JP3106846B2 - 半導体チップ実装基板の製造方法 - Google Patents
半導体チップ実装基板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に使用さ
れる半導体チップ実装基板の製造方法に関する。
れる半導体チップ実装基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器は携帯しやすいよう
に、また多くの機能を保有しながら、小形軽量化を達成
するために、ＬＥＤやマイコン等の半導体素子をベアチ
ップの状態で実装することが要求されてきている。また
薄型化された電子機器において電子部品を高密度に実装
するために筐体の曲面や隙間に自由に配線できるフレキ
ジブル回路板（以下、ＦＰＣという）の需要が急増して
いる。
に、また多くの機能を保有しながら、小形軽量化を達成
するために、ＬＥＤやマイコン等の半導体素子をベアチ
ップの状態で実装することが要求されてきている。また
薄型化された電子機器において電子部品を高密度に実装
するために筐体の曲面や隙間に自由に配線できるフレキ
ジブル回路板（以下、ＦＰＣという）の需要が急増して
いる。
【０００３】従来、半導体素子をベアチップの状態で実
装する方法としては金細線（ワイヤ）で半導体ベアチッ
プの電極パッドと回路配線板上の対応する各電極を接続
した後、半導体ベアチップおよび接続部分を樹脂封止す
るワイヤボンディング法（以下、ＷＢ法という）や、ポ
リイミド樹脂よりなる配線板に金バンプを介して半導体
ベアチップの電極パッドと回路配線板の対応する各電極
とを接続した後、半導体ベアチップおよび接続部分を樹
脂封止するＴＡＢ法が一般的に実用化されている。
装する方法としては金細線（ワイヤ）で半導体ベアチッ
プの電極パッドと回路配線板上の対応する各電極を接続
した後、半導体ベアチップおよび接続部分を樹脂封止す
るワイヤボンディング法（以下、ＷＢ法という）や、ポ
リイミド樹脂よりなる配線板に金バンプを介して半導体
ベアチップの電極パッドと回路配線板の対応する各電極
とを接続した後、半導体ベアチップおよび接続部分を樹
脂封止するＴＡＢ法が一般的に実用化されている。
【０００４】また近年では極めて平滑度の高いセラミッ
ク基板を回路配線板としてその上に金バンブを介して半
導体ベアチップの電極パッドと回路配線板の各対応する
電極を加熱融着して接続し、その後に光硬化収縮性の封
止樹脂で電極接着部分を封止する実装方法（以下、ＭＢ
Ｂ法という）や液晶表示板のガラス基板上の透明電極に
半導体ベアチップを直接実装する方法として、半導体ベ
アチップの電極パッドに金バンプを形成しておき、その
金バンプを介して導電性接着剤でガラス基板の各対応す
る電極に接着して接続し、その後に光硬化収縮性の封止
樹脂で電極接着部分を封止する実装方法（以下、ＣＯＢ
法という）がよく知られている。
ク基板を回路配線板としてその上に金バンブを介して半
導体ベアチップの電極パッドと回路配線板の各対応する
電極を加熱融着して接続し、その後に光硬化収縮性の封
止樹脂で電極接着部分を封止する実装方法（以下、ＭＢ
Ｂ法という）や液晶表示板のガラス基板上の透明電極に
半導体ベアチップを直接実装する方法として、半導体ベ
アチップの電極パッドに金バンプを形成しておき、その
金バンプを介して導電性接着剤でガラス基板の各対応す
る電極に接着して接続し、その後に光硬化収縮性の封止
樹脂で電極接着部分を封止する実装方法（以下、ＣＯＢ
法という）がよく知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＷＢ法、ＴＡＢ法、ＭＢＢ法、ＣＯＢ法のいずれの
実装方法においても半導体ベアチップおよびその接続部
分を外部環境から保護するために封止樹脂で封止するこ
とが必要であった。ＷＢ法、ＴＡＢ法の場合、封止樹脂
の硬化時の体積収縮が内部ストレスとして残存し、接続
信頼性に悪影響を及ぼすという課題があった。そのため
封止樹脂の材料物性の選定や硬化条件の微妙な管理を必
要としていた。
来のＷＢ法、ＴＡＢ法、ＭＢＢ法、ＣＯＢ法のいずれの
実装方法においても半導体ベアチップおよびその接続部
分を外部環境から保護するために封止樹脂で封止するこ
とが必要であった。ＷＢ法、ＴＡＢ法の場合、封止樹脂
の硬化時の体積収縮が内部ストレスとして残存し、接続
信頼性に悪影響を及ぼすという課題があった。そのため
封止樹脂の材料物性の選定や硬化条件の微妙な管理を必
要としていた。
【０００６】さらに封止樹脂は内部にストレスを残存さ
せないように長い時間をかけてゆっくり硬化させる必要
があるため生産性が悪いという課題があった。ＭＢＢ
法、ＣＯＢ法は実装する回路基板の平滑度が極めて高度
に要求され、かつ回路基板と半導体ベアチップの熱膨張
係数を近似させることが必要であり、結果的に高価にな
るという課題があった。
せないように長い時間をかけてゆっくり硬化させる必要
があるため生産性が悪いという課題があった。ＭＢＢ
法、ＣＯＢ法は実装する回路基板の平滑度が極めて高度
に要求され、かつ回路基板と半導体ベアチップの熱膨張
係数を近似させることが必要であり、結果的に高価にな
るという課題があった。
【０００７】一方、より薄型軽量でかつ筐体の曲面や隙
間に自由に配線できる可能性を有するＦＰＣへの半導体
ベアチップの実装は基板の平滑度や熱膨張係数からＭＢ
Ｂ法、ＣＯＢ法は適用できない。ＷＢ法、ＴＡＢ法はＦ
ＰＣへの適用は可能であるが封止樹脂の厚さを厳密に一
定化することは困難であり、前記したような課題を同様
に有するものである。
間に自由に配線できる可能性を有するＦＰＣへの半導体
ベアチップの実装は基板の平滑度や熱膨張係数からＭＢ
Ｂ法、ＣＯＢ法は適用できない。ＷＢ法、ＴＡＢ法はＦ
ＰＣへの適用は可能であるが封止樹脂の厚さを厳密に一
定化することは困難であり、前記したような課題を同様
に有するものである。
【０００８】本発明は上記課題を解決するものであり、
樹脂封止を必要とせず、安定した接続信頼性を得ること
ができる半導体チップ実装基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
樹脂封止を必要とせず、安定した接続信頼性を得ること
ができる半導体チップ実装基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、絶縁基体上に形成した第一の導電回路パタ
ーンの一部を除いて絶縁レジストでオーバーコートした
後、前記第一の導電回路パターンの一部に異方性導電接
着剤または導電性接着剤により半導体チップの片面に設
けられた電極を接着した第一の回路配線板と、他の絶縁
基体上に前記第一の回路配線板と対向させたときに前記
半導体チップのもう一方の片面上の各電極パッドに相当
する位置を少なくとも含む第二の導電回路パターンを形
成した後前記半導体チップのもう一方の片面の電極パッ
ドの相当する位置を除いて絶縁レジストでオーバーコー
トした第二の回路配線板とを対向させて、少なくとも前
記半導体チップ周辺部の前記絶縁レジストを前記半導体
チップを挟み込むように加圧加熱して接着させて前記第
二の導電回路パターンと前記半導体チップのもう一方の
片面の電極パッドとを接続させるものである。
に本発明は、絶縁基体上に形成した第一の導電回路パタ
ーンの一部を除いて絶縁レジストでオーバーコートした
後、前記第一の導電回路パターンの一部に異方性導電接
着剤または導電性接着剤により半導体チップの片面に設
けられた電極を接着した第一の回路配線板と、他の絶縁
基体上に前記第一の回路配線板と対向させたときに前記
半導体チップのもう一方の片面上の各電極パッドに相当
する位置を少なくとも含む第二の導電回路パターンを形
成した後前記半導体チップのもう一方の片面の電極パッ
ドの相当する位置を除いて絶縁レジストでオーバーコー
トした第二の回路配線板とを対向させて、少なくとも前
記半導体チップ周辺部の前記絶縁レジストを前記半導体
チップを挟み込むように加圧加熱して接着させて前記第
二の導電回路パターンと前記半導体チップのもう一方の
片面の電極パッドとを接続させるものである。
【００１０】
【作用】したがって本発明によれば、第二の回路配線板
と半導体チップの各電極の電気的接続が基本的に圧接に
よってなされるために従来方法のように回路配線板の絶
縁基体と半導体チップの熱膨張率を厳密に合わせなくて
も常に圧接状態となり高い信頼性を得ることができる。
と半導体チップの各電極の電気的接続が基本的に圧接に
よってなされるために従来方法のように回路配線板の絶
縁基体と半導体チップの熱膨張率を厳密に合わせなくて
