JP3165192B2 - Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor integrated circuit deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造方法に係り、特に半導体集積回路基板をチップに分
断する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a method for dividing a semiconductor integrated circuit substrate into chips.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野では、素子
の高密度化、集積化が進められており、素子の微細化は
進む一方である。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits, high density and high integration of devices have been promoted, and miniaturization of devices has been progressing.
【0003】このような半導体集積回路装置は、通常、
シリコン基板等の半導体基板に多数の集積回路を作り込
み、完成後、半導体集積回路チップに分断し、これらの
半導体集積回路チップをリードフレームあるいはテープ
キャリアなどの実装部材に装着し、チップの周りを樹脂
等で封止して得られる。Such a semiconductor integrated circuit device is usually
A large number of integrated circuits are manufactured on a semiconductor substrate such as a silicon substrate, and after completion, the semiconductor integrated circuit chips are divided into semiconductor integrated circuit chips, and these semiconductor integrated circuit chips are mounted on a mounting member such as a lead frame or a tape carrier. Obtained by sealing with resin or the like.
【0004】ところで、この集積回路基板を半導体集積
回路チップに分断する工程は、通常、次のようにして行
われている。Incidentally, the step of dividing the integrated circuit substrate into semiconductor integrated circuit chips is usually performed as follows.
【0005】図5(a) に示すように、半導体集積回路基
板1に表面保護シート2を気泡が出ないように貼着する
とともに、裏面に固定用シート7をはりつけ、吸着ステ
ージ3に半導体集積回路基板1を装着し、吸着穴10か
ら真空吸引を行うことにより、吸着ステージ3に半導体
集積回路基板1を固定する。[0005] As shown in FIG. 5 (a), a surface protection sheet 2 is adhered to a semiconductor integrated circuit board 1 so as to prevent air bubbles from coming out, and a fixing sheet 7 is attached to the back surface. The semiconductor integrated circuit board 1 is fixed to the suction stage 3 by mounting the circuit board 1 and performing vacuum suction through the suction holes 10.
【0006】そして、TVカメラを介しモニタTV5に
よって位置合わせを行いながら薄刃カッター4を走査
し、順次半導体集積回路基板1を切断し、半導体集積回
路チップ1Cに分断する。 このようにして、分断した
後、図5(b) に示すように、表面保護シートを剥がし、
実装ラインに搬送される。[0006] The thin blade cutter 4 scans the semiconductor integrated circuit board 1 while performing positioning with a monitor TV 5 via a TV camera, and cuts the semiconductor integrated circuit board 1 into semiconductor integrated circuit chips 1C. After dividing in this manner, the surface protection sheet was peeled off as shown in FIG.
It is transported to the mounting line.
【0007】この場合、表面保護シートを剥がす際、表
面保護シートの接着剤がチップ表面に残ったり、切り屑
8が切断ライン(スクライブライン)の脇に盛り上がっ
て残り、表面保護シートを剥がす際、切り屑8が押され
て倒れ、この倒れた切り屑が飛び散ることにより、チッ
プ表面にごみや汚れの付着および傷等が発生することが
ある。従来、これらが原因で、しばしば半導体集積回路
の誤動作等の悪影響をもたらすことがあった。In this case, when the surface protection sheet is peeled off, the adhesive of the surface protection sheet remains on the chip surface, or the chips 8 bulge and remain beside the cutting line (scribe line). The chips 8 are pushed down and fall, and the fallen chips are scattered, which may cause dust, adhesion of dirt, scratches on the chip surface. Conventionally, these have often caused adverse effects such as malfunctions of the semiconductor integrated circuit.
【0008】そこでこのような切り屑の発生を低減する
ために、切断する際に半導体集積回路基板の厚さの半分
だけ切断し(ハーフカット)、後に圧力をかけて分断す
る方法や、半導体集積回路基板の厚さを最初から薄くし
ておく等の方法が提案されている。しかしながら、切り
屑が表面に飛び散り、ごみや汚れの付着および傷等が発
生するという問題は依然として改善されていない。In order to reduce the generation of such chips, a method of cutting the semiconductor integrated circuit board by half the thickness of the semiconductor integrated circuit board (half cut) at the time of cutting and applying pressure later to cut the semiconductor integrated circuit board, A method has been proposed in which the thickness of the circuit board is reduced from the beginning. However, the problem that chips are scattered on the surface to cause dust and dirt to adhere and flaws to be generated has not been improved yet.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の切
断方法では、チップ表面が接着剤に汚染されたり、表面
保護シートを剥がす際、切り屑8が押されて倒れ、この
倒れた切り屑が飛び散ること等により、チップ表面にご
みや汚れの付着および傷等が発生し、半導体集積回路の
誤動作をもたらすという問題があった。As described above, according to the conventional cutting method, when the chip surface is contaminated with an adhesive or when the surface protection sheet is peeled off, the chip 8 is pushed down and falls down, Scattering, etc., causes dust and dirt to adhere to the chip surface, scratches, and the like, thereby causing a problem of malfunction of the semiconductor integrated circuit.
