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JP2998687B2 - Brush scrub equipment - Google Patents

Brush scrub equipment

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JP2998687B2
JP2998687B2 JP9082049A JP8204997A JP2998687B2 JP 2998687 B2 JP2998687 B2 JP 2998687B2 JP 9082049 A JP9082049 A JP 9082049A JP 8204997 A JP8204997 A JP 8204997A JP 2998687 B2 JP2998687 B2 JP 2998687B2
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JP
Japan
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brush
cleaning
wafer
substrates
substrate
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JPH10256207A (en
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進也 山崎
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NEC Corp
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NEC Corp
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄装置に関し、
特に、半導体基板もしくは液晶基板などの洗浄に用いて
好適とされるブラシスクラブ装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a cleaning device,
In particular, the present invention relates to a brush scrub apparatus which is suitable for cleaning a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近時、半導体製造プロセスにおいて、例
えばロジック配線の多層化等により層間絶縁膜表面の平
坦化にCMP(chemical mechanica
l polising;化学的機械的研磨)の採用が進
んでいる。またDRAM等のメモリにおいてもCMP技
術が導入されつつある。
2. Description of the Related Art Recently, in a semiconductor manufacturing process, a CMP (Chemical Mechanical) is used to planarize an interlayer insulating film surface by, for example, increasing the number of layers of logic wiring.
l polishing (chemical mechanical polishing) is being adopted. Also, CMP technology is being introduced into memories such as DRAMs.

【0003】ところで、CMP後のウェハ表面には、各
種の汚染物、特にシリカをはじめとする研磨粒子が多く
存在する。これらのウェハ表面に付着している各種汚染
物の除去を目的として、酸、アルカリなどの薬品を用い
たブラシスクラブ洗浄が行われている。
[0003] By the way, on the wafer surface after the CMP, various contaminants, in particular, many abrasive particles including silica are present. For the purpose of removing various contaminants adhering to the wafer surface, brush scrub cleaning using a chemical such as acid or alkali is performed.

【0004】ポストCMPクリーニング(CMP後洗
浄)技術として一般的に用いられているブラシスクラバ
洗浄ユニットの要部構成を図3に示す。
FIG. 3 shows a main configuration of a brush scrubber cleaning unit generally used as a post-CMP cleaning (post-CMP cleaning) technique.

【0005】図3を参照すると、ウェハ1を挟むように
表裏両面にブラシ4、4′が設けられており(dual
side scrub)、ブラシ4の上部には薬液供
給ノズル3が設けられている。ウェハ1のエッジ部分に
はウェハ1を回転させるためのウェハ回転機構2が設け
られている。このウェハ回転機構2を回転させることに
よってウェハ1を回転させる。このとき、ブラシ4、
4′を回転させると同時に、薬液供給ノズル3から洗浄
液6を供給し、ウェハ表裏両面をブラシスクラブ洗浄す
る。
Referring to FIG. 3, brushes 4 and 4 ′ are provided on both front and back sides so as to sandwich the wafer 1 (dual).
On the upper side of the brush 4, a chemical solution supply nozzle 3 is provided. A wafer rotating mechanism 2 for rotating the wafer 1 is provided at an edge portion of the wafer 1. The wafer 1 is rotated by rotating the wafer rotating mechanism 2. At this time, brush 4,
At the same time as rotating 4 ', the cleaning liquid 6 is supplied from the chemical liquid supply nozzle 3, and both sides of the wafer are scrubbed.

【0006】また特開平5−290373号公報には、
複数枚のディスクをバッチ処理方式で洗浄処理を行うに
当たって、それぞれディスクのピッチ間隔が異なる超音
波洗浄及びブラシ洗浄の各ステーションに適合させるた
めにピッチ間隔調整を行いながら洗浄する装置の構成が
提案されている。図5は、この従来の装置のブラシ洗浄
機構を示したものである。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-290373 discloses that
In performing a cleaning process on a plurality of disks by a batch processing method, a configuration of an apparatus for cleaning while adjusting a pitch interval to adjust to ultrasonic cleaning and brush cleaning stations having different disk pitch intervals has been proposed. ing. FIG. 5 shows a brush cleaning mechanism of this conventional apparatus.