も常に圧接状態となり高い信頼性を得ることができる。
【００１１】また、回路配線板と半導体チップの各電極
を接合した後の樹脂封止の必要性がないために内部応力
による障害を受けず接続信頼性を向上することができ、
さらに製造工程を極めて短縮することが可能となる。
を接合した後の樹脂封止の必要性がないために内部応力
による障害を受けず接続信頼性を向上することができ、
さらに製造工程を極めて短縮することが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例における半導体チッ
プ実装基板の製造方法について図面を参照しながら説明
する。図１（ａ），（ｂ）および（ｃ）は本発明の一実
施例における半導体チップの実装方法を示す概略断面図
であり、（ａ）は第１の回路配線板、（ｂ）は第２の回
路配線板、（ｃ）は第１の回路配線板と第２の回路配線
板を貼り合わせた半導体チップ実装基板を示す。
プ実装基板の製造方法について図面を参照しながら説明
する。図１（ａ），（ｂ）および（ｃ）は本発明の一実
施例における半導体チップの実装方法を示す概略断面図
であり、（ａ）は第１の回路配線板、（ｂ）は第２の回
路配線板、（ｃ）は第１の回路配線板と第２の回路配線
板を貼り合わせた半導体チップ実装基板を示す。
【００１３】図１（ａ）に示すように、絶縁基体１上に
形成された第一の導電回路パターン２ａ，２ｂ，２ｃの
一部を露出させて絶縁レジスト３でオーバーコートし、
導電回路パターン２ａの露出部に導電性接着剤４を塗布
し、半導体チップ５の片面に設けられた電極を接着して
第一の回路配線板を形成する。
形成された第一の導電回路パターン２ａ，２ｂ，２ｃの
一部を露出させて絶縁レジスト３でオーバーコートし、
導電回路パターン２ａの露出部に導電性接着剤４を塗布
し、半導体チップ５の片面に設けられた電極を接着して
第一の回路配線板を形成する。
【００１４】つぎに図１（ｂ）に示すように、絶縁基体
６上に、第一の回路配線板と対向させたときに半導体チ
ップ５のもう一方の片面に設けられている電極パッド５
ｃ，５ｄに相当する位置７ｃ，７ｄを少なくとも含む第
二の導電回路パターン７ａ，７ｂを形成し、半導体チッ
プ５のもう一方の片面上の電極パッド５ｃ，５ｄに相当
する導電回路パターン７ａ，７ｂのそれぞれの位置７
ｃ，７ｄを少なくとも露出させて絶縁レジスト８をオー
バーコートした第二の回路配線板を形成する。なお、本
実施例において絶縁基体６はフレキシブル性を有するも
のを使用したが、本発明の第一の回路配線板および第二
の回路配線板のそれぞれ絶縁基体１および６は両方と
も、またはいずれか一方がフレキシブル性を有するもの
を使用することができ、かつ絶縁レジスト３および８は
両方またはそのいずれか一方が熱可塑性を有する接着剤
または熱硬化性を有する接着剤を用いることができる。
６上に、第一の回路配線板と対向させたときに半導体チ
ップ５のもう一方の片面に設けられている電極パッド５
ｃ，５ｄに相当する位置７ｃ，７ｄを少なくとも含む第
二の導電回路パターン７ａ，７ｂを形成し、半導体チッ
プ５のもう一方の片面上の電極パッド５ｃ，５ｄに相当
する導電回路パターン７ａ，７ｂのそれぞれの位置７
ｃ，７ｄを少なくとも露出させて絶縁レジスト８をオー
バーコートした第二の回路配線板を形成する。なお、本
実施例において絶縁基体６はフレキシブル性を有するも
のを使用したが、本発明の第一の回路配線板および第二
の回路配線板のそれぞれ絶縁基体１および６は両方と
も、またはいずれか一方がフレキシブル性を有するもの
を使用することができ、かつ絶縁レジスト３および８は
両方またはそのいずれか一方が熱可塑性を有する接着剤
または熱硬化性を有する接着剤を用いることができる。
【００１５】つぎに上記のように構成した第一の回路配
線板（ａ）および第二の回路配線板（ｂ）を対向させ、
図１（ｃ）に示すように少なくとも半導体チップ５の周
辺部の絶縁レジスト３および８を半導体チップ５を挟み
込むように加圧加熱して接着させて第二の導電回路パタ
ーン７ｃ，７ｄと半導体チップ５の電極パッド５ｃ，５
ｄを圧接させる。
線板（ａ）および第二の回路配線板（ｂ）を対向させ、
図１（ｃ）に示すように少なくとも半導体チップ５の周
辺部の絶縁レジスト３および８を半導体チップ５を挟み
込むように加圧加熱して接着させて第二の導電回路パタ
ーン７ｃ，７ｄと半導体チップ５の電極パッド５ｃ，５
ｄを圧接させる。
【００１６】第二の導電回路パターン７ａ，７ｂの一端
は、異方性導電接着剤９、または圧接によって第一の導
電回路パターン２ｂに接続され、配線回路の外部への導
出は第一の導電回路パターン２ｂを用いて行うことがで
きる。なお、異方性導電接着剤９に代えて半田または導
電接着剤を使用することも可能である。
は、異方性導電接着剤９、または圧接によって第一の導
電回路パターン２ｂに接続され、配線回路の外部への導
出は第一の導電回路パターン２ｂを用いて行うことがで
きる。なお、異方性導電接着剤９に代えて半田または導
電接着剤を使用することも可能である。
【００１７】半導体チップ５がＬＥＤの場合は第二の回
路配線板の絶縁基体６を透明または半透明とし、絶縁レ
ジスト３および８をなくすかまたは絶縁レジスト３およ
び８も透明または半透明とすることにより照光が可能で
あり、さらに図２に示すように第二の回路配線板の絶縁
基体６にＬＥＤを中心として凹凸部１０を形成すること
により効率的な光の拡散を得ることができ、第二の回路
配線板にＬＥＤの接続、物理的保護および光の拡散照光
等、多くの機能を一括して持たせることが可能となる。
路配線板の絶縁基体６を透明または半透明とし、絶縁レ
ジスト３および８をなくすかまたは絶縁レジスト３およ
び８も透明または半透明とすることにより照光が可能で
あり、さらに図２に示すように第二の回路配線板の絶縁
基体６にＬＥＤを中心として凹凸部１０を形成すること
により効率的な光の拡散を得ることができ、第二の回路
配線板にＬＥＤの接続、物理的保護および光の拡散照光
等、多くの機能を一括して持たせることが可能となる。
【００１８】半導体チップ５の形状が大きい場合は物理
的補強のため第一または第二の回路配線板の裏面に補強
板（図示せず）を貼り付けるか第二の回路配線板の絶縁
基体６の剛性を第一の回路配線板の剛性より高く設定す
ることが半導体チップ５の各電極パッドと第二の回路基
板の対応する各電極の接続安定化のために望ましい。さ
らに高い接続信頼性を確保するために、半導体チップ５
の各電極パッド材料として金を使用するかまたは金メッ
キ、金ワイヤ線の超音波加熱融着等の方法により金バン
プを設けるか、第二の回路配線板の対応する電極位置に
半導体チップ５と同様の方法により金バンプを設ける
か、または金レジン系ペーストをスクリーン印刷等によ
り金−レジンバンプを形成することが可能である。
的補強のため第一または第二の回路配線板の裏面に補強
板（図示せず）を貼り付けるか第二の回路配線板の絶縁
基体６の剛性を第一の回路配線板の剛性より高く設定す
ることが半導体チップ５の各電極パッドと第二の回路基
板の対応する各電極の接続安定化のために望ましい。さ
らに高い接続信頼性を確保するために、半導体チップ５
の各電極パッド材料として金を使用するかまたは金メッ
キ、金ワイヤ線の超音波加熱融着等の方法により金バン
プを設けるか、第二の回路配線板の対応する電極位置に
半導体チップ５と同様の方法により金バンプを設ける
か、または金レジン系ペーストをスクリーン印刷等によ
り金−レジンバンプを形成することが可能である。
【００１９】第一および第二の回路配線板間には部分的
に微小な隙間が生じるため使用する絶縁基体１および６
として透湿性のない、または透湿性の低い材料を使用す
ることが必要である。
に微小な隙間が生じるため使用する絶縁基体１および６
として透湿性のない、または透湿性の低い材料を使用す
ることが必要である。
【００２０】第一および第二の回路配線板の接着は前記
したように加圧加熱によって行われるものであり、第一
および第二の回路配線板の絶縁レジスト３および８が両
方ともに加圧加熱により接着性を有する材料である必然
性はなく、そのいずれか一方が加圧加熱により接着性を
有する材料であり、他方はレジストがないかまたは加圧
加熱による接着性を有しない材料であってもよい。加圧
加熱条件は使用する絶縁レジスト材料または絶縁基体材
料によって異なるが、直接加熱する場合一般に少なくと
も１００℃以上で２〜１０秒間以上加熱することが接着
後の信頼性を確保するために必要である。加熱時間は超
音波加熱または高周波誘導加熱を適用することにより
０．０５〜１秒以内に短縮することも可能である。
したように加圧加熱によって行われるものであり、第一
および第二の回路配線板の絶縁レジスト３および８が両
方ともに加圧加熱により接着性を有する材料である必然
性はなく、そのいずれか一方が加圧加熱により接着性を
有する材料であり、他方はレジストがないかまたは加圧
加熱による接着性を有しない材料であってもよい。加圧
加熱条件は使用する絶縁レジスト材料または絶縁基体材
料によって異なるが、直接加熱する場合一般に少なくと
も１００℃以上で２〜１０秒間以上加熱することが接着
後の信頼性を確保するために必要である。加熱時間は超
音波加熱または高周波誘導加熱を適用することにより
０．０５〜１秒以内に短縮することも可能である。
【００２１】（実施例１）つぎに図２を用いて本発明の
第一の実施例についてさらに詳しく説明する。
第一の実施例についてさらに詳しく説明する。
【００２２】厚さ７５μｍのポリ塩化ビニリデン（ＰＶ
ＤＣ）コート２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムよりなる絶縁基体１に銀レジン系ペースト（東洋紡
製ＤＷ−２５０Ｈ）により所定パターンの第一の導電回
路パターン２をスクリーン印刷形成し、１５０℃のＩＲ
炉で２分間乾燥した。次いでＬＥＤチップ５を配置する
部分および外部導出用テール部分を除いて加熱接着性の
絶縁レジスト３（藤倉化成製ＸＢ−８０４）を同様に形
成した後、導電性接着剤４（藤倉化成製ＦＡ−７０７）
を塗布し、ＬＥＤチップ５を接着、１５０℃の温度で１
０分間乾燥して第一の回路配線板を作製した。
ＤＣ）コート２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムよりなる絶縁基体１に銀レジン系ペースト（東洋紡
製ＤＷ−２５０Ｈ）により所定パターンの第一の導電回
路パターン２をスクリーン印刷形成し、１５０℃のＩＲ
炉で２分間乾燥した。次いでＬＥＤチップ５を配置する
部分および外部導出用テール部分を除いて加熱接着性の
絶縁レジスト３（藤倉化成製ＸＢ−８０４）を同様に形
成した後、導電性接着剤４（藤倉化成製ＦＡ−７０７）
を塗布し、ＬＥＤチップ５を接着、１５０℃の温度で１
０分間乾燥して第一の回路配線板を作製した。
【００２３】つぎに厚さ３００μｍのアクリル板よりな
る絶縁基体６上のＬＥＤチップ５の電極対応位置を含む
所定パターンを銀レジン系ペースト（同上）により第二
の導電回路７を印刷形成し、ＬＥＤチップ５の電極対応
位置を除いて絶縁レジスト８を印刷形成した。さらにＬ
ＥＤチップ５の周囲の第二の導電回路７を除く部分にピ
ッチ１００μｍ、断面角度３０度の連続的な凹凸部１０
を設けた第二の回路配線板を作製した。
る絶縁基体６上のＬＥＤチップ５の電極対応位置を含む
所定パターンを銀レジン系ペースト（同上）により第二
の導電回路７を印刷形成し、ＬＥＤチップ５の電極対応
位置を除いて絶縁レジスト８を印刷形成した。さらにＬ
ＥＤチップ５の周囲の第二の導電回路７を除く部分にピ
ッチ１００μｍ、断面角度３０度の連続的な凹凸部１０
を設けた第二の回路配線板を作製した。
【００２４】つぎに第一および第二の回路配線板を対向
させてＬＥＤチップ５の周囲を圧力１５kgｆ／cm2、温
度１５０℃で４秒間加圧加熱し、接着させた。
させてＬＥＤチップ５の周囲を圧力１５kgｆ／cm2、温
度１５０℃で４秒間加圧加熱し、接着させた。
【００２５】このように作製した試料の接続信頼性を確
認するため、 ｉ）８５℃高温槽内１０００時間、 ii）６０℃９０〜９５％ＲＨ高温高湿槽中１０００時
間、 iii）８５℃１時間、−４０℃１時間を１サイクルとし
て５００サイクル中に、それぞれ放置した後、ＬＥＤの
輝度、ＶＦ特性を測定したがいずれも異常はなかった。
また第二の回路配線板に連続的な凹凸部１０を設けない
ものに比較して輝度は３０％向上した。
認するため、 ｉ）８５℃高温槽内１０００時間、 ii）６０℃９０〜９５％ＲＨ高温高湿槽中１０００時
間、 iii）８５℃１時間、−４０℃１時間を１サイクルとし
て５００サイクル中に、それぞれ放置した後、ＬＥＤの
輝度、ＶＦ特性を測定したがいずれも異常はなかった。
また第二の回路配線板に連続的な凹凸部１０を設けない
ものに比較して輝度は３０％向上した。
【００２６】（実施例２）つぎに図３を用いて本発明の
第二の実施例について説明する。
第二の実施例について説明する。
【００２７】厚さ３５μｍの銅箔貼り２５μｍ厚ポリイ
ミドフィルムよりなる絶縁基体１の電極ランド部分に導
電性接着剤（藤倉化成製ＳＡ−０４２６）を塗布して第
一の導電回路２ａを形成し、その上にマイコンチップ５
を接着した状態で２００℃、３０秒間硬化させて第一の
回路配線板を作製した。なお、マイコンチップ５および
その他の部品実装部分を除いて絶縁レジスト３（四国化
成製ＣＦ−３０Ｇ）をオーバーコートした。またマイコ
ンチップ５の電極パッドにはあらかじめ金バンプ１１を
形成しておいた。
ミドフィルムよりなる絶縁基体１の電極ランド部分に導
電性接着剤（藤倉化成製ＳＡ−０４２６）を塗布して第
一の導電回路２ａを形成し、その上にマイコンチップ５
を接着した状態で２００℃、３０秒間硬化させて第一の
回路配線板を作製した。なお、マイコンチップ５および
その他の部品実装部分を除いて絶縁レジスト３（四国化
成製ＣＦ−３０Ｇ）をオーバーコートした。またマイコ
ンチップ５の電極パッドにはあらかじめ金バンプ１１を
形成しておいた。
【００２８】つぎに厚さ０．６mmの４層配線銅貼りガラ
スエポキシ積層基板よりなる絶縁基体６のマイコンチッ
プ５の電極対応位置にニッケル下地金メッキよりなる第
二の導電回路パターン７ａ，７ｂを形成し、マイコンチ
ップ５の電極対応位置を除いて（表１）に示す加熱接着
性の絶縁レジスト８を印刷形成して第二の回路配線板を
作製した。
スエポキシ積層基板よりなる絶縁基体６のマイコンチッ
プ５の電極対応位置にニッケル下地金メッキよりなる第
二の導電回路パターン７ａ，７ｂを形成し、マイコンチ
ップ５の電極対応位置を除いて（表１）に示す加熱接着
性の絶縁レジスト８を印刷形成して第二の回路配線板を
作製した。
【００２９】つぎに第一および第二の回路配線板を対向
させてマイコンチップ５の周囲を圧力１５kgｆ／cm2、
温度１９０℃で４秒間加圧加熱し、接着させた。さらに
本実施例ではマイコンチップ５の形状が大きいため、絶
縁基体６のマイコンチップ５の位置に相当する裏面に接
着剤１２を介して補強板１３を貼り付けて接続信頼性を
向上させている。
させてマイコンチップ５の周囲を圧力１５kgｆ／cm2、
温度１９０℃で４秒間加圧加熱し、接着させた。さらに
本実施例ではマイコンチップ５の形状が大きいため、絶
縁基体６のマイコンチップ５の位置に相当する裏面に接
着剤１２を介して補強板１３を貼り付けて接続信頼性を
向上させている。
【００３０】このように作製した試料の接続信頼性を確
認するため、 ｉ）８５℃高温槽内１０００時間、 ii）６０℃９０〜９５％ＲＨ高温高湿槽中１０００時
間、 iii）８５℃１時間、−４０℃１時間を１サイクルとし
て５００サイクル中に、それぞれ放置した後、マイコン
の動作状態を確認した結果、いずれの試験環境条件下に
おいて異常は発生しなかった。
認するため、 ｉ）８５℃高温槽内１０００時間、 ii）６０℃９０〜９５％ＲＨ高温高湿槽中１０００時
間、 iii）８５℃１時間、−４０℃１時間を１サイクルとし
て５００サイクル中に、それぞれ放置した後、マイコン
の動作状態を確認した結果、いずれの試験環境条件下に
おいて異常は発生しなかった。
【００３１】
【表１】
【００３２】（実施例３）実施例１における第一および
第二の回路配線板を対向させて加圧加熱し接着する代わ
りに超音波ホーンで３５kgｆ／cm2加圧し、２０ｋHzで
０．２秒間超音波加熱溶着して第三の実施例を作製した
が、本試料においても実施例１と同じ信頼性を得ること
ができた。
第二の回路配線板を対向させて加圧加熱し接着する代わ
りに超音波ホーンで３５kgｆ／cm2加圧し、２０ｋHzで
０．２秒間超音波加熱溶着して第三の実施例を作製した
が、本試料においても実施例１と同じ信頼性を得ること
ができた。
【００３３】（実施例４）実施例２において、マイコン
チップ５の電極パッドとして金バンプは形成せず、金蒸
着とし、また第二の回路配線板の対応する電極位置に
（表２）に示す金ペーストをスクリーン印刷して１８０
℃、３分間乾燥した。乾燥状態では膜厚３０μｍであっ
たがこの試料を実施例２と同様に加圧加熱接着し、特性
を測定したところ同様の信頼性を得ることができた。
チップ５の電極パッドとして金バンプは形成せず、金蒸
着とし、また第二の回路配線板の対応する電極位置に
（表２）に示す金ペーストをスクリーン印刷して１８０
℃、３分間乾燥した。乾燥状態では膜厚３０μｍであっ
たがこの試料を実施例２と同様に加圧加熱接着し、特性
を測定したところ同様の信頼性を得ることができた。
【００３４】
【表２】
【００３５】
【発明の効果】上記実施例より明らかなように本発明に
よれば、半導体部品の物理的保護のための樹脂封止を行
う必要がなく、そのため封止樹脂の内部ストレスによる
半導体部品への障害もなく短時間に接続作業を行うこと
が可能となる。さらに第二の回路配線板との接続が圧接
によるものであるため導体部品と絶縁基体の熱膨張率を
厳密に合わせる必要がなく、安定した接続信頼性を得る
ことができる。
よれば、半導体部品の物理的保護のための樹脂封止を行
う必要がなく、そのため封止樹脂の内部ストレスによる
半導体部品への障害もなく短時間に接続作業を行うこと
が可能となる。さらに第二の回路配線板との接続が圧接
によるものであるため導体部品と絶縁基体の熱膨張率を
厳密に合わせる必要がなく、安定した接続信頼性を得る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例における半導体チップ実装基
板の製造方法を示す部分断面図
板の製造方法を示す部分断面図
【図２】本発明の第一の実施例の半導体チップ実装基板
の製造方法によって作製された半導体チップ実装基板の
部分断面図
の製造方法によって作製された半導体チップ実装基板の
部分断面図
【図３】同第二の実施例の製造方法によって作製された
半導体チップ実装基板の部分断面図
半導体チップ実装基板の部分断面図
１ 絶縁基体 ２ａ，２ｂ，２ｃ 第一の導電回路パターン ３ 絶縁レジスト ４ 導電性接着剤 ５ マイコンチップ（半導体チップ） ６ 他の絶縁基体 ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ 第二の導電回路パターン ８ 絶縁レジスト ９ 異方性導電接着剤
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−369846（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−198694（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−43871（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−73559（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151635（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94861（ＪＰ，Ａ) 実開 昭52−159163（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−110469（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−6867（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/00 H01L 23/12 H01L 21/60
Claims (12)
- 【請求項１】 絶縁基体上に形成した第一の導電回路パ
ターンの一部を除いて絶縁レジストでオーバーコートし
た後、前記第一の導電回路パターンの一部に異方性導電
接着剤または導電性接着剤により半導体チップの片面に
設けられた電極を接着した第一の回路配線板と、他の絶
縁基体上に前記第一の回路配線板と対向させたときに前
記半導体チップのもう一方の片面上の各電極パッドに相
当する位置を少なくとも含む第二の導電回路パターンを
形成した後、前記半導体チップのもう一方の片面の電極
パッドの相当する位置を除いて絶縁レジストでオーバー
コートした第二の回路配線板とを対向させて、少なくと
も前記半導体チップ周辺部の前記絶縁レジストを前記半
導体チップを挟み込むように加圧加熱して接着させて前
記第二の導電回路パターンと前記半導体チップのもう一
方の片面の電極パッドとを接続させる半導体チップ実装
基板の製造方法。 - 【請求項２】 絶縁基体または他の絶縁基体の少なくと
もいずれか一方が可撓性を有する絶縁基体である請求項
１記載の半導体チップ実装基板の製造方法。 - 【請求項３】 絶縁基体または他の絶縁基体がポリ塩化
ビニリデンコート２軸延伸ポリエチレンテレフタレート
またはアクリルよりなる絶縁基体または他の絶縁基体で
ある請求項１記載の半導体チップ実装基板の製造方法。 - 【請求項４】 第一の導電回路パターンをオーバーコー
トするための絶縁レジストまたは第二の導電回路パター
ンをオーバーコートするための絶縁レジストの少なくと
もいずれか一方が加熱接着性を有する絶縁レジストであ
る請求項１記載の半導体チップ実装基板の製造方法。 - 【請求項５】 異方性導電接着剤または導電性接着剤に
代えて半田または圧接により第一の導電回路パターンの
一部と半導体チップの片面に設けられた電極とを接続す
る請求項１記載の半導体チップ実装基板の製造方法。 - 【請求項６】 半導体チップがＬＥＤであり、少なくと
も第二の回路配線板を形成する他の絶縁基体および絶縁
レジストが透明または半透明である請求項１，２，３，
４または５記載の半導体チップ実装基板の製造方法。 - 【請求項７】 第二の導電回路パターンと接続する半導
体チップの電極パッドが金よりなる電極パッドである
か、または前記電極パッド上に金バンプを形成した電極
パッドである請求項１記載の半導体チップ実装基板の製
造方法。 - 【請求項８】 半導体チップの電極パッドと接続する第
二の導電回路パターン上に金バンプを形成するか、また
は金粉−レジン系の導電ペーストでパターン印刷して金
−レジンバンプを形成する請求項１記載の半導体チップ
実装基板の製造方法。 - 【請求項９】 加圧加熱に超音波または高周波を用いる
請求項１記載の半導体チップ実装基板の製造方法。 - 【請求項１０】 第一または第二の回路配線板の絶縁基
体の裏面に補強板を貼り付けた請求項１記載の半導体チ
ップ実装基板の製造方法。 - 【請求項１１】 ＬＥＤ周辺部の第二の回路配線板の表
面に連続的な凹凸部を形成した請求項５記載の半導体チ
ップ実装基板の製造方法。 - 【請求項１２】 第一の回路配線板を構成する絶縁基体
の剛性より第二の回路配線板を構成する絶縁基体の剛性
を高くした請求項１記載の半導体チップ実装基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9129994A JP3106846B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体チップ実装基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9129994A JP3106846B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体チップ実装基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297317A JPH07297317A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3106846B2 true JP3106846B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=14022598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9129994A Expired - Fee Related JP3106846B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体チップ実装基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3106846B2 (ja) |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP9129994A patent/JP3106846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07297317A (ja) | 1995-11-10 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |