JP2905448B2 - Method and apparatus for setting position of sample stage in X-ray analysis - Google Patents
Method and apparatus for setting position of sample stage in X-ray analysisInfo
- Publication number
- JP2905448B2 JP2905448B2 JP8188089A JP18808996A JP2905448B2 JP 2905448 B2 JP2905448 B2 JP 2905448B2 JP 8188089 A JP8188089 A JP 8188089A JP 18808996 A JP18808996 A JP 18808996A JP 2905448 B2 JP2905448 B2 JP 2905448B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- sample
- reflected
- height
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 93
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 54
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 52
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 23
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 23
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、試料台に固定され
た試料に、1次X線を照射して、試料から発生する2次
X線、特に蛍光X線を検出するX線分析において、その
試料台の位置を設定する方法および装置に関する。The present invention relates to an X-ray analysis for irradiating a sample fixed on a sample stage with primary X-rays to detect secondary X-rays, particularly fluorescent X-rays, generated from the sample. The present invention relates to a method and an apparatus for setting the position of the sample stage.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、例えば全反射型蛍光X線分析
においては、図7に示すように、X線管31から発生さ
せたX線をモノクロメータ32で単色化して1次X線3
とし、試料台34に固定された試料1に、例えば0.0
5度程度の微小な入射角θ(図示と理解の容易のため、
図面においては誇張して表す)で入射させ、全反射した
X線8zを検出器5に入射させないように図面右方向へ
逃がしつつ、試料1から発生した蛍光X線38を検出器
5に入射させ、分析を行っている。ここで、正確な分析
のためには、入射角θは、0度よりも大きく全反射の臨
界角よりも小さい範囲内で、分析においてS/N比が良
好となるような適切な角度(以下、「適切な角度」とい
う)であり、かつ、試料1の表面1aにおける全反射
は、検出器5の直下(検出器5の中心軸Yと1次X線3
の進行方向との交点O)で起こっている必要がある。そ
のため、以下の方法が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in a total reflection type fluorescent X-ray analysis, as shown in FIG. 7, an X-ray generated from an X-ray tube 31 is made monochromatic by a monochromator 32 to form a primary X-ray 3.
The sample 1 fixed to the sample stage 34 has, for example, 0.0
A small incident angle θ of about 5 degrees (for ease of illustration and understanding,
X-rays 8z reflected from the sample 1 are made incident on the detector 5 while escaping to the right in the drawing so as not to make the totally reflected X-rays 8z incident on the detector 5. , Conduct an analysis. Here, for accurate analysis, the incident angle θ should be within a range larger than 0 degree and smaller than the critical angle of total reflection so that an appropriate S / N ratio (hereinafter, referred to as an S / N ratio) is obtained in the analysis. , “Appropriate angle”), and the total reflection on the surface 1 a of the sample 1 is directly below the detector 5 (the central axis Y of the detector 5 and the primary X-ray 3
Must occur at the point of intersection O) with the traveling direction. Therefore, the following method is used.
【0003】まず、試料1の表面1aと試料台34の表
面34aとが平行であるとして、1次X線3に対し適切
な角度近傍で傾けた試料台34に試料1を固定し、検出
器5に入射する蛍光X線38の強度が最大になるよう
に、試料台34を上下方向(高さ方向)すなわち検出器
5の中心軸Y方向に移動させることにより、試料台34
の高さを調整する。これで、試料表面1aにおいて全反
射の起こっている位置を、検出器5の直下とすることが
できる。次に、試料台34の角度を、試料1への入射角
θがわずかずつ大きくなるように調整しながら、蛍光X
線38の強度変化を検出器5で測定する。蛍光X線38
の強度が急激に増加するときには、バックグラウンドの
強度も急激に増加し、このときの入射角θが臨界角であ
る。臨界角は、試料1の主成分に応じて既知であるの
で、これで、試料台34の調整角と試料1への入射角θ
との関係が分かる。そして、入射角θが適切な角度とな
るように、試料台34の角度を調整して、試料1の分析
を行う。First, assuming that the surface 1a of the sample 1 and the surface 34a of the sample stage 34 are parallel to each other, the sample 1 is fixed to the sample stage 34 inclined at an appropriate angle near the primary X-ray 3, and The sample stage 34 is moved in the vertical direction (height direction), that is, in the direction of the center axis Y of the detector 5 so that the intensity of the fluorescent X-rays 38 incident on the sample stage 5 is maximized.
Adjust the height of the. Thus, the position where total reflection occurs on the sample surface 1a can be located immediately below the detector 5. Next, while adjusting the angle of the sample stage 34 so that the incident angle θ to the sample 1 is gradually increased, the fluorescence X
The intensity change of the line 38 is measured by the detector 5. X-ray fluorescence 38
When the intensity of the background rapidly increases, the intensity of the background also rapidly increases, and the incident angle θ at this time is the critical angle. Since the critical angle is known according to the main component of the sample 1, the adjustment angle of the sample stage 34 and the angle of incidence θ on the sample 1
You can see the relationship with Then, the angle of the sample table 34 is adjusted so that the incident angle θ becomes an appropriate angle, and the sample 1 is analyzed.
【0004】分析に際し、試料1ごとに、このような調
整を行うと、非常に時間を要する。そこで、このような
調整を行った試料1を載せた状態で、試料台34を1次
X線3の進行方向、すなわち図7の右方向に所定の距離
xc だけ移動させ、変位センサ39の下方に位置させる
(二点鎖線で表示)。変位センサ39は、距離xc だけ
検出器5の右側に位置し、その中心軸YC は検出器5の
中心軸Yと平行で、両中心軸Y,YC は、1次X線3の
進行方向に垂直である。そして、変位センサ39からレ
ーザー光40を照射し、試料表面1aで反射したレーザ
ー光41を測定して、変位センサ39から試料表面1a
までの距離を測定する。この距離を、検出器5の直下で
全反射が起こるような試料台34の高さとして、分析装
置等に記憶させておく。また、前記試料台34の調整角
と試料1への入射角θとの関係も、分析装置等に記憶さ
せておく。At the time of analysis, if such adjustment is made for each sample 1, it takes a very long time. Then, with the sample 1 thus adjusted placed thereon, the sample stage 34 is moved by a predetermined distance xc in the traveling direction of the primary X-ray 3, that is, rightward in FIG. (Indicated by the two-dot chain line). The displacement sensor 39 is located on the right side of the detector 5 by a distance xc, and its central axis YC is parallel to the central axis Y of the detector 5, and both central axes Y and YC are in the traveling direction of the primary X-ray 3. It is vertical. Then, a laser beam 40 is emitted from the displacement sensor 39, and the laser beam 41 reflected on the sample surface 1a is measured.
Measure the distance to This distance is stored in the analyzer or the like as the height of the sample stage 34 at which total reflection occurs immediately below the detector 5. The relationship between the adjustment angle of the sample stage 34 and the angle of incidence θ on the sample 1 is also stored in an analyzer or the like.
【0005】そして、新たな試料1を分析する際には、
まず、変位センサ39の下方に位置させた試料台34に
その試料1を固定し、変位センサ39を用いつつ、試料
台34を上下方向(高さ方向)すなわち変位センサ39
の中心軸YC 方向に移動させることにより、変位センサ
39から試料表面1aまでの距離が前記記憶させた距離
になるように、試料台34の高さを調整する。これで、
まず、新たな試料1の表面1aにおいて全反射の起こる
位置を、変位センサ39の直下とすることができる。次
に、試料台34を、その高さを維持したまま、距離xc
だけ左方向に戻す。これで、全反射の起こる位置を、検
出器5の直下とすることができる。さらに、前記記憶さ
せた試料台34の調整角と試料1への入射角θとの関係
を利用して、試料台34の角度を所望の適切な角度に調
整して、試料1の分析を行う。When a new sample 1 is analyzed,
First, the sample 1 is fixed to a sample stage 34 located below the displacement sensor 39, and the sample stage 34 is moved up and down (height direction), that is, the displacement sensor 39 while using the displacement sensor 39.
By moving the sample table 34 in the direction of the center axis YC, the height of the sample table 34 is adjusted so that the distance from the displacement sensor 39 to the sample surface 1a becomes the stored distance. with this,
First, the position where total reflection occurs on the surface 1 a of the new sample 1 can be set immediately below the displacement sensor 39. Next, while maintaining the height of the sample table 34, the distance xc
Just return to the left. Thus, the position where total reflection occurs can be located immediately below the detector 5. Further, the angle of the sample stage 34 is adjusted to a desired appropriate angle by utilizing the stored relationship between the adjustment angle of the sample stage 34 and the incident angle θ to the sample 1, and the sample 1 is analyzed. .
【0006】なお、試料1ごとに、その厚さが異なって
も、試料台34の高さ調整の基準となる距離は、変位セ
ンサ39から試料表面1aまでの距離であるので、影響
を受けない。また、試料表面1aが試料台34の表面3
4aに対して傾斜している場合には、試料1を固定した
試料台34を、変位センサ39の直下から、図7の左右
方向にそれぞれ所定の距離(例えば10mm)移動さ
せ、左右それぞれの位置で、変位センサ39を用いて変
位センサ39から試料表面1aまでの距離を測定する。
この左右位置での測定距離と左右方向への移動距離か
ら、試料表面1aの傾斜を算出できるので、それに応じ
て試料台34の角度調整を補正できる。Even if the thickness of each sample 1 is different, the distance used as a reference for adjusting the height of the sample table 34 is not affected since it is the distance from the displacement sensor 39 to the sample surface 1a. . Also, the sample surface 1a is the surface 3 of the sample table 34.
In the case where the sample table 34 is inclined with respect to 4a, the sample table 34 on which the sample 1 is fixed is moved by a predetermined distance (for example, 10 mm) in the left-right direction of FIG. Then, the distance from the displacement sensor 39 to the sample surface 1a is measured using the displacement sensor 39.
Since the inclination of the sample surface 1a can be calculated from the measurement distance at the left and right positions and the movement distance in the left and right direction, the angle adjustment of the sample table 34 can be corrected accordingly.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術に
おいては、変位センサ39下での試料台34の高さ方向
の調整は、数μオーダーで行われるのに対し、その調整
後の左方向への移動距離xc は数cmオーダーであり、
移動後にも調整された高さが維持されているとは必ずし
もいえない。したがって、試料台34の位置設定が十分
正確にできず、試料1の十分正確な分析ができない。However, in the prior art, the adjustment of the height of the sample stage 34 under the displacement sensor 39 is performed on the order of several μm, whereas the leftward adjustment after the adjustment is performed. The moving distance xc to is on the order of several cm,
The adjusted height is not always maintained after the movement. Therefore, the position of the sample table 34 cannot be set sufficiently accurately, and the sample 1 cannot be analyzed sufficiently accurately.
【0008】本発明は前記従来の問題に鑑みてなされた
もので、X線分析において、装置の構造が複雑化せず、
正確な分析のできる試料台の位置設定方法および装置を
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and does not complicate the structure of the apparatus in X-ray analysis.
It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for setting the position of a sample stage that enable accurate analysis.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項1のX線分析における試料台の位置設定方法
では、まず、試料台に固定された試料に、分析にも用い
るX線源から1次X線を照射し、試料表面で反射した反
射X線について、所定の基準点から1次X線の進行方向
への第1および第2の距離において、所定の基準線から
の高さ方向の強度分布をそれぞれ測定する。次に、それ
ら第1および第2の強度分布から、分析用検出器の直下
の試料表面で全反射が起こるような試料台の位置からの
ずれを得て、そのずれを解消するように、分析用検出器
の下方において、試料台の表面と1次X線とのなす角度
および試料台の基準線からの高さを調整する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for setting a position of a sample stage in an X-ray analysis, the method comprising: Irradiation of primary X-rays from a source and reflection X-rays reflected on the surface of the sample at a first and second distances from a predetermined reference point in the traveling direction of the primary X-rays, the height of the reflected X-rays from the predetermined reference line The intensity distribution in the vertical direction is measured. Next, from the first and second intensity distributions, a shift from the position of the sample table at which total reflection occurs on the sample surface immediately below the analytical detector is obtained, and the analysis is performed so as to eliminate the shift. Below the detector for use, the angle between the surface of the sample stage and the primary X-ray and the height of the sample stage from the reference line are adjusted.
【0010】請求項1の方法によれば、試料台の位置
(高さおよび角度)を分析用検出器の下方において調整
するので、調整後に試料台を大きな距離で移動させる必
要がない。また、試料台の位置調整の基準は、分析用検
出器直下の試料表面で全反射の起こる位置(高さおよび
角度)であるので、調整後に試料台を一定量移動させた
りする必要がなく、そのまま分析を行える。したがっ
て、試料台の位置設定が正確にできる。さらに、分析に
用いるX線源をそのまま利用するので、調整のための新
たな光源を必要とすることもない。According to the method of the first aspect, since the position (height and angle) of the sample stage is adjusted below the analytical detector, there is no need to move the sample stage over a large distance after the adjustment. In addition, since the reference for adjusting the position of the sample stage is the position (height and angle) at which total reflection occurs on the sample surface immediately below the analytical detector, there is no need to move the sample stage by a fixed amount after adjustment. Analysis can be performed as it is. Therefore, the position of the sample stage can be set accurately. Further, since the X-ray source used for the analysis is used as it is, no new light source for adjustment is required.
【0011】請求項2のX線分析における試料台の位置
設定装置は、まず、試料が固定される試料台と、分析に
も用いられ、試料に1次X線を照射するX線源と、分析
用検出器の下方に設けられ、試料台の表面と1次X線と
のなす角度を調整する角度調整器と、やはり分析用検出
器の下方に設けられ、試料台の所定の基準線からの高さ
を調整する高さ調整器と、試料表面で反射した反射X線
について、所定の基準点から1次X線の進行方向への第
1および第2の距離において、基準線からの高さ方向の
強度分布をそれぞれ測定する第1および第2の反射X線
検出手段とを備えている。また、それら測定された第1
および第2の強度分布から、分析用検出器の直下の試料
表面で全反射が起こるような試料台の位置からのずれを
得て、そのずれを解消するように、角度調整器および高
さ調整器を制御する制御手段を備えている。請求項2の
装置によれば、前記請求項1の方法と同様の作用効果が
得られる。According to a second aspect of the present invention, there is provided an apparatus for setting the position of a sample stage in X-ray analysis, comprising: a sample stage on which a sample is fixed; an X-ray source used for analysis and irradiating the sample with primary X-rays; An angle adjuster that is provided below the analytical detector and adjusts the angle between the surface of the sample stage and the primary X-ray; and an angle adjuster that is also provided below the analytical detector and extends from a predetermined reference line of the sample stage. A height adjuster for adjusting the height of the sample, and the height of the reflected X-rays reflected from the sample surface at the first and second distances from the predetermined reference point in the traveling direction of the primary X-rays. First and second reflected X-ray detecting means for measuring the intensity distribution in the vertical direction, respectively. In addition, the measured first
And from the second intensity distribution, an angle adjuster and a height adjuster are obtained so as to obtain a shift from the position of the sample stage at which total reflection occurs on the sample surface immediately below the analytical detector, and to eliminate the shift. Control means for controlling the vessel. According to the device of the second aspect, the same operation and effect as those of the method of the first aspect are obtained.
【0012】請求項3のX線分析における試料台の位置
設定方法では、試料台に固定された試料に、分析にも用
いるX線源から1次X線を照射し、所定の基準点から1
次X線の進行方向への第1および第2の距離において、
分析用検出器の直下の試料表面で全反射した直下全反射
X線が最大強度で通過するような高さにそれぞれ設けた
第1および第2の遮蔽板の通過孔を、試料表面で反射し
た反射X線が通過して、反射X線検出器で検出される強
度が最大となるように、分析用検出器の下方において、
試料台の表面と1次X線とのなす角度および試料台の所
定の基準線からの高さを調整する。According to a third aspect of the present invention, in a method for setting the position of a sample stage in X-ray analysis, a sample fixed on the sample stage is irradiated with primary X-rays from an X-ray source used for analysis, and is shifted from a predetermined reference point by one.
At first and second distances in the traveling direction of the next X-ray,
The through-holes of the first and second shielding plates provided at a height such that the total reflection X-rays directly below the sample surface immediately below the analytical detector pass at the maximum intensity were reflected on the sample surface. In order for the reflected X-rays to pass and the intensity detected by the reflected X-ray detector to be maximum, below the analytical detector,
The angle between the surface of the sample stage and the primary X-ray and the height of the sample stage from a predetermined reference line are adjusted.
【0013】請求項3の方法によれば、前記請求項1の
方法の作用効果があるほか、調整された試料台の位置に
おいて、分析用検出器の直下の試料表面で全反射が起こ
ることを確認するので、試料台の位置設定がいっそう正
確になる。According to the method of the third aspect, in addition to the effect of the method of the first aspect, the total reflection occurs on the surface of the sample immediately below the analytical detector at the adjusted position of the sample stage. Since the confirmation is made, the position setting of the sample stage becomes more accurate.
【0014】請求項4のX線分析における試料台の位置
設定装置は、まず、試料が固定される試料台と、分析に
も用いられ、試料に1次X線を照射するX線源と、分析
用検出器の下方に設けられ、試料台の表面と1次X線と
のなす角度を調整する角度調整器と、やはり分析用検出
器の下方に設けられ、試料台の所定の基準線からの高さ
を調整する高さ調整器と、試料表面で反射した反射X線
を検出する反射X線検出器と、所定の基準点から1次X
線の進行方向への第1および第2の距離において、分析
用検出器の直下の試料表面で全反射した直下全反射X線
がそれぞれ最大強度で通過するような高さに通過孔を設
けられた第1および第2の遮蔽板とを備えている。ま
た、前記反射X線が、第1および第2の遮蔽板の通過孔
を通過して、反射X線検出器で検出される強度が最大と
なるように、角度調整器および高さ調整器を制御する制
御手段を備えている。請求項4の装置によれば、前記請
求項3の方法と同様の作用効果が得られる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for setting a position of a sample stage in X-ray analysis, comprising: a sample stage on which a sample is fixed; an X-ray source used for analysis and irradiating the sample with primary X-rays; An angle adjuster that is provided below the analytical detector and adjusts the angle between the surface of the sample stage and the primary X-ray; and an angle adjuster that is also provided below the analytical detector and extends from a predetermined reference line of the sample stage. A height adjuster for adjusting the height of the sample, a reflected X-ray detector for detecting reflected X-rays reflected on the sample surface, and a primary X-ray detector from a predetermined reference point.
At the first and second distances in the direction of travel of the line, a through hole is provided at a height such that the total reflection X-rays directly below the sample surface immediately below the analytical detector pass at maximum intensity. First and second shielding plates. Further, the angle adjuster and the height adjuster are arranged so that the reflected X-rays pass through the passage holes of the first and second shielding plates and the intensity detected by the reflected X-ray detector is maximized. It has control means for controlling. According to the device of the fourth aspect, the same operation and effect as the method of the third aspect can be obtained.
【0015】請求項5のX線分析における試料台の位置
設定方法では、まず、試料台に固定された試料に、分析
にも用いるX線源から1次X線を照射し、所定の基準点
から1次X線の進行方向への第1の距離において、分析
用検出器の直下の試料表面で全反射した直下全反射X線
が最大強度で通過するような高さに設けた第1の遮蔽板
の通過孔を、試料表面で反射した反射X線が通過して、
反射X線検出器で検出される強度が最大となるように、
分析用検出器の下方において、試料台の所定の基準線か
らの高さを調整する。次に、基準点から1次X線の進行
方向への第2の距離において、前記反射X線について、
基準線からの高さ方向の強度分布を測定し、その強度分
布から、前記直下全反射X線を生じるような試料台の位
置からのずれを得て、そのずれを解消するように、分析
用検出器の下方において、試料台の表面と1次X線との
なす角度および試料台の基準線からの高さを調整する。According to a fifth aspect of the present invention, in a method for setting the position of a sample stage in X-ray analysis, first, a sample fixed on the sample stage is irradiated with primary X-rays from an X-ray source also used for analysis, and a predetermined reference point is set. At a first distance in the direction of travel of the primary X-ray from the sample, the height is set such that the total reflection X-ray directly below the sample surface immediately below the analytical detector passes at the maximum intensity. The reflected X-ray reflected on the sample surface passes through the passage hole of the shielding plate,
To maximize the intensity detected by the reflected X-ray detector,
The height of the sample stage from a predetermined reference line is adjusted below the analytical detector. Next, at a second distance from the reference point in the traveling direction of the primary X-ray,
The intensity distribution in the height direction from the reference line is measured, and from the intensity distribution, a deviation from the position of the sample table that causes the total reflection X-ray immediately below is obtained. Below the detector, the angle between the surface of the sample stage and the primary X-ray and the height of the sample stage from the reference line are adjusted.
【0016】請求項5の方法によれば、まず、直下全反
射X線を生じるような試料台の位置のより近傍に調整
し、次に、直下全反射X線を生じるような試料台の位置
からのずれを解消するように調整するので、請求項3の
方法に準じる正確さで、請求項3の方法よりも短時間
に、試料台の位置設定ができる。According to the fifth aspect of the present invention, first, the position of the sample table is adjusted to be closer to the position of the sample table which generates the total reflection X-ray directly below, and then the position of the sample table which generates the total reflection X-ray directly below is adjusted. Since the adjustment is made so as to eliminate the deviation from the position, the position of the sample stage can be set with an accuracy similar to the method of the third aspect and in a shorter time than the method of the third aspect.
【0017】請求項6のX線分析における試料台の位置
設定装置は、まず、試料が固定される試料台と、分析に
も用いられ、試料に1次X線を照射するX線源と、分析
用検出器の下方に設けられ、試料台の表面と1次X線と
のなす角度を調整する角度調整器と、やはり分析用検出
器の下方に設けられ、試料台の所定の基準線からの高さ
を調整する高さ調整器と、試料表面で反射した反射X線
を検出する反射X線検出器と、所定の基準点から1次X
線の進行方向への第1の距離において、分析用検出器の
直下の試料表面で全反射した直下全反射X線が最大強度
で通過するような高さに通過孔を設けられた第1の遮蔽
板と、基準点から1次X線の進行方向への第2の距離に
おいて、基準線からの高さ方向に移動自在であり、通過
孔を設けられた第2の遮蔽板とを備えている。The apparatus for setting the position of a sample stage in X-ray analysis according to claim 6 includes a sample stage on which a sample is fixed, an X-ray source which is also used for analysis and irradiates the sample with primary X-rays, An angle adjuster that is provided below the analytical detector and adjusts the angle between the surface of the sample stage and the primary X-ray; and an angle adjuster that is also provided below the analytical detector and extends from a predetermined reference line of the sample stage. A height adjuster for adjusting the height of the sample, a reflected X-ray detector for detecting reflected X-rays reflected on the sample surface, and a primary X-ray detector from a predetermined reference point.
At a first distance in the traveling direction of the line, a first hole provided with a passage hole at a height such that total reflection X-rays immediately below the sample surface directly below the analytical detector pass through at maximum intensity. A shielding plate, and a second shielding plate that is movable in the height direction from the reference line at a second distance from the reference point in the traveling direction of the primary X-ray and has a through hole. I have.
【0018】さらに、前記反射X線が、第1の遮蔽板の
通過孔を通過して、反射X線検出器で検出される強度が
最大となるように、高さ調整器を制御し、また、その制
御後の反射X線について、反射X線検出器と第2の遮蔽
板とにより測定される基準線からの高さ方向の強度分布
から、前記直下全反射X線を生じるような試料台の位置
からのずれを得て、そのずれを解消するように、角度調
整器および高さ調整器を制御する制御手段を備えてい
る。請求項6の装置によれば、前記請求項5の方法と同
様の作用効果が得られる。Further, a height adjuster is controlled so that the reflected X-rays pass through the passage hole of the first shielding plate and the intensity detected by the reflected X-ray detector becomes maximum. A sample stage that generates the total reflection X-ray immediately below from the intensity distribution in the height direction from the reference line measured by the reflection X-ray detector and the second shielding plate for the reflected X-ray after the control. Is provided with control means for controlling the angle adjuster and the height adjuster so as to obtain a deviation from the position and to eliminate the deviation. According to the device of the sixth aspect, the same operation and effect as those of the method of the fifth aspect can be obtained.