【0007】図5を参照すると、ディスク51の外周の
3点には回転自在なチャック部材52が設けられてお
り、これによってディスク51が回転自在に支承されて
いる。複数のディスク51の表裏両面には、回転軸53
に装着されたスポンジ等からなるロールブラシ54が当
接せしめられ、両端のロールブラシ54はディスク51
の片面にのみ当接して配置されている。回転軸53の他
端にはギア59が装着されている。モーター55を回転
させることによって、プーリー56、伝達ベルト57、
プーリー58、駆動ギヤ59および回転軸53が回転す
る。この回転軸53が回転することによって、回転軸5
3に装着されているロールブラシ54が回転し、ディス
ク51は回転しながら全面が洗浄される。
Referring to FIG. 5, rotatable chuck members 52 are provided at three points on the outer periphery of the disk 51, whereby the disk 51 is rotatably supported. A rotating shaft 53 is provided on both sides of the plurality of disks 51.
A roll brush 54 made of a sponge or the like mounted on the disk 51 is brought into contact with the roll brushes 54 at both ends.
Are arranged so as to abut only on one side. A gear 59 is mounted on the other end of the rotating shaft 53. By rotating the motor 55, the pulley 56, the transmission belt 57,
The pulley 58, the driving gear 59, and the rotating shaft 53 rotate. The rotation of the rotation shaft 53 causes the rotation shaft 5 to rotate.
The entire surface of the disk 51 is cleaned while the roll brush 54 mounted on the disk 3 rotates.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】前述したように、CM
P(化学的機械的研磨)後のウェハ表面には各種の汚染
物、特にシリカをはじめとする研磨粒子が多く存在す
る。これらの各種汚染物は半導体製造およびデバイス特
性において問題の要因となっている。
As described above, the CM
The wafer surface after P (chemical mechanical polishing) contains many contaminants, particularly a large amount of abrasive particles such as silica. These various contaminants cause problems in semiconductor manufacturing and device characteristics.

【0009】図4に示した従来のブラシスクラブ方式に
おいては、ウェハ面が水平であるため除去された汚染物
がウェハから排出されにくく、ウェハ表面から除去され
た汚染物が再付着しやすい。また、枚葉式であるためス
ループットが低い。
In the conventional brush scrub system shown in FIG. 4, the contaminants removed from the wafer are difficult to be discharged from the wafer because the wafer surface is horizontal, and the contaminants removed from the wafer surface tend to adhere again. Further, the throughput is low because of the single-wafer method.

【0010】図5に示したブラシ洗浄機構では、高い洗
浄度を必要とするウェハ表面と要求される洗浄度が低い
ウェハ裏面を1つのブラシで同時に洗浄するため、ウェ
ハ裏面から除去された汚染物によってウェハ表面が汚染
され、表面側の洗浄度を高くすることが困難である。
The brush cleaning mechanism shown in FIG. 5 simultaneously cleans a wafer surface requiring a high degree of cleaning and a backside of a wafer requiring a low degree of cleaning with a single brush. As a result, the wafer surface is contaminated, and it is difficult to increase the degree of cleaning on the front side.

【0011】したがって、本発明は、上記従来技術の問
題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、ウェ
ハ表面に残留するパーティクル数の低減すると共に、一
度に大量のウェハをブラシスクラブ洗浄可能とし、スル
ープットの向上を図る洗浄装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to reduce the number of particles remaining on the wafer surface and to brush-clean a large number of wafers at once. It is an object of the present invention to provide a cleaning apparatus which makes it possible to improve the throughput.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、基板のブラシスクラブ洗浄を行う洗浄装
置において、被処理基板の表面同士および裏面同士を向
かい合わせに置き、直立した被処理基板とブラシと、を
交互に配置する、ようにしたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention relates to a cleaning apparatus for brush scrub cleaning of a substrate, wherein the surface of the substrate to be processed and the back surface thereof are placed face to face, and Substrates and brushes are alternately arranged.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態につ
いて以下に説明する。本発明の洗浄装置は、その好まし
い実施の形態において、被洗浄対象の基板(図1の1)
を直立状態(すなわち、垂直、あるいは縦方向とも同
義)に支承すると共に該基板を回転させるための手段
(図1のウェハ回転機構2)と、基板面に当接しスクラ
ブ洗浄を行うためのブラシ(図1の4)と、このブラシ
に洗浄液の供給する薬液供給手段(図1の3)と、を備
え、複数の被洗浄対象の基板は、表面同士および裏面同
士が互いに向かい合わせとなるようにして縦型に配設さ
れ、複数の被洗浄対象の基板の配列に対して、隣合う基
板の間、及び両端の基板については該基板の片面にそれ
ぞれ当設するように、ブラシを複数配する、構成とされ
ており、各基板を回転させ、各ブラシを回転させると共
に薬液供給手段から洗浄液(図1の6)をブラシの上方
から供給し、複数枚の基板の表裏両面を同時にブラシス
クラブ洗浄する、ようにしたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below. In a preferred embodiment of the cleaning apparatus of the present invention, a substrate to be cleaned (1 in FIG. 1)
For rotating the substrate (in a vertical or vertical direction) and rotating the substrate (wafer rotating mechanism 2 in FIG. 1), and a brush (a brush for abutting the substrate surface to perform scrub cleaning). 1) and a chemical liquid supply means (3 in FIG. 1) for supplying a cleaning liquid to the brush, so that a plurality of substrates to be cleaned have their front surfaces and back surfaces facing each other. A plurality of brushes are arranged vertically with respect to the arrangement of a plurality of substrates to be cleaned, between adjacent substrates, and with respect to substrates at both ends so as to be respectively applied to one surface of the substrate. By rotating each substrate, rotating each brush, and supplying a cleaning liquid (6 in FIG. 1) from above the brush from the chemical liquid supply means, brush scrubbing the front and back surfaces of a plurality of substrates at the same time. To do One in which the.