【0010】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、分断時の切り屑によるチップ表面の汚染を防止し、
信頼性の高い半導体集積回路装置を得ることを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and prevents contamination of a chip surface by chips at the time of cutting,
An object is to obtain a highly reliable semiconductor integrated circuit device.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第1で
は、半導体集積回路基板の表面に表面保護用のシートを
貼着して、表面保護用のシートを残すように裏面側から
半導体集積回路基板を切断し、この後表面保護用のシー
トを剥がし、分断された半導体集積回路チップを得るよ
うにしている。Therefore, in a first aspect of the present invention, a sheet for protecting the surface is attached to the surface of the semiconductor integrated circuit substrate, and the semiconductor integrated circuit is left from the back side so as to leave the sheet for protecting the surface. The substrate is cut, and then the sheet for protecting the surface is peeled off to obtain a divided semiconductor integrated circuit chip.
【0012】望ましくは、シートの貼着を、紫外線硬化
型接着剤を介して行うようにし、剥離に先立ち、半導体
集積回路基板の表面に紫外線を照射し、紫外線硬化型接
着剤を硬化させ、シートを剥離しやすい状態にするよう
にしている。Preferably, the sheet is attached via an ultraviolet-curable adhesive, and prior to peeling, the surface of the semiconductor integrated circuit substrate is irradiated with ultraviolet light to cure the ultraviolet-curable adhesive, In a state where it is easy to peel off.
【0013】また本発明の第2では、切断される領域に
沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択的
に接着剤層を形成し、この接着剤層によって半導体集積
回路基板の表面に表面保護用のシートを貼着し、この表
面保護用のシートと共に、前記半導体集積回路基板を切
断し、半導体集積回路チップに分断し、この後表面保護
用のシートを剥離するようにしている。According to a second aspect of the present invention, an adhesive layer is selectively formed on a region slightly larger than the region to be cut along the region to be cut, and the adhesive layer is used to form a surface of the semiconductor integrated circuit substrate. A sheet for protecting the surface is adhered to the semiconductor integrated circuit board, and the sheet for protecting the surface is cut together with the sheet for protecting the surface, divided into semiconductor integrated circuit chips, and then the sheet for protecting the surface is peeled off. .
【0014】さらに本発明の第3では、表面保護用のシ
ートの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するととも
にこのシートの表面に、切断される領域に相当する領域
よりもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮
光膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シー
トの切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を
選択的に硬化させたのち、シートを半導体集積回路基板
の表面に貼着して、表面保護用のシートと共に、半導体
集積回路基板を切断し、半導体集積回路チップに分断
し、さらに表面保護用のシートを剥離するようにしてい
る。In a third aspect of the present invention, an ultraviolet-curing adhesive is applied to the entire back surface of the sheet for protecting the surface, and the surface of the sheet is shielded from light in an area slightly larger than the area corresponding to the area to be cut. After forming a film pattern and irradiating ultraviolet rays with the light-shielding film pattern as a mask, and selectively curing the ultraviolet curable adhesive in an area other than the area where the sheet is cut, the sheet is placed on the surface of the semiconductor integrated circuit substrate. The semiconductor integrated circuit board is cut together with the sheet for surface protection, cut into semiconductor integrated circuit chips, and the sheet for surface protection is peeled off.
【0015】望ましくは剥離に先立ち、半導体集積回路
基板の表面に紫外線を照射し、前記紫外線硬化型接着剤
を硬化させ、シートを剥離しやすい状態にした後剥離す
る。Preferably, prior to peeling, the surface of the semiconductor integrated circuit substrate is irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet-curable adhesive, and the sheet is peeled after it is easily peeled.
【0016】[0016]
【作用】上記第1の構成によれば、半導体集積回路基板
の表面に表面保護用のシートを貼着して、裏面側から切
断し、半導体集積回路チップに分断するようにしている
ため、切り屑は発生するとしても半導体集積回路基板の
裏面側であり、表面の汚染は低減される。そして表面保
護用のシートを残すように裏面側から半導体集積回路基
板を切断しているため、切断後、シートは一体として残
っており、剥離が容易である。According to the first structure, a sheet for protecting the surface is attached to the front surface of the semiconductor integrated circuit substrate and cut from the back surface side to be divided into semiconductor integrated circuit chips. Even if dust is generated, it is on the back side of the semiconductor integrated circuit substrate, and contamination on the surface is reduced. Since the semiconductor integrated circuit substrate is cut from the back side so as to leave the sheet for surface protection, the sheet remains as a unit after cutting, and is easily peeled off.
【0017】そして、シートの貼着を、紫外線硬化型接
着剤を介して行うようにし、剥離に先立ち、半導体集積
回路基板の表面に紫外線を照射し、紫外線硬化型接着剤
を硬化させるようにすることにより、シートは剥離しや
すい状態となる。[0017] Then, the sheet is adhered through an ultraviolet-curable adhesive, and prior to peeling, the surface of the semiconductor integrated circuit substrate is irradiated with ultraviolet light to cure the ultraviolet-curable adhesive. As a result, the sheet is in a state of being easily peeled.