【0019】請求項7のX線分析における試料台の位置
設定装置は、前記請求項2の装置において、第1、第2
の反射X線検出手段が、基準点から1次X線の進行方向
への第1、第2の距離それぞれにおいて、基準線からの
高さ方向に移動自在であって通過孔を設けられた第1、
第2の遮蔽板それぞれと、共通の反射X線検出器とから
構成されている。The apparatus for setting the position of the sample stage in the X-ray analysis according to claim 7 is the first and second apparatus according to claim 2.
The reflected X-ray detecting means is movable in the height direction from the reference line at each of the first and second distances from the reference point in the traveling direction of the primary X-ray, and is provided with a passage hole. 1,
Each of the second shielding plates and a common reflection X-ray detector are configured.
【0020】請求項7の装置によれば、請求項2の装置
の作用効果があるほか、2つの反射X線検出手段に対し
1つの反射X線検出器で足りるので、装置全体が複雑化
しない。According to the apparatus of claim 7, the operation and effect of the apparatus of claim 2 are provided, and one reflected X-ray detector is sufficient for two reflected X-ray detecting means, so that the entire apparatus is not complicated. .
【0021】請求項8のX線分析における試料台の位置
設定装置は、前記請求項2の装置において、第1、第2
の反射X線検出手段が、第1、第2の強度分布をそれぞ
れ測定する第1、第2の荷電結合素子である。The apparatus for setting the position of the sample stage in the X-ray analysis according to claim 8 is the same as the apparatus according to claim 2,
Are the first and second charge-coupled devices that measure the first and second intensity distributions, respectively.
【0022】請求項8の装置によれば、請求項2の装置
の作用効果があるほか、反射X線検出手段が、位置検出
の可能な荷電結合素子であるので、装置全体において、
可動部分が減少し、やはり複雑化しない。According to the device of the eighth aspect, in addition to the operation and effect of the device of the second aspect, the reflected X-ray detecting means is a charged coupling element capable of detecting a position.
The number of moving parts is reduced, and it is not complicated.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1実施形態であ
るX線分析における試料台の位置設定方法を図面にした
がって説明する。まず、この方法に用いる装置について
説明する。図1の斜視図に示すように、この装置は、ま
ず、試料1が固定される試料台2と、分析にも用いら
れ、試料1に帯状の1次X線3を照射するX線源4を備
えている。X線源4としては、X線管のみを図示した
が、モノクロメータやスリットを含んでもよい。また、
本装置は、分析用検出器5の下方に設けられ、試料台2
の表面2aと1次X線3とのなす角度を調整する角度調
整器6と、やはり分析用検出器5の下方に設けられ、試
料台2の所定の基準線Xからの高さを調整する高さ調整
器7とを備えている。ここで、帯状の1次X線3の中心
線およびその延長線を、所定の基準線Xとする。なお、
試料台2の高さには、例えば、基準線Xから試料台2の
表面2aの中心までの高さをとればよい。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for setting the position of a sample stage in X-ray analysis according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, an apparatus used in this method will be described. As shown in the perspective view of FIG. 1, the apparatus comprises a sample stage 2 on which a sample 1 is fixed, and an X-ray source 4 which is also used for analysis and irradiates the sample 1 with a band-shaped primary X-ray 3. It has. Although only the X-ray tube is illustrated as the X-ray source 4, a monochromator or a slit may be included. Also,
This apparatus is provided below the detector for analysis 5 and
And an angle adjuster 6 for adjusting the angle between the surface 2a of the sample and the primary X-ray 3, and also provided below the analytical detector 5, for adjusting the height of the sample table 2 from a predetermined reference line X. And a height adjuster 7. Here, the center line of the band-shaped primary X-ray 3 and its extension are defined as a predetermined reference line X. In addition,
The height of the sample stage 2 may be, for example, the height from the reference line X to the center of the surface 2a of the sample stage 2.
【0024】さらに、本装置は、所定の基準点Oから1
次X線3の進行方向(図1において、右上へ向かう方
向)への第1、第2の距離x1,x2において、それぞ
れ通過孔9a,11aを設けられた第1、第2の遮蔽板
9,11と、反射X線検出器13とを備えている。ここ
で、検出器5の中心軸Yと1次X線3の基準線Xとの交
点を、所定の基準点Oとし、第1、第2の遮蔽板9,1
1は、分析用検出器5の中心軸5と平行であるそれぞれ
の中心軸Y1,Y2に沿って、それぞれ第1、第2の移
動手段10,12により、基準線Xからの高さ方向に移
動自在である。なお、第1、第2の遮蔽板9,11の高
さには、例えば、基準線Xからそれぞれの通過孔9a,
11aの中心までの高さをとればよい。Further, the present apparatus is arranged such that a predetermined reference point O
At the first and second distances x1 and x2 in the traveling direction of the next X-ray 3 (the direction toward the upper right in FIG. 1), the first and second shielding plates 9 provided with the passage holes 9a and 11a, respectively. , 11 and a reflected X-ray detector 13. Here, the intersection of the central axis Y of the detector 5 and the reference line X of the primary X-ray 3 is defined as a predetermined reference point O, and the first and second shielding plates 9 and 1 are provided.
Reference numeral 1 denotes the first and second moving means 10 and 12 along the central axes Y1 and Y2, which are parallel to the central axis 5 of the analysis detector 5, respectively, in the height direction from the reference line X. It is movable. The heights of the first and second shielding plates 9 and 11 are, for example, from the reference line X to the respective passing holes 9a and 9a.
What is necessary is just to take the height to the center of 11a.
【0025】第1の遮蔽板9と反射X線検出器13と
は、第1の反射X線検出手段を構成し、第2の遮蔽板1
1と反射X線検出器13とは、第2の反射X線検出手段
を構成し、試料表面1aで反射した反射X線8につい
て、それぞれ第1、第2の距離x1,x2において、基
準線Xからの高さ方向の強度分布を測定する。また、本
装置は、それら測定された第1および第2の強度分布か
ら、その測定した試料1について分析用検出器5の直下
の試料表面1aで全反射が起こるような試料台2の位置
からのずれを得て、そのずれを解消するように、角度調
整器6および高さ調整器7を制御する制御手段14を備
えている。なお、本発明において、「全反射が起こる」
というときは、従来の技術においても説明したように、
試料1への入射角θは、0度よりも大きく全反射の臨界
角よりも小さい範囲内にあるだけでなく、分析において
S/N比が良好となるような適切な角度であることが望
ましい。The first shielding plate 9 and the reflected X-ray detector 13 constitute first reflected X-ray detecting means, and the second shielding plate 1
1 and the reflected X-ray detector 13 constitute a second reflected X-ray detecting means, and the reflected X-rays 8 reflected on the sample surface 1a are set at the first and second distances x1 and x2, respectively. The intensity distribution in the height direction from X is measured. Further, the present apparatus uses the measured first and second intensity distributions from the position of the sample stage 2 where total reflection occurs on the sample surface 1a immediately below the analytical detector 5 for the measured sample 1. And a control unit 14 for controlling the angle adjuster 6 and the height adjuster 7 so as to obtain the deviation and to eliminate the deviation. In the present invention, “total reflection occurs”
Then, as explained in the conventional technology,
The incident angle θ to the sample 1 is not only in a range larger than 0 degree but smaller than a critical angle of total reflection, and is desirably an appropriate angle such that an S / N ratio becomes good in analysis. .
【0026】この装置を用いて、第1実施形態の方法で
は、あらかじめ、光学系の幾何学的な関係や事前の実験
等に基づいて、例えば所定の厚さで試料台表面2aと平
行な表面1aを有する標準的な試料1を用いた場合に分
析用検出器5の直下の試料表面1aで全反射が起こるよ
うな位置に、試料台2を初期設定しておく。この試料台
2に、新たな試料1を固定し、分析にも用いるX線源4
から1次X線3を照射し、試料表面1aで反射した反射
X線8について、以下のように、基準点Oから1次X線
3の進行方向への第1、第2の距離x1,x2におい
て、基準線Xからの高さ方向の第1、第2の強度分布を
測定する。最初、第1および第2の遮蔽板9,11は、
ともに、反射X線8の通路よりも上にあり、反射X線検
出器13には、試料表面1aで反射した反射X線8がそ
のまま入射している。そこで、まず、第1の移動手段1
0により第1の遮蔽板9をその中心軸Y1に沿って下に
移動させる。すると、反射X線8は第1の遮蔽板9によ
り遮蔽され、反射X線検出器13には入射しなくなる。Using this apparatus, in the method of the first embodiment, for example, the surface parallel to the sample stage surface 2a with a predetermined thickness is determined based on the geometrical relationship of the optical system, preliminary experiments, and the like. The sample stage 2 is initially set at a position where total reflection occurs on the sample surface 1a immediately below the analytical detector 5 when the standard sample 1 having the sample 1a is used. An X-ray source 4 for fixing a new sample 1 on the sample stage 2 and also used for analysis.
From the reference point O in the traveling direction of the primary X-ray 3 with respect to the reflected X-ray 8 reflected from the sample surface 1a as shown below. At x2, the first and second intensity distributions in the height direction from the reference line X are measured. First, the first and second shielding plates 9 and 11
Both are located above the path of the reflected X-rays 8, and the reflected X-rays 8 reflected on the sample surface 1 a enter the reflected X-ray detector 13 as they are. Therefore, first, the first moving means 1
By 0, the first shielding plate 9 is moved downward along the center axis Y1. Then, the reflected X-ray 8 is shielded by the first shielding plate 9 and does not enter the reflected X-ray detector 13.
【0027】しかし、さらに第1の遮蔽板9を下降させ
続けると、図1に示すように、反射X線8の通路に第1
の遮蔽板9の通過孔9aが合致したところで、反射X線
8がその通過孔9aを通過して反射X線検出器13に入
射する。ここで、厳密には、反射X線8は、水平方向に
幅をもち帯状であるのみならず、基準線Xに垂直な方向
(上下方向)にもわずかながら広がりすなわち厚みをも
つ。したがって、反射X線8が通過孔9aを通過し得る
第1の遮蔽板9の高さにも幅があり、反射X線検出器1
3で検出される反射X線8の強度も、ある程度の幅をも
つ高さ方向の強度分布として得られる。そこで、この強
度分布において、最大強度の得られた第1の遮蔽板9の
高さにおいて、反射X線8の通路に第1の遮蔽板9の通
過孔9aが正確に合致したものとする。However, when the first shielding plate 9 is further lowered, as shown in FIG.
When the passing holes 9a of the shielding plate 9 are matched, the reflected X-rays 8 pass through the passing holes 9a and enter the reflected X-ray detector 13. Here, strictly speaking, the reflected X-rays 8 not only have a width in the horizontal direction and are band-shaped, but also slightly spread, that is, have a thickness in a direction (up-down direction) perpendicular to the reference line X. Therefore, the height of the first shielding plate 9 through which the reflected X-rays 8 can pass through the passage hole 9a also has a width, and the reflected X-ray detector 1
The intensity of the reflected X-ray 8 detected in 3 is also obtained as an intensity distribution in the height direction having a certain width. Therefore, in this intensity distribution, it is assumed that the passage hole 9a of the first shielding plate 9 exactly matches the path of the reflected X-ray 8 at the height of the first shielding plate 9 where the maximum intensity is obtained.
