JP2824383B2 - Wire bonding method and semiconductor device - Google Patents
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- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子とリ
ードとを金属細線で接続して半導体装置を製造する場合
のワイヤボンディング方法、およびこのワイヤボンディ
ング方法で製造された半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire bonding method for manufacturing a semiconductor device by connecting a semiconductor element and a lead with a thin metal wire, and a semiconductor device manufactured by the wire bonding method.
【0002】[0002]
【従来の技術】図10は従来のワイヤボンディング方法
を示す半導体装置の部分断面図である。図において、1
は上部にボンディング用パッド1aが形成された半導体
素子、2は半導体素子1をマウントするリードフレーム
のダイパッド、3はリードフレームのインナーリード
(以下リードという)、4は一端が半導体素子1のパッ
ド1aの中心(以下パッド中心という)A1にボンディ
ングされ、他端がリード3の所定のステッチボンド点H
1にステッチボンドされて、パッド1aとリード3とを
電気的に接続するループワイヤである。2. Description of the Related Art FIG. 10 is a partial sectional view of a semiconductor device showing a conventional wire bonding method. In the figure, 1
Is a semiconductor element having a bonding pad 1a formed thereon, 2 is a die pad of a lead frame for mounting the semiconductor element 1, 3 is an inner lead (hereinafter referred to as a lead) of the lead frame, and 4 is a pad 1a of the semiconductor element 1 at one end. (Hereinafter referred to as pad center) A 1, and the other end is a predetermined stitch bond point H of the lead 3.
1 is a loop wire that is stitch-bonded to 1 and electrically connects the pad 1a and the lead 3.
【0003】このループワイヤ4はパッド1aからの立
上部4aと、この立上部4aの上端からリード3側に延
びる傾斜下降部4bとから構成されており、半導体素子
1のパッド1aとリード3とをいわゆる3角ループ状に
接続している。この場合、このループワイヤ4は例えば
径が30μm の金属細線(金線)Wから構成されてい
る。10は下端から金属細線Wを繰り出しつつ移動する
とともに、金属細線Wとの相対移動を無くした状態でも
移動するキャピラリー、L2はパッド中心A1からステ
ッチボンド点H1までの水平距離(以下ループ長さとい
う)である。The loop wire 4 is composed of a rising portion 4a from the pad 1a and an inclined lowering portion 4b extending from the upper end of the rising portion 4a toward the lead 3. The loop wire 4 has a pad 1a of the semiconductor element 1, a lead 3 and Are connected in a so-called triangular loop shape. In this case, the loop wire 4 is formed of, for example, a thin metal wire (gold wire) W having a diameter of 30 μm. Reference numeral 10 denotes a capillary which moves while feeding out the thin metal wire W from the lower end and moves even when the relative movement with respect to the thin metal wire W is lost. L2 denotes a horizontal distance from the pad center A1 to the stitch bond point H1 (hereinafter referred to as a loop length). ).
【0004】なお、半導体装置はダイパッド2上にマウ
ントされた半導体素子1とリード3とをループワイヤ4
によって接続した後、半導体素子1周りを樹脂封止し、
最終的にリード3のカットおよび曲げ加工をすることに
より形成される。In the semiconductor device, a semiconductor element 1 mounted on a die pad 2 and a lead 3 are connected to a loop wire 4.
After the connection, the periphery of the semiconductor element 1 is sealed with a resin,
Finally, the lead 3 is formed by cutting and bending.
【0005】つぎに、半導体素子1とリード3との間を
ループワイヤ4によって接続するためのワイヤボンディ
ング方法について説明する。キャピラリー10の先端か
ら垂れる金属細線Wの一端にボールを形成した状態で、
このキャピラリー10の先端を半導体素子1のパッド1
a上まで下降させる。そして、金属細線Wのボール部を
パッド1aのパッド中心A1に押し付け、超音波熱圧着
法により、このボール部をパッド1aにボールボンドす
る。つぎに、キャピラリー10から金属細線Wを繰り出
させつつ、キャピラリー10の先端をパッド中心A1点
から上方のB1点まで所定距離垂直上昇させた後、この
キャピラリー10をリード3の逆側のC1点まで所定距
離水平移動させる。さらに、キャピラリー10から金属
細線Wを繰り出させつつ、このキャピラリー10の先端
をC1点から所定高さのF1点まで垂直上昇させる。Next, a wire bonding method for connecting the semiconductor element 1 and the lead 3 with the loop wire 4 will be described. In the state where a ball is formed at one end of the thin metal wire W hanging from the tip of the capillary 10,
The tip of the capillary 10 is connected to the pad 1 of the semiconductor element 1.
a. Then, the ball portion of the thin metal wire W is pressed against the pad center A1 of the pad 1a, and the ball portion is ball-bonded to the pad 1a by an ultrasonic thermocompression bonding method. Next, the tip of the capillary 10 is raised vertically from the center A1 of the pad to a point B1 above by a predetermined distance while the thin metal wire W is fed from the capillary 10, and then the capillary 10 is moved to a point C1 on the opposite side of the lead 3. Move horizontally for a predetermined distance. Further, the tip of the capillary 10 is vertically raised from the point C1 to the point F1 at a predetermined height while the thin metal wire W is paid out from the capillary 10.
【0006】つぎに、金属細線Wをクランプしてキャピ
ラリー10と金属細線Wとの相対移動を無くした状態
で、キャピラリー10の先端をリード3のステッチボン
ド点H1まで円弧状に下降させ、金属細線Wの他端側を
リード3にステッチボンドする。Next, the tip of the capillary 10 is lowered in an arc to the stitch bond point H1 of the lead 3 in a state where the relative movement between the capillary 10 and the fine metal wire W is eliminated by clamping the fine metal wire W. The other end of W is stitch-bonded to lead 3.
【0007】ここで、キャピラリー10の先端がパッド
中心A1からB1点、C1点を通ってF1点まで移動し
たときに、金属細線Wはパッド中心A1から斜状にC1
点まで延び、このC1点でリード3側にくせが付けけら
れた後、C1点より上部側は、垂直にF1点まで延びた
状態となっている。この状態でキャピラリー10をF1
点からステッチボンド点H1側に円弧状に下降させた場
合、パッド中心A1近傍の金属細線Wに働く張力とキャ
ピラリー10の先端に働く金属細線Wの張力とが釣り合
って、C1点とF1点間の金属細線Wにほとんど変形を
生じさせることなくループワイヤ4が形成される。Here, when the tip of the capillary 10 moves from the center A1 of the pad to the point F1 through the points B1 and C1, the thin metal wire W moves obliquely from the center A1 of the pad C1.
After extending the lead 3 side at the point C1, the upper side from the point C1 extends vertically to the point F1. In this state, the capillary 10 is moved to F1.
When the metal wire W is moved downward from the point to the stitch bond point H1 in an arc shape, the tension acting on the metal wire W near the pad center A1 and the tension of the metal wire W acting on the tip of the capillary 10 are balanced, and the point between the point C1 and the point F1. The loop wire 4 is formed with almost no deformation of the thin metal wire W.
【0008】そして、パッド中心A1からB1点までの
長さをA1B1とし、B1点からC1点までの長さをB
1C1とし、tan−1(B1C1/A1B1)=θ、
(A1B1)2 +(B1C1)2 =R2 とすると、ルー
プワイヤ4の形成時に、リバース角度θはほぼ0とな
り、リバース長さRはループワイヤ4のパッド1a上面
からの立ち上り量(ループ高さ)に対応する。なお、キ
ャピラリー10の垂直上昇と水平移動の組み合わせはリ
バースモーションと呼ばれる。The length from the pad center A1 to the point B1 is A1B1, and the length from the point B1 to the point C1 is B1.
1C1, tan −1 (B1C1 / A1B1) = θ,
Assuming that (A1B1) 2+ (B1C1) 2 = R2, the reverse angle .theta. Becomes substantially 0 when the loop wire 4 is formed, and the reverse length R is the rising amount (loop height) of the loop wire 4 from the upper surface of the pad 1a. Corresponding to Note that a combination of the vertical ascent and horizontal movement of the capillary 10 is called a reverse motion.
【0009】一方、ループ長さL2が3mmまでは、上
記3角ループ状のループワイヤ4で半導体素子1のパッ
ド1aとリード3との接続ができるが、ループ長さL2
が3mmを超えると、適正なループワイヤ4を形成する
ことが困難になる。すなわち、ループ長さL2が3mm
を超えると、ループワイヤ4の自重や金属細線Wの曲り
やねじれの影響で、ループワイヤ4に垂れや曲りが発生
し、図11の(a)で示されるように、ループワイヤ4
が半導体素子1やリード3とショートしやすくなった
り、図11の(b)で示されるように、ループワイヤ4
どうしがショートしやすくなるといった問題が生じる。On the other hand, up to a loop length L2 of 3 mm, the connection between the pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 can be made by the above-mentioned triangular loop-shaped loop wire 4.
Exceeds 3 mm, it is difficult to form a proper loop wire 4. That is, the loop length L2 is 3 mm
Is exceeded, the loop wire 4 sags or bends due to the weight of the loop wire 4 or the bend or twist of the thin metal wire W. As shown in FIG.
11 is likely to be short-circuited with the semiconductor element 1 or the lead 3, or as shown in FIG.
There is a problem that short circuits are likely to occur.
【0010】そこで、ループ長さL2が3mmを超えた
場合、図12で示されるような、いわゆる台形ループ形
のループワイヤ5で半導体素子1のパッド1aとリード
3とを接続することが考えられる。このループワイヤ5
はループワイヤ4と同様に金属細線Wから構成されるも
のであり、パッド中心A1から上方に立ち上がる立上部
5aと、立上部5aの上端からリード3側に水平に延び
る水平部5bと、水平部5bの端部からリード3のステ
ッチボンド点H1まで延びる傾斜下降部5cとから構成
されるものである。そして、このループワイヤ5は水平
部5bと傾斜下降部5cの結合部とに屈曲点Jを有して
いるため、ループ長さL2が3mmを超えてもループワ
イヤ5に変形等は生じにくいと考えられる。Therefore, when the loop length L2 exceeds 3 mm, it is conceivable to connect the pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 with a so-called trapezoidal loop wire 5 as shown in FIG. . This loop wire 5
Is composed of a thin metal wire W like the loop wire 4, and includes a rising portion 5a rising upward from the pad center A1, a horizontal portion 5b extending horizontally from the upper end of the rising portion 5a toward the lead 3, and a horizontal portion. 5b extending from the end of the lead 5b to the stitch bond point H1 of the lead 3. Since the loop wire 5 has a bending point J at the connecting portion between the horizontal portion 5b and the inclined descending portion 5c, even if the loop length L2 exceeds 3 mm, the loop wire 5 is unlikely to be deformed. Conceivable.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
素子1のパッド1aとリード3とを台形ループ状のルー
プワイヤ5で接続することは考えられても、ワイヤボン
ディングにあたり、キャピラリー10等を使用して、こ
のループワイヤ5をどのようにして形成すればよいかは
明らかでないという課題があった。また、ループワイヤ
5の形成の仕方しだいでは、適正なループワイヤ5が形
成できないという課題もあった。However, although it is conceivable to connect the pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 with the trapezoidal loop wire 5, the wire bonding uses the capillary 10 or the like. However, it is not clear how to form the loop wire 5. There is also a problem that an appropriate loop wire 5 cannot be formed depending on how the loop wire 5 is formed.
【0012】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたもので、半導体素子のパッドとリードと
を台形ループ状の金属細線で適正に接続できるワイヤボ
ンディング方法、およびこのワイヤボンディング方法で
ワイヤボンディングされた高品質な半導体装置を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a wire bonding method and a wire bonding method capable of properly connecting a pad and a lead of a semiconductor element with a trapezoidal loop-shaped thin metal wire. It is an object of the present invention to provide a high-quality semiconductor device which is wire-bonded by the method described above.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1の発
明に係るワイヤボンディング方法は、キャピラリーの第
1回目の垂直上昇量に対する水平移動量の逆正接をθ1
(単位度)、キャピラリーの第2回目の垂直上昇量に対
する水平移動量の逆正接をθ2(単位度)、キャピラリ
ー先端の第1回目の水平移動後の点からこのキャピラリ
ー先端の第2回目の水平移動後の点までの距離をR2、
パッドへのボンディング点から台形ループ状の金属細線
のリード側への傾斜下降開始点までの水平距離をL1、
パッドへのボンディング点からリードへのボンディング
点までの水平距離をL2、台形ループ状の金属細線の立
上部の高さをh1、パッドとリードとの表面間の段差距
離をh2とした場合に、K=(h1+h2)/(L2−L
1) とすれば、0.5≦L2≦12(単位mm)の条件
下、5≦θ1≦50、tan−1K≦θ2≦(7/2)
×tan−1K、θ2≦60、(2/15)×L2≦R
2≦(8/15)×L2、となる条件を満たすようにキ
ャピラリーを移動させることである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a wire bonding method, wherein an arc tangent of a horizontal movement amount with respect to a first vertical rise amount of a capillary is θ1.
