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JP3010066B2 - Optical excitation process equipment - Google Patents

Optical excitation process equipment

Info

Publication number
JP3010066B2
JP3010066B2 JP2330130A JP33013090A JP3010066B2 JP 3010066 B2 JP3010066 B2 JP 3010066B2 JP 2330130 A JP2330130 A JP 2330130A JP 33013090 A JP33013090 A JP 33013090A JP 3010066 B2 JP3010066 B2 JP 3010066B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light source
gas
lamp
lamps
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP2330130A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH04206628A (en
Inventor
孝一 玉川
誠一 高橋
Original Assignee
日本真空技術株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本真空技術株式会社 filed Critical 日本真空技術株式会社
Priority to JP2330130A priority Critical patent/JP3010066B2/en
Publication of JPH04206628A publication Critical patent/JPH04206628A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3010066B2 publication Critical patent/JP3010066B2/en
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体や液晶ディスプレイ等の製造に用い
られる光励起プロセス装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photoexcitation process apparatus used for manufacturing semiconductors, liquid crystal displays, and the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、光のエネルギーを用い、塩素ガスなどのハロゲ
ンガスを分解しシリコンウエハ等をエッチングする光エ
ッチング装置や、シラン、ジシランなどの化合物ガスを
分解し、シリコンウエハやガラス基板上に薄膜を形成す
る光CVD装置の開発が積極的になされている。これら光
を用いた光励起プロセス装置は、プロセスの低温化が可
能であり、荷電粒子による基板や形成膜の劣化も発生し
ないことから、次世代のデバイス製造方法として大きく
注目されている。
In recent years, a photoetching apparatus that uses a light energy to decompose a halogen gas such as a chlorine gas to etch a silicon wafer or the like, or decompose a compound gas such as silane or disilane to form a thin film on a silicon wafer or a glass substrate The development of optical CVD equipment is being actively pursued. Since the photoexcitation process apparatus using these lights can lower the temperature of the process and does not cause deterioration of a substrate or a formed film due to charged particles, it is attracting much attention as a next-generation device manufacturing method.

従来から用いられてきた光励起プロセス装置につい
て、第4図を用いて簡単に説明する。図において、1は
処理すべき基板4を収容する反応室であり、反応ガスの
導入系及び排気系がそれぞれ導入口5および排気口6に
接続されている。この反応室1中には、基板4を装着す
るステージ2が設置され、通常、ヒーター3等により一
定温度に制御されている。またこの反応室1は、通常、
石英製の小孔を多数持った噴出板7を介して光源室8と
接続されている。光源室8には、光化学反応に好適な波
長を放出する光源10が設置されており、基板4上に光を
照射できるようになっていると共に、不活性ガスの導入
系も導入口9に接続されていて不活性ガス室をも形成し
ている。
A conventional photoexcitation process apparatus will be briefly described with reference to FIG. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a reaction chamber for accommodating a substrate 4 to be processed, and a reaction gas introduction system and an exhaust system are connected to an introduction port 5 and an exhaust port 6, respectively. A stage 2 on which a substrate 4 is mounted is installed in the reaction chamber 1, and is usually controlled at a constant temperature by a heater 3 or the like. This reaction chamber 1 is usually
It is connected to a light source chamber 8 via a jet plate 7 having a number of small holes made of quartz. The light source room 8 is provided with a light source 10 that emits a wavelength suitable for a photochemical reaction. The light source 10 can irradiate light onto the substrate 4 and an inert gas introduction system is also connected to the introduction port 9. It also forms an inert gas chamber.

