JP3008768B2 - バンプの形成方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板やチップなどの電
子部品の表面に形成された電極上にバンプを形成するバ
ンプの形成方法に関するものである。
子部品の表面に形成された電極上にバンプを形成するバ
ンプの形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子部品を小型高密度化するための手段
として、電子部品の表面に電極をマトリクス状に多数個
形成し、この電極上にバンプ(突出電極)を形成する方
法が知られている。またバンプの形成方法として、スク
リーン印刷手段により電極上にクリーム半田を塗布した
後、電子部品を加熱炉で加熱することにより、クリーム
半田を溶融固化させてバンプを形成する方法が知られて
いる。
として、電子部品の表面に電極をマトリクス状に多数個
形成し、この電極上にバンプ(突出電極)を形成する方
法が知られている。またバンプの形成方法として、スク
リーン印刷手段により電極上にクリーム半田を塗布した
後、電子部品を加熱炉で加熱することにより、クリーム
半田を溶融固化させてバンプを形成する方法が知られて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】スクリーン印刷手段に
よれば、バンプを低コストで作業性よく形成できる利点
があるが、クリーム半田をリフロー装置の加熱炉で加熱
して溶融させた際に、溶融したクリーム半田が流動して
相隣る電極上のクリーム半田同士が一体化し、過大なバ
ンプが生じたり、相隣る電極上のバンプ同士が短絡する
ブリッジを生じやすいという問題点があった。次に図3
(a),(b),(c)を参照しながらその理由を詳述
する。
よれば、バンプを低コストで作業性よく形成できる利点
があるが、クリーム半田をリフロー装置の加熱炉で加熱
して溶融させた際に、溶融したクリーム半田が流動して
相隣る電極上のクリーム半田同士が一体化し、過大なバ
ンプが生じたり、相隣る電極上のバンプ同士が短絡する
ブリッジを生じやすいという問題点があった。次に図3
(a),(b),(c)を参照しながらその理由を詳述
する。
【0004】図3(a),(b),(c)は従来のバン
プの形成方法の説明図であって、バンプが形成される基
板の断面を示している。まず図3(a)に示すように、
基板1の表面に形成された電極2上にスクリーン印刷手
段によりクリーム半田3を塗布する。4は電極2の間に
形成されたレジスト膜である。クリーム半田3を塗布す
るスクリーン印刷手段としては、例えば特開平3−20
099号公報に記載されたものが知られている。
プの形成方法の説明図であって、バンプが形成される基
板の断面を示している。まず図3(a)に示すように、
基板1の表面に形成された電極2上にスクリーン印刷手
段によりクリーム半田3を塗布する。4は電極2の間に
形成されたレジスト膜である。クリーム半田3を塗布す
るスクリーン印刷手段としては、例えば特開平3−20
099号公報に記載されたものが知られている。
【0005】次にこの基板1をリフロー装置の加熱炉へ
送り、クリーム半田3を加熱処理する。リフロー装置と
しては、例えば特開平2−263570号公報に記載さ
れたものが知られている。図3(b)はリフロー中の基
板の断面を示すものであって、図示するようにクリーム
半田3を加熱すると、クリーム半田3は溶融し、側方へ
流動化するため、図示するように相隣る電極2上のクリ
ーム半田3同士がつながってしまう。そして溶融したク
リーム半田3は半田内圧が低い側(本例では右側)へ次
第に吸い寄せられ(破線矢印参照)、図3(c)におい
て実線で示すように右側の電極2上に過大なバンプ3d
が生じたり、あるいは破線で示すように電極2上に不良
形状のバンプ3bとブリッジ3cが生じやすいものであ
る。
送り、クリーム半田3を加熱処理する。リフロー装置と
しては、例えば特開平2−263570号公報に記載さ
れたものが知られている。図3(b)はリフロー中の基
板の断面を示すものであって、図示するようにクリーム
半田3を加熱すると、クリーム半田3は溶融し、側方へ
流動化するため、図示するように相隣る電極2上のクリ
ーム半田3同士がつながってしまう。そして溶融したク
リーム半田3は半田内圧が低い側(本例では右側)へ次
第に吸い寄せられ(破線矢印参照)、図3(c)におい
て実線で示すように右側の電極2上に過大なバンプ3d
が生じたり、あるいは破線で示すように電極2上に不良
形状のバンプ3bとブリッジ3cが生じやすいものであ
る。
【0006】しかし、近年は電子部品の高集積・高密度
化の要請から電極は次第に狭ピッチ化する傾向にあり、
またバンプが固着される相手方電子部品の電極にバンプ
をしっかり固着するためにはバンプの体積をより大きく
することが望ましいが、このように電極が狭ピッチ化す
るほどまたバンプの体積が大きくなるほど、上記問題点
は顕著化するものであった。また上記した問題点は、フ
リップチップを形成するために、ウエハから切り出され
たチップの電極上にバンプを形成する場合にも同様に生
じる。
化の要請から電極は次第に狭ピッチ化する傾向にあり、
またバンプが固着される相手方電子部品の電極にバンプ
をしっかり固着するためにはバンプの体積をより大きく
することが望ましいが、このように電極が狭ピッチ化す
るほどまたバンプの体積が大きくなるほど、上記問題点
は顕著化するものであった。また上記した問題点は、フ
リップチップを形成するために、ウエハから切り出され