【0018】また第2の構成によれば、切断される領域
に沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択
的に接着剤層を形成し、この表面保護用のシートを半導
体集積回路基板の表面に貼着しているため、この表面保
護用のシートと共に、半導体集積回路基板を切断した際
に、切断面の近傍は接着剤層によって固着され、半導体
基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染されることなく
切断面の側面でのみ固着されたシートによって保護され
ているため、切り屑等で汚染されることもない。また、
この表面保護シートを固着するための接着剤層として
は、紫外線硬化型接着剤を用いることにより、剥離に先
立ち紫外線照射を行うことにより、容易に剥離すること
ができる。Further, according to the second configuration, an adhesive layer is selectively formed along a region to be cut on a region slightly larger than the region to be cut, and the sheet for protecting the surface is formed on the semiconductor integrated circuit. When the semiconductor integrated circuit board is cut together with the surface protection sheet, the vicinity of the cut surface is fixed by an adhesive layer, and the element region of the semiconductor substrate is bonded to the adhesive. The surface is protected by the sheet fixed only on the side surface of the cut surface without being contaminated, so that it is not contaminated by chips or the like. Also,
The adhesive layer for fixing the surface protective sheet can be easily peeled off by using an ultraviolet-curing adhesive and by irradiating with ultraviolet rays prior to peeling.
【0019】また本発明の第3では、表面保護用のシー
トの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するとともに
このシートの表面に、切断される領域に相当する領域よ
りもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮光
膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シート
の切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を選
択的に硬化させたのちにこのシートを半導体集積回路基
板の表面に貼着することにより、前記第2の構成と同
様、この表面保護用のシートと共に、半導体集積回路基
板を切断した際に、切断面の近傍は接着剤層によって固
着され、半導体基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染
されることなく切断面の側面でのみ表面保護用のシート
に固着され、この接着剤層およびシートによって保護さ
れているため、切り屑等で汚染されることもない。ま
た、ここでも、剥離に先立ち紫外線照射を行うことによ
り、容易に剥離することができる。According to a third aspect of the present invention, an ultraviolet-curable adhesive is applied to the entire back surface of the sheet for protecting the surface, and the surface of the sheet is shielded from light in an area slightly larger than the area corresponding to the cut area. After forming a film pattern and irradiating ultraviolet rays using the light-shielding film pattern as a mask, and selectively curing the ultraviolet curable adhesive in an area excluding the cut area of the sheet, the sheet is used as a semiconductor integrated circuit board. When the semiconductor integrated circuit board is cut together with the surface protection sheet by bonding to the surface as in the second configuration, the vicinity of the cut surface is fixed by an adhesive layer, and the element of the semiconductor substrate is attached. The area is fixed to the surface protection sheet only on the side of the cut surface without contaminating the surface with the adhesive, and the area is protected by the adhesive layer and the sheet. And is it not also contaminated with such. Also in this case, the separation can be easily performed by irradiating ultraviolet rays before the separation.
【0020】[0020]
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0021】実施例1 図1は、本発明の第1の実施例の半導体集積回路基板の
切断方法を示す図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a diagram showing a method for cutting a semiconductor integrated circuit board according to a first embodiment of the present invention.
【0022】まず図1(a) に示すように、シリコンIC
等の半導体集積回路基板1の表面、すなわち集積回路の
形成された側に厚さ80μm のポリエチレンまたはポリ
オレフィンフィルムからなる表面保護シート12を気泡
が出ないように厚さ10μmの紫外線硬化型接着剤Pを
介して貼着する。そして、この半導体集積回路基板1を
ガラス等の赤外線透過性の材料からなる、吸着ステージ
13にこの半導体集積回路基板1の表面を下にして装着
し、吸着穴10から真空吸引を行うことにより、吸着ス
テージ13に半導体集積回路基板1を固定する。ここで
は表面保護シート12および紫外線硬化型接着剤Pとし
ては、両者が一体化された、D−604MSと指称され
ているリンテック社の紫外線硬化型ダイシングシートを
用いた。First, as shown in FIG.
A surface protective sheet 12 made of polyethylene or polyolefin film having a thickness of 80 .mu.m is coated on the surface of the semiconductor integrated circuit substrate 1 such as the side on which the integrated circuit is formed with an ultraviolet-curable adhesive P having a thickness of 10 .mu.m so as to prevent air bubbles. To stick through. Then, the semiconductor integrated circuit board 1 is mounted on a suction stage 13 made of an infrared-transmissive material such as glass, with the surface of the semiconductor integrated circuit board 1 facing down, and vacuum suction is performed from the suction hole 10. The semiconductor integrated circuit board 1 is fixed to the suction stage 13. Here, as the surface protective sheet 12 and the ultraviolet-curable adhesive P, an ultraviolet-curable dicing sheet manufactured by Lintec Co., which is designated as D-604MS, was used.
【0023】そして、基板の表面側から赤外線ランプ1
6によって集積回路基板1に光照射を行い、この透過光
を赤外線ビジコンカメラを用いて、回路基板1に形成さ
れているスクライブライン9のパターンをモニタTV1
5に映し、位置合わせを行いながら高さ調整した薄刃カ
ッター4を走査し、順次半導体集積回路基板1を切断
し、半導体集積回路チップ1Cに分断する。このとき表
面保護シート12は切断することなく残した状態にして
おく。Then, the infrared lamp 1 is placed from the front side of the substrate.
6, the integrated circuit board 1 is irradiated with light, and the transmitted light is used to monitor the pattern of the scribe line 9 formed on the circuit board 1 using an infrared vidicon camera.
5, the thin blade cutter 4 whose height has been adjusted while scanning is scanned, and the semiconductor integrated circuit substrate 1 is sequentially cut and divided into semiconductor integrated circuit chips 1C. At this time, the surface protection sheet 12 is left without being cut.
