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JP3082284B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

有機電界発光素子

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JP3082284B2
JP3082284B2 JP03088446A JP8844691A JP3082284B2 JP 3082284 B2 JP3082284 B2 JP 3082284B2 JP 03088446 A JP03088446 A JP 03088446A JP 8844691 A JP8844691 A JP 8844691A JP 3082284 B2 JP3082284 B2 JP 3082284B2
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organic electroluminescent
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佳晴 佐藤
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Mitsubishi Chemical Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は有機電界発光素子に関す
るものであり、詳しくは、有機化合物から成る正孔注入
輸送層と電子注入輸送層との組合せにより、電界をかけ
て光を放出する薄膜型デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光素子としては、
無機材料のII−VI族化合物半導体であるZnS、C
aS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類元素
(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが一般
的であるが、上記の無機材料から作製した電界発光素子
は、 交流駆動が必要(50〜1000Hz)、
駆動電圧が高い(〜200V)、 フルカラー化が困
難(特に青色が問題)、 周辺駆動回路のコストが高
い、という問題点を有している。
【0003】これに対して、近年、上記問題点の改良の
ため、有機材料を用いた電界発光素子の開発が行われる
ようになった。有機発光層材料としては以前から知られ
ていたアントラセンやピレン等の他に、シアニン色素
(J.Chem.Soc.,Chem.Commu
n.,557頁、1985年)、ピラゾリン(Mol.
Crys.Liq.Cryst.,135巻、355
頁、1986年)、ペリレン(Jpn.J.Appl.
Phys.,25巻、L773頁、1986年)、或い
は、クマリン系化合物やテトラフェニルブタジエン(特
開昭57−51781号公報)などが報告されており、
更に、発光効率を高めるために電極からのキャリアーの
注入効率の向上を目的として、電極種類の最適化や、正
孔注入輸送層と有機蛍光体からなる発光層を設ける工夫
(特開昭57−51781号公報、特開昭59−194
393号公報、特開昭63−295695号公報、Ap
pl.Phys.Lett.,51巻、913頁、19
87年)等が行われている。
【0004】また、素子の発光効率を向上させるととも
に発光色を変える目的で、8−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレー
ザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phy
s.,65巻、3610頁、1989年)も行われてい
る。
【0005】また、下記構造式のナフタル酸イミド誘導
体(N1)を、発光層を兼ねた有機電子注入輸送層材料
として使用することが示されているが(Appl.Ph
ys.Lett.56巻、799頁、1990年)、こ
のような素子は100mA/cm2の電流密度で駆動し
ても、35cd/m2の輝度しか示していない。
【0006】
【化2】
【0007】また、下記構造式(N2)のナフタル酸イ
ミド誘導体やN−ブチルナフタルイミドは、蛍光色素が
ドープされるホスト材料としての使用が示されているが
(電子通信学会技術研究報告、OME89−46、19
89年、特開平3−26780号公報)、発光輝度とし
ては100〜200cd/m2という低い値しか得られ
ていない。
【0008】
【化3】
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
でに開示されている有機電界発光素子では、発光性能、
特に発光効率が未だ不十分であり、更なる改良検討が望
まれていた。
【0010】本発明は上記従来の実状に鑑みてなされた
ものであり、高発光効率で駆動させることができる有機
電界発光素子を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光素
子は、順次に、陽極、塩基性ポリマーを含まない有機正
孔注入輸送層、塩基性ポリマーを含まない有機電子注入
輸送層及び陰極が積層されて成る有機電界発光素子にお
いて、有機正孔注入輸送層中の有機正孔注入輸送化合物
及び/又は有機電子注入輸送層中の有機電子注入輸送化
合物をホスト材料として、このホスト材料に、下記一般
式(I)で表わされるナフタル酸イミド誘導体がドープ