反応ガスは、反応ガス導入系から導入口5を経て基板
4の表面にほぼ平行にシート状に導入され、好適な波長
の光により分解又は反応を起こし、該基板4上に薄膜を
堆積する。この時、不活性ガス導入口9より導入した不
活性ガスを、小孔を多数持った噴出板7を通して基板4
の表面に対向するように反応室1へ導入し、光源10のラ
ンプ表面への膜付着を防止できるように構成されてい
る。
The reaction gas is introduced in a sheet form from the reaction gas introduction system through the introduction port 5 substantially parallel to the surface of the substrate 4, and is decomposed or reacted by light having a suitable wavelength to deposit a thin film on the substrate 4. At this time, the inert gas introduced from the inert gas inlet 9 is passed through the ejection plate 7 having many small holes to the substrate 4.
The light source 10 is introduced into the reaction chamber 1 so as to face the surface of the lamp, so that film deposition on the lamp surface of the light source 10 can be prevented.

上記のように構成された光励起プロセス装置におい
て、その心臓部ともいえる光源10は、通常、高圧水銀
灯、低圧水銀灯、キセノンランプ、重水素ランプ、希ガ
ス共鳴線ランプ等が使用されているが、かかる光源にお
いては、6〜8吋の大口径シリコンウエハや液晶用大型
ガラス基板を用いた場合、均一な照度で、しかも高照度
に光照射することが難しく、成膜速度が小さく、堆積膜
においても膜厚分布が悪くなるという問題があった。特
に、重水素ランプや希ガス共鳴線ランプなどの比較的短
波長を発生させる光源においては、使用できる光透過材
料が非常に限定されているため、大面積、高照度の光源
は、全く開発されていなかった。従って光源の大面積化
は、本質的で、深刻な問題であった。
In the light-excitation process device configured as described above, the light source 10 which can be said to be the heart of the light-excitation process device is usually a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a deuterium lamp, a rare gas resonance line lamp, or the like. In the light source, when a large-diameter silicon wafer of 6 to 8 inches or a large glass substrate for liquid crystal is used, it is difficult to irradiate light with uniform illuminance and high illuminance. There is a problem that the film thickness distribution is deteriorated. In particular, for light sources that generate relatively short wavelengths, such as deuterium lamps and rare gas resonance line lamps, the light transmitting materials that can be used are very limited. I didn't. Therefore, increasing the area of the light source is an essential and serious problem.

上記の問題に対処するために、本発明者らは、先に提
案した特開昭62−206823号公報に示すように、比較的小
さな多数の放電管ユニット(電極)を並べ各放電管ユニ
ット間に穴の開いた仕切りを設けた大面積照射用光源を
改良した、新しい光励起プロセス装置用光源を開発(発
明)した。このものは、第3図(a)に示すように、内
部が冷却水用通路をなす中空状のランプハウス11内に、
小さなランプ12が多数個(同図(b)では19個)平面上
又は曲面上に等間隔配置され、これらの各ランプ12の周
囲は、冷却水入口13より流入し冷却水出口14より流出す
る冷却水によって冷却されるようになっており、また各
ランプ12には制御装置15が接続され、各ランプ12を独立
して点灯・消灯又は任意の長さでパルス発光させるよう
になっている。
In order to cope with the above problem, the present inventors arranged a large number of relatively small discharge tube units (electrodes) as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. We have developed (invented) a new light source for photo-excitation process equipment, which is an improved large-area irradiation light source provided with a perforated partition. As shown in FIG. 3 (a), this lamp is housed in a hollow lamp house 11 having a cooling water passage therein.
A large number of small lamps 12 (19 in FIG. 1B) are arranged at equal intervals on a plane or a curved surface, and the periphery of each of these lamps 12 flows in from a cooling water inlet 13 and flows out from a cooling water outlet 14. The lamps 12 are cooled by cooling water, and a control device 15 is connected to each of the lamps 12 so that each of the lamps 12 is independently turned on / off, or emits a pulse of an arbitrary length.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記の新しく開発した光励起プロセス装置用光源によ
り、上述した本質的で深刻な光源の問題を解決してき
た。しかしながら、その後の検討結果によると、上記し
たような構成をもつ光励起プロセス装置において、光源
を大きくするに伴い石英製の小孔を多数持った噴出板
(第4図の7に相当する。)も大きくする必要がある
が、そのような大面積にわたり、小孔を多数形成するこ
とは非常に難しく、高コスト化になるという問題が新た
に発生した。さらには重水素ランプや希ガス共鳴線ラン
プのような比較的短波長の真空紫外光源を用いた光励起
プロセス装置においては、小孔を多数持った噴出板の材
料としてMgF2,CaF2,LiF,サファイアなどの非常に限られ
た材料しかなく、大面積のものは、入手困難でしかも脆
い材料であるため、効率良く小孔を形成することができ
ないことも判明した。
The above-mentioned newly developed light source for a photoexcitation process apparatus has solved the above-mentioned essential and serious light source problem. However, according to the results of the subsequent study, in the photoexcitation process apparatus having the above-described configuration, as the size of the light source is increased, an ejection plate having many small holes made of quartz (corresponding to 7 in FIG. 4) is also provided. Although it is necessary to increase the size, it is very difficult to form a large number of small holes over such a large area, and a new problem that the cost increases. Furthermore, in a photo-excitation process device using a vacuum ultraviolet light source with a relatively short wavelength such as a deuterium lamp or a rare gas resonance line lamp, MgF 2 , CaF 2 , LiF, It has also been found that a very large material having only a very limited material such as sapphire is difficult to obtain and a brittle material, so that it is not possible to form small holes efficiently.