【0024】このようにして、分断した後、ステージ1
3に固定したまま図1(b) に示すように、半導体集積回
路基板1の裏面側に固定シート7を貼着する。この固定
シート7も表面保護シート12と同様厚さ80μm のポ
リエチレンまたはポリオレフィンフィルムから構成され
紫外線硬化型接着剤(図示せず)を介して貼着される。After the division as described above, the stage 1
As shown in FIG. 1B, the fixing sheet 7 is adhered to the back surface of the semiconductor integrated circuit board 1 while the fixing sheet 7 is fixed. The fixing sheet 7 is made of a polyethylene or polyolefin film having a thickness of 80 μm similarly to the surface protection sheet 12, and is adhered via an ultraviolet curing adhesive (not shown).
【0025】そして図1(c) に示すように、半導体集積
回路基板1の表面側から、UV照射を行う。Then, as shown in FIG. 1C, UV irradiation is performed from the front side of the semiconductor integrated circuit substrate 1.
【0026】ここで紫外線硬化型接着剤Pは、図1(d)
に示すように、硬化して状態変化しP´となって、接着
力が低下し、剥離しやすい状態となったところで、表面
保護シート12を一括して剥離する。ここで固定シート
7の紫外線硬化型接着剤も光が当たった領域では接着力
が低下するが、この場合は、基板の表面側すなわち集積
回路が形成された側からのUV照射であるため、チップ
の配線パターンのある領域では光が遮断されることにな
り、接着状態を維持することができる。Here, the ultraviolet curable adhesive P is applied as shown in FIG.
As shown in (2), when the cured state changes to P ', the adhesive strength is reduced, and the surface is easily peeled, the surface protection sheet 12 is peeled off at once. Here, the adhesive force of the ultraviolet-curing adhesive of the fixing sheet 7 also decreases in the region where the light is applied. In this case, since UV irradiation is performed from the front surface side of the substrate, that is, the side where the integrated circuit is formed, the chip In a certain area of the wiring pattern, the light is blocked, and the adhesive state can be maintained.
【0027】そして、この固定シート7上に固定された
状態で実装ラインに搬送される。Then, the sheet is conveyed to a mounting line while being fixed on the fixing sheet 7.
【0028】そして固定シート7を伸ばし、チップ間間
隔を大きくし、貼着面すなわち基板の裏面側から再びU
V照射を行い、同様に硬化させ、接着力が低下し、剥離
しやすい状態となったところで、コレットを用いて1個
づつ移送し、リードフレームあるいはフィルムキャリア
等に位置決めし、装着する。Then, the fixing sheet 7 is extended, the interval between the chips is increased, and U
When V-irradiation is performed and similarly cured, the adhesive strength is reduced, and the film is easily peeled, it is transferred one by one using a collet, and positioned and mounted on a lead frame or a film carrier or the like.
【0029】このようにして形成される半導体集積回路
チップは、表面に切り屑が付着したりすることなく得る
ことができ、良好な表面状態を維持することができる。The semiconductor integrated circuit chip thus formed can be obtained without chips attached to the surface, and a good surface state can be maintained.
【0030】また、シートは分断されることなく、一体
のまま残っている上、UV照射により、表面保護シート
の接着力を低下することができるため、表面保護シート
の剥離が容易である。Further, since the sheet remains intact without being divided, and the adhesive strength of the surface protection sheet can be reduced by UV irradiation, the surface protection sheet can be easily peeled off.
【0031】なお、ここでは半導体集積回路基板の裏面
からスクライブラインを検出するために、ガラス等の赤
外線透過性材料で形成した吸着ステージを用い、下側か
ら赤外線照射を行い、透過光を検出するようにしたが、
検出手段を下側におき、反射光を検出するようにしても
よい。Here, in order to detect a scribe line from the back surface of the semiconductor integrated circuit substrate, a suction stage formed of an infrared transmitting material such as glass is used, and infrared light is irradiated from below to detect transmitted light. I did,
The detecting means may be placed on the lower side to detect the reflected light.
【0032】実施例2 図2は、本発明の第2の実施例の半導体集積回路基板の
切断方法を示す説明図、図3(a) 乃至(i) はこの工程断
面図である。Embodiment 2 FIG. 2 is an explanatory view showing a method of cutting a semiconductor integrated circuit substrate according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 3 (a) to 3 (i) are cross-sectional views showing this process.
【0033】この方法では、切断線すなわち切断される
領域24に沿って、切断される領域よりもやや大きい領
域に選択的に接着剤層23を形成し、この接着剤層23
によって半導体集積回路基板11の表面に表面保護用の
シート25を貼着し、この表面保護用のシートと共に、
半導体集積回路基板を切断し、半導体集積回路チップに
分断し、この後表面保護用のシートを剥離するようにし
たことを特徴とするものである。ここで22は素子領域
すなわち表面保護を行うべき領域である。According to this method, an adhesive layer 23 is selectively formed along a cutting line, that is, a region 24 to be cut, in a region slightly larger than the region to be cut.
A surface protection sheet 25 is adhered to the surface of the semiconductor integrated circuit substrate 11 by using
The semiconductor integrated circuit substrate is cut, divided into semiconductor integrated circuit chips, and then a surface protection sheet is peeled off. Here, 22 is an element region, that is, a region where surface protection is to be performed.