されていることを特徴とする。
【0012】
【化4】
【0013】なお、上記(I)式中、Rは水素原子、
アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリル基、
置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基又は芳香
族複素環基、Xは酸素原子又は硫黄原子、R及びR
は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基を有して
いても良いアミノ基、シアノ基、アルコキシ基、アルキ
ルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキル
基、アルケニル基、アリル基、X及びXは水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ
基、アルコキシカルボニル基を示す。本発明において、
ナフタル酸イミド誘導体のドープ量はホスト材料に対し
て10 −3 〜10モル%であることが好ましい。
【0014】即ち、本発明者らは、高発光効率で駆動さ
せることができる有機電界発光素子について、鋭意検討
した結果、有機正孔注入輸送層及び/又は有機電子注入
輸送層が特定の化合物を含有することが好適であること
を見出し、本発明を完成した。
【0015】以下に、本発明の有機電界発光素子につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【0016】第1図は本発明の有機電界発光素子の構造
例を模式的に示す断面図であり、1は基板、2a、2b
は導電層、3は有機正孔注入輸送層、4は有機電子注入
輸送層を各々表す。
【0017】基板1は本発明の有機電界発光素子の支持
体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金属板
や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いら
れるが、これらのうち、ガラス板や、ポリエステル、ポ
リメチルメタアクリレート、ポリカーボネート、ポリス
ルホンなどの透明な合成樹脂基板が好ましい。
【0018】基板1上には導電層2aが設けられる。こ
の導電層2aは、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、パラジウム、テルル等の金属、インジウム及び/又
はスズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化銅、カーボン
ブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)等の
導電性樹脂などにより構成される。
【0019】第1図の例では、導電層2aは陽極(アノ
ード)として正孔注入の役割を果たすものである。一
方、導電層2bは陰極(カソード)として有機電子注入
輸送層4に電子を注入する役割を果たす。導電層2bの
構成材料としては、前記導電層2aの構成材料を用いる
ことが可能であるが、効率良く電子注入を行うには、仕
事関数の低い値をもつ金属が好ましく、例えば、スズ、
マグネシウム、インジウム、アルミニウム、銀等の適当
な金属又はそれらの合金が好適である。
【0020】導電層2a、2bの形成は、通常、スパッ
タリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い
が、銀などの金属微粒子或いはヨウ化銅、カーボンブラ
ック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性樹脂微粉末な
どの場合には、これらの粉末を適当なバインダー樹脂溶
液に分散し、基板上に塗布することにより形成すること
もできる。更に、導電性樹脂の場合は電界重合により直
接基板上に薄膜を形成することもできる。なお、導電層
2a、2bは2以上の物質を積層してなる複合層であっ
ても良い。
【0021】導電層2aの厚みは、必要とする透明性に
より異なるが、透明性が必要とされる場合は、可視光の
透過率が60%以上、好ましくは80%以上透過するこ
とが望ましく、この場合、厚みは、通常、50〜10,
000Å、好ましくは100〜5,000Å程度であ
る。なお、導電層2aが不透明で良い場合は、導電層2
aの材質は基板1と同一でも良く、また、更には導電層
を前記導電層構成材料と異なる他の物質で積層すること
も可能である。一方、導電層2bの膜厚は、通常の場
合、導電層2aの膜厚と同程度とされる。
【0022】第1図には示していないが、この導電層2
bの上に更に基板1と同様の基板を設けることもでき
る。但し、導電層2aと2bの少なくとも一方は透明性
の良いことが電界発光素子としては必要である。このこ
とから、導電層2aと2bの少なくとも一方は、100
〜5,000Åの膜厚であることが好ましく、透明性の
良いことが望まれる。
【0023】導電層2aの上に設けられる有機正孔注入
輸送層3は、電界を与えられた電極間において、陽極か
らの正孔を効率良く有機電子注入輸送層4の方向に輸送
することができる化合物より形成されることが必要とさ
れる。従って、有機正孔注入輸送化合物としては、導電
層2aからの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正
孔を効率良く輸送することができる化合物であることが
必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小