たチップの電極上にバンプを形成する場合にも同様に生
じる。
【0007】そこで本発明は上記従来方法の問題点を解
消し、電子部品の電極上に形状のよい、しかも体積の大
きいのバンプを確実に形成できるバンプの形成方法を提
供することを目的とする。
消し、電子部品の電極上に形状のよい、しかも体積の大
きいのバンプを確実に形成できるバンプの形成方法を提
供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、電
子部品の電極上に溶融した半田に対するヌレ性がこの電
極よりもよい素材にて球面を有するバンプの核を形成し
た後、スクリーン印刷手段によりこの核を覆うようにク
リーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのク
リーム半田を加熱して溶融固化させることにより、バン
プを形成するものである。
子部品の電極上に溶融した半田に対するヌレ性がこの電
極よりもよい素材にて球面を有するバンプの核を形成し
た後、スクリーン印刷手段によりこの核を覆うようにク
リーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのク
リーム半田を加熱して溶融固化させることにより、バン
プを形成するものである。
【0009】
【作用】上記構成によれば、電子部品の表面に形成され
た電極上に予め核を形成し、この核を覆うようにクリー
ム半田を塗布した後、このクリーム半田をリフロー手段
により加熱して溶融させる際には、溶融したクリーム半
田は核の表面にしっかり吸い付けられ、したがってクリ
ーム半田が側方へ流動して相隣るクリーム半田がつなが
り、ブリッジが発生するようなことはなく、各電極上に
形状のよい、しかも体積の大きいのバンプを確実に形成
することができる。
た電極上に予め核を形成し、この核を覆うようにクリー
ム半田を塗布した後、このクリーム半田をリフロー手段
により加熱して溶融させる際には、溶融したクリーム半
田は核の表面にしっかり吸い付けられ、したがってクリ
ーム半田が側方へ流動して相隣るクリーム半田がつなが
り、ブリッジが発生するようなことはなく、各電極上に
形状のよい、しかも体積の大きいのバンプを確実に形成
することができる。
【0010】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の一実施例
を説明する。図1(a),(b),(c),(d),
(e)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
であって、工程順に示している。まず図1(a)に示す
ように、基板1の電極2上にスクリーン印刷手段により
クリーム半田3を塗布する。スクリーン印刷手段のスク
リーンマスクはその厚さを薄くしてあり、したがって電
極2上に塗布されたクリーム半田3の厚さDは従来例で
ある図3(a)の場合よりもかなり薄く、したがってク
リーム半田3の塗布量は少ない。なおクリーム半田3の
塗布量を少なくするためには、スクリーンマスクのパタ
ーン孔の開孔面積を小さくしてもよい。
を説明する。図1(a),(b),(c),(d),
(e)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
であって、工程順に示している。まず図1(a)に示す
ように、基板1の電極2上にスクリーン印刷手段により
クリーム半田3を塗布する。スクリーン印刷手段のスク
リーンマスクはその厚さを薄くしてあり、したがって電
極2上に塗布されたクリーム半田3の厚さDは従来例で
ある図3(a)の場合よりもかなり薄く、したがってク
リーム半田3の塗布量は少ない。なおクリーム半田3の
塗布量を少なくするためには、スクリーンマスクのパタ
ーン孔の開孔面積を小さくしてもよい。
【0011】次にこの基板1をリフロー装置の加熱炉へ
送り、基板1を加熱してクリーム半田3を溶融させる。
図1(b)は加熱中のクリーム半田3を示しており、ク
リーム半田3は加熱されることにより溶融し流動化する
が、上述のようにクリーム半田3の量は少ないので、図
3(b)に示す従来例のように、相隣る電極2上のクリ
ーム半田3がつながることはない。
送り、基板1を加熱してクリーム半田3を溶融させる。
図1(b)は加熱中のクリーム半田3を示しており、ク
リーム半田3は加熱されることにより溶融し流動化する
が、上述のようにクリーム半田3の量は少ないので、図
3(b)に示す従来例のように、相隣る電極2上のクリ
ーム半田3がつながることはない。
【0012】さらにリフローが進行するのにともない、
クリーム半田3は完全に溶融し、図1(c)に示すよう
に溶融したクリーム半田3はヌレ性のよい電極2上に吸
い寄せられ、かつ自身の表面張力により球形化し、次い
で基板1を冷却することにより溶融したクリーム半田3
は球形のまま固化する。この固化した小さな球形のクリ
ーム半田3は球面を有するバンプの核となるものであ
り、以下、この小さく固化したクリーム半田3を核と呼
称する。
クリーム半田3は完全に溶融し、図1(c)に示すよう
に溶融したクリーム半田3はヌレ性のよい電極2上に吸
い寄せられ、かつ自身の表面張力により球形化し、次い
で基板1を冷却することにより溶融したクリーム半田3
は球形のまま固化する。この固化した小さな球形のクリ
ーム半田3は球面を有するバンプの核となるものであ
り、以下、この小さく固化したクリーム半田3を核と呼
称する。
【0013】次に図1(d)に示すように、スクリーン
印刷手段により、この核3を覆うようにクリーム半田
