JP2827720B2 - 液晶光学素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶光学素子およびその製造方法Info
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合物界面の配向制御を行った透過散乱型の液晶光学素子
およびその製造方法に関するものであり、本発明の液晶
光学素子は、文字、図形等を表示する表示装置、入射光
の透過−遮断を制御する調光ガラス、光シャッター等に
利用される。
使用したTN型や、STN型のものが実用化されてい
る。しかしこれらは偏光板を要するため、明るさ、コン
トラストにおいて制限を受けるという欠点を有してい
る。一方、偏光板を要しない素子として特表昭58−5
01631号公報には、液晶材料をカプセル化し、高分
子中に分散する素子が開示されている。この高分子分散
液晶素子は、液晶分子の長軸方向または短軸方向のいず
れか一方の屈折率と高分子物質の屈折率とを等しくして
おき、液晶の向きを変えることにより透明−散乱状態を
制御している。また、液晶材料の屈折率の変化を利用し
た同様の素子として、液晶材料を光硬化性化合物中に分
散したもの(特開昭62−2231号公報)が知られて
いる。この高分子分散液晶素子は、ITO等の透明導電
膜を表面にコーティングした基板を透明導電膜が内側と
なるようにして組合わせ、液晶滴が分散している光硬化
性化合物を基板により挟持している。この液晶素子は、
2枚の基板間に光硬化性化合物と誘電異方性が正の液晶
材料との混合溶液を注入し、光を照射して作成する。光
を照射すると、光硬化性化合物が硬化する際に、液晶材
料が球状に分離される。この液晶素子の平均分子方向
は、電圧を印加しない状態で任意の方向を向いている。
この状態では、光硬化性高分子と液晶滴の屈折率は異な
るため、外部からの入射光は散乱される。一方、この液
晶素子に電圧を印加した場合、液晶材料の誘電率異方性
が正であるため、電圧を印加すると液晶の平均分子は基
板と垂直になるように配向する。液晶材料の持つ長軸方
向の屈折率が光硬化性高分子の屈折率と等しくなるよう
に設定してあるとすると、電圧印加時に外部から入射し
た光は散乱せずに透過する。さらに電圧を印加し液晶材
料を配向させながら光照射を行い硬化させると、電圧を
切っても電圧を印加した状態を維持することが報告され
ている(特開昭63−301922号公報)。
31号公報に開示された高分子分散液晶素子で光散乱強
度を最大にしたいならば、液晶材料の屈折率と光硬化性
化合物の屈折率との差を最大にすればよい。すなわち液
晶材料の平均分子方向を基板に水平にすればよい。しか
し電圧を除いたときの液晶分子の方向はランダムであ
り、この液晶素子をマクロ的に観察した場合には、液晶
滴の屈折率は、液晶材料の長軸方向の屈折率と短軸方向
の屈折率との間をとる。このため、液晶材料と光硬化性
化合物との屈折率差は、液晶材料の持つ屈折率異方性よ
り小さくなり、光散乱状態が悪くなるという課題があ
る。また、特開昭63−301922号公報に記載の高
分子分散液晶素子は、電圧を切っても液晶分子の方向は
ランダムとならず、硬化時の配向状態を維持する。しか
し、通常は硬化時の配向状態を変えずに一定の配向状態
のまま使用している。配向状態を変える場合は、基板面
に対してある角度傾いて配向している液晶分子を基板と
垂直な方向に変えることしかできない。この場合にも、
上記と同様に液晶材料と高分子物質の屈折率との差は液
晶材料の持つ屈折率異方性より小さくなるという課題が
ある。本発明の目的は、以上の課題を解決し、光透過状
態と光散乱状態の比を理論的に最大の値とすることであ
る。また本発明の他の目的は、リバースモードを容易に
実現できる液晶光学素子を提供することである。
る少なくとも一方が透明な2枚の基板間に光硬化性高分
子化合物と液晶材料とを挟持してなる液晶光学素子であ
って、前記液晶材料が光硬化時とは異なる液晶材料であ
