１の磁性体層の一面に被着され、
第１の導電体層が第１の磁性体層に積層するように形成
された絶縁層に埋設され、絶縁層の上に積層された第２
の導電体層を第２の磁性体層が絶縁層との間に挟むか
ら、両導電体層の位置関係を精密に管理する場合に有利
である。
ルパターンが板状の第１の磁性体層の一面に被着され、
第１の導電体層が第１の磁性体層に積層するように形成
された絶縁層に埋設され、絶縁層の上に積層された第２
の導電体層を第２の磁性体層が絶縁層との間に挟むか
ら、両導電体層の位置関係を精密に管理する場合に有利
である。
【００４７】請求項４の発明は、コイルパターンを跨ぐ
線路を用いることなく各コイルパターンの端末を外部線
路に接続することができる。
線路を用いることなく各コイルパターンの端末を外部線
路に接続することができる。
【００４８】請求項５の発明は、第１の導電体層および
第２に導電体層のコイルパターンの対向部位を除く少な
くとも一部の絶縁層を磁性体により形成しているので、
第１の磁性体層と第２の磁性体層との間に磁性体による
磁路が形成されることになり磁気効率が高くなって、伝
送損失を一層低減できる。
第２に導電体層のコイルパターンの対向部位を除く少な
くとも一部の絶縁層を磁性体により形成しているので、
第１の磁性体層と第２の磁性体層との間に磁性体による
磁路が形成されることになり磁気効率が高くなって、伝
送損失を一層低減できる。
【００４９】請求項６の発明は、両導電体層のコイルパ
ターンの対向部位の間を空隙としているので、両コイル
パターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイルパタ
ーンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較して浮
遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短絡状態
を防止できるのである。
ターンの対向部位の間を空隙としているので、両コイル
パターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイルパタ
ーンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較して浮
遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短絡状態
を防止できるのである。
【００５０】請求項７、８の発明は、両導電体層のコイ
ルパターンの対向部位の間を除く部位にスペーサを配設
しているので、両導電体層の間に空隙を形成する支持材
を設けたことにより浮遊容量を低減できる効果が得られ
る。
ルパターンの対向部位の間を除く部位にスペーサを配設
しているので、両導電体層の間に空隙を形成する支持材
を設けたことにより浮遊容量を低減できる効果が得られ
る。
【００５１】請求項９の発明は、両導電体層のコイルパ
ターンの対向部位の間を除く部位に磁性体のスペーサを
配設しているので、コイルパターンの周囲に形成される
磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくなり、伝送損失を低
減できるのである。また、このスペーサは、両導電体層
の間に空隙を形成する支持材として兼用されているか
ら、少数の部品で磁気効率を高める効果と、浮遊容量を
低減できる効果とが得られるという利点を有するのであ
る。
ターンの対向部位の間を除く部位に磁性体のスペーサを
配設しているので、コイルパターンの周囲に形成される
磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくなり、伝送損失を低
減できるのである。また、このスペーサは、両導電体層
の間に空隙を形成する支持材として兼用されているか
ら、少数の部品で磁気効率を高める効果と、浮遊容量を
低減できる効果とが得られるという利点を有するのであ
る。
【図１】実施例１を示す断面図である。
【図２】実施例１の動作説明図である。
【図３】実施例２を示す断面図である。
【図４】実施例３を示す分解断面図である。
【図５】実施例４を示す分解断面図である。
【図６】実施例５を示す分解断面図である。
【図７】実施例６を示す断面図である。
【図８】実施例７を示す断面図である。
【図９】実施例７を示す平面図である。
【図１０】実施例８を示す断面図である。
【図１１】伝送線路トランスを示す回路図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）はそれぞれ従来の伝送線路トラ
ンスを示す斜視図である。
ンスを示す斜視図である。
【図１３】バランを示す回路図である。
【図１４】従来のバランを示す斜視図である。
【図１５】分配回路を示す回路図である。
【図１６】従来の分配トランスを示す斜視図である。
【図１７】分岐回路を示す回路図である。
【図１８】従来の分岐トランスを示す斜視図である。
【図１９】従来の平面型トランスを示す分解斜視図であ
る。
る。
１ａ 磁性体層 １ｂ 磁性体層 ２ａ 導電体層 ２ｂ 導電体層 ３ 絶縁層３′ 磁性体部 ３ａ 絶縁層 ３ｂ 絶縁層 ４ 基板 ４ａ 基板 ４ｂ 基板 ５ａ スペーサ ５ｂ スペーサ ６ 貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−171705（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−151212（ＪＰ，Ａ) 実開 昭49−68621（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 19/00 H01F 17/00 H01F 27/28
Claims (9)
- 【請求項１】 一つの平面内にコイルパターンを形成し
た第１の導電体層と、他の一つの平面内に他のコイルパ
ターンを形成した第２の導電体層とを両コイルパターン
が対向して磁気的に結合するように配置した平面型トラ
ンスにおいて、基板の上に積層した磁性体ペーストによ
り形成された第１の磁性体層と、第１の磁性体層の上に
積層した非磁性体の絶縁材料により形成された絶縁層
と、絶縁層の上に積層した磁性体ペーストにより形成さ
れた第２の磁性体層とを備え、第１の導電体層は第１の
磁性体層の上に積層されるとともに絶縁層に埋設され、
第２の導電体層は絶縁層の上に積層されるとともに第２
の磁性体層に埋設され、第１の導電体層および第２の導
電体層におけるコイルパターンの対向部位の間には磁性
体を設けていないことを特徴とする平面型トランス。 - 【請求項２】 一つの平面内にコイルパターンを形成し
た第１の導電体層と、他の一つの平面内に他のコイルパ
ターンを形成した第２の導電体層とを両コイルパターン
が対向して磁気的に結合するように配置した平面型トラ
ンスにおいて、第１の導電体層のコイルパターンが一面
に被着された板状の第１の磁性体層と、第２の導電体層
のコイルパターンが一面に被着された板状の第２の磁性
