JP2822646B2 - 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2822646B2 JP2822646B2 JP2231704A JP23170490A JP2822646B2 JP 2822646 B2 JP2822646 B2 JP 2822646B2 JP 2231704 A JP2231704 A JP 2231704A JP 23170490 A JP23170490 A JP 23170490A JP 2822646 B2 JP2822646 B2 JP 2822646B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- magnetic
- magnetoresistive
- overlap
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
- G11B5/3961—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/29—Structure or manufacture of unitary devices formed of plural heads for more than one track
- G11B5/295—Manufacture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録再生装置に用いられる薄膜磁気ヘ
ッド、特に磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法に関す
るものである。
ッド、特に磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法に関す
るものである。
従来の技術 近年、磁気記録再生装置の高記録密度化、データの高
転送速度化、多チャンネル化に対応して薄膜磁気ヘッド
が注目されている。特に記録媒体が低速で走行する磁気
記録装置においては再生出力が速度に依存しない磁気抵
抗型ヘッドが使用される。
転送速度化、多チャンネル化に対応して薄膜磁気ヘッド
が注目されている。特に記録媒体が低速で走行する磁気
記録装置においては再生出力が速度に依存しない磁気抵
抗型ヘッドが使用される。
最も簡単な構成の磁気抵抗型ヘッドとしてはすでに公
知文献 ローバート ピー フント;磁気抵抗型読みだ
し変換器、アイ イー イー イー、磁気に関する報告
書、7巻、1号 150頁、1971年〔ROBERT P HUNT:A Mag
netoresistive Readout Transducer,IEEE Transaction,
Magnetic−s,MAG−7 No.1 p150〕などで知られている。
知文献 ローバート ピー フント;磁気抵抗型読みだ
し変換器、アイ イー イー イー、磁気に関する報告
書、7巻、1号 150頁、1971年〔ROBERT P HUNT:A Mag
netoresistive Readout Transducer,IEEE Transaction,
Magnetic−s,MAG−7 No.1 p150〕などで知られている。
この磁気抵抗型ヘッドは、膜厚が数百オングストロー
ムのNi−Fe合金薄膜で構成された磁気抵抗素子を記録媒
体に垂直あるいは水平に配置するとともに、この磁気抵
抗素子の両端に一対の電極を配置した構成となってい
る。信号の検出は、記録媒体から発生する信号磁界によ
る磁気抵抗素子の抵抗変化を、前記電流を使って流され
た前記磁気抵抗素子内の定電流により、電圧変化に変換
することによって行われる。しかし、磁気抵抗素子が水
平配置された磁気抵抗型ヘッドでは、その再生分解能が
磁気抵抗素子の幾何学的形状に依存するために記録波長
数μm以下で高密度記録された信号を再生できなかっ
た。また、磁気抵抗素子が垂直配置された磁気抵抗型ヘ
ッドにおいては、記録媒体からの信号磁界の強さが磁気
抵抗素子と記録媒体までの距離Dに関して指数関数的に
減衰することおよび、一般に記録波長が短くなるに従い
信号磁界が小さくなるため、記録波長数μm以下の短波
長領域において再生感度が特に悪いものとなっていた。
さらに、上記いずれの磁気抵抗型ヘッドにおいても、記
録媒体と当接することによる磁気抵抗素子の摩耗は避け
られないものであった。
ムのNi−Fe合金薄膜で構成された磁気抵抗素子を記録媒
体に垂直あるいは水平に配置するとともに、この磁気抵
抗素子の両端に一対の電極を配置した構成となってい
る。信号の検出は、記録媒体から発生する信号磁界によ
る磁気抵抗素子の抵抗変化を、前記電流を使って流され
た前記磁気抵抗素子内の定電流により、電圧変化に変換
することによって行われる。しかし、磁気抵抗素子が水
平配置された磁気抵抗型ヘッドでは、その再生分解能が
磁気抵抗素子の幾何学的形状に依存するために記録波長
数μm以下で高密度記録された信号を再生できなかっ
た。また、磁気抵抗素子が垂直配置された磁気抵抗型ヘ
ッドにおいては、記録媒体からの信号磁界の強さが磁気
抵抗素子と記録媒体までの距離Dに関して指数関数的に
減衰することおよび、一般に記録波長が短くなるに従い