本発明は、上記のような独立した、比較的小さなラン
プを平面又は曲面上に多数個配置してなる大面積光源を
用いたために発生した新たな問題点を解決し、低コスト
で、光路の障害にならず、どのような光源の大きさに対
しても、しかもどのような光の波長に対しても使用可能
な、小孔を多数持った噴出板を具備した光励起プロセス
装置を提供することを目的としている。
The present invention solves a new problem caused by using a large-area light source in which a large number of independent, relatively small lamps are arranged on a plane or a curved surface as described above, and can reduce the cost of an optical path at low cost. Provided is a photo-excitation process apparatus including a jet plate having a large number of small holes, which can be used for any size of light source and at any wavelength of light without obstruction. It is an object.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記の目的を達成するために、本発明の光励起プロセ
ス装置は、処理すべき基体を収容する反応室と、該反応
室内に反応ガスを導入及び排気する手段と、該反応ガス
を光化学反応させ、該基体上に薄膜を形成させるため
の、独立した、比較的小さなランプを平面又は曲面上に
多数個配置してなる光源と、該光源を収容する光源室
と、該反応室と該光源室の間に、小孔を多数持った噴出
板を配置し、該反応室内に収容された基板の表面にほぼ
平行に第一のガス流をシート状に導入し、かつ該基体の
表面に対向するように第二のガス流を該小孔を多数持っ
た噴出板から導入して、該基体の表面近傍に層流状態を
保持するようにした光励起プロセス装置において、前記
独立した、比較的小さなランプとランプの間に、前記小
孔を多数持った噴出板を配置したことを特徴としてい
る。
In order to achieve the above object, the photoexcitation process apparatus of the present invention includes a reaction chamber containing a substrate to be processed, a unit for introducing and exhausting a reaction gas into the reaction chamber, and a photochemical reaction of the reaction gas. A light source having a large number of independent, relatively small lamps arranged on a plane or a curved surface for forming a thin film on the substrate, a light source chamber containing the light source, a reaction chamber and a light source chamber. An ejection plate having a large number of small holes is arranged therebetween, and the first gas flow is introduced in a sheet shape substantially parallel to the surface of the substrate accommodated in the reaction chamber, and is opposed to the surface of the substrate. In a photo-excitation process apparatus in which a second gas flow is introduced from a jet plate having a large number of the small holes to maintain a laminar flow state near the surface of the substrate, the independent, relatively small lamp is used. Between the ramps, a squirt plate with many small holes It is characterized in that it has location.