【0034】まず図3(a) に示すように、シリコンIC
等の集積回路22の形成された半導体集積回路基板11
を形成する。ここで24は切断線すなわちダイシング工
程で切断される領域である。First, as shown in FIG.
Integrated circuit substrate 11 on which integrated circuit 22 such as
To form Here, reference numeral 24 denotes a cutting line, that is, a region to be cut in the dicing step.
【0035】次いで、図3(b) に示すように、厚さ80
μm のポリエチレンまたはポリオレフィンフィルムから
なる表面保護シート25表面に、印刷法で半導体集積回
路基板11の切断領域24よりも60μm 程度大きく形
成された厚さ50μm の紫外線硬化型接着剤からなる格
子状パターン23を形成し、このパターン23が半導体
集積回路基板11の切断領域24に一致するように固着
する。固着した状態を図3(c) に示す。Next, as shown in FIG.
On the surface of a surface protection sheet 25 made of a polyethylene or polyolefin film having a thickness of 50 μm, a grid pattern 23 made of a 50 μm-thick ultraviolet-curable adhesive formed about 60 μm larger than the cut region 24 of the semiconductor integrated circuit board 11 by a printing method. Is fixed so that the pattern 23 coincides with the cutting region 24 of the semiconductor integrated circuit substrate 11. FIG. 3 (c) shows the state in which they are fixed.
【0036】この後、吸着ステージ上に装着された固定
シート17にこの半導体集積回路基板11の裏面を下に
して装着し、固定シート17に半導体集積回路基板11
を固定し、ダイシングマシン18を用いて図3(d) に示
すように基板の表面からダイシングを行う。このとき切
断面には接着剤が残っているため、素子領域は良好に保
護されている。Thereafter, the semiconductor integrated circuit board 11 is mounted on the fixing sheet 17 mounted on the suction stage with the back surface of the semiconductor integrated circuit board 11 facing down.
Is fixed, and dicing is performed from the surface of the substrate using a dicing machine 18 as shown in FIG. At this time, since the adhesive remains on the cut surface, the element region is well protected.
【0037】この後、基板表面から約5秒間紫外線照射
を行い、接着剤を硬化せしめて接着性を低下させる。こ
こで紫外線硬化型接着剤は、図3(e) に示すように、硬
化して状態変化しP´となって、接着力が低下し、剥離
しやすい状態となる。Thereafter, ultraviolet rays are irradiated from the substrate surface for about 5 seconds to cure the adhesive and reduce the adhesiveness. Here, as shown in FIG. 3 (e), the UV-curable adhesive is cured and changes its state to P ', the adhesive strength is reduced, and the adhesive is easily peeled.
【0038】そして図3(f) に示すように、表面保護シ
ート25の表面に粘着性テープ20を貼着し、この表面
保護シート25を一括して剥離する。Then, as shown in FIG. 3 (f), an adhesive tape 20 is adhered to the surface of the surface protection sheet 25, and the surface protection sheet 25 is peeled off at once.
【0039】そして、この固定シート17上に固定され
た状態で実装ラインに搬送される。そして図3(g) に示
すように、固定シート17を伸ばし、チップ間間隔を大
きくし、さらに図3(h) に示すように、貼着面すなわち
基板の裏面側から再びUV照射を行い、同様に硬化さ
せ、接着力が低下し、剥離しやすい状態となったところ
で、図3(i) に示すようにコレット21を用いて1個づ
つ移送し、リードフレームあるいはフィルムキャリア等
に位置決めし、装着する。The sheet is conveyed to a mounting line while being fixed on the fixing sheet 17. Then, as shown in FIG. 3 (g), the fixing sheet 17 is extended, the interval between the chips is increased, and as shown in FIG. 3 (h), UV irradiation is performed again from the bonding surface, that is, the back surface of the substrate. Similarly, when the adhesive is cured, the adhesive strength is reduced, and it becomes easy to peel off, as shown in FIG. 3 (i), it is transferred one by one using a collet 21 and positioned on a lead frame or a film carrier. Installing.
【0040】このようにして形成される半導体集積回路
チップは、素子領域表面が接着剤で汚染されたり、切り
屑が付着したりすることなく、得ることができ、良好な
表面状態を維持することができる。The semiconductor integrated circuit chip thus formed can be obtained without the surface of the element region being contaminated with an adhesive or attaching chips, and a good surface condition can be maintained. Can be.
【0041】なお、この例では、接着剤として紫外線硬
化型パターンを用いるようにしたが、必ずしも紫外線硬
化型である必要はなく、通常の接着剤を用いても良い。
またパターン形成に際しても、スクリーン印刷法のみな
らず、マスクパターンを介して塗布するマスク塗布法等
を用いても良い。In this example, an ultraviolet-curable pattern is used as the adhesive. However, the adhesive is not necessarily ultraviolet-curable, and a normal adhesive may be used.
When forming the pattern, not only a screen printing method but also a mask coating method of coating through a mask pattern or the like may be used.
【0042】実施例3 図4(a) 乃至(i) は、本発明の第3の実施例の半導体集
積回路基板の切断方法を示す工程断面図である。Embodiment 3 FIGS. 4A to 4I are process sectional views showing a method for cutting a semiconductor integrated circuit substrate according to a third embodiment of the present invention.