3’を塗布する。このスクリーン印刷手段のスクリーン
マスクは、核3をクリーム半田3’で覆えるように、そ
の厚さは核3の高さよりも厚くしてある。
印刷手段により、この核3を覆うようにクリーム半田
3’を塗布する。このスクリーン印刷手段のスクリーン
マスクは、核3をクリーム半田3’で覆えるように、そ
の厚さは核3の高さよりも厚くしてある。
【0014】次にこの基板1をリフロー装置の加熱炉へ
送り、基板1を加熱してクリーム半田3’を溶融させ
る。この場合、核3の素材は上述のようにクリーム半田
であり、新たにこれを覆うように塗布されたクリーム半
田3’と同材質であるので、核3と新たなクリーム半田
3’のヌレ性は電極2とのヌレ性よりもきわめて大き
く、しかも核3は球形であるのでその表面積は大きい。
このため溶融したクリーム半田3’は核3の全表面に吸
い付けられて側方へ流動しにくく、したがって図1
(e)に示すように溶融したクリーム半田3’は核3の
表面にしっかり付着し、自身の表面張力によって球形に
形を整える。その後、溶融したクリーム半田3’は溶融
した核3と融合し、基板1を冷却して固化させれば、バ
ンプ3aが完成する。
送り、基板1を加熱してクリーム半田3’を溶融させ
る。この場合、核3の素材は上述のようにクリーム半田
であり、新たにこれを覆うように塗布されたクリーム半
田3’と同材質であるので、核3と新たなクリーム半田
3’のヌレ性は電極2とのヌレ性よりもきわめて大き
く、しかも核3は球形であるのでその表面積は大きい。
このため溶融したクリーム半田3’は核3の全表面に吸
い付けられて側方へ流動しにくく、したがって図1
(e)に示すように溶融したクリーム半田3’は核3の
表面にしっかり付着し、自身の表面張力によって球形に
形を整える。その後、溶融したクリーム半田3’は溶融
した核3と融合し、基板1を冷却して固化させれば、バ
ンプ3aが完成する。
【0015】以上のように本方法は、まず電極2上に小
さな核3を形成し、この核3を中心にして更にクリーム
半田3’を追加して塗布するようにしているので、体積
の大きいバンプ3aを形成することができる。しかも溶
融した半田に対する核3のヌレ性は大きくかつ核3は球
形であってその表面積は大きいので、溶融したクリーム
半田3’をその全表面にしっかり吸い付けて側方へ流動
するのを抑制でき、したがって上述した従来例のように
過大なバンプやブリッジが生じることはなく、各電極2
上に形状のよい大形のバンプを確実に形成することがで
きる。
さな核3を形成し、この核3を中心にして更にクリーム
半田3’を追加して塗布するようにしているので、体積
の大きいバンプ3aを形成することができる。しかも溶
融した半田に対する核3のヌレ性は大きくかつ核3は球
形であってその表面積は大きいので、溶融したクリーム
半田3’をその全表面にしっかり吸い付けて側方へ流動
するのを抑制でき、したがって上述した従来例のように
過大なバンプやブリッジが生じることはなく、各電極2
上に形状のよい大形のバンプを確実に形成することがで
きる。
【0016】図2(a)(b)は本発明の他の実施例の
バンプの形成方法の説明図である。図2(a)におい
て、基板1の電極2上には電解メッキ手段などにより半
田プリコート部5が薄く(厚さD)形成されている。こ
の半田プリコート部5をフュージングにより溶融させ
て、図2(b)に示す球面を有する半球状の核3を形成
する。これ以後は、図1(d)(e)と同様であって、
この核3を覆うクリーム半田3’をスクリーン印刷手段
により形成した後、リフロー装置の加熱炉で基板1を加
熱してクリーム半田3’を溶融させることによりバンプ
3aを形成する。なお上記実施例は、電子部品として基
板1を例にとって説明したが、チップの電極上にバンプ
を形成するフリップチップの製造にも適用できるもので
ある。また核に半田を使用する場合、クリーム半田とこ
の核になる半田の融点は同じであっても異っていても差
しつかえはない。
バンプの形成方法の説明図である。図2(a)におい
て、基板1の電極2上には電解メッキ手段などにより半
田プリコート部5が薄く(厚さD)形成されている。こ
の半田プリコート部5をフュージングにより溶融させ
て、図2(b)に示す球面を有する半球状の核3を形成
する。これ以後は、図1(d)(e)と同様であって、
この核3を覆うクリーム半田3’をスクリーン印刷手段
により形成した後、リフロー装置の加熱炉で基板1を加
熱してクリーム半田3’を溶融させることによりバンプ
3aを形成する。なお上記実施例は、電子部品として基
板1を例にとって説明したが、チップの電極上にバンプ
を形成するフリップチップの製造にも適用できるもので
ある。また核に半田を使用する場合、クリーム半田とこ
の核になる半田の融点は同じであっても異っていても差
しつかえはない。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電子部品
の電極上に、ヌレ性のよい素材にて核を形成し、次いで
この核を覆うようにクリーム半田を塗布した後、このク
リーム半田を溶融固化させてバンプを形成するようにし
ているので、クリーム半田が側方へ流動してブリッジが
生じるのを防止しながら、狭ピッチ化した電子部品の電
極上に形状のよいしかも体積の大きいバンプを確実に形
成することができる。特に、核は球面を有するのでその
表面積は大きく、したがってこの核を覆うように塗布さ
れて溶融したクリーム半田はこの全表面に吸い付けられ
るので、側方へ流動しにくく、したがってこの全表面に
