JP3180918B2 - 無電解錫及び無電解錫−鉛合金メッキ浴 - Google Patents
無電解錫及び無電解錫−鉛合金メッキ浴Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅又は銅合金上に錫又
は錫−鉛合金層を施すのに使用される無電解錫又は錫−
鉛合金メッキ浴に関する。
は錫−鉛合金層を施すのに使用される無電解錫又は錫−
鉛合金メッキ浴に関する。
【０００２】
【従来の技術】銅及び銅合金上の錫及び錫−鉛合金メッ
キは、はんだ付け性及びボンディング性が良好であるな
どの理由から、電子部品、半導体装置用パッケージなど
に使用されてきている。また、近年の電子部品の小型
化、複雑化、多ピン化に伴い、無電解錫−鉛合金メッキ
に要求される性能は、益々高くなっている。しかし、従
来の無電解錫及び錫−鉛合金メッキ浴では浴の寿命が短
く、外観の安定性が低いため、複雑な形状物には不向き
であり、さらに前処理における制約が多かった。また、
ポリイミドなどの絶縁樹脂シート上に銅箔回路を施した
テープキャリアなどにあっては、樹脂と銅との接合部へ
のメッキ液の浸透による剥離、さらに絶縁樹脂シート上
への浴中イオンの残存による絶縁不良の問題が提起さ
れ、この分野の技術改革上の問題点となっている。
キは、はんだ付け性及びボンディング性が良好であるな
どの理由から、電子部品、半導体装置用パッケージなど
に使用されてきている。また、近年の電子部品の小型
化、複雑化、多ピン化に伴い、無電解錫−鉛合金メッキ
に要求される性能は、益々高くなっている。しかし、従
来の無電解錫及び錫−鉛合金メッキ浴では浴の寿命が短
く、外観の安定性が低いため、複雑な形状物には不向き
であり、さらに前処理における制約が多かった。また、
ポリイミドなどの絶縁樹脂シート上に銅箔回路を施した
テープキャリアなどにあっては、樹脂と銅との接合部へ
のメッキ液の浸透による剥離、さらに絶縁樹脂シート上
への浴中イオンの残存による絶縁不良の問題が提起さ
れ、この分野の技術改革上の問題点となっている。
【０００３】特開昭６３−２３０８８３号及び特開平１
−１８４２７９号には、有機スルホン酸、金属塩、次亜
リン酸ナトリウム及びチオ尿素を基本組成とする無電解
錫及び錫−鉛合金メッキ浴が記載されている。しかし、
これらのメッキ浴では、金属の析出速度が遅く、また浴
温を８０℃と高く設定する必要があるため、錫の酸化を
進行させ、浴寿命が短く、経済的にも不利である。ま
た、これらのメッキ浴では、ＥＤＴＡなどのキレート
剤、クエン酸などのｐＨ調整剤など、樹脂上の残存イオ
ンを増加させる成分配合であり、絶縁不良などの問題が
生じる恐れがある。
−１８４２７９号には、有機スルホン酸、金属塩、次亜
リン酸ナトリウム及びチオ尿素を基本組成とする無電解
錫及び錫−鉛合金メッキ浴が記載されている。しかし、
これらのメッキ浴では、金属の析出速度が遅く、また浴
温を８０℃と高く設定する必要があるため、錫の酸化を
進行させ、浴寿命が短く、経済的にも不利である。ま
た、これらのメッキ浴では、ＥＤＴＡなどのキレート
剤、クエン酸などのｐＨ調整剤など、樹脂上の残存イオ
ンを増加させる成分配合であり、絶縁不良などの問題が
生じる恐れがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点を解消し、その目的とするところは、複雑な形
状物に対応するように皮膜の均一性と密着性の向上及び
粒子の緻密化を可能にし、さらに接合部へのメッキ液の
浸透の減少及び絶縁部での残存イオンによる悪影響を回
避せしめる無電解錫及び錫−鉛合金メッキ浴を提供する
ことにある。
な問題点を解消し、その目的とするところは、複雑な形
状物に対応するように皮膜の均一性と密着性の向上及び
粒子の緻密化を可能にし、さらに接合部へのメッキ液の
浸透の減少及び絶縁部での残存イオンによる悪影響を回
避せしめる無電解錫及び錫−鉛合金メッキ浴を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）第一錫
塩又は第一錫塩と鉛塩との混合物よりなる可溶性金属
塩、（Ｂ）アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン
酸、芳香族スルホン酸、鉱酸及び脂肪族カルボン酸より
成る群から選択される少なくとも１種の酸、（Ｃ）チオ
尿素、（Ｄ）次亜リン酸及び次亜リン酸塩より成る群か
ら選択される少なくとも１種の還元剤、（Ｅ）イミダゾ
リンベタイン、ジメチルアルキルベタイン及びアルキル
アミンオキシドより成る群から選択される少なくとも１
種の含窒素化合物を含有することを特徴とする無電解錫