信号磁界が小さくなるため、記録波長数μm以下の短波
長領域において再生感度が特に悪いものとなっていた。
さらに、上記いずれの磁気抵抗型ヘッドにおいても、記
録媒体と当接することによる磁気抵抗素子の摩耗は避け
られないものであった。
上記の摩耗の問題および短波長領域における再生能力
の低下を解決する磁気抵抗型ヘッドとしては特開昭52−
9413号公報などですでに知られている。
の低下を解決する磁気抵抗型ヘッドとしては特開昭52−
9413号公報などですでに知られている。
この磁気抵抗型ヘッド磁性基板上に磁気抵抗素子へバ
イアス磁界を印加するための導電材料からなるバイアス
導体、磁気抵抗素子、磁気抵抗素子に駆動電流を流すた
めの一対の電極、および二つの透磁性ヨーク、すなわち
フロントヨークとバックヨークとが順次SiO2などの絶縁
層を介して形成され、特にフロントヨークとバックヨー
クは前記の磁気抵抗素子とその端部が互いにオーバーラ
ップするように構成される。また、フロントヨークと磁
性基板間には記録媒体から発生する記録磁界を磁気ヘッ
ド内に導くための磁気ギャップが形成されている。
イアス磁界を印加するための導電材料からなるバイアス
導体、磁気抵抗素子、磁気抵抗素子に駆動電流を流すた
めの一対の電極、および二つの透磁性ヨーク、すなわち
フロントヨークとバックヨークとが順次SiO2などの絶縁
層を介して形成され、特にフロントヨークとバックヨー
クは前記の磁気抵抗素子とその端部が互いにオーバーラ
ップするように構成される。また、フロントヨークと磁
性基板間には記録媒体から発生する記録磁界を磁気ヘッ
ド内に導くための磁気ギャップが形成されている。
このとき、主として真空蒸着やスパッタリング等の薄
膜形成技術、またはフォトリソグラフィなどの微細パタ
ーン技術が用いられる。
膜形成技術、またはフォトリソグラフィなどの微細パタ
ーン技術が用いられる。
この磁気抵抗型ヘッドは、磁気抵抗素子が記録媒体に
直接に当接しないため、磁気抵抗素子の摩耗はないこ
と、また、磁気ギャップの間隔を1μm以下に設定する
ことにより、記録波長1μm以下の信号が再生できる利
点を有していた。
直接に当接しないため、磁気抵抗素子の摩耗はないこ
と、また、磁気ギャップの間隔を1μm以下に設定する
ことにより、記録波長1μm以下の信号が再生できる利
点を有していた。
発明が解決しようとする課題 従来の磁気抵抗型ヘッドは、一般に磁気抵抗素子の位
置はフロントヨークおよびバックヨークとのオーバーラ
ップ量が丁度等しくなるように設計される。
置はフロントヨークおよびバックヨークとのオーバーラ
ップ量が丁度等しくなるように設計される。
しかし、磁気抵抗型ヘッドの作製時にはフォトリソグ
ラフィ工程でのパターン合わせ精度等種々の要因により
磁気抵抗素子の位置は前後にずれるのが普通であった。
このため、磁気ヘッドの再生出力は大きくばらつき、特
に多チャンネルの磁気抵抗型ヘッドではチャンネルごと
にその再生出力がおおきく変化し使い難いものとなって
いた。
ラフィ工程でのパターン合わせ精度等種々の要因により
磁気抵抗素子の位置は前後にずれるのが普通であった。
このため、磁気ヘッドの再生出力は大きくばらつき、特
に多チャンネルの磁気抵抗型ヘッドではチャンネルごと
にその再生出力がおおきく変化し使い難いものとなって
いた。
課題を解決するための手段 本発明の目的は、上記従来の磁気抵抗型ヘッドの課題
を解決し、良好な磁気記録再生を行なう磁気抵抗型ヘッ
ドおよびその製造方法を提供することである。
を解決し、良好な磁気記録再生を行なう磁気抵抗型ヘッ
ドおよびその製造方法を提供することである。
この目的を達成するために本発明の磁気抵抗型ヘッド
においては、フロントヨークと磁気抵抗素子とのオーバ
ーラップ量がバックヨークと磁気抵抗素子とのオーバー
ラップ量よりも常に大きくしたことを特徴としている。
においては、フロントヨークと磁気抵抗素子とのオーバ
ーラップ量がバックヨークと磁気抵抗素子とのオーバー
ラップ量よりも常に大きくしたことを特徴としている。
作用 上記構成によって、安定した再生出力を得ることが可
能になる。以下この理由について詳述する。
能になる。以下この理由について詳述する。
すなわち、磁気抵抗型ヘッドは前記したオーバーラッ
プ量によりその再生効率は変化する。特に、フロントヨ
ークと磁気抵抗素子とのオーバーラップ量によって再生
出力は大きく影響され、フロントヨークのオーバーラッ
プ量がバックヨークのオーバーラップ量と比較して小さ
くなると再生出力は急激に低下する傾向がある。従っ
て、フロントヨークのオーバーラップ量を他方のものに
比べて常に大きくなるようにすることによって、安定し
た再生出力を得ることが可能になる。
プ量によりその再生効率は変化する。特に、フロントヨ
ークと磁気抵抗素子とのオーバーラップ量によって再生
出力は大きく影響され、フロントヨークのオーバーラッ
プ量がバックヨークのオーバーラップ量と比較して小さ
くなると再生出力は急激に低下する傾向がある。従っ
て、フロントヨークのオーバーラップ量を他方のものに
比べて常に大きくなるようにすることによって、安定し
た再生出力を得ることが可能になる。
実施例 以下、本発明の好適な実施例について第1図、及び第