【0043】実施例2では接着剤をパターン印刷した
が、この方法では、裏面全体に紫外線硬化型接着剤33
の塗布された表面保護用のシート35を用い、この表面
に、半導体集積回路基板の切断線すなわち切断される領
域34に沿って、切断される領域よりもやや大きい領域
に選択的に遮光パターン30を形成しておき、この遮光
パターン30を介しての露光によって接着機能を選択的
に低下せしめ、接着性領域33Sをパターン状に残すよ
うにしたことを特徴とするもので、他については実施例
2と同様である。ここで32は素子領域すなわち表面保
護を行うべき領域である。In the second embodiment, the adhesive is patterned and printed. In this method, the ultraviolet curable adhesive 33 is applied to the entire back surface.
Is applied to the surface of the semiconductor integrated circuit substrate along the cutting line, that is, the cut area 34, and selectively on the area slightly larger than the cut area. Is formed, and the bonding function is selectively reduced by exposure through the light-shielding pattern 30, so that the adhesive region 33S is left in a pattern. Same as 2. Here, 32 is an element region, that is, a region where surface protection is to be performed.
【0044】まず図4(a) に示すように、厚さ80μm
のポリエチレンまたはポリオレフィンフィルムからなる
表面保護シート25裏面全体に、厚さ50μm の紫外線
硬化型接着剤33を塗布し、さらに表面に印刷法で半導
体集積回路基板31の切断領域34よりも60μm 程度
大きく形成された厚さ50μm のCrからなる遮光膜の
格子状パターン30を形成する。First, as shown in FIG.
A 50 .mu.m-thick UV-curable adhesive 33 is applied to the entire back surface of the surface protection sheet 25 made of a polyethylene or polyolefin film, and the surface is formed to be about 60 .mu.m larger than the cut area 34 of the semiconductor integrated circuit board 31 by a printing method. A grid pattern 30 of a light-shielding film made of Cr and having a thickness of 50 μm is formed.
【0045】この後、図4(b) に示すように表面側から
紫外線を照射し、前記遮光膜の格子状パターン30の下
以外の領域の紫外線硬化型接着剤を硬化せしめ、格子状
パターン30の下の領域のみを接着性領域33Sとして
残す。Thereafter, as shown in FIG. 4 (b), ultraviolet rays are irradiated from the front side to cure the ultraviolet curable adhesive in the area other than below the grid pattern 30 of the light-shielding film. Is left as the adhesive region 33S.
【0046】この後図4(c) に示すように、このように
前記シートの裏面に、切断工程において切断される領域
に相当する領域よりもやや大きい領域にパターンを形成
するように接着性領域を残したシートを、このパターン
状の接着性領域33Sが半導体集積回路基板31の切断
領域34に一致するように固着する。この半導体集積回
路基板31の表面にはシリコンIC等の集積回路32が
形成されている。ここで34は切断線すなわちダイシン
グ工程で切断される領域である。Thereafter, as shown in FIG. 4 (c), the adhesive area is formed on the back surface of the sheet so as to form a pattern in an area slightly larger than the area corresponding to the area to be cut in the cutting step. Is fixed such that the pattern-like adhesive region 33S coincides with the cutting region 34 of the semiconductor integrated circuit substrate 31. On the surface of the semiconductor integrated circuit substrate 31, an integrated circuit 32 such as a silicon IC is formed. Here, 34 is a cutting line, that is, a region to be cut in the dicing step.
【0047】そして、固着した状態を図4(d) に示す。FIG. 4 (d) shows the state of fixation.
【0048】この後、吸着ステージ上に装着された固定
シート17にこの半導体集積回路基板31の裏面を下に
して装着し、固定シート17に半導体集積回路基板31
を固定し、ダイシングマシン38を用いて図4(e) に示
すように基板の表面からダイシングを行う。このとき切
断面には接着性領域33Sが残っているため、素子領域
は良好に保護されている。Thereafter, the semiconductor integrated circuit board 31 is mounted on the fixing sheet 17 mounted on the suction stage with the back surface of the semiconductor integrated circuit board 31 facing down.
Is fixed, and dicing is performed from the surface of the substrate using a dicing machine 38 as shown in FIG. At this time, since the adhesive region 33S remains on the cut surface, the element region is well protected.
【0049】この後、図4(f) に示すように、基板表面
の斜め方向から約5秒間紫外線照射を行い、接着性領域
33Sの接着剤を硬化せしめて接着性を低下させる。Thereafter, as shown in FIG. 4 (f), ultraviolet light is applied for about 5 seconds from an oblique direction of the substrate surface to harden the adhesive in the adhesive area 33S to lower the adhesiveness.
【0050】そして図4(g) に示すように、表面保護シ
ート35の表面に粘着性テープ20を貼着し、この表面
保護シート35を一括して剥離する。Then, as shown in FIG. 4 (g), the adhesive tape 20 is adhered to the surface of the surface protection sheet 35, and the surface protection sheet 35 is peeled off at once.