さく、しかも正孔移動度が大きく、更に安定性に優れ、
トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生し難い化
合物であることが要求される。
【0024】このような正孔注入輸送化合物は、例え
ば、特開昭59−194393号公報の第5〜6頁及び
米国特許第4175960号の第13〜14欄に解説さ
れるものなどが挙げられる。これら化合物の好ましい具
体例としては、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3
−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’
−ジアミン:1,1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン:4,4’−ビス(ジフェ
ニルアミノ)クワドロフェニルなどの芳香族アミン系化
合物が挙げられる。芳香族アミン系化合物以外では、特
開平2−311591号公報に示されるヒドラゾン化合
物が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物又はヒド
ラゾン化合物は、単独で用いられるか、必要に応じて、
各々、混合物として用いても良い。
【0025】有機正孔注入輸送層3の上に設けられる有
機電子注入輸送層4は、電界を与えられた電極間におい
て、陰極からの電子を効率良く有機正孔注入輸送層の方
向に輸送することができる化合物より形成されることが
必要とされる。従って、有機電子注入輸送化合物として
は、導電層2bからの電子注入効率が高く、かつ、注入
された電子を効率良く輸送することができる化合物であ
ることが必要である。そのためには、電子親和力が大き
く、しかも電子移動度が大きく、更に安定性に優れ、ト
ラップとなる不純物が製造時や使用時に発生し難い化合
物であることが要求される。
【0026】このような条件を満たす材料としては、テ
トラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭5
7−51781号公報)、8−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−1943
93号公報)、シクロペンタジエン誘導体(特開平2−
289675号公報)、ペリノン誘導体(特開平2−2
89676号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平
2−216791号公報)、ビススチリルベンゼン誘導
体(特開平1−245087号公報、同2−22248
4号公報)、ペリレン誘導体(特開平2−189890
号公報、同3−791号公報)、クマリン化合物(特開
平2−191694号公報、同3−792号公報)、希
土類錯体(特開平1−256584号公報)、ジスチリ
ルピラジン誘導体(特開平2−252793号公報)な
どが挙げられる。これらの化合物を用いた場合は、有機
電子注入輸送層は電子を輸送する役割と、正孔と電子の
再結合の際に発光をもたらす役割を同時に果たす。
【0027】本発明の有機電界発光素子においては、こ
のような材料よりなる有機正孔注入輸送層及び/又は有
機電子注入輸送層に前記一般式(I)で表されるナフタ
ル酸イミド誘導体を含有させるが、通常の場合、前記一
般式(I)で表されるナフタル酸イミド誘導体は、有機
電子注入輸送層4にドープされる。ドープされる領域は
有機電子注入輸送層4全体であっても、その一部分であ
っても良く、また、第2図に示す如く、有機電子注入輸
送層4の有機正孔注入輸送層3側の界面近傍の層4aで
あっても良い(第2図において、4bはドープされてい
ない領域であり、符号1,2a,2b,3は第1図にお
けると同じものをさす。)。上記ナフタル酸イミド誘導
体がホスト材料に対してドープされる量は10−3〜1
0モル%が好ましい。なお、ホスト材料とは、例えば、
有機電子注入輸送層4がその役割を果たす場合、前述の
有機電子注入輸送化合物であり、有機正孔注入輸送層3
の役割を果たす場合、前述の芳香族アミン化合物や
ヒドラゾン化合物等の有機正孔注入輸送化合物である
【0028】前記一般式(I)において、R1として
は、好ましくは水素原子;メチル基、エチル基等の炭素
数1〜6のアルキル基;メトキシエチル基、エトキシエ
チル基等のアルコキシアルキル基;メトキシ−エトキシ
エチル基、n−ブトキシエトキシエチル基等のアルコキ
シアルコキシアルキル基;メトキシエトキシエトキシエ
チル基、エトキシエトキシエトキシエチル基等のアルコ
キシアルコキシアルコキシアルキル基;フェニルオキシ
エチル基、ナフチルオキシエチル基、p−クロロフェニ
ルオキシエチル基等のアリールオキシアルキル基;ベン
ジル基、フェネチル基、p−クロロベンジル基、p−ニ
トロベンジル基等のアリールアルキル基;シクロヘキシ
ルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロペンチル
エチル基等のシクロアルキルアルキル基;アリルオキシ
エチル基、3−ブロモアリルオキシエチル基等のアルケ
ニルオキシアルキル基;シアノエチル基、シアノメチル
基等のシアノアルキル基;ヒドロキシエチル基、ヒドロ
キシメチル基等のヒドロキシアルキル基;テトラヒドロ
フリル基、テトラヒドロフリルエチル基等のテトラヒド
ロフリルアルキル基等の置換又は非置換のアルキル基、
アリル基、2−クロロアリル基等の置換又は非置換アル