【0028】このように、反射X線8について、第1の
強度分布が得られたら、次に、第1の移動手段により第
1の遮蔽板9を反射X線8の通路よりも上に退避させ
て、最初の状態に戻し、第2の移動手段12により第2
の遮蔽板11をその中心軸Y2に沿って下に移動させ
て、同様に第2の強度分布を得る。このとき、第1の遮
蔽板9を退避させず、その通過孔9aを通過した反射X
線8に対して、第2の遮蔽板11を下降させてもよい。
この場合には、図1に示すように、第2の遮蔽板11の
通過孔11aは、水平方向に延びる長孔であることが好
ましい。第1の遮蔽板9の通過孔9aを通過して、幅が
短くなったた反射X線8に対し、第2の遮蔽板11の水
平方向のわずかな位置ずれにより、その反射X線8が、
第2の遮蔽板11の通過孔11aを通過できなくなるこ
とがないようにするためである。After the first intensity distribution is obtained for the reflected X-rays 8 as described above, the first moving means retreats the first shielding plate 9 above the path of the reflected X-rays 8. Then, the state is returned to the initial state, and the second moving means 12
Is moved downward along its central axis Y2 to obtain a second intensity distribution in the same manner. At this time, the first shielding plate 9 is not retracted, and the reflection X passing through the passage hole 9a is not retreated.
The second shielding plate 11 may be lowered with respect to the line 8.
In this case, as shown in FIG. 1, the passage hole 11a of the second shielding plate 11 is preferably an elongated hole extending in the horizontal direction. The reflected X-rays 8 having passed through the passage holes 9a of the first shielding plate 9 and having a reduced width are slightly displaced in the horizontal direction of the second shielding plate 11 so that the reflected X-rays 8 are not reflected. ,
This is to prevent the passage through the passage hole 11a of the second shielding plate 11 from being prevented.
【0029】ところで、例えば全反射蛍光X線分析にお
いては、試料台2の位置調整についてきわめて高い精度
を要求され、その基準となる基準線Xを装置の設計段階
で確定することは事実上不可能である。したがって、前
述したように帯状の1次X線3の中心線およびその延長
線を基準線Xとすることとして、その装置について、試
料1に照射されない状態の1次X線3の通路を測定する
必要がある。そこで、この第1実施形態の方法では、あ
らかじめ、試料台2を高さ調整手段7により下方に退避
させて、前述した反射X線8について第1および第2の
強度分布を測定するのと同様の手順で、1次X線3につ
いて第1および第2の強度分布を測定することによりそ
の通路を調べ、これを基準線Xとしておく。この測定も
きわめて高い精度を要求され、1次X線3の通路のわず
かな経時変化も問題となるおそれがあるから、例えば1
日または1週間に1回程度の頻度で測定しなおすことが
望ましい。なお、この測定は分析全体に比べれば短時間
ですみ、試料1ごとに行うほどの必要性もないので、分
析全体の時間に影響を与えることはない。For example, in the case of total reflection X-ray fluorescence analysis, extremely high precision is required for the position adjustment of the sample table 2, and it is practically impossible to determine the reference line X as a reference at the design stage of the apparatus. It is. Therefore, as described above, the center line of the band-shaped primary X-ray 3 and its extension are set as the reference line X, and the path of the primary X-ray 3 in a state where the sample 1 is not irradiated is measured for the apparatus. There is a need. Therefore, in the method of the first embodiment, the sample stage 2 is retracted in advance by the height adjusting means 7 in advance and the first and second intensity distributions of the reflected X-ray 8 are measured in the same manner. By measuring the first and second intensity distributions of the primary X-ray 3 in the procedure described above, the path is examined, and this is set as a reference line X. This measurement also requires extremely high accuracy, and slight temporal changes in the path of the primary X-ray 3 may cause a problem.
It is desirable to perform the measurement again about once a day or once a week. It should be noted that this measurement is shorter than the whole analysis and does not need to be performed for each sample 1, so that the whole analysis time is not affected.
【0030】以上のように、反射X線8について、基準
線Xからの高さ方向の第1および第2の強度分布を測定
したら、そのデータを電気信号として、制御手段14に
入力する。これらの測定および入力は、制御手段14に
より自動的に行うこともできる。さて、制御手段14に
は、あらかじめ、光学系の幾何学的な関係や事前の実験
等に基づき、所定の厚さで試料台表面2aと平行な表面
1aを有する標準的な試料1について、分析用検出器5
の直下の試料表面1aで全反射した直下全反射X線8z
の通路に、第1および第2の遮蔽板9,11の通過孔9
a,11aが正確に合致したときの、第1および第2の
遮蔽板9,11の基準線Xからの高さが入力されてい
る。なお、このときの試料台2の位置、すなわち試料台
2の表面2aと1次X線3とのなす角度および試料台2
の基準線Xからの高さを、以下において、標準位置とも
いう。As described above, when the first and second intensity distributions of the reflected X-ray 8 in the height direction from the reference line X are measured, the data is input to the control means 14 as an electric signal. These measurements and inputs can also be performed automatically by the control means 14. The control means 14 analyzes the standard sample 1 having a predetermined thickness and a surface 1a parallel to the sample table surface 2a in advance based on the geometrical relationship of the optical system, preliminary experiments, and the like. Detector 5
Total reflection X-ray 8z directly reflected by the sample surface 1a immediately below
The passages 9 of the first and second shielding plates 9 and 11
The heights of the first and second shielding plates 9 and 11 from the reference line X when a and 11a exactly match are input. The position of the sample stage 2 at this time, that is, the angle between the surface 2a of the sample stage 2 and the primary X-ray 3 and the position of the sample stage 2
Is also referred to as a standard position below.
【0031】試料台2は、前述したように標準位置に初
期設定したから、反射X線8の通路は直下全反射X線8
zの通路に一致しているはずであり、反射X線8の通路
に第1および第2の通過孔9a,11aが正確に合致し
たときの第1および第2の遮蔽板9,11の基準線Xか
らの高さも、前記あらかじめ入力された直下全反射X線
8zについてのそれらの高さに一致しているはずであ
る。しかし、同一形状に作製したつもりでも、加工精度
の問題等から、試料1によって厚さが微妙に異なる場合
もあり、また試料表面1aが試料台表面2aに対してわ
ずかに傾斜している場合もある。したがって、試料台2
を、標準的な試料1について好ましい標準位置に初期設
定しても、新たな試料1については、現実に分析用検出
器5の直下の試料表面1aで全反射が起こるような位置
(以下、各試料1についてのこのような位置を「理想位
置」ともいう)から、ずれが生じている場合が多い。Since the sample stage 2 is initially set at the standard position as described above, the path of the reflected X-rays 8 is directly below the total reflection X-rays 8.
z and the reference of the first and second shielding plates 9 and 11 when the first and second passage holes 9a and 11a exactly match the path of the reflected X-ray 8. The height from the line X should also correspond to the height of the previously input immediately below total reflection X-rays 8z. However, even if it is intended to be manufactured in the same shape, the thickness may be slightly different depending on the sample 1 due to a problem of processing accuracy or the like. is there. Therefore, the sample stage 2
Is initially set to a preferable standard position for the standard sample 1, but for a new sample 1, a position where total reflection actually occurs on the sample surface 1a immediately below the analytical detector 5 (hereinafter, each position is referred to as Such a position of the sample 1 is also referred to as an “ideal position”) in many cases.
【0032】そこで、この第1実施形態の方法では、制
御手段14において、入力された反射X線8についての
第1および第2の強度分布から、反射X線8の通路に第
1および第2の通過孔9a,11aが正確に合致したと
きの第1および第2の遮蔽板9,11の基準線Xからの
高さを得て、これらをあらかじめ入力された直下全反射
X線8zについてのそれらの高さと比較し、幾何学的な
関係から、試料台2について理想位置からのずれを算出
し、そのずれを解消するように、試料台表面2aと1次
X線3とのなす角度および試料台2の基準線Xからの高
さを調整する。これにより、試料台2が理想位置に設定
される。Therefore, in the method of the first embodiment, the control means 14 determines the first and second intensity distributions of the input reflected X-rays 8 in the path of the reflected X-rays 8 based on the first and second intensity distributions. The heights of the first and second shielding plates 9 and 11 from the reference line X when the passing holes 9a and 11a accurately coincide with each other are obtained. By comparing the height with the height, the deviation from the ideal position of the sample stage 2 is calculated from the geometrical relationship, and the angle between the sample stage surface 2a and the primary X-ray 3 is calculated so as to eliminate the deviation. The height of the sample table 2 from the reference line X is adjusted. Thereby, the sample stage 2 is set at the ideal position.
【0033】第1実施形態の方法によれば、試料台2の
位置を分析用検出器5の下方において調整するので、調
整後に試料台2を大きな距離で移動させる必要がない。
また、試料台2の位置調整の基準は、例えば試料表面1
aが1次X線3に平行に接するような位置等ではなく、
分析用検出器5直下の試料表面2aで全反射の起こる理
想位置であるので、調整後に試料台2を一定量移動させ
たりする必要がなく、そのまま分析を行える。したがっ
て、試料台2の位置設定が正確にでき、試料1を正確に
分析できる。また、分析に用いるX線源4をそのまま利
用するので、調整のための新たな光源を必要とせず、反
射X線8の通路を知るために2つ必要な反射X線検出手
段に対し、1つの反射X線検出器13で足りる。したが
って、用いる装置全体が複雑化しない。According to the method of the first embodiment, since the position of the sample stage 2 is adjusted below the analytical detector 5, there is no need to move the sample stage 2 over a large distance after the adjustment.
The reference for adjusting the position of the sample table 2 is, for example, the sample surface 1.
It is not a position where a is in contact with the primary X-ray 3 in parallel.
Since this is an ideal position where total reflection occurs on the sample surface 2a immediately below the analysis detector 5, it is not necessary to move the sample table 2 by a fixed amount after adjustment, and the analysis can be performed as it is. Therefore, the position of the sample table 2 can be set accurately, and the sample 1 can be accurately analyzed. Further, since the X-ray source 4 used for the analysis is used as it is, a new light source for adjustment is not required, and two reflected X-ray detecting means necessary for knowing the path of the reflected X-ray 8 are required. Two reflected X-ray detectors 13 are sufficient. Therefore, the entire apparatus used does not become complicated.
【0034】次に、本発明の第2実施形態であるX線分
析における試料台の位置設定方法を図面にしたがって説
明する。まず、この方法に用いる装置について説明す
る。図2の斜視図に示すように、この装置においては、
第1の遮蔽板15は反射X線8の進行方向に向かって左
半分強を遮蔽でき、第2の遮蔽板16は右半分強を遮蔽
し得る点で、第1、第2の遮蔽板9,11とも反射X線
8を全幅にわたって遮蔽し得る第1実施形態の方法に用
いる装置と異なる。その他の点では、第1実施形態の方
法に用いる装置と同様であるので、同一部分に同一番号
を付して、説明を省略する。Next, a method for setting the position of the sample stage in the X-ray analysis according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, an apparatus used in this method will be described. As shown in the perspective view of FIG.
The first shielding plate 15 can shield the left half and the right half in the direction of travel of the reflected X-rays 8, and the second shielding plate 16 can shield the right and the left half. , 11 are different from the apparatus used in the method of the first embodiment which can shield the reflected X-rays 8 over the entire width. In other respects, the apparatus is the same as the apparatus used in the method of the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0035】この装置を用いた第2実施形態の方法で
は、以下のように、反射X線8についての第1、第2の
強度分布の測定の仕方が、第1実施形態の方法と異な
る。すなわち、最初、第1および第2の遮蔽板15,1
6は、それらの通過孔15a,16aがそれぞれ反射X
線8の通路よりも少し上にくる高さ(図2中第2の遮蔽
板16において示すような高さ)にある。この状態で
は、反射X線8は、第1および第2の遮蔽板15,16
により遮蔽され、反射X線検出器13には入射しない。
ここで、第1の遮蔽板15のみを、基準線Xに垂直で分
析検出器5の中心軸に平行な軸Y1に沿って、下に移動
させると、図2に示すように、反射X線8の通路に第1
の遮蔽板15の通過孔15aが合致したところで、反射
X線8が、その通過孔15aと第2の遮蔽板16の左側
方とを通過して、反射X線検出器13に入射する。した
がって、第1実施形態の方法において述べたように、反
射X線8について、第1の強度分布が得られる。In the method of the second embodiment using this apparatus, the method of measuring the first and second intensity distributions of the reflected X-ray 8 is different from the method of the first embodiment as described below. That is, first, the first and second shielding plates 15, 1
6 indicates that each of the passage holes 15a and 16a has a reflection X
It is at a height slightly above the passage of the line 8 (height as shown in the second shielding plate 16 in FIG. 2). In this state, the reflected X-rays 8 pass through the first and second shielding plates 15 and 16.