又は錫−鉛合金メッキ浴に関する。
塩又は第一錫塩と鉛塩との混合物よりなる可溶性金属
塩、（Ｂ）アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン
酸、芳香族スルホン酸、鉱酸及び脂肪族カルボン酸より
成る群から選択される少なくとも１種の酸、（Ｃ）チオ
尿素、（Ｄ）次亜リン酸及び次亜リン酸塩より成る群か
ら選択される少なくとも１種の還元剤、（Ｅ）イミダゾ
リンベタイン、ジメチルアルキルベタイン及びアルキル
アミンオキシドより成る群から選択される少なくとも１
種の含窒素化合物を含有することを特徴とする無電解錫
又は錫−鉛合金メッキ浴に関する。
【０００６】
【発明の具体的な説明】前述のように、本発明は、アル
カンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スル
ホン酸、鉱酸及び脂肪族カルボン酸よりなる群から選択
される酸と、二価の錫塩及び（又は）鉛塩と、錯化剤と
してのチオ尿素と、還元剤を基本組成として含むメッキ
浴に次式（Ｉ）
カンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スル
ホン酸、鉱酸及び脂肪族カルボン酸よりなる群から選択
される酸と、二価の錫塩及び（又は）鉛塩と、錯化剤と
してのチオ尿素と、還元剤を基本組成として含むメッキ
浴に次式（Ｉ）
【化４】 （ここで、ＲはＣ5 〜Ｃ25アルキル基を表わし、Ｒ1 は
Ｈ、Ｎａ又はＣＨ2 ＣＯＯＭを表わし、Ｒ2 はＣＯＯ
Ｍ、ＣＨ2 ＣＯＯＭ又はＣＨＯＨＣＨ2 ＳＯ3 Ｍを表わ
し、ＭはＮａ、Ｋ又はＨを表わし、Ｒ3 はＯＨを表わ
す）のイミダゾリンベタイン、次式（II）
Ｈ、Ｎａ又はＣＨ2 ＣＯＯＭを表わし、Ｒ2 はＣＯＯ
Ｍ、ＣＨ2 ＣＯＯＭ又はＣＨＯＨＣＨ2 ＳＯ3 Ｍを表わ
し、ＭはＮａ、Ｋ又はＨを表わし、Ｒ3 はＯＨを表わ
す）のイミダゾリンベタイン、次式（II）
【化５】 （ここで、ＲはＣ5 〜Ｃ25アルキル基を表わし、又はＲ
は基ＲＣＯＮＨＲ’−を表わし、Ｒ’はＣ 1 〜Ｃ 3 アル
キレン基を表わす）のジメチルアルキルベタイン、及び
次式(III)
は基ＲＣＯＮＨＲ’−を表わし、Ｒ’はＣ 1 〜Ｃ 3 アル
キレン基を表わす）のジメチルアルキルベタイン、及び
次式(III)
【化６】 （ここで、ＲはＣ5 〜Ｃ25アルキル基を表わし、又はＲ
は基ＲＣＯＮＨＲ’−を表わし、Ｒ’はＣ1 〜Ｃ3 アル
キレン基を表わす）のアルキルアミンオキシドよりなる
群から選択される少なくとも１種の含窒素化合物を添加
したことを特徴とする無電解錫又は錫−鉛合金メッキ浴
である。
は基ＲＣＯＮＨＲ’−を表わし、Ｒ’はＣ1 〜Ｃ3 アル
キレン基を表わす）のアルキルアミンオキシドよりなる
群から選択される少なくとも１種の含窒素化合物を添加
したことを特徴とする無電解錫又は錫−鉛合金メッキ浴
である。
【０００７】式（Ｉ）のイミダゾリンベタインとして
は、 ・２−ウンデシル−１−カルボキシメチル−１−ヒドロ
キシエチルイミダゾリウムヒドロキシドベタイン ・２−オクチル−１−カルボキシメチル−１−カルボキ
シメチルオキシエチルイミダゾリウムヒドロキシドベタ
イン ・２−オレイル−１−カルボキシメチル−１−ヒドロキ
シエチルイミダゾリウムヒドロキシドベタインなどが挙
げられる。式（II）のジメチルアルキルベタインとして
は、 ・Ｎ−ステアリル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシ
メチルベタイン ・Ｎ−オレイル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメ
チルベタイン ・Ｎ−ラウリル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメ
チルベタイン Ｎ−ドデシル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチ
ルベタインなどが挙げられる。式(III) のアルキルアミ
ンオキシドとしては、 ・ラウリルジメチルアミンオキシド ・やし油脂肪酸アミドプロピルジメチルアミンオキシド
などが挙げられる。含窒素化合物は、一般に０．０１〜
６０ｇ／ｌ、好ましくは０．１〜２０ｇ／ｌの量で含ま
れる。
は、 ・２−ウンデシル−１−カルボキシメチル−１−ヒドロ
キシエチルイミダゾリウムヒドロキシドベタイン ・２−オクチル−１−カルボキシメチル−１−カルボキ
シメチルオキシエチルイミダゾリウムヒドロキシドベタ
イン ・２−オレイル−１−カルボキシメチル−１−ヒドロキ