ケニル基、フェニル基、p−メチルフェニル基、ナフチ
ル基、m−メトキシフェニル基等の置換又は非置換のア
リール基、シクロヘキシル基、シクロベンチル基等のシ
クロアルキル基が挙げられる。
【0029】R2及びR3としては水素原子;ハロゲン原
子;ニトロ基;アルキル基やアリール基等の置換基を有
していても良いアミノ基;シアノ基;メトキシ基、エト
キシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;チオアルコキ
シ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等
の炭素数1〜6のアルコキシカルボニル基;メチルカル
ボニル基、エチルカルボニル基等のアルキルカルボニル
基;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル
基;ベンジル基、フェネチル基、p−クロロベンジル
基、p−ニトロベンジル基等のアリールアルキル基;シ
クロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シク
ロペンチルエチル基等のシクロアルキルアルキル基;ア
リルオキシエチル基、3−ブロモアリルオキシエチル基
等のアルケニルオキシアルキル基;水酸基;2−クロロ
アリル基等の置換又は非置換アルケニル基、フェニル
基、p−メチルフェニル基、ナフチル基、m−メトキシ
フェニル基等の置換又は非置換のアリール基、シクロヘ
キシル基、シクロベンチル基等のシクロアルキル基が挙
げられる。
【0030】X1及びX2としては、水素原子、ハロゲン
原子、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基が挙げられる
が、好ましくは水素原子又はニトロ基である。
【0031】これらのナフタル酸イミド誘導体の合成法
は、例えば、特公昭47−11064号公報、特公昭4
7−8465号公報、特公昭53−5304号公報等に
示されているが、具体的には下記一般式(II)((I
I)式中、R2、R3、X1及びX2は前記一般式(I)に
おけると同一の意義を有する。)で表される無水ナフタ
ル酸誘導体と、一般式R1NH2(式中、R1は前記一般
式(I)におけると同一の意義を有する。)で表される
化合物とを適当な溶媒中で反応させることによって合成
される。
【0032】
【化5】
【0033】このようにして得られる一般式(I)で表
されるナフタル酸イミド誘導体の具体例を、以下の構造
式(1)〜(10)に示すが、これらに限定するもので
はない。
【0034】
【化6】
【0035】本発明において、有機正孔注入輸送層3
は、例えば、塗布法或いは真空蒸着法により前記導電層
2a上に積層することにより形成される。塗布の場合
は、有機正孔注入輸送化合物を1種又は2種以上と必要
により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や、レ
ベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加、溶解
した塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法によ
り導電層2a上に塗布し、乾燥して有機正孔注入輸送層
3を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。
バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させ
るので、少ない方が望ましく、塗布溶液に対して50重
量%以下が好ましい。
【0036】真空蒸着法の場合には、有機正孔注入輸送
材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器
内を適当な真空ポンプで10-6Torrにまで排気した
後、るつぼを加熱して、正孔注入輸送材料を蒸発させ、
るつぼと向き合って置かれた基板上に層を形成する。
【0037】有機正孔注入輸送層3の膜厚は、通常、1
00〜3000Å、好ましくは300〜1000Åであ
る。このように薄い膜を一様に形成するためには、真空
蒸着法が好適である。
【0038】一方、前記一般式(I)で表されるナフタ
ル酸イミド誘導体がドープされる有機電子注入輸送層4
は、例えば、塗布法或いは真空蒸着法により、前記有機
正孔注入輸送層3上に積層することにより形成される。
【0039】塗布の場合は、有機電子注入輸送化合物
と、前記一般式(I)で表されるナフタル酸イミド誘導
体、更に必要により、電子のトラップや発光の消光剤と
ならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改
良剤などの添加剤を添加、溶解した塗布溶液を調製し、
スピンコート法などの方法により有機正孔注入輸送層3
上に塗布し、乾燥して有機電子注入輸送層4を形成す
る。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリ
アリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー
樹脂は添加量が多いと電子移動度を低下させるので、少
ない方が望ましく、塗布溶液に対して50重量%以下が
好ましい。
【0040】真空蒸着法の場合には、有機電子注入輸送
材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、前記一般