2図を用いて説明する。本実施例の磁気抵抗型ヘッドは
以下に述べるように作製される。まず、Ni−Znフェライ
トやMn−Znフェライト等の磁性基板21上にSiO2やAl2O3
などの第1の絶縁層29がスパッタリング等の方法で形成
される。第1の絶縁層29上に銅,アルミニウムあるいは
金などの導電薄膜が真空蒸着等で形成された後、フォト
リソグラフィ技術を駆使して所定の形状にされ、バイア
ス導体22が形成される。バイアス導体22上にSiO2あるい
はAl2O3などの第2の絶縁層30が形成される。第2の絶
縁層30上にNi−Fe合金薄膜、あるいはNi−Co合金薄膜で
構成された磁気抵抗素子23が磁界中真空蒸着あるいは磁
界中スパッタリングなどでトラック幅方向が磁化容易軸
となるように形成された後、フォトリソグラフィ技術を
用いて幅10μmのストライプ状にパターンニングされ
る。次に、磁気抵抗素子23に駆動電流を流すための一対
の電極24a,24bが磁気抵抗素子の両端に接続するように
形成される。磁気抵抗素子23上にSiO2あるいはAl2O3等
の第3の絶縁層31が形成される。
2図を用いて説明する。本実施例の磁気抵抗型ヘッドは
以下に述べるように作製される。まず、Ni−Znフェライ
トやMn−Znフェライト等の磁性基板21上にSiO2やAl2O3
などの第1の絶縁層29がスパッタリング等の方法で形成
される。第1の絶縁層29上に銅,アルミニウムあるいは
金などの導電薄膜が真空蒸着等で形成された後、フォト
リソグラフィ技術を駆使して所定の形状にされ、バイア
ス導体22が形成される。バイアス導体22上にSiO2あるい
はAl2O3などの第2の絶縁層30が形成される。第2の絶
縁層30上にNi−Fe合金薄膜、あるいはNi−Co合金薄膜で
構成された磁気抵抗素子23が磁界中真空蒸着あるいは磁
界中スパッタリングなどでトラック幅方向が磁化容易軸
となるように形成された後、フォトリソグラフィ技術を
用いて幅10μmのストライプ状にパターンニングされ
る。次に、磁気抵抗素子23に駆動電流を流すための一対
の電極24a,24bが磁気抵抗素子の両端に接続するように
形成される。磁気抵抗素子23上にSiO2あるいはAl2O3等
の第3の絶縁層31が形成される。
この後、バックヨーク26と磁性基板21を接合するため
に、接合部33上の第1,第2および第3の絶縁層がフォト
リソグラフィ技術を用いてエッチング除去される。磁気
ギャップ27は、第2および第3の絶縁層をエッチング除
去し、第1絶縁層27を残して形成される。第2の絶縁層
30上にNi−Fe合金薄膜、あるいはNi−Co合金薄膜で構成
された磁気抵抗素子23が磁界中真空蒸着はるいは磁界中
スパッタリングなどでトラック幅方向が磁化容易軸とう
ように形成された後、フォトリソグフィ技術を用いて幅
10μmのストライプ状にパターンニングされる。次に、
磁気抵抗素子23に駆動電流を流すための一対の電極24a,
24bが磁気抵抗素子23の両端に接続するように形成され
る。磁気抵抗素子23上にSiO2あるいはAl2O3等の第3の
絶縁層31が形成される。
に、接合部33上の第1,第2および第3の絶縁層がフォト
リソグラフィ技術を用いてエッチング除去される。磁気
ギャップ27は、第2および第3の絶縁層をエッチング除
去し、第1絶縁層27を残して形成される。第2の絶縁層
30上にNi−Fe合金薄膜、あるいはNi−Co合金薄膜で構成
された磁気抵抗素子23が磁界中真空蒸着はるいは磁界中
スパッタリングなどでトラック幅方向が磁化容易軸とう
ように形成された後、フォトリソグフィ技術を用いて幅
10μmのストライプ状にパターンニングされる。次に、
磁気抵抗素子23に駆動電流を流すための一対の電極24a,
24bが磁気抵抗素子23の両端に接続するように形成され
る。磁気抵抗素子23上にSiO2あるいはAl2O3等の第3の
絶縁層31が形成される。
この後に、Ni−Fe合金薄膜,センダスト薄膜あるいは
Co−Nb−Zrアモルファス合金薄膜等が真空蒸着あるいは
スパッタリング等で形成され、フィトリソグラフィ技術
を用いて磁気抵抗素子23部分でフロントヨーク25とバッ
クヨーク26に分割された透磁性ヨーク34が形成される。
特にフロントヨーク25とバックヨーク26は前記の磁気抵
抗素子23とその端部で互いにオーバーラップするように
構成される。
Co−Nb−Zrアモルファス合金薄膜等が真空蒸着あるいは
スパッタリング等で形成され、フィトリソグラフィ技術
を用いて磁気抵抗素子23部分でフロントヨーク25とバッ
クヨーク26に分割された透磁性ヨーク34が形成される。
特にフロントヨーク25とバックヨーク26は前記の磁気抵
抗素子23とその端部で互いにオーバーラップするように
構成される。
一般に透磁性ヨーク34をフロントヨーク25とバックヨ
ーク26に分割した部分の長さが大きくなるに従って磁気
回路の磁気抵抗は増大し再生効率は低下するため、普通
上記分割長さは5μmから数十μmの範囲で設定され
る。また、後述するように磁気抵抗素子23の抵抗が最も
変化し、再生に寄与する部分は磁気抵抗素子23の上記分
割部を橋絡する部分であり、オーバーラップ部を大きく
すると磁気抵抗素子全体の抵抗変化は平均化され低下