And is not incident on the reflection X-ray detector 13.
Here, when only the first shielding plate 15 is moved downward along an axis Y1 perpendicular to the reference line X and parallel to the central axis of the analysis detector 5, as shown in FIG. Passage No. 8
When the passing hole 15a of the shielding plate 15 is matched, the reflected X-ray 8 passes through the passing hole 15a and the left side of the second shielding plate 16 and enters the reflected X-ray detector 13. Therefore, as described in the method of the first embodiment, the first intensity distribution is obtained for the reflected X-ray 8.
【0036】次に、第1の移動手段10により、第1の
遮蔽板9を、その通過孔15aが反射X線8の通路より
も少し上にくる高さ、すなわち、最初の状態に戻す。こ
の移動量は、通過孔15a,16aが実際にはピンホー
ルのように小さいものであるから、ごくわずかである
が、この移動により、再度、反射X線8が第1および第
2の遮蔽板15,16により遮蔽され、反射X線検出器
13には入射しなくなる。そこで、第2の移動手段12
により、第2の遮蔽板16を、基準線Xに垂直で分析検
出器5の中心軸に平行な軸Y2に沿って下に移動させる
ことによって、前記第1の強度分布と同様に第2の強度
分布が得られる。なお、あらかじめ同様の手順で1次X
線3についても第1および第2の強度分布を測定するこ
とによりその通路を調べ、これを基準線Xとしておく。
その他の手順は、第1実施形態の方法と同じである。第
2実施形態の方法によれば、第1実施形態の方法と同様
の作用効果があるほか、第1および第2の遮蔽板15,
16の移動量が少なくてすむので、強度分布の測定をよ
り迅速正確に行える。Next, the first moving means 10 returns the first shielding plate 9 to a height at which the passage hole 15a is slightly higher than the path of the reflected X-ray 8, that is, the first state. This movement amount is very small because the passage holes 15a and 16a are actually small like pinholes, but this movement causes the reflected X-rays 8 to again cause the first and second shielding plates to move. The light is shielded by 15 and 16 and does not enter the reflected X-ray detector 13. Therefore, the second moving means 12
By moving the second shield plate 16 downward along an axis Y2 perpendicular to the reference line X and parallel to the central axis of the analysis detector 5, the second shield plate 16 is moved in the second direction similarly to the first intensity distribution. An intensity distribution is obtained. Note that the primary X
The path of the line 3 is also examined by measuring the first and second intensity distributions, and this is set as a reference line X.
Other procedures are the same as the method of the first embodiment. According to the method of the second embodiment, in addition to the same operation and effect as the method of the first embodiment, the first and second shielding plates 15,
Since only a small amount of movement is required, the intensity distribution can be measured more quickly and accurately.
【0037】次に、本発明の第3実施形態であるX線分
析における試料台の位置設定方法を図面にしたがって説
明する。まず、この方法に用いる装置について説明す
る。図3の斜視図に示すように、この装置においては、
第1、第2の反射X線検出手段が、第1、第2の強度分
布をそれぞれ測定する第1、第2の荷電結合素子17,
18であり、第1の荷電結合素子17は第1の移動手段
10により基準線Xからの高さ方向に移動自在である
が、第2の荷電結合素子18は、反射X線8が入射する
ような基準線Xからの所定の高さに固定されている点
で、第1実施形態の方法に用いる装置と異なる。その他
の点では、第1実施形態の方法に用いる装置と同様であ
るので、同一部分に同一番号を付して、説明を省略す
る。なお、第1の移動手段10における「第1の」と
は、第1の荷電結合素子17に対応するという意味であ
り、移動手段が複数あってそのうちの「第1の」という
意味ではない。Next, a method for setting the position of the sample stage in the X-ray analysis according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, an apparatus used in this method will be described. As shown in the perspective view of FIG.
First and second reflected X-ray detectors measure the first and second intensity distributions, respectively, of the first and second charged coupling elements 17,
18, the first charged coupling element 17 is movable in the height direction from the reference line X by the first moving means 10, but the reflected X-ray 8 is incident on the second charged coupling element 18. It differs from the apparatus used in the method of the first embodiment in that it is fixed at a predetermined height from the reference line X. In other respects, the apparatus is the same as the apparatus used in the method of the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. Note that “first” in the first moving means 10 means that it corresponds to the first charged coupling element 17, and does not mean “first” among a plurality of moving means.
【0038】この装置を用いた第3実施形態の方法で
は、以下のように、反射X線8についての第1、第2の
強度分布の測定の仕方が、第1実施形態の方法と異な
る。すなわち、図3に示すように、最初、第1の荷電結
合素子17は、反射X線8の通路よりも上にあり、反射
X線8は、所定の高さに固定された第2の荷電結合素子
18に入射する。荷電結合素子17,18は、位置検出
が可能であるので、移動させずとも、第2の強度分布が
測定できる。In the method of the third embodiment using this apparatus, the method of measuring the first and second intensity distributions of the reflected X-ray 8 differs from the method of the first embodiment as described below. That is, as shown in FIG. 3, first, the first charged coupling element 17 is located above the path of the reflected X-rays 8, and the reflected X-rays 8 are fixed to a predetermined height. The light enters the coupling element 18. Since the positions of the charged coupling elements 17 and 18 can be detected, the second intensity distribution can be measured without being moved.
【0039】次に、第1の移動手段10により、第1の
遮蔽板9を、その中心軸Y1に沿って、反射X線8が入
射するような基準線Xからの所定の高さまで下に移動さ
せる。これにより、前記第2の強度分布と同様に第1の
強度分布が測定できる。第3実施形態の方法において
は、第1の強度分布の測定にあたり、第1の荷電結合素
子17を、徐々に移動させる必要はなく、所定の高さま
で一気に下降させて、その高さで第1の強度分布が測定
できる。なお、あらかじめ同様の手順で1次X線3につ
いても第1および第2の強度分布を測定することにより
その通路を調べ、これを基準線Xとしておく。その他の
手順は、第1実施形態の方法と同様である。すなわち、
第1実施形態の方法における、反射X線8または直下全
反射X線8zの通路に第1および第2の通過孔9a,1
1aが正確に合致したときの第1および第2の遮蔽板
9,11の基準線Xからの高さに相当するものが、第3
実施形態の方法における、反射X線8または直下全反射
X線8zの強度分布測定において第1および第2の荷電
結合素子17,18で最高強度が検出された位置の基準
線Xからの高さとなる。Next, the first shielding plate 9 is moved down by the first moving means 10 along the central axis Y1 to a predetermined height from the reference line X where the reflected X-rays 8 are incident. Move. Thereby, the first intensity distribution can be measured similarly to the second intensity distribution. In the method of the third embodiment, in measuring the first intensity distribution, the first charged coupling element 17 does not need to be gradually moved, but is immediately lowered to a predetermined height, and the first charged coupling element 17 is moved to the first height at that height. Can be measured. The path of the primary X-ray 3 is measured by measuring the first and second intensity distributions of the primary X-ray 3 in advance in the same manner, and this is set as a reference line X. Other procedures are the same as the method of the first embodiment. That is,
In the method of the first embodiment, the first and second passage holes 9a, 1 are formed in the path of the reflected X-ray 8 or the total reflection X-ray 8z immediately below.
The height equivalent to the height of the first and second shielding plates 9 and 11 from the reference line X when 1a exactly matches the third shielding plate 9 and 11 is the third height.
In the method according to the embodiment, in the intensity distribution measurement of the reflected X-ray 8 or the total reflection X-ray 8z immediately below, the height from the reference line X at the position where the highest intensity is detected by the first and second charged coupling elements 17 and 18 Become.
【0040】第3実施形態の方法によっても、試料台2
の位置を分析用検出器5の下方において調整するので、
調整後に試料台2を大きな距離で移動させる必要がな
い。また、試料台2の位置調整の基準は、分析用検出器
5直下の試料表面2aで全反射の起こる理想位置である
ので、調整後に試料台2を一定量移動させたりする必要
がなく、そのまま分析を行える。したがって、試料台2
の位置設定が正確にでき、試料1を正確に分析できる。
また、分析に用いるX線源4をそのまま利用するので、
調整のための新たな光源を必要とせず、特にこの第3実
施形態の方法によれば、反射X線8の通路を知るために
2つ必要な反射X線検出手段が、位置検出の可能な荷電
結合素子17,18であり、第2の荷電結合素子18は
固定したままでよいので、可動部分が減少する。したが
って、用いる装置全体が複雑化しない。According to the method of the third embodiment, the sample table 2
Is adjusted below the detector 5 for analysis,
There is no need to move the sample stage 2 over a large distance after the adjustment. Further, since the reference for adjusting the position of the sample stage 2 is an ideal position where total reflection occurs on the sample surface 2a immediately below the analysis detector 5, there is no need to move the sample stage 2 by a fixed amount after adjustment, and Perform analysis. Therefore, the sample stage 2
Can be set accurately, and the sample 1 can be accurately analyzed.
In addition, since the X-ray source 4 used for analysis is used as it is,
A new light source for adjustment is not required, and in particular, according to the method of the third embodiment, two reflected X-ray detecting means necessary to know the path of the reflected X-ray 8 are capable of position detection. The charge-coupled elements 17, 18 and the second charge-coupled element 18 can remain fixed, so that the number of movable parts is reduced. Therefore, the entire apparatus used does not become complicated.
【0041】次に、本発明の第4実施形態であるX線分
析における試料台の位置設定方法を図面にしたがって説
明する。まず、この方法に用いる装置について説明す
る。図4の斜視図に示すように、この装置においては、
第1の荷電結合素子19は反射X線8の進行方向に向か
って左約半分を検出でき、第2の荷電結合素子20は残
部を検出できる点で、第1、第2の荷電結合素子17,
18とも反射X線8を全幅にわたって検出できる第3実
施形態の方法に用いる装置と異なる。また、この装置に
おいては、第2の荷電結合素子20のみならず第1の荷
電結合素子19も、反射X線8が入射するような基準線
Xからの所定の高さに固定されている点でも、第3実施
形態の方法に用いる装置と異なる。その他の点では、第
3実施形態の方法に用いる装置と同様であるので、同一
部分に同一番号を付して、説明を省略する。Next, a method for setting the position of the sample stage in the X-ray analysis according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, an apparatus used in this method will be described. As shown in the perspective view of FIG.
The first charged coupling element 19 can detect about the left half in the traveling direction of the reflected X-ray 8, and the second charged coupling element 20 can detect the rest, so that the first and second charged coupling elements 17 can be detected. ,
18 differs from the apparatus used in the method of the third embodiment, which can detect the reflected X-rays 8 over the entire width. Further, in this device, not only the second charged coupling element 20 but also the first charged coupling element 19 is fixed at a predetermined height from the reference line X where the reflected X-ray 8 is incident. However, this is different from the apparatus used in the method of the third embodiment. In other respects, the apparatus is the same as the apparatus used in the method of the third embodiment, so that the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【0042】この装置を用いた第4実施形態の方法で
は、以下のように、反射X線8についての第1、第2の
強度分布の測定の仕方が、第3実施形態の方法と異な
る。すなわち、図4に示すように、最初から、反射X線
8は、所定の高さにそれぞれ固定された第1、第2の荷
電結合素子19,20に、その左約半分と残部とがそれ
ぞれ入射する。荷電結合素子19,20は、位置検出が
可能であるので、移動させずとも、第1および第2の強
度分布が同時に測定できる。なお、あらかじめ同様の手
順で1次X線3についても第1および第2の強度分布を
測定することによりその通路を調べ、これを基準線Xと
しておく。その他の手順は、第3実施形態の方法と同じ
である。第4実施形態の方法によれば、第3実施形態の
方法と同様の作用効果があるほか、反射X線検出手段
が、位置検出の可能な荷電結合素子19,20であり、
双方とも固定したままでよいので、用いる装置全体にお
いて、いっそう可動部分が減少し、複雑化しない。ま
た、強度分布の測定をより迅速正確に行える。In the method of the fourth embodiment using this apparatus, the method of measuring the first and second intensity distributions of the reflected X-ray 8 differs from the method of the third embodiment as described below. That is, as shown in FIG. 4, from the beginning, the reflected X-rays 8 are applied to the first and second charged coupling elements 19 and 20 fixed at a predetermined height, respectively, with approximately half of the left and the rest being left. Incident. Since the position of each of the charged coupling elements 19 and 20 can be detected, the first and second intensity distributions can be measured at the same time without being moved. The path of the primary X-ray 3 is measured by measuring the first and second intensity distributions of the primary X-ray 3 in advance in the same manner, and this is set as a reference line X. Other procedures are the same as the method of the third embodiment. According to the method of the fourth embodiment, in addition to the same operation and effect as the method of the third embodiment, the reflected X-ray detecting means are the charge coupling elements 19 and 20 capable of detecting the position,
Since both may remain fixed, the number of movable parts is further reduced in the entire apparatus used, and the apparatus is not complicated. Further, the intensity distribution can be measured more quickly and accurately.