式(I)で表されるナフタル酸イミド誘導体を別のるつ
ぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-6To
rr程度にまで排気した後、各々のるつぼを同時に加熱
して内容物を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基
板1の有機正孔注入輸送層3上に層を形成する。また、
他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したも
のを同一のるつぼを用いて蒸発させても良い。有機電子
注入輸送層4の膜厚は、通常、100〜2000Å、好
ましくは300〜1000Åである。このような薄い膜
を一様に形成するためには、通常の場合、真空蒸着法が
好適に用いられる。
【0041】また、有機電界発光素子の発光効率を更に
向上させるために、上述のようにしてドープされた有機
電子注入輸送層4の上に、第3図に示す如く、更に他の
有機電子注入輸送層5を積層することが考えられる。こ
の有機電子注入輸送層5に用いられる化合物には、陰極
からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大き
いことが要求される。この様な有機電子注入輸送材料と
しては、化7に示す化合物などのニトロ置換フルオレノ
ン誘導体、化8に示す化合物などのチオピランジオキシ
ド誘導体、化9に示す化合物などのジフェニルキノン誘
導体、化10に示す化合物などのペリレンテトラカルボ
ン酸誘導体(Jpn.J.Appl.Phys.27
巻、L269頁、1988年)、化11に示す化合物な
どのオキサジアゾール誘導体(Appl.Phys.L
ett.55巻、1489頁、1989年)などが挙げ
られる。
【0042】
【化7】
【0043】
【化8】
【0044】
【化9】
【0045】
【化10】
【0046】
【化11】
【0047】このような有機電子注入輸送層5の膜厚
は、通常、100〜2000Å、好ましくは300〜1
000Åである。
【0048】なお、本発明においては第1図とは逆の構
造、即ち、基板上に導電層2b、有機電子注入輸送層
4、有機正孔注入輸送層3、導電層2aの順に積層する
構成を採用することも可能であり、既述した様に少なく
とも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機
電界発光素子を設けることも可能である。また、同様
に、第2図及び第3図についても、これらと逆の構造に
積層することも可能である。
【0049】
【作用】有機電界発光素子の前述の有機正孔注入輸送層
及び/又は有機電子注入輸送層のドープ材料として、前
記一般式(I)で表されるナフタル酸イミド誘導体を用
いることにより、優れた発光特性をもたらすことが可能
とされる。
【0050】ところで、有機電界発光素子の発光効率を
向上させるとともに発光色を変化させる目的で、8−ヒ
ドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料とし
て、各種の蛍光色素をドープすることが行われている
(米国特許4,769,292号)。この方法の利点と
しては、 高効率の蛍光色素により発光効率が向上、
蛍光色素の選択により発光波長が可変、 濃度消
光を起こす蛍光色素も使用可能、 薄膜性のわるい蛍
光色素も使用可能、等が挙げられる。
【0051】これに対して、前記化6で示されるナフタ
ル酸イミド誘導体をアセトン中に3×10-3モル/リ
ットルの濃度で溶かした溶液を、水銀ランプ(波長35
0nm)で励起して測定した蛍光測定の結果は下記表1
の通りである。なお、相対蛍光強度の基準は、アルミニ
ウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(Al(OX)3
表中で略す)のクロロホルム溶液とした。この結果から
も本発明による発光特性の向上効果は明らかである。
【0052】
【表1】
【0053】
【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 実施例1,2 第1図に示す構造の有機電界発光素子を以下の方法で作
製した。ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(IT
O)透明導電膜を1200Å厚さに堆積したものを水洗
し、更にイソプロピルアルコールで超音波洗浄した後、
真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が2×10
-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用いて排気し
た。有機正孔注入輸送層材料として、以下のヒドラゾン
化合物(H1)及び(H2)を、モル比で(H1):
(H2)=1:0.3で混合したものを、セラミックる
つぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱
して真空容器中で蒸発させた。るつぼの温度は150〜
190℃の範囲で、蒸着時の真空度は6×10-7Tor
rであった。有機正孔注入輸送層をこのようにして52
0Åの膜厚で蒸着した。蒸着時間は4分であった。
【0054】
【化12】
【0055】次に、有機電子注入輸送層の材料として、
以下の構造式に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノ
リン錯体Al(C96NO)3とドープする蛍光色素と
して前記化6で示されるナフタル酸イミド誘導体を、
各々、別々のるつぼを用いて、同時に加熱して蒸着を行
った。
【0056】
【化13】
【0057】この時の各々のるつぼの温度は、アルミニ
ウムの8−ヒドロキシキノリン錯体に対して200〜2
30℃、ナフタル酸イミド誘導体に対しては125〜
140℃で制御した。蒸着時の真空度は7×10-7To
rrで、蒸着時間は2分であった。結果として、膜厚5
10Åでナフタル酸イミド誘導体が上記錯体に対して
2.2モル%ドープされた有機電子注入輸送層を得た。
【0058】最後にカソードとして、マグネシウムと銀
の合金電極を2元同時蒸着法によって膜厚1500Åに
蒸着形成した。蒸着はモリブデンボートを用い、真空度
は8×10-6Torrで、蒸着時間は8分とし、その結
果、光沢のある膜が得られた。マグネシウムと銀の原子
比は10:1〜2の範囲であった。このようにして有機
電界発光素子Aを作製した。
【0059】この有機電界発光素子AのITO電極(ア
ノード)にプラス、マグネシウム・銀電極(カソード)
にマイナスの直流電圧を印加して測定した発光特性の結
果を表2に示す。なお、この素子の発光スペクトルのピ
ーク波長は510nmで、緑色の一様な発光を示した。
【0060】なお、表2において、Vthは輝度が1c
d/m2となる電圧、発光効率はV100での効率である。
【0061】比較例1 有機電子注入輸送層にナフタル酸イミド誘導体のドー
プを行なわない他は実施例1と同様にして有機電界発光
素子Bを作製した。この素子の発光特性の測定結果を表
2に示す。この素子の発光スペクトルのピーク波長は5
30nmで、緑色の一様な発光を示した。
【0062】比較例2 有機電子注入輸送層のホスト材料として8−ヒドロキシ
キノリンのアルミニウム錯体を使用せず、ナフタル酸イ
ミド誘導体のみで有機電子注入輸送層を形成した以外
は実施例1と同様にして素子Cを作製した。この素子の
発光特性の測定結果を表2に示す。この素子は黄色の発
光を示した。
【0063】
【表2】
【0064】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の有機電界発
光素子によれば、陽極、有機正孔注入輸送層、有機電子
注入輸送層、陰極が基板上に順次設けられ、しかも、有
機正孔注入輸送層及び/又は有機電子注入輸送層、もし
くはその一部分に特定のナフタル酸イミド誘導体をドー
プしているため、両極に電圧を印加した場合、低い駆動
電圧で実用上十分な輝度の発光を得ることができ、長期
間の保存後も初期の発光特性を維持できる。本発明の電
界発光素子はフラットパネル・ディスプレイ(例えば壁
掛けテレビ)の分野や画発光体としての特徴を生かした
光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器
類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考
えられ、その工業的有用性は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1図は本発明の有機電界発光素子の一実施例
を示す断面図である。
【図2】第2図は本発明の有機電界発光素子の他の実施
例を示す断面図である。
【図3】第3図は本発明の有機電界発光素子の別の実施
例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2a,2b 導電層 3 有機正孔注入輸送層 4 有機電子注入輸送層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C09K 11/06 CA(STN) REGISTRY(STN)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 順次に、陽極、塩基性ポリマーを含まな
    有機正孔注入輸送層、塩基性ポリマーを含まない有機
    電子注入輸送層及び陰極が積層されて成る有機電界発光
    素子において、有機正孔注入輸送層中の有機正孔注入輸
    送化合物及び/又は有機電子注入輸送層中の有機電子注
    入輸送化合物をホスト材料として、このホスト材料に
    下記一般式(I)で表わされるナフタル酸イミド誘導体
    がドープされていることを特徴とする有機電界発光素
    子。 【化1】 (式中、Rは水素原子、アルキル基、アラルキル基、
    アルケニル基、アリル基、置換基を有していても良い芳
    香族炭化水素環基又は芳香族複素環基、R及びR
    水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基を有してい
    ても良いアミノ基、シアノ基、アルコキシ基、アルキル
    カルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、
    アルケニル基、アリル基、X及びXは水素原子、ハ
    ロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、アル
    コキシカルボニル基を示す。)
  2. 【請求項2】 請求項1において、該ナフタル酸イミド
    誘導体のドープ量が該ホスト材料に対して10 −3 〜1
    0モル%であることを特徴とする有機電界発光素子。
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