体層と、第１の導電体層と第２の導電体層との間に介装
された非磁性体の絶縁材料よりなる絶縁層とを備え、第
１の導電体層および第２の導電体層におけるコイルパタ
ーンの対向部位の間には磁性体を設けていないことを特
徴とする平面型トランス。 - 【請求項３】 一つの平面内にコイルパターンを形成し
た第１の導電体層と、他の一つの平面内に他のコイルパ
ターンを形成した第２の導電体層とを両コイルパターン
が対向して磁気的に結合するように配置した平面型トラ
ンスにおいて、第１の導電体層のコイルパターンが一面
に被着された板状の第１の磁性体層と、第１の磁性体層
において第１の導電体層が形成された上記一面に第１の
導電体層を埋設する形で積層した非磁性体の絶縁材料に
より形成された絶縁層と、絶縁層の上に積層された第２
の導電体層を絶縁層との間に挟む第２の磁性体層とを備
え、第１の導電体層および第２の導電体層のコイルパタ
ーンの対向部位の間には磁性体を設けていないことを特
徴とする平面型トランス。 - 【請求項４】 第１の磁性体層と第２の磁性体層との少
なくとも一方に形成した貫通孔を通して、第１の導電体
層および第２の導電体層のコイルパターンの端末を外部
線路に接続可能とするように引き出すことを特徴とする
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の平面型
トランス。 - 【請求項５】 第１の導電体層および第２に導電体層の
コイルパターンの対向部位を除く少なくとも一部の絶縁
層は磁性体により形成されていることを特徴とする請求
項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の平面型トラ
ンス。 - 【請求項６】 一つの平面内にコイルパターンを形成し
た第１の導電体層と、他の一つの平面内に他のコイルパ
ターンを形成した第２の導電体層とを両コイルパターン
が対向して磁気的に結合するように配置した平面型トラ
ンスにおいて、第１の導電体層および第２の導電体層の
コイルパターンの対向部位の間を空隙として磁性体を設
けていないことを特徴とする平面型トランス。 - 【請求項７】 第１の導電体層のコイルパターンが一面
に被着された板状の第１の磁性体層と、第２の導電体層
のコイルパターンが一面に被着された板状の第２の磁性
体層とを、第１の導電体層および第２の導電体層のコイ
ルパターンの対向部位とは異なる部位に設けたスペーサ
を介して対向させ、第１の磁性体層と第２の磁性体層と
は絶縁性を有する磁性体材料により形成されていること
を特徴とする請求項６記載の平面型トランス。 - 【請求項８】 表裏の一面に絶縁材料よりなる第１の絶
縁層を介して第１の導電体層を積層し他面に絶縁材料よ
りなる第１の基板を積層した第１の磁性体層と、表裏の
一面に絶縁材料よりなる第２の絶縁層を介して第２の導
電体層を積層し他面に絶縁材料よりなる第２の基板を積
層した第２の磁性体層とを、第１の導電体層および第２
の導電体層のコイルパターンの対向部位とは異なる部位
に設けたスペーサを介して対向させたことを特徴とする
請求項６記載の平面型トランス。 - 【請求項９】 スペーサが磁性体であることを特徴とす
る請求項７または請求項８記載の平面型トランス。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077291A JP3274695B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 平面型トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077291A JP3274695B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 平面型トランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135951A JPH05135951A (ja) | 1993-06-01 |
| JP3274695B2 true JP3274695B2 (ja) | 2002-04-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30077291A Expired - Lifetime JP3274695B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 平面型トランス |
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6818324B1 (en) | 1997-10-09 | 2004-11-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic thin-film EL device |
| US7737626B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element |
| US7951470B2 (en) | 2004-08-23 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and lighting system |
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| JP6511741B2 (ja) * | 2014-07-09 | 2019-05-15 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換素子およびその製造方法 |
| JP7120154B2 (ja) * | 2019-05-28 | 2022-08-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 変成器 |
| CN111261392A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-06-09 | 南京矽力微电子技术有限公司 | 功率变压器及其制造方法 |
| JP7244452B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2023-03-22 | 株式会社東芝 | アイソレータ |
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| JPH04243104A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層チップトランス |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP30077291A patent/JP3274695B2/ja not_active Expired - Lifetime
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