JP2815984B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2815984B2 JP2815984B2 JP17587990A JP17587990A JP2815984B2 JP 2815984 B2 JP2815984 B2 JP 2815984B2 JP 17587990 A JP17587990 A JP 17587990A JP 17587990 A JP17587990 A JP 17587990A JP 2815984 B2 JP2815984 B2 JP 2815984B2
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- tape
- chip
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体のチップの細線リードをサポートテープで支持
するTAB方式を用いた半導体装置に関し、 封止用樹脂との接着性を良くし、リードフレームでの
耐実装ストレスを向上させ、パッケージのひび割れや細
線リードの切断を防ぎ信頼性の向上を目的とし、 プラスチック封止型ICでテープキャリア方式を使用
し、サポートテープで細線リードを支持する半導体装置
において、細線リードを支持するサポータテープに複数
個のスルーホールを設け、且つサポートテープの所定箇
所に面取りを施す。
するTAB方式を用いた半導体装置に関し、 封止用樹脂との接着性を良くし、リードフレームでの
耐実装ストレスを向上させ、パッケージのひび割れや細
線リードの切断を防ぎ信頼性の向上を目的とし、 プラスチック封止型ICでテープキャリア方式を使用
し、サポートテープで細線リードを支持する半導体装置
において、細線リードを支持するサポータテープに複数
個のスルーホールを設け、且つサポートテープの所定箇
所に面取りを施す。
半導体のチップのボンディングされた細線リードをサ
ポートテープで支持するTAB方式（Tape Automated Bond
ing以下TAB方式と呼ぶ）を用いた半導体装置に関する。
ポートテープで支持するTAB方式（Tape Automated Bond
ing以下TAB方式と呼ぶ）を用いた半導体装置に関する。
ICチップはチップ本体のみでは機能しないため、ICチ
ップのパッケージングを行い、プリント基板等との接続
を行う。その際、ICチップとリードフレームを細線リー
ドでボンディングすると細線リードとベースの間に空隙
ができ、この空隙のために封止樹脂注入の際、細線リー
ドが振動することがある。この空隙を埋め、細線リード
を支持するためにサポートテープが必要になる。さら
に、細線リードや、サポートテープ、ベース等は各材質
の違いがある。従って、材質が異なっても耐性に優れた
パッケージングが求められている。
ップのパッケージングを行い、プリント基板等との接続
を行う。その際、ICチップとリードフレームを細線リー
ドでボンディングすると細線リードとベースの間に空隙
ができ、この空隙のために封止樹脂注入の際、細線リー
ドが振動することがある。この空隙を埋め、細線リード
を支持するためにサポートテープが必要になる。さら
に、細線リードや、サポートテープ、ベース等は各材質
の違いがある。従って、材質が異なっても耐性に優れた
パッケージングが求められている。
プラスチック封止型IC素子でTAB方式を使用した半導
体装置ではICチップとリードフレーム間の細線リードの
振動や歪みから保護するために細線リードを支持するサ
ポートテープが必要である。
体装置ではICチップとリードフレーム間の細線リードの
振動や歪みから保護するために細線リードを支持するサ
ポートテープが必要である。
第３図は従来のプラスチック封止型ICの一例を示す。
30は細線リードであり、31は細線リード30を支持するた
めのサポートテープであり、32はICチップ、33はリード
フレームである。封止はICチップ32に悪影響を及ぼす塵
埃、薬品、湿気や、機械的な破壊から保護するためにな
される。
30は細線リードであり、31は細線リード30を支持するた
めのサポートテープであり、32はICチップ、33はリード
フレームである。封止はICチップ32に悪影響を及ぼす塵
埃、薬品、湿気や、機械的な破壊から保護するためにな
される。
ICチップ32は細線リード30でリードフレーム33にボン
ディングされており、サポートテープ31は細線リード30
とリードフレーム33の間にできる空隙で細線リード30を
支持するために設けられている。
ディングされており、サポートテープ31は細線リード30
とリードフレーム33の間にできる空隙で細線リード30を
支持するために設けられている。
また、第４図は従来のTAB方式プラスチック封止型IC
の一部の断面図を示す。第３図と同一構成部分には同一
符号を振し、その説明を省略する。40は封止樹脂で細線
リード30やサポートテープ31を封止する。樹脂封止は樹
脂をトランスファーモールドにより注入し、ICチップ32
表面に密着し、完全に被覆する。
の一部の断面図を示す。第３図と同一構成部分には同一
符号を振し、その説明を省略する。40は封止樹脂で細線
リード30やサポートテープ31を封止する。樹脂封止は樹
脂をトランスファーモールドにより注入し、ICチップ32
表面に密着し、完全に被覆する。
細線リード30を支持するサポートテープ31の材質は吸
湿性のあるカプトン（ポリイミド膜）であるので、封止
すると封止用の樹脂との接着性が悪く、細線リード30が
振動して位置ずれや切断を生じることがある。また、サ
ポートテープ31と細線リード30とは膨張率が異なるため
に細線リード30がテープの膨張や収縮のために切断され
ることもあるという問題がある。
湿性のあるカプトン（ポリイミド膜）であるので、封止
すると封止用の樹脂との接着性が悪く、細線リード30が
振動して位置ずれや切断を生じることがある。また、サ
ポートテープ31と細線リード30とは膨張率が異なるため
に細線リード30がテープの膨張や収縮のために切断され
ることもあるという問題がある。
さらに封止する樹脂はICチップ32や細線リード30との
接着性が弱いために、プリント基板等に装着する段階で
パッケージに実装ストレスを与えると、ひび割れを起こ
す。
接着性が弱いために、プリント基板等に装着する段階で
パッケージに実装ストレスを与えると、ひび割れを起こ
す。
また、第４図中、ａはサポートテープ31のエッジ部分
と封止樹脂40との間にできるひび割れを示す。これはサ
ポートテープ31に外力が集中するためや温度変化による
もので、その場合ａのようなエッジ部分にひびが入りや
すい等の問題があった。
と封止樹脂40との間にできるひび割れを示す。これはサ
ポートテープ31に外力が集中するためや温度変化による
もので、その場合ａのようなエッジ部分にひびが入りや
すい等の問題があった。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので封止用樹脂と
の接着性を良くし、リードフレーム33での耐実装ストレ
スを向上させ、細線リード30の振動による切断等、及び
やパッケージのひび割れを防ぎ、信頼性のある半導体装
置を提供することを目的とする。
の接着性を良くし、リードフレーム33での耐実装ストレ
スを向上させ、細線リード30の振動による切断等、及び
やパッケージのひび割れを防ぎ、信頼性のある半導体装
置を提供することを目的とする。
上記課題は細線リードを支持するサポートテープに複
数個のスルーホールを設け、また、サポートテープの所
定箇所に面取りを施すように構成することにより解決さ
れる。
数個のスルーホールを設け、また、サポートテープの所
定箇所に面取りを施すように構成することにより解決さ
れる。
サポートテープにスルーホールを設けることにより樹
脂がスルーホールに注入され、スルーホールが樹脂で固
められ、接着性が強くなる。また、応力が集中し易いサ
ポートテープのエッジ部分の面取りを施すことによりエ
ッジ部分に集中する応力を分散する。
脂がスルーホールに注入され、スルーホールが樹脂で固
められ、接着性が強くなる。また、応力が集中し易いサ
ポートテープのエッジ部分の面取りを施すことによりエ
ッジ部分に集中する応力を分散する。
第１図は本発明の実施例の平面図を示す。同図中、第
３図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。10はサポートテープ、11はスルーホールである。
３図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。10はサポートテープ、11はスルーホールである。
サポートテープ10は細線リード30を支持し、細線リー
ド30はICチップ32とリードフレーム33をボンディングし
ている。
ド30はICチップ32とリードフレーム33をボンディングし
ている。
テープ状のリードフレーム33にはICチップ32、サポー
トテープ10が設けられている。細線リード30はICチップ
の電極とボンディングされ、ICチップの電極はパッド上
に形成されている。
トテープ10が設けられている。細線リード30はICチップ
の電極とボンディングされ、ICチップの電極はパッド上
に形成されている。
サポートテープ10のスルーホール11はサポートテープ
10の全面に任意の配列で複数個設ける。また、これによ
りプラスチック樹脂がサポートテープ10の上下のどちら
からでも注入することができ、サポートテープ10を挟ん
で上下に封止樹脂があるので、封止樹脂に周囲を固めら
れて細線リード30と共に固定される。
10の全面に任意の配列で複数個設ける。また、これによ
りプラスチック樹脂がサポートテープ10の上下のどちら
からでも注入することができ、サポートテープ10を挟ん
で上下に封止樹脂があるので、封止樹脂に周囲を固めら
れて細線リード30と共に固定される。
スルーホール11の大きさは例えば50〜60ミクロンの大
きさであっても封止樹脂が注入されるには十分であり、
また、スルーホール11の数は細線リード30を支持するこ
とができる強度の範囲で全体的に多く設けた方が封止樹
脂との接着力が強くなる。
きさであっても封止樹脂が注入されるには十分であり、
また、スルーホール11の数は細線リード30を支持するこ
とができる強度の範囲で全体的に多く設けた方が封止樹
脂との接着力が強くなる。
第２図は本発明の実施例の断面図を示す。第１図、第
３図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。20はサポートテープ10のエッジである。サポートテ
ープ10を断面から見ると上下４ヵ所のエッジがあり、そ
のうち細線リード30を支持していないほうの下部の２つ
のエッジ20の部分に対し、ケミカルエッチングまたはプ
レスにより面取りを施す。
３図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。20はサポートテープ10のエッジである。サポートテ
ープ10を断面から見ると上下４ヵ所のエッジがあり、そ
のうち細線リード30を支持していないほうの下部の２つ
のエッジ20の部分に対し、ケミカルエッチングまたはプ
レスにより面取りを施す。
これにより封止樹脂21を注入したときサポートテープ
のエッジ20との接着面が円弧状であるので、いままでサ
ポートテープ10のエッジ20に集中していた応力が分散さ
れる。
のエッジ20との接着面が円弧状であるので、いままでサ
ポートテープ10のエッジ20に集中していた応力が分散さ
れる。
従って、本発明の実施例でのリードフレーム33におい
て、耐実装ストレスのパッケージクラック性では許容吸
湿時間が２倍以上となる。
て、耐実装ストレスのパッケージクラック性では許容吸
湿時間が２倍以上となる。
以上のように本発明によればサポートテープにスルー
ホールを設けることにより封止樹脂がサポートテープの
スルーホールに注入される。これによりアンカー効果が
生じ、サポートテープの周囲が固められ、接着性が向上
し、細線リードの振動や、膨張、収縮による細線リード
の断線が防止できる。
ホールを設けることにより封止樹脂がサポートテープの
スルーホールに注入される。これによりアンカー効果が
生じ、サポートテープの周囲が固められ、接着性が向上
し、細線リードの振動や、膨張、収縮による細線リード
の断線が防止できる。
また、サポートテープのエッジの面取りを行うことに
よりエッジに集中する力が拡散し、ICチップの中部に応
力が集中してもその衝撃が和らげられる。また、実装の
時に膨張・収縮によるひび割れ等が起こり難くなり信頼
性の向上が図れるという特長がある。
よりエッジに集中する力が拡散し、ICチップの中部に応
力が集中してもその衝撃が和らげられる。また、実装の
時に膨張・収縮によるひび割れ等が起こり難くなり信頼
性の向上が図れるという特長がある。
第１図は本発明の実施例の平面図、 第２図は本発明の実施例の断面図、 第３図は従来のプラスチック封止型ICの平面図、 第４図は従来のプラスチック封止型ICの断面図である。 図において、 10はサポートテープ、 11はスルーホール、 30は細線リード、 32はICチップ、 33はリードフレーム、 20はエッジ、 40は封止樹脂、 41はパッド を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 23/28
Claims (1)
- 【請求項１】ICをプラスチックにより封止したパッケー
ジでテープキャリア方式を使用し、サポートテープで前
記ICに設けられた電極と外部とを接続する複数本の細線
リードを支持する半導体装置において、 前記サポートテープに複数個のスルーホールを設け、且
つ前記サポートテープの所定箇所に面取りを施すことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17587990A JP2815984B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17587990A JP2815984B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463451A JPH0463451A (ja) | 1992-02-28 |
| JP2815984B2 true JP2815984B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=16003810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17587990A Expired - Fee Related JP2815984B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815984B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG68542A1 (en) * | 1993-06-04 | 1999-11-16 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP3329073B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2002-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17587990A patent/JP2815984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0463451A (ja) | 1992-02-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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