JP3100232B2 - 高周波用電子部品の信号線路 - Google Patents
高周波用電子部品の信号線路Info
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用電子部品の信
号線路、特に１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を伝送損失
少なく効率良く伝えることのできる高周波用電子部品の
信号線路（以下、高周波用信号線路という）に関する。
号線路、特に１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を伝送損失
少なく効率良く伝えることのできる高周波用電子部品の
信号線路（以下、高周波用信号線路という）に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記高周波用信号線路として、図５と図
６に示したような信号線路がある。
６に示したような信号線路がある。
【０００３】この信号線路は、セラミック等からなる誘
電体層１０を複数（図では、４層としている）積層して
形成した基板１２に、メタライズ等の導体ポールからな
るヴィア（以下、ヴィアという）２０を基板１２を上下
に貫いて備えて、そのヴィア２０を高速信号を伝える高
周波用信号線路に形成している。
電体層１０を複数（図では、４層としている）積層して
形成した基板１２に、メタライズ等の導体ポールからな
るヴィア（以下、ヴィアという）２０を基板１２を上下
に貫いて備えて、そのヴィア２０を高速信号を伝える高
周波用信号線路に形成している。
【０００４】それと共に、基板１２の複数の誘電体層１
０間にヴィア２０を囲むメタライズ等からなるグランド
プレーン３０を、図６に破線で示したように、ヴィア２
０と円形状の間隔あけてそれぞれ広く層状に備えてい
る。そして、その複数の誘電体層１０間に備えたグラン
ドプレーン３０により、ヴィア２０からなる高周波用信
号線路を擬似同軸線路構造としていて、そのヴィア２０
からなる高周波用信号線路の特性インピーダンスを一定
値の５０Ω等にマッチングさせている。
０間にヴィア２０を囲むメタライズ等からなるグランド
プレーン３０を、図６に破線で示したように、ヴィア２
０と円形状の間隔あけてそれぞれ広く層状に備えてい
る。そして、その複数の誘電体層１０間に備えたグラン
ドプレーン３０により、ヴィア２０からなる高周波用信
号線路を擬似同軸線路構造としていて、そのヴィア２０
からなる高周波用信号線路の特性インピーダンスを一定
値の５０Ω等にマッチングさせている。
【０００５】基板１２上面とその下面とには、それぞれ
互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に
延びるメタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２
４を備えている。そして、その信号線路２２、２４を基
板１２上部とその下部との誘電体層１０間に広く備えた
グランドプレーン３０によりマイクロストリップ線路構
造としていて、その信号線路２２、２４の特性インピー
ダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に
延びるメタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２
４を備えている。そして、その信号線路２２、２４を基
板１２上部とその下部との誘電体層１０間に広く備えた
グランドプレーン３０によりマイクロストリップ線路構
造としていて、その信号線路２２、２４の特性インピー
ダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【０００６】基板１２上下面の信号線路２２、２４の内
端は、それぞれ基板１２上面とその下面とに露出したヴ
ィア２０上端とその下端とに接続している。
端は、それぞれ基板１２上面とその下面とに露出したヴ
ィア２０上端とその下端とに接続している。
【０００７】そして、擬似同軸線路構造としたヴィア２
０とそれに接続したマイクロストリップ線路構造とした
信号線路２２、２４とを連ねてなる高周波用信号線路を
高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができる
ようにしている。
０とそれに接続したマイクロストリップ線路構造とした
信号線路２２、２４とを連ねてなる高周波用信号線路を
高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができる
ようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記高
周波用信号線路においては、ヴィア２０上端とその下端
とに接続した信号線路２２、２４の内端と、マイクロス
トリップ線路構造とした信号線路２２、２４との間を接
続する中間信号線路部分（以下、中間信号線路部分とい
う）２２ａ、２４ａの下方又はその上方の基板１２の誘
電体層１０間には、グランドプレーンを備えておらず、
その中間信号線路部分２２ａ、２４ａをマイクロストリ
ップ線路構造として、その中間信号線路部分２２ａ、２
４ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチ
ングさせていなかった。
周波用信号線路においては、ヴィア２０上端とその下端
とに接続した信号線路２２、２４の内端と、マイクロス