し、再生効率も低下する。従つて、一般に磁気抵抗素子
23の幅は上記分割長さの数倍以内に設定される。
ーク26に分割した部分の長さが大きくなるに従って磁気
回路の磁気抵抗は増大し再生効率は低下するため、普通
上記分割長さは5μmから数十μmの範囲で設定され
る。また、後述するように磁気抵抗素子23の抵抗が最も
変化し、再生に寄与する部分は磁気抵抗素子23の上記分
割部を橋絡する部分であり、オーバーラップ部を大きく
すると磁気抵抗素子全体の抵抗変化は平均化され低下
し、再生効率も低下する。従つて、一般に磁気抵抗素子
23の幅は上記分割長さの数倍以内に設定される。
第3図は本発明の好適な実施例を作製する時に用いら
れる磁気抵抗素子用53及び透磁性ヨーク用51,52のフォ
トマスクのそれぞれのパターンで、透磁性ヨークのパタ
ーンと磁気抵抗素子のパターンとを重ね合わせて示した
ものである。好適な実施例のフォトマスクは磁気抵抗素
子の幅Wが10μm、磁気抵抗素子とフロントヨークとの
オーバーラップ量OV1は3μm、バックヨークとのオー
バーラップ量OV2は1μmで設計されている。実際のヘ
ッド作製時には、1μm程度のパターン合わせ誤差が発
生する。従って実際に作製された本発明の実施例におけ
る磁気抵抗型ヘッドでは、フロントヨークのオーバーラ
ップ量は2〜4μm、バックヨークとのオーバーラップ
量は0〜2μmとなる。このように本実施例の磁気抵抗
型ヘッドは磁気抵抗素子とフロントヨークとのオーバー
ラップ量がバックヨークとのオーバーラップ量に比較し
て常に大きく構成されている。
れる磁気抵抗素子用53及び透磁性ヨーク用51,52のフォ
トマスクのそれぞれのパターンで、透磁性ヨークのパタ
ーンと磁気抵抗素子のパターンとを重ね合わせて示した
ものである。好適な実施例のフォトマスクは磁気抵抗素
子の幅Wが10μm、磁気抵抗素子とフロントヨークとの
オーバーラップ量OV1は3μm、バックヨークとのオー
バーラップ量OV2は1μmで設計されている。実際のヘ
ッド作製時には、1μm程度のパターン合わせ誤差が発
生する。従って実際に作製された本発明の実施例におけ
る磁気抵抗型ヘッドでは、フロントヨークのオーバーラ
ップ量は2〜4μm、バックヨークとのオーバーラップ
量は0〜2μmとなる。このように本実施例の磁気抵抗
型ヘッドは磁気抵抗素子とフロントヨークとのオーバー
ラップ量がバックヨークとのオーバーラップ量に比較し
て常に大きく構成されている。
第4図は好適な実施例の磁気抵抗型ヘッドにおいて磁
気抵抗素子とフロントヨークおよびバックヨークとのオ
ーバーラップ量を変化させたときの磁気抵抗素子内の幅
方向の各位置における磁束密度分布を計算した結果を示
したものである。X軸は磁気抵抗素子内の位置を示し、
0は磁気抵抗素子中央を表している。Y軸は磁気抵抗素
子内の磁束密度分布比を示している。同図においてAは
磁気抵抗素子23がフロントヨーク25およびバックヨーク
26とそれぞれ2μmオーバーラップした場合である。B
は磁気抵抗素子23がフロントヨーク25と4μmオーバー
ラップした時、Cは磁気抵抗素子23がバックヨーク26と
4μmオーバーラップした時である。
気抵抗素子とフロントヨークおよびバックヨークとのオ
ーバーラップ量を変化させたときの磁気抵抗素子内の幅
方向の各位置における磁束密度分布を計算した結果を示
したものである。X軸は磁気抵抗素子内の位置を示し、
0は磁気抵抗素子中央を表している。Y軸は磁気抵抗素
子内の磁束密度分布比を示している。同図においてAは
磁気抵抗素子23がフロントヨーク25およびバックヨーク
26とそれぞれ2μmオーバーラップした場合である。B
は磁気抵抗素子23がフロントヨーク25と4μmオーバー
ラップした時、Cは磁気抵抗素子23がバックヨーク26と
4μmオーバーラップした時である。
同図から明らかなようにCの磁束密度分布は、A,Bに
比較して大きく低下する。従って、再生出力のばらつき
を抑えるためには、フロント側のオーバーラップ量はバ
ックヨーク側に比べてつねに大きくしておくことが重要
である。
比較して大きく低下する。従って、再生出力のばらつき
を抑えるためには、フロント側のオーバーラップ量はバ
ックヨーク側に比べてつねに大きくしておくことが重要
である。
実際、フロントヨーク及びバックヨークのオーバーラ
ップ量を同じ2μmで設計したフォトマスクを用いて作
製した従来の磁気抵抗型ヘッドは、フロントヨークのオ
ーバーラップ量が1〜3μm、バックヨークのオーバー
ラップ量は3〜1μmとばらつき、再生出力も±25%の
範囲でばらついた。
ップ量を同じ2μmで設計したフォトマスクを用いて作
製した従来の磁気抵抗型ヘッドは、フロントヨークのオ
ーバーラップ量が1〜3μm、バックヨークのオーバー
ラップ量は3〜1μmとばらつき、再生出力も±25%の
範囲でばらついた。
一方、本発明の実施例に従ってフロント側のオーバー
ラップ3μm、バックヨーク側のオーバーラップ1μm
で設計したフォトマスクを用いて作製した磁気抵抗型ヘ
ッドの再生出力は±5%内の範囲に収まった。
ラップ3μm、バックヨーク側のオーバーラップ1μm
で設計したフォトマスクを用いて作製した磁気抵抗型ヘ
ッドの再生出力は±5%内の範囲に収まった。