(Unit degree), the arc tangent of the horizontal movement amount to the second vertical rise amount of the capillary is θ2 (unit degree), and the second horizontal movement of the capillary tip from the point after the first horizontal movement of the capillary tip The distance to the point after the movement is R2,
Let L1 be the horizontal distance from the bonding point to the pad to the starting point of the inclination of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire toward the lead.
When the horizontal distance from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead is L2, the height of the rising portion of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire is h1, and the step distance between the surface of the pad and the lead is h2, K = (h1 + h2) / (L2-L
1) Assuming that 0.5 ≦ L2 ≦ 12 (unit mm), 5 ≦ θ1 ≦ 50, tan −1 K ≦ θ2 ≦ (7/2)
× tan −1 K, θ2 ≦ 60, (2/15) × L2 ≦ R
To move the capillary so as to satisfy the condition of 2 ≦ (8/15) × L2.
【0014】この発明の請求項2の発明に係る半導体装
置は、半導体素子のパッドからの立上部と、この立上部
からのリード側への水平部と、この水平部からのリード
上への傾斜下降部とを有した台形ループ状の金属細線
で、半導体素子のパッドとリードとが接続されている半
導体装置において、パッドへのボンディング点から台形
ループ状の金属細線のリード側への傾斜下降開始点まで
の水平距離をL1、パッドへのボンディング点からリー
ドへのボンディング点までの水平距離をL2、台形ルー
プ状の金属細線の立上部の高さをh1、パッドとリード
との表面間の段差距離をh2、台形ループ状の金属細線
の水平部と傾斜下降部とのなす角のうち半導体素子側の
角度をα(単位度)とした場合に、K=(h1+h2)/
(L2−L1) とすれば、(2/15)×L2≦L1≦
(8/15)×L2、0.5≦L2≦12(単位m
m)、180−(7/2) ×tan−1K≦α≦180−
tan−1K 、120≦α≦180、の条件を満たす
ように台形ループ状の金属細線が形成されていることで
ある。According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a rising portion of a semiconductor element from a pad; a horizontal portion from the rising portion to a lead side; and a slope from the horizontal portion to a lead. In a semiconductor device in which a pad and a lead of a semiconductor element are connected by a trapezoidal loop-shaped thin metal wire having a descending portion, the slope of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire starts to descend from the bonding point to the pad toward the lead side. L1 is the horizontal distance to the point, L2 is the horizontal distance from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead, h1 is the height of the rising portion of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire, and the step between the surface of the pad and the lead. When the distance is h2 and the angle on the semiconductor element side is α (unit degree) among the angles formed by the horizontal portion and the inclined descending portion of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire, K = (h1 + h2) /
If (L2−L1), then (2/15) × L2 ≦ L1 ≦
(8/15) × L2, 0.5 ≦ L2 ≦ 12 (unit: m
m), 180− (7/2) × tan −1 K ≦ α ≦ 180−
A trapezoidal loop-shaped thin metal wire is formed so as to satisfy the conditions of tan −1 K and 120 ≦ α ≦ 180.
【0015】この発明の請求項3の発明に係るワイヤボ
ンディング方法は、キャピラリーの先端から繰り出され
た金属細線の一端を半導体素子のパッドにボンディング
した後、このキャピラリーから金属細線を繰り出させつ
つ、このキャピラリーの垂直上昇とリードとは逆側への
水平移動とを2回繰り返して行なった後、さらに、この
キャピラリーの所定高さまでの垂直上昇を行ない、つぎ
に、このキャピラリーと金属細線との相対移動を無くし
た状態で、このキャピラリーを所定量リード側に水平移
動させた後、このキャピラリーをリード側に円弧状に移
動させ、金属細線の他端側をリード上にボンディングし
て、半導体素子のパッドとリードとを、このパッドから
の立上部と、この立上部からのリード側への水平部と、
この水平部からのリード上への傾斜下降部とを有した台
形ループ状の金属細線で接続するワイヤボンディング方
法であって、キャピラリーの金属細線を繰り出す軸線方
向と、このキャピラリーの水平移動時の移動方向とのな
す角度が鈍角の場合は、金属細線を繰り出しつつ移動す
るキャピラリーの移動量を設定値より増加させ、角度が
鋭角の場合は、金属細線を繰り出しつつ移動するキャピ
ラリーの移動量を設定値より減少させることである。According to a third aspect of the present invention, in the wire bonding method, after bonding one end of the fine metal wire drawn out from the tip of the capillary to the pad of the semiconductor element, the thin metal wire is drawn out from the capillary. After performing the vertical ascending of the capillary and the horizontal movement to the opposite side of the lead twice, the vertical ascending of the capillary is further performed to a predetermined height, and then the relative movement between the capillary and the fine metal wire. After the capillary is horizontally moved by a predetermined amount to the lead side in a state where the wire is removed, the capillary is moved in an arc shape to the lead side, and the other end side of the fine metal wire is bonded to the lead, and the pad of the semiconductor element is And a lead, a rising portion from the pad, a horizontal portion from the rising portion to the lead side,
A wire bonding method for connecting with a trapezoidal loop-shaped thin metal wire having an inclined descending portion from a horizontal portion onto a lead, wherein an axial direction in which the thin metal wire of the capillary is fed out, and movement of the capillary during horizontal movement If the angle with the direction is obtuse, the amount of movement of the capillary moving while feeding out the thin metal wire is increased from the set value.If the angle is acute, the amount of movement of the capillary moving while feeding out the thin metal wire is the set value. It is to reduce more.
【0016】この発明の請求項4の発明に係るワイヤボ
ンディング方法は、キャピラリーの先端から繰り出され
た金属細線の一端を半導体素子のパッドにボンディング
した後、このキャピラリーから金属細線を繰り出させつ
つ、このキャピラリーの垂直上昇とリードとは逆側への
水平移動とを2回繰り返して行なった後、さらに、この
キャピラリーの所定高さまでの垂直上昇を行ない、つぎ
に、このキャピラリーと金属細線との相対移動を無くし
た状態で、このキャピラリーを所定量リード側に水平移
動させた後、このキャピラリーをリード側に円弧状に移
動させ、金属細線の他端側をリード上にボンディングし
て、半導体素子のパッドとリードとを、このパッドから
の立上部と、この立上部からのリード側への水平部と、
この水平部からのリード上への傾斜下降部とを有した台
形ループ状の金属細線で接続するワイヤボンディング方
法であって、キャピラリーを移動させるボンディングヘ
ッドの半導体素子側への水平移動方向と、平面上におけ
るこの半導体素子のパッドとリードとを結ぶ線とのなす
ループ角をψ(単位ラジアン)、パッドへのボンディン
グ点からリードへのボンディング点までの台形ループ状
の金属細線の水平距離をL2(単位mm)、パッドとリ
ードとの間を台形ループ状の金属細線により接続するた
めに設定された、キャピラリーからの金属細線の繰出量
をP1、比例定数をNとした場合に、P2={N×(L
2−3)×(ψ−π/2)+1}×P1、にて算出され
た金属細線の補正後の繰出量P2だけ、金属細線を繰り
出すよう、この金属細線繰り出し時のキャピラリーの移
動量を定めることである。In the wire bonding method according to a fourth aspect of the present invention, after bonding one end of a fine metal wire drawn from a tip of a capillary to a pad of a semiconductor element, the wire is fed from the capillary while the fine metal wire is fed out. After performing the vertical ascending of the capillary and the horizontal movement to the opposite side of the lead twice, the vertical ascending of the capillary is further performed to a predetermined height, and then the relative movement between the capillary and the fine metal wire. After the capillary is horizontally moved by a predetermined amount to the lead side in a state where the wire is removed, the capillary is moved in an arc shape to the lead side, and the other end side of the fine metal wire is bonded to the lead, and the pad of the semiconductor element is And a lead, a rising portion from the pad, a horizontal portion from the rising portion to the lead side,
A wire bonding method for connecting with a trapezoidal loop-shaped thin metal wire having an inclined descending portion from a horizontal portion onto a lead, comprising: a horizontal moving direction of a bonding head for moving a capillary toward a semiconductor element side; The loop angle between the line connecting the pad and the lead of the semiconductor element above is ψ (unit radian), and the horizontal distance of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead is L2 ( P2 = {N where P1 is the amount of metal wire drawn out of the capillary and N is the proportionality constant, which is set to connect the pad and the lead with the trapezoidal loop-shaped metal wire. × (L
The moving amount of the capillary at the time of feeding out the thin metal wire is adjusted so that the thin metal wire is fed out by the corrected feeding amount P2 calculated by (2-3) × (ψ−π / 2) +1} × P1. It is to determine.
【0017】[0017]
【作用】この発明の請求項1の発明では、金属細線を繰
り出しつつ移動するキャピラリーの移動状態を、θ1、
θ2、R2といった変数で分析し、台形ループ状の金属
細線を適正に形成できるよう、θ1、θ2、R2の範囲
を定めているので、さらに、確実に、半導体素子のパッ
ドとリード間を適正な台形ループ状の金属細線で接続で
きる。According to the first aspect of the present invention, the moving state of the capillary moving while feeding out the thin metal wire is represented by θ1,
Analysis is performed using variables such as θ2 and R2, and the ranges of θ1, θ2, and R2 are determined so that a trapezoidal loop-shaped thin metal wire can be appropriately formed. It can be connected with a trapezoidal loop-shaped thin metal wire.
【0018】この発明の請求項2の発明では、半導体素
子のパッドとリードとを接続する台形ループ状の金属細
線を、請求項1の発明に係るワイヤボンディング方法で
形成しているため、パッドとリード間に適正な台形ルー
プ状の金属細線が形成でき、高品質な半導体装置が形成
される。According to the second aspect of the present invention, the trapezoidal loop-shaped thin metal wires for connecting the pads and the leads of the semiconductor element are formed by the wire bonding method according to the first aspect of the present invention. An appropriate trapezoidal loop-shaped thin metal wire can be formed between the leads, and a high-quality semiconductor device can be formed.
【0019】この発明の請求項3の発明では、請求項1
の発明の場合において、キャピラリーの軸線方向とキャ
ピラリーの水平移動時の移動方向とがなす角度の大小に
よって、金属細線を繰り出しつつ移動するキャピラリー
の移動量を増減しているため、キャピラリーと金属細線
間の繰り出し抵抗の大小にかかわらず、キャピラリーか
ら必要量だけの金属細線が繰り出される。したがって、
半導体素子のパッドとリード間をループ高さのそろった
台形ループ状の金属細線で接続できることとなる。According to a third aspect of the present invention, a first aspect is provided.
In the case of the invention, the amount of movement of the capillary moving while feeding out the thin metal wire is increased or decreased by the magnitude of the angle between the axial direction of the capillary and the direction of the horizontal movement of the capillary. Regardless of the magnitude of the dispensing resistance, the required amount of fine metal wire is dispensed from the capillary. Therefore,
A pad and a lead of the semiconductor element can be connected by a trapezoidal loop-shaped thin metal wire having a uniform loop height.
【0020】この発明の請求項4の発明では、請求項3
の発明の場合において、キャピラリーと金属細線間の繰
り出し抵抗の大小に関する、半導体素子のパッドとリー
ドとの位置関係をL2、ψといった変数で細かく分析
し、これら変数に基づき、金属細線を繰り出しつつ移動
するキャピラリーの移動量等を定めている。このため、
さらに、精度よく、キャピラリーから必要量だけの金属
細線を繰り出させることができるようになる。したがっ
て、半導体素子のパッドとリード間をさらに精度よくル
ープ高さのそろった台形ループ状の金属細線で接続でき
ることとなる。According to the fourth aspect of the present invention, the third aspect is provided.