【0014】本発明の実施の形態においては、ウェハが
直立しているため(ウェハの面が垂直方向)、除去され
た汚染物は効果的に下方向から流れ出し、ウェハから排
出される。
In the embodiment of the present invention, since the wafer is upright (the surface of the wafer is vertical), the removed contaminants effectively flow from below and are discharged from the wafer.

【0015】また、本発明の実施の形態においては、洗
浄度がほぼ同じであるウェハ表面同士もしくはウェハ裏
面同士を洗浄する構成としたことにより、洗浄度の低い
ウェハ裏面から除去された汚染物によって洗浄度の高い
ウェハ表面を汚染する、という事態は完全に回避され
る。
Further, in the embodiment of the present invention, since the front surfaces of the wafers or the back surfaces of the wafers having substantially the same degree of cleaning are cleaned, contaminants removed from the back surface of the wafer having a low cleaning degree are used. Contamination of highly cleaned wafer surfaces is completely avoided.

【0016】さらに、本発明の実施の形態においては、
一度に大量のウェハをブラシスクラブ洗浄できるためス
ループットが向上する。
Further, in the embodiment of the present invention,
Since a large number of wafers can be brush-scrubbed at one time, the throughput is improved.

【0017】[0017]

【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は、本発明の一実施例の洗浄装置におけるブ
ラシスクラブ洗浄ユニットの構成を模式的に示す図であ
り、図1(a)は複数のウェハを側面からみた図であ
り、図1(b)はウェハ面を該ウェハ面に当接するブラ
シ側から、すなわち図1(a)のX−X′方向から、み
た図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention; FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a brush scrub cleaning unit in a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a view of a plurality of wafers viewed from a side, and FIG. 1) is a view of the wafer surface as viewed from the brush side in contact with the wafer surface, that is, from the XX ′ direction in FIG.

【0018】図1を参照すると、本実施例においては、
ウェハ1を回転自在に支承するウェハ回転機構2と、ス
クラブ洗浄を行うためのブラシ4と、ブラシ4に洗浄液
の供給する薬液供給ノズル3と、から構成されている。
ウェハ回転機構2は、ウェハ1を保持可能な大きさ、強
度を有するものとし、ウェハ1を回転させるため円形の
形状とする。ウェハ回転機構2は、不図示のモーターに
よって、あるいは該モーターのトルク伝達機構及び減速
機等を介して、回転駆動される。
Referring to FIG. 1, in the present embodiment,
It comprises a wafer rotating mechanism 2 that rotatably supports the wafer 1, a brush 4 for performing scrub cleaning, and a chemical supply nozzle 3 that supplies a cleaning liquid to the brush 4.
The wafer rotating mechanism 2 has a size and strength capable of holding the wafer 1 and has a circular shape for rotating the wafer 1. The wafer rotation mechanism 2 is driven to rotate by a motor (not shown) or a torque transmission mechanism and a speed reducer of the motor.

【0019】ブラシ4は、ウェハ1の洗浄に適する硬度
を有するものとし、ブラシ3の長さはウェハ1の直径よ
りも幾分大きめのものとし(図1(b)参照)、材質と
しては、例えばPVAなどが好ましい。
The brush 4 has a hardness suitable for cleaning the wafer 1, and the length of the brush 3 is slightly larger than the diameter of the wafer 1 (see FIG. 1 (b)). For example, PVA is preferable.

【0020】薬液供給ノズル3には、ブラシ4に洗浄液
を供給するための、直径1mmから5mmの薬液吐出口
5が少なくとも3箇所設けてあり、ブラシ4の全体にま
んべんなく洗浄液を供給することができるようにされて
いる。薬液供給ノズル3の材質は、テフロンまたは石英
が好ましい。
The chemical liquid supply nozzle 3 is provided with at least three chemical liquid discharge ports 5 each having a diameter of 1 mm to 5 mm for supplying a cleaning liquid to the brush 4, so that the cleaning liquid can be uniformly supplied to the entire brush 4. It has been like that. The material of the chemical supply nozzle 3 is preferably Teflon or quartz.

【0021】本実施例の洗浄装置を用いたウェハの洗浄
工程について説明すると、図1には、図示していない
が、ウェハ取り込み口から搬送されたウェハ1は、ブラ
シスクラブ部(ユニット)の前段に設けられたウェハ立
て替え装置にて、ウェハ1の表面同士および裏面同士を
向かい合わせにしている。
The wafer cleaning process using the cleaning apparatus according to the present embodiment will be described. Although not shown in FIG. 1, the wafer 1 transferred from the wafer inlet is located at the front of the brush scrub unit (unit). The front side and the back side of the wafer 1 are opposed to each other by the wafer refilling device provided in the above.

【0022】ブラシスクラブ部に搬送されたウェハ1と
ブラシ4を交互に配置し、ウェハ1をウェハ回転機構2
に保持させる。そして、ウェハ回転機構2を回転させる
ことによってウェハ1が回転する。このとき、ブラシ4
を、例えば図示のように回転させると同時に、ブラシ4
の上部に設けられた薬液供給ノズル3から洗浄液6を供
給し、ブラシスクラブ洗浄を行う。
The wafers 1 and the brushes 4 transferred to the brush scrub section are alternately arranged, and the wafer 1 is rotated by a wafer rotating mechanism 2.
To be held. Then, the wafer 1 is rotated by rotating the wafer rotating mechanism 2. At this time, brush 4
Is rotated as shown in FIG.
The cleaning liquid 6 is supplied from the chemical liquid supply nozzle 3 provided at the upper part of the brush, and brush scrub cleaning is performed.

【0023】洗浄を終えたウェハは、図示していない
が、ブラシスクラブ部の後段に設けたウェハ立て替え装
置に搬送し、ウェハ面の向きを元通りにした後、ウェハ
取り出し口へと搬送される。
Although not shown, the cleaned wafer is transported to a wafer refilling device provided at the subsequent stage of the brush scrub section, the wafer surface is restored to its original orientation, and then transported to a wafer outlet. .

【0024】比較例として図4に示した上記従来技術と
本実施例とを用いて、純水によるブラシスクラブ洗浄を
1分間行った後の、ウェハ表面に残留する粒径0.02
μm以上のパーティクル数の比較の一例を、図2に示
す。
As a comparative example, using the above-described prior art shown in FIG. 4 and the present embodiment, after performing brush scrub cleaning with pure water for 1 minute, the particle diameter remaining on the wafer surface was 0.02 to 0.02.
FIG. 2 shows an example of a comparison of the number of particles of μm or more.

【0025】図2から、上記従来技術では、ウェハ表面
に残留する粒径0.02μm以上のパーティクルは77
個残留しているのに対して、本実施例によるブラシスク
ラブ装置を用いれば、1/3以下の24個にまで減少し
ている、ことが判る。
FIG. 2 shows that in the conventional technique, particles having a particle size of 0.02 μm or more remaining on the wafer surface are 77
It can be seen that while the brush scrubbing device according to the present embodiment is used, the number is reduced to 1/3 or less to 24.

【0026】また、比較例として図4に示した上記従来
技術と本実施例とを用いて、ブラシスクラブ洗浄を1分
間行った場合の、ウェハ25枚を処理するのに要する時
間の比較の一例を、図5に示す。
An example of a comparison of the time required to process 25 wafers when brush scrub cleaning is performed for 1 minute using the above-described prior art shown in FIG. 4 and this embodiment as a comparative example. Is shown in FIG.

【0027】図5から、上記従来技術では、27分間要
するのに対し、本実施例によるブラシスクラブ装置を用
いれば、1/10以下の3分以内で処理することができ
る、ことが判る。
From FIG. 5, it can be seen that the conventional technique requires 27 minutes, whereas the brush scrubbing apparatus according to the present embodiment can perform the processing within 1/10 or less within 3 minutes.

【0028】本実施例では、半導体ウェハのブラシスク
ラブ洗浄について説明したが、本発明は、液晶基板など
その他のブラシスクラブ洗浄にも適用することができ
る。
In this embodiment, brush scrub cleaning of a semiconductor wafer has been described. However, the present invention can be applied to other brush scrub cleaning such as a liquid crystal substrate.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来のブラシスクラブ洗浄技術と比較して、ウェハ両面を
効果的に洗浄できるため、ウェハ表面に残留するパーテ
ィクル数を低減することができると共に、一度に大量の
ウェハをブラシスクラブ洗浄できるため、スループット
を大幅に向することができる、という効果を奏する。
As described above, according to the present invention, both sides of the wafer can be effectively cleaned as compared with the conventional brush scrub cleaning technique, so that the number of particles remaining on the wafer surface can be reduced. At the same time, since a large amount of wafers can be brush-scrub-cleaned at a time, there is an effect that the throughput can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に一実施例のブラシスクラブ洗浄装置の
構成を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a brush scrub cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を用いてブラシスクラブ洗浄
を行った場合の、ウェハ表面に残留するパーティクル数
を、従来のブラシスクラブ洗浄装置で洗浄した場合と比
較した結果を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a result of comparing the number of particles remaining on a wafer surface when brush scrub cleaning is performed using one embodiment of the present invention with a case where cleaning is performed by a conventional brush scrub cleaning apparatus. .

【図3】本発明の一実施例を用いてブラシスクラブ洗浄
を行った場合の、ウェハ25枚を処理するのに要する時
間を、従来のブラシスクラブ洗浄装置で洗浄した場合と
比較した結果を示す図である。
FIG. 3 shows the result of comparing the time required to process 25 wafers when brush scrub cleaning is performed using one embodiment of the present invention with the case where cleaning is performed using a conventional brush scrub cleaning apparatus. FIG.

【図4】従来のブラシスクラブ洗浄装置の構成を説明す
るための図である。
FIG. 4 is a view for explaining a configuration of a conventional brush scrub cleaning device.

【図5】従来のブラシスクラブ方式のディスク洗浄装置
の構成を説明するための図である。
FIG. 5 is a view for explaining a configuration of a conventional brush scrub type disk cleaning device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェハ 2 ウェハ回転機構 3 薬液供給ノズル 4 ブラシ 5 洗浄液吐出口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Wafer rotation mechanism 3 Chemical supply nozzle 4 Brush 5 Cleaning liquid discharge port

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板のブラシスクラブ洗浄を行う洗浄装置
において、 複数枚の被処理基板の表面同士および裏面同士を互いに
向かい合わせに置き、直立した前記被処理基板とブラシ
とを交互に配置する、ようにしたことを特徴とする洗浄
装置。
1. A cleaning apparatus for performing brush scrub cleaning of a substrate, wherein a plurality of substrates to be processed are placed with their front surfaces and back surfaces facing each other, and the upright processed substrates and brushes are alternately arranged. A cleaning device characterized in that:
【請求項2】被洗浄対象の基板を直立状態に支承すると
共に該基板を回転させるための手段と、 前記基板面に当接しスクラブ洗浄を行うためのブラシ
と、 を少なくとも含み、 複数の前記基板は、表面同士および裏面同士が互いに向
かい合わせとなるようにして縦型に配設され、 複数の前記基板の配列に対して、隣合う前記基板の間、
及び両端の前記基板については該基板の片面にそれぞれ
当設するように、前記ブラシを複数配し、 前記各基板を回転させ、前記各ブラシを回転させること
により、複数枚の前記基板の表裏面を同時にブラシスク
ラブ洗浄するようにしたことを特徴とする洗浄装置。
2. A plurality of said substrates comprising: means for supporting a substrate to be cleaned in an upright state and rotating said substrate; and brushes for abutting said substrate surface to perform scrub cleaning. Are arranged vertically so that the front surface and the back surface face each other, and for the arrangement of a plurality of substrates, between the adjacent substrates,
A plurality of the brushes are arranged so that the substrates at both ends are respectively provided on one surface of the substrate, and the respective substrates are rotated, and the respective brushes are rotated. A scrub brush at the same time.
【請求項3】前記ブラシに洗浄液を供給する薬液供給手
段として、前記ブラシの上方に、前記ブラシの長手方向
に沿って設けられた薬液供給ノズルを備え、前記薬液供
給ノズルはその長手方向に所定の間隔離間して複数の薬
液吐出口を備え、上から下へ洗浄する、ようにしたこと
を特徴とする請求項2記載の洗浄装置。
3. A chemical liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the brush, comprising a chemical liquid supply nozzle provided above the brush along a longitudinal direction of the brush, wherein the chemical liquid supply nozzle is provided at a predetermined position in the longitudinal direction. 3. The cleaning apparatus according to claim 2, further comprising a plurality of chemical solution discharge ports separated from each other to perform cleaning from top to bottom.
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