第5図は第2の実施例で、トラック幅方向に3個の磁
気抵抗型ヘッド61,62,63を磁性基板上65に並べて構成し
た3チャンネル磁気抵抗型ヘッド60である。すべてのチ
ャンネル部でフロントヨーク側のオーバーラップ量はバ
ックヨーク側のオーバーラップ量よりも常に大きくなる
ように構成されている。従って、各チャンネルの再生出
力のばらつきは±5%以内に抑えられる効果を有するも
のである。
気抵抗型ヘッド61,62,63を磁性基板上65に並べて構成し
た3チャンネル磁気抵抗型ヘッド60である。すべてのチ
ャンネル部でフロントヨーク側のオーバーラップ量はバ
ックヨーク側のオーバーラップ量よりも常に大きくなる
ように構成されている。従って、各チャンネルの再生出
力のばらつきは±5%以内に抑えられる効果を有するも
のである。
発明の効果 上記したように本発明の磁気抵抗型ヘッド及びその製
造方法においては磁気抵抗素子とフロントヨークとのオ
ーバーラップ量がバックヨークとのオーバーラップ量に
比べて常に大きいため安定した再生出力を得られる効果
を有するものである。
造方法においては磁気抵抗素子とフロントヨークとのオ
ーバーラップ量がバックヨークとのオーバーラップ量に
比べて常に大きいため安定した再生出力を得られる効果
を有するものである。
特に、マルチチャンネル磁気抵抗型ヘッドにおいては、
各チャンネルの再生出力は±5%以内に抑えられ、本発
明の効果は絶大なるものである。
各チャンネルの再生出力は±5%以内に抑えられ、本発
明の効果は絶大なるものである。
第1図は本発明の好適な第1の実施例における磁気抵抗
型ヘッドの外観図、第2図はそのA−A断面図、第3図
は本発明における第1の実施例の磁気抵抗型ヘッドを作
製する際に用いられた磁気抵抗素子用および透磁性ヨー
ク用フォトマスクの相互の位置関係を示す配置図、第4
図は磁気抵抗素子内の幅方向の各位置における磁束密度
分布を示す図、第5図は本発明の第2の実施例の3チャ
ンネル構成の磁気抵抗型ヘッドの外観図である。 21……基板、22……バイアス導体、23……磁気抵抗素
子、24a,24b……電極、25……フロントヨーク、26……
バックヨーク、27……ギャップ、28……記録媒体、29,3
0,31……絶縁層、32……保護層、34……透磁性ヨーク。
型ヘッドの外観図、第2図はそのA−A断面図、第3図
は本発明における第1の実施例の磁気抵抗型ヘッドを作
製する際に用いられた磁気抵抗素子用および透磁性ヨー
ク用フォトマスクの相互の位置関係を示す配置図、第4
図は磁気抵抗素子内の幅方向の各位置における磁束密度
分布を示す図、第5図は本発明の第2の実施例の3チャ
ンネル構成の磁気抵抗型ヘッドの外観図である。 21……基板、22……バイアス導体、23……磁気抵抗素
子、24a,24b……電極、25……フロントヨーク、26……
バックヨーク、27……ギャップ、28……記録媒体、29,3
0,31……絶縁層、32……保護層、34……透磁性ヨーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸崎 善博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/39
Claims (3)
- 【請求項1】磁性基板上に形成された磁気抵抗素子と、
記録媒体から発生する信号磁界を磁気ヘッド内に導流さ
せるための磁気ギャップと、前記磁気抵抗素子の相対す
る端部で前記磁気抵抗素子とそれぞれオーバーラップ
し、記録媒体からの信号磁束を導くための一対の透磁性
ヨークと、前記磁気抵抗素子を駆動するための一対の電
流印加手段と、前記磁気工抵抗素子に対してトラック幅
方向に垂直にバイアス磁界を印加する手段とを具備した
磁気抵抗型ヘッドであって、前記オーバーラップ部のう
ち前記磁気ギャップに近い方のオーバーラップ量が他方
に比べて大きいことを特徴とする磁気抵抗型ヘッド。 - 【請求項2】磁性基板上に形成された磁気抵抗素子と、
記録媒体から発生する信号磁界を磁気ヘッド内に導流さ
せるための磁気ギャップと、前記磁気抵抗素子の相対す
る端部で前記磁気抵抗素子とそれぞれオーバーラップす
るとともに、前記オーバーラップ部のうち前記磁気ギャ
ップに近いオーバーラップ量が他方に比べて大きい一対
の透磁性ヨークと、前記磁気抵抗素子を駆動するための
一対の電流印加手段と、前記磁気抵抗素子に対して磁気
抵抗素子を含む面内にあってトラック幅方向に垂直にバ
イアス磁界を印加する手段とを具備した磁気抵抗型ヘッ
ドをトラック幅方向に複数個配したことを特徴とするマ
ルチチャンネル型の磁気抵抗型ヘッド。 - 【請求項3】磁性基板上に形成された磁気抵抗素子と、
記録媒体から発生する信号磁界を磁気ヘッド内に導流さ
せるための磁気ギャップと、前記磁気抵抗素子の相対す
る端部で前記磁気抵抗素子とそれぞれオーバーラップ
し、記録媒体からの信号磁束を導くための一対の透磁性
ヨークと、前記磁気抵抗素子を駆動するための一対の電
流印加手段と、前記磁気抵抗素子に対してトラック幅方
向に垂直にバイアス磁界を印加する手段とを有する磁気
抵抗型ヘッドの製造方法であって、前記透磁性ヨークを
所定の形状に加工する際に、透磁性ヨークのパターン位
置を、前記二つのオーバーラップ部の長さを同じにする
