JP2809927B2 - 定電流源回路 - Google Patents
定電流源回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路等でよく使
用される定電流源回路に関し、特にその温度補償の改善
を図ったものに関するものである。
用される定電流源回路に関し、特にその温度補償の改善
を図ったものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は定電流源回路の従来例を示す回
路図である。図において、１は基準電圧Ｖ1 を発生する
基準電圧源、２はこの基準電圧源１の基準電圧Ｖ1 がそ
の非反転入力に印加される演算増幅器、３はこの演算増
幅器２の出力がベースに印加され、エミッタが演算増幅
器２の反転入力に接続されたＮＰＮ型のトランジスタ、
４はトランジスタ３のエミッタとグランド間に接続され
た抵抗である。
路図である。図において、１は基準電圧Ｖ1 を発生する
基準電圧源、２はこの基準電圧源１の基準電圧Ｖ1 がそ
の非反転入力に印加される演算増幅器、３はこの演算増
幅器２の出力がベースに印加され、エミッタが演算増幅
器２の反転入力に接続されたＮＰＮ型のトランジスタ、
４はトランジスタ３のエミッタとグランド間に接続され
た抵抗である。
【０００３】次に動作について説明する。演算増幅器２
とトランジスタ３によって負帰還回路が構成されてお
り、抵抗４には基準電圧源１と同等の電圧が印加されて
いる。基準電圧源１の電圧をＶ1 、抵抗４の抵抗値をＲ
1 とすれば、抵抗４に流れる電流は、Ｉ1 ＝Ｖ1 ／Ｒ1
となる。トランジスタ３の電流増幅率が充分高ければ、
コレクタよりほぼＩ1 と同等の電流を吸い込むことがで
きる。すなわち、Ｖ1 が一定、Ｒ1 が一定であればトラ
ンジスタ３のコレクタより、一定電流が得られるので、
この回路を定電流源回路として用いることができる。
とトランジスタ３によって負帰還回路が構成されてお
り、抵抗４には基準電圧源１と同等の電圧が印加されて
いる。基準電圧源１の電圧をＶ1 、抵抗４の抵抗値をＲ
1 とすれば、抵抗４に流れる電流は、Ｉ1 ＝Ｖ1 ／Ｒ1
となる。トランジスタ３の電流増幅率が充分高ければ、
コレクタよりほぼＩ1 と同等の電流を吸い込むことがで
きる。すなわち、Ｖ1 が一定、Ｒ1 が一定であればトラ
ンジスタ３のコレクタより、一定電流が得られるので、
この回路を定電流源回路として用いることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の定電流源回路は
以上のように構成されていたため、抵抗に温度特性があ
ると、定電流出力も温度特性を持ってしまうため、温度
特性のない抵抗を使用する必要があった。しかしなが
ら、特に定電流源回路をＩＣ化する場合、ＩＣ内部の抵
抗（拡散抵抗、ポリシリコン抵抗等）は、温度特性が大
きいことが通常であり、この従来回路の構成で温度特性
のない定電流源を実現するのは困難であった。
以上のように構成されていたため、抵抗に温度特性があ
ると、定電流出力も温度特性を持ってしまうため、温度
特性のない抵抗を使用する必要があった。しかしなが
ら、特に定電流源回路をＩＣ化する場合、ＩＣ内部の抵
抗（拡散抵抗、ポリシリコン抵抗等）は、温度特性が大
きいことが通常であり、この従来回路の構成で温度特性
のない定電流源を実現するのは困難であった。