In the case of the invention, the positional relationship between the pad and the lead of the semiconductor element with respect to the magnitude of the extension resistance between the capillary and the fine metal wire is finely analyzed by using variables such as L2 and 、, and the metal wire is moved while being extended based on these variables. The amount of capillary movement to be performed is determined. For this reason,
Further, it becomes possible to precisely feed out a necessary amount of the fine metal wire from the capillary. Therefore, it is possible to more accurately connect the pad and the lead of the semiconductor element with a trapezoidal loop-shaped thin metal wire having a uniform loop height.
【0021】[0021]
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例1. 図1はこの発明の一実施例に係るワイヤボンディング方
法の説明図である。なお、図10および図12で示した
半導体装置およびワイヤボンディング方法を示す部分と
同一または相当部分には同一符号を付しその説明を省略
する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is an explanatory diagram of a wire bonding method according to one embodiment of the present invention. The same or corresponding portions as those of the semiconductor device and the wire bonding method shown in FIGS. 10 and 12 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【0022】まず、ワイヤボンディングの終了した半導
体装置について説明する。ダイパッド2上にマウントさ
れた半導体素子1の各パッド1aと、このパッド1aに
対応したリード3とが、台形ループ状をしたループワイ
ヤ5によりそれぞれ接続されている。このループワイヤ
5は、その一端がパッド1aのパッド中心A2にボール
ボンドされ、その他端がリード3のステッチボンド点H
2にステッチボンドされている。そして、ループワイヤ
5は、パッド中心A2から上方に立ち上がる立上部5a
と、立上部5aの上端からリード3側に水平に延びる水
平部5bと、水平部5bの端部からリード3のステッチ
ボンド点H2まで下向きに傾斜して延びる傾斜下降部5
cとから構成され、各部にワイヤの垂れや不要な曲りの
ない適正な形状に形成されている。First, a description will be given of a semiconductor device on which wire bonding has been completed. Each pad 1a of the semiconductor element 1 mounted on the die pad 2 is connected to a lead 3 corresponding to the pad 1a by a loop wire 5 having a trapezoidal loop shape. One end of the loop wire 5 is ball-bonded to the pad center A2 of the pad 1a, and the other end is a stitch bond point H of the lead 3.
2 is stitch-bonded. The loop wire 5 rises upward from the pad center A2 and rises 5a.
A horizontal portion 5b extending horizontally from the upper end of the rising portion 5a toward the lead 3; and an inclined descending portion 5 extending downward from the end of the horizontal portion 5b to the stitch bond point H2 of the lead 3.
c, and each part is formed in an appropriate shape without dripping of the wire and unnecessary bending.
【0023】つぎに、半導体素子1のパッド1aとリー
ド3との間を上記のようなループワイヤ5で接続するた
めの、ワイヤボンディング方法について以下説明する。Next, a wire bonding method for connecting the pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 with the loop wire 5 as described above will be described.
【0024】キャピラリー10の先端から垂れる金属細
線Wの一端にボール部を形成した状態で、このキャピラ
リー10の先端を半導体素子1のパッド1aまで下降さ
せる。そして、金属細線Wのボール部をパッド1aのパ
ッド中心A2に押し付け、超音波熱圧着法により、この
ボール部をパッド1aにボンディング(ボールボンド)
する。つぎに、キャピラリー10の先端から金属細線W
を繰り出させつつ、キャピラリー10の先端をパッド中
心A2から上方のB2点まで所定距離垂直上昇させた
後、これをリード3の逆側のC2点まで所定距離水平移
動させる。さらに、キャピラリー10の先端から金属細
線Wを繰り出させつつ、キャピラリー10の先端をC2
点から上方のD2点まで所定距離垂直上昇させた後、こ
れをリード3の逆側のE2点まで所定距離水平移動させ
る。その後、さらにキャピラリー10の先端から金属細
線Wを繰り出させつつ、キャピラリー10の先端をE2
点から所定高さのF2点まで垂直上昇させる。With the ball portion formed at one end of the thin metal wire W hanging from the tip of the capillary 10, the tip of the capillary 10 is lowered to the pad 1a of the semiconductor element 1. Then, the ball portion of the thin metal wire W is pressed against the pad center A2 of the pad 1a, and the ball portion is bonded to the pad 1a by ultrasonic thermocompression bonding (ball bonding).
I do. Next, from the tip of the capillary 10, a fine metal wire W
Is raised vertically from the pad center A2 to a point B2 above by a predetermined distance, and then horizontally moved to a point C2 on the opposite side of the lead 3 by a predetermined distance. Further, while feeding out the fine metal wire W from the tip of the capillary 10, the tip of the capillary 10 is moved to C2.
After vertically rising from the point to a point D2 above by a predetermined distance, this is horizontally moved to a point E2 on the opposite side of the lead 3 by a predetermined distance. Thereafter, the tip of the capillary 10 is moved to E2 while the fine metal wire W is further extended from the tip of the capillary 10.
From the point to the F2 point at a predetermined height.
【0025】つづいて、金属細線Wをクランプし、キャ
ピラリー10と金属細線Wとの相対移動を無くした状態
で、キャピラリー10の先端をF2点からほぼパッド中
心A2上方のG2点まで水平移動した後、これを、この
G2点からリード3のステッチボンド点H2まで円弧状
に下降させる。そして、金属細線Wの他端側をリード3
上のステッチボンド点H2上にステッチボンドすると、
半導体素子1のパッド1aとリード3とがループワイヤ
5により接続されたことになる。Subsequently, the distal end of the capillary 10 is horizontally moved from the point F2 to the point G2 substantially above the pad center A2 in a state where the thin metal wire W is clamped and the relative movement between the capillary 10 and the thin metal wire W is eliminated. This is lowered in an arc from the point G2 to the stitch bond point H2 of the lead 3. Then, the other end of the thin metal wire W is connected to a lead 3.
When stitch bonding on the upper stitch bond point H2,
The pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 are connected by the loop wire 5.
【0026】ここで、キャピラリー10の先端がパッド
中心A2からB2点、C2点まで移動したときに、金属
細線Wはパッド中心A2から斜状にC2点まで延びる。
そして、キャピラリー10の先端がC2点からD2点側
に移動するときに、金属細線WはC2点でくせが付けら
れ、金属細線WのC2点より上方側はリード3側に屈曲
される。また、キャピラリー10の先端がC2点からD
2点、E2点まで移動したときに、金属細線WはC2点
から斜状にE2点まで延びる。そして、キャピラリー1
0の先端がE2点からF2点側に移動するときに、金属
細線WはE2点でくせが付けられ、金属細線WのE2点
より上方側はリード3側に屈曲される。したがって、キ
ャピラリー10の先端がF2点にある状態では、パッド
中心A2から延びた金属細線Wは、C2点、E2点を通
ってF2点に達するような形状になっている。Here, when the tip of the capillary 10 moves from the pad center A2 to the points B2 and C2, the thin metal wire W extends obliquely from the pad center A2 to the point C2.
Then, when the tip of the capillary 10 moves from the point C2 to the point D2, the thin metal wire W is formed at the point C2, and the upper side of the thin metal wire W above the point C2 is bent toward the lead 3. In addition, the tip of the capillary 10 is moved from point C2 to point D.
When the metal wire W moves to the two points E2, the thin metal wire W extends obliquely from the point C2 to the point E2. And Capillary 1
When the leading end of 0 moves from the point E2 to the point F2, the thin metal wire W is given a habit at the point E2, and the upper side of the thin metal wire W above the point E2 is bent toward the lead 3. Accordingly, when the tip of the capillary 10 is at the point F2, the thin metal wire W extending from the pad center A2 has a shape that reaches the point F2 through the points C2 and E2.
【0027】この場合、パッド中心A2からB2点まで
の長さをA2B2、B2点からC2点までの長さをB2
C2、C2点からD2点までの長さをC2D2、D2点
からE2点までの長さをD2E2とし、 tan−1(B2C2/A2B2)=θ1、 tan−1(E2D2/C2D2)=θ2、 (A2B2)2+(B2C2)2=(R1)2 、 (C2D2)2+(D2E2)2=(R2)2 、 とすると、第1リバース角度θ1はパッド中心A1近傍
の金属細線Wに働く張力を規定し、第2リバース角度θ
2はC2点とE2点間の金属細線Wに働く張力を規定す
る。また、第1リバース長さR1は半導体素子1のパッ
ド1a上面からループワイヤ5の水平部5bまでの高さ
(以下ループ高さという)h1を規定し、第2リバース
長さR2はループワイヤ5の水平部5bの長さ、すなわ
ちパッド中心A2から屈曲点Jまでの水平長さL1を規
定する。In this case, the length from the pad center A2 to the point B2 is A2B2, and the length from the point B2 to the point C2 is B2.
C2, the length from the C2 point to the D2 point is C2D2, the length from the D2 point to the E2 point is D2E2, and tan −1 (B2C2 / A2B2) = θ1, tan −1 (E2D2 / C2D2) = θ2, ( A2B2) 2+ (B2C2) 2 = (R1) 2, (C2D2) 2+ (D2E2) 2 = (R2) 2, the first reverse angle θ1 defines the tension acting on the thin metal wire W near the pad center A1. , The second reverse angle θ
2 specifies the tension acting on the thin metal wire W between the points C2 and E2. The first reverse length R1 defines the height (hereinafter referred to as loop height) h1 from the upper surface of the pad 1a of the semiconductor element 1 to the horizontal portion 5b of the loop wire 5, and the second reverse length R2 defines the loop wire 5 , That is, the horizontal length L1 from the pad center A2 to the bending point J.
【0028】そして、第1リバース角度θ1、第2リバ
ース角度θ2、第2リバース長さR2が所定の範囲にあ
れば、金属細線Wの繰り出しを停止した状態で、キャピ
ラリー10の先端をF2点、G2点、H2点と移動させ
ることにより、金属細線W中の張力が釣り合い、半導体
素子1とリード3間に、図1で示されるような適正なル
ープワイヤ5が形成される。この場合、E2点とF2点
間の金属細線Wはループワイヤ5の傾斜下降部5cに相
当し、第2リバース長さR2は水平長さL1にほぼ相当
する。また、第1リバース角度θ1はA2点とC2点間
の金属細線Wがループワイヤ5の立上部5aとなること
により、ほぼ0となり、∠C2E2D2、すなわち90
−θ2は∠H2JKまで拡大される。If the first reverse angle θ1, the second reverse angle θ2, and the second reverse length R2 are within predetermined ranges, the tip of the capillary 10 is moved to the point F2 while the feeding of the thin metal wire W is stopped. By moving the point G2 and the point H2, the tension in the thin metal wire W is balanced, and an appropriate loop wire 5 as shown in FIG. 1 is formed between the semiconductor element 1 and the lead 3. In this case, the thin metal wire W between the points E2 and F2 corresponds to the inclined descending portion 5c of the loop wire 5, and the second reverse length R2 substantially corresponds to the horizontal length L1. Further, the first reverse angle θ1 becomes substantially zero because the thin metal wire W between the point A2 and the point C2 becomes the rising portion 5a of the loop wire 5, and the first reverse angle θ1 becomes 90 ° C2E2D2, that is, 90 °.
−θ2 is expanded to ΔH2JK.
【0029】つぎに、適正なループワイヤ5を形成する
ための、第1および第2リバース角度θ1,θ2、第2
リバース長さR2の最適範囲について図2乃至図4を参
照しつつ説明する。図2はパッド中心A2からステッチ
ボンド点H2までの水平長さ(以下ループ長さという)
L2に対する、第2リバース長さR2の最適範囲を斜線
部で示すグラフ、図3はループ長さL2に対する第2リ
バース角度θ2の最適範囲を斜線部で示すグラフ、図4
は第2リバース長さR2、第2リバース角度θ2が不適
当な範囲にある場合のループワイヤ5の形状を示す図で
ある。Next, the first and second reverse angles θ1, θ2, and the second
The optimum range of the reverse length R2 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows the horizontal length from the pad center A2 to the stitch bond point H2 (hereinafter referred to as loop length).
4 is a graph showing an optimum range of the second reverse length R2 with respect to the loop length L2 by a hatched portion. FIG. 3 is a graph showing an optimum range of the second reverse angle θ2 with respect to the loop length L2 by a hatched portion.
FIG. 5 is a view showing a shape of the loop wire 5 when the second reverse length R2 and the second reverse angle θ2 are in inappropriate ranges.
【0030】第2リバース長さR2の実験で求められた
最適範囲は、ループ長さL2が、0.5≦L2≦12
(単位mm)の範囲にある場合、図2で示されるよう
に、 (2/15)×L2≦R2≦(8/15)×L2・・・・・・(1)で 定められる。例えば、R2>(8/15)×L2では、
図4の(a)で示されるように、第2リバース長さR2
が過大となって、ループワイヤ5の立上部5a周りにリ
バース時の加工ぐせが残った状態となる。また、R2<
(2/15)×L2では、図4の(b)で示されるよう
に、第2リバース長さR2が過小となって、ループワイ
ヤ5の傾斜下降部5cが長くなり、この傾斜下降部5c
が下方に垂れた状態となる。The optimum range obtained in the experiment of the second reverse length R2 is that the loop length L2 is 0.5 ≦ L2 ≦ 12.
In the case of (unit mm), as shown in FIG. 2, it is determined by (2/15) × L2 ≦ R2 ≦ (8/15) × L2 (1). For example, if R2> (8/15) × L2,
As shown in FIG. 4A, the second reverse length R2
Is excessively large, and a state is left around the rising portion 5a of the loop wire 5 at the time of reverse processing. Also, R2 <
In (2/15) × L2, as shown in FIG. 4B, the second reverse length R2 becomes too small, and the inclined descending portion 5c of the loop wire 5 becomes longer, and the inclined descending portion 5c
Is hung downward.
【0031】さらに、半導体素子1とリード3との上面
間の段差距離をh2とし、K=(h1+h2)/(L2
−L1)とすると、第2リバース角度θ2(単位度)の
実験で求められた最適範囲は、 tan−1K≦θ2≦(7/2)×tan−1K・・・・・・・・・(2) θ2≦60 ・・・・・・・・・(3) で示される。ここで、ループ高さh1=0.2mm、段
差距離h2=0.4mmとした場合、L1の最小値はL
1≒R2=(2/15)×L2、L1の最大値はL1≒
R2=(8/15)×L2であるから、式(2)は、 tan−1{ 9/(13×L2 )}≦θ2 ≦ (7/2)×tan
−1 { 9/(7×L2)}・(4)のように書き換えられ、こ
れが図3に示されている。例えばθ2> (7/2)×tan
−1 { 9/(7 ×L2)}では、図4の(c)で示される
ように、ループワイヤ5の水平部5bにへこみが生じて
しまい、θ2< tan−1{ 9/(13×L2 )}では、図
4の(d)で示されるように、ループワイヤ5の水平部
5bがリード3側に傾斜してしまい、水平状態を保てな
くなって、3角ループ状となる。Further, the step distance between the upper surfaces of the semiconductor element 1 and the lead 3 is defined as h2, and K = (h1 + h2) / (L2
−L1), the optimal range obtained in the experiment for the second reverse angle θ2 (unit degree) is tan −1 K ≦ θ2 ≦ (7/2) × tan −1 K... · (2) θ2 ≦ 60 (3) Here, when the loop height h1 = 0.2 mm and the step distance h2 = 0.4 mm, the minimum value of L1 is L
1 {R2 = (2/15) × L2, the maximum value of L1 is L1}
Since R2 = (8/15) × L2, the equation (2) can be expressed as follows: tan −1 {9 / (13 × L2)} ≦ θ2 ≦ (7/2) × tan
−1 {9 / (7 × L2)} · (4), which is shown in FIG. For example, θ2> (7/2) × tan
In the case of −1 {9 / (7 × L2)}, as shown in FIG. 4C, a dent occurs in the horizontal portion 5b of the loop wire 5 and θ2 <tan −1 {9 / (13 × In L2), as shown in FIG. 4D, the horizontal portion 5b of the loop wire 5 is inclined toward the lead 3, so that the horizontal state cannot be maintained and the loop wire 5 has a triangular loop shape.
【0032】さらに、第1リバース角度θ1はキャピラ
リー10が円弧状に移動している場合に、金属細線Wの
各部の張力を釣り合わせるために、ループ長さL2に応
じて小さく設定する必要がある。そして、第1リバース
角度θ1(単位度)の実験で求められた最適範囲は、 5≦θ1≦50 ・・・・・・・・・・(5) である。Further, the first reverse angle θ1 needs to be set small according to the loop length L2 in order to balance the tension of each part of the thin metal wire W when the capillary 10 is moving in an arc shape. . The optimum range obtained by the experiment of the first reverse angle θ1 (unit degree) is as follows: 5 ≦ θ1 ≦ 50 (5)
【0033】以上のように、ループ長さL2が0.5≦
L2≦12(単位mm)の範囲において、式(1)、
(2)、(3)および(5)を満たすように、金属細線
Wを繰り出しつつ、パッド中心A2からキャピラリー1
0の先端の垂直上昇とリード3とは逆側への水平移動と
を2回繰り返した後、このキャピラリー10の先端を所
定距離垂直上昇させ、つぎにキャピラリー10と金属細
線Wとの相対移動を無くした状態で、キャピラリー10
の先端をリード3側へ所定距離水平移動した後、これを
円弧状にリード3上へ下降させれば、半導体素子1のパ
ッド1aとリード3とを、適正な立上部5aと、適正な
水平部5bと、適正な傾斜下降部5cを有した適正なル
ープワイヤ5で接続できる。As described above, when the loop length L2 is 0.5 ≦
In the range of L2 ≦ 12 (unit: mm), equation (1)
(2), (3) and (5), while feeding out the thin metal wire W, the capillary 1 is moved from the pad center A2.
The vertical movement of the leading end of the capillary 10 and the horizontal movement of the lead 3 to the opposite side are repeated twice, and then the leading end of the capillary 10 is vertically moved up by a predetermined distance, and then the relative movement between the capillary 10 and the thin metal wire W is performed. Capillary 10
Is moved horizontally to the lead 3 side by a predetermined distance, and is then moved down in an arc shape onto the lead 3, so that the pad 1a and the lead 3 of the semiconductor element 1 are connected to the proper rising portion 5a and the proper horizontal position. The connection can be made with an appropriate loop wire 5 having an appropriate inclined descending portion 5c.
【0034】実施例2. この実施例2に係る半導体装置を図1を参照しつつ説明
する。実施例1で説明したワイヤボンディング方法によ
って半導体素子1のパッド1aとリード3間にループワ
イヤ5を形成した場合、ループワイヤ5の形状は以下の
条件を満たしている。Embodiment 2 FIG. A semiconductor device according to the second embodiment will be described with reference to FIG. When the loop wire 5 is formed between the pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 by the wire bonding method described in the first embodiment, the shape of the loop wire 5 satisfies the following conditions.
【0035】まず、パッド中心A2から屈曲点Jまでの
ループワイヤ5の水平長さL1は第2リバース長さR2
とほぼ等しいため、式(1)から水平長さL1の満たす
条件は、ループ長さL2が、0.5≦L2≦12(単位
mm)の範囲にある場合、 (2/15)×L2≦L1≦(8/15)×L2 ・・・・(6) となる。First, the horizontal length L1 of the loop wire 5 from the pad center A2 to the bending point J is equal to the second reverse length R2.
From the equation (1), the condition that the horizontal length L1 satisfies is that when the loop length L2 is in the range of 0.5 ≦ L2 ≦ 12 (unit mm), (2/15) × L2 ≦ L1 ≦ (8/15) × L2 (6)
【0036】また、ループワイヤ5の水平部5bと傾斜
下降部5cとがなす半導体素子1側の角度αは∠F2E
2C2、すなわち(180度−θ2)とほぼ等しいた
め、式(2)から角度α(単位度)の満たす条件は、 180−(7/2) ×tan−1K≦α≦180−tan−1K・・・・(7) となり、かつ、式(3)から、 120≦α≦180 ・・・・・・・・・・(8) となる。The angle α on the side of the semiconductor element 1 formed by the horizontal portion 5b and the inclined descending portion 5c of the loop wire 5 is ΔF2E
Since 2C2, that is, approximately equal to (180 degrees−θ2), the condition that the angle α (unit degree) satisfies from the equation (2) is 180− (7/2) × tan −1 K ≦ α ≦ 180−tan −1 K (7) and from equation (3), 120 ≦ α ≦ 180 (8)
【0037】なお、ループワイヤ5のループ高さh1
は、(5)式および金属細線Wの径、加熱硬化等から1
00≦h1≦300(単位μm )である。The loop height h1 of the loop wire 5
Is 1 from the formula (5), the diameter of the thin metal wire W, and heat curing.
00 ≦ h1 ≦ 300 (unit μm).
【0038】したがって、実施例1で説明したワイヤボ
ンディング方法によって形成された半導体装置のループ
ワイヤ5は、式(6)、(7)、(8)を満たすもので
ある。Therefore, the loop wire 5 of the semiconductor device formed by the wire bonding method described in the first embodiment satisfies the equations (6), (7) and (8).
【0039】実施例3. この実施例3のワイヤボンディング方法は実施例1,2
で説明したワイヤボンディング方法の改良に関するもの
であり、実施例1,2のワイヤボンディング方法の説明
において使用した符号や記号は本実施例3においてもそ
のまま使用する。Embodiment 3 FIG. The wire bonding method of the third embodiment is the same as that of the first and second embodiments.
The reference numerals and symbols used in the description of the wire bonding methods of the first and second embodiments are used as they are in the third embodiment.
【0040】また、この実施例3のワイヤボンディング
方法は、半導体素子1のパッド1aとリード3とを台形
ループ状のループワイヤ5で接続する場合に生じる固有
の問題を明らかにすることにより、その内容が明確化さ
れる。したがって、まず固有の問題点について図7乃至
図9を参照しつつ説明する。The wire bonding method according to the third embodiment clarifies an inherent problem that arises when the pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 are connected by a trapezoidal loop-shaped loop wire 5. The content is clarified. Therefore, the inherent problem will be described first with reference to FIGS.
【0041】図7はワイヤボンディングにおいて台形ル
ープ状のループワイヤを形成するためのキャピラリー先
端の移動ルートを示す図、図8はワイヤボンディング時
における半導体素子周りの平面図である。FIG. 7 is a diagram showing a movement route of the tip of a capillary for forming a trapezoidal loop wire in wire bonding, and FIG. 8 is a plan view around a semiconductor element during wire bonding.
【0042】図において、11は先端部にキャピラリー
10がほぼ90度の角をなすように取り付けられ、この
キャピラリー10を図8の矢印Aで示される左右方向、
矢印Bで示される前後方向、および図7の矢印Cで示さ
れる上下方向に移動させるボンディングヘッドとしての
USホーンである。このUSホーン11は例えば半導体
素子1より後方の半導体素子1の0度側に前後方向Bに
向くように配置され、図7で示されるように、先端側が
上向きに位置した傾斜状態で配置されている。したがっ
て、キャピラリー10は下端(先端)側が前方Ba側を
向くよう傾斜された状態となっている。In the figure, reference numeral 11 denotes a capillary which is attached to the tip so as to form an angle of approximately 90 degrees, and this capillary 10 is moved in the left-right direction shown by an arrow A in FIG.
This is a US horn as a bonding head that moves in the front-back direction indicated by an arrow B and the up-down direction indicated by an arrow C in FIG. The US horn 11 is disposed, for example, on the 0 degree side of the semiconductor element 1 behind the semiconductor element 1 so as to face the front-rear direction B, and is disposed in an inclined state with the tip side upward as shown in FIG. I have. Therefore, the capillary 10 is in a state of being inclined such that the lower end (front end) side faces the front Ba side.
【0043】ψは半導体素子1のパッド1aとリード3
間を接続するループワイヤ5の平面上の方向と、USホ
ーン11が半導体素子1側に水平移動する方向mとのな
す角度のうち、リード3側に向いたUSホーン11側の
角度(以下ループ角度という)である。この場合、半導
体素子1周りに配置されるリード3の位置によって、ル
ープ角度ψは0から180度の間の種々の値をとる。例
えば、半導体素子1のパッド1aがリード3より前方側
にあれば、ループ角度ψは90度より小さい鋭角(以下
この状態のループ角度ψをψ1で示す)となり、半導体
素子1のパッド1aがリード3より後方側にあれば、ル
ープ角度ψは90度より大きい鈍角(以下この状態のル
ープ角度ψをψ2で示す)となる。Represents a pad 1a and a lead 3 of the semiconductor device 1.
Of the angles formed by the direction on the plane of the loop wire 5 connecting between them and the direction m in which the US horn 11 moves horizontally toward the semiconductor element 1, the angle on the US horn 11 side toward the lead 3 (hereinafter referred to as loop) Angle). In this case, the loop angle ψ takes various values between 0 and 180 degrees depending on the position of the lead 3 arranged around the semiconductor element 1. For example, if the pad 1a of the semiconductor element 1 is on the front side of the lead 3, the loop angle ψ becomes an acute angle smaller than 90 degrees (hereinafter, the loop angle の in this state is indicated by ψ1), and the pad 1a of the semiconductor element 1 On the rear side of 3, the loop angle ψ becomes an obtuse angle larger than 90 degrees (hereinafter, the loop angle の in this state is indicated by ψ2).
【0044】Q1はループ角度ψが鋭角となるψ1の状
態にリード3が配置されている場合に、半導体素子1の
パッド1aとリード3間を台形ループ状のループワイヤ
5で接続するために、キャピラリー10の先端が、金属
細線Wを繰り出しつつ移動する設定移動ルートを示す。
この設定移動ルートQ1は、図7で示されるように、パ
ッド中心A10からB10点までの垂直上昇と、B10
点からリード3と逆側のC10点までの水平移動と、C
10点からD10点までの垂直上昇と、D10点からリ
ード3と逆側のE10点までの水平移動と、E10点か
らF10点までの垂直上昇とから形成されている。Q1 is for connecting the pad 1a of the semiconductor element 1 and the lead 3 with the trapezoidal loop wire 5 when the lead 3 is arranged in the state of ψ1 where the loop angle と becomes an acute angle. The setting movement route in which the tip of the capillary 10 moves while feeding out the thin metal wire W is shown.
As shown in FIG. 7, the set movement route Q1 includes a vertical rise from the pad center A10 to the point B10,
Horizontal movement from the point to the point C10 on the opposite side of the lead 3, and C
The vertical movement from the point D10 to the point D10, the horizontal movement from the point D10 to the point E10 opposite to the lead 3, and the vertical rise from the point E10 to the point F10.
【0045】Q2はループ角度ψが鈍角となるψ2の状
態にリード3が配置されている場合に、同様にしてキャ
ピラリー10の先端が移動する設定移動ルートを示す。
この設定移動ルートQ2は、図7で示されるように、設
定移動ルートQ1と同様に、パッド中心A20からB2
0点、C20点、D20点、E20点、F20点を通っ
た垂直上昇と水平移動とから形成されている。Sはキャ
ピラリー10の先端が設定移動ルートQ1または設定移
動ルートQ2をたどる場合の、キャピラリー10の設定
移動量である。Q2 indicates a set movement route in which the tip of the capillary 10 similarly moves when the lead 3 is arranged in the state of ψ2 where the loop angle ψ becomes an obtuse angle.
As shown in FIG. 7, the set movement route Q2 is similar to the set movement route Q1 from the pad center A20 to B2.
It is formed from vertical ascent and horizontal movement through points 0, C20, D20, E20, and F20. S is the set movement amount of the capillary 10 when the tip of the capillary 10 follows the set movement route Q1 or the set movement route Q2.
【0046】キャピラリー10の先端が設定移動ルート
Q1を通ってF10点に達すると、金属細線Wはパッド
中心A10からC10点、E10点を通ってF10点に
達するようにキャピラリー10から繰り出され、この繰
り出された金属細線Wにより、半導体素子1のパッド1
aとリード3との間に適正なループワイヤ5が形成され
る。また、キャピラリー10の先端が設定移動ルートQ
2を通ってF20点に達すると、金属細線Wはパッド中
心A20からC20点、E20点を通ってF20点に達
するようにキャピラリー10から繰り出され、この繰り
出された金属細線Wにより、半導体素子1のパッド1a
とリード3との間に適正なループワイヤ5が形成され
る。When the tip of the capillary 10 reaches the point F10 through the set movement route Q1, the thin metal wire W is fed out of the capillary 10 so as to reach the point C10 from the pad center A10 and the point F10 through the point E10. The pad 1 of the semiconductor element 1 is formed by the unwound metal wire W.
An appropriate loop wire 5 is formed between a and the lead 3. In addition, the tip of the capillary 10 is set to the set movement route Q.
2, the metal thin wire W is fed out of the capillary 10 from the pad center A20 to the point C20, passes through the point E20 and reaches the point F20, and the semiconductor element 1 is moved by the fed metal thin wire W. Pad 1a
An appropriate loop wire 5 is formed between the wire 3 and the lead 3.
【0047】一方、キャピラリー10の先端が設定移動
ルートQ1中で水平移動を行なう場合、図7で示される
ように、キャピラリー10の金属細線Wの繰出軸線10
aとキャピラリー10の先端が移動する方向とのなす角
度βは鈍角となる。このため、キャピラリー10の先端
において、キャピラリー10と金属細線Wとに働く摩擦
力抵抗は角度βが直角の場合に比べ大きな値となる。ま
た、キャピラリー10が設定移動ルートQ2中で水平移
動を行なう場合、キャピラリー10の金属細線Wの繰出
軸線10aとキャピラリー10の先端が移動する方向と
のなす角βは、鋭角となる。このため、キャピラリー1
0の先端において、キャピラリー10と金属細線Wとに
働く摩擦抵抗は角度βが直角の場合に比べ小さな値とな
る。On the other hand, when the tip of the capillary 10 moves horizontally along the set movement route Q1, as shown in FIG.
The angle β between a and the direction in which the tip of the capillary 10 moves is an obtuse angle. For this reason, the frictional force acting on the capillary 10 and the thin metal wire W at the tip of the capillary 10 has a larger value than when the angle β is a right angle. When the capillary 10 moves horizontally in the set movement route Q2, the angle β between the feeding axis 10a of the thin metal wire W of the capillary 10 and the direction in which the tip of the capillary 10 moves becomes an acute angle. For this reason, capillary 1
At the zero point, the frictional resistance acting on the capillary 10 and the thin metal wire W has a smaller value than when the angle β is a right angle.
【0048】図9はキャピラリー先端の設定移動ルート
と実際移動ルートとを比較して示す図である。水平移動
時の摩擦抵抗の大きい設定移動ルートQ1側では、B1
0点からC10点に向かったキャピラリー10の先端
は、C10点には達しきれずC11点までしか移動しな
い。このため、キャピラリー10の先端はC11点から
D10点と同じ高さのD11点まで垂直上昇した後、D
11点からE11点まで水平移動する。この場合、D1
1点とE11点間の距離はD10点とE10点間の距離
より短い。そして、キャピラリー10の先端はE11点
からF10点と同じ高さのF11点まで移動する。した
がって、設定移動ルートQ1側では、キャピラリー10
の先端は一部破線で示される実際移動ルートを移動し、
キャピラリー10の移動量は設定移動量Sより小さくな
る。FIG. 9 is a diagram showing a comparison between the set movement route at the tip of the capillary and the actual movement route. On the set movement route Q1 side where the frictional resistance during horizontal movement is large, B1
The tip of the capillary 10 from point 0 to point C10 cannot reach point C10 and moves only to point C11. For this reason, the tip of the capillary 10 vertically rises from point C11 to point D11 at the same height as point D10,
It moves horizontally from point 11 to point E11. In this case, D1
The distance between point 1 and point E11 is shorter than the distance between point D10 and point E10. Then, the tip of the capillary 10 moves from the point E11 to the point F11 at the same height as the point F10. Therefore, on the set movement route Q1 side, the capillary 10
The tip of moves along the actual travel route, which is partially indicated by a broken line,
The moving amount of the capillary 10 is smaller than the set moving amount S.
【0049】すなわち、キャピラリー10の先端が実際
移動ルートをたどった場合、金属細線Wはパッド中心A
10からC11点、E11点、F11点を通るように繰
り出される。このため、第1リバース長さR1が必要量
より短くなって、ループワイヤ5のループ高さh1が低
くなるとともに、第2リバース長さR2も必要量より短
くなって、ループワイヤ5は半導体素子1のパッド1a
とリード3間で引っ張られた状態となり、ループ高さh
1はますます低くなる。That is, when the tip of the capillary 10 actually follows the movement route, the thin metal wire W
It is fed out from 10 so as to pass through points C11, E11 and F11. For this reason, the first reverse length R1 is shorter than the required amount, the loop height h1 of the loop wire 5 is reduced, and the second reverse length R2 is also shorter than the required amount. 1 pad 1a
And the lead 3 is pulled and the loop height h
1 gets lower and lower.
【0050】また、水平移動時の摩擦抵抗の小さい設定
移動ルートQ2側では、B20点からC20点に向かっ
たキャピラリー10の先端は、C20点を超えてC21
点まで達する。このため、キャピラリー10の先端はC
21点からD20と同じ高さのD21点まで垂直上昇し
た後、D21点からE21点まで水平移動する。この場
合、D21点とE21点間の距離はD20点とE20点
間の距離より長い。そして、キャピラリー10の先端は
E21点からF20点と同じ高さのF21点まで移動す
る。したがって、設定移動ルートQ2側では、キャピラ
リー10の先端は一部破線で示される実際移動ルートを
移動し、キャピラリー10の移動量は設定移動量Sより
大きくなる。On the set movement route Q2 side where the frictional resistance during horizontal movement is small, the tip of the capillary 10 from the point B20 to the point C20 exceeds the point C20 and moves to the point C21.
Reach the point. Therefore, the tip of the capillary 10 is C
After ascending vertically from point 21 to point D21 having the same height as D20, it moves horizontally from point D21 to point E21. In this case, the distance between the points D21 and E21 is longer than the distance between the points D20 and E20. Then, the tip of the capillary 10 moves from the point E21 to the point F21 having the same height as the point F20. Therefore, on the set movement route Q2 side, the tip of the capillary 10 moves on the actual movement route partially shown by the broken line, and the movement amount of the capillary 10 becomes larger than the set movement amount S.
【0051】すなわち、キャピラリー10の先端が実際
移動ルートをたどる場合、金属細線Wはパッド中心A2
0からC21点、E21点、F21点を通るように繰り
出される。このため、第1リバース長さR1が必要量よ
り長くなって、ループワイヤ5のループ高さh1が高く
なるとともに、第2リバース長さR2も必要量より長く
なって、ループワイヤ5のループ高さh1はますます高
くなる。That is, when the tip of the capillary 10 actually follows the movement route, the thin metal wire W is moved to the pad center A2.
It is fed out from 0 through the points C21, E21 and F21. For this reason, the first reverse length R1 is longer than the required amount, the loop height h1 of the loop wire 5 is increased, and the second reverse length R2 is also longer than the required amount. H1 is getting higher and higher.
【0052】以上のように、半導体素子1周りに複数配
置されるリード3の位置によって、形成されたループワ
イヤ5のループ高さh1にばらつきが生じてしまい、で
きあがった半導体装置の品質にばらつきがでてしまうと
いう問題が生じる。そして、この傾向はループ長さL2
が長くなればなるほど大きくなる。As described above, the loop height h1 of the formed loop wire 5 varies depending on the positions of the leads 3 arranged around the semiconductor element 1, and the quality of the completed semiconductor device varies. The problem that it comes out occurs. And this tendency is the loop length L2
The longer the is, the larger it is.
【0053】[0053]
【表1】 表1は設定移動ルートQ1(ψ=0度)側と設定移動ル
ートQ2(ψ=180度)側とで、ループワイヤ5を形
成した場合の、ループ高さh1(μm )の変化等を示し
ている。設定移動ルートQ1側では、ループ長さL2が
長くなるにしたがい、ループ高さh1は低くなり、設定
移動ルートQ2側では、ループ長さL2が長くなるにし
たがい、ループ高さh1は高くなる。したがって、設定
移動ルートQ1側と設定移動ルートQ2側とのループ高
さh1の差は、ループ長さL2が大きくなると次第に大
きくなる。[Table 1] Table 1 shows a change in loop height h1 (μm) when the loop wire 5 is formed between the set movement route Q1 (ψ = 0 °) and the set movement route Q2 (ψ = 180 °). ing. On the set moving route Q1 side, the loop height h1 decreases as the loop length L2 increases, and on the setting moving route Q2 side, the loop height h1 increases as the loop length L2 increases. Therefore, the difference in the loop height h1 between the set moving route Q1 side and the set moving route Q2 side gradually increases as the loop length L2 increases.
【0054】つぎに、この発明の一実施例に係るワイヤ
ボンディング方法を図5および図6を参照しつつ説明す
る。Next, a wire bonding method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【0055】図5はキャピラリー先端の設定移動ルート
と補正移動ルートの一例とを比較して示す図である。ル
ープ角度ψが鋭角となるψ1の状態にリード3が配置さ
れている場合(図8参照)、キャピラリー10の先端を
設定移動ルートQ1に沿って移動させても、キャピラリ
ー10の水平移動時にキャピラリー10と金属細線Wの
摩擦抵抗が大きくなるため、キャピラリー10は設定移
動量Sだけ移動できない。また、ループ角度ψが鈍角と
なるψ2の状態にリード3が配置されている場合(図8
参照)、キャピラリー10の先端を設定移動ルートQ2
に沿って移動させると、キャピラリー10の水平移動時
にキャピラリー10と金属細線Wの摩擦抵抗が小さくな
るため、キャピラリー10は設定移動量Sより多く移動
する。FIG. 5 is a diagram showing a comparison between a set movement route of the tip of the capillary and an example of a correction movement route. When the lead 3 is arranged in a state where the loop angle と becomes an acute angle ψ1 (see FIG. 8), even when the tip of the capillary 10 is moved along the set movement route Q1, the capillary 10 is not moved when the capillary 10 is horizontally moved. Therefore, the capillary 10 cannot move by the set movement amount S because the frictional resistance between the wire 10 and the metal wire W becomes large. Also, when the lead 3 is arranged in the state of ψ2 where the loop angle 鈍 is an obtuse angle (FIG. 8).
Reference), set the tip of the capillary 10 Movement route Q2
When the capillary 10 is moved along the horizontal axis, the frictional resistance between the capillary 10 and the thin metal wire W decreases when the capillary 10 moves horizontally, so that the capillary 10 moves more than the set movement amount S.
【0056】したがって、この実施例3のワイヤボンデ
ィング方法では、ループ角度ψの大きさによって、キャ
ピラリー10の移動量を変化させるようにした。すなわ
ち、ループ角度ψが鋭角となるψ1の状態では、金属細
線Wを繰り出しつつ移動するキャピラリー10の移動量
を増加させ、ループワイヤ5において不足する金属細線
Wの量をこれで補うとともに、ループ角度ψが鈍角とな
るψ2の状態では、金属細線Wを繰り出しつつ移動する
キャピラリー10の移動量を減少させ、ループワイヤ5
において過剰となる金属細線Wの量をこれで吸収するよ
うにした。Therefore, in the wire bonding method of the third embodiment, the moving amount of the capillary 10 is changed depending on the magnitude of the loop angle ψ. That is, in the state of ψ1 in which the loop angle と becomes an acute angle, the amount of movement of the capillary 10 moving while feeding out the metal wire W is increased, and the amount of the metal wire W deficient in the loop wire 5 is compensated for by this. In the state of ψ2 where ψ is an obtuse angle, the moving amount of the capillary 10 moving while feeding out the thin metal wire W is reduced, and the loop wire 5
In this case, the excess amount of the fine metal wire W is absorbed by this.
【0057】具体的には、キャピラリー10の先端が設
定移動ルートQ1を移動する場合、キャピラリー10の
先端を実際移動ルートに沿って、パッド中心A10から
B10点、C11点、D11点、E11点と移動させた
後、これをF11点よりΔ1だけ高いF12点まで移動
させる。このことにより、キャピラリー10より繰り出
される金属細線Wの量も、不足するΔ1だけ長く繰り出
されることとなり、ループワイヤ5が半導体素子1のパ
ッド1aとリード3間で引っ張られて、ループ高さh1
が低くなることはない。Specifically, when the tip of the capillary 10 moves along the set movement route Q1, the tip of the capillary 10 is moved along the actual movement route from the pad center A10 to the points B10, C11, D11 and E11. After the movement, it is moved to a point F12 higher by Δ1 than the point F11. As a result, the amount of the fine metal wire W drawn out from the capillary 10 is also drawn out long by the shortage Δ1, and the loop wire 5 is pulled between the pad 1a and the lead 3 of the semiconductor element 1, and the loop height h1 is drawn.
Is never lower.
【0058】また、キャピラリー10の先端が設定移動
ルートQ2を移動する場合、キャピラリー10の先端を
実際移動ルートに沿って、パッド中心A20からB20
点、E21点、E21点と移動させた後、これをF21
点よりΔ2だけ低いF22点まで移動させる。このこと
により、キャピラリー10より繰り出される金属細線W
の量も、過剰なΔ2だけ短くなるため、ループワイヤ5
が過剰となって、ループ高さh1が高くなることはな
い。なお、キャピラリー10の移動量の増減は、キャピ
ラリー10の垂直上昇時のみでなく、水平移動時に行な
ってもよい。When the tip of the capillary 10 moves along the set movement route Q2, the tip of the capillary 10 is moved along the actual movement route from the pad center A20 to B20.
After moving the point, E21 point and E21 point,
Move to the F22 point lower by Δ2 than the point. As a result, the fine metal wire W fed out of the capillary 10
Is also reduced by the excess Δ2, so that the loop wire 5
Does not become excessive and the loop height h1 does not increase. The movement amount of the capillary 10 may be increased or decreased not only when the capillary 10 is vertically moved but also when the capillary 10 is horizontally moved.
【0059】つぎに、ループ長さL2とループ角度ψが
変化した場合に、ループ高さh1が等しい最適なループ
ワイヤ5を形成するために必要とされるキャピラリー1
0の移動量の詳細ついて説明する。ここで、ループ長さ
L2を変数とするのは、ループ長さL2の増減によっ
て、キャピラリー10の水平移動量が大幅に変化するか
らであり、ループ角度ψを変数とするのは、キャピラリ
ー10の水平移動時に、ループ角度ψによってキャピラ
リー10の金属細線Wの繰出軸線10aとキャピラリー
10の先端の移動方向とのなす角度βが変化し、金属細
線Wとキャピラリー10の摩擦抵抗が変わってくるから
である。Next, when the loop length L2 and the loop angle ψ change, the capillary 1 required to form the optimum loop wire 5 having the same loop height h1 is formed.
The details of the movement amount of 0 will be described. Here, the reason why the loop length L2 is used as a variable is that the horizontal movement amount of the capillary 10 significantly changes depending on the increase or decrease of the loop length L2. At the time of horizontal movement, the angle β between the feeding axis 10a of the fine metal wire W of the capillary 10 and the moving direction of the tip of the capillary 10 changes due to the loop angle ψ, and the frictional resistance between the fine metal wire W and the capillary 10 changes. is there.
【0060】キャピラリー10の先端が設定移動ルート
Q1またはQ2をたどる場合の、キャピラリー10から
の金属細線Wの設定繰出量、すなわち、半導体素子1の
パッド1aとリード3との間を台形ループ状の金属細線
W(ループワイヤ5)により接続するために設定され
た、キャピラリー10からの金属細線Wの繰出量をP1
とし、ループ長さをL2(単位mm)とし、ループ角度
をψ(単位ラジアン)とし、比例定数をNとした場合、
キャピラリー10からの金属細線Wの補正後の繰出量P
2は、実験的に、 P2={N×(L2−3)×(ψ−π/2)+1}×P1・・・・ (9) のように示される。When the tip of the capillary 10 follows the set movement route Q 1 or Q 2, the set amount of the thin metal wire W from the capillary 10, that is, a trapezoidal loop between the pad 1 a of the semiconductor element 1 and the lead 3. The feeding amount of the metal wire W from the capillary 10 set for connection by the metal wire W (loop wire 5) is P1
When the loop length is L2 (unit mm), the loop angle is ψ (unit radian), and the proportional constant is N,
Feed amount P after correction of the fine metal wire W from the capillary 10
2 is experimentally shown as P2 = {N × (L2−3) × (ψ−π / 2) +1} × P1 (9)
【0061】したがって、n=P2−P1とした場合
に、nが正の値であれば、例えばキャピラリー10が金
属細線Wを繰り出しつつ最終的に上昇する位置(設定移
動ルートQ1の場合はE10点)をnだけ上昇させれ
ば、その後、半導体素子1とリード3間にループ高さh
1が等しくなった最適なループワイヤ5が形成される。
またnが負の値であれば、例えばキャピラリー10が金
属細線Wを繰り出しつつ最終的に上昇する位置(設定移
動ルートQ2の場合はE20点)をnだけ下降させれ
ば、その後、半導体素子1とリード3間にループ高さh
1が等しくなった最適なループワイヤ5が形成される。Therefore, when n = P2−P1, if n is a positive value, for example, the position where the capillary 10 finally rises while feeding out the thin metal wire W (point E10 in the case of the set movement route Q1) ) Is increased by n, then the loop height h between the semiconductor element 1 and the lead 3 is increased.
An optimum loop wire 5 having equal 1 is formed.
If n is a negative value, for example, if the position where the capillary 10 finally rises while feeding the thin metal wire W (point E20 in the case of the set movement route Q2) is lowered by n, then the semiconductor element 1 Loop height h between lead 3
An optimum loop wire 5 having equal 1 is formed.
【0062】ここで、半導体素子1とリード3との表面
間の段差距離h2を0.2mmとし、ループ長さL2を
3〜6mmとした場合に、比例定数Nは実験的に−2.
3×10−5〜−4.0×10−5の範囲に定められ
る。Here, when the step distance h2 between the surface of the semiconductor element 1 and the lead 3 is 0.2 mm and the loop length L2 is 3 to 6 mm, the proportionality constant N is experimentally -2.
It is determined in the range of 3 × 10 −5 to −4.0 × 10 −5 .
【0063】図6は比例定数Sが上記範囲にある場合の
補正係数M、すなわち、N×(L2−3)×(ψ−π/
2)+1の値の変化を示している。FIG. 6 shows a correction coefficient M when the proportionality constant S is in the above range, that is, N × (L2−3) × (ψ−π /
2) shows a change in the value of +1.
【0064】[0064]
【表2】 表2は式(9)によりキャピラリー10の移動量を補正
した場合に、設定移動ルートQ1(ψ=0度)側と設定
移動ルートQ2(ψ=180度)側とで、ループワイヤ
5を形成した場合の、ループ高さh1(μm )の変化等
を示す表である。この表2からわかるように、ループ長
さL2の大きさにかかわらず、設定移動ルートQ1側と
設定移動ルートQ2側との、ループワイヤ5のループ高
さh1はほぼ等しく、両者のループ高さh1の差はほぼ
0に等しいことがわかる。[Table 2] Table 2 shows that the loop wire 5 is formed on the set movement route Q1 (ψ = 0 degree) side and the set movement route Q2 (ψ = 180 degree) side when the movement amount of the capillary 10 is corrected by the equation (9). 9 is a table showing changes in the loop height h1 (μm) and the like in the case of performing the above. As can be seen from Table 2, regardless of the size of the loop length L2, the loop height h1 of the loop wire 5 on the set moving route Q1 side and the set moving route Q2 side is substantially equal, and the loop heights of both are set. It can be seen that the difference in h1 is almost equal to zero.
【0065】[0065]
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。この発
明の請求項1のワイヤボンディング方法に係る発明によ
れば、キャピラリーの第1回目の垂直上昇量に対する水
平移動量の逆正接をθ1(単位度)、キャピラリーの第
2回目の垂直上昇量に対する水平移動量の逆正接をθ2
(単位度)、キャピラリー先端の第1回目の水平移動後
の点からこのキャピラリー先端の第2回目の水平移動後
の点までの距離をR2、パッドへのボンディング点から
台形ループ状の金属細線のリード側への傾斜下降開始点
までの水平距離をL1、パッドへのボンディング点から
リードへのボンディング点までの水平距離をL2、台形
ループ状の金属細線の立上部の高さをh1、パッドとリ
ードとの表面間の段差距離をh2とした場合に、K=
(h1+h2)/(L2−L1) とすれば、0.5≦L2≦
12(単位mm)の条件下、5≦θ1≦50、tan
−1K≦θ2≦(7/2)×tan−1K、θ2≦6
0、(2/15)×L2≦R2≦(8/15)×L2、
となる条件を満たすようにキャピラリーを移動させてい
るので、半導体素子のパッドとリードとを、確実に、台
形ループ状の金属細線で適正に接続できる。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. According to the wire bonding method of claim 1 of the present invention, the inverse tangent of the horizontal movement amount to the first vertical rise amount of the capillary is θ1 (unit degree), and the inverse tangent of the horizontal movement amount to the second vertical rise amount of the capillary is The inverse tangent of the horizontal movement is θ2
(Unit degree), the distance from the point after the first horizontal movement of the capillary tip to the point after the second horizontal movement of the capillary tip is R2, and the distance from the bonding point to the pad to the trapezoidal loop-shaped thin metal wire is L1 is the horizontal distance from the starting point of the descent to the lead side, L2 is the horizontal distance from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead, h1 is the height of the rising portion of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire, and h1 is the height of the pad. When the step distance between the lead and the surface is h2, K =
If (h1 + h2) / (L2-L1), then 0.5 ≦ L2 ≦
Under conditions of 12 (unit: mm), 5 ≦ θ1 ≦ 50, tan
−1 K ≦ θ2 ≦ (7/2) × tan −1 K, θ2 ≦ 6
0, (2/15) × L2 ≦ R2 ≦ (8/15) × L2,
Since the capillary is moved so as to satisfy the following condition, the pad and the lead of the semiconductor element can be reliably and properly connected by the trapezoidal loop-shaped thin metal wire.
【0066】この発明の請求項2の半導体装置に係る発
明は、パッドへのボンディング点から台形ループ状の金
属細線のリード側への傾斜下降開始点までの水平距離を
L1、パッドへのボンディング点からリードへのボンデ
ィング点までの水平距離をL2、台形ループ状の金属細
線の立上部の高さをh1、パッドとリードとの表面間の
段差距離をh2、台形ループ状の金属細線の水平部と傾
斜下降部とのなす角のうち半導体素子側の角度をα(単
位度)とした場合に、K=(h1+h2)/(L2−L1)
とすれば、(2/15)×L2≦L1≦(8/15)×
L2、0.5≦L2≦12(単位mm)、180−(7/
2) ×tan−1K≦α≦180−tan−1K 、1
20≦α≦180、の条件を満たすように半導体素子の
パッドとリード間に台形ループ状の金属細線が形成され
ているので、台形ループ状の金属細線がさらに適正に形
成され、半導体装置の品質の更なる向上が図られる。According to a second aspect of the present invention, the horizontal distance from the bonding point to the pad to the start point of the inclination of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire toward the lead side is L1, the bonding point to the pad is L1. L2 is the horizontal distance from the lead to the bonding point to the lead, h1 is the height of the rising portion of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire, h2 is the step distance between the surface of the pad and the lead, and horizon of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire. K = (h1 + h2) / (L2-L1) where α (unit degree) is the angle on the semiconductor element side of the angle formed by the angle and the inclined descending portion.
Then, (2/15) × L2 ≦ L1 ≦ (8/15) ×
L2, 0.5 ≦ L2 ≦ 12 (unit mm), 180− (7 /
2) × tan −1 K ≦ α ≦ 180−tan −1 K, 1
Since the trapezoidal loop-shaped fine metal wire is formed between the pad and the lead of the semiconductor element so as to satisfy the condition of 20 ≦ α ≦ 180, the trapezoidal loop-shaped fine metal wire is more appropriately formed, and the quality of the semiconductor device is improved. Is further improved.
【0067】この発明の請求項3のワイヤボンディング
方法に係る発明によれば、キャピラリーの金属細線を繰
り出す軸線方向と、このキャピラリーの水平移動時の移
動方向とのなす角度が鈍角の場合は、金属細線を繰り出
しつつ移動するキャピラリーの移動量を設定値より増加
させ、角度が鋭角の場合は、金属細線を繰り出しつつ移
動するキャピラリーの移動量を設定値より減少させるよ
うにしているので、請求項1の発明の場合において、半
導体素子のパッドとリード間に形成される台形ループ状
の金属細線の高さの均一化が図れ、半導体素子のパッド
とリードとを台形ループ状の金属細線で適正に接続でき
る。According to the wire bonding method of the third aspect of the present invention, when the angle between the axial direction in which the thin metal wire of the capillary is fed out and the moving direction of the capillary during the horizontal movement is an obtuse angle, The moving amount of the capillary moving while feeding out the thin line is increased from a set value, and when the angle is an acute angle, the moving amount of the capillary moving while moving out the thin metal wire is made smaller than the set value. In the case of the invention, the height of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire formed between the pad and the lead of the semiconductor element can be made uniform, and the pad and the lead of the semiconductor element can be properly connected by the trapezoidal loop-shaped thin metal wire. it can.
【0068】この発明の請求項4のワイヤボンディング
方法に係る発明によれば、キャピラリーを移動させるボ
ンディングヘッドの半導体素子側への水平移動方向と、
平面上におけるこの半導体素子のパッドとリードとを結
ぶ線とのなすループ角をψ(単位ラジアン)、パッドへ
のボンディング点からリードへのボンディング点までの
台形ループ状の金属細線の水平距離をL2(単位m
m)、パッドとリードとの間を台形ループ状の金属細線
により接続するために設定された、キャピラリーからの
金属細線の繰出量をP1、比例定数をMとした場合に、
P2={M×(L2−3)×(ψ−π/2)+1}×P
1、にて算出された金属細線の補正後の繰出量P2だ
け、金属細線を繰り出すよう、この金属細線繰り出し時
のキャピラリーの移動量を定めるようにしているので、
半導体素子のパッドとリード間に形成される台形ループ
状の金属細線の高さの更なる均一化が図れ、半導体素子
のパッドとリードとを台形ループ状の金属細線で適正に
接続できる。According to the wire bonding method of the fourth aspect of the present invention, the horizontal moving direction of the bonding head for moving the capillary toward the semiconductor element side is determined by:
The loop angle between a line connecting the pad of this semiconductor element and the lead on the plane is ψ (unit radian), and the horizontal distance of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead is L2. (Unit m
m), when the feeding amount of the thin metal wire from the capillary set for connecting the pad and the lead with the trapezoidal loop thin metal wire is P1 and the proportional constant is M,
P2 = {M × (L2-3) × (ψ−π / 2) +1} × P
The amount of movement of the capillary at the time of feeding out the thin metal wire is determined so that the thin metal wire is fed out by the corrected feeding length P2 of the thin metal wire calculated in 1.
The height of the trapezoidal loop-shaped thin metal wires formed between the pads and the leads of the semiconductor element can be further uniformized, and the pads and the leads of the semiconductor element can be properly connected by the trapezoidal loop-shaped thin metal wires.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】 この発明の実施例1に係るワイヤボンディン
グ方法の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a wire bonding method according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 図1のワイヤボンディング方法における、ル
ープ高さに対する第2リバース長さの最適範囲を示すグ
ラフである。FIG. 2 is a graph showing an optimum range of a second reverse length with respect to a loop height in the wire bonding method of FIG. 1;
【図3】 図1のワイヤボンディング方法における、ル
ープ長さに対する第2リバース角度の最適範囲を示すグ
ラフである。FIG. 3 is a graph showing an optimum range of a second reverse angle with respect to a loop length in the wire bonding method of FIG. 1;
【図4】 図1のワイヤボンディング方法において、第
2リバース長さと第2リバース角度が不適当な範囲にあ
る場合の、ループワイヤの形状を示す図である。(a)
は第2リバース長さが長すぎる場合を示し、(b)は第
2リバース長さが短すぎる場合を示す。また、(c)は
第2リバース角度が大きすぎる場合を示し、(d)は第
2リバース角度が小さすぎる場合を示している。FIG. 4 is a view showing a shape of a loop wire when a second reverse length and a second reverse angle are in an inappropriate range in the wire bonding method of FIG. 1; (A)
Shows a case where the second reverse length is too long, and (b) shows a case where the second reverse length is too short. (C) shows a case where the second reverse angle is too large, and (d) shows a case where the second reverse angle is too small.
【図5】 この発明の実施例3に係るワイヤボンディン
グ方法の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a wire bonding method according to a third embodiment of the present invention.
【図6】 図5のワイヤボンディング方法において、比
例定数が一定の範囲にある場合に、ループ角度に対する
補正係数の値を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing values of a correction coefficient with respect to a loop angle when a proportional constant is in a certain range in the wire bonding method of FIG. 5;
【図7】 図5のワイヤボンディング方法を説明する場
合に前提となる図であり、台形ループ状のループワイヤ
を形成するためのキャピラリー先端の移動ルートを示す
図である。7 is a diagram that is a prerequisite for explaining the wire bonding method of FIG. 5, and is a diagram illustrating a movement route of a tip of a capillary for forming a trapezoidal loop-shaped loop wire.
【図8】 図5のワイヤボンディング方法を説明する場
合に前提となる図であり、ワイヤボンディング時におけ
る半導体素子周りの平面図である。8 is a prerequisite diagram for explaining the wire bonding method of FIG. 5, and is a plan view around a semiconductor element during wire bonding.
【図9】 図5のワイヤボンディング方法を説明する場
合に前提となる図であり、キャピラリー先端の設定移動
ルートと実際移動ルートとを比較して示す図である。9 is a diagram that is a prerequisite for explaining the wire bonding method of FIG. 5, and is a diagram illustrating a comparison between a set movement route of a capillary tip and an actual movement route.
【図10】 従来のワイヤボンディング方法の説明図で
ある。FIG. 10 is an explanatory diagram of a conventional wire bonding method.
【図11】 従来のワイヤボンディング方法において、
ループ長さが長い場合の形成されたループワイヤの形状
を示す図である。FIG. 11 shows a conventional wire bonding method.
It is a figure which shows the shape of the formed loop wire when a loop length is long.
【図12】 台形ループ状のループワイヤの形状説明で
ある。FIG. 12 is a diagram illustrating the shape of a trapezoidal loop-shaped loop wire.