位置よりも、最大パターニング誤差分以上前記磁気ギャ
ップ側の反対方向にずらせて配置したフォトマスクを用
いたことを特徴とする磁気抵抗型ヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-264406 | 1989-10-11 | ||
JP26440689 | 1989-10-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03205610A JPH03205610A (ja) | 1991-09-09 |
JP2822646B2 true JP2822646B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=17402719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2231704A Expired - Lifetime JP2822646B2 (ja) | 1989-10-11 | 1990-08-31 | 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5469317A (ja) |
EP (1) | EP0422916B1 (ja) |
JP (1) | JP2822646B2 (ja) |
KR (1) | KR940003648B1 (ja) |
DE (1) | DE69024588T2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2970455B2 (ja) * | 1994-03-14 | 1999-11-02 | 株式会社デンソー | 磁気抵抗素子の製造方法およびその磁場処理装置 |
EP0675554A1 (en) * | 1994-03-24 | 1995-10-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect element |
US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
US5930084A (en) | 1996-06-17 | 1999-07-27 | International Business Machines Corporation | Stabilized MR sensor and flux guide joined by contiguous junction |
US6747854B1 (en) | 1997-02-20 | 2004-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-channel magnetic head with magnetoresistive elements |
FR2761477B1 (fr) * | 1997-04-01 | 1999-04-23 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique a magnetoresistance |
US5949623A (en) * | 1997-09-11 | 1999-09-07 | International Business Machines Corporation | Monolayer longitudinal bias and sensor trackwidth definition for overlaid anisotropic and giant magnetoresistive heads |
US6190764B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-02-20 | Read-Rite Corporation | Inductive write head for magnetic data storage media |
US6221218B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-04-24 | Read-Rite Corporation | Method of forming an inductive write head for magnetic data storage media |
US6223420B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of making a read head with high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
US6996894B2 (en) * | 2002-03-28 | 2006-02-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making magnetic heads with improved contiguous junctions |
US7505233B2 (en) * | 2004-12-15 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensor |
US7955275B2 (en) * | 2007-08-28 | 2011-06-07 | Ferzli George S | Laparoscopic instrument and method for distance measurements of body parts |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS529413A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
NL7908611A (nl) * | 1979-11-28 | 1981-07-01 | Philips Nv | Geintegreerde magneetkopconstructie. |
JPS6047223A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
JPS6069806A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
JPS6069808A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
JPS61107520A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Sony Corp | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
JPS61177616A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
JPS61178713A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気センサ |
JPH061533B2 (ja) * | 1985-05-09 | 1994-01-05 | 松下電器産業株式会社 | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド |
JPS62140219A (ja) * | 1985-12-14 | 1987-06-23 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
US4954920A (en) * | 1986-11-28 | 1990-09-04 | Nec Corporation | Thin film magnetic head |
US4907113A (en) * | 1987-07-29 | 1990-03-06 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head |
JPH01177616A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-13 | Fanuc Ltd | キー操作手順記憶方式 |
JPH01255525A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Daisho Sangyo Kk | 中空体の構造並びにその接続構造 |
JPH0822902B2 (ja) * | 1988-11-21 | 1996-03-06 | ダイセル化学工業株式会社 | エポキシ樹脂の製造方法 |
JP2563597B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1996-12-11 | 松下電器産業株式会社 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
NL8902569A (nl) * | 1989-10-17 | 1991-05-16 | Philips Nv | Dunnefilm magneetkop. |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2231704A patent/JP2822646B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-10 EP EP90311100A patent/EP0422916B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-10 DE DE69024588T patent/DE69024588T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-10 KR KR1019900016037A patent/KR940003648B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-06-07 US US08/255,802 patent/US5469317A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5469317A (en) | 1995-11-21 |
JPH03205610A (ja) | 1991-09-09 |