【0043】次に、本発明の第5実施形態であるX線分
析における試料台の位置設定方法を図面にしたがって説
明する。まず、この方法に用いる装置について説明す
る。図5の斜視図に示すように、この装置においては、
前もって基準線Xを設定する際を除いて、第1および第
2の遮蔽板21,22が、基準点Oから1次X線3の進
行方向への第1および第2の距離x1,x2において、
直下全反射X線8zがそれぞれ最大強度で通過するよう
な高さに通過孔21a,22aを設けられ、固定された
ままである点で第1実施形態の方法に用いる装置と異な
る。また、後述するように制御手段23の行う制御内容
も異なる。その他の点では、第1実施形態の方法に用い
る装置と同様であるので、同一部分に同一番号を付し
て、説明を省略する。なお、第2の遮蔽板22の通過孔
22aは、単なる丸孔でも、水平方向に延びる長孔でも
よい。Next, a method of setting the position of the sample stage in the X-ray analysis according to the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, an apparatus used in this method will be described. As shown in the perspective view of FIG.
Except when setting the reference line X in advance, the first and second shielding plates 21 and 22 are moved at the first and second distances x1 and x2 from the reference point O in the traveling direction of the primary X-ray 3. ,
It differs from the apparatus used in the method of the first embodiment in that passing holes 21a and 22a are provided at a height such that the total reflection X-rays 8z directly below pass at the maximum intensity, and are kept fixed. Further, as will be described later, the control contents performed by the control unit 23 are also different. In other respects, the apparatus is the same as the apparatus used in the method of the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. The passage hole 22a of the second shielding plate 22 may be a simple round hole or a long hole extending in the horizontal direction.
【0044】この装置を用いて、第5実施形態の方法で
は、まず、第1実施形態の方法と同様の手順で、あらか
じめ1次X線3について第1および第2の強度分布を測
定することによりその通路を調べ、これを基準線Xとし
ておく。この測定は、前述したように、例えば1日また
は1週間に1回程度の頻度で行えばよい。その後、第1
および第2の遮蔽板21,22の通過孔21a,22a
が、直下全反射X線8zがそれぞれ最大強度で通過する
ような高さにくるよう、第1および第2の移動手段1
0,12により、第1および第2の遮蔽板21,22を
移動させておく。In the method of the fifth embodiment using this apparatus, first, the first and second intensity distributions of the primary X-ray 3 are measured in advance in the same procedure as the method of the first embodiment. To check the path, and set this as a reference line X. This measurement may be performed, for example, about once a day or once a week, as described above. Then the first
And the passage holes 21a, 22a of the second shielding plates 21, 22
However, the first and second moving means 1 are located at such a height that the total reflection X-rays 8z directly below each pass at the maximum intensity.
According to 0 and 12, the first and second shielding plates 21 and 22 are moved.
【0045】そして、標準位置に初期設定した試料台2
に、新たな試料1を固定し、分析にも用いるX線源4か
ら1次X線3を照射する。次に、試料表面1aで反射し
た反射X線8が、第1および第2の通過孔21a,22
aを通過して、反射X線検出器13で検出される強度が
最大となるように、試料台表面2aと1次X線3とのな
す角度および試料台2の基準線Xからの高さを、わずか
ずつ試行錯誤的に、制御手段23により調整する。これ
により、試料台2が理想位置に設定され、そのように設
定されたことが確認される。このように、第5実施形態
の方法では、前もって基準線Xを設定する際を除いて、
第1および第2の遮蔽板21,22はそれぞれ所定の高
さに固定したままである。Then, the sample stage 2 initially set to the standard position
Then, a new sample 1 is fixed, and primary X-rays 3 are irradiated from an X-ray source 4 used for analysis. Next, the reflected X-rays 8 reflected on the sample surface 1a are applied to the first and second passage holes 21a, 22a.
a, and the height of the sample stage 2 from the reference line X so that the intensity detected by the reflected X-ray detector 13 is maximized. Is adjusted by the control means 23 little by little by trial and error. As a result, the sample stage 2 is set to the ideal position, and it is confirmed that the setting has been made. As described above, in the method of the fifth embodiment, except for setting the reference line X in advance,
The first and second shielding plates 21 and 22 remain fixed at predetermined heights, respectively.
【0046】第5実施形態の方法によっても、試料台2
の位置を分析用検出器5の下方において調整するので、
調整後に試料台2を大きな距離で移動させる必要がな
い。また、試料台2の位置調整の基準は、分析用検出器
5直下の試料表面2aで全反射の起こる理想位置である
ので、調整後に試料台2を一定量移動させたりする必要
がなく、そのまま分析を行える。さらに、特にこの第5
実施形態の方法によれば、調整された試料台2の位置に
おいて、反射X線8の通路と直下全反射X線8zの通路
とが一致すること、すなわち分析用検出器5の直下の試
料表面1aで全反射が起こることを確認する。したがっ
て、試料台2の位置設定がいっそう正確にでき、試料1
をいっそう正確に分析できる。また、分析に用いるX線
源4をそのまま利用するので、調整のための新たな光源
を必要とせず、反射X線検出器13もひとつでよい。し
たがって、やはり、用いる装置全体が複雑化しない。According to the method of the fifth embodiment, the sample table 2
Is adjusted below the detector 5 for analysis,
There is no need to move the sample stage 2 over a large distance after the adjustment. Further, since the reference for adjusting the position of the sample stage 2 is an ideal position where total reflection occurs on the sample surface 2a immediately below the analysis detector 5, there is no need to move the sample stage 2 by a fixed amount after adjustment, and Perform analysis. Furthermore, especially this fifth
According to the method of the embodiment, at the adjusted position of the sample table 2, the path of the reflected X-rays 8 matches the path of the total reflection X-rays 8 z directly below, that is, the sample surface immediately below the analytical detector 5. It is confirmed that total reflection occurs in 1a. Therefore, the position of the sample table 2 can be set more accurately, and the sample 1
Can be analyzed more accurately. Further, since the X-ray source 4 used for analysis is used as it is, a new light source for adjustment is not required, and only one reflection X-ray detector 13 is required. Therefore, again, the entire apparatus to be used is not complicated.
【0047】次に、本発明の第6実施形態であるX線分
析における試料台の位置設定方法を図面にしたがって説
明する。まず、この方法に用いる装置について説明す
る。図6の斜視図に示すように、この装置においては、
前もって基準線Xを設定する際を除いて、第1の遮蔽板
21のみが、基準点Oから1次X線3の進行方向への第
1の距離x1において、直下全反射X線8zが最大強度
で通過するような高さに通過孔21aを設けられ、固定
されたままである点で第5実施形態の方法に用いる装置
と異なる。また、後述するように制御手段24の行う制
御内容も異なる。その他の点では、第5実施形態の方法
に用いる装置と同様であるので、同一部分に同一番号を
付して、説明を省略する。なお、第2の遮蔽板11の通
過孔11aは、水平方向に延びる長孔であることが好ま
しい。Next, a method for setting the position of the sample stage in the X-ray analysis according to the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, an apparatus used in this method will be described. As shown in the perspective view of FIG.
Except when setting the reference line X in advance, only the first shielding plate 21 has a maximum total reflection X-ray 8z directly below the reference point O at the first distance x1 from the reference point O in the traveling direction of the primary X-ray 3. It differs from the apparatus used in the method of the fifth embodiment in that a passage hole 21a is provided at a height such that it passes with a high strength and remains fixed. Further, as will be described later, the control performed by the control unit 24 is also different. In other respects, the apparatus is the same as the apparatus used in the method of the fifth embodiment, and the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. The passage hole 11a of the second shielding plate 11 is preferably a long hole extending in the horizontal direction.
【0048】この装置を用いて、第6実施形態の方法で
も、まず、第1実施形態の方法と同様の手順で、あらか
じめ1次X線3について第1および第2の強度分布を測
定することによりその通路を調べ、これを基準線Xとし
ておく。その後、第1の遮蔽板21の通過孔21aが、
直下全反射X線8zが最大強度で通過するような高さに
くるよう、第1の移動手段10により、第1の遮蔽板2
1を移動させておく。また、第2の遮蔽板11を、反射
X線8の通路よりも上にくるよう、第2の移動手段12
により移動させておく。In this method, first, the first and second intensity distributions of the primary X-ray 3 are measured in advance in the method of the sixth embodiment in the same procedure as in the method of the first embodiment. To check the path, and set this as a reference line X. Then, the passage hole 21a of the first shielding plate 21 is
The first shielding means 2 is moved by the first moving means 10 so that the total reflection X-rays 8z directly underneath reach the height so as to pass with the maximum intensity.
1 is moved. Further, the second moving means 12 is arranged so that the second shielding plate 11 is located above the path of the reflected X-rays 8.
To move.
【0049】そして、標準位置に初期設定した試料台2
に、新たな試料1を固定し、分析にも用いるX線源4か
ら1次X線3を照射する。次に、試料表面1aで反射し
た反射X線8が、第1の遮蔽板21の通過孔21aを通
過して、反射X線検出器13で検出される強度が最大と
なるように、試料台2の基準線Xからの高さのみを、わ
ずかずつ試行錯誤的に、制御手段24により調整する。
第1の通過孔21aは、第5実施形態の方法に用いる装
置と同様に、直下全反射X線8zが最大強度で通過する
ような高さに設けられているので、この調整により、試
料台2が理想位置のより近傍に調整される。さらに、第
2の移動手段12により第2の遮蔽板11をその中心軸
Y2に沿って下に移動させて、第1実施形態の方法と同
様に、基準点Oから1次X線3の進行方向への第2の距
離x2において、反射X線8について、基準線Xからの
高さ方向の第2の強度分布を測定する。Then, the sample stage 2 initially set to the standard position
Then, a new sample 1 is fixed, and primary X-rays 3 are irradiated from an X-ray source 4 used for analysis. Next, the sample X-ray 8 reflected by the sample surface 1a passes through the passage hole 21a of the first shielding plate 21, and the intensity of the sample detected by the reflection X-ray detector 13 is maximized. Only the height from the reference line X of 2 is adjusted by the control means 24 little by little by trial and error.
The first passage hole 21a is provided at a height such that the total reflection X-ray 8z immediately below passes at the maximum intensity, similarly to the apparatus used in the method of the fifth embodiment. 2 is adjusted closer to the ideal position. Further, the second moving means 12 moves the second shielding plate 11 downward along the center axis Y2 to advance the primary X-ray 3 from the reference point O in the same manner as in the first embodiment. At a second distance x2 in the direction, the second intensity distribution of the reflected X-ray 8 in the height direction from the reference line X is measured.
【0050】さて、この第6実施形態の方法では、前記
調整により、反射X線8は、基準点Oから1次X線3の
進行方向への第1の距離x1においては、直下全反射X
線8zと同じ高さで第1の通過孔21aを通過してい
る。そこで、制御手段24において、入力された反射X
線8についての第2の強度分布から、反射X線8の通路
に第2の通過孔11aが正確に合致したときの第2の遮
蔽板11の基準線Xからの高さを得て、これらをあらか
じめ入力された直下全反射X線8zについてのその高さ
と比較し、幾何学的な関係から、試料台2について理想
位置からのずれを算出し、そのずれを解消するように、
試料台表面2aと1次X線3とのなす角度および試料台
2の基準線Xからの高さを調整する。これにより、試料
台2が理想位置に設定される。このように、第6実施形
態の方法では、前もって基準線Xを設定する際を除い
て、第1の遮蔽板21は所定の高さに固定したままであ
る。In the method of the sixth embodiment, the reflected X-rays 8 are adjusted by the adjustment so that the reflected X-rays 8 at the first distance x1 from the reference point O in the traveling direction of the primary X-rays 3 are directly below the total reflection X
It passes through the first passage hole 21a at the same height as the line 8z. Therefore, in the control means 24, the input reflection X
From the second intensity distribution of the line 8, the height of the second shielding plate 11 from the reference line X when the second passage hole 11a exactly matches the path of the reflected X-ray 8 is obtained. Is compared with the height of the total reflection X-ray 8z immediately below input in advance, the deviation from the ideal position of the sample table 2 is calculated from the geometric relationship, and the deviation is eliminated.
The angle between the sample stage surface 2a and the primary X-ray 3 and the height of the sample stage 2 from the reference line X are adjusted. Thereby, the sample stage 2 is set at the ideal position. Thus, in the method of the sixth embodiment, the first shielding plate 21 remains fixed at the predetermined height except when the reference line X is set in advance.
【0051】第6実施形態の方法によれば、まず、試料
台2の高さのみについて理想位置のより近傍になるよう
に試行錯誤的に調整し、次に、理想位置からのずれを得
てそのずれを解消するように、試料台表面2aと1次X
線3とのなす角度も含めて調整するので、第5実施形態
の方法に準じる正確さで、より短時間に、試料台2の位
置設定ができる。According to the method of the sixth embodiment, first, only the height of the sample table 2 is adjusted by trial and error so as to be closer to the ideal position, and then the deviation from the ideal position is obtained. The sample table surface 2a and the primary X
Since the adjustment including the angle formed with the line 3 is performed, the position of the sample table 2 can be set in a shorter time with accuracy according to the method of the fifth embodiment.
【0052】[0052]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料台の位置(高さおよび角度)を分析用検出器の下方
において調整するので、調整後に試料台を大きな距離で
移動させる必要がない。また、試料台の位置調整の基準
は、分析用検出器直下の試料表面で全反射の起こる位置
(高さおよび角度)であるので、調整後に試料台を一定
量移動させたりする必要がなく、そのまま分析を行え
る。したがって、試料台の位置設定が正確にでき、試料
を正確に分析できる。さらに、分析に用いるX線源をそ
のまま利用するので、調整のための新たな光源を必要と
せず、装置の構造が複雑化することもない。As described above, according to the present invention,
Since the position (height and angle) of the sample stage is adjusted below the analytical detector, there is no need to move the sample stage over a large distance after the adjustment. In addition, since the reference for adjusting the position of the sample stage is the position (height and angle) at which total reflection occurs on the sample surface immediately below the analytical detector, there is no need to move the sample stage by a fixed amount after adjustment. Analysis can be performed as it is. Therefore, the position of the sample stage can be set accurately, and the sample can be accurately analyzed. Further, since the X-ray source used for the analysis is used as it is, no new light source for adjustment is required, and the structure of the apparatus is not complicated.
【図1】本発明の第1実施形態であるX線分析における
試料台の位置設定方法に用いる装置を示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view showing an apparatus used for a method for setting a position of a sample stage in an X-ray analysis according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2実施形態であるX線分析における
試料台の位置設定方法に用いる装置を示す斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view showing an apparatus used for a method of setting a position of a sample stage in X-ray analysis according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3実施形態であるX線分析における
試料台の位置設定方法に用いる装置を示す斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view showing an apparatus used for a method of setting a position of a sample stage in X-ray analysis according to a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4実施形態であるX線分析における
試料台の位置設定方法に用いる装置を示す斜視図であ
る。FIG. 4 is a perspective view showing an apparatus used for a method of setting a position of a sample stage in X-ray analysis according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5実施形態であるX線分析における
試料台の位置設定方法に用いる装置を示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing an apparatus used for a method for setting a position of a sample stage in X-ray analysis according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第6実施形態であるX線分析における
試料台の位置設定方法に用いる装置を示す斜視図であ
る。FIG. 6 is a perspective view showing an apparatus used for a method of setting a position of a sample stage in X-ray analysis according to a sixth embodiment of the present invention.
【図7】従来の全反射型蛍光X線分析における試料台の
位置設定方法に用いる装置を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing an apparatus used for a conventional method for setting the position of a sample stage in total reflection X-ray fluorescence analysis.
1…試料、1a…試料表面、2…試料台、2a…試料台
の表面、3…1次X線、4…分析にも用いるX線源、5
…分析用検出器、6…角度調整器、7…高さ調整器、8
…反射X線、8z…直下全反射X線、9,15,21…
第1の遮蔽板、9a,15a,21a…第1の遮蔽板の
通過孔、10…第1の移動手段、11,16,22…第
2の遮蔽板、11a,16a,22a…第2の遮蔽板の
通過孔、12…第2の移動手段、13…反射X線検出
器、14,23,24…制御手段、17,19…第1の
荷電結合素子、18,20…第2の荷電結合素子、9お
よび13,15および13,17,19…第1の反射X
線検出手段、11および13,16および13,18,
20…第2の反射X線検出手段、O…所定の基準点、x
1…第1の距離、x2…第2の距離、Y…所定の基準
線。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... sample, 1a ... sample surface, 2 ... sample table, 2a ... sample table surface, 3 ... primary X-ray, 4 ... X-ray source also used for analysis, 5
... Analytical detector, 6 ... Angle adjuster, 7 ... Height adjuster, 8
... Reflection X-ray, 8z ... Total reflection X-ray directly below, 9, 15, 21 ...
1st shielding plate, 9a, 15a, 21a ... passage hole of 1st shielding plate, 10 ... 1st moving means, 11, 16, 22 ... 2nd shielding plate, 11a, 16a, 22a ... 2nd Passing hole of shielding plate, 12: second moving means, 13: reflected X-ray detector, 14, 23, 24: control means, 17, 19: first charge coupling element, 18, 20: second charge Coupling elements, 9 and 13, 15 and 13, 17, 19 ... first reflection X
Line detecting means, 11 and 13, 16 and 13, 18,
20: second reflected X-ray detecting means, O: predetermined reference point, x
1: first distance, x2: second distance, Y: predetermined reference line.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−121737(JP,A) 特開 平3−148056(JP,A) 特開 平4−143642(JP,A) 特開 平7−103919(JP,A) 実開 平4−94557(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01N 23/223 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-63-121737 (JP, A) JP-A-3-148056 (JP, A) JP-A-4-143642 (JP, A) JP-A-7-107 103919 (JP, A) Japanese Utility Model Hei 4-94557 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G01N 23/223
Claims (8)
いるX線源から1次X線を照射し、 所定の基準点から1次X線の進行方向への第1の距離に
おいて、試料表面で反射した反射X線について、所定の
基準線からの高さ方向の第1の強度分布を測定し、 前記基準点から1次X線の進行方向への第2の距離にお
いて、前記反射X線について、前記基準線からの高さ方
向の第2の強度分布を測定し、 前記第1および第2の強度分布から、分析に用いる分析
用検出器の直下の試料表面で全反射が起こるような前記
試料台の位置からのずれを得て、 そのずれを解消するように、前記分析用検出器の下方に
おいて、前記試料台の表面と1次X線とのなす角度およ
び前記試料台の前記基準線からの高さを調整するX線分
析における試料台の位置設定方法。1. A sample fixed on a sample stage is irradiated with primary X-rays from an X-ray source also used for analysis, and at a first distance from a predetermined reference point in a traveling direction of the primary X-rays, A first intensity distribution in a height direction from a predetermined reference line is measured for the reflected X-rays reflected on the sample surface, and at a second distance from the reference point in a traveling direction of the primary X-ray, the reflection is measured. For X-rays, a second intensity distribution in the height direction from the reference line is measured. From the first and second intensity distributions, total reflection occurs on a sample surface immediately below an analysis detector used for analysis. In order to obtain such a deviation from the position of the sample stage, and to eliminate the deviation, the angle between the surface of the sample stage and the primary X-ray and the position of the sample stage below the detector for analysis are obtained. How to set the position of the sample stage in X-ray analysis to adjust the height from the reference line .
と、 分析に用いられる分析用検出器の下方に設けられ、前記
試料台の表面と1次X線とのなす角度を調整する角度調
整器と、 前記分析用検出器の下方に設けられ、前記試料台の所定
の基準線からの高さを調整する高さ調整器と、 試料表面で反射した反射X線について、所定の基準点か
ら1次X線の進行方向への第1の距離において、前記基
準線からの高さ方向の第1の強度分布を測定する第1の
反射X線検出手段と、 前記反射X線について、前記基準点から1次X線の進行
方向への第2の距離において、前記基準線からの高さ方
向の第2の強度分布を測定する第2の反射X線検出手段
と、 前記第1および第2の強度分布から、前記分析用検出器
の直下の試料表面で全反射が起こるような前記試料台の
位置からのずれを得て、そのずれを解消するように、前
記角度調整器および高さ調整器を制御する制御手段とを
備えたX線分析における試料台の位置設定装置。2. A sample stage on which a sample is fixed, an X-ray source which is also used for analysis and irradiates the sample with primary X-rays, and which is provided below an analytical detector used for analysis. An angle adjuster that adjusts an angle between the surface of the stage and the primary X-ray; a height adjuster that is provided below the analytical detector and adjusts the height of the sample stage from a predetermined reference line. And measuring a first intensity distribution in a height direction from the reference line at a first distance from a predetermined reference point in a traveling direction of the primary X-ray with respect to the reflected X-ray reflected on the sample surface. 1 reflected X-ray detecting means, and measuring a second intensity distribution of the reflected X-ray in a height direction from the reference line at a second distance from the reference point in a traveling direction of the primary X-ray. A second reflected X-ray detecting unit that performs the analysis detection based on the first and second intensity distributions. Control means for controlling the angle adjuster and the height adjuster so as to obtain a shift from the position of the sample stage such that total reflection occurs on the sample surface immediately below the instrument and eliminate the shift. Sample stage position setting device for X-ray analysis.
いるX線源から1次X線を照射し、 所定の基準点から1次X線の進行方向への第1の距離に
おいて、分析に用いる分析用検出器の直下の試料表面で
全反射した直下全反射X線が最大強度で通過するような
高さに設けた第1の遮蔽板の通過孔と、前記基準点から
1次X線の進行方向への第2の距離において、前記直下
全反射X線が最大強度で通過するような高さに設けた第
2の遮蔽板の通過孔とを、試料表面で反射した反射X線
が通過して、反射X線検出器で検出される強度が最大と
なるように、前記分析用検出器の下方において、前記試
料台の表面と1次X線とのなす角度および前記試料台の
所定の基準線からの高さを調整するX線分析における試
料台の位置設定方法。3. A sample fixed on a sample stage is irradiated with primary X-rays from an X-ray source also used for analysis, and at a first distance from a predetermined reference point in the direction of travel of the primary X-rays, A passage hole of a first shielding plate provided at a height such that total reflection X-rays immediately below the surface of the sample directly below the analysis detector used for analysis pass at a maximum intensity; At a second distance in the direction of travel of the X-rays, the reflection X reflected at the sample surface is passed through a passage hole of a second shielding plate provided at a height such that the total reflection X-rays immediately below pass at the maximum intensity. The angle formed between the surface of the sample table and the primary X-ray below the analytical detector and the sample table so that the intensity of the X-ray passes through and the intensity detected by the reflected X-ray detector is maximized. A method of setting the position of the sample stage in X-ray analysis for adjusting the height from a predetermined reference line.
