JP2836571B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JP2836571B2 JP2836571B2 JP7692496A JP7692496A JP2836571B2 JP 2836571 B2 JP2836571 B2 JP 2836571B2 JP 7692496 A JP7692496 A JP 7692496A JP 7692496 A JP7692496 A JP 7692496A JP 2836571 B2 JP2836571 B2 JP 2836571B2
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- head
- pole
- magnetic
- electrode
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録装置に用い
られる磁気ヘッドに関し、特に磁気抵抗効果型ヘッドと
薄膜ヘッドとを複合した複合型の磁気ヘッドに関する。
られる磁気ヘッドに関し、特に磁気抵抗効果型ヘッドと
薄膜ヘッドとを複合した複合型の磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録装置に搭載される磁気記
録媒体に対して、情報の記録および再生等の磁気情報処
理を行う磁気ヘッドとして、インダクタを利用した薄膜
ヘッドが用いられてきた。しかし、近年における情報処
理の分解能が極めて高く、しかも磁気記録媒体に対する
相対速度の依存性がないことを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッド（ＭＲヘッド）が開発され、再生側にこのＭＲ
ヘッドを用いるとともに、記録側には従来の薄膜ヘッド
（インダクティブヘッド：ＩＤヘッド）を用いた複合型
磁気ヘッドが提案されている。
録媒体に対して、情報の記録および再生等の磁気情報処
理を行う磁気ヘッドとして、インダクタを利用した薄膜
ヘッドが用いられてきた。しかし、近年における情報処
理の分解能が極めて高く、しかも磁気記録媒体に対する
相対速度の依存性がないことを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッド（ＭＲヘッド）が開発され、再生側にこのＭＲ
ヘッドを用いるとともに、記録側には従来の薄膜ヘッド
（インダクティブヘッド：ＩＤヘッド）を用いた複合型
磁気ヘッドが提案されている。
【０００３】さらに、近年では、この複合型磁気ヘッド
において、記録トラックと再生トラックの位置ずれを低
減する目的から、ＭＲヘッドの上シールドと、ＩＤヘッ
ドの下ポールとを共通素子で構成し、ＩＤヘッドの記録
ギャップ部からＭＲヘッドの感磁部までの距離を短くし
た磁気ヘッドが提案されている。図３はその一例を示す
磁気ヘッドを示しており、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）
はそれぞれ磁気記録媒体の記録面に平行な方向からの正
面図、同じく垂直な方向の断面図、電極部の平面図であ
る。この複合型磁気ヘッドは、上側にＩＤヘッドが、下
側にＭＲヘッドが配置され、上側のＩＤヘッドを構成す
る上ポール１２と下ポールのうち、下ポールを下側のＭ
Ｒヘッドの一部を構成する上シールドとを一体に形成し
て下ポール上シールド共通素子部２として構成してい
る。
において、記録トラックと再生トラックの位置ずれを低
減する目的から、ＭＲヘッドの上シールドと、ＩＤヘッ
ドの下ポールとを共通素子で構成し、ＩＤヘッドの記録
ギャップ部からＭＲヘッドの感磁部までの距離を短くし
た磁気ヘッドが提案されている。図３はその一例を示す
磁気ヘッドを示しており、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）
はそれぞれ磁気記録媒体の記録面に平行な方向からの正
面図、同じく垂直な方向の断面図、電極部の平面図であ
る。この複合型磁気ヘッドは、上側にＩＤヘッドが、下
側にＭＲヘッドが配置され、上側のＩＤヘッドを構成す
る上ポール１２と下ポールのうち、下ポールを下側のＭ
Ｒヘッドの一部を構成する上シールドとを一体に形成し
て下ポール上シールド共通素子部２として構成してい
る。
【０００４】なお、この複合型磁気ヘッドにおいて、Ｉ
Ｄヘッドは、上ポール１２と前記共通化された下ポール
２とを磁気記録媒体とは反対側の端部において接合した
ポール接合部１３を包囲するようにコイル１４が配設さ