EP0422916B1 (en) | 1996-01-03 |
KR910008654A (ko) | 1991-05-31 |
DE69024588T2 (de) | 1996-08-14 |
EP0422916A3 (en) | 1992-05-20 |
KR940003648B1 (ko) | 1994-04-25 |
DE69024588D1 (de) | 1996-02-15 |
EP0422916A2 (en) | 1991-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5218497A (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith | |
US5402292A (en) | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films | |
JPH0522286B2 (ja) | ||
JPH07105006B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
JP2822646B2 (ja) | 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 | |
US5097372A (en) | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area | |
JPH07272225A (ja) | 磁気抵抗性ヘッド | |
US5436779A (en) | Integrated yoke magnetoresistive transducer with magnetic shunt | |
JP2000113421A (ja) | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド | |
US5905610A (en) | Combined read/write magnetic head having MRE positioned between broken flux guide and non-magnetic substrate | |
US5959809A (en) | Magnetoresistive head and method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus | |
EP0372420B1 (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head for use therewith | |
US5875078A (en) | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method | |
JPS62114113A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPS6224848B2 (ja) | ||
JP2596010B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JPH08339513A (ja) | 記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH06119619A (ja) | 垂直磁気記録再生用複合型ヘッド | |
JPS63138515A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH08316547A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
JPH08321013A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH05159242A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH05159247A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
JPH10501092A (ja) | 磁気ヘッドと測定装置と電流装置を具えた磁気装置 | |
JPH09180136A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080904 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080904 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090904 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090904 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100904 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |