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JP3031226B2 - 磁気ディスク装置のr/wチャネル・パラメータの設定方法 - Google Patents

磁気ディスク装置のr/wチャネル・パラメータの設定方法

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JP3031226B2
JP3031226B2 JP7339153A JP33915395A JP3031226B2 JP 3031226 B2 JP3031226 B2 JP 3031226B2 JP 7339153 A JP7339153 A JP 7339153A JP 33915395 A JP33915395 A JP 33915395A JP 3031226 B2 JP3031226 B2 JP 3031226B2
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俊夫 竹内
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NEC Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置の
動作パラメータ設定方法に関し、特に読み出し信号の波
形等化を実施するアクティブ・フィルタの遮断周波数
(fc)とブースト(Boost)とディレイ(DL
Y)と、ピーク検出器内のスライス・レベル(SLV)
と、データシンクロナイザ内のウィンドゥ・シフト(W
SF)と、書き込みパルスのタイミングであるライト・
プリコンペンセーション(WPC)と、書き込み電流
(Ic)の設定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の磁気ディスク装置において記録・
再生を制御する要素は、磁気ヘッドやディスク媒体、記
録・再生系LSIのバラツキや、評価用装置の調査デー
タを考慮して、特性として最適であると判断した場所に
固定していた。従って全ての装置の各ヘッド及び複数ゾ
ーン(MZR)方式の場合は、全ゾーンにおいて、フィ
ルタのfc,Boost,DLYやWPC,Ic,WS
F及びSLVのセンタ値の設定が全て同じ場所であっ
た。
【0003】また過去の技術として、特開平5−266
587号公報は、孤立波形を読み出し手段により読み出
して、読み出し孤立波形の半値幅を計測する手段と、孤
立波形の半値幅に応じたエレクトリックフィルタの最適
特性を与える回路パラメータを固定的に記憶したROM
テーブルを有し、磁気ヘッド毎に最適テーブルを作成す
る手段と、最適テーブルからエレクトリックフィルタの
特性を制御する手段を有する技術を開示している(従来
技術1)。
【0004】また特開昭64−76403号公報は、ヘ
ッド固有の特性を測定し、その特性で最大位相マージン
/レベルマージンが得られる回路特性値を計算・実測し
て、予め記録素子(ROM)に記憶して、特定のヘッド
が選択されたら記憶素子に格納されている最適回路特性
値を最適化電流手段に選出し、電流制御手段はその回路
特性値に従って書き込み/読み出し回路に定数を設定
し、書き込み動作/読み出し動作を行う技術を開示して
いる(従来技術2)。
【0005】また特開昭59−198514号公報は、
磁気ヘッド・磁気ディスク単位毎に余弦等化回路、微分
回路、低減ろ波器のうち、1個または複数個の回路定数
を切り替えて、磁気ヘッド、磁気ディスクの特性組み合
わせによる再生波形のバラツキを補正し、装置の再生動
作の際の位相余裕が増大する技術を開示している(従来
技術3)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の磁気デ
ィスク装置では、記録・再生系パラメータ(fc,Bo
ost,DLY,WPC,Ic,WSF及びSLVのセ
ンタ)は、磁気ヘッド、ディスク媒体、記録・再生系L
SIのバラツキや限定された装置の評価データから判断
して、最適と思われる値に設定した推測値である為、必
ずしも全ての装置やヘッド・ゾーンに当てはまるとは限
らない。場合によっては、推測値から離れたパラメータ
値が最適値になり得る可能性もある。さらに高密度化が
進んで来ると、前記パラメータの設定によるウィンドゥ
・マージン及び振幅マージンが許容値を超えてしまう場
合がある。つまり前記で説明した推測値と本来個別に存
在する最適値との差が広がり、これがそのまま装置の性
能に影響する為、上記磁気ヘッドやディスク媒体、記録
・再生系LSIのバラツキに対して、満足するエラーレ
ートが得られない問題がある。
【0007】より詳しくは、従来技術1は孤立波形の半
値幅に対応してエレクトリックフィルタのパラメータ
(遮断周波数fcとブーストBoost)を決定してい
るが、半値幅の様な電気的特性値(他に出力値)の優劣
と位相マージンの大小に相関関係があるとは限らない。