れる。また、ＭＲヘッドは、下シールド１と、前記のよ
うに共通化された上シールド２との間にそれぞれギャッ
プ層３，４を介して軟磁性膜６、非磁性膜７、磁気抵抗
効果膜８を三層に積層し、この三層膜の両側に磁界印加
層９を配設し、この磁界印加層９に接して、電極１０を
形成したものである。この電極１０は、磁気抵抗効果膜
８の両側に対を成して延設され、その他端部は磁気記録
媒体と反対側に延長され、所要のセンス電流が流れるよ
うに構成される。
Ｄヘッドは、上ポール１２と前記共通化された下ポール
２とを磁気記録媒体とは反対側の端部において接合した
ポール接合部１３を包囲するようにコイル１４が配設さ
れる。また、ＭＲヘッドは、下シールド１と、前記のよ
うに共通化された上シールド２との間にそれぞれギャッ
プ層３，４を介して軟磁性膜６、非磁性膜７、磁気抵抗
効果膜８を三層に積層し、この三層膜の両側に磁界印加
層９を配設し、この磁界印加層９に接して、電極１０を
形成したものである。この電極１０は、磁気抵抗効果膜
８の両側に対を成して延設され、その他端部は磁気記録
媒体と反対側に延長され、所要のセンス電流が流れるよ
うに構成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような複合型磁気
ヘッドでは、ＩＤヘッドのポール接合部１３がＭＲヘッ
ドの電極１０のセンス電流の経路に対向する位置に配置
されている。このため、記録動作時にＩＤヘッドのポー
ル接合部１３から洩れる磁束がＭＲヘッドの電極１０の
センス電流経路内を貫くことになり、電極対間に誘導電
圧が生じてしまう。因みに、ＭＲヘッドの電極１０に沿
った位置におけるポール接合部１３での磁束密度は、図
４に示すように、ポール接合部１３の直下部分１５にお
ける磁束密度が約２０００Ｇにも達する分布であり、こ
の高い磁束密度によって電極１０における誘導電圧が発
生されている。特に、前記したようにＩＤヘッドの下ポ
ールとＭＲヘッドの上シールドを共通化した複合型磁気
ヘッドでは、ポール接合部１３から電極１０までの距離
が短くなるため、この現象が顕著なものとなる。
ヘッドでは、ＩＤヘッドのポール接合部１３がＭＲヘッ
ドの電極１０のセンス電流の経路に対向する位置に配置
されている。このため、記録動作時にＩＤヘッドのポー
ル接合部１３から洩れる磁束がＭＲヘッドの電極１０の
センス電流経路内を貫くことになり、電極対間に誘導電
圧が生じてしまう。因みに、ＭＲヘッドの電極１０に沿
った位置におけるポール接合部１３での磁束密度は、図
４に示すように、ポール接合部１３の直下部分１５にお
ける磁束密度が約２０００Ｇにも達する分布であり、こ
の高い磁束密度によって電極１０における誘導電圧が発
生されている。特に、前記したようにＩＤヘッドの下ポ
ールとＭＲヘッドの上シールドを共通化した複合型磁気
ヘッドでは、ポール接合部１３から電極１０までの距離
が短くなるため、この現象が顕著なものとなる。
【０００６】そこで、従来のこの種の磁気ヘッドでは、
電極間に誘導電圧が生じることを防ぐ目的から、記録動
作中にセンス電流経路を開放するような制御を行ってい
る。しかしながら、この対策では、センス電流のオフか
らオンへの切り換えに２〜４μＳ程度の時間がかかり、
磁気記録媒体に対するフォーマット効率が低下されると
いう問題が生じる。また、磁気記録媒体に対する記録動
作と同時に記録情報の照合を行う方式の磁気記録装置の
磁気ヘッドとして採用することができないという問題も
ある。
電極間に誘導電圧が生じることを防ぐ目的から、記録動
作中にセンス電流経路を開放するような制御を行ってい
る。しかしながら、この対策では、センス電流のオフか
らオンへの切り換えに２〜４μＳ程度の時間がかかり、
磁気記録媒体に対するフォーマット効率が低下されると
いう問題が生じる。また、磁気記録媒体に対する記録動
作と同時に記録情報の照合を行う方式の磁気記録装置の
磁気ヘッドとして採用することができないという問題も
ある。
【０００７】本発明の目的は、ＭＲヘッドの電極におけ
る誘導電圧の発生を抑制し、電極におけるセンス電流の
切り換えを不要にした複合型の磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
る誘導電圧の発生を抑制し、電極におけるセンス電流の
切り換えを不要にした複合型の磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
下シールド、磁気抵抗効果素子、センス電流が通流され
