JP3108976B2 - 光ヘッドのトラッキング誤差検出装置 - Google Patents
光ヘッドのトラッキング誤差検出装置Info
- Publication number
- JP3108976B2 JP3108976B2 JP06050583A JP5058394A JP3108976B2 JP 3108976 B2 JP3108976 B2 JP 3108976B2 JP 06050583 A JP06050583 A JP 06050583A JP 5058394 A JP5058394 A JP 5058394A JP 3108976 B2 JP3108976 B2 JP 3108976B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tracking error
- semiconductor laser
- optical head
- region
- diffraction grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学式記録装置，再生
装置に用いる光ヘッドのトラッキング誤差検出装置に関
する。
装置に用いる光ヘッドのトラッキング誤差検出装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、特開昭64−35737号公報に示され
たように、光源，光検出器を集積化した光ヘッドが提案
されている。図14および図15は、その光ヘッドの斜視図
および光学系の概念図を示している。この光学ヘッド装
置１aは、図14に示すように第１の半導体基板２および
第２の半導体基板８上には５つの領域を持つ第１，第２
の受光素子９，10が形成されており、第２の半導体基板
８は第１の半導体基板２の上に載置されている。第２の
半導体基板８には半導体レーザ素子(以下、半導体レー
ザーチップという)５が取り付けられるとともに、モニ
ター用受光素子４が形成されている。
たように、光源，光検出器を集積化した光ヘッドが提案
されている。図14および図15は、その光ヘッドの斜視図
および光学系の概念図を示している。この光学ヘッド装
置１aは、図14に示すように第１の半導体基板２および
第２の半導体基板８上には５つの領域を持つ第１，第２
の受光素子９，10が形成されており、第２の半導体基板
８は第１の半導体基板２の上に載置されている。第２の
半導体基板８には半導体レーザ素子(以下、半導体レー
ザーチップという)５が取り付けられるとともに、モニ
ター用受光素子４が形成されている。
【０００３】また、第１の半導体基板２上にはプリズム
11が設置されている。このプリズム11は断面略台形とさ
れ、斜面11aはミラーとなされ、垂直面11bは第２の半導
体基板８に載置した半導体レーザーチップ５の出射面と
対向している。プリズム11の上面11cは第１の回折格子1
2とされている。この第１の回折格子12の上方には、第
２の回折格子13が配置されている。
11が設置されている。このプリズム11は断面略台形とさ
れ、斜面11aはミラーとなされ、垂直面11bは第２の半導
体基板８に載置した半導体レーザーチップ５の出射面と
対向している。プリズム11の上面11cは第１の回折格子1
2とされている。この第１の回折格子12の上方には、第
２の回折格子13が配置されている。
【０００４】次に動作の概要を説明すると、図14に示す
半導体レーザーチップ５から出射したビームは、プリズ
ム11の斜面11aで反射され第１の回折格子12に入射し、
情報読み取り用の０次ビームとトラッキングエラー信号
検出用の±１次ビームに分かれ、第２の回折格子13を０
次で透過し、図15に示す対物レンズ18でディスク19に集
光される。このディスク19に集光された０次および±１
次ビームはディスク19で反射され、対物レンズ18を通り
第２の回折格子13に入射し、±１次光に分かれ第１およ
び第２の受光素子９，10に導かれる。
半導体レーザーチップ５から出射したビームは、プリズ
ム11の斜面11aで反射され第１の回折格子12に入射し、
情報読み取り用の０次ビームとトラッキングエラー信号
検出用の±１次ビームに分かれ、第２の回折格子13を０
次で透過し、図15に示す対物レンズ18でディスク19に集
光される。このディスク19に集光された０次および±１
次ビームはディスク19で反射され、対物レンズ18を通り
第２の回折格子13に入射し、±１次光に分かれ第１およ
び第２の受光素子９，10に導かれる。
【０００５】ここで、第１および第２の受光素子９，10
は、図16の光ヘッドの断面図に示すように集光位置の前
後にずれて配置されており、ディスクの焦点移動に伴う
受光素子上のスポットの大きさが互いに逆に変化するこ
とを利用して、ビームサイズ法により焦点誤差検出を行
う。また、トラッキング誤差検出は第１の回折格子12で
発生するトラッキングエラー信号検出用の±１次ビーム
を用いて３ビーム法により行う。
は、図16の光ヘッドの断面図に示すように集光位置の前
後にずれて配置されており、ディスクの焦点移動に伴う
受光素子上のスポットの大きさが互いに逆に変化するこ
とを利用して、ビームサイズ法により焦点誤差検出を行
う。また、トラッキング誤差検出は第１の回折格子12で
発生するトラッキングエラー信号検出用の±１次ビーム
を用いて３ビーム法により行う。
【０００６】上述の光源，光検出器を集積化した光ヘッ
ドにおいて、さらに小型化を進め、半導体レーザーチッ
プ５とプリズム11を近接して配置した場合、ディスク19
で反射したトラッキングエラー信号検出用の±１次ビー
ムの一方が第２の回折格子13を０次で透過し、半導体レ
ーザーチップ５の第２の回折格子13に対向する面に入射
し反射され、再びディスクに戻ることになる。このよう
に、ディスクで反射されたトラッキングエラー信号検出
用の±１次ビームが発光素子の近傍に入射し、そこで反
射され再びディスクに戻る場合には、該ビームと、トラ
ッキングエラー信号検出用の±１次ビームが干渉を起こ
し、ディスクのタンジェンシャルスキューによってトラ
ッキングエラー信号にオフセットが生じることが特開昭
61−24031号公報に示されている。また、特開昭61−240
31号公報では、この対策として半導体レーザ素子出射端
面に光を散乱または吸収する光遮蔽体を設ける方法が提
案されている。
ドにおいて、さらに小型化を進め、半導体レーザーチッ
プ５とプリズム11を近接して配置した場合、ディスク19
で反射したトラッキングエラー信号検出用の±１次ビー
ムの一方が第２の回折格子13を０次で透過し、半導体レ
ーザーチップ５の第２の回折格子13に対向する面に入射
し反射され、再びディスクに戻ることになる。このよう
に、ディスクで反射されたトラッキングエラー信号検出
用の±１次ビームが発光素子の近傍に入射し、そこで反
射され再びディスクに戻る場合には、該ビームと、トラ
ッキングエラー信号検出用の±１次ビームが干渉を起こ
し、ディスクのタンジェンシャルスキューによってトラ
ッキングエラー信号にオフセットが生じることが特開昭