【０００５】こうした問題を解決するために、抵抗をＩ
Ｃ外部の抵抗として温度補償を行なうことが考えられる
が、それには、ＩＣに余分な端子が必要となり、また外
付け抵抗であるため、ＩＣ内部の抵抗との相対比がとれ
ない等の欠点があった。
Ｃ外部の抵抗として温度補償を行なうことが考えられる
が、それには、ＩＣに余分な端子が必要となり、また外
付け抵抗であるため、ＩＣ内部の抵抗との相対比がとれ
ない等の欠点があった。
【０００６】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、温度特性の補償された定電流源
回路を、ＩＣ化に最適な形で提供せんとするものであ
る。
ためになされたもので、温度特性の補償された定電流源
回路を、ＩＣ化に最適な形で提供せんとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る定電流源
回路は、抵抗の温度特性を補償するために、基準電圧源
に温度補償特性を持たせることによって、定電流源を実
現したものであり、この基準電圧源の温度補償特性はダ
イオードもしくはダイオード接続されたトランジスタの
順方向電圧温度特性を用いて実現したものである。
回路は、抵抗の温度特性を補償するために、基準電圧源
に温度補償特性を持たせることによって、定電流源を実
現したものであり、この基準電圧源の温度補償特性はダ
イオードもしくはダイオード接続されたトランジスタの
順方向電圧温度特性を用いて実現したものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、上述のように構成したこ
とにより、温度特性の大きいＩＣ内部の抵抗を用いて
も、基準電圧源によって温度補償されるため、温度特性
のない外部抵抗等を用いる必要がなく、温度特性を持た
ない定電流源回路が実現できる。
とにより、温度特性の大きいＩＣ内部の抵抗を用いて
も、基準電圧源によって温度補償されるため、温度特性
のない外部抵抗等を用いる必要がなく、温度特性を持た
ない定電流源回路が実現できる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による定電流源回路を示
すものであり、図において、図１１と同一符号は同一の
ものを示す。１０は本実施例における基準電圧源であ
り、相互に直列接続された、電流源Ｉ2 ，ダイオードＤ
1 ，電圧源Ｖ1 から構成されている。
する。図１は本発明の一実施例による定電流源回路を示
すものであり、図において、図１１と同一符号は同一の
ものを示す。１０は本実施例における基準電圧源であ
り、相互に直列接続された、電流源Ｉ2 ，ダイオードＤ
1 ，電圧源Ｖ1 から構成されている。
【００１０】この実施例は、基準電圧源１０が、電流源
Ｉ2 ，ダイオードＤ1 ，電圧源Ｖ1から構成され、抵抗
４の温度特性を補償すべくダイオードＤ1 により温度補
償特性が付与されている点を除けば、従来例と同様の構
成を持つ。
Ｉ2 ，ダイオードＤ1 ，電圧源Ｖ1から構成され、抵抗
４の温度特性を補償すべくダイオードＤ1 により温度補
償特性が付与されている点を除けば、従来例と同様の構
成を持つ。
【００１１】したがって得られる定電流出力Ｉ1 は、Ｉ
1 ＝Ｖ2 ／Ｒ1 で、これは従来例と同様である。ここで
Ｖ2 は、基準電圧源１０の基準電圧である。