と、 分析に用いられる分析用検出器の下方に設けられ、前記
試料台の表面と1次X線とのなす角度を調整する角度調
整器と、 前記分析用検出器の下方に設けられ、前記試料台の所定
の基準線からの高さを調整する高さ調整器と、 試料表面で反射した反射X線を検出する反射X線検出器
と、 所定の基準点から1次X線の進行方向への第1の距離に
おいて、前記分析用検出器の直下の試料表面で全反射し
た直下全反射X線が最大強度で通過するような高さに通
過孔を設けられた第1の遮蔽板と、 前記基準点から1次X線の進行方向への第2の距離にお
いて、前記直下全反射X線が最大強度で通過するような
高さに通過孔を設けられた第2の遮蔽板と、 前記反射X線が、前記第1および第2の遮蔽板の通過孔
を通過して、前記反射X線検出器で検出される強度が最
大となるように、前記角度調整器および高さ調整器を制
御する制御手段とを備えたX線分析装置。4. A sample stage on which a sample is fixed, an X-ray source used also for analysis and for irradiating the sample with primary X-rays, and the sample provided below an analytical detector used for analysis. An angle adjuster that adjusts an angle between the surface of the stage and the primary X-ray; a height adjuster that is provided below the analytical detector and adjusts the height of the sample stage from a predetermined reference line. A reflected X-ray detector for detecting reflected X-rays reflected on the sample surface; and a sample surface immediately below the analytical detector at a first distance from a predetermined reference point in a traveling direction of the primary X-ray. A first shielding plate provided with a passage hole at a height such that total reflection X-rays immediately below the total reflection at the maximum pass therethrough, and a second distance from the reference point in the traveling direction of the primary X-rays , A second shielding plate provided with a passage hole at a height such that the total reflection X-ray directly below passes at a maximum intensity. The angle adjuster and the height so that the reflected X-rays pass through the through holes of the first and second shielding plates and the intensity detected by the reflected X-ray detector is maximized. An X-ray analyzer comprising: a control unit for controlling the adjuster.
いるX線源から1次X線を照射し、 所定の基準点から1次X線の進行方向への第1の距離に
おいて、分析に用いる分析用検出器の直下の試料表面で
全反射した直下全反射X線が最大強度で通過するような
高さに設けた第1の遮蔽板の通過孔を、試料表面で反射
した反射X線が通過して、反射X線検出器で検出される
強度が最大となるように、前記分析用検出器の下方にお
いて、前記試料台の所定の基準線からの高さを調整し、 前記基準点から1次X線の進行方向への第2の距離にお
いて、前記反射X線について、前記基準線からの高さ方
向の強度分布を測定し、 その強度分布から、前記直下全反射X線を生じるような
前記試料台の位置からのずれを得て、 そのずれを解消するように、前記分析用検出器の下方に
おいて、前記試料台の表面と1次X線とのなす角度およ
び前記試料台の前記基準線からの高さを調整するX線分
析における試料台の位置設定方法。5. A sample fixed on a sample stage is irradiated with primary X-rays from an X-ray source also used for analysis, and at a first distance from a predetermined reference point in a traveling direction of the primary X-rays, The reflected light reflected on the sample surface is passed through the passage hole of the first shielding plate provided at a height such that the total reflection X-ray directly below the sample surface directly below the analytical detector used for analysis passes at the maximum intensity. Adjust the height of the sample table from a predetermined reference line below the analytical detector so that the X-rays pass and the intensity detected by the reflected X-ray detector is maximized, At a second distance from the reference point in the traveling direction of the primary X-ray, the intensity distribution of the reflected X-ray in the height direction from the reference line is measured. To obtain a deviation from the position of the sample stage that causes Below the serial analytical detector, the sample stage position setting method of the X-ray analysis to adjust the angle and height from the sample stage of the reference line and the sample stage surface and the primary X-ray.
と、 分析に用いられる分析用検出器の下方に設けられ、前記
試料台の表面と1次X線とのなす角度を調整する角度調
整器と、 前記分析用検出器の下方に設けられ、前記試料台の所定
の基準線からの高さを調整する高さ調整器と、 試料表面で反射した反射X線を検出する反射X線検出器
と、 所定の基準点から1次X線の進行方向への第1の距離に
おいて、前記分析用検出器の直下の試料表面で全反射し
た直下全反射X線が最大強度で通過するような高さに通
過孔を設けられた第1の遮蔽板と、 前記基準点から1次X線の進行方向への第2の距離にお
いて、前記基準線からの高さ方向に移動自在であり、通
過孔を設けられた第2の遮蔽板と、 前記反射X線が、前記第1の遮蔽板の通過孔を通過し
て、前記反射X線検出器で検出される強度が最大となる
ように、前記高さ調整器を制御し、また、その制御後の
反射X線について、前記反射X線検出器と前記第2の遮
蔽板とにより測定される前記基準線からの高さ方向の強
度分布から、前記直下全反射X線を生じるような前記試
料台の位置からのずれを得て、そのずれを解消するよう
に、前記角度調整器および高さ調整器を制御する制御手
段とを備えたX線分析における試料台の位置設定装置。6. A sample stage on which a sample is fixed, an X-ray source also used for analysis and for irradiating the sample with primary X-rays, and a sample table provided below an analytical detector used for analysis. An angle adjuster that adjusts an angle between the surface of the stage and the primary X-ray; a height adjuster that is provided below the analytical detector and adjusts the height of the sample stage from a predetermined reference line. A reflected X-ray detector for detecting reflected X-rays reflected on the sample surface; and a sample surface immediately below the analytical detector at a first distance from a predetermined reference point in a traveling direction of the primary X-ray. A first shielding plate provided with a passage hole at a height such that total reflection X-rays immediately below the total reflection at the maximum pass therethrough, and a second distance from the reference point in the traveling direction of the primary X-rays A second shielding plate movable in a height direction from the reference line and provided with a passage hole; The height adjuster is controlled so that the reflected X-ray passes through the passage hole of the first shielding plate and the intensity detected by the reflected X-ray detector is maximized, and the control thereof is performed. For the later reflected X-rays, the sample that generates the directly-directed total reflection X-rays from the intensity distribution in the height direction from the reference line measured by the reflected X-ray detector and the second shielding plate. An apparatus for setting the position of a sample stage in X-ray analysis, comprising: control means for controlling the angle adjuster and the height adjuster so as to obtain a shift from the position of the stage and eliminate the shift.
検出手段が、前記基準点から1次X線の進行方向への第
1の距離において、前記基準線からの高さ方向に移動自
在であって通過孔を設けられた第1の遮蔽板と、前記反
射X線を検出する反射X線検出器とから構成され、 前記第2の反射X線検出手段が、前記基準点から1次X
線の進行方向への第2の距離において、前記基準線から
の高さ方向に移動自在であって通過孔を設けられた第2
の遮蔽板と、前記反射X線検出器とから構成されるX線
分析における試料台の位置設定装置。7. The apparatus according to claim 2, wherein the first reflected X-ray detecting means moves in a height direction from the reference line at a first distance from the reference point in a traveling direction of the primary X-ray. A first shielding plate, which is freely provided with a passage hole, and a reflected X-ray detector for detecting the reflected X-ray, wherein the second reflected X-ray detecting means is one point away from the reference point. Next X
At a second distance in the traveling direction of the line, a second movable member provided with a passage hole and movable in the height direction from the reference line.
A position setting device for a sample stage in X-ray analysis, comprising: a shielding plate as described above; and the reflected X-ray detector.
検出手段が、前記第1の強度分布を測定する第1の荷電
結合素子であり、 前記第2の反射X線検出手段が、前記第2の強度分布を
測定する第2の荷電結合素子であるX線分析における試
料台の位置設定装置。8. The method according to claim 2, wherein the first reflected X-ray detecting means is a first charged coupling element for measuring the first intensity distribution, and wherein the second reflected X-ray detecting means is: A position setting device for a sample stage in X-ray analysis, which is a second charged coupling element for measuring the second intensity distribution.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8188089A JP2905448B2 (en) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | Method and apparatus for setting position of sample stage in X-ray analysis |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8188089A JP2905448B2 (en) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | Method and apparatus for setting position of sample stage in X-ray analysis |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1019810A JPH1019810A (en) | 1998-01-23 |
JP2905448B2 true JP2905448B2 (en) | 1999-06-14 |
Family
ID=16217518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8188089A Expired - Lifetime JP2905448B2 (en) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | Method and apparatus for setting position of sample stage in X-ray analysis |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2905448B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102492803B1 (en) * | 2022-04-19 | 2023-01-31 | (주)오로스테크놀로지 | A polarization analysis apparatus and method for adjusting an angle of incidence or numerical aperture using an aperture |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4666504B2 (en) * | 2006-02-14 | 2011-04-06 | セイコーインスツル株式会社 | Automatic slicing device, automatic thin section specimen preparation device and automatic slicing method |
JP5246548B2 (en) * | 2008-12-15 | 2013-07-24 | 富士電機株式会社 | Method for measuring the cross-sectional intensity distribution of an X-ray beam |
JP6308072B2 (en) * | 2014-08-07 | 2018-04-11 | 富士通株式会社 | X-ray reflectivity measuring apparatus and X-ray reflectivity measuring method |
CN109342477A (en) * | 2018-11-05 | 2019-02-15 | 广州市怡文环境科技股份有限公司 | A kind of adaptive sample stage feedback system and control method for TXRF analyzer |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8188089A patent/JP2905448B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102492803B1 (en) * | 2022-04-19 | 2023-01-31 | (주)오로스테크놀로지 | A polarization analysis apparatus and method for adjusting an angle of incidence or numerical aperture using an aperture |
WO2023204359A1 (en) * | 2022-04-19 | 2023-10-26 | (주)오로스테크놀로지 | Apparatus and method for analyzing polarization by adjusting incident angle or numerical aperture using apertures |
US12066331B2 (en) | 2022-04-19 | 2024-08-20 | Auros Technology, Inc. | Polarization analysis apparatus and method for adjusting angle of incidence or numerical aperture using aperture |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1019810A (en) | 1998-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5949847A (en) | X-ray analyzing apparatus and x-ray irradiation angle setting method | |
US6453006B1 (en) | Calibration and alignment of X-ray reflectometric systems | |
US6947520B2 (en) | Beam centering and angle calibration for X-ray reflectometry | |
US7600916B2 (en) | Target alignment for X-ray scattering measurements | |
US9612214B2 (en) | X-ray fluorescence analyzer | |
TW201944063A (en) | Wafer alignment for small-angle X-ray scatterometry | |
US7257192B2 (en) | Method and apparatus for X-ray reflectance measurement | |
JP2905448B2 (en) | Method and apparatus for setting position of sample stage in X-ray analysis | |
US20060115046A1 (en) | Calibration of X-ray reflectometry system | |
JP3109789B2 (en) | X-ray reflectance measurement method | |
JP2720131B2 (en) | X-ray reflection profile measuring method and apparatus | |
JP3968350B2 (en) | X-ray diffraction apparatus and method | |
JP3286010B2 (en) | X-ray fluorescence analyzer and X-ray irradiation angle setting method | |
JP2978460B2 (en) | Method and apparatus for setting incident angle in total reflection X-ray fluorescence analysis | |
JPH10282021A (en) | Method and apparatus for setting angle of incidence in totally reflected fluorescent x-ray analysis | |
JPH07190735A (en) | Optical measuring device and its measuring method | |
US12130128B2 (en) | Device and method for measuring curvature radius | |
JPH10311809A (en) | Method and device for analyzing total reflection fluorescent x-ray | |
JPH03148056A (en) | Total-reflection x-ray fluorescence analysis apparatus | |
JPH084606Y2 (en) | Total reflection X-ray fluorescence analyzer | |
JP2023061041A (en) | X-ray fluorescence analyzer and X-ray fluorescence analysis method | |
JP2000146870A (en) | Total reflection x-ray analyzer, and regulating method therefor | |
JPH1123482A (en) | Method for adjusting irradiation position with beam, foreign matter detecting apparatus using laser beam, scanning electron microscope and composition analyzing apparatus | |
JPS6353457A (en) | Two-dimensional scanning condition analyzer | |
JPH10160685A (en) | Irradiation position adjusting method for laser beam and electron beam, foreign material detecting device using laser beam, and scan-type electron microscope and foreign material analyzing device |