り、かつ前記光硬化性高分子化合物と前記液晶材料との
界面の相互作用により前記液晶材料が所定の方向に配向
していることを特徴とする液晶光学素子である(請求項
1)。その製造方法は、電極層を有する少なくとも一方
が透明な2枚の基板間に光硬化性高分子化合物前駆体と
液晶材料とからなる溶液を注入し、該液晶材料の分子軸
方向が基板に対して所定の配向状態を形成するようなフ
レデリック転移点以上の電界または磁界を基板間に印加
した状態で光を照射して前記光硬化性高分子化合物前駆
体を硬化させ、調光層を形成させた後、前記液晶材料を
基板間から抽出し、その空孔に別の液晶材料を注入する
ことを特徴とする(請求項2)。
も一方が透明な2枚の基板間に、光硬化性高分子化合物
と液晶材料とを挟持してなる液晶光学素子であって、前
記液晶材料が光硬化時とは異なる液晶材料であり、かつ
前記液晶材料と前記光硬化性高分子化合物との界面の相
互作用により前記液晶材料が基板に対して垂直な方向に
配向していることを特徴とする液晶光学素子である(請
求項3)。その製造方法は、電極層を有する少なくとも
一方が透明な2枚の基板間に、光硬化性高分子化合物前
駆体と誘電異方性が正の液晶材料からなる溶液を注入
し、該液晶材料の分子軸方向が基板に対して垂直方向に
向くようなフレデリック転移点以上の電界または磁界を
基板間に印加した状態で光を照射して前記光硬化性高分
子化合物前駆体を硬化させ、調光層を形成させた後、前
記液晶材料を調光層から抽出し、その空孔に誘電異方性
が負の液晶材料を注入することを特徴とする(請求項
4)。請求項3および4の発明によれば、電圧無印加時
に液晶分子が基板に対して垂直に配向し、電圧印加時に
基板に対して平行となるため、液晶材料の持つ分子軸方
向の屈折率が光硬化性高分子化合物の屈折率と等しくな
るように設定してあるとすると電圧無印加時に透明状
態、電圧印加時に散乱状態となる液晶光学素子を実現す
ることができる。
とも一方が透明な2枚の基板間に、光硬化性高分子化合
物と液晶材料とを挟持してなる液晶光学素子であって、
前記液晶材料が光硬化時とは異なる液晶材料であり、か
つ前記液晶材料と前記光硬化性高分子化合物との界面の
相互作用により前記液晶材料が基板と平行な方向に配向
していることを特徴とする液晶光学素子である(請求項
5)。その製造方法は、電極層を有する少なくとも一方
が透明な2枚の基板間に、光硬化性高分子化合物前駆体
と誘電異方性が負の液晶材料とからなる溶液を注入し、
該液晶材料の分子軸方向が基板に対して平行方向に向く
ようなフレデリック転移点以上の電界または磁界を前記
基板間に印加した状態で光を照射して前記光硬化性高分
子化合物前駆体を硬化させ、調光層を形成させた後、前
記液晶材料を調光層から抽出し、その空孔に誘電異方性
が正の液晶材料を注入することを特徴とする(請求項
6)。請求項5および6の発明によれば、電圧無印加時
に液晶分子が基板に対して平行に配向し、電圧印加時に
基板に対して垂直となるため、液晶材料の持つ分子軸方
向の屈折率が光硬化性高分子化合物の屈折率と等しくな
るように設定してあるとすると、電圧無印加時に高い散
乱特性を示す液晶光学素子を実現することができる。
と光硬化性高分子化合物前駆体、および必要に応じて光
硬化開始剤の混合物を電極層が付いた基板間に挟持させ
る方法としては、通常の高分子分散液晶が形成される方
法であればいずれの方法でも構わない。例えば前記混合
物を基板間のギャップが決められたセルに注入する方法
や、一方の基板の上に前記混合物を載せ、その上にもう
一枚の基板を重ねる方法等がある。本発明に用いられる
基板は、ITO等の透明性の高い電極層を表面に有する
少なくとも一方が透明な基板であり、ガラス、プラスチ
ック、金属等が使用できる。2枚の基板は、電極が調光
層側になるように設置する。基板の間隔設定には、通常
の液晶デバイスに用いられるスペーサを使用することが
でき、その間隔は、3μm〜30μm程度が望ましい。
また電極層は基板に一様に形成されていてもよいが、対