る電極、上シールドを備えるＭＲヘッドと、下ポール、
コイル、前記下ポールに接合される上ポールとを備える
ＩＤヘッドとを一体的に構成した複合型の磁気ヘッドに
おいて、ＭＲヘッドの電極のセンス電流経路内にＩＤヘ
ッドの上下のポールの接合部が位置されない構成とされ
る。あるいは、ＭＲヘッドの電極はＩＤヘッドの上下の
ポールの接合部に対向する領域部分がポール接合部に対
して重なるような階層構造とされる。特に、本発明は、
ＭＲヘッドの上シールドまたは下シールドがＩＤヘッド
の下ポールまたは上ポールとで共通素子として一体化さ
れた磁気ヘッドに用いて好適である。
下シールド、磁気抵抗効果素子、センス電流が通流され
る電極、上シールドを備えるＭＲヘッドと、下ポール、
コイル、前記下ポールに接合される上ポールとを備える
ＩＤヘッドとを一体的に構成した複合型の磁気ヘッドに
おいて、ＭＲヘッドの電極のセンス電流経路内にＩＤヘ
ッドの上下のポールの接合部が位置されない構成とされ
る。あるいは、ＭＲヘッドの電極はＩＤヘッドの上下の
ポールの接合部に対向する領域部分がポール接合部に対
して重なるような階層構造とされる。特に、本発明は、
ＭＲヘッドの上シールドまたは下シールドがＩＤヘッド
の下ポールまたは上ポールとで共通素子として一体化さ
れた磁気ヘッドに用いて好適である。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態の磁
気ヘッドを示しており、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）は
それぞれ図３の従来構造に対応して示した正面図、断面
図、電極部の平面図である。この複合型磁気ヘッドの構
造を、その製造工程順に説明する。先ず、図外の基板上
に厚さ２μｍのＮｉＦｅを用いた下シールド１を成膜す
る。その上に、厚さ０．１１μｍのＡｌ2 Ｏ3 を用いた
下シールド軟磁性膜間ギャップ層３をスパッタリングで
形成する。その上に軟磁性膜６として膜厚１５ｎｍのＣ
ｏＺｒＭｏアモルファス膜、非磁性膜７として膜厚１０
ｎｍのＴａ膜、磁気抵抗効果膜８として膜厚１５ｎｍの
ＮｉＦｅ膜をスパッタリングを用いて成膜する。
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態の磁
気ヘッドを示しており、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）は
それぞれ図３の従来構造に対応して示した正面図、断面
図、電極部の平面図である。この複合型磁気ヘッドの構
造を、その製造工程順に説明する。先ず、図外の基板上
に厚さ２μｍのＮｉＦｅを用いた下シールド１を成膜す
る。その上に、厚さ０．１１μｍのＡｌ2 Ｏ3 を用いた
下シールド軟磁性膜間ギャップ層３をスパッタリングで
形成する。その上に軟磁性膜６として膜厚１５ｎｍのＣ
ｏＺｒＭｏアモルファス膜、非磁性膜７として膜厚１０
ｎｍのＴａ膜、磁気抵抗効果膜８として膜厚１５ｎｍの
ＮｉＦｅ膜をスパッタリングを用いて成膜する。
【００１０】次に、これらの積層体がトラック部領域、
すなわち感磁部領域５のみに残存するようにイオンエッ
チングによってパターニングし、メサ状に形成する。さ
らに、メサ状に形成された三層膜の両側に磁界印加層９
の下地膜として厚さ１０μｍのＣｒ膜を成膜し、その上
にスパッタリングにより磁界印加層９として膜厚２５ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔ膜を形成する。また、前記した三層膜
６，７，８及び磁界印加層９を成膜後、電極成膜のため
のレジストパターンを形成し、その上に厚さ１５０ｎｍ
のＡｕからなる電極膜をスパッタリングにより成膜す
る。その後、電極膜をリフトオフして電極１０を形成す
る。このとき、リフトオフ後に形成される電極パターン
からなるセンス電流経路で囲まれる領域に後述するポー
ル接合部１３の直下部１５が含まれないようにレジスト
パターンの形成を行う。
すなわち感磁部領域５のみに残存するようにイオンエッ
チングによってパターニングし、メサ状に形成する。さ
らに、メサ状に形成された三層膜の両側に磁界印加層９
の下地膜として厚さ１０μｍのＣｒ膜を成膜し、その上
にスパッタリングにより磁界印加層９として膜厚２５ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔ膜を形成する。また、前記した三層膜
６，７，８及び磁界印加層９を成膜後、電極成膜のため