しっかり付着し、自身の表面張力によって球形に形を整
えることにより、形状がよくしかも体積の大きいバンプ
を形成することができる。
の電極上に、ヌレ性のよい素材にて核を形成し、次いで
この核を覆うようにクリーム半田を塗布した後、このク
リーム半田を溶融固化させてバンプを形成するようにし
ているので、クリーム半田が側方へ流動してブリッジが
生じるのを防止しながら、狭ピッチ化した電子部品の電
極上に形状のよいしかも体積の大きいバンプを確実に形
成することができる。特に、核は球面を有するのでその
表面積は大きく、したがってこの核を覆うように塗布さ
れて溶融したクリーム半田はこの全表面に吸い付けられ
るので、側方へ流動しにくく、したがってこの全表面に
しっかり付着し、自身の表面張力によって球形に形を整
えることにより、形状がよくしかも体積の大きいバンプ
を形成することができる。
【図1】(a)は本発明の一実施例のバンプの形成方法
の説明図 (b)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図 (c)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図 (d)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図 (e)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
の説明図 (b)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図 (c)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図 (d)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図 (e)は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図2】(a)は本発明の他の実施例のパンプの形成方
法の説明図 (b)は本発明の他の実施例のパンプの形成方法の説明
図
法の説明図 (b)は本発明の他の実施例のパンプの形成方法の説明
図
【図3】(a)は従来のバンプの形成方法の説明図 (b)は従来のバンプの形成方法の説明図 (c)は従来のバンプの形成方法の説明図
1 基板 2 電極 3,3’ クリーム半田 3a バンプ 5 半田プリコート部
Claims (2)
- 【請求項1】電子部品の表面に形成された電極上にバン
プを形成する方法であって、電極上に溶融した半田に対
するヌレ性がこの電極よりもよい素材にて球面を有する
バンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこ
の核を覆うようにクリーム半田を塗布し、次いでリフロ
ー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させ
ることを特徴とするバンプの形成方法。 - 【請求項2】前記素材が半田であることを特徴とする請
求項1記載のバンプの形成方法。
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JP6001145A JP3008768B2 (ja) | 1994-01-11 | 1994-01-11 | バンプの形成方法 |
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US7537461B2 (en) * | 2003-07-16 | 2009-05-26 | Gryphics, Inc. | Fine pitch electrical interconnect assembly |
WO2005011060A2 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-03 | Gryphics, Inc. | Electrical interconnect assembly with interlocking contact system |
WO2007072876A1 (ja) * | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Ibiden Co., Ltd. | プリント配線板の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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US5320272A (en) * | 1993-04-02 | 1994-06-14 | Motorola, Inc. | Tin-bismuth solder connection having improved high temperature properties, and process for forming same |
-
1994
- 1994-01-11 JP JP6001145A patent/JP3008768B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-11 US US08/371,433 patent/US5534127A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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