向基板間で短冊状に構成されたそれぞれの電極が直交す
るように配置した単純マトリックス構成や、画素単位で
アクティブ素子を付加したアクティブマトリックス構成
としてもよい。
晶材料であれば特に限定されず、ネマチック液晶、スメ
クチック液晶、コレステリック液晶等いずれを用いるこ
ともできる。また2色性色素を混入したホスト−ゲスト
型によりカラー化することもできる。さらに周波数を変
化させることにより、誘電率異方性が正負両方の値をと
ることのできる二周波駆動液晶も用いることができる。
光硬化性高分子化合物前駆体は、通常、紫外線等の光を
照射することにより硬化物を形成する高分子前駆体であ
り、重合性モノマーまたは重合性オリゴマーあるいは重
合性モノマーと重合性オリゴマーの混合物等を用いるこ
とができる。重合性モノマーとしては、メチルアクリレ
ート、2−エチルヘキシルアクリレート、2−エチルヘ
キシルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、
ブタンジオールモノアクリレート等のアクリル系モノマ
ーが挙げられ、単一物質でも2種類以上の物質の混合物
でも構わない。重合性オリゴマーとしては、ウレタンア
クリレートオリゴマー系、エポキシアクリレートオリゴ
マー系あるいはエステルオリゴマー系等が挙げられ、単
一物質でも2種類以上の混合物でも構わない。光硬化の
開始剤としては、通常の光硬化性化合物の開始剤として
用いられるものが使用できる。例えば紫外線硬化性化合
物の開始剤としては、アセトフェノン系、ベンゾイン
系、ベンゾフェノン系、チオキサンソン系等が用いられ
る。また開始剤は固体でも液体でも構わないが、素子の
均一性の点から光硬化性化合物に溶解または相溶するも
のが望ましい。
した液晶材料と光硬化性化合物の濃度、種類等により異
なるが、液晶材料が光硬化性化合物中に分散していて
も、光硬化性化合物が液晶材料中に3次元ネットワーク
状に存在していても、あるいは光硬化性化合物が液晶材
料中に分散していても構わない。本発明の液晶光学素子
の製造方法において、液晶材料を基板間より抽出する方
法としては、通常の溶剤による抽出法が好ましい。この
際に用いられる溶剤としては、硬化した光硬化性化合物
が不溶であればいずれのものでも構わなく、液晶材料は
必ずしも可溶である必要はない。基板間の空孔に液晶材
料を注入する方法としては、通常のTN型液晶注入に利
用されている減圧下での注入が好ましいが、これに限定
されるものではない。本発明の液晶光学素子の用途とし
ては、窓や間仕切り等の建築材料や文字や図形を表示す
る表示装置がある。
態との比を最大にするには、光透過状態のとき光硬化性
化合物と液晶材料の屈折率を一致させ、光散乱状態のと
き光硬化性化合物と液晶材料との屈折率差を最大となる
ようにすればよい。すなわち、液晶材料の長軸(分子
軸)方向の屈折率と短軸方向の屈折率のどちらか一方と
光硬化性化合物の屈折率とを一致させ、液晶分子の方向
が基板と水平な方向に向く状態と垂直な方向に向く状態
を制御できる構成とすればよい。本発明では、光硬化性
化合物を硬化させる際に、誘電率異方性が負の液晶材料
の分子軸方向が基板と平行方向に向くような電界を基板
間に印加した状態で光を照射する。このため、液晶材料
は光硬化性化合物との界面で基板と平行方向に配向した
状態で固定される。光硬化性化合物の硬化後は液晶分子
はこの界面のアンカーリングにより、作成時の電界を切
ってもランダムな状態に戻ることができず固定化され
る。この界面の配向能は、硬化時に使用された液晶材料
を抽出し、別の液晶材料を注入しても維持している。こ
のため、ここに正の誘電率異方性の液晶を注入すると、
この液晶は電圧無印加時に基板に対して平行となり、電
圧印加時には基板に対して垂直となる。さらに本発明で
は、光硬化性化合物を硬化させる際に、誘電率異方性が
正の液晶材料の分子軸方向が基板と垂直方向に向くよう
な電界または液晶材料のフレデリック転移点以上の磁界
を基板間に印加した状態で光を照射する。このため、液
晶材料は光硬化性化合物との界面で基板と垂直方向に配
向した状態で固定される。光硬化性化合物の硬化後は液
晶分子はこの界面のアンカーリングにより、作成時の電
界を切ってもランダムな状態に戻ることができず固定化
される。この界面の配向能は、硬化時に使用された液晶
材料を抽出し、別の液晶材料を注入しても維持してい
る。このため、ここに負の誘電率異方性の液晶を注入す
ると、この液晶は電圧無印加時に基板に対して垂直とな
り、電圧印加時には基板に対して平行となるリバースモ
ードの液晶光学素子が実現できる。
るが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例
に限定されるものではない。 実施例1 重合性モノマーの2−エチルヘキシルアクリレート1部
と、重合性オリゴマーUN9000PEP(根上工業
(株)製)1部と、誘電率異方性が正の液晶材料E−8
(メルク社製)3.7部と、0.02部の重合開始剤
2,2−ジエトキシアセトフェノンの混合溶液をギャッ
プ10μmの液晶セル中に注入した。この液晶セルを3
2℃に保ち、100Hz、50Vの矩形波の交流電圧を
印加しながら紫外線を照射し、重合させた。図1は本実
施例によって得られた液晶光学素子の断面図であり、図
中、1は基板、2は電極層、3は液晶材料、4は光硬化
性高分子化合物である。SEMで観察したところ、得ら
れた膜中の液晶滴3の大きさは1〜2μmであった。得
られた液晶光学素子の光の透過率は95%であった。こ
の素子の液晶材料をメタノールで抽出した。素子を減圧
下で乾燥した後、誘電異方性が負の液晶材料NR−10
23XX(チッソ石油化学(株)製)を減圧下で注入し
た。得られた液晶光学素子の光の透過率は、電圧無印加
時が93%で、100Hz、50Vの印加で素子の透過
率は1%であった。図2はこの時の液晶光学素子に印加
する矩形波交流電圧の波形と液晶光学素子の光透過率を
示したものである。
と、重合性オリゴマーUN9000PEP(根上工業
(株)製)1部と、誘電率異方性が負の液晶材料NR−
1023XX(チッソ石油化学(株)製)3.7部と、
0.02部の重合開始剤ベンゾフェノンの混合溶液をギ
ャップ10μmの液晶セル中に注入した。この液晶セル
を20℃に保ち、100Hz、50Vの矩形波の交流電
圧を印加しながら紫外線を照射し、重合させて図1に示
すような液晶光学素子を得た。SEMで観察したとこ
ろ、得られた膜中の液晶滴の大きさは2〜3μmであっ
た。得られた液晶光学素子の光の透過率は0%であっ
た。この素子の液晶材料をメタノールで抽出した。減圧
下で乾燥を行った後、誘電異方性が正の液晶材料E−8
(メルク社製)を減圧下で注入した。得られた液晶光学
素子の光の透過率は、電圧無印加時が0%で、100H
z、50Vの印加で素子の透過率は97%であった。以
上の実施例においては、矩形波による駆動を行っている
が、正弦波、三角波等の他の交流電界を用いても同様の
駆動ができた。
光学素子を用いれば、光散乱強度を理論的な最大の値と
することが可能である。またリバースモードの素子を容
易に実現することができる。
である。
する矩形波交流電圧の波形および液晶光学素子の光透過
率を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 電極層を有する少なくとも一方が透明な
2枚の基板間に光硬化性高分子化合物と液晶材料とを挟
持してなる液晶光学素子であって、前記液晶材料が光硬
化時とは異なる液晶材料であり、かつ前記光硬化性高分
子化合物と前記液晶材料との界面の相互作用により前記
液晶材料が所定の方向に配向していることを特徴とする
液晶光学素子。 - 【請求項2】 電極層を有する少なくとも一方が透明な
2枚の基板間に光硬化性高分子化合物前駆体と液晶材料
とからなる溶液を注入し、該液晶材料の分子軸方向が基
板に対して所定の配向状態を形成するようなフレデリッ
ク転移点以上の電界または磁界を基板間に印加した状態