1 ＝Ｖ2 ／Ｒ1 で、これは従来例と同様である。ここで
Ｖ2 は、基準電圧源１０の基準電圧である。
【００１２】次にその温度補償動作について説明する。
ダイオードＤ1 の順方向電圧ＶF の温度係数をαとす
る。また抵抗４の温度係数をρとすると、電流Ｉ1 は、
ダイオードＤ1 の順方向電圧ＶF の温度係数をαとす
る。また抵抗４の温度係数をρとすると、電流Ｉ1 は、
【００１３】 Ｉ1 ＝〔Ｖ1 ＋ＶF （１＋αＴ）〕／〔Ｒ1 （１＋ρＴ）〕 …(1)
【００１４】で表わせる。Ｔは温度変化値である。した
がって、
がって、
【００１５】 〔Ｖ1 ＋ＶF （１＋αＴ）〕／（１＋ρＴ） …(2)
【００１６】を一定とすれば、Ｉ1 の温度補償が実現で
きる。
きる。
【００１７】以下、理解を容易にするため具体的な数値
例を用いて説明する。室温（２５°Ｃ）にて抵抗４の値
をＲ1 ＝１０ｋΩ，ダイオードＤ1 の順方向電圧をＶF
＝０．７Ｖ，電圧源Ｖ1 の電圧をＶ1 ＝０．３Ｖとする
と、定電流出力をＩ1 ＝１００μＡと設定できる。
例を用いて説明する。室温（２５°Ｃ）にて抵抗４の値
をＲ1 ＝１０ｋΩ，ダイオードＤ1 の順方向電圧をＶF
＝０．７Ｖ，電圧源Ｖ1 の電圧をＶ1 ＝０．３Ｖとする
と、定電流出力をＩ1 ＝１００μＡと設定できる。
【００１８】抵抗４の温度係数ρをρ＝−２０００ｐｐ
ｍ／°Ｃとする。ダイオードＤ1 はシリコンであれば、
順方向電圧ＶF の温度特性は絶対値で−２ｍＶ／°Ｃで
あることが理論上知られているため、この温度特性を温
度係数に換算すると、順方向電圧ＶF の温度係数αはα
＝−２８６０ｐｐｍ／°Ｃとなる。
ｍ／°Ｃとする。ダイオードＤ1 はシリコンであれば、
順方向電圧ＶF の温度特性は絶対値で−２ｍＶ／°Ｃで
あることが理論上知られているため、この温度特性を温
度係数に換算すると、順方向電圧ＶF の温度係数αはα
＝−２８６０ｐｐｍ／°Ｃとなる。
【００１９】温度が１００°Ｃ上昇した場合を考えてみ
ると、抵抗４の値Ｒ1 は、Ｒ1 ＝１０ｋΩ・（１＋ρ×
１００°Ｃ）＝８ｋΩとなる。また基準電圧Ｖ2 は、Ｖ
2 ＝Ｖ1 ＋ＶF ・（１＋α×１００°Ｃ）＝０．３Ｖ＋
０．７Ｖ・（１−０．２８６）＝０．８Ｖとなる。この
時の電流Ｉ1 を求めると、Ｉ1 ＝Ｖ2 ／Ｒ1 ＝０．８Ｖ
／８ｋΩ＝１００μＡとなり、室温と比べ変化せず、温
度補償されていることがわかる。
ると、抵抗４の値Ｒ1 は、Ｒ1 ＝１０ｋΩ・（１＋ρ×
１００°Ｃ）＝８ｋΩとなる。また基準電圧Ｖ2 は、Ｖ
2 ＝Ｖ1 ＋ＶF ・（１＋α×１００°Ｃ）＝０．３Ｖ＋
０．７Ｖ・（１−０．２８６）＝０．８Ｖとなる。この
時の電流Ｉ1 を求めると、Ｉ1 ＝Ｖ2 ／Ｒ1 ＝０．８Ｖ
／８ｋΩ＝１００μＡとなり、室温と比べ変化せず、温
度補償されていることがわかる。
【００２０】図２は本発明の他の実施例である。この実
施例は、図１の基準電圧源１０に抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 が追加
されている。これは、ダイオードの順方向電圧の温度係
数を抵抗比に応じて任意の温度係数とするためである。
施例は、図１の基準電圧源１０に抵抗Ｒ2 ，Ｒ3 が追加
されている。これは、ダイオードの順方向電圧の温度係
数を抵抗比に応じて任意の温度係数とするためである。
【００２１】理解を容易にするために具体的な数値例を
用いて説明する。抵抗の温度係数ρがρ＝−１０００ｐ
ｐｍ／°Ｃと、図１の実施例の１／２になった場合を考
える。この場合、補償する基準電圧源１の温度係数も１
／２とすれば良い。このため抵抗Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝１０ｋΩ
とする。
用いて説明する。抵抗の温度係数ρがρ＝−１０００ｐ
ｐｍ／°Ｃと、図１の実施例の１／２になった場合を考
える。この場合、補償する基準電圧源１の温度係数も１
／２とすれば良い。このため抵抗Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝１０ｋΩ
とする。
【００２２】図１の実施例と同様に、室温での抵抗４の
抵抗値をＲ1 ＝１０ｋΩ，ダイオードの順方向電圧をＶ
F ＝０．７Ｖとし、定電流値Ｉ1 がＩ1 ＝１００μＡと
なるように基準電圧源１０の電圧値をＶ2 ＝１Ｖとす
る。このとき、基準電圧源１の電圧値Ｖ2 は、
抵抗値をＲ1 ＝１０ｋΩ，ダイオードの順方向電圧をＶ
F ＝０．７Ｖとし、定電流値Ｉ1 がＩ1 ＝１００μＡと
なるように基準電圧源１０の電圧値をＶ2 ＝１Ｖとす
る。このとき、基準電圧源１の電圧値Ｖ2 は、
【００２３】 Ｖ2 ＝〔（Ｒ3 ×ＶF ）／（Ｒ2 ＋Ｒ3 ）〕＋Ｖ1 …(3)
【００２４】で与えられるから、電圧源Ｖ1 の電圧はＶ
1 ＝０．６５Ｖとなる。
1 ＝０．６５Ｖとなる。
【００２５】次に室温から１００°Ｃ温度上昇した場合
を考えると、抵抗４の抵抗値Ｒ1 はＲ1 ＝１０ｋΩ・
（１＋ρ×１００°Ｃ）＝９ｋΩとなる。この時、基準
電圧源１０の電圧値Ｖ2 は、
を考えると、抵抗４の抵抗値Ｒ1 はＲ1 ＝１０ｋΩ・
（１＋ρ×１００°Ｃ）＝９ｋΩとなる。この時、基準
電圧源１０の電圧値Ｖ2 は、
【００２６】 Ｖ2 ＝〔（Ｒ3 ×ＶF （１＋αＴ））／（Ｒ2 ＋Ｒ3 ）〕＋Ｖ1 …(4)
【００２７】より、Ｖ2 ＝〔（１０ｋΩ×０．７Ｖ（１
＋α×１００°Ｃ））／（１０ｋΩ＋１０ｋΩ）〕＋
０．６５Ｖ＝〔０．７Ｖ・（１−０．２８６）／２〕＋
０．６５Ｖ＝０．９Ｖとなる。
＋α×１００°Ｃ））／（１０ｋΩ＋１０ｋΩ）〕＋
０．６５Ｖ＝〔０．７Ｖ・（１−０．２８６）／２〕＋
０．６５Ｖ＝０．９Ｖとなる。
【００２８】したがって、Ｉ1 ＝Ｖ2 ／Ｒ1 ＝０．９Ｖ
／９ｋΩ＝１００μＡとなり、定電流値は室温と比べ変
化せず、温度補償されたことがわかる。
／９ｋΩ＝１００μＡとなり、定電流値は室温と比べ変
化せず、温度補償されたことがわかる。
【００２９】以上の数値例から分かるように、抵抗の温
度係数に応じて抵抗Ｒ2 とＲ3 の分圧比を変えてやれば
任意の温度係数について補償可能である。
度係数に応じて抵抗Ｒ2 とＲ3 の分圧比を変えてやれば
任意の温度係数について補償可能である。
【００３０】以上、抵抗の温度係数が負の場合について
述べたが、図１，図２の接続を、図３，図４のごとく変
えてやれば、抵抗の温度係数が正の場合にも同様に実現
できる。
述べたが、図１，図２の接続を、図３，図４のごとく変
えてやれば、抵抗の温度係数が正の場合にも同様に実現
できる。
【００３１】また、抵抗の温度係数がかなり大きい場合
は、図５のごとくダイオードを接続し、補償温度係数も
大きくする様に改良してやれば良い。
は、図５のごとくダイオードを接続し、補償温度係数も
大きくする様に改良してやれば良い。
【００３２】さらに、上記実施例では、設定すべき電流
値Ｉ1 の設定を容易に決定するため、電圧源Ｖ1 を用い
たが、特定の条件（定電流値）では、図６のごとく電圧
源Ｖ1 を用いず接地としてもよく、上記実施例と同様の
効果が得られる。
値Ｉ1 の設定を容易に決定するため、電圧源Ｖ1 を用い
たが、特定の条件（定電流値）では、図６のごとく電圧
源Ｖ1 を用いず接地としてもよく、上記実施例と同様の
効果が得られる。
【００３３】また、上記実施例では基準電圧源１０に定
電流源Ｉ2 を使用したが、条件によっては抵抗に置き換
えてもよく、同様に実現できる。この実施例を図７に示
す。
電流源Ｉ2 を使用したが、条件によっては抵抗に置き換
えてもよく、同様に実現できる。この実施例を図７に示
す。
【００３４】また、図８のごとく、演算増幅器２とトラ
ンジスタ３を、トランジスタＱ1 と抵抗Ｒ4 からなる簡
易なボルテージフォロワ５に置きかえてやれば、少ない
構成素子で同様に実現できる。
ンジスタ３を、トランジスタＱ1 と抵抗Ｒ4 からなる簡
易なボルテージフォロワ５に置きかえてやれば、少ない
構成素子で同様に実現できる。
【００３５】また、図１ないし図８のダイオードＤ1 を
ダイオード接続されたトランジスタに置き換えてもよ
く、同様に実現できる。
ダイオード接続されたトランジスタに置き換えてもよ
く、同様に実現できる。
【００３６】また、図９のごとく、トランジスタＱ2 の
ＶBEの温度係数を、基準電圧源１０に追加した抵抗
Ｒ2 ，Ｒ3 を用いてその抵抗比と同数倍した温度変化を
作り出すことにより、抵抗Ｒ1 の温度特性を任意に補償
できる。
ＶBEの温度係数を、基準電圧源１０に追加した抵抗
Ｒ2 ，Ｒ3 を用いてその抵抗比と同数倍した温度変化を
作り出すことにより、抵抗Ｒ1 の温度特性を任意に補償
できる。
【００３７】理解を容易にするため、具体的な数値例を
用いて説明する。室温（２５°Ｃ）にてＲ1 ＝１０ｋ
Ω，Ｉ1 ＝１００μＡに設定すると、Ｖ2 ＝１Ｖであ
る。Ｒ1の温度係数ρをρ＝−３０００ｐｐｍ／°Ｃと
すると、トランジスタＱ2 （ＶBE）の温度係数は−２ｍ
Ｖ／°Ｃであることが理論上解っているため、トランジ
スタＱ2 （ＶBE）の温度係数−２ｍＶ／°Ｃが抵抗Ｒ1
の温度係数−３０００ｐｐｍ／°Ｃに等しくなるように
その値を拡大するためには、抵抗比（Ｒ2 ＋Ｒ3 ）／Ｒ
3 を（Ｒ2 ＋Ｒ3 ）／Ｒ3 ＝（−３０００ｐｐｍ／°
Ｃ）／（−２ｍＶ／°Ｃ）＝１．５に選べば良いから、
Ｒ2 ＝５ｋΩ，Ｒ3 ＝１０ｋΩとする。したがってＶ1
＝−０．０５Ｖとしてやれば、Ｖ2 ＝１Ｖとなり、Ｉ1
＝１００μＡとなる（但し、ＶBE＝０．７Ｖとする）。
室温から１００°Ｃ温度上昇し、１２５°Ｃとなった場
合を考えて見ると、Ｒ1 ＝７ｋΩとなる。このときＶ2
＝１．５ＶBE−０．０５＝０．７Ｖとなり、Ｉ1 ＝１０
０μＡと変化しないことが解る。なお、ＶBEは−２ｍＶ
／°Ｃの温度特性を持つため、１２５°ＣではＶBE＝
０．５Ｖとなる。
用いて説明する。室温（２５°Ｃ）にてＲ1 ＝１０ｋ
Ω，Ｉ1 ＝１００μＡに設定すると、Ｖ2 ＝１Ｖであ
る。Ｒ1の温度係数ρをρ＝−３０００ｐｐｍ／°Ｃと
すると、トランジスタＱ2 （ＶBE）の温度係数は−２ｍ
Ｖ／°Ｃであることが理論上解っているため、トランジ
スタＱ2 （ＶBE）の温度係数−２ｍＶ／°Ｃが抵抗Ｒ1
の温度係数−３０００ｐｐｍ／°Ｃに等しくなるように
その値を拡大するためには、抵抗比（Ｒ2 ＋Ｒ3 ）／Ｒ
3 を（Ｒ2 ＋Ｒ3 ）／Ｒ3 ＝（−３０００ｐｐｍ／°
Ｃ）／（−２ｍＶ／°Ｃ）＝１．５に選べば良いから、
Ｒ2 ＝５ｋΩ，Ｒ3 ＝１０ｋΩとする。したがってＶ1
＝−０．０５Ｖとしてやれば、Ｖ2 ＝１Ｖとなり、Ｉ1
＝１００μＡとなる（但し、ＶBE＝０．７Ｖとする）。
室温から１００°Ｃ温度上昇し、１２５°Ｃとなった場
合を考えて見ると、Ｒ1 ＝７ｋΩとなる。このときＶ2
＝１．５ＶBE−０．０５＝０．７Ｖとなり、Ｉ1 ＝１０
０μＡと変化しないことが解る。なお、ＶBEは−２ｍＶ
／°Ｃの温度特性を持つため、１２５°ＣではＶBE＝
０．５Ｖとなる。
【００３８】次に、Ｒ1 の温度係数がρ＝−４５００ｐ
ｐｍ／°Ｃである場合を考える。この場合は、（Ｒ2 ＋
Ｒ3 ）／Ｒ3 ＝（−４５００ｐｐｍ／°Ｃ）／（−２ｍ
Ｖ／°Ｃ）＝２．２５とすれば良く、これはＲ2 ＝１
２．５ＫΩ，Ｒ3 ＝１０ＫΩとすることにより実現でき
る。また電圧源Ｖ1 の電圧をＶ1 ＝−０．５７５Ｖとす
る。室温（２５°ｃ）では同様にＲ1 ＝１０ｋΩ，ＶBE
＝０．７Ｖであるから、Ｖ2 ＝１Ｖとなり、Ｉ1 ＝１０
０μＡと設定できる。
ｐｍ／°Ｃである場合を考える。この場合は、（Ｒ2 ＋
Ｒ3 ）／Ｒ3 ＝（−４５００ｐｐｍ／°Ｃ）／（−２ｍ
Ｖ／°Ｃ）＝２．２５とすれば良く、これはＲ2 ＝１
２．５ＫΩ，Ｒ3 ＝１０ＫΩとすることにより実現でき
る。また電圧源Ｖ1 の電圧をＶ1 ＝−０．５７５Ｖとす
る。室温（２５°ｃ）では同様にＲ1 ＝１０ｋΩ，ＶBE
＝０．７Ｖであるから、Ｖ2 ＝１Ｖとなり、Ｉ1 ＝１０
０μＡと設定できる。
【００３９】室温から１００°ｃ温度上昇したと仮定す
ると、Ｒ1 ＝５．５ＫΩ，Ｖ2 ＝２．２５ＶBE（０．５
Ｖ）＋Ｖ1 （−０．５７５Ｖ）＝０．５５Ｖとなり、Ｉ
1 ＝１００μＡとなり、やはり変化しない。
ると、Ｒ1 ＝５．５ＫΩ，Ｖ2 ＝２．２５ＶBE（０．５
Ｖ）＋Ｖ1 （−０．５７５Ｖ）＝０．５５Ｖとなり、Ｉ
1 ＝１００μＡとなり、やはり変化しない。
【００４０】以上述べた様に、この図９の構成によっ
て、トランジスタのＶBEの温度係数を抵抗比と同数倍し
てやることによっても、抵抗の温度特性を任意に補償で
き、ＩＣ化に最適な温度補償された定電流源を得ること
ができる。
て、トランジスタのＶBEの温度係数を抵抗比と同数倍し
てやることによっても、抵抗の温度特性を任意に補償で
き、ＩＣ化に最適な温度補償された定電流源を得ること
ができる。
【００４１】なお、Ｖ1 は設定すべき電流値Ｉ1 を任意
に設定するためのものであるが、特定の条件（定電流
値）ではＶ1 を用いず接地しても同様の効果が得られ
る。
に設定するためのものであるが、特定の条件（定電流
値）ではＶ1 を用いず接地しても同様の効果が得られ
る。
【００４２】また、図９は抵抗の温度係数が負の場合に
ついて述べたが、図１０の様に抵抗の温度係数が正の場
合も同様に実現できる。
ついて述べたが、図１０の様に抵抗の温度係数が正の場
合も同様に実現できる。
【００４３】また、トランジスタＱ2 はＮＰＮで説明し
たが、ＰＮＰトランジスタにても同様に実現可能であ
る。
たが、ＰＮＰトランジスタにても同様に実現可能であ
る。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように、この発明に係る定電
流源回路によれば、ダイオードもしくはダイオード接続
されたトランジスタの順方向電圧温度特性を用いて抵抗
の温度特性を補償するような温度補償特性を持たせるよ
うにしたので、抵抗の温度特性の影響を受けず、温度変
化のない定電流源回路が得られ、ＩＣ化が容易になるも
のが得られる効果がある。
流源回路によれば、ダイオードもしくはダイオード接続
されたトランジスタの順方向電圧温度特性を用いて抵抗
の温度特性を補償するような温度補償特性を持たせるよ
うにしたので、抵抗の温度特性の影響を受けず、温度変
化のない定電流源回路が得られ、ＩＣ化が容易になるも
のが得られる効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例を示す回路図である。
【図２】この発明の第２の実施例を示す回路図である。
【図３】この発明の第３の実施例を示す回路図である。
【図４】この発明の第４の実施例を示す回路図である。
【図５】この発明の第５の実施例を示す回路図である。
【図６】この発明の第６の実施例を示す回路図である。
【図７】この発明の第７の実施例を示す回路図である。
【図８】この発明の第８の実施例を示す回路図である。
【図９】この発明の第９の実施例を示す回路図である。
【図１０】この発明の第１０の実施例を示す回路図であ
る。
る。
【図１１】従来の定電流源回路を示す回路図である。
２ 演算増幅器 ３ トランジスタ ４，Ｒ2 ，Ｒ3 抵抗 Ｄ1 ダイオード Ｑ2 ダイオード接続されたトランジスタ １０ 基準電圧源
Claims (1)
- 【請求項１】 基準電圧源の電圧を抵抗により変換して
定電流を得る定電流源回路において、 上記基準電圧源内に、その順方向電圧温度変化により上
記抵抗の温度変化を補償する、ダイオードもしくはダイ
オード接続されたトランジスタと、該ダイオードもしく
はダイオード接続されたトランジスタと直列接続され
た，任意の上記定電流値を得るための電圧源とを設けて
なることを特徴とする定電流源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075309A JP2809927B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 定電流源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075309A JP2809927B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 定電流源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235661A JPH05235661A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2809927B2 true JP2809927B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=13572528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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