【0051】そして、この固定シート17上に固定され
た状態で実装ラインに搬送される。そして図4(h) に示
すように、固定シート17を伸ばし、チップ間間隔を大
きくし、さらに図4(i) に示すように、貼着面すなわち
基板の裏面側から再びUV照射を行い、同様に硬化さ
せ、接着力が低下し、剥離しやすい状態となったところ
で、図4(j) に示すようにコレット21を用いて1個づ
つ移送し、リードフレームあるいはテープキャリア等に
位置決めし、装着する。Then, the sheet is conveyed to a mounting line while being fixed on the fixing sheet 17. Then, as shown in FIG. 4 (h), the fixing sheet 17 is stretched, the interval between the chips is increased, and as shown in FIG. 4 (i), UV irradiation is performed again from the bonding surface, that is, from the back side of the substrate. Similarly, when the adhesive is cured, the adhesive strength is reduced, and the adhesive is easily peeled, as shown in FIG. 4 (j), it is transferred one by one using a collet 21 and positioned on a lead frame or a tape carrier. Installing.
【0052】このようにして形成される半導体集積回路
チップは、素子領域表面が接着剤で汚染されたり、切り
屑が付着したりすることなく、得ることができ、良好な
表面状態を維持することができる。The semiconductor integrated circuit chip formed in this manner can be obtained without the element region surface being contaminated with an adhesive and chips are not attached, and a good surface state is maintained. Can be.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の第1
によれば、半導体集積回路基板の表面に表面保護用のシ
ートを貼着して、裏面側からこのシートを残すように半
導体集積回路基板のみを切断し、半導体集積回路チップ
に分断し、この後このシートを剥離するようにしている
ため、半導体集積回路基板の表面の汚染は低減され、信
頼性の向上を図ることができる。As described above, the first aspect of the present invention is as follows.
According to the method, a sheet for protecting the surface is attached to the front surface of the semiconductor integrated circuit board, and only the semiconductor integrated circuit board is cut so as to leave this sheet from the back side, and cut into semiconductor integrated circuit chips. Since this sheet is peeled, contamination on the surface of the semiconductor integrated circuit substrate is reduced, and reliability can be improved.
【0054】本発明の第2によれば、切断される領域に
沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択的
に接着剤層を形成し、この表面保護用のシートを半導体
集積回路基板の表面に貼着しているため、この表面保護
用のシートと共に、半導体集積回路基板を切断した際
に、切断面の近傍は接着剤層によって固着され、半導体
基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染されることなく
切断面の側面でのみ表面保護用のシートに固着され、こ
の接着剤層およびシートによって保護されているため、
切り屑等で汚染されることもない。According to the second aspect of the present invention, an adhesive layer is selectively formed on a region slightly larger than the region to be cut along the region to be cut, and the surface protection sheet is formed on the semiconductor integrated circuit. When the semiconductor integrated circuit board is cut together with the surface protection sheet, the vicinity of the cut surface is fixed by an adhesive layer, and the element region of the semiconductor substrate is bonded to the adhesive. It is fixed to the surface protection sheet only on the side of the cut surface without being contaminated by the surface, and is protected by this adhesive layer and sheet,
There is no contamination by chips or the like.
【0055】本発明の第3によれば、表面保護用のシー
トの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するとともに
このシートの表面に、切断される領域に相当する領域よ
りもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮光
膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シート
の切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を選
択的に硬化させたのちにこのシートを半導体集積回路基
板の表面に貼着するようにしているため、半導体集積回
路基板を切断した際に、切断面の近傍は接着剤層によっ
て固着され、半導体基板の素子領域は、接着剤で表面を
汚染されることなく表面保護用のシートによって保護さ
れているため、切り屑等で汚染されることもない。According to the third aspect of the present invention, an ultraviolet-curable adhesive is applied to the entire back surface of the sheet for surface protection, and the surface of the sheet is coated with an area slightly larger than the area corresponding to the area to be cut. After forming a light-shielding film pattern and irradiating ultraviolet rays with the light-shielding film pattern as a mask to selectively harden an ultraviolet-curable adhesive in an area other than an area to be cut on the sheet, the sheet is mounted on a semiconductor integrated circuit substrate. When the semiconductor integrated circuit substrate is cut, the vicinity of the cut surface is fixed by an adhesive layer, and the element region of the semiconductor substrate is contaminated by the adhesive when the semiconductor integrated circuit substrate is cut. And is protected by a sheet for surface protection, so that it is not contaminated by chips or the like.
【図1】本発明の第1の実施例の半導体集積回路装置の
切断工程を示す図。FIG. 1 is a view showing a cutting process of a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施例の半導体集積回路装置の
切断方法を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing a method for cutting a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2の実施例の半導体集積回路装置の
切断工程を示す図。FIG. 3 is a view showing a cutting step of the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3の実施例の半導体集積回路装置の
切断工程を示す図。FIG. 4 is a view showing a cutting step of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment of the present invention.
【図5】従来例の半導体集積回路装置の切断工程を示す
図。FIG. 5 is a view showing a cutting step of a conventional semiconductor integrated circuit device.