61−24031号公報に示されている。また、特開昭61−240
31号公報では、この対策として半導体レーザ素子出射端
面に光を散乱または吸収する光遮蔽体を設ける方法が提
案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、光源，
光検出器を集積化した光ヘッドを小型化したとき、ディ
スクのタンジェンシャルスキューによってトラッキング
エラー信号にオフセットが生じる。また、特開昭61−24
031号公報に半導体レーザ素子出射端面に光を散乱また
は吸収する光遮蔽体を設けて対策する方法が示されてい
るが、上述の光源，光検出器を集積化した小型光ヘッド
では、ディスクで反射したトラッキングエラー信号検出
用の±１次ビームの一方が第２の回折格子13を０次で透
過し、半導体レーザーチップ５の第２の回折格子13に対
向する面および／または前記ミラーを挾んで前記半導体
レーザーチップ５とは反対側で前記回折格子に対向する
面に入射するので、上述のように半導体レーザーチップ
の出射端面に光を散乱または吸収する光遮蔽体を設けて
干渉を防ぐ効果を得ることができない。
光検出器を集積化した光ヘッドを小型化したとき、ディ
スクのタンジェンシャルスキューによってトラッキング
エラー信号にオフセットが生じる。また、特開昭61−24
031号公報に半導体レーザ素子出射端面に光を散乱また
は吸収する光遮蔽体を設けて対策する方法が示されてい
るが、上述の光源，光検出器を集積化した小型光ヘッド
では、ディスクで反射したトラッキングエラー信号検出
用の±１次ビームの一方が第２の回折格子13を０次で透
過し、半導体レーザーチップ５の第２の回折格子13に対
向する面および／または前記ミラーを挾んで前記半導体
レーザーチップ５とは反対側で前記回折格子に対向する
面に入射するので、上述のように半導体レーザーチップ
の出射端面に光を散乱または吸収する光遮蔽体を設けて
干渉を防ぐ効果を得ることができない。
【０００８】本発明は、上記の問題に鑑みなされたもの
で、光源，光検出器を集積化された小型で安定したトラ
ッキング誤差信号を得る光ヘッドのトラッキング誤差検
出装置を提供することを目的とする。
で、光源，光検出器を集積化された小型で安定したトラ
ッキング誤差信号を得る光ヘッドのトラッキング誤差検
出装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、半導体レーザ素子に近接し、該半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光束を反射させ光路を偏向
させるミラーで反射された光束が入射せしめられる回折
格子を有し、該回折格子より出射した０次±１次光束が
通過せしめられる偏向光学素子より出射した前記回折格
子の０次および±１次光束を光学式記録媒体に収束せし
める対物レンズを有し、前記光学式記録媒体で反射され
た前記回折格子の０次および±１次光束が対物レンズを
通過し、前記偏向光学素子に入射され、さらに前記偏向
光学素子で偏向した光束を受光せしめる光検出器を有
し、該光検出器より前記±１次光束に対応した光出力を
得て、該±１次光束それぞれに対応する出力の差に基づ
いてトラッキング誤差信号を得るようにした光ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、前記光学式記録媒
体で反射し、前記対物レンズ，前記偏向光学素子および
前記回折格子を通過する前記±１次光束の少なくとも一
方が、前記ミラーを通過することなく、前記半導体レー
ザ素子の前記回折格子に対向する面および／または前記
ミラーを挾んで前記半導体レーザ素子とは反対側で前記
回折格子に対向する面に入射し、該入射領域が光を散乱
または吸収するよう構成したことを特徴とする。
成するため、半導体レーザ素子に近接し、該半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光束を反射させ光路を偏向
させるミラーで反射された光束が入射せしめられる回折
格子を有し、該回折格子より出射した０次±１次光束が
通過せしめられる偏向光学素子より出射した前記回折格
子の０次および±１次光束を光学式記録媒体に収束せし
める対物レンズを有し、前記光学式記録媒体で反射され
た前記回折格子の０次および±１次光束が対物レンズを
通過し、前記偏向光学素子に入射され、さらに前記偏向
光学素子で偏向した光束を受光せしめる光検出器を有
し、該光検出器より前記±１次光束に対応した光出力を
得て、該±１次光束それぞれに対応する出力の差に基づ
いてトラッキング誤差信号を得るようにした光ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、前記光学式記録媒
体で反射し、前記対物レンズ，前記偏向光学素子および
前記回折格子を通過する前記±１次光束の少なくとも一
方が、前記ミラーを通過することなく、前記半導体レー
ザ素子の前記回折格子に対向する面および／または前記
ミラーを挾んで前記半導体レーザ素子とは反対側で前記
回折格子に対向する面に入射し、該入射領域が光を散乱
または吸収するよう構成したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置
によれば、図３の回折格子36aで発生したサブビームが
ディスク38で反射され、対物レンズ37を通り、ホログラ
ム36b，回折格子36aを０次で透過して半導体レーザーチ
ップ32の透過型光学素子36に対向する面に入射する。該
入射領域を光が散乱または吸収するようにすることによ
り干渉を防ぎ、したがってディスクのタンジェンシャル
スキューによるトラッキングエラー信号にオフセットの
発生をなくすことができる。
によれば、図３の回折格子36aで発生したサブビームが
ディスク38で反射され、対物レンズ37を通り、ホログラ
ム36b，回折格子36aを０次で透過して半導体レーザーチ
ップ32の透過型光学素子36に対向する面に入射する。該
入射領域を光が散乱または吸収するようにすることによ
り干渉を防ぎ、したがってディスクのタンジェンシャル
スキューによるトラッキングエラー信号にオフセットの
発生をなくすことができる。
【００１１】
(実施例１)図１は本発明の第１の実施例による光ヘッド
の半導体レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正
面図、図２は図１の光ヘッドにおける半導体レーザーチ
ップマウント部のＡ−Ａ断面図である。
の半導体レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正
面図、図２は図１の光ヘッドにおける半導体レーザーチ
ップマウント部のＡ−Ａ断面図である。
【００１２】図１および図２に示すように、半導体基板
31上には、それぞれ５つの領域からなる光検出器33，34
と、半導体基板31を化学的異方性エッチングにより作ら
れたエッチングミラー35が形成され、このエッチングミ
ラー35の近傍に半導体レーザーチップ32がマウントされ
ている。
31上には、それぞれ５つの領域からなる光検出器33，34
と、半導体基板31を化学的異方性エッチングにより作ら
れたエッチングミラー35が形成され、このエッチングミ
ラー35の近傍に半導体レーザーチップ32がマウントされ
ている。
【００１３】本実施例の特徴は、前記半導体レーザーチ
ップ32の電極面40にワイヤー39がボンディングされ、ワ
イヤーボンディング部41が形成されていることである。
ップ32の電極面40にワイヤー39がボンディングされ、ワ
イヤーボンディング部41が形成されていることである。
【００１４】次に、動作を前記図１，図２並びに図３に
示す光ヘッドのトラッキング誤差検出装置の概略図、お
よび図４に示す光ヘッドの回折格子，ホログラムの図に
より説明する。
示す光ヘッドのトラッキング誤差検出装置の概略図、お
よび図４に示す光ヘッドの回折格子，ホログラムの図に
より説明する。
【００１５】半導体レーザーチップ32から出射されたビ
ームは、図２の矢印で示すようにエッチングミラー35で
反射され、図３並びに図４に示した透過型光学素子36の
下面に形成された回折格子36aに入射し回折され、情報
読み取り用のメインビームとトラッキングエラー検出用
の２つのサブビームに分かれ、透過型光学素子36の上面
に形成されたホログラム36bを０次で透過し、対物レン
ズ37によりディスク38に収束される。該収束光はディス
ク38で反射され、対物レンズ37を通りホログラム36bに
入射し回折され、±１次光に分かれ光検出器33，34に導
かれる。
ームは、図２の矢印で示すようにエッチングミラー35で
反射され、図３並びに図４に示した透過型光学素子36の
下面に形成された回折格子36aに入射し回折され、情報
読み取り用のメインビームとトラッキングエラー検出用
の２つのサブビームに分かれ、透過型光学素子36の上面
に形成されたホログラム36bを０次で透過し、対物レン
ズ37によりディスク38に収束される。該収束光はディス
ク38で反射され、対物レンズ37を通りホログラム36bに
入射し回折され、±１次光に分かれ光検出器33，34に導
かれる。
【００１６】トラッキング誤差信号は、前記ディスク38
で反射された前記回折格子36aで発生したサブビーム
を、図１に示す光検出器33a，33c，34a，34cで検出し、
互いのサブビームの強度差をとることにより、いわゆる
３ビーム法で行う。したがって、光検出器33a，33c，34
a，34cの出力をＧ，Ｈ，Ｉ，Ｊとすると、トラッキング
誤差信号ＴＥは、 ＴＥ＝(Ｇ＋Ｉ)−(Ｈ＋Ｊ) で得ることができる。
で反射された前記回折格子36aで発生したサブビーム
を、図１に示す光検出器33a，33c，34a，34cで検出し、
互いのサブビームの強度差をとることにより、いわゆる
３ビーム法で行う。したがって、光検出器33a，33c，34
a，34cの出力をＧ，Ｈ，Ｉ，Ｊとすると、トラッキング
誤差信号ＴＥは、 ＴＥ＝(Ｇ＋Ｉ)−(Ｈ＋Ｊ) で得ることができる。
【００１７】図１ないし図３において、前記ディスク38
で反射され、前記回折格子36aで発生したサブビームの
一方の入射光束42aは、対物レンズ37を通り、ホログラ
ム３６ｂ，回折格子３６ａを０次で透過して半導体レー
ザーチップ32の透過型光学素子36に対向する電極面40に
入射する。前記半導体レーザーチップ32のＰまたはＮ型
電極面である電極面40の該入射領域には上述したように
半導体レーザーチップ32へ電源を供給するためのワイヤ
ー39がボンディングされている。ワイヤー39は、電源供
給の作用だけを考えると、電極面40のどこにボンディン
グされてもよい。
で反射され、前記回折格子36aで発生したサブビームの
一方の入射光束42aは、対物レンズ37を通り、ホログラ
ム３６ｂ，回折格子３６ａを０次で透過して半導体レー
ザーチップ32の透過型光学素子36に対向する電極面40に
入射する。前記半導体レーザーチップ32のＰまたはＮ型
電極面である電極面40の該入射領域には上述したように
半導体レーザーチップ32へ電源を供給するためのワイヤ
ー39がボンディングされている。ワイヤー39は、電源供
給の作用だけを考えると、電極面40のどこにボンディン
グされてもよい。
【００１８】通常は中心付近にボンディングされる。し
かし、本実施例の場合は図２に示すようにワイヤーボン
ディング部41を前記入射光束42aが入射する領域に合わ
せることにより、該入射光束42aはワイヤーボンディン
グ部41のドーム形状で反射され散乱光43となる。
かし、本実施例の場合は図２に示すようにワイヤーボン
ディング部41を前記入射光束42aが入射する領域に合わ
せることにより、該入射光束42aはワイヤーボンディン
グ部41のドーム形状で反射され散乱光43となる。
【００１９】この散乱光43は前記入射光束42aに比べ、
非常に大きな広がり角となるので、散乱光43が対物レン
ズ37を通り、再びディスク38に戻る光量はほぼ０とな
る。したがって、前記入射光束42aが半導体レーザーチ
ップ32の透過型光学素子36に対向する電極面40で反射
し、ディスク38に戻る光量が非常に少なくなるので、従
来例で課題となっていた干渉を防ぐことができる。
非常に大きな広がり角となるので、散乱光43が対物レン
ズ37を通り、再びディスク38に戻る光量はほぼ０とな
る。したがって、前記入射光束42aが半導体レーザーチ
ップ32の透過型光学素子36に対向する電極面40で反射
し、ディスク38に戻る光量が非常に少なくなるので、従
来例で課題となっていた干渉を防ぐことができる。
【００２０】また、前記トラッキング誤差検出装置にお
いて、焦点誤差検出を行う場合は、前記ホログラム36b
を±１次光にそれぞれ凹凸のレンズパワーを与えるよう
に構成すれば、光検出器33，34にそれぞれに入射するス
ポットは光検出器33，34の前後に焦点位置ができ、ディ
スクがデフォーカスしたときの光検出器上のスポットの
大きさが互いに逆に変化することを利用し、フォーカス
誤差検出を行う。したがって、光検出器33d，33e，33
f，34d，34e，34fの出力をそれぞれＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆとすると、フォーカス誤差信号ＦＥは、 ＦＥ＝(Ａ＋Ｃ＋Ｅ)−(Ｂ＋Ｄ＋Ｆ) で得ることができる。
いて、焦点誤差検出を行う場合は、前記ホログラム36b
を±１次光にそれぞれ凹凸のレンズパワーを与えるよう
に構成すれば、光検出器33，34にそれぞれに入射するス
ポットは光検出器33，34の前後に焦点位置ができ、ディ
スクがデフォーカスしたときの光検出器上のスポットの
大きさが互いに逆に変化することを利用し、フォーカス
誤差検出を行う。したがって、光検出器33d，33e，33
f，34d，34e，34fの出力をそれぞれＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆとすると、フォーカス誤差信号ＦＥは、 ＦＥ＝(Ａ＋Ｃ＋Ｅ)−(Ｂ＋Ｄ＋Ｆ) で得ることができる。
【００２１】本実施例では、上述のように半導体レーザ
ーチップ32に入射する干渉の原因となるサブビームをワ
イヤーボンディングで散乱させたが、該入射光を散乱ま
たは吸収させる手段はこれに限らず、次のような手段に
よっても同様の効果が得られる。
ーチップ32に入射する干渉の原因となるサブビームをワ
イヤーボンディングで散乱させたが、該入射光を散乱ま
たは吸収させる手段はこれに限らず、次のような手段に
よっても同様の効果が得られる。
【００２２】(1) 図５の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面に無反射コーテ
ィング部101aを構成し、反射しないようにする。
ーザーチップ32上のサブビームの入射面に無反射コーテ
ィング部101aを構成し、反射しないようにする。
【００２３】(2) 図６の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にドーム状の凸
部102aを構成し、入射した光を散乱あるいは凸部内で吸
収させる。このような構造を実現する手段として樹脂を
ポッティングしたり、電源供給用とは別にワイヤボンデ
ィングしたりすることにより構成できる。
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にドーム状の凸
部102aを構成し、入射した光を散乱あるいは凸部内で吸
収させる。このような構造を実現する手段として樹脂を
ポッティングしたり、電源供給用とは別にワイヤボンデ
ィングしたりすることにより構成できる。
【００２４】(3) 図７の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にプリズム状の
凸部103aを構成し、入射した光を散乱(影響のない方向
へ反射)あるいは凸部内で吸収させる。このような構造
を実現する手段として、半導体レーザーチップ32上に微
細なプリズムを接着したり、半導体レーザーチップ32自
体をエッチングすることにより構成できる。
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にプリズム状の
凸部103aを構成し、入射した光を散乱(影響のない方向
へ反射)あるいは凸部内で吸収させる。このような構造
を実現する手段として、半導体レーザーチップ32上に微
細なプリズムを接着したり、半導体レーザーチップ32自
体をエッチングすることにより構成できる。
【００２５】(4) 図８の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面に格子状の凹凸
部104a(Ａは拡大図)を形成し、入射した光を回折・散乱
させる。このような構造を実現する手段として、あらか
じめ格子状凹凸部を形成したプレートを半導体レーザー
チップ32上に固定したり、半導体レーザーチップ32自体
に格子状のエッチングすることにより構成できる。
ーザーチップ32上のサブビームの入射面に格子状の凹凸
部104a(Ａは拡大図)を形成し、入射した光を回折・散乱
させる。このような構造を実現する手段として、あらか
じめ格子状凹凸部を形成したプレートを半導体レーザー
チップ32上に固定したり、半導体レーザーチップ32自体
に格子状のエッチングすることにより構成できる。
【００２６】(5) 図９の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32自体を傾けて固定し、傾斜部105aとし、
入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)させる。この
ような構造を実現する手段として、半導体レーザーチッ
プ32を固定する際に、半導体レーザーチップ32を傾けた
まま半田層を溶融・固化させたり、また３角状のスペー
サ106を介して半導体レーザーチップ32を固定すること
により構成できる。
ーザーチップ32自体を傾けて固定し、傾斜部105aとし、
入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)させる。この
ような構造を実現する手段として、半導体レーザーチッ
プ32を固定する際に、半導体レーザーチップ32を傾けた
まま半田層を溶融・固化させたり、また３角状のスペー
サ106を介して半導体レーザーチップ32を固定すること
により構成できる。
【００２７】(6) 図10の断面図に示すように、半導体レ
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にすりガラス状
の粗面部107aを形成することにより、入射した光を散乱
させる。このような構造を実現する手段として、あらか
じめ粗面を形成したプレートを半導体レーザーチップ32
上に固定したり、半導体レーザーチップ32自体に粗面コ
ーティングを施したり、または半導体レーザーチップ32
自体をエッチング(例えば、金薄膜をヨード液によりエ
ッチングすることにより粗面となる)することにより構
成する。
ーザーチップ32上のサブビームの入射面にすりガラス状
の粗面部107aを形成することにより、入射した光を散乱
させる。このような構造を実現する手段として、あらか
じめ粗面を形成したプレートを半導体レーザーチップ32
上に固定したり、半導体レーザーチップ32自体に粗面コ
ーティングを施したり、または半導体レーザーチップ32
自体をエッチング(例えば、金薄膜をヨード液によりエ
ッチングすることにより粗面となる)することにより構
成する。
【００２８】(実施例２)図11は本発明の第２の実施例に
よる光ヘッドの半導体レーザーチップおよび光検出器の
配置を示す正面図、図12は図11に示す光ヘッドの半導体
レーザーチップマウント部のＡ−Ａ断面図である。
よる光ヘッドの半導体レーザーチップおよび光検出器の
配置を示す正面図、図12は図11に示す光ヘッドの半導体
レーザーチップマウント部のＡ−Ａ断面図である。
【００２９】本実施例の特徴は、図11および図12に示す
ように、半導体基板31上にマウントされた半導体レーザ
ーチップ32の直上近傍に無反射コーティング部51が施さ
れていることであり、その他、エッチングミラー35，４
つの領域からなる光検出器33，34は前記第１の実施例と
同様である。
ように、半導体基板31上にマウントされた半導体レーザ
ーチップ32の直上近傍に無反射コーティング部51が施さ
れていることであり、その他、エッチングミラー35，４
つの領域からなる光検出器33，34は前記第１の実施例と
同様である。
【００３０】上記構成に基づく動作を説明すると、半導
体レーザーチップ32から出射されたビームが、図３に示
すディスク38で反射され、対物レンズ37を通りホログラ
ム36bに入射し、回折され±１次光に分かれ光検出器3
3，34に導かれ、３ビーム法でトラッキング誤差信号Ｔ
Ｅを求める動作は、前記第１の実施例と同様である。
体レーザーチップ32から出射されたビームが、図３に示
すディスク38で反射され、対物レンズ37を通りホログラ
ム36bに入射し、回折され±１次光に分かれ光検出器3
3，34に導かれ、３ビーム法でトラッキング誤差信号Ｔ
Ｅを求める動作は、前記第１の実施例と同様である。
【００３１】本実施例においては、前記ディスク38で反
射された前記回折格子36aで発生したサブビームの一方
の入射光束42b(第１の実施例とは反対側のサブビーム)
は、対物レンズ37を通り、ホログラム36b，回折格子36a
を０次で透過して前記エッチングミラー35を挾んで前記
半導体レーザーチップ32とは反対側の透過型光学素子36
に対向する面50に入射する。前記入射光束42bの入射領
域に、図11および図１２に示すように無反射コーティン
グ部５１が施されていることにより、該入射光束42bは
半導体基板31に吸収されるため、この光が反射して対物
レンズ37を通り再びディスク38に戻る光量はほぼ０とな
る。したがって、前記入射光束42bが前記エッチングミ
ラー35を挾んで前記半導体レーザーチップ32とは反対側
の透過型光学素子36に対向する半導体基板31の対向面50
で反射し、ディスク38に戻る光量が非常に少なくなるの
で、従来例で課題となっていた干渉を防ぐことができ
る。
射された前記回折格子36aで発生したサブビームの一方
の入射光束42b(第１の実施例とは反対側のサブビーム)
は、対物レンズ37を通り、ホログラム36b，回折格子36a
を０次で透過して前記エッチングミラー35を挾んで前記
半導体レーザーチップ32とは反対側の透過型光学素子36
に対向する面50に入射する。前記入射光束42bの入射領
域に、図11および図１２に示すように無反射コーティン
グ部５１が施されていることにより、該入射光束42bは
半導体基板31に吸収されるため、この光が反射して対物
レンズ37を通り再びディスク38に戻る光量はほぼ０とな
る。したがって、前記入射光束42bが前記エッチングミ
ラー35を挾んで前記半導体レーザーチップ32とは反対側
の透過型光学素子36に対向する半導体基板31の対向面50
で反射し、ディスク38に戻る光量が非常に少なくなるの
で、従来例で課題となっていた干渉を防ぐことができ
る。
【００３２】また、前記トラッキング誤差検出装置にお
いて焦点誤差検出を行う場合のフォーカス誤差信号ＦＥ
を求める光検出器による動作は前記第１の実施例と同様
である。
いて焦点誤差検出を行う場合のフォーカス誤差信号ＦＥ
を求める光検出器による動作は前記第１の実施例と同様
である。
【００３３】本実施例では、上述のように半導体基板31
に入射する干渉の原因となるサブビームを無反射コーテ
ィング部51で吸収させたが、該入射光を散乱または吸収
させる手段はこれに限らず、次のような手段によっても
同様の効果が得られる。
に入射する干渉の原因となるサブビームを無反射コーテ
ィング部51で吸収させたが、該入射光を散乱または吸収
させる手段はこれに限らず、次のような手段によっても
同様の効果が得られる。
【００３４】(1) 図13の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面にワイヤーボンディング部
41を形成し、このワイヤーボンディング部41のドーム形
状で入射した光を回折，散乱させる。
板31上のサブビームの入射面にワイヤーボンディング部
41を形成し、このワイヤーボンディング部41のドーム形
状で入射した光を回折，散乱させる。
【００３５】(2) 図５の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面に無反射コーティング部10
1bを構成し、反射しないようにする。
板31上のサブビームの入射面に無反射コーティング部10
1bを構成し、反射しないようにする。
【００３６】(3) 図６の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面にドーム状の凸部102bを構
成し、入射した光を散乱あるいは凸部内で吸収させる。
このような構造を実現する手段として樹脂をポッティン
グしたり、電源供給用とは別にワイヤボンディングした
りすることにより構成できる。
板31上のサブビームの入射面にドーム状の凸部102bを構
成し、入射した光を散乱あるいは凸部内で吸収させる。
このような構造を実現する手段として樹脂をポッティン
グしたり、電源供給用とは別にワイヤボンディングした
りすることにより構成できる。
【００３７】(4) 図７の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面にプリズム状の凸部103bを
付着させ、入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)あ
るいは凸部内で吸収させる。このような構造を実現する
手段として、半導体基板31上に微細なプリズムを接着し
たり、半導体基板31自体をエッチングすることにより構
成できる。
板31上のサブビームの入射面にプリズム状の凸部103bを
付着させ、入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)あ
るいは凸部内で吸収させる。このような構造を実現する
手段として、半導体基板31上に微細なプリズムを接着し
たり、半導体基板31自体をエッチングすることにより構
成できる。
【００３８】(5) 図８の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビームの入射面に格子状の凹凸部104b(Ａ
は拡大図)を形成し、入射した光を回折・散乱させる。
このような構造を実現する手段として、あらかじめ格子
状凹凸部を形成したプレートを半導体基板31上に固定し
たり、半導体基板31自体に格子状のエッチングすること
により構成できる。
板31上のサブビームの入射面に格子状の凹凸部104b(Ａ
は拡大図)を形成し、入射した光を回折・散乱させる。
このような構造を実現する手段として、あらかじめ格子
状凹凸部を形成したプレートを半導体基板31上に固定し
たり、半導体基板31自体に格子状のエッチングすること
により構成できる。
【００３９】(6) 図９の断面図に示すように、半導体基
板31上のサブビーム入射面自体に傾斜部105bを形成し、
入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)させる。この
ような構造を実現する手段として、半導体基板31自体を
エッチングすることにより構成できる。
板31上のサブビーム入射面自体に傾斜部105bを形成し、
入射した光を散乱(影響のない方向へ反射)させる。この
ような構造を実現する手段として、半導体基板31自体を
エッチングすることにより構成できる。
【００４０】(7) 図10の断面図に示すように、半導体基
板31上の入射面にすりガラス状の粗面部107bを形成する
ことにより、入射した光を散乱させる。このような構造
を実現する手段として、あらかじめ粗面を形成したプレ
ートを半導体基板31上に固定したり、半導体基板31自体
に粗面コーティングを施したり、または半導体基板31自