〔作 用〕(Operation)

上記のように構成した本発明による光励起プロセス装
置は、比較的小さなランプを平面又は曲面上に多数個配
置した大面積光源を用いているため、個々のランプとラ
ンプの間に小孔を多数持った噴出板を配置することが可
能であり、このような配置のため光路の障害には全くな
らない。従ってこの噴出板における光吸収はゼロであ
り、光源からの光を最も効率良く使用できるので、大面
積の基板上で、均一で、しかも高い光照度が得られる。
またこの小孔を多数持った噴出板は光学的に不透明な、
例えばステンレス、アルミニューム等の金属を用いるこ
とができるため、穴開け加工が容易で、従って、低コス
トで製作することができる。
The photoexcitation process apparatus according to the present invention configured as described above uses a large-area light source in which a number of relatively small lamps are arranged on a plane or a curved surface, and therefore has many small holes between individual lamps. It is possible to dispose the blowout plate, and such an arrangement does not impede the optical path at all. Therefore, the light absorption in the ejection plate is zero, and the light from the light source can be used most efficiently, so that a uniform and high light illuminance can be obtained on a large-area substrate.
The jet plate with many small holes is optically opaque,
For example, since a metal such as stainless steel or aluminum can be used, drilling is easy, and therefore, it can be manufactured at low cost.

〔実施例〕 次に、本発明の実施例を図面と共に説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例を示す光励起プロセス装
置の断面図であって、図中、第3図(a)に記載した符
号と同一の符号は同一ないし同類部分を示すものとす
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a photo-excitation process apparatus showing one embodiment of the present invention, in which the same reference numerals as those shown in FIG. 3 (a) indicate the same or similar parts. .

図において、内部が冷却水用通路をなす中空環状のラ
ンプハウス11内に、小さなランプ12が多数個(この実施
例では19個)平面上又は曲面上に等間隔配置され、これ
らの各ランプ12の周囲は、冷却水入口13より流入し冷却
水出口14より流出する冷却水によって冷却されるように
なっており、また各ランプ12には制御装置15が接続さ
れ、各ランプ12を独立して点灯・消灯又は任意の長さで
パルス発光させるようになっている点は、先に開発した
もの(第3図(a))と変りはない。
In the figure, a large number of small lamps 12 (19 in this embodiment) are arranged at equal intervals on a plane or a curved surface in a hollow annular lamp house 11 in which a cooling water passage is formed. Is cooled by cooling water flowing in from a cooling water inlet 13 and flowing out from a cooling water outlet 14, and a control device 15 is connected to each lamp 12, and each lamp 12 is independently controlled. The point of turning on / off or pulse light emission of an arbitrary length is the same as the previously developed one (FIG. 3 (a)).

本実施例では、独立した比較的小さなランプ12とラン
プ12の間に、上記ランプハウス11の底部に接して一側を
不活性ガスの導入口29に接続した不活性ガス室30が形成
され、該不活性ガス室30は、各ランプ12の下端部と同一
平面上に配置された、小孔も多数持った噴出板31を介し
て、下方の反応室21と接続されている。
In the present embodiment, an inert gas chamber 30 is formed between the independent relatively small lamps 12 and the lamps 12, one side of which is connected to the inert gas inlet 29 in contact with the bottom of the lamp house 11, The inert gas chamber 30 is connected to the lower reaction chamber 21 via an ejection plate 31 having a large number of small holes and arranged on the same plane as the lower end of each lamp 12.

上記反応室21には処理すべき基板24が収容され、反応
ガスの導入系及び排気系がそれぞれ導入口25及び排出口
26に接続されている。また該反応室21中には、基板24を
装着する回転可能なステージ23が設置され、通常、加熱
又は冷却等の温度制御装置22により一定温度に制御され
ている。
The reaction chamber 21 accommodates a substrate 24 to be processed, and a reaction gas introduction system and an exhaust system are provided with an inlet 25 and an outlet, respectively.
Connected to 26. A rotatable stage 23 on which a substrate 24 is mounted is installed in the reaction chamber 21, and is usually controlled at a constant temperature by a temperature control device 22 such as heating or cooling.