シエチルイミダゾリウムヒドロキシドベタインなどが挙
げられる。式（II）のジメチルアルキルベタインとして
は、 ・Ｎ−ステアリル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシ
メチルベタイン ・Ｎ−オレイル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメ
チルベタイン ・Ｎ−ラウリル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメ
チルベタイン Ｎ−ドデシル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチ
ルベタインなどが挙げられる。式(III) のアルキルアミ
ンオキシドとしては、 ・ラウリルジメチルアミンオキシド ・やし油脂肪酸アミドプロピルジメチルアミンオキシド
などが挙げられる。含窒素化合物は、一般に０．０１〜
６０ｇ／ｌ、好ましくは０．１〜２０ｇ／ｌの量で含ま
れる。
【０００８】使用される酸としては、塩酸、ほう弗化水
素酸、硫酸、珪弗化水素酸、過塩素酸などが挙げられ
る。アルカンスルホン酸としては、式Ｃn Ｈ2n+1ＳＯ3
Ｈ（ここで、ｎは１〜５、このましくは１〜３である）
で示されるものが使用できる。例えば、メタンスルホン
酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロ
パンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホ
ン酸、ペンタンスルホン酸などが挙げられる。アルカノ
ールスルホン酸としては、次式 Ｃm Ｈ2m+1−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃp Ｈ2p+1−ＳＯ3 Ｈ （ここで、ｍは０〜２であり、ｐは１〜３である）で示
されるものが使用できる。例えば、２−ヒドロキシエタ
ン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−ス
ルホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２
−ヒドロキシペンタン−１−スルホン酸などが挙げられ
る。芳香族スルホン酸としては、次式（IV）及び式
（Ｖ）
素酸、硫酸、珪弗化水素酸、過塩素酸などが挙げられ
る。アルカンスルホン酸としては、式Ｃn Ｈ2n+1ＳＯ3
Ｈ（ここで、ｎは１〜５、このましくは１〜３である）
で示されるものが使用できる。例えば、メタンスルホン
酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロ
パンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホ
ン酸、ペンタンスルホン酸などが挙げられる。アルカノ
ールスルホン酸としては、次式 Ｃm Ｈ2m+1−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃp Ｈ2p+1−ＳＯ3 Ｈ （ここで、ｍは０〜２であり、ｐは１〜３である）で示
されるものが使用できる。例えば、２−ヒドロキシエタ
ン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−ス
ルホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２
−ヒドロキシペンタン−１−スルホン酸などが挙げられ
る。芳香族スルホン酸としては、次式（IV）及び式
（Ｖ）
【化４】
【化５】 で表わされるスルホン酸であってその水素原子の一部が
水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシル基、
メルカプト基、アミノ基、スルホン酸基などで置換され
たものが使用できる。例えば、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ｐ−フェノー
ルスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサルチル
酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ジフ
ェニルアミン−４−スルホン酸、Ｆ酸、ＮＷ酸、１−ナ
フトール−８−スルホン酸、２−ナフタリンスルホン
酸、１，５−ナフタリンジスルホン酸、ジフェニルアミ
ン−４−ナフタリンスルホン酸、２−ナフトール−６−
スルホン酸、クロセイン酸、１−クロル−３−スルホン