で光を照射して前記光硬化性高分子化合物前駆体を硬化
させ、調光層を形成させた後、前記液晶材料を基板間か
ら抽出し、その空孔に別の液晶材料を注入することを特
徴とする液晶光学素子の製造方法。 - 【請求項3】 電極層を有する少なくとも一方が透明な
2枚の基板間に、光硬化性高分子化合物と液晶材料とを
挟持してなる液晶光学素子であって、前記液晶材料が光
硬化時とは異なる液晶材料であり、かつ前記液晶材料と
前記光硬化性高分子化合物との界面の相互作用により前
記液晶材料が基板に対して垂直な方向に配向しているこ
とを特徴とする液晶光学素子。 - 【請求項4】 電極層を有する少なくとも一方が透明な
2枚の基板間に、光硬化性高分子化合物前駆体と誘電異
方性が正の液晶材料からなる溶液を注入し、該液晶材料
の分子軸方向が基板に対して垂直方向に向くようなフレ
デリック転移点以上の電界または磁界を基板間に印加し
た状態で光を照射して前記光硬化性高分子化合物前駆体
を硬化させ、調光層を形成させた後、前記液晶材料を調
光層から抽出し、その空孔に誘電異方性が負の液晶材料
を注入することを特徴とする液晶光学素子の製造方法。 - 【請求項5】 電極層を有する少なくとも一方が透明な
2枚の基板間に、光硬化性高分子化合物と液晶材料とを
挟持してなる液晶光学素子であって、前記液晶材料が光
硬化時とは異なる液晶材料であり、かつ前記液晶材料と
前記光硬化性高分子化合物との界面の相互作用により前
記液晶材料が基板と平行な方向に配向していることを特
徴とする液晶光学素子。 - 【請求項6】 電極層を有する少なくとも一方が透明な
2枚の基板間に、光硬化性高分子化合物前駆体と誘電異
方性が負の液晶材料とからなる溶液を注入し、該液晶材
料の分子軸方向が基板に対して平行方向に向くようなフ
レデリック転移点以上の電界または磁界を前記基板間に
印加した状態で光を照射して前記光硬化性高分子化合物
前駆体を硬化させ、調光層を形成させた後、前記液晶材
料を調光層から抽出し、その空孔に誘電異方性が正の液
晶材料を注入することを特徴とする液晶光学素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19140392A JP2827720B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19140392A JP2827720B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH0611694A JPH0611694A (ja) | 1994-01-21 |
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Family
ID=16274029
Family Applications (1)
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JP19140392A Expired - Lifetime JP2827720B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2827720B2 (ja) |
Cited By (1)
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WO2013032283A2 (ko) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 주식회사 엘지화학 | 액정셀 |
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- 1992-06-26 JP JP19140392A patent/JP2827720B2/ja not_active Expired - Lifetime
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