1 半導体素子、 1a パッド、 3 リード、 5
ループワイヤ(台形ループ状の金属細線)、 5a
立上部、 5b 水平部、 5c 傾斜下降部、 10
キャピラリー、 11 USホーン(ボンディングヘ
ッド)、 h1ループ高さ(立上部の高さ)、 h2
段差距離、 L1 水平距離、 L2ループ長さ(水平
距離)、 R1 第1リバース長さ(距離)、 R2
第2リバース長さ(距離)、 θ1 第1リバース角度
(逆正接)、 θ2 第2リバース角度(逆正接)、
W 金属細線、 ψ ループ角度。Reference Signs List 1 semiconductor element, 1a pad, 3 lead, 5
Loop wire (trapezoidal loop-shaped thin metal wire), 5a
Rising part, 5b horizontal part, 5c inclined descending part, 10
Capillary, 11 US horn (bonding head), h1 loop height (height of rising part), h2
Step distance, L1 horizontal distance, L2 loop length (horizontal distance), R1 first reverse length (distance), R2
Second reverse length (distance), θ1 first reverse angle (inverse tangent), θ2 second reverse angle (inverse tangent),
W Fine metal wire, ル ー プ Loop angle.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−142941(JP,A) 特開 平4−273135(JP,A) 特開 平2−189942(JP,A) 特開 平4−318943(JP,A) 特開 平6−177195(JP,A) 特開 平5−211193(JP,A) 特開 平5−67643(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 301Continuation of the front page (56) References JP-A-3-142941 (JP, A) JP-A-4-273135 (JP, A) JP-A-2-189942 (JP, A) JP-A-4-318943 (JP) JP-A-6-177195 (JP, A) JP-A-5-211193 (JP, A) JP-A-5-67643 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB (Name) H01L 21/60 301
Claims (4)
の立上部からリード側に向かって延びる水平部と、この
水平部から前記リードに向かって延びる傾斜下降部とを
有した台形ループ状の金属細線で、前記半導体素子のパ
ッドと前記リードとを接続するワイヤボンディング方法
であって、 キャピラリーの先端から繰り出された前記金属細線の一
端を前記パッドにボンディングした後、このキャピラリ
ーから前記金属細線を繰り出させつつ、このキャピラリ
ーの垂直上昇と前記リードとは逆側への水平移動とを2
回繰り返して行った後、さらに、このキャピラリーの所
定高さまでの垂直上昇を行ない、つぎに、このキャピラ
リーと前記金属細線との相対移動を無くした状態で、こ
のキャピラリーを所定量前記リード側に水平移動させた
後、このキャピラリーを前記リード側に円弧状に移動さ
せ、前記金属細線の他端側を前記リード上にボンディン
グするワイヤボンディング方法において、 所定量キャピラリーの第1回目の垂直上昇量に対する水
平移動量の逆正接をθ1(単位度)、前記キャピラリー
の第2回目の垂直上昇量に対する水平移動量の逆正接を
θ2(単位度)、前記キャピラリー先端の第1回目の水
平移動後の点からこのキャピラリー先端の第2回目の水
平移動後の点までの距離をR2、前記パッドへのボンデ
ィング点から前記台形ループ状の金属細線の前記リード
側への傾斜下降開始点までの水平距離をL1、前記パッ
ドへのボンディング点から前記リードへのボンディング
点までの水平距離をL2、前記台形ループ状の金属細線
の立上部の高さをh1、前記パッドと前記リードとの表
面間の段差距離をh2とした場合に、K=(h1+h2)
/(L2−L1) とすれば、0.5≦L2≦12(単位m
m)の条件下、 5≦θ1≦50、 tan−1K≦θ2≦(7/2)×tan−1K、 θ2≦60、 (2/15)×L2≦R2≦(8/15)×L2、 となる条件を満たすように前記キャピラリーを移動させ
ることを特徴とするワイヤボンディング方法。1. A trapezoidal loop having a rising portion from a pad of a semiconductor element, a horizontal portion extending from the rising portion toward a lead, and an inclined lowering portion extending from the horizontal portion toward the lead. A wire bonding method for connecting a pad of the semiconductor element and the lead with a thin metal wire, wherein after bonding one end of the thin metal wire drawn out from the tip of a capillary to the pad, the thin metal wire is separated from the capillary. The vertical movement of the capillary and the horizontal movement to the opposite side of the lead are performed for 2 seconds while being extended.
After the repetition, the capillary is further vertically raised to a predetermined height, and then, in a state where the relative movement between the capillary and the fine metal wire is eliminated, the capillary is horizontally moved by a predetermined amount toward the lead side. After the movement, the capillary is moved to the lead side in an arc shape, and the other end side of the thin metal wire is bonded to the lead by a wire bonding method. The inverse tangent of the movement amount is θ1 (unit degree), the inverse tangent of the horizontal movement amount with respect to the second vertical rise amount of the capillary is θ2 (unit degree), and the point of the capillary tip after the first horizontal movement The distance to the point after the second horizontal movement of the tip of the capillary is R2, and the trapezoidal loop is formed from the bonding point to the pad. L1 is the horizontal distance of the thin metal wire from the bonding point to the pad to the lead point, and L2 is the horizontal distance from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead. When the height is h1 and the step distance between the surface of the pad and the lead is h2, K = (h1 + h2)
/ (L2-L1), 0.5 ≦ L2 ≦ 12 (unit m
Under the condition of m), 5 ≦ θ1 ≦ 50, tan −1 K ≦ θ2 ≦ (7/2) × tan −1 K, θ2 ≦ 60, (2/15) × L2 ≦ R2 ≦ (8/15) × L2, The wire bonding method, wherein the capillary is moved so as to satisfy the following condition.
の立上部からリード側に向かって延びる水平部と、この
水平部から前記リード上に向かって延びる傾斜下降部と
を有した台形ループ状の金属細線で、前記半導体素子の
パッドと前記リードとが接続されている半導体装置にお
いて、 前記パッドへのボンディング点から前記台形ループ状の
金属細線の前記リード側への傾斜下降開始点までの水平
距離をL1、前記パッドへのボンディング点から前記リ
ードへのボンディング点までの水平距離をL2、前記台
形ループ状の金属細線の立上部の高さをh1、前記パッ
ドと前記リードとの表面間の段差距離をh2、前記台形
ループ状の金属細線の前記水平部と前記傾斜下降部との
なす角のうち前記半導体素子側の角度をα(単位度)と
した場合に、K=(h1+h2)/(L2−L1) とすれ
ば、 (2/15)×L2≦L1≦(8/15)×L2、 0.5≦L2≦12(単位mm)、 180−(7/2) ×tan−1 K≦α≦180−tan−1K 、 120≦α≦180、 の条件を満たすように前記台形ループ状の金属細線が形
成されていることを特徴とする半導体装置。2. A trapezoidal loop having a rising portion from a pad of a semiconductor element, a horizontal portion extending from the rising portion toward a lead, and an inclined descending portion extending from the horizontal portion toward the lead. In the semiconductor device in which the pad of the semiconductor element and the lead are connected by a thin metal wire, a horizontal line from a bonding point to the pad to a start point of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire inclined downward to the lead side. The distance is L1, the horizontal distance from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead is L2, the height of the rising portion of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire is h1, and the distance between the surface of the pad and the lead is When a step distance is h2 and an angle on the semiconductor element side is α (unit degree) among angles formed by the horizontal portion and the inclined descending portion of the trapezoidal loop-shaped thin metal wire, If K = (h1 + h2) / (L2-L1), (2/15) × L2 ≦ L1 ≦ (8/15) × L2, 0.5 ≦ L2 ≦ 12 (unit mm), 180− (7 / 2) The trapezoidal loop-shaped thin metal wire is formed so as to satisfy the following condition: × tan -1 K ≦ α ≦ 180−tan −1 K, and 120 ≦ α ≦ 180.
属細線の一端を半導体素子のパッドにボンディングした
後、 このキャピラリーから前記金属細線を繰り出させつつ、
このキャピラリーの垂直上昇とリードとは逆側への水平
移動とを2回繰り返して行なった後、さらに、このキャ
ピラリーの所定高さまでの垂直上昇を行ない、 つぎに、このキャピラリーと前記金属細線との相対移動
を無くした状態で、このキャピラリーを所定量前記リー
ド側に水平移動させた後、このキャピラリーを前記リー
ド側に円弧状に移動させ、前記金属細線の他端側を前記
リード上にボンディングして、前記半導体素子のパッド
と前記リードとを、このパッドからの立上部と、この立
上部からの前記リード側への水平部と、この水平部から
の前記リード上への傾斜下降部とを有した台形ループ状
の金属細線で接続するワイヤボンディング方法であっ
て、 前記キャピラリーの前記金属細線を繰り出す軸線方向
と、このキャピラリーの前記水平移動時の移動方向との
なす角度が鈍角の場合は、前記金属細線を繰り出しつつ
移動する前記キャピラリーの移動量を設定値より増加さ
せ、前記角度が鋭角の場合は、前記金属細線を繰り出し
つつ移動する前記キャピラリーの移動量を設定値より減
少させることを特徴とするワイヤボンディング方法。3. Bonding one end of a thin metal wire drawn from the tip of the capillary to a pad of a semiconductor element, and then feeding the thin metal wire from the capillary.
After repeating the vertical raising of the capillary and the horizontal movement to the side opposite to the lead twice, the vertical raising of the capillary is further performed to a predetermined height, and then the capillary and the fine metal wire are connected to each other. After the capillary is horizontally moved by a predetermined amount to the lead side in a state where the relative movement is eliminated, the capillary is moved in an arc shape to the lead side, and the other end side of the fine metal wire is bonded to the lead. The pad of the semiconductor element and the lead, a rising part from the pad, a horizontal part from the rising part to the lead side, and an inclined descending part from the horizontal part on the lead. A wire bonding method for connecting with a trapezoidal loop-shaped thin metal wire, comprising: an axial direction in which the thin metal wire of the capillary is drawn out; When the angle between the horizontal moving direction and the moving direction is an obtuse angle, the moving amount of the capillary moving while feeding the thin metal wire is increased from a set value, and when the angle is an acute angle, the thin metal wire is fed. A wire bonding method, wherein the moving amount of the capillary moving while moving is reduced below a set value.
属細線の一端を半導体素子のパッドにボンディングした
後、 このキャピラリーから前記金属細線を繰り出させつつ、
このキャピラリーの垂直上昇とリードとは逆側への水平
移動とを2回繰り返して行なった後、さらに、このキャ
ピラリーの所定高さまでの垂直上昇を行ない、 つぎに、このキャピラリーと前記金属細線との相対移動
を無くした状態で、このキャピラリーを所定量前記リー
ド側に水平移動させた後、このキャピラリーを前記リー
ド側に円弧状に移動させ、前記金属細線の他端側を前記
リード上にボンディングして、前記半導体素子のパッド
と前記リードとを、このパッドからの立上部と、この立
上部からの前記リード側への水平部と、この水平部から
の前記リード上への傾斜下降部とを有した台形ループ状
の金属細線で接続するワイヤボンディング方法であっ
て、 前記キャピラリーを移動させるボンディングヘッドの前
記半導体素子側への水平移動方向と、平面上におけるこ
の半導体素子の前記パッドと前記リードとを結ぶ線との
なすループ角をψ(単位ラジアン)、前記パッドへのボ
ンディング点から前記リードへのボンディング点までの
前記台形ループ状の金属細線の水平距離をL2(単位m
m)、前記パッドと前記リードとの間を台形ループ状の
金属細線により接続するために設定された、前記キャピ
ラリーからの前記金属細線の繰出量をP1、比例定数を
Nとした場合に、 P2={N×(L2−3)×(ψ−π/2)+1}×P1、 で算出された前記金属細線の補正後の繰出量P2だけ、
前記金属細線を繰り出すよう、この金属細線繰り出し時
の前記キャピラリーの移動量を定めることを特徴とする
ワイヤボンディング方法。4. Bonding one end of a thin metal wire drawn from the tip of a capillary to a pad of a semiconductor element, and then feeding the thin metal wire from the capillary.
After repeating the vertical raising of the capillary and the horizontal movement to the side opposite to the lead twice, the vertical raising of the capillary is further performed to a predetermined height, and then the capillary and the fine metal wire are connected to each other. After the capillary is horizontally moved by a predetermined amount to the lead side in a state where the relative movement is eliminated, the capillary is moved in an arc shape to the lead side, and the other end side of the fine metal wire is bonded to the lead. The pad of the semiconductor element and the lead, a rising part from the pad, a horizontal part from the rising part to the lead side, and an inclined descending part from the horizontal part on the lead. A wire bonding method for connecting with a trapezoidal loop-shaped thin metal wire, wherein water is supplied to the semiconductor element side of a bonding head for moving the capillary. The trapezoidal loop from the bonding point to the pad to the bonding point to the lead is defined as ル ー プ (unit radian), where ル ー プ is a loop angle between the moving direction and a line connecting the pad and the lead of the semiconductor element on a plane. L2 (unit: m)
m), when the feeding amount of the fine metal wire from the capillary is set to P1 and the proportionality constant is set to N for setting the connection between the pad and the lead by the trapezoidal loop-shaped fine metal wire, P2 = {N × (L2−3) × (ψ−π / 2) +1} × P1, by the corrected feeding amount P2 of the fine metal wire,
A wire bonding method, wherein an amount of movement of the capillary at the time of feeding out the thin metal wire is determined so as to feed out the thin metal wire.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5319782A JP2824383B2 (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Wire bonding method and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5319782A JP2824383B2 (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Wire bonding method and semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07176558A JPH07176558A (en) | 1995-07-14 |
JP2824383B2 true JP2824383B2 (en) | 1998-11-11 |
Family
ID=18114134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5319782A Expired - Lifetime JP2824383B2 (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Wire bonding method and semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2824383B2 (en) |
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JP4666395B2 (en) * | 2007-08-10 | 2011-04-06 | ローム株式会社 | Manufacturing method of resin package type semiconductor device |
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JP6644352B2 (en) * | 2017-09-27 | 2020-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN116529881A (en) * | 2020-10-16 | 2023-08-01 | 罗姆股份有限公司 | Semiconductor device with a semiconductor layer having a plurality of semiconductor layers |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5319782A patent/JP2824383B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH07176558A (en) | 1995-07-14 |
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