第2図は、第1図における光源20の平面図であって、
小孔を多数持った噴出板31には、ランプ12を除いた部分
に、不活性ガスの噴出する多数の小孔32が穿設されてい
る。該噴出板31は、放出ガスやプロセスガスとの反応
性、加工性に問題がなければ、材質は何でもよいが、コ
スト面からはステンレス、アルミニュームなどの金属材
料が好ましい。
FIG. 2 is a plan view of the light source 20 in FIG.
The ejection plate 31 having a large number of small holes is provided with a large number of small holes 32 from which the inert gas is ejected at a portion other than the lamp 12. The ejection plate 31 may be made of any material as long as there is no problem with the reactivity with the released gas or the process gas and the workability, but from the viewpoint of cost, a metal material such as stainless steel or aluminum is preferable.

次に、作用について説明すると、作動時、ガスの流れ
は、第1図の波線に示すように、反応ガスは反応ガス導
入口25から基板24の表面にほぼ平行にシート状に導入さ
れ、好適な波長の光により分解又は反応を起こし、基板
24上に薄膜を堆積する。この時、不活性ガス導入口29よ
り導入した不活性ガスを、小孔を多数持った噴出板31を
通して基板24の表面に対向するように反応室21へ導入す
ることで、基板24近傍で反応ガス流の舞上がりを押え込
むと共に、反応ガス成分の乱流拡散を防止するため、反
応ガス成分が基板近傍にのみ押え込まれ、ランプ30の表
面に膜が付着するのを防止している。
Next, the operation will be described. During operation, as shown by the dashed line in FIG. 1, the reactant gas is introduced into the sheet from the reactant gas inlet 25 almost in parallel to the surface of the substrate 24, and the gas flows. Decomposes or reacts with light of various wavelengths,
A thin film is deposited on 24. At this time, the inert gas introduced from the inert gas inlet 29 is introduced into the reaction chamber 21 through the ejection plate 31 having a large number of small holes so as to be opposed to the surface of the substrate 24, thereby causing a reaction near the substrate 24. In order to suppress the rise of the gas flow and to prevent the turbulent diffusion of the reaction gas component, the reaction gas component is pressed only near the substrate to prevent a film from adhering to the surface of the lamp 30.

また、光源20に、比較的小さなランプ12を平面上に多
数個配置した大面積光源を用いているため、個々のラン
プ12とランプ12の間に、不活性ガスを噴出する小孔32を
多数持った噴出板31を配置することが可能であり、この
ような配置のため光路の障害には全くならない。従っ
て、該噴出板31における光吸収は零であり、光源からの
光を最も効率良く使用できるので、大面積の基板上で、
均一で、しかも高い光照度が得られる。また、小孔32を
多数持った噴出板31は、光学的に不透明な、例えばステ
ンレス、アルミニューム等の金属を用いることができる
ので、穴開け加工の容易で、従って低コストで製作する
ことができる。
Further, since a large-area light source having a large number of relatively small lamps 12 arranged on a plane is used as the light source 20, a large number of small holes 32 for ejecting an inert gas are provided between the individual lamps 12. It is possible to dispose the ejection plate 31 having the same, and such an arrangement does not impede the optical path at all. Therefore, the light absorption in the ejection plate 31 is zero, and the light from the light source can be used most efficiently.
Uniform and high light illuminance can be obtained. In addition, since the ejection plate 31 having a large number of small holes 32 can be made of an optically opaque metal such as stainless steel or aluminum, it can be easily drilled, and can be manufactured at low cost. it can.