つまり、孤立波のようなトラックの一部分で発生するパ
ルスは通常データとして書き込み・読み出しするパルス
と異なるので、計測した半値幅で判断したフィルタ設定
条件が位相マージン最大になるとは限らず、また計測し
ようとする場所で媒体として問題がある場合、例えば欠
陥もしくは湧き出し等他とは異なる孤立波が発生した場
合に、フィルタのパラメータが最適値に設定されず、満
足できるエラーレートが得られない問題がある。
【0008】従来技術2は、各磁気ヘッド固有の特性を
測定し、それをもとに最大位相マージン/レベルマージ
ンが得られる回路特性値を、予め記憶素子(ROM)に
記憶しているが、磁気ヘッド以外のディスク媒体、記録
・再生回路、サーボ系等のそれぞれの部品に特性のバラ
ツキが存在するが、ROMに記憶した回路特性値ではそ
れらが考慮されてないという問題点がある。
【0009】さらに従来技術2と3は、同一ヘッドでシ
リンダ領域によってパラメータを変更する手法が盛り込
まれていない為、複数ゾーン記録方式のようにシリンダ
により記録再生特性が大きく異なる場合は、シリンダに
よってはパラメータが最適化されないという問題点があ
る。
【0010】又、従来技術3は余弦等化回路、微分回
路、低減ろ波器といったフィルタのパラメータのみヘッ
ド毎に定数を切り替える為、他のスライス・レベルやラ
イト・プリコンペンセーション、書き込み電流について
は最適化されていないという問題点があり、最大位相マ
ージン/レベルマージンを求める手法としては不十分で
ある。
【0011】本発明は、記録・再生系のパラメータ{フ
ィルタ遮断周波数(fc)、ブースト(Boost)、
ディレイ、ライト・プリコンペンセーション、スライス
・レベル、ウィンドゥ・シフト、書き込み電流}につい
て、全ヘッド、全ゾーン(もしくはシリンダ)個別に最
適となる設定を実施することにより、全ヘッド・ゾーン
同一のパラメータで設定する場合よりも広いウィンドゥ
・マージン及びレベルマージンを達成し、エラーレート
が低減して信頼性・安定性の向上を得ることを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク装
置のR/Wチャネルパラメータ設定方法は、ディスク媒
体上から読み出した信号に波形等化を実施するアクティ
ブ・フィルタの特性を制御するパラメータとなる、遮断
周波数(fc)、ブースト(Boost)、及びディレ
イ量(DLY)を設定する手段と、ピーク検出器内のス
ライス・レベル(SLV)を設定する手段と、データシ
ンクロナイザ内のウィンドゥ・シフト(WSF)を設定
する手段と、書き込みパルスのタイミングであるライト
・プリコンペンセーション(WPC)を設定する手段
と、書き込み電流(Ic)を設定する手段を有する磁気
ディスク装置において、前記ウィンドゥ・シフトの設定
を変えて、読み出し信号と書き込み信号のビット不一致
の頻度によりエラーレートを測定して、所定のエラーレ
ートにおけるウィンドゥ・マージンを計算することと、
前記スライス・レベル(SLV)の設定を変えて、所定
のエラーレートにおける振幅マージン(LVM)を計算
することと、前記フィルタのパラメータDLYを変更し
たときにウィンドゥ・マージン(WDM)が最適となる
DLYを探索して決定することと、前記WPCを変更し
たときにWDMが最適となるWPC設定値を探索して決
定することと、Icを変更したときにWDMが最適とな
るIc設定値を探索して決定することと、前記フィルタ
のパラメータ(fc,Boost)と最適なWDMより
計算したウィンドゥ・センタからSLVが最適となるf
c,Boostの設定値を探索して決定することを特徴
とする。
【0013】なお、ブーストとはアクティブ・フィルタ
において、遮断周波数付近の利得を持ち上げた場合、遮
断周波数における利得から−3dB引いた値をいう。
【0014】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は、最悪条件の繰り返しパターン
を書き込み、その後前記グループ・ディレイをある初期
値に設定して一定のエラーレートでのウィンドゥ・マー
ジンを測定し、その後+方向に設定値を変化させて、前
記ウィンドゥ・マージンの測定を繰り返し、グループ・
ディレイが+方向最大設定値に至ったあとは最初の設定
値に戻り、−方向に設定値を変化させて、−方向最大設
定値に至るまで前記ウィンドゥ・マージンの測定を繰り
返し、これらのなかでウィンドゥ・マージンが最大値を
とるときのグループ・ディレイの値とウィンドゥ・セン
タを選択することを特徴とする。
【0015】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は請求項2で設定したグループ・
ディレイを用いて、ライト・プリコンペンセーション量
のレイト側の値を0にしたまま、アーリー側を変化させ
てウィンドゥ・マージンを測定し、次にアーリー側を0
にしたまま、レイト側を変化させて得たウィンドゥ・セ
ンタを測定し、アーリー側を動かした場合とレイト側を
動かした場合の中で請求項2で選択したウィンドゥ・セ
ンタに最も近いウィンドゥ・マージンを選択し、このと
きのライト・プリコンペンセーションの値を仮設定値と
することを特徴とする。
【0016】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は請求項3で仮設定したプリコン
ペンセーションのアーリー側とレイト側の値を初期値と
し、アーリー方向とレイト方向に共に等しく加算して変
化させ、その各々のプリコンペンセーションの値につい
て、前記フィルタのfcとBoostを変化させてウィ
ンドゥ・マージン及びウィンドゥ・センタを測定し、そ
の中でウィンドゥ・マージンが最大値をとるときのライ
ト・プリコンペンセーション量が規格を満たすときには
その値をライト・プリコンペンセーション量と設定する
ことを特徴とする。
【0017】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は、測定した振幅マージン値と予
め設定したその規格値との差と、測定したウィンドゥ・
マージン値と予め設定したその規格値との差との積が一
定の規格値より大きい場合には振幅マージンは最終合格
と判断し、その時のレベル・センタを計算しスライス・
レベルと設定することを特徴とする。
【0018】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は、請求項5記載の積が一定の規
格値より小さい場合、前記フィルタのfcとBoost
の値を最小設定値から始めて順次変化させ、各状態での
測定した振幅マージン値と予め設定したその規格値との
差と、測定したウィンドゥ・マージン値と予め設定した
その規格値との差との積が一定の規格値より小さい場合
には振幅マージンは暫定合格と判断し、その時の前記フ
ィルタのfc,Boostを設定値とし、レベル・セン
タを計算しスライス・レベルと設定することを特徴とす
る。
【0019】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は、使用する装置内で、最悪条件
の繰り返しパターンを書き込み、その後前記書き込み電
流をある初期値の状態で一定のエラーレートでのウィン
ドゥ・マージンを測定し、その後書き込み電流の設定値
に順次加算して増加させて、書き込み電流が最大設定値
に至るまで前記ウィンドゥ・マージンの測定を繰り返
し、これらのなかでウィンドゥ・マージンが最大値をと
るときの書き込み電流を設定値とすることを特徴とす
る。
【0020】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は、使用する装置内で、請求項2
に記載の方法でグループ・ディレイ量を設定し、請求項
3に記載の方法で、ライト・プリコンペンセーションの
値を設定し、請求項4に記載の方法で、fc,Boos
tとライト・プリコンペンセーションの値を設定し、請
求項5に記載の方法で、スライス・レベルを設定し、請
求項6に記載の方法で、スライス・レベル、fcとBo
ostを設定し、請求項7に記載の方法で、書き込み電
流値を設定することを特徴とする。
【0021】本発明の磁気ディスク装置のR/Wチャネ
ルパラメータ設定方法は、各パラメータの値を装置単
位、ヘッド単位、シリンダ又はゾーンすなわち隣接し合
ったシリンダの集合体単位にそれぞれ最適化するように
設定できることを特徴とする。
【0022】
【発明の実施の形態】次に本発明である磁気ディスク装
置のR/Wチャネル・パラメータ設定方法について、図
面を参照して説明する。図2は、本発明のR/Wチャネ
ルLSI10(RWC)内部の構成と、RWCを含む磁
気ディスク装置のハードウェア構成の一例を表すブロッ
ク図である。R/WチャネルLSI10の内部は、各ブ
ロックのパラメータを設定するレジスタ11、フィルタ
12(FLT)、スライス・レベルを制御するピーク検
出器13(SLV−CTL)、ウィンドゥ・シフトを制
御するデータシンクロナイザ14(DT−SYC)、ラ
イトPLOクロックを生成するシンセサイザ15(TB
G)、ディスクコントローラ60(HDC)から入力し
たデータを記録コードに変換するエンコーダ16(EN
C)、記録コードをデータに変換するデコーダ17(D
EC)、記録コードのパターンに応じて、書き込みパル
スの変化するタイミングを制御するライト・プリコンペ
ンセーション18(WPC)、リードライトチップ40
(R/W IC)から入力した読み出し信号の振幅値を
一定にする自動ゲイン制御20(AGC)、AGCの出
力ディスク媒体面上でのヘッドの位置決め情報を検出す
るサーボデモジュレータ19(SV−DEM)から構成
される。周囲には、書き込み電流の制御を行う書き込み
電流制御回路30(WC−CTL)、書き込みパルスか
ら磁気ヘッドへの電流出力制御と、媒体から読み出した
磁化反転から読み出しパルス生成を行うチップ40(R
/W IC)、ディスク装置内の制御を行うマイクロプ
ロセッサ50(MPU)、上位装置から来る命令やデー
タの入出力を行うディスクコントローラ60(HD
C)、スピンドルモータの回転とヘッドの位置決めを行
うサーボ制御回路70(SPM/SEEK CTL)が
接続される。80はディスク媒体、90は磁気ヘッドで
ある。
【0023】図1は、本発明のR/WチャネルLSI1
0のパラメータ設定方法の概略を表すフローチャート
で、図3と図4は、フィルタ12のグループ・ディレイ
設定を行うストリングシフト補正のフローチャートC
2、図5は図3,4における可変レジスタの変更順序を
示す図である。
【0024】図6と図7は、ライト・プリコンペンセー
ションの(ELY,LTE)の和の条件を求める、ビッ
トシフト補正(1)のフローチャートC3、図8は図
6,7における可変レジスタの変更順序を示す図であ
る。
【0025】図9と図10は、グループ・ディレイ決定
値とライト・プリコンペンセーション決定値からフィル
タのfc/Boostの設定条件を決定するビットシフ
ト補正(2)のフローチャートC4、図11は図9,1
0における可変レジスタの変更順序を示す図である。
【0026】図12,図13,図14は、上記に加えて
フィルタfc/Boost決定値から振幅・マージン最
大ポイントを探す、振幅・マージン測定のフローチャー
トC5、図15は図12,13,14における可変レジ
スタの変更順序を示す図である。
【0027】図16は、R/WチャネルLSI内のパラ
メータが全て決定した状態で、ディスク媒体に記録する
磁気ヘッドに流す電流値を求める、ライト電流設定のフ
ローチャートC6である。
【0028】図17は、図16におけるライト電流の変
更順序を示す図である。
【0029】R/WチャネルLSI10の各パラメータ
の処理ルーチンの内容について、図1のステージ単位で
次頁より説明する。
【0030】まず始めにアナログETFC1(第1章)
で、ディスク媒体に単一パターンを書き込み、読み出し
パルスのミッシング(減衰)とエクストラ(湧き出し)
をチェックし、媒体欠陥位置の抽出を行う。
【0031】ストリングシフト補正C2(第2章)で
は、初めに、R/WチャネルLSIパラメータ初期設定
[LSI初期設定]ステージ1(ステージを以降Sと略
す)で、LSI内部のパラメータの初期設定を制御レジ
スタ11において行う。次のストリングシフトワースト
・パターン書き込みS2で3T・2T・6Tの繰り返し
パターンを書き込み、マージン測定S3でエラーレー
ト:E1 でのウィンドゥ・マージンを(WDM)測定す
る。WDM測定はデータシンクロナイザ14(DT−S
YC)内のウィンドゥ・シフトコントロール(WSFT
−CTL)により、ウィンドゥの位置を+方向及び−方
向にシフトさせた時のエラーレートデータを基にして、
エラーレート:E1 におけるマージン幅を計算する。グ
ループ・ディレイ(GDLY)+方向最大チェックS4
と+方向加算S5ループによって、フィルタ12(FL
T)内のDLYを+方向へ加速した場合のWDMを測定
する。+方向最大設定になったらGDLY−方向最大チ
ェックS6と−方向加算S7ループによって、−方向へ
加速した場合のWDMを測定する。−方向最大設定にな
ったらWDM最大値抽出S8で、±両方向に加速した中
でWDMが最大になる値W1 を探す。そしてW1 時のG
DLY設定条件選択S9でG1 を選択し、ウィンドゥ・
センタ計算S10でWDMがW1 の時のセンタ値C1
計算して次の第3章に進む。上記の操作を実施すること
で、読み出した後の各パターンのピークシフト段差(即
ち隣接したピークのピークシフト値の差)が最小となる
様に、フィルタ12のグループ・ディレイの設定が可能
になる。
【0032】ビットシフト補正(1)C3(第3章)で
は、LSI初期設定S1においてGDLYはストリング
シフト補正で求めた値G1 を制御レジスタ11に設定
し、ビットシフトワースト・パターン書き込みS2で3
Tパターンの後にビット間隔が異なる連続した2ビット
パターンを用意する。このパターンのある部分はアーリ
ー側(早めのタイミング)のライト・プリコンペンセー
ションを行い、別のある部分はレイト側(遅めのタイミ
ング)のライト・プリコンペンセーションを行うことが
前提になっている。ライト・プリコンペンセーション1
8(WPC)の設定をアーリー側(早めのタイミング)
だけもしくはレイト側(遅めのタイミング)だけ変化さ
せて書き込む。マージン測定・センタ計算S3でエラー
レート:E1 でのウィンドゥ・マージン(WDM)を測
定してセンタ値C2 を計算する。ライト・プリコンペン
セーション(WPC):アーリー方向最大チェックS4
とアーリー方向加算S5で、アーリー方向へ加算した場
合のWDMを測定する。この時レイト側は0のままであ
る。アーリー方向へ最大設定になったらWPC:レイト
方向最大チェックS6と−方向加算S7ループによっ
て、レイト方向へ加算した場合のWDMを測定してセン
タ値C2 を計算する。この時アーリー側は0のままであ
る。レイト方向最大設定になったら、WDM選択S8で
計算したウィンドゥ・センタC2 の中で、ストリングシ
フト補正で計算したウィンドゥ・センタに最も近いウィ
ンドゥ・マージンW2 を選択する。WPC選択S9でウ
ィンドゥ・マージンがW2 の時のWPC設定条件(EL
1 ,LTE1 )を選択する。最後にWPCの和の計算
S10で、WPCのアーリー側を負数にしてアーリーと
レイトの和を計算する。すなわち、(−ELY1 )+L
TE1 →Mwpcという計算式になる。
【0033】ビットシフト補正(2)C4では、初めに
WDM規格の設定S1で検査の合格・不合格の基準を決
める。LSI初期設定S2においてGDLYとWPCは
前章(C3)で選択・計算で求めた値(G1 ・ELY1
・LTE1 )をCTL−REG11に予め設定してお
く。ビットシフトワースト・パターン書き込みS3でビ
ットシフト補正(1)と同じ書き込みパターンを用意
し、WPC18の設定がビットシフト補正(1)で求め
た条件(ELY1 ,LTE1 )で書き込む。マージン測
定・センタ計算S4でエラーレート:E1 でのWDM測
定してマージン幅W3 を計算する。フィルタ(FLT)
fc/Boost最大チェックS5で、fcあるいはB
oostの最小値からの加算S8ループによって、fc
/Boost設定範囲でのWDMを測定する。ライト・
プリコンペンセーション(WPC):アーリー方向最大
チェックS6とアーリー・レイト方向加算S7で、ビッ
トシフト補正(1)で計算したWPCのアーリーとレイ
トの和Mwpcを変えずに、アーリー・レイト方向へ加
算する。この様子を図5−3に示す。
【0034】このWPCの各設定に対してfc/Boo
st設定範囲でのWDMを測定する。測定したWDMの
中で最大値の抽出S9において、WPC,FLT fc
/Boost全範囲の中で最大となるWDM:W3xを探
す。WDM規格判定S10でW3xをWDM規定値
(K1 )と比較し、W3xがK1 以上であれば合格とし、
1未満であれば不合格とする。合格の場合、ウィンド
ゥ・センタ計算S11でWDMがW3xの時のセンタ値C
3 を計算する。そしてW3x時のWPCの選択S12で、
アーリー、レイトがそれぞれELY2 ,LTE2 を選択
する。またW3x時のフィルタ12の選択S13で、fc
/Boostがそれぞれfc2 ,BST2 を選択して次
の章(C5)に進む。不合格の場合、再試行チェックS
14で2回以上の場合ヘッド欠陥判定S18し、パラメ
ータ設定動作を終了する。1回目の場合別シリンダ移動
S15でR/Wチャネルパラメータの他の設定が変わら
ない外周のシリンダに移動し、ストリングシフト補正再
試行S16、ビットシフト補正(1)再試行S17を実
行してS3に戻る。
【0035】振幅マージン測定C5では、初めに各種規
格設定S1でWDM、振幅・マージン(LVM)、最終
規格を設定し、検査の合格・不合格を決める。LSI初
期設定S2においてGDLY,WPC,FLT,ウィン
ドゥ・センタは前章で選択・計算で求めた値(G1 ,E
LY2 ・LTE2 ,fc2 ・BST2 ,C3 )を用い
る。振幅ワーストパターン書き込みS3で6Tパターン
の後に3ビットパターン、2T、5T〜8Tと続くビッ
トパターンを用意し、WPC18の設定がビットシフト
補正(2)で求めた条件(ELY2 ,LTE2 )で書き
込む。LVM測定S4でピーク検出器13(PK−QF
R)内のスライスレベルコントロール(SLV−CT
L)により、スライス・レベル(SLV)を最小値から
徐々に増加させながらエラーレート:E1 での振幅マー
ジン(LVM):L1 を計算する。LVM規格判定S5
で計算したL1 とLVM規格値(K2 )と比較し、L1
がK2以上であれば合格とし、K2 未満であれば不合格
とする。不合格の場合、再試行チェックS7で3回以上
の場合ヘッド欠陥と判定S8し、パラメータ設定動作を
終了する。1回目の場合別シリンダ移動S9でR/Wチ
ャネルパラメータの他の設定が変わらない外周のシリン
ダに移動してS3に戻る。合格の場合、振幅×ウィンド
ゥ・マージン積S6によりLVM:L1 からLVM規格
値:K2 を引いた値と、WDM:W3xからWDM規格
値:K1 を引いた値の積を計算して結果をLW1 とす
る。次の最終規格判定S11で計算した振幅×ウィンド
ゥ・マージン積:LW1 が、最終規格値:K3 以上であ
れば合格となり、レベル・センタ計算S11でLVM:
1 でのレベル・センタを計算して次の章(C6)に進
む。LW1 がK3 未満の場合、暫定規格判定処理に入
る。まずLSI初期設定S12においてフィルタfc/
Boostを最小設定にする。LVM測定S13でエラ
ーレート:E1 でのLVM:L2 を計算する。振幅×ウ
ィンドゥ・マージン積S14によりLVM:L2 からL
VM規格値:K2 を引いた値と、WDM:W3 からWD
M規格値:K1 を引いた値の積を計算して結果をLW2
とする。
【0036】次の規格判定S15で振幅・マージン計算
結果とウィンドゥ・マージン計算結果を調べ、振幅とウ
ィンドゥ・マージンがどちらも規格値未満である時は振
幅×ウィンドゥ・マージン積:LW2 の符号をS16で
反転する。即ち負数にする。何れか一方が規格値以上で
あればLW2 の符号は反転しない。次にフィルタ(FL
T)fc/Boost最大チェックS17とfcあるい
はBoostの最小値からの加算S18ループによっ
て、fc/Boost設定範囲でのWDM:L2の測定
及び振幅とウィンドゥ・マージンの積:LW2 を計算す
る。計算したLW2 の中で最大値の抽出S19におい
て、FLT fc/Boost全範囲の中で最大となる
LW2xを探す。規格判定S20でLW2xを振幅×ウィン
ドゥ・マージン積暫定規格値(K4 )と比較し、LW2
がK4 以上であれば合格とし、LW2時におけるLV
M:L2 のセンタ値計算S21でLC2の計算、WDM:
3 のセンタ値計算S22でC4 の計算、FLTの選択
S23でLW2 時のfc/Boost設定値fc3 ,B
ST3 を選択して次の章に進む。LW2 がK4 未満の時
は暫定規格不合格判定しS7に戻る。
【0037】ライト電流設定方法C6では、LSI初期
設定S2においてGDLY,WPC,FLT(fc/B
oost)、ウィンドゥ・センタは前章(C5)で選択
・計算で求めた値(G1 ,ELY2 ・LTE2 ,fc2
・BST2 or fc3 ・BST3 ,C3 )を用い
る。ビットシフトワースト・パターン書き込みS2でビ
ットシフト補正(1)と同じ書き込みパターンを用意
し、WPC18の設定がビットシフト補正(2)で求め
た条件(ELY2 ,LTE2 )で書き込む。ウィンドゥ
・マージン(WDM)測定S3でエラーレート:E1
のWDM測定してマージン幅W4 を計算する。ライト電
流設定最大チェックS5とライト電流増大S6ループに
よって、ライト電流設定範囲でのWDMを測定する。ラ
イト電流設定最大になったらWDM最大値抽出S6で、
ライト電流設定範囲でWDMが最大になる値W4xを探
す。そしてW4x時のライト電流設定条件選択S7でI1
を選択して、R/Wチャネルの各パラメータ設定値の選
択・計算が終了する。
【0038】最後にR/Wチャネル・パラメータ設定C
7で、各章(C1〜C6)で求めた設定・計算値全てを
制御レジスタ11(CTL−REG)への格納して設定
が終了する。これを各ヘッド毎及び分割したデータシリ
ンダ領域(ゾーン)毎に実施する。
【0039】以上の様な方法でR/WチャネルLSIの
パラメータ(FLTのfc、Boost、GDLY、W
PCのELYとLTE、ウィンドゥ・センタ、レベル・
センタ、ライト電流)を探索・設定することで、推測で
仮に設定した値よりウィンドゥ・マージン及びレベル・
マージンが広い結果が得られる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気ディス
ク装置のR/Wチャネル・パラメータの設定方法は、記
録・再生に関するパラメータである、波形等化を実施す
るアクティブ・フィルタ(遮断周波数、ブースト、ディ
レイ)、ピーク検出器内のスライス・レベル、データシ
ンクロナイザ内のウィンドゥ・シフト、書き込みパルス
のタイミングを制御するライト・プリコンペンセーショ
ン、書き込み電流の設定値を、選択したシリンダ領域・
ヘッドアドレスに応じて、ウィンドゥ・マージン(WD
M)あるいは振幅マージン(WDM)が最適になる設定
値とすることが可能で、装置の読み出しエラーレートを
低減して不具合の発生する確率を低く抑えるので、信頼
性及び安定性向上の効果がある。またディスク媒体、磁
気ヘッド、記録・再生LSI等の特性に対するバラツキ
に関して、装置・ヘッド・ゾーン(シリンダ)単位で実
施が可能な為、歩留まり改善につながる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1のハードウェア構成で、RWCとライト電
流設定するマイクロプロセッサ(MPU)内の、動作シ
ーケンスの一部であるRWCパラメータとライト電流設
定方法の概略を表すフローチャートである。
【図2】本発明のR/Wチャネル(RWC)の各パラメ
ータとライト電流の設定方法を表現するのに必要な、磁
気ディスク装置のハードウェア構成の一例を示すブロッ
ク図である。
【図3】ストリングシフト補正を実施するフローチャー
トである。
【図4】ストリングシフト補正を実施するフローチャー
トである。
【図5】図3,4における可変レジスタの変更順序を示
す図である。
【図6】ビットシフト補正(1)を実施するフローチャ
ートである。
【図7】ビットシフト補正(1)を実施するフローチャ
ートである。
【図8】図6,7における可変レジスタの変更順序を示
す図である。
【図9】ビットシフト補正(2)を実施するフローチャ
ートである。
【図10】ビットシフト補正(2)を実施するフローチ
ャートである。
【図11】図9,10における可変レジスタの変更順序
を示す図である。
【図12】振幅・マージン測定を実施するフローチャー
トである。
【図13】振幅・マージン測定を実施するフローチャー
トである。
【図14】振幅・マージン測定を実施するフローチャー
トである。
【図15】図12,13,14における可変レジスタの
変更順序を示す図である。
【図16】ライト電流設定を実施するフローチャートで
ある。
【図17】図16におけるライト電流の変更順序を示す
図である。
【符号の説明】
10 R/WチャネルLSI(RWC) 11 LSI内部の制御レジスタ(CTL−REG) 12 フィルタ(FLT) 13 ピーク検出器(PK−QFR) 14 データシンクロナイザ(DT−SYC) 16 エンコーダ(ENC) 17 デコーダ(DEC) 18 ライト・プリコンペンセーション(WPC) 19 サーボデモジュレータ(SV−DM) 20 自動ゲイン制御(AGC) 30 書き込み電流制御回路(WC−CTL) 40 記録・再生チップ(R/W IC) 50 マイクロプロセッサ(MPU) 60 ディスクコントローラ(HDC) 70 サーボ制御回路(SPM/SEEK CTL) 80 ディスク媒体 90 磁気ヘッド 第1章(C1) アナログETF実施ルーチン 第2章(C2) ストリングシフト補正ルーチン 第3章(C3) ビットシフト補正(1)ルーチン 第4章(C4) ビットシフト補正(2)ルーチン 第5章(C5) 振幅マージン測定ルーチン 第6章(C6) ライト電流最適化ルーチン 第7章(C7) R/Wチャネル・パラメータ設定ル
ーチン

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ディスク媒体上から読み出した信号に波形
    等化を実施するアクティブ・フィルタの特性を制御する
    パラメータとなる、遮断周波数(fc)、ブースト(B
    oost)、及びディレイ量(DLY)を設定する手段
    と、ピーク検出器内のスライス・レベル(SLV)を設
    定する手段と、データシンクロナイザ内のウィンドゥ・
    シフト(WSF)を設定する手段と、書き込みパルスの
    タイミングであるライト・プリコンペンセーション(W
    PC)を設定する手段と、書き込み電流(Ic)を設定
    する手段を有する磁気ディスク装置において、前記ウィ
    ンドゥ・シフトの設定を変えて、読み出し信号と書き込
    み信号のビット不一致の頻度によりエラーレートを測定
    して、所定のエラーレートにおけるウィンドゥ・マージ
    ンを計算することと、前記スライス・レベル(SLV)
    の設定を変えて、所定のエラーレートにおける振幅マー
    ジン(LVM)を計算することと、前記フィルタのパラ
    メータDLYを変更したときにウィンドゥ・マージン
    (WDM)が最適となるDLYを探索して決定すること
    と、前記WPCを変更したときにWDMが最適となるW
    PC設定値を探索して決定することと、Icを変更した
    ときにWDMが最適となるIc設定値を探索して決定す
    ることと、前記フィルタのパラメータ(fc,Boos
    t)と最適なWDMより計算したウィンドゥ・センタか
    らSLV最適となるfc,Boostの設定値を探索
    して決定することを特徴とする磁気ディスク装置のR/
    Wチャネルパラメータ設定方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の磁気ディスク装置のR/
    Wチャネルパラメータ設定方法であり、 前記エラーレート測定の前にディスク媒体の欠陥位置を
    探すアナログ・エラー ・テスタ・フォーマット(以下、
    ETF)を行い、 前記媒体欠陥を避けてエラーレートを測定することによ
    り前記各R/Wチャネルパラメータの設定を行うことを
    特徴とする磁気ディスク装置のR/Wチャネルパラメー
    タ設定方法。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の磁気ディスク装
    置のR/Wチャネルパラメータ設定方法であり、 前記エラーレートを測定する際に書き込むエラーレート
    測定用パターンを、設定すべきR/Wチャネルパラメー
    タ毎に適切なパターンを用いることを特徴とする磁気デ
    ィスク装置のR/Wチャネルパラメータ設定方法。
  4. 【請求項4】 最悪条件の繰り返しパターンを書き込
    み、その後前記グループ・ディレイをある初期値に設定
    して一定のエラーレートでのウィンドゥ・マージンを測
    定し、その後+方向に設定値を変化させて、前記ウィン
    ドゥ・マージンの測定を繰り返し、グループ・ディレイ
    が+方向最大設定値に至ったあとは最初の設定値に戻
    り、−方向に設定値を変化させて、−方向最大設定値に
    至るまで前記ウィンドゥ・マージンの測定を繰り返し、
    これらのなかでウィンドゥ・マージンが最大値をとると
    きのグループ・ディレイの値とウィンドゥ・センタを選
    択することを特徴とする請求項1、2または3記載の
    気ディスク装置のR/Wチャネルパラメータ設定方法。
  5. 【請求項5】 請求項で設定したグループ・ディレイ
    を用いて、ライト・プリコンペンセーション量のレイト
    側の値を0にしたまま、アーリー側を変化させてウィン
    ドゥ・マージンを測定し、次にアーリー側を0にしたま
    ま、レイト側を変化させて得たウィンドゥ・センタを測
    定し、アーリー側を動かした場合とレイト側を動かした
    場合の中で請求項で選択したウィンドゥ・センタに最
    も近いウィンドゥ・マージンを選択し、このときのライ
    ト・プリコンペンセーションの値を仮設定値とすること
    を特徴とする請求項記載の磁気ディスク装置のR/W
    チャネルパラメータ設定方法。
  6. 【請求項6】 請求項で仮設定したプリコンペンセー
    ションのアーリー側とレイト側の値を初期値とし、アー
    リー方向とレイト方向に共に等しく加算して変化させ、
    その各々のプリコンペンセーションの値について、前記
    フィルタのfcとBoostを変化させてウィンドゥ・
    マージン及びウィンドゥ・センタを測定し、その中でウ
    ィンドゥ・マージンが最大値をとるときのライト・プリ
    コンペンセーション量が規格を満たすときにはその値を
    ライト・プリコンペンセーション量と設定することを特
    徴とする請求項記載の磁気ディスク装置のR/Wチャ
    ネルパラメータ設定方法。
  7. 【請求項7】 測定した振幅マージン値と予め設定した
    その規格値との差と、測定したウィンドゥ・マージン値
    と予め設定したその規格値との差との積が一定の規格値
    より大きい場合には振幅マージンは最終合格と判断し、
    その時のレベル・センタを計算しスライス・レベルと設
    定することを特徴とする請求項1、2または3記載の
    気ディスク装置のR/Wチャネルパラメータ設定方法。
  8. 【請求項8】 請求項記載の積が一定の規格値より小
    さい場合、前記フィルタのfcとBoostの値を最小
    設定値から始めて順次変化させ、各状態での測定した振
    幅マージン値と予め設定したその規格値との差と、測定
    したウィンドゥ・マージン値と予め設定したその規格値
    との差との積が一定の規格値より小さい場合には振幅マ
    ージンは暫定合格と判断し、その時の前記フィルタのf
    c,Boostを設定値とし、レベル・センタを計算し
    スライス・レベルと設定することを特徴とする請求項7
    記載の磁気ディスク装置のR/Wチャネルパラメータ設
    定方法。
  9. 【請求項9】 使用する装置内で、最悪条件の繰り返し
    パターンを書き込み、その後前記書き込み電流をある初
    期値の状態で一定のエラーレートでのウィンドゥ・マー
    ジンを測定し、 その後書き込み電流の設定値に順次加算して増加させ
    て、書き込み電流が最大設定値に至るまで前記ウィンド
    ゥ・マージンの測定を繰り返し、これらのなかでウィン
    ドゥ・マージンが最大値をとるときの書き込み電流を設
    定値とすることを特徴とする請求項1、2または3記載
    磁気ディスク装置のR/Wチャネルパラメータ設定方
    法。
  10. 【請求項10】 使用する装置内で、 請求項に記載の方法でグループ・ディレイ量を設定
    し、 請求項に記載の方法で、ライト・プリコンペンセーシ
    ョンの値を設定し、 請求項に記載の方法で、fc,Boostとライト・
    プリコンペンセーションの値を設定し、 請求項に記載の方法で、スライス・レベルを設定し、 請求項に記載の方法で、スライス・レベル、fcとB
    oostを設定し、 請求項に記載の方法で、書き込み電流値を設定するこ
    とを特徴とする磁気ディスク装置のR/Wチャネルパラ
    メータ設定方法。
  11. 【請求項11】 各パラメータの値を装置単位、ヘッド
    単位、シリンダ又はゾーンすなわち隣接し合ったシリン
    ダの集合体単位にそれぞれに最適化するように設定でき
    ることを特徴とした請求項10に記載の磁気ディスク装
    置のR/Wチャネルパラメータ設定方法。
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