1 半導体集積回路基板 1C チップ 2 表面保護シート 3 吸着ステージ 4 薄刃カッター 5 TVカメラ 6 赤外線ランプ 7 固定シート 8 切り屑 9 スクライブライン 10 吸着穴 11 半導体集積回路基板 12 表面保護シート 13 吸着ステージ 15 TVカメラ 16 赤外線ランプ 17 固定シート P 紫外線硬化型接着剤 23 接着剤層 24 切断線 25 表面保護用のシート 31 半導体集積回路基板 32 素子領域 33S 接着性領域 34 切断線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor integrated circuit board 1C chip 2 Surface protection sheet 3 Suction stage 4 Thin blade cutter 5 TV camera 6 Infrared lamp 7 Fixed sheet 8 Chip 9 Scribe line 10 Suction hole 11 Semiconductor integrated circuit board 12 Surface protection sheet 13 Suction stage 15 TV camera Reference Signs List 16 infrared lamp 17 fixing sheet P ultraviolet curing adhesive 23 adhesive layer 24 cutting line 25 sheet for surface protection 31 semiconductor integrated circuit board 32 element area 33S adhesive area 34 cutting line
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−167839(JP,A) 特開 平2−306669(JP,A) 特開 昭64−61208(JP,A) 特開 昭62−79649(JP,A) 特開 平3−239346(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/301 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-167839 (JP, A) JP-A-2-306669 (JP, A) JP-A-64-61208 (JP, A) JP-A-62 79649 (JP, A) JP-A-3-239346 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/301
Claims (4)
回路チップに分断する半導体集積回路の製造方法におい
て半導体集積回路基板の表面に紫外線硬化型接着剤を介
して表面保護用のシートを貼着するシート貼着工程と、 前記表面保護用のシートを残すように、前記半導体集積
回路基板を、裏面側から切断し、半導体集積回路チップ
に分断する切断工程と、 前記半導体集積回路基板の表面に紫外線を照射し、前記
紫外線硬化型接着剤を硬化させ、前記シートを剥離しや
すい状態にする紫外線照射工程と、 前記表面保護用のシートを剥離する剥離工程とを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。In a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit for dividing a semiconductor integrated circuit board into a plurality of semiconductor integrated circuit chips, a surface protection sheet is adhered to the surface of the semiconductor integrated circuit board via an ultraviolet curable adhesive. A sheet sticking step; a cutting step of cutting the semiconductor integrated circuit board from the back side so as to leave the surface protection sheet; and cutting the semiconductor integrated circuit board into semiconductor integrated circuit chips; and an ultraviolet ray on the surface of the semiconductor integrated circuit board. And an ultraviolet ray irradiating step of irradiating the ultraviolet curable adhesive to make the sheet easy to peel off, and a peeling step of peeling off the surface protection sheet. Device manufacturing method.
回路チップに分断する半導体集積回路の製造方法におい
て切断工程で切断される領域に沿って前記切断される領
域よりも、やや大きい領域に選択的に接着剤層を形成
し、この接着剤層によって半導体集積回路基板の表面に
表面保護用のシートを貼着するシート貼着工程と、 前記表面保護用のシートと共に、前記半導体集積回路基
板を切断し、半導体集積回路チップに分断する切断工程
と、 前記表面保護用のシートを剥離する剥離工程とを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。2. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, which divides a semiconductor integrated circuit substrate into a plurality of semiconductor integrated circuit chips, selectively along a region cut in a cutting step to a region slightly larger than the region to be cut. A sheet adhering step of adhering a surface protection sheet to the surface of the semiconductor integrated circuit board with the adhesive layer, and cutting the semiconductor integrated circuit board together with the surface protection sheet A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising: a cutting step of cutting into semiconductor integrated circuit chips; and a peeling step of peeling the surface protection sheet.
回路チップに分断する半導体集積回路の製造方法におい
て表面保護用のシートの裏面全体に紫外線硬化型接着剤
を塗布する接着剤塗布工程と、 前記シートの表面に、前記切断工程で切断される領域に
相当する領域よりもやや大きい領域に遮光膜パターンを
形成しこの遮光膜パターンをマスクとして紫外線を照射
し、前記シートの切断される領域を除く領域の前記紫外
線硬化型接着剤を選択的に硬化させる紫外線照射工程
と、 前記シートを半導体集積回路基板の表面に貼着するシー
ト貼着工程と、 前記表面保護用のシートと共に、前記半導体集積回路基
板を切断し、半導体集積回路チップに分断する切断工程
と、 前記表面保護用のシートを剥離する剥離工程とを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。3. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, which divides a semiconductor integrated circuit substrate into a plurality of semiconductor integrated circuit chips, wherein an ultraviolet curable adhesive is applied to the entire back surface of the surface protection sheet; On the surface of the sheet, a light-shielding film pattern is formed in an area slightly larger than the area corresponding to the area to be cut in the cutting step, and ultraviolet light is irradiated using this light-shielding film pattern as a mask, excluding the area where the sheet is cut. An ultraviolet irradiation step of selectively curing the ultraviolet curing adhesive in a region; a sheet attaching step of attaching the sheet to a surface of a semiconductor integrated circuit board; and the semiconductor integrated circuit together with the surface protection sheet. A cutting step of cutting a substrate and cutting it into semiconductor integrated circuit chips; and a peeling step of peeling off the surface protection sheet. Method for producing a body integrated circuit device.
回路基板の表面に紫外線を照射し、前記紫外線硬化型接
着剤を硬化させ、前記シートを剥離しやすい状態にする
紫外線照射工程を含むことを特徴とする請求項3記載の
半導体集積回路装置の製造方法。4. The method according to claim 1, further comprising: irradiating the surface of the semiconductor integrated circuit substrate with ultraviolet rays to cure the ultraviolet-curable adhesive before the peeling step, so that the sheet is easily peeled. 4. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein:
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