上記した実施例において、噴出板31とランプ12が同一
平面に揃った構造について説明したが、該噴出板31がラ
ンプ12の側面から放出される光の光路障害になる場合
は、これらのランプ12を噴出板31より突出した配置にし
てもよい。また、各ランプ12を平面上に配置した構造に
ついて説明したが、曲面上に多数個配置してもよい。
In the above-described embodiment, the structure in which the ejection plate 31 and the lamp 12 are aligned on the same plane has been described. However, when the ejection plate 31 causes an optical path obstruction of light emitted from the side surface of the lamp 12, these lamps 12 May be arranged so as to protrude from the ejection plate 31. Further, although the structure in which the lamps 12 are arranged on a plane has been described, a large number of lamps 12 may be arranged on a curved surface.

また、上記した実施例において、個々のランプ12に別
々に制御装置(系)15を接続し、光源20自身に任意の照
度分布を形成できる自由度を持つ構造について説明した
が、コスト等の観点から上記制御装置15を一つにまとめ
てもよい。
Further, in the above-described embodiment, the structure in which the control device (system) 15 is separately connected to each lamp 12 and the light source 20 itself has a degree of freedom to form an arbitrary illuminance distribution has been described. Therefore, the control devices 15 may be combined into one.

また、本発明における比較的小さなランプの種類に関
しては、高圧水銀灯、低圧水銀灯、キセノンランプ、重
水素ランプ、希ガス共鳴線ランプ等がよく用いられるが
特に限定しない。また、本発明における多数個とは、照
度、均一性の観点から3個以上が好ましい。またランプ
とランプの間隔については、特に限定しないが、照度、
均一性の観点から密なほど好ましい。
In addition, as for the kind of relatively small lamp in the present invention, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a deuterium lamp, a rare gas resonance line lamp and the like are often used, but are not particularly limited. In the present invention, the number is preferably three or more from the viewpoint of illuminance and uniformity. The interval between the lamps is not particularly limited.
The denser the better, from the viewpoint of uniformity.

〔実験例〕(Experimental example)

本発明による光励起プロセス装置を用いた実験におい
て、第3図(a)(b)の配置と同様に、直径約20mmの
小型重水素ランプ19本を、平面上にランプ間距離40mmの
等間隔配置で作製し、大面積光源とした。更に、ステン
レスで製作した厚さ3mm、直径約0.6mmの小孔32を多数持
った噴出板31を、第2図のように個々のランプ12の間に
配置した。
In an experiment using the photoexcitation process apparatus according to the present invention, 19 small deuterium lamps having a diameter of about 20 mm were arranged at regular intervals with a distance between the lamps of 40 mm on a plane similarly to the arrangement shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). To produce a large area light source. Further, a jet plate 31 made of stainless steel and having a large number of small holes 32 having a thickness of 3 mm and a diameter of about 0.6 mm was arranged between the individual lamps 12 as shown in FIG.

基板24に5インチウエハ、反応ガスにジシラン、不活
性ガスにアルゴンを用い、ステージ23を回転させなが
ら、ウエハを250℃で加熱コントロールしてアモルファ
スシリコンの成膜を1時間行なったところ、ウエハ全面
にアモルファスシリコンが堆積した。この堆積膜の膜厚
を測定したところ、5インチウエハ内で±5%以内の良
好な膜厚均一性が得られており、その平均膜厚は約2000
Åであった。この成膜実験を50回繰返えし行ったが、ラ
ンプ表面での膜付着は全く見られず、完全な膜付着防止
を実現できていることが確認された。
A 5-inch wafer was used as the substrate 24, disilane was used as the reaction gas, and argon was used as the inert gas. The amorphous silicon film was formed by heating the wafer at 250 ° C. for 1 hour while rotating the stage 23. , Amorphous silicon was deposited. When the film thickness of this deposited film was measured, good film thickness uniformity within ± 5% was obtained within a 5-inch wafer, and the average film thickness was about 2,000.
Was Å. This film formation experiment was repeated 50 times, but no film adhesion was observed on the lamp surface, and it was confirmed that complete prevention of film adhesion was realized.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明者らにより先に発明され
た、独立した比較的小さなランプを平面又は曲面上に多
数個配置した大面積光源に、小孔を多数持った噴出板
を、上記ランプとランプの間に組入れるようにしたこと
により、大面積で、光の利用効率が高く、しかもどのよ
うな波長の光源をも使用可能で、均一な膜厚でしかも保
守なしで長時間の成膜が可能な大面積基板用の光励起プ
ロセス装置を得ることができる。
As described above, a large-area light source in which a large number of independent relatively small lamps are arranged on a plane or a curved surface, invented earlier by the present inventors, is provided with a squirt plate having a large number of small holes. Incorporation between the lamp and the lamp makes it possible to use a light source of any wavelength with a large area, high light use efficiency, and to use a light source of any wavelength. It is possible to obtain a photo-excitation process apparatus for a large-area substrate capable of performing the above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す光励起プロセス装置の
断面図、第2図は本発明による光源の平面図、第3図
(a)及び(b)は本発明者らが先に発明した大面積光
源の断面図及び平面図、第4図は従来例を示す断面図で
ある。 11……ランプハウス、12……小型ランプ、13……冷却水
入口、14……冷却水出口、15……制御装置、20……光
源、21……反応室、22……ステージ温度制御装置、23…
…ステージ、24……基板、25……反応ガスの導入口、26
……排気口、29……不活性ガスの導入口、30……不活性
ガス室、31……噴出板、32……小孔。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a photo-excitation process apparatus showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a light source according to the present invention, and FIGS. 3 (a) and 3 (b) are first invented by the present inventors. FIG. 4 is a sectional view and a plan view of a large-area light source, and FIG. 4 is a sectional view showing a conventional example. 11 ... Lamp house, 12 ... Small lamp, 13 ... Cooling water inlet, 14 ... Cooling water outlet, 15 ... Control device, 20 ... Light source, 21 ... Reaction chamber, 22 ... Stage temperature control device ,twenty three…
... Stage, 24 ... Substrate, 25 ... Reaction gas inlet, 26
... exhaust port, 29 ... inert gas inlet, 30 ... inert gas chamber, 31 ... jet plate, 32 ... small hole.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 H01L 21/365 H01L 21/31 C23C 16/00 - 16/56 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/205 H01L 21/365 H01L 21/31 C23C 16/00-16/56

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】処理すべき基体を収容する反応室と、該反
応室内に反応ガスを導入及び排気する手段と、該反応ガ
スを光化学反応させ、該基体上に薄膜を形成させるため
の、独立した、比較的小さなランプを平面又は曲面上に
多数個配置してなる光源と、不活性ガスを導入する室
と、該反応室と該不活性ガス室の間に、小孔を多数持っ
た噴出板を配置し、該反応室内に収容された基体の表面
にほぼ平行に第一のガス流をシート状に導入し、かつ該
基体の表面に対向するように第二のガス流を該小孔を多
数持った噴出板から導入して、該基体の表面近傍に層流
状態を保持するようにした光励起プロセス装置におい
て、前記独立した、比較的小さなランプとランプの間
に、前記小孔を多数持った噴出板を配置したことを特徴
とする光励起プロセス装置。
A reaction chamber for accommodating a substrate to be treated, means for introducing and exhausting a reaction gas into the reaction chamber, and an independent means for photochemically reacting the reaction gas to form a thin film on the substrate. A light source having a large number of relatively small lamps arranged on a plane or a curved surface, a chamber for introducing an inert gas, and a spout having many small holes between the reaction chamber and the inert gas chamber. A plate is arranged, a first gas flow is introduced in a sheet shape substantially parallel to the surface of the substrate contained in the reaction chamber, and the second gas flow is supplied to the small holes so as to face the surface of the substrate. In a photo-excitation process apparatus in which a laminar flow state is maintained near the surface of the substrate by introducing a large number of small holes between the independent and relatively small lamps, Photo-excitation process equipment characterized by having a jet plate .
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