のレジストパターンを形成し、その上に厚さ１５０ｎｍ
のＡｕからなる電極膜をスパッタリングにより成膜す
る。その後、電極膜をリフトオフして電極１０を形成す
る。このとき、リフトオフ後に形成される電極パターン
からなるセンス電流経路で囲まれる領域に後述するポー
ル接合部１３の直下部１５が含まれないようにレジスト
パターンの形成を行う。
【００１１】次に、この上に厚さ０．１４μｍのＡｌ2
Ｏ3 を用いて上シールド磁気抵抗効果膜間ギャップ層４
をスパッタリングにより形成する。そして、その上に、
上シールドの下地層を形成した後、厚さ３μｍのＮｉＦ
ｅからなる上シールド下ポール共通素子部２をマスクを
用いてフレームメッキにより成膜する。続いて、上下ポ
ール間ギャップ層１１を０．４μｍのＡｌ2 Ｏ3 を用い
てスパッタリングで成膜する。同ギャップ層の上部には
厚さ３μｍのレジスト処理を行い、さらに上下のポール
を連結させるため、イオンミリングによって上下ポール
間ギャップ層に穴をあける。また、レジストの上にはス
パッタリングでコイル下地を形成し、コイルのレジスト
パターンを露光した上で膜厚４．３μｍのＣｕでコイル
１４をメッキする。
Ｏ3 を用いて上シールド磁気抵抗効果膜間ギャップ層４
をスパッタリングにより形成する。そして、その上に、
上シールドの下地層を形成した後、厚さ３μｍのＮｉＦ
ｅからなる上シールド下ポール共通素子部２をマスクを
用いてフレームメッキにより成膜する。続いて、上下ポ
ール間ギャップ層１１を０．４μｍのＡｌ2 Ｏ3 を用い
てスパッタリングで成膜する。同ギャップ層の上部には
厚さ３μｍのレジスト処理を行い、さらに上下のポール
を連結させるため、イオンミリングによって上下ポール
間ギャップ層に穴をあける。また、レジストの上にはス
パッタリングでコイル下地を形成し、コイルのレジスト
パターンを露光した上で膜厚４．３μｍのＣｕでコイル
１４をメッキする。
【００１２】その後、ケミカルエッチングを行い、コイ
ルの下地を除去し、コイルの上に厚さ２μｍのレジスト
処理を行い、さらにその上に上ポールの下地膜をスパッ
タリングにより成膜する。最後に、上ポール１２を膜厚
４μｍのＮｅＦｅを用いてメッキする。このとき、上下
ポール間に開けた穴を、上ポール成膜用のＮｅＦｅが塞
ぎ、ポール接合部１３が形成される。
ルの下地を除去し、コイルの上に厚さ２μｍのレジスト
処理を行い、さらにその上に上ポールの下地膜をスパッ
タリングにより成膜する。最後に、上ポール１２を膜厚
４μｍのＮｅＦｅを用いてメッキする。このとき、上下
ポール間に開けた穴を、上ポール成膜用のＮｅＦｅが塞
ぎ、ポール接合部１３が形成される。
【００１３】このように構成された磁気ヘッドでは、Ｍ
Ｒヘッドの電極１０は、ＩＤヘッドの上下の各ポールを
接合しているポール接合部１３の直下の部分１５には存
在していない。したがって、図４に示したように、ポー
ル接合部１３に生じる高い漏れ磁束が電極１０に直接影
響を与えることが抑制される。したがって、電極１０に
センス電流が通流される場合でも、対をなしている電極
１０の間に誘導電圧が生じることが抑制される。したが
って、この磁気ヘッドでは記録動作時にＭＲヘッド側の
電極を開放にするという制御が不要であり、センス電流
の切替に伴うフォーマット効率の低下が改善され、かつ
記録情報の照合を行う磁気ディスク装置への適用が可能
となる。
Ｒヘッドの電極１０は、ＩＤヘッドの上下の各ポールを
接合しているポール接合部１３の直下の部分１５には存
在していない。したがって、図４に示したように、ポー
ル接合部１３に生じる高い漏れ磁束が電極１０に直接影
響を与えることが抑制される。したがって、電極１０に
センス電流が通流される場合でも、対をなしている電極
１０の間に誘導電圧が生じることが抑制される。したが
って、この磁気ヘッドでは記録動作時にＭＲヘッド側の
電極を開放にするという制御が不要であり、センス電流
の切替に伴うフォーマット効率の低下が改善され、かつ
記録情報の照合を行う磁気ディスク装置への適用が可能
となる。
【００１４】図２は本発明の第２の実施形態を示してお
り、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ図１の構造
に対応して示した正面図、断面図、電極部の平面図であ
る。この複合型磁気ヘッドの構成において、第１の実施
形態と同じ部分には同一符号を付して詳細な説明は省略
している。この実施形態では、ＭＲヘッドの電極１０
は、ＩＤヘッドのポール接合部１３の直下の部分１５に
おいては、対をなしている電極１０の一方を他方の上方
に配置させて電極を階層構造とし、かつ前記ポール接合
部１３を含む垂直線上で上下方向に重なるように形成し
ている。
り、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ図１の構造
に対応して示した正面図、断面図、電極部の平面図であ
る。この複合型磁気ヘッドの構成において、第１の実施
形態と同じ部分には同一符号を付して詳細な説明は省略
している。この実施形態では、ＭＲヘッドの電極１０
は、ＩＤヘッドのポール接合部１３の直下の部分１５に
おいては、対をなしている電極１０の一方を他方の上方
に配置させて電極を階層構造とし、かつ前記ポール接合
部１３を含む垂直線上で上下方向に重なるように形成し
ている。
【００１５】この第２の実施形態では、ポール接合部１
３の直下部分１５に高い漏れ磁束が存在し、この漏れ磁
束が電極１０に影響しても、センス電流を通流する電極
１０は磁束方向に重ねられているために、センス電流経
路内を磁束が貫くことがなく、両電極間に誘導電圧が発
生することが抑制される。したがって、この磁気ヘッド
でにおいても記録動作時にＭＲヘッド側の電極を開放に
するという制御が不要であり、センス電流の切替に伴う
フォーマット効率の低下が改善され、かつ記録情報の照
合を行う磁気ディスク装置への適用が可能となる。
３の直下部分１５に高い漏れ磁束が存在し、この漏れ磁
束が電極１０に影響しても、センス電流を通流する電極
１０は磁束方向に重ねられているために、センス電流経
路内を磁束が貫くことがなく、両電極間に誘導電圧が発
生することが抑制される。したがって、この磁気ヘッド
でにおいても記録動作時にＭＲヘッド側の電極を開放に
するという制御が不要であり、センス電流の切替に伴う
フォーマット効率の低下が改善され、かつ記録情報の照
合を行う磁気ディスク装置への適用が可能となる。
【００１６】なお、前記した第１の実施形態の磁気ヘッ
ドと、第２の実施形態の磁気ヘッドとにおける記録磁界
により誘導される電圧による再生出力を、図３に示した
従来の磁気ヘッドでの再生出力と比較するための測定を
行った。記録周波数は１ＭＨｚ、記録電流は６０ｍＡ
（ｐ−ｐ）としたところ、従来構造の磁気ヘッドでは再
生出力が６００μＶであった。これに対し、第１の実施
形態の磁気ヘッドでは、再生出力は観察されなかった。
また、実施形態２の磁気ヘッドにおいても同じく再生出
力は観察されなかった。この測定結果から、第１及び第
２の実施形態の各磁気ヘッドでは、ＩＤヘッドからの漏
れ磁束による誘導電圧が発生しないことが判る。
ドと、第２の実施形態の磁気ヘッドとにおける記録磁界
により誘導される電圧による再生出力を、図３に示した
従来の磁気ヘッドでの再生出力と比較するための測定を
行った。記録周波数は１ＭＨｚ、記録電流は６０ｍＡ
（ｐ−ｐ）としたところ、従来構造の磁気ヘッドでは再
生出力が６００μＶであった。これに対し、第１の実施
形態の磁気ヘッドでは、再生出力は観察されなかった。
また、実施形態２の磁気ヘッドにおいても同じく再生出
力は観察されなかった。この測定結果から、第１及び第
２の実施形態の各磁気ヘッドでは、ＩＤヘッドからの漏
れ磁束による誘導電圧が発生しないことが判る。
【００１７】ここで、前記実施形態では、ＭＲヘッドの
上シールドとＩＤヘッドの下ポールとを共通素子として
構成した例を示しているが、ＭＲヘッドとＩＤヘッドの
上下配置が逆にされる磁気ヘッドでは、ＭＲヘッドの下
シールドとＩＤヘッドの上ポールとを共通素子として構
成した磁気ヘッドにおいても本発明を適用することがで
きる。また、本発明は、ＭＲヘッドのシールドとＩＤヘ
ッドのポールとが共通化されていない構成の複合型磁気
ヘッドにおいても同様に適用することができる。さら
に、前記実施形態では、軟磁性膜によってバイアスをか
けるタイプの磁気抵抗効果素子を例示したが、シャント
型バイアスタイプの磁気抵抗効果素子を用いた複合型磁
気ヘッドにおいても、あるいはスピンバルブ膜を用いた
複合型磁気ヘッドにおいても同様に適用することができ
る。
上シールドとＩＤヘッドの下ポールとを共通素子として
構成した例を示しているが、ＭＲヘッドとＩＤヘッドの
上下配置が逆にされる磁気ヘッドでは、ＭＲヘッドの下
シールドとＩＤヘッドの上ポールとを共通素子として構
成した磁気ヘッドにおいても本発明を適用することがで
きる。また、本発明は、ＭＲヘッドのシールドとＩＤヘ
ッドのポールとが共通化されていない構成の複合型磁気
ヘッドにおいても同様に適用することができる。さら
に、前記実施形態では、軟磁性膜によってバイアスをか
けるタイプの磁気抵抗効果素子を例示したが、シャント
型バイアスタイプの磁気抵抗効果素子を用いた複合型磁
気ヘッドにおいても、あるいはスピンバルブ膜を用いた
複合型磁気ヘッドにおいても同様に適用することができ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＭＲヘッ
ドの電極のセンス電流経路内に、ＩＤヘッドの上下ポー
ルの接合部が対向されていないため、ポール接合部によ
って生じる漏れ磁束がＭＲヘッドの電極に影響してセン
ス電流中に誘導電圧が生じることが防止できる。これに
より、記録動作時にＭＲヘッド側の電極を開放にすると
いう制御が不要となり、センス電流の切替に伴うフォー
マット効率の低下が改善され、かつ記録情報の照合を行
う磁気ディスク装置への適用が可能となる。
ドの電極のセンス電流経路内に、ＩＤヘッドの上下ポー
ルの接合部が対向されていないため、ポール接合部によ
って生じる漏れ磁束がＭＲヘッドの電極に影響してセン
ス電流中に誘導電圧が生じることが防止できる。これに
より、記録動作時にＭＲヘッド側の電極を開放にすると
いう制御が不要となり、センス電流の切替に伴うフォー
マット効率の低下が改善され、かつ記録情報の照合を行
う磁気ディスク装置への適用が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態の正面図、縦断面図、
電極部の平面図である。
電極部の平面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の正面図、縦断面図、
電極部の平面図である。
電極部の平面図である。
【図３】従来の磁気ヘッドの正面図、縦断面図、電極部
の平面図である。
の平面図である。
【図４】電極のセンス電流経路内での磁束密度分布を示
す図である。
す図である。
１ 下シールド ２ 上シールド下ポール共通素子部 ３ 下ギャップ層 ４ 上ギャップ層 ５ 感磁部領域 ６ 軟磁性膜 ７ 非磁性膜 ８ 磁気抵抗効果膜 ９ 磁界印加層 １０ 電極 １１ ポール間ギャップ １２ 上ポール １３ ポール接合部 １４ コイル １５ ポール接合部直下部
Claims (4)
- 【請求項１】 下シールド、磁気抵抗効果素子、センス
電流が通流される電極、上シールドを備える磁気抵抗効
果ヘッドと、下ポール、コイル、前記下ポールに接合さ
れる上ポールとを備えるインダクティブヘッドとを一体
的に構成した複合型の磁気ヘッドにおいて、前記電極の
センス電流経路内に前記上下のポールの接合部が位置さ
れないことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 下シールド、磁気抵抗効果素子、センス
電流が通流される電極、上シールドを備える磁気抵抗効
果ヘッドと、下ポール、コイル、前記下ポールに接合さ
れる上ポールとを備えるインダクティブヘッドとを一体
的に構成した複合型の磁気ヘッドにおいて、前記電極は
前記上下のポールの接合部に対向する領域部分がポール
接合部に対して重なるように階層構造とされることを特
徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果ヘッドがインダクティブヘ
ッドの下側に配置され、磁気抵抗効果ヘッドの上シール
ドとインダクティブヘッドの下ポールとが共通素子とし
て一体化されてなる請求項１または２の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果ヘッドがインダクティブヘ
ッドの上側に配置され、磁気抵抗効果ヘッドの下シール
ドとインダクティブヘッドの上ポールとが共通素子とし
て一体化されてなる請求項１または２の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7692496A JP2836571B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7692496A JP2836571B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265608A JPH09265608A (ja) | 1997-10-07 |
| JP2836571B2 true JP2836571B2 (ja) | 1998-12-14 |
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