トリップ線路構造とした信号線路２２、２４との間を接
続する中間信号線路部分（以下、中間信号線路部分とい
う）２２ａ、２４ａの下方又はその上方の基板１２の誘
電体層１０間には、グランドプレーンを備えておらず、
その中間信号線路部分２２ａ、２４ａをマイクロストリ
ップ線路構造として、その中間信号線路部分２２ａ、２
４ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチ
ングさせていなかった。
【０００９】そのため、ヴィア２０とそれに接続した基
板１２上下面の信号線路２２、２４とからなる高周波用
信号線路に高速信号を伝えた場合に、上記中間信号線路
部分２２ａ、２４ａを伝わる高速信号の伝送損失が大き
くて、その高周波用信号線路を高速信号を伝送損失少な
く効率良く伝えることができなかった。このことは特
に、上記高周波用信号線路を１０ＧＨｚ以上等の超高速
信号を伝えた場合に顕著であった。
板１２上下面の信号線路２２、２４とからなる高周波用
信号線路に高速信号を伝えた場合に、上記中間信号線路
部分２２ａ、２４ａを伝わる高速信号の伝送損失が大き
くて、その高周波用信号線路を高速信号を伝送損失少な
く効率良く伝えることができなかった。このことは特
に、上記高周波用信号線路を１０ＧＨｚ以上等の超高速
信号を伝えた場合に顕著であった。
【００１０】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、上記中間信号線路部分を縮めて、高速信号を
伝送損失少なく効率良く伝えることのできるようにし
た、高周波用信号線路を提供しようとするものである。
たもので、上記中間信号線路部分を縮めて、高速信号を
伝送損失少なく効率良く伝えることのできるようにし
た、高周波用信号線路を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の高周波用信号線路は、誘電体からな
る基板に該基板を上下に貫くヴィアを備えると共に、そ
のヴィア周囲の誘電体からなる基板にヴィアを円形状又
はそれに近い形状の間隔をあけて囲む複数のグランドプ
レーンを上下に所定間隔あけて並べて備えて、前記ヴィ
アを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記基板上面とその
下面とに備えた互いに逆方向に延びる信号線路をそれぞ
れ基板上部とその下部とに備えた前記グランドプレーン
によりマイクロストリップ線路構造とすると共に、その
基板の上下面の信号線路の内端をそれぞれ前記ヴィア上
端とその下端とに接続してなる高周波用電子部品の信号
線路において、前記複数のグランドプレーンを、そのヴ
ィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに
従い前記基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号
線路の逆側へとヴィアに対して階段状に順に偏心させて
配置したことを特徴としている。
に、本発明の第１の高周波用信号線路は、誘電体からな
る基板に該基板を上下に貫くヴィアを備えると共に、そ
のヴィア周囲の誘電体からなる基板にヴィアを円形状又
はそれに近い形状の間隔をあけて囲む複数のグランドプ
レーンを上下に所定間隔あけて並べて備えて、前記ヴィ
アを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記基板上面とその
下面とに備えた互いに逆方向に延びる信号線路をそれぞ
れ基板上部とその下部とに備えた前記グランドプレーン
によりマイクロストリップ線路構造とすると共に、その
基板の上下面の信号線路の内端をそれぞれ前記ヴィア上
端とその下端とに接続してなる高周波用電子部品の信号
線路において、前記複数のグランドプレーンを、そのヴ
ィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに
従い前記基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号
線路の逆側へとヴィアに対して階段状に順に偏心させて
配置したことを特徴としている。
【００１２】本発明の第２の高周波用信号線路は、誘電
体からなる基板に該基板を上下方向に貫くヴィアを備え
ると共に、そのヴィア周囲の誘電体からなる基板にヴィ
アを円形状又はそれに近い形状の間隔をあけて囲む複数
のグランドプレーンを上下に所定間隔あけて並べて備え
て、前記ヴィアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記基
板上面とその下面とに備えた互いに逆方向に延びる信号
線路をそれぞれ基板上部とその下部とに備えた前記グラ
ンドプレーンによりマイクロストリップ線路構造とする
と共に、その基板の上下面の信号線路の内端をそれぞれ
前記ヴィア上端とその下端とに接続してなる高周波用電
子部品の信号線路において、前記ヴィア周囲を囲む複数
のグランドプレーンを、その内周縁が上方から見て互い
に上下に重なり合うように配置し、前記ヴィアの上端
が、基板上面に備えた信号線路の内端側に位置する基板
上部のグランドプレーンの内周縁部分に接近して配置さ
れると共に、前記ヴィアの下端が、基板下面に備えた信
号線路の内端側に位置する基板下部のグランドプレーン
の内周縁部分に接近して配置されるように、前記基板上
面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて、前
記ヴィアを基板を斜め上下に貫いて備えたことを特徴と
している。
体からなる基板に該基板を上下方向に貫くヴィアを備え
ると共に、そのヴィア周囲の誘電体からなる基板にヴィ
アを円形状又はそれに近い形状の間隔をあけて囲む複数
のグランドプレーンを上下に所定間隔あけて並べて備え
て、前記ヴィアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記基
板上面とその下面とに備えた互いに逆方向に延びる信号
線路をそれぞれ基板上部とその下部とに備えた前記グラ
ンドプレーンによりマイクロストリップ線路構造とする
と共に、その基板の上下面の信号線路の内端をそれぞれ
前記ヴィア上端とその下端とに接続してなる高周波用電
子部品の信号線路において、前記ヴィア周囲を囲む複数
のグランドプレーンを、その内周縁が上方から見て互い
に上下に重なり合うように配置し、前記ヴィアの上端
が、基板上面に備えた信号線路の内端側に位置する基板
上部のグランドプレーンの内周縁部分に接近して配置さ
れると共に、前記ヴィアの下端が、基板下面に備えた信
号線路の内端側に位置する基板下部のグランドプレーン
の内周縁部分に接近して配置されるように、前記基板上
面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて、前
記ヴィアを基板を斜め上下に貫いて備えたことを特徴と
している。
【００１３】
【作用】上記第１の高周波用信号線路においては、グラ
ンドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上
部からその下部に行くに従い基板上面の信号線路の逆側
から基板下面の信号線路の逆側へとヴィアに対して階段
状に順に偏心させて配置している。そして、ヴィアに対
向する基板上部とその下部とのグランドプレーンの内周
縁のうちの、基板上下面の信号線路側に位置する内周縁
部分を、それぞれヴィア上部とその下部とに接近させて
いる。
ンドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上
部からその下部に行くに従い基板上面の信号線路の逆側
から基板下面の信号線路の逆側へとヴィアに対して階段
状に順に偏心させて配置している。そして、ヴィアに対
向する基板上部とその下部とのグランドプレーンの内周
縁のうちの、基板上下面の信号線路側に位置する内周縁
部分を、それぞれヴィア上部とその下部とに接近させて
いる。
【００１４】また、上記第２の高周波用信号線路におい
ては、ヴィア周囲を囲む複数のグランドプレーンを、そ
の内周縁が上方から見て互いに上下に重なり合うように
配置して、基板上面の信号線路側から基板下面の信号線
路側にかけてヴィアを基板を斜め上下に貫いて備えてい
る。そして、ヴィアの上端を、基板上面に備えた信号線
路側の内端側に位置する基板上部のグランドプレーンの
内周縁部分に接近させて配置している。それと共に、ヴ
ィアの下端を、基板下面に備えた信号線路の内端側に位
置する基板下部のグランドプレーンの内周縁部分に接近
させて配置している。そして、ヴィアに対向する基板上
部とその下部とのグランドプレーンの内周縁のうちの、
基板上下面の信号線路側に位置する内周縁部分を、それ
ぞれヴィア上部とその下部とに接近させている。
ては、ヴィア周囲を囲む複数のグランドプレーンを、そ
の内周縁が上方から見て互いに上下に重なり合うように
配置して、基板上面の信号線路側から基板下面の信号線
路側にかけてヴィアを基板を斜め上下に貫いて備えてい
る。そして、ヴィアの上端を、基板上面に備えた信号線
路側の内端側に位置する基板上部のグランドプレーンの
内周縁部分に接近させて配置している。それと共に、ヴ
ィアの下端を、基板下面に備えた信号線路の内端側に位
置する基板下部のグランドプレーンの内周縁部分に接近
させて配置している。そして、ヴィアに対向する基板上
部とその下部とのグランドプレーンの内周縁のうちの、
基板上下面の信号線路側に位置する内周縁部分を、それ
ぞれヴィア上部とその下部とに接近させている。
【００１５】そのため、上記第１、第２の高周波用信号
線路においては、ヴィア上端とその下端とに接続した信
号線路の内端と、基板上部とその下部とのグランドプレ
ーンによりマイクロストリップ線路構造とした信号線路
との間を接続する中間信号線路部分を短縮できる。そし
て、その中間信号線路部分を伝わる高速信号の伝送損失
を少なく抑えることができる。
線路においては、ヴィア上端とその下端とに接続した信
号線路の内端と、基板上部とその下部とのグランドプレ
ーンによりマイクロストリップ線路構造とした信号線路
との間を接続する中間信号線路部分を短縮できる。そし
て、その中間信号線路部分を伝わる高速信号の伝送損失
を少なく抑えることができる。
【００１６】また、上記第１、第２の高周波用信号線路
においては、誘電体からなる基板に備えた複数のグラン
ドプレーンのヴィアを囲む内周縁の径を大小に調整した
りその内周縁の形状を変化させたりして、その複数のグ
ランドプレーンにより擬似同軸線路構造としたヴィアの
特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさ
せることができる。
においては、誘電体からなる基板に備えた複数のグラン
ドプレーンのヴィアを囲む内周縁の径を大小に調整した
りその内周縁の形状を変化させたりして、その複数のグ
ランドプレーンにより擬似同軸線路構造としたヴィアの
特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさ
せることができる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１と図２は本発明の第１の高周波用信号線路の好
適な実施例を示し、図１はその正面断面図、図２はその
平面図である。以下に、この第１の高周波用信号線路を
説明する。
る。図１と図２は本発明の第１の高周波用信号線路の好
適な実施例を示し、図１はその正面断面図、図２はその
平面図である。以下に、この第１の高周波用信号線路を
説明する。
【００１８】図において、１２は、誘電体層１０を複数
（図では、４層としている）一体に積層して形成した誘
電体からなる基板である。誘電体層１０は、Ａｌ2 Ｏ3
を主成分とする誘電率εが約９．５のセラミック等で形
成している。
（図では、４層としている）一体に積層して形成した誘
電体からなる基板である。誘電体層１０は、Ａｌ2 Ｏ3
を主成分とする誘電率εが約９．５のセラミック等で形
成している。
【００１９】基板１２には、メタライズ等の導体ポール
からなるヴィア（以下、ヴィアという）２０を、基板１
２を上下に貫通して備えている。
からなるヴィア（以下、ヴィアという）２０を、基板１
２を上下に貫通して備えている。
【００２０】基板１２を構成している複数の誘電体層１
０間には、図２に破線で示したように、ヴィア２０を円
形状又は楕円形状等の間隔をあけて囲むメタライズ等か
らなるグランドプレーン３０をそれぞれ備えている。換
言すれば、誘電体からなる基板１２に複数のグランドプ
レーン３０を上下に所定間隔あけて並べて備えている。
そして、その複数のグランドプレーン３０により、ヴィ
ア２０からなる信号線路を擬似同軸線路構造としてい
て、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッ
チングさせている。
０間には、図２に破線で示したように、ヴィア２０を円
形状又は楕円形状等の間隔をあけて囲むメタライズ等か
らなるグランドプレーン３０をそれぞれ備えている。換
言すれば、誘電体からなる基板１２に複数のグランドプ
レーン３０を上下に所定間隔あけて並べて備えている。
そして、その複数のグランドプレーン３０により、ヴィ
ア２０からなる信号線路を擬似同軸線路構造としてい
て、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッ
チングさせている。
【００２１】基板１２上面とその下面とには、それぞれ
互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に
延びるメタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２
４を備えている。そして、その信号線路２２、２４を、
基板１２の上部とその下部との誘電体層１０間に広く備
えたグランドプレーン３０により、マイクロストリップ
線路構造としている。
互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に
延びるメタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２
４を備えている。そして、その信号線路２２、２４を、
基板１２の上部とその下部との誘電体層１０間に広く備
えたグランドプレーン３０により、マイクロストリップ
線路構造としている。
【００２２】基板１２上面とその下面とに備えた信号線
路２２、２４の内端は、それぞれヴィア２０上端とその
下端とに接続している。詳しくは、ヴィア２０上端とそ
の下端とを基板１２上面とその下面の信号線路２２、２
４の内端で覆っている。
路２２、２４の内端は、それぞれヴィア２０上端とその
下端とに接続している。詳しくは、ヴィア２０上端とそ
の下端とを基板１２上面とその下面の信号線路２２、２
４の内端で覆っている。
【００２３】以上の構成は、従来の高周波用信号線路と
同様であるが、図の第１の高周波用信号線路では、グラ
ンドプレーン３０を、そのヴィア２０に対向する内周縁
３２を、基板１２上部からその下部に行くに従い、基板
１２上面の信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号
線路２４の逆側へとヴィア２０に対して階段状に順に偏
心させて、基板１２の複数の誘電体層１０間に配置して
いる。言い換えれば、ヴィア２０に対向するグランドプ
レーンの内周縁３２が基板１２中に筒状体を斜め上下に
断続的に形成するように、複数のグランドプレーン３０
を基板１２の複数の誘電体層１０間に配置している。
同様であるが、図の第１の高周波用信号線路では、グラ
ンドプレーン３０を、そのヴィア２０に対向する内周縁
３２を、基板１２上部からその下部に行くに従い、基板
１２上面の信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号
線路２４の逆側へとヴィア２０に対して階段状に順に偏
心させて、基板１２の複数の誘電体層１０間に配置して
いる。言い換えれば、ヴィア２０に対向するグランドプ
レーンの内周縁３２が基板１２中に筒状体を斜め上下に
断続的に形成するように、複数のグランドプレーン３０
を基板１２の複数の誘電体層１０間に配置している。
【００２４】そして、基板１２上部の誘電体層１０間に
備えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内
周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に位
置する内周縁３２部分を、ヴィア２０上部に接近させて
いる。それと共に、基板１２下部の誘電体層１０間に備
えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周
縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側に位置
する内周縁３２部分を、ヴィア２０下部に接近させてい
る。そして、ヴィア２０上端に接続した信号線路２２内
端と、基板１２上部のグランドプレーン３０によりマイ
クロストリップ線路構造とした信号線路２２との間を接
続する中間信号線路部分２２ａを短縮している。それと
共に、ヴィア２０下端に接続した信号線路２４内端と、
基板１２下部のグランドプレーン３０によりマイクロス
トリップ線路構造とした信号線路２４との間を接続する
中間信号線路部分２４ａを短縮している。
備えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内
周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に位
置する内周縁３２部分を、ヴィア２０上部に接近させて
いる。それと共に、基板１２下部の誘電体層１０間に備
えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周
縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側に位置
する内周縁３２部分を、ヴィア２０下部に接近させてい
る。そして、ヴィア２０上端に接続した信号線路２２内
端と、基板１２上部のグランドプレーン３０によりマイ
クロストリップ線路構造とした信号線路２２との間を接
続する中間信号線路部分２２ａを短縮している。それと
共に、ヴィア２０下端に接続した信号線路２４内端と、
基板１２下部のグランドプレーン３０によりマイクロス
トリップ線路構造とした信号線路２４との間を接続する
中間信号線路部分２４ａを短縮している。
【００２５】ヴィア２０は、その周囲の複数の誘電体層
１０間の複数のグランドプレーン３０のヴィア２０に対
向する内周縁３２の径を大小に調整したりその内周縁３
２の形状を変化させたりして、その特性インピーダンス
を一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
１０間の複数のグランドプレーン３０のヴィア２０に対
向する内周縁３２の径を大小に調整したりその内周縁３
２の形状を変化させたりして、その特性インピーダンス
を一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２６】図１と図２に示した第１の高周波用信号線
路は、以上のように構成していて、この第１の高周波用
信号線路では、基板１２上下面のマイクロストリップ線
路構造としていない中間信号線路部分２２ａ、２４ａを
短縮して、その中間信号線路部分２２ａ、２４ａを伝わ
る高速信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
路は、以上のように構成していて、この第１の高周波用
信号線路では、基板１２上下面のマイクロストリップ線
路構造としていない中間信号線路部分２２ａ、２４ａを
短縮して、その中間信号線路部分２２ａ、２４ａを伝わ
る高速信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００２７】図３と図４は本発明の第２の高周波用信号
線路の好適な実施例を示し、図３はその正面断面図、図
４はその平面図である。以下に、この第２の高周波用信
号線路を説明する。
線路の好適な実施例を示し、図３はその正面断面図、図
４はその平面図である。以下に、この第２の高周波用信
号線路を説明する。
【００２８】図の第２の高周波用信号線路では、ヴィア
２００周囲を囲む複数のグランドプレーン３０を、その
ヴィア２００に対向する内周縁３２が上方から見て互い
に上下に重なり合うように、基板１２の複数の誘電体層
１０間に配置している。言い換えれば、ヴィア２００に
対向するグランドプレーンの内周縁３２が基板１２中に
筒状体を上下に断続的に形成するように、複数のグラン
ドプレーン３０を基板１２の複数の誘電体層１０間に配
置している。
２００周囲を囲む複数のグランドプレーン３０を、その
ヴィア２００に対向する内周縁３２が上方から見て互い
に上下に重なり合うように、基板１２の複数の誘電体層
１０間に配置している。言い換えれば、ヴィア２００に
対向するグランドプレーンの内周縁３２が基板１２中に
筒状体を上下に断続的に形成するように、複数のグラン
ドプレーン３０を基板１２の複数の誘電体層１０間に配
置している。
【００２９】基板１２の上下方向に備えたメタライズ等
の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２
００は、図３に示したように、基板１２上面の信号線路
２２側から基板１２下面の信号線路２４側にかけて、基
板１２を斜め上下に貫いて備えている。そして、ヴィア
２００の上端を、基板１２上面に備えた信号線路２２の
内端側に位置する基板１２上部のグランドプレーンの内
周縁３２部分に接近させて配置している。それと共に、
ヴィア２００の下端を、基板１２の下面に備えた信号線
路２４の内端側に位置する基板１２下部のグランドプレ
ーンの内周縁３２部分に接近させて配置している。
の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２
００は、図３に示したように、基板１２上面の信号線路
２２側から基板１２下面の信号線路２４側にかけて、基
板１２を斜め上下に貫いて備えている。そして、ヴィア
２００の上端を、基板１２上面に備えた信号線路２２の
内端側に位置する基板１２上部のグランドプレーンの内
周縁３２部分に接近させて配置している。それと共に、
ヴィア２００の下端を、基板１２の下面に備えた信号線
路２４の内端側に位置する基板１２下部のグランドプレ
ーンの内周縁３２部分に接近させて配置している。
【００３０】そして、基板１２上部の誘電体層１０間に
備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する
内周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に
位置する内周縁３２部分を、ヴィア２００上部に接近さ
せている。それと共に、基板１２下部の誘電体層１０間
に備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向す
る内周縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側
に位置する内周縁３２部分を、ヴィア２００下部に接近
させている。そして、ヴィア２００上端に接続した基板
１２上面の信号線路２２の内端と、基板１２上部のグラ
ンドプレーン３０によりマイクロストリップ線路構造と
した信号線路２２との間を接続する中間信号線路部分２
２ａを短縮している。それと共に、ヴィア２００下端に
接続した基板１２下面の信号線路２４の内端と、基板１
２下部のグランドプレーン３０によりマイクロストリッ
プ線路構造とした信号線路２４との間を接続する中間信
号線路部分２４ａを短縮している。
備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する
内周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に
位置する内周縁３２部分を、ヴィア２００上部に接近さ
せている。それと共に、基板１２下部の誘電体層１０間
に備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向す
る内周縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側
に位置する内周縁３２部分を、ヴィア２００下部に接近
させている。そして、ヴィア２００上端に接続した基板
１２上面の信号線路２２の内端と、基板１２上部のグラ
ンドプレーン３０によりマイクロストリップ線路構造と
した信号線路２２との間を接続する中間信号線路部分２
２ａを短縮している。それと共に、ヴィア２００下端に
接続した基板１２下面の信号線路２４の内端と、基板１
２下部のグランドプレーン３０によりマイクロストリッ
プ線路構造とした信号線路２４との間を接続する中間信
号線路部分２４ａを短縮している。
【００３１】ヴィア２００は、その周囲の複数の誘電体
層１０間の複数のグランドプレーン３０のヴィア２００
に対向する内周縁３２の径を大小に調整したりその内周
縁３２の形状を変化させたりして、その特性インピーダ
ンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
層１０間の複数のグランドプレーン３０のヴィア２００
に対向する内周縁３２の径を大小に調整したりその内周
縁３２の形状を変化させたりして、その特性インピーダ
ンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００３２】この第２の高周波用信号線路では、複数の
グランドプレーン３０を、多大な手数と時間をかけて、
基板１２上部からその下部に行くに従い基板１２上面の
信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号線路２４の
逆側へとヴィア２００に対して階段状に順に偏心させ
て、基板１２の複数の誘電体層１０間に配置することを
不要とすることができる。
グランドプレーン３０を、多大な手数と時間をかけて、
基板１２上部からその下部に行くに従い基板１２上面の
信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号線路２４の
逆側へとヴィア２００に対して階段状に順に偏心させ
て、基板１２の複数の誘電体層１０間に配置することを
不要とすることができる。
【００３３】その他は、図１と図２に示した前述の第１
の高周波用信号線路と同様に構成していて、その作用も
図１と図２に示した前述の第１の高周波用信号線路と同
様であり、その同一部材には同一符号を付し、その説明
を省略する。
の高周波用信号線路と同様に構成していて、その作用も
図１と図２に示した前述の第１の高周波用信号線路と同
様であり、その同一部材には同一符号を付し、その説明
を省略する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１、第
２の高周波用信号線路によれば、ヴィアの上下端に接続
した信号線路の内端と、マイクロストリップ線路構造と
した基板の上下面の信号線路との間を接続する中間信号
線路部分であって、マイクロストリップ線路構造として
いない中間信号線路部分を短縮して、その中間信号線路
部分を伝わる高速信号の伝送損失を少なく抑えることが
できる。
２の高周波用信号線路によれば、ヴィアの上下端に接続
した信号線路の内端と、マイクロストリップ線路構造と
した基板の上下面の信号線路との間を接続する中間信号
線路部分であって、マイクロストリップ線路構造として
いない中間信号線路部分を短縮して、その中間信号線路
部分を伝わる高速信号の伝送損失を少なく抑えることが
できる。
【００３５】それと共に、基板の複数の誘電体層間に備
えた複数のグランドプレーンのヴィアに対向する内周縁
の径を大小に調整したりその内周縁の形状を変化させた
りして、そのグランドプレーンにより擬似同軸線路構造
としたヴィアの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等
に的確にマッチングさせることができる。
えた複数のグランドプレーンのヴィアに対向する内周縁
の径を大小に調整したりその内周縁の形状を変化させた
りして、そのグランドプレーンにより擬似同軸線路構造
としたヴィアの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等
に的確にマッチングさせることができる。
【００３６】そして、その擬似同軸線路構造としたヴィ
アとそのヴィアの上下端に短い中間信号線路部分を介し
て接続したマイクロストリップ線路構造とした基板の上
下面の信号線路とを連ねてなる高周波用信号線路を、１
０ＧＨｚ以上等の超高速信号を含む高速信号を伝送損失
少なく効率良く伝えることが可能となる。
アとそのヴィアの上下端に短い中間信号線路部分を介し
て接続したマイクロストリップ線路構造とした基板の上
下面の信号線路とを連ねてなる高周波用信号線路を、１
０ＧＨｚ以上等の超高速信号を含む高速信号を伝送損失
少なく効率良く伝えることが可能となる。
【００３７】また、本発明の第２の高周波用信号線路に
あっては、グランドプレーンを、多大な手数と時間をか
けて、基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信
号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へとヴィア
に対して階段状に順に偏心させて、基板の複数の誘電体
層間に配置することを不要として、基板の形成作業の容
易化が図れる。
あっては、グランドプレーンを、多大な手数と時間をか
けて、基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信
号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へとヴィア
に対して階段状に順に偏心させて、基板の複数の誘電体
層間に配置することを不要として、基板の形成作業の容
易化が図れる。
【図１】本発明の第１の高周波用信号線路の正面断面図
である。
である。
【図２】本発明の第１の高周波用信号線路の平面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の高周波用信号線路の正面断面図
である。
である。
【図４】本発明の第２の高周波用信号線路の平面図であ
る。
る。
【図５】従来の高周波用信号線路の正面断面図である。
【図６】従来の高周波用信号線路の平面図である。
１０ 誘電体層 １２ 基板 ２０、２００ ヴィア ２２、２４ 信号線路 ２２ａ、２４ａ 中間信号線路部分 ３０ グランドプレーン ３２ グランドプレーンの内周縁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−288446（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 301 H05K 3/46
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体からなる基板に該基板を上下に貫
くヴィアを備えると共に、そのヴィア周囲の誘電体から
なる基板にヴィアを円形状又はそれに近い形状の間隔を
あけて囲む複数のグランドプレーンを上下に所定間隔あ
けて並べて備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造と
し、かつ、前記基板上面とその下面とに備えた互いに逆
方向に延びる信号線路をそれぞれ基板上部とその下部と
に備えた前記グランドプレーンによりマイクロストリッ
プ線路構造とすると共に、その基板の上下面の信号線路
の内端をそれぞれ前記ヴィア上端とその下端とに接続し
てなる高周波用電子部品の信号線路において、 前記複数のグランドプレーンを、そのヴィアに対向する
内周縁を基板上部からその下部に行くに従い前記基板上
面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと
ヴィアに対して階段状に順に偏心させて配置したことを
特徴とする高周波用電子部品の信号線路。 - 【請求項２】 誘電体からなる基板に該基板を上下方向
に貫くヴィアを備えると共に、そのヴィア周囲の誘電体
からなる基板にヴィアを円形状又はそれに近い形状の間
隔をあけて囲む複数のグランドプレーンを上下に所定間
隔あけて並べて備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造
とし、かつ、前記基板上面とその下面とに備えた互いに
逆方向に延びる信号線路をそれぞれ基板上部とその下部
とに備えた前記グランドプレーンによりマイクロストリ
ップ線路構造とすると共に、その基板の上下面の信号線
路の内端をそれぞれ前記ヴィア上端とその下端とに接続
してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記ヴィア周囲を囲む複数のグランドプレーンを、その
内周縁が上方から見て互いに上下に重なり合うように配
置し、前記ヴィアの上端が、基板上面に備えた信号線路
の内端側に位置する基板上部のグランドプレーンの内周
縁部分に接近して配置されると共に、前記ヴィアの下端
が、基板下面に備えた信号線路の内端側に位置する基板
下部のグランドプレーンの内周縁部分に接近して配置さ
れるように、前記基板上面の信号線路側から基板下面の
信号線路側にかけて、前記ヴィアを基板を斜め上下に貫
いて備えた ことを特徴とする高周波用電子部品の信号線
路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04196273A JP3100232B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 高周波用電子部品の信号線路 |
| KR1019930009944A KR0125100B1 (ko) | 1992-06-29 | 1993-06-03 | 고주파용 전자부품의 신호선로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04196273A JP3100232B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 高周波用電子部品の信号線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621253A JPH0621253A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3100232B2 true JP3100232B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=16355065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04196273A Expired - Fee Related JP3100232B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 高周波用電子部品の信号線路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3100232B2 (ja) |
| KR (1) | KR0125100B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6181219B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-01-30 | Teradyne, Inc. | Printed circuit board and method for fabricating such board |
| JP4004048B2 (ja) | 2003-04-11 | 2007-11-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 高周波伝送線路 |
| KR100601715B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 |
| US7999192B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-08-16 | Amphenol Corporation | Adjacent plated through holes with staggered couplings for crosstalk reduction in high speed printed circuit boards |
| CN104364897B (zh) * | 2012-10-29 | 2017-07-25 | 京瓷株式会社 | 元件收纳用封装件以及安装结构体 |
| JP6734750B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2020-08-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 高周波パッケージ |
| JP7134803B2 (ja) * | 2018-09-19 | 2022-09-12 | 株式会社東芝 | プリント基板 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP04196273A patent/JP3100232B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-03 KR KR1019930009944A patent/KR0125100B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621253A (ja) | 1994-01-28 |
| KR0125100B1 (ko) | 1997-12-04 |
| KR940001771A (ko) | 1994-01-11 |
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