酸などが挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、式Ｃ
n Ｈ2n+1ＣＯＯＨ（ここで、ｎは１〜５である）で示さ
れるものが使用できる。例えば、酢酸、プロピオン酸、
酪酸などが挙げられる。以上示した酸は、一般に０．１
〜２００ｇ／ｌの量で添加される。
水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシル基、
メルカプト基、アミノ基、スルホン酸基などで置換され
たものが使用できる。例えば、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ｐ−フェノー
ルスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサルチル
酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ジフ
ェニルアミン−４−スルホン酸、Ｆ酸、ＮＷ酸、１−ナ
フトール−８−スルホン酸、２−ナフタリンスルホン
酸、１，５−ナフタリンジスルホン酸、ジフェニルアミ
ン−４−ナフタリンスルホン酸、２−ナフトール−６−
スルホン酸、クロセイン酸、１−クロル−３−スルホン
酸などが挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、式Ｃ
n Ｈ2n+1ＣＯＯＨ（ここで、ｎは１〜５である）で示さ
れるものが使用できる。例えば、酢酸、プロピオン酸、
酪酸などが挙げられる。以上示した酸は、一般に０．１
〜２００ｇ／ｌの量で添加される。
【０００９】第一錫塩及び第一錫塩と鉛塩の混合物とし
ては、任意の可溶性の塩類を使用でき、好ましくは前記
の酸との塩類であり、また前記の酸に金属又は金属酸化
物を溶解して得られる錯塩（水溶性）も使用することが
できる。金属塩として換算した場合の添加量は、一般に
０．１〜２００ｇ／ｌである。
ては、任意の可溶性の塩類を使用でき、好ましくは前記
の酸との塩類であり、また前記の酸に金属又は金属酸化
物を溶解して得られる錯塩（水溶性）も使用することが
できる。金属塩として換算した場合の添加量は、一般に
０．１〜２００ｇ／ｌである。
【００１０】還元剤としては、次亜リン酸、次亜リン酸
ナトリウム、次亜リン酸カリウム、次亜リン酸カルシウ
ム、次亜リン酸リチウム、次亜リン酸アンモニウムなど
が挙げられる。次亜リン酸化合物は、一般に５〜２００
ｇ／ｌの量で添加される。
ナトリウム、次亜リン酸カリウム、次亜リン酸カルシウ
ム、次亜リン酸リチウム、次亜リン酸アンモニウムなど
が挙げられる。次亜リン酸化合物は、一般に５〜２００
ｇ／ｌの量で添加される。
【００１１】本発明のメッキ浴では、各成分の組合せに
よって、析出の安定、外観の向上、密着性の向上及び表
面粒子の緻密化と、銅と樹脂との接合部へのメッキ液の
浸透の抑制及び絶縁部での残存イオンの減少という顕著
な効果が得られる。また、次亜リン酸化合物の添加によ
り、析出速度の向上と安定化及びメッキ液の寿命の延長
という効果も得られる。
よって、析出の安定、外観の向上、密着性の向上及び表
面粒子の緻密化と、銅と樹脂との接合部へのメッキ液の
浸透の抑制及び絶縁部での残存イオンの減少という顕著
な効果が得られる。また、次亜リン酸化合物の添加によ
り、析出速度の向上と安定化及びメッキ液の寿命の延長
という効果も得られる。
【００１２】メッキ浴の条件としては、ｐＨは２以下、
好ましくは１以下であり、浴温は４５〜９０℃である
が、析出速度が速いため５０〜７０℃が好適である。本
発明のメッキ浴には、周知の添加剤、例えばメッキ表面
の平滑剤、光沢剤などを添加することができる。
好ましくは１以下であり、浴温は４５〜９０℃である
が、析出速度が速いため５０〜７０℃が好適である。本
発明のメッキ浴には、周知の添加剤、例えばメッキ表面
の平滑剤、光沢剤などを添加することができる。
【００１３】
【実施例】実施例１ 下記の成分 ・メタンスルホン酸錫 ：０．１３モル／ｌ ・メタンスルホン酸鉛 ：０．０２５モル／ｌ ・メタンスルホン酸 ：０．４モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．５モル／ｌ ・次亜リン酸 ：０．８モル／ｌ ・Ｎ−ラウリル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチルベタイン：２０ｇ／ ｌ を含む無電解めっき浴を建浴した。得られた浴を５５℃
に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片を３分
間浸漬させた。得られた皮膜は、０．９μｍの膜厚と７
％の鉛含有率を有し、無光沢、均一で良好な外観と優れ
た密着性及び緻密な粒子外観を呈した。浴温を上げるこ
とにより鉛の含有率を変化させることができ（４０％ま
で）、その際にも良好な皮膜特性を維持できた。また、
繰り返しによるめっき付けにも液の劣化はほとんどな
く、良好な性能を持続した。
に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片を３分
間浸漬させた。得られた皮膜は、０．９μｍの膜厚と７
％の鉛含有率を有し、無光沢、均一で良好な外観と優れ
た密着性及び緻密な粒子外観を呈した。浴温を上げるこ
とにより鉛の含有率を変化させることができ（４０％ま
で）、その際にも良好な皮膜特性を維持できた。また、
繰り返しによるめっき付けにも液の劣化はほとんどな
く、良好な性能を持続した。
【００１４】実施例２ 下記の成分 ・フェノールスルホン酸錫 ：０．１３モル／ｌ ・ほう弗化鉛 ：０．０８モル／ｌ ・ほう弗酸 ：０．４モル／ｌ ・フェノールスルホン酸 ：０．４モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．２モル／ｌ ・次亜リン酸アンモニウム ：０．８モル／ｌ ・２−オクチル−１−カルボキシメチル−１−カルボキシオキシエチルイミダゾ リウムベタイン：１０ｇ／ｌ を含む無電解めっき浴を建浴した。得られた浴を５５℃
に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片を３分
間浸漬させた。得られた皮膜は０．８μｍの膜厚と７．
５％の鉛含有率を有し、無光沢、均一で良好な外観と優
れた密着性及び緻密な粒子外観を呈した。繰り返しによ
るめっき付けにも液の劣化はほとんどなく、良好な性能
を持続した。
に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片を３分
間浸漬させた。得られた皮膜は０．８μｍの膜厚と７．
５％の鉛含有率を有し、無光沢、均一で良好な外観と優
れた密着性及び緻密な粒子外観を呈した。繰り返しによ
るめっき付けにも液の劣化はほとんどなく、良好な性能
を持続した。
【００１５】実施例３ 下記の成分 ・２−プロパノールスルホン酸錫 ：０．１４モル／ｌ ・酢酸鉛 ：０．０８モル／ｌ ・フェノールスルホン酸 ：０．５モル／ｌ ・２−ナフタリンスルホン酸 ：０．１モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．５モル／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ：１．０モル／ｌ ・椰子油脂肪酸アミドプロピルジメチルアミンオキシド：１５ｇ／ｌ を含む無電解めっき浴を建浴した。得られた浴を６０℃
に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片を３分
間浸漬させた。得られた皮膜は０．９μｍの膜厚と８％
の鉛含有率を有し、無光沢、均一で良好な外観と優れた
密着性及び緻密な粒子外観を呈した。繰り返しによるめ
っき付けにも液の劣化はほとんどなく、良好な性能を持
続した。また、同様な条件でテープキャリアにめっきし
たところ、無光沢、均一で良好な外観と優れた密着性を
有し、樹脂部へのアッタクも見られず、皮膜及び素材の
蒸留水抽出後の残存イオン量も９７μＳ／ｃｍ（電気伝
導度）と良好な値を得た。
に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片を３分
間浸漬させた。得られた皮膜は０．９μｍの膜厚と８％
の鉛含有率を有し、無光沢、均一で良好な外観と優れた
密着性及び緻密な粒子外観を呈した。繰り返しによるめ
っき付けにも液の劣化はほとんどなく、良好な性能を持
続した。また、同様な条件でテープキャリアにめっきし
たところ、無光沢、均一で良好な外観と優れた密着性を
有し、樹脂部へのアッタクも見られず、皮膜及び素材の
蒸留水抽出後の残存イオン量も９７μＳ／ｃｍ（電気伝
導度）と良好な値を得た。
【００１６】実施例４ 下記の成分 ・硫酸錫 ：０．２５モル／ｌ ・フェノールスルホン酸 ：０．８モル／ｌ ・塩酸 ：０．１モル／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ：０．５モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．４モル／ｌ ・Ｎ−ドデシル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチルベタイン：５ｇ／ｌ を含む無電解めっき浴を建浴した。得られためっき浴を
７０℃に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片
を３分間浸漬させた。得られた皮膜は膜厚が０．６μｍ
であり、無光沢、均一で、密着性の良い良好な外観の錫
めっきが得られた。また、同様な条件でテープキャリア
にめっきしたところ、上記と同様な外観と皮膜特性を得
ることができ、蒸留水抽出後における残存イオン量も１
４０μＳ／ｃｍ（電気伝導度）と良好な値を示した。
７０℃に保持して、２５×２５ｍｍの圧延銅板の試験片
を３分間浸漬させた。得られた皮膜は膜厚が０．６μｍ
であり、無光沢、均一で、密着性の良い良好な外観の錫
めっきが得られた。また、同様な条件でテープキャリア
にめっきしたところ、上記と同様な外観と皮膜特性を得
ることができ、蒸留水抽出後における残存イオン量も１
４０μＳ／ｃｍ（電気伝導度）と良好な値を示した。
【００１７】比較例１ 下記の成分を含む公知の無電解はんだめっき用ホウ弗化
浴を調製した。 ・ほう弗化第一錫 ：０．１モル／ｌ ・ほう弗化鉛 ：０．０２５モル／ｌ ・ほう弗化水素酸 ：０．１モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．３モル／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ：０．３モル／ｌ ・非イオン系界面活性剤 ：１５ｇ／ｌ 得られためっき浴を６５℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた皮膜
は、ムラが多く、均一性に欠け、析出速度が低く、膜厚
は０．４μｍに過ぎなかった。鉛含有率は１０％であっ
た。
浴を調製した。 ・ほう弗化第一錫 ：０．１モル／ｌ ・ほう弗化鉛 ：０．０２５モル／ｌ ・ほう弗化水素酸 ：０．１モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．３モル／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ：０．３モル／ｌ ・非イオン系界面活性剤 ：１５ｇ／ｌ 得られためっき浴を６５℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた皮膜
は、ムラが多く、均一性に欠け、析出速度が低く、膜厚
は０．４μｍに過ぎなかった。鉛含有率は１０％であっ
た。
【００１８】比較例２ 下記の成分を含む公知の無電解はんだめっき浴を調製し
た。 ・塩化第一錫 ：０．１モル／ｌ ・塩化鉛 ：０．０２５モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．０モル／ｌ ・塩酸ヒドラジン ：０．５モル／ｌ ・塩酸 ：１．０モル／ｌ 得られためっき浴を６５℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた皮膜
は、無光沢で平滑さ及び均一性に欠け、鉛含有率は９
％、膜厚は０．５μｍであった。
た。 ・塩化第一錫 ：０．１モル／ｌ ・塩化鉛 ：０．０２５モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．０モル／ｌ ・塩酸ヒドラジン ：０．５モル／ｌ ・塩酸 ：１．０モル／ｌ 得られためっき浴を６５℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた皮膜
は、無光沢で平滑さ及び均一性に欠け、鉛含有率は９
％、膜厚は０．５μｍであった。
【００１９】比較例３ 下記の成分を含む公知の無電解はんだめっき浴を調製し
た。 ・メタンスルホン酸 ：５０ｇ／ｌ ・メタンスルホン酸錫 ：２０ｇ／ｌ ・メタンスルホン酸鉛 ：１３ｇ／ｌ ・チオ尿素 ：７５ｇ／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ：８０ｇ／ｌ ・くえん酸 ：１５ｇ／ｌ ・塩化ラウリルピリジニウム ：５ｇ／ｌ ・ＥＤＴＡ ：３ｇ／ｌ 得られためっき浴を８０℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を１０分間浸漬させた。得られた皮
膜は、１．０μｍの膜厚で、析出速度が低く、鉛含有率
は３８％であった。浴の安定性については、Ｓｎ2+の酸
化が認められ、繰り返しめっきすることで鉛の析出量が
極端に高くなった。テープキャリヤのめっきも試みた
が、樹脂部が変色し、蒸留水による抽出後の残存イオン
量も高く、２５０μＳ／ｃｍであった。
た。 ・メタンスルホン酸 ：５０ｇ／ｌ ・メタンスルホン酸錫 ：２０ｇ／ｌ ・メタンスルホン酸鉛 ：１３ｇ／ｌ ・チオ尿素 ：７５ｇ／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ：８０ｇ／ｌ ・くえん酸 ：１５ｇ／ｌ ・塩化ラウリルピリジニウム ：５ｇ／ｌ ・ＥＤＴＡ ：３ｇ／ｌ 得られためっき浴を８０℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を１０分間浸漬させた。得られた皮
膜は、１．０μｍの膜厚で、析出速度が低く、鉛含有率
は３８％であった。浴の安定性については、Ｓｎ2+の酸
化が認められ、繰り返しめっきすることで鉛の析出量が
極端に高くなった。テープキャリヤのめっきも試みた
が、樹脂部が変色し、蒸留水による抽出後の残存イオン
量も高く、２５０μＳ／ｃｍであった。
【００２０】比較例４ 下記の成分を含む公知の無電解はんだめっき浴を調製し
た。 ・メタンスルホン酸錫 ：０．１３モル／ｌ ・メタンスルホン酸鉛 ：０．０２５モル／ｌ ・メタンスルホン酸 ：０．４モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．５モル／ｌ ・次亜リン酸 ：０．８モル／ｌ 得られためっき浴を５５℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた皮膜
は、０．９μｍの膜厚と９％の鉛含有率を有し、無光沢
で均一性に欠け、外観ムラを生じた。粒子表面は粗雑
で、ピンホールが多数認められた。
た。 ・メタンスルホン酸錫 ：０．１３モル／ｌ ・メタンスルホン酸鉛 ：０．０２５モル／ｌ ・メタンスルホン酸 ：０．４モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．５モル／ｌ ・次亜リン酸 ：０．８モル／ｌ 得られためっき浴を５５℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた皮膜
は、０．９μｍの膜厚と９％の鉛含有率を有し、無光沢
で均一性に欠け、外観ムラを生じた。粒子表面は粗雑
で、ピンホールが多数認められた。
【００２１】比較例５ 下記の成分を含む公知の無電解錫めっき浴を調製した。 ・ほう弗化第一錫 ：０．２５モル／ｌ ・ほう弗化水素酸 ：０．２５モル／ｌ ・フェノールスルホン酸 ：０．５５モル／ｌ ・次亜リン酸カリウム ：０．５モル／ｌ ・チオ尿素 ：１．５モル／ｌ ・ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル：１０ｇ／ｌ 得られためっき浴を７０℃に保持して、２５×２５ｍｍ
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた錫皮
膜は、無光沢で均一であったが、一部外観ムラが生じ
た。めっき物を数日間経時観察したところ黄変を認め
た。
の圧延銅板の試験片を３分間浸漬させた。得られた錫皮
膜は、無光沢で均一であったが、一部外観ムラが生じ
た。めっき物を数日間経時観察したところ黄変を認め
た。
【００２２】以上本発明について好適な実施例を挙げて
説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変
をなし得るのはもちろんである。
説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変
をなし得るのはもちろんである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 道秀 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町５−26号石 原薬品株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−197580（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−184279（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩との
混合物よりなる可溶性金属塩、 （Ｂ）アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、
芳香族スルホン酸、鉱酸及び脂肪族カルボン酸よりなる
群から選択される少なくとも１種の酸、 （Ｃ）チオ尿素、及び （Ｄ）次亜リン酸及び次亜リン酸塩よりなる群から選択
される少なくとも１種の還元剤を基本組成とする無電解
錫又は錫−鉛合金メッキ浴に、 （Ｅ）次式（Ｉ） 【化１】 （ここで、ＲはＣ 5 〜Ｃ 25 アルキル基を表わし、Ｒ 1 は
Ｈ、Ｎａ又はＣＨ 2 ＣＯＯＭを表わし、Ｒ 2 はＣＯＯ
Ｍ、ＣＨ 2 ＣＯＯＭ又はＣＨＯＨＣＨ 2 ＳＯ 3 Ｍを表わ
し、ＭはＮａ、Ｋ又はＨを表わし、Ｒ 3 はＯＨを表わ
す）のイミダゾリンベタイン、 次式（II） 【化２】 （ここで、ＲはＣ 5 〜Ｃ 25 アルキル基を表わし、又はＲ
は基ＲＣＯＮＨＲ’−を 表わし、Ｒ’はＣ 1 〜Ｃ 3 アル
キレン基を表わす）のジメチルアルキルベタイン、及び
次式(III) 【化３】 （ここで、ＲはＣ 5 〜Ｃ 25 アルキル基を表わし、又はＲ
は基ＲＣＯＮＨＲ’−を表わし、Ｒ’はＣ 1 〜Ｃ 3 アル
キレン基を表わす）のアルキルアミンオキシドよりなる
群から選択される少なくとも１種の含窒素化合物を添加
したことを特徴とする無電解錫又は錫−鉛合金メッキ
浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07033491A JP3180918B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 無電解錫及び無電解錫−鉛合金メッキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07033491A JP3180918B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 無電解錫及び無電解錫−鉛合金メッキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05186878A JPH05186878A (ja) | 1993-07-27 |
| JP3180918B2 true JP3180918B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=13428425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07033491A Expired - Lifetime JP3180918B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 無電解錫及び無電解錫−鉛合金メッキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3180918B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101710162B1 (ko) | 2014-11-28 | 2017-03-08 | 주식회사 하우앳 | 엘리베이터 기능을 갖는 카메라 받침대 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554211A (en) * | 1995-11-15 | 1996-09-10 | Mcgean-Rohco, Inc. | Aqueous electroless plating solutions |
| US5928790A (en) * | 1996-04-23 | 1999-07-27 | Mcgean-Rohco, Inc. | Multilayer circuit boards and processes of making the same |
| DE19749382A1 (de) * | 1997-11-07 | 1999-05-27 | Atotech Deutschland Gmbh | Verzinnung von Kupferrohren |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP07033491A patent/JP3180918B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101710162B1 (ko) | 2014-11-28 | 2017-03-08 | 주식회사 하우앳 | 엘리베이터 기능을 갖는 카메라 받침대 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05186878A (ja) | 1993-07-27 |
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