体をエッチング(例えば、金薄膜をヨード液によりエッ
チングすることにより粗面となる)することにより構成
可能である。
板31上の入射面にすりガラス状の粗面部107bを形成する
ことにより、入射した光を散乱させる。このような構造
を実現する手段として、あらかじめ粗面を形成したプレ
ートを半導体基板31上に固定したり、半導体基板31自体
に粗面コーティングを施したり、または半導体基板31自
体をエッチング(例えば、金薄膜をヨード液によりエッ
チングすることにより粗面となる)することにより構成
可能である。
【００４１】なお本実施例では、ミラーとして半導体基
板を用いているが、他の材料(硝子，金属，セラミック
等)でミラーを構成した場合でも、同様の効果が得られ
る。
板を用いているが、他の材料(硝子，金属，セラミック
等)でミラーを構成した場合でも、同様の効果が得られ
る。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ヘッド
のトラッキング誤差検出装置は、光源，光検出器を集積
化し小型化した光ヘッドにおいて、次の２つの光ビー
ム、すなわち、 (1) 回折格子で発生したサブビームがディスクで反射さ
れ、対物レンズを通り、ホログラム，回折格子を０次で
透過して、半導体レーザーチップの透過型光学素子に対
向する面に入射する光 (2) 回折格子で発生したサブビームがディスクで反射さ
れ、対物レンズを通り、ホログラム，回折格子を０次で
透過して、エッチングミラーを挾んで半導体レーザーチ
ップとは反対側の透過型光学素子に対向する面に入射す
る光 これらの光が、入射する該入射領域を光が散乱または吸
収するようにすることにより、従来の問題点である干渉
を防ぎ、したがって、ディスクのタンジェンシャルスキ
ューによるトラッキングエラー信号のオフセットの発生
をなくし、安定したトラッキングエラー信号を得ること
ができる。
のトラッキング誤差検出装置は、光源，光検出器を集積
化し小型化した光ヘッドにおいて、次の２つの光ビー
ム、すなわち、 (1) 回折格子で発生したサブビームがディスクで反射さ
れ、対物レンズを通り、ホログラム，回折格子を０次で
透過して、半導体レーザーチップの透過型光学素子に対
向する面に入射する光 (2) 回折格子で発生したサブビームがディスクで反射さ
れ、対物レンズを通り、ホログラム，回折格子を０次で
透過して、エッチングミラーを挾んで半導体レーザーチ
ップとは反対側の透過型光学素子に対向する面に入射す
る光 これらの光が、入射する該入射領域を光が散乱または吸
収するようにすることにより、従来の問題点である干渉
を防ぎ、したがって、ディスクのタンジェンシャルスキ
ューによるトラッキングエラー信号のオフセットの発生
をなくし、安定したトラッキングエラー信号を得ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例による光ヘッドの半導体
レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正面図であ
る。
レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正面図であ
る。
【図２】図１の光ヘッドにおける半導体レーザーチップ
マウント部のＡ−Ａ断面図である。
マウント部のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１に示す光ヘッドのトラッキング誤差検出装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図４】図１に示す光ヘッドの回折格子，ホログラムを
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の第１および第２の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップおよび光検出器の構成を示す
断面図である。
ドの半導体レーザーチップおよび光検出器の構成を示す
断面図である。
【図６】本発明の第１および第２の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
【図７】本発明の第１および第２の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
【図８】本発明の第１および第２の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
【図９】本発明の第１および第２の実施例による光ヘッ
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
ドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図であ
る。
【図１０】本発明の第１および第２の実施例による光ヘ
ッドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図で
ある。
ッドの半導体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図で
ある。
【図１１】本発明の第２の実施例による光ヘッドの半導
体レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正面図で
ある。
体レーザーチップおよび光検出器の配置を示す正面図で
ある。
【図１２】図11に示す光ヘッドの半導体レーザーチップ
マウント部のＡ−Ａ断面図である。
マウント部のＡ−Ａ断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施例による光ヘッドの半導
体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図である。
体レーザーチップ周辺の構成を示す断面図である。
【図１４】従来の光ヘッドの斜視図である。
【図１５】従来の全体の光学系の概念図である。
【図１６】図14の光ヘッドの断面図である。
31…半導体基板、 32…半導体レーザーチップ、 33，
34…光検出器、 35…エッチングミラー、 36…透過型
光学素子、 36a…回折格子、 36b…ホログラム、 37
…対物レンズ、 38…ディスク、 39…ワイヤー、 40
…電極面、 41…ワイヤーボンディング部、 42a，42b
…光束、 43…散乱光、 50…対向面、51，101a，101b
…無反射コーティング部、 102a，102b…ドーム状凸
部、 103a，103b…プリズム状凸部、 104a，104b…格
子状凹凸部、 105a，105b…傾斜部、 106…半田層等
のスペーサ、 107a，107b…粗面部。
34…光検出器、 35…エッチングミラー、 36…透過型
光学素子、 36a…回折格子、 36b…ホログラム、 37
…対物レンズ、 38…ディスク、 39…ワイヤー、 40
…電極面、 41…ワイヤーボンディング部、 42a，42b
…光束、 43…散乱光、 50…対向面、51，101a，101b
…無反射コーティング部、 102a，102b…ドーム状凸
部、 103a，103b…プリズム状凸部、 104a，104b…格
子状凹凸部、 105a，105b…傾斜部、 106…半田層等
のスペーサ、 107a，107b…粗面部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 昭男 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−24031（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−35737（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−307760（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−171039（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−90619（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/09 - 7/095 G11B 7/135
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子に近接し、該半導体レ
ーザ素子から出射されるレーザ光束を反射させ光路を偏
向させるミラーで反射された光束が入射せしめられる回
折格子を有し、該回折格子より出射した０次±１次光束
が通過せしめられる偏向光学素子より出射した前記回折
格子の０次および±１次光束を光学式記録媒体に収束せ
しめる対物レンズを有し、前記光学式記録媒体で反射さ
れた前記回折格子の０次および±１次光束が対物レンズ
を通過し前記偏向光学素子に入射され、さらに前記偏向
光学素子で偏向した光束を受光せしめる光検出器を有
し、該光検出器より前記±１次光束に対応した光出力を
得て、該±１次光束それぞれに対応する出力の差に基づ
いてトラッキング誤差信号を得るようにした光ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、 前記光学式記録媒体で反射し、前記対物レンズ，前記偏
向光学素子および前記回折格子を通過する前記±１次光
束の少なくとも一方が、前記ミラーを通過することな
く、前記半導体レーザ素子の前記回折格子に対向する面
に入射し、該入射領域が光を散乱または吸収する領域で
あることを特徴とする光ヘッドのトラッキング誤差検出
装置。 - 【請求項２】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子への電源供給用ワイヤーボンディング部で構成
したことを特徴とする請求項１記載の光ヘッドのトラッ
キング誤差検出装置。 - 【請求項３】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施した無反射コーティング部で構成したこ
とを特徴とする請求項１または２記載の光ヘッドのトラ
ッキング誤差検出装置。 - 【請求項４】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施したドーム状の凸部で構成したことを特
徴とする請求項１記載の光ヘッドのトラッキング誤差検
出装置。 - 【請求項５】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施したプリズム状の凸部で構成したことを
特徴とする請求項１記載の光ヘッドのトラッキング誤差
検出装置。 - 【請求項６】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施した格子状の凹凸部で構成したことを特
徴とする請求項１記載の光ヘッドのトラッキング誤差検
出装置。 - 【請求項７】 前記散乱する領域を、前記半導体レーザ
素子自体の傾斜部で構成したことを特徴とする請求項１
記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。 - 【請求項８】 前記散乱または吸収領域を前記半導体レ
ーザ素子上に施した粗面部で構成したことを特徴とする
請求項１記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。 - 【請求項９】 半導体レーザ素子に近接し、該半導体レ
ーザ素子から出射されるレーザ光束を反射させ光路を偏
向させるミラーで反射された光束が入射せしめられる回
折格子を有し、該回折格子より出射した０次±１次光束
が通過せしめられる偏向光学素子より出射した前記回折
格子の０次および±１次光束を光学式記録媒体に収束せ
しめる対物レンズを有し、前記光学式記録媒体で反射さ
れた前記回折格子の０次および±１次光束が対物レンズ
を通過し前記偏向光学素子に入射され、さらに前記偏向
光学素子で偏向した光束を受光せしめる光検出器を有
し、該光検出器より前記±１次光束に対応した光出力を
得て、該±１次光束それぞれに対応する出力の差に基づ
いてトラッキング誤差信号を得るようにした光ヘッドの
トラッキング誤差検出装置において、 前記光学式記録媒体で反射し、前記対物レンズ，前記偏
向光学素子および前記回折格子を通過する前記±１次光
束の少なくとも一方が、前記ミラーを通過することな
く、前記ミラーを挾んで前記半導体レーザ素子とは反対
側で前記回折格子に対向する面に入射し、該入射領域が
光を散乱または吸収する領域であることを特徴とする光
ヘッドのトラッキング誤差検出装置。 - 【請求項１０】 前記散乱または吸収領域を、前記入射
領域へのワイヤーボンディング部で構成したことを特徴
とする請求項９記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出
装置。 - 【請求項１１】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施した無反射コーティング部で構成したことを特徴
とする請求項９記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出
装置。 - 【請求項１２】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施したドーム状の凸部で構成したことを特徴とする
請求項９記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。 - 【請求項１３】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施したプリズム状の凸部で構成したことを特徴とす
る請求項９記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装
置。 - 【請求項１４】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施した格子状の凹凸部で構成したことを特徴とする
請求項９記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。 - 【請求項１５】 前記散乱する領域を、前記入射領域自
体の傾斜部で構成したことを特徴とする請求項９記載の
光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。 - 【請求項１６】 前記散乱または吸収領域を前記入射領
域に施した粗面部で構成したことを特徴とする請求項９
記載の光ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06050583A JP3108976B2 (ja) | 1993-03-26 | 1994-03-22 | 光ヘッドのトラッキング誤差検出装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-68335 | 1993-03-26 | ||
| JP6833593 | 1993-03-26 | ||
| JP06050583A JP3108976B2 (ja) | 1993-03-26 | 1994-03-22 | 光ヘッドのトラッキング誤差検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333251A JPH06333251A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3108976B2 true JP3108976B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=26391059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06050583A Expired - Fee Related JP3108976B2 (ja) | 1993-03-26 | 1994-03-22 | 光ヘッドのトラッキング誤差検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3108976B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7414949B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001014717A (ja) | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Matsushita Electronics Industry Corp | 光学装置 |
-
1994
- 1994-03-22 JP JP06050583A patent/JP3108976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7414949B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06333251A (ja) | 1994-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6501601B1 (en) | Optical device with diffraction grating having plural grating regions | |
| US5729519A (en) | Optical head including a semiconductor laser having a non-scatter area to diffuse incident light beams | |
| US7064898B1 (en) | Optoelectronic device | |
| KR930007175B1 (ko) | 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출장치 | |
| JP3108976B2 (ja) | 光ヘッドのトラッキング誤差検出装置 | |
| US6810057B1 (en) | Semiconductor device and optical pickup device | |
| JPH07107742B2 (ja) | 光デイスクヘツドのフオーカスずれ検出装置 | |
| KR940004656B1 (ko) | 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출장치 | |
| JP3406974B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2508624B2 (ja) | 光学式ヘツド装置 | |
| US6614743B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| EP0543481B1 (en) | Optical information-reproducing apparatus using separately located photodetector assemblies | |
| JPH10320810A (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| JP4027162B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| KR100544176B1 (ko) | 표면광 레이저 및 이를 채용한 광픽업장치 | |
| JP3122346B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH07262594A (ja) | 光学素子とこれを用いた光学ヘッド | |
| JPH10269613A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPH11316967A (ja) | 受光素子一体型半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置 | |
| JPH01113934A (ja) | ハイブリッド光素子 | |
| JPH05128577A (ja) | 光ピツクアツプ | |
| JPH05314533A (ja) | 光ヘッド | |
| JPH09223325A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH07192299A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH11203707A (ja) | 半導体集積発光装置および光学ピックアップ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |